携帯端末装置のメモリ制御方法、携帯端末装置及びプログラム
【課題】落下に起因する電源断による不揮発性メモリの記憶データの異常発生を防止し、携帯端末装置の動作の不具合を未然に防ぐと共に、消費電力を低減する。
【解決手段】ＣＰＵ１０１は、不揮発性メモリ１０２のプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点よりプログラム処理又はイレーズ処理の終了までの期間中、加速度センサ１０４の電源をオンに制御する。また、ＣＰＵ１０１は、プログラム処理又はイレーズ処理の間、加速度センサ１０４の計測値に基づいて、下方向の加速度を算出し、その下方向の加速度の値から落下状態であるか否かを判定する。ＣＰＵ１０１は、落下状態であると判定した時は、プログラム処理又はイレーズ処理を実施することなく加速度算出と落下判定を繰り返し、落下状態でないと判定した時は、プログラム処理又はイレーズ処理を実施する。
【解決手段】ＣＰＵ１０１は、不揮発性メモリ１０２のプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点よりプログラム処理又はイレーズ処理の終了までの期間中、加速度センサ１０４の電源をオンに制御する。また、ＣＰＵ１０１は、プログラム処理又はイレーズ処理の間、加速度センサ１０４の計測値に基づいて、下方向の加速度を算出し、その下方向の加速度の値から落下状態であるか否かを判定する。ＣＰＵ１０１は、落下状態であると判定した時は、プログラム処理又はイレーズ処理を実施することなく加速度算出と落下判定を繰り返し、落下状態でないと判定した時は、プログラム処理又はイレーズ処理を実施する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は携帯端末装置のメモリ制御方法、携帯端末装置及びメモリ制御用プログラムに係り、特に携帯端末装置の不揮発性メモリを制御する携帯端末装置のメモリ制御方法、そのメモリ制御機能を備えた携帯端末装置及びメモリ制御用プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯端末装置は、バッテリーから電源供給され、内蔵の中央処理装置（ＣＰＵ）がプログラムを実行することで動作するが、バッテリーが外れた状態では電源が切れる。しかし、電源が切れた状態でも上記のＣＰＵが動作するためのプログラムを記憶保持しておく必要から、上記のプログラムは一般的に内部データの書き換えが可能なフラッシュメモリを代表とする不揮発性メモリに記憶している。
【０００３】
また、上記の不揮発性メモリは、プログラム以外にも携帯端末装置が電源が切れた状態でも情報を記憶保持する必要のある情報を記憶している。例えば、映像、音楽、ゲームといったマルチメディアを楽しむための端末装置として用いられる近年の携帯端末装置では、マルチメディアコンテンツなど、有料のデータを不揮発性メモリに記憶させている。また、携帯端末装置の一例の携帯電話機では、マルチメディアコンテンツ以外にも電話番号や個人のスケジュール、メールといった個人情報も不揮発性メモリに記憶している。
【０００４】
しかしながら、上記の不揮発性メモリは、即時にリード／ライトが可能なランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）とは異なり、内部データを書き換えるためにはプログラム処理やイレーズ処理が必要になる。このプログラム処理やイレーズ処理の途中で、バッテリーが外れることによる電源断があった場合、不揮発性メモリのプログラム処理をしている領域、又はイレーズ処理をしている領域の内部のデータはプログラム処理やイレーズ処理が途中で中断されるため、プログラムが完了していない、あるいはイレーズが完了していないためにデータが異常となる可能性がある。
【０００５】
そのような異常なデータを不揮発性メモリから読み出すと、携帯端末装置に電源を供給しても起動しない、又は起動はするが、アプリケーションプログラムが動作しないといった不具合が生じる可能性がある。携帯端末装置が起動しなくなると、ユーザデータを取り出すこともできないため電話番号、スケジュールの再入力や、マルチメディアコンテンツを再度保存しなければいけないので、携帯端末装置を使用しているユーザに負担がかかる。
【０００６】
そこで、携帯端末装置では不揮発性メモリに対してのプログラム処理やイレーズ処理中にバッテリーが外れることによる電源断を発生させないことが一つの解決策となる。しかし、携帯端末装置はバッテリーが外せる場合が多く、落下などの衝撃によりバッテリーが外れる場合がある。また、バッテリーが外れないまでも、落下による衝撃で一瞬バッテリーと携帯端末装置の電池端子の接触がなくなり、瞬間的に電源断となる可能性もある。
【０００７】
そこで、特許文献１には、落下の衝撃による電源断からデータを保護する方法として、ハードディスク（ＨＤ）を記録装置として使う携帯機器において、加速度センサを用いて加速度センサの出力値から携帯機器が落下状態にあるかを確認して、そのときにはＨＤのヘッドを退避させることでＨＤ及びその記録データを落下の衝撃から保護するようにした携帯端末装置が開示されている。
【０００８】
また、特許文献２には、ＣＰＵにより書き込み／読み出しが制御されるＲＡＭへの書き込みデータと同じデータを不揮発性メモリに書き込み、また、ＲＡＭの読み出しデータと同じデータを不揮発性メモリに書き込み、衝撃を受けた時に不揮発性メモリの書き込みとハードディスクへの書き込みをそれぞれ禁止することで、衝撃を受けた場合のデータ保護を実現する構成の処理装置が開示されている。
【０００９】
更に、特許文献３には、加速度センサにより周期的に計測される加速度に基づいて生成された加速度プロファイルと、予め記憶されている落下プロファイルとを比較して両者が一致したとき、携帯端末装置の落下であると判断し、保護すべきデータを不揮発性メモリに記憶することでデータを保護すると共に、電源をオフとすることでユーザデータの誤消去や不正な書き換えを防止する構成の携帯端末装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−１０９３５５号公報
【特許文献２】特開２００７−０６６２３２号公報
【特許文献３】特開２００８−０４２４９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１〜３記載の携帯端末装置は、いずれも不揮発性メモリのプログラム処理やイレーズ処理中の電源断を全く考慮しておらず、単に加速度センサにより落下を検出したときに、ＨＤのヘッドを退避させたり、不揮発性メモリの書き込みとハードディスクへの書き込みをそれぞれ禁止したり、不揮発性メモリにデータを書き込むことでデータを保護しているに過ぎない。
【００１２】
また、特許文献１や特許文献２記載の携帯端末装置や処理装置では、落下を検出するために加速度センサを常時動作させる必要があり、そのため常に加速度センサに電流を流す必要があり、消費電力が大きいという問題がある。
【００１３】
また、特許文献３記載の携帯端末装置では、加速度センサを周期的に計測しているので、特許文献１及び２記載の各装置に比較して加速度センサによる消費電力が若干少ない。しかし、特許文献３記載の携帯端末装置では、加速度センサにより携帯端末装置の落下を検出したときに、データを不揮発性メモリに書き込むようにしているが、落下中にバッテリーが外れたり、バッテリーと携帯端末装置の電池端子の接触がなくなり、瞬間的に電源断となることがあり、その場合にはデータを不揮発性メモリに書き込むことができない。
【００１４】
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、落下に起因する電源断による不揮発性メモリの記憶データの異常発生を防止し、アプリケーションプログラムが動作しなくなるなどの不具合を未然に防ぐと共に、消費電力を低減し得る携帯端末装置のメモリ制御方法、携帯端末装置及びメモリ制御用プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の目的を達成するため、本発明の携帯端末装置のメモリ制御方法は、不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点よりプログラム処理又はイレーズ処理の終了までの期間中、加速度センサの電源をオンに制御する電源入力ステップと、プログラム処理又はイレーズ処理の間、加速度センサの計測値に基づいて、下方向の加速度を算出する加速度算出ステップと、下方向の加速度の値から落下状態であるか否かを判定する落下判定ステップと、落下判定ステップにより落下状態であると判定された時は、プログラム処理又はイレーズ処理を実施することなく加速度算出ステップと落下判定ステップを繰り返し、落下判定ステップにより落下状態でないと判定された時は、プログラム処理又はイレーズ処理を実施する処理制御ステップとを含むことを特徴とする。
【００１６】
また、上記の目的を達成するため、本発明の携帯端末装置は、不揮発性メモリと、装置の加速度を計測する加速度センサと、不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点よりプログラム処理又はイレーズ処理の終了までの期間中、加速度センサの電源をオンに制御する電源入力手段と、プログラム処理又はイレーズ処理の間、加速度センサの計測値に基づいて、下方向の加速度を算出する加速度算出手段と、下方向の加速度の値から落下状態であるか否かを判定する落下判定手段と、落下判定手段により落下状態であると判定された時は、プログラム処理又はイレーズ処理を実施することなく加速度算出手段と落下判定手段の各動作を繰り返し、落下判定手段により落下状態でないと判定された時は、プログラム処理又はイレーズ処理を実施する処理制御手段とを有することを特徴とする。
【００１７】
更に、上記の目的を達成するため、本発明のメモリ制御用プログラムは、携帯端末装置の動作を制御するコンピュータに、
不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点よりプログラム処理又はイレーズ処理の終了までの期間中、加速度センサの電源をオンに制御する電源入力ステップと、プログラム処理又はイレーズ処理の間、加速度センサの計測値に基づいて、下方向の加速度を算出する加速度算出ステップと、下方向の加速度の値から携帯端末装置が落下状態であるか否かを判定する落下判定ステップと、落下判定ステップにより落下状態であると判定された時は、プログラム処理又はイレーズ処理を実施することなく加速度算出ステップと落下判定ステップを繰り返し、落下判定ステップにより落下状態でないと判定された時は、プログラム処理又はイレーズ処理を実施する処理制御ステップとを実行させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、携帯端末装置の落下中は不揮発性メモリがプログラム処理やイレーズ処理を実施しないように制御することで、落下中に電源断が発生したとしても携帯端末装置が起動できない、又はアプリケーションプログラムが動作しなくなるという不具合を未然に防ぐことができると共に、加速度センサの電源を所定期間以外はオフしているので携帯端末装置の消費電力を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の携帯端末装置の第１の実施形態のブロック図である。
