支持体
【課題】温度や湿度といった環境変化に対する寸法安定性と、優れた塗布適性とを具備する、磁気記録媒体などに適した支持体の提供。
【解決手段】二軸配向積層フィルム（Ｆ層）の少なくとも片面に金属類または金属系無機化合物からなる層（Ｍ層）が設けられた支持体であって、Ｆ層は、ポリエステル（Ａ）からなるフィルム層（Ａ）と熱可塑性樹脂（Ｂ）からなるフィルム層（Ｂ）とを積層して延伸したものであり、芳香族ポリエステル（Ａ）は、主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレートまたはエチレン−２，６−ナフタレートであること、熱可塑性樹脂（Ｂ）は、ポリエステル（Ａ）よりも吸水率が０．０３％以上低いこと、Ｍ層の厚みが、１５〜９０ｎｍの範囲であること、および縦方向のヤング率（ＧＰａ）と厚み（μｍ）の積が３０（Ｇｐａ・μｍ）以上であることを具備する支持体。
【解決手段】二軸配向積層フィルム（Ｆ層）の少なくとも片面に金属類または金属系無機化合物からなる層（Ｍ層）が設けられた支持体であって、Ｆ層は、ポリエステル（Ａ）からなるフィルム層（Ａ）と熱可塑性樹脂（Ｂ）からなるフィルム層（Ｂ）とを積層して延伸したものであり、芳香族ポリエステル（Ａ）は、主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレートまたはエチレン−２，６−ナフタレートであること、熱可塑性樹脂（Ｂ）は、ポリエステル（Ａ）よりも吸水率が０．０３％以上低いこと、Ｍ層の厚みが、１５〜９０ｎｍの範囲であること、および縦方向のヤング率（ＧＰａ）と厚み（μｍ）の積が３０（Ｇｐａ・μｍ）以上であることを具備する支持体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二軸配向積層フィルムの少なくとも片面に金属類または金属系無機化合物からなる層（Ｍ層）が設けられた磁気記録媒体用支持体に関する。
【背景技術】
【０００２】
二軸延伸ポリエステルフィルムはその優れた熱特性、寸法安定性、機械特性および表面形態の制御のし易さから各種用途に使用されており、特に磁気記録媒体などの支持体としての有用性がよく知られている。近年、磁気テープなどの磁気記録媒体は、機材の軽量化、小型化、大容量化のため、ベースフィルムの薄膜化や高密度記録化が要求されている。高密度記録化のためには、記録波長を短くし、記録トラックを小さくすることが有用である。しかしながら、記録トラックを小さくすると、テープ走行時における熱やテープ保管時の温湿度変化による変形により、記録トラックのずれが起こりやすくなるという問題がある。したがって、テープの使用環境および保管環境での寸法安定性といった特性の改善に対する要求がますます強まっている。
【０００３】
この観点から、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートなどを用いたポリエステルフィルムにおいて、延伸技術を用いて高強度化した磁気記録媒体用支持体が開発されている。しかしながら、高強度化によってその方向の温度膨張係数や湿度膨張係数は小さくできるものの、高強度化していくと湿度膨張係数は小さくなるものの、その方向の温度膨張係数が負の値となり、すなわち温度の上昇に伴う収縮挙動が発現し、寸法安定性が損なわれるという問題があった。
【０００４】
また、ポリエステルフィルムの片面または両面に金属などの層（Ｍ層）を設ける方法（特許文献１〜４など）が開示されている。しかしながら、湿度膨張係数を小さくするなど寸法安定性のためにＭ層の厚みを厚くしていくと、Ｍ層にクラックが入りやすくなり、Ｍ層による改善だけでは限界があった。
【０００５】
一方、特許文献５および６では、６，６’−（アルキレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分と他の芳香族ジカルボン酸成分とを共重合させた芳香族ポリエステルからなるフィルムが、磁気記録媒体として使用する際の温度や湿度の変化に対する寸法安定性に優れることを開示している。しかしながら、さらに検討を進めたところ、このフィルムは、温度や湿度の変化に対する寸法安定性に優れるものの、通常、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートフィルムでは問題とならない１２０℃程度の温度での加工において、フィルムが張力を負荷した方向に伸びやすく、塗布適性に問題があることが判明した。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３０８１８号公報
【特許文献２】特開２００５−１９６９４４号公報
【特許文献３】特開２００６−２７７９２０号公報
【特許文献４】特開２００３−２４２６３０号公報
【特許文献５】国際公開第２００８／０１０６０７号パンフレット
【特許文献６】国際公開第２００８／０９６６１２号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、温度や湿度といった環境変化に対する寸法安定性に優れ、高温下で荷重を負荷するような塗布適性に優れ、特に磁気記録媒体のベースフィルムに適した支持体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決しようと鋭意研究したところ、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレン−２，６−ナフタレートなどからなるフィルム層と、吸水率とガラス転移温度がそれらよりも低い熱可塑性樹脂からなるフィルム層を積層して延伸したところ、それらを単純にブレンドしたフィルムに比べ、同じ温度膨張係数ならより低い湿度膨張係数を具備し、さらにその片面または両面に金属などの層（Ｍ層）を設けることで、極めて環境変化に対する寸法安定性に優れ、しかも塗布適性も改善された磁気記録媒体用支持体が得られることを見出し、本発明に到達した。
【０００９】
かくして本発明によれば、二軸配向積層フィルム（Ｆ層）の少なくとも片面に金属類または金属系無機化合物からなる層（Ｍ層）が設けられた支持体であって、
Ｆ層は、ポリエステル（Ａ）からなるフィルム層（Ａ）と熱可塑性樹脂（Ｂ）からなるフィルム層（Ｂ）とを積層して延伸したものであり、
ポリエステル（Ａ）は、主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレートまたはエチレン−２，６−ナフタレートであること、
熱可塑性樹脂（Ｂ）は、ポリエステル（Ａ）よりも吸水率が０．０３％以上低いこと、
Ｍ層の厚みが、１５〜９０ｎｍの範囲であること、そして
支持体の縦方向のヤング率（ＧＰａ）と支持体の厚み（μｍ）の積が３０（Ｇｐａ・μｍ）以上であることを具備する支持体が提供される。
【００１０】
また、本発明によれば、本発明の好ましい態様として、支持体の厚みが１〜１０μｍであること、支持体が、その片面に磁性層を設けて、磁気記録媒体のベースフィルムに用いられること、支持体の長手方向と幅方向のヤング率の和が１０〜２２ＧＰａであり、かつ、長手方向のヤング率Ｅｍと幅方向のヤング率Ｅｔの比Ｅｍ／Ｅｔが０．５〜１．０の範囲にあること、フィルム層（Ａ）または（Ｂ）の片面または両面にフィルム層（Ｂ）または（Ａ）を積層したこと、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）とを交互に４層以上積層したこと、熱可塑性樹脂（Ｂ）は、主たる繰り返し単位が、下記式（Ｉ）と（ＩＩ）
【化１】
（式（Ｉ）および（ＩＩ）中のＲＡおよびＲＣは炭素数２〜４のアルキレン基またはシクロヘキシレン基、ＲＢはフェニレン基またはナフタレンジイル基である。）とからなり、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位の割合が、全繰り返し単位のモル数を基準として、５モル％以上８０モル％未満の範囲であることの少なくともいずれか一つを具備する支持体も提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、二軸配向積層フィルム（Ｆ層）の少なくとも片面に金属類または金属系無機化合物からなる層（Ｍ層）が設けられた支持体において、
Ｆ層として、主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレートまたはエチレン−２，６−ナフタレートであるポリエステル（Ａ）からなるフィルム層（Ａ）とポリエステル（Ａ）よりも吸水率が０．０３％以上低い熱可塑性樹脂（Ｂ）からなるフィルム層（Ｂ）とを積層して延伸することで、フィルム層（Ｂ）による湿度膨張係数の低減効果を単にブレンドしたものに比べ効率的に発現できる。また、フィルム層（Ａ）が塗布適性をある程度維持できることから、クラックなどの不具合が発生するような厚いＭ層を形成しなくても、非常に塗布適性などに優れた支持体とすることもできる。しかも、本発明の支持体は、Ｆ層自体が極めて環境変化に対する寸法安定性を有することから、単純に前述の特許文献４や５のフィルムにＭ層を形成したものに比べ、同じヤング率や同じ温度膨張係数なら、より湿度膨張係数が小さく、加工時の伸びも抑制された支持体を得ることができ、特に非常に薄い支持体としたときに、優れた塗布適性と寸法安定性を発現することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明は、芳香族ポリエステル（Ａ）からなるフィルム層（Ａ）と、熱可塑性樹脂（Ｂ）からなるフィルム層（Ｂ）とを積層して延伸した二軸配向積層フィルムの少なくとも片面に、金属類または金属系無機化合物からなる層（Ｍ層）が設けられた支持体である。以下、芳香族ポリエステル（Ａ）、熱可塑性樹脂（Ｂ）、Ｆ層およびＭ層に分けて順次説明する。
【００１３】
＜ポリエステル（Ａ）＞
ポリエステル（Ａ）は、フィルム層（Ａ）を構成するもので、塗布適性を向上させる観点から、エチレンテレフタレートまたはエチレン−２，６−ナフタレートを主たる繰り返し単位とするものである。そのような観点から、フィルム層（Ａ）を構成するポリエステル（Ａ）は、エチレンテレフタレートまたはエチレン−２，６−ナフタレート以外の共重合成分の割合は、ポリエステル（Ａ）の全酸成分のモル量を基準として、１０モル％以下、さらに５モル％以下であることが好ましい。
【００１４】
ポリエステル（Ａ）のＰ−クロロフェノール／１，１，２，２−テトラクロロエタン（重量比４０／６０）の混合溶媒を用いて３５℃で測定した固有粘度は、好ましくは０．４５〜１．５ｄｌ／ｇ、より好ましくは０．５〜１．０ｄｌ／ｇ、特に好ましくは０．５５〜０．８ｄｌ／ｇである。
【００１５】
ポリエステル（Ａ）は、フィルム層（Ａ）を構成するポリエステル樹脂組成物としてみたときのＤＳＣにおけるＴｇ（ガラス転移温度）が１１０℃以上であることが、塗布適性の点から好ましい。ポリエステル（Ａ）のガラス転移温度の下限は、好ましくは１１０℃、より好ましくは１１５℃である。上限は特に制限されないがフィルム層（Ｂ）と積層したときの製膜性の点から、好ましくは１７０℃、より好ましくは１５０℃である。このように、芳香族ポリエステル（Ａ）は、よりガラス転移温度（Ｔｇ：℃）が高いことが好ましく、そのような観点からエチレン−２，６−ナフタレートを主たる繰り返し単位とするものが好ましい。また、ガラス転移温度を高くできる共重合成分を共重合したり、ポリエーテルイミドや液晶樹脂をブレンドすること（例えば、特開２０００−３５５６３１号公報、特開２０００−１４１４７５号公報および特開平１１−１５６８号公報などを参照）も好ましく、特にエチレンテレフタレートを主たる繰り返し単位とする場合は、このような共重合やブレンドをすることが好ましい。そのような観点から、ポリエステル（Ａ）の割合は、フィルム層（Ａ）の重量を基準として、７０ｗｔ％以上、さらに８０ｗｔ％以上であることが好ましい。
【００１６】
ポリエステル（Ａ）のＤＳＣで測定した融点は、好ましくは２４０〜３００℃、より好ましくは２５０〜２９０℃、さらに好ましくは２６０〜２８０℃の範囲であることが製膜性の点から好ましい。融点が上記上限を越えると、溶融粘度が大きく溶融押し出しして成形する際に、流動性が劣り、吐出などが不均一化しやすくなり、製膜性が低下しやすい。一方、上記下限未満になると、製膜性は優れるものの、加工時の伸び抑制効果が不十分となりやすい。
【００１７】
＜熱可塑性樹脂（Ｂ）＞
本発明における熱可塑性樹脂（Ｂ）はフィルム層（Ｂ）を構成するものであり、前述のポリエステル（Ａ）に対して、吸水率が０．０５％以上低いもので、フィルム層（Ａ）と積層して製膜できるものであれば特に制限されず、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトンなどいずれであっても良く、これらの中でも前記式（Ｉ）、（ＩＩ）の繰り返し単位からなるポリエステル、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート、液晶性ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリオレフィンが好ましい。
【００１８】
熱可塑性樹脂（Ｂ）の吸水率が、ポリエステル（Ａ）に対して、０．０３％以上低いことで、支持体としたときの湿度膨張係数を低減することができる。好ましいポリエステル（Ａ）と熱可塑性樹脂（Ｂ）の吸水率の差は０．０３〜０．３０％、さらにフィルム層（Ａ）との剥離を抑制しつつ優れた寸法安定性を発現しやすいことから、０．０４〜０．１５％である。また、好ましい熱可塑性樹脂（Ｂ）の吸水率は０．０１〜０．３０％、さらにフィルム層（Ａ）との剥離を抑制しつつ優れた寸法安定性を発現しやすいことから、０．１５〜０．２７％である。
【００１９】
ところで、本発明における熱可塑性樹脂（Ｂ）による湿度膨張係数の低減効果がより効率的に発現される理由は定かではないが、ポリエステル（Ａ）と熱可塑性樹脂（Ｂ）とを積層した状態で延伸するとき、フィルム層（Ａ）側に延伸応力が優先的に配分され、その結果フィルム層（Ａ）の湿度膨張係数をより効率的に低減でき、しかも熱可塑性樹脂（Ｂ）として、吸水率の低いものを使用していることから、延伸応力がフィルム層（Ａ）に優先的に配分されてもフィルム層（Ｂ）の湿度膨張係数の増加が少なく、結果としてポリエステル（Ａ）と熱可塑性樹脂（Ｂ）とを単純にブレンドしたものに比べ、同じヤング率や温度膨張係数なら、より低い湿度膨張係数を発現できるのではないかと考えられる。
【００２０】
ところで、フィルム層（Ａ）と（Ｂ）の剥離を抑える観点からは、熱可塑性樹脂（Ｂ）はポリエステルであることが好ましく、特に前記式（Ｉ）および式（ＩＩ）の繰り返し単位からなり、その繰り返し単位の５モル％以上８０モル％未満が、前記式（Ｉ）のポリエステルが好ましい。式（Ｉ）で示される繰り返し単位の割合が下限未満では湿度膨張係数（αｈ）の低減効果が発現されがたい。なお、上限は、成形性などの観点から、８０モル％未満である。式（Ｉ）で示される成分による湿度膨張係数（αｈ）の低減効果は、少量で非常に効率的に発現され、さらに剥離を抑制する観点から繰り返し単位の５０モル％以上がエチレンテレフタレートまたはエチレン−２，６−ナフタレートであるものが好ましい。好ましい前記式（Ｉ）で示される成分の共重合量の上限は、高温での加工時の伸びを抑制する観点から、４５モル％、さらに４０モル％、よりさらに３５モル％、特に３０モル％である。他方下限は、ガラス転移温度を十分に低くしつつ、吸水率を下げる観点から５モル％、より７モル％、さらに１０モル％、特に１５モル％である。
【００２１】
式（Ｉ）において、ＲＡは炭素数２〜４のアルキレン基またはシクロへキシレン基である。炭素数２〜４のアルキレン基として、エチレン基、トリメチレン基、ブチレン基等が挙げられる。式（Ｉ）におけるジカルボン酸成分としては、６，６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分、６，６’−（トリメチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分および６，６’−（ブチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分などが挙げられ、これらの中でも本発明の効果の点からは、６，６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分が好ましい。
【００２２】
熱可塑性樹脂（Ｂ）のＰ−クロロフェノール／１，１，２，２−テトラクロロエタン（重量比４０／６０）の混合溶媒を用いて３５℃で測定した固有粘度は、好ましくは０．４〜１．５ｄｌ／ｇ、より好ましくは０．５〜１．３ｄｌ／ｇである。
【００２３】
熱可塑性樹脂（Ｂ）は、ＤＳＣで測定した融点が、２００〜２８０℃の範囲、さらに２１０〜２７０℃の範囲の範囲にあることが製膜性の点から好ましい。融点が上記上限を越えると、製膜が難しくなり、他方上記下限未満になると、支持体の機械的特性などが損なわれやすくなる。
【００２４】
また、熱可塑性樹脂（Ｂ）のＤＳＣで測定したガラス転移温度（以下、Ｔｇと称することがある。）は、高温での加工時の伸びを抑制する観点から、好ましくは５０〜１５０℃、より好ましくは７０〜１３０℃、さらに好ましくは８０〜１２０℃の範囲である。Ｔｇがこの範囲にあることは、耐熱性や寸法安定性の点から好ましい。なお、このような融点やガラス転移温度は、熱可塑性樹脂の種類、共重合成分の種類と共重合量、そして副生物などによって調整できる。
【００２５】
＜二軸配向積層フィルム（Ｆ層）＞
本発明におけるＦ層は、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）とを積層したものであり、フィルム層（Ａ）または（Ｂ）の片面または両面にフィルム層（Ｂ）または（Ａ）を積層したＦ層（１）と、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）を交互に４層以上となるように積層したＦ層（２）を包含する。なお、本発明において、幅方向とは、Ｆ層の製膜方向（長手方向、縦方向と称することもある。）に直交する方向であり、横方向と称することもある。
【００２６】
本発明におけるＦ層の厚みは、用途に応じて適宜決めればよく、磁気記録テープのベースフィルムに用いる場合は、好ましくは１〜１０μｍ、より好ましくは２〜６μｍ、さらに好ましくは３〜５μｍである。特に磁気テープの高容量化には厚みが薄いほどよく、しかも厚みが薄くなるほど、より塗布適性や寸法安定性の要求は高くなるので、特に厚さが３．５〜４．５μｍの範囲にあるとき、本発明の支持体による優れた特性が最大限に発現される。
【００２７】
