弾性表面波素子および当該素子を備えた弾性表面波装置

【課題】複数のＳＡＷ素子を備えたＳＡＷ装置の電気特性を向上させる。ＳＡＷ素子間のカップリングを防ぐ。
【解決手段】圧電基板の表面に形成した第一弾性表面波素子部と、これに隣接して前記圧電基板の表面に形成した第二弾性表面波素子部とを備え、第一弾性表面波素子部及び第二弾性表面波素子部が共に、信号入力端子と、信号出力端子と、グランド端子と、信号入力端子及び信号出力端子間を結ぶ信号路と、信号路上に直列に接続された直列腕共振器と、信号路から分岐してグランド端子に至る分岐路と、分岐路上に接続された並列腕共振器とを含む弾性表面波素子で、第一弾性表面波素子部及び第二弾性表面波素子部のうちの少なくとも一方の信号路を当該弾性表面波素子部の中心線より外側に配置する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波素子および当該素子を備えた弾性表面波装置に係り、特に、複数の弾性表面波素子を備えた弾性表面波装置内で各素子間に生じ得るカップリング（電磁気的結合）を防ぐ技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電効果によって生じる弾性表面波（Surface Acoustic Wave／以下、ＳＡＷという）を利用したＳＡＷ装置は、小型軽量で信頼性に優れることから、フィルタやデュプレクサ等の信号処理デバイスとして移動体通信機器をはじめとする各種の電子機器で広く使用されている。かかるＳＡＷ装置は、一般に圧電基板上に複数の共振器を設けたチップ状のＳＡＷ素子を、樹脂やセラミックスからなるベース基板上に実装して気密パッケージを施すことにより作製される。
【０００３】
ＳＡＷ素子内の各共振器は、圧電基板の表面に形成した交差指状の電極（Interdigital Transducer／以下、ＩＤＴという）によって構成され、各共振器は同じく圧電基板上に形成した導体パターンによって電気的に接続されて、例えばデュプレクサを構成する場合には、それぞれ異なる特定の周波数帯域を有する送信側フィルタ並びに受信側フィルタが形成される。ベース基板へのＳＡＷ素子の実装は、ワイヤーボンディング（ＷＢ）方式から、小型低背化に有利なフリップチップボンディング（ＦＣＢ）方式に近年移行しつつある。
【０００４】
またこのようなＳＡＷ装置、特にＳＡＷ装置内に備えられる複数のＳＡＷ素子間のカップリングを防ぐ技術を開示するものとして下記特許文献がある。すなわち、下記特許文献１（特開２００３‐１０１３８１）では、ＳＡＷ素子間の入力電極及び出力電極を圧電基板上に相互に異なる側辺部や角部に配置することによって、一方、特許文献２（特開平１１‐１４５７７２）では、表面実装用パッケージの接地用連絡導体を複数存在させることで、それぞれＳＡＷ素子間のカップリングの低減を図る。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３‐１０１３８１号公報
【特許文献２】特開平１１‐１４５７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年、移動体通信機器等の電子機器の小型化の進展は著しく、それに伴いこれら機器に用いられるＳＡＷ装置にも、より一層の小型化ならびに高性能化（特性向上）が求められている。
【０００７】
しかしながら、装置を小型化すれば、その分、ＳＡＷ素子同士が近接することとなるから素子間のアイソレーション特性が低下し、例えば上記のようにデュプレクサを構成した場合には送受信両フィルタ間の結合によって阻止帯域における減衰特性の劣化が引き起こされるおそれがある。特に、小型化ならびに製造工程の簡略化の点で有利な、複数のＳＡＷ素子を１つの圧電体基板上に形成するＳＡＷ装置構造を採用する場合には、各ＳＡＷ素子が個別のチップとして構成されていた在来のＳＡＷ装置構造と比べ、素子間が接近し結合が一層顕著となる傾向にあり、より良好にカップリングを防ぐ技術の提供が望まれる。
