日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子及びその製造方法並びに日射遮蔽膜形成用塗布液及び日射遮蔽膜及び日射遮蔽用基材
錫化合物とインジウム化合物を含有した原料混合溶液とアルカリ溶液とを反応させると共に継続的に撹拌しながら熟成させて沈殿物を得る工程と、前記沈殿物をデカンテーションにより洗浄し、乾燥してインジウムと錫とから成る水酸化物あるいは水和物粉末を得る工程と、この水酸化物あるいは水和物粉末を不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で１２００℃以上で焼成してＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を得る工程とを具備する方法により従来のＩＴＯ等に比べて安価且つ簡便に製造することが可能になり、平均１次粒子径４００ｎｍ以下、かつＬ＊ａ＊ｂ＊表色系における粉体色Ｌ＊が３０〜７０、ａ＊が−９．０〜−０．１、ｂ＊が−１５．０〜４．０である日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を得ることが出きる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
本発明は車両、ビル、事務所、一般住宅などの窓、電話ボックス、ショーウィンドー、照明用ランプ、透明ケース、単板ガラス、合わせガラス、プラスチックスや、その他の日射遮蔽機能を必要とする基材に用いる日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子及びその製造方法並びに日射遮蔽用塗布液及び日射遮蔽膜及び日射遮蔽用基材に関する。
【背景技術】
太陽光や電球などの外部光源から熱成分を除去・減少する方法として、従来、ガラス表面に赤外線を反射する材料からなる膜を形成して熱線反射ガラスとして使用することが行われていた。その材料にはＦｅ，ＦｅＯｘ，ＣｏＯｘ，ＣｒＯｘ，ＴｉＯｘなどの金属酸化物やＡｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌなどの自由電子を多量にもつ金属材料が選択されてきた。
しかし、これらの材料では熱効果に大きく寄与する赤外線以外に、可視光も同時に反射もしくは吸収する性質があるため、可視光透過率が低下する問題があった。そして、建材、乗り物、電話ボックスなどに用いる透明基材では可視光領域の高い透過率が必要とされることから、上記材料を利用する場合は膜厚を非常に薄くしなければならなかった。このため、スプレー焼付けやＣＶＤ法、あるいはスパッタリング法や真空蒸着法などの物理成膜法を用いて１０ｎｍレベルの薄膜を成膜して用いられることが通常行われてきた。
しかしながら、これらの成膜方法は大がかりな装置や真空設備を必要とし、生産性や大面積化に問題があり、膜の製造コストが高くなるといった欠点がある。また、これ等材料で日射遮蔽特性（波長域３００〜２１００ｎｍの光を遮蔽する特性）を高くしようとすると、可視光領域の吸収率および反射率も同時に高くなってしまう傾向があり、鏡のようなギラギラした外観を与えて美観を損ねてしまう。さらに、これらの材料では膜の導電性が高いものが多く、膜の導電性が高いと携帯電話やＴＶ、ラジオなどの電波を反射して受信不能になったり、周辺地域に電波障害を引き起こすなどの問題がある。
このような従来の欠点を改善するには、膜の物理特性として、可視光領域の光の反射率が低くて赤外線領域の吸収率または反射率が高く、かつ膜の表面抵抗が概ね１０６Ω／□以上必要であると考えられる。
ところで、可視光透過率が高くしかも赤外領域の透過率が低い特性（以下、日射遮蔽特性と記載する。）を持つ材料の一つとしてインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと略して記載する。）が知られている。このＩＴＯを利用すれば、日射遮蔽機能を有する材料が得られると考えられる。
ここで、このＩＴＯ粉末を得るには、一般的に、インジウム塩と錫塩の混合水溶液に沈殿剤を添加して共沈させ、この沈殿物を乾燥焼成する方法（共沈法）が知られている。例えば、特許文献１には、１０００ｎｍ以下の赤外線領域内またはその近傍のある波長から長波長側の赤外線を全面的に９０％以上カットオフする機能を持たせるために、ＩＴＯ粉末の原料、若しくは大気中で焼成したＩＴＯ粉末を加圧不活性ガス中で熱処理する方法が記載されている。
また、特許文献２には、ＩＴＯの低抵抗化を安定的に行なう処理方法としてアルコール雰囲気下で加熱処理する方法が記載されている。特許文献３には、透明性および赤外線遮蔽性に優れたＩＴＯ膜を得るためのＩＴＯ微粉末の製造方法として、錫塩およびインジウム塩の混合溶液を３０℃以下に保持しながら、反応系のｐＨが最終的に５．０〜９．０となるように、アルカリ水溶液を０．５〜１２時間の添加時間で添加して得られた水和物を不活性ガス雰囲気下あるいは還元性ガス雰囲気下で加熱処理する方法等が記載されている。
特許文献４には、量産性に優れ、導電特性が均一で、ばらつきの少ない超微粒、低抵抗導電性ＩＴＯ粉末の製造方法として、２種以上の遷移金属の組み合わせから成る導電性酸化物原料を加圧不活性ガス中で熱処理する方法が記載されている。
しかし、上述のＩＴＯ粉末は、いずれもインジウム化合物にＳｎ化合物がＳｎ換算で約１〜１５重量％添加されたものであり、主金属が高価なインジウムであることから材料コストが高いという問題があった。そこで、本発明者らは、所定の日射遮蔽特性を有しながら、上述したＩＴＯを代替できる、安価で製造が容易な日射遮蔽材料を探索した。
ここで、インジウム含有量の少ない物質として、従来、導電材料の開発分野において、少なくとも１種のドーパントを含む酸化インジウム系導電性粉末と、少なくとも１種のドーパントを含む酸化スズ系導電性粉末とを、３：７〜７：３で混合し焼成した複合導電性粉末（特許文献５）、導電膜材料として酸化インジウムと酸化スズを混合し空気中で焼成することで得られたＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２（非特許文献１）、スパッタリング法を用いて成膜されたＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２透明導電膜（非特許文献２）等が知られていた。
特許文献１：特開平７−６９６３２号公報
特許文献２：特開平５−２４８３７号公報
特許文献３：特許第３１２２３７５号公報
特許文献４：特開平７−２１８３１号公報
特許文献５：特開平７−３３５０３１号公報
非特許文献１：Ｈ．Ｅｎｏｋｉ ａｎｄ Ｊ．Ｅｃｈｉｇｏｙａ：Ｐｈｙｓ．Ｓｔａｔｕｓ Ｓｏｌｉｄｉ（ａ），１３２，Ｋ１（１９９２）
非特許文献２：透明導電膜の新展開，シーエムシー，ｐ．５８（１９９３）
【発明の開示】
しかし、特許文献５や非特許文献１に記載されたインジウム化合物を用いて日射遮蔽膜を形成しても、本明細書において後述する、所望の可視光透過率を確保しながら日射透過率を低減することができないことに加え、所謂、高ヘイズな膜となってしまい、日射遮蔽用の膜としての特性を有していないものであった。
また、非特許文献２に記載の発明は、生産コストの高い物理的成膜法で形成される透明導電膜に関するものであり、本発明が目的とする生産コストの安い日射遮蔽膜には適用できないものであった。
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、従来のＩＴＯ等に比べて原料コストが安価で、かつ容易に製造することが可能で生産性も高い、日射遮蔽用複合酸化物微粒子及びその製造方法並びに日射遮蔽膜形成用塗布液及び日射遮蔽膜及び日射遮蔽用基材を提供することを目的とする。
上述の課題を解決する第１の手段は、微粒子の平均１次粒子径が４００ｎｍ以下であり、かつ、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における粉体色がＬ＊は３０〜７０、ａ＊は−９．０〜−０．１、ｂ＊は−１５．０〜４．０であることを特徴とする日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子である。
第２の手段は、Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含むことを特徴とする請求の範囲第１項記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子である。
第３の手段は、錫化合物及びインジウム化合物を含有した原料混合溶液とアルカリ溶液とを反応させると共に継続的に攪拌しながら熟成させて沈殿物を得る工程と、前記沈殿物をデカンテーションにより洗浄した後、乾燥してインジウムと錫とから成る水酸化物又は水和物粉末を得る工程と、前記水酸化物又は水和物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で、１２００℃以上で焼成してＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を得る工程と、を具備することを特徴とする日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法である。
第４の手段は、錫化合物と、インジウム化合物と、Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含む化合物とを含有した原料混合溶液と、アルカリ溶液と、を反応させると共に継続的に攪拌しながら熟成させて沈殿物を得る第１の工程と、前記第１の工程で得られた沈殿物をデカンテーションにより洗浄した後、乾燥してインジウムと錫とＳｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含む水酸化物又は水和物粉末を得る第２の工程と、前記第２の工程で得られた水酸化物又は水和物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下において、１２００℃以上で焼成して、Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含むＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を得る第３の工程と、を具備することを特徴とする日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法である。
第５の手段は、前記Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子をメカニカル法によって解砕する工程、を具備することを特徴とする請求の範囲第３項または第４項記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法である。
第６の手段は、前記原料混合溶液とアルカリ溶液とを反応させた後の溶液のｐＨが４．０〜９．０であることを特徴とする請求の範囲第３項〜第５項のいずれか１項に記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法である。
第７の手段は、前記沈殿物をデカンテーションする時に、洗浄液の電導度が１ｍＳ／ｃｍ以下になるまで行うことを特徴とする請求の範囲第３項〜第６項のいずれか１項に記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法である。
第８の手段は、溶媒中に日射遮蔽材料が分散している日射遮蔽膜形成用塗布液において、前記日射遮蔽材料が請求の範囲第１項または第２項に記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を含有しているものであることを特徴とする日射遮蔽膜形成用塗布液である。
第９の手段は、ホウ化物微粒子、アンチモン錫酸化物微粒子、タングステン酸化物微粒子から選択される少なくとも１種の微粒子が添加されていることを特徴とする請求の範囲第８項記載の日射遮蔽膜形成用塗布液である。
第１０の手段は、無機バインダー若しくは樹脂バインダーが含まれていることを特徴とする請求の範囲第８項または第９項記載の日射遮蔽膜形成用塗布液である。
第１１の手段は、請求の範囲第８項〜第１０項のいずれか１項に記載の日射遮蔽膜形成用塗布液を用いて形成されたことを特徴とする日射遮蔽膜である。
第１２の手段は、ガラスまたはプラスチック上に、請求の範囲第１１項記載の日射遮蔽膜が形成されたことを特徴とする日射遮蔽用基材である。
第１３の手段は、請求の範囲第１項または第２項に記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子または請求の範囲第８項〜第１０項のいずれか１項に記載の日射遮蔽膜形成用塗布液を、基材形成用母材に練り込み、板状、シート状、またはフィルム状に形成したことを特徴とする日射遮蔽用基材である。
