湿度センサの劣化診断方法
【課題】どのような環境に設置された湿度センサでもその劣化を診断することができるようにする。
【解決手段】加熱クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐを初期値Ｐ０として記憶する。加熱クリーニングを行う毎に、加熱クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐと初期値Ｐ０との偏差ΔＰ（ΔＰ＝｜Ｐ−Ｐ０｜）を求め、この偏差ΔＰが閾値ΔＰｔｈよりも大きくなった場合に、湿度センサの劣化と判定する。洗浄クリーニングを行う場合にも同様にして湿度センサの劣化を判定することができる。閾値ΔＰｔｈに代えて許容湿度範囲Ｗを用いたりしてもよい。
【解決手段】加熱クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐを初期値Ｐ０として記憶する。加熱クリーニングを行う毎に、加熱クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐと初期値Ｐ０との偏差ΔＰ（ΔＰ＝｜Ｐ−Ｐ０｜）を求め、この偏差ΔＰが閾値ΔＰｔｈよりも大きくなった場合に、湿度センサの劣化と判定する。洗浄クリーニングを行う場合にも同様にして湿度センサの劣化を判定することができる。閾値ΔＰｔｈに代えて許容湿度範囲Ｗを用いたりしてもよい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、計測環境雰囲気中に設置される湿度センサの劣化を診断する湿度センサの劣化診断方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、湿度センサには、湿度の変化に応じて感湿素子の抵抗値が変化する抵抗変化式や湿度の変化に応じて感湿素子の容量が変化する容量変化方式の湿度センサなどがある。これら何れの方式の湿度センサも測定現場に設置されると、計測環境の雰囲気中に直接さらされて湿度を計測するため、計測環境の雰囲気（例えば、薬品、溶剤などのガスや高湿環境など）によって、感湿素子が劣化して行く。この感湿素子の劣化を本明細書では湿度センサの劣化と言う。
【０００３】
なお、加熱や洗浄によって湿度センサの劣化を回復させることにより、湿度センサの耐用期間を延ばすことができることが知られている（例えば、特許文献１，２参照）。以下では、加熱することによって湿度センサの劣化の回復を図る回復処理を加熱クリーニング、洗浄することによって湿度センサの劣化の回復を図る回復処理を洗浄クリーニングと呼ぶ。ただし、回復処理を行っても完全に湿度センサの劣化が解消するわけではなく、ある程度の劣化は残り、その劣化が積み重なって、ある時点で使用に耐えられなくなると、湿度センサを交換しなければならない。
【０００４】
このような湿度センサに対し、その劣化を診断する技術を確立することは、信頼性の高い湿度計測を継続するうえで有益である。この湿度センサの劣化を診断する技術として、例えば特許文献２には、内燃機関の排気ガス雰囲気中に配置される湿度センサの劣化を診断する方法について記載されている。この特許文献２に記載された方法では、例えば、内燃機関の始動直後における湿度センサの低湿度側への変化の程度や低湿度側への出力値の大きさに基づいて、湿度センサの劣化を判定する。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１６６９６３号公報
【特許文献２】特開２００３−１６６９６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２に示された方法では、内燃機関の排気ガス雰囲気中の始動直後の湿度変化の特性を利用して湿度センサの劣化を判定するようにしており、内燃機関の排気ガス雰囲気中以外の環境では、特定の湿度変化は期待できず、環境の湿度やその変化が不明であるため、湿度センサの劣化を判定することができない。
【０００７】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、どのような環境に設置された湿度センサでもその劣化を診断することが可能な湿度センサの劣化診断方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的を達成するために、第１発明（請求項１に係る発明）は、計測環境雰囲気中に設置される湿度センサの劣化を診断する湿度センサの劣化診断方法において、湿度センサの劣化の回復を図る回復処理を所定の周期で行うステップと、最初の回復処理の終了後の湿度センサによって計測される湿度計測値を初期値としてメモリに記憶するステップと、回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の湿度センサによって計測される湿度計測値と初期値とを比較し、その比較結果に基づいて湿度センサの劣化を診断するステップとを設けたものである。
この発明によれば、所定の周期で、加熱クリーニングや洗浄クリーニングなどの回復処理が行われる。この場合、最初の回復処理の終了後の湿度計測値Ｐが初期値Ｐ０としてメモリに記憶され、回復処理が行われる毎に、その回復処理の終了後の湿度計測値Ｐと初期値Ｐ０とが比較され、その比較結果に基づいて湿度センサの劣化が診断される。例えば、回復処理の終了後の湿度計測値Ｐと初期値Ｐ０との偏差ΔＰが閾値ΔＰｔｈよりも大きくなった場合に、湿度センサの劣化と判定する。これにより、最初の回復処理の終了後の湿度計測値Ｐ０を基準として、湿度センサが設置されている環境に左右され難く、湿度センサの劣化診断を行うことが可能となる。
【０００９】
第２発明（請求項２に係る発明）は、計測環境雰囲気中に設置される湿度センサの劣化を診断する湿度センサの劣化診断方法において、湿度センサの劣化の回復を図る回復処理を所定の周期で行うステップと、最初の回復処理の終了後の湿度センサによって計測される湿度計測値を基準値とし、この基準値から所定の範囲を許容湿度範囲としてメモリに記憶するステップと、回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の湿度センサによって計測される湿度計測値が許容湿度範囲内にあるか否かを確認し、その確認結果に基づいて湿度センサの劣化を診断するステップとを設けたものである。
この発明によれば、所定の周期で、加熱クリーニングや洗浄クリーニングなどの回復処理が行われる。この場合、最初の回復処理の終了後の湿度計測値Ｐを基準値Ｐ０とし、この基準値Ｐ０から所定の範囲（Ｐ０±α）が許容湿度範囲Ｗとしてメモリに記憶され、回復処理が行われる毎に、その回復処理の終了後の湿度計測値Ｐが許容湿度範囲Ｗ内にあるか否かが確認され、その確認結果に基づいて湿度センサの劣化が診断される。例えば、回復処理の終了後の湿度計測値Ｐが許容湿度範囲Ｗから外れた場合に、湿度センサの劣化と判定する。これにより、最初の回復処理の終了後の湿度計測値Ｐ０を基準として、湿度センサが設置されている環境に左右され難く、湿度センサの劣化診断を行うことが可能となる。また、計測環境の違いや求められる計測精度や信頼性を考慮して、許容湿度範囲Ｗを柔軟に設定することにより、計測環境などに合わせた適切な精度で、湿度センサの劣化診断を行うことが可能となる。
【００１０】
第３発明（請求項３に係る発明）は、計測環境雰囲気中に設置される湿度センサの劣化を診断する湿度センサの劣化診断方法において、湿度センサの劣化の回復を図る回復処理を所定の周期で行うステップと、最初の回復処理の終了後の湿度センサによって計測される湿度計測値を初期値としてメモリに記憶するステップと、回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の湿度センサによって計測される湿度計測値および所定回数前までの各回復処理の終了後の湿度センサによって計測された各湿度計測値と初期値とを比較し、それぞれの比較結果に基づいて湿度センサの劣化を診断するステップとを設けたものである。
この発明によれば、所定の周期で、加熱クリーニングや洗浄クリーニングなどの回復処理が行われる。この場合、最初の回復処理の終了後の湿度計測値Ｐが初期値Ｐ０としてメモリに記憶され、回復処理が行われる毎に、その回復処理の終了後の湿度計測値Ｐ（Ｐｎ）および所定回数前までの各回復処理の終了後の各湿度計測値Ｐ（Ｐｉ）と初期値Ｐ０とが比較され、それぞれの比較結果に基づいて湿度センサの劣化が診断される。例えば、今回の回復処理の終了後に計測された湿度計測値Ｐｎと初期値Ｐ０との偏差ΔＰｎと所定回数前までの各回復処理の終了後に計測された各湿度計測値Ｐｉと初期値Ｐ０との各偏差ΔＰｉとを合計し、その平均値が閾値ΔＰｔｈよりも大きくなった場合に、湿度センサの劣化と判定する。これにより、最初の回復処理の終了後の湿度計測値Ｐ０を基準として、湿度センサが設置されている環境に左右され難く、湿度センサの劣化診断を行うことが可能となる。また、湿度計測のばらつきも考慮した経年変化をみて湿度センサの劣化診断が行われるものとなり、より正確に湿度センサの劣化診断を行うことが可能となる。
【００１１】
第４発明（請求項４に係る発明）は、第１〜第３発明において、回復処理の周期を第１の周期とし、この第１の周期よりも短い第２の周期で計測環境雰囲気中の湿度を湿度センサによって計測するステップと、回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の湿度センサによって計測される湿度計測値と初期値との偏差を求め、この求めた偏差に基づいて次回の回復処理を行う前までの間に第２の周期で計測される湿度計測値を補正するステップとを設けたものである。
この発明によれば、回復処理の周期をＴ１（第１の周期）とした場合、この周期Ｔ１よりも短い周期Ｔ２（第２の周期）で計測環境雰囲気中の湿度が計測される。この周期Ｔ２での湿度の計測中、回復処理が行われると、その回復処理の終了後の湿度計測値Ｐと初期値Ｐ０との偏差ΔＰが求められ、この偏差ΔＰに基づいて次回の回復処理を行う前までの間に周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈが補正される。
