液晶表示装置
【課題】 ＩＰＳモード及びＦＦＳモードに比べて焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができ、優れたコントラストの視角特性を得ることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板に隙間を置いて対向配置された第２基板と、複数の第１液晶層ＬＱ１及び複数の第２液晶層ＬＱ２を有した液晶層ＬＱと、それぞれ第１液晶層及び第２液晶層を１つずつ含む複数の画素ＰＸと、を備える。第２液晶層ＬＱ２は、第１液晶層ＬＱ１の液晶分子ＬＭの初期配向とは異なる方向に液晶分子ＬＭの初期配向を採る。各画素ＰＸは、第１基板上に形成され、第２方向Ｙに沿って延出した主画素電極と、第２基板上に形成され、第１方向に主画素電極を挟んで位置し第２方向Ｙに沿って延出した一対の主共通電極と、を有する。
【解決手段】 液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板に隙間を置いて対向配置された第２基板と、複数の第１液晶層ＬＱ１及び複数の第２液晶層ＬＱ２を有した液晶層ＬＱと、それぞれ第１液晶層及び第２液晶層を１つずつ含む複数の画素ＰＸと、を備える。第２液晶層ＬＱ２は、第１液晶層ＬＱ１の液晶分子ＬＭの初期配向とは異なる方向に液晶分子ＬＭの初期配向を採る。各画素ＰＸは、第１基板上に形成され、第２方向Ｙに沿って延出した主画素電極と、第２基板上に形成され、第１方向に主画素電極を挟んで位置し第２方向Ｙに沿って延出した一対の主共通電極と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の利点から特に注目を集めている。特に、各画素にスイッチング素子を組み込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モードやＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードなどの横電界（フリンジ電界も含む）を利用した構造が注目されている。
【０００３】
例えば、ＩＰＳモードの液晶表示装置は、液晶層を挟持する基板間で液晶分子が捻れていないホモジニアス構造をとる液晶表示パネルを備えている。この液晶表示パネルは、同一基板上に形成された画素電極と共通電極とを備え、基板の主面に対してほぼ平行な水平電界で液晶分子をスイッチングする。また、液晶表示パネルは、それぞれの外面に互いに偏向軸方向が直交するように配置された偏光板を備えている。一方の偏光板は、その偏光軸が一方の基板に接している液晶分子の長軸方向と平行または直交するように配置されている。
【０００４】
ＩＰＳモード液晶表示装置は、このような偏光板の配置により、電圧無印加時に黒色画面を表示し、映像信号に対応した電圧を画素電極に印加することにより徐々に光透過率が増加して白色画面を表示する。このような表示特性が得られるのは、以下のような原理に基づく。すなわち、画素電極と共通電極との間に形成される水平電界により、液晶分子が水平電界の向きに配列しようとして基板主面とほぼ平行な平面内で回転する。このような液晶分子の配列状態により、液晶パネルを通過する光の偏光状態が変わる。これにより、偏光板を通過するすなわち液晶表示パネルを透過する光の透過率が変調される。
【０００５】
液晶表示パネル内において、液晶分子の配列状態が同じであっても、液晶表示パネルに入射する光の入射方向によって透過光の偏光状態は変化する。このため、入射方向に対応して光の透過率が異なる。しかしながら、ＩＰＳモード液晶表示装置では、液晶分子が基板主面とほぼ平行な平面内で回転するため、透過光の入射方向に対して偏光状態が大きく影響しないので、視野角依存性は小さく、広い視野角特性を有するといった特徴がある。
【０００６】
しかし、ＩＰＳモード液晶表示装置では、同一基板上に画素電極と共通電極を備えているため、電界が複雑に積層された膜を通ることに起因する焼き付きが発生してしまう非常に大きな問題である。
【０００７】
一方で、アレイ基板に形成された画素電極と、対向基板に形成された共通電極との間に、横電界あるいは斜め電界を形成し、液晶分子をスイッチングする技術も提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−１９２８２２号公報
【特許文献２】特開平０９−１６００４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
この発明の目的は、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードに比べて焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができ、優れたコントラストの視角特性を得ることができる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
一実施形態に係る液晶表示装置は、
第１基板と、
前記第１基板に隙間を置いて対向配置された第２基板と、
前記第１基板及び第２基板間に挟持された複数の第１液晶層、並びに前記第１基板及び第２基板間に挟持され前記第１液晶層の液晶分子の初期配向とは異なる方向に前記液晶分子の初期配向を採る複数の第２液晶層を有した液晶層と、
第１方向及び前記第１方向に直交した第２方向にマトリクス状に設けられ、それぞれ前記第１液晶層及び第２液晶層を１つずつ含み、それぞれ前記第１方向に沿った長さが前記第２方向に沿った長さよりも短い複数の画素と、を備え、
前記各画素は、
前記第１基板上に形成され、前記第２方向に沿って延出した主画素電極と、
前記第２基板上に形成され、前記第１方向に前記主画素電極を挟んで位置し前記第２方向に沿って延出した一対の主共通電極と、を有していることを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示パネルを対向基板側から見たときの一画素の構造例を概略的に示す平面図である。
【図３】図３は、図２に示した液晶表示パネルをIII−III線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図である。
【図４】図４は、図２に示した液晶表示パネルにおける画素電極と共通電極との間に形成される電界、及び、この電界による液晶分子のダイレクタと透過率との関係を説明するための図である。
【図５】図５は、第２の実施形態に係る実施例１の液晶表示パネルを対向基板側から見たときの一画素の構造例を概略的に示す平面図である。
【図６】図６は、図５に示した液晶表示パネルをVI−VI線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図であり、液晶層に電圧が印加されていない状態を示す図である。
【図７】図７は、図５に示した液晶表示パネルをVII−VII線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図であり、第１液晶層に電圧が印加されている状態を示す図である。
【図８】図８は、図５に示した液晶表示パネルをVIII−VIII線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図であり、第２液晶層に電圧が印加されている状態を示す図である。
【図９】図９は、第２の実施形態に係る実施例２の液晶表示パネルの断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図６に対応した図であり、液晶層に電圧が印加されていない状態を示す図である。
【図１０】図１０は、上記実施例２の液晶表示パネルの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図７に対応した図であり、第１液晶層に電圧が印加されている状態を示す図である。
【図１１】図１１は、上記実施例２の液晶表示パネルの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図８に対応した図であり、第２液晶層に電圧が印加されている状態を示す図である。
【図１２】図１２は、第２の実施形態に係る実施例３の液晶表示パネルの断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図６に対応した図であり、液晶層に電圧が印加されていない状態を示す図である。
【図１３】図１３は、上記実施例３の液晶表示パネルの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図７に対応した図であり、第１液晶層に電圧が印加されている状態を示す図である。
【図１４】図１４は、上記実施例３の液晶表示パネルの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図８に対応した図であり、第２液晶層に電圧が印加されている状態を示す図である。
【図１５】図１５は、第２の実施形態に係る実施例４の液晶表示パネルの断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図６に対応した図であり、液晶層に電圧が印加されていない状態を示す図である。
【図１６】図１６は、上記実施例４の液晶表示パネルの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図７に対応した図であり、第１液晶層に電圧が印加されている状態を示す図である。
【図１７】図１７は、上記実施例４の液晶表示パネルの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図８に対応した図であり、第２液晶層に電圧が印加されている状態を示す図である。
【図１８】図１８は、第３の実施形態に係る液晶表示パネルを対向基板側から見たときの一画素の構造例を概略的に示す平面図である。
【図１９】図１９は、上記第３の実施形態に係る液晶表示パネルの一部を示す分解斜視図であり、一画素に含まれる第１乃至第４液晶層と、上記一画素に重なった領域の配向膜及び偏光板を概略的に示す図である。
【図２０】図２０は、第４の実施形態に係る液晶表示パネルを対向基板側から見たときの一画素の構造例を概略的に示す平面図である。
【図２１】図２１は、上記第４の実施形態に係る液晶表示パネルの一部を示す分解斜視図であり、一画素に含まれる第１液晶層及び第２液晶層と、上記一画素に重なった領域の配向膜及び偏光板を概略的に示す図である。
【図２２】図２２は、上記第２及び第４の実施形態に係る変形例の液晶表示パネルを対向基板側から見たときの一画素の他の構造例を概略的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら第１の実施形態に係る液晶表示装置について詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。始めに、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モード及びＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードに比べて焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採るための液晶表示装置の構成について説明する。
【００１３】
図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【００１４】
図１に示すように、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルＬＰＮを備えている。液晶表示パネルＬＰＮは、第１基板であるアレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向して配置された第２基板である対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴ間に挟持された液晶層ＬＱと、を備えている。このような液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示する表示領域Ｒ１を備えている。表示領域Ｒ１は、アレイ基板ＡＲ、対向基板ＣＴ及び液晶層ＬＱに重なっている。この表示領域Ｒ１には、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸが位置している（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。
【００１５】
液晶表示パネルＬＰＮは、表示領域Ｒ１において、ｎ本のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、ｎ本の補助容量線Ｃ（Ｃ１〜Ｃｎ）、ｍ本のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）などを備えている。ゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃは、例えば、第１方向Ｘに沿って略直線的に延出している。これらのゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃは、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って交互に並列配置されている。ここでは、第１方向Ｘと第２方向Ｙとは互いに略直交している。ソース配線Ｓは、ゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃと交差している。ソース配線Ｓは、第２方向Ｙに沿って略直線的に延出している。なお、ゲート配線Ｇ、補助容量線Ｃ、及び、ソース配線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。
【００１６】
各ゲート配線Ｇは、表示領域Ｒ１の外側に引き出され、ゲートドライバＧＤに接続されている。各ソース配線Ｓは、表示領域Ｒ１の外側に引き出され、ソースドライバＳＤに接続されている。これらのゲートドライバＧＤ及びソースドライバＳＤの少なくとも一部は、例えば、アレイ基板ＡＲに形成され、コントローラを内蔵した駆動ＩＣチップ２と接続されている。
【００１７】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥなどを備えている。保持容量Ｃｓは、例えば補助容量線Ｃと画素電極ＰＥとの間に形成される。補助容量線Ｃは、補助容量電圧が印加される電圧印加部ＶＣＳと電気的に接続されている。
【００１８】
なお、本実施形態においては、液晶表示パネルＬＰＮは、画素電極ＰＥがアレイ基板ＡＲに形成される一方で共通電極ＣＥの少なくとも一部が対向基板ＣＴに形成された構成であり、これらの画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界を主に利用して液晶層ＬＱの液晶分子をスイッチングする。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界は、第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定されるＸ−Ｙ平面あるいは基板主面に対してわずかに傾いた斜め電界（あるいは、基板主面にほぼ平行な横電界）である。
【００１９】
スイッチング素子ＳＷは、例えば、ｎチャネル薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成されている。このスイッチング素子ＳＷは、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されている。このようなスイッチング素子ＳＷは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであっても良い。また、スイッチング素子ＳＷの半導体層は、例えば、ポリシリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンによって形成されていても良い。
【００２０】
画素電極ＰＥは、各画素ＰＸに配置され、スイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、液晶層ＬＱを介して複数の画素ＰＸの画素電極ＰＥに対して共通に配置されている。このような画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されているが、アルミニウムなどの他の金属材料によって形成されても良い。
【００２１】
アレイ基板ＡＲは、共通電極ＣＥに電圧（コモン電圧）を印加するための給電部ＶＳを備えている。この給電部ＶＳは、例えば、表示領域Ｒ１の外側の非表示領域Ｒ２に形成されている。共通電極ＣＥは、表示領域Ｒ１の外側に引き出され、図示しない導電部材を介して、給電部ＶＳと電気的に接続されている。
【００２２】
図２は、図１に示した液晶表示パネルＬＰＮを対向基板側から見たときの一画素ＰＸの構造例を概略的に示す平面図である。ここでは、Ｘ−Ｙ平面における平面図を示している。
【００２３】
図２に示すように、画素ＰＸは、破線で示したように、第１方向Ｘに沿った長さが第２方向Ｙに沿った長さよりも短い長方形状である。ゲート配線Ｇ１及びゲート配線Ｇ２は、第１方向Ｘに沿って延出している。補助容量線Ｃ１は、隣接するゲート配線Ｇ１とゲート配線Ｇ２との間に配置され、第１方向Ｘに沿って延出している。ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２は、第２方向Ｙに沿って延出している。画素電極ＰＥは、隣接するソース配線Ｓ１とソース配線Ｓ２との間に配置されている。また、この画素電極ＰＥは、ゲート配線Ｇ１とゲート配線Ｇ２との間に位置している。
【００２４】
図示した例では、画素ＰＸにおいて、ソース配線Ｓ１は左側端部に配置され、ソース配線Ｓ２は右側端部に配置されている。厳密には、ソース配線Ｓ１は当該画素ＰＸとその左側に隣接する画素との境界に跨って配置され、ソース配線Ｓ２は当該画素ＰＸとその右側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。また、画素ＰＸにおいて、ゲート配線Ｇ１は上側端部に配置され、ゲート配線Ｇ２は下側端部に配置されている。厳密には、ゲート配線Ｇ１は当該画素ＰＸとその上側に隣接する画素との境界に跨って配置され、ゲート配線Ｇ２は当該画素ＰＸとその下側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。補助容量線Ｃ１は、画素の略中央部に配置されている。
【００２５】
スイッチング素子ＳＷは、図示した例では、ゲート配線Ｇ１及びソース配線Ｓ１に電気的に接続されている。このスイッチング素子ＳＷは、ゲート配線Ｇ１とソース配線Ｓ１の交点に設けられ、そのドレイン配線はソース配線Ｓ１及び補助容量線Ｃ１に沿って延長され、補助容量線Ｃ１と重なる領域に形成されたコンタクトホールＣＨを介して画素電極ＰＥと電気的に接続されている。このようなスイッチング素子ＳＷは、ソース配線Ｓ１及び補助容量線Ｃ１と重なる領域に設けられ、ソース配線Ｓ１及び補助容量線Ｃ１と重なる領域からほとんどはみ出すことはなく、表示に寄与する開口部の面積の低減を抑制している。
【００２６】
複数の画素電極ＰＥは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに間隔を置いて並べられている。複数の画素電極ＰＥは、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出して形成された主画素電極ＰＡを含んでいる。
【００２７】
この実施形態において、画素電極ＰＥは、互いに電気的に接続された主画素電極ＰＡ及びコンタクト部ＰＣを含んでいる。主画素電極ＰＡは、コンタクト部ＰＣから画素ＰＸの上側端部付近及び下側端部付近まで第２方向Ｙに沿って直線的に延出している。このような主画素電極ＰＡは、第１方向Ｘに沿って略同一の幅を有する帯状に形成されている。コンタクト部ＰＣは、補助容量線Ｃ１と重なる領域に位置し、コンタクトホールＣＨを介してスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。このコンタクト部ＰＣは、主画素電極ＰＡよりも幅広に形成されている。
【００２８】
このような画素電極ＰＥは、ソース配線Ｓ１とソース配線Ｓ２との略中間の位置、つまり、画素ＰＸの中央に配置されている。ソース配線Ｓ１と画素電極ＰＥとの第１方向Ｘに沿った間隔は、ソース配線Ｓ２と画素電極ＰＥとの第１方向Ｘに沿った間隔と略同等である。
【００２９】
共通電極ＣＥは、複数の主共通電極ＣＡを含んでいる。複数の主共通電極ＣＡは、Ｘ−Ｙ平面内において、第１方向Ｘに間隔を置いて並べられ、第１方向Ｘに複数の主画素電極ＰＡを挟み、それぞれ主画素電極ＰＡと略平行な第２方向Ｙに沿って直線的に延出している。あるいは、主共通電極ＣＡは、ソース配線Ｓとそれぞれ対向するとともに主画素電極ＰＡと略平行に延出している。このような主共通電極ＣＡは、帯状に形成され、第１方向Ｘに沿って略同一の幅を有する。
【００３０】
図示した例では、主共通電極ＣＡは、第１方向Ｘに沿って２本平行に並んでおり、画素ＰＸの左右両端部にそれぞれ配置されている。以下では、これらの主共通電極ＣＡを区別するために、図中の左側の主共通電極をＣＡＬと称し、図中の右側の主共通電極をＣＡＲと称する。主共通電極ＣＡＬはソース配線Ｓ１と対向し、主共通電極ＣＡＲはソース配線Ｓ２と対向している。
【００３１】
画素ＰＸにおいて、主共通電極ＣＡＬは左側端部に配置され、主共通電極ＣＡＲは右側端部に配置されている。厳密には、主共通電極ＣＡＬは当該画素ＰＸとその左側に隣接する画素との境界に跨って配置され、主共通電極ＣＡＲは当該画素ＰＸとその右側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。
【００３２】
画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡとの位置関係に着目すると、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡとは、第１方向Ｘに沿って交互に配置されている。これらの画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡとは、互いに略平行に配置されている。このとき、Ｘ−Ｙ平面内において、主共通電極ＣＡのいずれも画素電極ＰＥとは重ならない。
【００３３】
すなわち、隣接する主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲの間には、１本の画素電極ＰＥが位置している。換言すると、一対の主共通電極（主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲ）は、画素電極ＰＥの直上の位置を挟んだ両側に配置されている。あるいは、画素電極ＰＥは、主共通電極ＣＡＬと主共通電極ＣＡＲとの間に配置されている。このため、主共通電極ＣＡＬ、主画素電極ＰＡ、及び、主共通電極ＣＡＲは、第１方向Ｘに沿ってこの順に配置されている。
【００３４】
これらの画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの第１方向Ｘに沿った間隔は略一定である。すなわち、主共通電極ＣＡＬと主画素電極ＰＡとの第１方向Ｘに沿った間隔は、主共通電極ＣＡＲと主画素電極ＰＡとの第１方向Ｘに沿った間隔と略同等である。
【００３５】
図３は、図２に示した液晶表示パネルＬＰＮをIII−III線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図である。なお、ここでは、説明に必要な箇所のみを図示している。
図３に示すように、液晶表示パネルＬＰＮを構成するアレイ基板ＡＲの背面側には、バックライトユニット４が配置されている。バックライトユニット４としては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したものや冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。
【００３６】
アレイ基板ＡＲは、光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。ソース配線Ｓは、第１層間絶縁膜１１の上に形成され、第２層間絶縁膜１２によって覆われている。なお、図示しないゲート配線や補助容量線は、例えば、第１絶縁基板１０と第１層間絶縁膜１１の間に配置されている。画素電極ＰＥは、第２層間絶縁膜１２の上に形成されている。この画素電極ＰＥは、隣接するソース配線Ｓのそれぞれの直上の位置よりもそれらの内側に位置している。
【００３７】
第１配向膜ＡＬ１は、アレイ基板ＡＲの対向基板ＣＴと対向する面に配置され、表示領域Ｒ１の略全体に亘って延在している。この第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥなどを覆っており、第２層間絶縁膜１２の上にも配置されている。このような第１配向膜ＡＬ１は、水平配向性を示す材料によって形成されている。
なお、アレイ基板ＡＲは、さらに、共通電極ＣＥの一部を備えていても良い。
【００３８】
対向基板ＣＴは、光透過性を有する第２絶縁基板２０を用いて形成されている。この対向基板ＣＴは、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、共通電極ＣＥ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００３９】
ブラックマトリクスＢＭは、各画素ＰＸを区画し、画素電極ＰＥと対向する開口部ＡＰを形成する。すなわち、ブラックマトリクスＢＭは、ソース配線Ｓ、ゲート配線、補助容量線、スイッチング素子などの配線部に対向するように配置されている。ここでは、ブラックマトリクスＢＭは、第２方向Ｙに沿って延出した部分のみが図示されているが、第１方向Ｘに沿って延出した部分を備えていてもよい。このブラックマトリクスＢＭは、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲに対向する内面２０Ａに配置されている。
【００４０】
カラーフィルタＣＦは、各画素ＰＸに対応して配置されている。すなわち、カラーフィルタＣＦは、第２絶縁基板２０の内面２０Ａにおける開口部ＡＰに配置されるとともに、その一部がブラックマトリクスＢＭに乗り上げている。第１方向Ｘに隣接する画素ＰＸにそれぞれ配置されたカラーフィルタＣＦは、互いに色が異なる。例えば、カラーフィルタＣＦは、赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色に着色された樹脂材料からなる赤色カラーフィルタＣＦＲは、赤色画素に対応して配置されている。青色に着色された樹脂材料からなる青色カラーフィルタＣＦＢは、青色画素に対応して配置されている。緑色に着色された樹脂材料からなる緑色カラーフィルタＣＦＧは、緑色画素に対応して配置されている。これらのカラーフィルタＣＦ同士の境界は、ブラックマトリクスＢＭと重なる位置にある。
【００４１】
オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。このオーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦの表面の凹凸の影響を緩和する。
【００４２】
共通電極ＣＥは、オーバーコート層ＯＣのアレイ基板ＡＲと対向する側に形成されている。この共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの第３方向Ｚに沿った間隔は略一定である。第３方向Ｚとは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに直交する方向、あるいは、液晶表示パネルＬＰＮの法線方向である。
