成膜方法及び発光装置の作製方法
【課題】光による加熱成膜法により正確なパターンで、かつ良質な膜を成膜し、高繊細な発光装置を生産性よく作製できる技術を提供することを課題の一とする。
【解決手段】光による加熱成膜法において、光吸収層への光照射工程を、光照射時間を０．１ミリ秒以上１ミリ秒未満（より好ましくは０．２ミリ秒以上０．５ミリ秒未満）とし、かつ光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度を２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下（より好ましくは２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上１×１０５Ｗ／ｃｍ２以下）とする。さらに、成膜する材料層（有機化合物材料を含む層）が設けられた成膜用基板と、対向して配置される被成膜基板とを、材料層表面と被成膜面との間隔ｄを０＜ｄ≦１０μｍ（より好ましくは０＜ｄ≦５μｍ）とすることが好ましい。
【解決手段】光による加熱成膜法において、光吸収層への光照射工程を、光照射時間を０．１ミリ秒以上１ミリ秒未満（より好ましくは０．２ミリ秒以上０．５ミリ秒未満）とし、かつ光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度を２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下（より好ましくは２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上１×１０５Ｗ／ｃｍ２以下）とする。さらに、成膜する材料層（有機化合物材料を含む層）が設けられた成膜用基板と、対向して配置される被成膜基板とを、材料層表面と被成膜面との間隔ｄを０＜ｄ≦１０μｍ（より好ましくは０＜ｄ≦５μｍ）とすることが好ましい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
成膜方法及び発光装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロルミネセンス（以下、ＥＬとも記す）素子を備える発光装置には、フルカラー表示を行うため、カラー発光するカラー発光素子を用いる。カラー発光素子を形成するには、各色の発光材料を微細なパターンに電極上に形成する必要がある。
【０００３】
一般的に発光材料は、蒸着法によって成膜されるが、蒸着法は、材料利用効率が低いことや基板サイズが限られるなどの問題点を有しており、低コストで高生産性が要求される工業化には不向きである。
【０００４】
上記問題を解決する技術として、発光材料をレーザーやフラッシュランプからの光を用いて有機ドナー層を有するドナー基板より、素子作成用基板に転写し発光層を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００３−３０８９７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記のような転写法においては、素子作成用基板に成膜される発光層のパターンのずれやぼけ、膜質の不良などの問題があった。この問題は発光装置の高繊細化にともなって顕著となり、歩留まりの低下も招く。従って、さらなる正確なパターンでの良質な膜が成膜できる成膜方法が望まれている。
【０００６】
上記問題を鑑みて、光による加熱成膜法により正確なパターンで、かつ良質な膜を成膜することを課題の一とする。高繊細な発光装置を生産性よく作製できる技術を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
透光性基板上に光吸収層及び有機化合物材料を含む層が形成された成膜用基板に光を照射し、透光性基板を透過させて、光吸収層に光を照射することによって有機化合物材料を含む層に含まれる材料を、対向して配置された被成膜基板へ成膜する。有機化合物材料を含む層に含まれる材料の加熱手段として光照射工程を用いる。
【０００８】
成膜方法において、得られる薄膜の形状の正確性、薄膜の膜質に大きく影響するのは光照射工程の制御である。本明細書で開示する発明は、光照射工程において、照射時間及びエネルギー密度を制御することで薄膜の形状不良（パターンぼけ）を抑制し、良質の膜質を得る。なお、エネルギー密度とは光源より照射領域に向かって照射されたエネルギー密度である。
【０００９】
光吸収層への光照射工程において、光照射時間を０．１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）未満（より好ましくは０．２ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上０．５ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以下）とし、かつ光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度を２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下（より好ましくは２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上１×１０５Ｗ／ｃｍ２以下）とする。さらに、成膜する材料層（有機化合物材料を含む層）が設けられた成膜用基板と、対向して配置される被成膜基板とを、材料層表面と被成膜面との間隔ｄを０＜ｄ≦１０μｍ（より好ましくは０＜ｄ≦５μｍ）とすることが好ましい。上記のような光照射工程を行うと、被成膜基板に正確なパターン形状の良質な薄膜を成膜することができる。
【００１０】
光吸収層に照射された光のエネルギーは光吸収層によって、一部反射、吸収される。よって、光吸収層の光吸収率により熱として得られるエネルギーは異なる。光吸収層の光吸収率は、用いる材料や膜厚によって制御することができる。例えば、膜厚２００ｎｍのチタン膜であれば、キセノンフラッシュランプ光に対して約５０％の光吸収率を示す。
【００１１】
用いる光の波長は、光吸収層が吸収する波長であり、本明細書で開示する光照射時間及びエネルギー密度を満たす、パターンぼけ及び膜質不良が抑制できる波長を用いればよく、光源などの種類には特に限定されない。
【００１２】
好適に用いられる例としてはフラッシュランプ（キセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）がある。フラッシュランプは短時間で強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、処理基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、ランプ光は一度に広範囲を処理することができるため、作製工程時間を短縮し、スループットを向上することが可能となる。ランプ光を用いる場合の照射時間は半値幅とする。
【００１３】
光吸収層を成膜パターンを反映して選択的に形成すれば、被成膜基板に該パターンで薄膜を形成することができる。
【００１４】
また、光吸収層に光が照射されないように、透光性基板と光吸収層との間に反射層を選択的に形成してもよい。反射層によって光は反射されるので、反射層のパターンを反映した薄膜を被成膜基板に形成することができる。
【００１５】
さらに、反射層と有機化合物材料を含む層との間に熱の伝導を妨げる断熱層を設けてもよい。断熱層を、光に対する透過率は６０％以上とし、かつ熱伝導率が反射層及び光吸収層に用いる材料の熱伝導率よりも小さい材料を用いて形成することが好ましい。熱伝導率が低いと、照射された光から得られる熱を効率よく成膜に用いることができる。
【００１６】
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、光吸収層が設けられた透光性基板と、光吸収層上に有機化合物材料を含む層とを含む成膜用基板を用い、成膜用基板の有機化合物材料を含む層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが離れて向き合うように、成膜用基板と被成膜基板とを配置し、透光性基板を通過させて、光源より光を光吸収層に照射し、光を照射された光吸収層上の有機化合物材料を含む層に含まれる材料を被成膜基板上に成膜し、光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度は２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下であり、時間は０．１ミリ秒以上１ミリ秒未満の間で光を光吸収層に照射する。
【００１７】
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、光吸収層が設けられた透光性基板と、光吸収層上に有機化合物材料を含む層とを含む成膜用基板を用い、成膜用基板の有機化合物材料を含む層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが離れて向き合うように、成膜用基板と被成膜基板とを配置し、透光性基板を通過させて、光源より光を光吸収層に照射し、光を照射された光吸収層上の有機化合物材料を含む層に含まれる材料を被成膜基板上に成膜し、光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度は２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下であり、時間は０．１ミリ秒以上１ミリ秒未満の間で光を光吸収層に照射し、光の照射は、有機化合物材料を含む層形成面と被成膜基板の被成膜面との距離を１０μｍ以下に配置して行う。
【００１８】
本明細書で開示する成膜方法を用いて、被成膜基板上に設けられた第１の電極層上に発光層を形成し、発光層上に第２の電極層を形成して発光素子を有する発光装置を作製することができる。また、本明細書で開示する成膜方法を用いて発光層を形成する場合、被成膜領域を一画素ごとに対応させてもよいし、被成膜領域を複数の画素を含むように対応させ複数の画素の発光層を一度に作製してもよい。
【００１９】
本明細書で開示する成膜方法を用いると蒸着材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成することができる。
【００２０】
光吸収層に光を照射する工程は減圧下で行うことが好ましい。減圧下で光を照射し、被成膜基板に材料を成膜する工程を行うと、成膜される膜へのゴミ等の汚染物の影響を軽減することができる。また、材料の気化温度が低下するので、熱による被成膜基板へのダメージを抑制できる。また、装置内に残存する残留気体に、気化分子が衝突し散乱するのを防止でき、パターンぼけの発生を抑制できる。
【００２１】
本明細書で開示する成膜方法は、高範囲を処理することも可能なため、大面積基板であっても生産性よく被成膜基板に薄膜を形成することができる。よって、高繊細な発光装置及び電子機器を安価で作製することができる。
【発明の効果】
【００２２】
蒸着材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンでかつ膜質の良好な薄膜を形成することができる。さらに、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高繊細な発光装置を作製することができる。また、大面積の被成膜基板に薄膜を形成することができるため、大型の発光装置及び電子機器を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本明細書で開示する発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本明細書で開示する発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２４】
（実施の形態１）
本実施の形態では、被成膜基板に微細なパターンで薄膜を形成することを目的とした成膜用基板及び成膜方法の一例について図１を用いて説明する。
【００２５】
図１（Ａ）に成膜用基板の一例を示す。第１の基板１０１上に選択的に光吸収層１０４が形成されている。第１の基板１０１と光吸収層１０４との間に下地膜となる絶縁膜を形成してもよい。
【００２６】
成膜用基板に形成される光吸収層１０４に第１の基板１０１側より光を照射して、被成膜基板に膜を成膜する。従って、用いる光に対して、第１の基板１０１は透光性を、光吸収層１０４は光吸収性をそれぞれ有する必要がある。よって、照射される光の波長により、第１の基板１０１、光吸収層１０４に好適な材料の種類が変化するため、適宜材料を選択する必要がある。
【００２７】
また、第１の基板１０１は熱伝導率が低い材料であることが好ましい。熱伝導率が低いと、照射された光から得られる熱を効率よく成膜に用いることができる。第１の基板１０１としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。ガラス基板としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような無アルカリガラスと呼ばれる電子工業用に使われる各種ガラス基板を適用することができる。
【００２８】
光吸収層１０４は、成膜の際に照射された光を吸収し、発熱する層である。よって、光吸収層１０４は、照射する光に対して低い反射率を有し、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、光吸収層１０４は、照射される光に対して、７０％以下の反射率を示すことが好ましい。
【００２９】
光吸収層１０４には、種々の材料を用いることができる。例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステンなどの金属窒化物、チタン、モリブデン、タングステンなどの金属、カーボンなどを用いることができる。なお、照射される光の波長に応じて、光吸収層１０４に好適な材料の種類が変化することから、適宜材料を選択する必要がある。また、光吸収層１０４は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。例えば、金属と金属窒化物の積層構造としてもよい。
【００３０】
光吸収層１０４は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、化学気相成長（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより形成することができる。
【００３１】
光吸収層１０４の膜厚は、材料によって異なるが、照射した光が透過しない膜厚であることが好ましい。具体的には、１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚であることが好ましい。また、光吸収層の膜厚が薄い方が低いエネルギー密度の光で成膜することができるため、更に好ましくは１０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の膜厚であるとよい。
【００３２】
光吸収層１０４は、有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料の成膜可能温度（材料層に含まれる材料の少なくとも一部が被成膜基板へ成膜される温度）まで加熱できるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料として、光によって分解しない材料を用いることが必要である。
【００３３】
光吸収層１０４上に保護膜を形成してもよい。保護膜は光吸収層への光照射により光吸収層が蒸発するのを防ぐ効果がある。保護膜としては酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜を用いることができ、それらの積層でもよい。保護膜の膜厚は１００ｎｍ以下とするのが好ましい。
【００３４】
光吸収層１０４上に被成膜基板上に成膜される材料を含む有機化合物材料を含む層１０５を形成する（図１（Ｂ）参照。）。
【００３５】
有機化合物材料を含む層１０５は、被成膜基板上に成膜する材料を含んで形成される層である。そして、成膜用基板に光を照射することにより、有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料が加熱され、有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料の少なくとも一部が被成膜基板上に成膜される。有機化合物材料を含む層１０５が加熱されると、有機化合物材料を含む層に含まれる材料の少なくとも一部が気化すること、もしくは、有機化合物材料を含む層の少なくとも一部に熱変形が生じ、その結果応力が変化するために膜が剥がれ、被成膜基板上に成膜される。
【００３６】
有機化合物材料を含む層１０５は、種々の方法により形成される。例えば、湿式法であるスピンコート法、ロールコート法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、スプレー法、キャスト法、ディップ法、液滴吐出（噴出）法（インクジェット法）、ディスペンサ法、各種印刷法（スクリーン（孔版）印刷、オフセット（平版）印刷、凸版印刷やグラビア（凹版）印刷など所望なパターンで形成される方法）などを用いることができる。また、乾式法である真空蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法等を用いることができる。
【００３７】
有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料としては、種々の有機化合物材料を用いることができ、さらに種々の無機化合物材料を含んでも良い。発光素子のＥＬ層を形成する場合には、ＥＬ層を形成する成膜可能な材料を用いる。例えば、ＥＬ層を形成する発光性材料、キャリア輸送性材料などの有機化合物の他、ＥＬ層を構成するキャリア輸送層やキャリア注入層、発光素子の電極などに用いられる金属酸化物、金属窒化物、ハロゲン化金属、金属単体といった無機化合物を用いることもできる。
【００３８】
また、有機化合物材料を含む層１０５は、複数の材料を含んでいてもよい。また、有機化合物材料を含む層１０５は、単層でもよいし、複数の層が積層されていてもよい。
【００３９】
湿式法を用いて有機化合物材料を含む層１０５を形成する場合には、所望の材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、液状の組成物（溶液あるいは分散液）を調整すればよい。溶媒は、材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減させることができる。
【００４０】
有機化合物材料を含む層１０５によって被成膜基板上に形成される膜の膜厚および均一性を制御する場合には、有機化合物材料を含む層１０５の膜厚および均一性は制御される必要がある。しかし、被成膜基板上に形成される膜の膜厚および均一性に影響しないのであれば、有機化合物材料を含む層１０５は必ずしも均一の層である必要はない。例えば、微細な島状に形成されていてもよいし、凹凸を有する層状に形成されていてもよい。
【００４１】
次に、第１の基板１０１の一方の面であって、光吸収層１０４及び有機化合物材料を含む層１０５が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板１０７を配置する（図１（Ｃ）参照。）。第２の基板１０７は、成膜処理により所望の層が成膜される被成膜基板である。
【００４２】
成膜用基板における有機化合物材料を含む層１０５表面と、被成膜基板における被成膜面との距離ｄを至近距離、具体的には距離ｄを、０＜ｄ≦１０μｍ（より好ましくは０＜ｄ≦５μｍ）となるように近づけて対向させることが好ましい。距離ｄが短いと有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料が被成膜面に移動する距離も短くなるため、より被成膜面に成膜される膜のパターンぼけを防止でき精度良く成膜することができる。
【００４３】
第１の基板１０１及び第２の基板１０７が特に大型基板であると、基板のたわみやそりなどによって基板間で距離ｄに誤差が生じ、距離ｄの値に分布を有する場合がある。この場合、距離ｄは材料層表面と被成膜面との間の最長距離とする。基板の大きさや配置方法によっては、第１の基板１０１上の最表面の膜と第２の基板１０７上の最表面の膜とは一部接触する場合もある。
【００４４】
第１の基板１０１上に光吸収層１０４及び有機化合物材料を含む層１０５が形成された成膜用基板において、より成膜される膜に高い信頼性を付与したい場合は、成膜用基板に真空中での加熱処理を行うこと好ましい。同様に、被成膜基板である第２の基板１０７も成膜前に真空中での加熱処理を行うと、成膜される膜の信頼性が向上する。特に、被成膜用基板に隔壁となる絶縁層などを設ける場合、真空中での加熱処理により水などの汚染物を除去することで、より信頼性の高い膜を成膜することができ、作製する発光素子、及び発光装置の信頼性も高めることができる。
【００４５】
第１の基板１０１の裏面（光吸収層１０４及び有機化合物材料を含む層１０５が形成されていない面）側から光源１２１より光１１０を照射する（図１（Ｄ）参照。）。このとき、第１の基板１０１に照射された光は、第１の基板１０１を透過し、光吸収層１０４に吸収される。そして、光吸収層１０４は、吸収した光から得た熱を有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料に与えることにより、有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料の少なくとも一部を、第２の基板１０７上に膜１１１として成膜する。これにより、第２の基板１０７上に所望のパターンに成形された膜１１１が形成される（図１（Ｅ）参照。）。
【００４６】
光吸収層１０４に光１１０を照射する工程は減圧下で行うことが好ましい。減圧下で光１１０を照射し、被成膜基板に材料を成膜する工程を行うと、成膜される膜へのゴミ等の汚染物の影響を軽減することができる。また、材料の気化温度が低下するので、熱による被成膜基板へのダメージを抑制できる。また、装置内に残存する残留気体に、気化分子が衝突し散乱するのを防止でき、パターンぼけの発生を抑制できる。
【００４７】
