新規ビスホスフィノイル化合物、その製造方法及びそれを有効成分とした医薬
【課題】 癌細胞増殖抑制作用を有する新規ビスホスフィノイル化合物及びそれを有効成分として含有する新規医薬を提供する。
【解決手段】 一般式
【化１】
（Ａは二価の炭化水素基、炭化水素ジオキシ基、ヘテロアリーレン基、フェロセニレン基又はシリレンジオキシ基、Ｒ1は炭化水素基、Ｒ2は炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基、Ｒ3は水素原子、炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基）
で表わされるビスホスフィノイル化合物であって、このビスホスフィノイル化合物を有効成分として含有した医薬とする。
【解決手段】 一般式
【化１】
（Ａは二価の炭化水素基、炭化水素ジオキシ基、ヘテロアリーレン基、フェロセニレン基又はシリレンジオキシ基、Ｒ1は炭化水素基、Ｒ2は炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基、Ｒ3は水素原子、炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基）
で表わされるビスホスフィノイル化合物であって、このビスホスフィノイル化合物を有効成分として含有した医薬とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、癌細胞増殖抑制作用を有する新規ビスホスフィノイル化合物、その製造方法、及びそれを有効成分として含有する新規な医薬に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
２個のホスフィンオキシド基をもつ化合物は、各種反応触媒の配位子の製造原料、酵素の活性抑制剤、発光素子などとして有用であり、これまでにもいくつか知られ、その製造方法もいくつか提案されている。
【０００３】
例えば、一般式
【化１】
又は
【化２】
（式中のＲは水素原子又はアルキル基のような置換基、Ｒ´は炭化水素基、Ａは二価の架橋基）
で表わされるビス（アルケニルホスフィンオキシド）化合物の製造方法（特許文献１〜５参照）が、また
【化３】
（式中のＲは水素原子又はアルキル基のような置換基、Ａｒはアリール基、Ａは連結基）
で表わされるホスフィンオキシド基で置換された芳香族化合物を含む発光素子（特許文献６参照）が、これまでに提案されている。
【０００４】
しかしながら、直接ホスフィノイル基を介して架橋基により連結しているビスホスフィノイル化合物や、これを有効成分として含む医薬はこれまで知られていなかった。
【０００５】
【特許文献１】特開平９−２４１２７６号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献２】特開平９−２９５９９３号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献３】特開２００２−２４１３８６号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献４】特開２００４−２６６５５号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献５】特開２００４−４３４９２号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献６】特開２００４−９５２２１号公報（特許請求の範囲その他）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、癌細胞増殖抑制作用を有する新規ビスホスフィノイル化合物及びそれを有効成分として含有する新規医薬を提供することを目的としてなされたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、ホスフィンオキシド基を介して２個の有機基が架橋結合したビスホスフィノイル化合物、特に１分子のジホスフィンオキシド化合物と、２分子のアセチレン化合物との反応により得られる２個のエチレン結合をもつビスホスフィノイル化合物が癌細胞増殖抑制作用を有することを見出し、この知見に基づいて、本発明をなすに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は、一般式
【化４】
（式中のＡは二価の炭化水素基、炭化水素ジオキシ基、ヘテロアリーレン基、フェロセニレン基又はシリレンジオキシ基、Ｒ1は炭化水素基、Ｒ2は炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基、Ｒ3は水素原子、炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基である）
で表わされるビスホスフィノイル化合物、一般式
【化５】
（式中のＡ及びＲ1は前記と同じ意味をもつ）
で表わされるジホスフィンオキシド化合物と、一般式
Ｒ2−Ｃ≡Ｃ−Ｒ3 （ＩＩＩ）
（式中のＲ2及びＲ3は前記と同じ意味をもつ）
で表わされるアセチレン化合物とを反応させることを特徴とする、一般式
【化６】
（式中のＡ、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ意味をもつ）
で表わされるビスホスフィノイル化合物の製造方法、及び上記のビスホスフィノイル化合物を有効成分として含有することを特徴とする医薬を提供するものである。
【０００９】
本発明のビスホスフィノイル化合物は、上記一般式（Ｉ）で示される化学構造を有するが、このような化合物は文献未載の新規化合物である。
上記一般式（Ｉ）中のＡは、２個のホスフィノイル基を連結する有機基であり、これは二価の炭化水素基、炭化水素ジオキシ基、ヘテロアリーレン基、フェロセニレン基又はシリレンジオキシ基のいずれかである。
【００１０】
この二価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基、脂環族炭化水素基、芳香族炭化水素基のいずれでもよく、脂肪族炭化水素基及び脂環族炭化水素基は不飽和結合を有するものであってもよい。
【００１１】
脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜１８、好ましくは２〜１０の直鎖状又は枝分れ状の炭化水素基、例えばメチレン基、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、２‐メチルヘキセン（１，６）基、オクタン‐１，７‐ジエニル（１，８）基などの飽和アルキレン基又は不飽和アルキレン基を挙げることができる。
【００１２】
また、脂環族炭化水素基としては、例えばシクロペンテン（１，２）基、シクロへキセン（１，４）基、ビシクロデセン（１，８）基のようなシクロアルキレン基や、これらのメチル置換体などを挙げることができる。
【００１３】
芳香族炭化水素基としては、例えばフェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などのアリーレン基を挙げることができる。
【００１４】
炭化水素ジオキシ基としては、例えば１，２‐エタンジオキシ基、１，４‐ブタンジオキシ基、１，６‐ヘキセンジオキシ基、１，４‐シクロヘキサン‐ジオキシ基、フェニレンジオキシ基のようなアルキレンジオキシ基やシクロアルキレンジオキシ基、アリーレンジオキシ基を挙げることができる。
【００１５】
また、上記のヘテロアリーレン基は、ヘテロ原子を含み、芳香族性を有する二価の複素環基を意味し、例えばフラン、チオフェン、ピロール、ピリジン、チアゾール、イミダゾール、ピリミジンなどの複素環から誘導された二価の残基を挙げることができる。
この二価の有機基のＡとしては、そのほかフェロセニレン基やシリレンジオキシ基を挙げることができる。
【００１６】
次に、一般式（Ｉ）中のＲ1の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基、脂環族炭化水素基、芳香族炭化水素基の中から任意に選ぶことができる。この脂肪族炭化水素基は、飽和、不飽和のいずれでもよく、また直鎖状、枝分れ状のいずれでもよい。
【００１７】
このような炭化水素基の例としては、炭素数１〜１８、好ましくは２〜１０のアルキル基例えばメチル基、エチル基、ｎ‐プロピル基、イソプロピル基、ｎ‐ブチル基、ｓｅｃ‐ブチル基、ｔｅｒｔ‐ブチル基、ｎ‐ペンチル基、イソペンチル基、２‐メチルブチル基、３‐メチルブチル基、ｎ‐ヘキシル基、イソヘキシル基、２‐エチルブチル基、３‐エチルブチル基、直鎖状又は枝分れ状のヘプチル、オクチル、ノニル又はドデシル基、炭素数２〜１８、好ましくは２〜１０のアルケニル基、例えば、エテニル基、アルリル基、３‐ブテニル基、炭素数５〜１８、好ましくは６〜１２のシクロアルキル基、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基、炭素数６〜１４、好ましくは６〜１０のアリール基、例えばフェニル基、クメニル基、メシチル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、炭素数７〜１２、好ましくは７〜１０のアラルキル基、例えばベンジル基、フェネチル基など挙げることができる。
このアリール基及びアラルキル基については、その芳香環にヒドロキシル基、ハロゲン原子、アルキコシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基などの置換基を有することができる。