【００４３】
第２配向膜ＡＬ２は、対向基板ＣＴのアレイ基板ＡＲと対向する面に配置され、表示領域Ｒ１の略全体に亘って延在している。この第２配向膜ＡＬ２は、共通電極ＣＥ及びオーバーコート層ＯＣなどを覆っている。このような第２配向膜ＡＬ２は、水平配向性を示す材料によって形成されている。
【００４４】
これらの第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２には、液晶層ＬＱの液晶分子を初期配向させるための配向処理（例えば、ラビングや光配向処理）がなされている。この実施形態において、液晶層ＬＱは、例えば、正の誘電率異方性を有し、すなわちｐ型液晶で形成されている。
【００４５】
上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、それぞれの第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲの第１配向膜ＡＬ１と対向基板ＣＴの第２配向膜ＡＬ２との間には、例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサにより、所定のセルギャップ、例えば２〜７μｍのセルギャップが形成される。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、所定のセルギャップが形成された状態で、表示領域Ｒ１の外側のシール材ＳＢによって貼り合わせられている。
【００４６】
液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に形成されたセルギャップに保持され、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に配置されている。
【００４７】
アレイ基板ＡＲの外面、つまり、アレイ基板ＡＲを構成する第１絶縁基板１０の外面１０Ｂには、第１光学素子ＯＤ１が接着剤などにより貼付されている。この第１光学素子ＯＤ１は、液晶表示パネルＬＰＮのバックライトユニット４と対向する側に位置しており、バックライトユニット４から液晶表示パネルＬＰＮに入射する入射光の偏光状態を制御する。この第１光学素子ＯＤ１は、第１偏光軸（あるいは第１吸収軸）ＡＸ１を有する第１偏光板ＰＬ１を含んでいる。
【００４８】
対向基板ＣＴの外面、つまり、対向基板ＣＴを構成する第２絶縁基板２０の外面２０Ｂには、第２光学素子ＯＤ２が接着剤などにより貼付されている。この第２光学素子ＯＤ２は、液晶表示パネルＬＰＮの表示面側に位置しており、液晶表示パネルＬＰＮから出射した出射光の偏光状態を制御する。この第２光学素子ＯＤ２は、第２偏光軸（あるいは第２吸収軸）ＡＸ２を有する第２偏光板ＰＬ２を含んでいる。
【００４９】
第１偏光軸ＡＸ１と、第２偏光軸ＡＸ２とは、例えば、直交する位置関係にあるため、第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２はクロスニコル配置されている。このとき、一方の偏光板は、例えば、その偏光軸が液晶分子の初期配向方向と平行または直交するように配置されている。この実施形態において、初期配向方向が第２方向Ｙと平行であるため、一方の偏光板の偏光軸は、第２方向Ｙと平行、あるいは、第１方向Ｘと平行である。
【００５０】
図２において、（ａ）で示した例では、第１偏光板ＰＬ１は、その第１偏光軸ＡＸ１が液晶分子ＬＭの初期配向方向（第２方向Ｙ）に対して直交する（つまり、第１方向Ｘに平行となる）ように配置され、また、第２偏光板ＰＬ２は、その第２偏光軸ＡＸ２が液晶分子ＬＭの初期配向方向に対して平行となる（つまり、第２方向Ｙと平行となる）ように配置されている。
【００５１】
また、図２において、（ｂ）で示した例では、第２偏光板ＰＬ２は、その第２偏光軸ＡＸ２が液晶分子ＬＭの初期配向方向（第２方向Ｙ）に対して直交する（つまり、第１方向Ｘに平行となる）ように配置され、また、第１偏光板ＰＬ１は、その第１偏光軸ＡＸ１が液晶分子ＬＭの初期配向方向に対して平行となる（つまり、第２方向Ｙと平行となる）ように配置されている。
【００５２】
次に、上記構成の液晶表示パネルＬＰＮの動作について説明する。
図２及び図３に示すように、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態、つまり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていない状態（ＯＦＦ時）には、液晶層ＬＱの液晶分子ＬＭは、その長軸が第１配向膜ＡＬ１の配向処理方向及び第２配向膜ＡＬ２の配向処理方向を向くように配向している。このようなＯＦＦ時が初期配向状態に相当し、ＯＦＦ時の液晶分子ＬＭの配向方向が初期配向方向に相当する。
【００５３】
なお、厳密には、液晶分子ＬＭは、Ｘ−Ｙ平面に平行に配向しているとは限らず、配向膜の近傍ではプレチルトしている。このため、ここでの液晶分子ＬＭの初期配向方向とは、ＯＦＦ時の液晶分子ＬＭの長軸をＸ−Ｙ平面に正射影した方向である。以下では、説明を簡略にするために、液晶分子ＬＭは、Ｘ−Ｙ平面に平行に配向しているものとし、Ｘ−Ｙ平面と平行な面内で回転するものとして説明する。
【００５４】
ＯＦＦ時においては、液晶分子ＬＭは、図２に破線で示したように、その長軸が第２方向Ｙと略平行な方向に初期配向する。つまり、液晶分子ＬＭの初期配向方向は、第２方向Ｙと平行（あるいは、第２方向Ｙに対して０°）である。
【００５５】
バックライトユニット４からのバックライトは、その一部が第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＬＰＮに入射する。液晶表示パネルＬＰＮに入射した光の偏光状態は、液晶層ＬＱを通過する際に液晶分子ＬＭの配向状態によって異なる。ＯＦＦ時においては、液晶層ＬＱを通過した光は、第２偏光板ＰＬ２によって吸収される（黒表示）。
【００５６】
一方、液晶層ＬＱに電圧が印加された状態、つまり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成された状態（ＯＮ時）では、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に基板と略平行な横電界（あるいは斜め電界）が形成される。液晶分子ＬＭは、電界の影響を受け、その長軸が図中の実線で示したようにＸ−Ｙ平面と略平行な平面内で回転する。
【００５７】
後述するが、液晶層ＬＱは、複数の第１液晶層ＬＱ１及び複数の第２液晶層ＬＱ２を有している。複数の画素ＰＸは、少なくとも第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２を１つずつ含んでいる。この実施形態において、各画素ＰＸの第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、補助容量線Ｃと対向した領域を境に第２方向Ｙに隣合っている。
【００５８】
図２に示した第２液晶層ＬＱ２の例では、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬとの間の領域内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して時計回りに回転し、図中の左下を向くように配向する。画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＲとの間の領域内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して反時計回りに回転し、図中の右下を向くように配向する。
【００５９】
このように、各画素ＰＸにおいて、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成された状態では、液晶分子ＬＭの配向方向は、画素電極ＰＥを境界として複数の方向に分かれ、それぞれの配向方向でドメインを形成する。つまり、一画素ＰＸには、複数のドメインが形成される。
【００６０】
このようなＯＮ時には、バックライトユニット４から液晶表示パネルＬＰＮに入射したバックライトは、その一部が第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＬＰＮに入射する。液晶層ＬＱに入射したバックライトは、その偏光状態が変化する。このようなＯＮ時においては、液晶層ＬＱを通過した少なくとも一部の光は、第２偏光板ＰＬ２を透過する（白表示）。
【００６１】
図４は、図２に示した液晶表示パネルＬＰＮの第２液晶層ＬＱ２に重なった領域における画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界、及び、この電界による液晶分子ＬＭのダイレクタと透過率との関係を説明するための図である。
【００６２】
図４に示すように、ＯＦＦ状態では、液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに略平行な方向に初期配向している。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差が形成されたＯＮ状態では、液晶分子ＬＭのダイレクタ（あるいは液晶分子ＬＭの長軸方向）が、Ｘ−Ｙ平面内で、第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸ＡＸ１及び第２偏光板ＰＬ２の第２偏光軸ＡＸ２に対して概ね４５°ずれた状態となったときに、液晶の光学的な変調率が最も高くなる（つまり、開口部での透過率が最大となる）。
【００６３】
図示した例では、ＯＮ状態となったとき、主共通電極ＣＡＬと画素電極ＰＥとの間、及び、主共通電極ＣＡＲと画素電極ＰＥとの間のそれぞれの液晶分子のダイレクタは、画素電極ＰＥに対して４５°傾いた方向を向く。これにより、ピーク透過率が得られる。このとき、一画素あたりの透過率分布に着目すると、画素電極ＰＥ上及び共通電極ＣＥ上においては透過率が略ゼロとなる一方で、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間の電極間隙では、略全域に亘って高い透過率が得られる。
【００６４】
なお、ソース配線Ｓ１の直上に位置する主共通電極ＣＡＬ及びソース配線Ｓ２の直上に位置する主共通電極ＣＡＲは、それぞれブラックマトリクスＢＭと対向しているが、これらの主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲは、ともにブラックマトリクスＢＭの第１方向Ｘに沿った幅と同等以下の幅を有しており、ブラックマトリクスＢＭと重なる位置よりも画素電極ＰＥの側に延在していない。このため、一画素あたり、表示に寄与する開口部は、ブラックマトリクスＢＭの間もしくはソース配線Ｓ１とソース配線Ｓ２との間の領域のうち、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲとの間の領域に相当する。
【００６５】
上記のように構成された液晶表示装置によれば、各画素ＰＸは、第１絶縁基板１０（アレイ基板ＡＲ）上に形成され、第２方向Ｙに沿って延出した主画素電極ＰＡと、第２絶縁基板２０（対向基板ＣＴ）上に形成され、第１方向Ｘに主画素電極ＰＡを挟んで位置し第２方向Ｙに沿って延出した一対の主共通電極ＣＡとを有している。
【００６６】
液晶表示装置は、主画素電極ＰＡ及び主共通電極ＣＡ間に形成される電界が主に液晶層ＬＱに加わるように構成されている。上記電界は、ＩＰＳモードの液晶表示装置のように複雑に積層された膜を通ることは無い。このため、ＩＰＳモードの液晶表示装置やＦＦＳモードの液晶表示装置に比べて焼き付きに対して強い（焼き付きの発生を低減することができる）横電界モードあるいは斜め電界モードを採る液晶表示装置が得られるものである。
【００６７】
次に、上記液晶表示装置から得られる他の効果について説明する。
画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間の電極間隙において高い透過率が得られるため、一画素あたりの透過率を十分に高くするためには、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲとの間の電極間距離を拡大することで対応することが可能となる。また、画素ピッチが異なる製品仕様に対しては、電極間距離を変更する（つまり、画素ＰＸの略中央に配置された画素電極ＰＥに対して主共通電極ＣＡの配置位置を変更する）ことで、図４に示したような透過率分布のピーク条件を利用することが可能となる。つまり、本実施形態の表示モードにおいては、比較的画素ピッチが大きな低解像度の製品仕様から比較的画素ピッチが小さい高解像度の製品仕様まで、微細な電極加工を必ずしも必要とせず、電極間距離の設定により種々の画素ピッチの製品を提供することが可能となる。したがって、高透過率且つ高解像度の要求を容易に実現することが可能となる。
【００６８】
また、本実施形態によれば、図４に示したように、ブラックマトリクスＢＭと重なる領域での透過率分布に着目すると、透過率が十分に低下している。これは、共通電極ＣＥの位置よりも当該画素の外側に電界の漏れが発生せず、また、ブラックマトリクスＢＭを挟んで隣接する画素間で不所望な横電界が生じないため、ブラックマトリクスＢＭと重なる領域の液晶分子がＯＦＦ時（あるいは黒表示時）と同様に初期配向状態を保っているためである。したがって、隣接する画素間でカラーフィルタの色が異なる場合であっても、混色の発生を抑制することが可能となり、色再現性の低下やコントラスト比の低下を抑制することが可能となる。
【００６９】
また、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの位置合わせにずれが生じた際に、画素電極ＰＥを挟んだ両側の共通電極ＣＥとの水平電極間距離に差が生じることがある。しかしながら、このような合わせずれは、全ての画素ＰＸに共通に生じるため、画素ＰＸ間での電界分布に相違はなく、画像の表示に及ぼす影響はきわめて小さい。また、例えアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間で合わせズレが生じたとしても、隣接する画素への不所望な電界の漏れを抑制することが可能となる。このため、隣接する画素間でカラーフィルタの色が異なる場合であっても、混色の発生を抑制することが可能となり、色再現性の低下やコントラスト比の低下を抑制することが可能となる。
【００７０】
また、本実施形態によれば、主共通電極ＣＡは、それぞれソース配線Ｓと対向している。特に、主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲがそれぞれソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２の直上に配置されている場合には、主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲがソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２よりも画素電極ＰＥ側に配置された場合と比較して、開口部ＡＰを拡大することができ、画素ＰＸの透過率を向上することが可能となる。
【００７１】
また、主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲをそれぞれソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２の直上に配置することによって、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲとの間の電極間距離を拡大することが可能となり、より水平に近い横電界を形成することが可能となる。このため、従来の構成であるＩＰＳモード等の利点である広視野角化も維持することが可能となる。
【００７２】
また、本実施形態によれば、一画素内に複数のドメインを形成することが可能となる。このため、複数の方向で視野角を光学的に補償することができ、広視野角化が可能となる。
【００７３】
なお、上記の例では、液晶層ＬＱは、正の誘電率異方性を有しているため、液晶分子ＬＭの初期配向方向が第２方向Ｙと平行である場合について説明したが、液晶分子ＬＭの初期配向方向は、図２に示したように、第２方向Ｙを斜めに交差する斜め方向Ｄであっても良い。ここで、第２方向Ｙに対する初期配向方向Ｄのなす角度θ１は、０°より大きく４５°より小さい角度である。なお、このなす角度θ１については、５°〜３０°程度、より望ましくは２０°以下とすることが液晶分子ＬＭの配向制御の観点で極めて有効である。つまり、液晶分子ＬＭの初期配向方向は、第２方向Ｙに対して０°乃至２０°の範囲内の方向と略平行であることが望ましい。
【００７４】
言い換えると、第１配向膜ＡＬ１は、第２方向Ｙ又は第２方向Ｙから２０°以内に傾斜した方向に付近の液晶分子ＬＭを初期配向させるように形成されている方が望ましい。第２配向膜ＡＬ２も、同様に、第２方向Ｙ又は第２方向Ｙから２０°以内に傾斜した方向に付近の液晶分子ＬＭを初期配向させるように形成されている方が望ましい。
【００７５】
なお、ＯＮ時においても、画素電極ＰＥ上あるいは共通電極ＣＥ上では、横電界がほとんど形成されない（あるいは、液晶分子ＬＭを駆動するのに十分な電界が形成されない）ため、液晶分子ＬＭは、ＯＦＦ時と同様に初期配向方向からほとんど動かない。このため、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥがＩＴＯなどの光透過性の導電材料によって形成されていても、これらの領域ではバックライト光がほとんど透過せず、ＯＮ時において表示にほとんど寄与しない。したがって、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥは、必ずしも透明な導電材料によって形成される必要はなく、アルミニウムや銀、銅などの導電材料を用いて形成しても良い。
【００７６】
なお、本実施形態においては、共通電極ＣＥは、対向基板ＣＴに備えられた主共通電極ＣＡに加えて、アレイ基板ＡＲに備えられ主共通電極ＣＡと対向する（あるいはソース配線Ｓと対向する）第２主共通電極（シールド電極）を備えていても良い。この第２主共通電極は、主共通電極ＣＡと略平行に延出し、しかも、主共通電極ＣＡと同電位である。このような第２主共通電極を設けることにより、ソース配線Ｓからの不所望な電界をシールドすることが可能である。
【００７７】
また、共通電極ＣＥは、対向基板ＣＴに備えられた主共通電極ＣＡに加えて、アレイ基板ＡＲに備えられゲート配線Ｇや補助容量線Ｃと対向する第２副共通電極（シールド電極）を備えていても良い。この第２副共通電極は、主共通電極ＣＡと交差する方向に延出し、しかも、主共通電極ＣＡと同電位である。このような第２副共通電極を設けたことにより、ゲート配線Ｇや補助容量線Ｃからの不所望な電界をシールドすることが可能である。このような第２主共通電極や第２副共通電極を備えた構成によれば、更なる表示品位の劣化を抑制することが可能となる。
【００７８】
上記のように、焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採る液晶表示装置について説明したが、次に、焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができ、さらに優れたコントラストの視角特性を得ることができる液晶表示装置について説明する。
【００７９】
図２及び図３に示すように、第２液晶層ＬＱ２は、第１液晶層ＬＱ１の液晶分子ＬＭの初期配向とは異なる方向に液晶分子ＬＭの初期配向を採っている。この実施形態において、第１液晶層ＬＱ１の液晶分子ＬＭの初期配向及び第２液晶層ＬＱ２の液晶分子ＬＭの初期配向は、それぞれ第２方向Ｙに略平行であり、互いに略１８０°異なっている。
【００８０】
第１配向膜ＡＬ１には、複数種類の配向処理が施されている。この実施形態では、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、補助容量線Ｃから画素ＰＸの一短辺ＳＳ１に向かって配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、補助容量線Ｃから画素ＰＸの他短辺ＳＳ２に向かって配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【００８１】
これにより、第１液晶層ＬＱ１のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、補助容量線Ｃより一短辺ＳＳ１側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、補助容量線Ｃより他短辺ＳＳ２側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【００８２】
上記のように構成された第１の実施形態に係る液晶表示装置によれば、上述したように焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができる。また、横電界（斜め電界）により液晶分子ＬＭの配向方向を所望の方向に規定し易いように液晶分子がプレチルトしている。
【００８３】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように液晶分子をプレチルトさせることができるため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
【００８４】
また、液晶層ＬＱはｐ型液晶で形成され、液晶分子ＬＭの長軸は斜め電界に沿った方向に配向するため、液晶分子ＬＭの極角及び方位角の両方を規定することができる。ここで、Ｘ−Ｙ平面内においてＹ軸からの角度を方位角とし、Ｘ−Ｙ平面に対して法線方向に沿ったＺ軸からの角度を極角とした。上記のことから、液晶分子ＬＭの配向規制力（配向強度）は強いものである。
【００８５】
上記のことから、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードに比べて焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができ、優れたコントラストの視角特性を得ることができる液晶表示装置を得ることができる。
【００８６】
次に、第２の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。この実施形態において、他の構成は上述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００８７】
図５は、第２の実施形態に係る液晶表示パネルＬＰＮを対向基板ＣＴ側から見たときの一画素ＰＸの構造例を概略的に示す平面図である。
図５に示すように、共通電極ＣＥは、複数の副共通電極ＣＢをさらに含んでいる。この実施形態において、複数の副共通電極ＣＢは対向基板ＣＴ側に形成されている。複数の副共通電極ＣＢは、第２方向Ｙに間隔を置いて並べられ、第２方向Ｙに複数の主画素電極ＰＡを挟んでいる。複数の副共通電極ＣＢは、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出している。
【００８８】
複数の副共通電極ＣＢは、複数の主共通電極ＣＡと一体又は連続的に形成されている。このため、複数の副共通電極ＣＢ（ＣＢＵ、ＣＢＢ）は、複数の主共通電極ＣＡと電気的に接続されている。給電部ＶＳから与えられる電圧（コモン電圧）は、複数の主共通電極ＣＡ及び複数の副共通電極ＣＢに与えられる。
【００８９】
この実施形態では、画素電極ＰＥが十字状に形成された点、及び、共通電極ＣＥが一画素ＰＸを取り囲むように格子状に形成された点で、上記第１の実施形態と相違している。すなわち、画素電極ＰＥは、互いに電気的に接続された主画素電極ＰＡ及び副画素電極ＰＢを備えている。主画素電極ＰＡは、副画素電極ＰＢから画素ＰＸの上側端部付近及び下側端部付近まで第２方向Ｙに沿って直線的に延出している。副画素電極ＰＢは、第１方向Ｘに沿って延出している。この副画素電極ＰＢは、補助容量線Ｃ１と重なる領域に位置し、コンタクトホールＣＨを介してスイッチング素子と電気的に接続されている。図示した例では、副画素電極ＰＢが画素ＰＸの略中央に設けられており、画素電極ＰＥは、十字状となっている。
【００９０】
副共通電極ＣＢは、ゲート配線Ｇの各々と対向している。図示した例では、副共通電極ＣＢは第１方向Ｘに沿って２本平行に並んでおり、以下では、これらを区別するために、図中の上側の副共通電極をＣＢＵと称し、図中の下側の副共通電極をＣＢＢと称する。副共通電極ＣＢＵは、画素ＰＸの上側端部に配置され、ゲート配線Ｇ１と対向している。つまり、副共通電極ＣＢＵは、当該画素ＰＸとその上側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。また、副共通電極ＣＢＢは、画素ＰＸの下側端部に配置され、ゲート配線Ｇ２と対向している。つまり、副共通電極ＣＢＢは、当該画素ＰＸとその下側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。
【００９１】
画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの位置関係に着目すると、主画素電極ＰＡと主共通電極ＣＡとは第１方向Ｘに沿って交互に配置され、副画素電極ＰＢと副共通電極ＣＢとは第２方向Ｙに沿って交互に配置されている。すなわち、隣接する主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲの間には、１本の主画素電極ＰＡが位置し、第１方向Ｘに沿って主共通電極ＣＡＬ、主画素電極ＰＡ、及び、主共通電極ＣＡＲの順に並んでいる。また、隣接する副共通電極ＣＢＢ及び副共通電極ＣＢＵの間には、１本の副画素電極ＰＢが位置し、第２方向Ｙに沿って副共通電極ＣＢＢ、副画素電極ＰＢ、及び、副共通電極ＣＢＵの順に並んでいる。
【００９２】
このような構造例によれば、ＯＦＦ時において第２方向Ｙに初期配向していた液晶分子ＬＭは、ＯＮ時に画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界の影響を受け、その長軸が図中の実線で示したようにＸ−Ｙ平面と略平行な平面内で回転する。画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬ及び副共通電極ＣＢＢとで囲まれた領域内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して時計回りに回転し、図中の左下を向くように配向する。画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＲ及び副共通電極ＣＢＢとで囲まれた領域内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して反時計回りに回転し、図中の右下を向くように配向する。画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬ及び副共通電極ＣＢＵとで囲まれた領域内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して反時計回りに回転し、図中の左上を向くように配向する。画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＲ及び副共通電極ＣＢＵとで囲まれた領域内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して時計回りに回転し、図中の右上を向くように配向する。