また、光吸収層１０４に光１１０を照射する工程は有機化合物材料を含む層１０５を加熱状態（熱を保持している状態）として行ってもよい。有機化合物材料を含む層１０５に加熱処理を行い、加熱状態にしておくと、低いパワーの光の光源を用いた光照射でも材料層に含まれる材料を被成膜用基板に成膜することができる。光１１０を照射する工程を、有機化合物材料を含む層１０５を形成する際に行う加熱処理直後に行うと、有機化合物材料を含む層１０５は加熱状態とすることができる。また、ヒータなどの加熱手段を用いて。有機化合物材料を含む層１０５を加熱しながら光１１０を照射してもよい。
【００４８】
成膜方法において、得られる薄膜の形状の正確性、薄膜の膜質に大きく影響するのは光照射工程の制御である。本実施の形態で、光照射工程において、照射時間及び光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度を制御することで薄膜の形状不良（パターンぼけ）を抑制し、良質の膜質を得る。
【００４９】
本実施の形態の光吸収層１０４への光照射工程において、光１１０の照射時間を０．１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）未満（より好ましくは０．２ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上０．５ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以下）とし、かつ光１１０の照射により光吸収層１０４の照射領域に与えられるエネルギー密度を２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下（より好ましくは２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上１×１０５Ｗ／ｃｍ２以下）とする。上記のような光照射工程を行うと、被成膜基板に正確なパターン形状の良質な薄膜を成膜することができる。
【００５０】
用いる光１１０は、光吸収層１０４が吸収する波長であり、本明細書で開示する発明における光照射時間及びエネルギー密度を満たす、パターンぼけ及び膜質不良が抑制できる波長を用いればよく、光源１２１などの種類には特に限定されない。
【００５１】
光源１２１に好適に用いられる例としてはフラッシュランプ（キセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）がある。フラッシュランプは短時間で強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、処理基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、ランプ光は一度に広範囲を処理することができるため、作製工程時間を短縮し、スループットを向上することが可能となる。
【００５２】
光１１０は、光源１２１にランプを用いたランプ光による強光、光源１２１にレーザ発振器を用いたレーザ光などを用いることができる。光の波長は４００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下程度の光を好適に用いることができる。
【００５３】
用いる光１１０は、赤外光、可視光、または紫外光のいずれか一またはそれらの組み合わせを用いることが可能である。例えば、紫外線ランプ、ブラックライト、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光（ランプ光）を用いてもよい。その場合、ランプ光源は、必要な時間点灯させて照射してもよいし、複数回照射してもよい。
【００５４】
また、光としてレーザ光を用いてもよく、レーザ発振器としては、紫外光、可視光、又は赤外光を発振することが可能なレーザ発振器を用いることができる。様々な波長のレーザ光を用いることができ、例えば、３５５、５１５、５３２、１０３０、１０６４ｎｍなどの波長のレーザ光を用いることができる。
【００５５】
レーザ光には、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、上記固体レーザから発振される第２高調波や第３高調波、さらに高次の高調波を用いることもできる。なお、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。
【００５６】
また、レーザスポットの形状は、線状または矩形状とすることが好ましい。線状または矩形状とすることにより、処理基板にレーザ光を効率よく走査することができる。よって、成膜に要する時間（タクトタイム）が短くなり、生産性が向上する。また、レーザスポットの形状は楕円形状でもよい。
【００５７】
また、光照射による成膜は、減圧雰囲気下で行うことが好ましい。従って、成膜室内を５×１０−３Ｐａ以下、好ましくは１０−６Ｐａ以上１０−４Ｐａ以下の雰囲気とすることが好ましい。
【００５８】
本実施の形態のように光吸収層１０４を成膜パターンを反映して選択的に形成すれば、被成膜基板に該パターンで薄膜を形成することができる。
【００５９】
また、光吸収層１０４に光が照射されないように、第１の基板１０１と光吸収層１０４との間に反射層を選択的に形成してもよい。反射層によって光は反射されるので、反射層のパターンを反映した薄膜を被成膜基板に形成することができる。
【００６０】
さらに、反射層と有機化合物材料を含む層との間に熱の伝導を妨げる断熱層を設けてもよい。
【００６１】
本明細書で開示する発明を適用することにより、第１の基板上に形成された有機化合物材料を含む層の膜厚を制御することによって、被成膜基板である第２の基板上に成膜される膜の膜厚を制御することができる。つまり、第１の基板上に形成された有機化合物材料を含む層に含まれる材料を全て成膜することにより第２の基板上に形成される膜が所望の膜厚となるように予め有機化合物材料を含む層の膜厚が制御されているため、第２の基板上に成膜する際の膜厚モニターは不要となる。よって、膜厚モニターを利用した成膜速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。
【００６２】
また、本明細書で開示する発明を適用することにより、第１の基板上に形成された有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料を均一に成膜することができる。また、有機化合物材料を含む層１０５が複数の材料を含む場合でも、有機化合物材料を含む層１０５と同じ材料をほぼ同じ重量比で含有する膜を被成膜基板である第２の基板上に成膜することができる。従って、本明細書で開示する成膜方法は、成膜温度の異なる複数の材料を用いて成膜する場合でも、共蒸着のようにそれぞれ蒸着レートを制御する必要がない。そのため、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。
【００６３】
本明細書で開示する成膜方法を用いて発光装置の発光層を形成する場合、第１の領域を一画素ごとに対応させてもよいし、第１の領域を複数の画素を含むように対応させ複数の画素の発光層を一度に作製してもよい。例えば、例えば三色の色要素（例えばＲＧＢ）でフルカラー表示を行いストライプ配置とする場合、複数の同色の発光を示す画素を含む領域を、成膜用基板の第１の領域と対応させ、被成膜用基板に複数の画素の発光層を形成することができる。
【００６４】
フルカラーディスプレイを作製する場合には、発光層を作り分ける必要があるため、本明細書で開示する成膜方法を用いて発光層を形成すれば、容易に所望のパターンで発光層を作り分けることができる。また、精度良く発光層を作り分けることができる。
【００６５】
また、本明細書で開示する成膜方法では、所望の材料を無駄にすることなく、被成膜基板に成膜することが可能である。よって、材料の利用効率が向上し、製造コストの低減を図ることができる。また、成膜室内壁に材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを容易にすることができる。
【００６６】
また、本明細書で開示する発明を適用することにより、平坦でムラのない膜を成膜することが可能となる。また、所望の領域のみに成膜することが可能であるため、微細パターンの形成が可能となり、高精細な発光装置を作製することができる。
【００６７】
また、本明細書で開示する発明を適用することにより、光を用いた成膜の際に選択的に所望の領域に成膜することができるので、材料の利用効率を高めることができ、精度良く、所望の形状に成膜することが容易であるため生産性向上を図ることができる。
【００６８】
また、本明細書で開示する発明を適用することにより、光を用いた成膜の際に光源にランプを使用することができるため、大面積を一度に処理することが可能となる。よって生産性を向上させることができる。
【００６９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本明細書で開示する発明に用いることのできる成膜用基板の他の例を図３を用いて説明する。実施の形態１と同様な機能を有する構成の材料や作製方法は、実施の形態１と同様とすればよい。
【００７０】
図３（Ａ）乃至（Ｆ）は、成膜用基板に光吸収層の他に、反射層や断熱層を設ける例である。
【００７１】
光吸収層に光が照射されないように、透光性基板と光吸収層との間に反射層を選択的に形成することができる。反射層によって光は反射されるので、反射層のパターンを反映した薄膜を被成膜基板に形成することができる。
【００７２】
また、反射層と有機化合物材料を含む層との間に熱の伝導を妨げる断熱層を設けることもできる。断熱層を、光に対する透過率は６０％以上とし、かつ熱伝導率が反射層及び光吸収層に用いる材料の熱伝導率よりも小さい材料を用いて形成することが好ましい。熱伝導率が低いと、照射された光から得られる熱を効率よく成膜に用いることができる。なお、本明細書で開示する発明において、断熱層は熱を完全に遮断することが好ましいが、本明細書では、少なくとも光吸収層よりも熱の伝導を妨げるものも断熱層という。
【００７３】
図３（Ａ）は、第１の基板１０１と光吸収層１０４との間に選択的に反射層１０２を設けており、光吸収層１０４上に有機化合物材料を含む層１０５が形成されている。反射層１０２上の光吸収層１０４には光は照射されないために、反射層１０２の形成領域以外の領域のパターンが被成膜用基板における薄膜の成膜パターンとすることができる。
【００７４】
図３（Ｂ）は、図３（Ａ）において、光吸収層１０４を選択的に形成し、第１の基板１０１上の反射層１０２の形成領域以外に光吸収層１０４を形成する例である。
【００７５】
図３（Ｃ）は、図３（Ａ）において、反射層１０２と光吸収層１０４との間に断熱層１０３を設ける例である。図３（Ｄ）は、図３（Ｃ）において、光吸収層１０４を選択的に形成し、第１の基板１０１上の反射層１０２の形成領域以外に光吸収層１０４を形成する例である。
【００７６】
断熱層１０３を設けることで反射層１０２と光吸収層１０４とは接しなくなるために熱の伝わりをより防止することができる。
【００７７】
図３（Ｅ）は、図３（Ｃ）において、反射層１０２と重畳する領域に、断熱層１１２をさらに設ける例である。図３（Ｅ）では、光吸収層１０４と有機化合物材料を含む層１０５との間に選択的に断熱層１１２が形成されている。図３（Ｆ）は、図３（Ｅ）において、光吸収層１０４を選択的に形成し、第１の基板１０１上の反射層１０２の形成領域以外に光吸収層１０４を形成する例である。よって図３（Ｆ）では、断熱層１０３と断熱層１１２とが接して積層する構成となる。
【００７８】
このように断熱層を複数設けると、より被成膜基板において薄膜を成膜しない領域（第２の領域）へ、薄膜を成膜する領域（第１の領域）からの熱が伝わることを防止する効果を高めることができる。よって、より被成膜基板における薄膜のパターン形状を正確に制御することができ、高精細なパターン形状の薄膜を得ることが可能となる。
【００７９】
反射層１０２は、成膜の際、光吸収層１０４の一部分に選択的に光を照射するために、それ以外の部分に照射される光を反射するための層である。よって、反射層１０２は、照射する光に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層１０２は、照射される光に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、反射率が９０％以上であることが好ましい。
【００８０】
反射層１０２に用いることができる材料としては、例えば、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、又は銀を含む合金などを用いることができる。
【００８１】
反射層１０２の膜厚は、材料により異なるが、１００ｎｍ以上とすることが好ましい。１００ｎｍ以上の膜厚とすることにより、照射した光が反射層を透過することを抑制することができる。
【００８２】
また、反射層１０２を所望の形状に加工する際には種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、側壁が鋭くなり、微細なパターンを形成することができる。
【００８３】
断熱層１０３、１１２は、熱伝導率が反射層１０２および光吸収層１０４を形成する材料よりも低い材料を用いる必要がある。また、図３に示すように、光を、断熱層１０３を透過させて光吸収層１０４に照射する構成の場合には、断熱層１０３は透光性を有する必要がある。この場合、本明細書で開示する発明における断熱層１０３は、熱伝導率の低い材料であると共に光透過率の高い材料を用いる必要がある。具体的には、断熱層１０３には、光に対する透過率が６０％以上となる材料を用いることが好ましい。ただし光を透過させる必要のない断熱層１１２のような場合は、断熱層は透光性を有する必要はない。
【００８４】
断熱層１０３、断熱層１１２に用いる材料としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム等を用いることができる。
【００８５】
断熱層１０３、断熱層１１２の膜厚は、材料により異なるが、１０ｎｍ以上２μｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは、１００ｎｍ以上１μｍ以下とする。１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚とすることにより、光を透過させつつ、熱が第２の領域の有機化合物材料を含む層に伝わるのを遮断する効果を有する。
【００８６】
反射層１０２、断熱層１０３、断熱層１１２、及び光吸収層１０４は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、化学気相成長（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより形成することができる。
【００８７】
さらに、反射層１０２と光吸収層１０４の反射率は差が大きいほど好ましい。具体的には、照射する光の波長に対して、反射率の差が２５％以上、より好ましくは３０％以上であることが好ましい。
【００８８】
図３（Ａ）乃至（Ｆ）に示す成膜用基板を用いて、実施の形態１と同様に光を照射して、被成膜基板へ所望のパターンで膜を成膜することができる。従って本実施の形態に示す成膜用基板を用いて、実施の形態１と同様の効果を奏することができる。
【００８９】
本明細書で開示する発明では、材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成することができる。
【００９０】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本明細書で開示する発明を適用して、発光素子および発光装置を作製する方法について説明する。
【００９１】
本明細書で開示する発明を適用して、例えば、図６（Ａ）、（Ｂ）に示す発光素子を作製することができる。図６（Ａ）に示す発光素子は、基板９０１上に第１の電極９０２、発光層９１３のみで形成されたＥＬ層９０３、第２の電極９０４が順に積層して設けられている。第１の電極９０２及び第２の電極９０４のいずれか一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。陽極から注入される正孔及び陰極から注入される電子がＥＬ層９０３で再結合して、発光を得ることができる。本実施の形態において、第１の電極９０２は陽極として機能する電極であり、第２の電極９０４は陰極として機能する電極であるとする。
【００９２】
また、図６（Ｂ）に示す発光素子は、図６（Ａ）のＥＬ層９０３が複数の層が積層された構造である場合を示しており、具体的には、第１の電極９０２側から正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４、および電子注入層９１５が順次設けられている。なお、ＥＬ層９０３は、図６（Ａ）に示すように少なくとも発光層９１３を有していれば機能するため、これらの層を全て設ける必要はなく、必要に応じて適宜選択して設ければよい。
【００９３】
図６に示す基板９０１には、絶縁表面を有する基板または絶縁基板を適用する。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板又はサファイヤ基板等を用いることができる。
【００９４】
また、第１の電極９０２および第２の電極９０４は、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
【００９５】
これらの材料は、通常スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。その他、ゾル−ゲル法などを応用して、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。
【００９６】
また、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムを含む合金等を用いることができる。その他、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（アルミニウム、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとリチウムの合金）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。
【００９７】
アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。また、第１の電極９０２および第２の電極９０４は、単層膜に限らず、積層膜で形成することもできる。
【００９８】
なお、ＥＬ層９０３で発光する光を外部に取り出すため、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方、または両方が光を通過するように形成する。例えば、インジウム錫酸化物等の透光性を有する導電材料を用いて形成するか、或いは、銀、アルミニウム等を数ｎｍ乃至数十ｎｍの厚さとなるように形成する。また、膜厚を薄くした銀、アルミニウムなどの金属薄膜と、ＩＴＯ膜等の透光性を有する導電材料を用いた薄膜との積層構造とすることもできる。
【００９９】
なお、本実施の形態で示す発光素子のＥＬ層９０３（正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４又は電子注入層９１５）は、実施の形態１で示した成膜方法を適用して形成することができる。また、電極を実施の形態１で示した成膜方法を適用して形成することもできる。
【０１００】
発光層９１３としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
【０１０１】
発光層９１３に用いることのできる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。
【０１０２】
発光層９１３に用いることのできる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。
【０１０３】
また、発光層９１３として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いることもできる。発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いるにより、発光層の結晶化を抑制することができる。また、発光性の高い物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
【０１０４】
発光性の高い物質を分散させる物質としては、発光性の高い物質が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光性の高い物質が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。
【０１０５】
発光層９１３に用いるホスト材料としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）などの他、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）などが挙げられる。
【０１０６】
また、ドーパント材料としては、上述した燐光性化合物や蛍光性化合物を用いることができる。
【０１０７】
発光層９１３として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いる場合には、成膜用基板上の有機化合物材料を含む層として、ホスト材料とゲスト材料とを混合した層を形成すればよい。または、成膜用基板上の有機化合物材料を含む層として、ホスト材料を含む層とドーパント材料を含む層とが積層した構成としてもよい。このような構成の有機化合物材料を含む層を有する成膜用基板を用いて発光層９１３を形成することにより、発光層９１３は発光材料を分散させる物質（ホスト材料）と発光性の高い物質（ドーパント材料）とを含み、発光材料を分散させる物質（ホスト材料）に発光性の高い物質（ドーパント材料）が分散された構成となる。なお、発光層９１３として、２種類以上のホスト材料とドーパント材料を用いてもよいし、２種類以上のドーパント材料とホスト材料を用いてもよい。また、２種類以上のホスト材料及び２種類以上のドーパント材料を用いてもよい。
【０１０８】