第１４の手段は、請求の範囲第１２項記載の日射遮蔽用基材の日射遮蔽膜を挟み込むように他の基材を前記日射遮蔽用基材に積層させるか、または、請求の範囲第１３項記載の日射遮蔽用基材を他の基材によって挟み込んで積層させたことを特徴とする日射遮蔽用基材である。
以上詳述したように、本発明によれば、従来のＩＴＯ等に比べて、安価にかつ簡便に製造することを可能とする日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子及びその製造方法並びに日射遮蔽膜形成用塗布液及び日射遮蔽膜及び日射遮蔽用基材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、実施例および比較例に係る、複合酸化物微粒子の性状、および日射遮蔽膜の膜特性の一覧表である。
【発明を実施するための最良の形態】
上述の手段において、微粒子の種類をＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子としたのは、以下の理由からである。まず、日射遮蔽用に用いる物質として、基本的に日射遮蔽機能を発揮できる光学特性を備えたものでなければならない。すなわち、光に対する透過・反射の特性が、可視光は透過し、赤外領域は透過しない特性を備えている物質でなければならない。
ここで、本発明者は、物質の光透過性の波長依存性が、物質固有のプラズマ周波数に依存することに着目した。すなわち、光と物質内の電子の相互作用の結果として、物質にはそれぞれ固有のプラズマ周波数があるが、この固有プラズマ周波数より長波長の光は反射され、短波長の光は透過されることが知られている。プラズマ周波数ωｐは式（１）で表される。
ωｐ２＝ｎｑ２／εｍ （１）
ここで、ｎは伝導電子密度、ｑは電子の電荷、εは誘電率、ｍは電子の有効質量である。
プラズマ周波数は、一般に、物質の伝導電子密度に依存し、伝導電子密度が増加するとプラズマ周波数も大きくなり、短波長側の光まで反射されることになる。
例えば、金属の伝導電子密度は、１０２２／ｃｍ３台であるのに対して、従来のＩＴＯは、１０２１／ｃｍ３台である。このため、金属では可視光領域からすでに反射率が高くなるが、ＩＴＯでは、可視光線は透過し近赤外線域から反射率が高くなる。
本願発明者は、従来のＩＴＯの伝導電子密度と同程度の伝導電子密度を有する物質を探索した。その結果、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物が見出された。このＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物は、従来のＩＴＯと同じ酸化インジウム−酸化スズ系の物質であるが、従来のＩＴＯが、Ｓｎを有する物質をＳｎ換算で約１〜１５重量％含むものであるのに対して、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物は、Ｓｎを有する物質をＳｎ換算で約３９重量％含むものである点で相違する。つまり、高価なＩｎの含有量が従来のＩＴＯに比較して非常に少ないので、安価である。しかし、従来の技術に係るＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物（例えば、非特許文献１に記載されたＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物）は、上述したように所望の可視光透過率を確保しながら日射透過率を低減することができないことに加え、所謂、高ヘイズな膜となってしまい、日射遮蔽用の膜としての特性を有していないものであった。
ここで、本発明者らは試行錯誤を重ね、日射遮蔽材料として所定の特性を有する、平均１次粒子径４００ｎｍ以下であり、かつ、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における粉体色Ｌ＊が３０〜７０、ａ＊が−９．０〜−０．１、ｂ＊が−１５．０〜４．０である日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物に想到した。
当該日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物の平均１次粒子径を４００ｎｍ以下としたのは、平均１次粒子径を４００ｎｍ以下とすることで、当該複合酸化物が散乱源となって膜に曇り、つまりヘイズを生じたり、可視光透過率が減少する原因となるのを回避できるからである。なお、本明細書において粒子の大きさは、平均１次粒子径をもって表しているが、前記の理由により、４００ｎｍを超えるような粗粉の割合が少ない粒度分布の狭い微粉であることが好ましい。
さらに、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子は、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における粉体色Ｌ＊が３０〜７０、ａ＊が−９．０〜−０．１、ｂ＊が−１５．０〜４．０である理由は、以下のように考えられる。
Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を、不活性ガス単独、還元性ガスと不活性ガスとの混合ガスやアルコール含有不活性ガス雰囲気下で熱処理すると、その粉体色が黄色→黄緑色→淡青色→暗青色と変化すると同時に、その圧粉抵抗も減少する。これは、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を前記のようなガス雰囲気下で熱処理することによって微粒子中に空孔が生じ、この空孔の増加によって、微粒子中の自由電子が増加したと考えられる。即ち、微粒子の粉体色と伝導電子密度、つまりプラズマ周波数とは深い関係があることが予想される。
そこで、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子と、これらを成膜したときの日射透過率との関係を詳しく調査して、８５０ｎｍの透過率が高く、かつ高い日射遮蔽性能を発揮する条件を求めたところ、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系による粉体色Ｌ＊が３０〜７０、ａ＊が−９．０〜−０．１、ｂ＊が−１５．０〜４．０の範囲にあるとき、上記所望の日射遮蔽機能を発揮することに想到したものである。
また、必要に応じ、所望の機能における特性改善の目的で、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子へ、Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を添加することも好ましい構成である。
次に、上述の手段に係る日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法について説明する。
第１の工程は、錫化合物とインジウム化合物、または、錫化合物とインジウム化合物へ、さらに必要に応じてＳｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含む化合物を含有させた原料混合溶液と、アルカリ溶液とを反応させると共に継続的に攪拌しながら熟成させて沈殿物を得る工程である。
第２の工程は、第１の工程で得た沈殿物を、デカンテーションにより十分洗浄した後、乾燥してインジウムと錫から成る水酸化物粉末を得る工程である。
第３の工程は、第２の工程で得た水酸化物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で、１２００℃以上で焼成してＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物粒子を得る工程である。
第４の工程は、第３の工程で得たＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物粒子を、メカニカルな方法によって解砕して該Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子から成る日射遮蔽材料を得る工程である。
以下、各工程について、さらに詳細に説明する。
まず、第１の工程において、本発明において適用されるインジウム化合物および錫化合物は特に限定されるものでなく、例えば、硝酸インジウム、塩化インジウム、塩化錫、硝酸錫などが挙げられる。
必要に応じて添加するＳｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含む化合物は、特に限定されないが、水溶性もしくは有機溶媒に可溶のものが好ましい。添加量は、添加する化合物の元素をＸとした場合、Ｘ／（Ｉｎ２Ｏ３もしくはＳｎＯ２＋Ｘ）が、０．１〜１５重量％であることが好ましい。この範囲内であれば、所望とする日射遮蔽特性を得ることができるためである。
また、本発明で用いるアルカリ溶液も特に限定されず、例えば、炭酸水素アンモニウム、水酸化アンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアなどの各水溶液が挙げられる。アルカリ分の濃度は、各塩が水酸化物あるいは水和物となるに必要な化学当量以上、好ましくはアルカリ残留による洗浄時間の観点から当量〜当量の１．５倍過剰量とすることが良い。このときの溶液温度は特に限定されないが、生産性の観点からは通常１００℃以下とすることが好ましい。溶液温度の下限は、得られるＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の特性から特に限定されないが、低すぎると新たに冷却装置などが必要になってくることから、生産性の観点より、そのような装置を要しない温度とすることが好ましい。
中和反応の時間は特に限定されないが、生産性の観点から３０分未満、好ましくは２５分以下とする事が望ましい。中和反応終了後、系内の均一化を図るために継続的に攪拌しながら熟成を行うが、そのときの温度は共沈温度と同温とする。また、時間は特に限定されないが、生産性の観点から３０分以下、好ましくは１５分以下であると良い。
ここで沈殿物として、水酸化物あるいは水和物が得られるが、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の平均１次粒子の大きさは、およそこの段階で定まるため、数ｎｍ〜１００ｎｍとなるよう条件を制御する必要がある。このためには、溶液中の原料濃度を高くして沈殿成分イオンの濃度（Ｑ）を大きくし、溶液温度を低くして沈殿の溶解度（Ｓ）を低下させ、相対過飽和度比（但し、相対過飽和度比＝（Ｑ−Ｓ）／Ｓである。）の値を大きくすることが好ましい。当該相対過飽和度比の値が大きい状態から沈殿を生成すると、一度に多数の沈殿成分の核が発生し、均一で微細な沈殿物が得られる。また、原料混合溶液と、アルカリ溶液とを反応させた後の溶液のｐＨを４．０〜９．０とすることが粒径制御の上で好ましい。ｐＨが低い方が析出する沈殿の粒径が細かくなる傾向にあるが、低すぎると沈殿物の析出が不十分となり、一方、高すぎると、一部の沈殿物の再溶解によって沈殿物の粒径が大きくなり過ぎるからである。
次に、第２の工程において、第１の工程で熟成させて得られた沈殿物を、デカンテーションにより十分洗浄する。このとき、沈殿物中の残留不純物が、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物の光学特性、特に日射遮蔽率が低下する原因となる等の影響から、洗浄上澄み液の電導度が１ｍＳ／ｃｍ以下（残留する塩素不純物量が０．２重量％以下に相当する。）まで洗浄した後、乾燥する。洗浄処理後の乾燥温度やその時間は特に限定されるものではない。
次に、第３の工程において、第２の工程で乾燥処理された水酸化物あるいは水和物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で熱処理を行う。当該熱処理を大気中で行ってもＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物が得られるが、当該Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物は電子密度が不十分であることから日射遮蔽特性が低い。このときの熱処理温度はＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物粒子生成の観点から１２００℃以上、より好ましくは１３００℃以上、さらに好ましくは１４００℃以上である。１２００℃以上であれば、酸化インジウムと酸化スズの二相に分離した混相ではなく複合酸化物を得ることができるからである。上限温度は特に限定されないが、１６００℃以下であれば焼結による粒子の過度の成長を回避することができる。粒子が過度に成長すると後工程における粉砕操作、例えば塗布液調製時のビーズミルによる解砕・分散効率が低下し、日射遮蔽膜を形成した段階で高ヘイズの原因となる。従って、熱処理温度としては１４００〜１６００℃が好ましく、最も好ましいのは１５００℃である。