【０００８】
したがって、本発明の目的は、複数のＳＡＷ素子を備えたＳＡＷ装置の電気的特性を向上させること、特に、複数のＳＡＷ素子間に生じ得るカップリングをより一層低減することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成して課題を解決するため、本発明に係るＳＡＷ（弾性表面波）素子は、圧電基板の表面に形成した第一ＳＡＷ素子部（第一弾性表面波素子部）と、当該第一ＳＡＷ素子部に隣接して前記圧電基板の表面に形成した第二ＳＡＷ素子部（第二弾性表面波素子部）とを備え、前記第一ＳＡＷ素子部および前記第二ＳＡＷ素子部が共に、信号が入力される入力端子と、信号が出力される出力端子と、グランドに接続されるグランド端子と、前記入力端子および前記出力端子間を結ぶ信号路と、この信号路上に直列に接続された１つ以上の直列腕共振器と、前記信号路から分岐して前記グランド端子に至る分岐路と、この分岐路上に接続された１つ以上の並列腕共振器とを含むＳＡＷ素子であって、前記第一ＳＡＷ素子部および前記第二ＳＡＷ素子部のうちの少なくとも一方の前記信号路を当該ＳＡＷ素子部の中心線より外側に配置した。
【００１０】
本発明者はＳＡＷ装置の電気的特性をより一層向上させるため検討を行ったところ、現状のＳＡＷ装置では、圧電基板上の各共振器を接続する配線（導体線路）の配置について格別な配慮がなされておらず、この点で更なる改良の余地があることを見出した。
【００１１】
具体的には、図１２は従来のＳＡＷ素子（デュプレクサ用のＳＡＷ素子）の一例を模式的に示す平面図である。このＳＡＷ素子は、１つの圧電基板５上に隣接して２つのＳＡＷ素子部１，２、すなわち送信側フィルタ１と受信側フィルタ２とを備え、各ＳＡＷ素子部１，２が、信号入力端子Ｔ１，Ｒ１と信号出力端子Ｔ２，Ｒ２とを結ぶ信号路Ｌ１上に直列に接続された複数の直列腕共振器Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ２１，Ｓ２２と、この信号路Ｌ１から分岐してグランド端子Ｇに至る分岐路Ｌ２上にそれぞれ接続した複数の並列腕共振器Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３とを有するラダー型のＳＡＷフィルタ素子である。
【００１２】
ここで、このＳＡＷ素子構造では、送信側フィルタ１の信号路Ｌ１の一部（信号入力端子Ｔ１側から見て最後の直列腕共振器Ｓ１３付近の信号路部分）と、受信側フィルタ２の信号路Ｌ１の一部（２つの直列腕共振器Ｓ２１，Ｓ２２の間の信号路部分）とが互いに接近しており（同図矢印Ａ参照）、送信信号が受信側フィルタ２に流れ込み、あるいは受信信号が送信側フィルタ１に流れ込んで相手側フィルタの特性を劣化させるおそれがある。特に、送信側フィルタ１の信号路Ｌ１から送信信号が受信側フィルタ２に流れ込めば、雑音の原因となり通話品質を劣化させるから、これを無くし或いは出来るだけ小さく抑えることが望ましい。
【００１３】
そこで、本発明では、上述のように第一のＳＡＷ素子部および第二のＳＡＷ素子部のうちの少なくとも一方の信号路を当該ＳＡＷ素子部の中心線より外側に配置する。
【００１４】
ここで、「外側」とは、隣接するＳＡＷ素子部から離れた側（遠い側）を言い、第一ＳＡＷ素子部について言えば、当該ＳＡＷ素子部に隣接することとなるＳＡＷ素子部（つまり第二ＳＡＷ素子部）から離れた（遠い）側を、また第二ＳＡＷ素子部について言えば、当該ＳＡＷ素子部に隣接することとなるＳＡＷ素子部（つまり第一ＳＡＷ素子部）から離れた（遠い）側をそれぞれ意味する。
【００１５】
