有機電界発光素子
【課題】耐久性、発光効率が良好な有機電界発光素子を提供すること。
【解決手段】一対の電極間に少なくとも、一般式（１）で表されるシラン誘導体及び４座配位子を有する白金錯体を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
Ｒ１０１〜Ｒ１０４は水素原子または置換基を表す。Ｒ１０５〜Ｒ１０8は水素原子または置換基を表す。
【解決手段】一対の電極間に少なくとも、一般式（１）で表されるシラン誘導体及び４座配位子を有する白金錯体を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
Ｒ１０１〜Ｒ１０４は水素原子または置換基を表す。Ｒ１０５〜Ｒ１０8は水素原子または置換基を表す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる発光素子、特に、有機電界発光素子（発光素子、又はＥＬ素子）に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。この有機電界発光素子の重要な特性値として消費電力がある。消費電力は電圧と電流の積で表され、所望の明るさを得るに必要な電圧値が低いほど、かつ、電流値を小さくするほど、素子の消費電力を低くすることが出来る。
【０００３】
素子に流れる電流値を低くする一つの試みとして、オルトメタル化イリジウム錯体（Ir(ppy)3:ｔｒｉｓ−ｏｒｔｈｏ−ｍｅｔａｌａｔｅｄ ｃｏｍｐｌｅｘ ｏｆ Ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｗｉｔｈ ２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）からの発光を利用した発光素子が報告されている（例えば特許文献１参照）。これらに記載のりん光発光素子は、従来の一重項発光素子に比べて外部量子効率が大幅に向上し、電流値を小さくすることに成功している。
これに対して特許文献２には、５員環アゾリル基（イミダゾリル基など）を４座配位子として有する白金錯体化合物を発光に適用した発光素子が発光効率を向上させることが報告されている。
【０００４】
りん光発光素子の発光効率、耐久性改良を目的に、シラン誘導体を含有する素子（特許文献３、特許文献４）が報告されているが、耐久性、効率の点で、さらなる改良が望まれていた。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２４７８５９号公報
【特許文献２】特開２００７−１９４６２号公報
【特許文献３】特開２００３−２４３１７８号公報
【特許文献４】特開２００６−１４０２１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、耐久性、発光効率が良好な有機電界発光素子の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この課題は下記手段によって達成された。
（１）一対の電極間に少なくとも、一般式（１）で表されるシラン誘導体、及び４座配位子を有する白金錯体を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【０００８】
【化１】
【０００９】
Ｒ１０１〜Ｒ１０４は水素原子または置換基を表す。Ｒ１０５〜Ｒ１０８は水素原子または置換基を表す。
（２）一般式(１)で表されるシラン誘導体が一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする上記（１）に記載の有機電界発光素子。
【００１０】
【化２】
【００１１】
Ｒ２０１〜Ｒ２０４は水素原子または置換基を表す。Ｘ２０１〜Ｘ２０８は置換もしくは無置換の炭素原子、または窒素原子を表す。
（３）一般式(１)で表されるシラン誘導体が一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする上記（１）に記載の有機電界発光素子。
【００１２】
【化３】
【００１３】
Ｒ３０１〜Ｒ３０４は水素原子または置換基を表す。Ｒ３０５、Ｒ３０６は水素原子または置換基を表す。Ｘ３０１〜Ｘ３０４は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。
（４）一般式(３)で表されるシラン誘導体が一般式（４）で表される化合物であることを特徴とする上記（３）に記載の有機電界発光素子。
【００１４】
【化４】
【００１５】
Ｒ４０１〜Ｒ４０８は水素原子または置換基を表す。Ｒ４０９〜Ｒ４１２は水素原子または置換基を表す。Ｘ４０１、Ｘ４０２は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。
（５）一般式(１)〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体を発光層に含有することを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載の有機電界発光素子。
（６）シラン誘導体を発光層に隣接する層に含有することを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれかに記載の有機電界発光素子。
（７）一般式（１）〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体を陰極に隣接する層に含有することを特徴とする上記（１）〜（６）のいずれかに記載の有機電界発光素子。
（８）一般式（１）〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体のガラス転移温度が130℃以上、450℃以下であることを特徴とする上記（１）〜（７）のいずれかに記載の有機電界発光素子。
（９）一般式（１）〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体の最低励起三重項エネルギー準位が６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２７２．３５ｋJ／ｍｏｌ）以上、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３３５．２ｋＪ／ｍｏｌ 以下）であることを特徴とする上記（１）〜（８）のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の有機電界発光素子は、高効率発光が可能であり、かつ耐久性に優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明は、一対の電極間に少なくとも、一般式（１）で表されるシラン誘導体、及び、４座配位子を有する白金錯体を含有することを特徴とする有機電界発光素子である。一般式（１）について説明する。
【００１８】
一般式（１）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０４は水素原子または置換基を表す。置換基としては例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどの各基が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどの各基が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどの各基が挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどの各基が挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどの各基が挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどの各基が挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどの各基が挙げられる。）、
【００１９】
アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどの各基が挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、アシルアミノ基
（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどの各基が挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどの各基が挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどの各基が挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、
【００２０】
ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどの各基が挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などの各ヘテロ環が挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基などが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、Ｒ１０１とＲ１０２、Ｒ１０３とＲ１０４は互いに連結して環構造を形成していてもよく、形成される環としては、シロール環、ジシロール環、オキサシロール環、アザシロール環、チアシロール環、ホスファシロール環、シロラン環、ジシロラン環、オキサシロラン環、アザシロラン環、チアシロラン環、ホスファシロラン環、シリン環、ジシリン環、オキサシリン環、アザシリン環、チアシリン環、ホスファシリン環、シリナン環、ジシリナン環、オキサシリナン環、アザシリナン環、チアシリナン環、ホスファシリナン環、シロラン環、ジシロラン環、オキサシロラン環、アザシロラン環、チアシロラン環、ホスファシロラン環、シレピン環、ジシレピン環、オキサシレピン環、アザシレピン環、チアシレピン環、ホスファシレピン環、シレパン環、ジシレパン環、オキサシレパン環、アザシレパン環、チアシレパン環、ホスファシレパン環、シロラン環、ジシロラン環、オキサシロラン環、アザシロラン環、チアシロラン環、ホスファシロラン環、シレピン環、ジシレピン環、オキサシレピン環、アザシレピン環、チアシレピン環、ホスファシレピン環、シレパン環、ジシレパン環、オキサシレパン環、アザシレパン環、チアシレパン環、ホスファシレパン環等が挙げられ、これらの環構造は更に縮合環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成していても良い。Ｒ１０１とＲ１０２、Ｒ１０３とＲ１０４が互いに連結して環構造を形成する場合の好ましい例はシロール環、ジシロール環、オキサシロール環、アザシロール環、チアシロール環、ホスファシロール環、シリン環、ジシリン環、オキサシリン環、アザシリン環、チアシリン環、ホスファシリン環であり、シリン環、ジシリン環、オキサシリン環、アザシリン環、チアシリン環、ホスファシリン環がより好ましい。
【００２１】
Ｒ１０１〜Ｒ１０４はアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基であるか、又は、Ｒ１０１とＲ１０２および/またはＲ１０３とＲ１０４が互いに連結して環構造を形成することが好ましく、アルキル基、アリール基であるか、又は、アリール基であることがさらに好ましい。
【００２２】
Ｒ１０５〜Ｒ１０８は水素原子または置換基を表す。Ｒ１０５とＲ１０６、Ｒ１０７とＲ１０８は互いに連結して環構造を形成していてもよく、形成される環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピリダジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、シロール環、シラントレン環、ゲルモール環、ホスホール環等が挙げられる。Ｒ１０５とＲ１０６、Ｒ１０７とＲ１０８が互いに縮合して環構造を作ることにより形成される縮合環しては、ベンゾ縮環、ピリジン縮環、ピロール縮環、ピラゾール縮環、イミダゾール縮環、トリアゾール縮環、シラントレン環が好ましく、ベンゾ縮環、ピリジン縮環、シラントレン縮環がより好ましい。
【００２３】
置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどの各基が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどの各基が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどの各基が挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどの各基が挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどの各基が挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどの各基が挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどの各環基が挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどの各基が挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、
【００２４】
アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどの各基が挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどの各基が挙げられる。）、
【００２５】
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０の各基、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどの各基が挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどの各基が挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的にはこれらを含む基、例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などのヘテロ環基が挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基などが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【００２６】
Ｒ１０５〜Ｒ１０８は水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基であるか、又は、Ｒ１０５とＲ１０６および/またはＲ１０７とＲ１０８が互いに連結して環構造を形成する基が好ましく、アリール基、ヘテロアリール基であるか、又は、Ｒ１０５とＲ１０６および/またはＲ１０７とＲ１０８が互いに連結して環構造を形成する基がより好ましく、アリール基であるか、又は、Ｒ１０５とＲ１０６および/またはＲ１０７とＲ１０８が互いに連結して環構造を形成する基がさらに好ましく、Ｒ１０５とＲ１０６および/またはＲ１０７とＲ１０８が互いに連結して環構造を形成する基が特に好ましい。剛直な縮環構造を有することで、素子中に注入されるキャリヤ電荷に対する耐性が増し、素子耐久性が向上すると期待される。
【００２７】
一般式（１）で表される化合物として好ましい形態の一つは、下記一般式（２）で表される化合物である。一般式（２）について説明する。
【００２８】
【化５】
【００２９】
Ｒ２０１〜Ｒ２０４は水素原子または置換基を表す。Ｘ２０１〜Ｘ２０８は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。
Ｒ２０１〜Ｒ２０４は前記Ｒ１０１〜Ｒ１０４とそれぞれ同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００３０】
Ｘ２０１〜Ｘ２０８は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。炭素原子上の置換基としては、前記Ｒ１０５で挙げた基が挙げられる（好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、シリル基であり、より好ましくはアリール基、ヘテロアリール基シリル基であり、さらに好ましくは、アリール基である）。
【００３１】
Ｘ２０１〜Ｘ２０８は無置換の炭素原子、または、窒素原子であることが好ましく、少なくとも一つが窒素原子であることが好ましい。
【００３２】
一般式（１）で表される化合物として好ましい形態の別の一つは、下記一般式（３）で表される化合物である。一般式（３）について説明する。
【化６】
【００３３】
Ｒ３０１〜Ｒ３０４は水素原子または置換基を表す。Ｒ３０５、Ｒ３０６は水素原子または置換基を表す。Ｘ３０１〜Ｘ３０４は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。
【００３４】
Ｒ３０１〜Ｒ３０４、Ｒ３０５およびＲ３０６は前記Ｒ１０１〜Ｒ１０４、Ｒ１０５およびＲ１０６とそれぞれ同義であり、好ましい範囲も同じである。また、Ｘ３０１〜Ｘ３０４は前記Ｘ２０１〜Ｘ２０４と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００３５】
一般式（３）で表される化合物としてより好ましくは下記一般式（４）で表される化合物である。テトラシリルで置換し、電荷をケイ素原子上にも非局在化させることで素子中に注入されるキャリヤ電荷に対する耐性を向上させる。以下に、一般式（４）について説明する。
【００３６】
【化７】
【００３７】
Ｒ４０１〜Ｒ４０８は水素原子または置換基を表す。Ｒ４０９〜Ｒ４１２は水素原子または置換基を表す。Ｘ４０１、Ｘ４０２は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。
Ｒ４０１〜Ｒ３０８、Ｒ４０９〜Ｒ４１２、およびＸ４０１〜Ｘ４０２は前記Ｒ３０１〜Ｒ３０４、Ｒ３０５〜Ｒ３０６およびＸ３０１〜Ｘ３０４とそれぞれ同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００３８】
次に本発明の有機電界発光素子に用いられる一般式（１）〜（４）のいずれかで表わされる化合物例を示すが、本発明はこれに限定されない。
【００３９】
【化８】
【００４０】
【化９】
【００４１】
【化１０】
【００４２】
【化１１】
【００４３】
一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物は、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ． １９６０年，第８２号，３６０５頁，（１−１）；Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．、１９８４年，第２７１号，３１９頁，（１−２）；Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．１９９３年，第９号，７４４頁， （１−３）；（１−７）、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２００５年，第３４号，１６９８頁， （１−４）；Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ． １９６４年，第８６号，５５８４頁． （１−５）、Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ． １９６８年，第１１号，５５頁， （１−６）；などに記載の手法、及びその手法を参考に合成することが出来る。
【００４４】
一般式（１）〜（４）のいずれかで表されるシラン誘導体のガラス転移温度は８０℃以上、５００℃以下であることが好ましく、９０℃以上、４８０℃以下であることがより好ましく、１１０℃以上、４５０℃以下であることがさらに好ましく、１３０℃以上、４５０℃以下であることが特に好ましい。
【００４５】
一般式（１）〜（４）のいずれかで表されるシラン誘導体の最低励起三重項エネルギー準位は６０ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以上（２５１．４ｋＪ／ｍｏｌ以上）、９０ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以下（３７７．１ｋＪ／ｍｏｌ以下）が好ましく、６２ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５９．７８ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５６．１５ｋＫＪ／ｍｏｌ以下）がより好ましく、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２７２．３５ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３３５．２ｋＪ／ｍｏｌ以下）がさらに好ましい。
ここで、Ｔ1エネルギーは、材料の薄膜の燐光発光スペクトルを測定し、その短波長端から求めることができる。例えば、洗浄した石英ガラス基板上に、材料を真空蒸着法により約50ｎｍの膜厚に成膜する。薄膜の燐光発光スペクトルを液体窒素温度下でF-7000日立分光蛍光光度計（日立ハイテクノロジーズ）を用いて測定する。得られた発光スペクトルの短波長側の立ち上がり波長をエネルギー単位に換算することにより求めることができる。