また、図６（Ｂ）に示す発光素子を形成する場合には、ＥＬ層９０３（正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４、および電子注入層９１５）のそれぞれの層を形成する材料で形成された有機化合物材料を含む層を有する実施の形態１で示した成膜用基板を各層毎に用意し、各層の成膜毎に異なる成膜用基板を用いて、実施の形態１で示した方法により、基板９０１上の第１の電極９０２上にＥＬ層９０３を形成することができる。そして、ＥＬ層９０３上に第２の電極９０４を形成することにより、図６（Ｂ）に示す発光素子を得ることができる。なお、この場合には、ＥＬ層９０３の全ての層に実施の形態１で示した方法を用いることもできるが、一部の層のみに実施の形態１で示した方法を用いても良い。
【０１０９】
湿式法で被成膜基板に膜を積層する場合、直接下層の膜上に材料を含む液状の組成物を付着させて形成するために、組成物中に含まれる溶媒によっては下層の膜が溶解してしまうため、積層できる材料が限定されてしまう。しかし、本明細書で開示する成膜方法を用いて積層を形成する場合、下層の膜に直接溶媒が付着しないため、溶媒による下層の膜への影響を考慮しなくてよい。従って、積層できる材料の選択性において自由度が広い。湿式法で直接被成膜基板に膜を形成してしまうと被成膜基板に既に成膜されている下層の膜に影響を与えない加熱条件で加熱処理を行わねばならないために、十分な膜質の向上を達成できない場合がある。
【０１１０】
例えば、正孔注入層９１１としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。
【０１１１】
また、正孔注入層９１１として、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層を用いることができる。正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、キャリア密度が高く、正孔注入性に優れている。また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層を、陽極として機能する電極に接する正孔注入層として用いることにより、陽極として機能する電極材料の仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。
【０１１２】
正孔注入層９１１に用いる電子受容性を示す物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族から第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０１１３】
正孔注入層９１１に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、正孔注入層９１１に用いることのできる正孔の輸送性の高い物質を具体的に列挙する。
【０１１４】
例えば、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等を用いることができる。また、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。
【０１１５】
正孔注入層９１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。
【０１１６】
また、正孔注入層９１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。
【０１１７】
また、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチル−アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
【０１１８】
なお、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
【０１１９】
また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、正孔注入性だけでなく、正孔輸送性も優れているため、上述した正孔注入層９１１を正孔輸送層として用いてもよい。
【０１２０】
また、正孔輸送層９１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１２１】
電子輸送層９１４は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ０１）バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１２２】
また、電子注入層９１５としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のようなアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものを用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み合わせた層を用いることは、第２の電極９０４からの電子注入が効率良く起こるためより好ましい。
【０１２３】
なお、ＥＬ層９０３は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層と、発光層とを適宜組み合わせて構成すればよい。
【０１２４】
ＥＬ層９０３で得られた発光は、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極である。第１の電極９０２のみが透光性を有する電極である場合、光は第１の電極９０２を通って基板９０１側から取り出される。また、第２の電極９０４のみが透光性を有する電極である場合、光は第２の電極９０４を通って基板９０１と逆側から取り出される。第１の電極９０２および第２の電極９０４がいずれも透光性を有する電極である場合、光は第１の電極９０２および第２の電極９０４を通って、基板９０１側および基板９０１と逆側の両方から取り出される。
【０１２５】
なお、図６では、陽極として機能する第１の電極９０２を基板９０１側に設けた構成について示したが、陰極として機能する第２の電極９０４を基板９０１側に設けてもよい。
【０１２６】
また、ＥＬ層９０３の形成方法としては、実施の形態１で示した成膜方法を用いればよく、他の成膜方法と組み合わせてもよい。また、各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。乾式法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。また、湿式法としては、インクジェット法またはスピンコート法などが挙げられる。
【０１２７】
本実施の形態に係る発光素子は、本明細書で開示する発明を適用したＥＬ層の形成が可能であり、それにより、高精度な膜が効率よく形成される為、発光素子の特性向上のみならず、歩留まり向上やコストダウンを図ることができる。
【０１２８】
本実施の形態は、上記の実施の形態１乃至３と適宜組み合わせることができる。
【０１２９】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本明細書で開示する発明を用いて作製されたパッシブマトリクス型の発光装置について図４乃至図５を用いて説明する。
【０１３０】
本実施の形態では、パッシブマトリクスの発光装置において、発光素子間を分離する隔壁（絶縁層）を設ける例を示す。２層の隔壁を有する発光装置の例を図４（Ａ）（Ｂ）及び図５（Ａ）乃至（Ｄ）に示す。
【０１３１】
図４（Ａ）は発光装置の平面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）における線Ｙ３−Ｚ３の断面図、図４（Ｃ）は図４（Ａ）における線Ｖ３−Ｘ３の断面図である。しかし、図４（Ａ）は隔壁７８２を形成した工程までの平面図であり、ＥＬ層及び第２の電極層は省略している。
【０１３２】
図４（Ａ）の発光装置は、素子基板７５９上に第１の方向に延びた発光素子に用いる電極層である第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ上に選択的に形成されたＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃと、第１の方向と垂直な第２の方向に延びた発光素子に用いる電極層である第２の電極層７５３ａ、７５３ｂ、７５３ｃとを有している（図４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）参照。）。
【０１３３】
図４において、データ線（信号線）として機能する第１の電極層７５１ｂと、走査線（ソース線）として機能する第２の電極層７５３ｂとはＥＬ層７５２ｂを間に挟持して交差しており、発光素子７５０を形成している。
【０１３４】
図４（Ａ）乃至（Ｃ）に示すように、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ上に、画素領域に開口部を有して隔壁７８０が選択的に形成されている。図４（Ｂ）に示すように、隔壁７８０は、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃの端部を覆うようにテーパーを有する形状で形成されている。
【０１３５】
隔壁７８０上に選択的に隔壁７８２を形成する。隔壁７８２は隔壁７８２上に形成するＥＬ層及び第２の電極層を非連続に分断する機能を有する。隔壁７８２の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁７８２の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（隔壁７８０の面方向と同様の方向を向き、隔壁７８０と接する辺）の方が上辺（隔壁７８０の面方向と同様の方向を向き、隔壁７８０と接しない辺）よりも短い。隔壁７８２はいわゆる逆テーパー形状であるために、自己整合的にＥＬ層７５２ｂは、隔壁７８２によって分断され、第１の電極層７５１ｂ上に選択的に形成することができる。従ってエッチングにより形状を加工しなくても、隣接する発光素子間は分断されており発光素子間のショートなどの電気的不良を防止することができる。
【０１３６】
本明細書で開示する成膜方法を用いた図４（Ｂ）に示す本実施の形態の発光装置の作製方法を図５（Ａ）乃至（Ｄ）を用いて説明する。
【０１３７】
図５（Ａ）は実施の形態２で示した図３（Ｆ）の成膜用基板と同様な構造である。
【０１３８】
成膜用基板において、基板７１１上に選択的に反射層７１２が形成され、反射層７１２上に断熱層７１３が形成されている。断熱層７１３上の反射層７１２と重畳する領域に断熱層７１６が形成され、反射層７１２と重畳しない領域に光吸収層７１４が形成されている。成膜用基板の最上層には有機化合物材料を含む層７２５が形成されている。
【０１３９】
被成膜基板である素子基板７５９には、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ、及び隔壁７８０が形成されており、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ及び隔壁７８０と、有機化合物材料を含む層７１５とが向き合うように、素子基板７５９と基板７１１とを配置する（図５（Ｂ）参照。）。図５（Ｂ）のように、隔壁７８０と第３の断熱層７４２を形成し、成膜用基板と被成膜基板とを接して設けると、各第１の領域をごとに他の画素領域と遮断することができる。よって、光照射により有機化合物材料を含む層より蒸発した材料が、他の画素領域へ付着することを抑制することができる。
【０１４０】
基板７２１の裏面（有機化合物材料を含む層７１５の形成面と反対の面）より光７２０を照射し、光吸収層７２４より与えられた熱によって有機化合物材料を含む層７１５に含まれる材料の少なくとも一部が素子基板７５９へＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃとして成膜される（図５（Ｃ）参照。）。
【０１４１】
本実施の形態の光吸収層７１４への光７２０の照射工程において、光７２０の照射時間を０．１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）未満（より好ましくは０．２ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上０．５ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以下）とし、かつ光７２０の照射により光吸収層７１４の照射領域に与えられるエネルギー密度を２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下（より好ましくは２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上１×１０５Ｗ／ｃｍ２以下）とする。さらに、成膜する有機化合物材料を含む層７１５が設けられた成膜用基板と、対向して配置される被成膜基板とを、有機化合物材料を含む層７１５表面と被成膜面の第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃとの間隔ｄを０＜ｄ≦１０μｍ（より好ましくは０＜ｄ≦５μｍ）とすることが好ましい。上記のような光照射工程を行うと、被成膜基板に正確なパターン形状の良質な薄膜を成膜することができる。
【０１４２】
上記工程によって、基板７０１上に設けられた第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ上にそれぞれ、選択的にＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃを形成することができる（図５（Ｄ）参照。）。
【０１４３】
図５（Ｄ）のＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃ上に第２の電極層７５３ｂを形成し、充填層７８１を形成し、封止基板７５８を用いて封止して図４（Ｂ）の発光装置を完成させることができる。
【０１４４】
封止基板７５８としては、ガラス基板や石英基板等を用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等からなる、プラスチック基板の他、高温では可塑化されてプラスチックと同じような成型加工ができ、常温ではゴムのような弾性体の性質を示す高分子材料エラストマー等が挙げられる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなる）、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
【０１４５】
隔壁７８０、隔壁７８２としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、その他の無機絶縁性材料、又はアクリル酸、メタクリル酸及びこれらの誘導体、又はポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾールなどの耐熱性高分子、又はシロキサン樹脂を用いてもよい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなどのビニル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いる。作製法としては、プラズマＣＶＤ法や熱ＣＶＤ法などの気相成長法やスパッタリング法を用いることができる。また、液滴吐出法や、印刷法（を用いることもできる。塗布法で得られる膜なども用いることができる。
【０１４６】
次に、図４に示したパッシブマトリクス型の発光装置にＦＰＣなどを実装した場合の上面図を図７に示す。
【０１４７】
図７において、画像表示を構成する画素部は、走査線群とデータ線群が互いに直交するように交差している。
【０１４８】
ここで、図４における第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃが、図７のデータ線１１０２に相当し、図４における第２の電極層７５３ａ、７５３ｂ、７５３ｃが、図７の走査線１１０３に相当し、図４におけるＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃが図７のＥＬ層１１０４に相当する。データ線１１０２と走査線１１０３の間にはＥＬ層１１０４が挟まれており、領域１１０５で示される交差部が画素１つ分（図４では発光素子７５０で示される）となる。
【０１４９】
なお、走査線１１０３は配線端で接続配線１１０８と電気的に接続され、接続配線１１０８が入力端子１１０７を介してＦＰＣ１１０９ｂに接続される。また、データ線は入力端子１１０６を介してＦＰＣ１１０９ａに接続される。
【０１５０】
また、必要であれば、射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０１５１】
なお、図７では、駆動回路を基板上に設けない例を示したが、本明細書で開示する発明は特に限定されず、基板上に駆動回路を有するＩＣチップを実装させてもよい。
【０１５２】
また、ＩＣチップを実装させる場合、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣ、走査線側ＩＣをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりそれぞれ実装する。ＣＯＧ方式以外の実装技術としてＴＣＰやワイヤボンディング方式を用いて実装してもよい。ＴＣＰはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープにＩＣを実装したものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の配線に接続してＩＣを実装する。データ線側ＩＣ、および走査線側ＩＣは、単結晶シリコン基板を用いたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチック基板上にＴＦＴで駆動回路を形成したものであってもよい。また、片側に一つのＩＣを設けた例を説明しているが、片側に複数個に分割して設けても構わない。
【０１５３】
なお、パッシブマトリクスの発光装置において、隔壁は必ずしも設けなくてもよい。この場合でも第１の電極層と第２の電極層との間に設けられるＥＬ層を本明細書で開示する成膜方法を用いて、正確なパターン形状で選択的に形成することができる。
【０１５４】
本明細書で開示する発明を用いると、材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成することができる。本実施の形態のように、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高繊細な発光装置を作製することができる。
【０１５５】
本実施の形態は、上記の実施の形態１乃至３と適宜組み合わせることができる。
【０１５６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本明細書で開示する発明を用いて作製されたアクティブマトリクス型の発光装置について図８を用いて説明する。
【０１５７】
図８（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）をＡ−ＢおよびＣ−Ｄで切断した断面図である。点線で示された６０１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、６０２は画素部、６０３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。
【０１５８】
なお、引き回し配線６０８はソース側駆動回路６０１及びゲート側駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１５９】
次に、断面構造について図８（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路６０１と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。
【０１６０】
なお、ソース側駆動回路６０１はｎチャネル型トランジスタ６２３とｐチャネル型トランジスタ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するトランジスタは、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０１６１】
また、画素部６０２はスイッチング用トランジスタ６１１と、電流制御用ＴＦトランジスタ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁層６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。第１の電極６１３は層間絶縁層である絶縁層６１９上に形成されている。
【０１６２】
また、被覆性を良好なものとするため、絶縁層６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁層６１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁層６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁層６１４として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【０１６３】
なお、トランジスタの構造は、特に限定されない。トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、周辺駆動回路領域のトランジスタも、シングルゲート構造、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【０１６４】
トランジスタは、トップゲート型（例えば順スタガ型、コプラナ型）、ボトムゲート型（例えば、逆コプラナ型）、あるいはチャネル領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された２つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型やその他の構造においても適用できる。
【０１６５】
また、トランジスタに用いる半導体の結晶性についても特に限定されない。半導体層を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質半導体（、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、また単結晶半導体などを用いることができる。
