有機電子デバイスのための材料の堆積のためのテーパ状マスク
電子デバイスが、基板と、開口部を有する構造と、構造の上にあり開口部内にある第１の電極とを含む。断面図から、開口部における構造は負傾斜を有する。平面図から、各開口部は有機電子構成要素の周囲に実質的に対応してもしなくてもよい周囲を有する。構造の上にあり開口部内にある第１の電極の部分は互いに接続される。電子デバイスを形成するためのプロセスにおいて、有機活性層を開口部内に堆積させることができ、有機活性層は液体組成物を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、電子デバイス、および電子デバイスを形成するための方法に関する。より特定的には、本発明は、有機電子構成要素を含む電子デバイスに関する。
【０００２】
（連邦政府支援研究に関する陳述）
本発明は、政府支援で、ＤＡＲＰＡ許可番号４３３２下でなされた。政府は、本発明における特定の権利を有することができる。
【背景技術】
【０００３】
ますます、活性有機分子が電子デバイスに使用されている。これらの活性有機分子は、エレクトロルミネセンスを含む電子特性または電子放射特性を有する。有機活性材料を組入れる電子デバイスは、電気エネルギーを放射線に変換するために使用することができ、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、またはダイオードレーザを挙げることができる。有機活性層を組入れる電子デバイスは、また、放射線に応答して信号を発生させる（たとえば、光検出器（たとえば、光伝導セル、フォトレジスタ、フォトスイッチ、フォトトランジスタ、光電管）、赤外（「ＩＲ」）検出器、バイオセンサ）、放射線を電気エネルギーに変換する（たとえば、光起電力デバイスまたは太陽電池）、および論理機能を行う（たとえば、トランジスタまたはダイオード）ために使用することができる。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第４，３５６，４２９号明細書
【特許文献２】米国特許第４，５３９，５０７号明細書
【特許文献３】米国特許第５，２４７，１９０号明細書
【特許文献４】米国特許第５，４０８，１０９号明細書
【特許文献５】米国特許第５，３１７，１６９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、有機活性層を含む電子構成要素の製造は困難である。有機活性層の一定しない形成が、典型的には、劣ったデバイス性能、およびデバイス製造プロセスにおける劣った歩留りをもたらす。有機活性層の液体堆積の場合、電極の劣った濡れが有機活性層内の空隙をもたらすことがある。
【０００６】
図１は、先行技術構造１０２の平面図を示し、図２は、先行技術構造１０２の断面図を示す。構造１０２は、図２の断面図から見ると正傾斜を有する周囲を有する。液体組成物１０６が、周囲の構造１０２によって形成されたウェル内に堆積されると、それは空隙を形成することがある。そのような空隙は、放射線放出または放射線吸収のための利用可能な表面領域を減少させ、低減された性能をもたらす。空隙１０８などの空隙は、また、電極などの、下にある構造１０４を露出させることがある。付加的な層が、液体組成物を硬化させることから生じる有機層の上に形成されると、これらの層は下にある構造１０４と接触することがあり、電極間の電気的短絡を可能にし、かつ影響された有機電子構成要素を動作不能にする。
【０００７】
さらに、構造１０２が疎水性である（すなわち、高濡れ角を有する）場合、液体組成物１０６の劣った濡れが、構造１０２の近くでウェル内で生じることがあり、また、有機層が薄くなることをもたらすことがある。有機層は、電極間の電気的短絡を防止するのに十分厚いことができるが、ピクセル端縁における薄い有機層は、低整流比および低輝度効率をもたらすことがある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
１つの例示的な実施形態において、電子デバイスが、基板と、開口部を有する構造と、構造の上にあり開口部内にある第１の電極とを含む。断面図から、開口部における構造は負傾斜を有する。平面図から、各開口部は、有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する。構造の上にあり、開口部内にある第１の電極の部分が互いに接続される。
【０００９】
さらなる実施形態において、電子デバイスが、基板と、基板の上にある第１の構造と、基板の上にある第２の構造とを含む。断面図から、第１の構造は負傾斜を有し、平面図から、第１の構造は第１のパターンを有する。断面図から、第２の構造は負傾斜を有し、平面図から、第２の構造は第１のパターンと異なった第２のパターンを有する。第１の構造は、第２の構造と接触する部分を有する。
【００１０】
別の例示的な実施形態において、電子デバイスを形成するための方法が、負傾斜と、開口部とを有する構造を形成する工程を含む。平面図から、各開口部は有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する。方法は、また、有機活性層を開口部内に堆積させる工程を含む。有機活性層は液体組成物を有する。方法は、構造および有機活性層の上にあり、開口部内にある第１の電極を形成する工程をさらに含む。構造の上にあり、開口部内にある第１の電極の部分が互いに接続される。先の一般的な説明および次の詳細な説明は、例示および説明にすぎず、添付の特許請求の範囲に規定されるような本発明を限定するものではない。
【００１１】
本発明を、添付の図において、限定ではなく例として示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
一実施形態において、電子デバイスが、基板と、開口部を有する構造と、構造の上にあり開口部内にある第１の電極とを含む。断面図から、開口部における構造は負傾斜を有する。平面図から、各開口部は、有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する。構造の上にあり開口部内にある第１の電極の部分が互いに接続される。
【００１３】
１つの例示的な実施形態において、構造の表面が疎水性である。さらなる例示的な実施形態において、第２の電極が基板と構造との間にある。付加的な実施形態において、第２の電極は、親水性である表面を有する。別の例示的な実施形態において、基板は、有機電子構成要素に結合されたドライバ回路を含む。
【００１４】
さらなる実施形態において、電子デバイスが、基板と、基板の上にある第１の構造と、基板の上にある第２の構造とを含む。断面図から、第１の構造は負傾斜を有し、平面図から、第１の構造は第１のパターンを有する。断面図から、第２の構造は負傾斜を有し、平面図から、第２の構造は第１のパターンと異なった第２のパターンを有する。第１の構造は、第２の構造と接触する部分を有する。
【００１５】
１つの例示的な実施形態において、第１の構造は開口部を含み、平面図から、各開口部は有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する。別の例示的な実施形態において、電子デバイスは、少なくとも第１の構造および第２の構造の部分の上にある電極を含む。さらなる例示的な実施形態において、電極は、開口部内にあり、開口部間で連続している。付加的な実施形態において、第２の構造は、第１の構造の厚さより少なくとも１．５倍大きい厚さを有する。別の例示的な実施形態において、第１の構造は約３マイクロメートル以下の厚さを有する。さらなる例示的な実施形態において、第２の構造は少なくとも約３マイクロメートルの厚さを有する。付加的な例示的な実施形態において、電子デバイスは、基板と第１の構造との間の電極を含む。別の例示的な実施形態において、電極は親水性である表面を有する。さらなる例示的な実施形態において、電子デバイスはパッシブマトリックスディスプレイを含む。付加的な例示的な実施形態において、第１の構造および第２の構造は、疎水性である表面を有する。
【００１６】
別の例示的な実施形態において、電子デバイスを形成するための方法が、負傾斜と、開口部とを有する構造を形成する工程を含む。平面図から、各開口部は有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する。方法は、また、有機活性層を開口部内に堆積させる工程を含む。有機活性層は液体組成物を有する。方法は、構造および有機活性層の上にあり、開口部内にある第１の電極を形成する工程をさらに含む。構造の上にあり、開口部内にある第１の電極の部分が互いに接続される。
【００１７】
１つの例示的な実施形態において、方法は、構造を形成する前に第２の電極を形成する工程を含み、構造を形成した後、第２の電極の部分が開口部の底部に沿って露出される。別の例示的な実施形態において、液体組成物は、９０度未満の濡れ角で第２の電極と接触する。さらなる例示的な実施形態において、液体組成物は少なくとも４５度の濡れ角で構造と接触する。
【００１８】
上で開示された例示的な実施形態の各々について、有機電子構成要素は有機活性層を含むことができる。
【００１９】
本発明の他の特徴および利点は、次の詳細な説明、および特許請求の範囲から明らかであろう。詳細な説明は、最初に、定義を扱い、次いで、構造、電子デバイスの層および構成要素、電子デバイスを形成するためのプロセス、ならびに他の実施形態を扱う。
【００２０】
（１．用語の定義および明確化）
以下で説明される実施形態の詳細を扱う前、いくつかの用語を定義または明確化する。ここで使用されるように、層または材料に言及するときの「活性」という用語は、電子特性または電子放射特性を有する層または材料を意味することが意図される。活性層材料は、放射線を放出することができるか、放射線を受容すると電子−正孔対の濃度の変化を示すことができる。
【００２１】
「アクティブマトリックス」という用語は、電子構成要素のアレイ、およびアレイ内の対応するドライバ回路を意味することが意図される。
【００２２】
「回路」という用語は、適切に接続され適切な電位が供給されると、集合的に機能を行う、電子構成要素の集まりを意味することが意図される。回路としては、ディスプレイのアレイ内のアクティブマトリックスピクセル、列または行デコーダ、列または行アレイストローブ、センス増幅器、信号またはデータドライバなどを挙げることができる。
【００２３】
電子構成要素、回路、またはそれらの部分に関する「接続された」という用語は、２つ以上の電子構成要素、回路、または少なくとも１つの電子構成要素および少なくとも１つの回路の任意の組合せが、それらの間にある介在する電子構成要素を少しも有さないことを意味することが意図される。寄生抵抗、寄生キャパシタンス、または両方は、この定義の目的のための電子構成要素とみなされない。一実施形態において、電子構成要素は、互いに電気的に短絡され、かつ実質的に同じ電圧にあるとき、接続される。電子構成要素を、光学信号がそのような電子構成要素の間で伝達されることを可能にするように、光ファイバ線を使用してともに接続することができることに留意されたい。
【００２４】
「結合された」という用語は、信号（たとえば、電流、電圧、または光学信号）を１つのものから別のものに伝達することができるような、２つ以上の電子構成要素、回路、システム、または、（１）少なくとも１つの電子構成要素、（２）少なくとも１つの回路、もしくは（３）少なくとも１つのシステムのうちの少なくとも２つの任意の組合せの接続、連結、または関連を意味することが意図される。「結合された」の非限定的な例としては、電子構成要素間の直接接続、スイッチ（たとえば、トランジスタ）が間に接続された回路または電子構成要素などを挙げることができる。
【００２５】
「ドライバ回路」という用語は、有機電子構成要素などの電子構成要素の活性化を制御するように構成された回路を意味することが意図される。
【００２６】
「電気的に連続した」という用語は、電気開回路なしで導電経路を形成する層、部材、または構造を意味することが意図される。
【００２７】
「電極」という用語は、キャリヤを輸送するように構成された構造を意味することが意図される。たとえば、電極は、アノード、カソードであることができる。電極としては、トランジスタ、キャパシタ、抵抗器、インダクタ、ダイオード、有機電子構成要素、および電源の部分を挙げることができる。
【００２８】
「電子構成要素」という用語は、電気的機能を行う回路の最も低いレベルのユニットを意味することが意図される。電子構成要素としては、トランジスタ、ダイオード、抵抗器、キャパシタ、インダクタなどを挙げることができる。電子構成要素は、寄生抵抗（たとえば、ワイヤの抵抗）または寄生キャパシタンス（たとえば、導体間のキャパシタが意図されないか偶発的である、異なった電子構成要素に接続された２つの導体の間の容量結合）を含まない。
【００２９】
「電子デバイス」という用語は、適切に接続され適切な電位が供給されると、集合的に機能を行う、回路、電子構成要素、またはそれらの組合せの集まりを意味することが意図される。電子デバイスは、システムを含むか、システムの一部であることができる。電子デバイスの例としては、ディスプレイ、センサアレイ、コンピュータシステム、アビオニクス、自動車、携帯電話、および多くの他の消費者用および産業用電子製品が挙げられる。
【００３０】
「親水性」という用語は、液体の端縁が、接触する表面に対して９０度未満の濡れ角を示すことを意味することが意図される。
【００３１】
「疎水性」という用語は、液体の端縁が、接触する表面に対して９０度以上の濡れ角を示すことを意味することが意図される。
【００３２】
「層」という用語は、「フィルム」という用語と交換可能に使用され、所望の領域を被覆するコーティングを指す。この領域は、デバイス全体ほど大きいか、実際のビジュアルディスプレイなどの特定の機能領域ほど小さいか、１つのサブピクセルほど小さいことができる。フィルムを、蒸着および液体堆積を含む任意の従来の堆積技術によって形成することができる。典型的な液体堆積技術としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、ディップコーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングなどの連続堆積技術、ならびにインクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷などの不連続堆積技術が挙げられるが、これらに限定されない。
【００３３】
「液体組成物」という用語は、１つまたは複数の液体媒体に溶解されて溶液を形成するか、１つまたは複数の液体媒体中に分散されて分散液を形成するか、１つまたは複数の液体媒体中に懸濁されて懸濁液またはエマルションを形成する有機活性材料を意味することが意図される。
【００３４】
「負傾斜」という用語は、構造の側面が、上に構造が形成された実質的に平面の表面に対して鋭角を形成する構造の特徴を意味することが意図される。
【００３５】
「開口部」という用語は、平面図で見ると、領域を囲む特定の構造がないことによって特徴づけられた領域を意味することが意図される。