【００４６】
＜４座配位子を有する白金錯体＞
本発明の有機電界発光素子は、一般式（１）で表される化合物、及び４座配位子を有する白金錯体を少なくとも一種有機化合物層に含有することを特徴とする。
４座配位子を有する白金錯体を用いることで、素子の発光効率が向上し、また駆動耐久性が向上するという点で優れる。
また、一般式（１）で表される化合物及び４座配位子を有する白金錯体の併用により発光層への電子の注入がより促進されると考えられ、電荷再結合位置および発光中心が発光層中心になる事で、素子の耐久性が向上しかつ、各素子の色度のばらつきが低減される。
【００４７】
４座配位子を有する白金錯体としては、国際公開第００−５７６７６号に記載の化合物が挙げられる。
【００４８】
４座配位子を有する白金錯体（燐光発光）材料として、より具体的には、米国特許第６，６５３，６５４号、国際公開第２００４-０９９３３９号、国際公開第０４−１０８８５７号、特開２００５−３１０７３３、特開２００５−３１７５１６、特開２００６−２６１６２３、特開２００６−９３５４２、特開２００６−２５６９９９、国際公開第０６−０９８５０５号、特開２００７−１９４６２、特開２００７−９６２５５、特開２００７−９６２５９、国際公開第０５−０４２４４４号、特開２００６−２３２７８４、米国特許第０１３４４６１号、国際公開第０５−０４２５５０号、に記載の化合物が好ましい。
【００４９】
４座配位子を有する白金錯体（燐光発光）材料として、２-アリールピリジン誘導体、２−(１-ピラゾリル)ピリジン誘導体、１-アリールピラゾール誘導体を配位子の部分構造として含むものが好ましく、２-アリールピリジン誘導体、２−(１-ピラゾリル)ピリジン誘導体を配位子の部分構造として含むものがより好ましく、２−(１-ピラゾリル)ピリジン誘導体を配位子の部分構造として含むものが特に好ましい。
【００５０】
また、上記の配位子の部分構造（例えば、２-アリールピリジン誘導体、２−(１-ピラゾリル)ピリジン誘導体、１-アリールピラゾール誘導体など）は、適当な部位で連結されて、４座の配位子を構成する。
【００５１】
２-アリールピリジン誘導体を配位子の部分構造として含む場合には、ピリジン環の6位、もしくは、アリール基のピリジン環に対してメタ位で連結することが好ましく、ピリジン環の6位同士、もしくは、アリール基のピリジン環に対してメタ位同士で連結することがより好ましく、ピリジン環の6位同士で連結することが特に好ましい。
２−(１-ピラゾリル)ピリジン誘導体を配位子の部分構造として含む場合は、ピリジン環の6位、もしくは、１−ピラゾリル基の４位で連結することが好ましく、ピリジン環の6位同士、もしくは、１−ピラゾリル基の４位同士で連結することがより好ましく、ピリジン環の６位同士で連結することが特に好ましい。
１-アリールピラゾール誘導体を配位子の部分構造として含む場合には、ピラゾール環の３位、もしくは、アリール基のピラゾール環に対してメタ位で連結することが好ましく、ピラゾール環の３位同士、もしくは、アリール基のピラゾール環に対してメタ位同士で連結することがより好ましく、ピラゾール環の３位同士で連結することが特に好ましい。
【００５２】
上記の配位子の部分構造を連結する構造としては、単結合であっても、２価の連結基であっても良いが、２価の連結基であることが好ましく、２価の連結基としては、例えば、メチレン連結、エチレン連結、フェニレン連結、窒素原子連結、酸素原子連結、硫黄原子連結、ケイ素原子連結が好ましく、メチレン連結、窒素原子連結、ケイ素原子連結がより好ましく、メチレン連結が特に好ましい。メチレン連結基として具体的には、メチレン基（―ＣＨ２―）、メチルメチレン基（―ＣＨＭｅ―）、フルオロメチルメチレン基（―ＣＦＭｅ―）、ジメチルメチレン基（―ＣＭｅ２―）、メチルフェニルメチレン基（―ＣＭｅＰｈ―）、ジフェニルメチレン基（―ＣＰｈ２―）、９，９−フルオレンジイル基、１，１−シクロペンタンジイル基、１，１−シクロヘキサンジイル基が挙げられ、ジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、９，９−フルオレニル基、１，１−シクロペンタンジイル基、１，１−シクロヘキサンジイル基が好ましく、ジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、１，１−シクロヘキサンジイル基がより好ましく、ジメチルメチレン基が特に好ましい。
【００５３】
また、４座配位子を有する白金錯体（燐光発光）材料として、より好ましいもののひとつは一般式（Ａ）で表されるＰｔ錯体である。
【００５４】
【化１２】
【００５５】
一般式（Ａ）中、ＲＡ３、ＲＡ４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、ＲＡ１、ＲＡ２は、それぞれ独立に、置換基を表す。ＲＡ１、ＲＡ２をそれぞれ複数個有する場合、複数個のＲＡ１、ＲＡ２は同じであっても異なってもよく、互いに連結して環を形成してもよい。ｎＡ１及びｎＡ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。ＹＡ１は連結基を表す。
【００５６】
ＲＡ１、ＲＡ２、ＲＡ３、及びＲＡ４が表す置換基としては、下記置換基群Ａとして挙げた中から任意に選択することができる。
置換基群Ａ：
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル基、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基、アントラニル基などが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、２−エチルヘキシロキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ基、ピラジルオキシ基、ピリミジルオキシ基、キノリルオキシ基などが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、
【００５７】
アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ基、２−ベンズイミゾリルチオ基、２−ベンズオキサゾリルチオ基、２−ベンズチアゾリルチオ基などが挙げられる。）、
【００５８】
スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、チエニル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンズオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基などが挙げられる。）、ホスホリル基（例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基などが挙げられる。）
【００５９】
ＹＡ１が表す連結基としては、下記連結基群Ａとして挙げた中から任意に選択することができる。
連結基群Ａ：
アルキレン基（メチレン、エチレン、プロピレンなど）、アリーレン基（フェニレン、ナフタレンジイル）、ヘテロアリーレン基（ピリジンジイル、チオフェンジイルなど）、イミノ基（−ＮＲ−）（フェニルイミノ基など）、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、ホスフィニデン基（−ＰＲ−）（フェニルホスフィニデン基など）、シリレン基（−ＳｉＲＲ’−）（ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基など）、またはこれらを組み合わせたもの。これらの連結基は、さらに置換基を有していてもよい。
【００６０】
ＲＡ１、ＲＡ２、ＲＡ３、及びＲＡ４が表す置換基としては、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基が好ましく、アリール基、ヘテロ環基がより好ましく、アリール基が特に好ましい。
【００６１】
ＹＡ１が表す連結基としては、１，２位で置換したビニル基、フェニレン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環または炭素数１〜８のアルキレン基が好ましく、１，２位で置換したビニル基、フェニレン環、炭素数１〜６のアルキレン基がより好ましく、フェニレン環が特に好ましい。
【００６２】
ＲＡ３、及びＲＡ４が表す置換基は、ＹＡ１が表す連結基と連結して環を形成してもよく、例えば、ＹＡ１が１，２位で連結したフェニレン環である場合には、ＲＡ３、及びＲＡ４がそれぞれ３，６位で連結して、１，１０−フェナントロリン環を形成していてもよく、更に置換基を有していてもよい。
【００６３】
４座配位子を有する白金錯体（燐光発光）材料として、より好ましいもののひとつは一般式（Ｂ）で表されるＰｔ錯体である。
【００６４】
【化１３】
【００６５】
（一般式（Ｂ）中、ＡＢ１〜ＡＢ６はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。ＬＢ１は単結合または二価の連結基を表す。ＸはＣまたはＮを表す。Ｚは式中のＸ−Ｃと共に形成される５または６員の芳香環または芳香族ヘテロ環を表す。ＱＢ１はＰｔに結合するアニオン性の基を表す。）
【００６６】
一般式（Ｂ）について説明する。
ＡＢ１〜ＡＢ６はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものと同義であり、好ましいものも同じである。
ＡＢ１〜ＡＢ６として好ましくはＣ−Ｒであり、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。ＡＢ１〜ＡＢ６がＣ−Ｒである場合に、ＡＢ２、ＡＢ５のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基であり、特に好ましく水素原子、フッ素基であり、ＡＢ１、ＡＢ３、ＡＢ４、ＡＢ６のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基であり、特に好ましく水素原子である。
【００６７】
ＬＢ１は単結合または二価の連結基を表す。
ＬＢ１で表される二価の連結基としては、アルキレン基（メチレン、エチレン、プロピレンなど）、アリーレン基（フェニレン、ナフタレンジイル）、ヘテロアリーレン基（ピリジンジイル、チオフェンジイルなど）、イミノ基（−ＮＲ−）（フェニルイミノ基など）、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、ホスフィニデン基（−ＰＲ−）（フェニルホスフィニデン基など）、シリレン基（−ＳｉＲＲ’−）（ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基など）、またはこれらを組み合わせたものが挙げられる。これらの連結基は、さらに置換基を有していてもよい。
ＬＢ１として好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、より好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、イミノ基であり、さらに好ましくはアルキレン基であり、さらに好ましくはメチレン基であり、さらに好ましくはジ置換のメチレン基であり、さらに好ましくはジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジイソブチルメチレン基、ジベンジルメチレン基、エチルメチルメチレン基、メチルプロピルメチレン基、イソブチルメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、メチルフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、シクロペンタンジイル基、フルオレンジイル基、フルオロメチルメチレン基であり、特に好ましくはジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基である。
【００６８】
ＸはＣまたはＮを表す。Ｚは式中のＸ−Ｃと共に形成される５または６員の芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を表す。Ｚで表される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フェナントレン環、ペリレン環、ピリジン環、キノリン環、イソキノリン環、フェナントリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、シンノリン環、アクリジン環、フタラジン環、キナゾリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、プテリジン環、ピロール環、ピラゾール環、トリアゾール環、インドール環、カルバゾール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、イミダゾピリジン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、ホスホール環、ホスフィニン環、シロール環などが挙げられる。Ｚは置換基を有していてもよく、置換基としては前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。また、Ｚは他の環と縮合環を形成していても良い。
Ｚとして好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、インドール環、チオフェン環であり、より好ましくはベンゼン環、ピラゾール環、ピリジン環である。
【００６９】
ＱＢ１はＰｔに結合するアニオン性の基を表す。ＱＢ１で表されるアニオン性の基としては、ビニル配位子、芳香族炭化水素環配位子（例えばベンゼン配位子、ナフタレン配位子、アントラセン配位子、フェナントラセン配位子など）、ヘテロ環配位子（例えばフラン配位子、チオフェン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子および、それらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾチアゾール配位子など））が挙げられる。この時、ＱＢ１とＰｔの結合は、共有結合、イオン結合、配位結合などいずれであっても良い。ＱＢ１中のＰｔに結合する原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子が好ましく、ＱＢ１中のＰｔに結合する原子は炭素原子、酸素原子、窒素原子であることが好ましく、炭素原子であることがさらに好ましい。
ＱＢ１で表される基として好ましくは炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子であり、より好ましくは炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子である。ＱＢ１で表される基としては特に一般式（Ｂ）中のＣ−Ｘと共に形成されるＺ環と同一の基であることが好ましい。
【００７０】
一般式（Ｂ）で表されるＰｔ錯体は、より好ましくは一般式（Ｃ）で表されるＰｔ錯体である。
【００７１】
【化１４】
【００７２】
（一般式（Ｃ）中、ＡＣ１〜ＡＣ１４はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。ＬＣ１は単結合または二価の連結基を表す。）
【００７３】
一般式（Ｃ）について説明する。
ＡＣ１〜ＡＣ１４はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。ＡＣ１〜ＡＣ６としては、前記一般式（Ｂ）におけるＡＢ１〜ＡＢ６と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００７４】
ＡＣ７〜ＡＣ１４としては、ＡＣ７〜ＡＣ１０とＡＣ１１〜ＡＣ１４のそれぞれにおいて、Ｎ(窒素原子)を表すものの数は、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましい。Ｎであるのは、ＡＣ８〜ＡＣ１０とＡＣ１２〜ＡＣ１４から選ばれるのが好ましく、ＡＣ８、ＡＣ９、ＡＣ１２、ＡＣ１３から選ばれるのがより好ましく、ＡＣ８、ＡＣ１２から選ばれるのが特に好ましい。
ＡＣ７〜ＡＣ１４がＣ−Ｒを表す場合に、ＡＣ８、ＡＣ１２のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、ポリフルオロアルキル基、アルキル基、アリール基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましく水素原子、ポリフルオロアルキル基、シアノ基である。ＡＣ７、ＡＣ９、ＡＣ１１、ＡＣ１３の表すＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、ポリフルオロアルキル基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましく水素原子、フッ素基である。ＡＣ１０、ＡＣ１４の表すＲとして好ましくは水素原子、フッ素基であり、より好ましくは水素原子である。ＡＣ７〜ＡＣ９、ＡＣ１１〜ＡＣ１３のいずれかがＣ−Ｒを表す場合に、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。
【００７５】
ＬＣ１で表される連結基としては、前記一般式（Ｂ）におけるＬＢ１が表す連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００７６】
一般式（Ｂ）で表されるＰｔ錯体は、より好ましくは一般式（Ｄ）で表されるＰｔ錯体である。
【００７７】
【化１５】
【００７８】
（一般式（Ｄ）中、ＡＤ１〜ＡＤ１２はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。ＬＤ１は単結合または二価の連結基を表す。）
【００７９】
一般式（Ｄ）について説明する。
ＡＤ１〜ＡＤ１２はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。
ＡＤ１〜ＡＤ６としては、前記一般式（Ｂ）におけるＡＢ１〜ＡＢ６が表す置換基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００８０】
ＡＤ７〜ＡＤ１２としては、ＡＤ７〜ＡＤ９とＡＤ１０〜ＡＣ１２のそれぞれにおいて、Ｎ(窒素原子)を表すものの数は、０〜２が好ましく、１〜２がより好ましく、１が特に好ましい。Ｎを表すものは、ＡＤ７〜ＡＤ９とＡＤ１０〜ＡＣ１２から選ばれることが好ましく、ＡＤ７、ＡＤ９、ＡＤ１０及びＡＤ１２から選ばれることがより好ましく、ＡＤ７及びＡＤ１０から選ばれることが特に好ましい。
ＡＤ７〜ＡＤ１２がＣ−Ｒである場合に、ＡＤ８、ＡＤ１１のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、ポリフルオロアルキル基、アルキル基、アリール基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましくポリフルオロアルキル基(例えば、トリフルオロメチル基やパーフルオロエチル基)、シアノ基である。ＡＤ７、ＡＤ９、ＡＤ１０、ＡＤ１２のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、フッ素基であり、特に好ましく水素原子である。ＡＤ７〜ＡＤ１２のいずれかがＤ−Ｒを表す場合に、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。
【００８１】
ＬＤ１で表される連結基としては、前記一般式（Ｂ）におけるＬＢ１が表す連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００８２】
４座配位子を有する白金錯体（燐光発光）材料として、より好ましいもののひとつは一般式（Ｅ）で表されるＰｔ錯体である。
【００８３】
【化１６】
【００８４】
（一般式（Ｅ）中、ＡＥ１〜ＡＥ１４はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。ＬＥ１は単結合または二価の連結基を表す。）
【００８５】
一般式（Ｅ）について説明する。ＡＥ１〜ＡＥ１２はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。ＡＥ１〜ＡＥ６としては、前記一般式（Ｂ）におけるＡＢ１〜ＡＢ６と同義であり、好ましい範囲も同様である。ＡＥ７〜ＡＥ１４としては、前記一般式（Ｃ）におけるＡＣ７〜ＡＣ１４と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００８６】
ＬＥ１で表される連結基としては、前記一般式（Ｂ）におけるＬＢ１が表す連結基と同義である。
ＬＥ１として好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、より好ましくはアルキレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、さらに好ましくはアルキレン基であり、さらに好ましくはメチレン基であり、さらに好ましくはジ置換のメチレン基であり、さらに好ましくはジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジイソブチルメチレン基、ジベンジルメチレン基、エチルメチルメチレン基、メチルプロピルメチレン基、イソブチルメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、メチルフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、シクロペンタンジイル基、フルオレンジイル基、フルオロメチルメチレン基であり、特に好ましくはジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基である。