なお、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物粒子前駆体である第２の工程で乾燥処理された水酸化物粉末あるいは水和物を、一旦大気中で焼成して酸化インジウムと酸化スズの混相を生成させた後、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で熱処理を施した場合も、本発明と同様のＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子が得られる。しかし、この場合は、焼成工程が２工程となるため、生産性の観点からは、上述したように始めから不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で熱処理を行うことが好ましい。
次に、第４の工程において、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物粒子の解砕処理はメカニカルな方法によって行うことが望ましい。解砕処理方法は、複合酸化物粒子の一次粒子の凝集を壊し、一部粒成長した粒子を粉砕して微粒子化できるものであれば特に限定されないが、解砕効率を考慮するとジェットミルのような自粉衝突型粉砕機やビーズミルのようなメディア媒介型の解砕装置が好ましい。以上説明した、工程により、可視光透過率が高く、かつ高い日射遮蔽性能を発揮する日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を得ることができる。
次に、当該日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を用いた、上記手段に係る日射遮蔽膜形成用塗布液、および、その製造方法について詳細に説明する。
上記手段に係る日射遮蔽膜形成用塗布液は、上記Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物粒子を日射遮蔽材料として溶媒中に分散したものである。分散溶媒は特に限定されるものではなく、塗布条件、塗布環境に合わせて適宜選択できる。さらに、日射遮蔽膜形成用塗布液中へ無機バインダーや樹脂バインダーを含有させた時は当該バインダーに合わせて適宜選択できる。具体例としては、水やエタノール、プロパノール、ブタノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、ジアセトンアルコールなどのアルコール類、メチルエーテル，エチルエーテル，プロピルエーテルなどのエーテル類、エステル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、シクロヘキサノン、イソブチルケトンなどのケトン類といった各種の有機溶媒が使用可能であり、また必要に応じて酸やアルカリを添加してｐＨ調整してもよい。さらに、塗布液中の微粒子の分散安定性を一層向上させるため各種の界面活性剤、カップリング剤などの添加も勿論可能である。
また、必要に応じて日射遮蔽膜形成用塗布液中へ配合される無機バインダーや樹脂バインダーについても、その種類は特に限定されるものではない。例えば、無機バインダーとして、珪素、ジルコニウム、チタン、もしくはアルミニウムの金属アルコキシドやこれらの部分加水分解縮重合物あるいはオルガノシラザンが利用でき、樹脂バインダーとして、アクリル樹脂などの熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂などが利用できる。
日射遮蔽膜形成用塗布液製造時における、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物粒子の分散方法は、溶媒中に均一に分散される方法であれば特に限定されず、例えば、ビーズミル、ボールミル、サンドミル、ペイントシェーカー、超音波ホモジナイザーなどが挙げられる。
この塗布液を用いて日射遮蔽膜を形成したときの膜の導電性は、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の接触箇所を経由した導電パスに沿って電子が移動することで得られる。そこで、日射遮蔽膜形成用塗布液中の、例えば界面活性剤やカップリング剤の量を加減することで、導電パスを部分的に切断することができ、膜の導電性を１０６Ω／□以上の表面抵抗値へ低下させることは容易である。また、日射遮蔽膜形成用塗布液中への、無機バインダーあるいは樹脂バインダーの含有量の加減によっても日射遮蔽膜の導電性を制御できる。
次に、当該日射遮蔽膜形成用塗布液により形成される日射遮蔽膜について説明する。
上記手段に係る日射遮蔽膜は、上述したＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子分散塗布液である日射遮蔽膜形成用塗布液を、透明基板上に塗布して形成される。該日射遮蔽膜は、上記Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子が高密度に堆積して膜形成されたものであり、塗布液中に含まれる樹脂バインダーまたは無機バインダーは、塗布硬化後にＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の基材への密着性を向上させ、さらに膜の硬度を向上させる効果がある。
このようにして得られた日射遮蔽膜上に、さらに珪素、ジルコニウム、チタン、もしくはアルミニウムの金属アルコキシド、これらの部分加水分解縮重合物からなる被膜を第２層として被着し、珪素、ジルコニウム、チタン、もしくはアルミニウムの酸化物膜を形成することで、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を主成分とする膜の基材への結着力や膜の硬度、耐候性を一層向上させることができる。
また、塗布液中に樹脂バインダーまたは無機バインダーを含まない塗布液を用い得られる膜は、基材上に上記Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子のみが堆積した膜構造になる。このままでも日射遮蔽効果を示すが、この膜上にさらに珪素、ジルコニウム、チタン、もしくはアルミニウムの金属アルコキシドやこれらの部分加水分解縮重合物などの無機バインダーまたは樹脂バインダーを含む塗布液を塗布して被膜を形成して多層膜とすると良い。このようにすることにより、塗布液成分が第１層のＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の堆積した間隙を埋めて成膜されるため、膜のヘイズがさらに低減して可視光透過率が向上し、また粒子の基材への結着性が向上する。
また、上記手段に係る日射遮蔽膜形成用塗布液の、塗布方法および本発明で用いる被膜形成用の塗布方法は特に限定されず、例えば、スピンコート法、バーコート法、スプレーコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、ロールコート法、流し塗りなど、処理液を平坦かつ薄く均一に塗布できる方法であればいずれの方法でもよい。
また、上記手段に係る日射遮蔽膜形成用塗布液が無機バインダーとして、珪素、ジルコニウム、チタン、もしくはアルミニウムの金属アルコキシドおよびその加水分解重合物を含む場合、塗布液の塗布後の基材加熱温度が１００℃未満では、塗膜中に含まれるアルコキシドまたはその加水分解重合物の重合反応が未完結で残ることが多く、また水や有機溶媒が膜中に残留して加熱後の日射遮蔽膜において可視光透過率の低下の原因となることがある。そこで、塗布後の基材加熱温度は１００℃以上が好ましく、さらに好ましくは塗布液中の溶媒の沸点以上で加熱を行うことがよい。他方、日射遮蔽膜形成用塗布液中に樹脂バインダーを含有する場合は、それぞれの硬化方法に従って硬化させればよい。例えば、紫外線硬化樹脂であれば紫外線を適宜照射すればよく、また常温硬化樹脂であれば塗布後そのまま放置しておけばよい。当該構成を用いることで、既存の窓ガラスなどへの現場での塗布が可能となる。
そして、本発明に係る日射遮蔽膜では、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子が分散しているため、物理成膜法により製造された酸化物薄膜のように結晶が緻密に膜内を埋めた鏡面状表面をもつ膜に比べると可視光領域での反射が少なく、ギラギラした外観を呈することを回避できる。その一方で、近赤外域にプラズマ周波数をもつため、これに伴うプラズマ反射が近赤外域で大きくなる。さらに可視光領域の反射を抑制したい場合には、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２微粒子分散膜の上に、ＳｉＯ２やＭｇＦ２のような低屈折率の膜を成膜することにより、容易に視感反射率１％以下の多層膜を得ることができる。
また、上記手段に係る日射遮蔽材料、塗布液並びに日射遮蔽膜のさらなる紫外線遮蔽機能を付与させるため、無機系の酸化チタンや酸化亜鉛、酸化セリウムなどの微粒子や、有機系のベンゾフェノンやベンゾトリアゾールなどの１種もしくは２種以上を添加してもよい。
このように、上記手段によれば、日射遮蔽用としての機能を発揮する粉体特性と製造方法を確立し、インジウム含量を低減させた安価な材料として安定なＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物を用いた日射遮蔽膜形成用塗布液を製造でき、該塗布液を使用し、日射遮蔽効果を発揮する塗布膜製造が可能である。Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子は無機材料であるので、有機材料と比べて耐候性が非常に高く、例えば太陽光線（紫外線）の当たる部位に使用しても色や諸機能の劣化はほとんど生じない。
また、上記手段に係る塗布液は、焼成時の熱によって塗布成分の分解あるいは化学反応を利用して目的の日射遮蔽膜を形成するものではないため、特性の安定した均一な膜厚の透過膜を形成することができる。
【実施例】
以下、本発明についてその実施例を挙げさらに具体的に説明する。なお、以下においては、日射遮蔽材料粉末の結晶構造は、粉末Ｘ線回折（ＣｕＫα、理学電機（株）製Ｒｏｔａｆｌｅｘ ＲＡＤ−γＶＢ）によって測定した。また、日射遮蔽膜形成用塗布液を用いて得られた膜の可視光透過率および日射透過率は、日立製作所（株）製の分光光度計Ｕ−４０００を用いて測定し、ＪＩＳ Ｒ ３１０６に基づいて算出した。膜評価としては、バーコーターで成膜して得られた膜の可視光透過率および日射透過率を測定した。
【実施例１】
１０％Ｉｎ（ＮＯ３）３・３Ｈ２Ｏ水溶液５００ｇと１０％ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ水溶液３７０．６ｇ（Ｓｎ３９．１重量％相当）との混合水溶液を２０℃制御下で攪拌しながら、１５％ＮＨ４ＨＣＯ３水溶液４５０ｇを１７分かけて滴下し、滴下後さらに１０分間攪拌して沈殿物を熟成した。
得られた沈殿物に対し、デカンテーションにて１回につき２０００ｍｌのイオン交換水での洗浄を繰り返し行い、上澄み液の電導度が１ｍＳ／ｃｍ以下の時点で洗浄を終了した。その後１０５℃で沈殿物を乾燥した。なお、乾燥物中の残留Ｃｌ量は０．０７％であった。次に、粉砕処理を施した該乾燥物を炉内に設置し、雰囲気を０．０２Ｐａまで真空引きしたあと窒素ガスで１気圧まで置換し、窒素を供給しながら１５００℃で３時間焼成して酸化物微粒子Ａを得た。
この複合酸化物微粒子Ａ粉末は、Ｘ線回折によりＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２と同定された。
また、この微粒子Ａの粉体色はＬ＊が４５．００７５、ａ＊が−１．９３２５、ｂ＊が−５．６９５３であった。
次に、該複合酸化物微粒子Ａ３０重量％、イソブチルアルコール５６重量％、分散剤１４重量％を混合し、０．１５ｍｍΦのガラスビーズと共に容器に充填した後、１時間のビーズミル分散処理を施してＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子分散液を調製した。該分散液６７．５重量％、バインダーとしてメチルイソブチルケトンに溶解したアクリル樹脂溶液２７．５重量％および硬化剤５重量％を含む塗布液を、バーコーターで１００ｍｍ×１００ｍｍ×３ｍｍのソーダライムガラス基板に塗布した後、１８０℃で１時間焼成して日射遮蔽膜ａを得た。日射遮蔽膜ａの可視光透過率７０％のときの日射透過率は、５８．０％であった。
［実施例２〜実施例４および比較例１〜比較例４］
（実施例２）焼成条件を、１４５０℃で３時間とした以外は実施例１と同様にして、複合酸化物微粒子Ｂを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｂを形成した。