【０１６６】
非晶質半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体としては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）には、８００℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて非晶質シリコンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。また、このような薄膜プロセスに換えて、絶縁表面に単結晶半導体層を設けたＳＯＩ基板を用いても良い。ＳＯＩ基板は、ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ ＩＭｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）法や、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ法を用いて形成することができる。ＳＩＭＯＸ法は、単結晶シリコン基板に酸素イオンを注入し、所定の深さに酸素含有層を形成した後、熱処理を行い、表面から一定の深さで埋込絶縁層を形成し、埋込絶縁層の上に単結晶シリコン層を形成する方法である。また、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ法は、酸化された単結晶シリコン基板に水素イオン注入を行い、所望の深さに相当する所に水素含有層を形成し、他の支持基板（表面に貼り合わせ用の酸化シリコン膜を有する単結晶シリコン基板など）と貼り合わせる、加熱処理を行うことにより水素含有層にて単結晶シリコン基板を分断し、支持基板上に酸化シリコン膜と単結晶シリコン層との積層を形成する方法である。
【０１６７】
第１の電極６１３上には、ＥＬ層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。本実施の形態で示す発光素子のＥＬ層６１６は、実施の形態１で示した成膜方法を適用して形成することができる。
【０１６８】
シール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光素子６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５で充填される場合もある。
【０１６９】
なお、シール材６０５には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を用いるのが好ましい。具体的にはエポキシ系樹脂を用いることができる。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなる）、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
【０１７０】
また、発光素子上にパッシベーション膜（保護膜）として絶縁層を設けてもよい。パッシベーション膜としては、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウムまたは酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層を用いることができる。又はシロキサン樹脂を用いてもよい。
【０１７１】
充填材の代わりに、窒素雰囲気下で封止することによって、窒素等を封入してもよい。充填材を通して光を発光装置外に取り出す場合、充填材も透光性を有する必要がある。充填材は、例えば可視光硬化、紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を用いればよい。充填材は、液状の状態で滴下し、発光装置内に充填することもできる。充填材として、乾燥剤などの吸湿性を含む物質を用いる、または充填材中に吸湿物質を添加すると、さらなる吸水効果が得られ、素子の劣化を防ぐことができる。
【０１７２】
また、位相差板や偏光板を用いて、外部から入射する光の反射光を遮断するようにしてもよい。隔壁となる絶縁層を着色しブラックマトリクスとして用いてもよい。この隔壁は液滴吐出法により形成することができ、ポリイミドなどの樹脂材料に、カーボンブラック等を混合させてもよく、その積層でもよい。液滴吐出法によって、異なった材料を同領域に複数回吐出し、隔壁を形成してもよい。位相差板としてはλ／４板、λ／２板を用い、光を制御できるように設計すればよい。構成としては、順に素子基板、発光素子、封止基板（封止材）、位相差板（λ／４、λ／２）、偏光板となり、発光素子から放射された光は、これらを通過し偏光板側より外部に放射される。この位相差板や偏光板は光が放射される側に設置すればよく、両面放射される両面放射型の発光装置であれば両方に設置することもできる。また、偏光板の外側に反射防止膜を有していても良い。これにより、より高繊細で精密な画像を表示することができる。
【０１７３】
本実施の形態では、上記のような回路で形成するが、本明細書で開示する発明はこれに限定されず、周辺駆動回路としてＩＣチップを前述したＣＯＧ方式やＴＡＢ方式によって実装したものでもよい。また、ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路は複数であっても単数であっても良い。
【０１７４】
また、本明細書で開示する発光装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、発光装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。
【０１７５】
発光層は、発光波長帯の異なる発光層を画素毎に形成して、カラー表示を行う構成としても良い。典型的には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した発光層を形成する。この場合にも、画素の光放射側にその発光波長帯の光を透過するフィルターを設けた構成とすることで、色純度の向上や、画素領域の鏡面化（映り込み）の防止を図ることができる。フィルターを設けることで、発光層から放射される光の損失を無くすことができる。さらに、斜方から画素領域（表示画面）を見た場合に起こる色調の変化を低減することができる。
【０１７６】
本明細書で開示する発明を用いると、材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成することができる。本実施の形態のように、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高繊細な発光装置を作製することができる。
【０１７７】
本実施の形態は、上記の実施の形態１乃至４と適宜組み合わせることができる。
【０１７８】
（実施の形態６）
本明細書で開示する発明を適用して、様々な表示機能を有する発光装置を作製することができる。即ち、それら表示機能を有する発光装置を表示部に組み込んだ様々な電子機器に本明細書で開示する発明を適用できる。
【０１７９】
その様な本明細書で開示する発明に係る電子機器として、テレビジョン装置（単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、携帯電話装置（単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニタ、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ））等が挙げられる。また、パチンコ機、スロットマシン、ピンボール機、大型ゲーム機など発光装置を有するあらゆる遊技機に適用することができる。その具体例について、図９及び図１０を参照して説明する。
【０１８０】
本明細書で開示する発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。実施の形態１に示すような本明細書で開示する成膜方法を用いるため、生産性がよく、かつ高繊細なパターンを有するため大型の表示部又は照明部を有する高画質の電子機器を安価で提供することができる。
【０１８１】
図９（Ａ）に示す携帯情報端末機器は、本体９２０１、表示部９２０２等を含んでいる。表示部９２０２は、本明細書で開示する発光装置を適用することができる。その結果、高画質の携帯情報端末機器を安価で提供することができる。
【０１８２】
図９（Ｂ）に示すデジタルビデオカメラは、表示部９７０１、表示部９７０２等を含んでいる。表示部９７０１は本明細書で開示する発光装置を適用することができる。その結果、高画質のデジタルビデオカメラを安価で提供することができる。
【０１８３】
図９（Ｃ）に示す携帯電話機は、本体９１０１、表示部９１０２等を含んでいる。本明細書で開示する発明を適用した携帯電話機としては、上記構成に加えて、非接触ＩＣチップ、小型記録装置等を内蔵していてもよく、赤外線通信機能、テレビ受信機能等を備えたものであってもよい。表示部９１０２は、本明細書で開示する発光装置を適用することができる。その結果、高画質の携帯電話機を安価で提供することができる。
【０１８４】
図９（Ｄ）に示す携帯型のコンピュータは、本体９４０１、表示部９４０２等を含んでいる。表示部９４０２は、本明細書で開示する発光装置を適用することができる。その結果、高画質の携帯型のコンピュータを安価で提供することができる。
【０１８５】
本明細書で開示する発明を適用した発光装置は、小型の電気スタンドや室内の大型な照明装置として用いることもできる。図９（Ｅ）は卓上照明器具であり、照明部９５０１、傘９５０２、可変アーム９５０３、支柱９５０４、台９５０５、電源９５０６を含む。本明細書で開示する発光装置を照明部９５０１に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。本明細書で開示する発明により大型な照明器具も安価で提供することができる。
【０１８６】
さらに、本明細書で開示する発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることもできる。本明細書で開示する発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、本明細書で開示する発光装置は薄型であるため、液晶表示装置の薄型化も可能となる。
【０１８７】
図９（Ｆ）に示す携帯型のテレビジョン装置は、本体９３０１、表示部９３０２等を含んでいる。表示部９３０２は、本明細書で開示する発光装置を適用することができる。その結果、高画質の携帯型のテレビジョン装置を安価で提供することができる。またテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの（例えば４０インチ以上）まで、幅広いものに、本明細書で開示する発光装置を適用することができる。
【０１８８】
図１０（Ａ）は大型の表示部を有するテレビジョン装置である。本明細書で開示する発光装置により主画面２００３が形成され、その他付属設備としてスピーカー部２００９、操作スイッチなどが備えられている。このように、テレビジョン装置を完成させることができる。
【０１８９】
図１０（Ａ）に示すように、筐体２００１に発光素子を利用した表示用パネル２００２が組みこまれ、受信機２００５により一般のテレビ放送の受信をはじめ、モデム２００４を介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、又は受信者間同士）の情報通信をすることもできる。テレビジョン装置の操作は、筐体に組みこまれたスイッチ又は別体のリモコン操作機２００６により行うことが可能であり、このリモコン装置にも出力する情報を表示する表示部２００７が設けられていても良い。
【０１９０】
また、テレビジョン装置にも、主画面２００３の他にサブ画面２００８を第２の表示用パネルで形成し、チャネルや音量などを表示する構成が付加されていても良い。
【０１９１】
図１０（Ｂ）は例えば２０〜８０インチの大型の表示部を有するテレビジョン装置であり、筐体２０１０、表示部２０１１、操作部であるリモコン装置２０１２、スピーカー部２０１３等を含む。本明細書で開示する発明は、表示部２０１１の作製に適用される。本明細書で開示する発明を適用することによって大型でかつ高画質なテレビジョン装置を安価で提供することができる。また図１０（Ｂ）のテレビジョン装置は、壁かけ型となっており、設置するスペースを広く必要としない。
【０１９２】
勿論、本明細書で開示する発明は鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など大面積の表示媒体としても様々な用途に適用することができる。
【０１９３】
本実施の形態は、上記の実施の形態１乃至５と適宜組み合わせることができる。
【実施例１】
【０１９４】
試料１〜５において成膜用基板を作製し、それぞれ光熱転写法によって被成膜基板に薄膜を形成した。得られた薄膜の評価を以下に示す。
【０１９５】
図１１に試料１〜５における成膜用基板の構造を示す。ガラス基板である基板４０１上に、反射層４０２、反射層４０２上に断熱層４０３が形成されている。断熱層４０３上において、反射層４０２と重畳する領域に断熱層４１２が、重畳しない領域に光吸収層４０４が設けられている。光吸収層４０４及び断熱層４１２上に有機化合物材料を含む層４０５が形成されている。試料１〜５の成膜用基板に用いた材料及び膜の膜厚を表１に示す。
【０１９６】
【表１】
【０１９７】
反射層４０２、断熱層４０３、光吸収層４０４、断熱層４１２はスパッタ法、有機化合物材料を含む層４０５は共蒸着法によって成膜した。反射層４０２としてはアルミニウム膜、断熱層４０３及び断熱層４１２としては酸化珪素膜、光吸収層４０４としてはチタン膜、又は窒化チタン膜を用いた。有機化合物材料を含む層４０５に用いた９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、９，１０−ジフェニル−２−［Ｎ−フェニル−Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミノ］アントラセン（略称：２ＰＣＡＰＡ）の構造式を化１に示す。
【０１９８】
【化１】
【０１９９】
試料１〜５の成膜用基板に光照射を行い、被成膜用基板に薄膜（ＣｚＰＡ：２ＰＣＡＰＡ膜）を形成した。試料１〜５の光照射条件（エネルギー密度及び照射時間）を表２に示す。なお、光源として試料１〜３は波長５３２ｎｍ、周波数８０ＭＨｚ、パルス幅１００ｆｓのレーザ発振器を用い、試料４、５はキセノンフラッシュランプを用いた。表２における試料４、５のエネルギー密度はキセノンフラッシュランプ光の半値幅を用いて算出した。有機化合物材料を含む層４０５形成面と被成膜基板の被成膜面との距離ｄは、試料１、試料４及び試料５では０．９μｍ、試料２及び試料３では０．７５μｍとした。
【０２００】
【表２】
【０２０１】
各試料１〜５において被成膜基板に形成された薄膜（ＣｚＰＡ：２ＰＣＡＰＡ膜）について、光学顕微鏡及び走査透過電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＳＴＥＭ）により観察を行った。光学顕微鏡観察による基板上から撮影した光学顕微鏡写真を図１２乃至図１６（Ａ）に、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）装置により加工した試料のＳＴＥＭによる断面写真を図１２乃至図１６（Ｂ）にそれぞれ示す。
【０２０２】
試料１においては、図１２（Ｂ）に示すようにＣｚＰＡ：２ＰＣＡＰＡ膜中に円形の低密度領域が生じ、不均一な膜質であった。また、試料５においては、図１６（Ａ）に示すようにＣｚＰＡ：２ＰＣＡＰＡ膜のパターンにぼけが生じており、形状不良な膜であった。一方、試料２〜４においては図１３、図１４及び図１５（Ａ）（Ｂ）に示すように、パターンぼけも膜中に低密度領域も生じずに正確なパターンで、かつ良質な膜であった。
【０２０３】
照射時間、エネルギー密度、及び得られた膜の評価を反映した結果を図２に示す。図２において、正確なパターンで、かつ良質な膜であった試料２〜４は丸印のドット、膜質かパターン形状に不良が生じた膜であった試料１、５を×印のドットで表している。また、図２において、本明細書で開示する最適な光照射条件である光照射時間０．１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）未満、かつ光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下の範囲を実線で囲んで示す。
【０２０４】
図２に示すように、正確なパターンで、かつ良質な膜と評価された試料２〜４の丸印のドットは光照射時間０．１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）未満、かつ光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下の範囲に含まれ、一方、膜質かパターン形状に不良が生じた膜と評価された試料１、５の×印のドットは光照射時間０．１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）未満、かつ光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下の範囲に含まれていない。
【０２０５】
従って、光熱転写法において、光照射時間０．１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）未満、かつ光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下の範囲で光照射を行うことにより、正確なパターンで、かつ良質な膜を形成することができることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【０２０６】
【図１】成膜方法を示した断面図である。
【図２】光の照射時間とエネルギー密度の関係を示す図である。
【図３】成膜用基板の一例の断面図である。
【図４】発光装置を示した平面図及び断面図である。
【図５】発光装置の作製工程を示した断面図である。
【図６】発光装置の作製工程を示した断面図である。
【図７】発光素子の構成を示した断面図である。
【図８】発光表示モジュールを示した断面図である。
【図９】電子機器を示した図である。
【図１０】電子機器を示した図である。
【図１１】実施例１の試料に用いる構造を示す図ある。
【図１２】実施例１の試料１の光学顕微鏡写真及び断面ＳＴＥＭ像を示す図ある。
【図１３】実施例１の試料２の光学顕微鏡写真及び断面ＳＴＥＭ像を示す図ある。
【図１４】実施例１の試料３の光学顕微鏡写真及び断面ＳＴＥＭ像を示す図ある。
【図１５】実施例１の試料４の光学顕微鏡写真及び断面ＳＴＥＭ像を示す図ある。
【図１６】実施例１の試料５の光学顕微鏡写真及び断面ＳＴＥＭ像を示す図ある。
【技術分野】
【０００１】
成膜方法及び発光装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロルミネセンス（以下、ＥＬとも記す）素子を備える発光装置には、フルカラー表示を行うため、カラー発光するカラー発光素子を用いる。カラー発光素子を形成するには、各色の発光材料を微細なパターンに電極上に形成する必要がある。
【０００３】
一般的に発光材料は、蒸着法によって成膜されるが、蒸着法は、材料利用効率が低いことや基板サイズが限られるなどの問題点を有しており、低コストで高生産性が要求される工業化には不向きである。
【０００４】
上記問題を解決する技術として、発光材料をレーザーやフラッシュランプからの光を用いて有機ドナー層を有するドナー基板より、素子作成用基板に転写し発光層を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００３−３０８９７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記のような転写法においては、素子作成用基板に成膜される発光層のパターンのずれやぼけ、膜質の不良などの問題があった。この問題は発光装置の高繊細化にともなって顕著となり、歩留まりの低下も招く。従って、さらなる正確なパターンでの良質な膜が成膜できる成膜方法が望まれている。
【０００６】
上記問題を鑑みて、光による加熱成膜法により正確なパターンで、かつ良質な膜を成膜することを課題の一とする。高繊細な発光装置を生産性よく作製できる技術を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
透光性基板上に光吸収層及び有機化合物材料を含む層が形成された成膜用基板に光を照射し、透光性基板を透過させて、光吸収層に光を照射することによって有機化合物材料を含む層に含まれる材料を、対向して配置された被成膜基板へ成膜する。有機化合物材料を含む層に含まれる材料の加熱手段として光照射工程を用いる。
【０００８】
成膜方法において、得られる薄膜の形状の正確性、薄膜の膜質に大きく影響するのは光照射工程の制御である。本明細書で開示する発明は、光照射工程において、照射時間及びエネルギー密度を制御することで薄膜の形状不良（パターンぼけ）を抑制し、良質の膜質を得る。なお、エネルギー密度とは光源より照射領域に向かって照射されたエネルギー密度である。
【０００９】
光吸収層への光照射工程において、光照射時間を０．１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）未満（より好ましくは０．２ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上０．５ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以下）とし、かつ光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度を２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下（より好ましくは２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上１×１０５Ｗ／ｃｍ２以下）とする。さらに、成膜する材料層（有機化合物材料を含む層）が設けられた成膜用基板と、対向して配置される被成膜基板とを、材料層表面と被成膜面との間隔ｄを０＜ｄ≦１０μｍ（より好ましくは０＜ｄ≦５μｍ）とすることが好ましい。上記のような光照射工程を行うと、被成膜基板に正確なパターン形状の良質な薄膜を成膜することができる。
