弾性表面波装置およびその製造方法
【課題】ＳＡＷ素子をＦＣＢ実装するＳＡＷ装置において新たな素子等を新たに設けることなくより簡便にインダクタンスの調整を可能とする。
【解決手段】ＳＡＷ素子を搭載可能な基板と、この基板に設けた導電性を有する接続パッドと、当該接続パッドにバンプを介して電気的に接続した１以上のＳＡＷ素子とを備え、バンプの外縁が接続パッドの外縁より内側に位置し、ＳＡＷ素子を基板表面に対し略平行な方向にずらすことにより、接続パッドへのバンプの接合位置を接続パッドの外縁の内側領域内で変更した。接続パッドは、バンプによる実装に必要な面積を有するパッド本体部と、このパッド本体部に連続して接続パッドの大きさを拡張する拡張部とを含み、ＳＡＷ素子をパッド本体部から拡張部に向う方向にずらす。
【解決手段】ＳＡＷ素子を搭載可能な基板と、この基板に設けた導電性を有する接続パッドと、当該接続パッドにバンプを介して電気的に接続した１以上のＳＡＷ素子とを備え、バンプの外縁が接続パッドの外縁より内側に位置し、ＳＡＷ素子を基板表面に対し略平行な方向にずらすことにより、接続パッドへのバンプの接合位置を接続パッドの外縁の内側領域内で変更した。接続パッドは、バンプによる実装に必要な面積を有するパッド本体部と、このパッド本体部に連続して接続パッドの大きさを拡張する拡張部とを含み、ＳＡＷ素子をパッド本体部から拡張部に向う方向にずらす。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波装置およびその製造方法に係り、特にフリップチップ実装する弾性表面波素子の基板表面への搭載位置によって減衰特性の調整を可能とする技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電効果によって生じる弾性表面波（Surface Acoustic Wave／以下、ＳＡＷという）を利用したＳＡＷ装置は、小型軽量で信頼性に優れることから、フィルタや共振器、デュプレクサなどの信号処理デバイスとして携帯電話機その他の電子機器に近年広く利用されている。
【０００３】
かかるＳＡＷ装置を構成するには、一般に圧電基板上に交差指状の電極（Interdigital Transducer／以下、ＩＤＴという）を備えたチップ状のＳＡＷ素子を、樹脂やセラミックスからなる配線基板上に実装し、パッケージを施すことにより作製される。
【０００４】
配線基板へＳＡＷ素子を実装するには、ＳＡＷ素子側の電極端子と配線基板上の接続パッドとを導電ワイヤにより接続するワイヤーボンディング（以下、ＷＢと略して記す）方式か、あるいはＳＡＷ素子側の電極端子をバンプを介して接続パッドに接続するフリップチップボンディング（以下、ＦＣＢと略して記す）方式が一般に採られる。
【０００５】
ＦＣＢは、素子の電極端子を基板上の接続パッドに直接接続するため、ＷＢに較べて小型低背化に有利である。また、ワイヤに較べてバンプは径が大きく且つ短いため、ＦＣＢによれば旧来のＷＢ方式に較べて接続部位のインダクタンスが格段に小さくなり、接続部位のインダクタンスに起因する伝送特性への影響を小さく抑えることが出来る利点がある。
【０００６】
また、ＳＡＷ素子をＦＣＢ実装してＳＡＷ装置を構成する技術を開示するものとして下記特許文献がある。
【特許文献１】特開２００１‐１６０７３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、ＳＡＷ装置では、通過帯域幅や減衰特性など当該ＳＡＷ装置を使用するシステム側からの様々な仕様要求に応えるため、インダクタンスを調整する必要が生じることがある。このような場合、ＦＣＢ実装による装置では、個別のインダクタ素子や導体パターンからなるインダクタを接続し、これらインダクタのインダクタンス値を調整することにより要求に応えるのが通常である。
【０００８】
例えば、上記特許文献記載の装置では、接地用導体パターン間をボンディングワイヤで接続し、このワイヤの長さ（接地用導体パターン間の距離）や径等を設定することによりインダクタンスの調整を行うことが望ましいとされている。
【０００９】
しかしながら、インダクタンスを調整するため別個の素子やワイヤ等を設けることは部品点数並びに製造工程数を増やし、製造コストを増大させる原因となる。また、ＳＡＷ装置の小型化を妨げる一因ともなり、近年の装置小型化の強い要請に応える上で不利な面がある。
【００１０】
上記特許文献記載の発明も、小型薄型でかつインダクタンス成分を有するワイヤを接続する従来法と遜色の無い電気特性が得られるとするものの、別部品であるワイヤを新たに必要とする点では従来のワイヤ接続法の域を出るものではない。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、ＳＡＷ素子をＦＣＢ実装するＳＡＷ装置において、インダクタンスを調整するための素子等を新たに設けることなく、より簡便にインダクタンスの調整を可能とする点にある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記課題を解決し目的を達成するため、本発明に係るＳＡＷ（弾性表面波）装置は、ＳＡＷ素子を搭載可能な基板と、この基板に設けた導電性を有する接続パッドと、当該接続パッドにバンプを介して電気的に接続した１以上のＳＡＷ素子とを備えるＳＡＷ装置であって、前記バンプの外縁が前記接続パッドの外縁より内側に位置し、前記ＳＡＷ素子を前記基板表面に対し略平行な方向にずらすことにより、前記接続パッドへの前記バンプの接合位置を前記接続パッドの外縁の内側領域内で変更した。
【００１３】
また、本発明に係るＳＡＷ装置の製造方法は、基板に設けた接続パッドにバンプを介してＳＡＷ素子を電気的に接続することにより当該ＳＡＷ素子を前記基板に実装する素子実装工程を含むＳＡＷ装置の製造方法であって、平面から見たときに前記バンプの外縁が前記接続パッドの外縁より内側に位置し、前記素子実装工程は、前記ＳＡＷ素子を前記基板に実装するときに前記基板表面に対し略平行な方向にずらすことにより、前記接続パッドへの前記バンプの接合位置を前記接続パッドの外縁の内側領域内で変更する工程を含む。
【００１４】
ＳＡＷ素子をＦＣＢ実装し製造されるＳＡＷ装置においてインダクタンスの調整を行うには、従来、インダクタ（チップインダクタや導体線路パターン等）を別個に取り付けて調整していることは既に述べたとおりである。
【００１５】
一方、本発明者は、ＳＡＷ装置の電気特性（減衰特性）のばらつきについて検討を行う中で、基板上のチップ（ＳＡＷ素子）の搭載位置にばらつきが見られ、この搭載位置と当該装置の電気特性（減衰特性）との間に一定の因果関係があることを発見した。更にチップの搭載位置と減衰特性との関係を検討するうちに、チップ（接続パッドへの接合点）を特定の方向にずらすと減衰特性（減衰量や減衰極の周波数等）を意図的に変えることが出来ることを見出した。本発明はこのような知見に基づいてなされたもので、従来のようにインダクタを別個に設けなくても、チップ（ＳＡＷ素子）の実装位置を変更することでインダクタンス（減衰特性）の調整を行うことが可能となる。尚、この点については、後の実施形態の説明の中で測定結果およびシミュレーションによる算出結果に基づいて具体的に詳しく述べる。
【００１６】
したがって、本発明のＳＡＷ装置およびその製造方法では、基板にＳＡＷ素子をフリップチップ実装し、ＳＡＷ装置を構成する。具体的には、ＳＡＷ素子が備える接続用の電極端子と、基板に形成した接続パッドとをバンプを介して電気的に接続する。このとき、接続パッドの平面から見たときの大きさはバンプの大きさより大きく（平面から見たときにバンプの外縁が接続パッドの外縁より内側に位置し）、ＳＡＷ素子を基板表面に対し略平行にずらすことにより接続パッドの外縁の内側領域内で接続パッドへのバンプの接合位置を変更する。
【００１７】
これにより、新たな素子やワイヤ等を設けることなく、インダクタンス調整（インダクタンス値を小さくするか或いは大きくする）を行い、所望の減衰特性を有するＳＡＷ装置を製造すること（当該ＳＡＷ装置の減衰量や減衰極の周波数等の調整を行うこと）が可能となる。
【００１８】
また、上記接続パッドは、従来のＦＣＢに必要であったパッド面積（この部分がパッド本体部である）より広くなるように当該パッド本体部に連続した拡張部を設けておいても良い。このような拡張部を設ければ、ＳＡＷ素子の実装不良（接続不良）をより確実に防ぎつつ、基板上におけるＳＡＷ素子の搭載位置（接続パッド上でのバンプの接合位置）をインダクタンスの調整のため、位置を調整することが可能となる。
【００１９】
拡張部の形状や大きさ、配設位置（パッド本体部のどちら側に設けるか、或いはパッド本体部の周囲総てに亘り設けるか等）については、ＳＡＷ素子を実装する基板側の配線パターンやＳＡＷ素子の電極端子の位置、基板上におけるＳＡＷ素子の配置位置等によって様々であって特定の構成に限定されるものではない。典型的には、パッド本体部から見てＳＡＷ素子をずらす方向に存在するよう拡張部を設けることが望ましいが、対象となるＳＡＷ素子をずらした場合に、バンプによる電気的接続に支障が生じることがないように各接続パッドに拡張部を適宜設ければ良い。
【００２０】