本発明におけるＦ層は、環境変化に対する寸法安定性を向上させる観点から、フィルム層（Ｂ）の厚みの合計が、Ｆ層の厚みに対して、１０〜９０％、さらに１５〜７５％、特に２０〜６０％の範囲であることが好ましい。このような範囲とすることで、湿度変化に対する寸法安定性向上効果と加工時の伸び抑制効果とをより高度に発現できる。 本発明におけるＦ層は、磁気テープなどのベースフィルムとして用いたとき、トラックズレなどを抑制する観点から、Ｆ層の幅方向のヤング率は、６〜１２ＧＰａ、さらに６．５〜１０ＧＰａの範囲にあることが好ましい。上記範囲内にあることで、後述の温度膨張係数や湿度膨張係数を非常に小さくすることができる。また、磁気テープなどのベースフィルムとして用いたとき、加工時や走行時の伸びを抑制しつつ、前述の幅方向に十分なヤング率を具備させる観点から、Ｆ層の製膜方向のヤング率は、４〜１０ＧＰａ、さらに４．５〜８ＧＰａの範囲にあることが好ましい。
【００２８】
本発明におけるＦ層は、優れた寸法安定性、特に磁気テープなどのベースフィルムとして用いたとき、トラックズレなどを抑制する観点から、フィルムの幅方向の温度膨張係数（αｔ）が−１０〜１０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。好ましいフィルムの幅方向の温度膨張係数（αｔ）は、−７〜５ｐｐｍ／℃、さらに−５〜２ｐｐｍ／℃の範囲である。このような温度膨張係数（αｔ）は、幅方向の分子鎖が十分に配向するように延伸倍率を高めたり、延伸温度が過度に高くならないようにすることなどで調整できる。
【００２９】
本発明におけるＦ層は、優れた寸法安定性、特に磁気テープなどのベースフィルムとして用いたとき、トラックズレなどを抑制する観点から、フィルムの幅方向における湿度膨張係数（αｈ）が、１〜６ｐｐｍ／％ＲＨ、さらに１〜５ｐｐｍ／％ＲＨの範囲にあることが好ましい。
【００３０】
また、本発明におけるＦ層は、走行性と平坦性とを両立できるように、適度にフィルムの表面に突起などを形成することが好ましい。Ｆ層の表面に突起を形成する手段としては、フィルム層（Ａ）または（Ｂ）に不活性粒子を含有させたりして、突起を形成したり、Ｆ層の表面に不活性粒子を含有するフィルム層や塗膜を形成すればよい。含有させる不活性粒子としては、（１）耐熱性ポリマー粒子（例えば、架橋シリコーン樹脂、架橋ポリスチレン、架橋アクリル樹脂、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、架橋ポリエステルなどからなる粒子）、（２）金属酸化物（例えば、酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化ケイ素（シリカ）、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ジルコニウムなど）、金属の炭酸塩（例えば、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウムなど）、金属の硫酸塩（例えば、硫酸カルシウム、硫酸バリウムなど）、炭素（例えば、カーボンブラック、グラファイト、ダイアモンドなど）および粘土鉱物（例えば、カオリン、クレー、ベントナイトなど）などのような無機化合物からなる粒子、さらに（３）異なる素材を例えばコアとシェルに用いたコアシェル型などの複合粒子など粒子の状態で添加する外部添加粒子や（４）触媒などの析出によって形成する内部析出粒子などそれ自体公知のものを好適に挙げることができる。
【００３１】
これらの中でも、架橋シリコーン樹脂、架橋アクリル樹脂、架橋ポリエステル、架橋ポリスチレン、酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化ケイ素、カオリン及びクレーからなる群から選ばれる少なくとも１種の粒子であることが好ましい。特に架橋シリコーン樹脂、架橋アクリル樹脂、架橋ポリエステル、架橋ポリスチレンおよび二酸化ケイ素（但し、多孔質シリカなどは除く）からなる群から選ばれる少なくとも１種の粒子であることが、粒子の粒径のバラツキを小さくしやすいことから好ましい。もちろん、これらは２種以上を併用しても良い。
【００３２】
フィルム層（Ａ）または（Ｂ）に不活性粒子を含有させる場合、走行性の観点から好ましい不活性粒子の平均粒径は、０．０５〜１．０μｍ、さらに０．１〜０．８μｍの範囲である。特に磁気記録媒体用の場合、不活性粒子の平均粒径は、好ましくは０．１〜０．５μｍ、より好ましくは０．１〜０．３μｍの範囲である。また、フィルム層に含有させる不活性粒子の含有量は、含有させるフィルム層の重量を基準として、好ましくは０．００５〜１．０重量％、より好ましくは０．０１〜０．５重量％の範囲である。
さらに本発明の二軸配向積層フィルムについて、前述のＦ層（１）および（２）に分けて、詳述する。
【００３３】
＜Ｆ層（１）＞
Ｆ層（１）は、フィルム層（Ｂ）の片面にフィルム層（Ａ）を積層した２層フィルムを包含する。またＦ層（１）は、フィルム層（Ａ）の両面にフィルム層（Ｂ）を積層した３層フィルムも包含する。またＦ層（１）は、フィルム層（Ａ）の両面にフィルム層（Ｂ）を積層した３層フィルムを包含する。本発明におけるＦ層（１）には、本発明の効果を損なわない範囲で、他のフィルム層を積層したり、塗膜層を設けたりしても良い。
【００３４】
本発明におけるＦ層（１）は、走行性と平坦性とをより高度に両立させる観点から、一方の表面粗さ（Ｒａ）と他方の表面粗さ（ＲａＡ）との差が、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは２ｎｍ以上、さらに好ましくは３ｎｍ以上であることが好ましい。表面粗さの差を下限以上にすることで、単層フィルムに比べ、優れた平坦性と巻取性とを高度に具備させることができる。表面粗さの差の上限は、特に制限されないが、平坦な側の表面の形態を粗面側の粗い表面の転写や突き上げによって損なわれないようにする点から、好ましくは８ｎｍ、より好ましくは５ｎｍ、さらに好ましくは４ｎｍである。平坦面側の表面粗さ（Ｒａ）は、好ましくは０．２〜７．０ｎｍ、より好ましくは０．３〜５．０ｎｍ、さらに好ましくは０．５〜４．０ｎｍの範囲である。またＦ層（１）に優れた巻取性を具備させるために、表面粗さの粗い走行面側の表面粗さ（Ｒａ）は、好ましくは２〜１５ｎｍ、より好ましくは３〜１０ｎｍ、さらに好ましくは４〜８ｎｍの範囲である。
【００３５】
なお、このような表面粗さの差を調整するには、前述のように表面粗さの粗い側の表面を形成するフィルム層に、他方の表面層を形成するフィルム層に比べより大きな粒子を含有させるかより多く粒子を含有させるか、さらに塗膜層を形成したりすればよい。
なお、Ｆ層自体のカールを抑制する観点からは、Ｆ層は前述の３層の積層構成が好ましい。ただ、カールは後述のＭ層を、カールが解消されるように、片面だけにつけたり、厚みの異なるＭ層を両面につけることで調整でき、むしろ表面粗さの差を調整しやすく、より平坦性と走行性とを高度に具備させやすいことから、フィルム層（Ａ）の片面にフィルム層（Ｂ）を積層した２層フィルムが好ましい。
【００３６】
＜Ｆ層（２）＞
本発明におけるＦ層（２）は、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）とを交互に４層以上積層したものである。好ましい積層数は、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）の合計層数で１１〜１０００１の範囲、さらに３１〜１００１の範囲にあることが層構成の均一性とカールなどを抑えつつ、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）の延伸性を上げやすいことから好ましい。積層数の上限は特に制限されないが、積層構造を維持しやすい点から、１０，００１以下であることが好ましい。また、フィルム層（Ａ）および（Ｂ）の１層あたり厚みは、０．１〜１，０００ｎｍの範囲、さらに１〜１００ｎｍの範囲にあることが層構成の均一性と効果の発現性の点から好ましい。
【００３７】
本発明におけるＦ層（２）は、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）とを交互に４層以上積層し、フィルム層（Ａ）またはフィルム層（Ｂ）で形成された、第１表層、内層および第２表層を有し、第１表層の表面粗さ（ＲａＸ）が０．５〜５ｎｍの範囲で、第２表層の表面粗さ（ＲａＹ）がＲａＸよりも１ｎｍ以上大きく１０ｎｍ以下である積層フィルム（３）を包含する。第１表層は、第２表層に比べ表面粗さが小さな表層である。
【００３８】
ＲａＸが０．２ｎｍ以上であると滑り性が良好となり巻取り性が良好となる。５ｎｍ以下であると磁気テープとしたときに電磁変換特性が良好となる。ＲａＸの範囲は、より好ましくは０．３〜４ｎｍ、さらに好ましくは０．５〜３ｎｍである。ＲａＹがＲａＸよりも１ｎｍ以上大きいと、表面が適度に粗くなり巻取り性が良くなる。一方１０ｎｍ以下であると、磁気テープとしたときに磁性層表面への転写の恐れがなく、電磁変換特性の悪化やエラーレートの悪化が少ない。ＲａＹの範囲は、好ましくは２〜１５ｎｍ、より好ましくは３〜１０ｎｍ、さらに好ましくは４〜８ｎｍである。
【００３９】
ただ、積層構造を形成するフィルム層（Ａ）およびフィルム層（Ｂ）だけでこのような表面粗さを満足させるのは、単純に一方のフィルム層に不活性粒子を含有させることだけでは難しい。そこで、好ましいフィルムの層構成について、さらに詳述する。
【００４０】
本発明におけるＦ層（２）として、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）の合計数が奇数の積層フィルムがある。すなわち、フィルム層（Ａ）またはフィルム層（Ｂ）のいずれか一方が第１表層および第２表層の双方を形成する場合、（ｉ）内層は、平均粒径０．０１〜１．０μｍの不活性粒子を０．００１〜５重量％含み、（ｉｉ）第１表層および第２表層は、不活性粒子を含有しないか、内層よりも平均粒径の小さな粒子を含有するか、同じ平均粒径の不活性粒子をより少ない含有量で含有し、（ｉｉｉ）第１表層の厚み（ｔＸ）が、第２表層の厚み（ｔＹ）の厚みに対して、１．５倍以上であることが好ましい。
ｔＸをｔＹ対比、１．５倍以上にすることで、内側のフィルム層に内在する不活性粒子による影響を抑え、表面粗さの小さい第１表層をより平坦に調整することができる。
【００４１】
また、本発明におけるＦ層（２）として、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）の合計数が偶数の積層フィルムがある。すなわち、フィルム層（Ａ）およびフィルム層（Ｂ）の一方が第２表層を形成し、他方が第１表層を形成する場合、（ｉ）第２表層は、平均粒径０．０１〜１．０μｍの不活性粒子を０．００１〜５重量％含み、（ｉｉ）第１表層は、不活性粒子を含有しないか、第２表層よりも平均粒径の小さな不活性粒子を含有するか、同じ平均粒径の不活性粒子を第２表層より少ない含有量で含有することが好ましい。
【００４２】
この際、第１表層の厚み（ｔＸ（ｎｍ））、第２表層の厚み（ｔＹ（ｎｍ））、第１表層に隣接するフィルム層の厚み（ｔＸ’（ｎｍ））および第２表層に隣接するフィルム層の厚み（ｔＹ’（ｎｍ））が次の関係式の少なくとも一つを満たすことが好ましい。
（式１） ｔＸ＞１．５×ｔＸ’
（式２） ｔＹ＞１．５×ｔＹ’
【００４３】
式１、式２における厚み比は、より好ましくは２倍以上、さらに好ましくは５倍以上、特に好ましくは１０倍以上である。上限は特に制限されないが、通常５００倍以下、さらに３００倍以下であることが好ましい。ｔＸとｔＸ’が上記（式１）を満たすことにより、表面粗さをより平坦にしやすく、他方ｔＹとｔＹ’が上記（式２）を満たすことにより、表面粗さをより大きく調整しやすくなる。
【００４４】
フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）は、どちらを表面粗さの小さい第１表層にしても良いし、またどちらを表面粗さの大きい第２表層にしても良い。
本発明におけるＦ層（２）は、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）とを交互に４層以上積層し、第１表層、内層および第２表層を形成していれば良いが、第１表層および第２表層とは別の第３表層を有していても良い。特にフィルム層の厚みを薄くする必要があるときに、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）との積層構造をのみでは滑り性と表面平坦性を両立する表層の形成が困難となる場合がある。このような場合、第２表層の上またはその代わりに、それ自体公知の塗膜層や不活性粒子を含有する共押出で形成される第３表層を設けることで、滑り性と表面平坦性を両立させることもできる。 本発明におけるＦ層（２）の交互積層された多層部分の厚みは、上記のように表層とそれ以外で厚みを変えることが好ましいが、その厚みの変化は、表層のみ厚くすることも可能であるし、また、交互積層部分の厚みを厚み方向に連続的に変化させることも可能である。
【００４５】
なお、Ｆ層（２）の積層構造を形成する表層以外の内層の平均厚み（フィルム層（Ａ）の平均厚み：ｔＡ（ｎｍ）、フィルム層（Ｂ）の平均厚み：ｔＢ（ｎｍ））には特に制約はないが、延伸性を確保するための総層数と全厚みの関係から、好ましくは０．５〜１０００ｎｍ、より好ましくは１〜３００ｎｍ、さらに好ましくは２〜２００ｎｍ、特に好ましくは３〜１００ｎｍである。
【００４６】
＜Ｍ層＞
本発明の磁気記録媒体用支持体は、前述のＦ層の片方の表面もしくは両方の表面上に金属類または金属系無機化合物からなる層（Ｍ層）が形成されている。金属類としては、例えば、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｙ、Ｗなどが挙げられ、金属系無機化合物としてはこれらの金属類を酸化させたものが挙げられる。
【００４７】
上記のＭ層を両面に形成する場合、両表面で異なる金属成分を含んでいてもよく、また、複数種の金属成分を混合して含んでいても構わないが、より好ましくは両表面で同一種の金属成分を含む方が良い。中でも、金属系酸化物は、酸化度の制御性、寸法安定性、生産性、環境性の観点から、アルミニウム、銅、亜鉛、銀、珪素元素の少なくとも一種を含んでいることが好ましく、より好ましくはアルミニウム元素が主成分となっていることが好ましい。
【００４８】
ところで、本発明では、Ｍ層の厚みは、それぞれ１５〜９０ｎｍの範囲にあることが必要である。Ｍ層の厚みが１５ｎｍより小さい場合、補強効果が小さく、温度・湿度による環境変化や高温での加工時の伸びが大きくなりやすい。Ｍ層の厚みの下限は、好ましくは２０ｎｍ、より好ましくは２５ｎｍである。一方、Ｍ層の厚みが９０ｎｍより大きい場合は、曲げ剛性が大きくなりやすく、結晶粒などによって表面が荒れやすく、結果としてクラックなどが生じやすくなる。Ｍ層の厚みの上限は、好ましくは８０ｎｍ、より好ましくは７０ｎｍでである。Ｍ層の厚みは、上記の範囲であれば、両表面で異なる厚みでもよい。両表面を同じ厚みに制御すると、得られた支持体がフラットな形状になりやすいので好ましい。また、両表面を異なる厚みに制御すると、得られた支持体がカッピングを起こすことがあるが、磁気記録媒体に使用するために、必要に応じて、カッピングを有する支持体であると、磁気ヘッドあたりが良好であることがある。その場合、磁性層を設ける側の表面（Ａ）と磁性層を設けない側の表面、すなわちバックコート層側の表面（Ｂ）とでは、磁性層を設ける側の表面（Ａ）が凸面になるカッピング形状であることが好ましい。このようなカッピング形状を実現するためには、Ａ面側のＭ層の厚みとＢ面側のＭ層の厚みをそれぞれＭａ、Ｍｂとしたとき、その厚み比（Ｍａ／Ｍｂ）を１〜５とすることが好ましい。Ｍａ／Ｍｂは、より好ましくは１〜３、さらに好ましくは１〜２である。
【００４９】
ところで、本発明の支持体は、支持体の縦方向のヤング率（ＧＰａ）と支持体の厚み（μｍ）の積が３０以上であることが必要である。この積が３０未満では、例えば磁気テープとする際に、塗布工程での張力により長手方向に延びて幅方向にシワが入る、または磁気テープとしたときに、磁気テープの走行方向にかかる張力で長手方向に延びて幅方向に縮み、トラックズレなどを引き起こすからである。もちろん、この積を大きくするには、支持体の縦方向のヤング率（ＧＰａ）と支持体の厚み（μｍ）とを大きくすれば良いのであるが、前述のとおり、記憶容量の観点からは支持体の厚みは薄いほどよい。その点、本発明の支持体は、Ｆ層が非常に寸法安定性に優れつつ塗布適性に優れたフィルム層（Ａ）も有することから、Ｍ層を薄くしつつ、さらに支持体の厚みを４．５μｍ以下、さらに４μｍ以下といった非常に薄いものとしても、塗布適性を高度に維持することができる。
【００５０】
本発明の支持体は、優れた寸法安定性、特に磁気テープなどの支持体として用いたとき、トラックズレなどを抑制する観点から、支持体の幅方向の温度膨張係数（αｔ）が−１０〜１０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。好ましい支持体の幅方向の温度膨張係数（αｔ）は、−７〜５ｐｐｍ／℃、さらに−５〜０ｐｐｍ／℃の範囲である。このような温度膨張係数（αｔ）は、Ｆ層のαｔやＭ層の材質や厚さなどで調整できる。また、本発明の支持体は、優れた寸法安定性、特に磁気テープなどのベースフィルムとして用いたとき、トラックズレなどを抑制する観点から、フィルムの幅方向における湿度膨張係数（αｈ）が、０〜５ｐｐｍ／％ＲＨ、さらに１〜４．５ｐｐｍ／％ＲＨの範囲にあることが好ましい。このような湿度膨張係数（αｈ）は、Ｆ層のαｈやＭ層の材質や厚さなどで調整できる。
【００５１】
また、本発明の支持体は、支持体の長手方向と幅方向のヤング率の和が１０〜２２ＧＰａであり、かつ、長手方向のヤング率Ｅｍと幅方向のヤング率Ｅｔの比Ｅｍ／Ｅｔが０．５〜１．０の範囲にあることが、上記のような寸法安定性を具備させつつ、製造工程を安定化しやすいことから好ましい。
【００５２】
＜支持体の製造方法＞
まず、前述のポリエステル（Ａ）および熱可塑性樹脂（Ｂ）はそれ自体公知の方法で製造できる。さらに不活性粒子を含有させる場合は、フィルム層（Ａ）、（Ｂ）および第３の層への添加方法は、特に制限されず、それぞれの層を構成する樹脂の重合段階で添加したり、重合後に二軸混練押出機などで練り込んだりすればよい。好ましくは、フィルム層中での粒子の分散性をより向上させやすいことから、重合段階で最終のフィルムでの使用よりも多量に不活性粒子を含有させたマスターポリマーを作成し、それを不活性粒子を含有しないポリマーで所望の粒子濃度になるように希釈する方法が好ましい。その際、フィルターなどのろ過によって、粗大粒子などを取り除くことが好ましい。
