有機ＥＬ表示装置
【課題】製造コストを上昇させることなく電力配線の抵抗値を下げて、有機ＥＬ素子の発光の輝度ムラを低減する。
【解決手段】反射層１０１、第１透明電極１０４、有機ＥＬ発光層１０５，１０６、及び第２透明電極１０７がこの順に積層されてなり、有機ＥＬ発光層１０５，１０６からの発光を反射層１０１で表示装置の前面に向かって反射する。反射層１０１は、電気的に導通可能な材料により形成されて電気的配線に接続される。また、反射層１０１は、第１透明電極１０４側の表面に絶縁層１０２を設けて第１透明電極１０４と電気的に絶縁されている。
【解決手段】反射層１０１、第１透明電極１０４、有機ＥＬ発光層１０５，１０６、及び第２透明電極１０７がこの順に積層されてなり、有機ＥＬ発光層１０５，１０６からの発光を反射層１０１で表示装置の前面に向かって反射する。反射層１０１は、電気的に導通可能な材料により形成されて電気的配線に接続される。また、反射層１０１は、第１透明電極１０４側の表面に絶縁層１０２を設けて第１透明電極１０４と電気的に絶縁されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機化合物層からの発光を、反射層により表示装置の前面に反射するようにした有機ＥＬ表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ、ＯＬＥＤ）を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。有機ＥＬ素子を点灯させる方式を大別すると、パッシブマトリックス駆動方式とアクティブマトリックス駆動方式とがある。
【０００３】
パッシブマトリックス駆動方式では、表示装置内の有機ＥＬ素子で構成される画素すべてについて行列の配線を行い、この行列の配線をそれぞれ選択して電流を流すことにより、所望の画素を点灯させる。
【０００４】
一方、アクティブマトリックス駆動方式では、低温多結晶シリコントランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）などのアクティブ素子を各画素に配置して駆動することにより、所望の画素を点灯させる。
【０００５】
ここで、パッシブマトリックス駆動方式の表示装置では、行列の配線を表示装置内に配列することから、表示装置内の空間を画素と配線とが占有しており、配線のための空間分だけ画素の空間が狭くなっている。すなわち、パッシブマトリックス駆動方式では、配線による影響で画素の面積が縮小されてしまう。
【０００６】
これに対して、ＴＦＴを用いたアクティブマトリックス駆動方式の表示装置では、画素毎にＴＦＴを用い、ＴＦＴの上面または下面に有機ＥＬ素子を積層配置することで、画素の開口率が高い表示装置とすることができる。このように、アクティブマトリックス駆動方式は、開口率を大きくすることにより画素を縮小することが可能であるため、高精細な表示装置に好適に用いられる。したがって、有機ＥＬを用いた高精細な表示装置では、アクティブマトリックス駆動方式が主流となっている。
【０００７】
ＴＦＴを用いた配線接続では、第１電力配線にＴＦＴのソース電極が接続され、ＴＦＴのドレインに有機ＥＬ素子のアノードが接続され、有機ＥＬ素子のカソードに共通第２電力配線が接続されている。そして、ＴＦＴを選択的にＯＮ／ＯＦＦさせることで、第１電力配線からの電流がＴＦＴを通って有機ＥＬ素子に流れ、その電流が第２電力配線を通って電源に戻ってくる。ここで、複数の画素が同時にＯＮとなると、複数画素分の電流が電力配線の抵抗を通ることによって電圧降下が発生する。すると、第１電力配線及び第２電力配線で発生する電圧降下分だけ電源電圧が低下して、有機ＥＬ素子に所望の電流が流れなくなる。したがって、有機ＥＬ素子の発光に輝度ムラを生じさせてしまう。
【０００８】
そこで、電力配線の抵抗値を下げることを目的とした技術が開発されている（特許文献１参照）。
【０００９】
図８及び図９を参照して、特許文献１に記載された従来の有機ＥＬ表示装置を説明する。図８及び図９は、従来の有機ＥＬ表示装置を構成する画素領域の断面図である。なお、図８及び図９では、それぞれ断面方向が異なっている。
【００１０】
図中、８０１は保持容量、８０２は基板、８０３はチャネル領域、８０４はソース、８０５はドレイン、８０６は電気信号配線、８０７及び８０８は中継導電層、８０９は陽極導電膜、８１０はコンタクトホール、８１１は陰極導電膜（補助導電層）を示す。また、８１２は第１容量電極、８１３は第２容量電極、８１４は保護絶縁層、８１５はゲート絶縁層、８１６は第１層間絶縁層、８１７は半導体層、８１８はゲート電極、８１９は素子電極、８２０は正孔輸送層、８２１は発光層、８２２は共通陰極を示す。
【００１１】
特許文献１に記載された従来の有機ＥＬ表示装置には、図８及び図９に示すように、複数の走査線と、これらの走査線に直交して延びる複数の電気信号配線８０６とが設けられている。走査線及び電気信号配線８０６によって囲まれた領域が、素子領域に対応している。この交差点にスイッチング用ＴＦＴが設けられており、保持容量８０１がゲート・ソース間に接続されている。また、ＴＦＴのドレインがコンタクトホール８１０を介して素子電極８１９に接続されている。そして、素子電極８１９が正孔輸送層８２０に接続され、正孔輸送層８２０が発光層８２１に接続され、正孔輸送層８２０と発光層８２１とからなる有機機能層の陰極が共通陰極８２２に接続されている。また、共通陰極８２２が陰極導電膜（補助導電層）８１１に接続されている。
【００１２】
特許文献１に記載された従来の有機ＥＬ表示装置では、第１の電力配線上に層間絶縁膜を配設するとともに、この層間絶縁膜上に第２の電力配線を配設し、第１電力配線と第２電力配線とをコンタクトホールを介して接続している。そして、このような構成とすることにより、電力配線に寄生する抵抗値を低減させている。
【００１３】
【特許文献１】特開２００５−２１５３５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかし、特許文献１に記載された従来の有機ＥＬ表示装置では、第１電力配線と第２電力配線とを絶縁する層間絶縁膜を作成するためのプロセス工程が必要になるとともに、層間絶縁膜のコンタクトホールを作成するためのプロセス工程が必要となる。したがって、特許文献１に記載された従来の有機ＥＬ表示装置では、電力配線抵抗を低減させるために、プロセス工程を追加しなければならず、製造コストが上昇するという問題があった。