【図２】本発明の携帯端末装置で不揮発性メモリに対して行われる各処理と加速度センサの稼動状況との対応関係の一例を示す図である。
【図３】図１の携帯端末装置の動作説明用フローチャートである。
【図４】図３中のプログラム処理の一例の詳細説明用フローチャートである。
【図５】図３中のイレーズ処理の一例の詳細説明用フローチャートである。
【図６】本発明の携帯端末装置の第２の実施形態のブロック図である。
【図７】図６の携帯端末装置の動作説明用フローチャートである。
【図８】図７中のプログラム処理の一例の詳細説明用フローチャートである。
【図９】図７中のイレーズ処理の一例の詳細説明用フローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】
（第１の実施形態）
図１は、本発明になる携帯端末装置の第１の実施形態のブロック図を示す。同図において、本実施形態の携帯端末装置１００は、中央処理装置（ＣＰＵ）１０１、不揮発性メモリ１０２、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）１０３、加速度センサ１０４、及び電源制御部１０５から大略構成されている。
【００２２】
ＣＰＵ１０１は、携帯端末装置１００全体の制御を行っており、不揮発性メモリ１０２へのプログラム処理、イレーズ処理の制御もＣＰＵ１０１で行う。不揮発性メモリ１０２は、携帯端末装置１００が動作するためのプログラムやアプリケーションプログラムを記憶している。また、プログラム以外にもユーザーデータ（写真データや電話帳等）を記憶している。ＣＰＵ１０１は、この不揮発性メモリ１０２に記憶しているプログラムに従って動作するが、これらの情報が壊れてしまう可能性があるため、携帯端末装置１００が起動しなくなることがある。
【００２３】
ＲＡＭ１０３は、周知のように電源切断により記憶データが消失する揮発性メモリであり、ＣＰＵ１０１が動作するための一時記憶メモリとして使用する。加速度センサ１０４は、携帯端末装置１００に加わる加速度を公知の構成により検出するセンサで、例えば特許文献１に記載されているような３軸の加速度センサを用いることができる。ＣＰＵ１０１は、上記の加速度センサ１０４の計測値に基づいて、携帯端末装置１００の向きに関わらず下方向への加速度を算出することができる。携帯端末装置１００が静止している場合、下方向への加速度は１Ｇ＝通常の重力（静止状態）になる。電源制御部１０５は、バッテリー（図示せず）から供給される電力をＣＰＵ１０１、不揮発性メモリ１０２、ＲＡＭ１０３、加速度センサ１０４に対する電源制御を行う。
【００２４】
次に、本実施形態の携帯端末装置１００における不揮発性メモリ１０２と加速度センサ１０４の動作の概略について、図２と共に説明する。図２は、携帯端末装置１００で不揮発性メモリ１０２に対して行われる、プログラム(Program)処理、イレーズ(Erase)処理、リード（Read）処理、そしてアイドル（Idle）状態と加速度センサ１０４の稼動状況との対応関係の一例を示す。
【００２５】
図２に示すように、不揮発性メモリ１０２がリード処理を行っている期間と、アイドル状態のときは、加速度センサ１０４の電源はオフ（ＯＦＦ）とされる。ここで、リード処理は、不揮発性メモリ１０２から記憶しているデータを読み出す処理である。
【００２６】
また、不揮発性メモリ１０２がＣＰＵ１０１の制御によりプログラム処理を行うときは、図２に示すように、そのプログラム処理を行う一定時間Ｔ前からプログラム処理の期間中、ＣＰＵ１０１が電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４の電源をオン（ＯＮ）にする。ここで、プログラム処理は、不揮発性メモリ１０２がデータをブロック領域単位で書き込む処理である。
【００２７】
更に、不揮発性メモリ１０２がＣＰＵ１０１の制御によりイレーズ処理を行うときは、図２に示すように、プログラム処理のときと同様に、そのイレーズ処理を行う一定時間Ｔ前からイレーズ処理の期間中、ＣＰＵ１０１が電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４の電源をオン（ＯＮ）にする。ここで、イレーズ処理は、不揮発性メモリ１０２の一部又は全部のブロック領域の消去を行う処理である。
【００２８】
なお、図２に示す各処理の順番はあくまでも一例であり、図２の順番に限定されるものではない。リード処理、アイドル状態、プログラム処理、イレーズ処理の順番が図２と変わったり、リード処理だけになっても、プログラム処理及びイレーズ処理の一定時間Ｔ前にＣＰＵ１０１が電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４の電源をオンにする。
【００２９】
次に、図３乃至図５のフローチャートを用いて、図１の実施形態の携帯端末装置１００の動作について説明する。なお、以下、説明する不揮発性メモリ１０２の処理の順番は、図２に示した処理の順番であるが、前述したようにこの順番はあくまでも一例である。
【００３０】
まず、ＣＰＵ１０１が不揮発性メモリ１０２のリード処理を実施する（図３のステップＳ１）。このとき、加速度センサ１０４の電源はオフのままである。次に、プログラム処理をするために、ＣＰＵ１０１は電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４の電源をオンにする（図３のステップＳ２）。
【００３１】
続いて、ＣＰＵ１０１は、加速度センサ１０４が起動するための一定時間Ｔ（加速度センサによって時間が異なる。）だけ待機（Ｗａｉｔ）し（図３のステップＳ３）、加速度センサ１０４が起動した後、ＣＰＵ１０１は不揮発性メモリ１０２に対して後述するプログラム処理を実施する（図３のステップＳ４）。プログラム処理終了後、ＣＰＵ１０１は直ちに電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４の電源をオフにする（図３のステップＳ５）。
【００３２】
続いて、ＣＰＵ１０１は、不揮発性メモリ１０２をアイドル状態（ステップＳ６）、リード処理（ステップＳ７）に制御するが、それらの間、加速度センサ１０４の電源はオフのままである。次に、イレーズ処理を行うために、ＣＰＵ１０１は電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４の電源をオンにする（図３のステップＳ８）。
【００３３】
続いて、ＣＰＵ１０１は、加速度センサ１０４が起動するため一定期間Ｔだけ待機し（図３のステップＳ９）、加速度センサ１０４が起動した後、ＣＰＵ１０１は不揮発性メモリ１０２に対し後述するイレーズ処理を実施する（図３のステップＳ１０）。イレーズ処理終了後、ＣＰＵ１０１は直ちに電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４の電源をオフにする（図３のステップＳ１１）。その後のリード処理（図３のステップＳ１２）では加速度センサ１０４の電源はオフのままとなる。
【００３４】
本実施形態の携帯端末装置１００は、不揮発性メモリ１０２がプログラム処理、イレーズ処理を実施する一定時間Ｔ前にＣＰＵ１０１が加速度センサ１０４の測定加速度を確認し、下方向への加速度が１Ｇより大きい値の場合、プログラム処理やイレーズ処理を実施しない点に特徴があり、以下その動作の詳細について図４、図５のフローチャートと共に説明する。
【００３５】
図４は、図３のステップＳ４のプログラム処理の詳細説明用フローチャートである。不揮発性メモリ１０２に対するプログラム処理が発生した場合（図４のステップＳ４１）、ＣＰＵ１０１は、まず、プログラム処理のためのタイマをスタートする（図４のステップＳ４２）。
【００３６】
次に、ＣＰＵ１０１は、タイマが一定時間Ｔ２（Ｔ２は例えば１０秒とする）以上カウントしているかを確認する（図４のステップＳ４３）。タイマが一定時間Ｔ２未満の場合、ＣＰＵ１０１は加速度センサ１０４の状態を確認し（図４のステップＳ４４）、加速度センサ１０４の出力加速度値から下方向への加速度を算出する（図４のステップＳ４５）。
【００３７】
次に、ＣＰＵ１０１は、下方向への加速度の算出結果から落下状態であるか否かを確認する（図４のステップＳ４６）。ＣＰＵ１０１は、下方向への加速度の算出結果が所定の閾値以下の場合は、落下状態ではないと判断し、不揮発性メモリ１０２に対して要求のプログラム処理を実行する（図４のステップＳ４７）。続いて、ＣＰＵ１０１は、プログラム処理終了後タイマをストップして（図４のステップＳ４８）、処理を終了する。
【００３８】
一方、ＣＰＵ１０１は、下方向への加速度の算出結果が所定の閾値より大である場合は、落下状態であると判断し、ステップＳ４３に戻り、タイマが一定時間Ｔ２以上カウントしているかを確認する。落下状態から電源断が発生した場合は、このフローチャートから抜ける。
【００３９】
ＣＰＵ１０１は、ステップＳ４３でタイマが一定時間Ｔ２以上カウントしていることを確認した場合は、携帯端末装置１００が何らかの異常状態になっている可能性があるため、タイマをストップし（図４のステップＳ４８）、プログラム処理を実行せずに終了する。これにより、不揮発性メモリ１０２がプログラム処理を実行する直前に落下状態にあるときは、プログラム処理を実行しないため、電源断となっても不揮発性メモリ１０２に対するデータの異常書き込みを防止することができる。
【００４０】
次に、図３のステップＳ１０のイレーズ処理について説明する。図５は、図３のステップＳ１０のイレーズ処理の詳細説明用フローチャートである。不揮発性メモリ１０２に対するイレーズ処理が発生した場合（図５のステップＳ１０１）、ＣＰＵ１０１は、まず、イレーズ処理のためのタイマをスタートする（図５のステップＳ１０２）。
【００４１】
次に、ＣＰＵ１０１は、タイマが一定時間Ｔ２以上カウントしているかを確認する（図５のステップＳ１０３）。タイマが一定時間Ｔ２未満の場合、ＣＰＵ１０１は加速度センサ１０４の状態を確認し（図５のステップＳ１０４）、加速度センサ１０４の出力加速度値から下方向への加速度を算出する（図５のステップＳ１０５）。
【００４２】
次に、ＣＰＵ１０１は、下方向への加速度の算出結果から落下状態であるか否かを確認する（図５のステップＳ１０６）。ＣＰＵ１０１は、下方向への加速度の算出結果が所定の閾値以下の場合は、落下状態ではないと判断し、不揮発性メモリ１０２に対して要求のイレーズ処理を実行する（図５のステップＳ１０７）。続いて、ＣＰＵ１０１は、イレーズ処理終了後タイマをストップして（図５のステップＳ１０８）、処理を終了する。
【００４３】
一方、ＣＰＵ１０１は、下方向への加速度の算出結果が所定の閾値より大である場合は、落下状態であると判断し、ステップＳ１０３に戻り、タイマが一定時間Ｔ２以上カウントしているかを確認する。落下状態から電源断が発生した場合は、このフローチャートから抜ける。