（実施例３）焼成条件の雰囲気をＮ２、０．１２ＭＰａの加圧下とした以外は実施例１と同様にして複合酸化物微粒子Ｃを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｃを形成した。
（実施例４）実施例１の乾燥物を炉内に設置し、大気中１２００℃で１時間焼成した後、炉内雰囲気を０．０２Ｐａまで真空引きし、さらに窒素ガスで１気圧まで置換してから１５００℃で３時間焼成した以外は実施例１と同様にして複合酸化物微粒子Ｄを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｄを形成した。
（比較例１）焼成条件を、１１００℃で１時間とした以外は実施例１と同様にして、複合酸化物微粒子Ｅを製造した。ところが、微粒子ＥのＸ線回折パターンを解析するとＩｎ２Ｏ３相およびＳｎＯ２相のみであったため、日射遮蔽膜ｅは形成しなかった。
（比較例２）焼成条件を、大気中１４００℃で１時間焼成した後、９％Ｈ２／Ｎ２雰囲気下３８０℃で３０分とした以外は実施例１と同様にして、複合酸化物微粒子Ｆを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｆを形成した。
（比較例３）焼成条件を、大気中１４００℃で１時間焼成した後、９％Ｈ２／Ｎ２雰囲気下４３０℃で３０分とした以外は実施例１と同様にして、複合酸化物微粒子Ｇを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｇを形成した。
（比較例４）Ｉｎ２Ｏ３粉体とＳｎＯ２粉体とを２：３のモル比で物理混合した混合粉体を製造し、当該混合粉体を炉内に設置した。そして、炉内の雰囲気を０．０２Ｐａまで真空引きしたあと窒素ガスで１気圧まで置換し、窒素を供給しながら１５００℃で３時間焼成して、複合酸化物微粒子Ｈを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｈを形成した。
第１図は、上述した実施例および比較例における、複合酸化物微粒子の性状および日射遮蔽膜の膜特性を表にして示したものである。第１図に示す実施例の複合酸化物微粒子Ｂ（実施例２）〜Ｄ（実施例４）はＸ線回折によりＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２と同定され、その粉体色はＬ＊が３０〜７０、ａ＊が−９．０〜−０．１、ｂ＊が−１５．０〜４．０の範囲内で、平均粒径は４００ｎｍ以下であった。また、可視光透過率７０％のときの日射透過率はいずれも５９％以下であった。
一方、微粒子Ｅ（比較例１）〜Ｈ（比較例４）の平均粒径は、いずれも４００ｎｍ以下であったが、比較例１に係る微粒子Ｅ、および比較例４に係る微粒子ＨのＸ線回折パターンを解析すると、比較例１はＩｎ２Ｏ３相およびＳｎＯ２相のみであり、比較例４はＩｎ２Ｏ３相、ＳｎＯ２相およびＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２相の混合相であった。また、比較例２の微粒子Ｆの粉体色はＬ＊とｂ＊が本発明の範囲外であり、比較例３の微粒子Ｇの粉体色はｂ＊が本発明の範囲外であり、可視光透過率７０％のときの日射透過率はいずれも６０％以上であった。
【実施例５〜実施例９】
（実施例５）実施例１における沈殿物生成のための混合溶液調製において、さらに４．１９％ＳｂＣｌ３のエタノール溶液７９．３ｇを混合した以外は、実施例１と同様にして複合酸化物微粒子Ｉを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｉを形成した。
（実施例６）実施例１における沈殿物生成のための混合溶液調製において、さらに１．０２ｇのＳｎＦ４を混合した以外は、実施例１と同様にして複合酸化物微粒子Ｊを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｊを形成した。
（実施例７）実施例１における沈殿物生成のための混合溶液調製において、さらに２５％［（ＣＨ３）２ＣＨＯ］４Ｇｅのエタノール溶液６．８ｇを混合した以外は、実施例１と同様にして複合酸化物微粒子Ｋを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｋを形成した。
（実施例８）実施例１における沈殿物生成のための混合溶液調製において、さらに６０％ＨＲｅＯ４溶液２．６ｇを混合した以外は、実施例１と同様にして複合酸化物微粒子Ｌを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｌを形成した。
（実施例９）実施例１における沈殿物生成のための混合溶液調製において、さらに１０％ＴａＣｌ５のエタノール溶液７．９ｇを混合した以外は、実施例１と同様にして複合酸化物微粒子Ｍを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｍを形成した。
第１図には、上述した実施例における、複合酸化物微粒子の性状および日射遮蔽膜の膜特性等を表にして示した。第１図に示す実施例の複合酸化物微粒子Ｉ（実施例５）〜Ｍ（実施例９）はＸ線回折によりＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２と同定され、その粉体色はＬ＊が３０〜７０、ａ＊が−９．０〜−０．１、ｂ＊が−１５．０〜４．０の範囲内で、平均粒径は４００ｎｍ以下であった。また、可視光透過率７０％のときの日射透過率はいずれも５９％以下であった。
【実施例１０】
平均１次粒子径６７ｎｍの六ホウ化ランタン微粒子０．０９重量％、実施例１のＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子Ａ１６．９２重量％、常温硬化性のバインダー２２．７重量％、トルエン１．３重量％、イソブチルアルコール９．８重量％、メチルイソブチルケトン３４．９重量％および分散剤１４．３重量％からなる分散液を、バーコーターで１００ｍｍ×１００ｍｍ×約２ｍｍ厚のグリーンガラス基板に塗布した後、１８０℃で１時間焼成して日射遮蔽膜ｎを得た。日射遮蔽膜ｎにおいて可視光透過率７８％のときの日射透過率は５０．７％であった。これを第１図に示す。
【実施例１１】
実施例１で得た日射遮蔽ガラス上の日射遮蔽膜ａ面が内側になるようにして、もう一方のクリアーガラス基板の間に０．７６ｍｍ厚の中間膜用ポリビニルブチラールで挟み込み、８０℃に加熱して仮装着した後、１４０℃で１４Ｋｇ／ｃｍ２の条件でオートクレーブによる本接着を行って合わせガラスｏを作製した。合わせガラスｏにおいて可視光透過率７２％のときの日射透過率は４４．３％であった。これを第１図に示す。
【実施例１２】
実施例１にて製造したＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子分散液を、ポリビニルブチラールに添加し、可塑剤としてトリエチレングリコール−ジ−２−エチルブチレートを加え、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子Ａの濃度が０．２０重量％、実施例５で用いた六ホウ化ランタン微粒子濃度が０．００４１重量％、ポリビニルブチラール濃度が７１．１重量％となる中間膜用組成物を調製した。該中間膜用組成物をロールで混練して０．７６ｍｍ厚のシート状に成形して中間膜を作製した。この中間膜を１００ｍｍ×１００ｍｍ×約２ｍｍ厚のグリーンガラス基板２枚の間に挟み込み、８０℃に加熱して仮接着した後、１４０℃、１４Ｋｇ／ｃｍ２のオートクレーブにより本接着を行い、合わせガラスｐを作製した。合わせガラスｐにおいて可視光透過率７４％のときの日射透過率は４４．７％であった。これを第１図に示す。
【図１】
【技術分野】
本発明は車両、ビル、事務所、一般住宅などの窓、電話ボックス、ショーウィンドー、照明用ランプ、透明ケース、単板ガラス、合わせガラス、プラスチックスや、その他の日射遮蔽機能を必要とする基材に用いる日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子及びその製造方法並びに日射遮蔽用塗布液及び日射遮蔽膜及び日射遮蔽用基材に関する。
【背景技術】
太陽光や電球などの外部光源から熱成分を除去・減少する方法として、従来、ガラス表面に赤外線を反射する材料からなる膜を形成して熱線反射ガラスとして使用することが行われていた。その材料にはＦｅ，ＦｅＯｘ，ＣｏＯｘ，ＣｒＯｘ，ＴｉＯｘなどの金属酸化物やＡｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌなどの自由電子を多量にもつ金属材料が選択されてきた。
しかし、これらの材料では熱効果に大きく寄与する赤外線以外に、可視光も同時に反射もしくは吸収する性質があるため、可視光透過率が低下する問題があった。そして、建材、乗り物、電話ボックスなどに用いる透明基材では可視光領域の高い透過率が必要とされることから、上記材料を利用する場合は膜厚を非常に薄くしなければならなかった。このため、スプレー焼付けやＣＶＤ法、あるいはスパッタリング法や真空蒸着法などの物理成膜法を用いて１０ｎｍレベルの薄膜を成膜して用いられることが通常行われてきた。
しかしながら、これらの成膜方法は大がかりな装置や真空設備を必要とし、生産性や大面積化に問題があり、膜の製造コストが高くなるといった欠点がある。また、これ等材料で日射遮蔽特性（波長域３００〜２１００ｎｍの光を遮蔽する特性）を高くしようとすると、可視光領域の吸収率および反射率も同時に高くなってしまう傾向があり、鏡のようなギラギラした外観を与えて美観を損ねてしまう。さらに、これらの材料では膜の導電性が高いものが多く、膜の導電性が高いと携帯電話やＴＶ、ラジオなどの電波を反射して受信不能になったり、周辺地域に電波障害を引き起こすなどの問題がある。
このような従来の欠点を改善するには、膜の物理特性として、可視光領域の光の反射率が低くて赤外線領域の吸収率または反射率が高く、かつ膜の表面抵抗が概ね１０６Ω／□以上必要であると考えられる。
ところで、可視光透過率が高くしかも赤外領域の透過率が低い特性（以下、日射遮蔽特性と記載する。）を持つ材料の一つとしてインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと略して記載する。）が知られている。このＩＴＯを利用すれば、日射遮蔽機能を有する材料が得られると考えられる。
ここで、このＩＴＯ粉末を得るには、一般的に、インジウム塩と錫塩の混合水溶液に沈殿剤を添加して共沈させ、この沈殿物を乾燥焼成する方法（共沈法）が知られている。例えば、特許文献１には、１０００ｎｍ以下の赤外線領域内またはその近傍のある波長から長波長側の赤外線を全面的に９０％以上カットオフする機能を持たせるために、ＩＴＯ粉末の原料、若しくは大気中で焼成したＩＴＯ粉末を加圧不活性ガス中で熱処理する方法が記載されている。
また、特許文献２には、ＩＴＯの低抵抗化を安定的に行なう処理方法としてアルコール雰囲気下で加熱処理する方法が記載されている。特許文献３には、透明性および赤外線遮蔽性に優れたＩＴＯ膜を得るためのＩＴＯ微粉末の製造方法として、錫塩およびインジウム塩の混合溶液を３０℃以下に保持しながら、反応系のｐＨが最終的に５．０〜９．０となるように、アルカリ水溶液を０．５〜１２時間の添加時間で添加して得られた水和物を不活性ガス雰囲気下あるいは還元性ガス雰囲気下で加熱処理する方法等が記載されている。
特許文献４には、量産性に優れ、導電特性が均一で、ばらつきの少ない超微粒、低抵抗導電性ＩＴＯ粉末の製造方法として、２種以上の遷移金属の組み合わせから成る導電性酸化物原料を加圧不活性ガス中で熱処理する方法が記載されている。
しかし、上述のＩＴＯ粉末は、いずれもインジウム化合物にＳｎ化合物がＳｎ換算で約１〜１５重量％添加されたものであり、主金属が高価なインジウムであることから材料コストが高いという問題があった。そこで、本発明者らは、所定の日射遮蔽特性を有しながら、上述したＩＴＯを代替できる、安価で製造が容易な日射遮蔽材料を探索した。
ここで、インジウム含有量の少ない物質として、従来、導電材料の開発分野において、少なくとも１種のドーパントを含む酸化インジウム系導電性粉末と、少なくとも１種のドーパントを含む酸化スズ系導電性粉末とを、３：７〜７：３で混合し焼成した複合導電性粉末（特許文献５）、導電膜材料として酸化インジウムと酸化スズを混合し空気中で焼成することで得られたＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２（非特許文献１）、スパッタリング法を用いて成膜されたＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２透明導電膜（非特許文献２）等が知られていた。
特許文献１：特開平７−６９６３２号公報
特許文献２：特開平５−２４８３７号公報
特許文献３：特許第３１２２３７５号公報
特許文献４：特開平７−２１８３１号公報
特許文献５：特開平７−３３５０３１号公報
非特許文献１：Ｈ．Ｅｎｏｋｉ ａｎｄ Ｊ．Ｅｃｈｉｇｏｙａ：Ｐｈｙｓ．Ｓｔａｔｕｓ Ｓｏｌｉｄｉ（ａ），１３２，Ｋ１（１９９２）