【００５３】
そして、これらのポリエステル（Ａ）および熱可塑性樹脂（Ｂ）とを原料として用意し、これを乾燥後、溶融状態、好ましくはそれぞれの層を形成するポリエステルの融点（Ｔｍ：℃）ないし（Ｔｍ＋７０）℃の温度でダイ内において積層してからフィルム状に押出すか、それぞれを溶融状態でシート状にダイから押出した後に積層し、急冷固化して積層未延伸フィルムとし、さらに積層未延伸フィルムを二軸延伸する。なお、層数が増えても、それらは流路中で所定の層数だけ分割を行ない、交互に積層した後に口金から吐出させ、急冷固化して積層未延伸フィルムとすればよい。このとき分岐流路の形状を工夫することにより、最外層の厚みのみを厚くすることや、厚み方向で厚みを徐々に変えることも可能である。また、交互積層している層を形成後、口金から押し出す前の段階までに、第３の樹脂を合流させてどちらかの最外層に積層させた構造体を作ることも可能である。
【００５４】
なお、本発明で規定する両方向のヤング率、さらにαｔやαｈを満足させるには、その後の延伸を進行させやすくすることから、冷却ドラムによる冷却を非常に速やかに行うことが好ましい。そのような観点から、冷却ドラムの温度は、２０〜６０℃という低温で行うことが好ましい。このような低温で行うことで、未延伸フィルムの状態での結晶化が抑制され、その後の延伸をよりスムーズに行うことができる。
【００５５】
二軸延伸としては、逐次二軸延伸でも同時二軸延伸でもよい。ここでは、逐次二軸延伸で、縦延伸（フィルムの製膜方向）、横延伸（フィルムの製膜方向に直交する方向）および熱処理をこの順で行う製造方法を一例として挙げて説明する。まず、最初の縦延伸はポリエステル（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ：℃）ないし（Ｔｇ＋４０）℃の温度で、３〜１０倍に延伸する。次いで横方向に先の縦延伸よりも高温で（Ｔｇ＋１０）〜（Ｔｇ＋５０）℃の温度で３〜１０倍に延伸する。さらに熱処理としてポリエステル（Ａ）の融点以下の温度でかつ（Ｔｇ＋５０）〜（Ｔｇ＋１５０）℃の温度で１〜２０秒、さらに１〜１５秒熱固定処理するのが好ましい。熱固定処理の温度は、好ましくは１８０〜２２０℃、より好ましくは１９０〜２１０℃の範囲である。なお、前述のとおり、高温側ｔａｎδのピーク温度が低いときは、製膜方向の延伸倍率を高くしたり、横方向の延伸倍率を低くして、製膜方向に分子鎖を配向させやすい条件をとればよい。
【００５６】
前述の説明は逐次二軸延伸について説明したが、本発明におけるＦ層は、縦延伸と横延伸とを同時に行う同時二軸延伸でも製造でき、例えば先で説明した延伸倍率や延伸温度などを参考にすればよい。
【００５７】
次に、上記のようにして得られたＦ層にＭ層を形成する方法を、真空蒸着装置を用いて両面にＭ層を設ける方法を例にとって説明する。
まず、真空蒸着装置においては、真空チャンバの内部をＦ層が巻出しロール部から冷却ドラムを経て巻取りロール部へと走行する。そのときに、るつぼ内に金属材料を入れ、そこに電子銃から照射した電子ビームを当てるなどして加熱蒸発させ、冷却ドラム上のＦ層に蒸着する。このとき、酸素供給ノズルから酸素ガスを導入すれば、蒸発した金属を酸化反応させながら蒸着することができる。また、片方の表面（１面目）に蒸着した後巻取りロール部から片面蒸着したものを取り外し、それを巻出しロール部にセットし同じように反対側の表面（２面目）に蒸着することで両面に形成できる。
【００５８】
ここで、真空チャンバ１２の内部は、１．０×１０−８〜１．０×１０２Ｐａに減圧することが好ましい。さらに緻密で劣化部分の少ないＭ層を形成させるためには、１．０×１０−６〜１．０×１０−１Ｐａに減圧することが好ましい。また、冷却ドラムは、その表面温度を−４０〜６０℃の範囲内にすることが好ましい。より好ましくは−３５〜３０℃、さらに好ましくは−３０〜０℃である。電子ビームを用いる場合は、その出力が２．０〜８．０ｋＷの範囲内のもので行うのが好ましい。より好ましくは３．０〜７．０ｋＷ、さらに好ましくは４．０〜６．０ｋＷの範囲内である。なお、直接ルツボを加熱することで金属材料を加熱蒸発させてもよい。
【００５９】
酸素ガスは、ガス流量制御装置を用いて０．５〜１０Ｌ／ｍｉｎの流量で真空チャンバ内部に導入するのが好ましい。より好ましくは１．５〜８Ｌ／ｍｉｎ、さらに好ましくは２．０〜５Ｌ／ｍｉｎである。
【００６０】
真空チャンバの内部におけるＦ層の搬送速度は２０〜２００ｍ／ｍｉｎが好ましい。より好ましくは３０〜１００ｍ／ｍｉｎ、さらに好ましくは４０〜８０ｍ／ｍｉｎである。搬送速度が２０ｍ／ｍｉｎより遅い場合、上記のようなＭ層厚みに制御するためには金属の蒸発量をかなり小さくする必要がある。厚みや酸化度の制御が非常に難しくなる。搬送速度が２００ｍ／ｍｉｎより速くなると、冷却ドラムとの接触時間が短くなるため熱による破れやシワが発生し、生産性が低下する傾向がある。また、金属蒸気と酸素ガスとが不充分な反応状態で成膜されやすく、酸化度の制御が難しくなる場合がある。蒸着は片面ずつ行ってもよいし、両面を１工程で行ってもよい。
【００６１】
蒸着後、Ｍ層を安定化させ、緻密性を高めるためには、真空蒸着装置内を常圧に戻して、巻取ったフィルムを巻き返すことが好ましい。特に、未結合原子を減らすためには加湿巻き返しを行うことが水蒸気とＭ層が接触する機会が長くなるため好ましい。加湿巻き返しは２０〜４０℃で６０〜８０％ＲＨで行うことが好ましい。さらに、２０〜５０℃の温度で１〜３日間エージングすることが好ましく、さらに好ましくは湿度６０％以上の結露しない程度の環境下でエージングすることが好ましい。
【００６２】
次に、磁気記録媒体を製造する方法を説明する。上記のようにして得られた支持体を、磁気記録媒体用支持体として用いる場合、たとえば０．１〜３ｍ幅にスリットし、速度２０〜３００ｍ／ｍｉｎ、張力５０〜３００Ｎ／ｍで搬送しながら、一方の面（Ａ）に磁性塗料および非磁性塗料をエクストルージョンコーターにより重層塗布する。なお、上層に磁性塗料を厚み０．１〜０．３μｍで塗布し、下層に非磁性塗料を厚み０．５〜１．５μｍで塗布する。その後、磁性塗料および非磁性塗料が塗布された支持体を磁気配向させ、温度８０〜１３０℃で乾燥させる。次いで、反対側の面（Ｂ）にバックコートを厚み０．３〜０．８μｍで塗布し、カレンダー処理した後、巻き取る。なお、カレンダー処理は、小型テストカレンダー装置（スチール／ナイロンロール、５段）を用い、温度７０〜１２０℃、線圧０．５〜５ｋＮ／ｃｍで行う。その後、６０〜８０℃にて２４〜７２時間エージング処理し、１／２インチ（１．２７ｃｍ）幅にスリットし、パンケーキを作製する。次いで、このパンケーキから特定の長さ分をカセットに組み込んで、カセットテープ型磁気記録媒体とする。
【００６３】
ここで、磁性塗料などの組成は、例えば後述の実施例の測定にある組成などが挙げられる。磁気記録媒体は上記に示した以外に、コバルト、ニッケル、鉄などを蒸着やスパッタなどにより設けた強磁性薄膜型磁性層を有するものでもかまわない。
このようにして得られた磁気記録媒体は、例えば、データ記録用途、具体的にはコンピュータデータのバックアップ用途（例えばリニアテープ式の記録媒体（ＬＴＯ４やＬＴＯ５など））や映像などのデジタル画像の記録用途などに好適に用いることができる。
【実施例】
【００６４】
以下に実施例及び比較例を挙げ、本発明をより具体的に説明する。なお、本発明では、以下の方法により、その特性を測定および評価した。
【００６５】
（１）固有粘度
得られた樹脂の固有粘度はＰ−クロロフェノール／１，１，２，２−テトラクロロエタン（４０／６０重量比）の混合溶媒を用いてポリマーを溶解して３５℃で測定して求めた。
【００６６】
（２）ガラス転移点および融点
ガラス転移点および融点は、それぞれの層に用いる樹脂を用意し、ＤＳＣ（ＴＡインスツルメンツ株式会社製、商品名：Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎａｌｙｓｔ２９２０）により、昇温速度２０℃／ｍｉｎで測定した。
【００６７】
（３）ヤング率
得られたＦ層および支持体を試料巾１０ｍｍ、長さ１５ｃｍで切り取り、チャック間１００ｍｍ、引張速度１０ｍｍ／分、チャート速度５００ｍｍ／分の条件で万能引張試験装置（東洋ボールドウィン製、商品名：テンシロン）にて引っ張る。得られた荷重―伸び曲線の立ち上がり部の接線よりヤング率を計算した。
【００６８】
（４）湿度膨張係数（αｈ）
得られたＦ層、支持体および磁気テープを、フィルムの幅方向が測定方向となるように長さ１５ｍｍ、幅５ｍｍに切り出し、真空理工製ＴＭＡ３０００にセットし、３０℃の窒素雰囲気下で、湿度３０％ＲＨと湿度７０％ＲＨにおけるそれぞれのサンプルの長さを測定し、次式にて湿度膨張係数を算出する。５回測定し、その平均値をαｈとした。
αｈ＝（Ｌ７０−Ｌ３０）／（Ｌ３０×△Ｈ）
ここで、上記式中のＬ３０は３０％ＲＨのときのサンプル長（ｍｍ）、Ｌ７０は７０％ＲＨのときのサンプル長（ｍｍ）、△Ｈ：４０（＝７０−３０）％ＲＨである。
なお、磁気ヘッドの湿度膨張係数は０ｐｐｍ／％ＲＨであることから、磁気テープにした状態で、幅方向の湿度膨張係数が０に近いほど優れているといえる。
【００６９】
（５）積層フィルムおよびフィルム層の厚み
積層フィルムを層間の空気を排除しながら１０枚重ね、ＪＩＳ規格のＣ２１５１に準拠し、（株）ミツトヨ製ダイヤルゲージＭＤＣ−２５Ｓを用いて、１０枚重ね法にて厚みを測定し、１枚当りのフィルム厚みを計算する。この測定を１０回繰り返して、その平均値を１枚あたりの積層フィルムの全体の厚みとした。
一方、フィルム層（Ａ）およびフィルム層（Ｂ）の厚みは、フィルムの小片をエポキシ樹脂にて固定成形し、ミクロトームにて約６０ｎｍの厚みの超薄切片（フィルムの製膜方向および厚み方向に平行に切断する）を作成する。この超薄切片の試料を透過型電子顕微鏡（日立製作所製Ｈ−８００型）にて観察しその境界をからフィルム層（Ａ）とＢの厚みを求めた。
【００７０】
（６）吸水率
各層に用いる樹脂を厚み１００μｍの未延伸フィルムを作成し、ＪＩＳ Ｋ７２０９Ａ法に準拠して測定した。
【００７１】
（７）温度膨張係数（αｔ）
得られたＦ層および支持体を、フィルムの幅方向が測定方向となるようにそれぞれ長さ１５ｍｍ、幅５ｍｍに切り出し、真空理工製ＴＭＡ３０００にセットし、窒素雰囲気下（０％ＲＨ）、６０℃で３０分前処理し、その後室温まで降温させる。その後２５℃から７０℃まで２℃／ｍｉｎで昇温して、各温度でのサンプル長を測定し、次式より温度膨張係数（αｔ）を算出する。なお、５回測定し、その平均値を用いた。
αｔ＝｛（Ｌ６０−Ｌ４０）｝／（Ｌ４０×△Ｔ）｝＋０．５
ここで、上記式中のＬ４０は４０℃のときのサンプル長（ｍｍ）、Ｌ６０は６０℃のときのサンプル長（ｍｍ）、△Ｔは２０（＝６０−４０）℃、０．５は石英ガラスの温度膨張係数（ｐｐｍ／℃）である。なお、磁気ヘッドの温度膨張係数は通常７ｐｐｍ／℃であることから、磁気テープにした状態で、幅方向の温度膨張係数が７ｐｐｍ／℃に近いほど優れているといえる。
【００７２】
（８）中心面平均粗さ（Ｒａ）
Ｚｙｇｏ社製 非接触三次元表面構造解析顕微鏡（ＮｅｗＶｉｅｗ５０２２）を用いて測定倍率２５倍、測定面積２８３μｍ×２１３μｍ（＝０．０６０３ｍｍ２）の条件にて測定し、該粗さ計に内蔵された表面解析ソフトにより中心面平均粗さＲａを以下の式より求めた。
【数１】
Ｚｊｋは測定方向（２８３μｍ）、それと直行する方向（２１３μｍ）をそれぞれＭ分割、Ｎ分割したときの各方向のｊ番目、ｋ番目の位置における２次元粗さチャート上の高さである。
【００７３】
（９）Ｍ層の厚み
下記条件にて断面観察を行い、得られた合計９点の厚み（ｎｍ）の平均値を算出し、Ｍ層の厚み（ｎｍ）とする。
・測定装置：透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ） 日立製Ｈ−７１００ＦＡ型
・測定条件：加速電圧 １００ｋＶ
・測定倍率：２０万倍
・試料調製：超薄膜切片法
・観察面 ：ＴＤ−ＺＤ断面
・測定回数：１視野につき３点、３視野を測定する。
【００７４】
（１０）データストレージ（磁気テープ）の作成
ダイコーターで、３０ＭＰａの張力条件で、幅５００ｍｍにスリットされた長さ８５０ｍの支持体の平坦な側の表面に、下記組成の非磁性塗料、磁性塗料を同時に、乾燥後の非磁性層および磁性層の厚みが、それぞれ１．２μｍおよび０．１μｍとなるように膜厚を変えて塗布し、磁気配向させて１２０℃×３０秒の条件で乾燥させる。さらに、小型テストカレンダ−装置（スチ−ルロール／ナイロンロール、５段）で、温度：７０℃、線圧：２００ｋｇ／ｃｍでカレンダ−処理した後、７０℃、４８時間キュアリングする。次に、その磁性層の反対面に下記組成のバックコートを固形分の厚みが０．５μｍとなるように塗布した後、小型テストカレンダー装置（スチール／ナイロンロール、５段）で、温度８５℃、線圧２００ｋｇ／ｃｍでカレンダー処理し、巻き取る。上記テープ原反を１／２インチ幅にスリットし、それをＬＴＯ用のケースに組み込み、長さが８５０ｍのデータストレージカートリッジを作成した。
【００７５】
（非磁性塗料の組成）
・非磁性無機質粉末（α−酸化鉄：平均長軸長：０．１５μｍ，平均針状比：７，ＢＥＴ比表面積：５２ｍ２／ｇ）：１００重量部
・エスレックＡ（積水化学製塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体：１０重量部
・ニッポラン２３０４（日本ポリウレタン製ポリウレタンエラストマ）：１０重量部
・コロネートＬ（日本ポリウレタン製ポリイソシアネート） ： ５重量部
・レシチン： １重量部
・メチルエチルケトン：７５重量部
・メチルイソブチルケトン：７５重量部
・トルエン：７５重量部
・カーボンブラック（平均粒子径：２０ｎｍ）： ２重量部
・ラウリン酸：１．５重量部
【００７６】
（磁性塗料の組成）
・磁性粉（戸田工業株式会社製、商品名：ＮＦ３０ｘ）：１００重量部
・エスレックＡ（積水化学製塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体）：１０重量部
・ニッポラン２３０４（日本ポリウレタン製ポリウレタンエラストマ）：１０重量部
・コロネートＬ（日本ポリウレタン製ポリイソシアネート） ： ５重量部
・レシチン： １重量部
・メチルエチルケトン：７５重量部
・メチルイソブチルケトン：７５重量部
・トルエン：７５重量部
・カーボンブラック（平均粒子径：２０ｎｍ）： ２重量部
・ラウリン酸：１．５重量部
【００７７】
（バックコートの組成）
・カーボンブラック（平均粒径２０ｎｍ） ： ９５重量部
・カーボンブラック（平均粒径２８０ｎｍ）： １０重量部
・αアルミナ ： ０．１重量部
・変成ポリウレタン ： ２０重量部
・変成塩化ビニル共重合体 ： ３０重量部
・シクロヘキサノン ： ２００重量部
・メチルエチルケトン ： ３００重量部
・トルエン ： １００重量部
【００７８】
（１１）クラック
支持体の表面を光学顕微鏡により倍率５００倍で１００視野観察し、以下の評価基準で評価した。
○；クラックが観察されない
×；１視野以上でクラックが観察される
【００７９】
（１２）塗布適性
ダイコーターで、３０ＭＰａの張力条件で、幅５００ｍｍにスリットされた長さ５００ｍのフィルムの一方の表面に、上記（１０）の作成で用いた組成の非磁性塗料、磁性塗料を同時に、乾燥後の非磁性層および磁性層の厚みが、それぞれ１．２μｍおよび０．１μｍとなるように膜厚を変えて塗布し、磁気配向させて１２０℃×３０秒の条件で乾燥させる。塗布直後および乾燥後のシワの状態を観察し以下の基準で評価した。
◎；塗布直後も乾燥後もシワなし
○；塗布直後はシワが見えるが、乾燥後はシワなし
△；塗布直後にシワが見え、乾燥後も残る。部分的にテープ化は何とか可能なレベル。
×；塗布直後にシワが見え、乾燥後も全面に残る。
【００８０】
［参考例１］
２，６−ナフタレンジカルボン酸ジメチルとエチレングリコールとを、チタンテトラブトキシドの存在下でエステル化反応およびエステル交換反応を行い、さらに引き続いて重縮合反応を行い、固有粘度が０．６３ｄｌ／ｇのポリエチレン−２，６−ナフタレート（ＰＥＮ）を得た。
【００８１】
［参考例２］
２，６−ナフタレンジカルボン酸ジメチル、６，６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸そしてエチレングリコールとを、チタンテトラブトキシドの存在下でエステル化反応およびエステル交換反応を行い、さらに引き続いて重縮合反応を行い、酸成分の３０モル％が２，６−ナフタレンジカルボン酸成分、酸成分の７０モル％が６，６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分で、固有粘度が０．６３ｄｌ／ｇである共重合ポリエチレン−２，６−ナフタレート（ＰＥＮ−ＡＮＡ７０）を得た。
【００８２】
［参考例３］
テレフタル酸ジメチルとエチレングリコールとを、チタンテトラブトキシドの存在下でエステル交換反応を行い、さらに引き続いて重縮合反応を行い、固有粘度が０．６５ｄｌ／ｇであるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のペレットを得た。
【００８３】
［参考例４］
テレフタル酸ジメチル、６，６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸そしてエチレングリコールとを、チタンテトラブトキシドの存在下でエステル化反応およびエステル交換反応を行い、さらに引き続いて重縮合反応を行い、酸成分の４０モル％がテレフタル酸成分、酸成分の６０モル％が６，６’−（アルキレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分で、固有粘度が０．６５ｄｌ／ｇである共重合ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ−ＡＮＡ６０）を得た。
【００８４】
［参考例５］
ポリエ−テルイミド（ＰＥＩ）として、Ｇｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ社製“Ｕｌｔｅｍ”（登録商標））を用意した。
【００８５】
［実施例１］
フィルム層（Ａ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例３のＰＥＴを用意し、他方フィルム層（Ｂ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例３のＰＥＴと参考例４のＰＥＴ−ＡＮＡ６０を重量比５２：４８でブレンドしたものを用意した。