【００８７】
４座配位子を有する白金錯体（燐光発光）材料として、より好ましいもののひとつは一般式（Ｆ）で表されるＰｔ錯体である。
【００８８】
【化１７】
【００８９】
（一般式（Ｆ）中、ＡＦ１〜ＡＦ１４はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。ＬＦ１は単結合または二価の連結基を表す。）
【００９０】
一般式（Ｆ）について説明する。
ＡＦ１〜ＡＦ１４はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。ＡＦ１〜ＡＦ５としては、前記一般式（Ｂ）におけるＡＢ１〜ＡＢ５と同義である。ＡＦ１〜ＡＦ５として好ましくはＣ−Ｒであり、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。ＡＦ１〜ＡＦ５がＣ−Ｒである場合に、ＡＦ１〜ＡＦ５のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アリール基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましくは水素原子である。
【００９１】
ＡＦ７〜ＡＦ１４としては、前記一般式（Ｃ）におけるＡＣ７〜ＡＣ１４と同義であり、好ましい範囲も同様である。特に、ＡＣ７〜ＡＣ９、ＡＣ１１〜ＡＣ１３のいずれかがＣ−Ｒである場合に、Ｒ同士が互いに連結して形成する環構造としては、フラン環、ベンゾフラン環、ピロール環、ベンゾピロール環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フルオレン環が好ましく、これらの環は更に置換基を有していてもよい。
【００９２】
ＬＦ１で表される連結基としては、前記一般式（Ｂ）におけるＬＢ１が表す連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００９３】
また、４座配位子を有する白金錯体燐光発光材料としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００９４】
【化１８】
【００９５】
【化１９】
【００９６】
【化２０】
【００９７】
【化２１】
【００９８】
【化２２】
【００９９】
【化２３】
【０１００】
【化２４】
【０１０１】
【化２５】
【０１０２】
【化２６】
【０１０３】
【化２７】
【０１０４】
【化２８】
【０１０５】
【化２９】
【０１０６】
【化３０】
【０１０７】
【化３１】
【０１０８】
【化３２】
【０１０９】
【化３３】
【０１１０】
【化３４】
【０１１１】
【化３５】
【０１１２】
【化３６】
【０１１３】
【化３７】
【０１１４】
【化３８】
【０１１５】
【化３９】
【０１１６】
【化４０】
【０１１７】
【化４１】
【０１１８】
【化４２】
【０１１９】
【化４３】
【０１２０】
【化４４】
【０１２１】
【化４５】
【０１２２】
【化４６】
【０１２３】
【化４７】
【０１２４】
【化４８】
【０１２５】
【化４９】
【０１２６】
【化５０】
【０１２７】
【化５１】
【０１２８】
【化５２】
【０１２９】
【化５３】
【０１３０】
【化５４】
【０１３１】
【化５５】
【０１３２】
【化５６】
【化５７】
【０１３３】
【化５８】
【０１３４】
【化５９】
【０１３５】
【化６０】
【０１３６】
【化６１】
【０１３７】
【化６２】
【０１３８】
【化６３】
【０１３９】
【化６４】
【０１４０】
上記錯体化合物として例示した化合物は、例えば以下に示す工程により製造することができる。
【０１４１】
上記の金属錯体化合物は、Journal of Organic Chemistry 53, 786, (1988) 、G. R. Newkomeet al.）の、７８９頁、左段５３行〜右段７行に記載の方法、７９０頁、左段１８行〜３８行に記載の方法、７９０頁、右段１９行〜３０行に記載の方法およびその組み合わせ、Chemische Berichte １１３, ２７４９ (１９８０)、H. Lexy ほか)の、２７５２ 頁、２６行〜３５行に記載の方法等、種々の手法で合成できる。
例えば、配位子、またはその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、もしくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、もしくは、塩基非存在下、室温以下、もしくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。
【０１４２】
本発明において、４座配位子を有する白金錯体は、発光材料として用いることが好ましい。
【０１４３】
４座配位子を有する白金錯体は、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜５０質量％含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有されることが好ましく、２質量％〜４０質量％含有されることがより好ましい。
【０１４４】
［有機電界発光素子］
以下、本発明の有機電界発光素子（以下、適宜「有機ＥＬ素子」と称する場合がある。）について詳細に説明する。
本発明の発光素子は基板上に陰極と陽極を有し、両電極の間に有機発光層（以下、単に「発光層」と称する場合がある。）を含む有機化合物層を有する。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
【０１４５】
本発明の有機電界発光素子は白色発光素子であっても良い。
【０１４６】
本発明における有機化合物層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
【０１４７】
本発明の発光素子は、ホール輸送層、発光層、電子輸送層の少なくとも３層を有する素子であることが好ましい。ホール輸送層と発光層の間に、発光層へのホール注入を促進する層、電子をブロックする層、励起子をブロックする層を追加することがより好ましい。
【０１４８】
次に、本発明の発光材料を構成する要素について、詳細に説明する。
【０１４９】
＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、イットリア安定化ジルコニア、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
【０１５０】
基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。
【０１５１】
基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。
【０１５２】
基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
【０１５３】
＜陽極＞
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
【０１５４】
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫
（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
【０１５５】
陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
【０１５６】
本発明の有機電界発光素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。が、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【０１５７】
なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【０１５８】
陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
【０１５９】
陽極の抵抗値としては、１０3Ω／□以下が好ましく、１０2Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
【０１６０】
なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
【０１６１】
＜陰極＞
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
【０１６２】
陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
【０１６３】
これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
【０１６４】
なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
【０１６５】
陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
【０１６６】
陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【０１６７】
本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
【０１６８】
陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【０１６９】
＜有機化合物層＞
本発明における有機化合物層について説明する。
本発明の有機電界発光素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、有機発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
【０１７０】
−有機化合物層の形成−
本発明の有機電界発光素子において、有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。
【０１７１】
−有機発光層−
有機発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。
【０１７２】
ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。
【０１７３】
また、本発明における発光層に含有されるホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。
【０１７４】
一般式（１）で表される化合物は、有機化合物層のうちいずれの層に含有されていてもよく、また複数の層に含有されていても良いが、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層に含有されていることが好ましく、発光層、電子輸送層に含有されていることがより好ましく、発光層に含有される場合にはホスト材料として含有されていることがもっとも好ましい。
発光層にホスト材料として一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物が含有される場合、発光層における一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物が含有率は、５〜９９．９質量％であることが好ましく、６０〜９９質量％であることがより好ましい。正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層に含有される場合、各層における本発明の化合物の含有率は、７０〜１００％であることが好ましく、８５〜１００％であることがより好ましく、１００％であることが最も好ましい。
【０１７５】
本発明の有機電界発光素子において、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物を発光層に隣接する層に含有することが好ましい。これにより、発光層での電荷（ホールおよび電子）の滞留を抑制できる。
また、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物を発光層に隣接する層に含有する場合、発光層に隣接する層中に、７０〜１００質量％含有されることが好ましく、９０〜１００質量％含有されることがより好ましい。
さらに、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物を発光層に隣接する層に含有する場合は、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物を単独で層とすることが膜の均一性の点で好ましい。
【０１７６】
また、本発明の有機電界発光素子において、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物を陰極に隣接する層に含有することが好ましい。これにより、陰極からの効率的な電子注入が可能となる。
一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物を陰極に隣接する層に含有する場合、陰極に隣接する層中に、７０〜１００質量％含有されることが好ましく、９０〜１００質量％含有されることがより好ましい。
【０１７７】
一般式（１）〜（４）のいずれかで表されるシラン誘導体が陰極に隣接する層に含まれる場合、その膜厚は１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましく、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることがより好ましく、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが特に好ましい。
【０１７８】
一般式（１）〜（４）で表されるシラン誘導体は、発光層及び陰極に隣接する層に含有することがより好ましい。
【０１７９】
発光層中に含まれるホスト材料の電荷移動度は １×１０−６ ｃｍ２／Ｖｓ以上、１×１０−１ｃｍ２／Ｖｓ以下であることが好ましく、５×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ以下であることがより好ましく、１×１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ以下であることがさらに好ましく、５×１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ以下であることが特に好ましい。
【０１８０】
本発明の発光素子に含まれるホスト材料のＴ１レベル（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、６０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５１．４ｋＪ／ｍｏｌ以上）、９０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３７７．１ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることが好ましく、６２ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５９．７８ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５Ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５６．１５ｋＪ／ｍｏｌ以下）がより好ましく、６５ ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２７２．３５ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３３５．２ ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることがさらに好ましい。
【０１８１】
本発明の発光素子の発光層に隣接する層のＴ１レベル（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、６０ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以上（２５１．４ｋＪ／ｍｏｌ以上）、９０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３７７．１ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることが好ましく、６２ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５９．７８ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５６．１５ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることがより好ましく、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２７２．３５ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３３５．２ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることがさらに好ましい。
【０１８２】
本発明の有機電界発光素子含まれるホスト材料、電子輸送層、及び、ホール輸送材料のガラス転移点は９０℃以上４００℃以下であることが好ましく、１００℃以上３８０℃以下であることがより好ましく、１２０℃以上３７０℃以下であることがさらに好ましく、１４０℃以上３６０℃以下であることが特に好ましい。
【０１８３】
発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは１種であっても２種以上であっても良い。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
また、発光層は１層であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
【０１８４】
本発明に使用できる蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
【０１８５】
また、本発明に使用できる燐光発光材料は、例えば、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。
遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金である。
ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
【０１８６】
錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著，Comprehensive Coordination Chemistry, PergamonPress社１９８７年発行、H.Yersin著，「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer-Verlag社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
【０１８７】
燐光材料として好ましくは、イリジウム錯体、白金錯体であり、特に四座配位子の白金錯体、フッ素置換フェニルピリジンを配位子に有するイリジウム錯体が好ましく、四座配位子の白金錯体が最も好ましい。
【０１８８】
燐光発光材料の具体例としては、前述の四座配位子の白金錯体の他に、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１８９】
【化６５】
【０１９０】
【化６６】
【０１９１】
【化６７】
【０１９２】
燐光発光材料は、発光層中に、０．１〜４０質量％含有されることが好ましく、０．５〜２０質量％含有されることがより好ましい。
【０１９３】
燐光発光材料の発光極大波長波長は５００ｎｍ以下である事が好ましく、４８０ｎｍ以下である事がよりに好ましく、４７０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、４６０ｎｍ以下であることが特に好ましい。
【０１９４】
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
【０１９５】
−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層、正孔輸送層は、具体的には、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、フェニルアゾールやフェニルアジンを配位子に有するＩｒ錯体に代表される各種金属錯体等を含有する層であることが好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１９６】
−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。電子注入層、電子輸送層は、具体的には、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
【０１９７】