接続パッドの一構成例としては、略長方形の平面形状を有しかつその長辺が前記ＳＡＷ素子をずらす方向に略平行に延在するよう配置されているものとすることが出来る。
【００２１】
本発明に云うＳＡＷ装置には、例えばローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ等の各種のフィルタ、共振器、デュプレクサ、トリプレクサ、その他のＳＡＷ素子を含む各種のＳＡＷデバイスが含まれる。
【００２２】
本発明に基づくデュプレクサの一構成例は、ＳＡＷ素子として低域側ＳＡＷフィルタ素子（送信フィルタ又は受信フィルタ）と高域側ＳＡＷフィルタ素子（受信フィルタ又は送信フィルタ）とを含み、高域側ＳＡＷフィルタ素子は、アンテナ端子と高域側信号端子（送信信号端子又は受信信号端子）との間を結ぶ伝送路上に直列に接続された直列腕共振器と、当該伝送路からグランドに分岐する分岐路上に接続された並列腕共振器とを複数段接続したラダー型ＳＡＷ素子であり、前記アンテナ端子側から見て初段に接続された並列腕共振器の一端をグランドに接続するため前記基板上に設けた接続パッド上において、この接続パッドに接合されるバンプが、当該接続パッドとグランドへの導体線路との接続部に近づくように高域側ＳＡＷフィルタ素子の実装位置をずらしたものとすることが出来る。
【００２３】
かかるデュプレクサ構造においては、高域側のＳＡＷフィルタ素子の実装位置を上記のようにずらすことで初段の並列腕共振器とグランドとの間に存在するインダクタンスが低減され、これにより、高域側ＳＡＷフィルタ素子の減衰特性（特に低域側阻止域の通過域近傍）を顕著に変えることが可能となる（具体的特性については、実測結果等に基づいて後述する）。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、ＳＡＷ素子をＦＣＢ実装するＳＡＷ装置において、インダクタンスを調整するための素子等を新たに設けることなく、より簡便にインダクタンスを調整することが出来る。
【００２５】
本発明の他の目的、特徴および利点は、図面に基づいて述べる以下の本発明の実施の形態の説明により明らかにする。尚、各図中、同一の符号は、同一又は相当部分を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１から図６は、本発明の一実施形態に係るＳＡＷデュプレクサを示すものである。図１に示すようにこのデュプレクサ１１は、互いに異なる通過帯域を有する２つのＳＡＷフィルタ、即ち送信フィルタ１２および受信フィルタ１３と、外部接続用の端子、即ち送信フィルタおよび受信フィルタが共通に接続されるアンテナ端子Ａｘと、送信信号が入力される送信信号端子Ｔｘと、受信信号が出力される受信信号端子Ｒｘとを備える。
【００２７】
送信フィルタ１２および受信フィルタ１３は、例えば樹脂あるいはこれに誘電体粉末を混合した複合材料からなるベース基板の表面にＦＣＢ実装し、これらを覆うように蓋体を被せて両フィルタを気密封止する。尚、ベース基板はセラミックその他の材料からなるものであっても良い。
【００２８】
図２は、フィルタ１２，１３を実装する上記ベース基板の表面を示す平面図である。このベース基板２１は、表裏面および内層を含む複数の配線層を備えた積層基板であり、その表面に、上記両フィルタ１２，１３をＦＣＢ実装するための接続パッド（受信信号用パッドＲ１、アンテナ用パッドＡ１，Ａ２、グランド用パッドＧ１，Ｇ２，Ｇ３、送信信号用パッドＴ１）と、基板の周縁部に配した電極（受信信号用電極Ｒ２、アンテナ用電極Ａ３、グランド用電極Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６，Ｇ７，Ｇ８、送信信号用電極Ｔ２）と、これらを接続する導体線路とを設けてある。
【００２９】
尚、前記外部接続用の各端子、即ちアンテナ端子Ａｘ、送信信号端子Ｔｘおよび受信信号端子Ｒｘは、ベース基板２１の裏面に設けてあり、ベース基板２１の表面に設けた上記各パッドＲ１，Ａ１，Ａ２，Ｇ１〜Ｇ３，Ｔ１乃至電極Ｒ２，Ａ３，Ｇ４〜Ｇ８，Ｔ２と外部接続端子Ａｘ，Ｔｘ，Ｒｘとは、ベース基板２１の側面を基板表面から裏面に亘り基板の厚さ方向に延びるキャスタレーション（サイドビア）Ｖを介して基板裏面の各対応する外部接続用端子に電気的に接続されている。
【００３０】
ベース基板２１は、平面から見て略方形の全体形状を呈して相対する２組の対辺２１ａ，２１ｂ；２１ｃ，２１ｄを有する。これら対辺のうち一対の対辺を第一辺（図２の下側の辺）２１ａおよび第二辺（図２の上側の辺）２１ｂと、他対の対辺を第三辺（図２の左側の辺）２１ｃおよび第四辺（図２の右側の辺）２１ｄとすると、基板表面の第一辺２１ａには、基板裏面の外部接続用のアンテナ端子Ａｘに接続されるアンテナ電極Ａ３とこのアンテナ電極Ａ３の両側に配したグランド電極Ｇ７，Ｇ８とを設け、第一辺２１ａに相対する第二辺２１ｂには、基板裏面の外部接続用のグランド端子に接続される３つのグランド電極Ｇ４〜Ｇ６を設けてある。これら３つのグランド電極のうちの右側の電極Ｇ６と、受信フィルタ１３を実装する接続パッドのうちの左上のグランド用パッドＧ１との間には、ミアンダ状の導体パターンからなるインダクタＬ１０を挿入してある。このインダクタＬ１０は、後に述べるインダクタＬＧ１（図４）を構成するものである。
【００３１】
送信フィルタ１２および受信フィルタ１３は、図２において一点差線で示すようにベース基板２１の略中央部に左右に並べて配置してある。また同図においてバンプＢを黒く塗りつぶした丸で示している。上記ベース基板２１の他対の対辺２１ｃ，２１ｄのうち、送信フィルタ１２に近い第三辺２１ｃには、基板裏面の外部接続用の送信信号端子Ｔｘに接続される送信電極Ｔ２を、また受信フィルタ１３に近い第四辺２１ｄには、基板裏面の外部接続用の受信信号端子Ｒｘに接続される受信電極Ｒ２をそれぞれ設けている。
【００３２】
図３と図４はそれぞれ受信フィルタ１３を示す平面図と回路図である。これらの図に示すように、受信フィルタ１３は、アンテナ用の接続端子Ａ５と受信信号用の接続端子Ｒ５との間に直列に接続された３つの直列腕共振器Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３と、当該伝送路からグランドへの分岐路上に接続された３つの並列腕共振器Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３とを備えた５段のラダー型ＳＡＷフィルタである。また各共振器Ｓ１〜Ｓ３，Ｐ１〜Ｐ３は、圧電基板３１の表面に形成した交差指状電極およびその両側に配した反射器を備え、同じく圧電基板３１の表面に形成した接続用の電極（アンテナ用接続端子Ａ５，受信信号用接続端子Ｒ５，グランド用接続端子Ｇ１０〜Ｇ１２）を有する。尚、図３に示すフィルタ素子は、実装時には表裏反転して（図３に示す面を下側にして／フェースダウンして）前記図２に示すベース基板２１の表面に搭載される（図５の送信フィルタ１２も同様）。
【００３３】
また、図４において第一段の並列腕共振器Ｐ１に接続されているインダクタＬＧ１は、ベース基板２１の表面に設けた接続パッドＧ１、並びにこの接続パッドＧ１と前記第二辺２１ｂのグランド電極Ｇ６との間に接続されたミアンダ状の導体パターン（インダクタ導体）Ｌ１０により形成されるインダクタであり、インダクタＬＧ２は、ベース基板２１の表面に設けた接続パッドＧ２並びにグランド電極Ｇ８により形成されるインダクタである。更に、インダクタＬＧ３は、キャスタレーションＶ等によって形成されるインダクタである。
【００３４】
図５と図６はそれぞれ送信フィルタ１２を示す平面図と回路図である。これらの図に示すように、送信フィルタ１２は、アンテナ用の接続端子Ａ６と送信信号用の接続端子Ｔ６との間に直列に接続された３つの直列腕共振器Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７と、当該伝送路からグランドへの分岐路上に接続された２つの並列腕共振器Ｐ５，Ｐ６とを備えた４段のラダー型ＳＡＷフィルタである。また各共振器Ｓ５〜Ｓ７，Ｐ５，Ｐ６は、前記受信フィルタ１３の共振器と同様に、圧電基板３２の表面に形成した交差指状電極およびその両側に配した反射器を備え、同じく圧電基板３２の表面に形成した接続用の電極（アンテナ用接続端子Ａ６，送信信号用接続端子Ｔ６，グランド用接続端子Ｇ１５，Ｇ１６）を有する。
【００３５】
また、図６において並列腕共振器Ｐ５，Ｐ６に接続されているインダクタＬＧ４は、キャスタレーションを含む、ベース基板裏面の外部接続用グランド端子に至る導体パターンによって形成されるインダクタである。
【００３６】
図７および図８は、上記構造を有するデュプレクサの受信フィルタについて減衰特性（低周波側減衰域の通過域近傍）の測定を行い、所定の減衰量（この場合、５３ｄＢ以上）が得られた合格品と当該減衰量に満たない不合格品のそれぞれについて１０個ずつのサンプルを取り出し、受信フィルタの実装位置のずれ量ｔを測定した結果を示すものである。尚、当該ずれ量ｔは、図９に示すようにグランド用パッドＧ１の端縁と受信フィルタ１３の端縁との距離として規定した。
【００３７】