【００１５】
本発明は、上述した事情に鑑み提案されたもので、製造コストを上昇させることなく電力配線の抵抗値を下げて、有機ＥＬ素子の発光の輝度ムラを低減することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、上述した目的を達成するため、以下の特徴点を有している。すなわち、本発明の有機ＥＬ表示装置は、反射層、第１透明電極、有機化合物層、及び第２透明電極がこの順に積層されてなり、有機化合物層からの発光を反射層で表示装置の前面に向かって反射する構成となっている。そして、反射層は、電気的に導通可能な材料により形成されて電気的配線に接続されている。さらに、反射層は、第１透明電極側の表面に絶縁層を設けることにより、第１透明電極と電気的に絶縁されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の有機ＥＬ表示装置によれば、有機ＥＬ素子である有機化合物層からの発光を外部へ導くための反射層に対して電力配線の機能を共用させることで、層間絶縁膜やコンタクトホールを作成するプロセスが不要となる。このため、既存のプロセスを流用することにより、製造コストを上昇させることなく電力配線の抵抗値を下げることが可能となる。
【００１８】
また、電力配線の抵抗値を下げることにより、有機ＥＬ素子に所望の電流が流れるので、輝度ムラのない高品位な有機ＥＬ表示装置とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施形態を説明する。
【００２０】
＜第１の実施形態＞
まず、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００２１】
図１、図２、及び図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を示すもので、図１は、有機ＥＬ表示装置の平面図、図２は図１におけるＡ方向の縦断面図、図３は図１におけるＢ方向の縦断面図である。
【００２２】
図中、１０１は反射層、１０３は反射層と下層の電気的配線とを接続するためのコンタクトホール、１０５及び１０６は有機化合物層である有機ＥＬ発光層をそれぞれ示す。また、図中、１０２は金属酸化膜からなる絶縁層、１０４は第１透明電極、１０７は第２透明電極、１０８は平坦化膜、１０９は画素を分離する素子分離膜、１１０は有機ＥＬ発光層１０５，１０６を駆動するためのＴＦＴを示す。
【００２３】
本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、図１乃至図３に示すように、ＴＦＴ１１０のソース（Ｓ）が電源に接続されている。そして、ＴＦＴ１１０のドレイン（Ｄ）に第１透明電極１０４の一側が接続され、第１透明電極１０４の他側に有機化合物層である有機ＥＬ発光層１０５，１０６の一側が接続されている。さらに、有機化合物層である有機ＥＬ発光層１０５，１０６の他側に第２透明電極１０７が接続され、第２透明電極１０７が電源のＧＮＤに接続されている。
【００２４】
ＴＦＴ１１０を駆動することにより、有機化合物層である有機ＥＬ発光層１０５，１０６に電流が流れて、有機ＥＬ発光層１０５，１０６が発光する。ここで、有機化合物層である有機ＥＬ発光層１０５，１０６からの発光が第２透明電極１０７に向かって直接射出する場合と、その逆向きに第１透明電極１０４を通過して反射層１０１で反射し、図２及び図３において上方向に向かって射出する場合とがある。
【００２５】
このような構成からなる有機ＥＬ表示装置における配線抵抗について説明する。図５はＴＦＴの駆動回路図である。図中、５０１は保持容量、５０２は配線抵抗、５０３はＧＮＤ配線抵抗を示す。
【００２６】
図５に示すように、ＴＦＴ１１０の電源ラインに配線抵抗５０２が生じると、電圧降下によりＴＦＴ１１０のソース（Ｓ）の電位が低下する。すると、ＴＦＴ１１０のゲート・ソース間電圧ＶＧＳが低下して、所望の電流が有機ＥＬ発光層１０５に流れなくなる。
【００２７】
このような現象を回避するためには、電源ラインの配線抵抗を低下させればよい。すなわち、電源ラインの配線抵抗を低下させることにより、ＴＦＴ１１０のゲート・ソース間電圧ＶＧＳの低下を防止して、有機ＥＬ発光層１０５に所望の電流を出力することができる。
【００２８】
ここで、有機ＥＬ発光層１０５のカソードではＧＮＤ配線抵抗５０３によって電圧降下が生じるが、その影響をＴＦＴ１１０のドレイン・ソース間電圧ＶＤＳが補償して、有機ＥＬ表示装置に所望の電流を出力し続ける。
【００２９】
本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置において、電源ラインの配線抵抗を低下させる方法は、以下のとおりである。
【００３０】
すなわち、反射層１０１と金属配線とをコンタクトホールにより接続して、隣接する素子同士で電源を共有させるとともに、反射層１０１の第１透明電極側の表面を酸化して絶縁層１０２を形成する。これにより、反射層１０１を電気的配線として用いることができる。なお、電気的配線とは、電源及びＧＮＤ配線、あるいは電気信号配線のことをいう。
【００３１】
ここで、反射層１０１を絶縁するにはどのような方法を用いてもよいが、例えば、反射層１０１の表面を酸化もしくは窒化することにより、反射層１０１を電気的に絶縁することができる。
【００３２】