【００３６】
「有機電子デバイス」という用語は、１つまたは複数の半導体層または材料を含むデバイスを意味することが意図される。有機電子デバイスとしては、（１）電気エネルギーを放射線に変換するデバイス（たとえば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、またはダイオードレーザ）、（２）エレクトロニクスプロセスによって信号を検出するデバイス（たとえば、光検出器（たとえば、光伝導セル、フォトレジスタ、フォトスイッチ、フォトトランジスタ、または光電管）、ＩＲ検出器、またはバイオセンサ）、（３）放射線を電気エネルギーに変換するデバイス（たとえば、光起電力デバイスまたは太陽電池）、および（４）１つまたは複数の有機半導体層を含む１つまたは複数の電子構成要素を含むデバイス（たとえば、トランジスタまたはダイオード）が挙げられる。
【００３７】
デバイス内の層、部材、または構造に言及するために使用されるときの「上にある」という用語は、必ずしも、１つの層、部材、または構造が、別の層、部材、または構造のすぐ隣であるか、別の層、部材、または構造と接触することを意味しない。
【００３８】
「パッシブマトリックス」という用語は、ドライバ回路を少しも有さない、電子構成要素のアレイを意味することが意図される。
【００３９】
「周囲」という用語は、平面図から、閉じた平面形状を形成する、層、部材、または構造の境界を意味することが意図される。
【００４０】
「構造」という用語は、単独で、または他のパターニングされた層または部材と組合されて、意図された目的を果たすユニットを形成する、１つまたは複数のパターニングされた層または部材を意味することが意図される。構造の例としては、電極、ウェル構造、カソードセパレータなどが挙げられる。
【００４１】
「基板」という用語は、剛性または可撓性であることができ、かつ、ガラス、ポリマー、金属、もしくはセラミック材料、またはそれらの組合せを挙げることができるが、これらに限定されない１つまたは複数の材料の１つまたは複数の層を含むことができるベース材料を意味することが意図される。
【００４２】
「濡れ角」という用語は、固体表面から液体を介して気体／液体界面まで測定される、気体、液体、および固体表面間の端縁界面における接線角度を意味することが意図される。
【００４３】
ここで使用されるように、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する（ｈａｓ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」という用語、またはそれらのいかなる他の変形も、非排他的な包含を網羅することが意図される。たとえば、要素のリストを含むプロセス、方法、物品、または装置が、必ずしも、それらの要素のみに限定されないが、明白に記載されていないか、そのようなプロセス、方法、物品、または装置に固有の他の要素を含んでもよい。さらに、そうでないと明白に記載されていない限り、「または」は、包含的な「または」を指し、排他的な「または」を指さない。たとえば、条件ＡまたはＢが、次のいずれか１つによって満たされる。Ａが真であり（または存在し）、かつＢが偽である（または存在しない）、Ａが偽であり（または存在せず）、かつＢが真である（または存在する）、ならびにＡおよびＢの両方が真である（または存在する）。
【００４４】
また、「ａ」または「ａｎ」の使用は、本発明の要素および構成要素を説明するために使用される。これは、単に便宜上、かつ本発明の一般的な意味を与えるために行われる。この説明は、１つまたは少なくとも１つを含むように読まれなければならず、単数形は、そうでないように意味されることが明らかでない限り、また、複数形を含む。
【００４５】
特に定義されない限り、ここで使用される技術および科学用語はすべて、本発明が属する技術における当業者によって一般に理解されるのと同じ意味を有する。ここで説明されるものと同様または同等の方法および材料を、本発明の実施またはテストに用いることができるが、適切な方法および材料を以下で説明する。ここで挙げられる刊行物、特許出願、特許、および他の引例をすべて、それらの全体を参照により援用する。抵触の場合には、定義を含む本明細書が優先するだろう。さらに、材料、方法、および例は、例示にすぎず、限定することは意図されない。
【００４６】
（２．電子デバイスの構造、層、および構成要素）
特定の実施形態において、電子デバイスが、有機電子構成要素のアレイと、平面図から見ると有機電子構成要素の各々の周囲に対応する開口部を有する構造とを含む。構造は、断面図から見ると開口部において負傾斜を有する。各有機電子構成要素は、有機活性層を含む１つまたは複数の層によって分離された第１および第２の電極（たとえば、アノードおよびカソード）を含むことができる。一実施形態において、例示的な電子デバイスは、また、電極セパレータ（たとえばカソードセパレータ）などの、負傾斜を有する第２の構造を含むことができる。
【００４７】
１つの例示的な実施形態において、有機電子構成要素のアレイは、パッシブマトリックスの一部であることができる。別の例示的な実施形態において、有機電子構成要素のアレイは、アクティブマトリックスの一部であることができる。したがって、電子デバイスの例示的な実施形態は、アクティブマトリックスディスプレイおよびパッシブマトリックスディスプレイを含むことができる。
【００４８】
一般に、各有機電子構成要素は、１つまたは複数の有機活性層によって分離された２つの電極を含む。さらに、正孔輸送層および電子輸送層などの他の層を、２つの電極の間に含むことができる。有機電子構成要素の各々の周囲に対応する開口部を有する構造は、中に有機電子構成要素の部分が形成されるウェルを規定する。したがって、これらの構造は、ときどき、ここでウェル構造と説明することができる。
【００４９】
ウェル構造の断面は、有機層形成に影響を及ぼすことがある。図３は、例示的な構造３０２の断面図を示す。構造３０２は、負傾斜した壁または周囲３０４を有し、かつ下にある構造３０８と鋭角を形成する。図４は、下にある構造の表面４０６と構造壁４０４との間に鋭角α（アルファ）を形成する例示的な構造４０２の周囲の一部を示す。１つの例示的な実施形態において、角度α（アルファ）は、０°から６０°、または１０°から４５°などの、０°から９０°である。代替実施形態において、角度α（アルファ）は、毛管角度とほぼ等しいかより大きいことができる。
【００５０】
図５に示されているように、液体組成物３０６が、構造３０２によって形成された開口部の周囲内に堆積されるとき、フィンガ３１０を見ることができる。構造３０２内の開口部が充填すると、液体組成物は、空隙のない層を形成する。図６は、充填された開口部の平面図を示し、図７は、図６の切断線７−７における断面図を示す。液体組成物３０６が周囲３０４に沿って堆積されるとき、それは、下にある構造３０８を被覆する。１つの例示的な実施形態において、液体は、図１および図２に示されているのと同様の構造および液体組成物と比較して、実質的により均一である層を形成する。
【００５１】
図４の構造に関して、図８は、表面４０６の上にあるように形成された層８０８を示す。液体組成物を堆積させ、溶媒を抽出して、層８０８を形成することができる。示されているように、層８０８は、構造壁４０４と接触し、かつ表面４０６を被覆する。そのような層を含む電子デバイスは、短絡する可能性がより低い。さらに、より均一な層は、ウェル構造の近くで有機層が薄くなることが観察されるデバイスに見出される、劣ったデバイス性能特徴（たとえば、低整流比、低輝度効率など）の可能性を低減する。
【００５２】
一実施形態において、電子デバイスが、基板と、負傾斜を有する第１の構造と、断面図から見ると負傾斜を有する第２の構造とを含む。第１の構造は基板の上にあり、かつ、平面図から、第１のパターンを有する。第２の構造は基板の上にあり、かつ、平面図から、第１のパターンと異なった第２のパターンを有する。一実施形態において、第１の構造はウェル構造であり、中に有機電子構成要素を形成することができる開口部のアレイである。第２の構造は、たとえば、電極セパレータ構造であることができる。
【００５３】
別の実施形態において、平面図から、第１の構造内の各開口部は有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する。
【００５４】
一例において、第２の構造は、約３から１０マイクロメートルの厚さを有することができる。第１の構造は、約１から３マイクロメートルなどの３マイクロメートル未満、または約０．４マイクロメートルなどの１マイクロメートル未満の厚さを有することができる。第２の構造は、たとえば、第１の構造の厚さより少なくとも１．５倍大きい厚さを有することができる。
【００５５】
別の実施形態において、電子デバイスが、基板と、構造（たとえば、ウェル構造）と、第１の電極とを含む。構造は、開口部を有し、かつ、断面図から見ると、開口部において負傾斜を有する。平面図から、開口部の各々は、有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する。第１の電極は構造の上にあり開口部内にある。構造の上にあり、開口部内にある第１の電極の部分は、互いに接続される。特定の例において、有機電子構成要素は、１つまたは複数の有機活性層を含むことができる。一実施形態において、第１の電極は、共通電極（たとえば、有機電子構成要素のアレイのための共通カソードまたは共通アノード）であることができる。別の例示的な実施形態において、第２の電極が、基板と構造との間にあることができる。さらなる例示的な実施形態において、有機電子構成要素を、基板内にあるドライバ回路（図示せず）に結合することができる。一実施形態において、第1の電極の前に第２の電極を形成することができることに留意されたい。
【００５６】
１つの例示的な実施形態において、負傾斜を有する１つまたは複数の構造は、実質的に疎水性の表面を有する。表面は、９０°以上などの、４５°より大きい、液体組成物との濡れ角を示す。対照的に、電極などの、下にある構造は、実質的に親水性の表面を有することができ、６０°未満、または約０°〜約４５°などの、９０°未満の、液体組成物の濡れ角を示す。
【００５７】
（３．電子デバイスを形成するためのプロセス）
電子デバイスを形成するための例示的なプロセスが、基板の上にあり、かつ断面斜視図から負傾斜を有する１つまたは複数の構造を形成することを含む。パッシブマトリックスディスプレイのために用いることができる１つの例示的なプロセスが、図９から図２３に示されている。このプロセスの変形を、他の電子デバイスを形成するために用いることができる。
【００５８】
図９は、例示的なプロセスシーケンスの一部の平面図を示し、図１０は、図９の切断線１０−１０から見た部分の断面図を示す。電極９０４を基板９０２上に堆積させる。基板９０２は、ガラスもしくはセラミック材料、または少なくとも１つのポリマーフィルムを含む可撓性基板であることができる。１つの例示的な実施形態において、基板９０２は透明である。任意に、基板９０２は、均一なバリヤ層またはパターニングされたバリヤ層などのバリヤ層を含むことができる。
【００５９】
電極９０４はアノードまたはカソードであることができる。図９は、平行なストリップとしての電極９０４を示す。あるいは、電極９０４は、正方形、矩形、円、三角形、楕円形などの平面図形状を有する構造のパターニングされたアレイであることができる。一般に、電極は、従来のプロセス（たとえば、堆積、パターニング、またはそれらの組合せ）を用いて形成することができる。
【００６０】
電極９０４は導電性材料を含むことができる。一実施形態において、導電性材料は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの透明な導電性材料を含むことができる。他の透明な導電性材料としては、たとえば、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛、および酸化スズが挙げられる。他の例示的な導電性材料としては、酸化亜鉛スズ（ＺＴＯ）、元素金属、金属合金、およびそれらの組合せが挙げられる。電極９０４は、また、導電性リード（図示せず）に結合することができる。１つの例示的な実施形態において、電極９０４は親水性表面を有することができる。
【００６１】
その後の層を、堆積させ、断面図から、負傾斜を有する構造にパターニングすることができる。図１１は、プロセスにおけるこのシーケンスの平面図を示し、図１２は、このシーケンスの断面図を示す。開口部１１０８を有し、かつ、断面図から見ると、開口部１１０８において負傾斜を有する構造１１０６が形成される。開口部１１０８は、電極９０４の部分を露出させることができる。平面図から見られるように、開口部１１０８の底部は、電極９０４の部分を含むことができるか、また、基板９０２の一部を包含することができる。
【００６２】
１つの例示的な実施形態において、構造１１０６は、レジストまたはポリマー層から形成することができる。レジストは、たとえば、ネガティブレジスト材料またはポジティブレジスト材料であることができる。レジストは、基板９０２上に、および電極９０４の上に堆積させることができる。典型的な液体堆積技術としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、ディップコーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングなどの連続堆積技術、ならびにインクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷などの不連続堆積技術が挙げられるが、これらに限定されない。レジストは、紫外（ＵＶ）放射線などの放射線に選択的に曝すことによってパターニングすることができる。一実施形態において、レジストをスピン堆積させ焼成する（図示せず）。レジストを、マスク（図示せず）を介してＵＶ放射線に曝し、現像し、焼成し、開口部において負傾斜を有する構造を残す。負傾斜は、（１）マスクを使用するときにＵＶフラッド照射（平行にされない）を用いるか、（２）マスクがレジスト層と放射線源（図示せず）との間にある間、レジスト層を過度に照射することによって達成することができる。
【００６３】
別の例示的な実施形態において、犠牲構造を使用することができる。一実施形態において、犠牲層を堆積させ、パターニングして、正傾斜を有する犠牲構造を形成する。より特定的な実施形態において、断面図から、犠牲構造は、その後形成された第１の構造１１０６と比較して相補的なプロファイルを有する。犠牲層の厚さは、その後形成された第１の構造と実質的に同じである。一実施形態において、犠牲層を第１の電極９０４および基板９０２の上に堆積させる。パターニングされたレジスト層を、従来の技術を用いて犠牲層の上に形成する。１つの特定の実施形態において、従来のレジスト腐食エッチング技術を用いて、傾斜した側壁を形成する。別の特定の実施形態において、従来の等方性エッチを用いる。次に、パターニングされたレジスト層を、従来のレジスト除去プロセスを用いて除去する。