そして、これらのポリマーを１７０℃で４時間乾燥後、押出し機に供給し、２９５℃まで加熱して溶融状態とし、フィルム層（Ａ）用のポリマーを２５層、フィルム層（Ｂ）用のポリマーを２５層に分岐させた後、それぞれの層が交互に積層するような多層フィードブロック装置を使用して、その積層状態を保持したままダイへと導き、溶融状態で回転中の温度５０℃の冷却ドラム上にシート状に押し出し、総数５０層の未延伸多層積層フィルムを作成した。なお、フィルム層（Ａ）については、表１に示すように、表面に位置するフィルム層（Ａ）を平坦層表面として厚くし、他のフィルム層（Ａ）は同じ厚みになるように調整した。そして、製膜方向に沿って回転速度の異なる二組のローラー間で、上方よりＩＲヒーターにてフィルム表面温度が１００℃になるように加熱して縦方向（製膜方向）の延伸を、延伸倍率３．６倍で行い、一軸延伸フィルムを得た。そして、この一軸延伸フィルムをステンターに導き、１２０℃で横方向（幅方向）に延伸倍率４．７倍で延伸し、その後２２０℃で２秒間熱固定処理を行い、厚さ４．４μｍの二軸配向多層積層フィルムを得た。
上記の方法で作成した二軸配向多層積層フィルムの両面に、以下の方法で、Ｍ層を設けた。まず、真空蒸着装置内に設置されたフィルム走行装置に、得られた二軸配向多層積層フィルムをセットし、１．００×１０−３Ｐａの高真空にした後に、２０℃の冷却金属ドラムを介して走行させた。このとき、アルミのターゲットを電子ビームで加熱蒸発させ、酸素を導入して、アルミと酸素のモル比が４２：５８の部分酸化アルミのＭ層（厚み：６０ｎｍ）を形成し、さらに連続で、反対側の面に同様にしてＭ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。なお、Ｍ層の元素分析は、Ｘ線光電子分光器などを用いて測定することができる。
【００８６】
［実施例２］
フィルム層（Ａ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例３のＰＥＴと参考例４のＰＥＩとを重量比８５：１５でブレンドしたものを用意し、他方フィルム層（Ｂ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例３のＰＥＴと参考例４のＰＥＴ−ＡＮＡ６０を重量比６３：３７でブレンドしたものを用意した。
そして、これらのポリマーを１７０℃で４時間乾燥後、押出し機に供給し、２９５℃まで加熱して溶融状態とし、フィルム層（Ａ）用のポリマーの片面に、フィルム層（Ｂ）用のポリマーをフィードブロック中で積層し、その積層状態を保持したままダイへと導き、溶融状態で回転中の温度５０℃の冷却ドラム上にシート状に押し出し、総数２層の未延伸積層フィルムを作成した。なお、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）の厚みはそれぞれ表１に示すようになるように供給量を調整した。そして、製膜方向に沿って回転速度の異なる二組のローラー間で、上方よりＩＲヒーターにてフィルム表面温度が１０５℃になるように加熱して縦方向（製膜方向）の延伸を、延伸倍率３．６倍で行い、一軸延伸フィルムを得た。そして、この一軸延伸フィルムをステンターに導き、１３０℃で横方向（幅方向）に延伸倍率４．７倍で延伸し、その後２２０℃で２秒間熱固定処理を行い、厚さ４．４μｍの二軸配向積層フィルムを得た。
そして、このようにして得られた二軸配向積層フィルムの両面に、膜厚をそれぞれ７０ｎｍとなるように変更した以外は実施例１と同様にして、Ｍ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００８７】
［実施例３］
フィルム層（Ａ）用のポリマーを、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例３のＰＥＴと参考例４のＰＥＩとを重量比８５：１５でブレンドしたものに変更し、表１に示すようにそれぞれのフィルム層の厚みを変更し、縦延伸を延伸温度９５℃で延伸倍率３．８倍に、横延伸を延伸温度１２５℃で延伸倍率４．５倍に、そして、熱固定温度を２１０℃で３秒に変更したほかは実施例１と同様にして二軸配向多層積層フィルムを作成した。
上記の方法で作成した二軸配向多層積層フィルムの両面に、実施例１と同様にして、Ｍ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００８８】
［実施例４］
表１に示すようにそれぞれのフィルム層の厚みを変更したほかは実施例３と同様にして二軸配向多層積層フィルムを作成した。
上記の方法で作成した二軸配向多層積層フィルムの両面に、アルミの代わりにシリカ（ＳｉＯ）を用い、珪素と酸素のモル比が３７：６３の部分酸化ケイ素とし、かつその厚みをそれぞれ８０ｎｍとなるように変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｍ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００８９】
［実施例５］
実施例２において、フィルム層（Ｂ）用のポリマーを表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例１のＰＥＮと参考例２のＰＥＮ−ＡＮＡ７０を重量比７０：３０でブレンドしたものに変更した。そして、表１に示すようにそれぞれのフィルム層の厚みを変更し、縦延伸を延伸温度１３０℃で延伸倍率４．５倍に、横延伸を延伸温度１４０℃で延伸倍率５．５倍に、そして、熱固定を温度２２０℃で３秒に変更したほかは実施例２と同様にして二軸配向積層フィルムを作成した。
そして、このようにして得られた二軸配向積層フィルムの両面に、膜厚をそれぞれ４０ｎｍとなるように変更した以外は実施例１と同様にして、Ｍ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９０】
［実施例６］
実施例５において、二軸配向積層フィルムの両面に設けるＭ層を、アルミの代わりにシリカ（ＳｉＯ）を用い、珪素と酸素のモル比が３７：６３の部分酸化ケイ素とし、かつ厚みをそれぞれ７０ｎｍとなるように変更して形成した以外は、同様な操作を繰り返した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９１】
［実施例７］
フィルム層（Ａ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例３のＰＥＴと参考例５のＰＥＩとを重量比８５：１５でブレンドしたものを用意し、他方フィルム層（Ｂ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例１のＰＥＴと参考例２のＰＥＮ−ＡＮＡ７０を重量比６０：４０でブレンドしたものを用意した。
そして、これらのポリマーを１７０℃で６時間乾燥後、押出し機に供給し、２９５℃まで加熱して溶融状態とし、フィルム層（Ａ）用のポリマーを１０１層、フィルム層（Ｂ）用のポリマーを１０１層に分岐させた後、それぞれの層が交互に積層するような多層フィードブロック装置を使用して、その積層状態を保持したままダイへと導き、溶融状態で回転中の温度５０℃の冷却ドラム上にシート状に押し出し、総数２０２層の未延伸多層積層フィルムを作成した。なお、フィルム層（Ａ）については、表１に示すように、表面に位置するフィルム層（Ａ）を平坦層表面として厚くし、他のフィルム層（Ａ）は同じ厚みになるように調整した。そして、製膜方向に沿って回転速度の異なる二組のローラー間で、上方よりＩＲヒーターにてフィルム表面温度が１３０℃になるように加熱して縦方向（製膜方向）の延伸を、延伸倍率４．７倍で行い、一軸延伸フィルムを得た。そして、この一軸延伸フィルムをステンターに導き、１４５℃で横方向（幅方向）に延伸倍率５．３倍で延伸し、その後２１０℃で２秒間熱固定処理を行い、厚さ３．９μｍの二軸配向多層積層フィルムを得た。
上記の方法で作成した二軸配向多層積層フィルムの両面に、それぞれのＭ層の厚みを３０ｎｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｍ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９２】
［実施例８］
実施例７において、縦および横方向の延伸倍率をそれぞれ４．５倍と５．０倍に変更して二軸配向多層積層フィルムを作成し、その両面に形成するＭ層を、アルミの代わりにシリカ（ＳｉＯ）を用い、珪素と酸素のモル比が３７：６３の部分酸化ケイ素とし、かつ厚みをそれぞれ７０ｎｍとなるように変更して形成した以外は、同様な操作を繰り返した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９３】
［実施例９］
フィルム層（Ａ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例１のＰＥＮを用意し、他方フィルム層（Ｂ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例１のＰＥＮと参考例２のＰＥＮ−ＡＮＡ７０を重量比６０：４０でブレンドしたものを用意し、表１に示すようにそれぞれのフィルム層の厚みを変更し、縦延伸を延伸温度１２５℃で延伸倍率４．７倍に、横延伸を延伸温度１４５℃で延伸倍率５．８倍に、そして、熱固定処理を温２１０℃で２秒に変更したほかは実施例２と同様にして二軸配向積層フィルムを作成した。
そして、このようにして得られた二軸配向積層フィルムの両面に、膜厚をそれぞれ４０ｎｍとなるように変更した以外は実施例１と同様にして、Ｍ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９４】
［実施例１０］
実施例９において、表１に示すようにＦ層の厚みを変更し、二軸配向積層フィルムの両面に形成するＭ層を、アルミの代わりにシリカ（ＳｉＯ）を用い、珪素と酸素のモル比が３７：６３の部分酸化ケイ素とし、かつ厚みをそれぞれ８０ｎｍとなるように変更して形成した以外は、同様な操作を繰り返した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９５】
［実施例１１］
フィルム層（Ａ）用のポリマーとして、参考例１のＰＥＮを用意し、他方フィルム層（Ｂ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例１のＰＥＮと参考例２のＰＥＮ−ＡＮＡ７０を重量比６０：４０でブレンドしたものを用意した。
そして、これらのポリマーを１７０℃で６時間乾燥後、押出し機に供給し、２９５℃まで加熱して溶融状態とし、フィルム層（Ａ）用のポリマーを５１層、フィルム層（Ｂ）用のポリマーを５１層に分岐させた後、それぞれの層が交互に積層するような多層フィードブロック装置を使用して、その積層状態を保持したままダイへと導き、溶融状態で回転中の温度５０℃の冷却ドラム上にシート状に押し出し、総数１０２層の未延伸多層積層フィルムを作成した。なお、フィルム層（Ａ）については、表１に示すように、表面に位置するフィルム層（Ａ）を平坦層表面として厚くし、他のフィルム層（Ａ）は同じ厚みになるように調整した。そして、製膜方向に沿って回転速度の異なる二組のローラー間で、上方よりＩＲヒーターにてフィルム表面温度が１２５℃になるように加熱して縦方向（製膜方向）の延伸を、延伸倍率５．０倍で行い、一軸延伸フィルムを得た。そして、この一軸延伸フィルムをステンターに導き、１４５℃で横方向（幅方向）に延伸倍率６．０倍で延伸し、その後２１０℃で２秒間熱固定処理を行い、厚さ３．９μｍの二軸配向多層積層フィルムを得た。
上記の方法で作成した二軸配向多層積層フィルムの両面に、厚みを４０ｎｍに変更する以外は実施例１と同様な操作を繰り返してＭ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９６】
［実施例１２］
実施例１１において、フィルム層（Ｂ）用のポリマーにおける参考例１のＰＥＮと参考例２のＰＥＮ−ＡＮＡ７０の重量比を４０：６０に変更し、表１に示すようにそれぞれのフィルム層の厚みを変更し、縦延伸の延伸倍率を５．２倍に変更したほかは同様にして二軸配向多層積層フィルムを作成した。
上記のようにして得られた二軸配向積層フィルムの両面に形成するＭ層を、アルミの代わりにシリカ（ＳｉＯ）を用い、珪素と酸素のモル比が３７：６３の部分酸化ケイ素とし、かつ厚みをそれぞれ５０ｎｍとなるように変更して形成した以外は、実施例１１と同様な操作を繰り返して支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９７】
［比較例１］
実施例２において、フィルム層（Ｂ）用のポリマーを、表１に示すように不活性粒子をそれぞれ含有させた参考例３のＰＥＴと参考例４のＰＥＩとを重量比８５：１５でブレンドしたものに変更し、表１に示すようにそれぞれのフィルム層の厚みを変更し、縦延伸を延伸温度１０５℃で延伸倍率３．６倍に、横延伸を延伸温度１３０℃で延伸倍率４．７倍に、そして、熱固定処理を２２０℃で２秒に変更したほかは同様にして二軸配向積層フィルムを作成した。
上記のようにして得られた二軸配向積層フィルムの両面に形成するＭ層の厚みをそれぞれ５０ｎｍとなるように変更して形成した以外は、実施例２と同様な操作を繰り返して支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９８】
［比較例２］
実施例２において、フィルム層（Ａ）およびＢ用のポリマーを、表１に示すように不活性粒子をそれぞれ含有させた参考例１のＰＥＮに変更し、表１に示すようにそれぞれのフィルム層の厚みを変更し、縦延伸を延伸温度１２５℃で延伸倍率５．０倍に、横延伸を延伸温度１４０℃で延伸倍率６．０倍に、そして、熱固定処理を２１５℃で２秒に変更したほかは同様にして二軸配向積層フィルムを作成した。
上記のようにして得られた二軸配向積層フィルムの両面に形成するＭ層の厚みをそれぞれ１２０ｎｍとなるように変更して形成した以外は、実施例２と同様な操作を繰り返して支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９９】
［比較例３］
比較例２において、表１に示すようにそれぞれのフィルム層の厚みを変更し、Ｍ層の厚みをそれぞれ１０ｎｍとなるように変更した以外は、同様な操作を繰り返して支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【０１００】
［比較例４］
実施例１１において、Ｍ層を形成しなかった以外は同様な操作を繰り返した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【０１０１】
［比較例５］
実施例１１において、フィルム層（Ａ）用のポリマーを用いずに厚さ３．９μｍの単層フィルムとし、縦延伸を延伸温度１３３℃で延伸倍率４．７倍に、横延伸を延伸温度１３５℃で延伸倍率８．３倍に、そして、熱固定処理を２０２℃で１０秒に変更したほかは同様にして二軸配向フィルムを作成した。
上記の方法で作成した二軸配向フィルムの両面に、厚みを５０ｎｍに変更する以外は実施例１１と同様な操作を繰り返してＭ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【０１０２】
【表１】
【０１０３】
ここで、表１中の、ＰＥＴはポリエチレンテレフタレート、ＰＥＮはポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート、ＰＥＴ−ＡＮＡ１５、ＰＥＴ−ＡＮＡ２１は、全酸成分に対して、それぞれ１５モル％２１モル％が６，６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分であるポリエチレンテレフタレート、ＰＥＴ−ＰＥＩ１５は、ポリエーテルイミドを１５重量％含有するポリエチレンテレフタレート、ＰＥＮ−ＡＮＡ１５、ＰＥＴ−ＡＮＡ２１、ＰＥＮ−ＡＮＡ３４は、それぞれ、全酸成分に対して、それぞれ１５モル％、２１モル％、３４モル％が６，６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分であるポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート、架橋Ｐｓｔは架橋ポリスチレン粒子、ＡｌＯｘはアルミと酸素の元素のモル比が４２：５８の部分酸化アルミ、ＳｉＯｘは珪素と酸素の元素のモル比が３７：６３の部分酸化ケイ素、ＭＤおよびＴＤはそれぞれフィルムの製膜（長手）方向および幅（横）方向を意味する。
【産業上の利用可能性】
【０１０４】
本発明の支持体は、クラックなどが改善され、優れた寸法安定性と塗布適性を具備することから、さまざまな用途に利用でき、特に高密度磁気記録媒体の支持体として好適に利用できる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二軸配向積層フィルムの少なくとも片面に金属類または金属系無機化合物からなる層（Ｍ層）が設けられた磁気記録媒体用支持体に関する。
【背景技術】
【０００２】
二軸延伸ポリエステルフィルムはその優れた熱特性、寸法安定性、機械特性および表面形態の制御のし易さから各種用途に使用されており、特に磁気記録媒体などの支持体としての有用性がよく知られている。近年、磁気テープなどの磁気記録媒体は、機材の軽量化、小型化、大容量化のため、ベースフィルムの薄膜化や高密度記録化が要求されている。高密度記録化のためには、記録波長を短くし、記録トラックを小さくすることが有用である。しかしながら、記録トラックを小さくすると、テープ走行時における熱やテープ保管時の温湿度変化による変形により、記録トラックのずれが起こりやすくなるという問題がある。したがって、テープの使用環境および保管環境での寸法安定性といった特性の改善に対する要求がますます強まっている。
【０００３】
この観点から、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートなどを用いたポリエステルフィルムにおいて、延伸技術を用いて高強度化した磁気記録媒体用支持体が開発されている。しかしながら、高強度化によってその方向の温度膨張係数や湿度膨張係数は小さくできるものの、高強度化していくと湿度膨張係数は小さくなるものの、その方向の温度膨張係数が負の値となり、すなわち温度の上昇に伴う収縮挙動が発現し、寸法安定性が損なわれるという問題があった。
【０００４】
また、ポリエステルフィルムの片面または両面に金属などの層（Ｍ層）を設ける方法（特許文献１〜４など）が開示されている。しかしながら、湿度膨張係数を小さくするなど寸法安定性のためにＭ層の厚みを厚くしていくと、Ｍ層にクラックが入りやすくなり、Ｍ層による改善だけでは限界があった。