図８から明らかなように、受信フィルタのずれ量ｔと減衰量との間には負の相関関係があり、受信フィルタのずれ量ｔが大きくなる（前記ベース基板の第二辺２１ｂのグランド電極Ｇ６から遠ざかる）ほど減衰量が少なくなることが分かった。これは、受信側フィルタ１３を第二辺２１ｂのグランド電極Ｇ６から遠ざかる方向にずらすと、第一段の並列腕共振器Ｐ１とグランド電極Ｇ６との間に存在するインダクタＬＧ１（図４参照）のインダクタンス値が大きくなり（第二段および第三段の並列腕共振器Ｐ２，Ｐ３とグランド電極Ｇ８との間に存在するインダクタＬＧ２のインダクタンス値は逆に小さくなる）、これにより減衰量が変化するものと考えられる。したがって逆に、受信フィルタ１３のずれ量ｔを小さくする（接続パッドＧ１上におけるバンプＢの接合位置を前記第二辺２１ｂのグランド電極Ｇ６に近づける）ほど大きな減衰量が得られる。
【００３８】
図２２Ａおよび図２２Ｂは、このような本発明ないし本実施形態のＳＡＷ装置におけるＳＡＷ素子の実装部を拡大して示すものである。これらの図に示すように当該ＳＡＷ装置では、ベース基板２の表面に接続パッド５を形成し、この接続パッド５にバンプＢを介してＳＡＷ素子１を実装する。ここで、側面（図２２Ａ）および平面（図２２Ｂ）から見たときにバンプＢの外縁６ｂは接続パッド５の外縁６ａより内側に位置する。そして、本発明に従いバンプＢの接合位置をずらす場合には、接続パッド５の外縁６ａの内側領域内において行う。
【００３９】
図１０から図１２は、前記受信フィルタをずらした場合における受信フィルタの伝送特性を測定した結果を示すものである。図１０並びにこれを拡大した図１１から明らかなように、受信フィルタ１３をグランド電極Ｇ６側（ＧＮＤ電極寄り）またはアンテナ電極Ａ３側（ＡＮＴ電極寄り）にずらすことで、受信フィルタ１３の低域側の減衰域における減衰特性を変える（特に通過域近傍の減衰量を大きくする）ことが出来ることが分かる。したがって、例えば同図に示すような要求仕様Ｓを考えた場合、送信フィルタ１３をグランド電極Ｇ６寄りにずらして実装すれば、当該仕様Ｓをより良好に満たすことが可能となる。また、図１２から明らかなように、広帯域の仕様要求ＳＷに対しても同様に特性改善を図ることが出来る。
【００４０】
一方、図１３および図１４は、上記のように受信フィルタ１３の実装位置をずらした場合の送信フィルタ１２の伝送特性を示すものである。これらの図から明らかなように受信フィルタ１３の実装位置をずらすことによって送信側の伝送特性に影響を与えることは殆ど無い。
【００４１】
他方、図１５から図１８は、受信フィルタ１３でなく送信フィルタ１２の実装位置をずらした場合の測定結果を示すものであり、図１５と図１６は受信フィルタ１３の伝送特性を、また図１７と図１８は送信フィルタ１２の伝送特性をそれぞれ示すものである。これらの図から明らかなように送信フィルタ１２の実装位置をずらした場合には、送受信両フィルタ共にさほど伝送特性に影響は見られない。Ｔｘフィルタのインダクタンスは、０．４ｎＨと大きいため、ずらしたことによるインダクタンスの変化量が小さく、減衰特性への影響が微弱だったと考えられる。影響を与えるには、拡張部の形状を工夫すればよい。又は、ずらし量をより大きくすればよい。
【００４２】
更に、受信フィルタ１３の実装位置をずらすことにより前記インダクタＬＧ１およびインダクタＬＧ２のインダクタンス値を変化させるシミュレーション解析を行った。図１９は当該シミュレーションを示す概念図であり、前記実施形態と同様に受信フィルタ用の接続パッドとして第一段の並列腕共振器Ｐ１が接続されるグランド用パッドＧ１（インダクタＬＧ１）と、第２段および第４段の並列腕共振器Ｐ２，Ｐ３が接続されるグランド用パッドＧ２（インダクタＬＧ２）とを考え、送信フィルタ１３の実装位置を図の上下方向にずらす。
【００４３】
基板表面の導体パターン（グランド用パッドＧ１，Ｇ２）の寸法を幅０．６ｍｍ、厚さ３８μｍ、長さ０．６４ｍｍとすると、受信フィルタ１３を図１９のＸ１方向に移動させた場合、下記表１のように、ずれ量６０μｍ当り０．０１ｎＨだけインダクタＬＧ１のインダクタンス値が減少する。
【００４４】
【表１】
【００４５】
そしてこのように受信フィルタ１３の実装位置を図１９のＸ１方向に（前記図２においてアンテナ電極Ａ３から遠ざかる方向に相当）、６０μｍ、１８０μｍおよび３００μｍずらすことによりインダクタＬＧ１のインダクタンスを０．０１ｎＨ、０．０３ｎＨおよび０．０５ｎＨと順次減少させた各場合について受信フィルタ１３の減衰特性を算出した。尚、各インダクタＬＧ１，ＬＧ２，ＬＧ３のインダクタンスの初期値は、それぞれ０．４４ｎＨ、０．００５ｎＨおよび０．００２ｎＨである。
【００４６】
図２０および図２１は当該解析の結果を示すものである（ΔＬはインダクタＬＧ１のインダクタンスの減少量）。図２１に拡大して示すように、受信フィルタをずらさない初期状態（ΔＬ＝０）からずれ量を大きくしていくと、減衰極が低周波側に移動し、前記実測結果と同様の減衰特性の変化が見られる。したがって逆に、受信フィルタをＸ２方向（前記図２においてアンテナ電極Ａ３に近づく方向に相当）にずらせば、減衰極が高周波側に移動して通過域近傍（８３０〜８４５ＭＨｚ）の減衰量を大きくすることが出来る。
【００４７】
図２３は、ベース基板に設ける接続パッドの別の構成例を概念的に示すものである。同図において符号１３はＳＡＷチップ（受信フィルタ）、Ｂはバンプ、５１はベース基板に設けた接続パッドを示す。接続パッド５１は、バンプ実装に必要な面積を有する本来のパッド部分であるパッド本体部５１ａと、このパッド本体部５１ａを更に広げる拡張部５１ｂとからなる。
【００４８】
パッド本体部５１ａは、従来のこの種の接続パッドと同様に、バンプＢの直径より大きく形成してある。これは、ＦＣ実装機（フリップチップボンダ）の実装精度（ばらつき／使用する装置の種類にもよるが例えば±２５μｍ程度）や、ベース基板表面への導体パターンの形成精度（例えば±５０μｍ程度）を考慮してバンプＢと接続パッド５１とを確実に接合するためである（例えばバンプＢの直径が１５０μｍ程度に対して接続パッド（パッド本体部５１ａ）は２５０μｍ角程度）。
【００４９】
一方、拡張部５１ｂを設けたのは次の理由による。上記のように従来において接続パッドはバンプの直径より一般に大きく形成されているから、バンプの接合点をある程度ずらすことは可能である。しかしながら、ＳＡＷ素子（バンプによる接合点）をずらすことによりインダクタンスの調整を行う本発明では、接合点を移動させても、バンプによる接合の信頼性を確保するため、接続パッドを拡張する（特にずらす方向に拡張する）ことが望ましい。このため、パッド本体部５１ａに加えて拡張部５１ｂを形成し、接合の信頼性を維持しつつ、ＳＡＷ素子を本来実装の基準となる位置からシフトさせ実装することを可能とする。これにより、インダクタンス値を増加又は減少させて減衰特性を調整することが出来る。
【００５０】
拡張部の形成位置や大きさ、形状等は特に限定されないことは既に述べた通りである。図２３（ａ），（ｂ）は、前記実施形態と同様のデュプレクサを想定した構成例であるが、例えば同図（ｃ）に示すようにチップ（ＳＡＷ素子）１３の短手方向あるいは斜め方向等、接続パッド５１に接続される配線パターン（図示せず）により移動方向も様々に変更されることがあり、当該想定される移動方向に対応して拡張部５１ｂを設ければ良い。
【００５１】
また、一般にＳＡＷ素子は複数の接続用の電極端子を備え、各電極端子に対応して配線基板上には接続パッドが設けられる。上記拡張部は、典型的には図２３（ａ）に示すようにこれらの総ての接続パッドに対し設けることが望ましい。ＳＡＷ素子の実装位置をずらす場合には、総ての電極端子が同様に（同一方向に同一距離だけ）移動することとなるからである。ただし、例えばグランド用の接続パッドのように元々大きな面積を有する接続パッド（例えば前記図２のグランド用パッドＧ２，Ｇ３のような）については、改めて拡張部を設けなくてもバンプの接合位置がずれても（図２の上方へずらす場合）接続上問題が生じない場合もあるから、このような接続パッドに対しては拡張部を設ける必要は必ずしも無い。
【００５２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の変更を行うことができることは当業者に明らかである。
【００５３】
本発明は、フリップチップ構造において、インダクタンスを可変とするものであり、例えば、フィルタの回路構成、ＩＤＴや電極の配置、反射器の有無等については様々に変更が可能であり、図示の例に限定されない。また、ベース基板表面の接続パッドや電極、配線パターンの形状・配置位置等についても各種の変更が可能である。更に、前記実施形態では、低域側ＳＡＷフィルタ素子が送信側、高域側ＳＡＷフィルタ素子が受信側であるが、逆に低域側が受信フィルタ、高域側が送信フィルタとなっていても良い。
【００５４】