非特許文献２：透明導電膜の新展開，シーエムシー，ｐ．５８（１９９３）
【発明の開示】
しかし、特許文献５や非特許文献１に記載されたインジウム化合物を用いて日射遮蔽膜を形成しても、本明細書において後述する、所望の可視光透過率を確保しながら日射透過率を低減することができないことに加え、所謂、高ヘイズな膜となってしまい、日射遮蔽用の膜としての特性を有していないものであった。
また、非特許文献２に記載の発明は、生産コストの高い物理的成膜法で形成される透明導電膜に関するものであり、本発明が目的とする生産コストの安い日射遮蔽膜には適用できないものであった。
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、従来のＩＴＯ等に比べて原料コストが安価で、かつ容易に製造することが可能で生産性も高い、日射遮蔽用複合酸化物微粒子及びその製造方法並びに日射遮蔽膜形成用塗布液及び日射遮蔽膜及び日射遮蔽用基材を提供することを目的とする。
上述の課題を解決する第１の手段は、微粒子の平均１次粒子径が４００ｎｍ以下であり、かつ、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における粉体色がＬ＊は３０〜７０、ａ＊は−９．０〜−０．１、ｂ＊は−１５．０〜４．０であることを特徴とする日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子である。
第２の手段は、Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含むことを特徴とする請求の範囲第１項記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子である。
第３の手段は、錫化合物及びインジウム化合物を含有した原料混合溶液とアルカリ溶液とを反応させると共に継続的に攪拌しながら熟成させて沈殿物を得る工程と、前記沈殿物をデカンテーションにより洗浄した後、乾燥してインジウムと錫とから成る水酸化物又は水和物粉末を得る工程と、前記水酸化物又は水和物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で、１２００℃以上で焼成してＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を得る工程と、を具備することを特徴とする日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法である。
第４の手段は、錫化合物と、インジウム化合物と、Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含む化合物とを含有した原料混合溶液と、アルカリ溶液と、を反応させると共に継続的に攪拌しながら熟成させて沈殿物を得る第１の工程と、前記第１の工程で得られた沈殿物をデカンテーションにより洗浄した後、乾燥してインジウムと錫とＳｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含む水酸化物又は水和物粉末を得る第２の工程と、前記第２の工程で得られた水酸化物又は水和物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下において、１２００℃以上で焼成して、Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含むＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を得る第３の工程と、を具備することを特徴とする日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法である。
第５の手段は、前記Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子をメカニカル法によって解砕する工程、を具備することを特徴とする請求の範囲第３項または第４項記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法である。
第６の手段は、前記原料混合溶液とアルカリ溶液とを反応させた後の溶液のｐＨが４．０〜９．０であることを特徴とする請求の範囲第３項〜第５項のいずれか１項に記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法である。
第７の手段は、前記沈殿物をデカンテーションする時に、洗浄液の電導度が１ｍＳ／ｃｍ以下になるまで行うことを特徴とする請求の範囲第３項〜第６項のいずれか１項に記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法である。
第８の手段は、溶媒中に日射遮蔽材料が分散している日射遮蔽膜形成用塗布液において、前記日射遮蔽材料が請求の範囲第１項または第２項に記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を含有しているものであることを特徴とする日射遮蔽膜形成用塗布液である。
第９の手段は、ホウ化物微粒子、アンチモン錫酸化物微粒子、タングステン酸化物微粒子から選択される少なくとも１種の微粒子が添加されていることを特徴とする請求の範囲第８項記載の日射遮蔽膜形成用塗布液である。
第１０の手段は、無機バインダー若しくは樹脂バインダーが含まれていることを特徴とする請求の範囲第８項または第９項記載の日射遮蔽膜形成用塗布液である。
第１１の手段は、請求の範囲第８項〜第１０項のいずれか１項に記載の日射遮蔽膜形成用塗布液を用いて形成されたことを特徴とする日射遮蔽膜である。
第１２の手段は、ガラスまたはプラスチック上に、請求の範囲第１１項記載の日射遮蔽膜が形成されたことを特徴とする日射遮蔽用基材である。
第１３の手段は、請求の範囲第１項または第２項に記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子または請求の範囲第８項〜第１０項のいずれか１項に記載の日射遮蔽膜形成用塗布液を、基材形成用母材に練り込み、板状、シート状、またはフィルム状に形成したことを特徴とする日射遮蔽用基材である。
第１４の手段は、請求の範囲第１２項記載の日射遮蔽用基材の日射遮蔽膜を挟み込むように他の基材を前記日射遮蔽用基材に積層させるか、または、請求の範囲第１３項記載の日射遮蔽用基材を他の基材によって挟み込んで積層させたことを特徴とする日射遮蔽用基材である。
以上詳述したように、本発明によれば、従来のＩＴＯ等に比べて、安価にかつ簡便に製造することを可能とする日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子及びその製造方法並びに日射遮蔽膜形成用塗布液及び日射遮蔽膜及び日射遮蔽用基材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、実施例および比較例に係る、複合酸化物微粒子の性状、および日射遮蔽膜の膜特性の一覧表である。
【発明を実施するための最良の形態】
上述の手段において、微粒子の種類をＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子としたのは、以下の理由からである。まず、日射遮蔽用に用いる物質として、基本的に日射遮蔽機能を発揮できる光学特性を備えたものでなければならない。すなわち、光に対する透過・反射の特性が、可視光は透過し、赤外領域は透過しない特性を備えている物質でなければならない。
ここで、本発明者は、物質の光透過性の波長依存性が、物質固有のプラズマ周波数に依存することに着目した。すなわち、光と物質内の電子の相互作用の結果として、物質にはそれぞれ固有のプラズマ周波数があるが、この固有プラズマ周波数より長波長の光は反射され、短波長の光は透過されることが知られている。プラズマ周波数ωｐは式（１）で表される。
ωｐ２＝ｎｑ２／εｍ （１）
ここで、ｎは伝導電子密度、ｑは電子の電荷、εは誘電率、ｍは電子の有効質量である。
プラズマ周波数は、一般に、物質の伝導電子密度に依存し、伝導電子密度が増加するとプラズマ周波数も大きくなり、短波長側の光まで反射されることになる。
例えば、金属の伝導電子密度は、１０２２／ｃｍ３台であるのに対して、従来のＩＴＯは、１０２１／ｃｍ３台である。このため、金属では可視光領域からすでに反射率が高くなるが、ＩＴＯでは、可視光線は透過し近赤外線域から反射率が高くなる。
本願発明者は、従来のＩＴＯの伝導電子密度と同程度の伝導電子密度を有する物質を探索した。その結果、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物が見出された。このＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物は、従来のＩＴＯと同じ酸化インジウム−酸化スズ系の物質であるが、従来のＩＴＯが、Ｓｎを有する物質をＳｎ換算で約１〜１５重量％含むものであるのに対して、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物は、Ｓｎを有する物質をＳｎ換算で約３９重量％含むものである点で相違する。つまり、高価なＩｎの含有量が従来のＩＴＯに比較して非常に少ないので、安価である。しかし、従来の技術に係るＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物（例えば、非特許文献１に記載されたＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物）は、上述したように所望の可視光透過率を確保しながら日射透過率を低減することができないことに加え、所謂、高ヘイズな膜となってしまい、日射遮蔽用の膜としての特性を有していないものであった。
ここで、本発明者らは試行錯誤を重ね、日射遮蔽材料として所定の特性を有する、平均１次粒子径４００ｎｍ以下であり、かつ、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における粉体色Ｌ＊が３０〜７０、ａ＊が−９．０〜−０．１、ｂ＊が−１５．０〜４．０である日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物に想到した。
当該日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物の平均１次粒子径を４００ｎｍ以下としたのは、平均１次粒子径を４００ｎｍ以下とすることで、当該複合酸化物が散乱源となって膜に曇り、つまりヘイズを生じたり、可視光透過率が減少する原因となるのを回避できるからである。なお、本明細書において粒子の大きさは、平均１次粒子径をもって表しているが、前記の理由により、４００ｎｍを超えるような粗粉の割合が少ない粒度分布の狭い微粉であることが好ましい。
さらに、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子は、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における粉体色Ｌ＊が３０〜７０、ａ＊が−９．０〜−０．１、ｂ＊が−１５．０〜４．０である理由は、以下のように考えられる。
Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を、不活性ガス単独、還元性ガスと不活性ガスとの混合ガスやアルコール含有不活性ガス雰囲気下で熱処理すると、その粉体色が黄色→黄緑色→淡青色→暗青色と変化すると同時に、その圧粉抵抗も減少する。これは、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を前記のようなガス雰囲気下で熱処理することによって微粒子中に空孔が生じ、この空孔の増加によって、微粒子中の自由電子が増加したと考えられる。即ち、微粒子の粉体色と伝導電子密度、つまりプラズマ周波数とは深い関係があることが予想される。
そこで、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子と、これらを成膜したときの日射透過率との関係を詳しく調査して、８５０ｎｍの透過率が高く、かつ高い日射遮蔽性能を発揮する条件を求めたところ、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系による粉体色Ｌ＊が３０〜７０、ａ＊が−９．０〜−０．１、ｂ＊が−１５．０〜４．０の範囲にあるとき、上記所望の日射遮蔽機能を発揮することに想到したものである。
また、必要に応じ、所望の機能における特性改善の目的で、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子へ、Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を添加することも好ましい構成である。