電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１９８】
−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、ＢＡｌｑ[ビス-(2-メチル-8-キノリノレート)-4-(フェニルフェノレート)アルミニウム]等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ（2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン）等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１９９】
＜保護層＞
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＳｉＮx、ＳｉＮxＯy等の金属窒化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
【０２００】
保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【０２０１】
＜封止＞
さらに、本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
【０２０２】
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
【０２０３】
本発明の発光素子の外部量子効率としては、５％以上が好ましく、１０％以上がより好ましく、１３％以上がさらに好ましい。外部量子効率の数値は２０℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、もしくは、２０℃で素子を駆動したときの１００〜３００ｃｄ／ｍ２付近での外部量子効率の値を用いることができる。
【０２０４】
本発明の発光素子の内部量子効率は、３０％以上であることが好ましく、５０％以上がさらに好ましく、７０％以上がさらに好ましい。素子の内部量子効率は、外部量子効率を光取り出し効率で除して算出される。通常の有機ＥＬ素子では光取り出し効率は約２０％であるが、基板の形状、電極の形状、有機層の膜厚、無機層の膜厚、有機層の屈折率、無機層の屈折率等を工夫することにより、光取り出し効率を２０％以上にすることが可能で有る。
【実施例】
【０２０５】
［比較例１−１］
【０２０６】
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを１０ｎｍの厚みに蒸着し、この上に、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）を４０ｎｍの厚みに蒸着した。この上に、化合物Ｂ−１と化合物Ａを１２：８８の比率（質量比）で３０ｎｍの厚みに蒸着し（発光層）、この上に、ＢＡｌｑ[ビス-(2-メチル-8-キノリノレート)-4-(フェニルフェノレート)アルミニウム]を６ｎｍの厚みに蒸着し、この上に、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体）を２０ｎｍの厚みに蒸着した。この上に、フッ化リチウムを３ｎｍの厚みに蒸着した後、アルミニウム６０ｎｍを蒸着し、素子を作製した。東京システム開発（株）製のＯＬＥＤテストシステムＳＴ−Ｄ型にセットし、１０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で駆動させた。化合物Ｂ−１に由来するλｍａｘ＝４７０ｎｍのりん光発光が得られた。
［比較例１−２］
比較例１−１の化合物Ａの代わりに、化合物Ｄ−１を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。
［比較例１−３］
比較例１−１の化合物Ａの代わりに、化合物Ｄ−２を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。
［比較例１−４］
比較例１−１の化合物Ａの代わりに、化合物Ｄ−３を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。
［比較例１−５］
比較例１−１の化合物Ｂ−１の代わりに、化合物Ｂ−２を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−２に由来するりん光発光は観察されなかった。
［比較例１−６］
比較例１−５の化合物Ａの代わりに、化合物Ｄ−１を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−２に由来するりん光発光は観察されなかった。
［比較例１−７］
比較例１−５の化合物Ａの代わりに、化合物Ｄ−２を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−２に由来するりん光発光は観察されなかった。
［比較例１−８］
比較例１−５の化合物Ａの代わりに、化合物Ｄ−３を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−２に由来するりん光発光は観察されなかった。
［比較例１−９］
比較例１−１の化合物Ｂ−１の代わりに、化合物Ｂ−３を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−３に由来するλｍａｘ＝４７９ｎｍのりん光発光が得られた。
［比較例１−１０］
比較例１の化合物Ｂ−１の代わりに、化合物Ｂ−４を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−４に由来するλｍａｘ＝４７０ｎｍのりん光発光が得られた。
［比較例１−１１］
比較例１の化合物Ｂ−１の代わりに、化合物Ｂ−５を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−５に由来するλｍａｘ＝４９９ｎｍのりん光発光が得られた。
［比較例１−１２］
比較例１の化合物Ｂ−１の代わりに、化合物Ｂ−６を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−６に由来するλｍａｘ＝４８３ｎｍのりん光発光が得られた。
［比較例１−１３］
比較例１−１の化合物Ａの代わりに、化合物Ｂを用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。
【０２０７】
【化６８】
【０２０８】
［実施例１−１］
比較例１−３の化合物Ａの代わりに一般式（２）の化合物（D−１）を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−３に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例１−２］
実施例１−１の化合物（D−１）の代わりに一般式（２）の化合物（D−２）を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−３に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例１−３］
実施例１−１の化合物（D−１）の代わりに一般式（２）の化合物（D−３）を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−３に由来するりん光発光が得られた。
［実施例１−４］
実施例１−１の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−４を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−４に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例１−５］
実施例１−２の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−４を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−４に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例１−６］
実施例１−３の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−４を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−４に由来するりん光発光が得られた。
［実施例１−７］
実施例１−１の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−５を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−５に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例１−８］
実施例１−２の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−５を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−５に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例１−９］
実施例１−３の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−５を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−５に由来するりん光発光が得られた。
［実施例１−１０］
実施例１−１の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−６を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−６に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例１−１１］
実施例１−２の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−６を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−６に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例１−１２］
実施例１−３の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−６を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−６に由来するりん光発光が得られた。
【０２０９】
【表１】
【０２１０】
表１から本発明の発光素子は、効率、耐久性がともに優れていることが分かる。
【０２１１】
［比較例２−１］
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）を１００ｎｍの厚みに蒸着した。この上に、化合物Ｂ−３と化合物Ｃを１３：８７の比率（質量比）で１５ｎｍの厚みに蒸着し（発光層）、この上に、ＢＡｌｑ[ビス-(2-メチル-8-キノリノレート)-4-(フェニルフェノレート)アルミニウム]を４０ｎｍの厚みに蒸着した（電子輸送層）。この上に、フッ化リチウムを３ｎｍの厚みに蒸着した後、アルミニウム６０ｎｍを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させた結果、化合物Ｂ−３に由来するりん光発光が得られた。
［比較例２−２］
比較例２−１の化合物Ｂ−３の代わりに、化合物Ｂ−４を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−４に由来するりん光発光が得られた。
［比較例２−３］
比較例２−１のＢ−３の代わりに、化合物Ｂ−５を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−５に由来するりん光発光が得られた。
［比較例２−４］
比較例２−１のＢ−３の代わりに、化合物Ｂ−６を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−６に由来するりん光発光が得られた。
【０２１２】
［比較例２−５］
比較例２−１の電子輸送層であるＢＡｌｑの膜圧を４０ｎｍから３９ｎｍ変更、さらにその上にＡｌｑを１ｎｍの厚みに蒸着した。この上に、フッ化リチウムを３ｎｍの厚みに蒸着した後、アルミニウム６０ｎｍを蒸着し、素子を作製した。比較例２−１と同様に素子評価し、化合物Ｂ−３に由来する青色りん光発光が得られた。
［比較例２−６］
比較例２−４の化合物Ｂ−３の代わりに、化合物Ｂ−４を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−４に由来するりん光発光が得られた。
［比較例２−７］
比較例２−４のＢ−３の代わりに、化合物Ｂ−５を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−５に由来するりん光発光が得られた。
［比較例２−８］
比較例２−４のＢ−３の代わりに、化合物Ｂ−６を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−６に由来するりん光発光が得られた。
【０２１３】
【化６９】
【０２１４】
［実施例２−１］
比較例２−５のＡｌｑの代わりに、一般式（４）の化合物Ｄ−４を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−３に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−２］
比較例２−５のＡｌｑの代わりに、一般式（２）の化合物Ｄ−５を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−３に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−３］
比較例２−５のＡｌｑの代わりに、一般式（３）の化合物Ｄ−６を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−３に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−４］
比較例２−６のＡｌｑの代わりに、一般式（４）の化合物Ｄ−４を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−４に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−５］
比較例２−６のＡｌｑの代わりに、一般式（２）の化合物Ｄ−５を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−４に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−６］
比較例２−６のＡｌｑの代わりに、一般式（３）の化合物Ｄ−６を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−４に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−７］
比較例２−７のＡｌｑの代わりに、一般式（４）の化合物Ｄ−４を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−５に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−８］
比較例２−７のＡｌｑの代わりに、一般式（２）の化合物Ｄ−５を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−５に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−９］
比較例２−７のＡｌｑの代わりに、一般式（３）の化合物Ｄ−６を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−５に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−１０］
比較例２−８のＡｌｑの代わりに、一般式（４）の化合物Ｄ−４を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−６に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−１１］
比較例２−８のＡｌｑの代わりに、一般式（２）の化合物Ｄ−５を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−６に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−１２］
比較例２−８のＡｌｑの代わりに、一般式（３）の化合物Ｄ−６を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−６に由来するりん光発光が得られた。
【０２１５】
【表２】
【０２１６】
化合物Ｄ−１〜Ｄ−４で表される既知化合物は、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９６２年, 第２７号, １８３６頁, (Ｄ−１)；Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．１９８４年，第２７１号，３１９頁，（Ｄ−２）；Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２００５年，第３４号，１６９８頁， （Ｄ−３）；Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．１９９３年，第９号，７４４頁，（Ｄ−４）に記載の手法により合成することが出来る。また、新規化合物Ｄ−５、Ｄ−６も上記文献の手法を参考にして合成することが出来る。
【０２１７】
表２では、本発明に係る一般式（１）〜（４）のいずれかのシラン誘導体化合物は、発光層に隣接する層に含まれる場合も発明の効果が発揮されることが示されている。
本発明に係る他の一般式（１）〜（４）のいずれかのシラン誘導体化合物と白金錯体化合物を組み合わせて用いた発光素子でも、同様な効果を得ることが出来た。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる発光素子、特に、有機電界発光素子（発光素子、又はＥＬ素子）に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。この有機電界発光素子の重要な特性値として消費電力がある。消費電力は電圧と電流の積で表され、所望の明るさを得るに必要な電圧値が低いほど、かつ、電流値を小さくするほど、素子の消費電力を低くすることが出来る。
【０００３】
素子に流れる電流値を低くする一つの試みとして、オルトメタル化イリジウム錯体（Ir(ppy)3:ｔｒｉｓ−ｏｒｔｈｏ−ｍｅｔａｌａｔｅｄ ｃｏｍｐｌｅｘ ｏｆ Ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｗｉｔｈ ２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）からの発光を利用した発光素子が報告されている（例えば特許文献１参照）。これらに記載のりん光発光素子は、従来の一重項発光素子に比べて外部量子効率が大幅に向上し、電流値を小さくすることに成功している。
これに対して特許文献２には、５員環アゾリル基（イミダゾリル基など）を４座配位子として有する白金錯体化合物を発光に適用した発光素子が発光効率を向上させることが報告されている。
【０００４】
りん光発光素子の発光効率、耐久性改良を目的に、シラン誘導体を含有する素子（特許文献３、特許文献４）が報告されているが、耐久性、効率の点で、さらなる改良が望まれていた。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２４７８５９号公報
【特許文献２】特開２００７−１９４６２号公報
【特許文献３】特開２００３−２４３１７８号公報
【特許文献４】特開２００６−１４０２１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、耐久性、発光効率が良好な有機電界発光素子の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この課題は下記手段によって達成された。
（１）一対の電極間に少なくとも、一般式（１）で表されるシラン誘導体、及び４座配位子を有する白金錯体を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【０００８】
【化１】
【０００９】
Ｒ１０１〜Ｒ１０４は水素原子または置換基を表す。Ｒ１０５〜Ｒ１０８は水素原子または置換基を表す。
（２）一般式(１)で表されるシラン誘導体が一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする上記（１）に記載の有機電界発光素子。
【００１０】
【化２】
【００１１】
Ｒ２０１〜Ｒ２０４は水素原子または置換基を表す。Ｘ２０１〜Ｘ２０８は置換もしくは無置換の炭素原子、または窒素原子を表す。
（３）一般式(１)で表されるシラン誘導体が一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする上記（１）に記載の有機電界発光素子。
【００１２】
【化３】
【００１３】