【０００５】
一方、特許文献５および６では、６，６’−（アルキレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分と他の芳香族ジカルボン酸成分とを共重合させた芳香族ポリエステルからなるフィルムが、磁気記録媒体として使用する際の温度や湿度の変化に対する寸法安定性に優れることを開示している。しかしながら、さらに検討を進めたところ、このフィルムは、温度や湿度の変化に対する寸法安定性に優れるものの、通常、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートフィルムでは問題とならない１２０℃程度の温度での加工において、フィルムが張力を負荷した方向に伸びやすく、塗布適性に問題があることが判明した。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３０８１８号公報
【特許文献２】特開２００５−１９６９４４号公報
【特許文献３】特開２００６−２７７９２０号公報
【特許文献４】特開２００３−２４２６３０号公報
【特許文献５】国際公開第２００８／０１０６０７号パンフレット
【特許文献６】国際公開第２００８／０９６６１２号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、温度や湿度といった環境変化に対する寸法安定性に優れ、高温下で荷重を負荷するような塗布適性に優れ、特に磁気記録媒体のベースフィルムに適した支持体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決しようと鋭意研究したところ、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレン−２，６−ナフタレートなどからなるフィルム層と、吸水率とガラス転移温度がそれらよりも低い熱可塑性樹脂からなるフィルム層を積層して延伸したところ、それらを単純にブレンドしたフィルムに比べ、同じ温度膨張係数ならより低い湿度膨張係数を具備し、さらにその片面または両面に金属などの層（Ｍ層）を設けることで、極めて環境変化に対する寸法安定性に優れ、しかも塗布適性も改善された磁気記録媒体用支持体が得られることを見出し、本発明に到達した。
【０００９】
かくして本発明によれば、二軸配向積層フィルム（Ｆ層）の少なくとも片面に金属類または金属系無機化合物からなる層（Ｍ層）が設けられた支持体であって、
Ｆ層は、ポリエステル（Ａ）からなるフィルム層（Ａ）と熱可塑性樹脂（Ｂ）からなるフィルム層（Ｂ）とを積層して延伸したものであり、
ポリエステル（Ａ）は、主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレートまたはエチレン−２，６−ナフタレートであること、
熱可塑性樹脂（Ｂ）は、ポリエステル（Ａ）よりも吸水率が０．０３％以上低いこと、
Ｍ層の厚みが、１５〜９０ｎｍの範囲であること、そして
支持体の縦方向のヤング率（ＧＰａ）と支持体の厚み（μｍ）の積が３０（Ｇｐａ・μｍ）以上であることを具備する支持体が提供される。
【００１０】
また、本発明によれば、本発明の好ましい態様として、支持体の厚みが１〜１０μｍであること、支持体が、その片面に磁性層を設けて、磁気記録媒体のベースフィルムに用いられること、支持体の長手方向と幅方向のヤング率の和が１０〜２２ＧＰａであり、かつ、長手方向のヤング率Ｅｍと幅方向のヤング率Ｅｔの比Ｅｍ／Ｅｔが０．５〜１．０の範囲にあること、フィルム層（Ａ）または（Ｂ）の片面または両面にフィルム層（Ｂ）または（Ａ）を積層したこと、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）とを交互に４層以上積層したこと、熱可塑性樹脂（Ｂ）は、主たる繰り返し単位が、下記式（Ｉ）と（ＩＩ）
【化１】
（式（Ｉ）および（ＩＩ）中のＲＡおよびＲＣは炭素数２〜４のアルキレン基またはシクロヘキシレン基、ＲＢはフェニレン基またはナフタレンジイル基である。）とからなり、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位の割合が、全繰り返し単位のモル数を基準として、５モル％以上８０モル％未満の範囲であることの少なくともいずれか一つを具備する支持体も提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、二軸配向積層フィルム（Ｆ層）の少なくとも片面に金属類または金属系無機化合物からなる層（Ｍ層）が設けられた支持体において、
Ｆ層として、主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレートまたはエチレン−２，６−ナフタレートであるポリエステル（Ａ）からなるフィルム層（Ａ）とポリエステル（Ａ）よりも吸水率が０．０３％以上低い熱可塑性樹脂（Ｂ）からなるフィルム層（Ｂ）とを積層して延伸することで、フィルム層（Ｂ）による湿度膨張係数の低減効果を単にブレンドしたものに比べ効率的に発現できる。また、フィルム層（Ａ）が塗布適性をある程度維持できることから、クラックなどの不具合が発生するような厚いＭ層を形成しなくても、非常に塗布適性などに優れた支持体とすることもできる。しかも、本発明の支持体は、Ｆ層自体が極めて環境変化に対する寸法安定性を有することから、単純に前述の特許文献４や５のフィルムにＭ層を形成したものに比べ、同じヤング率や同じ温度膨張係数なら、より湿度膨張係数が小さく、加工時の伸びも抑制された支持体を得ることができ、特に非常に薄い支持体としたときに、優れた塗布適性と寸法安定性を発現することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明は、芳香族ポリエステル（Ａ）からなるフィルム層（Ａ）と、熱可塑性樹脂（Ｂ）からなるフィルム層（Ｂ）とを積層して延伸した二軸配向積層フィルムの少なくとも片面に、金属類または金属系無機化合物からなる層（Ｍ層）が設けられた支持体である。以下、芳香族ポリエステル（Ａ）、熱可塑性樹脂（Ｂ）、Ｆ層およびＭ層に分けて順次説明する。
【００１３】
＜ポリエステル（Ａ）＞
ポリエステル（Ａ）は、フィルム層（Ａ）を構成するもので、塗布適性を向上させる観点から、エチレンテレフタレートまたはエチレン−２，６−ナフタレートを主たる繰り返し単位とするものである。そのような観点から、フィルム層（Ａ）を構成するポリエステル（Ａ）は、エチレンテレフタレートまたはエチレン−２，６−ナフタレート以外の共重合成分の割合は、ポリエステル（Ａ）の全酸成分のモル量を基準として、１０モル％以下、さらに５モル％以下であることが好ましい。
【００１４】
ポリエステル（Ａ）のＰ−クロロフェノール／１，１，２，２−テトラクロロエタン（重量比４０／６０）の混合溶媒を用いて３５℃で測定した固有粘度は、好ましくは０．４５〜１．５ｄｌ／ｇ、より好ましくは０．５〜１．０ｄｌ／ｇ、特に好ましくは０．５５〜０．８ｄｌ／ｇである。
【００１５】
ポリエステル（Ａ）は、フィルム層（Ａ）を構成するポリエステル樹脂組成物としてみたときのＤＳＣにおけるＴｇ（ガラス転移温度）が１１０℃以上であることが、塗布適性の点から好ましい。ポリエステル（Ａ）のガラス転移温度の下限は、好ましくは１１０℃、より好ましくは１１５℃である。上限は特に制限されないがフィルム層（Ｂ）と積層したときの製膜性の点から、好ましくは１７０℃、より好ましくは１５０℃である。このように、芳香族ポリエステル（Ａ）は、よりガラス転移温度（Ｔｇ：℃）が高いことが好ましく、そのような観点からエチレン−２，６−ナフタレートを主たる繰り返し単位とするものが好ましい。また、ガラス転移温度を高くできる共重合成分を共重合したり、ポリエーテルイミドや液晶樹脂をブレンドすること（例えば、特開２０００−３５５６３１号公報、特開２０００−１４１４７５号公報および特開平１１−１５６８号公報などを参照）も好ましく、特にエチレンテレフタレートを主たる繰り返し単位とする場合は、このような共重合やブレンドをすることが好ましい。そのような観点から、ポリエステル（Ａ）の割合は、フィルム層（Ａ）の重量を基準として、７０ｗｔ％以上、さらに８０ｗｔ％以上であることが好ましい。
【００１６】
ポリエステル（Ａ）のＤＳＣで測定した融点は、好ましくは２４０〜３００℃、より好ましくは２５０〜２９０℃、さらに好ましくは２６０〜２８０℃の範囲であることが製膜性の点から好ましい。融点が上記上限を越えると、溶融粘度が大きく溶融押し出しして成形する際に、流動性が劣り、吐出などが不均一化しやすくなり、製膜性が低下しやすい。一方、上記下限未満になると、製膜性は優れるものの、加工時の伸び抑制効果が不十分となりやすい。
【００１７】
＜熱可塑性樹脂（Ｂ）＞
本発明における熱可塑性樹脂（Ｂ）はフィルム層（Ｂ）を構成するものであり、前述のポリエステル（Ａ）に対して、吸水率が０．０５％以上低いもので、フィルム層（Ａ）と積層して製膜できるものであれば特に制限されず、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトンなどいずれであっても良く、これらの中でも前記式（Ｉ）、（ＩＩ）の繰り返し単位からなるポリエステル、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート、液晶性ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリオレフィンが好ましい。
【００１８】
熱可塑性樹脂（Ｂ）の吸水率が、ポリエステル（Ａ）に対して、０．０３％以上低いことで、支持体としたときの湿度膨張係数を低減することができる。好ましいポリエステル（Ａ）と熱可塑性樹脂（Ｂ）の吸水率の差は０．０３〜０．３０％、さらにフィルム層（Ａ）との剥離を抑制しつつ優れた寸法安定性を発現しやすいことから、０．０４〜０．１５％である。また、好ましい熱可塑性樹脂（Ｂ）の吸水率は０．０１〜０．３０％、さらにフィルム層（Ａ）との剥離を抑制しつつ優れた寸法安定性を発現しやすいことから、０．１５〜０．２７％である。
【００１９】
ところで、本発明における熱可塑性樹脂（Ｂ）による湿度膨張係数の低減効果がより効率的に発現される理由は定かではないが、ポリエステル（Ａ）と熱可塑性樹脂（Ｂ）とを積層した状態で延伸するとき、フィルム層（Ａ）側に延伸応力が優先的に配分され、その結果フィルム層（Ａ）の湿度膨張係数をより効率的に低減でき、しかも熱可塑性樹脂（Ｂ）として、吸水率の低いものを使用していることから、延伸応力がフィルム層（Ａ）に優先的に配分されてもフィルム層（Ｂ）の湿度膨張係数の増加が少なく、結果としてポリエステル（Ａ）と熱可塑性樹脂（Ｂ）とを単純にブレンドしたものに比べ、同じヤング率や温度膨張係数なら、より低い湿度膨張係数を発現できるのではないかと考えられる。
【００２０】
ところで、フィルム層（Ａ）と（Ｂ）の剥離を抑える観点からは、熱可塑性樹脂（Ｂ）はポリエステルであることが好ましく、特に前記式（Ｉ）および式（ＩＩ）の繰り返し単位からなり、その繰り返し単位の５モル％以上８０モル％未満が、前記式（Ｉ）のポリエステルが好ましい。式（Ｉ）で示される繰り返し単位の割合が下限未満では湿度膨張係数（αｈ）の低減効果が発現されがたい。なお、上限は、成形性などの観点から、８０モル％未満である。式（Ｉ）で示される成分による湿度膨張係数（αｈ）の低減効果は、少量で非常に効率的に発現され、さらに剥離を抑制する観点から繰り返し単位の５０モル％以上がエチレンテレフタレートまたはエチレン−２，６−ナフタレートであるものが好ましい。好ましい前記式（Ｉ）で示される成分の共重合量の上限は、高温での加工時の伸びを抑制する観点から、４５モル％、さらに４０モル％、よりさらに３５モル％、特に３０モル％である。他方下限は、ガラス転移温度を十分に低くしつつ、吸水率を下げる観点から５モル％、より７モル％、さらに１０モル％、特に１５モル％である。
【００２１】
式（Ｉ）において、ＲＡは炭素数２〜４のアルキレン基またはシクロへキシレン基である。炭素数２〜４のアルキレン基として、エチレン基、トリメチレン基、ブチレン基等が挙げられる。式（Ｉ）におけるジカルボン酸成分としては、６，６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分、６，６’−（トリメチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分および６，６’−（ブチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分などが挙げられ、これらの中でも本発明の効果の点からは、６，６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分が好ましい。
【００２２】
熱可塑性樹脂（Ｂ）のＰ−クロロフェノール／１，１，２，２−テトラクロロエタン（重量比４０／６０）の混合溶媒を用いて３５℃で測定した固有粘度は、好ましくは０．４〜１．５ｄｌ／ｇ、より好ましくは０．５〜１．３ｄｌ／ｇである。
【００２３】
熱可塑性樹脂（Ｂ）は、ＤＳＣで測定した融点が、２００〜２８０℃の範囲、さらに２１０〜２７０℃の範囲の範囲にあることが製膜性の点から好ましい。融点が上記上限を越えると、製膜が難しくなり、他方上記下限未満になると、支持体の機械的特性などが損なわれやすくなる。
【００２４】
また、熱可塑性樹脂（Ｂ）のＤＳＣで測定したガラス転移温度（以下、Ｔｇと称することがある。）は、高温での加工時の伸びを抑制する観点から、好ましくは５０〜１５０℃、より好ましくは７０〜１３０℃、さらに好ましくは８０〜１２０℃の範囲である。Ｔｇがこの範囲にあることは、耐熱性や寸法安定性の点から好ましい。なお、このような融点やガラス転移温度は、熱可塑性樹脂の種類、共重合成分の種類と共重合量、そして副生物などによって調整できる。
【００２５】
＜二軸配向積層フィルム（Ｆ層）＞
本発明におけるＦ層は、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）とを積層したものであり、フィルム層（Ａ）または（Ｂ）の片面または両面にフィルム層（Ｂ）または（Ａ）を積層したＦ層（１）と、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）を交互に４層以上となるように積層したＦ層（２）を包含する。なお、本発明において、幅方向とは、Ｆ層の製膜方向（長手方向、縦方向と称することもある。）に直交する方向であり、横方向と称することもある。
【００２６】
本発明におけるＦ層の厚みは、用途に応じて適宜決めればよく、磁気記録テープのベースフィルムに用いる場合は、好ましくは１〜１０μｍ、より好ましくは２〜６μｍ、さらに好ましくは３〜５μｍである。特に磁気テープの高容量化には厚みが薄いほどよく、しかも厚みが薄くなるほど、より塗布適性や寸法安定性の要求は高くなるので、特に厚さが３．５〜４．５μｍの範囲にあるとき、本発明の支持体による優れた特性が最大限に発現される。
【００２７】
本発明におけるＦ層は、環境変化に対する寸法安定性を向上させる観点から、フィルム層（Ｂ）の厚みの合計が、Ｆ層の厚みに対して、１０〜９０％、さらに１５〜７５％、特に２０〜６０％の範囲であることが好ましい。このような範囲とすることで、湿度変化に対する寸法安定性向上効果と加工時の伸び抑制効果とをより高度に発現できる。 本発明におけるＦ層は、磁気テープなどのベースフィルムとして用いたとき、トラックズレなどを抑制する観点から、Ｆ層の幅方向のヤング率は、６〜１２ＧＰａ、さらに６．５〜１０ＧＰａの範囲にあることが好ましい。上記範囲内にあることで、後述の温度膨張係数や湿度膨張係数を非常に小さくすることができる。また、磁気テープなどのベースフィルムとして用いたとき、加工時や走行時の伸びを抑制しつつ、前述の幅方向に十分なヤング率を具備させる観点から、Ｆ層の製膜方向のヤング率は、４〜１０ＧＰａ、さらに４．５〜８ＧＰａの範囲にあることが好ましい。
【００２８】
本発明におけるＦ層は、優れた寸法安定性、特に磁気テープなどのベースフィルムとして用いたとき、トラックズレなどを抑制する観点から、フィルムの幅方向の温度膨張係数（αｔ）が−１０〜１０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。好ましいフィルムの幅方向の温度膨張係数（αｔ）は、−７〜５ｐｐｍ／℃、さらに−５〜２ｐｐｍ／℃の範囲である。このような温度膨張係数（αｔ）は、幅方向の分子鎖が十分に配向するように延伸倍率を高めたり、延伸温度が過度に高くならないようにすることなどで調整できる。
【００２９】
本発明におけるＦ層は、優れた寸法安定性、特に磁気テープなどのベースフィルムとして用いたとき、トラックズレなどを抑制する観点から、フィルムの幅方向における湿度膨張係数（αｈ）が、１〜６ｐｐｍ／％ＲＨ、さらに１〜５ｐｐｍ／％ＲＨの範囲にあることが好ましい。
【００３０】
また、本発明におけるＦ層は、走行性と平坦性とを両立できるように、適度にフィルムの表面に突起などを形成することが好ましい。Ｆ層の表面に突起を形成する手段としては、フィルム層（Ａ）または（Ｂ）に不活性粒子を含有させたりして、突起を形成したり、Ｆ層の表面に不活性粒子を含有するフィルム層や塗膜を形成すればよい。含有させる不活性粒子としては、（１）耐熱性ポリマー粒子（例えば、架橋シリコーン樹脂、架橋ポリスチレン、架橋アクリル樹脂、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、架橋ポリエステルなどからなる粒子）、（２）金属酸化物（例えば、酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化ケイ素（シリカ）、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ジルコニウムなど）、金属の炭酸塩（例えば、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウムなど）、金属の硫酸塩（例えば、硫酸カルシウム、硫酸バリウムなど）、炭素（例えば、カーボンブラック、グラファイト、ダイアモンドなど）および粘土鉱物（例えば、カオリン、クレー、ベントナイトなど）などのような無機化合物からなる粒子、さらに（３）異なる素材を例えばコアとシェルに用いたコアシェル型などの複合粒子など粒子の状態で添加する外部添加粒子や（４）触媒などの析出によって形成する内部析出粒子などそれ自体公知のものを好適に挙げることができる。
【００３１】