反射層１０１は、電気的に導通可能な材料により形成されており、このような材料として、ＣｒまたはＡｌを主成分とする材料を挙げることができる。なお、ＣｒまたはＡｌを主成分とする材料とは、Ｃｒ単体、Ａｌ単体、及びこれらにＳｉ、Ｃｕ等を含有させた材料のことである。そして、反射層１０１の表面を酸素によって酸化し、あるいは窒素によって窒化させることにより、絶縁層１０２を形成することができる。具体的には、Ｃｒ単体もしくはＣｒにＳｉ、Ｃｕ等を含有させた材料により反射層１０１を形成した場合には、その表面を酸化あるいは窒化することにより、Ｃｒ2Ｏ3、ＣｒＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＣｕＯ、ＣｕＮ等の絶縁層１０２を形成することができる。また、Ａｌ単体もしくはＡｌにＳｉ、Ｃｕ等を含有させた材料により反射層１０１を形成した場合には、その表面を酸化あるいは窒化することにより、ＡＬＯ2、ＡＬＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＣｕＯ、ＣｕＮ等の絶縁層１０２を形成することができる。この絶縁層１０２により、反射層１０１と第１透明電極１０４とが電気的に絶縁される。
【００３３】
次に、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の電力配線について説明する。図６は、従来の電力配線を用いた有機ＥＬ表示装置の模式図、図７は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の電力配線の模式図である。
【００３４】
なお、図７は、有機ＥＬ表示装置を簡略化して示したもので、すべての発光素子領域を示していないが、実際の有機ＥＬ表示装置では、発光素子領域がアレイ状に配置されている。また、図６では、有機ＥＬ表示装置の電力配線と画素との位置関係を示している。
【００３５】
図中、６００は有機ＥＬ表示装置、６０１、６０２、６０３は電力配線、６０４は画素部、６０５及び６０６は外部電極部（ＰＡＤ）を示す。また、図中、７０１及び７０２は電力配線を示す。
【００３６】
本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、図７に示すように、電力配線が外部電極部（ＰＡＤ）６０５，６０６にそれぞれ接続されており、外部電極部６０５，６０６と対極する位置の端部まで電力配線が延長され、それぞれが共通に接続されている。
【００３７】
図６に示すように、従来の有機ＥＬ表示装置において、電力配線６０１，６０２に寄生する抵抗値を、それぞれＲ１、Ｒ２とし、画素部６０４までの電力配線６０３に寄生する抵抗値をＲ３とする。ここで、画素部６０４までに寄生する総抵抗値は、Ｒ１／／Ｒ２＋Ｒ３として表すことができる。
【００３８】
本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、図７に示すように、反射層１０１を電力配線として用いており、電力配線抵抗はＲ４／／Ｒ５で表すことができる。
【００３９】
ここで、パネルが３インチであり、画素が中央に位置するようなモバイル用途の有機ＥＬ表示装置を想定して、電力配線抵抗値の概略を計算する。
【００４０】
図６に示す従来の有機ＥＬ表示装置において、Ａｌ電力配線のシート抵抗値を５０ｍΩ／□とし、電力配線６０１，６０２のシート数をそれぞれ８０シート、電力配線６０３のシート数を１１５０シートとして、電力配線抵抗値を概算する。
【００４１】
この場合、電力配線抵抗値は、（８０／／８０＋１１５０）×５０ｍΩ／□＝５９．５Ωとなる。
【００４２】
有機ＥＬの１素子あたりに流れる電流を１００ｎＡ、全素子数をＱＶＧＡ（３２０列×２４０行×ＲＧＢ）とすると、配線抵抗による電圧降下は、下記式（１）のように表すことができる。
【００４３】
１００ｎＡ×３２０×２４０×３×５９．５＝１．３７Ｖ ・・・ （１）
【００４４】
この電圧降下が、ＴＦＴのゲート・ソース間電圧ＶＧＳを低下させることになる。
【００４５】
ここで、有機ＥＬ素子に流れる電流をＩＥＬとして、ＴＦＴの電流・電圧の関係式を用いて演算すると、下記式（２）のようになる。
【００４６】
ＩＥＬ＝β／２・（ＶＧＳ−Ｖｔｈ）2 ・・・ （２）
【００４７】
なお、βはＴＦＴの形状であり、ゲート膜厚とキャリア移動度から決まる値である。また、ＶｔｈはＴＦＴのゲート・ソース間に電圧を徐々に印加していった場合に電流が流れ始めるゲート・ソース間電圧ＶＧＳである。
【００４８】
電力配線抵抗による有機ＥＬ素子の電流ＩＥＬ’は、式（１）及び式（２）より、下記式（３）で表すことができる。
【００４９】
ＩＥＬ’＝β／２・（ＶＧＳ−１．３７−Ｖｔｈ）2 ・・・ （３）
【００５０】
そして、式（２）及び式（３）より、電力配線抵抗によるＩＥＬの影響度合いは、下記式（４）で表すことができる。
【００５１】
（ＩＥＬ’−ＩＥＬ）／ＩＥＬ＝｛電圧降下／（ＶＧＳ−Ｖｔｈ）｝2−２・電圧降下／（ＶＧＳ−Ｖｔｈ） ・・・ （４）
【００５２】
ここで、ＶＧＳ−Ｖｔｈを２．５ｖに設定すると、式（４）より、下記式（５）の値となる。
【００５３】
（１．３７／２．５）2−２・１．３７／２．５＝−２０．４％ ・・・ （５）
【００５４】
上記式（５）より、電力配線に５９．５Ωの抵抗値があると、有機ＥＬ素子に流れる電流が２０．４％低下し、有機ＥＬ素子の発光輝度が２０．４％低下することになる。
【００５５】
同様に、図７に示す本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置において、Ａｌ電力配線のシート抵抗値を５０ｍΩ／□とし、反射層１０１のシート抵抗値を５０ｍΩ／□とし、電力配線７０１，７０２のシート数をそれぞれ２シートとする。この場合、電力配線抵抗値の概算値は、２／／２×５０ｍΩ／□＝５０ｍΩとなり、電力配線抵抗値による電圧降下は、１００ｎＡ×３２０×２４０×３×５０ｍ＝１．１５２ｍＶとなる。
【００５６】
この電圧降下を式（４）に代入すると、下記式（６）の値となる。
【００５７】
（１．１５２ｍ／２．５）2−２・１．１５２ｍ／２．５＝−０．０９％ ・・・ （６）
【００５８】
上記式（６）より、電力配線抵抗を５０ｍΩとすると、有機ＥＬ素子に流れる電流が０．０９％低下し、有機ＥＬ素子の発光輝度が０．０９％低下することになる。すなわち、従来の有機ＥＬ表示装置では２０．４％低下していた有機ＥＬ素子の発光輝度が、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では０．０９％低下に低減される。
【００５９】