また「中心線」とは、第一ＳＡＷ素子部と第二ＳＡＷ素子部の配列方向（隣接方向／図１２の例では左右方向）と直交する中心軸を言う。より具体的には、第一ＳＡＷ素子部と第二ＳＡＷ素子部の配列方向を左右方向とした場合に、ＳＡＷ素子部（当該ＳＡＷ素子の構成要素（例えばＩＤＴや接続パッド、これらを接続する導体線路）が配置されたＳＡＷ素子の形成領域）の平面形状が左右対称である場合には、上記中心線は当該対称軸と一致する。一方、ＳＡＷ素子部の平面形状が左右対称でない場合には、左右方向（第一ＳＡＷ素子部と第二ＳＡＷ素子部の配列方向）について、最も内側（隣り合うＳＡＷ素子部に近い側）の縁部と、最も外側の（隣り合うＳＡＷ素子部から遠い側）の縁部との中間位置を通りかつ左右方向（第一ＳＡＷ素子部と第二ＳＡＷ素子部の配列方向）に直交する軸を意味する。
【００１６】
更に「信号路」とは、信号が入力される入力端子と、当該信号が出力される出力端子とを結ぶ伝送路であり、信号が伝送される最短の経路を言う。
【００１７】
このように隣り合う第一ＳＡＷ素子部または第二ＳＡＷ素子部について、信号路を他のＳＡＷ素子部から離して配置することで、両ＳＡＷ素子部のカップリングを防ぎ、複数のＳＡＷ素子を含む小型化のかつ電気特性に優れたＳＡＷ素子を構成することが可能となる。
【００１８】
上記本発明のＳＡＷ素子では、更に、前記第一ＳＡＷ素子部および第二ＳＡＷ素子部のうちの他方の信号路の一部を当該ＳＡＷ素子部の中心線より外側に配置しても良い。また、前記第一ＳＡＷ素子部および第二ＳＡＷ素子部の各信号路を各ＳＡＷ素子部の中心線より外側にそれぞれ配置しても良い。互いに隣接する両ＳＡＷ素子部間のカップリングを良好に防ぐためである。
【００１９】
更に、前記第一ＳＡＷ素子部の信号路と前記第二ＳＡＷ素子部の信号路との間に介在されるように前記分岐路を配置しても良い。このように両信号路の間に、グランド端子に接続された分岐路を介在させれば、グランドに不要な信号を流すことができ、隣接する他のＳＡＷ素子部への影響を好ましく抑制することが可能となる。
【００２０】
本発明に係るＳＡＷ装置は、上記いずれかのＳＡＷ素子をベース基板上にフリップチップ実装し、当該ＳＡＷ素子を気密封止する蓋体を備えたＳＡＷ装置である。このＳＡＷ装置において蓋体は、接地導体を備えないものとすることが望ましい。蓋体を通じたＳＡＷ素子部間の結合を防ぐためである。
【００２１】
本発明においてＳＡＷ素子部は、２つに限られるものではなく、３つ以上あっても良い。また、上記直列腕共振器および並列腕共振器は、圧電基板の表面に設けた交差指状電極（Interdigital Transducer／ＩＤＴ）により構成することができ、反射器を備えていても良い。さらに、本発明に言うＳＡＷ装置は、例えばデュプレクサであるが、これに限定されるものではなく、トリプレクサや各種フィルタ装置その他、弾性表面波を利用しかつ１つ以上のＳＡＷ素子（又はＳＡＷ素子部）を備えた様々なＳＡＷ装置が含まれる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、複数のＳＡＷ素子間に生じ得るカップリングを低減し、複数のＳＡＷ素子を備えたＳＡＷ装置の電気的特性を向上させることが出来る。
【００２３】
本発明の他の目的、特徴および利点は、図面に基づいた以下の本発明の実施の形態の説明により明らかにする。尚、各図中、同一の符号は、同一又は相当部分を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
〔第１実施形態〕
図１は、本発明の第一の実施形態に係るＳＡＷ装置であるデュプレクサを示すブロック図である。同図に示すようにこのデュプレクサは、帯域中心周波数ｆ１を有してアンテナに接続される共通端子Ｃに接続された送信側フィルタ１１と、ｆ１より大きな帯域中心周波数ｆ２を有して共通端子Ｃに接続された受信側フィルタ１２とを有し、送信信号が入力される送信信号端子Ｔｘおよび受信信号が出力される受信信号端子Ｒｘを備える。
【００２５】