【００１０】
光吸収層に照射された光のエネルギーは光吸収層によって、一部反射、吸収される。よって、光吸収層の光吸収率により熱として得られるエネルギーは異なる。光吸収層の光吸収率は、用いる材料や膜厚によって制御することができる。例えば、膜厚２００ｎｍのチタン膜であれば、キセノンフラッシュランプ光に対して約５０％の光吸収率を示す。
【００１１】
用いる光の波長は、光吸収層が吸収する波長であり、本明細書で開示する光照射時間及びエネルギー密度を満たす、パターンぼけ及び膜質不良が抑制できる波長を用いればよく、光源などの種類には特に限定されない。
【００１２】
好適に用いられる例としてはフラッシュランプ（キセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）がある。フラッシュランプは短時間で強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、処理基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、ランプ光は一度に広範囲を処理することができるため、作製工程時間を短縮し、スループットを向上することが可能となる。ランプ光を用いる場合の照射時間は半値幅とする。
【００１３】
光吸収層を成膜パターンを反映して選択的に形成すれば、被成膜基板に該パターンで薄膜を形成することができる。
【００１４】
また、光吸収層に光が照射されないように、透光性基板と光吸収層との間に反射層を選択的に形成してもよい。反射層によって光は反射されるので、反射層のパターンを反映した薄膜を被成膜基板に形成することができる。
【００１５】
さらに、反射層と有機化合物材料を含む層との間に熱の伝導を妨げる断熱層を設けてもよい。断熱層を、光に対する透過率は６０％以上とし、かつ熱伝導率が反射層及び光吸収層に用いる材料の熱伝導率よりも小さい材料を用いて形成することが好ましい。熱伝導率が低いと、照射された光から得られる熱を効率よく成膜に用いることができる。
【００１６】
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、光吸収層が設けられた透光性基板と、光吸収層上に有機化合物材料を含む層とを含む成膜用基板を用い、成膜用基板の有機化合物材料を含む層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが離れて向き合うように、成膜用基板と被成膜基板とを配置し、透光性基板を通過させて、光源より光を光吸収層に照射し、光を照射された光吸収層上の有機化合物材料を含む層に含まれる材料を被成膜基板上に成膜し、光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度は２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下であり、時間は０．１ミリ秒以上１ミリ秒未満の間で光を光吸収層に照射する。
【００１７】
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、光吸収層が設けられた透光性基板と、光吸収層上に有機化合物材料を含む層とを含む成膜用基板を用い、成膜用基板の有機化合物材料を含む層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが離れて向き合うように、成膜用基板と被成膜基板とを配置し、透光性基板を通過させて、光源より光を光吸収層に照射し、光を照射された光吸収層上の有機化合物材料を含む層に含まれる材料を被成膜基板上に成膜し、光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度は２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下であり、時間は０．１ミリ秒以上１ミリ秒未満の間で光を光吸収層に照射し、光の照射は、有機化合物材料を含む層形成面と被成膜基板の被成膜面との距離を１０μｍ以下に配置して行う。
【００１８】
本明細書で開示する成膜方法を用いて、被成膜基板上に設けられた第１の電極層上に発光層を形成し、発光層上に第２の電極層を形成して発光素子を有する発光装置を作製することができる。また、本明細書で開示する成膜方法を用いて発光層を形成する場合、被成膜領域を一画素ごとに対応させてもよいし、被成膜領域を複数の画素を含むように対応させ複数の画素の発光層を一度に作製してもよい。
【００１９】
本明細書で開示する成膜方法を用いると蒸着材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成することができる。
【００２０】
光吸収層に光を照射する工程は減圧下で行うことが好ましい。減圧下で光を照射し、被成膜基板に材料を成膜する工程を行うと、成膜される膜へのゴミ等の汚染物の影響を軽減することができる。また、材料の気化温度が低下するので、熱による被成膜基板へのダメージを抑制できる。また、装置内に残存する残留気体に、気化分子が衝突し散乱するのを防止でき、パターンぼけの発生を抑制できる。
【００２１】
本明細書で開示する成膜方法は、高範囲を処理することも可能なため、大面積基板であっても生産性よく被成膜基板に薄膜を形成することができる。よって、高繊細な発光装置及び電子機器を安価で作製することができる。
【発明の効果】
【００２２】
蒸着材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンでかつ膜質の良好な薄膜を形成することができる。さらに、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高繊細な発光装置を作製することができる。また、大面積の被成膜基板に薄膜を形成することができるため、大型の発光装置及び電子機器を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本明細書で開示する発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本明細書で開示する発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２４】
（実施の形態１）
本実施の形態では、被成膜基板に微細なパターンで薄膜を形成することを目的とした成膜用基板及び成膜方法の一例について図１を用いて説明する。
【００２５】
図１（Ａ）に成膜用基板の一例を示す。第１の基板１０１上に選択的に光吸収層１０４が形成されている。第１の基板１０１と光吸収層１０４との間に下地膜となる絶縁膜を形成してもよい。
【００２６】
成膜用基板に形成される光吸収層１０４に第１の基板１０１側より光を照射して、被成膜基板に膜を成膜する。従って、用いる光に対して、第１の基板１０１は透光性を、光吸収層１０４は光吸収性をそれぞれ有する必要がある。よって、照射される光の波長により、第１の基板１０１、光吸収層１０４に好適な材料の種類が変化するため、適宜材料を選択する必要がある。
【００２７】
また、第１の基板１０１は熱伝導率が低い材料であることが好ましい。熱伝導率が低いと、照射された光から得られる熱を効率よく成膜に用いることができる。第１の基板１０１としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。ガラス基板としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような無アルカリガラスと呼ばれる電子工業用に使われる各種ガラス基板を適用することができる。
【００２８】
光吸収層１０４は、成膜の際に照射された光を吸収し、発熱する層である。よって、光吸収層１０４は、照射する光に対して低い反射率を有し、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、光吸収層１０４は、照射される光に対して、７０％以下の反射率を示すことが好ましい。
【００２９】
光吸収層１０４には、種々の材料を用いることができる。例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステンなどの金属窒化物、チタン、モリブデン、タングステンなどの金属、カーボンなどを用いることができる。なお、照射される光の波長に応じて、光吸収層１０４に好適な材料の種類が変化することから、適宜材料を選択する必要がある。また、光吸収層１０４は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。例えば、金属と金属窒化物の積層構造としてもよい。
【００３０】
光吸収層１０４は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、化学気相成長（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより形成することができる。
【００３１】
光吸収層１０４の膜厚は、材料によって異なるが、照射した光が透過しない膜厚であることが好ましい。具体的には、１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚であることが好ましい。また、光吸収層の膜厚が薄い方が低いエネルギー密度の光で成膜することができるため、更に好ましくは１０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の膜厚であるとよい。
【００３２】
光吸収層１０４は、有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料の成膜可能温度（材料層に含まれる材料の少なくとも一部が被成膜基板へ成膜される温度）まで加熱できるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料として、光によって分解しない材料を用いることが必要である。
【００３３】
光吸収層１０４上に保護膜を形成してもよい。保護膜は光吸収層への光照射により光吸収層が蒸発するのを防ぐ効果がある。保護膜としては酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜を用いることができ、それらの積層でもよい。保護膜の膜厚は１００ｎｍ以下とするのが好ましい。
【００３４】
光吸収層１０４上に被成膜基板上に成膜される材料を含む有機化合物材料を含む層１０５を形成する（図１（Ｂ）参照。）。
【００３５】
有機化合物材料を含む層１０５は、被成膜基板上に成膜する材料を含んで形成される層である。そして、成膜用基板に光を照射することにより、有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料が加熱され、有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料の少なくとも一部が被成膜基板上に成膜される。有機化合物材料を含む層１０５が加熱されると、有機化合物材料を含む層に含まれる材料の少なくとも一部が気化すること、もしくは、有機化合物材料を含む層の少なくとも一部に熱変形が生じ、その結果応力が変化するために膜が剥がれ、被成膜基板上に成膜される。
【００３６】
有機化合物材料を含む層１０５は、種々の方法により形成される。例えば、湿式法であるスピンコート法、ロールコート法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、スプレー法、キャスト法、ディップ法、液滴吐出（噴出）法（インクジェット法）、ディスペンサ法、各種印刷法（スクリーン（孔版）印刷、オフセット（平版）印刷、凸版印刷やグラビア（凹版）印刷など所望なパターンで形成される方法）などを用いることができる。また、乾式法である真空蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法等を用いることができる。
【００３７】
有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料としては、種々の有機化合物材料を用いることができ、さらに種々の無機化合物材料を含んでも良い。発光素子のＥＬ層を形成する場合には、ＥＬ層を形成する成膜可能な材料を用いる。例えば、ＥＬ層を形成する発光性材料、キャリア輸送性材料などの有機化合物の他、ＥＬ層を構成するキャリア輸送層やキャリア注入層、発光素子の電極などに用いられる金属酸化物、金属窒化物、ハロゲン化金属、金属単体といった無機化合物を用いることもできる。
【００３８】
また、有機化合物材料を含む層１０５は、複数の材料を含んでいてもよい。また、有機化合物材料を含む層１０５は、単層でもよいし、複数の層が積層されていてもよい。
【００３９】
湿式法を用いて有機化合物材料を含む層１０５を形成する場合には、所望の材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、液状の組成物（溶液あるいは分散液）を調整すればよい。溶媒は、材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減させることができる。
【００４０】
有機化合物材料を含む層１０５によって被成膜基板上に形成される膜の膜厚および均一性を制御する場合には、有機化合物材料を含む層１０５の膜厚および均一性は制御される必要がある。しかし、被成膜基板上に形成される膜の膜厚および均一性に影響しないのであれば、有機化合物材料を含む層１０５は必ずしも均一の層である必要はない。例えば、微細な島状に形成されていてもよいし、凹凸を有する層状に形成されていてもよい。
【００４１】
次に、第１の基板１０１の一方の面であって、光吸収層１０４及び有機化合物材料を含む層１０５が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板１０７を配置する（図１（Ｃ）参照。）。第２の基板１０７は、成膜処理により所望の層が成膜される被成膜基板である。
【００４２】
成膜用基板における有機化合物材料を含む層１０５表面と、被成膜基板における被成膜面との距離ｄを至近距離、具体的には距離ｄを、０＜ｄ≦１０μｍ（より好ましくは０＜ｄ≦５μｍ）となるように近づけて対向させることが好ましい。距離ｄが短いと有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料が被成膜面に移動する距離も短くなるため、より被成膜面に成膜される膜のパターンぼけを防止でき精度良く成膜することができる。
【００４３】
第１の基板１０１及び第２の基板１０７が特に大型基板であると、基板のたわみやそりなどによって基板間で距離ｄに誤差が生じ、距離ｄの値に分布を有する場合がある。この場合、距離ｄは材料層表面と被成膜面との間の最長距離とする。基板の大きさや配置方法によっては、第１の基板１０１上の最表面の膜と第２の基板１０７上の最表面の膜とは一部接触する場合もある。
【００４４】
第１の基板１０１上に光吸収層１０４及び有機化合物材料を含む層１０５が形成された成膜用基板において、より成膜される膜に高い信頼性を付与したい場合は、成膜用基板に真空中での加熱処理を行うこと好ましい。同様に、被成膜基板である第２の基板１０７も成膜前に真空中での加熱処理を行うと、成膜される膜の信頼性が向上する。特に、被成膜用基板に隔壁となる絶縁層などを設ける場合、真空中での加熱処理により水などの汚染物を除去することで、より信頼性の高い膜を成膜することができ、作製する発光素子、及び発光装置の信頼性も高めることができる。
【００４５】
第１の基板１０１の裏面（光吸収層１０４及び有機化合物材料を含む層１０５が形成されていない面）側から光源１２１より光１１０を照射する（図１（Ｄ）参照。）。このとき、第１の基板１０１に照射された光は、第１の基板１０１を透過し、光吸収層１０４に吸収される。そして、光吸収層１０４は、吸収した光から得た熱を有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料に与えることにより、有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料の少なくとも一部を、第２の基板１０７上に膜１１１として成膜する。これにより、第２の基板１０７上に所望のパターンに成形された膜１１１が形成される（図１（Ｅ）参照。）。
【００４６】
光吸収層１０４に光１１０を照射する工程は減圧下で行うことが好ましい。減圧下で光１１０を照射し、被成膜基板に材料を成膜する工程を行うと、成膜される膜へのゴミ等の汚染物の影響を軽減することができる。また、材料の気化温度が低下するので、熱による被成膜基板へのダメージを抑制できる。また、装置内に残存する残留気体に、気化分子が衝突し散乱するのを防止でき、パターンぼけの発生を抑制できる。
【００４７】
また、光吸収層１０４に光１１０を照射する工程は有機化合物材料を含む層１０５を加熱状態（熱を保持している状態）として行ってもよい。有機化合物材料を含む層１０５に加熱処理を行い、加熱状態にしておくと、低いパワーの光の光源を用いた光照射でも材料層に含まれる材料を被成膜用基板に成膜することができる。光１１０を照射する工程を、有機化合物材料を含む層１０５を形成する際に行う加熱処理直後に行うと、有機化合物材料を含む層１０５は加熱状態とすることができる。また、ヒータなどの加熱手段を用いて。有機化合物材料を含む層１０５を加熱しながら光１１０を照射してもよい。
【００４８】
成膜方法において、得られる薄膜の形状の正確性、薄膜の膜質に大きく影響するのは光照射工程の制御である。本実施の形態で、光照射工程において、照射時間及び光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度を制御することで薄膜の形状不良（パターンぼけ）を抑制し、良質の膜質を得る。
【００４９】
本実施の形態の光吸収層１０４への光照射工程において、光１１０の照射時間を０．１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）未満（より好ましくは０．２ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上０．５ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以下）とし、かつ光１１０の照射により光吸収層１０４の照射領域に与えられるエネルギー密度を２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下（より好ましくは２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上１×１０５Ｗ／ｃｍ２以下）とする。上記のような光照射工程を行うと、被成膜基板に正確なパターン形状の良質な薄膜を成膜することができる。
【００５０】
用いる光１１０は、光吸収層１０４が吸収する波長であり、本明細書で開示する発明における光照射時間及びエネルギー密度を満たす、パターンぼけ及び膜質不良が抑制できる波長を用いればよく、光源１２１などの種類には特に限定されない。
【００５１】
光源１２１に好適に用いられる例としてはフラッシュランプ（キセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）がある。フラッシュランプは短時間で強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、処理基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、ランプ光は一度に広範囲を処理することができるため、作製工程時間を短縮し、スループットを向上することが可能となる。
【００５２】
光１１０は、光源１２１にランプを用いたランプ光による強光、光源１２１にレーザ発振器を用いたレーザ光などを用いることができる。光の波長は４００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下程度の光を好適に用いることができる。
【００５３】
用いる光１１０は、赤外光、可視光、または紫外光のいずれか一またはそれらの組み合わせを用いることが可能である。例えば、紫外線ランプ、ブラックライト、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光（ランプ光）を用いてもよい。その場合、ランプ光源は、必要な時間点灯させて照射してもよいし、複数回照射してもよい。
【００５４】
また、光としてレーザ光を用いてもよく、レーザ発振器としては、紫外光、可視光、又は赤外光を発振することが可能なレーザ発振器を用いることができる。様々な波長のレーザ光を用いることができ、例えば、３５５、５１５、５３２、１０３０、１０６４ｎｍなどの波長のレーザ光を用いることができる。
【００５５】
レーザ光には、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、上記固体レーザから発振される第２高調波や第３高調波、さらに高次の高調波を用いることもできる。なお、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。
【００５６】
また、レーザスポットの形状は、線状または矩形状とすることが好ましい。線状または矩形状とすることにより、処理基板にレーザ光を効率よく走査することができる。よって、成膜に要する時間（タクトタイム）が短くなり、生産性が向上する。また、レーザスポットの形状は楕円形状でもよい。
【００５７】
また、光照射による成膜は、減圧雰囲気下で行うことが好ましい。従って、成膜室内を５×１０−３Ｐａ以下、好ましくは１０−６Ｐａ以上１０−４Ｐａ以下の雰囲気とすることが好ましい。
【００５８】
本実施の形態のように光吸収層１０４を成膜パターンを反映して選択的に形成すれば、被成膜基板に該パターンで薄膜を形成することができる。
【００５９】
また、光吸収層１０４に光が照射されないように、第１の基板１０１と光吸収層１０４との間に反射層を選択的に形成してもよい。反射層によって光は反射されるので、反射層のパターンを反映した薄膜を被成膜基板に形成することができる。
【００６０】
さらに、反射層と有機化合物材料を含む層との間に熱の伝導を妨げる断熱層を設けてもよい。
【００６１】