これらの中でも、架橋シリコーン樹脂、架橋アクリル樹脂、架橋ポリエステル、架橋ポリスチレン、酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化ケイ素、カオリン及びクレーからなる群から選ばれる少なくとも１種の粒子であることが好ましい。特に架橋シリコーン樹脂、架橋アクリル樹脂、架橋ポリエステル、架橋ポリスチレンおよび二酸化ケイ素（但し、多孔質シリカなどは除く）からなる群から選ばれる少なくとも１種の粒子であることが、粒子の粒径のバラツキを小さくしやすいことから好ましい。もちろん、これらは２種以上を併用しても良い。
【００３２】
フィルム層（Ａ）または（Ｂ）に不活性粒子を含有させる場合、走行性の観点から好ましい不活性粒子の平均粒径は、０．０５〜１．０μｍ、さらに０．１〜０．８μｍの範囲である。特に磁気記録媒体用の場合、不活性粒子の平均粒径は、好ましくは０．１〜０．５μｍ、より好ましくは０．１〜０．３μｍの範囲である。また、フィルム層に含有させる不活性粒子の含有量は、含有させるフィルム層の重量を基準として、好ましくは０．００５〜１．０重量％、より好ましくは０．０１〜０．５重量％の範囲である。
さらに本発明の二軸配向積層フィルムについて、前述のＦ層（１）および（２）に分けて、詳述する。
【００３３】
＜Ｆ層（１）＞
Ｆ層（１）は、フィルム層（Ｂ）の片面にフィルム層（Ａ）を積層した２層フィルムを包含する。またＦ層（１）は、フィルム層（Ａ）の両面にフィルム層（Ｂ）を積層した３層フィルムも包含する。またＦ層（１）は、フィルム層（Ａ）の両面にフィルム層（Ｂ）を積層した３層フィルムを包含する。本発明におけるＦ層（１）には、本発明の効果を損なわない範囲で、他のフィルム層を積層したり、塗膜層を設けたりしても良い。
【００３４】
本発明におけるＦ層（１）は、走行性と平坦性とをより高度に両立させる観点から、一方の表面粗さ（Ｒａ）と他方の表面粗さ（ＲａＡ）との差が、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは２ｎｍ以上、さらに好ましくは３ｎｍ以上であることが好ましい。表面粗さの差を下限以上にすることで、単層フィルムに比べ、優れた平坦性と巻取性とを高度に具備させることができる。表面粗さの差の上限は、特に制限されないが、平坦な側の表面の形態を粗面側の粗い表面の転写や突き上げによって損なわれないようにする点から、好ましくは８ｎｍ、より好ましくは５ｎｍ、さらに好ましくは４ｎｍである。平坦面側の表面粗さ（Ｒａ）は、好ましくは０．２〜７．０ｎｍ、より好ましくは０．３〜５．０ｎｍ、さらに好ましくは０．５〜４．０ｎｍの範囲である。またＦ層（１）に優れた巻取性を具備させるために、表面粗さの粗い走行面側の表面粗さ（Ｒａ）は、好ましくは２〜１５ｎｍ、より好ましくは３〜１０ｎｍ、さらに好ましくは４〜８ｎｍの範囲である。
【００３５】
なお、このような表面粗さの差を調整するには、前述のように表面粗さの粗い側の表面を形成するフィルム層に、他方の表面層を形成するフィルム層に比べより大きな粒子を含有させるかより多く粒子を含有させるか、さらに塗膜層を形成したりすればよい。
なお、Ｆ層自体のカールを抑制する観点からは、Ｆ層は前述の３層の積層構成が好ましい。ただ、カールは後述のＭ層を、カールが解消されるように、片面だけにつけたり、厚みの異なるＭ層を両面につけることで調整でき、むしろ表面粗さの差を調整しやすく、より平坦性と走行性とを高度に具備させやすいことから、フィルム層（Ａ）の片面にフィルム層（Ｂ）を積層した２層フィルムが好ましい。
【００３６】
＜Ｆ層（２）＞
本発明におけるＦ層（２）は、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）とを交互に４層以上積層したものである。好ましい積層数は、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）の合計層数で１１〜１０００１の範囲、さらに３１〜１００１の範囲にあることが層構成の均一性とカールなどを抑えつつ、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）の延伸性を上げやすいことから好ましい。積層数の上限は特に制限されないが、積層構造を維持しやすい点から、１０，００１以下であることが好ましい。また、フィルム層（Ａ）および（Ｂ）の１層あたり厚みは、０．１〜１，０００ｎｍの範囲、さらに１〜１００ｎｍの範囲にあることが層構成の均一性と効果の発現性の点から好ましい。
【００３７】
本発明におけるＦ層（２）は、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）とを交互に４層以上積層し、フィルム層（Ａ）またはフィルム層（Ｂ）で形成された、第１表層、内層および第２表層を有し、第１表層の表面粗さ（ＲａＸ）が０．５〜５ｎｍの範囲で、第２表層の表面粗さ（ＲａＹ）がＲａＸよりも１ｎｍ以上大きく１０ｎｍ以下である積層フィルム（３）を包含する。第１表層は、第２表層に比べ表面粗さが小さな表層である。
【００３８】
ＲａＸが０．２ｎｍ以上であると滑り性が良好となり巻取り性が良好となる。５ｎｍ以下であると磁気テープとしたときに電磁変換特性が良好となる。ＲａＸの範囲は、より好ましくは０．３〜４ｎｍ、さらに好ましくは０．５〜３ｎｍである。ＲａＹがＲａＸよりも１ｎｍ以上大きいと、表面が適度に粗くなり巻取り性が良くなる。一方１０ｎｍ以下であると、磁気テープとしたときに磁性層表面への転写の恐れがなく、電磁変換特性の悪化やエラーレートの悪化が少ない。ＲａＹの範囲は、好ましくは２〜１５ｎｍ、より好ましくは３〜１０ｎｍ、さらに好ましくは４〜８ｎｍである。
【００３９】
ただ、積層構造を形成するフィルム層（Ａ）およびフィルム層（Ｂ）だけでこのような表面粗さを満足させるのは、単純に一方のフィルム層に不活性粒子を含有させることだけでは難しい。そこで、好ましいフィルムの層構成について、さらに詳述する。
【００４０】
本発明におけるＦ層（２）として、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）の合計数が奇数の積層フィルムがある。すなわち、フィルム層（Ａ）またはフィルム層（Ｂ）のいずれか一方が第１表層および第２表層の双方を形成する場合、（ｉ）内層は、平均粒径０．０１〜１．０μｍの不活性粒子を０．００１〜５重量％含み、（ｉｉ）第１表層および第２表層は、不活性粒子を含有しないか、内層よりも平均粒径の小さな粒子を含有するか、同じ平均粒径の不活性粒子をより少ない含有量で含有し、（ｉｉｉ）第１表層の厚み（ｔＸ）が、第２表層の厚み（ｔＹ）の厚みに対して、１．５倍以上であることが好ましい。
ｔＸをｔＹ対比、１．５倍以上にすることで、内側のフィルム層に内在する不活性粒子による影響を抑え、表面粗さの小さい第１表層をより平坦に調整することができる。
【００４１】
また、本発明におけるＦ層（２）として、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）の合計数が偶数の積層フィルムがある。すなわち、フィルム層（Ａ）およびフィルム層（Ｂ）の一方が第２表層を形成し、他方が第１表層を形成する場合、（ｉ）第２表層は、平均粒径０．０１〜１．０μｍの不活性粒子を０．００１〜５重量％含み、（ｉｉ）第１表層は、不活性粒子を含有しないか、第２表層よりも平均粒径の小さな不活性粒子を含有するか、同じ平均粒径の不活性粒子を第２表層より少ない含有量で含有することが好ましい。
【００４２】
この際、第１表層の厚み（ｔＸ（ｎｍ））、第２表層の厚み（ｔＹ（ｎｍ））、第１表層に隣接するフィルム層の厚み（ｔＸ’（ｎｍ））および第２表層に隣接するフィルム層の厚み（ｔＹ’（ｎｍ））が次の関係式の少なくとも一つを満たすことが好ましい。
（式１） ｔＸ＞１．５×ｔＸ’
（式２） ｔＹ＞１．５×ｔＹ’
【００４３】
式１、式２における厚み比は、より好ましくは２倍以上、さらに好ましくは５倍以上、特に好ましくは１０倍以上である。上限は特に制限されないが、通常５００倍以下、さらに３００倍以下であることが好ましい。ｔＸとｔＸ’が上記（式１）を満たすことにより、表面粗さをより平坦にしやすく、他方ｔＹとｔＹ’が上記（式２）を満たすことにより、表面粗さをより大きく調整しやすくなる。
【００４４】
フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）は、どちらを表面粗さの小さい第１表層にしても良いし、またどちらを表面粗さの大きい第２表層にしても良い。
本発明におけるＦ層（２）は、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）とを交互に４層以上積層し、第１表層、内層および第２表層を形成していれば良いが、第１表層および第２表層とは別の第３表層を有していても良い。特にフィルム層の厚みを薄くする必要があるときに、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）との積層構造をのみでは滑り性と表面平坦性を両立する表層の形成が困難となる場合がある。このような場合、第２表層の上またはその代わりに、それ自体公知の塗膜層や不活性粒子を含有する共押出で形成される第３表層を設けることで、滑り性と表面平坦性を両立させることもできる。 本発明におけるＦ層（２）の交互積層された多層部分の厚みは、上記のように表層とそれ以外で厚みを変えることが好ましいが、その厚みの変化は、表層のみ厚くすることも可能であるし、また、交互積層部分の厚みを厚み方向に連続的に変化させることも可能である。
【００４５】
なお、Ｆ層（２）の積層構造を形成する表層以外の内層の平均厚み（フィルム層（Ａ）の平均厚み：ｔＡ（ｎｍ）、フィルム層（Ｂ）の平均厚み：ｔＢ（ｎｍ））には特に制約はないが、延伸性を確保するための総層数と全厚みの関係から、好ましくは０．５〜１０００ｎｍ、より好ましくは１〜３００ｎｍ、さらに好ましくは２〜２００ｎｍ、特に好ましくは３〜１００ｎｍである。
【００４６】
＜Ｍ層＞
本発明の磁気記録媒体用支持体は、前述のＦ層の片方の表面もしくは両方の表面上に金属類または金属系無機化合物からなる層（Ｍ層）が形成されている。金属類としては、例えば、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｙ、Ｗなどが挙げられ、金属系無機化合物としてはこれらの金属類を酸化させたものが挙げられる。
【００４７】
上記のＭ層を両面に形成する場合、両表面で異なる金属成分を含んでいてもよく、また、複数種の金属成分を混合して含んでいても構わないが、より好ましくは両表面で同一種の金属成分を含む方が良い。中でも、金属系酸化物は、酸化度の制御性、寸法安定性、生産性、環境性の観点から、アルミニウム、銅、亜鉛、銀、珪素元素の少なくとも一種を含んでいることが好ましく、より好ましくはアルミニウム元素が主成分となっていることが好ましい。
【００４８】
ところで、本発明では、Ｍ層の厚みは、それぞれ１５〜９０ｎｍの範囲にあることが必要である。Ｍ層の厚みが１５ｎｍより小さい場合、補強効果が小さく、温度・湿度による環境変化や高温での加工時の伸びが大きくなりやすい。Ｍ層の厚みの下限は、好ましくは２０ｎｍ、より好ましくは２５ｎｍである。一方、Ｍ層の厚みが９０ｎｍより大きい場合は、曲げ剛性が大きくなりやすく、結晶粒などによって表面が荒れやすく、結果としてクラックなどが生じやすくなる。Ｍ層の厚みの上限は、好ましくは８０ｎｍ、より好ましくは７０ｎｍでである。Ｍ層の厚みは、上記の範囲であれば、両表面で異なる厚みでもよい。両表面を同じ厚みに制御すると、得られた支持体がフラットな形状になりやすいので好ましい。また、両表面を異なる厚みに制御すると、得られた支持体がカッピングを起こすことがあるが、磁気記録媒体に使用するために、必要に応じて、カッピングを有する支持体であると、磁気ヘッドあたりが良好であることがある。その場合、磁性層を設ける側の表面（Ａ）と磁性層を設けない側の表面、すなわちバックコート層側の表面（Ｂ）とでは、磁性層を設ける側の表面（Ａ）が凸面になるカッピング形状であることが好ましい。このようなカッピング形状を実現するためには、Ａ面側のＭ層の厚みとＢ面側のＭ層の厚みをそれぞれＭａ、Ｍｂとしたとき、その厚み比（Ｍａ／Ｍｂ）を１〜５とすることが好ましい。Ｍａ／Ｍｂは、より好ましくは１〜３、さらに好ましくは１〜２である。
【００４９】
ところで、本発明の支持体は、支持体の縦方向のヤング率（ＧＰａ）と支持体の厚み（μｍ）の積が３０以上であることが必要である。この積が３０未満では、例えば磁気テープとする際に、塗布工程での張力により長手方向に延びて幅方向にシワが入る、または磁気テープとしたときに、磁気テープの走行方向にかかる張力で長手方向に延びて幅方向に縮み、トラックズレなどを引き起こすからである。もちろん、この積を大きくするには、支持体の縦方向のヤング率（ＧＰａ）と支持体の厚み（μｍ）とを大きくすれば良いのであるが、前述のとおり、記憶容量の観点からは支持体の厚みは薄いほどよい。その点、本発明の支持体は、Ｆ層が非常に寸法安定性に優れつつ塗布適性に優れたフィルム層（Ａ）も有することから、Ｍ層を薄くしつつ、さらに支持体の厚みを４．５μｍ以下、さらに４μｍ以下といった非常に薄いものとしても、塗布適性を高度に維持することができる。
【００５０】
本発明の支持体は、優れた寸法安定性、特に磁気テープなどの支持体として用いたとき、トラックズレなどを抑制する観点から、支持体の幅方向の温度膨張係数（αｔ）が−１０〜１０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。好ましい支持体の幅方向の温度膨張係数（αｔ）は、−７〜５ｐｐｍ／℃、さらに−５〜０ｐｐｍ／℃の範囲である。このような温度膨張係数（αｔ）は、Ｆ層のαｔやＭ層の材質や厚さなどで調整できる。また、本発明の支持体は、優れた寸法安定性、特に磁気テープなどのベースフィルムとして用いたとき、トラックズレなどを抑制する観点から、フィルムの幅方向における湿度膨張係数（αｈ）が、０〜５ｐｐｍ／％ＲＨ、さらに１〜４．５ｐｐｍ／％ＲＨの範囲にあることが好ましい。このような湿度膨張係数（αｈ）は、Ｆ層のαｈやＭ層の材質や厚さなどで調整できる。
【００５１】
また、本発明の支持体は、支持体の長手方向と幅方向のヤング率の和が１０〜２２ＧＰａであり、かつ、長手方向のヤング率Ｅｍと幅方向のヤング率Ｅｔの比Ｅｍ／Ｅｔが０．５〜１．０の範囲にあることが、上記のような寸法安定性を具備させつつ、製造工程を安定化しやすいことから好ましい。
【００５２】
＜支持体の製造方法＞
まず、前述のポリエステル（Ａ）および熱可塑性樹脂（Ｂ）はそれ自体公知の方法で製造できる。さらに不活性粒子を含有させる場合は、フィルム層（Ａ）、（Ｂ）および第３の層への添加方法は、特に制限されず、それぞれの層を構成する樹脂の重合段階で添加したり、重合後に二軸混練押出機などで練り込んだりすればよい。好ましくは、フィルム層中での粒子の分散性をより向上させやすいことから、重合段階で最終のフィルムでの使用よりも多量に不活性粒子を含有させたマスターポリマーを作成し、それを不活性粒子を含有しないポリマーで所望の粒子濃度になるように希釈する方法が好ましい。その際、フィルターなどのろ過によって、粗大粒子などを取り除くことが好ましい。
【００５３】
そして、これらのポリエステル（Ａ）および熱可塑性樹脂（Ｂ）とを原料として用意し、これを乾燥後、溶融状態、好ましくはそれぞれの層を形成するポリエステルの融点（Ｔｍ：℃）ないし（Ｔｍ＋７０）℃の温度でダイ内において積層してからフィルム状に押出すか、それぞれを溶融状態でシート状にダイから押出した後に積層し、急冷固化して積層未延伸フィルムとし、さらに積層未延伸フィルムを二軸延伸する。なお、層数が増えても、それらは流路中で所定の層数だけ分割を行ない、交互に積層した後に口金から吐出させ、急冷固化して積層未延伸フィルムとすればよい。このとき分岐流路の形状を工夫することにより、最外層の厚みのみを厚くすることや、厚み方向で厚みを徐々に変えることも可能である。また、交互積層している層を形成後、口金から押し出す前の段階までに、第３の樹脂を合流させてどちらかの最外層に積層させた構造体を作ることも可能である。
【００５４】
なお、本発明で規定する両方向のヤング率、さらにαｔやαｈを満足させるには、その後の延伸を進行させやすくすることから、冷却ドラムによる冷却を非常に速やかに行うことが好ましい。そのような観点から、冷却ドラムの温度は、２０〜６０℃という低温で行うことが好ましい。このような低温で行うことで、未延伸フィルムの状態での結晶化が抑制され、その後の延伸をよりスムーズに行うことができる。
【００５５】
二軸延伸としては、逐次二軸延伸でも同時二軸延伸でもよい。ここでは、逐次二軸延伸で、縦延伸（フィルムの製膜方向）、横延伸（フィルムの製膜方向に直交する方向）および熱処理をこの順で行う製造方法を一例として挙げて説明する。まず、最初の縦延伸はポリエステル（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ：℃）ないし（Ｔｇ＋４０）℃の温度で、３〜１０倍に延伸する。次いで横方向に先の縦延伸よりも高温で（Ｔｇ＋１０）〜（Ｔｇ＋５０）℃の温度で３〜１０倍に延伸する。さらに熱処理としてポリエステル（Ａ）の融点以下の温度でかつ（Ｔｇ＋５０）〜（Ｔｇ＋１５０）℃の温度で１〜２０秒、さらに１〜１５秒熱固定処理するのが好ましい。熱固定処理の温度は、好ましくは１８０〜２２０℃、より好ましくは１９０〜２１０℃の範囲である。なお、前述のとおり、高温側ｔａｎδのピーク温度が低いときは、製膜方向の延伸倍率を高くしたり、横方向の延伸倍率を低くして、製膜方向に分子鎖を配向させやすい条件をとればよい。
【００５６】
前述の説明は逐次二軸延伸について説明したが、本発明におけるＦ層は、縦延伸と横延伸とを同時に行う同時二軸延伸でも製造でき、例えば先で説明した延伸倍率や延伸温度などを参考にすればよい。
【００５７】
次に、上記のようにして得られたＦ層にＭ層を形成する方法を、真空蒸着装置を用いて両面にＭ層を設ける方法を例にとって説明する。
まず、真空蒸着装置においては、真空チャンバの内部をＦ層が巻出しロール部から冷却ドラムを経て巻取りロール部へと走行する。そのときに、るつぼ内に金属材料を入れ、そこに電子銃から照射した電子ビームを当てるなどして加熱蒸発させ、冷却ドラム上のＦ層に蒸着する。このとき、酸素供給ノズルから酸素ガスを導入すれば、蒸発した金属を酸化反応させながら蒸着することができる。また、片方の表面（１面目）に蒸着した後巻取りロール部から片面蒸着したものを取り外し、それを巻出しロール部にセットし同じように反対側の表面（２面目）に蒸着することで両面に形成できる。
【００５８】