上述したように、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、電力配線が素子領域を覆うようにレイアウトされ、かつ配線のインピーダンスが低いことから、外来ノイズに対する耐性が高くなる。例えば、静電ノイズが外部より流入した場合に、この静電ノイズはインピーダンスの低い電源端子に流れ去り、画素を構成するＴＦＴを破壊するには至らない。
【００６０】
また、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、内来ノイズに対する耐性も高くなる。例えば、電流の変動が生じて誘導性ノイズが発生した場合であっても、インピーダンスの低い電源端子にノイズが流れて、ＴＦＴ内にノイズが流入することを防止できる。
【００６１】
また、反射層１０１を電力配線として用いることにとどまらず、電気信号配線として用いてもよい。例えば、配線のシート抵抗を５０ｍΩ／□とし、反射層１０１のシート抵抗を５０ｍΩ／□とした場合に、配線と反射層１０１とが重なった層をなすことから、シート抵抗は５０ｍΩ／□／／５０ｍΩ／□＝２５ｍΩ／□となる。
【００６２】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００６３】
図４は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。なお、図４において、上述した第１の実施形態と同様の機能を有する部分には、同一の符号を付して説明を行う。
【００６４】
第１の実施形態では、図７に示すように、反射層１０１の横方向に電力配線を共通させていた。これに対して、第２の実施形態では、図４に示すように、さらに電力配線の抵抗値を低減させるために、反射層４０１の縦方向にも電源配線を共通させている。
【００６５】
ここで、Ａｌ電力配線のシート数を０．６５シートとして概算すると、電力配線抵抗値は、０．６５／／０．６５×５０ｍΩ／□＝１６．２５ｍΩとなる。
【００６６】
そして、この電力配線抵抗値による電圧降下は、１００ｎＡ×３２０×２４０×３×１６．２５ｍ＝０．３７４ｍＶとなる。
【００６７】
この電圧降下を上記式（４）に代入すると、下記式（７）の値となる。
【００６８】
（０．３７４ｍ／２．５）2−２・０．３７４ｍ／２．５＝−０．０１％ ・・・ （７）
【００６９】
上記式（７）より、電力配線抵抗を５０ｍΩとすると、有機ＥＬ素子に流れる電流が０．０１％低下し、有機ＥＬ素子の発光輝度が０．０１％低下となり、第１の実施形態における０．０９％低下よりもさらに低減されていることがわかる。
【００７０】
＜具体的な作用効果＞
以上説明したように、本発明の有機ＥＬ表示装置によれば、有機化合物層からの発光を外部へ導く反射層に対して電力配線の機能を共用させることで、製造コストを上昇させることなく電力配線の抵抗値を下げることができる。このため、輝度ムラのない高品位な有機ＥＬ表示装置となる。
【００７１】
ここで、既存電力配線の配線抵抗値をＲkizonとし、反射層の配線抵抗値をＲhansyametaruとした場合に、電力配線の総抵抗値Ｒsouteikouは、Ｒsouteikou＝Ｒkizon／／Ｒhansyametaruと表すことができる。したがって、本発明の有機ＥＬ表示装置では、既存電力配線の配線抵抗値Ｒkizonに比べて電力配線総抵抗値を下げることができる。
【００７２】
そして、電力配線の抵抗値を下げることにより、有機ＥＬ素子に流れる電流によって生じる電力配線部の電圧降下を低減することができる。
【００７３】
また、反射層を電源もしくはＧＮＤに接続し、電力配線として用いることにより、配線インピーダンスが低くなる。このため、外部からノイズが流入したとしても、このノイズは反射層を介して電源もしくはＧＮＤへ流れるため、下層のＴＦＴや容量等の能動・受動素子を保護することができる。また、下層のＴＦＴがスイッチングした時などにノイズが発生しても、このノイズは反射層を介して電源もしくはＧＮＤへ流れるため、表示装置外へのノイズ放出を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の縦断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の縦断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図５】ＴＦＴの駆動回路図である。
【図６】従来の電力配線を用いた有機ＥＬ表示装置の模式図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の電力配線の模式図である。
【図８】従来の有機ＥＬ表示装置を構成する画素領域の断面図である。
【図９】従来の有機ＥＬ表示装置を構成する画素領域の断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１０１，４０１ 反射層
１０２ 絶縁層
１０４ 第１透明電極
１０５，１０６ 有機ＥＬ発光層
１０７ 第２透明電極
６００ 有機ＥＬ表示装置
６０１，６０２，６０３，７０１，７０２， 電力配線
６０５，６０６ 外部電極部（ＰＡＤ）
８０６ 電気信号配線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機化合物層からの発光を、反射層により表示装置の前面に反射するようにした有機ＥＬ表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ、ＯＬＥＤ）を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。有機ＥＬ素子を点灯させる方式を大別すると、パッシブマトリックス駆動方式とアクティブマトリックス駆動方式とがある。
【０００３】
パッシブマトリックス駆動方式では、表示装置内の有機ＥＬ素子で構成される画素すべてについて行列の配線を行い、この行列の配線をそれぞれ選択して電流を流すことにより、所望の画素を点灯させる。
【０００４】
一方、アクティブマトリックス駆動方式では、低温多結晶シリコントランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）などのアクティブ素子を各画素に配置して駆動することにより、所望の画素を点灯させる。