Ｒ３０１〜Ｒ３０４は水素原子または置換基を表す。Ｒ３０５、Ｒ３０６は水素原子または置換基を表す。Ｘ３０１〜Ｘ３０４は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。
（４）一般式(３)で表されるシラン誘導体が一般式（４）で表される化合物であることを特徴とする上記（３）に記載の有機電界発光素子。
【００１４】
【化４】
【００１５】
Ｒ４０１〜Ｒ４０８は水素原子または置換基を表す。Ｒ４０９〜Ｒ４１２は水素原子または置換基を表す。Ｘ４０１、Ｘ４０２は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。
（５）一般式(１)〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体を発光層に含有することを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載の有機電界発光素子。
（６）シラン誘導体を発光層に隣接する層に含有することを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれかに記載の有機電界発光素子。
（７）一般式（１）〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体を陰極に隣接する層に含有することを特徴とする上記（１）〜（６）のいずれかに記載の有機電界発光素子。
（８）一般式（１）〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体のガラス転移温度が130℃以上、450℃以下であることを特徴とする上記（１）〜（７）のいずれかに記載の有機電界発光素子。
（９）一般式（１）〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体の最低励起三重項エネルギー準位が６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２７２．３５ｋJ／ｍｏｌ）以上、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３３５．２ｋＪ／ｍｏｌ 以下）であることを特徴とする上記（１）〜（８）のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の有機電界発光素子は、高効率発光が可能であり、かつ耐久性に優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明は、一対の電極間に少なくとも、一般式（１）で表されるシラン誘導体、及び、４座配位子を有する白金錯体を含有することを特徴とする有機電界発光素子である。一般式（１）について説明する。
【００１８】
一般式（１）において、Ｒ１０１〜Ｒ１０４は水素原子または置換基を表す。置換基としては例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどの各基が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどの各基が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどの各基が挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどの各基が挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどの各基が挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどの各基が挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどの各基が挙げられる。）、
【００１９】
アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどの各基が挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、アシルアミノ基
（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどの各基が挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどの各基が挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどの各基が挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、
【００２０】
ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどの各基が挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などの各ヘテロ環が挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基などが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、Ｒ１０１とＲ１０２、Ｒ１０３とＲ１０４は互いに連結して環構造を形成していてもよく、形成される環としては、シロール環、ジシロール環、オキサシロール環、アザシロール環、チアシロール環、ホスファシロール環、シロラン環、ジシロラン環、オキサシロラン環、アザシロラン環、チアシロラン環、ホスファシロラン環、シリン環、ジシリン環、オキサシリン環、アザシリン環、チアシリン環、ホスファシリン環、シリナン環、ジシリナン環、オキサシリナン環、アザシリナン環、チアシリナン環、ホスファシリナン環、シロラン環、ジシロラン環、オキサシロラン環、アザシロラン環、チアシロラン環、ホスファシロラン環、シレピン環、ジシレピン環、オキサシレピン環、アザシレピン環、チアシレピン環、ホスファシレピン環、シレパン環、ジシレパン環、オキサシレパン環、アザシレパン環、チアシレパン環、ホスファシレパン環、シロラン環、ジシロラン環、オキサシロラン環、アザシロラン環、チアシロラン環、ホスファシロラン環、シレピン環、ジシレピン環、オキサシレピン環、アザシレピン環、チアシレピン環、ホスファシレピン環、シレパン環、ジシレパン環、オキサシレパン環、アザシレパン環、チアシレパン環、ホスファシレパン環等が挙げられ、これらの環構造は更に縮合環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成していても良い。Ｒ１０１とＲ１０２、Ｒ１０３とＲ１０４が互いに連結して環構造を形成する場合の好ましい例はシロール環、ジシロール環、オキサシロール環、アザシロール環、チアシロール環、ホスファシロール環、シリン環、ジシリン環、オキサシリン環、アザシリン環、チアシリン環、ホスファシリン環であり、シリン環、ジシリン環、オキサシリン環、アザシリン環、チアシリン環、ホスファシリン環がより好ましい。
【００２１】
Ｒ１０１〜Ｒ１０４はアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基であるか、又は、Ｒ１０１とＲ１０２および/またはＲ１０３とＲ１０４が互いに連結して環構造を形成することが好ましく、アルキル基、アリール基であるか、又は、アリール基であることがさらに好ましい。
【００２２】
Ｒ１０５〜Ｒ１０８は水素原子または置換基を表す。Ｒ１０５とＲ１０６、Ｒ１０７とＲ１０８は互いに連結して環構造を形成していてもよく、形成される環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピリダジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、シロール環、シラントレン環、ゲルモール環、ホスホール環等が挙げられる。Ｒ１０５とＲ１０６、Ｒ１０７とＲ１０８が互いに縮合して環構造を作ることにより形成される縮合環しては、ベンゾ縮環、ピリジン縮環、ピロール縮環、ピラゾール縮環、イミダゾール縮環、トリアゾール縮環、シラントレン環が好ましく、ベンゾ縮環、ピリジン縮環、シラントレン縮環がより好ましい。
【００２３】
置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどの各基が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどの各基が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどの各基が挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどの各基が挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどの各基が挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどの各基が挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどの各環基が挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどの各基が挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、
【００２４】
アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどの各基が挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどの各基が挙げられる。）、
【００２５】
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０の各基、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどの各基が挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどの各基が挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的にはこれらを含む基、例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などのヘテロ環基が挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基などが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【００２６】
Ｒ１０５〜Ｒ１０８は水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基であるか、又は、Ｒ１０５とＲ１０６および/またはＲ１０７とＲ１０８が互いに連結して環構造を形成する基が好ましく、アリール基、ヘテロアリール基であるか、又は、Ｒ１０５とＲ１０６および/またはＲ１０７とＲ１０８が互いに連結して環構造を形成する基がより好ましく、アリール基であるか、又は、Ｒ１０５とＲ１０６および/またはＲ１０７とＲ１０８が互いに連結して環構造を形成する基がさらに好ましく、Ｒ１０５とＲ１０６および/またはＲ１０７とＲ１０８が互いに連結して環構造を形成する基が特に好ましい。剛直な縮環構造を有することで、素子中に注入されるキャリヤ電荷に対する耐性が増し、素子耐久性が向上すると期待される。
【００２７】
一般式（１）で表される化合物として好ましい形態の一つは、下記一般式（２）で表される化合物である。一般式（２）について説明する。
【００２８】
【化５】
【００２９】
Ｒ２０１〜Ｒ２０４は水素原子または置換基を表す。Ｘ２０１〜Ｘ２０８は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。
Ｒ２０１〜Ｒ２０４は前記Ｒ１０１〜Ｒ１０４とそれぞれ同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００３０】
Ｘ２０１〜Ｘ２０８は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。炭素原子上の置換基としては、前記Ｒ１０５で挙げた基が挙げられる（好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、シリル基であり、より好ましくはアリール基、ヘテロアリール基シリル基であり、さらに好ましくは、アリール基である）。
【００３１】
Ｘ２０１〜Ｘ２０８は無置換の炭素原子、または、窒素原子であることが好ましく、少なくとも一つが窒素原子であることが好ましい。
【００３２】
一般式（１）で表される化合物として好ましい形態の別の一つは、下記一般式（３）で表される化合物である。一般式（３）について説明する。
【化６】
【００３３】
Ｒ３０１〜Ｒ３０４は水素原子または置換基を表す。Ｒ３０５、Ｒ３０６は水素原子または置換基を表す。Ｘ３０１〜Ｘ３０４は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。
【００３４】
Ｒ３０１〜Ｒ３０４、Ｒ３０５およびＲ３０６は前記Ｒ１０１〜Ｒ１０４、Ｒ１０５およびＲ１０６とそれぞれ同義であり、好ましい範囲も同じである。また、Ｘ３０１〜Ｘ３０４は前記Ｘ２０１〜Ｘ２０４と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００３５】
一般式（３）で表される化合物としてより好ましくは下記一般式（４）で表される化合物である。テトラシリルで置換し、電荷をケイ素原子上にも非局在化させることで素子中に注入されるキャリヤ電荷に対する耐性を向上させる。以下に、一般式（４）について説明する。
【００３６】
【化７】
【００３７】
Ｒ４０１〜Ｒ４０８は水素原子または置換基を表す。Ｒ４０９〜Ｒ４１２は水素原子または置換基を表す。Ｘ４０１、Ｘ４０２は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。
Ｒ４０１〜Ｒ３０８、Ｒ４０９〜Ｒ４１２、およびＸ４０１〜Ｘ４０２は前記Ｒ３０１〜Ｒ３０４、Ｒ３０５〜Ｒ３０６およびＸ３０１〜Ｘ３０４とそれぞれ同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００３８】
次に本発明の有機電界発光素子に用いられる一般式（１）〜（４）のいずれかで表わされる化合物例を示すが、本発明はこれに限定されない。
【００３９】
【化８】
【００４０】
【化９】
【００４１】
【化１０】
【００４２】
【化１１】
【００４３】
一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物は、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ． １９６０年，第８２号，３６０５頁，（１−１）；Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．、１９８４年，第２７１号，３１９頁，（１−２）；Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．１９９３年，第９号，７４４頁， （１−３）；（１−７）、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２００５年，第３４号，１６９８頁， （１−４）；Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ． １９６４年，第８６号，５５８４頁． （１−５）、Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ． １９６８年，第１１号，５５頁， （１−６）；などに記載の手法、及びその手法を参考に合成することが出来る。
【００４４】
一般式（１）〜（４）のいずれかで表されるシラン誘導体のガラス転移温度は８０℃以上、５００℃以下であることが好ましく、９０℃以上、４８０℃以下であることがより好ましく、１１０℃以上、４５０℃以下であることがさらに好ましく、１３０℃以上、４５０℃以下であることが特に好ましい。
【００４５】
一般式（１）〜（４）のいずれかで表されるシラン誘導体の最低励起三重項エネルギー準位は６０ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以上（２５１．４ｋＪ／ｍｏｌ以上）、９０ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以下（３７７．１ｋＪ／ｍｏｌ以下）が好ましく、６２ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５９．７８ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５６．１５ｋＫＪ／ｍｏｌ以下）がより好ましく、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２７２．３５ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３３５．２ｋＪ／ｍｏｌ以下）がさらに好ましい。
ここで、Ｔ1エネルギーは、材料の薄膜の燐光発光スペクトルを測定し、その短波長端から求めることができる。例えば、洗浄した石英ガラス基板上に、材料を真空蒸着法により約50ｎｍの膜厚に成膜する。薄膜の燐光発光スペクトルを液体窒素温度下でF-7000日立分光蛍光光度計（日立ハイテクノロジーズ）を用いて測定する。得られた発光スペクトルの短波長側の立ち上がり波長をエネルギー単位に換算することにより求めることができる。
【００４６】
＜４座配位子を有する白金錯体＞
本発明の有機電界発光素子は、一般式（１）で表される化合物、及び４座配位子を有する白金錯体を少なくとも一種有機化合物層に含有することを特徴とする。
４座配位子を有する白金錯体を用いることで、素子の発光効率が向上し、また駆動耐久性が向上するという点で優れる。
また、一般式（１）で表される化合物及び４座配位子を有する白金錯体の併用により発光層への電子の注入がより促進されると考えられ、電荷再結合位置および発光中心が発光層中心になる事で、素子の耐久性が向上しかつ、各素子の色度のばらつきが低減される。
【００４７】
４座配位子を有する白金錯体としては、国際公開第００−５７６７６号に記載の化合物が挙げられる。
【００４８】
４座配位子を有する白金錯体（燐光発光）材料として、より具体的には、米国特許第６，６５３，６５４号、国際公開第２００４-０９９３３９号、国際公開第０４−１０８８５７号、特開２００５−３１０７３３、特開２００５−３１７５１６、特開２００６−２６１６２３、特開２００６−９３５４２、特開２００６−２５６９９９、国際公開第０６−０９８５０５号、特開２００７−１９４６２、特開２００７−９６２５５、特開２００７−９６２５９、国際公開第０５−０４２４４４号、特開２００６−２３２７８４、米国特許第０１３４４６１号、国際公開第０５−０４２５５０号、に記載の化合物が好ましい。
【００４９】
４座配位子を有する白金錯体（燐光発光）材料として、２-アリールピリジン誘導体、２−(１-ピラゾリル)ピリジン誘導体、１-アリールピラゾール誘導体を配位子の部分構造として含むものが好ましく、２-アリールピリジン誘導体、２−(１-ピラゾリル)ピリジン誘導体を配位子の部分構造として含むものがより好ましく、２−(１-ピラゾリル)ピリジン誘導体を配位子の部分構造として含むものが特に好ましい。
【００５０】
また、上記の配位子の部分構造（例えば、２-アリールピリジン誘導体、２−(１-ピラゾリル)ピリジン誘導体、１-アリールピラゾール誘導体など）は、適当な部位で連結されて、４座の配位子を構成する。
【００５１】
２-アリールピリジン誘導体を配位子の部分構造として含む場合には、ピリジン環の6位、もしくは、アリール基のピリジン環に対してメタ位で連結することが好ましく、ピリジン環の6位同士、もしくは、アリール基のピリジン環に対してメタ位同士で連結することがより好ましく、ピリジン環の6位同士で連結することが特に好ましい。
２−(１-ピラゾリル)ピリジン誘導体を配位子の部分構造として含む場合は、ピリジン環の6位、もしくは、１−ピラゾリル基の４位で連結することが好ましく、ピリジン環の6位同士、もしくは、１−ピラゾリル基の４位同士で連結することがより好ましく、ピリジン環の６位同士で連結することが特に好ましい。
１-アリールピラゾール誘導体を配位子の部分構造として含む場合には、ピラゾール環の３位、もしくは、アリール基のピラゾール環に対してメタ位で連結することが好ましく、ピラゾール環の３位同士、もしくは、アリール基のピラゾール環に対してメタ位同士で連結することがより好ましく、ピラゾール環の３位同士で連結することが特に好ましい。
【００５２】
上記の配位子の部分構造を連結する構造としては、単結合であっても、２価の連結基であっても良いが、２価の連結基であることが好ましく、２価の連結基としては、例えば、メチレン連結、エチレン連結、フェニレン連結、窒素原子連結、酸素原子連結、硫黄原子連結、ケイ素原子連結が好ましく、メチレン連結、窒素原子連結、ケイ素原子連結がより好ましく、メチレン連結が特に好ましい。メチレン連結基として具体的には、メチレン基（―ＣＨ２―）、メチルメチレン基（―ＣＨＭｅ―）、フルオロメチルメチレン基（―ＣＦＭｅ―）、ジメチルメチレン基（―ＣＭｅ２―）、メチルフェニルメチレン基（―ＣＭｅＰｈ―）、ジフェニルメチレン基（―ＣＰｈ２―）、９，９−フルオレンジイル基、１，１−シクロペンタンジイル基、１，１−シクロヘキサンジイル基が挙げられ、ジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、９，９−フルオレニル基、１，１−シクロペンタンジイル基、１，１−シクロヘキサンジイル基が好ましく、ジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、１，１−シクロヘキサンジイル基がより好ましく、ジメチルメチレン基が特に好ましい。