図２及び図３は、それぞれ送信側フィルタ１１（ＳＡＷ素子部）及び受信側フィルタ１２（ＳＡＷ素子部）の構成を示す回路図である。図２に示すように送信側フィルタ１１は、前記送信信号端子Ｔｘに接続されて送信信号が入力される入力端子Ｔ１と当該送信信号が出力される出力端子Ｔ２との間の伝送路（信号路）上に直列に接続した３つの直列腕共振器Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３と、当該信号路から分岐してグランド端子Ｇに至る分岐路上にそれぞれ接続した２つの並列腕共振器Ｐ１１，Ｐ１２とを備える。
【００２６】
一方、受信側フィルタ１２は、図３（ａ）に示すように、前記共通端子Ｃに接続されてアンテナからの受信信号が入力される入力端子Ｒ１と当該受信信号が出力される出力端子Ｒ２との間の伝送路（信号路）上に直列に接続した２つの直列腕共振器Ｓ２１，Ｓ２２と、この信号路から分岐してグランド端子Ｇに至る分岐路上にそれぞれ接続した３つの並列腕共振器Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３とを備える。尚、図３（ａ）に示す構成例では、２つの並列腕共振器Ｐ２２，Ｐ２３を接続するグランド端子Ｇを共通のものとしたが、同図（ｂ）に示すように別々のグランド端子Ｇに並列腕共振器Ｐ２２，Ｐ２３をそれぞれ接続するようにしても良い。
【００２７】
これら送信側及び受信側の各フィルタ１１，１２を構成する共振器Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ２１，Ｓ２２，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３は、後に述べるように圧電基板上に形成した交差指状電極（ＩＤＴ）とその両側に設けた反射器とからなる。また、送信側フィルタ１１及び受信側フィルタ１２の構成は、一例として示したものであって、直列腕及び並列腕の各共振器の数や接続配置構造等は、図示の例のほかにも様々なものであって良い。さらに本実施形態では、受信側の中心周波数ｆ２が送信側の中心周波数ｆ１より大きいが、逆に、送信側の中心周波数ｆ１が受信側の中心周波数ｆ２より大きなシステムであっても良い。
【００２８】
図４は、本実施形態に係るデュプレクサを示す断面図である。この図に示すように本実施形態のデュプレクサは、ベース基板２１の表面にＳＡＷ素子１０を実装し、このＳＡＷ素子１０の周囲を取り囲む枠状の基板２２およびこの枠状基板２２の上面を覆う天板基板２３からなる蓋体によってＳＡＷ素子１０を気密封止してある（同図（ａ）参照）。蓋体（天板基板２３）には、接地導体（グランド電極）を設けない。当該接地導体を通じての両フィルタ１１，１２間のカップリングを防ぐためである。尚、蓋体は、同図（ｂ）に示すように、２つの基板（枠状基板と天板基板）からなるものでなく、一体の（１枚の）封止材３１からなるものであっても良い。この場合にも、同様の理由から当該蓋体３１には、接地導体（グランド電極）を設けない。
【００２９】
ＳＡＷ素子１０は、１枚の圧電基板５の表面に前記送信側フィルタ１１と前記受信側フィルタ１２とを並べて形成してあり、これを所謂フェースダウンによってベース基板２１上に設けた接続パッド２５に金属バンプ２６を介して電気的に接続しつつフリップチップ実装する。ベース基板２１は、例えば樹脂基板、セラミックス基板、あるいは樹脂に無機フィラー等を混入した複合材料からなる基板とすることが出来る。
【００３０】
図５は、上記ＳＡＷ素子１０の表面を模式的に示す平面図である。この図に示すように本実施形態におけるＳＡＷ素子１０は、１枚の圧電基板５の表面に送信側フィルタ１１（第一ＳＡＷ素子部）と受信側フィルタ１２（第二ＳＡＷ素子部）とを並べて形成する。送信側フィルタ１１は、前述のように送信信号が入力される入力端子Ｔ１と、当該送信信号が出力される出力端子Ｔ２との間の伝送路である信号路Ｌ１上に、３つの直列腕共振器Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３を備えると共に、この信号路Ｌ１から分岐してグランド端子Ｇに至る分岐路Ｌ２上に並列腕共振器Ｐ１１，Ｐ１２を有する。