次に、上述の手段に係る日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法について説明する。
第１の工程は、錫化合物とインジウム化合物、または、錫化合物とインジウム化合物へ、さらに必要に応じてＳｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含む化合物を含有させた原料混合溶液と、アルカリ溶液とを反応させると共に継続的に攪拌しながら熟成させて沈殿物を得る工程である。
第２の工程は、第１の工程で得た沈殿物を、デカンテーションにより十分洗浄した後、乾燥してインジウムと錫から成る水酸化物粉末を得る工程である。
第３の工程は、第２の工程で得た水酸化物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で、１２００℃以上で焼成してＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物粒子を得る工程である。
第４の工程は、第３の工程で得たＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物粒子を、メカニカルな方法によって解砕して該Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子から成る日射遮蔽材料を得る工程である。
以下、各工程について、さらに詳細に説明する。
まず、第１の工程において、本発明において適用されるインジウム化合物および錫化合物は特に限定されるものでなく、例えば、硝酸インジウム、塩化インジウム、塩化錫、硝酸錫などが挙げられる。
必要に応じて添加するＳｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含む化合物は、特に限定されないが、水溶性もしくは有機溶媒に可溶のものが好ましい。添加量は、添加する化合物の元素をＸとした場合、Ｘ／（Ｉｎ２Ｏ３もしくはＳｎＯ２＋Ｘ）が、０．１〜１５重量％であることが好ましい。この範囲内であれば、所望とする日射遮蔽特性を得ることができるためである。
また、本発明で用いるアルカリ溶液も特に限定されず、例えば、炭酸水素アンモニウム、水酸化アンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアなどの各水溶液が挙げられる。アルカリ分の濃度は、各塩が水酸化物あるいは水和物となるに必要な化学当量以上、好ましくはアルカリ残留による洗浄時間の観点から当量〜当量の１．５倍過剰量とすることが良い。このときの溶液温度は特に限定されないが、生産性の観点からは通常１００℃以下とすることが好ましい。溶液温度の下限は、得られるＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の特性から特に限定されないが、低すぎると新たに冷却装置などが必要になってくることから、生産性の観点より、そのような装置を要しない温度とすることが好ましい。
中和反応の時間は特に限定されないが、生産性の観点から３０分未満、好ましくは２５分以下とする事が望ましい。中和反応終了後、系内の均一化を図るために継続的に攪拌しながら熟成を行うが、そのときの温度は共沈温度と同温とする。また、時間は特に限定されないが、生産性の観点から３０分以下、好ましくは１５分以下であると良い。
ここで沈殿物として、水酸化物あるいは水和物が得られるが、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の平均１次粒子の大きさは、およそこの段階で定まるため、数ｎｍ〜１００ｎｍとなるよう条件を制御する必要がある。このためには、溶液中の原料濃度を高くして沈殿成分イオンの濃度（Ｑ）を大きくし、溶液温度を低くして沈殿の溶解度（Ｓ）を低下させ、相対過飽和度比（但し、相対過飽和度比＝（Ｑ−Ｓ）／Ｓである。）の値を大きくすることが好ましい。当該相対過飽和度比の値が大きい状態から沈殿を生成すると、一度に多数の沈殿成分の核が発生し、均一で微細な沈殿物が得られる。また、原料混合溶液と、アルカリ溶液とを反応させた後の溶液のｐＨを４．０〜９．０とすることが粒径制御の上で好ましい。ｐＨが低い方が析出する沈殿の粒径が細かくなる傾向にあるが、低すぎると沈殿物の析出が不十分となり、一方、高すぎると、一部の沈殿物の再溶解によって沈殿物の粒径が大きくなり過ぎるからである。
次に、第２の工程において、第１の工程で熟成させて得られた沈殿物を、デカンテーションにより十分洗浄する。このとき、沈殿物中の残留不純物が、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物の光学特性、特に日射遮蔽率が低下する原因となる等の影響から、洗浄上澄み液の電導度が１ｍＳ／ｃｍ以下（残留する塩素不純物量が０．２重量％以下に相当する。）まで洗浄した後、乾燥する。洗浄処理後の乾燥温度やその時間は特に限定されるものではない。
次に、第３の工程において、第２の工程で乾燥処理された水酸化物あるいは水和物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で熱処理を行う。当該熱処理を大気中で行ってもＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物が得られるが、当該Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物は電子密度が不十分であることから日射遮蔽特性が低い。このときの熱処理温度はＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物粒子生成の観点から１２００℃以上、より好ましくは１３００℃以上、さらに好ましくは１４００℃以上である。１２００℃以上であれば、酸化インジウムと酸化スズの二相に分離した混相ではなく複合酸化物を得ることができるからである。上限温度は特に限定されないが、１６００℃以下であれば焼結による粒子の過度の成長を回避することができる。粒子が過度に成長すると後工程における粉砕操作、例えば塗布液調製時のビーズミルによる解砕・分散効率が低下し、日射遮蔽膜を形成した段階で高ヘイズの原因となる。従って、熱処理温度としては１４００〜１６００℃が好ましく、最も好ましいのは１５００℃である。
なお、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物粒子前駆体である第２の工程で乾燥処理された水酸化物粉末あるいは水和物を、一旦大気中で焼成して酸化インジウムと酸化スズの混相を生成させた後、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で熱処理を施した場合も、本発明と同様のＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子が得られる。しかし、この場合は、焼成工程が２工程となるため、生産性の観点からは、上述したように始めから不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で熱処理を行うことが好ましい。
次に、第４の工程において、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物粒子の解砕処理はメカニカルな方法によって行うことが望ましい。解砕処理方法は、複合酸化物粒子の一次粒子の凝集を壊し、一部粒成長した粒子を粉砕して微粒子化できるものであれば特に限定されないが、解砕効率を考慮するとジェットミルのような自粉衝突型粉砕機やビーズミルのようなメディア媒介型の解砕装置が好ましい。以上説明した、工程により、可視光透過率が高く、かつ高い日射遮蔽性能を発揮する日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を得ることができる。
次に、当該日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を用いた、上記手段に係る日射遮蔽膜形成用塗布液、および、その製造方法について詳細に説明する。
上記手段に係る日射遮蔽膜形成用塗布液は、上記Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物粒子を日射遮蔽材料として溶媒中に分散したものである。分散溶媒は特に限定されるものではなく、塗布条件、塗布環境に合わせて適宜選択できる。さらに、日射遮蔽膜形成用塗布液中へ無機バインダーや樹脂バインダーを含有させた時は当該バインダーに合わせて適宜選択できる。具体例としては、水やエタノール、プロパノール、ブタノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、ジアセトンアルコールなどのアルコール類、メチルエーテル，エチルエーテル，プロピルエーテルなどのエーテル類、エステル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、シクロヘキサノン、イソブチルケトンなどのケトン類といった各種の有機溶媒が使用可能であり、また必要に応じて酸やアルカリを添加してｐＨ調整してもよい。さらに、塗布液中の微粒子の分散安定性を一層向上させるため各種の界面活性剤、カップリング剤などの添加も勿論可能である。
また、必要に応じて日射遮蔽膜形成用塗布液中へ配合される無機バインダーや樹脂バインダーについても、その種類は特に限定されるものではない。例えば、無機バインダーとして、珪素、ジルコニウム、チタン、もしくはアルミニウムの金属アルコキシドやこれらの部分加水分解縮重合物あるいはオルガノシラザンが利用でき、樹脂バインダーとして、アクリル樹脂などの熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂などが利用できる。
日射遮蔽膜形成用塗布液製造時における、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物粒子の分散方法は、溶媒中に均一に分散される方法であれば特に限定されず、例えば、ビーズミル、ボールミル、サンドミル、ペイントシェーカー、超音波ホモジナイザーなどが挙げられる。
この塗布液を用いて日射遮蔽膜を形成したときの膜の導電性は、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の接触箇所を経由した導電パスに沿って電子が移動することで得られる。そこで、日射遮蔽膜形成用塗布液中の、例えば界面活性剤やカップリング剤の量を加減することで、導電パスを部分的に切断することができ、膜の導電性を１０６Ω／□以上の表面抵抗値へ低下させることは容易である。また、日射遮蔽膜形成用塗布液中への、無機バインダーあるいは樹脂バインダーの含有量の加減によっても日射遮蔽膜の導電性を制御できる。
次に、当該日射遮蔽膜形成用塗布液により形成される日射遮蔽膜について説明する。
上記手段に係る日射遮蔽膜は、上述したＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子分散塗布液である日射遮蔽膜形成用塗布液を、透明基板上に塗布して形成される。該日射遮蔽膜は、上記Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子が高密度に堆積して膜形成されたものであり、塗布液中に含まれる樹脂バインダーまたは無機バインダーは、塗布硬化後にＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の基材への密着性を向上させ、さらに膜の硬度を向上させる効果がある。
このようにして得られた日射遮蔽膜上に、さらに珪素、ジルコニウム、チタン、もしくはアルミニウムの金属アルコキシド、これらの部分加水分解縮重合物からなる被膜を第２層として被着し、珪素、ジルコニウム、チタン、もしくはアルミニウムの酸化物膜を形成することで、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を主成分とする膜の基材への結着力や膜の硬度、耐候性を一層向上させることができる。
また、塗布液中に樹脂バインダーまたは無機バインダーを含まない塗布液を用い得られる膜は、基材上に上記Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子のみが堆積した膜構造になる。このままでも日射遮蔽効果を示すが、この膜上にさらに珪素、ジルコニウム、チタン、もしくはアルミニウムの金属アルコキシドやこれらの部分加水分解縮重合物などの無機バインダーまたは樹脂バインダーを含む塗布液を塗布して被膜を形成して多層膜とすると良い。このようにすることにより、塗布液成分が第１層のＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の堆積した間隙を埋めて成膜されるため、膜のヘイズがさらに低減して可視光透過率が向上し、また粒子の基材への結着性が向上する。