【００５３】
また、４座配位子を有する白金錯体（燐光発光）材料として、より好ましいもののひとつは一般式（Ａ）で表されるＰｔ錯体である。
【００５４】
【化１２】
【００５５】
一般式（Ａ）中、ＲＡ３、ＲＡ４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、ＲＡ１、ＲＡ２は、それぞれ独立に、置換基を表す。ＲＡ１、ＲＡ２をそれぞれ複数個有する場合、複数個のＲＡ１、ＲＡ２は同じであっても異なってもよく、互いに連結して環を形成してもよい。ｎＡ１及びｎＡ２はそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。ＹＡ１は連結基を表す。
【００５６】
ＲＡ１、ＲＡ２、ＲＡ３、及びＲＡ４が表す置換基としては、下記置換基群Ａとして挙げた中から任意に選択することができる。
置換基群Ａ：
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル基、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基、アントラニル基などが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、２−エチルヘキシロキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ基、ピラジルオキシ基、ピリミジルオキシ基、キノリルオキシ基などが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、
【００５７】
アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ基、２−ベンズイミゾリルチオ基、２−ベンズオキサゾリルチオ基、２−ベンズチアゾリルチオ基などが挙げられる。）、
【００５８】
スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、チエニル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンズオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基などが挙げられる。）、ホスホリル基（例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基などが挙げられる。）
【００５９】
ＹＡ１が表す連結基としては、下記連結基群Ａとして挙げた中から任意に選択することができる。
連結基群Ａ：
アルキレン基（メチレン、エチレン、プロピレンなど）、アリーレン基（フェニレン、ナフタレンジイル）、ヘテロアリーレン基（ピリジンジイル、チオフェンジイルなど）、イミノ基（−ＮＲ−）（フェニルイミノ基など）、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、ホスフィニデン基（−ＰＲ−）（フェニルホスフィニデン基など）、シリレン基（−ＳｉＲＲ’−）（ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基など）、またはこれらを組み合わせたもの。これらの連結基は、さらに置換基を有していてもよい。
【００６０】
ＲＡ１、ＲＡ２、ＲＡ３、及びＲＡ４が表す置換基としては、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基が好ましく、アリール基、ヘテロ環基がより好ましく、アリール基が特に好ましい。
【００６１】
ＹＡ１が表す連結基としては、１，２位で置換したビニル基、フェニレン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環または炭素数１〜８のアルキレン基が好ましく、１，２位で置換したビニル基、フェニレン環、炭素数１〜６のアルキレン基がより好ましく、フェニレン環が特に好ましい。
【００６２】
ＲＡ３、及びＲＡ４が表す置換基は、ＹＡ１が表す連結基と連結して環を形成してもよく、例えば、ＹＡ１が１，２位で連結したフェニレン環である場合には、ＲＡ３、及びＲＡ４がそれぞれ３，６位で連結して、１，１０−フェナントロリン環を形成していてもよく、更に置換基を有していてもよい。
【００６３】
４座配位子を有する白金錯体（燐光発光）材料として、より好ましいもののひとつは一般式（Ｂ）で表されるＰｔ錯体である。
【００６４】
【化１３】
【００６５】
（一般式（Ｂ）中、ＡＢ１〜ＡＢ６はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。ＬＢ１は単結合または二価の連結基を表す。ＸはＣまたはＮを表す。Ｚは式中のＸ−Ｃと共に形成される５または６員の芳香環または芳香族ヘテロ環を表す。ＱＢ１はＰｔに結合するアニオン性の基を表す。）
【００６６】
一般式（Ｂ）について説明する。
ＡＢ１〜ＡＢ６はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。Ｒで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものと同義であり、好ましいものも同じである。
ＡＢ１〜ＡＢ６として好ましくはＣ−Ｒであり、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。ＡＢ１〜ＡＢ６がＣ−Ｒである場合に、ＡＢ２、ＡＢ５のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基であり、特に好ましく水素原子、フッ素基であり、ＡＢ１、ＡＢ３、ＡＢ４、ＡＢ６のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基であり、特に好ましく水素原子である。
【００６７】
ＬＢ１は単結合または二価の連結基を表す。
ＬＢ１で表される二価の連結基としては、アルキレン基（メチレン、エチレン、プロピレンなど）、アリーレン基（フェニレン、ナフタレンジイル）、ヘテロアリーレン基（ピリジンジイル、チオフェンジイルなど）、イミノ基（−ＮＲ−）（フェニルイミノ基など）、オキシ基（−Ｏ−）、チオ基（−Ｓ−）、ホスフィニデン基（−ＰＲ−）（フェニルホスフィニデン基など）、シリレン基（−ＳｉＲＲ’−）（ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基など）、またはこれらを組み合わせたものが挙げられる。これらの連結基は、さらに置換基を有していてもよい。
ＬＢ１として好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、より好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、イミノ基であり、さらに好ましくはアルキレン基であり、さらに好ましくはメチレン基であり、さらに好ましくはジ置換のメチレン基であり、さらに好ましくはジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジイソブチルメチレン基、ジベンジルメチレン基、エチルメチルメチレン基、メチルプロピルメチレン基、イソブチルメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、メチルフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、シクロペンタンジイル基、フルオレンジイル基、フルオロメチルメチレン基であり、特に好ましくはジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基である。
【００６８】
ＸはＣまたはＮを表す。Ｚは式中のＸ−Ｃと共に形成される５または６員の芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を表す。Ｚで表される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フェナントレン環、ペリレン環、ピリジン環、キノリン環、イソキノリン環、フェナントリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、シンノリン環、アクリジン環、フタラジン環、キナゾリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、プテリジン環、ピロール環、ピラゾール環、トリアゾール環、インドール環、カルバゾール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、イミダゾピリジン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、ホスホール環、ホスフィニン環、シロール環などが挙げられる。Ｚは置換基を有していてもよく、置換基としては前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。また、Ｚは他の環と縮合環を形成していても良い。
Ｚとして好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、インドール環、チオフェン環であり、より好ましくはベンゼン環、ピラゾール環、ピリジン環である。
【００６９】
ＱＢ１はＰｔに結合するアニオン性の基を表す。ＱＢ１で表されるアニオン性の基としては、ビニル配位子、芳香族炭化水素環配位子（例えばベンゼン配位子、ナフタレン配位子、アントラセン配位子、フェナントラセン配位子など）、ヘテロ環配位子（例えばフラン配位子、チオフェン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子および、それらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾチアゾール配位子など））が挙げられる。この時、ＱＢ１とＰｔの結合は、共有結合、イオン結合、配位結合などいずれであっても良い。ＱＢ１中のＰｔに結合する原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子が好ましく、ＱＢ１中のＰｔに結合する原子は炭素原子、酸素原子、窒素原子であることが好ましく、炭素原子であることがさらに好ましい。
ＱＢ１で表される基として好ましくは炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子、窒素原子でＰｔに結合する含窒素芳香族ヘテロ環配位子、アシルオキシ配位子であり、より好ましくは炭素原子でＰｔに結合する芳香族炭化水素環配位子、炭素原子でＰｔに結合する芳香族ヘテロ環配位子である。ＱＢ１で表される基としては特に一般式（Ｂ）中のＣ−Ｘと共に形成されるＺ環と同一の基であることが好ましい。
【００７０】
一般式（Ｂ）で表されるＰｔ錯体は、より好ましくは一般式（Ｃ）で表されるＰｔ錯体である。
【００７１】
【化１４】
【００７２】
（一般式（Ｃ）中、ＡＣ１〜ＡＣ１４はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。ＬＣ１は単結合または二価の連結基を表す。）
【００７３】
一般式（Ｃ）について説明する。
ＡＣ１〜ＡＣ１４はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。ＡＣ１〜ＡＣ６としては、前記一般式（Ｂ）におけるＡＢ１〜ＡＢ６と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００７４】
ＡＣ７〜ＡＣ１４としては、ＡＣ７〜ＡＣ１０とＡＣ１１〜ＡＣ１４のそれぞれにおいて、Ｎ(窒素原子)を表すものの数は、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましい。Ｎであるのは、ＡＣ８〜ＡＣ１０とＡＣ１２〜ＡＣ１４から選ばれるのが好ましく、ＡＣ８、ＡＣ９、ＡＣ１２、ＡＣ１３から選ばれるのがより好ましく、ＡＣ８、ＡＣ１２から選ばれるのが特に好ましい。
ＡＣ７〜ＡＣ１４がＣ−Ｒを表す場合に、ＡＣ８、ＡＣ１２のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、ポリフルオロアルキル基、アルキル基、アリール基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましく水素原子、ポリフルオロアルキル基、シアノ基である。ＡＣ７、ＡＣ９、ＡＣ１１、ＡＣ１３の表すＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、ポリフルオロアルキル基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましく水素原子、フッ素基である。ＡＣ１０、ＡＣ１４の表すＲとして好ましくは水素原子、フッ素基であり、より好ましくは水素原子である。ＡＣ７〜ＡＣ９、ＡＣ１１〜ＡＣ１３のいずれかがＣ−Ｒを表す場合に、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。
【００７５】
ＬＣ１で表される連結基としては、前記一般式（Ｂ）におけるＬＢ１が表す連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００７６】
一般式（Ｂ）で表されるＰｔ錯体は、より好ましくは一般式（Ｄ）で表されるＰｔ錯体である。
【００７７】
【化１５】
【００７８】
（一般式（Ｄ）中、ＡＤ１〜ＡＤ１２はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。ＬＤ１は単結合または二価の連結基を表す。）
【００７９】
一般式（Ｄ）について説明する。
ＡＤ１〜ＡＤ１２はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。
ＡＤ１〜ＡＤ６としては、前記一般式（Ｂ）におけるＡＢ１〜ＡＢ６が表す置換基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００８０】
ＡＤ７〜ＡＤ１２としては、ＡＤ７〜ＡＤ９とＡＤ１０〜ＡＣ１２のそれぞれにおいて、Ｎ(窒素原子)を表すものの数は、０〜２が好ましく、１〜２がより好ましく、１が特に好ましい。Ｎを表すものは、ＡＤ７〜ＡＤ９とＡＤ１０〜ＡＣ１２から選ばれることが好ましく、ＡＤ７、ＡＤ９、ＡＤ１０及びＡＤ１２から選ばれることがより好ましく、ＡＤ７及びＡＤ１０から選ばれることが特に好ましい。
ＡＤ７〜ＡＤ１２がＣ−Ｒである場合に、ＡＤ８、ＡＤ１１のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、ポリフルオロアルキル基、アルキル基、アリール基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましくポリフルオロアルキル基(例えば、トリフルオロメチル基やパーフルオロエチル基)、シアノ基である。ＡＤ７、ＡＤ９、ＡＤ１０、ＡＤ１２のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、ポリフルオロアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、フッ素基であり、特に好ましく水素原子である。ＡＤ７〜ＡＤ１２のいずれかがＤ−Ｒを表す場合に、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。
【００８１】
ＬＤ１で表される連結基としては、前記一般式（Ｂ）におけるＬＢ１が表す連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００８２】
４座配位子を有する白金錯体（燐光発光）材料として、より好ましいもののひとつは一般式（Ｅ）で表されるＰｔ錯体である。
【００８３】
【化１６】
【００８４】
（一般式（Ｅ）中、ＡＥ１〜ＡＥ１４はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。ＬＥ１は単結合または二価の連結基を表す。）
【００８５】
一般式（Ｅ）について説明する。ＡＥ１〜ＡＥ１２はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。ＡＥ１〜ＡＥ６としては、前記一般式（Ｂ）におけるＡＢ１〜ＡＢ６と同義であり、好ましい範囲も同様である。ＡＥ７〜ＡＥ１４としては、前記一般式（Ｃ）におけるＡＣ７〜ＡＣ１４と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００８６】
ＬＥ１で表される連結基としては、前記一般式（Ｂ）におけるＬＢ１が表す連結基と同義である。
ＬＥ１として好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、より好ましくはアルキレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、さらに好ましくはアルキレン基であり、さらに好ましくはメチレン基であり、さらに好ましくはジ置換のメチレン基であり、さらに好ましくはジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジイソブチルメチレン基、ジベンジルメチレン基、エチルメチルメチレン基、メチルプロピルメチレン基、イソブチルメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、メチルフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、シクロペンタンジイル基、フルオレンジイル基、フルオロメチルメチレン基であり、特に好ましくはジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基である。
【００８７】
４座配位子を有する白金錯体（燐光発光）材料として、より好ましいもののひとつは一般式（Ｆ）で表されるＰｔ錯体である。
【００８８】
【化１７】
【００８９】
（一般式（Ｆ）中、ＡＦ１〜ＡＦ１４はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。ＬＦ１は単結合または二価の連結基を表す。）
【００９０】
一般式（Ｆ）について説明する。
ＡＦ１〜ＡＦ１４はそれぞれ独立にＣ−ＲまたはＮを表す。Ｒは水素原子または置換基を表す。ＡＦ１〜ＡＦ５としては、前記一般式（Ｂ）におけるＡＢ１〜ＡＢ５と同義である。ＡＦ１〜ＡＦ５として好ましくはＣ−Ｒであり、Ｒ同士が互いに連結して環を形成していても良い。ＡＦ１〜ＡＦ５がＣ−Ｒである場合に、ＡＦ１〜ＡＦ５のＲとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素基、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アリール基、フッ素基、シアノ基であり、特に好ましくは水素原子である。
【００９１】
ＡＦ７〜ＡＦ１４としては、前記一般式（Ｃ）におけるＡＣ７〜ＡＣ１４と同義であり、好ましい範囲も同様である。特に、ＡＣ７〜ＡＣ９、ＡＣ１１〜ＡＣ１３のいずれかがＣ−Ｒである場合に、Ｒ同士が互いに連結して形成する環構造としては、フラン環、ベンゾフラン環、ピロール環、ベンゾピロール環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フルオレン環が好ましく、これらの環は更に置換基を有していてもよい。
【００９２】
ＬＦ１で表される連結基としては、前記一般式（Ｂ）におけるＬＢ１が表す連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００９３】
また、４座配位子を有する白金錯体燐光発光材料としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００９４】
【化１８】
【００９５】
【化１９】
【００９６】
【化２０】
【００９７】
【化２１】
【００９８】
【化２２】
【００９９】
【化２３】
【０１００】
【化２４】
【０１０１】
【化２５】
【０１０２】
【化２６】
【０１０３】
【化２７】
【０１０４】
【化２８】
【０１０５】
【化２９】
【０１０６】
【化３０】
【０１０７】
【化３１】
【０１０８】
【化３２】
【０１０９】
【化３３】
【０１１０】
【化３４】
【０１１１】
【化３５】
【０１１２】
【化３６】
【０１１３】
【化３７】
【０１１４】
【化３８】
【０１１５】
【化３９】
【０１１６】
【化４０】
【０１１７】
【化４１】
【０１１８】
【化４２】
【０１１９】
【化４３】
【０１２０】
【化４４】
【０１２１】
【化４５】
【０１２２】
【化４６】
【０１２３】
【化４７】
【０１２４】
【化４８】
【０１２５】
【化４９】
【０１２６】
【化５０】
【０１２７】
【化５１】
【０１２８】
【化５２】
【０１２９】
【化５３】
【０１３０】
【化５４】
【０１３１】
【化５５】
【０１３２】
【化５６】
【化５７】
【０１３３】
【化５８】
【０１３４】
【化５９】
【０１３５】
【化６０】
【０１３６】
【化６１】
【０１３７】
【化６２】
【０１３８】
【化６３】
【０１３９】
【化６４】
【０１４０】
上記錯体化合物として例示した化合物は、例えば以下に示す工程により製造することができる。
【０１４１】