【００４４】
ＣＰＵ１０１は、タイマが一定時間Ｔ２以上カウントしていることを確認した場合は、携帯端末装置１００が何らかの異常状態になっている可能性があるため、タイマをストップし（図５のステップＳ１０８）、イレーズ処理を実行せずに終了する。これにより、不揮発性メモリ１０２がイレーズ処理を実行する直前に落下状態にあるときは、イレーズ処理を実行しないため、電源断となっても不揮発性メモリ１０２の記憶データの異常発生を防止することができる。
【００４５】
また、本実施の形態の携帯端末装置１００は、加速度センサ１０４の電源を不揮発性メモリ１０２のプログラム処理の一定時間Ｔ前からプログラム処理の期間中、及び不揮発性メモリ１０２のイレーズ処理の一定時間Ｔ前からイレーズ処理の期間中のみオンし、それ以外の期間中は電源をオフしているので、常時加速度センサをオンにする携帯端末装置に比べて消費電流を抑えることができる。
【００４６】
（第２の実施形態）
図６は、本発明になる携帯端末装置の第２の実施形態のブロック図を示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する。図６に示す本実施形態の携帯端末装置２００は、図１に示した携帯端末装置１００と比較して、落下検出部２０１を追加した構成である。この携帯端末装置２００は、携帯端末装置２００が落下しているか否かを加速度センサ１０４から出力される加速度値に基づいてＣＰＵ１０１が計算して判断するのではなく、落下検出部２０１を用いて落下を検出する。
【００４７】
落下検出部２０１は、加速度センサ１０４が計測して出力された加速度値から携帯端末装置２００が落下状態にあるかをハードウェアにて検出するブロックで、落下状態か、そうでないかは電気的にハイレベル又はローレベルとなる信号でＣＰＵ１０１へ伝える。これにより、携帯端末装置２００内のＣＰＵ１０１は、加速度センサ１０４から出力された加速度値を演算して落下するか否かを判定する処理を省くことが可能になるため、携帯端末装置１００に比べてＣＰＵ１０１の処理の負担が軽減される。
【００４８】
次に、図７乃至図９のフローチャートを用いて、図６の実施形態の携帯端末装置２００の動作について説明する。なお、以下、説明する不揮発性メモリ１０２の処理の順番は、図２に示した処理の順番であるが、前述したようにこの順番はあくまでも一例である。
【００４９】
まず、ＣＰＵ１０１が不揮発性メモリ１０２のリード処理を実施する（図７のステップＳ２１）。このとき、加速度センサ１０４及び落下検出部２０１の電源はオフのままである。次に、プログラム処理をするために、ＣＰＵ１０１は電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４及び落下検出部２０１の電源をオンにする（図７のステップＳ２２）。
【００５０】
続いて、ＣＰＵ１０１は、加速度センサ１０４及び落下検出部２０１が起動するための一定時間Ｔ（加速度センサによって時間が異なる。）だけ待機（Ｗａｉｔ）し（図７のステップＳ２３）、加速度センサ１０４及び落下検出部２０１が起動した後、ＣＰＵ１０１は不揮発性メモリ１０２に対して後述するプログラム処理を実施する（図７のステップＳ２４）。プログラム処理終了後、ＣＰＵ１０１は直ちに電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４及び落下検出部２０１の電源をオフにする（図７のステップＳ２５）。
【００５１】
続いて、ＣＰＵ１０１は、不揮発性メモリ１０２をアイドル状態（図７のステップＳ２６）、リード処理（図７のステップＳ２７）に制御するが、それらの間、加速度センサ１０４及び落下検出部２０１の電源はオフのままである。次に、イレーズ処理を行うために、ＣＰＵ１０１は電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４及び落下検出部２０１の電源をオンにする（図７のステップＳ２８）。
【００５２】
続いて、ＣＰＵ１０１は、加速度センサ１０４及び落下検出部２０１が起動するため一定期間Ｔだけ待機し（図７のステップＳ２９）、加速度センサ１０４及び落下検出部２０１が起動した後、ＣＰＵ１０１は不揮発性メモリ１０２に対し後述するイレーズ処理を実施する（図７のステップＳ３０）。イレーズ処理終了後、ＣＰＵ１０１は直ちに電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４及び落下検出部２０１の電源をオフにする（図７のステップＳ３１）。その後のリード処理（図７のステップＳ３２）では加速度センサ１０４及び落下検出部２０１の電源はオフのままとなる。
【００５３】
本実施形態の携帯端末装置２００は、不揮発性メモリ１０２がプログラム処理、イレーズ処理を実施する一定時間Ｔ前にＣＰＵ１０１が落下検出部２０１の検出結果を確認し、落下検出の場合、プログラム処理やイレーズ処理を実施しない点に特徴があり、以下その動作の詳細について図８、図９のフローチャートと共に説明する。
【００５４】
図８は、図７のステップＳ２４のプログラム処理の詳細説明用フローチャートである。不揮発性メモリ１０２に対するプログラム処理が発生した場合（図８のステップＳ２４１）、ＣＰＵ１０１は、まず、プログラム処理のためのタイマをスタートする（図８のステップＳ２４２）。
【００５５】
次に、ＣＰＵ１０１は、タイマが一定時間Ｔ２（Ｔ２は例えば１０秒とする）以上カウントしているかを確認する（図８のステップＳ２４３）。タイマが一定時間Ｔ２未満の場合、ＣＰＵ１０１は落下検出部２０１の検出結果を確認する（図８のステップＳ２４４）。続いて、ＣＰＵ１０１は、上記の落下検出部２０１の検出結果が下方向への落下状態であるか否かを確認する（図８のステップＳ２４５）。ＣＰＵ１０１は、下方向への落下状態ではないと確認したときは、不揮発性メモリ１０２に対して要求のプログラム処理を実行する（図８のステップＳ２４６）。続いて、ＣＰＵ１０１は、プログラム処理終了後タイマをストップして（図８のステップＳ２４７）、処理を終了する。
【００５６】
一方、ＣＰＵ１０１は、下方向への落下状態であると判断したときは、ステップＳ２４３に戻り、タイマが一定時間Ｔ２以上カウントしているかを確認する。落下状態から電源断が発生した場合は、このフローチャートから抜ける。
【００５７】
ＣＰＵ１０１は、ステップＳ２４３でタイマが一定時間Ｔ２以上カウントしていることを確認した場合は、携帯端末装置２００が何らかの異常状態になっている可能性があるため、タイマをストップし（図８のステップＳ２４７）、プログラム処理を実行せずに終了する。これにより、不揮発性メモリ１０２がプログラム処理を実行する直前に落下状態にあるときは、プログラム処理を実行しないため、電源断となっても不揮発性メモリ１０２に対するデータの異常書き込みを防止することができる。
【００５８】
次に、図７のステップＳ３０のイレーズ処理について説明する。図９は、図７のステップＳ３０のイレーズ処理の詳細説明用フローチャートである。不揮発性メモリ１０２に対するイレーズ処理が発生した場合（図９のステップＳ３０１）、ＣＰＵ１０１は、まず、イレーズ処理のためのタイマをスタートする（図９のステップＳ３０２）。
【００５９】
次に、ＣＰＵ１０１は、タイマが一定時間Ｔ２以上カウントしているかを確認する（図９のステップＳ３０３）。タイマが一定時間Ｔ２未満の場合、ＣＰＵ１０１は落下検出部２０１の状態を確認する（図９のステップＳ３０４）。続いて、ＣＰＵ１０１は、上記の落下検出部２０１の検出結果が下方向への落下状態であるか否かを確認する（図９のステップＳ３０５）。ＣＰＵ１０１は、下方向への落下状態ではないと確認したときは、不揮発性メモリ１０２に対して要求のイレーズ処理を実行する（図９のステップＳ３０６）。続いて、ＣＰＵ１０１は、イレーズ処理終了後タイマをストップして（図９のステップＳ３０７）、処理を終了する。
【００６０】
一方、ＣＰＵ１０１は、下方向への落下状態であると確認したときは、ステップＳ３０３に戻り、タイマが一定時間Ｔ２以上カウントしているかを確認する。落下状態から電源断が発生した場合は、このフローチャートから抜ける。
【００６１】
ＣＰＵ１０１は、タイマが一定時間Ｔ２以上カウントしていることを確認した場合は、携帯端末装置２００が何らかの異常状態になっている可能性があるため、タイマをストップし（図９のステップＳ３０７）、イレーズ処理を実行せずに終了する。これにより、不揮発性メモリ１０２がイレーズ処理を実行する直前に落下状態にあるときは、イレーズ処理を実行しないため、電源断となっても不揮発性メモリ１０２の記憶データの異常発生を防止することができる。
【００６２】
また、本実施の形態の携帯端末装置２００は、加速度センサ１０４及び落下検出部２０１の電源を不揮発性メモリ１０２のプログラム処理の一定時間Ｔ前からプログラム処理の期間中、及び不揮発性メモリ１０２のイレーズ処理の一定時間Ｔ前からイレーズ処理の期間中のみオンし、それ以外の期間中は電源をオフしているので、常時加速度センサをオンにする携帯端末装置に比べて消費電流を抑えることができる。
【００６３】
なお、本発明は以上の実施形態に限定されるものではなく、例えば本発明は図３や図７に示した動作をＣＰＵ１０１に実行させるメモリ制御用プログラムも包含するものである。
【符号の説明】
【００６４】
１００、２００ 携帯端末装置
１０１ 中央処理装置（ＣＰＵ）
１０２ 不揮発性メモリ
１０３ ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）
１０４ 加速度センサ
１０５ 電源制御部
２０１ 落下検出部
【技術分野】
【０００１】
本発明は携帯端末装置のメモリ制御方法、携帯端末装置及びメモリ制御用プログラムに係り、特に携帯端末装置の不揮発性メモリを制御する携帯端末装置のメモリ制御方法、そのメモリ制御機能を備えた携帯端末装置及びメモリ制御用プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯端末装置は、バッテリーから電源供給され、内蔵の中央処理装置（ＣＰＵ）がプログラムを実行することで動作するが、バッテリーが外れた状態では電源が切れる。しかし、電源が切れた状態でも上記のＣＰＵが動作するためのプログラムを記憶保持しておく必要から、上記のプログラムは一般的に内部データの書き換えが可能なフラッシュメモリを代表とする不揮発性メモリに記憶している。
【０００３】
また、上記の不揮発性メモリは、プログラム以外にも携帯端末装置が電源が切れた状態でも情報を記憶保持する必要のある情報を記憶している。例えば、映像、音楽、ゲームといったマルチメディアを楽しむための端末装置として用いられる近年の携帯端末装置では、マルチメディアコンテンツなど、有料のデータを不揮発性メモリに記憶させている。また、携帯端末装置の一例の携帯電話機では、マルチメディアコンテンツ以外にも電話番号や個人のスケジュール、メールといった個人情報も不揮発性メモリに記憶している。
【０００４】