【００１２】
第５発明（請求項５に係る発明）は、第１〜第３発明において、回復処理の周期を第１の周期とし、この第１の周期よりも短い第２の周期で計測環境雰囲気中の湿度を湿度センサによって計測するステップと、回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の湿度センサによって計測される湿度計測値と初期値との偏差を求め、この求めた偏差と予め定められている最大補正可能偏差とを比較し、前記偏差が最大補正可能偏差を超えていなければ、前記偏差に基づいて次回の回復処理を行う前までの間に第２の周期で計測される湿度計測値を補正し、前記偏差が最大補正可能偏差を超えていれば、第２の周期で計測される湿度計測値の補正は行わず、湿度センサが劣化したと判定するステップとを設けたものである。
この発明によれば、回復処理の周期をＴ１（第１の周期）とした場合、この周期Ｔ１よりも短い周期Ｔ２（第２の周期）で計測環境雰囲気中の湿度が計測される。この周期Ｔ２での湿度の計測中、回復処理が行われると、その回復処理の終了後の湿度計測値Ｐと初期値Ｐ０との偏差ΔＰが求められ、この偏差ΔＰと予め定められている最大補正可能偏差ΔＨｍａｘとが比較される。ここで、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていなければ（ΔＰ≦ΔＨｍａｘ）、偏差ΔＰに基づいて次回の回復処理を行う前までの間に周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈが補正される。偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていれば（ΔＰ＞ΔＨｍａｘ）、周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈの補正は行われず、湿度センサが劣化したと判定される。
この発明において、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていた場合、周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈを補正したとしても、その補正後の湿度計測値Ｈ’の信憑性は低い。この発明では、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていた場合、周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈの補正は行われないので、信憑性が低い湿度計測値Ｈ’に基づいて制御や各種判断が行われることを避けることができる。また、この場合、湿度センサが劣化したと判定されるので、湿度センサの適切な交換時期を知ることができる。
【００１３】
第１〜第５発明において、湿度センサの劣化の回復を図る回復処理は、湿度センサを加熱することによって劣化の回復を図る加熱クリーニングとしてもよく（第６発明（請求項６に係る発明））、湿度センサを洗浄することによって劣化の回復を図る洗浄クリーニング（第７発明（請求項７に係る発明））としてもよい。また、本発明において、湿度センサの劣化の回復を図る回復処理は、加熱クリーニングや洗浄クリーニングに限られるものではない。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、加熱クリーニングや洗浄クリーニングなどの回復処理を行う毎に、最初の回復処理の終了後の湿度計測値を基準として湿度センサの劣化が診断されるものとなり、湿度センサが設置されている環境に左右され難く、どのような環境に設置された湿度センサでもその劣化を診断することが可能となる。また、その診断結果から湿度センサの適切な交換時期を知り、信頼性の高い湿度計測を継続することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
〔実施の形態１〕
図１は本発明の実施に用いる湿度計測装置の一例（実施の形態１）を示すブロック構成図である。同図において、１は計測環境の雰囲気中に設置された容量変化方式の湿度センサ、２は湿度センサ１に対して設けられた加熱クリーニング用のヒータ、３は湿度センサ１からの計測湿度に応じた容量変化信号を電圧信号に変換するＣ−Ｖ変換回路、４は加熱クリーニング用のヒータ２に対して設けられたヒータ回路、５はマイクロコンピュータ、６は表示部である。
【００１６】
マイクロコンピュータ５は、ＣＰＵ５−１やＲＯＭ５−２，ＲＡＭ５−３、不揮発性のメモリ５−４などを備えており、ＣＰＵ５−１はＲＡＭ５−３や不揮発性のメモリ５−４にアクセスしながら、ＲＯＭ５−２に格納されたプログラムに従って動作する。ＲＯＭ５−２には、本実施の形態特有のプログラムとして、湿度センサの劣化診断プログラムが格納されている。
【００１７】
〔実施の形態１の第１例〕
図２にＣＰＵ５−１が実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第１例（実施の形態１の第１例）のフローチャートを示す。ＣＰＵ５−１は、ユーザからの劣化診断の開始の指示を受けて（ステップ１０１のＹＥＳ）、ヒータ回路４へ加熱クリーニング指令を送る（ステップ１０２）。これにより、湿度センサ１がヒータ２によって加熱され、この加熱によって湿度センサ１の劣化の回復（加熱クリーニング）が図られる。
【００１８】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値（相対湿度）が低下する（図３（ａ）に示すｔ１点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（最初の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐを求め（ステップ１０３）、この求めた湿度計測値Ｐを初期値Ｐ０として不揮発性のメモリ５−４に格納する（ステップ１０４）。
【００１９】
そして、予め定められているクリーニング周期Ｔ１の経過を待って、すなわち前回の加熱クリーニング指令から周期Ｔ１の経過を待って（ステップ１０５のＹＥＳ）、次の加熱クリーニング指令をヒータ回路４へ送り（ステップ１０６）、湿度センサ１の加熱クリーニングを行う。
【００２０】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が低下する（図３（ａ）に示すｔ２点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（２回目の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐ（Ｐ１）を求める（ステップ１０７）。
【００２１】
そして、この求めた湿度計測値Ｐ１と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ１（ΔＰ１＝｜Ｐ１−Ｐ０｜）を求め（ステップ１０８）、この湿度計測値Ｐ１と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ１と予め定められている閾値ΔＰｔｈとを比較する（ステップ１０９）。ここで、ΔＰ１≦ΔＰｔｈであれば（ステップ１０９のＮＯ）、ステップ１０５へ戻り、ΔＰ１＞ΔＰｔｈであれば（ステップ１０９のＹＥＳ）、ステップ１１０へ進む。
【００２２】
ここでは、湿度センサ１に大きな劣化は生じておらず、ΔＰ１≦ΔＰｔｈであるとする。この場合、ＣＰＵ５−１は、ステップ１０９のＮＯに応じてステップ１０５へ戻り、クリーニング周期Ｔ１の経過を待って（ステップ１０５のＹＥＳ）、次の加熱クリーニング指令をヒータ回路４へ送り（ステップ１０６）、湿度センサ１の加熱クリーニングを行う。
【００２３】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が低下する（図３（ａ）に示すｔ３点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（３回目の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐ（Ｐ２）を求める（ステップ１０７）。
【００２４】
そして、この求めた湿度計測値Ｐ２と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ２（ΔＰ２＝｜Ｐ２−Ｐ０｜）を求め（ステップ１０８）、この湿度計測値Ｐ２と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ２と閾値ΔＰｔｈとを比較する（ステップ１０９）。以下同様にして、ステップ１０９において、ΔＰ＞ΔＰｔｈが確認されるまで、ステップ１０５〜１０９の処理動作を繰り返す。
【００２５】
ここで、例えば、７回目の加熱クリーニングにおいて（図３（ａ），（ｂ）に示すｔ７点）、その加熱クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐ６と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ６が閾値ΔＰｔｈよりも大きくなったとする。すると、ＣＰＵ５−１は、ΔＰ６＞ΔＰｔｈとなったことを確認して（ステップ１０９のＹＥＳ）、湿度センサ１に劣化が生じたことを示す劣化サインを表示部６へ出力する（ステップ１１０、図３（ｃ）に示すｔ７点）。
【００２６】
このようにして、この実施の形態１の第１例では、最初の加熱クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐ０を基準として湿度センサ１の劣化が診断されるものとなり、湿度センサ１が設置されている環境に左右され難く、どのような計測環境に設置された湿度センサ１でもその劣化を診断することができるようになる。また、この診断結果から、湿度センサ１の適切な交換時期を知り、信頼性の高い湿度計測を継続することができるようになる。