上記の金属錯体化合物は、Journal of Organic Chemistry 53, 786, (1988) 、G. R. Newkomeet al.）の、７８９頁、左段５３行〜右段７行に記載の方法、７９０頁、左段１８行〜３８行に記載の方法、７９０頁、右段１９行〜３０行に記載の方法およびその組み合わせ、Chemische Berichte １１３, ２７４９ (１９８０)、H. Lexy ほか)の、２７５２ 頁、２６行〜３５行に記載の方法等、種々の手法で合成できる。
例えば、配位子、またはその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、もしくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、もしくは、塩基非存在下、室温以下、もしくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。
【０１４２】
本発明において、４座配位子を有する白金錯体は、発光材料として用いることが好ましい。
【０１４３】
４座配位子を有する白金錯体は、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜５０質量％含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有されることが好ましく、２質量％〜４０質量％含有されることがより好ましい。
【０１４４】
［有機電界発光素子］
以下、本発明の有機電界発光素子（以下、適宜「有機ＥＬ素子」と称する場合がある。）について詳細に説明する。
本発明の発光素子は基板上に陰極と陽極を有し、両電極の間に有機発光層（以下、単に「発光層」と称する場合がある。）を含む有機化合物層を有する。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
【０１４５】
本発明の有機電界発光素子は白色発光素子であっても良い。
【０１４６】
本発明における有機化合物層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
【０１４７】
本発明の発光素子は、ホール輸送層、発光層、電子輸送層の少なくとも３層を有する素子であることが好ましい。ホール輸送層と発光層の間に、発光層へのホール注入を促進する層、電子をブロックする層、励起子をブロックする層を追加することがより好ましい。
【０１４８】
次に、本発明の発光材料を構成する要素について、詳細に説明する。
【０１４９】
＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、イットリア安定化ジルコニア、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
【０１５０】
基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。
【０１５１】
基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。
【０１５２】
基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
【０１５３】
＜陽極＞
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
【０１５４】
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫
（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
【０１５５】
陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
【０１５６】
本発明の有機電界発光素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。が、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【０１５７】
なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【０１５８】
陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
【０１５９】
陽極の抵抗値としては、１０3Ω／□以下が好ましく、１０2Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
【０１６０】
なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
【０１６１】
＜陰極＞
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
【０１６２】
陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
【０１６３】
これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
【０１６４】
なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
【０１６５】
陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
【０１６６】
陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【０１６７】
本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
【０１６８】
陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【０１６９】
＜有機化合物層＞
本発明における有機化合物層について説明する。
本発明の有機電界発光素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、有機発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
【０１７０】
−有機化合物層の形成−
本発明の有機電界発光素子において、有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。
【０１７１】
−有機発光層−
有機発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。
【０１７２】
ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。
【０１７３】
また、本発明における発光層に含有されるホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。
【０１７４】
一般式（１）で表される化合物は、有機化合物層のうちいずれの層に含有されていてもよく、また複数の層に含有されていても良いが、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層に含有されていることが好ましく、発光層、電子輸送層に含有されていることがより好ましく、発光層に含有される場合にはホスト材料として含有されていることがもっとも好ましい。
発光層にホスト材料として一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物が含有される場合、発光層における一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物が含有率は、５〜９９．９質量％であることが好ましく、６０〜９９質量％であることがより好ましい。正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層に含有される場合、各層における本発明の化合物の含有率は、７０〜１００％であることが好ましく、８５〜１００％であることがより好ましく、１００％であることが最も好ましい。
【０１７５】
本発明の有機電界発光素子において、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物を発光層に隣接する層に含有することが好ましい。これにより、発光層での電荷（ホールおよび電子）の滞留を抑制できる。
また、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物を発光層に隣接する層に含有する場合、発光層に隣接する層中に、７０〜１００質量％含有されることが好ましく、９０〜１００質量％含有されることがより好ましい。
さらに、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物を発光層に隣接する層に含有する場合は、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物を単独で層とすることが膜の均一性の点で好ましい。
【０１７６】
また、本発明の有機電界発光素子において、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物を陰極に隣接する層に含有することが好ましい。これにより、陰極からの効率的な電子注入が可能となる。
一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物を陰極に隣接する層に含有する場合、陰極に隣接する層中に、７０〜１００質量％含有されることが好ましく、９０〜１００質量％含有されることがより好ましい。
【０１７７】
一般式（１）〜（４）のいずれかで表されるシラン誘導体が陰極に隣接する層に含まれる場合、その膜厚は１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましく、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることがより好ましく、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが特に好ましい。
【０１７８】
一般式（１）〜（４）で表されるシラン誘導体は、発光層及び陰極に隣接する層に含有することがより好ましい。
【０１７９】
発光層中に含まれるホスト材料の電荷移動度は １×１０−６ ｃｍ２／Ｖｓ以上、１×１０−１ｃｍ２／Ｖｓ以下であることが好ましく、５×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ以下であることがより好ましく、１×１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ以下であることがさらに好ましく、５×１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ以下であることが特に好ましい。
【０１８０】
本発明の発光素子に含まれるホスト材料のＴ１レベル（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、６０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５１．４ｋＪ／ｍｏｌ以上）、９０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３７７．１ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることが好ましく、６２ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５９．７８ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５Ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５６．１５ｋＪ／ｍｏｌ以下）がより好ましく、６５ ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２７２．３５ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３３５．２ ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることがさらに好ましい。
【０１８１】
本発明の発光素子の発光層に隣接する層のＴ１レベル（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、６０ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以上（２５１．４ｋＪ／ｍｏｌ以上）、９０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３７７．１ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることが好ましく、６２ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５９．７８ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５６．１５ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることがより好ましく、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２７２．３５ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３３５．２ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることがさらに好ましい。
【０１８２】
本発明の有機電界発光素子含まれるホスト材料、電子輸送層、及び、ホール輸送材料のガラス転移点は９０℃以上４００℃以下であることが好ましく、１００℃以上３８０℃以下であることがより好ましく、１２０℃以上３７０℃以下であることがさらに好ましく、１４０℃以上３６０℃以下であることが特に好ましい。
【０１８３】
発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは１種であっても２種以上であっても良い。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
また、発光層は１層であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
【０１８４】
本発明に使用できる蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
【０１８５】
また、本発明に使用できる燐光発光材料は、例えば、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。
遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金である。
ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
【０１８６】
錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著，Comprehensive Coordination Chemistry, PergamonPress社１９８７年発行、H.Yersin著，「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer-Verlag社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
【０１８７】
燐光材料として好ましくは、イリジウム錯体、白金錯体であり、特に四座配位子の白金錯体、フッ素置換フェニルピリジンを配位子に有するイリジウム錯体が好ましく、四座配位子の白金錯体が最も好ましい。
【０１８８】
燐光発光材料の具体例としては、前述の四座配位子の白金錯体の他に、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１８９】
【化６５】
【０１９０】
【化６６】
【０１９１】
【化６７】
【０１９２】
燐光発光材料は、発光層中に、０．１〜４０質量％含有されることが好ましく、０．５〜２０質量％含有されることがより好ましい。
【０１９３】
燐光発光材料の発光極大波長波長は５００ｎｍ以下である事が好ましく、４８０ｎｍ以下である事がよりに好ましく、４７０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、４６０ｎｍ以下であることが特に好ましい。
【０１９４】
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
【０１９５】
−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層、正孔輸送層は、具体的には、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、フェニルアゾールやフェニルアジンを配位子に有するＩｒ錯体に代表される各種金属錯体等を含有する層であることが好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１９６】
−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。電子注入層、電子輸送層は、具体的には、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
【０１９７】
電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１９８】
−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、ＢＡｌｑ[ビス-(2-メチル-8-キノリノレート)-4-(フェニルフェノレート)アルミニウム]等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ（2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン）等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１９９】
＜保護層＞
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＳｉＮx、ＳｉＮxＯy等の金属窒化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
【０２００】
保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【０２０１】
＜封止＞
さらに、本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
【０２０２】
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
【０２０３】
本発明の発光素子の外部量子効率としては、５％以上が好ましく、１０％以上がより好ましく、１３％以上がさらに好ましい。外部量子効率の数値は２０℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、もしくは、２０℃で素子を駆動したときの１００〜３００ｃｄ／ｍ２付近での外部量子効率の値を用いることができる。
【０２０４】
本発明の発光素子の内部量子効率は、３０％以上であることが好ましく、５０％以上がさらに好ましく、７０％以上がさらに好ましい。素子の内部量子効率は、外部量子効率を光取り出し効率で除して算出される。通常の有機ＥＬ素子では光取り出し効率は約２０％であるが、基板の形状、電極の形状、有機層の膜厚、無機層の膜厚、有機層の屈折率、無機層の屈折率等を工夫することにより、光取り出し効率を２０％以上にすることが可能で有る。
【実施例】
【０２０５】
［比較例１−１］
【０２０６】
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを１０ｎｍの厚みに蒸着し、この上に、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）を４０ｎｍの厚みに蒸着した。この上に、化合物Ｂ−１と化合物Ａを１２：８８の比率（質量比）で３０ｎｍの厚みに蒸着し（発光層）、この上に、ＢＡｌｑ[ビス-(2-メチル-8-キノリノレート)-4-(フェニルフェノレート)アルミニウム]を６ｎｍの厚みに蒸着し、この上に、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体）を２０ｎｍの厚みに蒸着した。この上に、フッ化リチウムを３ｎｍの厚みに蒸着した後、アルミニウム６０ｎｍを蒸着し、素子を作製した。東京システム開発（株）製のＯＬＥＤテストシステムＳＴ−Ｄ型にセットし、１０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で駆動させた。化合物Ｂ−１に由来するλｍａｘ＝４７０ｎｍのりん光発光が得られた。
［比較例１−２］
比較例１−１の化合物Ａの代わりに、化合物Ｄ−１を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。
［比較例１−３］
比較例１−１の化合物Ａの代わりに、化合物Ｄ−２を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。
［比較例１−４］
比較例１−１の化合物Ａの代わりに、化合物Ｄ−３を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。