【００１８】
Ｒ2の炭化水素基の例としては、Ｒ1の例として挙げたものと同じものを挙げることができる。また、ヘテロアリール基としては、ヘテロ原子として硫黄原子、窒素原子、酸素原子をもつ芳香族性複素環基、例えばフリル基、テニル基、ピロリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、ピラゾニル基、ピラニル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリジル基などを挙げることができる。このＲ2としては、このほかフェロセニル基、シリル基を挙げることができる。
【００１９】
このシリル基としては、ＳｉＨ3、ＳｉＲ3（ただしＲは、炭化水素基又は炭化水素オキシ基）例えばトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基、トリメトキシシリル、ｔ‐ブチルジメチルシリル基がある。
【００２０】
これらの複素環基には、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基などの置換基を有することができる。
【００２１】
本発明によれば、この一般式（Ｉ）のビスホスフィノイル化合物は、前記一般式（ＩＩ）で表わされるジホスフィンオキシド化合物２分子を、前記一般式（ＩＩＩ）で表わされるアセチレン化合物１分子に対し、付加反応させることによって製造する。アセチレン結合に対する付加反応によりエチレン結合を形成させる場合は、シス型の付加化合物が得られるので、上記の方法により一般式（Ｉ）のビスホスフィノイル化合物を製造すると、以下に示す３種のシス型異性体を生じる。
【００２２】
【化７】
【００２３】
これらの異性体は、所望ならば精留、再結晶、溶媒抽出、クロマトグラフィーなど異性体分離に慣用されている手段を用いて、分離することができるが、本発明の医薬の有効成分として用いる場合には、特に分離せずに異性体混合物のまま用いることができる。
【００２４】
この一般式（ＩＩ）で表わされるジホスフィンオキシドと一般式（ＩＩＩ）で表わされるアセチレンの反応は、金属触媒の存在下で行うのが好ましい。この金属触媒としては、周期表第１０族の金属、例えばパラジウム、ロジウム又はニッケルなどの金属の錯体が用いられる。この錯体は、従来、各種化学反応の触媒として慣用されているものの中から任意に選んで用いることができるが、金属が低原子価（０〜２価）であり、配位子として第三級ホスフィン又は第三級ホスファイトを有するものが好ましい。また、反応系中で容易に低原子価に変換し得る高原子価の前駆体を用いることもできる。
【００２５】
また、別の配位子をもつ金属錯体を用い、反応系中で、第三級ホスフィンや第三級ホスファイトと混合し、第三級ホスフィン又は第三級ホスファイトを配位子とする低原子価錯体を形成させるイン・サイチュ（ｉｎ ｓｉｔｕ）法も有利な方法である。
【００２６】
この触媒として用いる金属錯体の配位子となる第三級ホスフィン又は第三級ホスファイトとしては、例えば、トリフェニルホスフィン、ジフェニルメチルホスフィン、フェニルジメチルホスフィン、１，４‐ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，３‐ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，２‐ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，１´‐ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、トリメチルホスファイト、トリフェニルホスファイトなどを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これらの配位子は、同種のもののみであってもよいし、２種以上の組み合せであってもよい。
【００２７】
一方、イン・サイチュ法で用いられる第三級ホスフィンや第三級ホスファイトを配位子として有しない金属錯体の例としては、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、ビス（１，５‐シクロオクタジエン）ニッケル、アセチルアセトンビスエチレンロジウム、クロロビスエチレンロジウム、ジカルボニルアセチルアセトナトロジウム、ヘキサロジウムヘキサデカカルボニル、クロロ（１，５‐シクロオクタジエン）ロジウム、クロロノルボルナジエンロジウムなどがあるが、これらに限定されるものではない。
また、イン・サイチュ法においては、塩化パラジウム、酢酸パラジウムのような錯体以外の化合物も用いることができる。
【００２８】
前記一般式（ＩＩ）で表わされるジホスフィンオキシド化合物と一般式（ＩＩＩ）で表わされるアセチレン化合物との反応で好適に用いられる金属錯体としては、例えば、ジメチルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジメチルビス（ジフェニルメチルホスフィン）パラジウム、ジメチルビス（ジメチルフェニルホスフィン）パラジウム、ジメチルビス（トリエチルホスフィン）パラジウム、（エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムなどのパラジウム錯体、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、テトラキス（ジフェニルメチルホスフィン）ニッケル、テトラキス（ジメチルフェニルホスフィン）ニッケル、テトラキス（トリエチルホスフィン）ニッケルなどのニッケル錯体、クロロカルボニルビストリフェニルホスフィンロジウム、ヒドリドカルボニルトリストリフェニルホスフィンロジウム、クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウムなどのロジウム錯体が挙げられる。
【００２９】
これらの触媒の使用量はいわゆる触媒量でよく、一般的にアセチレン化合物に対して２０モル％以下で十分であり、好ましくは０．０１〜５モル％である。アセチレン化合物と次亜リン酸との使用比率は、一般的にモル比で１：１が好ましいが、これより大きくても小さくても、反応の生起を阻害するものではない。
【００３０】
反応は特に溶媒を用いなくてもよいが、必要に応じて溶媒中で実施することもできる。溶媒としては、炭化水素類、ハロゲン炭化水素類、エーテル類、ケトン類、ニトリル類、エステル類など種々のものが使用できる。また、これらは単独若しくは２種以上の混合物として使用される。
【００３１】
反応温度は、あまりに低温では反応が有利な速度で進行せず、あまりに高温では触媒が分解するので、一般的には、零下２０℃ないし１５０℃の範囲から選ばれ、好ましくは室温ないし１００℃の範囲で実施される。
【００３２】
本反応に用いられる触媒は、酸素に敏感であり、反応の実施は、窒素やアルゴン、メタンなどの不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。
【００３３】
前記一般式（ＩＩ）で表わされるジホスフィンオキシド化合物と、一般式（ＩＩＩ）で表わされるアセチレン化合物との反応は、さらに一般式
【化８】
（式中のＲ4は炭化水素基である）
で表わされるホスフィン酸の存在下で行うと、反応の選択性が著しく向上するので好ましい。
【００３４】
この一般式（ＩＶ）の中のＲ4は、脂肪族、脂環族又は芳香族炭化水素基であり、脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜６のアルキル基、脂環族炭化水素基としては５〜７員環のシクロアルキル基、芳香族炭化水素基としては、フェニル基又はそのアルキル置換体が好ましい。
【００３５】
好ましいホスフィン酸は、ジメチルホスフィン酸、ジエチルホスフィン酸、ジフェニルホスフィン酸などであるが、これらに限定されない。その使用量としては、原料として用いるジホスフィンオキシド化合物に対し、同量以下、好ましくは０．１〜１０モル％の範囲で選ばれる。
【００３６】
本発明のビスホスフィノイル化合物の中で、特に好ましいのは、一般式
【化９】
（式中のＡｒはアリーレン基、Ｐｈはフェニル基、Ｒ2は炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基、Ｒ3は水素原子、炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基である）
である。
【００３７】
このようにして得られる本発明のビスホスフィノイル化合物は、固形癌及びリンパ腫、特に皮膚癌、膀胱癌、乳癌、子宮癌、卵巣癌、前立腺癌、肺癌、大腸癌、膵癌、腎癌、胃癌などの癌細胞の増殖を抑制する作用を有し、癌の予防薬又は治療薬として用いることができる。
【００３８】
本発明の化合物を医薬として用いる場合は、これを通常の製剤に際して使用されている賦形剤と混合し、注射液、経鼻投与剤、散剤、錠剤、糖衣錠、舌下錠、カプセル剤、トローチ剤、坐薬、クリーム剤、軟膏剤、皮膚適用ゲル剤、液剤などに製剤する。
【００３９】
この際用いられる賦形剤としては、例えば生理塩水、水、ブドウ糖液、エタノール、ジメチルスルホキシドなどの液状賦形剤、乳糖、ブドウ糖、亜硫酸ナトリウム、リン酸カルシウム、炭酸マグネシウム、合成ケイ酸アルミニウム、炭酸水素ナトリウム、カオリン、タルク、酸化亜鉛、デンプン、ゼラチン、ヨウ化カリウム、塩化ナトリウム、ホウ酸などの固体賦形剤を挙げることができる。