しかしながら、上記の不揮発性メモリは、即時にリード／ライトが可能なランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）とは異なり、内部データを書き換えるためにはプログラム処理やイレーズ処理が必要になる。このプログラム処理やイレーズ処理の途中で、バッテリーが外れることによる電源断があった場合、不揮発性メモリのプログラム処理をしている領域、又はイレーズ処理をしている領域の内部のデータはプログラム処理やイレーズ処理が途中で中断されるため、プログラムが完了していない、あるいはイレーズが完了していないためにデータが異常となる可能性がある。
【０００５】
そのような異常なデータを不揮発性メモリから読み出すと、携帯端末装置に電源を供給しても起動しない、又は起動はするが、アプリケーションプログラムが動作しないといった不具合が生じる可能性がある。携帯端末装置が起動しなくなると、ユーザデータを取り出すこともできないため電話番号、スケジュールの再入力や、マルチメディアコンテンツを再度保存しなければいけないので、携帯端末装置を使用しているユーザに負担がかかる。
【０００６】
そこで、携帯端末装置では不揮発性メモリに対してのプログラム処理やイレーズ処理中にバッテリーが外れることによる電源断を発生させないことが一つの解決策となる。しかし、携帯端末装置はバッテリーが外せる場合が多く、落下などの衝撃によりバッテリーが外れる場合がある。また、バッテリーが外れないまでも、落下による衝撃で一瞬バッテリーと携帯端末装置の電池端子の接触がなくなり、瞬間的に電源断となる可能性もある。
【０００７】
そこで、特許文献１には、落下の衝撃による電源断からデータを保護する方法として、ハードディスク（ＨＤ）を記録装置として使う携帯機器において、加速度センサを用いて加速度センサの出力値から携帯機器が落下状態にあるかを確認して、そのときにはＨＤのヘッドを退避させることでＨＤ及びその記録データを落下の衝撃から保護するようにした携帯端末装置が開示されている。
【０００８】
また、特許文献２には、ＣＰＵにより書き込み／読み出しが制御されるＲＡＭへの書き込みデータと同じデータを不揮発性メモリに書き込み、また、ＲＡＭの読み出しデータと同じデータを不揮発性メモリに書き込み、衝撃を受けた時に不揮発性メモリの書き込みとハードディスクへの書き込みをそれぞれ禁止することで、衝撃を受けた場合のデータ保護を実現する構成の処理装置が開示されている。
【０００９】
更に、特許文献３には、加速度センサにより周期的に計測される加速度に基づいて生成された加速度プロファイルと、予め記憶されている落下プロファイルとを比較して両者が一致したとき、携帯端末装置の落下であると判断し、保護すべきデータを不揮発性メモリに記憶することでデータを保護すると共に、電源をオフとすることでユーザデータの誤消去や不正な書き換えを防止する構成の携帯端末装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−１０９３５５号公報
【特許文献２】特開２００７−０６６２３２号公報
【特許文献３】特開２００８−０４２４９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１〜３記載の携帯端末装置は、いずれも不揮発性メモリのプログラム処理やイレーズ処理中の電源断を全く考慮しておらず、単に加速度センサにより落下を検出したときに、ＨＤのヘッドを退避させたり、不揮発性メモリの書き込みとハードディスクへの書き込みをそれぞれ禁止したり、不揮発性メモリにデータを書き込むことでデータを保護しているに過ぎない。
【００１２】
また、特許文献１や特許文献２記載の携帯端末装置や処理装置では、落下を検出するために加速度センサを常時動作させる必要があり、そのため常に加速度センサに電流を流す必要があり、消費電力が大きいという問題がある。
【００１３】
また、特許文献３記載の携帯端末装置では、加速度センサを周期的に計測しているので、特許文献１及び２記載の各装置に比較して加速度センサによる消費電力が若干少ない。しかし、特許文献３記載の携帯端末装置では、加速度センサにより携帯端末装置の落下を検出したときに、データを不揮発性メモリに書き込むようにしているが、落下中にバッテリーが外れたり、バッテリーと携帯端末装置の電池端子の接触がなくなり、瞬間的に電源断となることがあり、その場合にはデータを不揮発性メモリに書き込むことができない。
【００１４】
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、落下に起因する電源断による不揮発性メモリの記憶データの異常発生を防止し、アプリケーションプログラムが動作しなくなるなどの不具合を未然に防ぐと共に、消費電力を低減し得る携帯端末装置のメモリ制御方法、携帯端末装置及びメモリ制御用プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の目的を達成するため、本発明の携帯端末装置のメモリ制御方法は、不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点よりプログラム処理又はイレーズ処理の終了までの期間中、加速度センサの電源をオンに制御する電源入力ステップと、プログラム処理又はイレーズ処理の間、加速度センサの計測値に基づいて、下方向の加速度を算出する加速度算出ステップと、下方向の加速度の値から落下状態であるか否かを判定する落下判定ステップと、落下判定ステップにより落下状態であると判定された時は、プログラム処理又はイレーズ処理を実施することなく加速度算出ステップと落下判定ステップを繰り返し、落下判定ステップにより落下状態でないと判定された時は、プログラム処理又はイレーズ処理を実施する処理制御ステップとを含むことを特徴とする。
【００１６】
また、上記の目的を達成するため、本発明の携帯端末装置は、不揮発性メモリと、装置の加速度を計測する加速度センサと、不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点よりプログラム処理又はイレーズ処理の終了までの期間中、加速度センサの電源をオンに制御する電源入力手段と、プログラム処理又はイレーズ処理の間、加速度センサの計測値に基づいて、下方向の加速度を算出する加速度算出手段と、下方向の加速度の値から落下状態であるか否かを判定する落下判定手段と、落下判定手段により落下状態であると判定された時は、プログラム処理又はイレーズ処理を実施することなく加速度算出手段と落下判定手段の各動作を繰り返し、落下判定手段により落下状態でないと判定された時は、プログラム処理又はイレーズ処理を実施する処理制御手段とを有することを特徴とする。
【００１７】
更に、上記の目的を達成するため、本発明のメモリ制御用プログラムは、携帯端末装置の動作を制御するコンピュータに、
不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点よりプログラム処理又はイレーズ処理の終了までの期間中、加速度センサの電源をオンに制御する電源入力ステップと、プログラム処理又はイレーズ処理の間、加速度センサの計測値に基づいて、下方向の加速度を算出する加速度算出ステップと、下方向の加速度の値から携帯端末装置が落下状態であるか否かを判定する落下判定ステップと、落下判定ステップにより落下状態であると判定された時は、プログラム処理又はイレーズ処理を実施することなく加速度算出ステップと落下判定ステップを繰り返し、落下判定ステップにより落下状態でないと判定された時は、プログラム処理又はイレーズ処理を実施する処理制御ステップとを実行させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、携帯端末装置の落下中は不揮発性メモリがプログラム処理やイレーズ処理を実施しないように制御することで、落下中に電源断が発生したとしても携帯端末装置が起動できない、又はアプリケーションプログラムが動作しなくなるという不具合を未然に防ぐことができると共に、加速度センサの電源を所定期間以外はオフしているので携帯端末装置の消費電力を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の携帯端末装置の第１の実施形態のブロック図である。
【図２】本発明の携帯端末装置で不揮発性メモリに対して行われる各処理と加速度センサの稼動状況との対応関係の一例を示す図である。
【図３】図１の携帯端末装置の動作説明用フローチャートである。
【図４】図３中のプログラム処理の一例の詳細説明用フローチャートである。
【図５】図３中のイレーズ処理の一例の詳細説明用フローチャートである。
【図６】本発明の携帯端末装置の第２の実施形態のブロック図である。
【図７】図６の携帯端末装置の動作説明用フローチャートである。
【図８】図７中のプログラム処理の一例の詳細説明用フローチャートである。
【図９】図７中のイレーズ処理の一例の詳細説明用フローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】
（第１の実施形態）
図１は、本発明になる携帯端末装置の第１の実施形態のブロック図を示す。同図において、本実施形態の携帯端末装置１００は、中央処理装置（ＣＰＵ）１０１、不揮発性メモリ１０２、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）１０３、加速度センサ１０４、及び電源制御部１０５から大略構成されている。
【００２２】
ＣＰＵ１０１は、携帯端末装置１００全体の制御を行っており、不揮発性メモリ１０２へのプログラム処理、イレーズ処理の制御もＣＰＵ１０１で行う。不揮発性メモリ１０２は、携帯端末装置１００が動作するためのプログラムやアプリケーションプログラムを記憶している。また、プログラム以外にもユーザーデータ（写真データや電話帳等）を記憶している。ＣＰＵ１０１は、この不揮発性メモリ１０２に記憶しているプログラムに従って動作するが、これらの情報が壊れてしまう可能性があるため、携帯端末装置１００が起動しなくなることがある。
【００２３】
ＲＡＭ１０３は、周知のように電源切断により記憶データが消失する揮発性メモリであり、ＣＰＵ１０１が動作するための一時記憶メモリとして使用する。加速度センサ１０４は、携帯端末装置１００に加わる加速度を公知の構成により検出するセンサで、例えば特許文献１に記載されているような３軸の加速度センサを用いることができる。ＣＰＵ１０１は、上記の加速度センサ１０４の計測値に基づいて、携帯端末装置１００の向きに関わらず下方向への加速度を算出することができる。携帯端末装置１００が静止している場合、下方向への加速度は１Ｇ＝通常の重力（静止状態）になる。電源制御部１０５は、バッテリー（図示せず）から供給される電力をＣＰＵ１０１、不揮発性メモリ１０２、ＲＡＭ１０３、加速度センサ１０４に対する電源制御を行う。
【００２４】
次に、本実施形態の携帯端末装置１００における不揮発性メモリ１０２と加速度センサ１０４の動作の概略について、図２と共に説明する。図２は、携帯端末装置１００で不揮発性メモリ１０２に対して行われる、プログラム(Program)処理、イレーズ(Erase)処理、リード（Read）処理、そしてアイドル（Idle）状態と加速度センサ１０４の稼動状況との対応関係の一例を示す。