【００９３】
このように、各画素ＰＸにおいて、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成された状態では、４つのドメインに互いに異なる電界を作用させることができるため、視野角を拡大できることはもちろん、第１の実施形態（図２など）よりも液晶分子ＬＭの配向規制力を強くすることができる。
上記のように構成された液晶表示装置においても、焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができる。
【００９４】
次に、焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができ、さらに優れたコントラストの視角特性を得ることができる液晶表示装置の実施例１乃至４について説明する。次に挙げる実施例は、限定的に列挙するものではなく、一例を列挙するものである。すなわち、この実施形態に係る液晶表示装置は、実施例１乃至４に限らず、種々変形可能である。なお、実施例１乃至４では、説明に必要な箇所のみを図示して説明する。
【００９５】
（実施例１）
図６は、図５に示した液晶表示パネルＬＰＮをVI−VI線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図であり、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態を示す図である。
【００９６】
図５及び図６に示すように、各画素ＰＸの第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、副画素電極ＰＢ（補助容量線Ｃ）と対向した領域を境に第２方向Ｙに隣合っている。第２液晶層ＬＱ２は、第１液晶層ＬＱ１の液晶分子ＬＭの初期配向とは異なる方向に液晶分子ＬＭの初期配向を採っている。この実施形態において、第１液晶層ＬＱ１の液晶分子ＬＭの初期配向及び第２液晶層ＬＱ２の液晶分子ＬＭの初期配向は、それぞれ第２方向Ｙに略平行であり、互いに略１８０°異なっている。
【００９７】
第１配向膜ＡＬ１には、複数種類の配向処理が施されている。この実施形態では、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、副画素電極ＰＢから画素ＰＸの一短辺ＳＳ１に向かった第１配向処理方向ＰＤ１に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、副画素電極ＰＢから画素ＰＸの他短辺ＳＳ２に向かった第２配向処理方向ＰＤ２に別の配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。第１配向処理方向ＰＤ１及び第２配向処理方向ＰＤ２は、それぞれ第２方向Ｙに略平行であって、互いに逆向きである。
【００９８】
第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、画素ＰＸの一短辺ＳＳ１から副画素電極ＰＢに向かった第２配向処理方向ＰＤ２に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、画素ＰＸの他短辺ＳＳ２から副画素電極ＰＢに向かった第１配向処理方向ＰＤ１に別の配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【００９９】
これにより、第１液晶層ＬＱ１のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより一短辺ＳＳ１側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより他短辺ＳＳ２側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１００】
また、第１液晶層ＬＱ１の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、一短辺ＳＳ１より副画素電極ＰＢ側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、他短辺ＳＳ２より副画素電極ＰＢ側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１０１】
なお、第１液晶層ＬＱ１や第２液晶層ＬＱ２の中間部付近の液晶分子ＬＭは、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭ及び対向基板ＣＴ近傍の液晶分子ＬＭと略均一なプレチルト角を持って配向する（ホモジニアス配向）。
【０１０２】
図７は、図５に示した液晶表示パネルＬＰＮをVII−VII線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図であり、第１液晶層ＬＱ１に電圧が印加されている状態を示す図である。図８は、図５に示した液晶表示パネルＬＰＮをVIII−VIII線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図であり、第２液晶層ＬＱ２に電圧が印加されている状態を示す図である。なお、図７及び図８は、画素ＰＸの他短辺ＳＳ２側から見た図である。
【０１０３】
図５、図７及び図８に示すように、実施例１では、上記第１の実施形態と同様に、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１０４】
さらに、実施例１では、対向基板ＣＴ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向及び液晶層ＬＱの中間部付近の液晶分子ＬＭの配向方向も横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。すなわち、液晶層ＬＱの全体に亘って液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１０５】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように、液晶層ＬＱの全域に亘って液晶分子ＬＭをプレチルトさせることができる。第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、ともにホモジニアス配向をとるため、液晶分子ＬＭの配向規制力（配向強度）は一層強いものである。このため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
【０１０６】
（実施例２）
図９は、実施例２の液晶表示パネルＬＰＮの断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図６に対応した図であり、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態を示す図である。
【０１０７】
図９及び図５に示すように、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、副画素電極ＰＢから画素ＰＸの一短辺ＳＳ１に向かった第１配向処理方向ＰＤ１に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、副画素電極ＰＢから画素ＰＸの他短辺ＳＳ２に向かった第２配向処理方向ＰＤ２に別の配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
その他、実施例２の液晶表示装置は、実施例１の液晶表示装置と同様に形成されている。
【０１０８】
これにより、第１液晶層ＬＱ１のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより一短辺ＳＳ１側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより他短辺ＳＳ２側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１０９】
また、第１液晶層ＬＱ１の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより一短辺ＳＳ１側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより他短辺ＳＳ２側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１１０】
なお、第１液晶層ＬＱ１や第２液晶層ＬＱ２の中間部付近の液晶分子ＬＭは、略水平（プレチルト角が略ゼロ）に配向する。このため、液晶分子ＬＭは、第１液晶層ＬＱ１の中間部や第２液晶層ＬＱ２の中間部を境界として、第１配向膜ＡＬ１の近傍及び第２配向膜ＡＬ２の近傍において対称となるようなプレチルト角を持って配向する（スプレイ配向）。
【０１１１】
図１０は、実施例２の液晶表示パネルＬＰＮの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図７に対応した図であり、第１液晶層ＬＱ１に電圧が印加されている状態を示す図である。図１１は、上記実施例２の液晶表示パネルＬＰＮの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図８に対応した図であり、第２液晶層ＬＱ２に電圧が印加されている状態を示す図である。
【０１１２】
図１０及び図１１、並びに図５に示すように、実施例２では、上記第１の実施形態と同様に、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１１３】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように、液晶分子ＬＭをプレチルトさせることができる。このため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
【０１１４】
また、第１液晶層ＬＱ１を挟む第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２に施される配向処理方向は同じ向きであり、第２液晶層ＬＱ２を挟む第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２に施される配向処理方向も同じ向きである。この場合、黒表示の場合に光漏れが少なく、高コントラスト比を実現することができる。
【０１１５】
（実施例３）
図１２は、実施例３の液晶表示パネルＬＰＮの断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図６に対応した図であり、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態を示す図である。
【０１１６】
図１２及び図５に示すように、第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２、すなわち第２配向膜ＡＬ２の全域には、第２配向処理方向ＰＤ２に配向処理（例えば、ラビング）が施されている。
その他、実施例３の液晶表示装置は、実施例１の液晶表示装置と同様に形成されている。
【０１１７】
これにより、第１液晶層ＬＱ１のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより一短辺ＳＳ１側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより他短辺ＳＳ２側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１１８】
また、第１液晶層ＬＱ１の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、一短辺ＳＳ１より副画素電極ＰＢ側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより他短辺ＳＳ２側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１１９】
なお、第１液晶層ＬＱ１において、中間部付近の液晶分子ＬＭは、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭ及び対向基板ＣＴ近傍の液晶分子ＬＭと略均一なプレチルト角を持って配向する（ホモジニアス配向）。
【０１２０】
第２液晶層ＬＱ２において、中間部付近の液晶分子ＬＭは、略水平（プレチルト角が略ゼロ）に配向する。このため、液晶分子ＬＭは、第２液晶層ＬＱ２の中間部を境界として、第１配向膜ＡＬ１の近傍及び第２配向膜ＡＬ２の近傍において対称となるようなプレチルト角を持って配向する（スプレイ配向）。
【０１２１】
図１３は、実施例３の液晶表示パネルＬＰＮの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図７に対応した図であり、第１液晶層ＬＱ１に電圧が印加されている状態を示す図である。図１４は、上記実施例３の液晶表示パネルＬＰＮの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図８に対応した図であり、第２液晶層ＬＱ２に電圧が印加されている状態を示す図である。
【０１２２】
図１３及び図１４、並びに図５に示すように、実施例３では、上記第１の実施形態と同様に、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１２３】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように、液晶分子ＬＭをプレチルトさせることができる。このため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
また、第２配向膜ＡＬ２に施される配向処理は、１種類でよいため、上記実施例１に比べて製造工程を少なくすることができ、ひいては製造コストの低減を図ることができる。
【０１２４】
（実施例４）
図１５は、実施例４の液晶表示パネルＬＰＮの断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図６に対応した図であり、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態を示す図である。
【０１２５】
図１５及び図５に示すように、第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２、すなわち第２配向膜ＡＬ２の全域には、第１配向処理方向ＰＤ１に配向処理（例えば、ラビング）が施されている。
その他、実施例４の液晶表示装置は、実施例１の液晶表示装置と同様に形成されている。
【０１２６】
これにより、第１液晶層ＬＱ１のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより一短辺ＳＳ１側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより他短辺ＳＳ２側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１２７】
また、第１液晶層ＬＱ１の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより一短辺ＳＳ１側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、他短辺ＳＳ２より副画素電極ＰＢ側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１２８】
なお、第１液晶層ＬＱ１において、中間部付近の液晶分子ＬＭは、略水平（プレチルト角が略ゼロ）に配向する。このため、液晶分子ＬＭは、第１液晶層ＬＱ１の中間部を境界として、第１配向膜ＡＬ１の近傍及び第２配向膜ＡＬ２の近傍において対称となるようなプレチルト角を持って配向する（スプレイ配向）。
【０１２９】
第２液晶層ＬＱ２において、中間部付近の液晶分子ＬＭは、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭ及び対向基板ＣＴ近傍の液晶分子ＬＭと略均一なプレチルト角を持って配向する（ホモジニアス配向）。
【０１３０】
図１６は、実施例４の液晶表示パネルＬＰＮの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図７に対応した図であり、第１液晶層ＬＱ１に電圧が印加されている状態を示す図である。図１７は、上記実施例４の液晶表示パネルＬＰＮの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図８に対応した図であり、第２液晶層ＬＱ２に電圧が印加されている状態を示す図である。
【０１３１】
図１６及び図１７、並びに図５に示すように、実施例４では、上記第１の実施形態と同様に、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１３２】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように、液晶分子ＬＭをプレチルトさせることができる。このため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
また、第２配向膜ＡＬ２に施される配向処理は、１種類でよいため、上記実施例１に比べて製造工程を少なくすることができ、ひいては製造コストの低減を図ることができる。
【０１３３】
上記のように構成された第２の実施形態に係る実施例１乃至４の液晶表示装置によれば、各画素ＰＸは、主画素電極ＰＡ、副画素電極ＰＢ及び一対の主共通電極ＣＡを有している。主画素電極ＰＡは、第１絶縁基板１０（アレイ基板ＡＲ）上に形成され、第２方向Ｙに沿って延出している。副画素電極ＰＢは、第１絶縁基板１０（アレイ基板ＡＲ）上に形成され、第１方向Ｘに沿って延出し主画素電極ＰＡと電気的に接続されている。一対の主共通電極ＣＡは、第２絶縁基板２０（対向基板ＣＴ）上に形成され、第１方向Ｘに主画素電極ＰＡを挟んで位置し第２方向Ｙに沿って延出している。
【０１３４】
液晶表示装置は、主画素電極ＰＡ及び副画素電極ＰＢ、並びに主共通電極ＣＡ及び副共通電極ＣＢ間に形成される電界が主に液晶層ＬＱに加わるように構成されている。上記電界は、ＩＰＳモードの液晶表示装置のように複雑に積層された膜を通ることは無い。このため、ＩＰＳモードの液晶表示装置やＦＦＳモードの液晶表示装置に比べて焼き付きに対して強い（焼き付きの発生を低減することができる）横電界モードあるいは斜め電界モードを採る液晶表示装置が得られるものである。また、横電界（斜め電界）により液晶分子ＬＭの配向方向を所望の方向に規定し易いように液晶分子がプレチルトしている。
【０１３５】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように液晶分子をプレチルトさせることができるため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
【０１３６】
上記のことから、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードに比べて焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができ、優れたコントラストの視角特性を得ることができる液晶表示装置を得ることができる。
【０１３７】
なお、上記第２の実施形態において、液晶表示装置は、副画素電極ＰＢ及び副共通電極ＣＢを有しているが、液晶表示装置は、副画素電極ＰＢ及び副共通電極ＣＢ無しに形成されていてもよく、この場合も上記第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１３８】
次に、第３の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。この実施形態において、他の構成は上述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【０１３９】
図１８は、第３の実施形態に係る液晶表示パネルＬＰＮを対向基板ＣＴ側から見たときの一画素ＰＸの構造例を概略的に示す平面図である。図１９は、上記第３の実施形態に係る液晶表示パネルＬＰＮの一部を示す分解斜視図であり、一画素に含まれる第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４と、上記一画素に重なった領域の配向膜及び偏光板を概略的に示す図である。
【０１４０】
図１８及び図１９に示すように、液晶層ＬＱは、複数の第１液晶層ＬＱ１、複数の第２液晶層ＬＱ２、複数の第３液晶層ＬＱ３及び複数の第４液晶層ＬＱ４を有している。複数の画素ＰＸは、少なくとも第１液晶層ＬＱ１、第２液晶層ＬＱ２、第３液晶層ＬＱ３及び第４液晶層ＬＱ４を１つずつ含んでいる。
【０１４１】
この実施形態の各画素ＰＸにおいて、第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２、並びに第３液晶層ＬＱ３及び第４液晶層ＬＱ４は、それぞれ主画素電極ＰＡと対向した領域を境に第１方向Ｘに隣合っている。第１液晶層ＬＱ１及び第３液晶層ＬＱ３、並びに第２液晶層ＬＱ２及び第４液晶層ＬＱ４は、補助容量線Ｃと対向した領域を境に第２方向Ｙに隣合っている。
【０１４２】
図１８に示す例では、画素ＰＸの左上の領域に第１液晶層ＬＱ１が形成され、画素ＰＸの右上の領域に第２液晶層ＬＱ２が形成され、画素ＰＸの左下の領域に第３液晶層ＬＱ３が形成され、画素ＰＸの右下の領域に第４液晶層ＬＱ４が形成されている。
【０１４３】
第１偏光軸ＡＸ１と、第２偏光軸ＡＸ２とは、例えば、直交する位置関係にあるため、第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２はクロスニコル配置されている。ここで、Ｘ−Ｙ平面において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙから４５°傾斜した方向を第４方向ｄ４、第４方向ｄ４に直交した方向を第５方向ｄ５とする。
【０１４４】
この実施形態において、図１８の（ａ）に示すように、第１偏光板ＰＬ１は、第１偏光軸ＡＸ１が第４方向ｄ４に平行となるように配置され、第２偏光板ＰＬ２は、第２偏光軸ＡＸ２が第５方向ｄ５に平行となるように配置されている。
【０１４５】
又は、第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２は、図１８の（ｂ）に示すように配置されていてもよい。図１８の（ａ）に示す例では、第１偏光板ＰＬ１は、第１偏光軸ＡＸ１が第５方向ｄ５に平行となるように配置され、第２偏光板ＰＬ２は、第２偏光軸ＡＸ２が第４方向ｄ４に平行となるように配置されている。
【０１４６】
第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４は、互いに異なる方向に液晶分子ＬＭの初期配向を採っている。この実施形態において、第１液晶層ＬＱ１の液晶分子ＬＭの初期配向及び第４液晶層ＬＱ４の液晶分子ＬＭの初期配向は、それぞれ第４方向ｄ４に略平行であり、互いに略１８０°異なっている。第２液晶層ＬＱ２の液晶分子ＬＭの初期配向及び第３液晶層ＬＱ３の液晶分子ＬＭの初期配向は、それぞれ第５方向ｄ５に略平行であり、互いに略１８０°異なっている。
【０１４７】
第１配向膜ＡＬ１には、複数種類の配向処理が施されている。
この実施形態では、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、第４方向ｄ４に平行であり、画素ＰＸの中央から周縁に向かった第３配向処理方向ＰＤ３に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１４８】
第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、第５方向ｄ５に平行であり、画素ＰＸの中央から周縁に向かった第４配向処理方向ＰＤ４に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１４９】
第３液晶層ＬＱ３と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、第５方向ｄ５に平行であり、画素ＰＸの中央から周縁に向かった第５配向処理方向ＰＤ５に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１５０】
第４液晶層ＬＱ４と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、第４方向ｄ４に平行であり、画素ＰＸの中央から周縁に向かった第６配向処理方向ＰＤ６に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１５１】
第３配向処理方向ＰＤ３及び第６配向処理方向ＰＤ６は、それぞれ第４方向ｄ４に略平行であって、互いに逆向きである。第４配向処理方向ＰＤ４及び第５配向処理方向ＰＤ５は、それぞれ第５方向ｄ５に略平行であって、互いに逆向きである。
【０１５２】
これにより、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４において、アレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、画素ＰＸの中央より周縁側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１５３】
第２配向膜ＡＬ２には、複数種類の配向処理が施されている。
この実施形態では、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第６配向処理方向ＰＤ６に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第５配向処理方向ＰＤ５に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
第３液晶層ＬＱ３と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第４配向処理方向ＰＤ４に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
第４液晶層ＬＱ４と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第３配向処理方向ＰＤ３に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１５４】
これにより、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４において、対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、画素ＰＸの周縁より中央側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１５５】
なお、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４において、中間部付近の液晶分子ＬＭは、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭ及び対向基板ＣＴ近傍の液晶分子ＬＭと略均一なプレチルト角を持って配向する。このため、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４は、それぞれホモジニアス配向を採る。
【０１５６】