【００４０】
本発明化合物を医薬として投与する場合の投与量は、経口投与の場合、１日の投与量は、体重当り約０．００１から５０ｍｇ／ｋｇ、好ましくは０．０１から３０ｍｇ／ｋｇが適当である。静脈投与される場合、１日の投与量は、体重当り約０．０００１から５０ｍｇ／ｋｇ、好ましくは、約０．００１から１０ｍｇ／ｋｇが適当であり、これを１日１回乃至複数回に分けて投与するか、持続的に点滴投与することが好ましい。投与頻度、投与量、点滴投与時間などは、症状、年令、性別などを考慮して個々の場合に応じて適宜決定される。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば、癌細胞増殖抑制作用を有し、抗瘍剤のような医薬として有用な新規ビスホスフィノイル化合物が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
次に実施例により本発明を実施するための最良の形態を説明するが、これにより本発明はなんら限定されるものではない。
【実施例１】
【００４３】
以下に示す化合物７ａ、７ｂ又は７ｃ １ｍｍｏｌと表１に示すアセチレン化合物とを、以下に示す条件Ｉ、ＩＩ又はＩＩＩで反応させることにより、以下の式８ａ、８ａ´、８ｂ、８ｂ´、９ａ、９ａ´、９ｂ、９ｂ´、１０ａ、１０ａ´、１０ｂ及び１０ｂ´で示されるビスホスフィノイル化合物を製造した。
【００４４】
原料化合物
【化１０】
【００４５】
反応条件Ｉ；原料化合物７ａ、７ｂ又は７ｃ １ｍｍｏｌとアセチレン化合物２ｍｍｏｌとを、ジクロロメタン６ｍｌ中に溶解し、原料化合物に基づき１．５ｍｏｌ％のＲｈＢｒ（ＰＰｈ3）3を添加し、２２時間還流させた。
反応条件ＩＩ；原料化合物７ａ、７ｂ又は７ｃ １ｍｍｏｌとアセチレン化合物２ｍｍｏｌとをテトラヒドロフラン３ｍｌ中に溶解し、原料化合物に基づき、ＰｄＭｅ2（ＰＰｈＭｅ2）2 ５ｍｏｌ％及びＰｈ2Ｐ（Ｏ）ＯＨ １０ｍｏｌ％を加え、１８時間還流させた。
反応条件ＩＩＩ；原料化合物７ａ、７ｂ又は７ｃ １ｍｍｏｌとアセチレン化合物２ｍｍｏｌとを、テトラヒドロフラン３ｍｌ中に溶解し、原料化合物に基づき、Ｎｉ（ＰＰｈＭｅ2）4 ５ｍｏｌ％及びＰｈ2Ｐ（Ｏ）ＯＨ １０ｍｏｌ％を加え、１８時間還流させた。
【００４６】
生成物
【化１１】
【００４７】
【表１】
【００４８】
このようにして得られた生成物の同定データを以下に示す。
８ａ：1Ｈ ＮＭＲ δ ０．８５−０．８９（６Ｈ，ｂｒ ｍ），１．２６−１．３１（１２Ｈ，ｂｒ ｍ），１．４３（４Ｈ，ｂｒ ｑｕｉｎｔ．，Ｊ＝７．３Ｈｚ），２．３０（４Ｈ，ｂｒ ｑ，Ｊ＝６．７Ｈｚ），６．２１（２Ｈ，ｄｄ，ＪHP＝２５．３，ＪHH＝１７．１Ｈｚ），６．７１−６．８１（２Ｈ，ｍ），７．４７（４Ｈ，ｂｒ ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），７．５４（２Ｈ，ｂｒ ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ），７．６８（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１２．２，７．３Ｈｚ），７．７５−７．７９（４Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ２３．０． ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ34Ｈ44Ｏ2Ｐ2：５４６．２８１７（Ｍ+）．測定値：５４６．２８２９．元素分析．計算値 Ｃ34Ｈ44Ｏ2Ｐ2：Ｃ，７４．７０；Ｈ，８．１１．測定値：Ｃ，７４．６４；Ｈ，８．１４．
８ａ´：1Ｈ ＮＭＲ δ ０．８１−０．８７（６Ｈ，ｍ），１．１５−１．２８（１２Ｈ，ｍ），１．４４−１．４８（４Ｈ，ｍ），２．２７−２．３３（４Ｈ，ｍ），５．６６（２Ｈ，ｄ，ＪHP＝２１．３Ｈｚ），５．９９（２Ｈ，ｄ，ＪHP＝４３．８Ｈｚ），７．４９−７．５１（４Ｈ，ｍ），７．５５−７．５９（２Ｈ，ｍ），７．６８−７．７２（４Ｈ，ｍ），７．８０−７．８３（４Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ３１．２．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ34Ｈ44Ｏ2Ｐ2：５４６．２８１７（Ｍ+）．測定値：５４６．２８１１．元素分析．計算値 Ｃ34Ｈ44Ｏ2Ｐ2：Ｃ，７４．７０；Ｈ，８．１１．測定値：Ｃ，７４．３２；Ｈ，８．２４．
８ｂ：1Ｈ ＮＭＲ δ ５．６０（２Ｈ，ｄ，ＪHP＝１９．８Ｈｚ），６．２６（２Ｈ，ｄ，ＪHP＝４０．８Ｈｚ），７．２４（６Ｈ，ｂｒ ｍ），７．４０−７．４１（４Ｈ，ｂｒ ｍ），７．４４−７．４７（４Ｈ，ｍ），７．５３−７．５６（２Ｈ，ｍ），７．６９（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．９，７．０Ｈｚ），７．７５−７．８０（４Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ２９．３．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ34Ｈ28Ｏ2Ｐ2：５３０．１５６５（Ｍ+）．測定値：５４６．１５８２．元素分析．計算値Ｃ34Ｈ28Ｏ2Ｐ2：Ｃ，７６．９７；Ｈ，５．３２．測定値：Ｃ，７６．５７；Ｈ，５．１５．
８ｂ´：1Ｈ ＮＭＲ δ ６．８２（２Ｈ，ｄｄ，ＪHP＝２２．９，ＪHH＝１７．４Ｈｚ），７．３７−７．４１（３Ｈ，ｍ），７．４７−７．５８（６Ｈ，ｍ），７．７２−７．７７（２Ｈ，ｍ），７．８５−７．８８（２Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ２３．９．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ34Ｈ28Ｏ2Ｐ2：５３０．１５６５（Ｍ+）．測定値：５４６．１６３９．元素分析．計算値 Ｃ34Ｈ28Ｏ2Ｐ2：Ｃ，７６．９７；Ｈ，５．３２．測定値：Ｃ，７６．６３；Ｈ，５．２１．
９ａ：1Ｈ ＮＭＲ δ ０．７９（６Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．５Ｈｚ），１．２０（１２Ｈ，ｂｒ ｓ），１．３７（４Ｈ，ｈｅｐｔ．，Ｊ＝６．６Ｈｚ），２．１７−２．２３（４Ｈ，ｍ），６．１２（２Ｈ，ｄｄｄ，ＪHP＝２５．３Ｈｚ，ＪHH＝１７．０，９．５Ｈｚ），６．６０−６．７２（２Ｈ，ｍ），７．３３−７．３８（４Ｈ，ｍ），７．４３（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．７Ｈｚ），７．４８（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），７．５３−７．５９（４Ｈ，ｍ），７．７７−７．８１（２Ｈ，ｍ），７．８６（１Ｈ，ｑ，Ｊ＝１１．３Ｈｚ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ２３．０．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ34Ｈ44Ｏ2Ｐ2：５４６．２８１７（Ｍ+）．測定値：５４６．２７４３．
９ａ´：1Ｈ ＮＭＲ δ ０．８３（６Ｈ，ｄｔ，Ｊ＝７．３，１．５Ｈｚ），１．１７−１．２８（１２Ｈ，ｍ），１．３５−１．４６（４Ｈ，ｍ），２．２３（４Ｈ，ｑｕｉｎｔ．，Ｊ＝８．２Ｈｚ），５．５８（２Ｈ，ｄｄ，ＪHP＝２０．９Ｈｚ，ＪHH＝３．６Ｈｚ），５．９２（ｄｄ，ＪHP＝４３．８Ｈｚ，ＪHH＝６．９Ｈｚ，７．４３−７．４７（４Ｈ，ｍ），７．５１−７．５６（３Ｈ，ｍ），７．６１−７．６５（４Ｈ，ｍ），７．８１（１Ｈ，ｔｄ，Ｊ＝１１．２，６．４Ｈｚ），７．９４−７．９８（２Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ３１．１．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ34Ｈ44Ｏ2Ｐ2：５４６．２８１７（Ｍ+）．測定値：５４６．２７４７．
９ｂ：1Ｈ ＮＭＲ δ ６．８０（ｄｄｄ，ＪHP＝２３．２Ｈｚ，ＪHH＝１７．４，８．５Ｈｚ），７．３４−７．３７（６Ｈ，ｍ），７．４１−７．５５（１２Ｈ，ｍ），７．６０−７．６３（１Ｈ，ｍ），７．６８−７．７３（４Ｈ，ｍ），７．９６（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１１．２，８．２Ｈｚ），８．０５（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝１１．７Ｈｚ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ２３．９．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ34Ｈ28Ｏ2Ｐ2：５３０．１５６５（Ｍ+）．測定値：５３０．１５５３．