【０００５】
ここで、パッシブマトリックス駆動方式の表示装置では、行列の配線を表示装置内に配列することから、表示装置内の空間を画素と配線とが占有しており、配線のための空間分だけ画素の空間が狭くなっている。すなわち、パッシブマトリックス駆動方式では、配線による影響で画素の面積が縮小されてしまう。
【０００６】
これに対して、ＴＦＴを用いたアクティブマトリックス駆動方式の表示装置では、画素毎にＴＦＴを用い、ＴＦＴの上面または下面に有機ＥＬ素子を積層配置することで、画素の開口率が高い表示装置とすることができる。このように、アクティブマトリックス駆動方式は、開口率を大きくすることにより画素を縮小することが可能であるため、高精細な表示装置に好適に用いられる。したがって、有機ＥＬを用いた高精細な表示装置では、アクティブマトリックス駆動方式が主流となっている。
【０００７】
ＴＦＴを用いた配線接続では、第１電力配線にＴＦＴのソース電極が接続され、ＴＦＴのドレインに有機ＥＬ素子のアノードが接続され、有機ＥＬ素子のカソードに共通第２電力配線が接続されている。そして、ＴＦＴを選択的にＯＮ／ＯＦＦさせることで、第１電力配線からの電流がＴＦＴを通って有機ＥＬ素子に流れ、その電流が第２電力配線を通って電源に戻ってくる。ここで、複数の画素が同時にＯＮとなると、複数画素分の電流が電力配線の抵抗を通ることによって電圧降下が発生する。すると、第１電力配線及び第２電力配線で発生する電圧降下分だけ電源電圧が低下して、有機ＥＬ素子に所望の電流が流れなくなる。したがって、有機ＥＬ素子の発光に輝度ムラを生じさせてしまう。
【０００８】
そこで、電力配線の抵抗値を下げることを目的とした技術が開発されている（特許文献１参照）。
【０００９】
図８及び図９を参照して、特許文献１に記載された従来の有機ＥＬ表示装置を説明する。図８及び図９は、従来の有機ＥＬ表示装置を構成する画素領域の断面図である。なお、図８及び図９では、それぞれ断面方向が異なっている。
【００１０】
図中、８０１は保持容量、８０２は基板、８０３はチャネル領域、８０４はソース、８０５はドレイン、８０６は電気信号配線、８０７及び８０８は中継導電層、８０９は陽極導電膜、８１０はコンタクトホール、８１１は陰極導電膜（補助導電層）を示す。また、８１２は第１容量電極、８１３は第２容量電極、８１４は保護絶縁層、８１５はゲート絶縁層、８１６は第１層間絶縁層、８１７は半導体層、８１８はゲート電極、８１９は素子電極、８２０は正孔輸送層、８２１は発光層、８２２は共通陰極を示す。
【００１１】
特許文献１に記載された従来の有機ＥＬ表示装置には、図８及び図９に示すように、複数の走査線と、これらの走査線に直交して延びる複数の電気信号配線８０６とが設けられている。走査線及び電気信号配線８０６によって囲まれた領域が、素子領域に対応している。この交差点にスイッチング用ＴＦＴが設けられており、保持容量８０１がゲート・ソース間に接続されている。また、ＴＦＴのドレインがコンタクトホール８１０を介して素子電極８１９に接続されている。そして、素子電極８１９が正孔輸送層８２０に接続され、正孔輸送層８２０が発光層８２１に接続され、正孔輸送層８２０と発光層８２１とからなる有機機能層の陰極が共通陰極８２２に接続されている。また、共通陰極８２２が陰極導電膜（補助導電層）８１１に接続されている。
【００１２】
特許文献１に記載された従来の有機ＥＬ表示装置では、第１の電力配線上に層間絶縁膜を配設するとともに、この層間絶縁膜上に第２の電力配線を配設し、第１電力配線と第２電力配線とをコンタクトホールを介して接続している。そして、このような構成とすることにより、電力配線に寄生する抵抗値を低減させている。
【００１３】
【特許文献１】特開２００５−２１５３５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかし、特許文献１に記載された従来の有機ＥＬ表示装置では、第１電力配線と第２電力配線とを絶縁する層間絶縁膜を作成するためのプロセス工程が必要になるとともに、層間絶縁膜のコンタクトホールを作成するためのプロセス工程が必要となる。したがって、特許文献１に記載された従来の有機ＥＬ表示装置では、電力配線抵抗を低減させるために、プロセス工程を追加しなければならず、製造コストが上昇するという問題があった。
【００１５】
本発明は、上述した事情に鑑み提案されたもので、製造コストを上昇させることなく電力配線の抵抗値を下げて、有機ＥＬ素子の発光の輝度ムラを低減することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、上述した目的を達成するため、以下の特徴点を有している。すなわち、本発明の有機ＥＬ表示装置は、反射層、第１透明電極、有機化合物層、及び第２透明電極がこの順に積層されてなり、有機化合物層からの発光を反射層で表示装置の前面に向かって反射する構成となっている。そして、反射層は、電気的に導通可能な材料により形成されて電気的配線に接続されている。さらに、反射層は、第１透明電極側の表面に絶縁層を設けることにより、第１透明電極と電気的に絶縁されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の有機ＥＬ表示装置によれば、有機ＥＬ素子である有機化合物層からの発光を外部へ導くための反射層に対して電力配線の機能を共用させることで、層間絶縁膜やコンタクトホールを作成するプロセスが不要となる。このため、既存のプロセスを流用することにより、製造コストを上昇させることなく電力配線の抵抗値を下げることが可能となる。
【００１８】
また、電力配線の抵抗値を下げることにより、有機ＥＬ素子に所望の電流が流れるので、輝度ムラのない高品位な有機ＥＬ表示装置とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施形態を説明する。
【００２０】
＜第１の実施形態＞
まず、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００２１】
図１、図２、及び図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を示すもので、図１は、有機ＥＬ表示装置の平面図、図２は図１におけるＡ方向の縦断面図、図３は図１におけるＢ方向の縦断面図である。