ここで、第２配向膜ＡＬ２には、上記の例に限らず、他の配向処理が施されていてもよい。
例えば、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第３配向処理方向ＰＤ３に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第４配向処理方向ＰＤ４に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
第３液晶層ＬＱ３と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第５配向処理方向ＰＤ５に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
第４液晶層ＬＱ４と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第６配向処理方向ＰＤ６に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１５７】
これにより、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４において、対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、画素ＰＸの中央より周縁側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１５８】
なお、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４において、中間部付近の液晶分子ＬＭは、略水平（プレチルト角が略ゼロ）に配向する。このため、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４において、液晶分子ＬＭは、液晶層の中間部を境界として、第１配向膜ＡＬ１の近傍及び第２配向膜ＡＬ２の近傍において対称となるようなプレチルト角を持って配向する。そして、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４は、それぞれスプレイ配向を採る。
【０１５９】
なお、第２配向膜ＡＬ２に施した配向処理は上述した例に限定されるものではなく、種々変形可能である。第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４がそれぞれ上述したホモジニアス配向及びスプレイ配向の何れかを採るように、第２配向膜ＡＬ２に配向処理が施されていればよい。
【０１６０】
第３の実施形態においても、上記第１の実施形態と同様に、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１６１】
さらに、第３の実施形態では、対向基板ＣＴ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向及び液晶層ＬＱの中間部付近の液晶分子ＬＭの配向方向も横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。すなわち、液晶層ＬＱの全体に亘って液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１６２】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように、液晶層ＬＱの全域に亘って液晶分子ＬＭをプレチルトさせることができる。第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、ともにホモジニアス配向をとるため、液晶分子ＬＭの配向規制力（配向強度）は一層強いものである。このため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
【０１６３】
上記のように構成された第３の実施形態に係る液晶表示装置によれば、各画素ＰＸは、主画素電極ＰＡ及び一対の主共通電極ＣＡを有している。主画素電極ＰＡは、第１絶縁基板１０（アレイ基板ＡＲ）上に形成され、第２方向Ｙに沿って延出している。一対の主共通電極ＣＡは、第２絶縁基板２０（対向基板ＣＴ）上に形成され、第１方向Ｘに主画素電極ＰＡを挟んで位置し第２方向Ｙに沿って延出している。
【０１６４】
液晶表示装置は、主画素電極ＰＡ及び主共通電極ＣＡ間に形成される電界が主に液晶層ＬＱに加わるように構成されている。上記電界は、ＩＰＳモードの液晶表示装置のように複雑に積層された膜を通ることは無い。このため、ＩＰＳモードの液晶表示装置やＦＦＳモードの液晶表示装置に比べて焼き付きに対して強い（焼き付きの発生を低減することができる）横電界モードあるいは斜め電界モードを採る液晶表示装置が得られるものである。また、横電界（斜め電界）により液晶分子ＬＭの配向方向を所望の方向に規定し易いように液晶分子がプレチルトしている。
【０１６５】
第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４の全てを合わせて、４つのドメインを形成し易いように液晶分子をプレチルトさせることができるため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
【０１６６】
上記のことから、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードに比べて焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができ、優れたコントラストの視角特性を得ることができる液晶表示装置を得ることができる。
【０１６７】
次に、第４の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。この実施形態において、他の構成は上述した第２の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【０１６８】
図２０は、第４の実施形態に係る液晶表示パネルＬＰＮを対向基板側ＣＴから見たときの一画素ＰＸの構造例を概略的に示す平面図である。
【０１６９】
図２１は、上記第４の実施形態に係る液晶表示パネルＬＰＮの一部を示す分解斜視図であり、一画素ＰＸに含まれる第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２と、上記一画素ＰＸに重なった領域の配向膜及び偏光板を概略的に示す図である。
【０１７０】
図２０及び図２１に示すように、液晶層ＬＱは、負の誘電率異方性を有し、すなわちｎ型液晶で形成されている。なお、詳しい説明は省略するが、誘電率異方性が正負逆となる関係上、ネガ型液晶材料の場合、上記した角度θ１が４５°〜１３５°、望ましくは７０°〜１１０°とすることが好ましい。
【０１７１】
液晶層ＬＱは、複数の第１液晶層ＬＱ１及び複数の第２液晶層ＬＱ２を有している。複数の画素ＰＸは、少なくとも第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２を１つずつ含んでいる。
【０１７２】
この実施形態の各画素ＰＸにおいて、第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、主画素電極ＰＡと対向した領域を境に第１方向Ｘに隣合っている。
【０１７３】
図２０に示す例では、画素ＰＸの左側の領域に第１液晶層ＬＱ１が形成され、画素ＰＸの右側の領域に第２液晶層ＬＱ２が形成されている。
【０１７４】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、互いに異なる方向に液晶分子ＬＭの初期配向を採っている。この実施形態において、第１液晶層ＬＱ１の液晶分子ＬＭの初期配向及び第２液晶層ＬＱ２の液晶分子ＬＭの初期配向は、それぞれ第１方向Ｘに略平行であり、互いに略１８０°異なっている。
【０１７５】
第１配向膜ＡＬ１には、複数種類の配向処理が施されている。
この実施形態では、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、第１方向Ｘに平行であり、主画素電極ＰＡから画素ＰＸの一長辺ＬＳ１に向かった第７配向処理方向ＰＤ７に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１７６】
第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、第１方向Ｘに平行であり、主画素電極ＰＡから画素ＰＸの他長辺ＬＳ２に向かった第８配向処理方向ＰＤ８に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１７７】
第７配向処理方向ＰＤ７及び第８配向処理方向ＰＤ８は、それぞれ第１方向Ｘに略平行であって、互いに逆向きである。これにより、第１液晶層ＬＱ１のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、主画素電極ＰＡより一長辺ＬＳ１側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、主画素電極ＰＡより他長辺ＬＳ２側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１７８】
第２配向膜ＡＬ２にも配向処理が施されている。
この実施形態では、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第８配向処理方向ＰＤ８に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第７配向処理方向ＰＤ７に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１７９】
これにより、第１液晶層ＬＱ１の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、一長辺ＬＳ１より主画素電極ＰＡ側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、他長辺ＬＳ２より主画素電極ＰＡ側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１８０】
なお、第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２において、中間部付近の液晶分子ＬＭは、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭ及び対向基板ＣＴ近傍の液晶分子ＬＭと略均一なプレチルト角を持って配向する。このため、第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、それぞれホモジニアス配向を採る。
【０１８１】
ここで、第２配向膜ＡＬ２には、上記の例に限らず、他の配向処理が施されていてもよい。
例えば、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第７配向処理方向ＰＤ７に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第８配向処理方向ＰＤ８に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１８２】
これにより、第１液晶層ＬＱ１の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、主画素電極ＰＡより一長辺ＬＳ１側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、主画素電極ＰＡより他長辺ＬＳ２側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１８３】
なお、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４において、中間部付近の液晶分子ＬＭは、略水平（プレチルト角が略ゼロ）に配向する。このため、第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２において、液晶分子ＬＭは、液晶層の中間部を境界として、第１配向膜ＡＬ１の近傍及び第２配向膜ＡＬ２の近傍において対称となるようなプレチルト角を持って配向する。そして、第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、それぞれスプレイ配向を採る。
【０１８４】
なお、第２配向膜ＡＬ２に施した配向処理は上述した例に限定されるものではなく、種々変形可能である。第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２がそれぞれ上述したホモジニアス配向及びスプレイ配向の何れかを採るように、第２配向膜ＡＬ２に配向処理が施されていればよい。
【０１８５】
第４の実施形態においても、上記第２の実施形態と同様に、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１８６】
さらに、第４の実施形態では、対向基板ＣＴ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向及び液晶層ＬＱの中間部付近の液晶分子ＬＭの配向方向も横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。すなわち、液晶層ＬＱの全体に亘って液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１８７】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように、液晶層ＬＱの全域に亘って液晶分子ＬＭをプレチルトさせることができる。第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、ともにホモジニアス配向をとるため、液晶分子ＬＭの配向規制力（配向強度）は強いものである。各画素ＰＸは、主画素電極ＰＡ及び主共通電極ＣＡだけでなく副画素電極ＰＢ及び副共通電極ＣＢも有しているため、液晶分子ＬＭの配向規制力（配向強度）は一層強いものである。このため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
【０１８８】
上記のように構成された第４の実施形態に係る液晶表示装置によれば、各画素ＰＸは、主画素電極ＰＡ、副画素電極ＰＢ及び一対の主共通電極ＣＡを有している。主画素電極ＰＡは、第１絶縁基板１０（アレイ基板ＡＲ）上に形成され、第２方向Ｙに沿って延出している。副画素電極ＰＢは、第１絶縁基板１０（アレイ基板ＡＲ）上に形成され、第１方向Ｘに沿って延出し主画素電極ＰＡと電気的に接続されている。一対の主共通電極ＣＡは、第２絶縁基板２０（対向基板ＣＴ）上に形成され、第１方向Ｘに主画素電極ＰＡを挟んで位置し第２方向Ｙに沿って延出している。
【０１８９】
液晶表示装置は、主画素電極ＰＡ及び副画素電極ＰＢ、並びに主共通電極ＣＡ及び副共通電極ＣＢ間に形成される電界が主に液晶層ＬＱに加わるように構成されている。上記電界は、ＩＰＳモードの液晶表示装置のように複雑に積層された膜を通ることは無い。このため、ＩＰＳモードの液晶表示装置やＦＦＳモードの液晶表示装置に比べて焼き付きに対して強い（焼き付きの発生を低減することができる）横電界モードあるいは斜め電界モードを採る液晶表示装置が得られるものである。また、横電界（斜め電界）により液晶分子ＬＭの配向方向を所望の方向に規定し易いように液晶分子がプレチルトしている。
【０１９０】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように液晶分子をプレチルトさせることができるため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
【０１９１】
上記のことから、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードに比べて焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができ、優れたコントラストの視角特性を得ることができる液晶表示装置を得ることができる。
【０１９２】
なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【０１９３】
例えば、上述した第２及び第４の実施形態において、画素電極ＰＥはＩ字状に形成され、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしていてもよい。次に、画素電極ＰＥがＩ字状に形成された場合の例を、図２２を用いて説明する。図２２は、第２及び第４の実施形態に係る変形例の液晶表示パネルＬＰＮを対向基板ＣＴ側から見たときの一画素ＰＸの他の構造例を概略的に示す平面図である。
【０１９４】
図２２に示すように、画素電極ＰＥは、主画素電極ＰＡ、第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧを有している。これらの主画素電極ＰＡ、第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧは、互いに電気的に接続されている。本実施形態においては、画素電極ＰＥの全体がアレイ基板ＡＲに備えられている。
【０１９５】
主画素電極ＰＡは、第２方向Ｙに長手方向を持っている。第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧは、第１方向Ｘに沿って延出している。第２副画素電極ＰＧは、第１副画素電極ＰＦから離間している。
【０１９６】
図示した例では、画素電極ＰＥは、Ｉ字状に形成されている。より具体的には、主画素電極ＰＡは、略画素中央部において第２方向Ｙに沿って直線的に延出した帯状に形成されている。第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧは、それぞれ画素ＰＸの上側端部及び下側端部において第１方向Ｘに沿って直線的に延出した帯状に形成されている。
【０１９７】
なお、第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧは、上下画素間に配置されても良い。つまり、第１副画素電極ＰＦは図示した当該画素ＰＸとその下側の画素（図示せず）との境界に跨って配置されても良いし、第２副画素電極ＰＧは図示した当該画素ＰＸとその上側の画素（図示せず）との境界に跨って配置されてもよい。
【０１９８】
第１副画素電極ＰＦは、主画素電極ＰＡの一端部に結合し、主画素電極ＰＡからその両側に向かって延出している。第２副画素電極ＰＧは主画素電極ＰＡの他端部に結合し、主画素電極ＰＡからその両側に向かって延出している。これらの第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧは、主画素電極ＰＡと略直交している。なお、第１副画素電極ＰＦは主画素電極ＰＡの一端部よりもわずかに他端部寄りに結合していても良いし、同様に、第２副画素電極ＰＧは主画素電極ＰＡの他端部よりもわずかに一端部寄りに結合していても良い。画素電極ＰＥは、例えば、第２副画素電極ＰＧにおいて図示を省略したスイッチング素子と電気的に接続されている。
【０１９９】
共通電極ＣＥは、主共通電極ＣＡ及び副共通電極ＣＢを有している。これらの主共通電極ＣＡ及び副共通電極ＣＢは、互いに電気的に接続されている。このような共通電極ＣＥは、画素電極ＰＥとは電気的に絶縁されている。本実施形態においては、共通電極ＣＥにおいて、主共通電極及び副共通電極の少なくとも一部は、対向基板ＣＴに備えられている。
【０２００】
一対の主共通電極ＣＡは、第１方向Ｘに主画素電極ＰＡを挟んで位置し第２方向Ｙに延出して形成されている。Ｘ−Ｙ平面内において、主共通電極ＣＡのいずれも主画素電極ＰＡとは重ならず、主共通電極ＣＡのそれぞれと主画素電極ＰＡとの間には略等しい間隔が形成されている。
【０２０１】
副共通電極ＣＢは、第１方向Ｘに沿って延出している。副共通電極ＣＢは、第１副画素電極ＰＦと第２副画素電極ＰＧとの間に配置されている。Ｘ−Ｙ平面内において、第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧのいずれも副共通電極ＣＢとは重ならず、第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧのそれぞれと副共通電極ＣＢとの間には略等しい間隔が形成されている。
【０２０２】
図示した例では、主共通電極ＣＡは、第２方向Ｙに沿って直線的に延出した帯状に形成されている。副共通電極ＣＢは、第１方向Ｘに沿って直線的に延出した帯状に形成されている。なお、主共通電極ＣＡは第１方向Ｘに沿って２本平行に並んでおり、以下では、これらを区別するために、図中の左側の主共通電極をＣＡＬと称し、図中の右側の主共通電極をＣＡＲと称する。主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲは、副共通電極ＣＢとそれぞれ繋がっている。
【０２０３】
主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲは左右画素間に配置されている。すなわち、主共通電極ＣＡＬは図示した当該画素ＰＸとその左側の画素（図示せず）との境界に跨って配置され、主共通電極ＣＡＲは図示した当該画素ＰＸとその右側の画素（図示せず）との境界に跨って配置されている。
【０２０４】
隣接する主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲの間には、１本の主画素電極ＰＡが位置している。このため、主共通電極ＣＡＬ、主画素電極ＰＡ、及び、主共通電極ＣＡＲは、第１方向Ｘに沿ってこの順に配置されている。つまり、主画素電極ＰＡと主共通電極ＣＡとは第１方向Ｘに沿って交互に配置されている。これらの主画素電極ＰＡと、主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲとは、互いに略平行に配置されている。また、主共通電極ＣＡＬと主画素電極ＰＡとの距離は、主共通電極ＣＡＲと主画素電極ＰＡとの距離と略同等である。
【０２０５】
隣接する第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧの間には、１本の副共通電極ＣＢが位置している。このため、第１副画素電極ＰＦ、副共通電極ＣＢ及び第２副画素電極ＰＧは、第２方向Ｙに沿ってこの順に配置されている。つまり、第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧと副共通電極ＣＢとは第２方向Ｙに沿って交互に配置されている。これらの第１副画素電極ＰＦ、副共通電極ＣＢ及び第２副画素電極ＰＧは、互いに略平行に配置されている。また、第１副画素電極ＰＦと副共通電極ＣＢとの距離は、第２副画素電極ＰＧと副共通電極ＣＢとの距離と略同等である。
【０２０６】
つまり、図示した例では、一画素ＰＸにおいて、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとで区画された４つの領域（主として表示に寄与する開口部あるいは透過部）が形成される。
【０２０７】
なお、ここでは詳述しないが、主共通電極ＣＡの少なくとも１つは、主共通電極ＣＡと略平行に（あるいは第２方向Ｙに沿って）延出するソース配線Ｓと対向していてもよい。また、第１副画素電極ＰＦ、第２副画素電極ＰＧ及び副共通電極ＣＢのいずれか１つは、これらと略平行に（あるいは第１方向Ｘに沿って）延出するゲート配線Ｇや補助容量線Ｃと対向していてもよい。
【０２０８】
上述した実施形態に係る液晶表示装置は、例えば、ワードプロセッサやパーソナルコンピュータなどのＯＡ（オフィス−オートメーション）機器の表示部や、電子手帳等の携帯情報機器の表示部、あるいはカメラ一体型ＶＴＲ等の表示部に適用可能である。
【符号の説明】
【０２０９】
ＬＰＮ…液晶表示パネル、ＰＸ…画素、ＳＳ１…一短辺、ＳＳ２…他短辺、ＬＳ１…一長辺、ＬＳ２…他長辺、ＡＲ…アレイ基板、Ｇ…ゲート配線、Ｃ…補助容量線、Ｓ…ソース配線、ＰＥ…画素電極、ＰＡ…主画素電極、ＰＢ，ＰＦ，ＰＧ…副画素電極、ＡＬ１…第１配向膜、ＣＴ…対向基板、ＣＥ…共通電極、ＣＡ…主共通電極、ＣＢ…副共通電極、ＡＬ２…第２配向膜、ＬＱ…液晶層、ＬＱ１…第１液晶層、ＬＱ２…第２液晶層、ＬＱ３…第３液晶層、ＬＱ４…第４液晶層、ＬＭ…液晶分子、ＰＬ１…第１偏光板、ＰＬ２…第２偏光板、Ｘ…第１方向、Ｙ…第２方向、Ｚ…第３方向、ｄ４…第４方向、ｄ５…第５方向、ＰＤ１〜ＰＤ８…配向処理方向。
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の利点から特に注目を集めている。特に、各画素にスイッチング素子を組み込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モードやＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードなどの横電界（フリンジ電界も含む）を利用した構造が注目されている。
【０００３】
例えば、ＩＰＳモードの液晶表示装置は、液晶層を挟持する基板間で液晶分子が捻れていないホモジニアス構造をとる液晶表示パネルを備えている。この液晶表示パネルは、同一基板上に形成された画素電極と共通電極とを備え、基板の主面に対してほぼ平行な水平電界で液晶分子をスイッチングする。また、液晶表示パネルは、それぞれの外面に互いに偏向軸方向が直交するように配置された偏光板を備えている。一方の偏光板は、その偏光軸が一方の基板に接している液晶分子の長軸方向と平行または直交するように配置されている。
【０００４】
ＩＰＳモード液晶表示装置は、このような偏光板の配置により、電圧無印加時に黒色画面を表示し、映像信号に対応した電圧を画素電極に印加することにより徐々に光透過率が増加して白色画面を表示する。このような表示特性が得られるのは、以下のような原理に基づく。すなわち、画素電極と共通電極との間に形成される水平電界により、液晶分子が水平電界の向きに配列しようとして基板主面とほぼ平行な平面内で回転する。このような液晶分子の配列状態により、液晶パネルを通過する光の偏光状態が変わる。これにより、偏光板を通過するすなわち液晶表示パネルを透過する光の透過率が変調される。
【０００５】
液晶表示パネル内において、液晶分子の配列状態が同じであっても、液晶表示パネルに入射する光の入射方向によって透過光の偏光状態は変化する。このため、入射方向に対応して光の透過率が異なる。しかしながら、ＩＰＳモード液晶表示装置では、液晶分子が基板主面とほぼ平行な平面内で回転するため、透過光の入射方向に対して偏光状態が大きく影響しないので、視野角依存性は小さく、広い視野角特性を有するといった特徴がある。
【０００６】
しかし、ＩＰＳモード液晶表示装置では、同一基板上に画素電極と共通電極を備えているため、電界が複雑に積層された膜を通ることに起因する焼き付きが発生してしまう非常に大きな問題である。
【０００７】
一方で、アレイ基板に形成された画素電極と、対向基板に形成された共通電極との間に、横電界あるいは斜め電界を形成し、液晶分子をスイッチングする技術も提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−１９２８２２号公報
【特許文献２】特開平０９−１６００４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