９ｂ´：1Ｈ ＮＭＲ δ ５．５９（２Ｈ，ｄｄ，ＪHP＝２４．７Ｈｚ，ＪHH＝２０．１Ｈｚ），６．１９（２Ｈ，ｄｄ，ＪHP＝４０．９Ｈｚ，ＪHH＝１５．０Ｈｚ），７．１７−７．２８（６Ｈ，ｍ），７．３７−７．６０（１５Ｈ，ｍ），７．７７（１Ｈ，ｑｕｉｎｔ．，Ｊ＝１１．２Ｈｚ），７．９１−７．９９（２Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ２９．５．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ34Ｈ28Ｏ2Ｐ2：５３０．１５６５（Ｍ+）．測定値：５３０．１５８５．
１０ａ：1Ｈ ＮＭＲ δ ０．８５−０．８９（６Ｈ，ｍ），１．２６−１．３５（１２Ｈ，ｍ），１．４７（４Ｈ，ｓｅｘｔ．，Ｊ＝８．０Ｈｚ），２．２９（４Ｈ，ｑｕｉｎｔ．，Ｊ＝７．８Ｈｚ），６．２１（２Ｈ，ｄｄｄ，ＪHP＝２６．５Ｈｚ，ＪHH＝１７．１，９．１Ｈｚ），６．７３−６．８４（２Ｈ，ｍ），７．４６−７．５０（６Ｈ，ｍ），７．５３−７．５８（２Ｈ，ｍ），７．７１−７．７６（４Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ １６．１．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ32Ｈ42Ｏ2Ｐ2Ｓ：５５２．２３８１（Ｍ+）．測定値：５５２．２３９８．
１０ａ´：1Ｈ ＮＭＲ δ ０．８４（６Ｈ，ｑ，Ｊ＝６．６Ｈｚ），１．１６−１．３０（１２Ｈ，ｍ），１．４２−１．４８（４Ｈ，ｍ），２．３０（４Ｈ，ｑｕｉｎｔ．，Ｊ＝８．１Ｈｚ），５．７７（２Ｈ，ｄｄ，ＪHP＝２２．３Ｈｚ，ＪHH＝１０．１Ｈｚ），５．９６（ｄｄ，ＪHP＝４５．２Ｈｚ，ＪHH＝１０．１Ｈｚ），７．４７−７．６０（８Ｈ，ｍ），７．７２−７．７８（４Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ２４．０．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ32Ｈ42Ｏ2Ｐ2Ｓ：５５２．２３８１（Ｍ+）．測定値：５５２．２２８０．
１０ｂ：1Ｈ ＮＭＲ δ ６．８１（２Ｈ，ｄｄｄ，ＪHP＝２４．１Ｈｚ，ＪHH＝１７．４，５．５Ｈｚ），７．３８（６Ｈ，ｔ，Ｊ＝３．０Ｈｚ），７．４９−７．５９（１４Ｈ，ｍ），７．７９−７．８３（４Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ １６．９．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ32Ｈ26Ｏ2Ｐ2Ｓ：５３６．１１２９（Ｍ+）．測定値：５３６．１１６２．
１０ｂ´：1Ｈ ＮＭＲ δ ５．８７（２Ｈ，ｄｄ，ＪHP＝２１．０Ｈｚ，ＪHH＝４．７Ｈｚ），６．２２（２Ｈ，ｄｄ，ＪHP＝４２．０Ｈｚ，ＪHH＝３．９Ｈｚ），７．２３−７．２７（２Ｈ，ｍ），７．３５−７．５６（１４Ｈ，ｍ），７．７０−７．７９（６Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ２２．３．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ32Ｈ26Ｏ2Ｐ2Ｓ：５３６．１１２９（Ｍ+）．測定値：５３６．１０８６．
【実施例２】
【００４９】
この例においては、ヒト白血病Ｕ９３７、ヒト結腸癌ＨＴ２９、マウス筋繊維癌Ｓ１８０及びマウス正常線維芽細胞株ＮＩＨ３Ｔ３細胞を用いて癌細胞増殖抑制効果を試験した。
【００５０】
Ｕ９３７細胞は、１０％ウシ胎児血清、グルタミン２ｍＭを含むＲＰＭＩ１６４０培地にて、１０5ｃｅｌｌｓ／ｍｌになるよう細胞を調製し、９６穴マイクロプレート（Ｆａｌｃｏｎ社製）に２００μｌ／ｗｅｌｌずつ播種し、３７℃、５％ＣＯ2条件で培養した。翌日、エタノールで段階希釈した各被検化合物溶液２μｌを添加し、培養を７２時間行った。対照サンプルとして、被検化合物を加えない、エタノール２μｌ添加サンプルも作製した。同条件下で７２時間培養を行い、ＣｅｌｌＴｉｔｅｒアッセイ（Ｐｒｏｍｅｇａ社製）により細胞増殖活性を評価した。被検化合物溶液を加えていない対照群の細胞増殖量を１００％としたときに各処理群の細胞増殖量の割合を求め、残存細胞量を対照の５０％に抑制するのに必要な化合物濃度（ＩＣ50）値を算出した。
【００５１】
ＨＴ−２９細胞は１０％ウシ胎児血清、グルタミン２ｍＭを含むＭｃＣｏｙ’ｓ ５ａ培地にて、１０5ｃｅｌｌｓ／ｍｌになるよう細胞を調製し、９６穴マイクロプレート（Ｆａｌｃｏｎ社製）に１００μｌ／ｗｅｌｌずつ播種し、３７℃、５％ＣＯ2条件で培養した。二日後、エタノールで段階希釈した各被検化合物溶液２μｌを添加し、培養を７２時間行った。対照サンプルとして、被検化合物を加えない、エタノール２μｌ添加サンプルも作製した。同条件下で培養を行い、ＣｅｌｌＴｉｔｅｒアッセイ（Ｐｒｏｍｅｇａ社製）により細胞増殖活性を評価した。被検化合物溶液を加えていない対照群の細胞増殖量を１００％としたときに各処理群の細胞増殖量の割合を求め、残存細胞量を対照の５０％に抑制するのに必要な化合物濃度（ＩＣ50）値を算出した。被検化合物溶液を加えていない対照群のタンパク質量を１００％としたときに各処理群の残存タンパク質量の割合を求め、残存細胞量を対照の５０％に抑制するのに必要な化合物濃度（ＩＣ50）値を算出した。
【００５２】
Ｓ１８０とＮＩＨ３Ｔ３細胞は１０％ウシ胎児血清、グルタミン２ｍＭを含むＥａｇｌｅ’ｓ ＭＥＭにて、１０5ｃｅｌｌｓ／ｍｌになるよう細胞を調製し、９６穴マイクロプレート（Ｆａｌｃｏｎ社製）に１００μｌ／ｗｅｌｌずつ播種し、３７℃、５％ＣＯ2条件で培養した。翌日、エタノールで段階希釈した各被検化合物溶液２μｌを添加し、培養を７２時間行った。対照サンプルとして、被検化合物を加えない、エタノール２μｌ添加サンプルも作製した。同条件下で７２時間培養を行い、ＣｅｌｌＴｉｔｅｒアッセイ（Ｐｒｏｍｅｇａ）により細胞増殖活性を評価した。被検化合物溶液を加えていない対照群の細胞増殖量を１００％としたときに各処理群の細胞増殖量の割合を求め、残存細胞量を対照の５０％に抑制するのに必要な化合物濃度（ＩＣ50）値を算出した。被検化合物溶液を加えていない対照群のタンパク質量を１００％としたときに各処理群の残存タンパク質量の割合を求め、残存細胞量を対照の５０％に抑制するのに必要な化合物濃度（ＩＣ50）値を算出した。
【００５３】
また、既存抗がん剤との比較実験として、シスプラチン（シグマ社製）を用いた。
これらの結果を表２に示した。
【００５４】
【表２】
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明の新規なビスホスフィノイル化合物は、癌細胞に選択的に作用し、良好な癌細胞増殖抑制活性を示すので、癌治療剤として有用である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、癌細胞増殖抑制作用を有する新規ビスホスフィノイル化合物、その製造方法、及びそれを有効成分として含有する新規な医薬に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
２個のホスフィンオキシド基をもつ化合物は、各種反応触媒の配位子の製造原料、酵素の活性抑制剤、発光素子などとして有用であり、これまでにもいくつか知られ、その製造方法もいくつか提案されている。
【０００３】
例えば、一般式
【化１】
又は
【化２】
（式中のＲは水素原子又はアルキル基のような置換基、Ｒ´は炭化水素基、Ａは二価の架橋基）
で表わされるビス（アルケニルホスフィンオキシド）化合物の製造方法（特許文献１〜５参照）が、また
【化３】
（式中のＲは水素原子又はアルキル基のような置換基、Ａｒはアリール基、Ａは連結基）
で表わされるホスフィンオキシド基で置換された芳香族化合物を含む発光素子（特許文献６参照）が、これまでに提案されている。
【０００４】
しかしながら、直接ホスフィノイル基を介して架橋基により連結しているビスホスフィノイル化合物や、これを有効成分として含む医薬はこれまで知られていなかった。
【０００５】
【特許文献１】特開平９−２４１２７６号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献２】特開平９−２９５９９３号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献３】特開２００２−２４１３８６号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献４】特開２００４−２６６５５号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献５】特開２００４−４３４９２号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献６】特開２００４−９５２２１号公報（特許請求の範囲その他）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、癌細胞増殖抑制作用を有する新規ビスホスフィノイル化合物及びそれを有効成分として含有する新規医薬を提供することを目的としてなされたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、ホスフィンオキシド基を介して２個の有機基が架橋結合したビスホスフィノイル化合物、特に１分子のジホスフィンオキシド化合物と、２分子のアセチレン化合物との反応により得られる２個のエチレン結合をもつビスホスフィノイル化合物が癌細胞増殖抑制作用を有することを見出し、この知見に基づいて、本発明をなすに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は、一般式