【００６４】
第１の構造１１０６のために使用される別の層を、犠牲構造の上に、および犠牲構造の開口部内に堆積させる。一実施形態において、その、他の層は、少なくとも犠牲構造の厚さほどの厚さを有する。他の実施形態において、その、他の層は、犠牲層より実質的に厚い。犠牲構造の外側にある他の層の部分を、無機半導体技術内で従来のものであるエッチングまたは研磨技術を用いて除去する。部分が除去された後、第１の構造を形成する。次に、犠牲構造を除去して、第１の構造１１０６内の開口部１１０８を形成する。
【００６５】
一実施形態において、第１の構造および犠牲構造のための材料は、第１の構造および犠牲構造の一方の材料が、他方の構造と比較して選択的に除去されることを可能にするために、異なっている。例示的な材料としては、金属、酸化物、窒化物、およびレジストが挙げられる。犠牲層のための材料は、第１の電極９０４への著しい損傷を引起すことなく、基板９０２から選択的に除去することができるように選択することができる。本明細書を読んだ後、当業者は、要求または望みを満たす材料を選択することができるであろう。
【００６６】
形成後、構造１１０６はパターンを有することができる。パターンは、たとえば、図１１に示されたパターンであることができる。代替パターンが、図１３および図１４に示されている。図１３は、格子パターンを示す。図１４は、平面図から見ると、下にある電極を横切って配向された楕円形開口部１４０４、円形開口部１４０６、および下にある電極に沿って配向された楕円形開口部１４０８を含むことができるパターンを示す。
【００６７】
別の実施形態において、別のパターンが、電極９０４の長さに実質的に平行に配向された列を含むことができる。列の各々は、負傾斜を有し、かつ、少なくとも、電極９０４に隣接した位置および電極９０４間の位置で基板９０２を被覆する部分を有する。列と、その後形成された電極セパレータ構造との組合せが、平面図から、矩形開口部をもたらすことができる。構造の組合せは、液体組成物のいずれか１つまたは複数を基板の上に形成する前に形成する。
【００６８】
第２の構造を、任意に、基板９０２および構造１１０６の上に堆積させることができる。第２の構造は、第１の構造１１０６のパターンによって、電極９０４の部分と接触してもしなくてもよい。第２の構造は、たとえば、電極セパレータ構造であることができる。図１５、図１６、図１７、および図１８は、第２の構造１５１０を含む例示的なプロセスシーケンスを示す。図１５は、電極構造９０４に実質的に垂直に配向された第２の構造１５１０を含む平面図を示す。図１６は、切断線１６−１６における、第２の構造１５１０の長さの間の、かつ第２の構造１５１０の長さに平行な断面図を示す。図１７および図１８は、第２の構造１５１０に垂直な断面図を示す。図１７は、切断線１７−１７における開口部１１０８を通る断面図を示し、図１８は、切断線１８−１８における開口部１１０８から離れた断面図を示す。
【００６９】
図１７および図１８に示されているように、第２の構造１５１０の断面図は、負傾斜を有する。第２の構造１５１０は、開口部において第１の構造１１０６の部分を包含してもしなくてもよい。代替実施形態において、第２の構造１５１０を、完全に第１の構造１１０６の上にあるように形成することができる。一般に、第２の構造１５１０を、第１の構造１１０６に関して説明された技術と同様の技術によって形成することができる。
【００７０】
いったん、第１の構造１１０６および任意に第２の構造１５１０が形成されると、開口部を介して露出された電極９０４を、ＵＶ／オゾンクリーニングなどによってクリーニングすることができる。構造１１０８および１５１０は、疎水性表面を生じさせるように処理することができる。たとえば、フッ素含有プラズマを用いて、構造１１０８および１５１０の表面を処理することができる。フッ素プラズマは、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＮＦ３、ＳＦ６、またはそれらの組合せなどのガスを使用して形成することができる。プラズマプロセスは、直接照射プラズマを含むか、下流プラズマを用いることができる。さらに、プラズマはＯ２を含むことができる。１つの例示的な実施形態において、フッ素含有プラズマが、約８％のＯ２などの、０〜２０％のＯ２を含むことができる。
【００７１】
１つの特定の実施形態において、カリフォルニア州コンコードのマーチ・プラズマ・システムズ（Ｍａｒｃｈ Ｐｌａｓｍａ Ｓｙｓｔｅｍｓ ｏｆ Ｃｏｎｃｏｒｄ， Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）によるマーチ（Ｍａｒｃｈ）ＰＸ５００モデルプラズマ発生器を使用して、プラズマを発生させる。この設備は、フロースルーモードで、穴のあいた接地プレート、および浮動基板プレートで構成される。この実施形態において、６インチの浮動基板プレートを、ＣＦ４／Ｏ２ガス組成物から形成されたプラズマで処理する。ガス組成物は、約９２体積％のＣＦ４などの８０〜１００体積％のＣＦ４と、約８体積％のＯ２などの０〜２０体積％のＯ２とを含むことができる。基板は、約３分などの２〜５分間、４００ｍＴｏｒｒなどの３００〜６００ｍＴｏｒｒの圧力で、４００Ｗのプラズマなどの２００〜５００Ｗのプラズマを用いて照射することができる。
【００７２】
図１９および図２０は、有機層１９１３を堆積させるプロセスにおける例示的なシーケンスを示す。有機層１９１３は、１つまたは複数の有機層を含むことができる。図２０に示されている一実施形態において、有機層１９１３は、電荷輸送層１９１４と、有機活性層１９１２とを含む。存在するとき、電荷輸送層１９１４を、第１の電極９０４の上に、かつ有機活性層１９１２を形成する前に形成する。電荷輸送層１９１４は多数の目的を果たすことができる。一実施形態において、電荷輸送層１９１４は正孔輸送層である。示されていないが、付加的な電荷輸送層を有機活性層１９１２の上に形成することができる。したがって、有機層１９１３は、有機活性層１９１２と、電荷輸送層の１つまたは両方とを含むことができるか、電荷輸送層をまったく含まないことができる。電荷輸送層１９１４、有機活性層１９１２、および付加的な電荷輸送層の各々は、１つまたは複数の層を含むことができる。別の実施形態において、段階的なまたは連続的に変化する組成物を有する１つの層を、別個の電荷輸送層および有機活性層の代わりに使用することができる。
【００７３】
図１９および図２０に戻ると、電荷輸送層１９１４および有機活性層１９１２を電極９０４の上に順次形成する。電荷輸送層１９１４および有機活性層１９１２の各々を、たとえば、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、ディップコーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングなどの連続堆積技術、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷などの不連続堆積技術、キャスティング、ならびに蒸着によって形成することができるが、これらに限定することはできない。たとえば、有機材料を含む液体組成物を、マイクロノズルなどのノズルを通して分配することができる。電荷輸送層１９１４および有機活性層１９１２の一方または両方を、付与後、硬化させることができる。
【００７４】
この実施形態において、電荷輸送層１９１４は正孔輸送層である。正孔輸送層は、導電性部材９０４が有機活性層１９１２と直接接触するデバイスと比較して、潜在的に、寿命を増加させ、かつデバイスの信頼性を向上させるために使用することができる。１つの特定の実施形態において、正孔輸送層は、ポリアニリン（「ＰＡＮＩ」）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（「ＰＥＤＯＴ」）などの有機ポリマー、またはテトラチアフルバレンテトラシアノキノジメタン（ＴＴＦ−ＴＣＱＮ）などの有機電荷移動化合物を含むことができる。正孔輸送層は、典型的には、約１００〜２５０ｎｍの範囲内の厚さを有する。
【００７５】
正孔輸送層は、典型的には、電子が、その後形成された活性領域から除去され、かつ導電性部材９０４に移動されることを可能にするために、導電性である。導電性部材９０４および任意の正孔輸送層が導電性であるが、典型的には、導電性部材９０４の導電性は、正孔輸送層より著しく大きい。
【００７６】
有機活性層１９１２の組成物は、典型的には、有機電子デバイスの用途による。有機活性層１９１２が放射線放出有機電子デバイスに使用される場合、有機活性層１９１２の材料は、十分なバイアス電圧が電極層に印加されると、放射線を放出する。放射線放出活性層は、ほとんどいかなる有機エレクトロルミネセンス材料または他の有機放射線放出材料を含有することができる。
【００７７】
そのような材料は、小分子材料またはポリマー材料であることができる。小分子材料としては、たとえば、米国特許公報（特許文献１）および米国特許公報（特許文献２）に記載されたものを挙げることができる。あるいは、ポリマー材料としては、米国特許公報（特許文献３）、米国特許公報（特許文献４）、および米国特許公報（特許文献５）に記載されたものを挙げることができる。例示的な材料が、半導性共役ポリマーである。そのようなポリマーの例が、ポリ（フェニレンビニレン）（「ＰＰＶ」）である。発光材料は、添加剤とともにまたは添加剤なしで、別の材料のマトリックス内に分散させることができるが、典型的には、単独で層を形成する。有機活性層は、一般に、約４０〜１００ｎｍの範囲内の厚さを有する。
【００７８】
有機活性層１９１２が放射線受容有機電子デバイスに組入れられる場合、有機活性層１９１２の材料としては、多くの共役ポリマーおよびエレクトロルミネセンス材料を挙げることができる。そのような材料としては、たとえば、多くの共役ポリマーならびにエレクトロルミネセンス材料およびフォトルミネセンス材料が挙げられる。特定の例としては、ポリ（２−メトキシ，５−（２−エチル−ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン）（「ＭＥＨ−ＰＰＶ」）、およびＣＮ−ＰＰＶとのＭＥＨ−ＰＰＶ複合体が挙げられる。有機活性層１９１２は、典型的には、約５０〜５００ｎｍの範囲内の厚さを有する。
【００７９】
示されていないが、任意の電子輸送層を有機活性層１９１２の上に形成することができる。電子輸送層は、電荷輸送層の別の例である。電子輸送層は、典型的には、電子が、その後形成されたカソードから注入され、かつ有機活性層１９１２に移動されることを可能にするために、導電性である。その後形成されたカソードおよび任意の電子輸送層が導電性であるが、典型的には、カソードの導電性は、電子輸送層より著しく大きい。
【００８０】
１つの特定の実施形態において、電子輸送層は、金属キレート化オキシノイド（ｏｘｉｎｏｉｄ）化合物（たとえば、Ａｌｑ３）、フェナントロリンベースの化合物（たとえば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（「ＤＤＰＡ」）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（「ＤＰＡ」））、アゾール化合物（たとえば、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（「ＰＢＤ」）、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（「ＴＡＺ」）、またはそれらのいずれか１つまたは複数の組合せを含むことができる。あるいは、任意の電子輸送層は、無機であり、かつ、ＢａＯ、ＬｉＦ、またはＬｉ２Ｏを含むことができる。電子輸送層は、典型的には、約３０〜５００ｎｍの範囲内の厚さを有する。
【００８１】
電荷輸送層１９１４、有機活性層１９１２、および付加的な電荷輸送層のいずれか１つまたは複数を、１つまたは複数の液体媒体を含む液体組成物として付与することができる。疎水性および親水性表面は、液体組成物中の液体媒体に対して特定的である。一実施形態において、液体組成物は、たとえば、アルコール、グリコール、およびグリコールエーテルを含む共溶媒を含むことができる。有機活性層液体媒体のための溶媒を、電荷輸送層を溶解しないように選択することができる。あるいは、溶媒を、電荷輸送層がその溶媒に可溶性または部分的に可溶性であるように選択することができる。
【００８２】
特定の実施形態において、構造１１０６の負傾斜は、毛管効果を引起し、有機材料の液体組成物を開口部１１０８の周囲に引寄せる。いったん硬化されると、有機活性層１９１２は、電極９０４および電荷輸送層１９１４などの、開口部１１０６内の下にある層を被覆し、電極（たとえば、アノードおよびカソード）などの導電性部材間の電気的短絡を防止する。
【００８３】
第２の電極を、この実施形態において、電荷輸送層１９１４と、有機活性層１９１２とを含む有機層１９１３の上に形成する。図２１は、プロセスシーケンスの平面図を示し、図２２および図２３は、プロセスシーケンスの断面図を示す。一実施形態において、層を、ステンシルマスクを使用して堆積させて、導電性部材２１１８を第２の構造１５１０上に形成し、電極２１１６を有機活性層１９１３の上におよび構造１１０６の部分の上に形成する。電極２１１６と導電性部材２１１８との間の高さの差が、それらを接続されないようにする。図２２に示されているように、電極層２１１６は、開口部１１０８内の層、および第１の構造１１０６の部分の上にある。開口部１１０８内の層の上にある電極層２１１６の部分、および第１の構造１１０６の部分の上にある電極２１１６の部分は、互いに接続されて、電気的に連続した構造を形成する。
【００８４】
一実施形態において、電極２１１６はカソードとして作用する。有機層１９１３に最も近い電極２１１６の層を、１族金属（たとえば、Ｌｉ、Ｃｓ）、２族（アルカリ土類）金属、ランタニドおよびアクチニドを含む希土類金属から選択することができる。電極層２１１６および２１１８は、約３００〜６００ｎｍの範囲内の厚さを有する。１つの特定の非限定的な実施形態において、約１０ｎｍ未満のＢａ層、次いで、約５００ｎｍのＡｌ層を、堆積させることができる。Ａｌ層は、金属および金属合金のいずれかと取替えることができるか、金属および金属合金のいずれかと関連して使用することができる。
【００８５】
図２１、図２２、および図２３に示されているように、電極９０４などのアノード、有機層１９１３、および、電極２１１６などのカソードから形成された有機電子構成要素は、周辺回路を介してアドレス可能である。たとえば、電極２１１６の１つの選択された行、および電極９０４の１つの選択された列を横切って電位を与えることが、１つの有機電子構成要素を活性化する。
【００８６】
カプセル化層（図示せず）をアレイならびに周辺回路および遠隔回路の上に形成して、電子ディスプレイ、放射線検出器、および光起電力セルなどの実質的に完成した電気デバイスを形成することができる。カプセル化層を、それと基板との間に有機層がないように、レールに取付けることができる。放射線を、カプセル化層を通して伝達することができる。その場合、カプセル化層は、放射線に対して透明でなければならない。