また、上記手段に係る日射遮蔽膜形成用塗布液の、塗布方法および本発明で用いる被膜形成用の塗布方法は特に限定されず、例えば、スピンコート法、バーコート法、スプレーコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、ロールコート法、流し塗りなど、処理液を平坦かつ薄く均一に塗布できる方法であればいずれの方法でもよい。
また、上記手段に係る日射遮蔽膜形成用塗布液が無機バインダーとして、珪素、ジルコニウム、チタン、もしくはアルミニウムの金属アルコキシドおよびその加水分解重合物を含む場合、塗布液の塗布後の基材加熱温度が１００℃未満では、塗膜中に含まれるアルコキシドまたはその加水分解重合物の重合反応が未完結で残ることが多く、また水や有機溶媒が膜中に残留して加熱後の日射遮蔽膜において可視光透過率の低下の原因となることがある。そこで、塗布後の基材加熱温度は１００℃以上が好ましく、さらに好ましくは塗布液中の溶媒の沸点以上で加熱を行うことがよい。他方、日射遮蔽膜形成用塗布液中に樹脂バインダーを含有する場合は、それぞれの硬化方法に従って硬化させればよい。例えば、紫外線硬化樹脂であれば紫外線を適宜照射すればよく、また常温硬化樹脂であれば塗布後そのまま放置しておけばよい。当該構成を用いることで、既存の窓ガラスなどへの現場での塗布が可能となる。
そして、本発明に係る日射遮蔽膜では、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子が分散しているため、物理成膜法により製造された酸化物薄膜のように結晶が緻密に膜内を埋めた鏡面状表面をもつ膜に比べると可視光領域での反射が少なく、ギラギラした外観を呈することを回避できる。その一方で、近赤外域にプラズマ周波数をもつため、これに伴うプラズマ反射が近赤外域で大きくなる。さらに可視光領域の反射を抑制したい場合には、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２微粒子分散膜の上に、ＳｉＯ２やＭｇＦ２のような低屈折率の膜を成膜することにより、容易に視感反射率１％以下の多層膜を得ることができる。
また、上記手段に係る日射遮蔽材料、塗布液並びに日射遮蔽膜のさらなる紫外線遮蔽機能を付与させるため、無機系の酸化チタンや酸化亜鉛、酸化セリウムなどの微粒子や、有機系のベンゾフェノンやベンゾトリアゾールなどの１種もしくは２種以上を添加してもよい。
このように、上記手段によれば、日射遮蔽用としての機能を発揮する粉体特性と製造方法を確立し、インジウム含量を低減させた安価な材料として安定なＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物を用いた日射遮蔽膜形成用塗布液を製造でき、該塗布液を使用し、日射遮蔽効果を発揮する塗布膜製造が可能である。Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子は無機材料であるので、有機材料と比べて耐候性が非常に高く、例えば太陽光線（紫外線）の当たる部位に使用しても色や諸機能の劣化はほとんど生じない。
また、上記手段に係る塗布液は、焼成時の熱によって塗布成分の分解あるいは化学反応を利用して目的の日射遮蔽膜を形成するものではないため、特性の安定した均一な膜厚の透過膜を形成することができる。
【実施例】
以下、本発明についてその実施例を挙げさらに具体的に説明する。なお、以下においては、日射遮蔽材料粉末の結晶構造は、粉末Ｘ線回折（ＣｕＫα、理学電機（株）製Ｒｏｔａｆｌｅｘ ＲＡＤ−γＶＢ）によって測定した。また、日射遮蔽膜形成用塗布液を用いて得られた膜の可視光透過率および日射透過率は、日立製作所（株）製の分光光度計Ｕ−４０００を用いて測定し、ＪＩＳ Ｒ ３１０６に基づいて算出した。膜評価としては、バーコーターで成膜して得られた膜の可視光透過率および日射透過率を測定した。
【実施例１】
１０％Ｉｎ（ＮＯ３）３・３Ｈ２Ｏ水溶液５００ｇと１０％ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ水溶液３７０．６ｇ（Ｓｎ３９．１重量％相当）との混合水溶液を２０℃制御下で攪拌しながら、１５％ＮＨ４ＨＣＯ３水溶液４５０ｇを１７分かけて滴下し、滴下後さらに１０分間攪拌して沈殿物を熟成した。
得られた沈殿物に対し、デカンテーションにて１回につき２０００ｍｌのイオン交換水での洗浄を繰り返し行い、上澄み液の電導度が１ｍＳ／ｃｍ以下の時点で洗浄を終了した。その後１０５℃で沈殿物を乾燥した。なお、乾燥物中の残留Ｃｌ量は０．０７％であった。次に、粉砕処理を施した該乾燥物を炉内に設置し、雰囲気を０．０２Ｐａまで真空引きしたあと窒素ガスで１気圧まで置換し、窒素を供給しながら１５００℃で３時間焼成して酸化物微粒子Ａを得た。
この複合酸化物微粒子Ａ粉末は、Ｘ線回折によりＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２と同定された。
また、この微粒子Ａの粉体色はＬ＊が４５．００７５、ａ＊が−１．９３２５、ｂ＊が−５．６９５３であった。
次に、該複合酸化物微粒子Ａ３０重量％、イソブチルアルコール５６重量％、分散剤１４重量％を混合し、０．１５ｍｍΦのガラスビーズと共に容器に充填した後、１時間のビーズミル分散処理を施してＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子分散液を調製した。該分散液６７．５重量％、バインダーとしてメチルイソブチルケトンに溶解したアクリル樹脂溶液２７．５重量％および硬化剤５重量％を含む塗布液を、バーコーターで１００ｍｍ×１００ｍｍ×３ｍｍのソーダライムガラス基板に塗布した後、１８０℃で１時間焼成して日射遮蔽膜ａを得た。日射遮蔽膜ａの可視光透過率７０％のときの日射透過率は、５８．０％であった。
［実施例２〜実施例４および比較例１〜比較例４］
（実施例２）焼成条件を、１４５０℃で３時間とした以外は実施例１と同様にして、複合酸化物微粒子Ｂを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｂを形成した。
（実施例３）焼成条件の雰囲気をＮ２、０．１２ＭＰａの加圧下とした以外は実施例１と同様にして複合酸化物微粒子Ｃを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｃを形成した。
（実施例４）実施例１の乾燥物を炉内に設置し、大気中１２００℃で１時間焼成した後、炉内雰囲気を０．０２Ｐａまで真空引きし、さらに窒素ガスで１気圧まで置換してから１５００℃で３時間焼成した以外は実施例１と同様にして複合酸化物微粒子Ｄを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｄを形成した。
（比較例１）焼成条件を、１１００℃で１時間とした以外は実施例１と同様にして、複合酸化物微粒子Ｅを製造した。ところが、微粒子ＥのＸ線回折パターンを解析するとＩｎ２Ｏ３相およびＳｎＯ２相のみであったため、日射遮蔽膜ｅは形成しなかった。
（比較例２）焼成条件を、大気中１４００℃で１時間焼成した後、９％Ｈ２／Ｎ２雰囲気下３８０℃で３０分とした以外は実施例１と同様にして、複合酸化物微粒子Ｆを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｆを形成した。
（比較例３）焼成条件を、大気中１４００℃で１時間焼成した後、９％Ｈ２／Ｎ２雰囲気下４３０℃で３０分とした以外は実施例１と同様にして、複合酸化物微粒子Ｇを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｇを形成した。
（比較例４）Ｉｎ２Ｏ３粉体とＳｎＯ２粉体とを２：３のモル比で物理混合した混合粉体を製造し、当該混合粉体を炉内に設置した。そして、炉内の雰囲気を０．０２Ｐａまで真空引きしたあと窒素ガスで１気圧まで置換し、窒素を供給しながら１５００℃で３時間焼成して、複合酸化物微粒子Ｈを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｈを形成した。
第１図は、上述した実施例および比較例における、複合酸化物微粒子の性状および日射遮蔽膜の膜特性を表にして示したものである。第１図に示す実施例の複合酸化物微粒子Ｂ（実施例２）〜Ｄ（実施例４）はＸ線回折によりＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２と同定され、その粉体色はＬ＊が３０〜７０、ａ＊が−９．０〜−０．１、ｂ＊が−１５．０〜４．０の範囲内で、平均粒径は４００ｎｍ以下であった。また、可視光透過率７０％のときの日射透過率はいずれも５９％以下であった。
一方、微粒子Ｅ（比較例１）〜Ｈ（比較例４）の平均粒径は、いずれも４００ｎｍ以下であったが、比較例１に係る微粒子Ｅ、および比較例４に係る微粒子ＨのＸ線回折パターンを解析すると、比較例１はＩｎ２Ｏ３相およびＳｎＯ２相のみであり、比較例４はＩｎ２Ｏ３相、ＳｎＯ２相およびＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２相の混合相であった。また、比較例２の微粒子Ｆの粉体色はＬ＊とｂ＊が本発明の範囲外であり、比較例３の微粒子Ｇの粉体色はｂ＊が本発明の範囲外であり、可視光透過率７０％のときの日射透過率はいずれも６０％以上であった。
【実施例５〜実施例９】
（実施例５）実施例１における沈殿物生成のための混合溶液調製において、さらに４．１９％ＳｂＣｌ３のエタノール溶液７９．３ｇを混合した以外は、実施例１と同様にして複合酸化物微粒子Ｉを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｉを形成した。
（実施例６）実施例１における沈殿物生成のための混合溶液調製において、さらに１．０２ｇのＳｎＦ４を混合した以外は、実施例１と同様にして複合酸化物微粒子Ｊを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｊを形成した。
（実施例７）実施例１における沈殿物生成のための混合溶液調製において、さらに２５％［（ＣＨ３）２ＣＨＯ］４Ｇｅのエタノール溶液６．８ｇを混合した以外は、実施例１と同様にして複合酸化物微粒子Ｋを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｋを形成した。
（実施例８）実施例１における沈殿物生成のための混合溶液調製において、さらに６０％ＨＲｅＯ４溶液２．６ｇを混合した以外は、実施例１と同様にして複合酸化物微粒子Ｌを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｌを形成した。
（実施例９）実施例１における沈殿物生成のための混合溶液調製において、さらに１０％ＴａＣｌ５のエタノール溶液７．９ｇを混合した以外は、実施例１と同様にして複合酸化物微粒子Ｍを製造し、さらに実施例１と同様にして日射遮蔽膜ｍを形成した。
第１図には、上述した実施例における、複合酸化物微粒子の性状および日射遮蔽膜の膜特性等を表にして示した。第１図に示す実施例の複合酸化物微粒子Ｉ（実施例５）〜Ｍ（実施例９）はＸ線回折によりＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２と同定され、その粉体色はＬ＊が３０〜７０、ａ＊が−９．０〜−０．１、ｂ＊が−１５．０〜４．０の範囲内で、平均粒径は４００ｎｍ以下であった。また、可視光透過率７０％のときの日射透過率はいずれも５９％以下であった。
【実施例１０】
平均１次粒子径６７ｎｍの六ホウ化ランタン微粒子０．０９重量％、実施例１のＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子Ａ１６．９２重量％、常温硬化性のバインダー２２．７重量％、トルエン１．３重量％、イソブチルアルコール９．８重量％、メチルイソブチルケトン３４．９重量％および分散剤１４．３重量％からなる分散液を、バーコーターで１００ｍｍ×１００ｍｍ×約２ｍｍ厚のグリーンガラス基板に塗布した後、１８０℃で１時間焼成して日射遮蔽膜ｎを得た。日射遮蔽膜ｎにおいて可視光透過率７８％のときの日射透過率は５０．７％であった。これを第１図に示す。
【実施例１１】
実施例１で得た日射遮蔽ガラス上の日射遮蔽膜ａ面が内側になるようにして、もう一方のクリアーガラス基板の間に０．７６ｍｍ厚の中間膜用ポリビニルブチラールで挟み込み、８０℃に加熱して仮装着した後、１４０℃で１４Ｋｇ／ｃｍ２の条件でオートクレーブによる本接着を行って合わせガラスｏを作製した。合わせガラスｏにおいて可視光透過率７２％のときの日射透過率は４４．３％であった。これを第１図に示す。
【実施例１２】