【００２７】
〔実施の形態１の第２例〕
図４にＣＰＵ５−１が実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第２例（実施の形態１の第２例）のフローチャートを示す。ＣＰＵ５−１は、ユーザからの劣化診断の開始の指示を受けて（ステップ２０１のＹＥＳ）、ヒータ回路４へ加熱クリーニング指令を送る（ステップ２０２）。これにより、湿度センサ１がヒータ２によって加熱され、この加熱によって湿度センサ１の劣化の回復（加熱クリーニング）が図られる。
【００２８】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値（相対湿度）が低下する（図５（ａ）に示すｔ１点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（最初の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐを求め（ステップ２０３）、この求めた湿度計測値Ｐを基準値Ｐ０とし、この基準値Ｐ０から所定の範囲（Ｐ０±α）を許容湿度範囲Ｗとして不揮発性のメモリ５−４に格納する（ステップ２０４）。
【００２９】
そして、予め定められているクリーニング周期Ｔ１の経過を待って、すなわち前回の加熱クリーニング指令から周期Ｔ１の経過を待って（ステップ２０５のＹＥＳ）、次の加熱クリーニング指令をヒータ回路４へ送り（ステップ２０６）、湿度センサ１の加熱クリーニングを行う。
【００３０】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が低下する（図５（ａ）に示すｔ２点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（２回目の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐ（Ｐ１）を求める（ステップ２０７）。
【００３１】
そして、この求めた湿度計測値Ｐ１が許容湿度範囲Ｗ内にあるか否かを確認し（ステップ２０８）、湿度計測値Ｐ１が許容湿度範囲Ｗ内にあれば（ステップ２０８のＹＥＳ）、ステップ２０５へ戻り、湿度計測値Ｐ１が許容湿度範囲Ｗ内になければ（ステップ２０８のＮＯ）、ステップ２０９へ進む。
【００３２】
ここでは、湿度センサ１に大きな劣化は生じておらず、湿度計測値Ｐ１が許容湿度範囲Ｗ内にあるものとする。この場合、ＣＰＵ５−１は、ステップ２０８のＹＥＳに応じてステップ２０５へ戻り、クリーニング周期Ｔ１の経過を待って（ステップ２０５のＹＥＳ）、次の加熱クリーニング指令をヒータ回路４へ送り（ステップ２０６）、湿度センサ１の加熱クリーニングを行う。
【００３３】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が低下する（図５（ａ）に示すｔ３点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（３回目の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐ（Ｐ２）を求め（ステップ２０７）、この求めた湿度計測値Ｐ２が許容湿度範囲Ｗ内にあるか否かを確認する（ステップ２０８）。以下同様にして、ステップ２０８において、湿度計測値Ｐが許容湿度範囲Ｗ内にないことが確認されるまで、ステップ２０５〜２０８の処理動作を繰り返す。
【００３４】
ここで、例えば、７回目の加熱クリーニングにおいて（図５（ａ），（ｂ）に示すｔ７点）、この加熱クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐ６が許容湿度範囲Ｗから外れたとする。すると、ＣＰＵ５−１は、湿度計測値Ｐ６が許容湿度範囲Ｗ内にないことを確認して（ステップ２０８のＮＯ）、湿度センサ１に劣化が生じたことを示す劣化サインを表示部６へ出力する（ステップ２０９、図５（ｃ）に示すｔ７点）。
【００３５】
このようにして、この実施の形態１の第２例では、最初の加熱クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐ０を基準として湿度センサ１の劣化が診断されるものとなり、湿度センサ１が設置されている環境に左右され難く、どのような計測環境に設置された湿度センサ１でもその劣化を診断することができるようになる。また、この診断結果から、湿度センサ１の適切な交換時期を知り、信頼性の高い湿度計測を継続することができるようになる。また、計測環境の違いや求められる計測精度や信頼性を考慮して、許容湿度範囲Ｗを柔軟に設定することにより、計測環境などに合わせた適切な精度で、湿度センサ１の劣化診断を行うことができるようになる。
【００３６】
〔実施の形態１の第３例〕
図６にＣＰＵ５−１が実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第３例（実施の形態１の第３例）のフローチャートを示す。ＣＰＵ５−１は、ユーザからの劣化診断の開始の指示を受けて（ステップ３０１のＹＥＳ）、ヒータ回路４へ加熱クリーニング指令を送る（ステップ３０２）。これにより、湿度センサ１がヒータ２によって加熱され、この加熱によって湿度センサ１の劣化の回復（加熱クリーニング）が図られる。
【００３７】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値（相対湿度）が低下する（図７（ａ）に示すｔ１点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（最初の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐを求め（ステップ３０３）、この求めた湿度計測値Ｐを初期値Ｐ０として不揮発性のメモリ５−４に格納する（ステップ３０４）。
【００３８】
そして、予め定められているクリーニング周期Ｔ１の経過を待って、すなわち前回の加熱クリーニング指令から周期Ｔ１の経過を待って（ステップ３０５のＹＥＳ）、次の加熱クリーニング指令をヒータ回路４へ送り（ステップ３０６）、湿度センサ１の加熱クリーニングを行う。
【００３９】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が低下する（図７（ａ）に示すｔ２点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（２回目の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐ（Ｐ１）を求める（ステップ３０７）。
【００４０】
そして、この求めた湿度計測値Ｐ１と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ１（ΔＰ１＝｜Ｐ１−Ｐ０｜）を求め（ステップ３０８）、この湿度計測値Ｐ１と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ１を今回の偏差ΔＰとして不揮発性のメモリ５−４に格納する（ステップ３０９）。そして、今回の偏差ΔＰとＸ回前（この例では、Ｘ＝２とする）までの各偏差ΔＰとを合計し、その平均値ΔＰAVを求める（ステップ３１０）。この場合、ΔＰはΔＰ１しか求められていないので、ΔＰ１を平均値ΔＰAVとする。そして、この平均値ΔＰAVと予め定められている閾値ΔＰｔｈとを比較し（ステップ３１１）、ΔＰAV≦ΔＰｔｈであれば（ステップ３１１のＮＯ）、ステップ３０５へ戻り、ΔＰAV＞ΔＰｔｈであれば（ステップ３１１のＹＥＳ）、ステップ３１２へ進む。
【００４１】
ここでは、湿度センサ１に大きな劣化は生じておらず、ΔＰAV≦ΔＰｔｈであるとする。この場合、ＣＰＵ５−１は、ステップ３１１のＮＯに応じてステップ３０５へ戻り、クリーニング周期Ｔ１の経過を待って（ステップ３０５のＹＥＳ）、次の加熱クリーニング指令をヒータ回路４へ送り（ステップ３０６）、湿度センサ１の加熱クリーニングを行う。
【００４２】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が低下する（図７（ａ）に示すｔ３点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（３回目の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐ（Ｐ２）を求める（ステップ１０７）。
【００４３】
そして、この求めた湿度計測値Ｐ２と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ２（ΔＰ２＝｜Ｐ２−Ｐ０｜）を求め（ステップ３０８）、この湿度計測値Ｐ２と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ２を今回の偏差ΔＰとして、不揮発性のメモリ５−４に格納する（ステップ３０９）。そして、今回の偏差ΔＰとＸ＝２回前までの各偏差ΔＰとを合計し、その平均値ΔＰAVを求める（ステップ３１０）。この場合、ΔＰはΔＰ１とΔＰ２しか求められていないので、ΔＰ１とΔＰ２との合計の平均値をΔＰAVとする。そして、この平均値ΔＰAVと閾値ΔＰｔｈとを比較する（ステップ３１１）。以下同様にして、ステップ３１１において、ΔＰAV＞ΔＰｔｈが確認されるまで、ステップ３０５〜３１１の処理動作を繰り返す。
【００４４】
ここで、例えば、７回目の加熱クリーニングにおいて（図７（ａ），（ｂ）に示すｔ７点）、その加熱クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐ６と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ６とＸ＝２回前までの各偏差ΔＰ（ΔＰ４，ΔＰ５）との合計の平均値ΔＰAVが閾値ΔＰｔｈよりも大きくなったとする。すると、ＣＰＵ５−１は、ΔＰAV＞ΔＰｔｈとなったことを確認して（ステップ３１１のＹＥＳ）、湿度センサ１に劣化が生じたことを示す劣化サインを表示部６へ出力する（ステップ３１２、図７（ｃ）に示すｔ７点）。