本明細書で開示する発明を適用することにより、第１の基板上に形成された有機化合物材料を含む層の膜厚を制御することによって、被成膜基板である第２の基板上に成膜される膜の膜厚を制御することができる。つまり、第１の基板上に形成された有機化合物材料を含む層に含まれる材料を全て成膜することにより第２の基板上に形成される膜が所望の膜厚となるように予め有機化合物材料を含む層の膜厚が制御されているため、第２の基板上に成膜する際の膜厚モニターは不要となる。よって、膜厚モニターを利用した成膜速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。
【００６２】
また、本明細書で開示する発明を適用することにより、第１の基板上に形成された有機化合物材料を含む層１０５に含まれる材料を均一に成膜することができる。また、有機化合物材料を含む層１０５が複数の材料を含む場合でも、有機化合物材料を含む層１０５と同じ材料をほぼ同じ重量比で含有する膜を被成膜基板である第２の基板上に成膜することができる。従って、本明細書で開示する成膜方法は、成膜温度の異なる複数の材料を用いて成膜する場合でも、共蒸着のようにそれぞれ蒸着レートを制御する必要がない。そのため、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。
【００６３】
本明細書で開示する成膜方法を用いて発光装置の発光層を形成する場合、第１の領域を一画素ごとに対応させてもよいし、第１の領域を複数の画素を含むように対応させ複数の画素の発光層を一度に作製してもよい。例えば、例えば三色の色要素（例えばＲＧＢ）でフルカラー表示を行いストライプ配置とする場合、複数の同色の発光を示す画素を含む領域を、成膜用基板の第１の領域と対応させ、被成膜用基板に複数の画素の発光層を形成することができる。
【００６４】
フルカラーディスプレイを作製する場合には、発光層を作り分ける必要があるため、本明細書で開示する成膜方法を用いて発光層を形成すれば、容易に所望のパターンで発光層を作り分けることができる。また、精度良く発光層を作り分けることができる。
【００６５】
また、本明細書で開示する成膜方法では、所望の材料を無駄にすることなく、被成膜基板に成膜することが可能である。よって、材料の利用効率が向上し、製造コストの低減を図ることができる。また、成膜室内壁に材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを容易にすることができる。
【００６６】
また、本明細書で開示する発明を適用することにより、平坦でムラのない膜を成膜することが可能となる。また、所望の領域のみに成膜することが可能であるため、微細パターンの形成が可能となり、高精細な発光装置を作製することができる。
【００６７】
また、本明細書で開示する発明を適用することにより、光を用いた成膜の際に選択的に所望の領域に成膜することができるので、材料の利用効率を高めることができ、精度良く、所望の形状に成膜することが容易であるため生産性向上を図ることができる。
【００６８】
また、本明細書で開示する発明を適用することにより、光を用いた成膜の際に光源にランプを使用することができるため、大面積を一度に処理することが可能となる。よって生産性を向上させることができる。
【００６９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本明細書で開示する発明に用いることのできる成膜用基板の他の例を図３を用いて説明する。実施の形態１と同様な機能を有する構成の材料や作製方法は、実施の形態１と同様とすればよい。
【００７０】
図３（Ａ）乃至（Ｆ）は、成膜用基板に光吸収層の他に、反射層や断熱層を設ける例である。
【００７１】
光吸収層に光が照射されないように、透光性基板と光吸収層との間に反射層を選択的に形成することができる。反射層によって光は反射されるので、反射層のパターンを反映した薄膜を被成膜基板に形成することができる。
【００７２】
また、反射層と有機化合物材料を含む層との間に熱の伝導を妨げる断熱層を設けることもできる。断熱層を、光に対する透過率は６０％以上とし、かつ熱伝導率が反射層及び光吸収層に用いる材料の熱伝導率よりも小さい材料を用いて形成することが好ましい。熱伝導率が低いと、照射された光から得られる熱を効率よく成膜に用いることができる。なお、本明細書で開示する発明において、断熱層は熱を完全に遮断することが好ましいが、本明細書では、少なくとも光吸収層よりも熱の伝導を妨げるものも断熱層という。
【００７３】
図３（Ａ）は、第１の基板１０１と光吸収層１０４との間に選択的に反射層１０２を設けており、光吸収層１０４上に有機化合物材料を含む層１０５が形成されている。反射層１０２上の光吸収層１０４には光は照射されないために、反射層１０２の形成領域以外の領域のパターンが被成膜用基板における薄膜の成膜パターンとすることができる。
【００７４】
図３（Ｂ）は、図３（Ａ）において、光吸収層１０４を選択的に形成し、第１の基板１０１上の反射層１０２の形成領域以外に光吸収層１０４を形成する例である。
【００７５】
図３（Ｃ）は、図３（Ａ）において、反射層１０２と光吸収層１０４との間に断熱層１０３を設ける例である。図３（Ｄ）は、図３（Ｃ）において、光吸収層１０４を選択的に形成し、第１の基板１０１上の反射層１０２の形成領域以外に光吸収層１０４を形成する例である。
【００７６】
断熱層１０３を設けることで反射層１０２と光吸収層１０４とは接しなくなるために熱の伝わりをより防止することができる。
【００７７】
図３（Ｅ）は、図３（Ｃ）において、反射層１０２と重畳する領域に、断熱層１１２をさらに設ける例である。図３（Ｅ）では、光吸収層１０４と有機化合物材料を含む層１０５との間に選択的に断熱層１１２が形成されている。図３（Ｆ）は、図３（Ｅ）において、光吸収層１０４を選択的に形成し、第１の基板１０１上の反射層１０２の形成領域以外に光吸収層１０４を形成する例である。よって図３（Ｆ）では、断熱層１０３と断熱層１１２とが接して積層する構成となる。
【００７８】
このように断熱層を複数設けると、より被成膜基板において薄膜を成膜しない領域（第２の領域）へ、薄膜を成膜する領域（第１の領域）からの熱が伝わることを防止する効果を高めることができる。よって、より被成膜基板における薄膜のパターン形状を正確に制御することができ、高精細なパターン形状の薄膜を得ることが可能となる。
【００７９】
反射層１０２は、成膜の際、光吸収層１０４の一部分に選択的に光を照射するために、それ以外の部分に照射される光を反射するための層である。よって、反射層１０２は、照射する光に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層１０２は、照射される光に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、反射率が９０％以上であることが好ましい。
【００８０】
反射層１０２に用いることができる材料としては、例えば、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、又は銀を含む合金などを用いることができる。
【００８１】
反射層１０２の膜厚は、材料により異なるが、１００ｎｍ以上とすることが好ましい。１００ｎｍ以上の膜厚とすることにより、照射した光が反射層を透過することを抑制することができる。
【００８２】
また、反射層１０２を所望の形状に加工する際には種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、側壁が鋭くなり、微細なパターンを形成することができる。
【００８３】
断熱層１０３、１１２は、熱伝導率が反射層１０２および光吸収層１０４を形成する材料よりも低い材料を用いる必要がある。また、図３に示すように、光を、断熱層１０３を透過させて光吸収層１０４に照射する構成の場合には、断熱層１０３は透光性を有する必要がある。この場合、本明細書で開示する発明における断熱層１０３は、熱伝導率の低い材料であると共に光透過率の高い材料を用いる必要がある。具体的には、断熱層１０３には、光に対する透過率が６０％以上となる材料を用いることが好ましい。ただし光を透過させる必要のない断熱層１１２のような場合は、断熱層は透光性を有する必要はない。
【００８４】
断熱層１０３、断熱層１１２に用いる材料としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム等を用いることができる。
【００８５】
断熱層１０３、断熱層１１２の膜厚は、材料により異なるが、１０ｎｍ以上２μｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは、１００ｎｍ以上１μｍ以下とする。１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚とすることにより、光を透過させつつ、熱が第２の領域の有機化合物材料を含む層に伝わるのを遮断する効果を有する。
【００８６】
反射層１０２、断熱層１０３、断熱層１１２、及び光吸収層１０４は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、化学気相成長（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより形成することができる。
【００８７】
さらに、反射層１０２と光吸収層１０４の反射率は差が大きいほど好ましい。具体的には、照射する光の波長に対して、反射率の差が２５％以上、より好ましくは３０％以上であることが好ましい。
【００８８】
図３（Ａ）乃至（Ｆ）に示す成膜用基板を用いて、実施の形態１と同様に光を照射して、被成膜基板へ所望のパターンで膜を成膜することができる。従って本実施の形態に示す成膜用基板を用いて、実施の形態１と同様の効果を奏することができる。
【００８９】
本明細書で開示する発明では、材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成することができる。
【００９０】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本明細書で開示する発明を適用して、発光素子および発光装置を作製する方法について説明する。
【００９１】
本明細書で開示する発明を適用して、例えば、図６（Ａ）、（Ｂ）に示す発光素子を作製することができる。図６（Ａ）に示す発光素子は、基板９０１上に第１の電極９０２、発光層９１３のみで形成されたＥＬ層９０３、第２の電極９０４が順に積層して設けられている。第１の電極９０２及び第２の電極９０４のいずれか一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。陽極から注入される正孔及び陰極から注入される電子がＥＬ層９０３で再結合して、発光を得ることができる。本実施の形態において、第１の電極９０２は陽極として機能する電極であり、第２の電極９０４は陰極として機能する電極であるとする。
【００９２】
また、図６（Ｂ）に示す発光素子は、図６（Ａ）のＥＬ層９０３が複数の層が積層された構造である場合を示しており、具体的には、第１の電極９０２側から正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４、および電子注入層９１５が順次設けられている。なお、ＥＬ層９０３は、図６（Ａ）に示すように少なくとも発光層９１３を有していれば機能するため、これらの層を全て設ける必要はなく、必要に応じて適宜選択して設ければよい。
【００９３】
図６に示す基板９０１には、絶縁表面を有する基板または絶縁基板を適用する。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板又はサファイヤ基板等を用いることができる。
【００９４】
また、第１の電極９０２および第２の電極９０４は、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
【００９５】
これらの材料は、通常スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。その他、ゾル−ゲル法などを応用して、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。
【００９６】
また、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムを含む合金等を用いることができる。その他、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（アルミニウム、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとリチウムの合金）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。
【００９７】
アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。また、第１の電極９０２および第２の電極９０４は、単層膜に限らず、積層膜で形成することもできる。
【００９８】
なお、ＥＬ層９０３で発光する光を外部に取り出すため、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方、または両方が光を通過するように形成する。例えば、インジウム錫酸化物等の透光性を有する導電材料を用いて形成するか、或いは、銀、アルミニウム等を数ｎｍ乃至数十ｎｍの厚さとなるように形成する。また、膜厚を薄くした銀、アルミニウムなどの金属薄膜と、ＩＴＯ膜等の透光性を有する導電材料を用いた薄膜との積層構造とすることもできる。
【００９９】
なお、本実施の形態で示す発光素子のＥＬ層９０３（正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４又は電子注入層９１５）は、実施の形態１で示した成膜方法を適用して形成することができる。また、電極を実施の形態１で示した成膜方法を適用して形成することもできる。
【０１００】
発光層９１３としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
【０１０１】
発光層９１３に用いることのできる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。
【０１０２】
発光層９１３に用いることのできる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。
【０１０３】
また、発光層９１３として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いることもできる。発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いるにより、発光層の結晶化を抑制することができる。また、発光性の高い物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
【０１０４】
発光性の高い物質を分散させる物質としては、発光性の高い物質が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光性の高い物質が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。
【０１０５】
発光層９１３に用いるホスト材料としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）などの他、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）などが挙げられる。
【０１０６】
また、ドーパント材料としては、上述した燐光性化合物や蛍光性化合物を用いることができる。
【０１０７】
発光層９１３として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いる場合には、成膜用基板上の有機化合物材料を含む層として、ホスト材料とゲスト材料とを混合した層を形成すればよい。または、成膜用基板上の有機化合物材料を含む層として、ホスト材料を含む層とドーパント材料を含む層とが積層した構成としてもよい。このような構成の有機化合物材料を含む層を有する成膜用基板を用いて発光層９１３を形成することにより、発光層９１３は発光材料を分散させる物質（ホスト材料）と発光性の高い物質（ドーパント材料）とを含み、発光材料を分散させる物質（ホスト材料）に発光性の高い物質（ドーパント材料）が分散された構成となる。なお、発光層９１３として、２種類以上のホスト材料とドーパント材料を用いてもよいし、２種類以上のドーパント材料とホスト材料を用いてもよい。また、２種類以上のホスト材料及び２種類以上のドーパント材料を用いてもよい。
【０１０８】
また、図６（Ｂ）に示す発光素子を形成する場合には、ＥＬ層９０３（正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４、および電子注入層９１５）のそれぞれの層を形成する材料で形成された有機化合物材料を含む層を有する実施の形態１で示した成膜用基板を各層毎に用意し、各層の成膜毎に異なる成膜用基板を用いて、実施の形態１で示した方法により、基板９０１上の第１の電極９０２上にＥＬ層９０３を形成することができる。そして、ＥＬ層９０３上に第２の電極９０４を形成することにより、図６（Ｂ）に示す発光素子を得ることができる。なお、この場合には、ＥＬ層９０３の全ての層に実施の形態１で示した方法を用いることもできるが、一部の層のみに実施の形態１で示した方法を用いても良い。
【０１０９】
湿式法で被成膜基板に膜を積層する場合、直接下層の膜上に材料を含む液状の組成物を付着させて形成するために、組成物中に含まれる溶媒によっては下層の膜が溶解してしまうため、積層できる材料が限定されてしまう。しかし、本明細書で開示する成膜方法を用いて積層を形成する場合、下層の膜に直接溶媒が付着しないため、溶媒による下層の膜への影響を考慮しなくてよい。従って、積層できる材料の選択性において自由度が広い。湿式法で直接被成膜基板に膜を形成してしまうと被成膜基板に既に成膜されている下層の膜に影響を与えない加熱条件で加熱処理を行わねばならないために、十分な膜質の向上を達成できない場合がある。
【０１１０】
例えば、正孔注入層９１１としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。
【０１１１】
また、正孔注入層９１１として、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層を用いることができる。正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、キャリア密度が高く、正孔注入性に優れている。また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層を、陽極として機能する電極に接する正孔注入層として用いることにより、陽極として機能する電極材料の仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。
【０１１２】
正孔注入層９１１に用いる電子受容性を示す物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族から第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０１１３】
正孔注入層９１１に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、正孔注入層９１１に用いることのできる正孔の輸送性の高い物質を具体的に列挙する。
【０１１４】
例えば、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等を用いることができる。また、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。
【０１１５】
正孔注入層９１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。
【０１１６】
また、正孔注入層９１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。
【０１１７】
また、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチル−アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
【０１１８】
なお、正孔注入層９１１に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
【０１１９】
また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、正孔注入性だけでなく、正孔輸送性も優れているため、上述した正孔注入層９１１を正孔輸送層として用いてもよい。
【０１２０】
また、正孔輸送層９１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１２１】
電子輸送層９１４は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ０１）バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１２２】
また、電子注入層９１５としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のようなアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものを用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み合わせた層を用いることは、第２の電極９０４からの電子注入が効率良く起こるためより好ましい。
【０１２３】
なお、ＥＬ層９０３は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層と、発光層とを適宜組み合わせて構成すればよい。
【０１２４】
ＥＬ層９０３で得られた発光は、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極９０２または第２の電極９０４のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極である。第１の電極９０２のみが透光性を有する電極である場合、光は第１の電極９０２を通って基板９０１側から取り出される。また、第２の電極９０４のみが透光性を有する電極である場合、光は第２の電極９０４を通って基板９０１と逆側から取り出される。第１の電極９０２および第２の電極９０４がいずれも透光性を有する電極である場合、光は第１の電極９０２および第２の電極９０４を通って、基板９０１側および基板９０１と逆側の両方から取り出される。