この発明の目的は、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードに比べて焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができ、優れたコントラストの視角特性を得ることができる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
一実施形態に係る液晶表示装置は、
第１基板と、
前記第１基板に隙間を置いて対向配置された第２基板と、
前記第１基板及び第２基板間に挟持された複数の第１液晶層、並びに前記第１基板及び第２基板間に挟持され前記第１液晶層の液晶分子の初期配向とは異なる方向に前記液晶分子の初期配向を採る複数の第２液晶層を有した液晶層と、
第１方向及び前記第１方向に直交した第２方向にマトリクス状に設けられ、それぞれ前記第１液晶層及び第２液晶層を１つずつ含み、それぞれ前記第１方向に沿った長さが前記第２方向に沿った長さよりも短い複数の画素と、を備え、
前記各画素は、
前記第１基板上に形成され、前記第２方向に沿って延出した主画素電極と、
前記第２基板上に形成され、前記第１方向に前記主画素電極を挟んで位置し前記第２方向に沿って延出した一対の主共通電極と、を有していることを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示パネルを対向基板側から見たときの一画素の構造例を概略的に示す平面図である。
【図３】図３は、図２に示した液晶表示パネルをIII−III線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図である。
【図４】図４は、図２に示した液晶表示パネルにおける画素電極と共通電極との間に形成される電界、及び、この電界による液晶分子のダイレクタと透過率との関係を説明するための図である。
【図５】図５は、第２の実施形態に係る実施例１の液晶表示パネルを対向基板側から見たときの一画素の構造例を概略的に示す平面図である。
【図６】図６は、図５に示した液晶表示パネルをVI−VI線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図であり、液晶層に電圧が印加されていない状態を示す図である。
【図７】図７は、図５に示した液晶表示パネルをVII−VII線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図であり、第１液晶層に電圧が印加されている状態を示す図である。
【図８】図８は、図５に示した液晶表示パネルをVIII−VIII線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図であり、第２液晶層に電圧が印加されている状態を示す図である。
【図９】図９は、第２の実施形態に係る実施例２の液晶表示パネルの断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図６に対応した図であり、液晶層に電圧が印加されていない状態を示す図である。
【図１０】図１０は、上記実施例２の液晶表示パネルの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図７に対応した図であり、第１液晶層に電圧が印加されている状態を示す図である。
【図１１】図１１は、上記実施例２の液晶表示パネルの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図８に対応した図であり、第２液晶層に電圧が印加されている状態を示す図である。
【図１２】図１２は、第２の実施形態に係る実施例３の液晶表示パネルの断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図６に対応した図であり、液晶層に電圧が印加されていない状態を示す図である。
【図１３】図１３は、上記実施例３の液晶表示パネルの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図７に対応した図であり、第１液晶層に電圧が印加されている状態を示す図である。
【図１４】図１４は、上記実施例３の液晶表示パネルの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図８に対応した図であり、第２液晶層に電圧が印加されている状態を示す図である。
【図１５】図１５は、第２の実施形態に係る実施例４の液晶表示パネルの断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図６に対応した図であり、液晶層に電圧が印加されていない状態を示す図である。
【図１６】図１６は、上記実施例４の液晶表示パネルの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図７に対応した図であり、第１液晶層に電圧が印加されている状態を示す図である。
【図１７】図１７は、上記実施例４の液晶表示パネルの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図８に対応した図であり、第２液晶層に電圧が印加されている状態を示す図である。
【図１８】図１８は、第３の実施形態に係る液晶表示パネルを対向基板側から見たときの一画素の構造例を概略的に示す平面図である。
【図１９】図１９は、上記第３の実施形態に係る液晶表示パネルの一部を示す分解斜視図であり、一画素に含まれる第１乃至第４液晶層と、上記一画素に重なった領域の配向膜及び偏光板を概略的に示す図である。
【図２０】図２０は、第４の実施形態に係る液晶表示パネルを対向基板側から見たときの一画素の構造例を概略的に示す平面図である。
【図２１】図２１は、上記第４の実施形態に係る液晶表示パネルの一部を示す分解斜視図であり、一画素に含まれる第１液晶層及び第２液晶層と、上記一画素に重なった領域の配向膜及び偏光板を概略的に示す図である。
【図２２】図２２は、上記第２及び第４の実施形態に係る変形例の液晶表示パネルを対向基板側から見たときの一画素の他の構造例を概略的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら第１の実施形態に係る液晶表示装置について詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。始めに、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モード及びＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードに比べて焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採るための液晶表示装置の構成について説明する。
【００１３】
図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【００１４】
図１に示すように、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルＬＰＮを備えている。液晶表示パネルＬＰＮは、第１基板であるアレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向して配置された第２基板である対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴ間に挟持された液晶層ＬＱと、を備えている。このような液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示する表示領域Ｒ１を備えている。表示領域Ｒ１は、アレイ基板ＡＲ、対向基板ＣＴ及び液晶層ＬＱに重なっている。この表示領域Ｒ１には、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸが位置している（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。
【００１５】
液晶表示パネルＬＰＮは、表示領域Ｒ１において、ｎ本のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、ｎ本の補助容量線Ｃ（Ｃ１〜Ｃｎ）、ｍ本のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）などを備えている。ゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃは、例えば、第１方向Ｘに沿って略直線的に延出している。これらのゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃは、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って交互に並列配置されている。ここでは、第１方向Ｘと第２方向Ｙとは互いに略直交している。ソース配線Ｓは、ゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃと交差している。ソース配線Ｓは、第２方向Ｙに沿って略直線的に延出している。なお、ゲート配線Ｇ、補助容量線Ｃ、及び、ソース配線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。
【００１６】
各ゲート配線Ｇは、表示領域Ｒ１の外側に引き出され、ゲートドライバＧＤに接続されている。各ソース配線Ｓは、表示領域Ｒ１の外側に引き出され、ソースドライバＳＤに接続されている。これらのゲートドライバＧＤ及びソースドライバＳＤの少なくとも一部は、例えば、アレイ基板ＡＲに形成され、コントローラを内蔵した駆動ＩＣチップ２と接続されている。
【００１７】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥなどを備えている。保持容量Ｃｓは、例えば補助容量線Ｃと画素電極ＰＥとの間に形成される。補助容量線Ｃは、補助容量電圧が印加される電圧印加部ＶＣＳと電気的に接続されている。
【００１８】
なお、本実施形態においては、液晶表示パネルＬＰＮは、画素電極ＰＥがアレイ基板ＡＲに形成される一方で共通電極ＣＥの少なくとも一部が対向基板ＣＴに形成された構成であり、これらの画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界を主に利用して液晶層ＬＱの液晶分子をスイッチングする。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界は、第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定されるＸ−Ｙ平面あるいは基板主面に対してわずかに傾いた斜め電界（あるいは、基板主面にほぼ平行な横電界）である。
【００１９】
スイッチング素子ＳＷは、例えば、ｎチャネル薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成されている。このスイッチング素子ＳＷは、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されている。このようなスイッチング素子ＳＷは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであっても良い。また、スイッチング素子ＳＷの半導体層は、例えば、ポリシリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンによって形成されていても良い。
【００２０】
画素電極ＰＥは、各画素ＰＸに配置され、スイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、液晶層ＬＱを介して複数の画素ＰＸの画素電極ＰＥに対して共通に配置されている。このような画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されているが、アルミニウムなどの他の金属材料によって形成されても良い。
【００２１】
アレイ基板ＡＲは、共通電極ＣＥに電圧（コモン電圧）を印加するための給電部ＶＳを備えている。この給電部ＶＳは、例えば、表示領域Ｒ１の外側の非表示領域Ｒ２に形成されている。共通電極ＣＥは、表示領域Ｒ１の外側に引き出され、図示しない導電部材を介して、給電部ＶＳと電気的に接続されている。
【００２２】
図２は、図１に示した液晶表示パネルＬＰＮを対向基板側から見たときの一画素ＰＸの構造例を概略的に示す平面図である。ここでは、Ｘ−Ｙ平面における平面図を示している。
【００２３】
図２に示すように、画素ＰＸは、破線で示したように、第１方向Ｘに沿った長さが第２方向Ｙに沿った長さよりも短い長方形状である。ゲート配線Ｇ１及びゲート配線Ｇ２は、第１方向Ｘに沿って延出している。補助容量線Ｃ１は、隣接するゲート配線Ｇ１とゲート配線Ｇ２との間に配置され、第１方向Ｘに沿って延出している。ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２は、第２方向Ｙに沿って延出している。画素電極ＰＥは、隣接するソース配線Ｓ１とソース配線Ｓ２との間に配置されている。また、この画素電極ＰＥは、ゲート配線Ｇ１とゲート配線Ｇ２との間に位置している。
【００２４】
図示した例では、画素ＰＸにおいて、ソース配線Ｓ１は左側端部に配置され、ソース配線Ｓ２は右側端部に配置されている。厳密には、ソース配線Ｓ１は当該画素ＰＸとその左側に隣接する画素との境界に跨って配置され、ソース配線Ｓ２は当該画素ＰＸとその右側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。また、画素ＰＸにおいて、ゲート配線Ｇ１は上側端部に配置され、ゲート配線Ｇ２は下側端部に配置されている。厳密には、ゲート配線Ｇ１は当該画素ＰＸとその上側に隣接する画素との境界に跨って配置され、ゲート配線Ｇ２は当該画素ＰＸとその下側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。補助容量線Ｃ１は、画素の略中央部に配置されている。
【００２５】
スイッチング素子ＳＷは、図示した例では、ゲート配線Ｇ１及びソース配線Ｓ１に電気的に接続されている。このスイッチング素子ＳＷは、ゲート配線Ｇ１とソース配線Ｓ１の交点に設けられ、そのドレイン配線はソース配線Ｓ１及び補助容量線Ｃ１に沿って延長され、補助容量線Ｃ１と重なる領域に形成されたコンタクトホールＣＨを介して画素電極ＰＥと電気的に接続されている。このようなスイッチング素子ＳＷは、ソース配線Ｓ１及び補助容量線Ｃ１と重なる領域に設けられ、ソース配線Ｓ１及び補助容量線Ｃ１と重なる領域からほとんどはみ出すことはなく、表示に寄与する開口部の面積の低減を抑制している。
【００２６】
複数の画素電極ＰＥは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに間隔を置いて並べられている。複数の画素電極ＰＥは、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出して形成された主画素電極ＰＡを含んでいる。
【００２７】
この実施形態において、画素電極ＰＥは、互いに電気的に接続された主画素電極ＰＡ及びコンタクト部ＰＣを含んでいる。主画素電極ＰＡは、コンタクト部ＰＣから画素ＰＸの上側端部付近及び下側端部付近まで第２方向Ｙに沿って直線的に延出している。このような主画素電極ＰＡは、第１方向Ｘに沿って略同一の幅を有する帯状に形成されている。コンタクト部ＰＣは、補助容量線Ｃ１と重なる領域に位置し、コンタクトホールＣＨを介してスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。このコンタクト部ＰＣは、主画素電極ＰＡよりも幅広に形成されている。
【００２８】
このような画素電極ＰＥは、ソース配線Ｓ１とソース配線Ｓ２との略中間の位置、つまり、画素ＰＸの中央に配置されている。ソース配線Ｓ１と画素電極ＰＥとの第１方向Ｘに沿った間隔は、ソース配線Ｓ２と画素電極ＰＥとの第１方向Ｘに沿った間隔と略同等である。
【００２９】
共通電極ＣＥは、複数の主共通電極ＣＡを含んでいる。複数の主共通電極ＣＡは、Ｘ−Ｙ平面内において、第１方向Ｘに間隔を置いて並べられ、第１方向Ｘに複数の主画素電極ＰＡを挟み、それぞれ主画素電極ＰＡと略平行な第２方向Ｙに沿って直線的に延出している。あるいは、主共通電極ＣＡは、ソース配線Ｓとそれぞれ対向するとともに主画素電極ＰＡと略平行に延出している。このような主共通電極ＣＡは、帯状に形成され、第１方向Ｘに沿って略同一の幅を有する。
【００３０】
図示した例では、主共通電極ＣＡは、第１方向Ｘに沿って２本平行に並んでおり、画素ＰＸの左右両端部にそれぞれ配置されている。以下では、これらの主共通電極ＣＡを区別するために、図中の左側の主共通電極をＣＡＬと称し、図中の右側の主共通電極をＣＡＲと称する。主共通電極ＣＡＬはソース配線Ｓ１と対向し、主共通電極ＣＡＲはソース配線Ｓ２と対向している。
【００３１】
画素ＰＸにおいて、主共通電極ＣＡＬは左側端部に配置され、主共通電極ＣＡＲは右側端部に配置されている。厳密には、主共通電極ＣＡＬは当該画素ＰＸとその左側に隣接する画素との境界に跨って配置され、主共通電極ＣＡＲは当該画素ＰＸとその右側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。
【００３２】
画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡとの位置関係に着目すると、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡとは、第１方向Ｘに沿って交互に配置されている。これらの画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡとは、互いに略平行に配置されている。このとき、Ｘ−Ｙ平面内において、主共通電極ＣＡのいずれも画素電極ＰＥとは重ならない。
【００３３】
すなわち、隣接する主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲの間には、１本の画素電極ＰＥが位置している。換言すると、一対の主共通電極（主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲ）は、画素電極ＰＥの直上の位置を挟んだ両側に配置されている。あるいは、画素電極ＰＥは、主共通電極ＣＡＬと主共通電極ＣＡＲとの間に配置されている。このため、主共通電極ＣＡＬ、主画素電極ＰＡ、及び、主共通電極ＣＡＲは、第１方向Ｘに沿ってこの順に配置されている。
【００３４】
これらの画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの第１方向Ｘに沿った間隔は略一定である。すなわち、主共通電極ＣＡＬと主画素電極ＰＡとの第１方向Ｘに沿った間隔は、主共通電極ＣＡＲと主画素電極ＰＡとの第１方向Ｘに沿った間隔と略同等である。
【００３５】
図３は、図２に示した液晶表示パネルＬＰＮをIII−III線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図である。なお、ここでは、説明に必要な箇所のみを図示している。
図３に示すように、液晶表示パネルＬＰＮを構成するアレイ基板ＡＲの背面側には、バックライトユニット４が配置されている。バックライトユニット４としては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したものや冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。
【００３６】
アレイ基板ＡＲは、光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。ソース配線Ｓは、第１層間絶縁膜１１の上に形成され、第２層間絶縁膜１２によって覆われている。なお、図示しないゲート配線や補助容量線は、例えば、第１絶縁基板１０と第１層間絶縁膜１１の間に配置されている。画素電極ＰＥは、第２層間絶縁膜１２の上に形成されている。この画素電極ＰＥは、隣接するソース配線Ｓのそれぞれの直上の位置よりもそれらの内側に位置している。
【００３７】
第１配向膜ＡＬ１は、アレイ基板ＡＲの対向基板ＣＴと対向する面に配置され、表示領域Ｒ１の略全体に亘って延在している。この第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥなどを覆っており、第２層間絶縁膜１２の上にも配置されている。このような第１配向膜ＡＬ１は、水平配向性を示す材料によって形成されている。
なお、アレイ基板ＡＲは、さらに、共通電極ＣＥの一部を備えていても良い。
【００３８】
対向基板ＣＴは、光透過性を有する第２絶縁基板２０を用いて形成されている。この対向基板ＣＴは、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、共通電極ＣＥ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００３９】
ブラックマトリクスＢＭは、各画素ＰＸを区画し、画素電極ＰＥと対向する開口部ＡＰを形成する。すなわち、ブラックマトリクスＢＭは、ソース配線Ｓ、ゲート配線、補助容量線、スイッチング素子などの配線部に対向するように配置されている。ここでは、ブラックマトリクスＢＭは、第２方向Ｙに沿って延出した部分のみが図示されているが、第１方向Ｘに沿って延出した部分を備えていてもよい。このブラックマトリクスＢＭは、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲに対向する内面２０Ａに配置されている。
【００４０】
カラーフィルタＣＦは、各画素ＰＸに対応して配置されている。すなわち、カラーフィルタＣＦは、第２絶縁基板２０の内面２０Ａにおける開口部ＡＰに配置されるとともに、その一部がブラックマトリクスＢＭに乗り上げている。第１方向Ｘに隣接する画素ＰＸにそれぞれ配置されたカラーフィルタＣＦは、互いに色が異なる。例えば、カラーフィルタＣＦは、赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色に着色された樹脂材料からなる赤色カラーフィルタＣＦＲは、赤色画素に対応して配置されている。青色に着色された樹脂材料からなる青色カラーフィルタＣＦＢは、青色画素に対応して配置されている。緑色に着色された樹脂材料からなる緑色カラーフィルタＣＦＧは、緑色画素に対応して配置されている。これらのカラーフィルタＣＦ同士の境界は、ブラックマトリクスＢＭと重なる位置にある。
【００４１】
オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。このオーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦの表面の凹凸の影響を緩和する。
【００４２】
共通電極ＣＥは、オーバーコート層ＯＣのアレイ基板ＡＲと対向する側に形成されている。この共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの第３方向Ｚに沿った間隔は略一定である。第３方向Ｚとは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに直交する方向、あるいは、液晶表示パネルＬＰＮの法線方向である。
【００４３】
第２配向膜ＡＬ２は、対向基板ＣＴのアレイ基板ＡＲと対向する面に配置され、表示領域Ｒ１の略全体に亘って延在している。この第２配向膜ＡＬ２は、共通電極ＣＥ及びオーバーコート層ＯＣなどを覆っている。このような第２配向膜ＡＬ２は、水平配向性を示す材料によって形成されている。
【００４４】
これらの第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２には、液晶層ＬＱの液晶分子を初期配向させるための配向処理（例えば、ラビングや光配向処理）がなされている。この実施形態において、液晶層ＬＱは、例えば、正の誘電率異方性を有し、すなわちｐ型液晶で形成されている。
【００４５】
上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、それぞれの第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲの第１配向膜ＡＬ１と対向基板ＣＴの第２配向膜ＡＬ２との間には、例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサにより、所定のセルギャップ、例えば２〜７μｍのセルギャップが形成される。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、所定のセルギャップが形成された状態で、表示領域Ｒ１の外側のシール材ＳＢによって貼り合わせられている。
【００４６】
液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に形成されたセルギャップに保持され、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に配置されている。
【００４７】
アレイ基板ＡＲの外面、つまり、アレイ基板ＡＲを構成する第１絶縁基板１０の外面１０Ｂには、第１光学素子ＯＤ１が接着剤などにより貼付されている。この第１光学素子ＯＤ１は、液晶表示パネルＬＰＮのバックライトユニット４と対向する側に位置しており、バックライトユニット４から液晶表示パネルＬＰＮに入射する入射光の偏光状態を制御する。この第１光学素子ＯＤ１は、第１偏光軸（あるいは第１吸収軸）ＡＸ１を有する第１偏光板ＰＬ１を含んでいる。
【００４８】
対向基板ＣＴの外面、つまり、対向基板ＣＴを構成する第２絶縁基板２０の外面２０Ｂには、第２光学素子ＯＤ２が接着剤などにより貼付されている。この第２光学素子ＯＤ２は、液晶表示パネルＬＰＮの表示面側に位置しており、液晶表示パネルＬＰＮから出射した出射光の偏光状態を制御する。この第２光学素子ＯＤ２は、第２偏光軸（あるいは第２吸収軸）ＡＸ２を有する第２偏光板ＰＬ２を含んでいる。
【００４９】
第１偏光軸ＡＸ１と、第２偏光軸ＡＸ２とは、例えば、直交する位置関係にあるため、第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２はクロスニコル配置されている。このとき、一方の偏光板は、例えば、その偏光軸が液晶分子の初期配向方向と平行または直交するように配置されている。この実施形態において、初期配向方向が第２方向Ｙと平行であるため、一方の偏光板の偏光軸は、第２方向Ｙと平行、あるいは、第１方向Ｘと平行である。
【００５０】
図２において、（ａ）で示した例では、第１偏光板ＰＬ１は、その第１偏光軸ＡＸ１が液晶分子ＬＭの初期配向方向（第２方向Ｙ）に対して直交する（つまり、第１方向Ｘに平行となる）ように配置され、また、第２偏光板ＰＬ２は、その第２偏光軸ＡＸ２が液晶分子ＬＭの初期配向方向に対して平行となる（つまり、第２方向Ｙと平行となる）ように配置されている。
【００５１】
また、図２において、（ｂ）で示した例では、第２偏光板ＰＬ２は、その第２偏光軸ＡＸ２が液晶分子ＬＭの初期配向方向（第２方向Ｙ）に対して直交する（つまり、第１方向Ｘに平行となる）ように配置され、また、第１偏光板ＰＬ１は、その第１偏光軸ＡＸ１が液晶分子ＬＭの初期配向方向に対して平行となる（つまり、第２方向Ｙと平行となる）ように配置されている。
【００５２】
次に、上記構成の液晶表示パネルＬＰＮの動作について説明する。
図２及び図３に示すように、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態、つまり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていない状態（ＯＦＦ時）には、液晶層ＬＱの液晶分子ＬＭは、その長軸が第１配向膜ＡＬ１の配向処理方向及び第２配向膜ＡＬ２の配向処理方向を向くように配向している。このようなＯＦＦ時が初期配向状態に相当し、ＯＦＦ時の液晶分子ＬＭの配向方向が初期配向方向に相当する。