【００４５】
このようにして、この実施の形態１の第３例では、最初の加熱クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐ０を基準として湿度センサ１の劣化が診断されるものとなり、湿度センサ１が設置されている環境に左右され難く、どのような計測環境に設置された湿度センサ１でもその劣化を診断することができるようになる。また、湿度計測のばらつきも考慮した経年変化をみて湿度センサ１の劣化診断が行われるものとなり、より正確に湿度センサ１の劣化診断を行うことができるようになる。
【００４６】
〔実施の形態１の第４例〕
実施の形態１の第１〜第３例では、湿度センサの劣化診断の処理についてのみ説明したが、この湿度センサの劣化診断の処理に湿度計測値の補正処理を組み合わせるようにしてもよい。図８に湿度センサの劣化診断の処理に湿度計測値の補正処理を組み合わせた場合の第１例（実施の形態１の第４例）のフローチャートを示す。
【００４７】
この例では、クリーニング周期Ｔ１を第１の周期とし、この第１の周期Ｔ１よりも短い第２の周期Ｔ２（Ｔ２＜Ｔ１）を湿度の計測周期とする。ＣＰＵ５−１は、第２の周期Ｔ２でＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み（ステップ４０２のＹＥＳ）、この電圧信号から湿度計測値Ｈを求める（ステップ４０３）。
【００４８】
この第２の周期Ｔ２での湿度の計測中、前回の加熱クリーニング指令からクリーニング周期Ｔ１が経過すると（ステップ４０１のＹＥＳ）、ＣＰＵ５−１は、次の加熱クリーニング指令をヒータ回路４へ送り（ステップ４０５）、湿度センサ１の加熱クリーニングを行う。
【００４９】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が低下する。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニングの終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐを求める（ステップ４０６）。
【００５０】
そして、この湿度計測値Ｐと最初の加熱クリーニングの終了後に計測された湿度計測値の初期値Ｐ０との偏差ΔＰ（ΔＰ＝｜Ｐ−Ｐ０｜）を求め（ステップ４０７）、この偏差ΔＰに正負の補正方向を付し補正値βとして不揮発性メモリ５−４に格納する（ステップ４０８）。そして、次の加熱クリーニングが行われるまで、ステップ４０１のＮＯに応じてステップ４０２へ進み、周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈを補正値βによって補正する（ステップ４０３，４０４）。この場合、湿度計測値Ｈから補正値βを差し引き、補正後の湿度計測値Ｈ’とする。
【００５１】
〔実施の形態１の第５例〕
図９に湿度センサの劣化診断の処理に湿度計測値の補正処理を組み合わせた場合の第２例（実施の形態１の第５例）のフローチャートを示す。この例においても、クリーニング周期Ｔ１を第１の周期とし、この第１の周期Ｔ１よりも短い第２の周期Ｔ２（Ｔ２＜Ｔ１）を湿度の計測周期とする。ＣＰＵ５−１は、第２の周期Ｔ２でＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み（ステップ５０２のＹＥＳ）、この電圧信号から湿度計測値Ｈを求める（ステップ５０３）。
【００５２】
この第２の周期Ｔ２での湿度の計測中、前回の加熱クリーニングからクリーニング周期Ｔ１が経過すると（ステップ５０１のＹＥＳ）、ＣＰＵ５−１は、次の加熱クリーニング指令をヒータ回路４へ送り（ステップ５０５）、湿度センサ１の加熱クリーニングを行う。
【００５３】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が低下する。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニングの終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐを求める（ステップ５０６）。そして、この湿度計測値Ｐと最初の加熱クリーニングの終了後に計測された湿度計測値の初期値Ｐ０との偏差ΔＰ（ΔＰ＝｜Ｐ−Ｐ０｜）を求め（ステップ５０７）、この偏差ΔＰと予め定められている最大補正可能偏差ΔＨｍａｘとを比較する（ステップ５０８）。
【００５４】
ここで、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていなければ（ΔＰ≦ΔＨｍａｘ：ステップ５０８のＹＥＳ）、偏差ΔＰに正負の補正方向を付し補正値βとして不揮発性メモリ５−４に格納する（ステップ５０９）。そして、次の加熱クリーニングが行われるまで、ステップ５０１のＮＯに応じてステップ５０２へ進み、周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈを補正値βによって補正する（ステップ５０３，５０４）。この場合、湿度計測値Ｈから補正値βを差し引き、補正後の湿度計測値Ｈ’とする。
【００５５】
これに対し、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていれば（ΔＰ＞ΔＨｍａｘ：ステップ５０８のＮＯ）、湿度計測値Ｈの補正は行わずに、湿度センサ１に劣化が生じたことを示す劣化サインを表示部６へ出力する（ステップ５１０）。
【００５６】
偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていた場合、周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈを補正したとしても、その補正後の湿度計測値Ｈ’の信憑性は低い。この実施の形態１の第５例では、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていた場合、周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈの補正は行われないので、信憑性が低い湿度計測値Ｈ’に基づいて制御や各種判断が行われることを避けることができる。また、この場合、湿度センサ１が劣化したと判定されるので、湿度センサ１の適切な交換時期を知ることができる。
【００５７】
〔実施の形態２〕
図１０は本発明の実施に用いる湿度計測装置の他の例（実施の形態２）を示すブロック構成図である。同図において、図１と同一符号は図１を参照して説明した構成要素と同一或いは同等構成要素を示し、その説明は省略する。この実施の形態２では、湿度センサ１に対して洗浄装置７を設け、湿度センサ１を洗浄することによって劣化の回復を図る。
【００５８】
マイクロコンピュータ５は、ＣＰＵ５−１やＲＯＭ５−２，ＲＡＭ５−３、不揮発性のメモリ５−４などを備えており、ＣＰＵ５−１はＲＡＭ５−３や不揮発性のメモリ５−４にアクセスしながら、ＲＯＭ５−２に格納されたプログラムに従って動作する。ＲＯＭ５−２には、本実施の形態特有のプログラムとして、湿度センサの劣化診断プログラムが格納されている。
【００５９】
〔実施の形態２の第１例〕
図１１にＣＰＵ５−１が実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第１例（実施の形態２の第１例）のフローチャートを示す。ＣＰＵ５−１は、ユーザからの劣化診断の開始の指示を受けて（ステップ６０１のＹＥＳ）、洗浄装置７へ洗浄クリーニング指令を送る（ステップ６０２）。これにより、湿度センサ１が洗浄装置７によって洗浄され、この洗浄によって湿度センサ１の劣化の回復（洗浄クリーニング）が図られる。
【００６０】
洗浄クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ１００％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値（相対湿度）が上昇する（図１２（ａ）に示すｔ１点）。ＣＰＵ５−１は、この洗浄クリーニング（最初の洗浄クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐを求め（ステップ６０３）、この求めた湿度計測値Ｐを初期値Ｐ０として不揮発性のメモリ５−４に格納する（ステップ６０４）。
【００６１】
そして、予め定められているクリーニング周期Ｔ１の経過を待って、すなわち前回の洗浄クリーニング指令から周期Ｔ１の経過を待って（ステップ６０５のＹＥＳ）、次の洗浄クリーニング指令を洗浄装置７へ送り（ステップ６０６）、湿度センサ１の洗浄クリーニングを行う。
【００６２】
洗浄クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ１００％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が上昇する（図１２（ａ）に示すｔ２点）。ＣＰＵ５−１は、この洗浄クリーニング（２回目の洗浄クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐ１を求める（ステップ６０７）。
【００６３】
そして、この求めた湿度計測値Ｐ１と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ１（ΔＰ１＝｜Ｐ１−Ｐ０｜）を求め（ステップ６０８）、この湿度計測値Ｐ１と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ１と予め定められている閾値ΔＰｔｈとを比較する（ステップ６０９）。ここで、ΔＰ１≦ΔＰｔｈであれば（ステップ６０９のＮＯ）、ステップ６０５へ戻り、ΔＰ１＞ΔＰｔｈであれば（ステップ６０９のＹＥＳ）、ステップ６１０へ進む。