【０１２５】
なお、図６では、陽極として機能する第１の電極９０２を基板９０１側に設けた構成について示したが、陰極として機能する第２の電極９０４を基板９０１側に設けてもよい。
【０１２６】
また、ＥＬ層９０３の形成方法としては、実施の形態１で示した成膜方法を用いればよく、他の成膜方法と組み合わせてもよい。また、各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。乾式法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。また、湿式法としては、インクジェット法またはスピンコート法などが挙げられる。
【０１２７】
本実施の形態に係る発光素子は、本明細書で開示する発明を適用したＥＬ層の形成が可能であり、それにより、高精度な膜が効率よく形成される為、発光素子の特性向上のみならず、歩留まり向上やコストダウンを図ることができる。
【０１２８】
本実施の形態は、上記の実施の形態１乃至３と適宜組み合わせることができる。
【０１２９】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本明細書で開示する発明を用いて作製されたパッシブマトリクス型の発光装置について図４乃至図５を用いて説明する。
【０１３０】
本実施の形態では、パッシブマトリクスの発光装置において、発光素子間を分離する隔壁（絶縁層）を設ける例を示す。２層の隔壁を有する発光装置の例を図４（Ａ）（Ｂ）及び図５（Ａ）乃至（Ｄ）に示す。
【０１３１】
図４（Ａ）は発光装置の平面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）における線Ｙ３−Ｚ３の断面図、図４（Ｃ）は図４（Ａ）における線Ｖ３−Ｘ３の断面図である。しかし、図４（Ａ）は隔壁７８２を形成した工程までの平面図であり、ＥＬ層及び第２の電極層は省略している。
【０１３２】
図４（Ａ）の発光装置は、素子基板７５９上に第１の方向に延びた発光素子に用いる電極層である第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ上に選択的に形成されたＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃと、第１の方向と垂直な第２の方向に延びた発光素子に用いる電極層である第２の電極層７５３ａ、７５３ｂ、７５３ｃとを有している（図４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）参照。）。
【０１３３】
図４において、データ線（信号線）として機能する第１の電極層７５１ｂと、走査線（ソース線）として機能する第２の電極層７５３ｂとはＥＬ層７５２ｂを間に挟持して交差しており、発光素子７５０を形成している。
【０１３４】
図４（Ａ）乃至（Ｃ）に示すように、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ上に、画素領域に開口部を有して隔壁７８０が選択的に形成されている。図４（Ｂ）に示すように、隔壁７８０は、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃの端部を覆うようにテーパーを有する形状で形成されている。
【０１３５】
隔壁７８０上に選択的に隔壁７８２を形成する。隔壁７８２は隔壁７８２上に形成するＥＬ層及び第２の電極層を非連続に分断する機能を有する。隔壁７８２の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁７８２の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（隔壁７８０の面方向と同様の方向を向き、隔壁７８０と接する辺）の方が上辺（隔壁７８０の面方向と同様の方向を向き、隔壁７８０と接しない辺）よりも短い。隔壁７８２はいわゆる逆テーパー形状であるために、自己整合的にＥＬ層７５２ｂは、隔壁７８２によって分断され、第１の電極層７５１ｂ上に選択的に形成することができる。従ってエッチングにより形状を加工しなくても、隣接する発光素子間は分断されており発光素子間のショートなどの電気的不良を防止することができる。
【０１３６】
本明細書で開示する成膜方法を用いた図４（Ｂ）に示す本実施の形態の発光装置の作製方法を図５（Ａ）乃至（Ｄ）を用いて説明する。
【０１３７】
図５（Ａ）は実施の形態２で示した図３（Ｆ）の成膜用基板と同様な構造である。
【０１３８】
成膜用基板において、基板７１１上に選択的に反射層７１２が形成され、反射層７１２上に断熱層７１３が形成されている。断熱層７１３上の反射層７１２と重畳する領域に断熱層７１６が形成され、反射層７１２と重畳しない領域に光吸収層７１４が形成されている。成膜用基板の最上層には有機化合物材料を含む層７２５が形成されている。
【０１３９】
被成膜基板である素子基板７５９には、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ、及び隔壁７８０が形成されており、第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ及び隔壁７８０と、有機化合物材料を含む層７１５とが向き合うように、素子基板７５９と基板７１１とを配置する（図５（Ｂ）参照。）。図５（Ｂ）のように、隔壁７８０と第３の断熱層７４２を形成し、成膜用基板と被成膜基板とを接して設けると、各第１の領域をごとに他の画素領域と遮断することができる。よって、光照射により有機化合物材料を含む層より蒸発した材料が、他の画素領域へ付着することを抑制することができる。
【０１４０】
基板７２１の裏面（有機化合物材料を含む層７１５の形成面と反対の面）より光７２０を照射し、光吸収層７２４より与えられた熱によって有機化合物材料を含む層７１５に含まれる材料の少なくとも一部が素子基板７５９へＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃとして成膜される（図５（Ｃ）参照。）。
【０１４１】
本実施の形態の光吸収層７１４への光７２０の照射工程において、光７２０の照射時間を０．１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）未満（より好ましくは０．２ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上０．５ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以下）とし、かつ光７２０の照射により光吸収層７１４の照射領域に与えられるエネルギー密度を２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下（より好ましくは２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上１×１０５Ｗ／ｃｍ２以下）とする。さらに、成膜する有機化合物材料を含む層７１５が設けられた成膜用基板と、対向して配置される被成膜基板とを、有機化合物材料を含む層７１５表面と被成膜面の第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃとの間隔ｄを０＜ｄ≦１０μｍ（より好ましくは０＜ｄ≦５μｍ）とすることが好ましい。上記のような光照射工程を行うと、被成膜基板に正確なパターン形状の良質な薄膜を成膜することができる。
【０１４２】
上記工程によって、基板７０１上に設けられた第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃ上にそれぞれ、選択的にＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃを形成することができる（図５（Ｄ）参照。）。
【０１４３】
図５（Ｄ）のＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃ上に第２の電極層７５３ｂを形成し、充填層７８１を形成し、封止基板７５８を用いて封止して図４（Ｂ）の発光装置を完成させることができる。
【０１４４】
封止基板７５８としては、ガラス基板や石英基板等を用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等からなる、プラスチック基板の他、高温では可塑化されてプラスチックと同じような成型加工ができ、常温ではゴムのような弾性体の性質を示す高分子材料エラストマー等が挙げられる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなる）、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
【０１４５】
隔壁７８０、隔壁７８２としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、その他の無機絶縁性材料、又はアクリル酸、メタクリル酸及びこれらの誘導体、又はポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾールなどの耐熱性高分子、又はシロキサン樹脂を用いてもよい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなどのビニル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いる。作製法としては、プラズマＣＶＤ法や熱ＣＶＤ法などの気相成長法やスパッタリング法を用いることができる。また、液滴吐出法や、印刷法（を用いることもできる。塗布法で得られる膜なども用いることができる。
【０１４６】
次に、図４に示したパッシブマトリクス型の発光装置にＦＰＣなどを実装した場合の上面図を図７に示す。
【０１４７】
図７において、画像表示を構成する画素部は、走査線群とデータ線群が互いに直交するように交差している。
【０１４８】
ここで、図４における第１の電極層７５１ａ、７５１ｂ、７５１ｃが、図７のデータ線１１０２に相当し、図４における第２の電極層７５３ａ、７５３ｂ、７５３ｃが、図７の走査線１１０３に相当し、図４におけるＥＬ層７５２ａ、７５２ｂ、７５２ｃが図７のＥＬ層１１０４に相当する。データ線１１０２と走査線１１０３の間にはＥＬ層１１０４が挟まれており、領域１１０５で示される交差部が画素１つ分（図４では発光素子７５０で示される）となる。
【０１４９】
なお、走査線１１０３は配線端で接続配線１１０８と電気的に接続され、接続配線１１０８が入力端子１１０７を介してＦＰＣ１１０９ｂに接続される。また、データ線は入力端子１１０６を介してＦＰＣ１１０９ａに接続される。
【０１５０】
また、必要であれば、射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０１５１】
なお、図７では、駆動回路を基板上に設けない例を示したが、本明細書で開示する発明は特に限定されず、基板上に駆動回路を有するＩＣチップを実装させてもよい。
【０１５２】
また、ＩＣチップを実装させる場合、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣ、走査線側ＩＣをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりそれぞれ実装する。ＣＯＧ方式以外の実装技術としてＴＣＰやワイヤボンディング方式を用いて実装してもよい。ＴＣＰはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープにＩＣを実装したものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の配線に接続してＩＣを実装する。データ線側ＩＣ、および走査線側ＩＣは、単結晶シリコン基板を用いたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチック基板上にＴＦＴで駆動回路を形成したものであってもよい。また、片側に一つのＩＣを設けた例を説明しているが、片側に複数個に分割して設けても構わない。
【０１５３】
なお、パッシブマトリクスの発光装置において、隔壁は必ずしも設けなくてもよい。この場合でも第１の電極層と第２の電極層との間に設けられるＥＬ層を本明細書で開示する成膜方法を用いて、正確なパターン形状で選択的に形成することができる。
【０１５４】
本明細書で開示する発明を用いると、材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成することができる。本実施の形態のように、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高繊細な発光装置を作製することができる。
【０１５５】
本実施の形態は、上記の実施の形態１乃至３と適宜組み合わせることができる。
【０１５６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本明細書で開示する発明を用いて作製されたアクティブマトリクス型の発光装置について図８を用いて説明する。
【０１５７】
図８（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）をＡ−ＢおよびＣ−Ｄで切断した断面図である。点線で示された６０１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、６０２は画素部、６０３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。
【０１５８】
なお、引き回し配線６０８はソース側駆動回路６０１及びゲート側駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１５９】
次に、断面構造について図８（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路６０１と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。
【０１６０】
なお、ソース側駆動回路６０１はｎチャネル型トランジスタ６２３とｐチャネル型トランジスタ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するトランジスタは、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０１６１】
また、画素部６０２はスイッチング用トランジスタ６１１と、電流制御用ＴＦトランジスタ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁層６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。第１の電極６１３は層間絶縁層である絶縁層６１９上に形成されている。
【０１６２】
また、被覆性を良好なものとするため、絶縁層６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁層６１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁層６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁層６１４として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【０１６３】
なお、トランジスタの構造は、特に限定されない。トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、周辺駆動回路領域のトランジスタも、シングルゲート構造、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【０１６４】
トランジスタは、トップゲート型（例えば順スタガ型、コプラナ型）、ボトムゲート型（例えば、逆コプラナ型）、あるいはチャネル領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された２つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型やその他の構造においても適用できる。
【０１６５】
また、トランジスタに用いる半導体の結晶性についても特に限定されない。半導体層を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質半導体（、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、また単結晶半導体などを用いることができる。
【０１６６】
非晶質半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体としては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）には、８００℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて非晶質シリコンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。また、このような薄膜プロセスに換えて、絶縁表面に単結晶半導体層を設けたＳＯＩ基板を用いても良い。ＳＯＩ基板は、ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ ＩＭｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）法や、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ法を用いて形成することができる。ＳＩＭＯＸ法は、単結晶シリコン基板に酸素イオンを注入し、所定の深さに酸素含有層を形成した後、熱処理を行い、表面から一定の深さで埋込絶縁層を形成し、埋込絶縁層の上に単結晶シリコン層を形成する方法である。また、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ法は、酸化された単結晶シリコン基板に水素イオン注入を行い、所望の深さに相当する所に水素含有層を形成し、他の支持基板（表面に貼り合わせ用の酸化シリコン膜を有する単結晶シリコン基板など）と貼り合わせる、加熱処理を行うことにより水素含有層にて単結晶シリコン基板を分断し、支持基板上に酸化シリコン膜と単結晶シリコン層との積層を形成する方法である。
【０１６７】
第１の電極６１３上には、ＥＬ層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。本実施の形態で示す発光素子のＥＬ層６１６は、実施の形態１で示した成膜方法を適用して形成することができる。
【０１６８】
シール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光素子６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５で充填される場合もある。
【０１６９】
なお、シール材６０５には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を用いるのが好ましい。具体的にはエポキシ系樹脂を用いることができる。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなる）、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
【０１７０】
また、発光素子上にパッシベーション膜（保護膜）として絶縁層を設けてもよい。パッシベーション膜としては、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウムまたは酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層を用いることができる。又はシロキサン樹脂を用いてもよい。
【０１７１】
充填材の代わりに、窒素雰囲気下で封止することによって、窒素等を封入してもよい。充填材を通して光を発光装置外に取り出す場合、充填材も透光性を有する必要がある。充填材は、例えば可視光硬化、紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を用いればよい。充填材は、液状の状態で滴下し、発光装置内に充填することもできる。充填材として、乾燥剤などの吸湿性を含む物質を用いる、または充填材中に吸湿物質を添加すると、さらなる吸水効果が得られ、素子の劣化を防ぐことができる。
【０１７２】
また、位相差板や偏光板を用いて、外部から入射する光の反射光を遮断するようにしてもよい。隔壁となる絶縁層を着色しブラックマトリクスとして用いてもよい。この隔壁は液滴吐出法により形成することができ、ポリイミドなどの樹脂材料に、カーボンブラック等を混合させてもよく、その積層でもよい。液滴吐出法によって、異なった材料を同領域に複数回吐出し、隔壁を形成してもよい。位相差板としてはλ／４板、λ／２板を用い、光を制御できるように設計すればよい。構成としては、順に素子基板、発光素子、封止基板（封止材）、位相差板（λ／４、λ／２）、偏光板となり、発光素子から放射された光は、これらを通過し偏光板側より外部に放射される。この位相差板や偏光板は光が放射される側に設置すればよく、両面放射される両面放射型の発光装置であれば両方に設置することもできる。また、偏光板の外側に反射防止膜を有していても良い。これにより、より高繊細で精密な画像を表示することができる。
【０１７３】
本実施の形態では、上記のような回路で形成するが、本明細書で開示する発明はこれに限定されず、周辺駆動回路としてＩＣチップを前述したＣＯＧ方式やＴＡＢ方式によって実装したものでもよい。また、ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路は複数であっても単数であっても良い。
【０１７４】
また、本明細書で開示する発光装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、発光装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。