【００３１】
ここで、本実施形態では、送信側フィルタ１１の中心線ＣＬ１を境に受信側フィルタ１２に近い側を「内側」、受信側フィルタ１２から遠い側を「外側」と称した場合に（次に述べる受信側フィルタ１２についても同様）、送信側フィルタ１１の信号路Ｌ１を、当該送信側フィルタ１１の中心線ＣＬ１より外側に配置している。
【００３２】
一方、受信側フィルタ１２は、前述のようにアンテナからの受信信号が入力される入力端子Ｒ１と、当該受信信号が出力される出力端子Ｒ２との間の伝送路である信号路Ｌ１上に、２つの直列腕共振器Ｓ２１，Ｓ２２を備えると共に、この信号路Ｌ１から分岐してグランド端子Ｇに至る分岐路Ｌ２上に並列腕共振器Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３を有する。そして、上記送信側フィルタ１１と同様に、受信側フィルタ１２の信号路Ｌ１を、当該受信側フィルタ１２の中心線ＣＬ２より外側に配置してある。
【００３３】
また、この受信側フィルタ１２の信号路Ｌ１と上記送信側フィルタ１１の信号路Ｌ１との間に、送信側フィルタ１１の分岐路Ｌ２及び受信側フィルタ１２の分岐路Ｌ２が介在されるように配置する。
【００３４】
信号路並びに分岐路のこのような配置構成により、本実施形態では送受信両フィルタ１１，１２間のカップリングを防ぎ、両フィルタ１１，１２の周波数特性の劣化を回避することが出来る。図６は上記第一実施形態に係るデュプレクサの周波数‐減衰特性（シミュレーション結果）を前記従来のＳＡＷ素子構造（図１２）と比較して示す線図であり、図中、符合１１は送信側フィルタを、符号１２は受信側フィルタをそれぞれ示し、細線が前記従来の素子構造を有するデュプレクサを、太線が本実施形態のデュプレクサをそれぞれ示している。
【００３５】
また、下記表１は、送信側フィルタの通過域（受信側フィルタの減衰域）中の特定スペック周波数８３０ＭＨｚ乃至８４０ＭＨｚにおける受信側フィルタの減衰量を示すものであり、下記表２は、受信側フィルタの通過域（送信側フィルタの減衰域）中の特定スペック周波数８７５ＭＨｚ乃至８８５ＭＨｚにおける送信側フィルタの減衰量を示すものである。
【００３６】
【表１】

【００３７】
【表２】

【００３８】
さらに、図７は本実施形態における送受信フィルタ間のアイソレーション特性を示す線図であり、細線が前記従来の素子構造を、太線が本実施形態をそれぞれ示している。また下記表３は、送信側フィルタの通過域中の特定スペック周波数８３０ＭＨｚ乃至８４０ＭＨｚにおける送受信両フィルタ間のアイソレーション特性（減衰量）を示し、表４は、受信側フィルタの通過域中の特定スペック周波数８７５ＭＨｚ乃至８８５ＭＨｚにおける送受信両フィルタ間のアイソレーション特性（減衰量）を示すものである。
【００３９】
【表３】

【００４０】
【表４】

【００４１】
これら図６，７及び表１〜４に示すシミュレーション結果から明らかなように、前記従来の素子構造に比べ、本実施形態の素子構造によれば、相手側フィルタの通過域における減衰特性を改善し、送受信両フィルタ間のアイソレーション特性を向上させることが出来ることが分かる。
【００４２】
〔第２実施形態〕
図８は、本発明の第二の実施形態に係るＳＡＷ装置（デュプレクサ）が備えるＳＡＷ素子を示す平面図である。このデュプレクサは、前記第一の実施形態と同様に、１つの圧電基板５上に送信側フィルタ５１と受信側フィルタ１２とを形成したＳＡＷ素子５０を備え、受信側フィルタ１２の信号路Ｌ１を当該受信側フィルタ１２の中心線ＣＬ２より外側に配置したものであるが、送信側フィルタ５１の構造が前記第一実施形態と異なっている。
【００４３】
すなわち、前記共通端子Ｃに接続される送信側フィルタ５１の出力端子Ｔ２が、受信側フィルタ寄りにあり、この出力端子Ｔ２と、送信信号端子Ｔｘに接続される入力端子Ｔ１とを結ぶ信号路Ｌ１の一部が当該送信側フィルタ５１の中心線ＣＬ１より内側（受信フィルタ側）に配線されている。