【００６４】
ここでは、湿度センサ１に大きな劣化は生じておらず、ΔＰ１≦ΔＰｔｈであるとする。この場合、ＣＰＵ５−１は、ステップ６０９のＮＯに応じてステップ６０５へ戻り、クリーニング周期Ｔ１の経過を待って（ステップ６０５のＹＥＳ）、次の洗浄クリーニング指令を洗浄装置７へ送り（ステップ６０６）、湿度センサ１の洗浄クリーニングを行う。
【００６５】
洗浄クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ１００％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が上昇する（図１２（ａ）に示すｔ３点）。ＣＰＵ５−１は、この洗浄クリーニング（３回目の洗浄クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐ２を求める（ステップ６０７）。
【００６６】
そして、この求めた湿度計測値Ｐ２と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ２（ΔＰ２＝｜Ｐ２−Ｐ０｜）を求め（ステップ６０８）、この湿度計測値Ｐ２と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ２と閾値ΔＰｔｈとを比較する（ステップ６０９）。以下同様にして、ステップ６０９において、ΔＰ＞ΔＰｔｈが確認されるまで、ステップ６０５〜６０９の処理動作を繰り返す。
【００６７】
ここで、例えば、７回目の洗浄クリーニングにおいて（図１２（ａ），（ｂ）に示すｔ７点）、その洗浄クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐ６と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ６が閾値ΔＰｔｈよりも大きくなったとする。すると、ＣＰＵ５−１は、ΔＰ６＞ΔＰｔｈとなったことを確認して（ステップ６０９のＹＥＳ）、湿度センサ１に劣化が生じたことを示す劣化サインを表示部６へ出力する（ステップ６１０、図１２（ｃ）に示すｔ７点）。
【００６８】
このようにして、この実施の形態２の第１例では、最初の洗浄クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐ０を基準として湿度センサ１の劣化が診断されるものとなり、湿度センサ１が設置されている環境に左右され難く、どのような計測環境に設置された湿度センサ１でもその劣化を診断することができるようになる。また、この診断結果から、湿度センサ１の適切な交換時期を知り、信頼性の高い湿度計測を継続することができるようになる。
【００６９】
〔実施の形態２の第２例〕
図１３にＣＰＵ５−１が実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第２例（実施の形態２の第２例）のフローチャートを示す。このフローチャートは、実施の形態１の第２例で示した図４のフローチャートに対応し、許容湿度範囲Ｗを定めて湿度センサ１の劣化を判定する。その処理動作は、基本的に図４のフローチャートの処理動作と同じであるので、図１４に図５に対応するタイムチャートを示し、その説明は省略する。
【００７０】
〔実施の形態２の第３例〕
図１３にＣＰＵ５−１が実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第３例（実施の形態２の第３例）のフローチャートを示す。このフローチャートは、実施の形態１の第３例で示した図６のフローチャートに対応し、今回の偏差ΔＰとＸ回前までの各偏差ΔＰとの合計の平均値ΔＰAVを算出し、この平均値ΔＰAVと閾値ΔＰｔｈとの比較によって湿度センサ１の劣化を判定する。その処理動作は、基本的に図６のフローチャートの処理動作と同じであるので、図１６に図７に対応するタイムチャートを示し、その説明は省略する。
【００７１】
〔実施の形態２の第４例〕
図１７にＣＰＵ５−１が実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第４例（実施の形態２の第４例）のフローチャートを示す。このフローチャートは、実施の形態１の第４例で示した図８のフローチャートに対応し、洗浄クリーニングを行う度に補正値βを求め、次の洗浄クリーニングを行う前までの間に計測される湿度計測値Ｈを補正する。その処理動作は、基本的に図８のフローチャートの処理動作と同じであるので、その説明は省略する。
【００７２】
〔実施の形態２の第５例〕
図１８にＣＰＵ５−１が実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第５例（実施の形態２の第５例）のフローチャートを示す。このフローチャートは、実施の形態１の第５例で示した図９のフローチャートに対応し、洗浄クリーニングを行う度に、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えているか否かを確認し、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていなければ、次の洗浄クリーニングを行う前までの間に計測される湿度計測値Ｈを補正し、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていれば、湿度計測値Ｈの補正を行わずに、劣化と判定する。その処理動作は、基本的に図９のフローチャートの処理動作と同じであるので、その説明は省略する。
【００７３】
上述した実施の形態１や２において、湿度センサ１が劣化したと判定するために用いる閾値ΔＰｔｈや許容湿度範囲Ｗは、製品に予め組み込んでおいてもよいし、ユーザが決められるようにしてもよい。
また、上述した実施の形態１や２において、マイクロコンピュータ５から出力された劣化サインは表示部６に送られ、表示部６において劣化が生じたことがユーザに知らされる。この場合、お知らせランプによって劣化が生じたことを知らせるようにしたり、ブザーによって劣化が生じたことを知らせるようにしてもよい。
また、空調システム等で上位システムがある場合は、上位に通信または電気信号で知らせ、管理者が把握できるようにしてもよい。
【００７４】
また、湿度センサ１が設置される計測環境は、薬品，溶剤，高湿等の環境だけではなく、通常の環境であってもよい。近年、半導体製品の需要の増加などにより、有機溶剤など薬品環境に湿度センサがさらされる機会が増加しており、その信頼性が歩留まりに関係するなど、湿度センサの信頼性の重要度が高くなっている。これらのニーズに適応するため、薬品環境でも長期にわたり使用できる湿度センサが必要とされているが、本願の実施の形態のように、さらに踏み込んで、湿度センサの劣化の有無をユーザに知らせることにより、より信頼性の高い湿度センサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施に用いる湿度計測装置の一例（実施の形態１）を示すブロック構成図である。
【図２】この湿度計測装置におけるマイクロコンピュータ内のＣＰＵが実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第１例（実施の形態１の第１例）のフローチャートである。
【図３】この実施の形態１の第１例の処理動作を説明するためのタイムチャートである。
【図４】湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第２例（実施の形態１の第２例）のフローチャートである。
【図５】この実施の形態１の第２例の処理動作を説明するためのタイムチャートである。
【図６】湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第３例（実施の形態１の第３例）のフローチャートである。
【図７】この実施の形態１の第３例の処理動作を説明するためのタイムチャートである。
【図８】湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第４例（実施の形態１の第４例）のフローチャートである。
【図９】湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第５例（実施の形態１の第５例）のフローチャートである。
【図１０】本発明の実施に用いる湿度計測装置の他の例（実施の形態２）を示すブロック構成図である。
【図１１】この湿度計測装置におけるマイクロコンピュータ内のＣＰＵが実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第１例（実施の形態２の第１例）のフローチャートである。
【図１２】この実施の形態２の第１例の処理動作を説明するためのタイムチャートである。
【図１３】湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第２例（実施の形態２の第２例）のフローチャートである。
【図１４】この実施の形態２の第２例の処理動作を説明するためのタイムチャートである。
【図１５】湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第３例（実施の形態２の第３例）のフローチャートである。
【図１６】この実施の形態２の第３例の処理動作を説明するためのタイムチャートである。
【図１７】湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第４例（実施の形態２の第４例）のフローチャートである。
【図１８】湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第５例（実施の形態２の第５例）のフローチャートである。
【符号の説明】
【００７６】