【化４】
（式中のＡは二価の炭化水素基、炭化水素ジオキシ基、ヘテロアリーレン基、フェロセニレン基又はシリレンジオキシ基、Ｒ1は炭化水素基、Ｒ2は炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基、Ｒ3は水素原子、炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基である）
で表わされるビスホスフィノイル化合物、一般式
【化５】
（式中のＡ及びＲ1は前記と同じ意味をもつ）
で表わされるジホスフィンオキシド化合物と、一般式
Ｒ2−Ｃ≡Ｃ−Ｒ3 （ＩＩＩ）
（式中のＲ2及びＲ3は前記と同じ意味をもつ）
で表わされるアセチレン化合物とを反応させることを特徴とする、一般式
【化６】
（式中のＡ、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ意味をもつ）
で表わされるビスホスフィノイル化合物の製造方法、及び上記のビスホスフィノイル化合物を有効成分として含有することを特徴とする医薬を提供するものである。
【０００９】
本発明のビスホスフィノイル化合物は、上記一般式（Ｉ）で示される化学構造を有するが、このような化合物は文献未載の新規化合物である。
上記一般式（Ｉ）中のＡは、２個のホスフィノイル基を連結する有機基であり、これは二価の炭化水素基、炭化水素ジオキシ基、ヘテロアリーレン基、フェロセニレン基又はシリレンジオキシ基のいずれかである。
【００１０】
この二価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基、脂環族炭化水素基、芳香族炭化水素基のいずれでもよく、脂肪族炭化水素基及び脂環族炭化水素基は不飽和結合を有するものであってもよい。
【００１１】
脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜１８、好ましくは２〜１０の直鎖状又は枝分れ状の炭化水素基、例えばメチレン基、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、２‐メチルヘキセン（１，６）基、オクタン‐１，７‐ジエニル（１，８）基などの飽和アルキレン基又は不飽和アルキレン基を挙げることができる。
【００１２】
また、脂環族炭化水素基としては、例えばシクロペンテン（１，２）基、シクロへキセン（１，４）基、ビシクロデセン（１，８）基のようなシクロアルキレン基や、これらのメチル置換体などを挙げることができる。
【００１３】
芳香族炭化水素基としては、例えばフェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などのアリーレン基を挙げることができる。
【００１４】
炭化水素ジオキシ基としては、例えば１，２‐エタンジオキシ基、１，４‐ブタンジオキシ基、１，６‐ヘキセンジオキシ基、１，４‐シクロヘキサン‐ジオキシ基、フェニレンジオキシ基のようなアルキレンジオキシ基やシクロアルキレンジオキシ基、アリーレンジオキシ基を挙げることができる。
【００１５】
また、上記のヘテロアリーレン基は、ヘテロ原子を含み、芳香族性を有する二価の複素環基を意味し、例えばフラン、チオフェン、ピロール、ピリジン、チアゾール、イミダゾール、ピリミジンなどの複素環から誘導された二価の残基を挙げることができる。
この二価の有機基のＡとしては、そのほかフェロセニレン基やシリレンジオキシ基を挙げることができる。
【００１６】
次に、一般式（Ｉ）中のＲ1の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基、脂環族炭化水素基、芳香族炭化水素基の中から任意に選ぶことができる。この脂肪族炭化水素基は、飽和、不飽和のいずれでもよく、また直鎖状、枝分れ状のいずれでもよい。
【００１７】
このような炭化水素基の例としては、炭素数１〜１８、好ましくは２〜１０のアルキル基例えばメチル基、エチル基、ｎ‐プロピル基、イソプロピル基、ｎ‐ブチル基、ｓｅｃ‐ブチル基、ｔｅｒｔ‐ブチル基、ｎ‐ペンチル基、イソペンチル基、２‐メチルブチル基、３‐メチルブチル基、ｎ‐ヘキシル基、イソヘキシル基、２‐エチルブチル基、３‐エチルブチル基、直鎖状又は枝分れ状のヘプチル、オクチル、ノニル又はドデシル基、炭素数２〜１８、好ましくは２〜１０のアルケニル基、例えば、エテニル基、アルリル基、３‐ブテニル基、炭素数５〜１８、好ましくは６〜１２のシクロアルキル基、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基、炭素数６〜１４、好ましくは６〜１０のアリール基、例えばフェニル基、クメニル基、メシチル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、炭素数７〜１２、好ましくは７〜１０のアラルキル基、例えばベンジル基、フェネチル基など挙げることができる。
このアリール基及びアラルキル基については、その芳香環にヒドロキシル基、ハロゲン原子、アルキコシ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基などの置換基を有することができる。
【００１８】
Ｒ2の炭化水素基の例としては、Ｒ1の例として挙げたものと同じものを挙げることができる。また、ヘテロアリール基としては、ヘテロ原子として硫黄原子、窒素原子、酸素原子をもつ芳香族性複素環基、例えばフリル基、テニル基、ピロリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、ピラゾニル基、ピラニル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリジル基などを挙げることができる。このＲ2としては、このほかフェロセニル基、シリル基を挙げることができる。
【００１９】
このシリル基としては、ＳｉＨ3、ＳｉＲ3（ただしＲは、炭化水素基又は炭化水素オキシ基）例えばトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基、トリメトキシシリル、ｔ‐ブチルジメチルシリル基がある。
【００２０】
これらの複素環基には、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アミノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基などの置換基を有することができる。
【００２１】
本発明によれば、この一般式（Ｉ）のビスホスフィノイル化合物は、前記一般式（ＩＩ）で表わされるジホスフィンオキシド化合物２分子を、前記一般式（ＩＩＩ）で表わされるアセチレン化合物１分子に対し、付加反応させることによって製造する。アセチレン結合に対する付加反応によりエチレン結合を形成させる場合は、シス型の付加化合物が得られるので、上記の方法により一般式（Ｉ）のビスホスフィノイル化合物を製造すると、以下に示す３種のシス型異性体を生じる。
【００２２】
【化７】
【００２３】
これらの異性体は、所望ならば精留、再結晶、溶媒抽出、クロマトグラフィーなど異性体分離に慣用されている手段を用いて、分離することができるが、本発明の医薬の有効成分として用いる場合には、特に分離せずに異性体混合物のまま用いることができる。
【００２４】
この一般式（ＩＩ）で表わされるジホスフィンオキシドと一般式（ＩＩＩ）で表わされるアセチレンの反応は、金属触媒の存在下で行うのが好ましい。この金属触媒としては、周期表第１０族の金属、例えばパラジウム、ロジウム又はニッケルなどの金属の錯体が用いられる。この錯体は、従来、各種化学反応の触媒として慣用されているものの中から任意に選んで用いることができるが、金属が低原子価（０〜２価）であり、配位子として第三級ホスフィン又は第三級ホスファイトを有するものが好ましい。また、反応系中で容易に低原子価に変換し得る高原子価の前駆体を用いることもできる。
【００２５】
また、別の配位子をもつ金属錯体を用い、反応系中で、第三級ホスフィンや第三級ホスファイトと混合し、第三級ホスフィン又は第三級ホスファイトを配位子とする低原子価錯体を形成させるイン・サイチュ（ｉｎ ｓｉｔｕ）法も有利な方法である。
【００２６】
この触媒として用いる金属錯体の配位子となる第三級ホスフィン又は第三級ホスファイトとしては、例えば、トリフェニルホスフィン、ジフェニルメチルホスフィン、フェニルジメチルホスフィン、１，４‐ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，３‐ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，２‐ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，１´‐ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、トリメチルホスファイト、トリフェニルホスファイトなどを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これらの配位子は、同種のもののみであってもよいし、２種以上の組み合せであってもよい。
【００２７】