【００２２】
図中、１０１は反射層、１０３は反射層と下層の電気的配線とを接続するためのコンタクトホール、１０５及び１０６は有機化合物層である有機ＥＬ発光層をそれぞれ示す。また、図中、１０２は金属酸化膜からなる絶縁層、１０４は第１透明電極、１０７は第２透明電極、１０８は平坦化膜、１０９は画素を分離する素子分離膜、１１０は有機ＥＬ発光層１０５，１０６を駆動するためのＴＦＴを示す。
【００２３】
本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、図１乃至図３に示すように、ＴＦＴ１１０のソース（Ｓ）が電源に接続されている。そして、ＴＦＴ１１０のドレイン（Ｄ）に第１透明電極１０４の一側が接続され、第１透明電極１０４の他側に有機化合物層である有機ＥＬ発光層１０５，１０６の一側が接続されている。さらに、有機化合物層である有機ＥＬ発光層１０５，１０６の他側に第２透明電極１０７が接続され、第２透明電極１０７が電源のＧＮＤに接続されている。
【００２４】
ＴＦＴ１１０を駆動することにより、有機化合物層である有機ＥＬ発光層１０５，１０６に電流が流れて、有機ＥＬ発光層１０５，１０６が発光する。ここで、有機化合物層である有機ＥＬ発光層１０５，１０６からの発光が第２透明電極１０７に向かって直接射出する場合と、その逆向きに第１透明電極１０４を通過して反射層１０１で反射し、図２及び図３において上方向に向かって射出する場合とがある。
【００２５】
このような構成からなる有機ＥＬ表示装置における配線抵抗について説明する。図５はＴＦＴの駆動回路図である。図中、５０１は保持容量、５０２は配線抵抗、５０３はＧＮＤ配線抵抗を示す。
【００２６】
図５に示すように、ＴＦＴ１１０の電源ラインに配線抵抗５０２が生じると、電圧降下によりＴＦＴ１１０のソース（Ｓ）の電位が低下する。すると、ＴＦＴ１１０のゲート・ソース間電圧ＶＧＳが低下して、所望の電流が有機ＥＬ発光層１０５に流れなくなる。
【００２７】
このような現象を回避するためには、電源ラインの配線抵抗を低下させればよい。すなわち、電源ラインの配線抵抗を低下させることにより、ＴＦＴ１１０のゲート・ソース間電圧ＶＧＳの低下を防止して、有機ＥＬ発光層１０５に所望の電流を出力することができる。
【００２８】
ここで、有機ＥＬ発光層１０５のカソードではＧＮＤ配線抵抗５０３によって電圧降下が生じるが、その影響をＴＦＴ１１０のドレイン・ソース間電圧ＶＤＳが補償して、有機ＥＬ表示装置に所望の電流を出力し続ける。
【００２９】
本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置において、電源ラインの配線抵抗を低下させる方法は、以下のとおりである。
【００３０】
すなわち、反射層１０１と金属配線とをコンタクトホールにより接続して、隣接する素子同士で電源を共有させるとともに、反射層１０１の第１透明電極側の表面を酸化して絶縁層１０２を形成する。これにより、反射層１０１を電気的配線として用いることができる。なお、電気的配線とは、電源及びＧＮＤ配線、あるいは電気信号配線のことをいう。
【００３１】
ここで、反射層１０１を絶縁するにはどのような方法を用いてもよいが、例えば、反射層１０１の表面を酸化もしくは窒化することにより、反射層１０１を電気的に絶縁することができる。
【００３２】
反射層１０１は、電気的に導通可能な材料により形成されており、このような材料として、ＣｒまたはＡｌを主成分とする材料を挙げることができる。なお、ＣｒまたはＡｌを主成分とする材料とは、Ｃｒ単体、Ａｌ単体、及びこれらにＳｉ、Ｃｕ等を含有させた材料のことである。そして、反射層１０１の表面を酸素によって酸化し、あるいは窒素によって窒化させることにより、絶縁層１０２を形成することができる。具体的には、Ｃｒ単体もしくはＣｒにＳｉ、Ｃｕ等を含有させた材料により反射層１０１を形成した場合には、その表面を酸化あるいは窒化することにより、Ｃｒ2Ｏ3、ＣｒＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＣｕＯ、ＣｕＮ等の絶縁層１０２を形成することができる。また、Ａｌ単体もしくはＡｌにＳｉ、Ｃｕ等を含有させた材料により反射層１０１を形成した場合には、その表面を酸化あるいは窒化することにより、ＡＬＯ2、ＡＬＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＣｕＯ、ＣｕＮ等の絶縁層１０２を形成することができる。この絶縁層１０２により、反射層１０１と第１透明電極１０４とが電気的に絶縁される。
【００３３】
次に、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の電力配線について説明する。図６は、従来の電力配線を用いた有機ＥＬ表示装置の模式図、図７は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の電力配線の模式図である。
【００３４】
なお、図７は、有機ＥＬ表示装置を簡略化して示したもので、すべての発光素子領域を示していないが、実際の有機ＥＬ表示装置では、発光素子領域がアレイ状に配置されている。また、図６では、有機ＥＬ表示装置の電力配線と画素との位置関係を示している。
【００３５】
図中、６００は有機ＥＬ表示装置、６０１、６０２、６０３は電力配線、６０４は画素部、６０５及び６０６は外部電極部（ＰＡＤ）を示す。また、図中、７０１及び７０２は電力配線を示す。
【００３６】
本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、図７に示すように、電力配線が外部電極部（ＰＡＤ）６０５，６０６にそれぞれ接続されており、外部電極部６０５，６０６と対極する位置の端部まで電力配線が延長され、それぞれが共通に接続されている。
【００３７】
図６に示すように、従来の有機ＥＬ表示装置において、電力配線６０１，６０２に寄生する抵抗値を、それぞれＲ１、Ｒ２とし、画素部６０４までの電力配線６０３に寄生する抵抗値をＲ３とする。ここで、画素部６０４までに寄生する総抵抗値は、Ｒ１／／Ｒ２＋Ｒ３として表すことができる。