また、バンプの接合位置をずらす方向は、必ずしも前記実施形態のようにインダクタＬＧ１のインダクタンスを低減する方向（前記図２の接続パッドＧ１とインダクタＬ１０との接続点２５にバンプＢが近づく方向）にずらす必要はなく、要求される仕様によっては（例えば前記仕様Ｓの周波数帯より更に低域側の周波数帯では逆に、アンテナ電極Ａ３寄りにずらした方が大きな減衰量が得られる）、逆にインダクタＬＧ１のインダクタンスを増加する方向（図２の接続パッドＧ１とインダクタＬ１０との接続点２５からバンプＢが遠ざかる方向）に実装しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施形態に係るデュプレクサを示すブロック図である。
【図２】前記実施形態に係るデュプレクサの基板表面（ＳＡＷ素子実装面）を示す平面図である。
【図３】前記実施形態のデュプレクサが備える受信フィルタを示す平面図である。
【図４】前記実施形態のデュプレクサが備える受信フィルタを示す回路図である。
【図５】前記実施形態のデュプレクサが備える送信フィルタを示す平面図である。
【図６】前記実施形態のデュプレクサが備える送信フィルタを示す回路図である。
【図７】接続パッドの端縁から受信フィルタの端縁の距離（受信フィルタのずれ量ｔ）と、受信フィルタの減衰量を測定した結果を示す図表である。
【図８】前記受信フィルタのずれ量ｔと、受信フィルタの減衰量との相関関係を示す線図である。
【図９】図２の一部（受信フィルタの実装部）を拡大して示す平面図である。
【図１０】前記実施形態に係るデュプレクサにおいて受信フィルタの実装位置をずらした場合の受信フィルタの伝送特性（送受信帯域近傍）を示す線図である。
【図１１】前記図９の線図の一部（受信フィルタの低域側減衰域）を拡大して示す線図である。
【図１２】前記実施形態に係るデュプレクサにおいて受信フィルタの実装位置をずらした場合の受信フィルタの伝送特性（広帯域）を示す線図である。
【図１３】前記実施形態に係るデュプレクサにおいて受信フィルタの実装位置をずらした場合の送信フィルタの伝送特性（送受信帯域近傍）を示す線図である。
【図１４】前記実施形態に係るデュプレクサにおいて受信フィルタの実装位置をずらした場合の送信フィルタの伝送特性（広帯域）を示す線図である。
【図１５】前記実施形態に係るデュプレクサにおいて送信フィルタの実装位置をずらした場合の受信フィルタの伝送特性（送受信帯域近傍）を示す線図である。
【図１６】前記実施形態に係るデュプレクサにおいて送信フィルタの実装位置をずらした場合の受信フィルタの伝送特性（広帯域）を示す線図である。
【図１７】前記実施形態に係るデュプレクサにおいて送信フィルタの実装位置をずらした場合の送信フィルタの伝送特性（送受信帯域近傍）を示す線図である。
【図１８】前記実施形態に係るデュプレクサにおいて送信フィルタの実装位置をずらした場合の送信フィルタの伝送特性（広帯域）を示す線図である。
【図１９】受信フィルタの実装位置をずらしてインダクタンス値を変化させるシミュレーションを示す概念図である。
【図２０】上記シミュレーションにおける、当該受信フィルタの伝送特性の解析結果を示す線図である。
【図２１】前記図２０の解析結果の低域側減衰域の伝送特性を拡大して示す線図である。
【図２２Ａ】本発明に基づくＳＡＷ装置におけるＳＡＷ素子の実装部を示す側面断面図である。
【図２２Ｂ】本発明に基づくＳＡＷ装置におけるＳＡＷ素子の実装部（接続パッドとバンプのみ）を示す平面図である。
【図２３】（ａ）から（ｃ）は、ベース基板に設けるＳＡＷ素子実装用の接続パッドの別の構成例を概念的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１ ＳＡＷ素子
１１ デュプレクサ
１２ 送信フィルタ（ＳＡＷ素子）
１３ 受信フィルタ（ＳＡＷ素子）
２，２１ ベース基板
２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ ベース基板の辺
３１，３２ 圧電基板
５，５１ 接続パッド
５１ａ パッド本体部
５１ｂ 拡張部
Ａｘ アンテナ端子
Ａ１，Ａ２ アンテナ用パッド（接続パッド）
Ａ３ アンテナ用電極
Ａ５，Ａ６ アンテナ用接続端子
Ｂ バンプ
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３ グランド用パッド（接続パッド）
Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６，Ｇ７，Ｇ８ グランド用電極
Ｇ１０〜Ｇ１２，Ｇ１５，Ｇ１６ グランド用接続端子
Ｌ１０，ＬＧ１，ＬＧ２，ＬＧ３，ＬＧ４ インダクタ
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６ 並列腕ＳＡＷ共振器
Ｒｘ 受信信号端子（外部接続端子）
Ｒ１ 受信信号用パッド（接続パッド）
Ｒ２ 受信信号用電極
Ｒ５ 受信信号用接続端子
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７ 直列腕ＳＡＷ共振器
ｔ グランド用パッドＧ１の端縁と受信フィルタ１３の端縁との距離
Ｔ１ 送信信号用パッド（接続パッド）
Ｔｘ 送信信号端子（外部接続端子）
Ｔ２ 送信信号用電極
Ｔ６ 送信信号用接続端子
Ｖ キャスタレーション（サイドビア）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波装置およびその製造方法に係り、特にフリップチップ実装する弾性表面波素子の基板表面への搭載位置によって減衰特性の調整を可能とする技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電効果によって生じる弾性表面波（Surface Acoustic Wave／以下、ＳＡＷという）を利用したＳＡＷ装置は、小型軽量で信頼性に優れることから、フィルタや共振器、デュプレクサなどの信号処理デバイスとして携帯電話機その他の電子機器に近年広く利用されている。
【０００３】
かかるＳＡＷ装置を構成するには、一般に圧電基板上に交差指状の電極（Interdigital Transducer／以下、ＩＤＴという）を備えたチップ状のＳＡＷ素子を、樹脂やセラミックスからなる配線基板上に実装し、パッケージを施すことにより作製される。
【０００４】
配線基板へＳＡＷ素子を実装するには、ＳＡＷ素子側の電極端子と配線基板上の接続パッドとを導電ワイヤにより接続するワイヤーボンディング（以下、ＷＢと略して記す）方式か、あるいはＳＡＷ素子側の電極端子をバンプを介して接続パッドに接続するフリップチップボンディング（以下、ＦＣＢと略して記す）方式が一般に採られる。
【０００５】
ＦＣＢは、素子の電極端子を基板上の接続パッドに直接接続するため、ＷＢに較べて小型低背化に有利である。また、ワイヤに較べてバンプは径が大きく且つ短いため、ＦＣＢによれば旧来のＷＢ方式に較べて接続部位のインダクタンスが格段に小さくなり、接続部位のインダクタンスに起因する伝送特性への影響を小さく抑えることが出来る利点がある。
【０００６】
また、ＳＡＷ素子をＦＣＢ実装してＳＡＷ装置を構成する技術を開示するものとして下記特許文献がある。
【特許文献１】特開２００１‐１６０７３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、ＳＡＷ装置では、通過帯域幅や減衰特性など当該ＳＡＷ装置を使用するシステム側からの様々な仕様要求に応えるため、インダクタンスを調整する必要が生じることがある。このような場合、ＦＣＢ実装による装置では、個別のインダクタ素子や導体パターンからなるインダクタを接続し、これらインダクタのインダクタンス値を調整することにより要求に応えるのが通常である。
【０００８】
例えば、上記特許文献記載の装置では、接地用導体パターン間をボンディングワイヤで接続し、このワイヤの長さ（接地用導体パターン間の距離）や径等を設定することによりインダクタンスの調整を行うことが望ましいとされている。
【０００９】
しかしながら、インダクタンスを調整するため別個の素子やワイヤ等を設けることは部品点数並びに製造工程数を増やし、製造コストを増大させる原因となる。また、ＳＡＷ装置の小型化を妨げる一因ともなり、近年の装置小型化の強い要請に応える上で不利な面がある。
【００１０】
上記特許文献記載の発明も、小型薄型でかつインダクタンス成分を有するワイヤを接続する従来法と遜色の無い電気特性が得られるとするものの、別部品であるワイヤを新たに必要とする点では従来のワイヤ接続法の域を出るものではない。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、ＳＡＷ素子をＦＣＢ実装するＳＡＷ装置において、インダクタンスを調整するための素子等を新たに設けることなく、より簡便にインダクタンスの調整を可能とする点にある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記課題を解決し目的を達成するため、本発明に係るＳＡＷ（弾性表面波）装置は、ＳＡＷ素子を搭載可能な基板と、この基板に設けた導電性を有する接続パッドと、当該接続パッドにバンプを介して電気的に接続した１以上のＳＡＷ素子とを備えるＳＡＷ装置であって、前記バンプの外縁が前記接続パッドの外縁より内側に位置し、前記ＳＡＷ素子を前記基板表面に対し略平行な方向にずらすことにより、前記接続パッドへの前記バンプの接合位置を前記接続パッドの外縁の内側領域内で変更した。