一方、イン・サイチュ法で用いられる第三級ホスフィンや第三級ホスファイトを配位子として有しない金属錯体の例としては、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、ビス（１，５‐シクロオクタジエン）ニッケル、アセチルアセトンビスエチレンロジウム、クロロビスエチレンロジウム、ジカルボニルアセチルアセトナトロジウム、ヘキサロジウムヘキサデカカルボニル、クロロ（１，５‐シクロオクタジエン）ロジウム、クロロノルボルナジエンロジウムなどがあるが、これらに限定されるものではない。
また、イン・サイチュ法においては、塩化パラジウム、酢酸パラジウムのような錯体以外の化合物も用いることができる。
【００２８】
前記一般式（ＩＩ）で表わされるジホスフィンオキシド化合物と一般式（ＩＩＩ）で表わされるアセチレン化合物との反応で好適に用いられる金属錯体としては、例えば、ジメチルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジメチルビス（ジフェニルメチルホスフィン）パラジウム、ジメチルビス（ジメチルフェニルホスフィン）パラジウム、ジメチルビス（トリエチルホスフィン）パラジウム、（エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムなどのパラジウム錯体、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、テトラキス（ジフェニルメチルホスフィン）ニッケル、テトラキス（ジメチルフェニルホスフィン）ニッケル、テトラキス（トリエチルホスフィン）ニッケルなどのニッケル錯体、クロロカルボニルビストリフェニルホスフィンロジウム、ヒドリドカルボニルトリストリフェニルホスフィンロジウム、クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウムなどのロジウム錯体が挙げられる。
【００２９】
これらの触媒の使用量はいわゆる触媒量でよく、一般的にアセチレン化合物に対して２０モル％以下で十分であり、好ましくは０．０１〜５モル％である。アセチレン化合物と次亜リン酸との使用比率は、一般的にモル比で１：１が好ましいが、これより大きくても小さくても、反応の生起を阻害するものではない。
【００３０】
反応は特に溶媒を用いなくてもよいが、必要に応じて溶媒中で実施することもできる。溶媒としては、炭化水素類、ハロゲン炭化水素類、エーテル類、ケトン類、ニトリル類、エステル類など種々のものが使用できる。また、これらは単独若しくは２種以上の混合物として使用される。
【００３１】
反応温度は、あまりに低温では反応が有利な速度で進行せず、あまりに高温では触媒が分解するので、一般的には、零下２０℃ないし１５０℃の範囲から選ばれ、好ましくは室温ないし１００℃の範囲で実施される。
【００３２】
本反応に用いられる触媒は、酸素に敏感であり、反応の実施は、窒素やアルゴン、メタンなどの不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。
【００３３】
前記一般式（ＩＩ）で表わされるジホスフィンオキシド化合物と、一般式（ＩＩＩ）で表わされるアセチレン化合物との反応は、さらに一般式
【化８】
（式中のＲ4は炭化水素基である）
で表わされるホスフィン酸の存在下で行うと、反応の選択性が著しく向上するので好ましい。
【００３４】
この一般式（ＩＶ）の中のＲ4は、脂肪族、脂環族又は芳香族炭化水素基であり、脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜６のアルキル基、脂環族炭化水素基としては５〜７員環のシクロアルキル基、芳香族炭化水素基としては、フェニル基又はそのアルキル置換体が好ましい。
【００３５】
好ましいホスフィン酸は、ジメチルホスフィン酸、ジエチルホスフィン酸、ジフェニルホスフィン酸などであるが、これらに限定されない。その使用量としては、原料として用いるジホスフィンオキシド化合物に対し、同量以下、好ましくは０．１〜１０モル％の範囲で選ばれる。
【００３６】
本発明のビスホスフィノイル化合物の中で、特に好ましいのは、一般式
【化９】
（式中のＡｒはアリーレン基、Ｐｈはフェニル基、Ｒ2は炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基、Ｒ3は水素原子、炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基である）
である。
【００３７】
このようにして得られる本発明のビスホスフィノイル化合物は、固形癌及びリンパ腫、特に皮膚癌、膀胱癌、乳癌、子宮癌、卵巣癌、前立腺癌、肺癌、大腸癌、膵癌、腎癌、胃癌などの癌細胞の増殖を抑制する作用を有し、癌の予防薬又は治療薬として用いることができる。
【００３８】
本発明の化合物を医薬として用いる場合は、これを通常の製剤に際して使用されている賦形剤と混合し、注射液、経鼻投与剤、散剤、錠剤、糖衣錠、舌下錠、カプセル剤、トローチ剤、坐薬、クリーム剤、軟膏剤、皮膚適用ゲル剤、液剤などに製剤する。
【００３９】
この際用いられる賦形剤としては、例えば生理塩水、水、ブドウ糖液、エタノール、ジメチルスルホキシドなどの液状賦形剤、乳糖、ブドウ糖、亜硫酸ナトリウム、リン酸カルシウム、炭酸マグネシウム、合成ケイ酸アルミニウム、炭酸水素ナトリウム、カオリン、タルク、酸化亜鉛、デンプン、ゼラチン、ヨウ化カリウム、塩化ナトリウム、ホウ酸などの固体賦形剤を挙げることができる。
【００４０】
本発明化合物を医薬として投与する場合の投与量は、経口投与の場合、１日の投与量は、体重当り約０．００１から５０ｍｇ／ｋｇ、好ましくは０．０１から３０ｍｇ／ｋｇが適当である。静脈投与される場合、１日の投与量は、体重当り約０．０００１から５０ｍｇ／ｋｇ、好ましくは、約０．００１から１０ｍｇ／ｋｇが適当であり、これを１日１回乃至複数回に分けて投与するか、持続的に点滴投与することが好ましい。投与頻度、投与量、点滴投与時間などは、症状、年令、性別などを考慮して個々の場合に応じて適宜決定される。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば、癌細胞増殖抑制作用を有し、抗瘍剤のような医薬として有用な新規ビスホスフィノイル化合物が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
次に実施例により本発明を実施するための最良の形態を説明するが、これにより本発明はなんら限定されるものではない。
【実施例１】
【００４３】
以下に示す化合物７ａ、７ｂ又は７ｃ １ｍｍｏｌと表１に示すアセチレン化合物とを、以下に示す条件Ｉ、ＩＩ又はＩＩＩで反応させることにより、以下の式８ａ、８ａ´、８ｂ、８ｂ´、９ａ、９ａ´、９ｂ、９ｂ´、１０ａ、１０ａ´、１０ｂ及び１０ｂ´で示されるビスホスフィノイル化合物を製造した。
【００４４】
原料化合物
【化１０】
【００４５】
反応条件Ｉ；原料化合物７ａ、７ｂ又は７ｃ １ｍｍｏｌとアセチレン化合物２ｍｍｏｌとを、ジクロロメタン６ｍｌ中に溶解し、原料化合物に基づき１．５ｍｏｌ％のＲｈＢｒ（ＰＰｈ3）3を添加し、２２時間還流させた。
反応条件ＩＩ；原料化合物７ａ、７ｂ又は７ｃ １ｍｍｏｌとアセチレン化合物２ｍｍｏｌとをテトラヒドロフラン３ｍｌ中に溶解し、原料化合物に基づき、ＰｄＭｅ2（ＰＰｈＭｅ2）2 ５ｍｏｌ％及びＰｈ2Ｐ（Ｏ）ＯＨ １０ｍｏｌ％を加え、１８時間還流させた。
反応条件ＩＩＩ；原料化合物７ａ、７ｂ又は７ｃ １ｍｍｏｌとアセチレン化合物２ｍｍｏｌとを、テトラヒドロフラン３ｍｌ中に溶解し、原料化合物に基づき、Ｎｉ（ＰＰｈＭｅ2）4 ５ｍｏｌ％及びＰｈ2Ｐ（Ｏ）ＯＨ １０ｍｏｌ％を加え、１８時間還流させた。
【００４６】
生成物
【化１１】
【００４７】
【表１】
【００４８】
このようにして得られた生成物の同定データを以下に示す。
８ａ：1Ｈ ＮＭＲ δ ０．８５−０．８９（６Ｈ，ｂｒ ｍ），１．２６−１．３１（１２Ｈ，ｂｒ ｍ），１．４３（４Ｈ，ｂｒ ｑｕｉｎｔ．，Ｊ＝７．３Ｈｚ），２．３０（４Ｈ，ｂｒ ｑ，Ｊ＝６．７Ｈｚ），６．２１（２Ｈ，ｄｄ，ＪHP＝２５．３，ＪHH＝１７．１Ｈｚ），６．７１−６．８１（２Ｈ，ｍ），７．４７（４Ｈ，ｂｒ ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），７．５４（２Ｈ，ｂｒ ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ），７．６８（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１２．２，７．３Ｈｚ），７．７５−７．７９（４Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ２３．０． ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ34Ｈ44Ｏ2Ｐ2：５４６．２８１７（Ｍ+）．測定値：５４６．２８２９．元素分析．計算値 Ｃ34Ｈ44Ｏ2Ｐ2：Ｃ，７４．７０；Ｈ，８．１１．測定値：Ｃ，７４．６４；Ｈ，８．１４．