【００３８】
本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、図７に示すように、反射層１０１を電力配線として用いており、電力配線抵抗はＲ４／／Ｒ５で表すことができる。
【００３９】
ここで、パネルが３インチであり、画素が中央に位置するようなモバイル用途の有機ＥＬ表示装置を想定して、電力配線抵抗値の概略を計算する。
【００４０】
図６に示す従来の有機ＥＬ表示装置において、Ａｌ電力配線のシート抵抗値を５０ｍΩ／□とし、電力配線６０１，６０２のシート数をそれぞれ８０シート、電力配線６０３のシート数を１１５０シートとして、電力配線抵抗値を概算する。
【００４１】
この場合、電力配線抵抗値は、（８０／／８０＋１１５０）×５０ｍΩ／□＝５９．５Ωとなる。
【００４２】
有機ＥＬの１素子あたりに流れる電流を１００ｎＡ、全素子数をＱＶＧＡ（３２０列×２４０行×ＲＧＢ）とすると、配線抵抗による電圧降下は、下記式（１）のように表すことができる。
【００４３】
１００ｎＡ×３２０×２４０×３×５９．５＝１．３７Ｖ ・・・ （１）
【００４４】
この電圧降下が、ＴＦＴのゲート・ソース間電圧ＶＧＳを低下させることになる。
【００４５】
ここで、有機ＥＬ素子に流れる電流をＩＥＬとして、ＴＦＴの電流・電圧の関係式を用いて演算すると、下記式（２）のようになる。
【００４６】
ＩＥＬ＝β／２・（ＶＧＳ−Ｖｔｈ）2 ・・・ （２）
【００４７】
なお、βはＴＦＴの形状であり、ゲート膜厚とキャリア移動度から決まる値である。また、ＶｔｈはＴＦＴのゲート・ソース間に電圧を徐々に印加していった場合に電流が流れ始めるゲート・ソース間電圧ＶＧＳである。
【００４８】
電力配線抵抗による有機ＥＬ素子の電流ＩＥＬ’は、式（１）及び式（２）より、下記式（３）で表すことができる。
【００４９】
ＩＥＬ’＝β／２・（ＶＧＳ−１．３７−Ｖｔｈ）2 ・・・ （３）
【００５０】
そして、式（２）及び式（３）より、電力配線抵抗によるＩＥＬの影響度合いは、下記式（４）で表すことができる。
【００５１】
（ＩＥＬ’−ＩＥＬ）／ＩＥＬ＝｛電圧降下／（ＶＧＳ−Ｖｔｈ）｝2−２・電圧降下／（ＶＧＳ−Ｖｔｈ） ・・・ （４）
【００５２】
ここで、ＶＧＳ−Ｖｔｈを２．５ｖに設定すると、式（４）より、下記式（５）の値となる。
【００５３】
（１．３７／２．５）2−２・１．３７／２．５＝−２０．４％ ・・・ （５）
【００５４】
上記式（５）より、電力配線に５９．５Ωの抵抗値があると、有機ＥＬ素子に流れる電流が２０．４％低下し、有機ＥＬ素子の発光輝度が２０．４％低下することになる。
【００５５】
同様に、図７に示す本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置において、Ａｌ電力配線のシート抵抗値を５０ｍΩ／□とし、反射層１０１のシート抵抗値を５０ｍΩ／□とし、電力配線７０１，７０２のシート数をそれぞれ２シートとする。この場合、電力配線抵抗値の概算値は、２／／２×５０ｍΩ／□＝５０ｍΩとなり、電力配線抵抗値による電圧降下は、１００ｎＡ×３２０×２４０×３×５０ｍ＝１．１５２ｍＶとなる。
【００５６】
この電圧降下を式（４）に代入すると、下記式（６）の値となる。
【００５７】
（１．１５２ｍ／２．５）2−２・１．１５２ｍ／２．５＝−０．０９％ ・・・ （６）
【００５８】
上記式（６）より、電力配線抵抗を５０ｍΩとすると、有機ＥＬ素子に流れる電流が０．０９％低下し、有機ＥＬ素子の発光輝度が０．０９％低下することになる。すなわち、従来の有機ＥＬ表示装置では２０．４％低下していた有機ＥＬ素子の発光輝度が、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では０．０９％低下に低減される。
【００５９】
上述したように、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、電力配線が素子領域を覆うようにレイアウトされ、かつ配線のインピーダンスが低いことから、外来ノイズに対する耐性が高くなる。例えば、静電ノイズが外部より流入した場合に、この静電ノイズはインピーダンスの低い電源端子に流れ去り、画素を構成するＴＦＴを破壊するには至らない。
【００６０】
また、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、内来ノイズに対する耐性も高くなる。例えば、電流の変動が生じて誘導性ノイズが発生した場合であっても、インピーダンスの低い電源端子にノイズが流れて、ＴＦＴ内にノイズが流入することを防止できる。
【００６１】
また、反射層１０１を電力配線として用いることにとどまらず、電気信号配線として用いてもよい。例えば、配線のシート抵抗を５０ｍΩ／□とし、反射層１０１のシート抵抗を５０ｍΩ／□とした場合に、配線と反射層１０１とが重なった層をなすことから、シート抵抗は５０ｍΩ／□／／５０ｍΩ／□＝２５ｍΩ／□となる。
【００６２】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００６３】
図４は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。なお、図４において、上述した第１の実施形態と同様の機能を有する部分には、同一の符号を付して説明を行う。
【００６４】
第１の実施形態では、図７に示すように、反射層１０１の横方向に電力配線を共通させていた。これに対して、第２の実施形態では、図４に示すように、さらに電力配線の抵抗値を低減させるために、反射層４０１の縦方向にも電源配線を共通させている。
【００６５】
ここで、Ａｌ電力配線のシート数を０．６５シートとして概算すると、電力配線抵抗値は、０．６５／／０．６５×５０ｍΩ／□＝１６．２５ｍΩとなる。
【００６６】
そして、この電力配線抵抗値による電圧降下は、１００ｎＡ×３２０×２４０×３×１６．２５ｍ＝０．３７４ｍＶとなる。
【００６７】
この電圧降下を上記式（４）に代入すると、下記式（７）の値となる。
【００６８】
（０．３７４ｍ／２．５）2−２・０．３７４ｍ／２．５＝−０．０１％ ・・・ （７）