［比較例１−５］
比較例１−１の化合物Ｂ−１の代わりに、化合物Ｂ−２を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−２に由来するりん光発光は観察されなかった。
［比較例１−６］
比較例１−５の化合物Ａの代わりに、化合物Ｄ−１を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−２に由来するりん光発光は観察されなかった。
［比較例１−７］
比較例１−５の化合物Ａの代わりに、化合物Ｄ−２を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−２に由来するりん光発光は観察されなかった。
［比較例１−８］
比較例１−５の化合物Ａの代わりに、化合物Ｄ−３を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−２に由来するりん光発光は観察されなかった。
［比較例１−９］
比較例１−１の化合物Ｂ−１の代わりに、化合物Ｂ−３を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−３に由来するλｍａｘ＝４７９ｎｍのりん光発光が得られた。
［比較例１−１０］
比較例１の化合物Ｂ−１の代わりに、化合物Ｂ−４を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−４に由来するλｍａｘ＝４７０ｎｍのりん光発光が得られた。
［比較例１−１１］
比較例１の化合物Ｂ−１の代わりに、化合物Ｂ−５を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−５に由来するλｍａｘ＝４９９ｎｍのりん光発光が得られた。
［比較例１−１２］
比較例１の化合物Ｂ−１の代わりに、化合物Ｂ−６を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−６に由来するλｍａｘ＝４８３ｎｍのりん光発光が得られた。
［比較例１−１３］
比較例１−１の化合物Ａの代わりに、化合物Ｂを用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−１に由来するりん光発光が得られた。
【０２０７】
【化６８】
【０２０８】
［実施例１−１］
比較例１−３の化合物Ａの代わりに一般式（２）の化合物（D−１）を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−３に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例１−２］
実施例１−１の化合物（D−１）の代わりに一般式（２）の化合物（D−２）を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−３に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例１−３］
実施例１−１の化合物（D−１）の代わりに一般式（２）の化合物（D−３）を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−３に由来するりん光発光が得られた。
［実施例１−４］
実施例１−１の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−４を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−４に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例１−５］
実施例１−２の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−４を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−４に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例１−６］
実施例１−３の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−４を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−４に由来するりん光発光が得られた。
［実施例１−７］
実施例１−１の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−５を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−５に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例１−８］
実施例１−２の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−５を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−５に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例１−９］
実施例１−３の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−５を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−５に由来するりん光発光が得られた。
［実施例１−１０］
実施例１−１の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−６を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−６に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例１−１１］
実施例１−２の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−６を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−６に由来する青色りん光発光が得られた。
［実施例１−１２］
実施例１−３の化合物Ｂ−３の代わりに化合物Ｂ−６を用い、比較例１−１と同様に素子評価した。化合物Ｂ−６に由来するりん光発光が得られた。
【０２０９】
【表１】
【０２１０】
表１から本発明の発光素子は、効率、耐久性がともに優れていることが分かる。
【０２１１】
［比較例２−１］
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）を１００ｎｍの厚みに蒸着した。この上に、化合物Ｂ−３と化合物Ｃを１３：８７の比率（質量比）で１５ｎｍの厚みに蒸着し（発光層）、この上に、ＢＡｌｑ[ビス-(2-メチル-8-キノリノレート)-4-(フェニルフェノレート)アルミニウム]を４０ｎｍの厚みに蒸着した（電子輸送層）。この上に、フッ化リチウムを３ｎｍの厚みに蒸着した後、アルミニウム６０ｎｍを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させた結果、化合物Ｂ−３に由来するりん光発光が得られた。
［比較例２−２］
比較例２−１の化合物Ｂ−３の代わりに、化合物Ｂ−４を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−４に由来するりん光発光が得られた。
［比較例２−３］
比較例２−１のＢ−３の代わりに、化合物Ｂ−５を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−５に由来するりん光発光が得られた。
［比較例２−４］
比較例２−１のＢ−３の代わりに、化合物Ｂ−６を用いて同様に素子作製評価した。化合物Ｂ−６に由来するりん光発光が得られた。
【０２１２】
［比較例２−５］
比較例２−１の電子輸送層であるＢＡｌｑの膜圧を４０ｎｍから３９ｎｍ変更、さらにその上にＡｌｑを１ｎｍの厚みに蒸着した。この上に、フッ化リチウムを３ｎｍの厚みに蒸着した後、アルミニウム６０ｎｍを蒸着し、素子を作製した。比較例２−１と同様に素子評価し、化合物Ｂ−３に由来する青色りん光発光が得られた。
［比較例２−６］
比較例２−４の化合物Ｂ−３の代わりに、化合物Ｂ−４を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−４に由来するりん光発光が得られた。
［比較例２−７］
比較例２−４のＢ−３の代わりに、化合物Ｂ−５を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−５に由来するりん光発光が得られた。
［比較例２−８］
比較例２−４のＢ−３の代わりに、化合物Ｂ−６を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−６に由来するりん光発光が得られた。
【０２１３】
【化６９】
【０２１４】
［実施例２−１］
比較例２−５のＡｌｑの代わりに、一般式（４）の化合物Ｄ−４を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−３に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−２］
比較例２−５のＡｌｑの代わりに、一般式（２）の化合物Ｄ−５を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−３に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−３］
比較例２−５のＡｌｑの代わりに、一般式（３）の化合物Ｄ−６を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−３に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−４］
比較例２−６のＡｌｑの代わりに、一般式（４）の化合物Ｄ−４を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−４に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−５］
比較例２−６のＡｌｑの代わりに、一般式（２）の化合物Ｄ−５を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−４に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−６］
比較例２−６のＡｌｑの代わりに、一般式（３）の化合物Ｄ−６を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−４に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−７］
比較例２−７のＡｌｑの代わりに、一般式（４）の化合物Ｄ−４を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−５に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−８］
比較例２−７のＡｌｑの代わりに、一般式（２）の化合物Ｄ−５を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−５に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−９］
比較例２−７のＡｌｑの代わりに、一般式（３）の化合物Ｄ−６を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−５に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−１０］
比較例２−８のＡｌｑの代わりに、一般式（４）の化合物Ｄ−４を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−６に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−１１］
比較例２−８のＡｌｑの代わりに、一般式（２）の化合物Ｄ−５を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−６に由来するりん光発光が得られた。
［実施例２−１２］
比較例２−８のＡｌｑの代わりに、一般式（３）の化合物Ｄ−６を用いて同様に素子作製評価した。Ｂ−６に由来するりん光発光が得られた。
【０２１５】
【表２】
【０２１６】
化合物Ｄ−１〜Ｄ−４で表される既知化合物は、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９６２年, 第２７号, １８３６頁, (Ｄ−１)；Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．１９８４年，第２７１号，３１９頁，（Ｄ−２）；Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２００５年，第３４号，１６９８頁， （Ｄ−３）；Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．１９９３年，第９号，７４４頁，（Ｄ−４）に記載の手法により合成することが出来る。また、新規化合物Ｄ−５、Ｄ−６も上記文献の手法を参考にして合成することが出来る。
【０２１７】
表２では、本発明に係る一般式（１）〜（４）のいずれかのシラン誘導体化合物は、発光層に隣接する層に含まれる場合も発明の効果が発揮されることが示されている。
本発明に係る他の一般式（１）〜（４）のいずれかのシラン誘導体化合物と白金錯体化合物を組み合わせて用いた発光素子でも、同様な効果を得ることが出来た。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に少なくとも、一般式（１）で表されるシラン誘導体、及び４座配位子を有する白金錯体を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【化１】
Ｒ１０１〜Ｒ１０４は水素原子または置換基を表す。Ｒ１０５〜Ｒ１０8は水素原子または置換基を表す。
【請求項２】
一般式(１)で表されるシラン誘導体が一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化２】
Ｒ２０１〜Ｒ２０４は水素原子または置換基を表す。Ｘ２０１〜Ｘ２０８は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。
【請求項３】
一般式(１)で表されるシラン誘導体が一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化３】
Ｒ３０１〜Ｒ３０４は水素原子または置換基を表す。Ｒ３０５、Ｒ３０６は水素原子または置換基を表す。Ｘ３０１〜Ｘ３０４は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。
【請求項４】
一般式(３)で表されるシラン誘導体が一般式（４）で表される化合物であることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
【化４】
Ｒ４０１〜Ｒ４０８は水素原子または置換基を表す。Ｒ４０９〜Ｒ４１２は水素原子または置換基を表す。Ｘ４０１、Ｘ４０２は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。
【請求項５】
一般式（１）〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体を発光層に含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
一般式（１）〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体を発光層に隣接する層に含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
一般式（１）〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体を陰極に隣接する層に含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
一般式（１）〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体のガラス転移温度が１３０℃以上、４５０℃以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
一般式（１）〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体の最低励起三重項エネルギー準位が６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２７２．３５ｋJ／ｍｏｌ）以上、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以下（３３５．２ ｋＪ／ｍｏｌ 以下）であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項１】
一対の電極間に少なくとも、一般式（１）で表されるシラン誘導体、及び４座配位子を有する白金錯体を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【化１】
Ｒ１０１〜Ｒ１０４は水素原子または置換基を表す。Ｒ１０５〜Ｒ１０8は水素原子または置換基を表す。
【請求項２】
一般式(１)で表されるシラン誘導体が一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化２】
Ｒ２０１〜Ｒ２０４は水素原子または置換基を表す。Ｘ２０１〜Ｘ２０８は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。
【請求項３】
一般式(１)で表されるシラン誘導体が一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化３】
Ｒ３０１〜Ｒ３０４は水素原子または置換基を表す。Ｒ３０５、Ｒ３０６は水素原子または置換基を表す。Ｘ３０１〜Ｘ３０４は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。
【請求項４】
一般式(３)で表されるシラン誘導体が一般式（４）で表される化合物であることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
【化４】
Ｒ４０１〜Ｒ４０８は水素原子または置換基を表す。Ｒ４０９〜Ｒ４１２は水素原子または置換基を表す。Ｘ４０１、Ｘ４０２は置換もしくは無置換の炭素原子、または、窒素原子を表す。
【請求項５】
一般式（１）〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体を発光層に含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
一般式（１）〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体を発光層に隣接する層に含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
一般式（１）〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体を陰極に隣接する層に含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
一般式（１）〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体のガラス転移温度が１３０℃以上、４５０℃以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
一般式（１）〜（４）の少なくとも１つで表されるシラン誘導体の最低励起三重項エネルギー準位が６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２７２．３５ｋJ／ｍｏｌ）以上、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ 以下（３３５．２ ｋＪ／ｍｏｌ 以下）であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の有機電界発光素子。
【公開番号】特開２００９−８１４０９（Ｐ２００９−８１４０９Ａ）
【公開日】平成２１年４月１６日（２００９．４．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−４６３１７（Ｐ２００８−４６３１７）
【出願日】平成２０年２月２７日（２００８．２．２７）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年４月１６日（２００９．４．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月２７日（２００８．２．２７）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
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