８ａ´：1Ｈ ＮＭＲ δ ０．８１−０．８７（６Ｈ，ｍ），１．１５−１．２８（１２Ｈ，ｍ），１．４４−１．４８（４Ｈ，ｍ），２．２７−２．３３（４Ｈ，ｍ），５．６６（２Ｈ，ｄ，ＪHP＝２１．３Ｈｚ），５．９９（２Ｈ，ｄ，ＪHP＝４３．８Ｈｚ），７．４９−７．５１（４Ｈ，ｍ），７．５５−７．５９（２Ｈ，ｍ），７．６８−７．７２（４Ｈ，ｍ），７．８０−７．８３（４Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ３１．２．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ34Ｈ44Ｏ2Ｐ2：５４６．２８１７（Ｍ+）．測定値：５４６．２８１１．元素分析．計算値 Ｃ34Ｈ44Ｏ2Ｐ2：Ｃ，７４．７０；Ｈ，８．１１．測定値：Ｃ，７４．３２；Ｈ，８．２４．
８ｂ：1Ｈ ＮＭＲ δ ５．６０（２Ｈ，ｄ，ＪHP＝１９．８Ｈｚ），６．２６（２Ｈ，ｄ，ＪHP＝４０．８Ｈｚ），７．２４（６Ｈ，ｂｒ ｍ），７．４０−７．４１（４Ｈ，ｂｒ ｍ），７．４４−７．４７（４Ｈ，ｍ），７．５３−７．５６（２Ｈ，ｍ），７．６９（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．９，７．０Ｈｚ），７．７５−７．８０（４Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ２９．３．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ34Ｈ28Ｏ2Ｐ2：５３０．１５６５（Ｍ+）．測定値：５４６．１５８２．元素分析．計算値Ｃ34Ｈ28Ｏ2Ｐ2：Ｃ，７６．９７；Ｈ，５．３２．測定値：Ｃ，７６．５７；Ｈ，５．１５．
８ｂ´：1Ｈ ＮＭＲ δ ６．８２（２Ｈ，ｄｄ，ＪHP＝２２．９，ＪHH＝１７．４Ｈｚ），７．３７−７．４１（３Ｈ，ｍ），７．４７−７．５８（６Ｈ，ｍ），７．７２−７．７７（２Ｈ，ｍ），７．８５−７．８８（２Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ２３．９．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ34Ｈ28Ｏ2Ｐ2：５３０．１５６５（Ｍ+）．測定値：５４６．１６３９．元素分析．計算値 Ｃ34Ｈ28Ｏ2Ｐ2：Ｃ，７６．９７；Ｈ，５．３２．測定値：Ｃ，７６．６３；Ｈ，５．２１．
９ａ：1Ｈ ＮＭＲ δ ０．７９（６Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．５Ｈｚ），１．２０（１２Ｈ，ｂｒ ｓ），１．３７（４Ｈ，ｈｅｐｔ．，Ｊ＝６．６Ｈｚ），２．１７−２．２３（４Ｈ，ｍ），６．１２（２Ｈ，ｄｄｄ，ＪHP＝２５．３Ｈｚ，ＪHH＝１７．０，９．５Ｈｚ），６．６０−６．７２（２Ｈ，ｍ），７．３３−７．３８（４Ｈ，ｍ），７．４３（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．７Ｈｚ），７．４８（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），７．５３−７．５９（４Ｈ，ｍ），７．７７−７．８１（２Ｈ，ｍ），７．８６（１Ｈ，ｑ，Ｊ＝１１．３Ｈｚ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ２３．０．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ34Ｈ44Ｏ2Ｐ2：５４６．２８１７（Ｍ+）．測定値：５４６．２７４３．
９ａ´：1Ｈ ＮＭＲ δ ０．８３（６Ｈ，ｄｔ，Ｊ＝７．３，１．５Ｈｚ），１．１７−１．２８（１２Ｈ，ｍ），１．３５−１．４６（４Ｈ，ｍ），２．２３（４Ｈ，ｑｕｉｎｔ．，Ｊ＝８．２Ｈｚ），５．５８（２Ｈ，ｄｄ，ＪHP＝２０．９Ｈｚ，ＪHH＝３．６Ｈｚ），５．９２（ｄｄ，ＪHP＝４３．８Ｈｚ，ＪHH＝６．９Ｈｚ，７．４３−７．４７（４Ｈ，ｍ），７．５１−７．５６（３Ｈ，ｍ），７．６１−７．６５（４Ｈ，ｍ），７．８１（１Ｈ，ｔｄ，Ｊ＝１１．２，６．４Ｈｚ），７．９４−７．９８（２Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ３１．１．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ34Ｈ44Ｏ2Ｐ2：５４６．２８１７（Ｍ+）．測定値：５４６．２７４７．
９ｂ：1Ｈ ＮＭＲ δ ６．８０（ｄｄｄ，ＪHP＝２３．２Ｈｚ，ＪHH＝１７．４，８．５Ｈｚ），７．３４−７．３７（６Ｈ，ｍ），７．４１−７．５５（１２Ｈ，ｍ），７．６０−７．６３（１Ｈ，ｍ），７．６８−７．７３（４Ｈ，ｍ），７．９６（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１１．２，８．２Ｈｚ），８．０５（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝１１．７Ｈｚ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ２３．９．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ34Ｈ28Ｏ2Ｐ2：５３０．１５６５（Ｍ+）．測定値：５３０．１５５３．
９ｂ´：1Ｈ ＮＭＲ δ ５．５９（２Ｈ，ｄｄ，ＪHP＝２４．７Ｈｚ，ＪHH＝２０．１Ｈｚ），６．１９（２Ｈ，ｄｄ，ＪHP＝４０．９Ｈｚ，ＪHH＝１５．０Ｈｚ），７．１７−７．２８（６Ｈ，ｍ），７．３７−７．６０（１５Ｈ，ｍ），７．７７（１Ｈ，ｑｕｉｎｔ．，Ｊ＝１１．２Ｈｚ），７．９１−７．９９（２Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ２９．５．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ34Ｈ28Ｏ2Ｐ2：５３０．１５６５（Ｍ+）．測定値：５３０．１５８５．
１０ａ：1Ｈ ＮＭＲ δ ０．８５−０．８９（６Ｈ，ｍ），１．２６−１．３５（１２Ｈ，ｍ），１．４７（４Ｈ，ｓｅｘｔ．，Ｊ＝８．０Ｈｚ），２．２９（４Ｈ，ｑｕｉｎｔ．，Ｊ＝７．８Ｈｚ），６．２１（２Ｈ，ｄｄｄ，ＪHP＝２６．５Ｈｚ，ＪHH＝１７．１，９．１Ｈｚ），６．７３−６．８４（２Ｈ，ｍ），７．４６−７．５０（６Ｈ，ｍ），７．５３−７．５８（２Ｈ，ｍ），７．７１−７．７６（４Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ １６．１．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ32Ｈ42Ｏ2Ｐ2Ｓ：５５２．２３８１（Ｍ+）．測定値：５５２．２３９８．
１０ａ´：1Ｈ ＮＭＲ δ ０．８４（６Ｈ，ｑ，Ｊ＝６．６Ｈｚ），１．１６−１．３０（１２Ｈ，ｍ），１．４２−１．４８（４Ｈ，ｍ），２．３０（４Ｈ，ｑｕｉｎｔ．，Ｊ＝８．１Ｈｚ），５．７７（２Ｈ，ｄｄ，ＪHP＝２２．３Ｈｚ，ＪHH＝１０．１Ｈｚ），５．９６（ｄｄ，ＪHP＝４５．２Ｈｚ，ＪHH＝１０．１Ｈｚ），７．４７−７．６０（８Ｈ，ｍ），７．７２−７．７８（４Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ２４．０．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ32Ｈ42Ｏ2Ｐ2Ｓ：５５２．２３８１（Ｍ+）．測定値：５５２．２２８０．
１０ｂ：1Ｈ ＮＭＲ δ ６．８１（２Ｈ，ｄｄｄ，ＪHP＝２４．１Ｈｚ，ＪHH＝１７．４，５．５Ｈｚ），７．３８（６Ｈ，ｔ，Ｊ＝３．０Ｈｚ），７．４９−７．５９（１４Ｈ，ｍ），７．７９−７．８３（４Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ １６．９．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ32Ｈ26Ｏ2Ｐ2Ｓ：５３６．１１２９（Ｍ+）．測定値：５３６．１１６２．
１０ｂ´：1Ｈ ＮＭＲ δ ５．８７（２Ｈ，ｄｄ，ＪHP＝２１．０Ｈｚ，ＪHH＝４．７Ｈｚ），６．２２（２Ｈ，ｄｄ，ＪHP＝４２．０Ｈｚ，ＪHH＝３．９Ｈｚ），７．２３−７．２７（２Ｈ，ｍ），７．３５−７．５６（１４Ｈ，ｍ），７．７０−７．７９（６Ｈ，ｍ）；31Ｐ ＮＭＲ δ ２２．３．ＨＲＭＳ 計算値 Ｃ32Ｈ26Ｏ2Ｐ2Ｓ：５３６．１１２９（Ｍ+）．測定値：５３６．１０８６．
【実施例２】
【００４９】
この例においては、ヒト白血病Ｕ９３７、ヒト結腸癌ＨＴ２９、マウス筋繊維癌Ｓ１８０及びマウス正常線維芽細胞株ＮＩＨ３Ｔ３細胞を用いて癌細胞増殖抑制効果を試験した。
【００５０】
Ｕ９３７細胞は、１０％ウシ胎児血清、グルタミン２ｍＭを含むＲＰＭＩ１６４０培地にて、１０5ｃｅｌｌｓ／ｍｌになるよう細胞を調製し、９６穴マイクロプレート（Ｆａｌｃｏｎ社製）に２００μｌ／ｗｅｌｌずつ播種し、３７℃、５％ＣＯ2条件で培養した。翌日、エタノールで段階希釈した各被検化合物溶液２μｌを添加し、培養を７２時間行った。対照サンプルとして、被検化合物を加えない、エタノール２μｌ添加サンプルも作製した。同条件下で７２時間培養を行い、ＣｅｌｌＴｉｔｅｒアッセイ（Ｐｒｏｍｅｇａ社製）により細胞増殖活性を評価した。被検化合物溶液を加えていない対照群の細胞増殖量を１００％としたときに各処理群の細胞増殖量の割合を求め、残存細胞量を対照の５０％に抑制するのに必要な化合物濃度（ＩＣ50）値を算出した。
【００５１】