【００６９】
上記式（７）より、電力配線抵抗を５０ｍΩとすると、有機ＥＬ素子に流れる電流が０．０１％低下し、有機ＥＬ素子の発光輝度が０．０１％低下となり、第１の実施形態における０．０９％低下よりもさらに低減されていることがわかる。
【００７０】
＜具体的な作用効果＞
以上説明したように、本発明の有機ＥＬ表示装置によれば、有機化合物層からの発光を外部へ導く反射層に対して電力配線の機能を共用させることで、製造コストを上昇させることなく電力配線の抵抗値を下げることができる。このため、輝度ムラのない高品位な有機ＥＬ表示装置となる。
【００７１】
ここで、既存電力配線の配線抵抗値をＲkizonとし、反射層の配線抵抗値をＲhansyametaruとした場合に、電力配線の総抵抗値Ｒsouteikouは、Ｒsouteikou＝Ｒkizon／／Ｒhansyametaruと表すことができる。したがって、本発明の有機ＥＬ表示装置では、既存電力配線の配線抵抗値Ｒkizonに比べて電力配線総抵抗値を下げることができる。
【００７２】
そして、電力配線の抵抗値を下げることにより、有機ＥＬ素子に流れる電流によって生じる電力配線部の電圧降下を低減することができる。
【００７３】
また、反射層を電源もしくはＧＮＤに接続し、電力配線として用いることにより、配線インピーダンスが低くなる。このため、外部からノイズが流入したとしても、このノイズは反射層を介して電源もしくはＧＮＤへ流れるため、下層のＴＦＴや容量等の能動・受動素子を保護することができる。また、下層のＴＦＴがスイッチングした時などにノイズが発生しても、このノイズは反射層を介して電源もしくはＧＮＤへ流れるため、表示装置外へのノイズ放出を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の縦断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の縦断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図５】ＴＦＴの駆動回路図である。
【図６】従来の電力配線を用いた有機ＥＬ表示装置の模式図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の電力配線の模式図である。
【図８】従来の有機ＥＬ表示装置を構成する画素領域の断面図である。
【図９】従来の有機ＥＬ表示装置を構成する画素領域の断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１０１，４０１ 反射層
１０２ 絶縁層
１０４ 第１透明電極
１０５，１０６ 有機ＥＬ発光層
１０７ 第２透明電極
６００ 有機ＥＬ表示装置
６０１，６０２，６０３，７０１，７０２， 電力配線
６０５，６０６ 外部電極部（ＰＡＤ）
８０６ 電気信号配線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射層、第１透明電極、有機化合物層、及び第２透明電極がこの順に積層されてなり、前記有機化合物層からの発光を前記反射層で表示装置の前面に向かって反射する有機ＥＬ表示装置であって、
前記反射層は、電気的に導通可能な材料により形成されて電気的配線に接続されるとともに、前記第１透明電極側の表面に絶縁層を設けて前記第１透明電極と電気的に絶縁されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記電気的配線は、電源及びＧＮＤ配線であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記電気的配線は、電気信号配線であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記反射層は、Ｃｒを主成分とする材料により形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記反射層は、Ａｌを主成分とする材料により形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１】
反射層、第１透明電極、有機化合物層、及び第２透明電極がこの順に積層されてなり、前記有機化合物層からの発光を前記反射層で表示装置の前面に向かって反射する有機ＥＬ表示装置であって、
前記反射層は、電気的に導通可能な材料により形成されて電気的配線に接続されるとともに、前記第１透明電極側の表面に絶縁層を設けて前記第１透明電極と電気的に絶縁されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記電気的配線は、電源及びＧＮＤ配線であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記電気的配線は、電気信号配線であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記反射層は、Ｃｒを主成分とする材料により形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記反射層は、Ａｌを主成分とする材料により形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００９−５９６４０（Ｐ２００９−５９６４０Ａ）
【公開日】平成２１年３月１９日（２００９．３．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２２７３７２（Ｐ２００７−２２７３７２）
【出願日】平成１９年９月３日（２００７．９．３）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年３月１９日（２００９．３．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月３日（２００７．９．３）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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