【００８７】
（４．他の実施形態）
有機電子構成要素の形成後、第１の構造１１０６および第２の構造１５１０を、任意に、変更または除去することができる。１つの例示的な実施形態において、電子デバイスを、構造１１０６または構造１５１０を形成する材料のガラス転移温度くらいに加熱することができる。そのような加熱は、リフローをもたらすことができ、断面斜視図から見ると、構造の傾斜が最終デバイスにおいて変化することを引き起す。別の実施形態において、エッチプロセスを用いて、構造１１０６などの構造を除去することができる。したがって、最終電子デバイスの断面外観は、図２１、図２２、および図２３に示された構造および層と異なることができる。
【００８８】
図９〜２３に示されたプロセスによって形成された電子デバイスは、パッシブマトリックスデバイスである。代替実施形態において、電子デバイスはアクティブマトリックスデバイスであることができる。図２４および図２５は、例示的なアクティブマトリックスデバイスを示す。図２５は、図２４の断面線２５−２５における電子構成要素の断面を示す。各有機電子構成要素２４１６が、関連したドライバ回路２４１８を有する独特の電極２４０６を含むことができる。ドライバ回路２４１８を、上に独特の電極２４０６が形成される基板２４０２に組入れることができる。ウェル構造２４０４が、有機電子構成要素２４１６の周囲に対応する開口部を有することができる。パッシブマトリックスデバイスに関して説明された他のウェル構造のいくつかなどの他の構造を、他の実施形態に使用することができる。ウェル構造２４０４は、断面斜視図から見ると、開口部において負傾斜を有する。有機層２４０８が、独特の電極２４０６の上にあることができ、かつ、正孔輸送層２４１２と、有機活性層２４１０とを含むことができる。任意に、有機層２４０８は電子輸送層（図示せず）を含むことができる。さらに、有機電子構成要素２４１６は共通電極２４１４を含むことができる。次に、各有機電子構成要素２４１６を、ドライバ回路２４１８によってなど、アクティブマトリックス機構によって活性化することができる。
【００８９】
上で示されたさまざまな実施形態において、電極はカソードまたはアノードであることができる。たとえば、電極９０４はアノードまたはカソードであることができる。同様に、電極２１１６はアノードまたはカソードであることができる。１つの特定の実施形態において、電極９０４は、透明な基板９０２の上にある透明なアノードである。電子ディスプレイデバイスの場合、有機電子構成要素から放出される放射線が、透明なアノードおよび基板を通って放出することができる。あるいは、電極９０４は透明なカソードであることができる。
【００９０】
別の実施形態において、電極９０４および基板９０２は、不透明なまたは反射性であることができる。この実施形態において、電極２１１６を透明な材料から形成することができ、放射線放出デバイスの場合、放射線を、有機電子構成要素から電極２１１６を通って放出することができる。
【００９１】
さらなる実施形態において、電子デバイスを形成するためのプロセスを、センサアレイ、光検出器、光伝導セル、フォトレジスタ、フォトスイッチ、フォトトランジスタ、光電管、ＩＲ検出器、バイオセンサ、光起電力セルまたは太陽電池などの放射線応答デバイスを製造する際に用いることができる。放射線応答デバイスは、透明な基板と、基板側面電極とを含むことができる。あるいは、放射線応答デバイスは、透明な上にある電極を含むことができる。
【００９２】
さらなる実施形態において、電子デバイスを形成するためのプロセスを、無機デバイスのために用いることができる。一実施形態において、無機層を形成するための液体組成物が、使用され、負傾斜を有する同じまたは他の構造に隣接した液体組成物のより良好な被覆を可能にすることができる。
【００９３】
先の明細書において、本発明を特定の実施形態に関して説明した。しかし、当業者は、特許請求の範囲に記載されるような本発明の範囲から逸脱することなく、さまざまな修正および変更を行うことができることを理解する。したがって、明細書および図面は、限定的な意味ではなく例示的な意味でみなされるべきであり、そのような修正はすべて、本発明の範囲内に含まれることが意図される。
【００９４】
利益、他の利点、および問題の解決策を、特定の実施形態に関して上述した。しかし、利益、利点、問題の解決策、および、いかなる利益、利点、または解決策が生じるかより顕著になることを引起し得るいかなる要素も、特許請求の範囲のいずれかまたはすべての、重要な、必要な、または本質的な特徴または要素と解釈されるべきでない。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】先行技術ウェル構造の一部の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図２】先行技術ウェル構造の一部の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図３】液体組成物がウェル構造内に配置される前、間、および後のウェル構造の例示的な実施形態の一部の断面図、平面図、平面図、および断面図の図を含む。
【図４】液体組成物が負傾斜を有する端縁と接触する前後の、図３、図５、図６、および図７のウェル構造の断面図の図を含む。
【図５】液体組成物がウェル構造内に配置される前、間、および後のウェル構造の例示的な実施形態の一部の断面図、平面図、平面図、および断面図の図を含む。
【図６】液体組成物がウェル構造内に配置される前、間、および後のウェル構造の例示的な実施形態の一部の断面図、平面図、平面図、および断面図の図を含む。
【図７】液体組成物がウェル構造内に配置される前、間、および後のウェル構造の例示的な実施形態の一部の断面図、平面図、平面図、および断面図の図を含む。
【図８】液体組成物が負傾斜を有する端縁と接触する前後の、図３、図５、図６、および図７のウェル構造の断面図の図を含む。
【図９】第１の電極を基板の上に形成した後の基板の一部の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図１０】第１の電極を基板の上に形成した後の基板の一部の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図１１】ウェル構造を基板および第１の電極の上に形成した後の、図９および図１０の基板の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図１２】ウェル構造を基板および第１の電極の上に形成した後の、図９および図１０の基板の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図１３】例示的なウェル構造パターンを示す断面図を含む。
【図１４】例示的なウェル構造パターンを示す断面図を含む。
【図１５】セパレータ構造を、基板、第１の電極、およびウェル構造の上に形成した後の、図１１および図１２の基板の平面図の図を含む。
【図１６】図１５の、それぞれ、切断線１６−１６、１７−１７、および１８−１８における断面図の図を含む。
【図１７】図１５の、それぞれ、切断線１６−１６、１７−１７、および１８−１８における断面図の図を含む。
【図１８】図１５の、それぞれ、切断線１６−１６、１７−１７、および１８−１８における断面図の図を含む。
【図１９】有機層を、基板、第１の電極、ウェル構造、およびセパレータ構造の上に形成した後の、図１５の基板の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図２０】有機層を、基板、第１の電極、ウェル構造、およびセパレータ構造の上に形成した後の、図１５の基板の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図２１】第２の電極を、基板、第１の電極、ウェル構造、セパレータ構造、および有機層の上に形成した後の、図１９および図２０の基板の、それぞれ、平面図、断面図、および断面図の図を含む。
【図２２】第２の電極を、基板、第１の電極、ウェル構造、セパレータ構造、および有機層の上に形成した後の、図１９および図２０の基板の、それぞれ、平面図、断面図、および断面図の図を含む。
【図２３】第２の電極を、基板、第１の電極、ウェル構造、セパレータ構造、および有機層の上に形成した後の、図１９および図２０の基板の、それぞれ、平面図、断面図、および断面図の図を含む。
【図２４】共通電極を有するアクティブマトリックスディスプレイの一部の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図２５】共通電極を有するアクティブマトリックスディスプレイの一部の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、電子デバイス、および電子デバイスを形成するための方法に関する。より特定的には、本発明は、有機電子構成要素を含む電子デバイスに関する。
【０００２】
（連邦政府支援研究に関する陳述）
本発明は、政府支援で、ＤＡＲＰＡ許可番号４３３２下でなされた。政府は、本発明における特定の権利を有することができる。
【背景技術】
【０００３】
ますます、活性有機分子が電子デバイスに使用されている。これらの活性有機分子は、エレクトロルミネセンスを含む電子特性または電子放射特性を有する。有機活性材料を組入れる電子デバイスは、電気エネルギーを放射線に変換するために使用することができ、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、またはダイオードレーザを挙げることができる。有機活性層を組入れる電子デバイスは、また、放射線に応答して信号を発生させる（たとえば、光検出器（たとえば、光伝導セル、フォトレジスタ、フォトスイッチ、フォトトランジスタ、光電管）、赤外（「ＩＲ」）検出器、バイオセンサ）、放射線を電気エネルギーに変換する（たとえば、光起電力デバイスまたは太陽電池）、および論理機能を行う（たとえば、トランジスタまたはダイオード）ために使用することができる。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第４，３５６，４２９号明細書
【特許文献２】米国特許第４，５３９，５０７号明細書
【特許文献３】米国特許第５，２４７，１９０号明細書
【特許文献４】米国特許第５，４０８，１０９号明細書
【特許文献５】米国特許第５，３１７，１６９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、有機活性層を含む電子構成要素の製造は困難である。有機活性層の一定しない形成が、典型的には、劣ったデバイス性能、およびデバイス製造プロセスにおける劣った歩留りをもたらす。有機活性層の液体堆積の場合、電極の劣った濡れが有機活性層内の空隙をもたらすことがある。
【０００６】
図１は、先行技術構造１０２の平面図を示し、図２は、先行技術構造１０２の断面図を示す。構造１０２は、図２の断面図から見ると正傾斜を有する周囲を有する。液体組成物１０６が、周囲の構造１０２によって形成されたウェル内に堆積されると、それは空隙を形成することがある。そのような空隙は、放射線放出または放射線吸収のための利用可能な表面領域を減少させ、低減された性能をもたらす。空隙１０８などの空隙は、また、電極などの、下にある構造１０４を露出させることがある。付加的な層が、液体組成物を硬化させることから生じる有機層の上に形成されると、これらの層は下にある構造１０４と接触することがあり、電極間の電気的短絡を可能にし、かつ影響された有機電子構成要素を動作不能にする。
【０００７】
さらに、構造１０２が疎水性である（すなわち、高濡れ角を有する）場合、液体組成物１０６の劣った濡れが、構造１０２の近くでウェル内で生じることがあり、また、有機層が薄くなることをもたらすことがある。有機層は、電極間の電気的短絡を防止するのに十分厚いことができるが、ピクセル端縁における薄い有機層は、低整流比および低輝度効率をもたらすことがある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
１つの例示的な実施形態において、電子デバイスが、基板と、開口部を有する構造と、構造の上にあり開口部内にある第１の電極とを含む。断面図から、開口部における構造は負傾斜を有する。平面図から、各開口部は、有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する。構造の上にあり、開口部内にある第１の電極の部分が互いに接続される。
【０００９】
さらなる実施形態において、電子デバイスが、基板と、基板の上にある第１の構造と、基板の上にある第２の構造とを含む。断面図から、第１の構造は負傾斜を有し、平面図から、第１の構造は第１のパターンを有する。断面図から、第２の構造は負傾斜を有し、平面図から、第２の構造は第１のパターンと異なった第２のパターンを有する。第１の構造は、第２の構造と接触する部分を有する。
【００１０】
別の例示的な実施形態において、電子デバイスを形成するための方法が、負傾斜と、開口部とを有する構造を形成する工程を含む。平面図から、各開口部は有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する。方法は、また、有機活性層を開口部内に堆積させる工程を含む。有機活性層は液体組成物を有する。方法は、構造および有機活性層の上にあり、開口部内にある第１の電極を形成する工程をさらに含む。構造の上にあり、開口部内にある第１の電極の部分が互いに接続される。先の一般的な説明および次の詳細な説明は、例示および説明にすぎず、添付の特許請求の範囲に規定されるような本発明を限定するものではない。
【００１１】
本発明を、添付の図において、限定ではなく例として示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
一実施形態において、電子デバイスが、基板と、開口部を有する構造と、構造の上にあり開口部内にある第１の電極とを含む。断面図から、開口部における構造は負傾斜を有する。平面図から、各開口部は、有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する。構造の上にあり開口部内にある第１の電極の部分が互いに接続される。
【００１３】
１つの例示的な実施形態において、構造の表面が疎水性である。さらなる例示的な実施形態において、第２の電極が基板と構造との間にある。付加的な実施形態において、第２の電極は、親水性である表面を有する。別の例示的な実施形態において、基板は、有機電子構成要素に結合されたドライバ回路を含む。
【００１４】
さらなる実施形態において、電子デバイスが、基板と、基板の上にある第１の構造と、基板の上にある第２の構造とを含む。断面図から、第１の構造は負傾斜を有し、平面図から、第１の構造は第１のパターンを有する。断面図から、第２の構造は負傾斜を有し、平面図から、第２の構造は第１のパターンと異なった第２のパターンを有する。第１の構造は、第２の構造と接触する部分を有する。
【００１５】