【００５３】
なお、厳密には、液晶分子ＬＭは、Ｘ−Ｙ平面に平行に配向しているとは限らず、配向膜の近傍ではプレチルトしている。このため、ここでの液晶分子ＬＭの初期配向方向とは、ＯＦＦ時の液晶分子ＬＭの長軸をＸ−Ｙ平面に正射影した方向である。以下では、説明を簡略にするために、液晶分子ＬＭは、Ｘ−Ｙ平面に平行に配向しているものとし、Ｘ−Ｙ平面と平行な面内で回転するものとして説明する。
【００５４】
ＯＦＦ時においては、液晶分子ＬＭは、図２に破線で示したように、その長軸が第２方向Ｙと略平行な方向に初期配向する。つまり、液晶分子ＬＭの初期配向方向は、第２方向Ｙと平行（あるいは、第２方向Ｙに対して０°）である。
【００５５】
バックライトユニット４からのバックライトは、その一部が第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＬＰＮに入射する。液晶表示パネルＬＰＮに入射した光の偏光状態は、液晶層ＬＱを通過する際に液晶分子ＬＭの配向状態によって異なる。ＯＦＦ時においては、液晶層ＬＱを通過した光は、第２偏光板ＰＬ２によって吸収される（黒表示）。
【００５６】
一方、液晶層ＬＱに電圧が印加された状態、つまり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成された状態（ＯＮ時）では、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に基板と略平行な横電界（あるいは斜め電界）が形成される。液晶分子ＬＭは、電界の影響を受け、その長軸が図中の実線で示したようにＸ−Ｙ平面と略平行な平面内で回転する。
【００５７】
後述するが、液晶層ＬＱは、複数の第１液晶層ＬＱ１及び複数の第２液晶層ＬＱ２を有している。複数の画素ＰＸは、少なくとも第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２を１つずつ含んでいる。この実施形態において、各画素ＰＸの第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、補助容量線Ｃと対向した領域を境に第２方向Ｙに隣合っている。
【００５８】
図２に示した第２液晶層ＬＱ２の例では、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬとの間の領域内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して時計回りに回転し、図中の左下を向くように配向する。画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＲとの間の領域内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して反時計回りに回転し、図中の右下を向くように配向する。
【００５９】
このように、各画素ＰＸにおいて、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成された状態では、液晶分子ＬＭの配向方向は、画素電極ＰＥを境界として複数の方向に分かれ、それぞれの配向方向でドメインを形成する。つまり、一画素ＰＸには、複数のドメインが形成される。
【００６０】
このようなＯＮ時には、バックライトユニット４から液晶表示パネルＬＰＮに入射したバックライトは、その一部が第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＬＰＮに入射する。液晶層ＬＱに入射したバックライトは、その偏光状態が変化する。このようなＯＮ時においては、液晶層ＬＱを通過した少なくとも一部の光は、第２偏光板ＰＬ２を透過する（白表示）。
【００６１】
図４は、図２に示した液晶表示パネルＬＰＮの第２液晶層ＬＱ２に重なった領域における画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界、及び、この電界による液晶分子ＬＭのダイレクタと透過率との関係を説明するための図である。
【００６２】
図４に示すように、ＯＦＦ状態では、液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに略平行な方向に初期配向している。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差が形成されたＯＮ状態では、液晶分子ＬＭのダイレクタ（あるいは液晶分子ＬＭの長軸方向）が、Ｘ−Ｙ平面内で、第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸ＡＸ１及び第２偏光板ＰＬ２の第２偏光軸ＡＸ２に対して概ね４５°ずれた状態となったときに、液晶の光学的な変調率が最も高くなる（つまり、開口部での透過率が最大となる）。
【００６３】
図示した例では、ＯＮ状態となったとき、主共通電極ＣＡＬと画素電極ＰＥとの間、及び、主共通電極ＣＡＲと画素電極ＰＥとの間のそれぞれの液晶分子のダイレクタは、画素電極ＰＥに対して４５°傾いた方向を向く。これにより、ピーク透過率が得られる。このとき、一画素あたりの透過率分布に着目すると、画素電極ＰＥ上及び共通電極ＣＥ上においては透過率が略ゼロとなる一方で、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間の電極間隙では、略全域に亘って高い透過率が得られる。
【００６４】
なお、ソース配線Ｓ１の直上に位置する主共通電極ＣＡＬ及びソース配線Ｓ２の直上に位置する主共通電極ＣＡＲは、それぞれブラックマトリクスＢＭと対向しているが、これらの主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲは、ともにブラックマトリクスＢＭの第１方向Ｘに沿った幅と同等以下の幅を有しており、ブラックマトリクスＢＭと重なる位置よりも画素電極ＰＥの側に延在していない。このため、一画素あたり、表示に寄与する開口部は、ブラックマトリクスＢＭの間もしくはソース配線Ｓ１とソース配線Ｓ２との間の領域のうち、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲとの間の領域に相当する。
【００６５】
上記のように構成された液晶表示装置によれば、各画素ＰＸは、第１絶縁基板１０（アレイ基板ＡＲ）上に形成され、第２方向Ｙに沿って延出した主画素電極ＰＡと、第２絶縁基板２０（対向基板ＣＴ）上に形成され、第１方向Ｘに主画素電極ＰＡを挟んで位置し第２方向Ｙに沿って延出した一対の主共通電極ＣＡとを有している。
【００６６】
液晶表示装置は、主画素電極ＰＡ及び主共通電極ＣＡ間に形成される電界が主に液晶層ＬＱに加わるように構成されている。上記電界は、ＩＰＳモードの液晶表示装置のように複雑に積層された膜を通ることは無い。このため、ＩＰＳモードの液晶表示装置やＦＦＳモードの液晶表示装置に比べて焼き付きに対して強い（焼き付きの発生を低減することができる）横電界モードあるいは斜め電界モードを採る液晶表示装置が得られるものである。
【００６７】
次に、上記液晶表示装置から得られる他の効果について説明する。
画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間の電極間隙において高い透過率が得られるため、一画素あたりの透過率を十分に高くするためには、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲとの間の電極間距離を拡大することで対応することが可能となる。また、画素ピッチが異なる製品仕様に対しては、電極間距離を変更する（つまり、画素ＰＸの略中央に配置された画素電極ＰＥに対して主共通電極ＣＡの配置位置を変更する）ことで、図４に示したような透過率分布のピーク条件を利用することが可能となる。つまり、本実施形態の表示モードにおいては、比較的画素ピッチが大きな低解像度の製品仕様から比較的画素ピッチが小さい高解像度の製品仕様まで、微細な電極加工を必ずしも必要とせず、電極間距離の設定により種々の画素ピッチの製品を提供することが可能となる。したがって、高透過率且つ高解像度の要求を容易に実現することが可能となる。
【００６８】
また、本実施形態によれば、図４に示したように、ブラックマトリクスＢＭと重なる領域での透過率分布に着目すると、透過率が十分に低下している。これは、共通電極ＣＥの位置よりも当該画素の外側に電界の漏れが発生せず、また、ブラックマトリクスＢＭを挟んで隣接する画素間で不所望な横電界が生じないため、ブラックマトリクスＢＭと重なる領域の液晶分子がＯＦＦ時（あるいは黒表示時）と同様に初期配向状態を保っているためである。したがって、隣接する画素間でカラーフィルタの色が異なる場合であっても、混色の発生を抑制することが可能となり、色再現性の低下やコントラスト比の低下を抑制することが可能となる。
【００６９】
また、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの位置合わせにずれが生じた際に、画素電極ＰＥを挟んだ両側の共通電極ＣＥとの水平電極間距離に差が生じることがある。しかしながら、このような合わせずれは、全ての画素ＰＸに共通に生じるため、画素ＰＸ間での電界分布に相違はなく、画像の表示に及ぼす影響はきわめて小さい。また、例えアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間で合わせズレが生じたとしても、隣接する画素への不所望な電界の漏れを抑制することが可能となる。このため、隣接する画素間でカラーフィルタの色が異なる場合であっても、混色の発生を抑制することが可能となり、色再現性の低下やコントラスト比の低下を抑制することが可能となる。
【００７０】
また、本実施形態によれば、主共通電極ＣＡは、それぞれソース配線Ｓと対向している。特に、主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲがそれぞれソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２の直上に配置されている場合には、主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲがソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２よりも画素電極ＰＥ側に配置された場合と比較して、開口部ＡＰを拡大することができ、画素ＰＸの透過率を向上することが可能となる。
【００７１】
また、主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲをそれぞれソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２の直上に配置することによって、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲとの間の電極間距離を拡大することが可能となり、より水平に近い横電界を形成することが可能となる。このため、従来の構成であるＩＰＳモード等の利点である広視野角化も維持することが可能となる。
【００７２】
また、本実施形態によれば、一画素内に複数のドメインを形成することが可能となる。このため、複数の方向で視野角を光学的に補償することができ、広視野角化が可能となる。
【００７３】
なお、上記の例では、液晶層ＬＱは、正の誘電率異方性を有しているため、液晶分子ＬＭの初期配向方向が第２方向Ｙと平行である場合について説明したが、液晶分子ＬＭの初期配向方向は、図２に示したように、第２方向Ｙを斜めに交差する斜め方向Ｄであっても良い。ここで、第２方向Ｙに対する初期配向方向Ｄのなす角度θ１は、０°より大きく４５°より小さい角度である。なお、このなす角度θ１については、５°〜３０°程度、より望ましくは２０°以下とすることが液晶分子ＬＭの配向制御の観点で極めて有効である。つまり、液晶分子ＬＭの初期配向方向は、第２方向Ｙに対して０°乃至２０°の範囲内の方向と略平行であることが望ましい。
【００７４】
言い換えると、第１配向膜ＡＬ１は、第２方向Ｙ又は第２方向Ｙから２０°以内に傾斜した方向に付近の液晶分子ＬＭを初期配向させるように形成されている方が望ましい。第２配向膜ＡＬ２も、同様に、第２方向Ｙ又は第２方向Ｙから２０°以内に傾斜した方向に付近の液晶分子ＬＭを初期配向させるように形成されている方が望ましい。
【００７５】
なお、ＯＮ時においても、画素電極ＰＥ上あるいは共通電極ＣＥ上では、横電界がほとんど形成されない（あるいは、液晶分子ＬＭを駆動するのに十分な電界が形成されない）ため、液晶分子ＬＭは、ＯＦＦ時と同様に初期配向方向からほとんど動かない。このため、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥがＩＴＯなどの光透過性の導電材料によって形成されていても、これらの領域ではバックライト光がほとんど透過せず、ＯＮ時において表示にほとんど寄与しない。したがって、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥは、必ずしも透明な導電材料によって形成される必要はなく、アルミニウムや銀、銅などの導電材料を用いて形成しても良い。
【００７６】
なお、本実施形態においては、共通電極ＣＥは、対向基板ＣＴに備えられた主共通電極ＣＡに加えて、アレイ基板ＡＲに備えられ主共通電極ＣＡと対向する（あるいはソース配線Ｓと対向する）第２主共通電極（シールド電極）を備えていても良い。この第２主共通電極は、主共通電極ＣＡと略平行に延出し、しかも、主共通電極ＣＡと同電位である。このような第２主共通電極を設けることにより、ソース配線Ｓからの不所望な電界をシールドすることが可能である。
【００７７】
また、共通電極ＣＥは、対向基板ＣＴに備えられた主共通電極ＣＡに加えて、アレイ基板ＡＲに備えられゲート配線Ｇや補助容量線Ｃと対向する第２副共通電極（シールド電極）を備えていても良い。この第２副共通電極は、主共通電極ＣＡと交差する方向に延出し、しかも、主共通電極ＣＡと同電位である。このような第２副共通電極を設けたことにより、ゲート配線Ｇや補助容量線Ｃからの不所望な電界をシールドすることが可能である。このような第２主共通電極や第２副共通電極を備えた構成によれば、更なる表示品位の劣化を抑制することが可能となる。
【００７８】
上記のように、焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採る液晶表示装置について説明したが、次に、焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができ、さらに優れたコントラストの視角特性を得ることができる液晶表示装置について説明する。
【００７９】
図２及び図３に示すように、第２液晶層ＬＱ２は、第１液晶層ＬＱ１の液晶分子ＬＭの初期配向とは異なる方向に液晶分子ＬＭの初期配向を採っている。この実施形態において、第１液晶層ＬＱ１の液晶分子ＬＭの初期配向及び第２液晶層ＬＱ２の液晶分子ＬＭの初期配向は、それぞれ第２方向Ｙに略平行であり、互いに略１８０°異なっている。
【００８０】
第１配向膜ＡＬ１には、複数種類の配向処理が施されている。この実施形態では、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、補助容量線Ｃから画素ＰＸの一短辺ＳＳ１に向かって配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、補助容量線Ｃから画素ＰＸの他短辺ＳＳ２に向かって配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【００８１】
これにより、第１液晶層ＬＱ１のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、補助容量線Ｃより一短辺ＳＳ１側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、補助容量線Ｃより他短辺ＳＳ２側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【００８２】
上記のように構成された第１の実施形態に係る液晶表示装置によれば、上述したように焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができる。また、横電界（斜め電界）により液晶分子ＬＭの配向方向を所望の方向に規定し易いように液晶分子がプレチルトしている。
【００８３】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように液晶分子をプレチルトさせることができるため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
【００８４】
また、液晶層ＬＱはｐ型液晶で形成され、液晶分子ＬＭの長軸は斜め電界に沿った方向に配向するため、液晶分子ＬＭの極角及び方位角の両方を規定することができる。ここで、Ｘ−Ｙ平面内においてＹ軸からの角度を方位角とし、Ｘ−Ｙ平面に対して法線方向に沿ったＺ軸からの角度を極角とした。上記のことから、液晶分子ＬＭの配向規制力（配向強度）は強いものである。
【００８５】
上記のことから、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードに比べて焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができ、優れたコントラストの視角特性を得ることができる液晶表示装置を得ることができる。
【００８６】
次に、第２の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。この実施形態において、他の構成は上述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００８７】
図５は、第２の実施形態に係る液晶表示パネルＬＰＮを対向基板ＣＴ側から見たときの一画素ＰＸの構造例を概略的に示す平面図である。
図５に示すように、共通電極ＣＥは、複数の副共通電極ＣＢをさらに含んでいる。この実施形態において、複数の副共通電極ＣＢは対向基板ＣＴ側に形成されている。複数の副共通電極ＣＢは、第２方向Ｙに間隔を置いて並べられ、第２方向Ｙに複数の主画素電極ＰＡを挟んでいる。複数の副共通電極ＣＢは、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出している。
【００８８】
複数の副共通電極ＣＢは、複数の主共通電極ＣＡと一体又は連続的に形成されている。このため、複数の副共通電極ＣＢ（ＣＢＵ、ＣＢＢ）は、複数の主共通電極ＣＡと電気的に接続されている。給電部ＶＳから与えられる電圧（コモン電圧）は、複数の主共通電極ＣＡ及び複数の副共通電極ＣＢに与えられる。
【００８９】
この実施形態では、画素電極ＰＥが十字状に形成された点、及び、共通電極ＣＥが一画素ＰＸを取り囲むように格子状に形成された点で、上記第１の実施形態と相違している。すなわち、画素電極ＰＥは、互いに電気的に接続された主画素電極ＰＡ及び副画素電極ＰＢを備えている。主画素電極ＰＡは、副画素電極ＰＢから画素ＰＸの上側端部付近及び下側端部付近まで第２方向Ｙに沿って直線的に延出している。副画素電極ＰＢは、第１方向Ｘに沿って延出している。この副画素電極ＰＢは、補助容量線Ｃ１と重なる領域に位置し、コンタクトホールＣＨを介してスイッチング素子と電気的に接続されている。図示した例では、副画素電極ＰＢが画素ＰＸの略中央に設けられており、画素電極ＰＥは、十字状となっている。
【００９０】
副共通電極ＣＢは、ゲート配線Ｇの各々と対向している。図示した例では、副共通電極ＣＢは第１方向Ｘに沿って２本平行に並んでおり、以下では、これらを区別するために、図中の上側の副共通電極をＣＢＵと称し、図中の下側の副共通電極をＣＢＢと称する。副共通電極ＣＢＵは、画素ＰＸの上側端部に配置され、ゲート配線Ｇ１と対向している。つまり、副共通電極ＣＢＵは、当該画素ＰＸとその上側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。また、副共通電極ＣＢＢは、画素ＰＸの下側端部に配置され、ゲート配線Ｇ２と対向している。つまり、副共通電極ＣＢＢは、当該画素ＰＸとその下側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。
【００９１】
画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの位置関係に着目すると、主画素電極ＰＡと主共通電極ＣＡとは第１方向Ｘに沿って交互に配置され、副画素電極ＰＢと副共通電極ＣＢとは第２方向Ｙに沿って交互に配置されている。すなわち、隣接する主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲの間には、１本の主画素電極ＰＡが位置し、第１方向Ｘに沿って主共通電極ＣＡＬ、主画素電極ＰＡ、及び、主共通電極ＣＡＲの順に並んでいる。また、隣接する副共通電極ＣＢＢ及び副共通電極ＣＢＵの間には、１本の副画素電極ＰＢが位置し、第２方向Ｙに沿って副共通電極ＣＢＢ、副画素電極ＰＢ、及び、副共通電極ＣＢＵの順に並んでいる。
【００９２】
このような構造例によれば、ＯＦＦ時において第２方向Ｙに初期配向していた液晶分子ＬＭは、ＯＮ時に画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界の影響を受け、その長軸が図中の実線で示したようにＸ−Ｙ平面と略平行な平面内で回転する。画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬ及び副共通電極ＣＢＢとで囲まれた領域内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して時計回りに回転し、図中の左下を向くように配向する。画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＲ及び副共通電極ＣＢＢとで囲まれた領域内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して反時計回りに回転し、図中の右下を向くように配向する。画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬ及び副共通電極ＣＢＵとで囲まれた領域内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して反時計回りに回転し、図中の左上を向くように配向する。画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＲ及び副共通電極ＣＢＵとで囲まれた領域内の液晶分子ＬＭは、第２方向Ｙに対して時計回りに回転し、図中の右上を向くように配向する。
【００９３】
このように、各画素ＰＸにおいて、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成された状態では、４つのドメインに互いに異なる電界を作用させることができるため、視野角を拡大できることはもちろん、第１の実施形態（図２など）よりも液晶分子ＬＭの配向規制力を強くすることができる。
上記のように構成された液晶表示装置においても、焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができる。
【００９４】
次に、焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができ、さらに優れたコントラストの視角特性を得ることができる液晶表示装置の実施例１乃至４について説明する。次に挙げる実施例は、限定的に列挙するものではなく、一例を列挙するものである。すなわち、この実施形態に係る液晶表示装置は、実施例１乃至４に限らず、種々変形可能である。なお、実施例１乃至４では、説明に必要な箇所のみを図示して説明する。
【００９５】
（実施例１）
図６は、図５に示した液晶表示パネルＬＰＮをVI−VI線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図であり、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態を示す図である。
【００９６】
図５及び図６に示すように、各画素ＰＸの第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、副画素電極ＰＢ（補助容量線Ｃ）と対向した領域を境に第２方向Ｙに隣合っている。第２液晶層ＬＱ２は、第１液晶層ＬＱ１の液晶分子ＬＭの初期配向とは異なる方向に液晶分子ＬＭの初期配向を採っている。この実施形態において、第１液晶層ＬＱ１の液晶分子ＬＭの初期配向及び第２液晶層ＬＱ２の液晶分子ＬＭの初期配向は、それぞれ第２方向Ｙに略平行であり、互いに略１８０°異なっている。
【００９７】
第１配向膜ＡＬ１には、複数種類の配向処理が施されている。この実施形態では、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、副画素電極ＰＢから画素ＰＸの一短辺ＳＳ１に向かった第１配向処理方向ＰＤ１に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、副画素電極ＰＢから画素ＰＸの他短辺ＳＳ２に向かった第２配向処理方向ＰＤ２に別の配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。第１配向処理方向ＰＤ１及び第２配向処理方向ＰＤ２は、それぞれ第２方向Ｙに略平行であって、互いに逆向きである。
【００９８】
第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、画素ＰＸの一短辺ＳＳ１から副画素電極ＰＢに向かった第２配向処理方向ＰＤ２に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、画素ＰＸの他短辺ＳＳ２から副画素電極ＰＢに向かった第１配向処理方向ＰＤ１に別の配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【００９９】
これにより、第１液晶層ＬＱ１のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより一短辺ＳＳ１側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより他短辺ＳＳ２側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１００】
また、第１液晶層ＬＱ１の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、一短辺ＳＳ１より副画素電極ＰＢ側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、他短辺ＳＳ２より副画素電極ＰＢ側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１０１】
なお、第１液晶層ＬＱ１や第２液晶層ＬＱ２の中間部付近の液晶分子ＬＭは、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭ及び対向基板ＣＴ近傍の液晶分子ＬＭと略均一なプレチルト角を持って配向する（ホモジニアス配向）。
【０１０２】