【００１３】
また、本発明に係るＳＡＷ装置の製造方法は、基板に設けた接続パッドにバンプを介してＳＡＷ素子を電気的に接続することにより当該ＳＡＷ素子を前記基板に実装する素子実装工程を含むＳＡＷ装置の製造方法であって、平面から見たときに前記バンプの外縁が前記接続パッドの外縁より内側に位置し、前記素子実装工程は、前記ＳＡＷ素子を前記基板に実装するときに前記基板表面に対し略平行な方向にずらすことにより、前記接続パッドへの前記バンプの接合位置を前記接続パッドの外縁の内側領域内で変更する工程を含む。
【００１４】
ＳＡＷ素子をＦＣＢ実装し製造されるＳＡＷ装置においてインダクタンスの調整を行うには、従来、インダクタ（チップインダクタや導体線路パターン等）を別個に取り付けて調整していることは既に述べたとおりである。
【００１５】
一方、本発明者は、ＳＡＷ装置の電気特性（減衰特性）のばらつきについて検討を行う中で、基板上のチップ（ＳＡＷ素子）の搭載位置にばらつきが見られ、この搭載位置と当該装置の電気特性（減衰特性）との間に一定の因果関係があることを発見した。更にチップの搭載位置と減衰特性との関係を検討するうちに、チップ（接続パッドへの接合点）を特定の方向にずらすと減衰特性（減衰量や減衰極の周波数等）を意図的に変えることが出来ることを見出した。本発明はこのような知見に基づいてなされたもので、従来のようにインダクタを別個に設けなくても、チップ（ＳＡＷ素子）の実装位置を変更することでインダクタンス（減衰特性）の調整を行うことが可能となる。尚、この点については、後の実施形態の説明の中で測定結果およびシミュレーションによる算出結果に基づいて具体的に詳しく述べる。
【００１６】
したがって、本発明のＳＡＷ装置およびその製造方法では、基板にＳＡＷ素子をフリップチップ実装し、ＳＡＷ装置を構成する。具体的には、ＳＡＷ素子が備える接続用の電極端子と、基板に形成した接続パッドとをバンプを介して電気的に接続する。このとき、接続パッドの平面から見たときの大きさはバンプの大きさより大きく（平面から見たときにバンプの外縁が接続パッドの外縁より内側に位置し）、ＳＡＷ素子を基板表面に対し略平行にずらすことにより接続パッドの外縁の内側領域内で接続パッドへのバンプの接合位置を変更する。
【００１７】
これにより、新たな素子やワイヤ等を設けることなく、インダクタンス調整（インダクタンス値を小さくするか或いは大きくする）を行い、所望の減衰特性を有するＳＡＷ装置を製造すること（当該ＳＡＷ装置の減衰量や減衰極の周波数等の調整を行うこと）が可能となる。
【００１８】
また、上記接続パッドは、従来のＦＣＢに必要であったパッド面積（この部分がパッド本体部である）より広くなるように当該パッド本体部に連続した拡張部を設けておいても良い。このような拡張部を設ければ、ＳＡＷ素子の実装不良（接続不良）をより確実に防ぎつつ、基板上におけるＳＡＷ素子の搭載位置（接続パッド上でのバンプの接合位置）をインダクタンスの調整のため、位置を調整することが可能となる。
【００１９】
拡張部の形状や大きさ、配設位置（パッド本体部のどちら側に設けるか、或いはパッド本体部の周囲総てに亘り設けるか等）については、ＳＡＷ素子を実装する基板側の配線パターンやＳＡＷ素子の電極端子の位置、基板上におけるＳＡＷ素子の配置位置等によって様々であって特定の構成に限定されるものではない。典型的には、パッド本体部から見てＳＡＷ素子をずらす方向に存在するよう拡張部を設けることが望ましいが、対象となるＳＡＷ素子をずらした場合に、バンプによる電気的接続に支障が生じることがないように各接続パッドに拡張部を適宜設ければ良い。
【００２０】
接続パッドの一構成例としては、略長方形の平面形状を有しかつその長辺が前記ＳＡＷ素子をずらす方向に略平行に延在するよう配置されているものとすることが出来る。
【００２１】
本発明に云うＳＡＷ装置には、例えばローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ等の各種のフィルタ、共振器、デュプレクサ、トリプレクサ、その他のＳＡＷ素子を含む各種のＳＡＷデバイスが含まれる。
【００２２】
本発明に基づくデュプレクサの一構成例は、ＳＡＷ素子として低域側ＳＡＷフィルタ素子（送信フィルタ又は受信フィルタ）と高域側ＳＡＷフィルタ素子（受信フィルタ又は送信フィルタ）とを含み、高域側ＳＡＷフィルタ素子は、アンテナ端子と高域側信号端子（送信信号端子又は受信信号端子）との間を結ぶ伝送路上に直列に接続された直列腕共振器と、当該伝送路からグランドに分岐する分岐路上に接続された並列腕共振器とを複数段接続したラダー型ＳＡＷ素子であり、前記アンテナ端子側から見て初段に接続された並列腕共振器の一端をグランドに接続するため前記基板上に設けた接続パッド上において、この接続パッドに接合されるバンプが、当該接続パッドとグランドへの導体線路との接続部に近づくように高域側ＳＡＷフィルタ素子の実装位置をずらしたものとすることが出来る。
【００２３】
かかるデュプレクサ構造においては、高域側のＳＡＷフィルタ素子の実装位置を上記のようにずらすことで初段の並列腕共振器とグランドとの間に存在するインダクタンスが低減され、これにより、高域側ＳＡＷフィルタ素子の減衰特性（特に低域側阻止域の通過域近傍）を顕著に変えることが可能となる（具体的特性については、実測結果等に基づいて後述する）。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、ＳＡＷ素子をＦＣＢ実装するＳＡＷ装置において、インダクタンスを調整するための素子等を新たに設けることなく、より簡便にインダクタンスを調整することが出来る。
【００２５】
本発明の他の目的、特徴および利点は、図面に基づいて述べる以下の本発明の実施の形態の説明により明らかにする。尚、各図中、同一の符号は、同一又は相当部分を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１から図６は、本発明の一実施形態に係るＳＡＷデュプレクサを示すものである。図１に示すようにこのデュプレクサ１１は、互いに異なる通過帯域を有する２つのＳＡＷフィルタ、即ち送信フィルタ１２および受信フィルタ１３と、外部接続用の端子、即ち送信フィルタおよび受信フィルタが共通に接続されるアンテナ端子Ａｘと、送信信号が入力される送信信号端子Ｔｘと、受信信号が出力される受信信号端子Ｒｘとを備える。
【００２７】
送信フィルタ１２および受信フィルタ１３は、例えば樹脂あるいはこれに誘電体粉末を混合した複合材料からなるベース基板の表面にＦＣＢ実装し、これらを覆うように蓋体を被せて両フィルタを気密封止する。尚、ベース基板はセラミックその他の材料からなるものであっても良い。
【００２８】
図２は、フィルタ１２，１３を実装する上記ベース基板の表面を示す平面図である。このベース基板２１は、表裏面および内層を含む複数の配線層を備えた積層基板であり、その表面に、上記両フィルタ１２，１３をＦＣＢ実装するための接続パッド（受信信号用パッドＲ１、アンテナ用パッドＡ１，Ａ２、グランド用パッドＧ１，Ｇ２，Ｇ３、送信信号用パッドＴ１）と、基板の周縁部に配した電極（受信信号用電極Ｒ２、アンテナ用電極Ａ３、グランド用電極Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６，Ｇ７，Ｇ８、送信信号用電極Ｔ２）と、これらを接続する導体線路とを設けてある。
【００２９】
尚、前記外部接続用の各端子、即ちアンテナ端子Ａｘ、送信信号端子Ｔｘおよび受信信号端子Ｒｘは、ベース基板２１の裏面に設けてあり、ベース基板２１の表面に設けた上記各パッドＲ１，Ａ１，Ａ２，Ｇ１〜Ｇ３，Ｔ１乃至電極Ｒ２，Ａ３，Ｇ４〜Ｇ８，Ｔ２と外部接続端子Ａｘ，Ｔｘ，Ｒｘとは、ベース基板２１の側面を基板表面から裏面に亘り基板の厚さ方向に延びるキャスタレーション（サイドビア）Ｖを介して基板裏面の各対応する外部接続用端子に電気的に接続されている。
【００３０】
ベース基板２１は、平面から見て略方形の全体形状を呈して相対する２組の対辺２１ａ，２１ｂ；２１ｃ，２１ｄを有する。これら対辺のうち一対の対辺を第一辺（図２の下側の辺）２１ａおよび第二辺（図２の上側の辺）２１ｂと、他対の対辺を第三辺（図２の左側の辺）２１ｃおよび第四辺（図２の右側の辺）２１ｄとすると、基板表面の第一辺２１ａには、基板裏面の外部接続用のアンテナ端子Ａｘに接続されるアンテナ電極Ａ３とこのアンテナ電極Ａ３の両側に配したグランド電極Ｇ７，Ｇ８とを設け、第一辺２１ａに相対する第二辺２１ｂには、基板裏面の外部接続用のグランド端子に接続される３つのグランド電極Ｇ４〜Ｇ６を設けてある。これら３つのグランド電極のうちの右側の電極Ｇ６と、受信フィルタ１３を実装する接続パッドのうちの左上のグランド用パッドＧ１との間には、ミアンダ状の導体パターンからなるインダクタＬ１０を挿入してある。このインダクタＬ１０は、後に述べるインダクタＬＧ１（図４）を構成するものである。
【００３１】