１つの例示的な実施形態において、第１の構造は開口部を含み、平面図から、各開口部は有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する。別の例示的な実施形態において、電子デバイスは、少なくとも第１の構造および第２の構造の部分の上にある電極を含む。さらなる例示的な実施形態において、電極は、開口部内にあり、開口部間で連続している。付加的な実施形態において、第２の構造は、第１の構造の厚さより少なくとも１．５倍大きい厚さを有する。別の例示的な実施形態において、第１の構造は約３マイクロメートル以下の厚さを有する。さらなる例示的な実施形態において、第２の構造は少なくとも約３マイクロメートルの厚さを有する。付加的な例示的な実施形態において、電子デバイスは、基板と第１の構造との間の電極を含む。別の例示的な実施形態において、電極は親水性である表面を有する。さらなる例示的な実施形態において、電子デバイスはパッシブマトリックスディスプレイを含む。付加的な例示的な実施形態において、第１の構造および第２の構造は、疎水性である表面を有する。
【００１６】
別の例示的な実施形態において、電子デバイスを形成するための方法が、負傾斜と、開口部とを有する構造を形成する工程を含む。平面図から、各開口部は有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する。方法は、また、有機活性層を開口部内に堆積させる工程を含む。有機活性層は液体組成物を有する。方法は、構造および有機活性層の上にあり、開口部内にある第１の電極を形成する工程をさらに含む。構造の上にあり、開口部内にある第１の電極の部分が互いに接続される。
【００１７】
１つの例示的な実施形態において、方法は、構造を形成する前に第２の電極を形成する工程を含み、構造を形成した後、第２の電極の部分が開口部の底部に沿って露出される。別の例示的な実施形態において、液体組成物は、９０度未満の濡れ角で第２の電極と接触する。さらなる例示的な実施形態において、液体組成物は少なくとも４５度の濡れ角で構造と接触する。
【００１８】
上で開示された例示的な実施形態の各々について、有機電子構成要素は有機活性層を含むことができる。
【００１９】
本発明の他の特徴および利点は、次の詳細な説明、および特許請求の範囲から明らかであろう。詳細な説明は、最初に、定義を扱い、次いで、構造、電子デバイスの層および構成要素、電子デバイスを形成するためのプロセス、ならびに他の実施形態を扱う。
【００２０】
（１．用語の定義および明確化）
以下で説明される実施形態の詳細を扱う前、いくつかの用語を定義または明確化する。ここで使用されるように、層または材料に言及するときの「活性」という用語は、電子特性または電子放射特性を有する層または材料を意味することが意図される。活性層材料は、放射線を放出することができるか、放射線を受容すると電子−正孔対の濃度の変化を示すことができる。
【００２１】
「アクティブマトリックス」という用語は、電子構成要素のアレイ、およびアレイ内の対応するドライバ回路を意味することが意図される。
【００２２】
「回路」という用語は、適切に接続され適切な電位が供給されると、集合的に機能を行う、電子構成要素の集まりを意味することが意図される。回路としては、ディスプレイのアレイ内のアクティブマトリックスピクセル、列または行デコーダ、列または行アレイストローブ、センス増幅器、信号またはデータドライバなどを挙げることができる。
【００２３】
電子構成要素、回路、またはそれらの部分に関する「接続された」という用語は、２つ以上の電子構成要素、回路、または少なくとも１つの電子構成要素および少なくとも１つの回路の任意の組合せが、それらの間にある介在する電子構成要素を少しも有さないことを意味することが意図される。寄生抵抗、寄生キャパシタンス、または両方は、この定義の目的のための電子構成要素とみなされない。一実施形態において、電子構成要素は、互いに電気的に短絡され、かつ実質的に同じ電圧にあるとき、接続される。電子構成要素を、光学信号がそのような電子構成要素の間で伝達されることを可能にするように、光ファイバ線を使用してともに接続することができることに留意されたい。
【００２４】
「結合された」という用語は、信号（たとえば、電流、電圧、または光学信号）を１つのものから別のものに伝達することができるような、２つ以上の電子構成要素、回路、システム、または、（１）少なくとも１つの電子構成要素、（２）少なくとも１つの回路、もしくは（３）少なくとも１つのシステムのうちの少なくとも２つの任意の組合せの接続、連結、または関連を意味することが意図される。「結合された」の非限定的な例としては、電子構成要素間の直接接続、スイッチ（たとえば、トランジスタ）が間に接続された回路または電子構成要素などを挙げることができる。
【００２５】
「ドライバ回路」という用語は、有機電子構成要素などの電子構成要素の活性化を制御するように構成された回路を意味することが意図される。
【００２６】
「電気的に連続した」という用語は、電気開回路なしで導電経路を形成する層、部材、または構造を意味することが意図される。
【００２７】
「電極」という用語は、キャリヤを輸送するように構成された構造を意味することが意図される。たとえば、電極は、アノード、カソードであることができる。電極としては、トランジスタ、キャパシタ、抵抗器、インダクタ、ダイオード、有機電子構成要素、および電源の部分を挙げることができる。
【００２８】
「電子構成要素」という用語は、電気的機能を行う回路の最も低いレベルのユニットを意味することが意図される。電子構成要素としては、トランジスタ、ダイオード、抵抗器、キャパシタ、インダクタなどを挙げることができる。電子構成要素は、寄生抵抗（たとえば、ワイヤの抵抗）または寄生キャパシタンス（たとえば、導体間のキャパシタが意図されないか偶発的である、異なった電子構成要素に接続された２つの導体の間の容量結合）を含まない。
【００２９】
「電子デバイス」という用語は、適切に接続され適切な電位が供給されると、集合的に機能を行う、回路、電子構成要素、またはそれらの組合せの集まりを意味することが意図される。電子デバイスは、システムを含むか、システムの一部であることができる。電子デバイスの例としては、ディスプレイ、センサアレイ、コンピュータシステム、アビオニクス、自動車、携帯電話、および多くの他の消費者用および産業用電子製品が挙げられる。
【００３０】
「親水性」という用語は、液体の端縁が、接触する表面に対して９０度未満の濡れ角を示すことを意味することが意図される。
【００３１】
「疎水性」という用語は、液体の端縁が、接触する表面に対して９０度以上の濡れ角を示すことを意味することが意図される。
【００３２】
「層」という用語は、「フィルム」という用語と交換可能に使用され、所望の領域を被覆するコーティングを指す。この領域は、デバイス全体ほど大きいか、実際のビジュアルディスプレイなどの特定の機能領域ほど小さいか、１つのサブピクセルほど小さいことができる。フィルムを、蒸着および液体堆積を含む任意の従来の堆積技術によって形成することができる。典型的な液体堆積技術としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、ディップコーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングなどの連続堆積技術、ならびにインクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷などの不連続堆積技術が挙げられるが、これらに限定されない。
【００３３】
「液体組成物」という用語は、１つまたは複数の液体媒体に溶解されて溶液を形成するか、１つまたは複数の液体媒体中に分散されて分散液を形成するか、１つまたは複数の液体媒体中に懸濁されて懸濁液またはエマルションを形成する有機活性材料を意味することが意図される。
【００３４】
「負傾斜」という用語は、構造の側面が、上に構造が形成された実質的に平面の表面に対して鋭角を形成する構造の特徴を意味することが意図される。
【００３５】
「開口部」という用語は、平面図で見ると、領域を囲む特定の構造がないことによって特徴づけられた領域を意味することが意図される。
【００３６】
「有機電子デバイス」という用語は、１つまたは複数の半導体層または材料を含むデバイスを意味することが意図される。有機電子デバイスとしては、（１）電気エネルギーを放射線に変換するデバイス（たとえば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、またはダイオードレーザ）、（２）エレクトロニクスプロセスによって信号を検出するデバイス（たとえば、光検出器（たとえば、光伝導セル、フォトレジスタ、フォトスイッチ、フォトトランジスタ、または光電管）、ＩＲ検出器、またはバイオセンサ）、（３）放射線を電気エネルギーに変換するデバイス（たとえば、光起電力デバイスまたは太陽電池）、および（４）１つまたは複数の有機半導体層を含む１つまたは複数の電子構成要素を含むデバイス（たとえば、トランジスタまたはダイオード）が挙げられる。
【００３７】
デバイス内の層、部材、または構造に言及するために使用されるときの「上にある」という用語は、必ずしも、１つの層、部材、または構造が、別の層、部材、または構造のすぐ隣であるか、別の層、部材、または構造と接触することを意味しない。
【００３８】
「パッシブマトリックス」という用語は、ドライバ回路を少しも有さない、電子構成要素のアレイを意味することが意図される。
【００３９】
「周囲」という用語は、平面図から、閉じた平面形状を形成する、層、部材、または構造の境界を意味することが意図される。
【００４０】
「構造」という用語は、単独で、または他のパターニングされた層または部材と組合されて、意図された目的を果たすユニットを形成する、１つまたは複数のパターニングされた層または部材を意味することが意図される。構造の例としては、電極、ウェル構造、カソードセパレータなどが挙げられる。
【００４１】
「基板」という用語は、剛性または可撓性であることができ、かつ、ガラス、ポリマー、金属、もしくはセラミック材料、またはそれらの組合せを挙げることができるが、これらに限定されない１つまたは複数の材料の１つまたは複数の層を含むことができるベース材料を意味することが意図される。
【００４２】
「濡れ角」という用語は、固体表面から液体を介して気体／液体界面まで測定される、気体、液体、および固体表面間の端縁界面における接線角度を意味することが意図される。
【００４３】
ここで使用されるように、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する（ｈａｓ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」という用語、またはそれらのいかなる他の変形も、非排他的な包含を網羅することが意図される。たとえば、要素のリストを含むプロセス、方法、物品、または装置が、必ずしも、それらの要素のみに限定されないが、明白に記載されていないか、そのようなプロセス、方法、物品、または装置に固有の他の要素を含んでもよい。さらに、そうでないと明白に記載されていない限り、「または」は、包含的な「または」を指し、排他的な「または」を指さない。たとえば、条件ＡまたはＢが、次のいずれか１つによって満たされる。Ａが真であり（または存在し）、かつＢが偽である（または存在しない）、Ａが偽であり（または存在せず）、かつＢが真である（または存在する）、ならびにＡおよびＢの両方が真である（または存在する）。
【００４４】
また、「ａ」または「ａｎ」の使用は、本発明の要素および構成要素を説明するために使用される。これは、単に便宜上、かつ本発明の一般的な意味を与えるために行われる。この説明は、１つまたは少なくとも１つを含むように読まれなければならず、単数形は、そうでないように意味されることが明らかでない限り、また、複数形を含む。
【００４５】
特に定義されない限り、ここで使用される技術および科学用語はすべて、本発明が属する技術における当業者によって一般に理解されるのと同じ意味を有する。ここで説明されるものと同様または同等の方法および材料を、本発明の実施またはテストに用いることができるが、適切な方法および材料を以下で説明する。ここで挙げられる刊行物、特許出願、特許、および他の引例をすべて、それらの全体を参照により援用する。抵触の場合には、定義を含む本明細書が優先するだろう。さらに、材料、方法、および例は、例示にすぎず、限定することは意図されない。
【００４６】
（２．電子デバイスの構造、層、および構成要素）
特定の実施形態において、電子デバイスが、有機電子構成要素のアレイと、平面図から見ると有機電子構成要素の各々の周囲に対応する開口部を有する構造とを含む。構造は、断面図から見ると開口部において負傾斜を有する。各有機電子構成要素は、有機活性層を含む１つまたは複数の層によって分離された第１および第２の電極（たとえば、アノードおよびカソード）を含むことができる。一実施形態において、例示的な電子デバイスは、また、電極セパレータ（たとえばカソードセパレータ）などの、負傾斜を有する第２の構造を含むことができる。
【００４７】
１つの例示的な実施形態において、有機電子構成要素のアレイは、パッシブマトリックスの一部であることができる。別の例示的な実施形態において、有機電子構成要素のアレイは、アクティブマトリックスの一部であることができる。したがって、電子デバイスの例示的な実施形態は、アクティブマトリックスディスプレイおよびパッシブマトリックスディスプレイを含むことができる。
【００４８】
一般に、各有機電子構成要素は、１つまたは複数の有機活性層によって分離された２つの電極を含む。さらに、正孔輸送層および電子輸送層などの他の層を、２つの電極の間に含むことができる。有機電子構成要素の各々の周囲に対応する開口部を有する構造は、中に有機電子構成要素の部分が形成されるウェルを規定する。したがって、これらの構造は、ときどき、ここでウェル構造と説明することができる。
【００４９】
ウェル構造の断面は、有機層形成に影響を及ぼすことがある。図３は、例示的な構造３０２の断面図を示す。構造３０２は、負傾斜した壁または周囲３０４を有し、かつ下にある構造３０８と鋭角を形成する。図４は、下にある構造の表面４０６と構造壁４０４との間に鋭角α（アルファ）を形成する例示的な構造４０２の周囲の一部を示す。１つの例示的な実施形態において、角度α（アルファ）は、０°から６０°、または１０°から４５°などの、０°から９０°である。代替実施形態において、角度α（アルファ）は、毛管角度とほぼ等しいかより大きいことができる。
【００５０】
図５に示されているように、液体組成物３０６が、構造３０２によって形成された開口部の周囲内に堆積されるとき、フィンガ３１０を見ることができる。構造３０２内の開口部が充填すると、液体組成物は、空隙のない層を形成する。図６は、充填された開口部の平面図を示し、図７は、図６の切断線７−７における断面図を示す。液体組成物３０６が周囲３０４に沿って堆積されるとき、それは、下にある構造３０８を被覆する。１つの例示的な実施形態において、液体は、図１および図２に示されているのと同様の構造および液体組成物と比較して、実質的により均一である層を形成する。