１…湿度センサ、２…ヒータ、３…Ｃ−Ｖ変換回路、４…ヒータ回路、５…マイクロコンピュータ、５−１…ＣＰＵ、５−２…ＲＯＭ、５−３…ＲＡＭ、５−４…不揮発性のメモリ、６…表示部、７…洗浄装置。
【技術分野】
【０００１】
この発明は、計測環境雰囲気中に設置される湿度センサの劣化を診断する湿度センサの劣化診断方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、湿度センサには、湿度の変化に応じて感湿素子の抵抗値が変化する抵抗変化式や湿度の変化に応じて感湿素子の容量が変化する容量変化方式の湿度センサなどがある。これら何れの方式の湿度センサも測定現場に設置されると、計測環境の雰囲気中に直接さらされて湿度を計測するため、計測環境の雰囲気（例えば、薬品、溶剤などのガスや高湿環境など）によって、感湿素子が劣化して行く。この感湿素子の劣化を本明細書では湿度センサの劣化と言う。
【０００３】
なお、加熱や洗浄によって湿度センサの劣化を回復させることにより、湿度センサの耐用期間を延ばすことができることが知られている（例えば、特許文献１，２参照）。以下では、加熱することによって湿度センサの劣化の回復を図る回復処理を加熱クリーニング、洗浄することによって湿度センサの劣化の回復を図る回復処理を洗浄クリーニングと呼ぶ。ただし、回復処理を行っても完全に湿度センサの劣化が解消するわけではなく、ある程度の劣化は残り、その劣化が積み重なって、ある時点で使用に耐えられなくなると、湿度センサを交換しなければならない。
【０００４】
このような湿度センサに対し、その劣化を診断する技術を確立することは、信頼性の高い湿度計測を継続するうえで有益である。この湿度センサの劣化を診断する技術として、例えば特許文献２には、内燃機関の排気ガス雰囲気中に配置される湿度センサの劣化を診断する方法について記載されている。この特許文献２に記載された方法では、例えば、内燃機関の始動直後における湿度センサの低湿度側への変化の程度や低湿度側への出力値の大きさに基づいて、湿度センサの劣化を判定する。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１６６９６３号公報
【特許文献２】特開２００３−１６６９６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２に示された方法では、内燃機関の排気ガス雰囲気中の始動直後の湿度変化の特性を利用して湿度センサの劣化を判定するようにしており、内燃機関の排気ガス雰囲気中以外の環境では、特定の湿度変化は期待できず、環境の湿度やその変化が不明であるため、湿度センサの劣化を判定することができない。
【０００７】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、どのような環境に設置された湿度センサでもその劣化を診断することが可能な湿度センサの劣化診断方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的を達成するために、第１発明（請求項１に係る発明）は、計測環境雰囲気中に設置される湿度センサの劣化を診断する湿度センサの劣化診断方法において、湿度センサの劣化の回復を図る回復処理を所定の周期で行うステップと、最初の回復処理の終了後の湿度センサによって計測される湿度計測値を初期値としてメモリに記憶するステップと、回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の湿度センサによって計測される湿度計測値と初期値とを比較し、その比較結果に基づいて湿度センサの劣化を診断するステップとを設けたものである。
この発明によれば、所定の周期で、加熱クリーニングや洗浄クリーニングなどの回復処理が行われる。この場合、最初の回復処理の終了後の湿度計測値Ｐが初期値Ｐ０としてメモリに記憶され、回復処理が行われる毎に、その回復処理の終了後の湿度計測値Ｐと初期値Ｐ０とが比較され、その比較結果に基づいて湿度センサの劣化が診断される。例えば、回復処理の終了後の湿度計測値Ｐと初期値Ｐ０との偏差ΔＰが閾値ΔＰｔｈよりも大きくなった場合に、湿度センサの劣化と判定する。これにより、最初の回復処理の終了後の湿度計測値Ｐ０を基準として、湿度センサが設置されている環境に左右され難く、湿度センサの劣化診断を行うことが可能となる。
【０００９】
第２発明（請求項２に係る発明）は、計測環境雰囲気中に設置される湿度センサの劣化を診断する湿度センサの劣化診断方法において、湿度センサの劣化の回復を図る回復処理を所定の周期で行うステップと、最初の回復処理の終了後の湿度センサによって計測される湿度計測値を基準値とし、この基準値から所定の範囲を許容湿度範囲としてメモリに記憶するステップと、回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の湿度センサによって計測される湿度計測値が許容湿度範囲内にあるか否かを確認し、その確認結果に基づいて湿度センサの劣化を診断するステップとを設けたものである。
この発明によれば、所定の周期で、加熱クリーニングや洗浄クリーニングなどの回復処理が行われる。この場合、最初の回復処理の終了後の湿度計測値Ｐを基準値Ｐ０とし、この基準値Ｐ０から所定の範囲（Ｐ０±α）が許容湿度範囲Ｗとしてメモリに記憶され、回復処理が行われる毎に、その回復処理の終了後の湿度計測値Ｐが許容湿度範囲Ｗ内にあるか否かが確認され、その確認結果に基づいて湿度センサの劣化が診断される。例えば、回復処理の終了後の湿度計測値Ｐが許容湿度範囲Ｗから外れた場合に、湿度センサの劣化と判定する。これにより、最初の回復処理の終了後の湿度計測値Ｐ０を基準として、湿度センサが設置されている環境に左右され難く、湿度センサの劣化診断を行うことが可能となる。また、計測環境の違いや求められる計測精度や信頼性を考慮して、許容湿度範囲Ｗを柔軟に設定することにより、計測環境などに合わせた適切な精度で、湿度センサの劣化診断を行うことが可能となる。
【００１０】
第３発明（請求項３に係る発明）は、計測環境雰囲気中に設置される湿度センサの劣化を診断する湿度センサの劣化診断方法において、湿度センサの劣化の回復を図る回復処理を所定の周期で行うステップと、最初の回復処理の終了後の湿度センサによって計測される湿度計測値を初期値としてメモリに記憶するステップと、回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の湿度センサによって計測される湿度計測値および所定回数前までの各回復処理の終了後の湿度センサによって計測された各湿度計測値と初期値とを比較し、それぞれの比較結果に基づいて湿度センサの劣化を診断するステップとを設けたものである。
この発明によれば、所定の周期で、加熱クリーニングや洗浄クリーニングなどの回復処理が行われる。この場合、最初の回復処理の終了後の湿度計測値Ｐが初期値Ｐ０としてメモリに記憶され、回復処理が行われる毎に、その回復処理の終了後の湿度計測値Ｐ（Ｐｎ）および所定回数前までの各回復処理の終了後の各湿度計測値Ｐ（Ｐｉ）と初期値Ｐ０とが比較され、それぞれの比較結果に基づいて湿度センサの劣化が診断される。例えば、今回の回復処理の終了後に計測された湿度計測値Ｐｎと初期値Ｐ０との偏差ΔＰｎと所定回数前までの各回復処理の終了後に計測された各湿度計測値Ｐｉと初期値Ｐ０との各偏差ΔＰｉとを合計し、その平均値が閾値ΔＰｔｈよりも大きくなった場合に、湿度センサの劣化と判定する。これにより、最初の回復処理の終了後の湿度計測値Ｐ０を基準として、湿度センサが設置されている環境に左右され難く、湿度センサの劣化診断を行うことが可能となる。また、湿度計測のばらつきも考慮した経年変化をみて湿度センサの劣化診断が行われるものとなり、より正確に湿度センサの劣化診断を行うことが可能となる。
【００１１】
第４発明（請求項４に係る発明）は、第１〜第３発明において、回復処理の周期を第１の周期とし、この第１の周期よりも短い第２の周期で計測環境雰囲気中の湿度を湿度センサによって計測するステップと、回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の湿度センサによって計測される湿度計測値と初期値との偏差を求め、この求めた偏差に基づいて次回の回復処理を行う前までの間に第２の周期で計測される湿度計測値を補正するステップとを設けたものである。
この発明によれば、回復処理の周期をＴ１（第１の周期）とした場合、この周期Ｔ１よりも短い周期Ｔ２（第２の周期）で計測環境雰囲気中の湿度が計測される。この周期Ｔ２での湿度の計測中、回復処理が行われると、その回復処理の終了後の湿度計測値Ｐと初期値Ｐ０との偏差ΔＰが求められ、この偏差ΔＰに基づいて次回の回復処理を行う前までの間に周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈが補正される。
【００１２】
第５発明（請求項５に係る発明）は、第１〜第３発明において、回復処理の周期を第１の周期とし、この第１の周期よりも短い第２の周期で計測環境雰囲気中の湿度を湿度センサによって計測するステップと、回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の湿度センサによって計測される湿度計測値と初期値との偏差を求め、この求めた偏差と予め定められている最大補正可能偏差とを比較し、前記偏差が最大補正可能偏差を超えていなければ、前記偏差に基づいて次回の回復処理を行う前までの間に第２の周期で計測される湿度計測値を補正し、前記偏差が最大補正可能偏差を超えていれば、第２の周期で計測される湿度計測値の補正は行わず、湿度センサが劣化したと判定するステップとを設けたものである。