送信フィルタ１２および受信フィルタ１３は、図２において一点差線で示すようにベース基板２１の略中央部に左右に並べて配置してある。また同図においてバンプＢを黒く塗りつぶした丸で示している。上記ベース基板２１の他対の対辺２１ｃ，２１ｄのうち、送信フィルタ１２に近い第三辺２１ｃには、基板裏面の外部接続用の送信信号端子Ｔｘに接続される送信電極Ｔ２を、また受信フィルタ１３に近い第四辺２１ｄには、基板裏面の外部接続用の受信信号端子Ｒｘに接続される受信電極Ｒ２をそれぞれ設けている。
【００３２】
図３と図４はそれぞれ受信フィルタ１３を示す平面図と回路図である。これらの図に示すように、受信フィルタ１３は、アンテナ用の接続端子Ａ５と受信信号用の接続端子Ｒ５との間に直列に接続された３つの直列腕共振器Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３と、当該伝送路からグランドへの分岐路上に接続された３つの並列腕共振器Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３とを備えた５段のラダー型ＳＡＷフィルタである。また各共振器Ｓ１〜Ｓ３，Ｐ１〜Ｐ３は、圧電基板３１の表面に形成した交差指状電極およびその両側に配した反射器を備え、同じく圧電基板３１の表面に形成した接続用の電極（アンテナ用接続端子Ａ５，受信信号用接続端子Ｒ５，グランド用接続端子Ｇ１０〜Ｇ１２）を有する。尚、図３に示すフィルタ素子は、実装時には表裏反転して（図３に示す面を下側にして／フェースダウンして）前記図２に示すベース基板２１の表面に搭載される（図５の送信フィルタ１２も同様）。
【００３３】
また、図４において第一段の並列腕共振器Ｐ１に接続されているインダクタＬＧ１は、ベース基板２１の表面に設けた接続パッドＧ１、並びにこの接続パッドＧ１と前記第二辺２１ｂのグランド電極Ｇ６との間に接続されたミアンダ状の導体パターン（インダクタ導体）Ｌ１０により形成されるインダクタであり、インダクタＬＧ２は、ベース基板２１の表面に設けた接続パッドＧ２並びにグランド電極Ｇ８により形成されるインダクタである。更に、インダクタＬＧ３は、キャスタレーションＶ等によって形成されるインダクタである。
【００３４】
図５と図６はそれぞれ送信フィルタ１２を示す平面図と回路図である。これらの図に示すように、送信フィルタ１２は、アンテナ用の接続端子Ａ６と送信信号用の接続端子Ｔ６との間に直列に接続された３つの直列腕共振器Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７と、当該伝送路からグランドへの分岐路上に接続された２つの並列腕共振器Ｐ５，Ｐ６とを備えた４段のラダー型ＳＡＷフィルタである。また各共振器Ｓ５〜Ｓ７，Ｐ５，Ｐ６は、前記受信フィルタ１３の共振器と同様に、圧電基板３２の表面に形成した交差指状電極およびその両側に配した反射器を備え、同じく圧電基板３２の表面に形成した接続用の電極（アンテナ用接続端子Ａ６，送信信号用接続端子Ｔ６，グランド用接続端子Ｇ１５，Ｇ１６）を有する。
【００３５】
また、図６において並列腕共振器Ｐ５，Ｐ６に接続されているインダクタＬＧ４は、キャスタレーションを含む、ベース基板裏面の外部接続用グランド端子に至る導体パターンによって形成されるインダクタである。
【００３６】
図７および図８は、上記構造を有するデュプレクサの受信フィルタについて減衰特性（低周波側減衰域の通過域近傍）の測定を行い、所定の減衰量（この場合、５３ｄＢ以上）が得られた合格品と当該減衰量に満たない不合格品のそれぞれについて１０個ずつのサンプルを取り出し、受信フィルタの実装位置のずれ量ｔを測定した結果を示すものである。尚、当該ずれ量ｔは、図９に示すようにグランド用パッドＧ１の端縁と受信フィルタ１３の端縁との距離として規定した。
【００３７】
図８から明らかなように、受信フィルタのずれ量ｔと減衰量との間には負の相関関係があり、受信フィルタのずれ量ｔが大きくなる（前記ベース基板の第二辺２１ｂのグランド電極Ｇ６から遠ざかる）ほど減衰量が少なくなることが分かった。これは、受信側フィルタ１３を第二辺２１ｂのグランド電極Ｇ６から遠ざかる方向にずらすと、第一段の並列腕共振器Ｐ１とグランド電極Ｇ６との間に存在するインダクタＬＧ１（図４参照）のインダクタンス値が大きくなり（第二段および第三段の並列腕共振器Ｐ２，Ｐ３とグランド電極Ｇ８との間に存在するインダクタＬＧ２のインダクタンス値は逆に小さくなる）、これにより減衰量が変化するものと考えられる。したがって逆に、受信フィルタ１３のずれ量ｔを小さくする（接続パッドＧ１上におけるバンプＢの接合位置を前記第二辺２１ｂのグランド電極Ｇ６に近づける）ほど大きな減衰量が得られる。
【００３８】
図２２Ａおよび図２２Ｂは、このような本発明ないし本実施形態のＳＡＷ装置におけるＳＡＷ素子の実装部を拡大して示すものである。これらの図に示すように当該ＳＡＷ装置では、ベース基板２の表面に接続パッド５を形成し、この接続パッド５にバンプＢを介してＳＡＷ素子１を実装する。ここで、側面（図２２Ａ）および平面（図２２Ｂ）から見たときにバンプＢの外縁６ｂは接続パッド５の外縁６ａより内側に位置する。そして、本発明に従いバンプＢの接合位置をずらす場合には、接続パッド５の外縁６ａの内側領域内において行う。
【００３９】
図１０から図１２は、前記受信フィルタをずらした場合における受信フィルタの伝送特性を測定した結果を示すものである。図１０並びにこれを拡大した図１１から明らかなように、受信フィルタ１３をグランド電極Ｇ６側（ＧＮＤ電極寄り）またはアンテナ電極Ａ３側（ＡＮＴ電極寄り）にずらすことで、受信フィルタ１３の低域側の減衰域における減衰特性を変える（特に通過域近傍の減衰量を大きくする）ことが出来ることが分かる。したがって、例えば同図に示すような要求仕様Ｓを考えた場合、送信フィルタ１３をグランド電極Ｇ６寄りにずらして実装すれば、当該仕様Ｓをより良好に満たすことが可能となる。また、図１２から明らかなように、広帯域の仕様要求ＳＷに対しても同様に特性改善を図ることが出来る。
【００４０】
一方、図１３および図１４は、上記のように受信フィルタ１３の実装位置をずらした場合の送信フィルタ１２の伝送特性を示すものである。これらの図から明らかなように受信フィルタ１３の実装位置をずらすことによって送信側の伝送特性に影響を与えることは殆ど無い。
【００４１】
他方、図１５から図１８は、受信フィルタ１３でなく送信フィルタ１２の実装位置をずらした場合の測定結果を示すものであり、図１５と図１６は受信フィルタ１３の伝送特性を、また図１７と図１８は送信フィルタ１２の伝送特性をそれぞれ示すものである。これらの図から明らかなように送信フィルタ１２の実装位置をずらした場合には、送受信両フィルタ共にさほど伝送特性に影響は見られない。Ｔｘフィルタのインダクタンスは、０．４ｎＨと大きいため、ずらしたことによるインダクタンスの変化量が小さく、減衰特性への影響が微弱だったと考えられる。影響を与えるには、拡張部の形状を工夫すればよい。又は、ずらし量をより大きくすればよい。
【００４２】
更に、受信フィルタ１３の実装位置をずらすことにより前記インダクタＬＧ１およびインダクタＬＧ２のインダクタンス値を変化させるシミュレーション解析を行った。図１９は当該シミュレーションを示す概念図であり、前記実施形態と同様に受信フィルタ用の接続パッドとして第一段の並列腕共振器Ｐ１が接続されるグランド用パッドＧ１（インダクタＬＧ１）と、第２段および第４段の並列腕共振器Ｐ２，Ｐ３が接続されるグランド用パッドＧ２（インダクタＬＧ２）とを考え、送信フィルタ１３の実装位置を図の上下方向にずらす。
【００４３】
基板表面の導体パターン（グランド用パッドＧ１，Ｇ２）の寸法を幅０．６ｍｍ、厚さ３８μｍ、長さ０．６４ｍｍとすると、受信フィルタ１３を図１９のＸ１方向に移動させた場合、下記表１のように、ずれ量６０μｍ当り０．０１ｎＨだけインダクタＬＧ１のインダクタンス値が減少する。
【００４４】
【表１】
【００４５】
そしてこのように受信フィルタ１３の実装位置を図１９のＸ１方向に（前記図２においてアンテナ電極Ａ３から遠ざかる方向に相当）、６０μｍ、１８０μｍおよび３００μｍずらすことによりインダクタＬＧ１のインダクタンスを０．０１ｎＨ、０．０３ｎＨおよび０．０５ｎＨと順次減少させた各場合について受信フィルタ１３の減衰特性を算出した。尚、各インダクタＬＧ１，ＬＧ２，ＬＧ３のインダクタンスの初期値は、それぞれ０．４４ｎＨ、０．００５ｎＨおよび０．００２ｎＨである。
【００４６】
図２０および図２１は当該解析の結果を示すものである（ΔＬはインダクタＬＧ１のインダクタンスの減少量）。図２１に拡大して示すように、受信フィルタをずらさない初期状態（ΔＬ＝０）からずれ量を大きくしていくと、減衰極が低周波側に移動し、前記実測結果と同様の減衰特性の変化が見られる。したがって逆に、受信フィルタをＸ２方向（前記図２においてアンテナ電極Ａ３に近づく方向に相当）にずらせば、減衰極が高周波側に移動して通過域近傍（８３０〜８４５ＭＨｚ）の減衰量を大きくすることが出来る。
【００４７】
図２３は、ベース基板に設ける接続パッドの別の構成例を概念的に示すものである。同図において符号１３はＳＡＷチップ（受信フィルタ）、Ｂはバンプ、５１はベース基板に設けた接続パッドを示す。接続パッド５１は、バンプ実装に必要な面積を有する本来のパッド部分であるパッド本体部５１ａと、このパッド本体部５１ａを更に広げる拡張部５１ｂとからなる。