【００５１】
図４の構造に関して、図８は、表面４０６の上にあるように形成された層８０８を示す。液体組成物を堆積させ、溶媒を抽出して、層８０８を形成することができる。示されているように、層８０８は、構造壁４０４と接触し、かつ表面４０６を被覆する。そのような層を含む電子デバイスは、短絡する可能性がより低い。さらに、より均一な層は、ウェル構造の近くで有機層が薄くなることが観察されるデバイスに見出される、劣ったデバイス性能特徴（たとえば、低整流比、低輝度効率など）の可能性を低減する。
【００５２】
一実施形態において、電子デバイスが、基板と、負傾斜を有する第１の構造と、断面図から見ると負傾斜を有する第２の構造とを含む。第１の構造は基板の上にあり、かつ、平面図から、第１のパターンを有する。第２の構造は基板の上にあり、かつ、平面図から、第１のパターンと異なった第２のパターンを有する。一実施形態において、第１の構造はウェル構造であり、中に有機電子構成要素を形成することができる開口部のアレイである。第２の構造は、たとえば、電極セパレータ構造であることができる。
【００５３】
別の実施形態において、平面図から、第１の構造内の各開口部は有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する。
【００５４】
一例において、第２の構造は、約３から１０マイクロメートルの厚さを有することができる。第１の構造は、約１から３マイクロメートルなどの３マイクロメートル未満、または約０．４マイクロメートルなどの１マイクロメートル未満の厚さを有することができる。第２の構造は、たとえば、第１の構造の厚さより少なくとも１．５倍大きい厚さを有することができる。
【００５５】
別の実施形態において、電子デバイスが、基板と、構造（たとえば、ウェル構造）と、第１の電極とを含む。構造は、開口部を有し、かつ、断面図から見ると、開口部において負傾斜を有する。平面図から、開口部の各々は、有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する。第１の電極は構造の上にあり開口部内にある。構造の上にあり、開口部内にある第１の電極の部分は、互いに接続される。特定の例において、有機電子構成要素は、１つまたは複数の有機活性層を含むことができる。一実施形態において、第１の電極は、共通電極（たとえば、有機電子構成要素のアレイのための共通カソードまたは共通アノード）であることができる。別の例示的な実施形態において、第２の電極が、基板と構造との間にあることができる。さらなる例示的な実施形態において、有機電子構成要素を、基板内にあるドライバ回路（図示せず）に結合することができる。一実施形態において、第1の電極の前に第２の電極を形成することができることに留意されたい。
【００５６】
１つの例示的な実施形態において、負傾斜を有する１つまたは複数の構造は、実質的に疎水性の表面を有する。表面は、９０°以上などの、４５°より大きい、液体組成物との濡れ角を示す。対照的に、電極などの、下にある構造は、実質的に親水性の表面を有することができ、６０°未満、または約０°〜約４５°などの、９０°未満の、液体組成物の濡れ角を示す。
【００５７】
（３．電子デバイスを形成するためのプロセス）
電子デバイスを形成するための例示的なプロセスが、基板の上にあり、かつ断面斜視図から負傾斜を有する１つまたは複数の構造を形成することを含む。パッシブマトリックスディスプレイのために用いることができる１つの例示的なプロセスが、図９から図２３に示されている。このプロセスの変形を、他の電子デバイスを形成するために用いることができる。
【００５８】
図９は、例示的なプロセスシーケンスの一部の平面図を示し、図１０は、図９の切断線１０−１０から見た部分の断面図を示す。電極９０４を基板９０２上に堆積させる。基板９０２は、ガラスもしくはセラミック材料、または少なくとも１つのポリマーフィルムを含む可撓性基板であることができる。１つの例示的な実施形態において、基板９０２は透明である。任意に、基板９０２は、均一なバリヤ層またはパターニングされたバリヤ層などのバリヤ層を含むことができる。
【００５９】
電極９０４はアノードまたはカソードであることができる。図９は、平行なストリップとしての電極９０４を示す。あるいは、電極９０４は、正方形、矩形、円、三角形、楕円形などの平面図形状を有する構造のパターニングされたアレイであることができる。一般に、電極は、従来のプロセス（たとえば、堆積、パターニング、またはそれらの組合せ）を用いて形成することができる。
【００６０】
電極９０４は導電性材料を含むことができる。一実施形態において、導電性材料は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの透明な導電性材料を含むことができる。他の透明な導電性材料としては、たとえば、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛、および酸化スズが挙げられる。他の例示的な導電性材料としては、酸化亜鉛スズ（ＺＴＯ）、元素金属、金属合金、およびそれらの組合せが挙げられる。電極９０４は、また、導電性リード（図示せず）に結合することができる。１つの例示的な実施形態において、電極９０４は親水性表面を有することができる。
【００６１】
その後の層を、堆積させ、断面図から、負傾斜を有する構造にパターニングすることができる。図１１は、プロセスにおけるこのシーケンスの平面図を示し、図１２は、このシーケンスの断面図を示す。開口部１１０８を有し、かつ、断面図から見ると、開口部１１０８において負傾斜を有する構造１１０６が形成される。開口部１１０８は、電極９０４の部分を露出させることができる。平面図から見られるように、開口部１１０８の底部は、電極９０４の部分を含むことができるか、また、基板９０２の一部を包含することができる。
【００６２】
１つの例示的な実施形態において、構造１１０６は、レジストまたはポリマー層から形成することができる。レジストは、たとえば、ネガティブレジスト材料またはポジティブレジスト材料であることができる。レジストは、基板９０２上に、および電極９０４の上に堆積させることができる。典型的な液体堆積技術としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、ディップコーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングなどの連続堆積技術、ならびにインクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷などの不連続堆積技術が挙げられるが、これらに限定されない。レジストは、紫外（ＵＶ）放射線などの放射線に選択的に曝すことによってパターニングすることができる。一実施形態において、レジストをスピン堆積させ焼成する（図示せず）。レジストを、マスク（図示せず）を介してＵＶ放射線に曝し、現像し、焼成し、開口部において負傾斜を有する構造を残す。負傾斜は、（１）マスクを使用するときにＵＶフラッド照射（平行にされない）を用いるか、（２）マスクがレジスト層と放射線源（図示せず）との間にある間、レジスト層を過度に照射することによって達成することができる。
【００６３】
別の例示的な実施形態において、犠牲構造を使用することができる。一実施形態において、犠牲層を堆積させ、パターニングして、正傾斜を有する犠牲構造を形成する。より特定的な実施形態において、断面図から、犠牲構造は、その後形成された第１の構造１１０６と比較して相補的なプロファイルを有する。犠牲層の厚さは、その後形成された第１の構造と実質的に同じである。一実施形態において、犠牲層を第１の電極９０４および基板９０２の上に堆積させる。パターニングされたレジスト層を、従来の技術を用いて犠牲層の上に形成する。１つの特定の実施形態において、従来のレジスト腐食エッチング技術を用いて、傾斜した側壁を形成する。別の特定の実施形態において、従来の等方性エッチを用いる。次に、パターニングされたレジスト層を、従来のレジスト除去プロセスを用いて除去する。
【００６４】
第１の構造１１０６のために使用される別の層を、犠牲構造の上に、および犠牲構造の開口部内に堆積させる。一実施形態において、その、他の層は、少なくとも犠牲構造の厚さほどの厚さを有する。他の実施形態において、その、他の層は、犠牲層より実質的に厚い。犠牲構造の外側にある他の層の部分を、無機半導体技術内で従来のものであるエッチングまたは研磨技術を用いて除去する。部分が除去された後、第１の構造を形成する。次に、犠牲構造を除去して、第１の構造１１０６内の開口部１１０８を形成する。
【００６５】
一実施形態において、第１の構造および犠牲構造のための材料は、第１の構造および犠牲構造の一方の材料が、他方の構造と比較して選択的に除去されることを可能にするために、異なっている。例示的な材料としては、金属、酸化物、窒化物、およびレジストが挙げられる。犠牲層のための材料は、第１の電極９０４への著しい損傷を引起すことなく、基板９０２から選択的に除去することができるように選択することができる。本明細書を読んだ後、当業者は、要求または望みを満たす材料を選択することができるであろう。
【００６６】
形成後、構造１１０６はパターンを有することができる。パターンは、たとえば、図１１に示されたパターンであることができる。代替パターンが、図１３および図１４に示されている。図１３は、格子パターンを示す。図１４は、平面図から見ると、下にある電極を横切って配向された楕円形開口部１４０４、円形開口部１４０６、および下にある電極に沿って配向された楕円形開口部１４０８を含むことができるパターンを示す。
【００６７】
別の実施形態において、別のパターンが、電極９０４の長さに実質的に平行に配向された列を含むことができる。列の各々は、負傾斜を有し、かつ、少なくとも、電極９０４に隣接した位置および電極９０４間の位置で基板９０２を被覆する部分を有する。列と、その後形成された電極セパレータ構造との組合せが、平面図から、矩形開口部をもたらすことができる。構造の組合せは、液体組成物のいずれか１つまたは複数を基板の上に形成する前に形成する。
【００６８】
第２の構造を、任意に、基板９０２および構造１１０６の上に堆積させることができる。第２の構造は、第１の構造１１０６のパターンによって、電極９０４の部分と接触してもしなくてもよい。第２の構造は、たとえば、電極セパレータ構造であることができる。図１５、図１６、図１７、および図１８は、第２の構造１５１０を含む例示的なプロセスシーケンスを示す。図１５は、電極構造９０４に実質的に垂直に配向された第２の構造１５１０を含む平面図を示す。図１６は、切断線１６−１６における、第２の構造１５１０の長さの間の、かつ第２の構造１５１０の長さに平行な断面図を示す。図１７および図１８は、第２の構造１５１０に垂直な断面図を示す。図１７は、切断線１７−１７における開口部１１０８を通る断面図を示し、図１８は、切断線１８−１８における開口部１１０８から離れた断面図を示す。
【００６９】
図１７および図１８に示されているように、第２の構造１５１０の断面図は、負傾斜を有する。第２の構造１５１０は、開口部において第１の構造１１０６の部分を包含してもしなくてもよい。代替実施形態において、第２の構造１５１０を、完全に第１の構造１１０６の上にあるように形成することができる。一般に、第２の構造１５１０を、第１の構造１１０６に関して説明された技術と同様の技術によって形成することができる。
【００７０】
いったん、第１の構造１１０６および任意に第２の構造１５１０が形成されると、開口部を介して露出された電極９０４を、ＵＶ／オゾンクリーニングなどによってクリーニングすることができる。構造１１０８および１５１０は、疎水性表面を生じさせるように処理することができる。たとえば、フッ素含有プラズマを用いて、構造１１０８および１５１０の表面を処理することができる。フッ素プラズマは、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＮＦ３、ＳＦ６、またはそれらの組合せなどのガスを使用して形成することができる。プラズマプロセスは、直接照射プラズマを含むか、下流プラズマを用いることができる。さらに、プラズマはＯ２を含むことができる。１つの例示的な実施形態において、フッ素含有プラズマが、約８％のＯ２などの、０〜２０％のＯ２を含むことができる。
【００７１】
１つの特定の実施形態において、カリフォルニア州コンコードのマーチ・プラズマ・システムズ（Ｍａｒｃｈ Ｐｌａｓｍａ Ｓｙｓｔｅｍｓ ｏｆ Ｃｏｎｃｏｒｄ， Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）によるマーチ（Ｍａｒｃｈ）ＰＸ５００モデルプラズマ発生器を使用して、プラズマを発生させる。この設備は、フロースルーモードで、穴のあいた接地プレート、および浮動基板プレートで構成される。この実施形態において、６インチの浮動基板プレートを、ＣＦ４／Ｏ２ガス組成物から形成されたプラズマで処理する。ガス組成物は、約９２体積％のＣＦ４などの８０〜１００体積％のＣＦ４と、約８体積％のＯ２などの０〜２０体積％のＯ２とを含むことができる。基板は、約３分などの２〜５分間、４００ｍＴｏｒｒなどの３００〜６００ｍＴｏｒｒの圧力で、４００Ｗのプラズマなどの２００〜５００Ｗのプラズマを用いて照射することができる。
【００７２】
図１９および図２０は、有機層１９１３を堆積させるプロセスにおける例示的なシーケンスを示す。有機層１９１３は、１つまたは複数の有機層を含むことができる。図２０に示されている一実施形態において、有機層１９１３は、電荷輸送層１９１４と、有機活性層１９１２とを含む。存在するとき、電荷輸送層１９１４を、第１の電極９０４の上に、かつ有機活性層１９１２を形成する前に形成する。電荷輸送層１９１４は多数の目的を果たすことができる。一実施形態において、電荷輸送層１９１４は正孔輸送層である。示されていないが、付加的な電荷輸送層を有機活性層１９１２の上に形成することができる。したがって、有機層１９１３は、有機活性層１９１２と、電荷輸送層の１つまたは両方とを含むことができるか、電荷輸送層をまったく含まないことができる。電荷輸送層１９１４、有機活性層１９１２、および付加的な電荷輸送層の各々は、１つまたは複数の層を含むことができる。別の実施形態において、段階的なまたは連続的に変化する組成物を有する１つの層を、別個の電荷輸送層および有機活性層の代わりに使用することができる。
【００７３】
図１９および図２０に戻ると、電荷輸送層１９１４および有機活性層１９１２を電極９０４の上に順次形成する。電荷輸送層１９１４および有機活性層１９１２の各々を、たとえば、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、ディップコーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングなどの連続堆積技術、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷などの不連続堆積技術、キャスティング、ならびに蒸着によって形成することができるが、これらに限定することはできない。たとえば、有機材料を含む液体組成物を、マイクロノズルなどのノズルを通して分配することができる。電荷輸送層１９１４および有機活性層１９１２の一方または両方を、付与後、硬化させることができる。