実施例１にて製造したＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子分散液を、ポリビニルブチラールに添加し、可塑剤としてトリエチレングリコール−ジ−２−エチルブチレートを加え、Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子Ａの濃度が０．２０重量％、実施例５で用いた六ホウ化ランタン微粒子濃度が０．００４１重量％、ポリビニルブチラール濃度が７１．１重量％となる中間膜用組成物を調製した。該中間膜用組成物をロールで混練して０．７６ｍｍ厚のシート状に成形して中間膜を作製した。この中間膜を１００ｍｍ×１００ｍｍ×約２ｍｍ厚のグリーンガラス基板２枚の間に挟み込み、８０℃に加熱して仮接着した後、１４０℃、１４Ｋｇ／ｃｍ２のオートクレーブにより本接着を行い、合わせガラスｐを作製した。合わせガラスｐにおいて可視光透過率７４％のときの日射透過率は４４．７％であった。これを第１図に示す。
【図１】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微粒子の平均１次粒子径が４００ｎｍ以下であり、かつ、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における粉体色がＬ＊は３０〜７０、ａ＊は−９．０〜−０．１、ｂは−１５．０〜４．０であることを特徴とする日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子。
【請求項２】
Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含むことを特徴とする請求の範囲第１項記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子。
【請求項３】
錫化合物及びインジウム化合物を含有した原料混合溶液とアルカリ溶液とを反応させると共に継続的に攪拌しながら熟成させて沈殿物を得る工程と、
前記沈殿物をデカンテーションにより洗浄した後、乾燥してインジウムと錫とから成る水酸化物又は水和物粉末を得る工程と、
前記水酸化物又は水和物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で、１２００℃以上で焼成してＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を得る工程と、
を具備することを特徴とする日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法。
【請求項４】
錫化合物と、インジウム化合物と、Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含む化合物とを含有した原料混合溶液と、アルカリ溶液と、を反応させると共に継続的に攪拌しながら熟成させて沈殿物を得る第１の工程と、
前記第１の工程で得られた沈殿物をデカンテーションにより洗浄した後、乾燥して、インジウムと、錫と、Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素と、を含む水酸化物又は水和物粉末を得る第２の工程と、
前記第２の工程で得られた水酸化物又は水和物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下において１２００℃以上で焼成して、Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含むＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を得る第３の工程と、
を具備することを特徴とする日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法。
【請求項５】
前記Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子をメカニカル法によって解砕する工程を具備することを特徴とする請求の範囲第３項または第４項記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法。
【請求項６】
前記原料混合溶液とアルカリ溶液とを反応させた後の溶液のｐＨが４．０〜９．０であることを特徴とする請求の範囲第３項〜第５項のいずれか１項に記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法。
【請求項７】
前記沈殿物をデカンテーションする時に、洗浄液の電導度が１ｍＳ／ｃｍ以下になるまで行うことを特徴とする請求の範囲第３項〜第６項のいずれか１項に記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法。
【請求項８】
溶媒中に日射遮蔽材料が分散している日射遮蔽膜形成用塗布液において、前記日射遮蔽材料が請求の範囲第１項または第２項に記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を含有しているものであることを特徴とする日射遮蔽膜形成用塗布液。
【請求項９】
ホウ化物微粒子、アンチモン錫酸化物微粒子、タングステン酸化物微粒子から選択された少なくとも１種の微粒子が添加されていることを特徴とする請求の範囲第８項記載の日射遮蔽膜形成用塗布液。
【請求項１０】
無機バインダー若しくは樹脂バインダーが含まれていることを特徴とする請求の範囲第８項または第９項記載の日射遮蔽膜形成用塗布液。
【請求項１１】
請求の範囲第８項〜第１０項のいずれか１項に記載の日射遮蔽膜形成用塗布液を用いて形成されたことを特徴とする日射遮蔽膜。
【請求項１２】
ガラスまたはプラスチック上に、請求の範囲第１１記載の日射遮蔽膜が形成されたことを特徴とする日射遮蔽用基材。
【請求項１３】
請求の範囲第１項または第２項に記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子または請求の範囲第８項〜第１０項のいずれか１項に記載の日射遮蔽膜形成用塗布液を、基材形成用母材に練り込み、板状、シート状、またはフィルム状に形成したことを特徴とする日射遮蔽用基材。
【請求項１４】
請求の範囲第１２項記載の日射遮蔽用基材の日射遮蔽膜を挟み込むように他の基材を前記日射遮蔽用基材に積層させるか、または、請求の範囲第１３項記載の日射遮蔽用基材を他の基材によって挟み込んで積層させたことを特徴とする日射遮蔽用基材。
【請求項１】
微粒子の平均１次粒子径が４００ｎｍ以下であり、かつ、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における粉体色がＬ＊は３０〜７０、ａ＊は−９．０〜−０．１、ｂは−１５．０〜４．０であることを特徴とする日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子。
【請求項２】
Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含むことを特徴とする請求の範囲第１項記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子。
【請求項３】
錫化合物及びインジウム化合物を含有した原料混合溶液とアルカリ溶液とを反応させると共に継続的に攪拌しながら熟成させて沈殿物を得る工程と、
前記沈殿物をデカンテーションにより洗浄した後、乾燥してインジウムと錫とから成る水酸化物又は水和物粉末を得る工程と、
前記水酸化物又は水和物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で、１２００℃以上で焼成してＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を得る工程と、
を具備することを特徴とする日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法。
【請求項４】
錫化合物と、インジウム化合物と、Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含む化合物とを含有した原料混合溶液と、アルカリ溶液と、を反応させると共に継続的に攪拌しながら熟成させて沈殿物を得る第１の工程と、
前記第１の工程で得られた沈殿物をデカンテーションにより洗浄した後、乾燥して、インジウムと、錫と、Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素と、を含む水酸化物又は水和物粉末を得る第２の工程と、
前記第２の工程で得られた水酸化物又は水和物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下において１２００℃以上で焼成して、Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、ＰおよびＧｅから選択された少なくとも１種の元素を含むＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を得る第３の工程と、
を具備することを特徴とする日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法。
【請求項５】
前記Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子をメカニカル法によって解砕する工程を具備することを特徴とする請求の範囲第３項または第４項記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法。
【請求項６】
前記原料混合溶液とアルカリ溶液とを反応させた後の溶液のｐＨが４．０〜９．０であることを特徴とする請求の範囲第３項〜第５項のいずれか１項に記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法。
【請求項７】
前記沈殿物をデカンテーションする時に、洗浄液の電導度が１ｍＳ／ｃｍ以下になるまで行うことを特徴とする請求の範囲第３項〜第６項のいずれか１項に記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子の製造方法。
【請求項８】
溶媒中に日射遮蔽材料が分散している日射遮蔽膜形成用塗布液において、前記日射遮蔽材料が請求の範囲第１項または第２項に記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子を含有しているものであることを特徴とする日射遮蔽膜形成用塗布液。
【請求項９】
ホウ化物微粒子、アンチモン錫酸化物微粒子、タングステン酸化物微粒子から選択された少なくとも１種の微粒子が添加されていることを特徴とする請求の範囲第８項記載の日射遮蔽膜形成用塗布液。
【請求項１０】
無機バインダー若しくは樹脂バインダーが含まれていることを特徴とする請求の範囲第８項または第９項記載の日射遮蔽膜形成用塗布液。
【請求項１１】
請求の範囲第８項〜第１０項のいずれか１項に記載の日射遮蔽膜形成用塗布液を用いて形成されたことを特徴とする日射遮蔽膜。
【請求項１２】
ガラスまたはプラスチック上に、請求の範囲第１１記載の日射遮蔽膜が形成されたことを特徴とする日射遮蔽用基材。
【請求項１３】
請求の範囲第１項または第２項に記載の日射遮蔽用Ｉｎ４Ｓｎ３Ｏ１２複合酸化物微粒子または請求の範囲第８項〜第１０項のいずれか１項に記載の日射遮蔽膜形成用塗布液を、基材形成用母材に練り込み、板状、シート状、またはフィルム状に形成したことを特徴とする日射遮蔽用基材。
【請求項１４】
請求の範囲第１２項記載の日射遮蔽用基材の日射遮蔽膜を挟み込むように他の基材を前記日射遮蔽用基材に積層させるか、または、請求の範囲第１３項記載の日射遮蔽用基材を他の基材によって挟み込んで積層させたことを特徴とする日射遮蔽用基材。
【国際公開番号】ＷＯ２００４／０６０８０７
【国際公開日】平成１６年７月２２日（２００４．７．２２）
【発行日】平成１８年５月１１日（２００６．５．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−５６４５４０（Ｐ２００４−５６４５４０）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００３／０１６８８６
【国際出願日】平成１５年１２月２６日（２００３．１２．２６）
【出願人】（０００１８３３０３）住友金属鉱山株式会社 (2,015)
【Ｆターム（参考）】
【国際公開日】平成１６年７月２２日（２００４．７．２２）
【発行日】平成１８年５月１１日（２００６．５．１１）
【国際特許分類】
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００３／０１６８８６
【国際出願日】平成１５年１２月２６日（２００３．１２．２６）
【出願人】（０００１８３３０３）住友金属鉱山株式会社 (2,015)
【Ｆターム（参考）】
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