【００２５】
図２に示すように、不揮発性メモリ１０２がリード処理を行っている期間と、アイドル状態のときは、加速度センサ１０４の電源はオフ（ＯＦＦ）とされる。ここで、リード処理は、不揮発性メモリ１０２から記憶しているデータを読み出す処理である。
【００２６】
また、不揮発性メモリ１０２がＣＰＵ１０１の制御によりプログラム処理を行うときは、図２に示すように、そのプログラム処理を行う一定時間Ｔ前からプログラム処理の期間中、ＣＰＵ１０１が電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４の電源をオン（ＯＮ）にする。ここで、プログラム処理は、不揮発性メモリ１０２がデータをブロック領域単位で書き込む処理である。
【００２７】
更に、不揮発性メモリ１０２がＣＰＵ１０１の制御によりイレーズ処理を行うときは、図２に示すように、プログラム処理のときと同様に、そのイレーズ処理を行う一定時間Ｔ前からイレーズ処理の期間中、ＣＰＵ１０１が電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４の電源をオン（ＯＮ）にする。ここで、イレーズ処理は、不揮発性メモリ１０２の一部又は全部のブロック領域の消去を行う処理である。
【００２８】
なお、図２に示す各処理の順番はあくまでも一例であり、図２の順番に限定されるものではない。リード処理、アイドル状態、プログラム処理、イレーズ処理の順番が図２と変わったり、リード処理だけになっても、プログラム処理及びイレーズ処理の一定時間Ｔ前にＣＰＵ１０１が電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４の電源をオンにする。
【００２９】
次に、図３乃至図５のフローチャートを用いて、図１の実施形態の携帯端末装置１００の動作について説明する。なお、以下、説明する不揮発性メモリ１０２の処理の順番は、図２に示した処理の順番であるが、前述したようにこの順番はあくまでも一例である。
【００３０】
まず、ＣＰＵ１０１が不揮発性メモリ１０２のリード処理を実施する（図３のステップＳ１）。このとき、加速度センサ１０４の電源はオフのままである。次に、プログラム処理をするために、ＣＰＵ１０１は電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４の電源をオンにする（図３のステップＳ２）。
【００３１】
続いて、ＣＰＵ１０１は、加速度センサ１０４が起動するための一定時間Ｔ（加速度センサによって時間が異なる。）だけ待機（Ｗａｉｔ）し（図３のステップＳ３）、加速度センサ１０４が起動した後、ＣＰＵ１０１は不揮発性メモリ１０２に対して後述するプログラム処理を実施する（図３のステップＳ４）。プログラム処理終了後、ＣＰＵ１０１は直ちに電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４の電源をオフにする（図３のステップＳ５）。
【００３２】
続いて、ＣＰＵ１０１は、不揮発性メモリ１０２をアイドル状態（ステップＳ６）、リード処理（ステップＳ７）に制御するが、それらの間、加速度センサ１０４の電源はオフのままである。次に、イレーズ処理を行うために、ＣＰＵ１０１は電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４の電源をオンにする（図３のステップＳ８）。
【００３３】
続いて、ＣＰＵ１０１は、加速度センサ１０４が起動するため一定期間Ｔだけ待機し（図３のステップＳ９）、加速度センサ１０４が起動した後、ＣＰＵ１０１は不揮発性メモリ１０２に対し後述するイレーズ処理を実施する（図３のステップＳ１０）。イレーズ処理終了後、ＣＰＵ１０１は直ちに電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４の電源をオフにする（図３のステップＳ１１）。その後のリード処理（図３のステップＳ１２）では加速度センサ１０４の電源はオフのままとなる。
【００３４】
本実施形態の携帯端末装置１００は、不揮発性メモリ１０２がプログラム処理、イレーズ処理を実施する一定時間Ｔ前にＣＰＵ１０１が加速度センサ１０４の測定加速度を確認し、下方向への加速度が１Ｇより大きい値の場合、プログラム処理やイレーズ処理を実施しない点に特徴があり、以下その動作の詳細について図４、図５のフローチャートと共に説明する。
【００３５】
図４は、図３のステップＳ４のプログラム処理の詳細説明用フローチャートである。不揮発性メモリ１０２に対するプログラム処理が発生した場合（図４のステップＳ４１）、ＣＰＵ１０１は、まず、プログラム処理のためのタイマをスタートする（図４のステップＳ４２）。
【００３６】
次に、ＣＰＵ１０１は、タイマが一定時間Ｔ２（Ｔ２は例えば１０秒とする）以上カウントしているかを確認する（図４のステップＳ４３）。タイマが一定時間Ｔ２未満の場合、ＣＰＵ１０１は加速度センサ１０４の状態を確認し（図４のステップＳ４４）、加速度センサ１０４の出力加速度値から下方向への加速度を算出する（図４のステップＳ４５）。
【００３７】
次に、ＣＰＵ１０１は、下方向への加速度の算出結果から落下状態であるか否かを確認する（図４のステップＳ４６）。ＣＰＵ１０１は、下方向への加速度の算出結果が所定の閾値以下の場合は、落下状態ではないと判断し、不揮発性メモリ１０２に対して要求のプログラム処理を実行する（図４のステップＳ４７）。続いて、ＣＰＵ１０１は、プログラム処理終了後タイマをストップして（図４のステップＳ４８）、処理を終了する。
【００３８】
一方、ＣＰＵ１０１は、下方向への加速度の算出結果が所定の閾値より大である場合は、落下状態であると判断し、ステップＳ４３に戻り、タイマが一定時間Ｔ２以上カウントしているかを確認する。落下状態から電源断が発生した場合は、このフローチャートから抜ける。
【００３９】
ＣＰＵ１０１は、ステップＳ４３でタイマが一定時間Ｔ２以上カウントしていることを確認した場合は、携帯端末装置１００が何らかの異常状態になっている可能性があるため、タイマをストップし（図４のステップＳ４８）、プログラム処理を実行せずに終了する。これにより、不揮発性メモリ１０２がプログラム処理を実行する直前に落下状態にあるときは、プログラム処理を実行しないため、電源断となっても不揮発性メモリ１０２に対するデータの異常書き込みを防止することができる。
【００４０】
次に、図３のステップＳ１０のイレーズ処理について説明する。図５は、図３のステップＳ１０のイレーズ処理の詳細説明用フローチャートである。不揮発性メモリ１０２に対するイレーズ処理が発生した場合（図５のステップＳ１０１）、ＣＰＵ１０１は、まず、イレーズ処理のためのタイマをスタートする（図５のステップＳ１０２）。
【００４１】
次に、ＣＰＵ１０１は、タイマが一定時間Ｔ２以上カウントしているかを確認する（図５のステップＳ１０３）。タイマが一定時間Ｔ２未満の場合、ＣＰＵ１０１は加速度センサ１０４の状態を確認し（図５のステップＳ１０４）、加速度センサ１０４の出力加速度値から下方向への加速度を算出する（図５のステップＳ１０５）。
【００４２】
次に、ＣＰＵ１０１は、下方向への加速度の算出結果から落下状態であるか否かを確認する（図５のステップＳ１０６）。ＣＰＵ１０１は、下方向への加速度の算出結果が所定の閾値以下の場合は、落下状態ではないと判断し、不揮発性メモリ１０２に対して要求のイレーズ処理を実行する（図５のステップＳ１０７）。続いて、ＣＰＵ１０１は、イレーズ処理終了後タイマをストップして（図５のステップＳ１０８）、処理を終了する。
【００４３】
一方、ＣＰＵ１０１は、下方向への加速度の算出結果が所定の閾値より大である場合は、落下状態であると判断し、ステップＳ１０３に戻り、タイマが一定時間Ｔ２以上カウントしているかを確認する。落下状態から電源断が発生した場合は、このフローチャートから抜ける。
【００４４】
ＣＰＵ１０１は、タイマが一定時間Ｔ２以上カウントしていることを確認した場合は、携帯端末装置１００が何らかの異常状態になっている可能性があるため、タイマをストップし（図５のステップＳ１０８）、イレーズ処理を実行せずに終了する。これにより、不揮発性メモリ１０２がイレーズ処理を実行する直前に落下状態にあるときは、イレーズ処理を実行しないため、電源断となっても不揮発性メモリ１０２の記憶データの異常発生を防止することができる。
【００４５】
また、本実施の形態の携帯端末装置１００は、加速度センサ１０４の電源を不揮発性メモリ１０２のプログラム処理の一定時間Ｔ前からプログラム処理の期間中、及び不揮発性メモリ１０２のイレーズ処理の一定時間Ｔ前からイレーズ処理の期間中のみオンし、それ以外の期間中は電源をオフしているので、常時加速度センサをオンにする携帯端末装置に比べて消費電流を抑えることができる。
【００４６】
（第２の実施形態）
図６は、本発明になる携帯端末装置の第２の実施形態のブロック図を示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する。図６に示す本実施形態の携帯端末装置２００は、図１に示した携帯端末装置１００と比較して、落下検出部２０１を追加した構成である。この携帯端末装置２００は、携帯端末装置２００が落下しているか否かを加速度センサ１０４から出力される加速度値に基づいてＣＰＵ１０１が計算して判断するのではなく、落下検出部２０１を用いて落下を検出する。
【００４７】
落下検出部２０１は、加速度センサ１０４が計測して出力された加速度値から携帯端末装置２００が落下状態にあるかをハードウェアにて検出するブロックで、落下状態か、そうでないかは電気的にハイレベル又はローレベルとなる信号でＣＰＵ１０１へ伝える。これにより、携帯端末装置２００内のＣＰＵ１０１は、加速度センサ１０４から出力された加速度値を演算して落下するか否かを判定する処理を省くことが可能になるため、携帯端末装置１００に比べてＣＰＵ１０１の処理の負担が軽減される。
【００４８】
次に、図７乃至図９のフローチャートを用いて、図６の実施形態の携帯端末装置２００の動作について説明する。なお、以下、説明する不揮発性メモリ１０２の処理の順番は、図２に示した処理の順番であるが、前述したようにこの順番はあくまでも一例である。
【００４９】
まず、ＣＰＵ１０１が不揮発性メモリ１０２のリード処理を実施する（図７のステップＳ２１）。このとき、加速度センサ１０４及び落下検出部２０１の電源はオフのままである。次に、プログラム処理をするために、ＣＰＵ１０１は電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４及び落下検出部２０１の電源をオンにする（図７のステップＳ２２）。
【００５０】
続いて、ＣＰＵ１０１は、加速度センサ１０４及び落下検出部２０１が起動するための一定時間Ｔ（加速度センサによって時間が異なる。）だけ待機（Ｗａｉｔ）し（図７のステップＳ２３）、加速度センサ１０４及び落下検出部２０１が起動した後、ＣＰＵ１０１は不揮発性メモリ１０２に対して後述するプログラム処理を実施する（図７のステップＳ２４）。プログラム処理終了後、ＣＰＵ１０１は直ちに電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４及び落下検出部２０１の電源をオフにする（図７のステップＳ２５）。