【０１７５】
発光層は、発光波長帯の異なる発光層を画素毎に形成して、カラー表示を行う構成としても良い。典型的には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した発光層を形成する。この場合にも、画素の光放射側にその発光波長帯の光を透過するフィルターを設けた構成とすることで、色純度の向上や、画素領域の鏡面化（映り込み）の防止を図ることができる。フィルターを設けることで、発光層から放射される光の損失を無くすことができる。さらに、斜方から画素領域（表示画面）を見た場合に起こる色調の変化を低減することができる。
【０１７６】
本明細書で開示する発明を用いると、材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成することができる。本実施の形態のように、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高繊細な発光装置を作製することができる。
【０１７７】
本実施の形態は、上記の実施の形態１乃至４と適宜組み合わせることができる。
【０１７８】
（実施の形態６）
本明細書で開示する発明を適用して、様々な表示機能を有する発光装置を作製することができる。即ち、それら表示機能を有する発光装置を表示部に組み込んだ様々な電子機器に本明細書で開示する発明を適用できる。
【０１７９】
その様な本明細書で開示する発明に係る電子機器として、テレビジョン装置（単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、携帯電話装置（単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニタ、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ））等が挙げられる。また、パチンコ機、スロットマシン、ピンボール機、大型ゲーム機など発光装置を有するあらゆる遊技機に適用することができる。その具体例について、図９及び図１０を参照して説明する。
【０１８０】
本明細書で開示する発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。実施の形態１に示すような本明細書で開示する成膜方法を用いるため、生産性がよく、かつ高繊細なパターンを有するため大型の表示部又は照明部を有する高画質の電子機器を安価で提供することができる。
【０１８１】
図９（Ａ）に示す携帯情報端末機器は、本体９２０１、表示部９２０２等を含んでいる。表示部９２０２は、本明細書で開示する発光装置を適用することができる。その結果、高画質の携帯情報端末機器を安価で提供することができる。
【０１８２】
図９（Ｂ）に示すデジタルビデオカメラは、表示部９７０１、表示部９７０２等を含んでいる。表示部９７０１は本明細書で開示する発光装置を適用することができる。その結果、高画質のデジタルビデオカメラを安価で提供することができる。
【０１８３】
図９（Ｃ）に示す携帯電話機は、本体９１０１、表示部９１０２等を含んでいる。本明細書で開示する発明を適用した携帯電話機としては、上記構成に加えて、非接触ＩＣチップ、小型記録装置等を内蔵していてもよく、赤外線通信機能、テレビ受信機能等を備えたものであってもよい。表示部９１０２は、本明細書で開示する発光装置を適用することができる。その結果、高画質の携帯電話機を安価で提供することができる。
【０１８４】
図９（Ｄ）に示す携帯型のコンピュータは、本体９４０１、表示部９４０２等を含んでいる。表示部９４０２は、本明細書で開示する発光装置を適用することができる。その結果、高画質の携帯型のコンピュータを安価で提供することができる。
【０１８５】
本明細書で開示する発明を適用した発光装置は、小型の電気スタンドや室内の大型な照明装置として用いることもできる。図９（Ｅ）は卓上照明器具であり、照明部９５０１、傘９５０２、可変アーム９５０３、支柱９５０４、台９５０５、電源９５０６を含む。本明細書で開示する発光装置を照明部９５０１に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。本明細書で開示する発明により大型な照明器具も安価で提供することができる。
【０１８６】
さらに、本明細書で開示する発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることもできる。本明細書で開示する発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、本明細書で開示する発光装置は薄型であるため、液晶表示装置の薄型化も可能となる。
【０１８７】
図９（Ｆ）に示す携帯型のテレビジョン装置は、本体９３０１、表示部９３０２等を含んでいる。表示部９３０２は、本明細書で開示する発光装置を適用することができる。その結果、高画質の携帯型のテレビジョン装置を安価で提供することができる。またテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの（例えば４０インチ以上）まで、幅広いものに、本明細書で開示する発光装置を適用することができる。
【０１８８】
図１０（Ａ）は大型の表示部を有するテレビジョン装置である。本明細書で開示する発光装置により主画面２００３が形成され、その他付属設備としてスピーカー部２００９、操作スイッチなどが備えられている。このように、テレビジョン装置を完成させることができる。
【０１８９】
図１０（Ａ）に示すように、筐体２００１に発光素子を利用した表示用パネル２００２が組みこまれ、受信機２００５により一般のテレビ放送の受信をはじめ、モデム２００４を介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、又は受信者間同士）の情報通信をすることもできる。テレビジョン装置の操作は、筐体に組みこまれたスイッチ又は別体のリモコン操作機２００６により行うことが可能であり、このリモコン装置にも出力する情報を表示する表示部２００７が設けられていても良い。
【０１９０】
また、テレビジョン装置にも、主画面２００３の他にサブ画面２００８を第２の表示用パネルで形成し、チャネルや音量などを表示する構成が付加されていても良い。
【０１９１】
図１０（Ｂ）は例えば２０〜８０インチの大型の表示部を有するテレビジョン装置であり、筐体２０１０、表示部２０１１、操作部であるリモコン装置２０１２、スピーカー部２０１３等を含む。本明細書で開示する発明は、表示部２０１１の作製に適用される。本明細書で開示する発明を適用することによって大型でかつ高画質なテレビジョン装置を安価で提供することができる。また図１０（Ｂ）のテレビジョン装置は、壁かけ型となっており、設置するスペースを広く必要としない。
【０１９２】
勿論、本明細書で開示する発明は鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など大面積の表示媒体としても様々な用途に適用することができる。
【０１９３】
本実施の形態は、上記の実施の形態１乃至５と適宜組み合わせることができる。
【実施例１】
【０１９４】
試料１〜５において成膜用基板を作製し、それぞれ光熱転写法によって被成膜基板に薄膜を形成した。得られた薄膜の評価を以下に示す。
【０１９５】
図１１に試料１〜５における成膜用基板の構造を示す。ガラス基板である基板４０１上に、反射層４０２、反射層４０２上に断熱層４０３が形成されている。断熱層４０３上において、反射層４０２と重畳する領域に断熱層４１２が、重畳しない領域に光吸収層４０４が設けられている。光吸収層４０４及び断熱層４１２上に有機化合物材料を含む層４０５が形成されている。試料１〜５の成膜用基板に用いた材料及び膜の膜厚を表１に示す。
【０１９６】
【表１】
【０１９７】
反射層４０２、断熱層４０３、光吸収層４０４、断熱層４１２はスパッタ法、有機化合物材料を含む層４０５は共蒸着法によって成膜した。反射層４０２としてはアルミニウム膜、断熱層４０３及び断熱層４１２としては酸化珪素膜、光吸収層４０４としてはチタン膜、又は窒化チタン膜を用いた。有機化合物材料を含む層４０５に用いた９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、９，１０−ジフェニル−２−［Ｎ−フェニル−Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミノ］アントラセン（略称：２ＰＣＡＰＡ）の構造式を化１に示す。
【０１９８】
【化１】
【０１９９】
試料１〜５の成膜用基板に光照射を行い、被成膜用基板に薄膜（ＣｚＰＡ：２ＰＣＡＰＡ膜）を形成した。試料１〜５の光照射条件（エネルギー密度及び照射時間）を表２に示す。なお、光源として試料１〜３は波長５３２ｎｍ、周波数８０ＭＨｚ、パルス幅１００ｆｓのレーザ発振器を用い、試料４、５はキセノンフラッシュランプを用いた。表２における試料４、５のエネルギー密度はキセノンフラッシュランプ光の半値幅を用いて算出した。有機化合物材料を含む層４０５形成面と被成膜基板の被成膜面との距離ｄは、試料１、試料４及び試料５では０．９μｍ、試料２及び試料３では０．７５μｍとした。
【０２００】
【表２】
【０２０１】
各試料１〜５において被成膜基板に形成された薄膜（ＣｚＰＡ：２ＰＣＡＰＡ膜）について、光学顕微鏡及び走査透過電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＳＴＥＭ）により観察を行った。光学顕微鏡観察による基板上から撮影した光学顕微鏡写真を図１２乃至図１６（Ａ）に、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）装置により加工した試料のＳＴＥＭによる断面写真を図１２乃至図１６（Ｂ）にそれぞれ示す。
【０２０２】
試料１においては、図１２（Ｂ）に示すようにＣｚＰＡ：２ＰＣＡＰＡ膜中に円形の低密度領域が生じ、不均一な膜質であった。また、試料５においては、図１６（Ａ）に示すようにＣｚＰＡ：２ＰＣＡＰＡ膜のパターンにぼけが生じており、形状不良な膜であった。一方、試料２〜４においては図１３、図１４及び図１５（Ａ）（Ｂ）に示すように、パターンぼけも膜中に低密度領域も生じずに正確なパターンで、かつ良質な膜であった。
【０２０３】
照射時間、エネルギー密度、及び得られた膜の評価を反映した結果を図２に示す。図２において、正確なパターンで、かつ良質な膜であった試料２〜４は丸印のドット、膜質かパターン形状に不良が生じた膜であった試料１、５を×印のドットで表している。また、図２において、本明細書で開示する最適な光照射条件である光照射時間０．１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）未満、かつ光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下の範囲を実線で囲んで示す。
【０２０４】
図２に示すように、正確なパターンで、かつ良質な膜と評価された試料２〜４の丸印のドットは光照射時間０．１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）未満、かつ光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下の範囲に含まれ、一方、膜質かパターン形状に不良が生じた膜と評価された試料１、５の×印のドットは光照射時間０．１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）未満、かつ光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下の範囲に含まれていない。
【０２０５】
従って、光熱転写法において、光照射時間０．１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）以上１ミリ秒（ｍｓｅｃ．）未満、かつ光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下の範囲で光照射を行うことにより、正確なパターンで、かつ良質な膜を形成することができることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【０２０６】
【図１】成膜方法を示した断面図である。
【図２】光の照射時間とエネルギー密度の関係を示す図である。
【図３】成膜用基板の一例の断面図である。
【図４】発光装置を示した平面図及び断面図である。
【図５】発光装置の作製工程を示した断面図である。
【図６】発光装置の作製工程を示した断面図である。
【図７】発光素子の構成を示した断面図である。
【図８】発光表示モジュールを示した断面図である。
【図９】電子機器を示した図である。
【図１０】電子機器を示した図である。
【図１１】実施例１の試料に用いる構造を示す図ある。
【図１２】実施例１の試料１の光学顕微鏡写真及び断面ＳＴＥＭ像を示す図ある。
【図１３】実施例１の試料２の光学顕微鏡写真及び断面ＳＴＥＭ像を示す図ある。
【図１４】実施例１の試料３の光学顕微鏡写真及び断面ＳＴＥＭ像を示す図ある。
【図１５】実施例１の試料４の光学顕微鏡写真及び断面ＳＴＥＭ像を示す図ある。
【図１６】実施例１の試料５の光学顕微鏡写真及び断面ＳＴＥＭ像を示す図ある。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光吸収層が設けられた透光性基板と、
前記光吸収層上に有機化合物材料を含む層とを含む成膜用基板を用い、
前記成膜用基板の前記有機化合物材料を含む層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが離れて向き合うように、前記成膜用基板と前記被成膜基板とを配置し、
前記透光性基板を通過させて、光源より光を前記光吸収層に照射し、前記光を照射された前記光吸収層上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板上に成膜し、
前記光源から前記光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度は２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下であり、
時間は０．１ミリ秒以上１ミリ秒未満の間で前記光を前記光吸収層に照射することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
光吸収層が設けられた透光性基板と、
前記光吸収層上に有機化合物材料を含む層とを含む成膜用基板を用い、
前記成膜用基板の前記有機化合物材料を含む層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが離れて向き合うように、前記成膜用基板と前記被成膜基板とを配置し、
前記透光性基板を通過させて、光源より光を前記光吸収層に照射し、前記光を照射された前記光吸収層上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板上に成膜し、
前記光源から前記光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度は２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下であり、
時間は０．１ミリ秒以上１ミリ秒未満の間で前記光を前記光吸収層に照射し、
前記光の照射は、有機化合物材料を含む層形成面と被成膜基板の被成膜面との距離を１０μｍ以下に配置して行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記透光性基板と前記光吸収層との間には選択的に反射層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記反射層と前記有機化合物材料を含む層との間に断熱層を形成することを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記光源としてフラッシュランプを用いることを特徴とする成膜方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記光吸収層に光を照射する工程は減圧下で行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記光源から前記光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度は２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上１×１０５Ｗ／ｃｍ２以下であり、
時間は０．２ミリ秒以上０．５ミリ秒以下の間で前記光を前記光吸収層に照射し、
前記光の照射は、有機化合物材料を含む層形成面と被成膜基板の被成膜面との距離を５μｍ以下に配置して行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の成膜方法を用いて、
前記光を照射された前記光吸収層上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板の第１の電極層上に成膜して発光層を形成し、
前記発光層上に第２の電極層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、前記光を照射された前記光吸収層上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板の前記第１の電極層上に成膜して複数の画素の発光層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１】
光吸収層が設けられた透光性基板と、
前記光吸収層上に有機化合物材料を含む層とを含む成膜用基板を用い、
前記成膜用基板の前記有機化合物材料を含む層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが離れて向き合うように、前記成膜用基板と前記被成膜基板とを配置し、
前記透光性基板を通過させて、光源より光を前記光吸収層に照射し、前記光を照射された前記光吸収層上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板上に成膜し、
前記光源から前記光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度は２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下であり、
時間は０．１ミリ秒以上１ミリ秒未満の間で前記光を前記光吸収層に照射することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
光吸収層が設けられた透光性基板と、
前記光吸収層上に有機化合物材料を含む層とを含む成膜用基板を用い、
前記成膜用基板の前記有機化合物材料を含む層形成面と、被成膜基板の被成膜面とが離れて向き合うように、前記成膜用基板と前記被成膜基板とを配置し、
前記透光性基板を通過させて、光源より光を前記光吸収層に照射し、前記光を照射された前記光吸収層上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板上に成膜し、
前記光源から前記光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度は２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上２×１０５Ｗ／ｃｍ２以下であり、
時間は０．１ミリ秒以上１ミリ秒未満の間で前記光を前記光吸収層に照射し、
前記光の照射は、有機化合物材料を含む層形成面と被成膜基板の被成膜面との距離を１０μｍ以下に配置して行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記透光性基板と前記光吸収層との間には選択的に反射層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記反射層と前記有機化合物材料を含む層との間に断熱層を形成することを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記光源としてフラッシュランプを用いることを特徴とする成膜方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記光吸収層に光を照射する工程は減圧下で行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記光源から前記光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度は２×１０３Ｗ／ｃｍ２以上１×１０５Ｗ／ｃｍ２以下であり、
時間は０．２ミリ秒以上０．５ミリ秒以下の間で前記光を前記光吸収層に照射し、
前記光の照射は、有機化合物材料を含む層形成面と被成膜基板の被成膜面との距離を５μｍ以下に配置して行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の成膜方法を用いて、
前記光を照射された前記光吸収層上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板の第１の電極層上に成膜して発光層を形成し、
前記発光層上に第２の電極層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、前記光を照射された前記光吸収層上の前記有機化合物材料を含む層に含まれる材料を前記被成膜基板の前記第１の電極層上に成膜して複数の画素の発光層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１０−１５３０４５（Ｐ２０１０−１５３０４５Ａ）
【公開日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３２６６８８（Ｐ２００８−３２６６８８）
【出願日】平成２０年１２月２３日（２００８．１２．２３）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１２月２３日（２００８．１２．２３）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]