【００７４】
この実施形態において、電荷輸送層１９１４は正孔輸送層である。正孔輸送層は、導電性部材９０４が有機活性層１９１２と直接接触するデバイスと比較して、潜在的に、寿命を増加させ、かつデバイスの信頼性を向上させるために使用することができる。１つの特定の実施形態において、正孔輸送層は、ポリアニリン（「ＰＡＮＩ」）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（「ＰＥＤＯＴ」）などの有機ポリマー、またはテトラチアフルバレンテトラシアノキノジメタン（ＴＴＦ−ＴＣＱＮ）などの有機電荷移動化合物を含むことができる。正孔輸送層は、典型的には、約１００〜２５０ｎｍの範囲内の厚さを有する。
【００７５】
正孔輸送層は、典型的には、電子が、その後形成された活性領域から除去され、かつ導電性部材９０４に移動されることを可能にするために、導電性である。導電性部材９０４および任意の正孔輸送層が導電性であるが、典型的には、導電性部材９０４の導電性は、正孔輸送層より著しく大きい。
【００７６】
有機活性層１９１２の組成物は、典型的には、有機電子デバイスの用途による。有機活性層１９１２が放射線放出有機電子デバイスに使用される場合、有機活性層１９１２の材料は、十分なバイアス電圧が電極層に印加されると、放射線を放出する。放射線放出活性層は、ほとんどいかなる有機エレクトロルミネセンス材料または他の有機放射線放出材料を含有することができる。
【００７７】
そのような材料は、小分子材料またはポリマー材料であることができる。小分子材料としては、たとえば、米国特許公報（特許文献１）および米国特許公報（特許文献２）に記載されたものを挙げることができる。あるいは、ポリマー材料としては、米国特許公報（特許文献３）、米国特許公報（特許文献４）、および米国特許公報（特許文献５）に記載されたものを挙げることができる。例示的な材料が、半導性共役ポリマーである。そのようなポリマーの例が、ポリ（フェニレンビニレン）（「ＰＰＶ」）である。発光材料は、添加剤とともにまたは添加剤なしで、別の材料のマトリックス内に分散させることができるが、典型的には、単独で層を形成する。有機活性層は、一般に、約４０〜１００ｎｍの範囲内の厚さを有する。
【００７８】
有機活性層１９１２が放射線受容有機電子デバイスに組入れられる場合、有機活性層１９１２の材料としては、多くの共役ポリマーおよびエレクトロルミネセンス材料を挙げることができる。そのような材料としては、たとえば、多くの共役ポリマーならびにエレクトロルミネセンス材料およびフォトルミネセンス材料が挙げられる。特定の例としては、ポリ（２−メトキシ，５−（２−エチル−ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン）（「ＭＥＨ−ＰＰＶ」）、およびＣＮ−ＰＰＶとのＭＥＨ−ＰＰＶ複合体が挙げられる。有機活性層１９１２は、典型的には、約５０〜５００ｎｍの範囲内の厚さを有する。
【００７９】
示されていないが、任意の電子輸送層を有機活性層１９１２の上に形成することができる。電子輸送層は、電荷輸送層の別の例である。電子輸送層は、典型的には、電子が、その後形成されたカソードから注入され、かつ有機活性層１９１２に移動されることを可能にするために、導電性である。その後形成されたカソードおよび任意の電子輸送層が導電性であるが、典型的には、カソードの導電性は、電子輸送層より著しく大きい。
【００８０】
１つの特定の実施形態において、電子輸送層は、金属キレート化オキシノイド（ｏｘｉｎｏｉｄ）化合物（たとえば、Ａｌｑ３）、フェナントロリンベースの化合物（たとえば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（「ＤＤＰＡ」）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（「ＤＰＡ」））、アゾール化合物（たとえば、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（「ＰＢＤ」）、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（「ＴＡＺ」）、またはそれらのいずれか１つまたは複数の組合せを含むことができる。あるいは、任意の電子輸送層は、無機であり、かつ、ＢａＯ、ＬｉＦ、またはＬｉ２Ｏを含むことができる。電子輸送層は、典型的には、約３０〜５００ｎｍの範囲内の厚さを有する。
【００８１】
電荷輸送層１９１４、有機活性層１９１２、および付加的な電荷輸送層のいずれか１つまたは複数を、１つまたは複数の液体媒体を含む液体組成物として付与することができる。疎水性および親水性表面は、液体組成物中の液体媒体に対して特定的である。一実施形態において、液体組成物は、たとえば、アルコール、グリコール、およびグリコールエーテルを含む共溶媒を含むことができる。有機活性層液体媒体のための溶媒を、電荷輸送層を溶解しないように選択することができる。あるいは、溶媒を、電荷輸送層がその溶媒に可溶性または部分的に可溶性であるように選択することができる。
【００８２】
特定の実施形態において、構造１１０６の負傾斜は、毛管効果を引起し、有機材料の液体組成物を開口部１１０８の周囲に引寄せる。いったん硬化されると、有機活性層１９１２は、電極９０４および電荷輸送層１９１４などの、開口部１１０６内の下にある層を被覆し、電極（たとえば、アノードおよびカソード）などの導電性部材間の電気的短絡を防止する。
【００８３】
第２の電極を、この実施形態において、電荷輸送層１９１４と、有機活性層１９１２とを含む有機層１９１３の上に形成する。図２１は、プロセスシーケンスの平面図を示し、図２２および図２３は、プロセスシーケンスの断面図を示す。一実施形態において、層を、ステンシルマスクを使用して堆積させて、導電性部材２１１８を第２の構造１５１０上に形成し、電極２１１６を有機活性層１９１３の上におよび構造１１０６の部分の上に形成する。電極２１１６と導電性部材２１１８との間の高さの差が、それらを接続されないようにする。図２２に示されているように、電極層２１１６は、開口部１１０８内の層、および第１の構造１１０６の部分の上にある。開口部１１０８内の層の上にある電極層２１１６の部分、および第１の構造１１０６の部分の上にある電極２１１６の部分は、互いに接続されて、電気的に連続した構造を形成する。
【００８４】
一実施形態において、電極２１１６はカソードとして作用する。有機層１９１３に最も近い電極２１１６の層を、１族金属（たとえば、Ｌｉ、Ｃｓ）、２族（アルカリ土類）金属、ランタニドおよびアクチニドを含む希土類金属から選択することができる。電極層２１１６および２１１８は、約３００〜６００ｎｍの範囲内の厚さを有する。１つの特定の非限定的な実施形態において、約１０ｎｍ未満のＢａ層、次いで、約５００ｎｍのＡｌ層を、堆積させることができる。Ａｌ層は、金属および金属合金のいずれかと取替えることができるか、金属および金属合金のいずれかと関連して使用することができる。
【００８５】
図２１、図２２、および図２３に示されているように、電極９０４などのアノード、有機層１９１３、および、電極２１１６などのカソードから形成された有機電子構成要素は、周辺回路を介してアドレス可能である。たとえば、電極２１１６の１つの選択された行、および電極９０４の１つの選択された列を横切って電位を与えることが、１つの有機電子構成要素を活性化する。
【００８６】
カプセル化層（図示せず）をアレイならびに周辺回路および遠隔回路の上に形成して、電子ディスプレイ、放射線検出器、および光起電力セルなどの実質的に完成した電気デバイスを形成することができる。カプセル化層を、それと基板との間に有機層がないように、レールに取付けることができる。放射線を、カプセル化層を通して伝達することができる。その場合、カプセル化層は、放射線に対して透明でなければならない。
【００８７】
（４．他の実施形態）
有機電子構成要素の形成後、第１の構造１１０６および第２の構造１５１０を、任意に、変更または除去することができる。１つの例示的な実施形態において、電子デバイスを、構造１１０６または構造１５１０を形成する材料のガラス転移温度くらいに加熱することができる。そのような加熱は、リフローをもたらすことができ、断面斜視図から見ると、構造の傾斜が最終デバイスにおいて変化することを引き起す。別の実施形態において、エッチプロセスを用いて、構造１１０６などの構造を除去することができる。したがって、最終電子デバイスの断面外観は、図２１、図２２、および図２３に示された構造および層と異なることができる。
【００８８】
図９〜２３に示されたプロセスによって形成された電子デバイスは、パッシブマトリックスデバイスである。代替実施形態において、電子デバイスはアクティブマトリックスデバイスであることができる。図２４および図２５は、例示的なアクティブマトリックスデバイスを示す。図２５は、図２４の断面線２５−２５における電子構成要素の断面を示す。各有機電子構成要素２４１６が、関連したドライバ回路２４１８を有する独特の電極２４０６を含むことができる。ドライバ回路２４１８を、上に独特の電極２４０６が形成される基板２４０２に組入れることができる。ウェル構造２４０４が、有機電子構成要素２４１６の周囲に対応する開口部を有することができる。パッシブマトリックスデバイスに関して説明された他のウェル構造のいくつかなどの他の構造を、他の実施形態に使用することができる。ウェル構造２４０４は、断面斜視図から見ると、開口部において負傾斜を有する。有機層２４０８が、独特の電極２４０６の上にあることができ、かつ、正孔輸送層２４１２と、有機活性層２４１０とを含むことができる。任意に、有機層２４０８は電子輸送層（図示せず）を含むことができる。さらに、有機電子構成要素２４１６は共通電極２４１４を含むことができる。次に、各有機電子構成要素２４１６を、ドライバ回路２４１８によってなど、アクティブマトリックス機構によって活性化することができる。
【００８９】
上で示されたさまざまな実施形態において、電極はカソードまたはアノードであることができる。たとえば、電極９０４はアノードまたはカソードであることができる。同様に、電極２１１６はアノードまたはカソードであることができる。１つの特定の実施形態において、電極９０４は、透明な基板９０２の上にある透明なアノードである。電子ディスプレイデバイスの場合、有機電子構成要素から放出される放射線が、透明なアノードおよび基板を通って放出することができる。あるいは、電極９０４は透明なカソードであることができる。
【００９０】
別の実施形態において、電極９０４および基板９０２は、不透明なまたは反射性であることができる。この実施形態において、電極２１１６を透明な材料から形成することができ、放射線放出デバイスの場合、放射線を、有機電子構成要素から電極２１１６を通って放出することができる。
【００９１】
さらなる実施形態において、電子デバイスを形成するためのプロセスを、センサアレイ、光検出器、光伝導セル、フォトレジスタ、フォトスイッチ、フォトトランジスタ、光電管、ＩＲ検出器、バイオセンサ、光起電力セルまたは太陽電池などの放射線応答デバイスを製造する際に用いることができる。放射線応答デバイスは、透明な基板と、基板側面電極とを含むことができる。あるいは、放射線応答デバイスは、透明な上にある電極を含むことができる。
【００９２】
さらなる実施形態において、電子デバイスを形成するためのプロセスを、無機デバイスのために用いることができる。一実施形態において、無機層を形成するための液体組成物が、使用され、負傾斜を有する同じまたは他の構造に隣接した液体組成物のより良好な被覆を可能にすることができる。
【００９３】
先の明細書において、本発明を特定の実施形態に関して説明した。しかし、当業者は、特許請求の範囲に記載されるような本発明の範囲から逸脱することなく、さまざまな修正および変更を行うことができることを理解する。したがって、明細書および図面は、限定的な意味ではなく例示的な意味でみなされるべきであり、そのような修正はすべて、本発明の範囲内に含まれることが意図される。
【００９４】
利益、他の利点、および問題の解決策を、特定の実施形態に関して上述した。しかし、利益、利点、問題の解決策、および、いかなる利益、利点、または解決策が生じるかより顕著になることを引起し得るいかなる要素も、特許請求の範囲のいずれかまたはすべての、重要な、必要な、または本質的な特徴または要素と解釈されるべきでない。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】先行技術ウェル構造の一部の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図２】先行技術ウェル構造の一部の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図３】液体組成物がウェル構造内に配置される前、間、および後のウェル構造の例示的な実施形態の一部の断面図、平面図、平面図、および断面図の図を含む。
【図４】液体組成物が負傾斜を有する端縁と接触する前後の、図３、図５、図６、および図７のウェル構造の断面図の図を含む。
【図５】液体組成物がウェル構造内に配置される前、間、および後のウェル構造の例示的な実施形態の一部の断面図、平面図、平面図、および断面図の図を含む。
【図６】液体組成物がウェル構造内に配置される前、間、および後のウェル構造の例示的な実施形態の一部の断面図、平面図、平面図、および断面図の図を含む。
【図７】液体組成物がウェル構造内に配置される前、間、および後のウェル構造の例示的な実施形態の一部の断面図、平面図、平面図、および断面図の図を含む。
【図８】液体組成物が負傾斜を有する端縁と接触する前後の、図３、図５、図６、および図７のウェル構造の断面図の図を含む。
【図９】第１の電極を基板の上に形成した後の基板の一部の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図１０】第１の電極を基板の上に形成した後の基板の一部の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図１１】ウェル構造を基板および第１の電極の上に形成した後の、図９および図１０の基板の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図１２】ウェル構造を基板および第１の電極の上に形成した後の、図９および図１０の基板の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図１３】例示的なウェル構造パターンを示す断面図を含む。
【図１４】例示的なウェル構造パターンを示す断面図を含む。
【図１５】セパレータ構造を、基板、第１の電極、およびウェル構造の上に形成した後の、図１１および図１２の基板の平面図の図を含む。