ここで、真空チャンバ１２の内部は、１．０×１０−８〜１．０×１０２Ｐａに減圧することが好ましい。さらに緻密で劣化部分の少ないＭ層を形成させるためには、１．０×１０−６〜１．０×１０−１Ｐａに減圧することが好ましい。また、冷却ドラムは、その表面温度を−４０〜６０℃の範囲内にすることが好ましい。より好ましくは−３５〜３０℃、さらに好ましくは−３０〜０℃である。電子ビームを用いる場合は、その出力が２．０〜８．０ｋＷの範囲内のもので行うのが好ましい。より好ましくは３．０〜７．０ｋＷ、さらに好ましくは４．０〜６．０ｋＷの範囲内である。なお、直接ルツボを加熱することで金属材料を加熱蒸発させてもよい。
【００５９】
酸素ガスは、ガス流量制御装置を用いて０．５〜１０Ｌ／ｍｉｎの流量で真空チャンバ内部に導入するのが好ましい。より好ましくは１．５〜８Ｌ／ｍｉｎ、さらに好ましくは２．０〜５Ｌ／ｍｉｎである。
【００６０】
真空チャンバの内部におけるＦ層の搬送速度は２０〜２００ｍ／ｍｉｎが好ましい。より好ましくは３０〜１００ｍ／ｍｉｎ、さらに好ましくは４０〜８０ｍ／ｍｉｎである。搬送速度が２０ｍ／ｍｉｎより遅い場合、上記のようなＭ層厚みに制御するためには金属の蒸発量をかなり小さくする必要がある。厚みや酸化度の制御が非常に難しくなる。搬送速度が２００ｍ／ｍｉｎより速くなると、冷却ドラムとの接触時間が短くなるため熱による破れやシワが発生し、生産性が低下する傾向がある。また、金属蒸気と酸素ガスとが不充分な反応状態で成膜されやすく、酸化度の制御が難しくなる場合がある。蒸着は片面ずつ行ってもよいし、両面を１工程で行ってもよい。
【００６１】
蒸着後、Ｍ層を安定化させ、緻密性を高めるためには、真空蒸着装置内を常圧に戻して、巻取ったフィルムを巻き返すことが好ましい。特に、未結合原子を減らすためには加湿巻き返しを行うことが水蒸気とＭ層が接触する機会が長くなるため好ましい。加湿巻き返しは２０〜４０℃で６０〜８０％ＲＨで行うことが好ましい。さらに、２０〜５０℃の温度で１〜３日間エージングすることが好ましく、さらに好ましくは湿度６０％以上の結露しない程度の環境下でエージングすることが好ましい。
【００６２】
次に、磁気記録媒体を製造する方法を説明する。上記のようにして得られた支持体を、磁気記録媒体用支持体として用いる場合、たとえば０．１〜３ｍ幅にスリットし、速度２０〜３００ｍ／ｍｉｎ、張力５０〜３００Ｎ／ｍで搬送しながら、一方の面（Ａ）に磁性塗料および非磁性塗料をエクストルージョンコーターにより重層塗布する。なお、上層に磁性塗料を厚み０．１〜０．３μｍで塗布し、下層に非磁性塗料を厚み０．５〜１．５μｍで塗布する。その後、磁性塗料および非磁性塗料が塗布された支持体を磁気配向させ、温度８０〜１３０℃で乾燥させる。次いで、反対側の面（Ｂ）にバックコートを厚み０．３〜０．８μｍで塗布し、カレンダー処理した後、巻き取る。なお、カレンダー処理は、小型テストカレンダー装置（スチール／ナイロンロール、５段）を用い、温度７０〜１２０℃、線圧０．５〜５ｋＮ／ｃｍで行う。その後、６０〜８０℃にて２４〜７２時間エージング処理し、１／２インチ（１．２７ｃｍ）幅にスリットし、パンケーキを作製する。次いで、このパンケーキから特定の長さ分をカセットに組み込んで、カセットテープ型磁気記録媒体とする。
【００６３】
ここで、磁性塗料などの組成は、例えば後述の実施例の測定にある組成などが挙げられる。磁気記録媒体は上記に示した以外に、コバルト、ニッケル、鉄などを蒸着やスパッタなどにより設けた強磁性薄膜型磁性層を有するものでもかまわない。
このようにして得られた磁気記録媒体は、例えば、データ記録用途、具体的にはコンピュータデータのバックアップ用途（例えばリニアテープ式の記録媒体（ＬＴＯ４やＬＴＯ５など））や映像などのデジタル画像の記録用途などに好適に用いることができる。
【実施例】
【００６４】
以下に実施例及び比較例を挙げ、本発明をより具体的に説明する。なお、本発明では、以下の方法により、その特性を測定および評価した。
【００６５】
（１）固有粘度
得られた樹脂の固有粘度はＰ−クロロフェノール／１，１，２，２−テトラクロロエタン（４０／６０重量比）の混合溶媒を用いてポリマーを溶解して３５℃で測定して求めた。
【００６６】
（２）ガラス転移点および融点
ガラス転移点および融点は、それぞれの層に用いる樹脂を用意し、ＤＳＣ（ＴＡインスツルメンツ株式会社製、商品名：Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎａｌｙｓｔ２９２０）により、昇温速度２０℃／ｍｉｎで測定した。
【００６７】
（３）ヤング率
得られたＦ層および支持体を試料巾１０ｍｍ、長さ１５ｃｍで切り取り、チャック間１００ｍｍ、引張速度１０ｍｍ／分、チャート速度５００ｍｍ／分の条件で万能引張試験装置（東洋ボールドウィン製、商品名：テンシロン）にて引っ張る。得られた荷重―伸び曲線の立ち上がり部の接線よりヤング率を計算した。
【００６８】
（４）湿度膨張係数（αｈ）
得られたＦ層、支持体および磁気テープを、フィルムの幅方向が測定方向となるように長さ１５ｍｍ、幅５ｍｍに切り出し、真空理工製ＴＭＡ３０００にセットし、３０℃の窒素雰囲気下で、湿度３０％ＲＨと湿度７０％ＲＨにおけるそれぞれのサンプルの長さを測定し、次式にて湿度膨張係数を算出する。５回測定し、その平均値をαｈとした。
αｈ＝（Ｌ７０−Ｌ３０）／（Ｌ３０×△Ｈ）
ここで、上記式中のＬ３０は３０％ＲＨのときのサンプル長（ｍｍ）、Ｌ７０は７０％ＲＨのときのサンプル長（ｍｍ）、△Ｈ：４０（＝７０−３０）％ＲＨである。
なお、磁気ヘッドの湿度膨張係数は０ｐｐｍ／％ＲＨであることから、磁気テープにした状態で、幅方向の湿度膨張係数が０に近いほど優れているといえる。
【００６９】
（５）積層フィルムおよびフィルム層の厚み
積層フィルムを層間の空気を排除しながら１０枚重ね、ＪＩＳ規格のＣ２１５１に準拠し、（株）ミツトヨ製ダイヤルゲージＭＤＣ−２５Ｓを用いて、１０枚重ね法にて厚みを測定し、１枚当りのフィルム厚みを計算する。この測定を１０回繰り返して、その平均値を１枚あたりの積層フィルムの全体の厚みとした。
一方、フィルム層（Ａ）およびフィルム層（Ｂ）の厚みは、フィルムの小片をエポキシ樹脂にて固定成形し、ミクロトームにて約６０ｎｍの厚みの超薄切片（フィルムの製膜方向および厚み方向に平行に切断する）を作成する。この超薄切片の試料を透過型電子顕微鏡（日立製作所製Ｈ−８００型）にて観察しその境界をからフィルム層（Ａ）とＢの厚みを求めた。
【００７０】
（６）吸水率
各層に用いる樹脂を厚み１００μｍの未延伸フィルムを作成し、ＪＩＳ Ｋ７２０９Ａ法に準拠して測定した。
【００７１】
（７）温度膨張係数（αｔ）
得られたＦ層および支持体を、フィルムの幅方向が測定方向となるようにそれぞれ長さ１５ｍｍ、幅５ｍｍに切り出し、真空理工製ＴＭＡ３０００にセットし、窒素雰囲気下（０％ＲＨ）、６０℃で３０分前処理し、その後室温まで降温させる。その後２５℃から７０℃まで２℃／ｍｉｎで昇温して、各温度でのサンプル長を測定し、次式より温度膨張係数（αｔ）を算出する。なお、５回測定し、その平均値を用いた。
αｔ＝｛（Ｌ６０−Ｌ４０）｝／（Ｌ４０×△Ｔ）｝＋０．５
ここで、上記式中のＬ４０は４０℃のときのサンプル長（ｍｍ）、Ｌ６０は６０℃のときのサンプル長（ｍｍ）、△Ｔは２０（＝６０−４０）℃、０．５は石英ガラスの温度膨張係数（ｐｐｍ／℃）である。なお、磁気ヘッドの温度膨張係数は通常７ｐｐｍ／℃であることから、磁気テープにした状態で、幅方向の温度膨張係数が７ｐｐｍ／℃に近いほど優れているといえる。
【００７２】
（８）中心面平均粗さ（Ｒａ）
Ｚｙｇｏ社製 非接触三次元表面構造解析顕微鏡（ＮｅｗＶｉｅｗ５０２２）を用いて測定倍率２５倍、測定面積２８３μｍ×２１３μｍ（＝０．０６０３ｍｍ２）の条件にて測定し、該粗さ計に内蔵された表面解析ソフトにより中心面平均粗さＲａを以下の式より求めた。
【数１】
Ｚｊｋは測定方向（２８３μｍ）、それと直行する方向（２１３μｍ）をそれぞれＭ分割、Ｎ分割したときの各方向のｊ番目、ｋ番目の位置における２次元粗さチャート上の高さである。
【００７３】
（９）Ｍ層の厚み
下記条件にて断面観察を行い、得られた合計９点の厚み（ｎｍ）の平均値を算出し、Ｍ層の厚み（ｎｍ）とする。
・測定装置：透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ） 日立製Ｈ−７１００ＦＡ型
・測定条件：加速電圧 １００ｋＶ
・測定倍率：２０万倍
・試料調製：超薄膜切片法
・観察面 ：ＴＤ−ＺＤ断面
・測定回数：１視野につき３点、３視野を測定する。
【００７４】
（１０）データストレージ（磁気テープ）の作成
ダイコーターで、３０ＭＰａの張力条件で、幅５００ｍｍにスリットされた長さ８５０ｍの支持体の平坦な側の表面に、下記組成の非磁性塗料、磁性塗料を同時に、乾燥後の非磁性層および磁性層の厚みが、それぞれ１．２μｍおよび０．１μｍとなるように膜厚を変えて塗布し、磁気配向させて１２０℃×３０秒の条件で乾燥させる。さらに、小型テストカレンダ−装置（スチ−ルロール／ナイロンロール、５段）で、温度：７０℃、線圧：２００ｋｇ／ｃｍでカレンダ−処理した後、７０℃、４８時間キュアリングする。次に、その磁性層の反対面に下記組成のバックコートを固形分の厚みが０．５μｍとなるように塗布した後、小型テストカレンダー装置（スチール／ナイロンロール、５段）で、温度８５℃、線圧２００ｋｇ／ｃｍでカレンダー処理し、巻き取る。上記テープ原反を１／２インチ幅にスリットし、それをＬＴＯ用のケースに組み込み、長さが８５０ｍのデータストレージカートリッジを作成した。
【００７５】
（非磁性塗料の組成）
・非磁性無機質粉末（α−酸化鉄：平均長軸長：０．１５μｍ，平均針状比：７，ＢＥＴ比表面積：５２ｍ２／ｇ）：１００重量部
・エスレックＡ（積水化学製塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体：１０重量部
・ニッポラン２３０４（日本ポリウレタン製ポリウレタンエラストマ）：１０重量部
・コロネートＬ（日本ポリウレタン製ポリイソシアネート） ： ５重量部
・レシチン： １重量部
・メチルエチルケトン：７５重量部
・メチルイソブチルケトン：７５重量部
・トルエン：７５重量部
・カーボンブラック（平均粒子径：２０ｎｍ）： ２重量部
・ラウリン酸：１．５重量部
【００７６】
（磁性塗料の組成）
・磁性粉（戸田工業株式会社製、商品名：ＮＦ３０ｘ）：１００重量部
・エスレックＡ（積水化学製塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体）：１０重量部
・ニッポラン２３０４（日本ポリウレタン製ポリウレタンエラストマ）：１０重量部
・コロネートＬ（日本ポリウレタン製ポリイソシアネート） ： ５重量部
・レシチン： １重量部
・メチルエチルケトン：７５重量部
・メチルイソブチルケトン：７５重量部
・トルエン：７５重量部
・カーボンブラック（平均粒子径：２０ｎｍ）： ２重量部
・ラウリン酸：１．５重量部
【００７７】
（バックコートの組成）
・カーボンブラック（平均粒径２０ｎｍ） ： ９５重量部
・カーボンブラック（平均粒径２８０ｎｍ）： １０重量部
・αアルミナ ： ０．１重量部
・変成ポリウレタン ： ２０重量部
・変成塩化ビニル共重合体 ： ３０重量部
・シクロヘキサノン ： ２００重量部
・メチルエチルケトン ： ３００重量部
・トルエン ： １００重量部
【００７８】
（１１）クラック
支持体の表面を光学顕微鏡により倍率５００倍で１００視野観察し、以下の評価基準で評価した。
○；クラックが観察されない
×；１視野以上でクラックが観察される
【００７９】
（１２）塗布適性
ダイコーターで、３０ＭＰａの張力条件で、幅５００ｍｍにスリットされた長さ５００ｍのフィルムの一方の表面に、上記（１０）の作成で用いた組成の非磁性塗料、磁性塗料を同時に、乾燥後の非磁性層および磁性層の厚みが、それぞれ１．２μｍおよび０．１μｍとなるように膜厚を変えて塗布し、磁気配向させて１２０℃×３０秒の条件で乾燥させる。塗布直後および乾燥後のシワの状態を観察し以下の基準で評価した。
◎；塗布直後も乾燥後もシワなし
○；塗布直後はシワが見えるが、乾燥後はシワなし
△；塗布直後にシワが見え、乾燥後も残る。部分的にテープ化は何とか可能なレベル。
×；塗布直後にシワが見え、乾燥後も全面に残る。
【００８０】
［参考例１］
２，６−ナフタレンジカルボン酸ジメチルとエチレングリコールとを、チタンテトラブトキシドの存在下でエステル化反応およびエステル交換反応を行い、さらに引き続いて重縮合反応を行い、固有粘度が０．６３ｄｌ／ｇのポリエチレン−２，６−ナフタレート（ＰＥＮ）を得た。
【００８１】
［参考例２］
２，６−ナフタレンジカルボン酸ジメチル、６，６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸そしてエチレングリコールとを、チタンテトラブトキシドの存在下でエステル化反応およびエステル交換反応を行い、さらに引き続いて重縮合反応を行い、酸成分の３０モル％が２，６−ナフタレンジカルボン酸成分、酸成分の７０モル％が６，６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分で、固有粘度が０．６３ｄｌ／ｇである共重合ポリエチレン−２，６−ナフタレート（ＰＥＮ−ＡＮＡ７０）を得た。
【００８２】
［参考例３］
テレフタル酸ジメチルとエチレングリコールとを、チタンテトラブトキシドの存在下でエステル交換反応を行い、さらに引き続いて重縮合反応を行い、固有粘度が０．６５ｄｌ／ｇであるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のペレットを得た。
【００８３】
［参考例４］
テレフタル酸ジメチル、６，６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸そしてエチレングリコールとを、チタンテトラブトキシドの存在下でエステル化反応およびエステル交換反応を行い、さらに引き続いて重縮合反応を行い、酸成分の４０モル％がテレフタル酸成分、酸成分の６０モル％が６，６’−（アルキレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分で、固有粘度が０．６５ｄｌ／ｇである共重合ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ−ＡＮＡ６０）を得た。
【００８４】
［参考例５］
ポリエ−テルイミド（ＰＥＩ）として、Ｇｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ社製“Ｕｌｔｅｍ”（登録商標））を用意した。
【００８５】
［実施例１］
フィルム層（Ａ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例３のＰＥＴを用意し、他方フィルム層（Ｂ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例３のＰＥＴと参考例４のＰＥＴ−ＡＮＡ６０を重量比５２：４８でブレンドしたものを用意した。
そして、これらのポリマーを１７０℃で４時間乾燥後、押出し機に供給し、２９５℃まで加熱して溶融状態とし、フィルム層（Ａ）用のポリマーを２５層、フィルム層（Ｂ）用のポリマーを２５層に分岐させた後、それぞれの層が交互に積層するような多層フィードブロック装置を使用して、その積層状態を保持したままダイへと導き、溶融状態で回転中の温度５０℃の冷却ドラム上にシート状に押し出し、総数５０層の未延伸多層積層フィルムを作成した。なお、フィルム層（Ａ）については、表１に示すように、表面に位置するフィルム層（Ａ）を平坦層表面として厚くし、他のフィルム層（Ａ）は同じ厚みになるように調整した。そして、製膜方向に沿って回転速度の異なる二組のローラー間で、上方よりＩＲヒーターにてフィルム表面温度が１００℃になるように加熱して縦方向（製膜方向）の延伸を、延伸倍率３．６倍で行い、一軸延伸フィルムを得た。そして、この一軸延伸フィルムをステンターに導き、１２０℃で横方向（幅方向）に延伸倍率４．７倍で延伸し、その後２２０℃で２秒間熱固定処理を行い、厚さ４．４μｍの二軸配向多層積層フィルムを得た。
上記の方法で作成した二軸配向多層積層フィルムの両面に、以下の方法で、Ｍ層を設けた。まず、真空蒸着装置内に設置されたフィルム走行装置に、得られた二軸配向多層積層フィルムをセットし、１．００×１０−３Ｐａの高真空にした後に、２０℃の冷却金属ドラムを介して走行させた。このとき、アルミのターゲットを電子ビームで加熱蒸発させ、酸素を導入して、アルミと酸素のモル比が４２：５８の部分酸化アルミのＭ層（厚み：６０ｎｍ）を形成し、さらに連続で、反対側の面に同様にしてＭ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。なお、Ｍ層の元素分析は、Ｘ線光電子分光器などを用いて測定することができる。
【００８６】
［実施例２］
フィルム層（Ａ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例３のＰＥＴと参考例４のＰＥＩとを重量比８５：１５でブレンドしたものを用意し、他方フィルム層（Ｂ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例３のＰＥＴと参考例４のＰＥＴ−ＡＮＡ６０を重量比６３：３７でブレンドしたものを用意した。
そして、これらのポリマーを１７０℃で４時間乾燥後、押出し機に供給し、２９５℃まで加熱して溶融状態とし、フィルム層（Ａ）用のポリマーの片面に、フィルム層（Ｂ）用のポリマーをフィードブロック中で積層し、その積層状態を保持したままダイへと導き、溶融状態で回転中の温度５０℃の冷却ドラム上にシート状に押し出し、総数２層の未延伸積層フィルムを作成した。なお、フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）の厚みはそれぞれ表１に示すようになるように供給量を調整した。そして、製膜方向に沿って回転速度の異なる二組のローラー間で、上方よりＩＲヒーターにてフィルム表面温度が１０５℃になるように加熱して縦方向（製膜方向）の延伸を、延伸倍率３．６倍で行い、一軸延伸フィルムを得た。そして、この一軸延伸フィルムをステンターに導き、１３０℃で横方向（幅方向）に延伸倍率４．７倍で延伸し、その後２２０℃で２秒間熱固定処理を行い、厚さ４．４μｍの二軸配向積層フィルムを得た。
そして、このようにして得られた二軸配向積層フィルムの両面に、膜厚をそれぞれ７０ｎｍとなるように変更した以外は実施例１と同様にして、Ｍ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００８７】
［実施例３］