【００４８】
パッド本体部５１ａは、従来のこの種の接続パッドと同様に、バンプＢの直径より大きく形成してある。これは、ＦＣ実装機（フリップチップボンダ）の実装精度（ばらつき／使用する装置の種類にもよるが例えば±２５μｍ程度）や、ベース基板表面への導体パターンの形成精度（例えば±５０μｍ程度）を考慮してバンプＢと接続パッド５１とを確実に接合するためである（例えばバンプＢの直径が１５０μｍ程度に対して接続パッド（パッド本体部５１ａ）は２５０μｍ角程度）。
【００４９】
一方、拡張部５１ｂを設けたのは次の理由による。上記のように従来において接続パッドはバンプの直径より一般に大きく形成されているから、バンプの接合点をある程度ずらすことは可能である。しかしながら、ＳＡＷ素子（バンプによる接合点）をずらすことによりインダクタンスの調整を行う本発明では、接合点を移動させても、バンプによる接合の信頼性を確保するため、接続パッドを拡張する（特にずらす方向に拡張する）ことが望ましい。このため、パッド本体部５１ａに加えて拡張部５１ｂを形成し、接合の信頼性を維持しつつ、ＳＡＷ素子を本来実装の基準となる位置からシフトさせ実装することを可能とする。これにより、インダクタンス値を増加又は減少させて減衰特性を調整することが出来る。
【００５０】
拡張部の形成位置や大きさ、形状等は特に限定されないことは既に述べた通りである。図２３（ａ），（ｂ）は、前記実施形態と同様のデュプレクサを想定した構成例であるが、例えば同図（ｃ）に示すようにチップ（ＳＡＷ素子）１３の短手方向あるいは斜め方向等、接続パッド５１に接続される配線パターン（図示せず）により移動方向も様々に変更されることがあり、当該想定される移動方向に対応して拡張部５１ｂを設ければ良い。
【００５１】
また、一般にＳＡＷ素子は複数の接続用の電極端子を備え、各電極端子に対応して配線基板上には接続パッドが設けられる。上記拡張部は、典型的には図２３（ａ）に示すようにこれらの総ての接続パッドに対し設けることが望ましい。ＳＡＷ素子の実装位置をずらす場合には、総ての電極端子が同様に（同一方向に同一距離だけ）移動することとなるからである。ただし、例えばグランド用の接続パッドのように元々大きな面積を有する接続パッド（例えば前記図２のグランド用パッドＧ２，Ｇ３のような）については、改めて拡張部を設けなくてもバンプの接合位置がずれても（図２の上方へずらす場合）接続上問題が生じない場合もあるから、このような接続パッドに対しては拡張部を設ける必要は必ずしも無い。
【００５２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の変更を行うことができることは当業者に明らかである。
【００５３】
本発明は、フリップチップ構造において、インダクタンスを可変とするものであり、例えば、フィルタの回路構成、ＩＤＴや電極の配置、反射器の有無等については様々に変更が可能であり、図示の例に限定されない。また、ベース基板表面の接続パッドや電極、配線パターンの形状・配置位置等についても各種の変更が可能である。更に、前記実施形態では、低域側ＳＡＷフィルタ素子が送信側、高域側ＳＡＷフィルタ素子が受信側であるが、逆に低域側が受信フィルタ、高域側が送信フィルタとなっていても良い。
【００５４】
また、バンプの接合位置をずらす方向は、必ずしも前記実施形態のようにインダクタＬＧ１のインダクタンスを低減する方向（前記図２の接続パッドＧ１とインダクタＬ１０との接続点２５にバンプＢが近づく方向）にずらす必要はなく、要求される仕様によっては（例えば前記仕様Ｓの周波数帯より更に低域側の周波数帯では逆に、アンテナ電極Ａ３寄りにずらした方が大きな減衰量が得られる）、逆にインダクタＬＧ１のインダクタンスを増加する方向（図２の接続パッドＧ１とインダクタＬ１０との接続点２５からバンプＢが遠ざかる方向）に実装しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施形態に係るデュプレクサを示すブロック図である。
【図２】前記実施形態に係るデュプレクサの基板表面（ＳＡＷ素子実装面）を示す平面図である。
【図３】前記実施形態のデュプレクサが備える受信フィルタを示す平面図である。
【図４】前記実施形態のデュプレクサが備える受信フィルタを示す回路図である。
【図５】前記実施形態のデュプレクサが備える送信フィルタを示す平面図である。
【図６】前記実施形態のデュプレクサが備える送信フィルタを示す回路図である。
【図７】接続パッドの端縁から受信フィルタの端縁の距離（受信フィルタのずれ量ｔ）と、受信フィルタの減衰量を測定した結果を示す図表である。
【図８】前記受信フィルタのずれ量ｔと、受信フィルタの減衰量との相関関係を示す線図である。
【図９】図２の一部（受信フィルタの実装部）を拡大して示す平面図である。
【図１０】前記実施形態に係るデュプレクサにおいて受信フィルタの実装位置をずらした場合の受信フィルタの伝送特性（送受信帯域近傍）を示す線図である。
【図１１】前記図９の線図の一部（受信フィルタの低域側減衰域）を拡大して示す線図である。
【図１２】前記実施形態に係るデュプレクサにおいて受信フィルタの実装位置をずらした場合の受信フィルタの伝送特性（広帯域）を示す線図である。
【図１３】前記実施形態に係るデュプレクサにおいて受信フィルタの実装位置をずらした場合の送信フィルタの伝送特性（送受信帯域近傍）を示す線図である。
【図１４】前記実施形態に係るデュプレクサにおいて受信フィルタの実装位置をずらした場合の送信フィルタの伝送特性（広帯域）を示す線図である。
【図１５】前記実施形態に係るデュプレクサにおいて送信フィルタの実装位置をずらした場合の受信フィルタの伝送特性（送受信帯域近傍）を示す線図である。
【図１６】前記実施形態に係るデュプレクサにおいて送信フィルタの実装位置をずらした場合の受信フィルタの伝送特性（広帯域）を示す線図である。
【図１７】前記実施形態に係るデュプレクサにおいて送信フィルタの実装位置をずらした場合の送信フィルタの伝送特性（送受信帯域近傍）を示す線図である。
【図１８】前記実施形態に係るデュプレクサにおいて送信フィルタの実装位置をずらした場合の送信フィルタの伝送特性（広帯域）を示す線図である。
【図１９】受信フィルタの実装位置をずらしてインダクタンス値を変化させるシミュレーションを示す概念図である。
【図２０】上記シミュレーションにおける、当該受信フィルタの伝送特性の解析結果を示す線図である。
【図２１】前記図２０の解析結果の低域側減衰域の伝送特性を拡大して示す線図である。
【図２２Ａ】本発明に基づくＳＡＷ装置におけるＳＡＷ素子の実装部を示す側面断面図である。
【図２２Ｂ】本発明に基づくＳＡＷ装置におけるＳＡＷ素子の実装部（接続パッドとバンプのみ）を示す平面図である。
【図２３】（ａ）から（ｃ）は、ベース基板に設けるＳＡＷ素子実装用の接続パッドの別の構成例を概念的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１ ＳＡＷ素子
１１ デュプレクサ
１２ 送信フィルタ（ＳＡＷ素子）
１３ 受信フィルタ（ＳＡＷ素子）
２，２１ ベース基板
２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ ベース基板の辺
３１，３２ 圧電基板
５，５１ 接続パッド
５１ａ パッド本体部
５１ｂ 拡張部
Ａｘ アンテナ端子
Ａ１，Ａ２ アンテナ用パッド（接続パッド）
Ａ３ アンテナ用電極
Ａ５，Ａ６ アンテナ用接続端子
Ｂ バンプ
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３ グランド用パッド（接続パッド）
Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６，Ｇ７，Ｇ８ グランド用電極
Ｇ１０〜Ｇ１２，Ｇ１５，Ｇ１６ グランド用接続端子
Ｌ１０，ＬＧ１，ＬＧ２，ＬＧ３，ＬＧ４ インダクタ
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６ 並列腕ＳＡＷ共振器
Ｒｘ 受信信号端子（外部接続端子）
Ｒ１ 受信信号用パッド（接続パッド）
Ｒ２ 受信信号用電極
Ｒ５ 受信信号用接続端子
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７ 直列腕ＳＡＷ共振器
ｔ グランド用パッドＧ１の端縁と受信フィルタ１３の端縁との距離
Ｔ１ 送信信号用パッド（接続パッド）
Ｔｘ 送信信号端子（外部接続端子）
Ｔ２ 送信信号用電極
Ｔ６ 送信信号用接続端子
Ｖ キャスタレーション（サイドビア）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性表面波素子を搭載可能な基板と、この基板に設けた導電性を有する接続パッドと、当該接続パッドにバンプを介して電気的に接続した１以上の弾性表面波素子とを備える弾性表面波装置であって、
前記バンプの外縁が前記接続パッドの外縁より内側に位置し、
前記弾性表面波素子を前記基板表面に対し略平行な方向にずらすことにより、前記接続パッドへの前記バンプの接合位置を前記接続パッドの外縁の内側領域内で変更した