【図１６】図１５の、それぞれ、切断線１６−１６、１７−１７、および１８−１８における断面図の図を含む。
【図１７】図１５の、それぞれ、切断線１６−１６、１７−１７、および１８−１８における断面図の図を含む。
【図１８】図１５の、それぞれ、切断線１６−１６、１７−１７、および１８−１８における断面図の図を含む。
【図１９】有機層を、基板、第１の電極、ウェル構造、およびセパレータ構造の上に形成した後の、図１５の基板の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図２０】有機層を、基板、第１の電極、ウェル構造、およびセパレータ構造の上に形成した後の、図１５の基板の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図２１】第２の電極を、基板、第１の電極、ウェル構造、セパレータ構造、および有機層の上に形成した後の、図１９および図２０の基板の、それぞれ、平面図、断面図、および断面図の図を含む。
【図２２】第２の電極を、基板、第１の電極、ウェル構造、セパレータ構造、および有機層の上に形成した後の、図１９および図２０の基板の、それぞれ、平面図、断面図、および断面図の図を含む。
【図２３】第２の電極を、基板、第１の電極、ウェル構造、セパレータ構造、および有機層の上に形成した後の、図１９および図２０の基板の、それぞれ、平面図、断面図、および断面図の図を含む。
【図２４】共通電極を有するアクティブマトリックスディスプレイの一部の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【図２５】共通電極を有するアクティブマトリックスディスプレイの一部の、それぞれ、平面図および断面図の図を含む。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
開口部を有する構造であって、断面図から、前記開口部における前記構造が負傾斜を有し、平面図から、各開口部が有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する構造と、
前記構造の上にあり前記開口部内にある第１の電極であって、前記構造の上にあり前記開口部内にある前記第１の電極の部分が、互いに接続される第１の電極と
を含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記有機電子構成要素が、有機活性層を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記構造の表面が、疎水性であることを特徴とする請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記基板と前記構造との間にある第２の電極をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記第２の電極が、親水性である表面を有することを特徴とする請求項４に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記基板が、前記有機電子構成要素に結合されたドライバ回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項７】
基板と、
前記基板の上にある第１の構造であって、
断面図から、前記第１の構造が負傾斜を有し、
平面図から、前記第１の構造が第１のパターンを有する
第１の構造と、
前記基板の上にある第２の構造であって、
断面図から、前記第２の構造が負傾斜を有し、
平面図から、前記第２の構造が、前記第１のパターンと異なった第２のパターンを有し、
前記第１の構造が、前記第２の構造と接触する部分を有する
第２の構造と
を含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項８】
前記第１の構造が開口部を含み、平面図から、各開口部が、有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有することを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項９】
少なくとも前記第１の構造および前記第２の構造の部分の上にある電極をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
前記電極が、前記開口部内にあり、前記開口部間で連続していることを特徴とする請求項９に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
前記有機電子構成要素が、有機活性層を含むことを特徴とする請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
前記第２の構造が、前記第１の構造の厚さより少なくとも１．５倍大きい厚さを有することを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項１３】
前記第１の構造が、約３マイクロメートル以下の厚さを有することを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項１４】
前記第２の構造が、少なくとも約３マイクロメートルの厚さを有することを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項１５】
前記基板と前記第１の構造との間の電極をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項１６】
前記電極が、親水性である表面を有することを特徴とする請求項１５に記載の電子デバイス。
【請求項１７】
前記電子デバイスが、パッシブマトリックスディスプレイを含むことを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項１８】
前記第１の構造および前記第２の構造が、疎水性である表面を有することを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項１９】
電子デバイスを形成するための方法であって、
負傾斜と開口部とを有する構造を形成する工程であって、平面図から、各開口部が、有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する工程と、
有機活性層を前記開口部内に堆積させる工程であって、前記有機活性層が液体組成物を有する工程と、
前記構造および前記有機活性層の上にあり、前記開口部内にある第１の電極を形成する工程であって、前記構造の上にあり、前記開口部内にある前記第１の電極の部分が、互いに接続される工程と
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
前記構造を形成する前に第２の電極を形成する工程をさらに含み、前記構造を形成した後、前記第２の電極の部分が前記開口部の底部に沿って露出されることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記液体組成物が、９０度未満の濡れ角で前記第２の電極と接触することを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記液体組成物が、少なくとも４５度の濡れ角で前記構造と接触することを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項１】
基板と、
開口部を有する構造であって、断面図から、前記開口部における前記構造が負傾斜を有し、平面図から、各開口部が有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する構造と、
前記構造の上にあり前記開口部内にある第１の電極であって、前記構造の上にあり前記開口部内にある前記第１の電極の部分が、互いに接続される第１の電極と
を含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記有機電子構成要素が、有機活性層を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記構造の表面が、疎水性であることを特徴とする請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記基板と前記構造との間にある第２の電極をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記第２の電極が、親水性である表面を有することを特徴とする請求項４に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記基板が、前記有機電子構成要素に結合されたドライバ回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項７】
基板と、
前記基板の上にある第１の構造であって、
断面図から、前記第１の構造が負傾斜を有し、
平面図から、前記第１の構造が第１のパターンを有する
第１の構造と、
前記基板の上にある第２の構造であって、
断面図から、前記第２の構造が負傾斜を有し、
平面図から、前記第２の構造が、前記第１のパターンと異なった第２のパターンを有し、
前記第１の構造が、前記第２の構造と接触する部分を有する
第２の構造と
を含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項８】
前記第１の構造が開口部を含み、平面図から、各開口部が、有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有することを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項９】
少なくとも前記第１の構造および前記第２の構造の部分の上にある電極をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
前記電極が、前記開口部内にあり、前記開口部間で連続していることを特徴とする請求項９に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
前記有機電子構成要素が、有機活性層を含むことを特徴とする請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
前記第２の構造が、前記第１の構造の厚さより少なくとも１．５倍大きい厚さを有することを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項１３】
前記第１の構造が、約３マイクロメートル以下の厚さを有することを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項１４】
前記第２の構造が、少なくとも約３マイクロメートルの厚さを有することを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項１５】
前記基板と前記第１の構造との間の電極をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項１６】
前記電極が、親水性である表面を有することを特徴とする請求項１５に記載の電子デバイス。
【請求項１７】
前記電子デバイスが、パッシブマトリックスディスプレイを含むことを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項１８】
前記第１の構造および前記第２の構造が、疎水性である表面を有することを特徴とする請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項１９】
電子デバイスを形成するための方法であって、
負傾斜と開口部とを有する構造を形成する工程であって、平面図から、各開口部が、有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する工程と、
有機活性層を前記開口部内に堆積させる工程であって、前記有機活性層が液体組成物を有する工程と、
前記構造および前記有機活性層の上にあり、前記開口部内にある第１の電極を形成する工程であって、前記構造の上にあり、前記開口部内にある前記第１の電極の部分が、互いに接続される工程と
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
前記構造を形成する前に第２の電極を形成する工程をさらに含み、前記構造を形成した後、前記第２の電極の部分が前記開口部の底部に沿って露出されることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記液体組成物が、９０度未満の濡れ角で前記第２の電極と接触することを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記液体組成物が、少なくとも４５度の濡れ角で前記構造と接触することを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【公表番号】特表２００８−５０９５２８（Ｐ２００８−５０９５２８Ａ）
【公表日】平成２０年３月２７日（２００８．３．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−５２４９４３（Ｐ２００７−５２４９４３）
【出願日】平成１７年８月２日（２００５．８．２）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００５／０２７５５６
【国際公開番号】ＷＯ２００６／０７８３２１
【国際公開日】平成１８年７月２７日（２００６．７．２７）
【出願人】（３９００２３６７４）イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー (2,692)
【氏名又は名称原語表記】Ｅ．Ｉ．ＤＵ ＰＯＮＴ ＤＥ ＮＥＭＯＵＲＳ ＡＮＤ ＣＯＭＰＡＮＹ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２０年３月２７日（２００８．３．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年８月２日（２００５．８．２）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００５／０２７５５６
【国際公開番号】ＷＯ２００６／０７８３２１
【国際公開日】平成１８年７月２７日（２００６．７．２７）
【出願人】（３９００２３６７４）イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー (2,692)
【氏名又は名称原語表記】Ｅ．Ｉ．ＤＵ ＰＯＮＴ ＤＥ ＮＥＭＯＵＲＳ ＡＮＤ ＣＯＭＰＡＮＹ
【Ｆターム（参考）】
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