【００５１】
続いて、ＣＰＵ１０１は、不揮発性メモリ１０２をアイドル状態（図７のステップＳ２６）、リード処理（図７のステップＳ２７）に制御するが、それらの間、加速度センサ１０４及び落下検出部２０１の電源はオフのままである。次に、イレーズ処理を行うために、ＣＰＵ１０１は電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４及び落下検出部２０１の電源をオンにする（図７のステップＳ２８）。
【００５２】
続いて、ＣＰＵ１０１は、加速度センサ１０４及び落下検出部２０１が起動するため一定期間Ｔだけ待機し（図７のステップＳ２９）、加速度センサ１０４及び落下検出部２０１が起動した後、ＣＰＵ１０１は不揮発性メモリ１０２に対し後述するイレーズ処理を実施する（図７のステップＳ３０）。イレーズ処理終了後、ＣＰＵ１０１は直ちに電源制御部１０５を制御して加速度センサ１０４及び落下検出部２０１の電源をオフにする（図７のステップＳ３１）。その後のリード処理（図７のステップＳ３２）では加速度センサ１０４及び落下検出部２０１の電源はオフのままとなる。
【００５３】
本実施形態の携帯端末装置２００は、不揮発性メモリ１０２がプログラム処理、イレーズ処理を実施する一定時間Ｔ前にＣＰＵ１０１が落下検出部２０１の検出結果を確認し、落下検出の場合、プログラム処理やイレーズ処理を実施しない点に特徴があり、以下その動作の詳細について図８、図９のフローチャートと共に説明する。
【００５４】
図８は、図７のステップＳ２４のプログラム処理の詳細説明用フローチャートである。不揮発性メモリ１０２に対するプログラム処理が発生した場合（図８のステップＳ２４１）、ＣＰＵ１０１は、まず、プログラム処理のためのタイマをスタートする（図８のステップＳ２４２）。
【００５５】
次に、ＣＰＵ１０１は、タイマが一定時間Ｔ２（Ｔ２は例えば１０秒とする）以上カウントしているかを確認する（図８のステップＳ２４３）。タイマが一定時間Ｔ２未満の場合、ＣＰＵ１０１は落下検出部２０１の検出結果を確認する（図８のステップＳ２４４）。続いて、ＣＰＵ１０１は、上記の落下検出部２０１の検出結果が下方向への落下状態であるか否かを確認する（図８のステップＳ２４５）。ＣＰＵ１０１は、下方向への落下状態ではないと確認したときは、不揮発性メモリ１０２に対して要求のプログラム処理を実行する（図８のステップＳ２４６）。続いて、ＣＰＵ１０１は、プログラム処理終了後タイマをストップして（図８のステップＳ２４７）、処理を終了する。
【００５６】
一方、ＣＰＵ１０１は、下方向への落下状態であると判断したときは、ステップＳ２４３に戻り、タイマが一定時間Ｔ２以上カウントしているかを確認する。落下状態から電源断が発生した場合は、このフローチャートから抜ける。
【００５７】
ＣＰＵ１０１は、ステップＳ２４３でタイマが一定時間Ｔ２以上カウントしていることを確認した場合は、携帯端末装置２００が何らかの異常状態になっている可能性があるため、タイマをストップし（図８のステップＳ２４７）、プログラム処理を実行せずに終了する。これにより、不揮発性メモリ１０２がプログラム処理を実行する直前に落下状態にあるときは、プログラム処理を実行しないため、電源断となっても不揮発性メモリ１０２に対するデータの異常書き込みを防止することができる。
【００５８】
次に、図７のステップＳ３０のイレーズ処理について説明する。図９は、図７のステップＳ３０のイレーズ処理の詳細説明用フローチャートである。不揮発性メモリ１０２に対するイレーズ処理が発生した場合（図９のステップＳ３０１）、ＣＰＵ１０１は、まず、イレーズ処理のためのタイマをスタートする（図９のステップＳ３０２）。
【００５９】
次に、ＣＰＵ１０１は、タイマが一定時間Ｔ２以上カウントしているかを確認する（図９のステップＳ３０３）。タイマが一定時間Ｔ２未満の場合、ＣＰＵ１０１は落下検出部２０１の状態を確認する（図９のステップＳ３０４）。続いて、ＣＰＵ１０１は、上記の落下検出部２０１の検出結果が下方向への落下状態であるか否かを確認する（図９のステップＳ３０５）。ＣＰＵ１０１は、下方向への落下状態ではないと確認したときは、不揮発性メモリ１０２に対して要求のイレーズ処理を実行する（図９のステップＳ３０６）。続いて、ＣＰＵ１０１は、イレーズ処理終了後タイマをストップして（図９のステップＳ３０７）、処理を終了する。
【００６０】
一方、ＣＰＵ１０１は、下方向への落下状態であると確認したときは、ステップＳ３０３に戻り、タイマが一定時間Ｔ２以上カウントしているかを確認する。落下状態から電源断が発生した場合は、このフローチャートから抜ける。
【００６１】
ＣＰＵ１０１は、タイマが一定時間Ｔ２以上カウントしていることを確認した場合は、携帯端末装置２００が何らかの異常状態になっている可能性があるため、タイマをストップし（図９のステップＳ３０７）、イレーズ処理を実行せずに終了する。これにより、不揮発性メモリ１０２がイレーズ処理を実行する直前に落下状態にあるときは、イレーズ処理を実行しないため、電源断となっても不揮発性メモリ１０２の記憶データの異常発生を防止することができる。
【００６２】
また、本実施の形態の携帯端末装置２００は、加速度センサ１０４及び落下検出部２０１の電源を不揮発性メモリ１０２のプログラム処理の一定時間Ｔ前からプログラム処理の期間中、及び不揮発性メモリ１０２のイレーズ処理の一定時間Ｔ前からイレーズ処理の期間中のみオンし、それ以外の期間中は電源をオフしているので、常時加速度センサをオンにする携帯端末装置に比べて消費電流を抑えることができる。
【００６３】
なお、本発明は以上の実施形態に限定されるものではなく、例えば本発明は図３や図７に示した動作をＣＰＵ１０１に実行させるメモリ制御用プログラムも包含するものである。
【符号の説明】
【００６４】
１００、２００ 携帯端末装置
１０１ 中央処理装置（ＣＰＵ）
１０２ 不揮発性メモリ
１０３ ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）
１０４ 加速度センサ
１０５ 電源制御部
２０１ 落下検出部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点より前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の終了までの期間中、加速度センサの電源をオンに制御する電源入力ステップと、
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の間、前記加速度センサの計測値に基づいて、下方向の加速度を算出する加速度算出ステップと、
前記下方向の加速度の値から落下状態であるか否かを判定する落下判定ステップと、
前記落下判定ステップにより落下状態であると判定された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく前記加速度算出ステップと前記落下判定ステップを繰り返し、前記落下判定ステップにより落下状態でないと判定された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施する処理制御ステップと
を含むことを特徴とする携帯端末装置のメモリ制御方法。
【請求項２】
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理開始後に所定時間経過したかどうかを判定する時間判定ステップと、
前記時間判定ステップにより前記所定時間が経過していないと判定されたときは、前記加速度算出ステップにより前記下方向の加速度を算出させ、前記時間判定ステップにより前記所定時間が経過したと判定されたときは、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく、前記時間判定ステップの処理を停止する動作制御ステップと
を更に含むことを特徴とする請求項１記載の携帯端末装置のメモリ制御方法。
【請求項３】
前記不揮発性メモリの前記プログラム処理及び前記イレーズ処理以外の処理期間は、前記加速度センサの電源をオフに制御する電源断ステップを更に含むことを特徴とする請求項１又は２記載の携帯端末装置のメモリ制御方法。
【請求項４】
不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点より前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の終了までの期間中、加速度センサ及び落下検出部の電源をオンに制御する電源入力ステップと、
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の間、前記落下検出部が前記加速度センサの計測値に基づいて、落下状態であるか否かを検出する落下検出ステップと、
前記落下検出ステップにより落下状態であると検出された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく前記落下検出ステップの処理を繰り返し、前記落下検出ステップにより落下状態でないと検出された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施する処理制御ステップと
を含むことを特徴とする携帯端末装置のメモリ制御方法。
【請求項５】
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理開始後に所定時間経過したかどうかを判定する時間判定ステップと、
前記時間判定ステップにより前記所定時間が経過していないと判定されたときは、前記落下検出部により前記落下状態であるか否かを検出させ、前記時間判定ステップにより前記所定時間が経過したと判定されたときは、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく、前記時間判定ステップの処理を停止する動作制御ステップと
を更に含むことを特徴とする請求項４記載の携帯端末装置のメモリ制御方法。
【請求項６】
前記不揮発性メモリの前記プログラム処理及び前記イレーズ処理以外の処理期間は、前記加速度センサ及び前記落下検出部の電源をオフに制御する電源断ステップを更に含むことを特徴とする請求項４又は５記載の携帯端末装置のメモリ制御方法。
【請求項７】
前記電源入力ステップにおける前記一定時間は、前記加速度センサの起動時間に略等しい時間であることを特徴とする請求項１又は５記載の携帯端末装置のメモリ制御方法。
【請求項８】
不揮発性メモリと、
装置の加速度を計測する加速度センサと、
前記不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点より前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の終了までの期間中、前記加速度センサの電源をオンに制御する電源入力手段と、