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】
前記接続パッドへのバンプの接合位置を接続パッドの外縁の内側領域内で変更することにより、前記弾性表面波素子に接続されたインダクタのインダクタンス値を調整した
ことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
前記接続パッドへのバンプの接合位置を接続パッドの外縁の内側領域内で変更することにより、前記弾性表面波素子の減衰極の周波数を調整した
ことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
基板に設けた接続パッドにバンプを介して弾性表面波素子を電気的に接続することにより当該弾性表面波素子を前記基板に実装する素子実装工程を含む弾性表面波装置の製造方法であって、
前記バンプの外縁が前記接続パッドの外縁より内側に位置し、前記素子実装工程は、前記弾性表面波素子を前記基板に実装するときに前記基板表面に対し略平行な方向にずらすことにより、前記接続パッドへの前記バンプの接合位置を前記接続パッドの外縁の内側領域内で変更する工程を含む
ことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項５】
前記接続パッドへのバンプの接合位置を接続パッドの外縁の内側領域内で変更することにより、前記弾性表面波素子に接続されたインダクタのインダクタンス値を調整する
ことを特徴とする請求項４に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項６】
前記接続パッドへのバンプの接合位置を接続パッドの外縁の内側領域内で変更することにより、前記弾性表面波素子の減衰極の周波数を調整する
ことを特徴とする請求項４に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項７】
前記接続パッドは、前記バンプによる実装に必要な面積を有するパッド本体部と、このパッド本体部に連続して当該接続パッドの大きさを拡張する拡張部とを含み、
前記弾性表面波素子を、前記パッド本体部から前記拡張部に向う方向にずらした
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性表面波装置または弾性表面波装置の製造方法。
【請求項８】
前記接続パッドは、略長方形の平面形状を有しかつその長辺が前記弾性表面波素子をずらす方向に略平行に延在するように配置されている
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の弾性表面波装置または弾性表面波装置の製造方法。
【請求項９】
前記弾性表面波装置は、前記弾性表面波素子として低域側弾性表面波フィルタ素子と高域側弾性表面波フィルタ素子とを含むデュプレクサであって、
前記高域側弾性表面波フィルタ素子は、外部接続用のアンテナ端子と高域側信号端子との間を結ぶ伝送路上に直列に接続された直列腕共振器と、当該伝送路からグランドに分岐する分岐路上に接続された並列腕共振器とを複数段接続したラダー型弾性表面波フィルタ素子であり、
前記アンテナ端子側から見て初段に接続された並列腕共振器の一端をグランドに接続するため前記基板上に設けた接続パッド上において、この接続パッドに接合されるバンプが、当該接続パッドとグランドへの導体線路との接続部に近づくように前記高域側弾性表面波フィルタ素子の実装位置をずらした
ことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の弾性表面波装置または弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１】
弾性表面波素子を搭載可能な基板と、この基板に設けた導電性を有する接続パッドと、当該接続パッドにバンプを介して電気的に接続した１以上の弾性表面波素子とを備える弾性表面波装置であって、
前記バンプの外縁が前記接続パッドの外縁より内側に位置し、
前記弾性表面波素子を前記基板表面に対し略平行な方向にずらすことにより、前記接続パッドへの前記バンプの接合位置を前記接続パッドの外縁の内側領域内で変更した
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】
前記接続パッドへのバンプの接合位置を接続パッドの外縁の内側領域内で変更することにより、前記弾性表面波素子に接続されたインダクタのインダクタンス値を調整した
ことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
前記接続パッドへのバンプの接合位置を接続パッドの外縁の内側領域内で変更することにより、前記弾性表面波素子の減衰極の周波数を調整した
ことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
基板に設けた接続パッドにバンプを介して弾性表面波素子を電気的に接続することにより当該弾性表面波素子を前記基板に実装する素子実装工程を含む弾性表面波装置の製造方法であって、
前記バンプの外縁が前記接続パッドの外縁より内側に位置し、前記素子実装工程は、前記弾性表面波素子を前記基板に実装するときに前記基板表面に対し略平行な方向にずらすことにより、前記接続パッドへの前記バンプの接合位置を前記接続パッドの外縁の内側領域内で変更する工程を含む
ことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項５】
前記接続パッドへのバンプの接合位置を接続パッドの外縁の内側領域内で変更することにより、前記弾性表面波素子に接続されたインダクタのインダクタンス値を調整する
ことを特徴とする請求項４に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項６】
前記接続パッドへのバンプの接合位置を接続パッドの外縁の内側領域内で変更することにより、前記弾性表面波素子の減衰極の周波数を調整する
ことを特徴とする請求項４に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項７】
前記接続パッドは、前記バンプによる実装に必要な面積を有するパッド本体部と、このパッド本体部に連続して当該接続パッドの大きさを拡張する拡張部とを含み、
前記弾性表面波素子を、前記パッド本体部から前記拡張部に向う方向にずらした
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性表面波装置または弾性表面波装置の製造方法。
【請求項８】
前記接続パッドは、略長方形の平面形状を有しかつその長辺が前記弾性表面波素子をずらす方向に略平行に延在するように配置されている
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の弾性表面波装置または弾性表面波装置の製造方法。
【請求項９】
前記弾性表面波装置は、前記弾性表面波素子として低域側弾性表面波フィルタ素子と高域側弾性表面波フィルタ素子とを含むデュプレクサであって、
前記高域側弾性表面波フィルタ素子は、外部接続用のアンテナ端子と高域側信号端子との間を結ぶ伝送路上に直列に接続された直列腕共振器と、当該伝送路からグランドに分岐する分岐路上に接続された並列腕共振器とを複数段接続したラダー型弾性表面波フィルタ素子であり、
前記アンテナ端子側から見て初段に接続された並列腕共振器の一端をグランドに接続するため前記基板上に設けた接続パッド上において、この接続パッドに接合されるバンプが、当該接続パッドとグランドへの導体線路との接続部に近づくように前記高域側弾性表面波フィルタ素子の実装位置をずらした
ことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の弾性表面波装置または弾性表面波装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２Ａ】
【図２２Ｂ】
【図２３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２Ａ】
【図２２Ｂ】
【図２３】
【公開番号】特開２００７−１０４０４７（Ｐ２００７−１０４０４７Ａ）
【公開日】平成１９年４月１９日（２００７．４．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２８７９６８（Ｐ２００５−２８７９６８）
【出願日】平成１７年９月３０日（２００５．９．３０）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年４月１９日（２００７．４．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月３０日（２００５．９．３０）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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