ＨＴ−２９細胞は１０％ウシ胎児血清、グルタミン２ｍＭを含むＭｃＣｏｙ’ｓ ５ａ培地にて、１０5ｃｅｌｌｓ／ｍｌになるよう細胞を調製し、９６穴マイクロプレート（Ｆａｌｃｏｎ社製）に１００μｌ／ｗｅｌｌずつ播種し、３７℃、５％ＣＯ2条件で培養した。二日後、エタノールで段階希釈した各被検化合物溶液２μｌを添加し、培養を７２時間行った。対照サンプルとして、被検化合物を加えない、エタノール２μｌ添加サンプルも作製した。同条件下で培養を行い、ＣｅｌｌＴｉｔｅｒアッセイ（Ｐｒｏｍｅｇａ社製）により細胞増殖活性を評価した。被検化合物溶液を加えていない対照群の細胞増殖量を１００％としたときに各処理群の細胞増殖量の割合を求め、残存細胞量を対照の５０％に抑制するのに必要な化合物濃度（ＩＣ50）値を算出した。被検化合物溶液を加えていない対照群のタンパク質量を１００％としたときに各処理群の残存タンパク質量の割合を求め、残存細胞量を対照の５０％に抑制するのに必要な化合物濃度（ＩＣ50）値を算出した。
【００５２】
Ｓ１８０とＮＩＨ３Ｔ３細胞は１０％ウシ胎児血清、グルタミン２ｍＭを含むＥａｇｌｅ’ｓ ＭＥＭにて、１０5ｃｅｌｌｓ／ｍｌになるよう細胞を調製し、９６穴マイクロプレート（Ｆａｌｃｏｎ社製）に１００μｌ／ｗｅｌｌずつ播種し、３７℃、５％ＣＯ2条件で培養した。翌日、エタノールで段階希釈した各被検化合物溶液２μｌを添加し、培養を７２時間行った。対照サンプルとして、被検化合物を加えない、エタノール２μｌ添加サンプルも作製した。同条件下で７２時間培養を行い、ＣｅｌｌＴｉｔｅｒアッセイ（Ｐｒｏｍｅｇａ）により細胞増殖活性を評価した。被検化合物溶液を加えていない対照群の細胞増殖量を１００％としたときに各処理群の細胞増殖量の割合を求め、残存細胞量を対照の５０％に抑制するのに必要な化合物濃度（ＩＣ50）値を算出した。被検化合物溶液を加えていない対照群のタンパク質量を１００％としたときに各処理群の残存タンパク質量の割合を求め、残存細胞量を対照の５０％に抑制するのに必要な化合物濃度（ＩＣ50）値を算出した。
【００５３】
また、既存抗がん剤との比較実験として、シスプラチン（シグマ社製）を用いた。
これらの結果を表２に示した。
【００５４】
【表２】
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明の新規なビスホスフィノイル化合物は、癌細胞に選択的に作用し、良好な癌細胞増殖抑制活性を示すので、癌治療剤として有用である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式
【化１】
（式中のＡは二価の炭化水素基、炭化水素ジオキシ基、ヘテロアリーレン基、フェロセニレン基又はシリレンジオキシ基、Ｒ1は炭化水素基、Ｒ2は炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基、Ｒ3は水素原子、炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基である）
で表わされるビスホスフィノイル化合物。
【請求項２】
一般式
【化２】
（式中のＡｒはアリーレン基、Ｐｈはフェニル基、Ｒ2は炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基、Ｒ3は水素原子、炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基である）
で表わされる請求項１記載のビスホスフィノイル化合物。
【請求項３】
一般式
【化３】
（式中のＡは二価の炭化水素基、炭化水素ジオキシ基、ヘテロアリーレン基、フェロセニレン基又はシリレンジオキシ基、Ｒ1は炭化水素基である）
で表わされるジホスフィンオキシド化合物と、一般式
Ｒ2−Ｃ≡Ｃ−Ｒ3
（式中のＲ2は炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基、Ｒ3は水素原子、炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基である）
で表わされるアセチレン化合物とを反応させることを特徴とする、一般式
【化４】
（式中のＡ、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ意味をもつ）
で表わされるビスホスフィノイル化合物の製造方法。
【請求項４】
金属触媒の存在下で反応させる請求項３記載のビスホスフィノイル化合物の製造方法。
【請求項５】
金属触媒がパラジウム、ロジウム及びニッケルの中から選ばれる金属の錯体である請求項４記載のビスホスフィノイル化合物の製造方法。
【請求項６】
一般式
【化５】
（式中のＲ4は炭化水素基である）
で表わされるホスフィン酸の存在下で反応させる請求項３ないし５のいずれかに記載のビスホスフィノイル化合物の製造方法。
【請求項７】
請求項１又は２記載のビスホスフィノイル化合物を有効成分として含有することを特徴とする医薬。
【請求項８】
癌細胞の増殖を抑制するために用いる請求項７記載の医薬。
【請求項９】
癌細胞が固形癌又はリンパ腫の細胞である請求項８記載の医薬。
【請求項１０】
癌細胞が皮膚癌、膀胱癌、乳癌、子宮癌、卵巣癌、前立腺癌、肺癌、大腸癌、膵癌、腎癌、胃癌のいずれかの癌細胞である請求項９記載の医薬。
【請求項１】
一般式
【化１】
（式中のＡは二価の炭化水素基、炭化水素ジオキシ基、ヘテロアリーレン基、フェロセニレン基又はシリレンジオキシ基、Ｒ1は炭化水素基、Ｒ2は炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基、Ｒ3は水素原子、炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基である）
で表わされるビスホスフィノイル化合物。
【請求項２】
一般式
【化２】
（式中のＡｒはアリーレン基、Ｐｈはフェニル基、Ｒ2は炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基、Ｒ3は水素原子、炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基である）
で表わされる請求項１記載のビスホスフィノイル化合物。
【請求項３】
一般式
【化３】
（式中のＡは二価の炭化水素基、炭化水素ジオキシ基、ヘテロアリーレン基、フェロセニレン基又はシリレンジオキシ基、Ｒ1は炭化水素基である）
で表わされるジホスフィンオキシド化合物と、一般式
Ｒ2−Ｃ≡Ｃ−Ｒ3
（式中のＲ2は炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基、Ｒ3は水素原子、炭化水素基、ヘテロアリール基、フェロセニル基又はシリル基である）
で表わされるアセチレン化合物とを反応させることを特徴とする、一般式
【化４】
（式中のＡ、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ意味をもつ）
で表わされるビスホスフィノイル化合物の製造方法。
【請求項４】
金属触媒の存在下で反応させる請求項３記載のビスホスフィノイル化合物の製造方法。
【請求項５】
金属触媒がパラジウム、ロジウム及びニッケルの中から選ばれる金属の錯体である請求項４記載のビスホスフィノイル化合物の製造方法。
【請求項６】
一般式
【化５】
（式中のＲ4は炭化水素基である）
で表わされるホスフィン酸の存在下で反応させる請求項３ないし５のいずれかに記載のビスホスフィノイル化合物の製造方法。
【請求項７】
請求項１又は２記載のビスホスフィノイル化合物を有効成分として含有することを特徴とする医薬。
【請求項８】
癌細胞の増殖を抑制するために用いる請求項７記載の医薬。
【請求項９】
癌細胞が固形癌又はリンパ腫の細胞である請求項８記載の医薬。
【請求項１０】
癌細胞が皮膚癌、膀胱癌、乳癌、子宮癌、卵巣癌、前立腺癌、肺癌、大腸癌、膵癌、腎癌、胃癌のいずれかの癌細胞である請求項９記載の医薬。
【公開番号】特開２００７−６３１６８（Ｐ２００７−６３１６８Ａ）
【公開日】平成１９年３月１５日（２００７．３．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２４９６１７（Ｐ２００５−２４９６１７）
【出願日】平成１７年８月３０日（２００５．８．３０）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１６年度新エネルギー・産業技術総合開発機構、産業技術研究助成事業「ホスホロイル基の高分子骨格へ直接導入による有機材料の耐熱化」、産業活力再生特別措置法第３０条の適用を受ける特許出願
【出願人】（３０１０２１５３３）独立行政法人産業技術総合研究所 (6,529)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月１５日（２００７．３．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年８月３０日（２００５．８．３０）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１６年度新エネルギー・産業技術総合開発機構、産業技術研究助成事業「ホスホロイル基の高分子骨格へ直接導入による有機材料の耐熱化」、産業活力再生特別措置法第３０条の適用を受ける特許出願
【出願人】（３０１０２１５３３）独立行政法人産業技術総合研究所 (6,529)
【Ｆターム（参考）】
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