図７は、図５に示した液晶表示パネルＬＰＮをVII−VII線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図であり、第１液晶層ＬＱ１に電圧が印加されている状態を示す図である。図８は、図５に示した液晶表示パネルＬＰＮをVIII−VIII線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図であり、第２液晶層ＬＱ２に電圧が印加されている状態を示す図である。なお、図７及び図８は、画素ＰＸの他短辺ＳＳ２側から見た図である。
【０１０３】
図５、図７及び図８に示すように、実施例１では、上記第１の実施形態と同様に、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１０４】
さらに、実施例１では、対向基板ＣＴ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向及び液晶層ＬＱの中間部付近の液晶分子ＬＭの配向方向も横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。すなわち、液晶層ＬＱの全体に亘って液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１０５】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように、液晶層ＬＱの全域に亘って液晶分子ＬＭをプレチルトさせることができる。第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、ともにホモジニアス配向をとるため、液晶分子ＬＭの配向規制力（配向強度）は一層強いものである。このため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
【０１０６】
（実施例２）
図９は、実施例２の液晶表示パネルＬＰＮの断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図６に対応した図であり、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態を示す図である。
【０１０７】
図９及び図５に示すように、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、副画素電極ＰＢから画素ＰＸの一短辺ＳＳ１に向かった第１配向処理方向ＰＤ１に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、副画素電極ＰＢから画素ＰＸの他短辺ＳＳ２に向かった第２配向処理方向ＰＤ２に別の配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
その他、実施例２の液晶表示装置は、実施例１の液晶表示装置と同様に形成されている。
【０１０８】
これにより、第１液晶層ＬＱ１のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより一短辺ＳＳ１側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより他短辺ＳＳ２側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１０９】
また、第１液晶層ＬＱ１の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより一短辺ＳＳ１側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより他短辺ＳＳ２側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１１０】
なお、第１液晶層ＬＱ１や第２液晶層ＬＱ２の中間部付近の液晶分子ＬＭは、略水平（プレチルト角が略ゼロ）に配向する。このため、液晶分子ＬＭは、第１液晶層ＬＱ１の中間部や第２液晶層ＬＱ２の中間部を境界として、第１配向膜ＡＬ１の近傍及び第２配向膜ＡＬ２の近傍において対称となるようなプレチルト角を持って配向する（スプレイ配向）。
【０１１１】
図１０は、実施例２の液晶表示パネルＬＰＮの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図７に対応した図であり、第１液晶層ＬＱ１に電圧が印加されている状態を示す図である。図１１は、上記実施例２の液晶表示パネルＬＰＮの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図８に対応した図であり、第２液晶層ＬＱ２に電圧が印加されている状態を示す図である。
【０１１２】
図１０及び図１１、並びに図５に示すように、実施例２では、上記第１の実施形態と同様に、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１１３】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように、液晶分子ＬＭをプレチルトさせることができる。このため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
【０１１４】
また、第１液晶層ＬＱ１を挟む第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２に施される配向処理方向は同じ向きであり、第２液晶層ＬＱ２を挟む第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２に施される配向処理方向も同じ向きである。この場合、黒表示の場合に光漏れが少なく、高コントラスト比を実現することができる。
【０１１５】
（実施例３）
図１２は、実施例３の液晶表示パネルＬＰＮの断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図６に対応した図であり、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態を示す図である。
【０１１６】
図１２及び図５に示すように、第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２、すなわち第２配向膜ＡＬ２の全域には、第２配向処理方向ＰＤ２に配向処理（例えば、ラビング）が施されている。
その他、実施例３の液晶表示装置は、実施例１の液晶表示装置と同様に形成されている。
【０１１７】
これにより、第１液晶層ＬＱ１のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより一短辺ＳＳ１側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより他短辺ＳＳ２側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１１８】
また、第１液晶層ＬＱ１の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、一短辺ＳＳ１より副画素電極ＰＢ側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより他短辺ＳＳ２側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１１９】
なお、第１液晶層ＬＱ１において、中間部付近の液晶分子ＬＭは、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭ及び対向基板ＣＴ近傍の液晶分子ＬＭと略均一なプレチルト角を持って配向する（ホモジニアス配向）。
【０１２０】
第２液晶層ＬＱ２において、中間部付近の液晶分子ＬＭは、略水平（プレチルト角が略ゼロ）に配向する。このため、液晶分子ＬＭは、第２液晶層ＬＱ２の中間部を境界として、第１配向膜ＡＬ１の近傍及び第２配向膜ＡＬ２の近傍において対称となるようなプレチルト角を持って配向する（スプレイ配向）。
【０１２１】
図１３は、実施例３の液晶表示パネルＬＰＮの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図７に対応した図であり、第１液晶層ＬＱ１に電圧が印加されている状態を示す図である。図１４は、上記実施例３の液晶表示パネルＬＰＮの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図８に対応した図であり、第２液晶層ＬＱ２に電圧が印加されている状態を示す図である。
【０１２２】
図１３及び図１４、並びに図５に示すように、実施例３では、上記第１の実施形態と同様に、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１２３】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように、液晶分子ＬＭをプレチルトさせることができる。このため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
また、第２配向膜ＡＬ２に施される配向処理は、１種類でよいため、上記実施例１に比べて製造工程を少なくすることができ、ひいては製造コストの低減を図ることができる。
【０１２４】
（実施例４）
図１５は、実施例４の液晶表示パネルＬＰＮの断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図６に対応した図であり、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態を示す図である。
【０１２５】
図１５及び図５に示すように、第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２、すなわち第２配向膜ＡＬ２の全域には、第１配向処理方向ＰＤ１に配向処理（例えば、ラビング）が施されている。
その他、実施例４の液晶表示装置は、実施例１の液晶表示装置と同様に形成されている。
【０１２６】
これにより、第１液晶層ＬＱ１のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより一短辺ＳＳ１側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより他短辺ＳＳ２側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１２７】
また、第１液晶層ＬＱ１の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、副画素電極ＰＢより一短辺ＳＳ１側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、他短辺ＳＳ２より副画素電極ＰＢ側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１２８】
なお、第１液晶層ＬＱ１において、中間部付近の液晶分子ＬＭは、略水平（プレチルト角が略ゼロ）に配向する。このため、液晶分子ＬＭは、第１液晶層ＬＱ１の中間部を境界として、第１配向膜ＡＬ１の近傍及び第２配向膜ＡＬ２の近傍において対称となるようなプレチルト角を持って配向する（スプレイ配向）。
【０１２９】
第２液晶層ＬＱ２において、中間部付近の液晶分子ＬＭは、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭ及び対向基板ＣＴ近傍の液晶分子ＬＭと略均一なプレチルト角を持って配向する（ホモジニアス配向）。
【０１３０】
図１６は、実施例４の液晶表示パネルＬＰＮの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図７に対応した図であり、第１液晶層ＬＱ１に電圧が印加されている状態を示す図である。図１７は、上記実施例４の液晶表示パネルＬＰＮの他の断面構造を概略的に示す断面図であり、上記実施例１における図８に対応した図であり、第２液晶層ＬＱ２に電圧が印加されている状態を示す図である。
【０１３１】
図１６及び図１７、並びに図５に示すように、実施例４では、上記第１の実施形態と同様に、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１３２】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように、液晶分子ＬＭをプレチルトさせることができる。このため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
また、第２配向膜ＡＬ２に施される配向処理は、１種類でよいため、上記実施例１に比べて製造工程を少なくすることができ、ひいては製造コストの低減を図ることができる。
【０１３３】
上記のように構成された第２の実施形態に係る実施例１乃至４の液晶表示装置によれば、各画素ＰＸは、主画素電極ＰＡ、副画素電極ＰＢ及び一対の主共通電極ＣＡを有している。主画素電極ＰＡは、第１絶縁基板１０（アレイ基板ＡＲ）上に形成され、第２方向Ｙに沿って延出している。副画素電極ＰＢは、第１絶縁基板１０（アレイ基板ＡＲ）上に形成され、第１方向Ｘに沿って延出し主画素電極ＰＡと電気的に接続されている。一対の主共通電極ＣＡは、第２絶縁基板２０（対向基板ＣＴ）上に形成され、第１方向Ｘに主画素電極ＰＡを挟んで位置し第２方向Ｙに沿って延出している。
【０１３４】
液晶表示装置は、主画素電極ＰＡ及び副画素電極ＰＢ、並びに主共通電極ＣＡ及び副共通電極ＣＢ間に形成される電界が主に液晶層ＬＱに加わるように構成されている。上記電界は、ＩＰＳモードの液晶表示装置のように複雑に積層された膜を通ることは無い。このため、ＩＰＳモードの液晶表示装置やＦＦＳモードの液晶表示装置に比べて焼き付きに対して強い（焼き付きの発生を低減することができる）横電界モードあるいは斜め電界モードを採る液晶表示装置が得られるものである。また、横電界（斜め電界）により液晶分子ＬＭの配向方向を所望の方向に規定し易いように液晶分子がプレチルトしている。
【０１３５】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように液晶分子をプレチルトさせることができるため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
【０１３６】
上記のことから、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードに比べて焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができ、優れたコントラストの視角特性を得ることができる液晶表示装置を得ることができる。
【０１３７】
なお、上記第２の実施形態において、液晶表示装置は、副画素電極ＰＢ及び副共通電極ＣＢを有しているが、液晶表示装置は、副画素電極ＰＢ及び副共通電極ＣＢ無しに形成されていてもよく、この場合も上記第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１３８】
次に、第３の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。この実施形態において、他の構成は上述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【０１３９】
図１８は、第３の実施形態に係る液晶表示パネルＬＰＮを対向基板ＣＴ側から見たときの一画素ＰＸの構造例を概略的に示す平面図である。図１９は、上記第３の実施形態に係る液晶表示パネルＬＰＮの一部を示す分解斜視図であり、一画素に含まれる第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４と、上記一画素に重なった領域の配向膜及び偏光板を概略的に示す図である。
【０１４０】
図１８及び図１９に示すように、液晶層ＬＱは、複数の第１液晶層ＬＱ１、複数の第２液晶層ＬＱ２、複数の第３液晶層ＬＱ３及び複数の第４液晶層ＬＱ４を有している。複数の画素ＰＸは、少なくとも第１液晶層ＬＱ１、第２液晶層ＬＱ２、第３液晶層ＬＱ３及び第４液晶層ＬＱ４を１つずつ含んでいる。
【０１４１】
この実施形態の各画素ＰＸにおいて、第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２、並びに第３液晶層ＬＱ３及び第４液晶層ＬＱ４は、それぞれ主画素電極ＰＡと対向した領域を境に第１方向Ｘに隣合っている。第１液晶層ＬＱ１及び第３液晶層ＬＱ３、並びに第２液晶層ＬＱ２及び第４液晶層ＬＱ４は、補助容量線Ｃと対向した領域を境に第２方向Ｙに隣合っている。
【０１４２】
図１８に示す例では、画素ＰＸの左上の領域に第１液晶層ＬＱ１が形成され、画素ＰＸの右上の領域に第２液晶層ＬＱ２が形成され、画素ＰＸの左下の領域に第３液晶層ＬＱ３が形成され、画素ＰＸの右下の領域に第４液晶層ＬＱ４が形成されている。
【０１４３】
第１偏光軸ＡＸ１と、第２偏光軸ＡＸ２とは、例えば、直交する位置関係にあるため、第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２はクロスニコル配置されている。ここで、Ｘ−Ｙ平面において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙから４５°傾斜した方向を第４方向ｄ４、第４方向ｄ４に直交した方向を第５方向ｄ５とする。
【０１４４】
この実施形態において、図１８の（ａ）に示すように、第１偏光板ＰＬ１は、第１偏光軸ＡＸ１が第４方向ｄ４に平行となるように配置され、第２偏光板ＰＬ２は、第２偏光軸ＡＸ２が第５方向ｄ５に平行となるように配置されている。
【０１４５】
又は、第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２は、図１８の（ｂ）に示すように配置されていてもよい。図１８の（ａ）に示す例では、第１偏光板ＰＬ１は、第１偏光軸ＡＸ１が第５方向ｄ５に平行となるように配置され、第２偏光板ＰＬ２は、第２偏光軸ＡＸ２が第４方向ｄ４に平行となるように配置されている。
【０１４６】
第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４は、互いに異なる方向に液晶分子ＬＭの初期配向を採っている。この実施形態において、第１液晶層ＬＱ１の液晶分子ＬＭの初期配向及び第４液晶層ＬＱ４の液晶分子ＬＭの初期配向は、それぞれ第４方向ｄ４に略平行であり、互いに略１８０°異なっている。第２液晶層ＬＱ２の液晶分子ＬＭの初期配向及び第３液晶層ＬＱ３の液晶分子ＬＭの初期配向は、それぞれ第５方向ｄ５に略平行であり、互いに略１８０°異なっている。
【０１４７】
第１配向膜ＡＬ１には、複数種類の配向処理が施されている。
この実施形態では、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、第４方向ｄ４に平行であり、画素ＰＸの中央から周縁に向かった第３配向処理方向ＰＤ３に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１４８】
第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、第５方向ｄ５に平行であり、画素ＰＸの中央から周縁に向かった第４配向処理方向ＰＤ４に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１４９】
第３液晶層ＬＱ３と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、第５方向ｄ５に平行であり、画素ＰＸの中央から周縁に向かった第５配向処理方向ＰＤ５に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１５０】
第４液晶層ＬＱ４と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、第４方向ｄ４に平行であり、画素ＰＸの中央から周縁に向かった第６配向処理方向ＰＤ６に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１５１】
第３配向処理方向ＰＤ３及び第６配向処理方向ＰＤ６は、それぞれ第４方向ｄ４に略平行であって、互いに逆向きである。第４配向処理方向ＰＤ４及び第５配向処理方向ＰＤ５は、それぞれ第５方向ｄ５に略平行であって、互いに逆向きである。
【０１５２】
これにより、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４において、アレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、画素ＰＸの中央より周縁側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１５３】
第２配向膜ＡＬ２には、複数種類の配向処理が施されている。
この実施形態では、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第６配向処理方向ＰＤ６に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第５配向処理方向ＰＤ５に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
第３液晶層ＬＱ３と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第４配向処理方向ＰＤ４に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
第４液晶層ＬＱ４と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第３配向処理方向ＰＤ３に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１５４】
これにより、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４において、対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、画素ＰＸの周縁より中央側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１５５】
なお、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４において、中間部付近の液晶分子ＬＭは、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭ及び対向基板ＣＴ近傍の液晶分子ＬＭと略均一なプレチルト角を持って配向する。このため、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４は、それぞれホモジニアス配向を採る。
【０１５６】
ここで、第２配向膜ＡＬ２には、上記の例に限らず、他の配向処理が施されていてもよい。
例えば、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第３配向処理方向ＰＤ３に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第４配向処理方向ＰＤ４に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
第３液晶層ＬＱ３と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第５配向処理方向ＰＤ５に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
第４液晶層ＬＱ４と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第６配向処理方向ＰＤ６に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１５７】
これにより、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４において、対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、画素ＰＸの中央より周縁側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１５８】
なお、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４において、中間部付近の液晶分子ＬＭは、略水平（プレチルト角が略ゼロ）に配向する。このため、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４において、液晶分子ＬＭは、液晶層の中間部を境界として、第１配向膜ＡＬ１の近傍及び第２配向膜ＡＬ２の近傍において対称となるようなプレチルト角を持って配向する。そして、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４は、それぞれスプレイ配向を採る。
【０１５９】
なお、第２配向膜ＡＬ２に施した配向処理は上述した例に限定されるものではなく、種々変形可能である。第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４がそれぞれ上述したホモジニアス配向及びスプレイ配向の何れかを採るように、第２配向膜ＡＬ２に配向処理が施されていればよい。
【０１６０】
第３の実施形態においても、上記第１の実施形態と同様に、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１６１】
さらに、第３の実施形態では、対向基板ＣＴ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向及び液晶層ＬＱの中間部付近の液晶分子ＬＭの配向方向も横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。すなわち、液晶層ＬＱの全体に亘って液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１６２】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように、液晶層ＬＱの全域に亘って液晶分子ＬＭをプレチルトさせることができる。第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、ともにホモジニアス配向をとるため、液晶分子ＬＭの配向規制力（配向強度）は一層強いものである。このため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
【０１６３】
上記のように構成された第３の実施形態に係る液晶表示装置によれば、各画素ＰＸは、主画素電極ＰＡ及び一対の主共通電極ＣＡを有している。主画素電極ＰＡは、第１絶縁基板１０（アレイ基板ＡＲ）上に形成され、第２方向Ｙに沿って延出している。一対の主共通電極ＣＡは、第２絶縁基板２０（対向基板ＣＴ）上に形成され、第１方向Ｘに主画素電極ＰＡを挟んで位置し第２方向Ｙに沿って延出している。
【０１６４】
液晶表示装置は、主画素電極ＰＡ及び主共通電極ＣＡ間に形成される電界が主に液晶層ＬＱに加わるように構成されている。上記電界は、ＩＰＳモードの液晶表示装置のように複雑に積層された膜を通ることは無い。このため、ＩＰＳモードの液晶表示装置やＦＦＳモードの液晶表示装置に比べて焼き付きに対して強い（焼き付きの発生を低減することができる）横電界モードあるいは斜め電界モードを採る液晶表示装置が得られるものである。また、横電界（斜め電界）により液晶分子ＬＭの配向方向を所望の方向に規定し易いように液晶分子がプレチルトしている。