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の間、前記加速度センサの計測値に基づいて、下方向の加速度を算出する加速度算出手段と、
前記下方向の加速度の値から落下状態であるか否かを判定する落下判定手段と、
前記落下判定手段により落下状態であると判定された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく前記加速度算出手段と前記落下判定手段の各動作を繰り返し、前記落下判定手段により落下状態でないと判定された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施する処理制御手段と
を有することを特徴とする携帯端末装置。
【請求項９】
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理開始後に所定時間経過したかどうかを判定する時間判定手段と、
前記時間判定手段により前記所定時間が経過していないと判定されたときは、前記加速度算出手段により前記下方向の加速度を算出させ、前記時間判定手段により前記所定時間が経過したと判定されたときは、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく、前記時間判定手段の処理を停止する動作制御手段と
を更に有することを特徴とする請求項８記載の携帯端末装置。
【請求項１０】
前記不揮発性メモリの前記プログラム処理及び前記イレーズ処理以外の処理期間は、前記加速度センサの電源をオフに制御する電源断手段を更に有することを特徴とする請求項８又は９記載の携帯端末装置。
【請求項１１】
不揮発性メモリと、
装置の加速度を計測する加速度センサと、
前記加速度センサの計測値に基づいて、落下状態であるか否かを検出する落下検出部と、
前記不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点より前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の終了までの期間中、前記加速度センサ及び前記落下検出部の電源をオンに制御する電源入力手段と、
電源がオンとされた前記落下検出部により落下状態であると検出された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく前記落下検出部の検出動作を繰り返し、前記落下検出部により落下状態でないと検出された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施する処理制御手段と
を有することを特徴とする携帯端末装置。
【請求項１２】
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理開始後に所定時間経過したかどうかを判定する時間判定手段と、
前記時間判定手段により前記所定時間が経過していないと判定されたときは、前記落下検出部により前記落下状態であるか否かを検出させ、前記時間判定手段により前記所定時間が経過したと判定されたときは、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく、前記時間判定手段の処理を停止する動作制御手段と
を更に有することを特徴とする請求項１１記載の携帯端末装置。
【請求項１３】
前記不揮発性メモリの前記プログラム処理及び前記イレーズ処理以外の処理期間は、前記加速度センサ及び前記落下検出部の電源をオフに制御する電源断手段を更に有することを特徴とする請求項１１又は１２記載の携帯端末装置。
【請求項１４】
前記電源入力手段における前記一定時間は、前記加速度センサの起動時間に略等しい時間であることを特徴とする請求項８又は１１記載の携帯端末装置。
【請求項１５】
携帯端末装置の動作を制御するコンピュータに、
不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点より前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の終了までの期間中、加速度センサの電源をオンに制御する電源入力ステップと、
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の間、前記加速度センサの計測値に基づいて、下方向の加速度を算出する加速度算出ステップと、
前記下方向の加速度の値から前記携帯端末装置が落下状態であるか否かを判定する落下判定ステップと、
前記落下判定ステップにより落下状態であると判定された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく前記加速度算出ステップと前記落下判定ステップを繰り返し、前記落下判定ステップにより落下状態でないと判定された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施する処理制御ステップと
を実行させることを特徴とするメモリ制御用プログラム。
【請求項１６】
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理開始後に所定時間経過したかどうかを判定する時間判定ステップと、
前記時間判定ステップにより前記所定時間が経過していないと判定されたときは、前記加速度算出ステップにより前記下方向の加速度を算出させ、前記時間判定ステップにより前記所定時間が経過したと判定されたときは、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく、前記時間判定ステップの処理を停止する動作制御ステップと
を更に含むことを特徴とする請求項１５記載のメモリ制御用プログラム。
【請求項１７】
前記不揮発性メモリの前記プログラム処理及び前記イレーズ処理以外の処理期間は、前記加速度センサの電源をオフに制御する電源断ステップを更に含むことを特徴とする請求項１５又は１６記載のメモリ制御用プログラム。
【請求項１８】
携帯端末装置の動作を制御するコンピュータに、
不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点より前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の終了までの期間中、加速度センサ及び落下検出部の電源をオンに制御する電源入力ステップと、
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の間、前記落下検出部が前記加速度センサの計測値に基づいて、前記携帯端末装置が落下状態であると検出した時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく前記落下検出部の処理を繰り返させ、前記落下検出部により落下状態でないと検出された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施する処理制御ステップと
を実行させることを特徴とするメモリ制御用プログラム。
【請求項１９】
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理開始後に所定時間経過したかどうかを判定する時間判定ステップと、
前記時間判定ステップにより前記所定時間が経過していないと判定されたときは、前記落下検出部により前記落下状態であるか否かを検出させ、前記時間判定ステップにより前記所定時間が経過したと判定されたときは、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく、前記時間判定ステップの処理を停止する動作制御ステップと
を更に含むことを特徴とする請求項１８記載のメモリ制御用プログラム。
【請求項２０】
前記不揮発性メモリの前記プログラム処理及び前記イレーズ処理以外の処理期間は、前記加速度センサ及び前記落下検出部の電源をオフに制御する電源断ステップを更に含むことを特徴とする請求項１８又は１９記載のメモリ制御用プログラム。
【請求項２１】
前記電源入力ステップにおける前記一定時間は、前記加速度センサの起動時間に略等しい時間であることを特徴とする請求項１５又は１８記載のメモリ制御用プログラム。
【請求項１】
不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点より前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の終了までの期間中、加速度センサの電源をオンに制御する電源入力ステップと、
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の間、前記加速度センサの計測値に基づいて、下方向の加速度を算出する加速度算出ステップと、
前記下方向の加速度の値から落下状態であるか否かを判定する落下判定ステップと、
前記落下判定ステップにより落下状態であると判定された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく前記加速度算出ステップと前記落下判定ステップを繰り返し、前記落下判定ステップにより落下状態でないと判定された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施する処理制御ステップと
を含むことを特徴とする携帯端末装置のメモリ制御方法。
【請求項２】
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理開始後に所定時間経過したかどうかを判定する時間判定ステップと、
前記時間判定ステップにより前記所定時間が経過していないと判定されたときは、前記加速度算出ステップにより前記下方向の加速度を算出させ、前記時間判定ステップにより前記所定時間が経過したと判定されたときは、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく、前記時間判定ステップの処理を停止する動作制御ステップと
を更に含むことを特徴とする請求項１記載の携帯端末装置のメモリ制御方法。
【請求項３】
前記不揮発性メモリの前記プログラム処理及び前記イレーズ処理以外の処理期間は、前記加速度センサの電源をオフに制御する電源断ステップを更に含むことを特徴とする請求項１又は２記載の携帯端末装置のメモリ制御方法。
【請求項４】
不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点より前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の終了までの期間中、加速度センサ及び落下検出部の電源をオンに制御する電源入力ステップと、
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の間、前記落下検出部が前記加速度センサの計測値に基づいて、落下状態であるか否かを検出する落下検出ステップと、