この発明によれば、回復処理の周期をＴ１（第１の周期）とした場合、この周期Ｔ１よりも短い周期Ｔ２（第２の周期）で計測環境雰囲気中の湿度が計測される。この周期Ｔ２での湿度の計測中、回復処理が行われると、その回復処理の終了後の湿度計測値Ｐと初期値Ｐ０との偏差ΔＰが求められ、この偏差ΔＰと予め定められている最大補正可能偏差ΔＨｍａｘとが比較される。ここで、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていなければ（ΔＰ≦ΔＨｍａｘ）、偏差ΔＰに基づいて次回の回復処理を行う前までの間に周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈが補正される。偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていれば（ΔＰ＞ΔＨｍａｘ）、周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈの補正は行われず、湿度センサが劣化したと判定される。
この発明において、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていた場合、周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈを補正したとしても、その補正後の湿度計測値Ｈ’の信憑性は低い。この発明では、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていた場合、周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈの補正は行われないので、信憑性が低い湿度計測値Ｈ’に基づいて制御や各種判断が行われることを避けることができる。また、この場合、湿度センサが劣化したと判定されるので、湿度センサの適切な交換時期を知ることができる。
【００１３】
第１〜第５発明において、湿度センサの劣化の回復を図る回復処理は、湿度センサを加熱することによって劣化の回復を図る加熱クリーニングとしてもよく（第６発明（請求項６に係る発明））、湿度センサを洗浄することによって劣化の回復を図る洗浄クリーニング（第７発明（請求項７に係る発明））としてもよい。また、本発明において、湿度センサの劣化の回復を図る回復処理は、加熱クリーニングや洗浄クリーニングに限られるものではない。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、加熱クリーニングや洗浄クリーニングなどの回復処理を行う毎に、最初の回復処理の終了後の湿度計測値を基準として湿度センサの劣化が診断されるものとなり、湿度センサが設置されている環境に左右され難く、どのような環境に設置された湿度センサでもその劣化を診断することが可能となる。また、その診断結果から湿度センサの適切な交換時期を知り、信頼性の高い湿度計測を継続することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
〔実施の形態１〕
図１は本発明の実施に用いる湿度計測装置の一例（実施の形態１）を示すブロック構成図である。同図において、１は計測環境の雰囲気中に設置された容量変化方式の湿度センサ、２は湿度センサ１に対して設けられた加熱クリーニング用のヒータ、３は湿度センサ１からの計測湿度に応じた容量変化信号を電圧信号に変換するＣ−Ｖ変換回路、４は加熱クリーニング用のヒータ２に対して設けられたヒータ回路、５はマイクロコンピュータ、６は表示部である。
【００１６】
マイクロコンピュータ５は、ＣＰＵ５−１やＲＯＭ５−２，ＲＡＭ５−３、不揮発性のメモリ５−４などを備えており、ＣＰＵ５−１はＲＡＭ５−３や不揮発性のメモリ５−４にアクセスしながら、ＲＯＭ５−２に格納されたプログラムに従って動作する。ＲＯＭ５−２には、本実施の形態特有のプログラムとして、湿度センサの劣化診断プログラムが格納されている。
【００１７】
〔実施の形態１の第１例〕
図２にＣＰＵ５−１が実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第１例（実施の形態１の第１例）のフローチャートを示す。ＣＰＵ５−１は、ユーザからの劣化診断の開始の指示を受けて（ステップ１０１のＹＥＳ）、ヒータ回路４へ加熱クリーニング指令を送る（ステップ１０２）。これにより、湿度センサ１がヒータ２によって加熱され、この加熱によって湿度センサ１の劣化の回復（加熱クリーニング）が図られる。
【００１８】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値（相対湿度）が低下する（図３（ａ）に示すｔ１点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（最初の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐを求め（ステップ１０３）、この求めた湿度計測値Ｐを初期値Ｐ０として不揮発性のメモリ５−４に格納する（ステップ１０４）。
【００１９】
そして、予め定められているクリーニング周期Ｔ１の経過を待って、すなわち前回の加熱クリーニング指令から周期Ｔ１の経過を待って（ステップ１０５のＹＥＳ）、次の加熱クリーニング指令をヒータ回路４へ送り（ステップ１０６）、湿度センサ１の加熱クリーニングを行う。
【００２０】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が低下する（図３（ａ）に示すｔ２点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（２回目の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐ（Ｐ１）を求める（ステップ１０７）。
【００２１】
そして、この求めた湿度計測値Ｐ１と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ１（ΔＰ１＝｜Ｐ１−Ｐ０｜）を求め（ステップ１０８）、この湿度計測値Ｐ１と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ１と予め定められている閾値ΔＰｔｈとを比較する（ステップ１０９）。ここで、ΔＰ１≦ΔＰｔｈであれば（ステップ１０９のＮＯ）、ステップ１０５へ戻り、ΔＰ１＞ΔＰｔｈであれば（ステップ１０９のＹＥＳ）、ステップ１１０へ進む。
【００２２】
ここでは、湿度センサ１に大きな劣化は生じておらず、ΔＰ１≦ΔＰｔｈであるとする。この場合、ＣＰＵ５−１は、ステップ１０９のＮＯに応じてステップ１０５へ戻り、クリーニング周期Ｔ１の経過を待って（ステップ１０５のＹＥＳ）、次の加熱クリーニング指令をヒータ回路４へ送り（ステップ１０６）、湿度センサ１の加熱クリーニングを行う。
【００２３】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が低下する（図３（ａ）に示すｔ３点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（３回目の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐ（Ｐ２）を求める（ステップ１０７）。
【００２４】
そして、この求めた湿度計測値Ｐ２と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ２（ΔＰ２＝｜Ｐ２−Ｐ０｜）を求め（ステップ１０８）、この湿度計測値Ｐ２と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ２と閾値ΔＰｔｈとを比較する（ステップ１０９）。以下同様にして、ステップ１０９において、ΔＰ＞ΔＰｔｈが確認されるまで、ステップ１０５〜１０９の処理動作を繰り返す。
【００２５】
ここで、例えば、７回目の加熱クリーニングにおいて（図３（ａ），（ｂ）に示すｔ７点）、その加熱クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐ６と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ６が閾値ΔＰｔｈよりも大きくなったとする。すると、ＣＰＵ５−１は、ΔＰ６＞ΔＰｔｈとなったことを確認して（ステップ１０９のＹＥＳ）、湿度センサ１に劣化が生じたことを示す劣化サインを表示部６へ出力する（ステップ１１０、図３（ｃ）に示すｔ７点）。
【００２６】
このようにして、この実施の形態１の第１例では、最初の加熱クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐ０を基準として湿度センサ１の劣化が診断されるものとなり、湿度センサ１が設置されている環境に左右され難く、どのような計測環境に設置された湿度センサ１でもその劣化を診断することができるようになる。また、この診断結果から、湿度センサ１の適切な交換時期を知り、信頼性の高い湿度計測を継続することができるようになる。
【００２７】
〔実施の形態１の第２例〕
図４にＣＰＵ５−１が実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第２例（実施の形態１の第２例）のフローチャートを示す。ＣＰＵ５−１は、ユーザからの劣化診断の開始の指示を受けて（ステップ２０１のＹＥＳ）、ヒータ回路４へ加熱クリーニング指令を送る（ステップ２０２）。これにより、湿度センサ１がヒータ２によって加熱され、この加熱によって湿度センサ１の劣化の回復（加熱クリーニング）が図られる。
【００２８】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値（相対湿度）が低下する（図５（ａ）に示すｔ１点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（最初の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐを求め（ステップ２０３）、この求めた湿度計測値Ｐを基準値Ｐ０とし、この基準値Ｐ０から所定の範囲（Ｐ０±α）を許容湿度範囲Ｗとして不揮発性のメモリ５−４に格納する（ステップ２０４）。
【００２９】