【０１６５】
第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４の全てを合わせて、４つのドメインを形成し易いように液晶分子をプレチルトさせることができるため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
【０１６６】
上記のことから、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードに比べて焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができ、優れたコントラストの視角特性を得ることができる液晶表示装置を得ることができる。
【０１６７】
次に、第４の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。この実施形態において、他の構成は上述した第２の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【０１６８】
図２０は、第４の実施形態に係る液晶表示パネルＬＰＮを対向基板側ＣＴから見たときの一画素ＰＸの構造例を概略的に示す平面図である。
【０１６９】
図２１は、上記第４の実施形態に係る液晶表示パネルＬＰＮの一部を示す分解斜視図であり、一画素ＰＸに含まれる第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２と、上記一画素ＰＸに重なった領域の配向膜及び偏光板を概略的に示す図である。
【０１７０】
図２０及び図２１に示すように、液晶層ＬＱは、負の誘電率異方性を有し、すなわちｎ型液晶で形成されている。なお、詳しい説明は省略するが、誘電率異方性が正負逆となる関係上、ネガ型液晶材料の場合、上記した角度θ１が４５°〜１３５°、望ましくは７０°〜１１０°とすることが好ましい。
【０１７１】
液晶層ＬＱは、複数の第１液晶層ＬＱ１及び複数の第２液晶層ＬＱ２を有している。複数の画素ＰＸは、少なくとも第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２を１つずつ含んでいる。
【０１７２】
この実施形態の各画素ＰＸにおいて、第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、主画素電極ＰＡと対向した領域を境に第１方向Ｘに隣合っている。
【０１７３】
図２０に示す例では、画素ＰＸの左側の領域に第１液晶層ＬＱ１が形成され、画素ＰＸの右側の領域に第２液晶層ＬＱ２が形成されている。
【０１７４】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、互いに異なる方向に液晶分子ＬＭの初期配向を採っている。この実施形態において、第１液晶層ＬＱ１の液晶分子ＬＭの初期配向及び第２液晶層ＬＱ２の液晶分子ＬＭの初期配向は、それぞれ第１方向Ｘに略平行であり、互いに略１８０°異なっている。
【０１７５】
第１配向膜ＡＬ１には、複数種類の配向処理が施されている。
この実施形態では、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、第１方向Ｘに平行であり、主画素電極ＰＡから画素ＰＸの一長辺ＬＳ１に向かった第７配向処理方向ＰＤ７に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１７６】
第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第１配向膜ＡＬ１には、第１方向Ｘに平行であり、主画素電極ＰＡから画素ＰＸの他長辺ＬＳ２に向かった第８配向処理方向ＰＤ８に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１７７】
第７配向処理方向ＰＤ７及び第８配向処理方向ＰＤ８は、それぞれ第１方向Ｘに略平行であって、互いに逆向きである。これにより、第１液晶層ＬＱ１のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、主画素電極ＰＡより一長辺ＬＳ１側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２のアレイ基板ＡＲの近傍の液晶分子ＬＭは、主画素電極ＰＡより他長辺ＬＳ２側でアレイ基板ＡＲから対向基板ＣＴ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１７８】
第２配向膜ＡＬ２にも配向処理が施されている。
この実施形態では、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第８配向処理方向ＰＤ８に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第７配向処理方向ＰＤ７に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１７９】
これにより、第１液晶層ＬＱ１の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、一長辺ＬＳ１より主画素電極ＰＡ側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、他長辺ＬＳ２より主画素電極ＰＡ側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１８０】
なお、第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２において、中間部付近の液晶分子ＬＭは、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭ及び対向基板ＣＴ近傍の液晶分子ＬＭと略均一なプレチルト角を持って配向する。このため、第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、それぞれホモジニアス配向を採る。
【０１８１】
ここで、第２配向膜ＡＬ２には、上記の例に限らず、他の配向処理が施されていてもよい。
例えば、第１液晶層ＬＱ１と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第７配向処理方向ＰＤ７に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
第２液晶層ＬＱ２と対向した領域の第２配向膜ＡＬ２には、第８配向処理方向ＰＤ８に配向処理（例えば、マスクラビング）が施されている。
【０１８２】
これにより、第１液晶層ＬＱ１の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、主画素電極ＰＡより一長辺ＬＳ１側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。第２液晶層ＬＱ２の対向基板ＣＴの近傍の液晶分子ＬＭは、主画素電極ＰＡより他長辺ＬＳ２側で対向基板ＣＴからアレイ基板ＡＲ側に立ち上がるようにプレチルトしている。
【０１８３】
なお、第１乃至第４液晶層ＬＱ１乃至ＬＱ４において、中間部付近の液晶分子ＬＭは、略水平（プレチルト角が略ゼロ）に配向する。このため、第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２において、液晶分子ＬＭは、液晶層の中間部を境界として、第１配向膜ＡＬ１の近傍及び第２配向膜ＡＬ２の近傍において対称となるようなプレチルト角を持って配向する。そして、第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、それぞれスプレイ配向を採る。
【０１８４】
なお、第２配向膜ＡＬ２に施した配向処理は上述した例に限定されるものではなく、種々変形可能である。第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２がそれぞれ上述したホモジニアス配向及びスプレイ配向の何れかを採るように、第２配向膜ＡＬ２に配向処理が施されていればよい。
【０１８５】
第４の実施形態においても、上記第２の実施形態と同様に、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１８６】
さらに、第４の実施形態では、対向基板ＣＴ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向及び液晶層ＬＱの中間部付近の液晶分子ＬＭの配向方向も横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。すなわち、液晶層ＬＱの全体に亘って液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしている。
【０１８７】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように、液晶層ＬＱの全域に亘って液晶分子ＬＭをプレチルトさせることができる。第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２は、ともにホモジニアス配向をとるため、液晶分子ＬＭの配向規制力（配向強度）は強いものである。各画素ＰＸは、主画素電極ＰＡ及び主共通電極ＣＡだけでなく副画素電極ＰＢ及び副共通電極ＣＢも有しているため、液晶分子ＬＭの配向規制力（配向強度）は一層強いものである。このため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
【０１８８】
上記のように構成された第４の実施形態に係る液晶表示装置によれば、各画素ＰＸは、主画素電極ＰＡ、副画素電極ＰＢ及び一対の主共通電極ＣＡを有している。主画素電極ＰＡは、第１絶縁基板１０（アレイ基板ＡＲ）上に形成され、第２方向Ｙに沿って延出している。副画素電極ＰＢは、第１絶縁基板１０（アレイ基板ＡＲ）上に形成され、第１方向Ｘに沿って延出し主画素電極ＰＡと電気的に接続されている。一対の主共通電極ＣＡは、第２絶縁基板２０（対向基板ＣＴ）上に形成され、第１方向Ｘに主画素電極ＰＡを挟んで位置し第２方向Ｙに沿って延出している。
【０１８９】
液晶表示装置は、主画素電極ＰＡ及び副画素電極ＰＢ、並びに主共通電極ＣＡ及び副共通電極ＣＢ間に形成される電界が主に液晶層ＬＱに加わるように構成されている。上記電界は、ＩＰＳモードの液晶表示装置のように複雑に積層された膜を通ることは無い。このため、ＩＰＳモードの液晶表示装置やＦＦＳモードの液晶表示装置に比べて焼き付きに対して強い（焼き付きの発生を低減することができる）横電界モードあるいは斜め電界モードを採る液晶表示装置が得られるものである。また、横電界（斜め電界）により液晶分子ＬＭの配向方向を所望の方向に規定し易いように液晶分子がプレチルトしている。
【０１９０】
第１液晶層ＬＱ１及び第２液晶層ＬＱ２の両方を合わせて、４つのドメインを形成し易いように液晶分子をプレチルトさせることができるため、上記液晶表示装置は、優れたコントラストの視角特性を得ることもできる。
【０１９１】
上記のことから、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードに比べて焼き付きの発生を低減することができる横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができ、優れたコントラストの視角特性を得ることができる液晶表示装置を得ることができる。
【０１９２】
なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【０１９３】
例えば、上述した第２及び第４の実施形態において、画素電極ＰＥはＩ字状に形成され、アレイ基板ＡＲ近傍の液晶分子ＬＭの配向方向を横電界（斜め電界）により所望の方向に規定し易いように、液晶分子がプレチルトしていてもよい。次に、画素電極ＰＥがＩ字状に形成された場合の例を、図２２を用いて説明する。図２２は、第２及び第４の実施形態に係る変形例の液晶表示パネルＬＰＮを対向基板ＣＴ側から見たときの一画素ＰＸの他の構造例を概略的に示す平面図である。
【０１９４】
図２２に示すように、画素電極ＰＥは、主画素電極ＰＡ、第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧを有している。これらの主画素電極ＰＡ、第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧは、互いに電気的に接続されている。本実施形態においては、画素電極ＰＥの全体がアレイ基板ＡＲに備えられている。
【０１９５】
主画素電極ＰＡは、第２方向Ｙに長手方向を持っている。第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧは、第１方向Ｘに沿って延出している。第２副画素電極ＰＧは、第１副画素電極ＰＦから離間している。
【０１９６】
図示した例では、画素電極ＰＥは、Ｉ字状に形成されている。より具体的には、主画素電極ＰＡは、略画素中央部において第２方向Ｙに沿って直線的に延出した帯状に形成されている。第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧは、それぞれ画素ＰＸの上側端部及び下側端部において第１方向Ｘに沿って直線的に延出した帯状に形成されている。
【０１９７】
なお、第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧは、上下画素間に配置されても良い。つまり、第１副画素電極ＰＦは図示した当該画素ＰＸとその下側の画素（図示せず）との境界に跨って配置されても良いし、第２副画素電極ＰＧは図示した当該画素ＰＸとその上側の画素（図示せず）との境界に跨って配置されてもよい。
【０１９８】
第１副画素電極ＰＦは、主画素電極ＰＡの一端部に結合し、主画素電極ＰＡからその両側に向かって延出している。第２副画素電極ＰＧは主画素電極ＰＡの他端部に結合し、主画素電極ＰＡからその両側に向かって延出している。これらの第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧは、主画素電極ＰＡと略直交している。なお、第１副画素電極ＰＦは主画素電極ＰＡの一端部よりもわずかに他端部寄りに結合していても良いし、同様に、第２副画素電極ＰＧは主画素電極ＰＡの他端部よりもわずかに一端部寄りに結合していても良い。画素電極ＰＥは、例えば、第２副画素電極ＰＧにおいて図示を省略したスイッチング素子と電気的に接続されている。
【０１９９】
共通電極ＣＥは、主共通電極ＣＡ及び副共通電極ＣＢを有している。これらの主共通電極ＣＡ及び副共通電極ＣＢは、互いに電気的に接続されている。このような共通電極ＣＥは、画素電極ＰＥとは電気的に絶縁されている。本実施形態においては、共通電極ＣＥにおいて、主共通電極及び副共通電極の少なくとも一部は、対向基板ＣＴに備えられている。
【０２００】
一対の主共通電極ＣＡは、第１方向Ｘに主画素電極ＰＡを挟んで位置し第２方向Ｙに延出して形成されている。Ｘ−Ｙ平面内において、主共通電極ＣＡのいずれも主画素電極ＰＡとは重ならず、主共通電極ＣＡのそれぞれと主画素電極ＰＡとの間には略等しい間隔が形成されている。
【０２０１】
副共通電極ＣＢは、第１方向Ｘに沿って延出している。副共通電極ＣＢは、第１副画素電極ＰＦと第２副画素電極ＰＧとの間に配置されている。Ｘ−Ｙ平面内において、第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧのいずれも副共通電極ＣＢとは重ならず、第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧのそれぞれと副共通電極ＣＢとの間には略等しい間隔が形成されている。
【０２０２】
図示した例では、主共通電極ＣＡは、第２方向Ｙに沿って直線的に延出した帯状に形成されている。副共通電極ＣＢは、第１方向Ｘに沿って直線的に延出した帯状に形成されている。なお、主共通電極ＣＡは第１方向Ｘに沿って２本平行に並んでおり、以下では、これらを区別するために、図中の左側の主共通電極をＣＡＬと称し、図中の右側の主共通電極をＣＡＲと称する。主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲは、副共通電極ＣＢとそれぞれ繋がっている。
【０２０３】
主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲは左右画素間に配置されている。すなわち、主共通電極ＣＡＬは図示した当該画素ＰＸとその左側の画素（図示せず）との境界に跨って配置され、主共通電極ＣＡＲは図示した当該画素ＰＸとその右側の画素（図示せず）との境界に跨って配置されている。
【０２０４】
隣接する主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲの間には、１本の主画素電極ＰＡが位置している。このため、主共通電極ＣＡＬ、主画素電極ＰＡ、及び、主共通電極ＣＡＲは、第１方向Ｘに沿ってこの順に配置されている。つまり、主画素電極ＰＡと主共通電極ＣＡとは第１方向Ｘに沿って交互に配置されている。これらの主画素電極ＰＡと、主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲとは、互いに略平行に配置されている。また、主共通電極ＣＡＬと主画素電極ＰＡとの距離は、主共通電極ＣＡＲと主画素電極ＰＡとの距離と略同等である。
【０２０５】
隣接する第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧの間には、１本の副共通電極ＣＢが位置している。このため、第１副画素電極ＰＦ、副共通電極ＣＢ及び第２副画素電極ＰＧは、第２方向Ｙに沿ってこの順に配置されている。つまり、第１副画素電極ＰＦ及び第２副画素電極ＰＧと副共通電極ＣＢとは第２方向Ｙに沿って交互に配置されている。これらの第１副画素電極ＰＦ、副共通電極ＣＢ及び第２副画素電極ＰＧは、互いに略平行に配置されている。また、第１副画素電極ＰＦと副共通電極ＣＢとの距離は、第２副画素電極ＰＧと副共通電極ＣＢとの距離と略同等である。
【０２０６】
つまり、図示した例では、一画素ＰＸにおいて、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとで区画された４つの領域（主として表示に寄与する開口部あるいは透過部）が形成される。
【０２０７】
なお、ここでは詳述しないが、主共通電極ＣＡの少なくとも１つは、主共通電極ＣＡと略平行に（あるいは第２方向Ｙに沿って）延出するソース配線Ｓと対向していてもよい。また、第１副画素電極ＰＦ、第２副画素電極ＰＧ及び副共通電極ＣＢのいずれか１つは、これらと略平行に（あるいは第１方向Ｘに沿って）延出するゲート配線Ｇや補助容量線Ｃと対向していてもよい。
【０２０８】
上述した実施形態に係る液晶表示装置は、例えば、ワードプロセッサやパーソナルコンピュータなどのＯＡ（オフィス−オートメーション）機器の表示部や、電子手帳等の携帯情報機器の表示部、あるいはカメラ一体型ＶＴＲ等の表示部に適用可能である。
【符号の説明】
【０２０９】
ＬＰＮ…液晶表示パネル、ＰＸ…画素、ＳＳ１…一短辺、ＳＳ２…他短辺、ＬＳ１…一長辺、ＬＳ２…他長辺、ＡＲ…アレイ基板、Ｇ…ゲート配線、Ｃ…補助容量線、Ｓ…ソース配線、ＰＥ…画素電極、ＰＡ…主画素電極、ＰＢ，ＰＦ，ＰＧ…副画素電極、ＡＬ１…第１配向膜、ＣＴ…対向基板、ＣＥ…共通電極、ＣＡ…主共通電極、ＣＢ…副共通電極、ＡＬ２…第２配向膜、ＬＱ…液晶層、ＬＱ１…第１液晶層、ＬＱ２…第２液晶層、ＬＱ３…第３液晶層、ＬＱ４…第４液晶層、ＬＭ…液晶分子、ＰＬ１…第１偏光板、ＰＬ２…第２偏光板、Ｘ…第１方向、Ｙ…第２方向、Ｚ…第３方向、ｄ４…第４方向、ｄ５…第５方向、ＰＤ１〜ＰＤ８…配向処理方向。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に隙間を置いて対向配置された第２基板と、
前記第１基板及び第２基板間に挟持された複数の第１液晶層、並びに前記第１基板及び第２基板間に挟持され前記第１液晶層の液晶分子の初期配向とは異なる方向に前記液晶分子の初期配向を採る複数の第２液晶層を有した液晶層と、
第１方向及び前記第１方向に直交した第２方向にマトリクス状に設けられ、それぞれ前記第１液晶層及び第２液晶層を１つずつ含み、それぞれ前記第１方向に沿った長さが前記第２方向に沿った長さよりも短い複数の画素と、を備え、
前記各画素は、
前記第１基板上に形成され、前記第２方向に沿って延出した主画素電極と、
前記第２基板上に形成され、前記第１方向に前記主画素電極を挟んで位置し前記第２方向に沿って延出した一対の主共通電極と、を有していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記液晶層は、正の誘電率異方性を有し、
前記各画素は、前記第２方向に隣合う前記第１液晶層及び第２液晶層を１つずつ含み、
前記第１液晶層の液晶分子の初期配向及び前記第２液晶層の液晶分子の初期配向は、それぞれ前記第２方向に略平行であり、互いに略１８０°異なっていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記各画素は、前記第１基板上に形成され、第１方向に沿って延出し前記主画素電極と電気的に接続された副画素電極をさらに有し、
前記各画素の第１液晶層及び第２液晶層は、前記副画素電極と対向した領域を境に前記第２方向に隣合い、
前記第１液晶層の前記第１基板の近傍の液晶分子は、前記副画素電極より前記画素の一短辺側で前記第１基板から前記第２基板側に立ち上がるようにプレチルトし、
前記第２液晶層の前記第１基板の近傍の液晶分子は、前記副画素電極より前記画素の他短辺側で前記第１基板から前記第２基板側に立ち上がるようにプレチルトしていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記各画素は、前記第１基板上に形成され、第１方向に沿って延出した補助容量線をさらに含み、
前記各画素の第１液晶層及び第２液晶層は、前記補助容量線と対向した領域を境に前記第２方向に隣合い、
前記第１液晶層の前記第１基板の近傍の液晶分子は、前記補助容量線より前記画素の一短辺側で前記第１基板から前記第２基板側に立ち上がるようにプレチルトし、
前記第２液晶層の前記第１基板の近傍の液晶分子は前記補助容量線より前記画素の他短辺側で前記第１基板から前記第２基板側に立ち上がるようにプレチルトしていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１液晶層及び第２液晶層の少なくとも一方は、ホモジニアス配向を採ることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記液晶層は、負の誘電率異方性を有し、
前記各画素は、
前記第１基板上に形成され、第１方向に沿って延出し前記主画素電極と電気的に接続された副画素電極をさらに有し、
前記主画素電極を境に前記第１方向に隣合う前記第１液晶層及び第２液晶層を１つずつ含み、
前記第１液晶層の初期分子配向及び前記第２液晶層の初期分子配向は、それぞれ前記第１方向に略平行であり、互いに略１８０°異なっていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に隙間を置いて対向配置された第２基板と、
前記第１基板及び第２基板間に挟持された複数の第１液晶層、並びに前記第１基板及び第２基板間に挟持され前記第１液晶層の液晶分子の初期配向とは異なる方向に前記液晶分子の初期配向を採る複数の第２液晶層を有した液晶層と、
第１方向及び前記第１方向に直交した第２方向にマトリクス状に設けられ、それぞれ前記第１液晶層及び第２液晶層を１つずつ含み、それぞれ前記第１方向に沿った長さが前記第２方向に沿った長さよりも短い複数の画素と、を備え、
前記各画素は、
前記第１基板上に形成され、前記第２方向に沿って延出した主画素電極と、
前記第２基板上に形成され、前記第１方向に前記主画素電極を挟んで位置し前記第２方向に沿って延出した一対の主共通電極と、を有していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記液晶層は、正の誘電率異方性を有し、
前記各画素は、前記第２方向に隣合う前記第１液晶層及び第２液晶層を１つずつ含み、
前記第１液晶層の液晶分子の初期配向及び前記第２液晶層の液晶分子の初期配向は、それぞれ前記第２方向に略平行であり、互いに略１８０°異なっていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記各画素は、前記第１基板上に形成され、第１方向に沿って延出し前記主画素電極と電気的に接続された副画素電極をさらに有し、
前記各画素の第１液晶層及び第２液晶層は、前記副画素電極と対向した領域を境に前記第２方向に隣合い、
前記第１液晶層の前記第１基板の近傍の液晶分子は、前記副画素電極より前記画素の一短辺側で前記第１基板から前記第２基板側に立ち上がるようにプレチルトし、
前記第２液晶層の前記第１基板の近傍の液晶分子は、前記副画素電極より前記画素の他短辺側で前記第１基板から前記第２基板側に立ち上がるようにプレチルトしていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記各画素は、前記第１基板上に形成され、第１方向に沿って延出した補助容量線をさらに含み、
前記各画素の第１液晶層及び第２液晶層は、前記補助容量線と対向した領域を境に前記第２方向に隣合い、
前記第１液晶層の前記第１基板の近傍の液晶分子は、前記補助容量線より前記画素の一短辺側で前記第１基板から前記第２基板側に立ち上がるようにプレチルトし、
前記第２液晶層の前記第１基板の近傍の液晶分子は前記補助容量線より前記画素の他短辺側で前記第１基板から前記第２基板側に立ち上がるようにプレチルトしていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１液晶層及び第２液晶層の少なくとも一方は、ホモジニアス配向を採ることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記液晶層は、負の誘電率異方性を有し、
前記各画素は、
前記第１基板上に形成され、第１方向に沿って延出し前記主画素電極と電気的に接続された副画素電極をさらに有し、
前記主画素電極を境に前記第１方向に隣合う前記第１液晶層及び第２液晶層を１つずつ含み、
前記第１液晶層の初期分子配向及び前記第２液晶層の初期分子配向は、それぞれ前記第１方向に略平行であり、互いに略１８０°異なっていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２０１３−６４８８９（Ｐ２０１３−６４８８９Ａ）
【公開日】平成２５年４月１１日（２０１３．４．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０３７８６（Ｐ２０１１−２０３７８６）
【出願日】平成２３年９月１６日（２０１１．９．１６）
【出願人】（３０２０２０２０７）株式会社ジャパンディスプレイセントラル (2,170)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１１日（２０１３．４．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月１６日（２０１１．９．１６）
【出願人】（３０２０２０２０７）株式会社ジャパンディスプレイセントラル (2,170)
【Ｆターム（参考）】
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