【００４４】
しかしながら、送信信号が入力される入力端子Ｔ１側の信号路部分は中心線ＣＬ１より外側に配置し、受信側フィルタ１２の信号路Ｌ１は前述のように中心線ＣＬ２より外側に配置し、かつこれら送信側及び受信側フィルタ５１，１２の信号路Ｌ１の間にはグランド端子Ｇに接続された分岐路Ｌ２が介在されるように配置してあり、このような配置構造により、両フィルタ５１，１２のカップリングを防ぐことが可能である。
【００４５】
図９及び図１０は、前記図６及び図７と同様に、それぞれ当該第二の実施形態に係るデュプレクサの周波数‐減衰特性（シミュレーション結果）を前記従来のＳＡＷ素子構造（図１２）と比較して示す線図と、送受信両フィルタ間のアイソレーション特性を示す線図である。尚、符合５１は送信側フィルタを、符号１２は受信側フィルタをそれぞれ示し、細線が前記従来の素子構造を、太線が本実施形態をそれぞれ示す。また、下記表５から表８はそれぞれ前記表１から表４に対応するもので、表５は受信側フィルタの減衰量、表６は送信側フィルタの減衰量、表７及び表８は送受信両フィルタ間のアイソレーション特性（減衰量）を示すものである。
【００４６】
【表５】

【００４７】
【表６】

【００４８】
【表７】

【００４９】
【表８】

【００５０】
これら図９，１０及び表５〜８に示すシミュレーション結果から明らかなように、前記従来の素子構造に比べ、本実施形態の素子構造によっても、相手側フィルタの通過域における減衰特性を改善することができ、送受信両フィルタ間のアイソレーション特性を向上させることが出来る。
【００５１】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の変更を行うことができることは当業者にとって明らかである。
【００５２】
例えば、ＳＡＷ素子部は対称な平面形状を有するとは限らない。図１１はＳＡＷ素子部が左右対称でない平面形状を有する一例を示すものである。この例では、圧電基板５上に２つのＳＡＷ素子部１０１，１０２が設けられているが、各ＳＡＷ素子部１０１，１０２が左右対称ではない。この場合、左右方向（第一ＳＡＷ素子部１０１と第二ＳＡＷ素子部１０２の配列方向）について、最も内側（隣接するＳＡＷ素子部に近い側）の縁部（第一ＳＡＷ素子部１０１の場合はＥ１１、第二ＳＡＷ素子部１０２の場合はＥ２１）と、最も外側の（隣接するＳＡＷ素子部から遠い側）の縁部（第一ＳＡＷ素子部１０１の場合はＥ１２、第二ＳＡＷ素子部１０２の場合はＥ２２）との中間点を通りかつ左右方向（第一ＳＡＷ素子部１０１と第二ＳＡＷ素子部１０２の配列方向）に直交する軸ＣＬ１，ＣＬ２を各ＳＡＷ素子部の中心線として、これらの外側（ハッチングを施した領域）に、いずれか一方又は双方の前記信号路を配置すれば良い。
【００５３】
尚、本発明に基づいて信号路を前記中心線より外側に配置する場合、当該信号路の全部が完全に中心線の外側に位置しなくても、当該信号路の略全体が外側にあれば（一部が内側にあっても）良い。当該信号路についてその大部分を中心線より外側の領域に配置すれば、同様の（略同等の）効果が得られるからである。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の第一の実施形態に係るＳＡＷ装置（デュプレクサ）を示すブロック図である。
【図２】前記第一実施形態に係るＳＡＷ装置が備える送信側フィルタを示す回路図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は前記第一実施形態に係るＳＡＷ装置が備える受信側フィルタの一例及び別の例を示す回路図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は前記第一実施形態に係るＳＡＷ装置の一例及び別の例を示す断面図である。
【図５】前記第一実施形態に係るＳＡＷ装置が備えるＳＡＷ素子を模式的に示す平面図である。