フィルム層（Ａ）用のポリマーを、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例３のＰＥＴと参考例４のＰＥＩとを重量比８５：１５でブレンドしたものに変更し、表１に示すようにそれぞれのフィルム層の厚みを変更し、縦延伸を延伸温度９５℃で延伸倍率３．８倍に、横延伸を延伸温度１２５℃で延伸倍率４．５倍に、そして、熱固定温度を２１０℃で３秒に変更したほかは実施例１と同様にして二軸配向多層積層フィルムを作成した。
上記の方法で作成した二軸配向多層積層フィルムの両面に、実施例１と同様にして、Ｍ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００８８】
［実施例４］
表１に示すようにそれぞれのフィルム層の厚みを変更したほかは実施例３と同様にして二軸配向多層積層フィルムを作成した。
上記の方法で作成した二軸配向多層積層フィルムの両面に、アルミの代わりにシリカ（ＳｉＯ）を用い、珪素と酸素のモル比が３７：６３の部分酸化ケイ素とし、かつその厚みをそれぞれ８０ｎｍとなるように変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｍ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００８９】
［実施例５］
実施例２において、フィルム層（Ｂ）用のポリマーを表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例１のＰＥＮと参考例２のＰＥＮ−ＡＮＡ７０を重量比７０：３０でブレンドしたものに変更した。そして、表１に示すようにそれぞれのフィルム層の厚みを変更し、縦延伸を延伸温度１３０℃で延伸倍率４．５倍に、横延伸を延伸温度１４０℃で延伸倍率５．５倍に、そして、熱固定を温度２２０℃で３秒に変更したほかは実施例２と同様にして二軸配向積層フィルムを作成した。
そして、このようにして得られた二軸配向積層フィルムの両面に、膜厚をそれぞれ４０ｎｍとなるように変更した以外は実施例１と同様にして、Ｍ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９０】
［実施例６］
実施例５において、二軸配向積層フィルムの両面に設けるＭ層を、アルミの代わりにシリカ（ＳｉＯ）を用い、珪素と酸素のモル比が３７：６３の部分酸化ケイ素とし、かつ厚みをそれぞれ７０ｎｍとなるように変更して形成した以外は、同様な操作を繰り返した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９１】
［実施例７］
フィルム層（Ａ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例３のＰＥＴと参考例５のＰＥＩとを重量比８５：１５でブレンドしたものを用意し、他方フィルム層（Ｂ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例１のＰＥＴと参考例２のＰＥＮ−ＡＮＡ７０を重量比６０：４０でブレンドしたものを用意した。
そして、これらのポリマーを１７０℃で６時間乾燥後、押出し機に供給し、２９５℃まで加熱して溶融状態とし、フィルム層（Ａ）用のポリマーを１０１層、フィルム層（Ｂ）用のポリマーを１０１層に分岐させた後、それぞれの層が交互に積層するような多層フィードブロック装置を使用して、その積層状態を保持したままダイへと導き、溶融状態で回転中の温度５０℃の冷却ドラム上にシート状に押し出し、総数２０２層の未延伸多層積層フィルムを作成した。なお、フィルム層（Ａ）については、表１に示すように、表面に位置するフィルム層（Ａ）を平坦層表面として厚くし、他のフィルム層（Ａ）は同じ厚みになるように調整した。そして、製膜方向に沿って回転速度の異なる二組のローラー間で、上方よりＩＲヒーターにてフィルム表面温度が１３０℃になるように加熱して縦方向（製膜方向）の延伸を、延伸倍率４．７倍で行い、一軸延伸フィルムを得た。そして、この一軸延伸フィルムをステンターに導き、１４５℃で横方向（幅方向）に延伸倍率５．３倍で延伸し、その後２１０℃で２秒間熱固定処理を行い、厚さ３．９μｍの二軸配向多層積層フィルムを得た。
上記の方法で作成した二軸配向多層積層フィルムの両面に、それぞれのＭ層の厚みを３０ｎｍに変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｍ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９２】
［実施例８］
実施例７において、縦および横方向の延伸倍率をそれぞれ４．５倍と５．０倍に変更して二軸配向多層積層フィルムを作成し、その両面に形成するＭ層を、アルミの代わりにシリカ（ＳｉＯ）を用い、珪素と酸素のモル比が３７：６３の部分酸化ケイ素とし、かつ厚みをそれぞれ７０ｎｍとなるように変更して形成した以外は、同様な操作を繰り返した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９３】
［実施例９］
フィルム層（Ａ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例１のＰＥＮを用意し、他方フィルム層（Ｂ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例１のＰＥＮと参考例２のＰＥＮ−ＡＮＡ７０を重量比６０：４０でブレンドしたものを用意し、表１に示すようにそれぞれのフィルム層の厚みを変更し、縦延伸を延伸温度１２５℃で延伸倍率４．７倍に、横延伸を延伸温度１４５℃で延伸倍率５．８倍に、そして、熱固定処理を温２１０℃で２秒に変更したほかは実施例２と同様にして二軸配向積層フィルムを作成した。
そして、このようにして得られた二軸配向積層フィルムの両面に、膜厚をそれぞれ４０ｎｍとなるように変更した以外は実施例１と同様にして、Ｍ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９４】
［実施例１０］
実施例９において、表１に示すようにＦ層の厚みを変更し、二軸配向積層フィルムの両面に形成するＭ層を、アルミの代わりにシリカ（ＳｉＯ）を用い、珪素と酸素のモル比が３７：６３の部分酸化ケイ素とし、かつ厚みをそれぞれ８０ｎｍとなるように変更して形成した以外は、同様な操作を繰り返した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９５】
［実施例１１］
フィルム層（Ａ）用のポリマーとして、参考例１のＰＥＮを用意し、他方フィルム層（Ｂ）用のポリマーとして、表１に示すように不活性粒子を含有させた参考例１のＰＥＮと参考例２のＰＥＮ−ＡＮＡ７０を重量比６０：４０でブレンドしたものを用意した。
そして、これらのポリマーを１７０℃で６時間乾燥後、押出し機に供給し、２９５℃まで加熱して溶融状態とし、フィルム層（Ａ）用のポリマーを５１層、フィルム層（Ｂ）用のポリマーを５１層に分岐させた後、それぞれの層が交互に積層するような多層フィードブロック装置を使用して、その積層状態を保持したままダイへと導き、溶融状態で回転中の温度５０℃の冷却ドラム上にシート状に押し出し、総数１０２層の未延伸多層積層フィルムを作成した。なお、フィルム層（Ａ）については、表１に示すように、表面に位置するフィルム層（Ａ）を平坦層表面として厚くし、他のフィルム層（Ａ）は同じ厚みになるように調整した。そして、製膜方向に沿って回転速度の異なる二組のローラー間で、上方よりＩＲヒーターにてフィルム表面温度が１２５℃になるように加熱して縦方向（製膜方向）の延伸を、延伸倍率５．０倍で行い、一軸延伸フィルムを得た。そして、この一軸延伸フィルムをステンターに導き、１４５℃で横方向（幅方向）に延伸倍率６．０倍で延伸し、その後２１０℃で２秒間熱固定処理を行い、厚さ３．９μｍの二軸配向多層積層フィルムを得た。
上記の方法で作成した二軸配向多層積層フィルムの両面に、厚みを４０ｎｍに変更する以外は実施例１と同様な操作を繰り返してＭ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９６】
［実施例１２］
実施例１１において、フィルム層（Ｂ）用のポリマーにおける参考例１のＰＥＮと参考例２のＰＥＮ−ＡＮＡ７０の重量比を４０：６０に変更し、表１に示すようにそれぞれのフィルム層の厚みを変更し、縦延伸の延伸倍率を５．２倍に変更したほかは同様にして二軸配向多層積層フィルムを作成した。
上記のようにして得られた二軸配向積層フィルムの両面に形成するＭ層を、アルミの代わりにシリカ（ＳｉＯ）を用い、珪素と酸素のモル比が３７：６３の部分酸化ケイ素とし、かつ厚みをそれぞれ５０ｎｍとなるように変更して形成した以外は、実施例１１と同様な操作を繰り返して支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９７】
［比較例１］
実施例２において、フィルム層（Ｂ）用のポリマーを、表１に示すように不活性粒子をそれぞれ含有させた参考例３のＰＥＴと参考例４のＰＥＩとを重量比８５：１５でブレンドしたものに変更し、表１に示すようにそれぞれのフィルム層の厚みを変更し、縦延伸を延伸温度１０５℃で延伸倍率３．６倍に、横延伸を延伸温度１３０℃で延伸倍率４．７倍に、そして、熱固定処理を２２０℃で２秒に変更したほかは同様にして二軸配向積層フィルムを作成した。
上記のようにして得られた二軸配向積層フィルムの両面に形成するＭ層の厚みをそれぞれ５０ｎｍとなるように変更して形成した以外は、実施例２と同様な操作を繰り返して支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９８】
［比較例２］
実施例２において、フィルム層（Ａ）およびＢ用のポリマーを、表１に示すように不活性粒子をそれぞれ含有させた参考例１のＰＥＮに変更し、表１に示すようにそれぞれのフィルム層の厚みを変更し、縦延伸を延伸温度１２５℃で延伸倍率５．０倍に、横延伸を延伸温度１４０℃で延伸倍率６．０倍に、そして、熱固定処理を２１５℃で２秒に変更したほかは同様にして二軸配向積層フィルムを作成した。
上記のようにして得られた二軸配向積層フィルムの両面に形成するＭ層の厚みをそれぞれ１２０ｎｍとなるように変更して形成した以外は、実施例２と同様な操作を繰り返して支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【００９９】
［比較例３］
比較例２において、表１に示すようにそれぞれのフィルム層の厚みを変更し、Ｍ層の厚みをそれぞれ１０ｎｍとなるように変更した以外は、同様な操作を繰り返して支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【０１００】
［比較例４］
実施例１１において、Ｍ層を形成しなかった以外は同様な操作を繰り返した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【０１０１】
［比較例５］
実施例１１において、フィルム層（Ａ）用のポリマーを用いずに厚さ３．９μｍの単層フィルムとし、縦延伸を延伸温度１３３℃で延伸倍率４．７倍に、横延伸を延伸温度１３５℃で延伸倍率８．３倍に、そして、熱固定処理を２０２℃で１０秒に変更したほかは同様にして二軸配向フィルムを作成した。
上記の方法で作成した二軸配向フィルムの両面に、厚みを５０ｎｍに変更する以外は実施例１１と同様な操作を繰り返してＭ層を形成し、支持体を作成した。得られた支持体の特性を表１に示す。
【０１０２】
【表１】
【０１０３】
ここで、表１中の、ＰＥＴはポリエチレンテレフタレート、ＰＥＮはポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート、ＰＥＴ−ＡＮＡ１５、ＰＥＴ−ＡＮＡ２１は、全酸成分に対して、それぞれ１５モル％２１モル％が６，６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分であるポリエチレンテレフタレート、ＰＥＴ−ＰＥＩ１５は、ポリエーテルイミドを１５重量％含有するポリエチレンテレフタレート、ＰＥＮ−ＡＮＡ１５、ＰＥＴ−ＡＮＡ２１、ＰＥＮ−ＡＮＡ３４は、それぞれ、全酸成分に対して、それぞれ１５モル％、２１モル％、３４モル％が６，６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸成分であるポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート、架橋Ｐｓｔは架橋ポリスチレン粒子、ＡｌＯｘはアルミと酸素の元素のモル比が４２：５８の部分酸化アルミ、ＳｉＯｘは珪素と酸素の元素のモル比が３７：６３の部分酸化ケイ素、ＭＤおよびＴＤはそれぞれフィルムの製膜（長手）方向および幅（横）方向を意味する。
【産業上の利用可能性】
【０１０４】
本発明の支持体は、クラックなどが改善され、優れた寸法安定性と塗布適性を具備することから、さまざまな用途に利用でき、特に高密度磁気記録媒体の支持体として好適に利用できる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二軸配向積層フィルム（Ｆ層）の少なくとも片面に金属類または金属系無機化合物からなる層（Ｍ層）が設けられた支持体であって、
Ｆ層は、ポリエステル（Ａ）からなるフィルム層（Ａ）と熱可塑性樹脂（Ｂ）からなるフィルム層（Ｂ）とを積層して延伸したものであり、
芳香族ポリエステル（Ａ）は、主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレートまたはエチレン−２，６−ナフタレートであること、
熱可塑性樹脂（Ｂ）は、ポリエステル（Ａ）よりも吸水率が０．０３％以上低いこと、
Ｍ層の厚みが、１５〜９０ｎｍの範囲であること、そして
支持体の縦方向のヤング率（ＧＰａ）と支持体の厚み（μｍ）の積が３０（Ｇｐａ・μｍ）以上であること
を特徴とする支持体。
【請求項２】
支持体の厚みが１〜１０μｍである、請求項１に記載の支持体。
【請求項３】
支持体が、その片面に磁性層を設けて、磁気記録媒体のベースフィルムに用いられる請求項１または２のいずれかに記載の支持体。
【請求項４】
支持体の長手方向と幅方向のヤング率の和が１０〜２２ＧＰａであり、かつ、長手方向のヤング率Ｅｍと幅方向のヤング率Ｅｔの比Ｅｍ／Ｅｔが０．５〜１．０の範囲にある請求項１〜３のいずれかに記載の支持体。
【請求項５】
フィルム層（Ａ）または（Ｂ）の片面または両面にフィルム層（Ｂ）または（Ａ）を積層した請求項１〜４のいずれかに記載の支持体。
【請求項６】
フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）とを交互に４層以上積層した請求項１〜５のいずれかに記載の支持体。
【請求項７】
熱可塑性樹脂（Ｂ）は、主たる繰り返し単位が、下記式（Ｉ）と（ＩＩ）とからなり、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位の割合が、全繰り返し単位のモル数を基準として、５モル％以上８０モル％未満の範囲である請求項１〜６のいずれかに記載の支持体。
【化１】
（式（Ｉ）および（ＩＩ）中のＲＡおよびＲＣは炭素数２〜４のアルキレン基またはシクロヘキシレン基、ＲＢはフェニレン基またはナフタレンジイル基である。）
【請求項８】
支持体の幅方向の湿度膨張係数が０〜５ｐｐｍ／％ＲＨである請求項１〜７のいずれかに記載の支持体。
【請求項１】
二軸配向積層フィルム（Ｆ層）の少なくとも片面に金属類または金属系無機化合物からなる層（Ｍ層）が設けられた支持体であって、
Ｆ層は、ポリエステル（Ａ）からなるフィルム層（Ａ）と熱可塑性樹脂（Ｂ）からなるフィルム層（Ｂ）とを積層して延伸したものであり、
芳香族ポリエステル（Ａ）は、主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレートまたはエチレン−２，６−ナフタレートであること、
熱可塑性樹脂（Ｂ）は、ポリエステル（Ａ）よりも吸水率が０．０３％以上低いこと、
Ｍ層の厚みが、１５〜９０ｎｍの範囲であること、そして
支持体の縦方向のヤング率（ＧＰａ）と支持体の厚み（μｍ）の積が３０（Ｇｐａ・μｍ）以上であること
を特徴とする支持体。
【請求項２】
支持体の厚みが１〜１０μｍである、請求項１に記載の支持体。
【請求項３】
支持体が、その片面に磁性層を設けて、磁気記録媒体のベースフィルムに用いられる請求項１または２のいずれかに記載の支持体。
【請求項４】
支持体の長手方向と幅方向のヤング率の和が１０〜２２ＧＰａであり、かつ、長手方向のヤング率Ｅｍと幅方向のヤング率Ｅｔの比Ｅｍ／Ｅｔが０．５〜１．０の範囲にある請求項１〜３のいずれかに記載の支持体。
【請求項５】
フィルム層（Ａ）または（Ｂ）の片面または両面にフィルム層（Ｂ）または（Ａ）を積層した請求項１〜４のいずれかに記載の支持体。
【請求項６】
フィルム層（Ａ）とフィルム層（Ｂ）とを交互に４層以上積層した請求項１〜５のいずれかに記載の支持体。
【請求項７】
熱可塑性樹脂（Ｂ）は、主たる繰り返し単位が、下記式（Ｉ）と（ＩＩ）とからなり、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位の割合が、全繰り返し単位のモル数を基準として、５モル％以上８０モル％未満の範囲である請求項１〜６のいずれかに記載の支持体。
【化１】
（式（Ｉ）および（ＩＩ）中のＲＡおよびＲＣは炭素数２〜４のアルキレン基またはシクロヘキシレン基、ＲＢはフェニレン基またはナフタレンジイル基である。）
【請求項８】
支持体の幅方向の湿度膨張係数が０〜５ｐｐｍ／％ＲＨである請求項１〜７のいずれかに記載の支持体。
【公開番号】特開２０１０−２６４６８３（Ｐ２０１０−２６４６８３Ａ）
【公開日】平成２２年１１月２５日（２０１０．１１．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１１８６８６（Ｐ２００９−１１８６８６）
【出願日】平成２１年５月１５日（２００９．５．１５）
【出願人】（０００００３００１）帝人株式会社 (1,209)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１１月２５日（２０１０．１１．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年５月１５日（２００９．５．１５）
【出願人】（０００００３００１）帝人株式会社 (1,209)
【Ｆターム（参考）】
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