前記落下検出ステップにより落下状態であると検出された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく前記落下検出ステップの処理を繰り返し、前記落下検出ステップにより落下状態でないと検出された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施する処理制御ステップと
を含むことを特徴とする携帯端末装置のメモリ制御方法。
【請求項５】
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理開始後に所定時間経過したかどうかを判定する時間判定ステップと、
前記時間判定ステップにより前記所定時間が経過していないと判定されたときは、前記落下検出部により前記落下状態であるか否かを検出させ、前記時間判定ステップにより前記所定時間が経過したと判定されたときは、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく、前記時間判定ステップの処理を停止する動作制御ステップと
を更に含むことを特徴とする請求項４記載の携帯端末装置のメモリ制御方法。
【請求項６】
前記不揮発性メモリの前記プログラム処理及び前記イレーズ処理以外の処理期間は、前記加速度センサ及び前記落下検出部の電源をオフに制御する電源断ステップを更に含むことを特徴とする請求項４又は５記載の携帯端末装置のメモリ制御方法。
【請求項７】
前記電源入力ステップにおける前記一定時間は、前記加速度センサの起動時間に略等しい時間であることを特徴とする請求項１又は５記載の携帯端末装置のメモリ制御方法。
【請求項８】
不揮発性メモリと、
装置の加速度を計測する加速度センサと、
前記不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点より前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の終了までの期間中、前記加速度センサの電源をオンに制御する電源入力手段と、
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の間、前記加速度センサの計測値に基づいて、下方向の加速度を算出する加速度算出手段と、
前記下方向の加速度の値から落下状態であるか否かを判定する落下判定手段と、
前記落下判定手段により落下状態であると判定された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく前記加速度算出手段と前記落下判定手段の各動作を繰り返し、前記落下判定手段により落下状態でないと判定された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施する処理制御手段と
を有することを特徴とする携帯端末装置。
【請求項９】
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理開始後に所定時間経過したかどうかを判定する時間判定手段と、
前記時間判定手段により前記所定時間が経過していないと判定されたときは、前記加速度算出手段により前記下方向の加速度を算出させ、前記時間判定手段により前記所定時間が経過したと判定されたときは、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく、前記時間判定手段の処理を停止する動作制御手段と
を更に有することを特徴とする請求項８記載の携帯端末装置。
【請求項１０】
前記不揮発性メモリの前記プログラム処理及び前記イレーズ処理以外の処理期間は、前記加速度センサの電源をオフに制御する電源断手段を更に有することを特徴とする請求項８又は９記載の携帯端末装置。
【請求項１１】
不揮発性メモリと、
装置の加速度を計測する加速度センサと、
前記加速度センサの計測値に基づいて、落下状態であるか否かを検出する落下検出部と、
前記不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点より前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の終了までの期間中、前記加速度センサ及び前記落下検出部の電源をオンに制御する電源入力手段と、
電源がオンとされた前記落下検出部により落下状態であると検出された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく前記落下検出部の検出動作を繰り返し、前記落下検出部により落下状態でないと検出された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施する処理制御手段と
を有することを特徴とする携帯端末装置。
【請求項１２】
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理開始後に所定時間経過したかどうかを判定する時間判定手段と、
前記時間判定手段により前記所定時間が経過していないと判定されたときは、前記落下検出部により前記落下状態であるか否かを検出させ、前記時間判定手段により前記所定時間が経過したと判定されたときは、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく、前記時間判定手段の処理を停止する動作制御手段と
を更に有することを特徴とする請求項１１記載の携帯端末装置。
【請求項１３】
前記不揮発性メモリの前記プログラム処理及び前記イレーズ処理以外の処理期間は、前記加速度センサ及び前記落下検出部の電源をオフに制御する電源断手段を更に有することを特徴とする請求項１１又は１２記載の携帯端末装置。
【請求項１４】
前記電源入力手段における前記一定時間は、前記加速度センサの起動時間に略等しい時間であることを特徴とする請求項８又は１１記載の携帯端末装置。
【請求項１５】
携帯端末装置の動作を制御するコンピュータに、
不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点より前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の終了までの期間中、加速度センサの電源をオンに制御する電源入力ステップと、
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の間、前記加速度センサの計測値に基づいて、下方向の加速度を算出する加速度算出ステップと、
前記下方向の加速度の値から前記携帯端末装置が落下状態であるか否かを判定する落下判定ステップと、
前記落下判定ステップにより落下状態であると判定された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく前記加速度算出ステップと前記落下判定ステップを繰り返し、前記落下判定ステップにより落下状態でないと判定された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施する処理制御ステップと
を実行させることを特徴とするメモリ制御用プログラム。
【請求項１６】
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理開始後に所定時間経過したかどうかを判定する時間判定ステップと、
前記時間判定ステップにより前記所定時間が経過していないと判定されたときは、前記加速度算出ステップにより前記下方向の加速度を算出させ、前記時間判定ステップにより前記所定時間が経過したと判定されたときは、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく、前記時間判定ステップの処理を停止する動作制御ステップと
を更に含むことを特徴とする請求項１５記載のメモリ制御用プログラム。
【請求項１７】
前記不揮発性メモリの前記プログラム処理及び前記イレーズ処理以外の処理期間は、前記加速度センサの電源をオフに制御する電源断ステップを更に含むことを特徴とする請求項１５又は１６記載のメモリ制御用プログラム。
【請求項１８】
携帯端末装置の動作を制御するコンピュータに、
不揮発性メモリのプログラム処理又はイレーズ処理の一定時間前の時点より前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の終了までの期間中、加速度センサ及び落下検出部の電源をオンに制御する電源入力ステップと、
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理の間、前記落下検出部が前記加速度センサの計測値に基づいて、前記携帯端末装置が落下状態であると検出した時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく前記落下検出部の処理を繰り返させ、前記落下検出部により落下状態でないと検出された時は、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施する処理制御ステップと
を実行させることを特徴とするメモリ制御用プログラム。
【請求項１９】
前記プログラム処理又は前記イレーズ処理開始後に所定時間経過したかどうかを判定する時間判定ステップと、
前記時間判定ステップにより前記所定時間が経過していないと判定されたときは、前記落下検出部により前記落下状態であるか否かを検出させ、前記時間判定ステップにより前記所定時間が経過したと判定されたときは、前記プログラム処理又は前記イレーズ処理を実施することなく、前記時間判定ステップの処理を停止する動作制御ステップと
を更に含むことを特徴とする請求項１８記載のメモリ制御用プログラム。
【請求項２０】
前記不揮発性メモリの前記プログラム処理及び前記イレーズ処理以外の処理期間は、前記加速度センサ及び前記落下検出部の電源をオフに制御する電源断ステップを更に含むことを特徴とする請求項１８又は１９記載のメモリ制御用プログラム。
【請求項２１】
前記電源入力ステップにおける前記一定時間は、前記加速度センサの起動時間に略等しい時間であることを特徴とする請求項１５又は１８記載のメモリ制御用プログラム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１０−１７０３８４（Ｐ２０１０−１７０３８４Ａ）
【公開日】平成２２年８月５日（２０１０．８．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１２９２８（Ｐ２００９−１２９２８）
【出願日】平成２１年１月２３日（２００９．１．２３）
【出願人】（０００００４２３７）日本電気株式会社 (19,353)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月５日（２０１０．８．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月２３日（２００９．１．２３）
【出願人】（０００００４２３７）日本電気株式会社 (19,353)
【Ｆターム（参考）】
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