【図６】前記第一実施形態に係るデュプレクサの周波数‐減衰特性（シミュレーション結果）を従来のＳＡＷ素子構造と比較して示す線図である。
【図７】前記第一実施形態における送受信フィルタ間のアイソレーション特性を示す線図である。
【図８】本発明の第二の実施形態に係るＳＡＷ装置が備えるＳＡＷ素子を模式的に示す平面図である。
【図９】前記第二実施形態に係るデュプレクサの周波数‐減衰特性（シミュレーション結果）を従来のＳＡＷ素子構造と比較して示す線図である。
【図１０】前記第二実施形態における送受信フィルタ間のアイソレーション特性を示す線図である。
【図１１】本発明に係るＳＡＷ素子の別の一構成例を模式的に示す平面図である。
【図１２】従来のＳＡＷ素子構造を模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００５５】
Ｃ共通端子
Ｇグランド端子
Ｒｘ受信信号端子
Ｔｘ送信信号端子
Ｒ１，Ｔ１入力端子
Ｒ２，Ｔ２出力端子
Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３並列腕共振器
Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ２１，Ｓ２２直列腕共振器
ＣＬ１，ＣＬ２中心線
Ｌ１信号路
Ｌ２分岐路
１，１１，５１，１０１送信側フィルタ（第一ＳＡＷ素子部）
２，１２，１０２受信側フィルタ（第二ＳＡＷ素子部）
５圧電基板
１０，５０ＳＡＷ素子
２１ベース基板
２２枠状基板（蓋体）
２３天板基板（蓋体）
２５接続パッド
２６金属バンプ
３１封止材（蓋体）

【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の表面に形成した第一弾性表面波素子部と、
当該第一弾性表面波素子部に隣接して前記圧電基板の表面に形成した第二弾性表面波素子部と、
を備え、
前記第一弾性表面波素子部および前記第二弾性表面波素子部が共に、
信号が入力される入力端子と、
信号が出力される出力端子と、
グランドに接続されるグランド端子と、
前記入力端子および前記出力端子間を結ぶ信号路と、
この信号路上に直列に接続された１つ以上の直列腕共振器と、
前記信号路から分岐して前記グランド端子に至る分岐路と、
この分岐路上に接続された１つ以上の並列腕共振器と、
を含む弾性表面波素子であって、
前記第一弾性表面波素子部および前記第二弾性表面波素子部のうちの少なくとも一方の前記信号路を当該弾性表面波素子部の中心線より外側に配置した
ことを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】
前記第一弾性表面波素子部および前記第二弾性表面波素子部のうちの他方の前記信号路の一部を当該弾性表面波素子部の中心線より外側に配置した
ことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波素子。
【請求項３】
前記第一弾性表面波素子部および前記第二弾性表面波素子部の各信号路を各弾性表面波素子部の中心線より外側にそれぞれ配置した
ことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波素子。
【請求項４】
前記第一弾性表面波素子部の信号路と前記第二弾性表面波素子部の信号路との間に介在されるように前記分岐路を配置した
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の弾性表面波素子。
【請求項５】
弾性表面波素子を実装可能なベース基板と、
当該ベース基板上にフリップチップ実装した前記請求項１から４のいずれか一項に記載の弾性表面波素子と、
当該弾性表面波素子を気密封止する蓋体と、
を備えた弾性表面波装置。
【請求項６】
前記蓋体が接地導体を備えていない
請求項５に記載の弾性表面波装置。

【図１】