そして、予め定められているクリーニング周期Ｔ１の経過を待って、すなわち前回の加熱クリーニング指令から周期Ｔ１の経過を待って（ステップ２０５のＹＥＳ）、次の加熱クリーニング指令をヒータ回路４へ送り（ステップ２０６）、湿度センサ１の加熱クリーニングを行う。
【００３０】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が低下する（図５（ａ）に示すｔ２点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（２回目の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐ（Ｐ１）を求める（ステップ２０７）。
【００３１】
そして、この求めた湿度計測値Ｐ１が許容湿度範囲Ｗ内にあるか否かを確認し（ステップ２０８）、湿度計測値Ｐ１が許容湿度範囲Ｗ内にあれば（ステップ２０８のＹＥＳ）、ステップ２０５へ戻り、湿度計測値Ｐ１が許容湿度範囲Ｗ内になければ（ステップ２０８のＮＯ）、ステップ２０９へ進む。
【００３２】
ここでは、湿度センサ１に大きな劣化は生じておらず、湿度計測値Ｐ１が許容湿度範囲Ｗ内にあるものとする。この場合、ＣＰＵ５−１は、ステップ２０８のＹＥＳに応じてステップ２０５へ戻り、クリーニング周期Ｔ１の経過を待って（ステップ２０５のＹＥＳ）、次の加熱クリーニング指令をヒータ回路４へ送り（ステップ２０６）、湿度センサ１の加熱クリーニングを行う。
【００３３】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が低下する（図５（ａ）に示すｔ３点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（３回目の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐ（Ｐ２）を求め（ステップ２０７）、この求めた湿度計測値Ｐ２が許容湿度範囲Ｗ内にあるか否かを確認する（ステップ２０８）。以下同様にして、ステップ２０８において、湿度計測値Ｐが許容湿度範囲Ｗ内にないことが確認されるまで、ステップ２０５〜２０８の処理動作を繰り返す。
【００３４】
ここで、例えば、７回目の加熱クリーニングにおいて（図５（ａ），（ｂ）に示すｔ７点）、この加熱クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐ６が許容湿度範囲Ｗから外れたとする。すると、ＣＰＵ５−１は、湿度計測値Ｐ６が許容湿度範囲Ｗ内にないことを確認して（ステップ２０８のＮＯ）、湿度センサ１に劣化が生じたことを示す劣化サインを表示部６へ出力する（ステップ２０９、図５（ｃ）に示すｔ７点）。
【００３５】
このようにして、この実施の形態１の第２例では、最初の加熱クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐ０を基準として湿度センサ１の劣化が診断されるものとなり、湿度センサ１が設置されている環境に左右され難く、どのような計測環境に設置された湿度センサ１でもその劣化を診断することができるようになる。また、この診断結果から、湿度センサ１の適切な交換時期を知り、信頼性の高い湿度計測を継続することができるようになる。また、計測環境の違いや求められる計測精度や信頼性を考慮して、許容湿度範囲Ｗを柔軟に設定することにより、計測環境などに合わせた適切な精度で、湿度センサ１の劣化診断を行うことができるようになる。
【００３６】
〔実施の形態１の第３例〕
図６にＣＰＵ５−１が実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第３例（実施の形態１の第３例）のフローチャートを示す。ＣＰＵ５−１は、ユーザからの劣化診断の開始の指示を受けて（ステップ３０１のＹＥＳ）、ヒータ回路４へ加熱クリーニング指令を送る（ステップ３０２）。これにより、湿度センサ１がヒータ２によって加熱され、この加熱によって湿度センサ１の劣化の回復（加熱クリーニング）が図られる。
【００３７】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値（相対湿度）が低下する（図７（ａ）に示すｔ１点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（最初の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐを求め（ステップ３０３）、この求めた湿度計測値Ｐを初期値Ｐ０として不揮発性のメモリ５−４に格納する（ステップ３０４）。
【００３８】
そして、予め定められているクリーニング周期Ｔ１の経過を待って、すなわち前回の加熱クリーニング指令から周期Ｔ１の経過を待って（ステップ３０５のＹＥＳ）、次の加熱クリーニング指令をヒータ回路４へ送り（ステップ３０６）、湿度センサ１の加熱クリーニングを行う。
【００３９】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が低下する（図７（ａ）に示すｔ２点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（２回目の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐ（Ｐ１）を求める（ステップ３０７）。
【００４０】
そして、この求めた湿度計測値Ｐ１と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ１（ΔＰ１＝｜Ｐ１−Ｐ０｜）を求め（ステップ３０８）、この湿度計測値Ｐ１と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ１を今回の偏差ΔＰとして不揮発性のメモリ５−４に格納する（ステップ３０９）。そして、今回の偏差ΔＰとＸ回前（この例では、Ｘ＝２とする）までの各偏差ΔＰとを合計し、その平均値ΔＰAVを求める（ステップ３１０）。この場合、ΔＰはΔＰ１しか求められていないので、ΔＰ１を平均値ΔＰAVとする。そして、この平均値ΔＰAVと予め定められている閾値ΔＰｔｈとを比較し（ステップ３１１）、ΔＰAV≦ΔＰｔｈであれば（ステップ３１１のＮＯ）、ステップ３０５へ戻り、ΔＰAV＞ΔＰｔｈであれば（ステップ３１１のＹＥＳ）、ステップ３１２へ進む。
【００４１】
ここでは、湿度センサ１に大きな劣化は生じておらず、ΔＰAV≦ΔＰｔｈであるとする。この場合、ＣＰＵ５−１は、ステップ３１１のＮＯに応じてステップ３０５へ戻り、クリーニング周期Ｔ１の経過を待って（ステップ３０５のＹＥＳ）、次の加熱クリーニング指令をヒータ回路４へ送り（ステップ３０６）、湿度センサ１の加熱クリーニングを行う。
【００４２】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が低下する（図７（ａ）に示すｔ３点）。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニング（３回目の加熱クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐ（Ｐ２）を求める（ステップ１０７）。
【００４３】
そして、この求めた湿度計測値Ｐ２と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ２（ΔＰ２＝｜Ｐ２−Ｐ０｜）を求め（ステップ３０８）、この湿度計測値Ｐ２と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ２を今回の偏差ΔＰとして、不揮発性のメモリ５−４に格納する（ステップ３０９）。そして、今回の偏差ΔＰとＸ＝２回前までの各偏差ΔＰとを合計し、その平均値ΔＰAVを求める（ステップ３１０）。この場合、ΔＰはΔＰ１とΔＰ２しか求められていないので、ΔＰ１とΔＰ２との合計の平均値をΔＰAVとする。そして、この平均値ΔＰAVと閾値ΔＰｔｈとを比較する（ステップ３１１）。以下同様にして、ステップ３１１において、ΔＰAV＞ΔＰｔｈが確認されるまで、ステップ３０５〜３１１の処理動作を繰り返す。
【００４４】
ここで、例えば、７回目の加熱クリーニングにおいて（図７（ａ），（ｂ）に示すｔ７点）、その加熱クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐ６と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ６とＸ＝２回前までの各偏差ΔＰ（ΔＰ４，ΔＰ５）との合計の平均値ΔＰAVが閾値ΔＰｔｈよりも大きくなったとする。すると、ＣＰＵ５−１は、ΔＰAV＞ΔＰｔｈとなったことを確認して（ステップ３１１のＹＥＳ）、湿度センサ１に劣化が生じたことを示す劣化サインを表示部６へ出力する（ステップ３１２、図７（ｃ）に示すｔ７点）。
【００４５】
このようにして、この実施の形態１の第３例では、最初の加熱クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐ０を基準として湿度センサ１の劣化が診断されるものとなり、湿度センサ１が設置されている環境に左右され難く、どのような計測環境に設置された湿度センサ１でもその劣化を診断することができるようになる。また、湿度計測のばらつきも考慮した経年変化をみて湿度センサ１の劣化診断が行われるものとなり、より正確に湿度センサ１の劣化診断を行うことができるようになる。
【００４６】
〔実施の形態１の第４例〕
実施の形態１の第１〜第３例では、湿度センサの劣化診断の処理についてのみ説明したが、この湿度センサの劣化診断の処理に湿度計測値の補正処理を組み合わせるようにしてもよい。図８に湿度センサの劣化診断の処理に湿度計測値の補正処理を組み合わせた場合の第１例（実施の形態１の第４例）のフローチャートを示す。
【００４７】
この例では、クリーニング周期Ｔ１を第１の周期とし、この第１の周期Ｔ１よりも短い第２の周期Ｔ２（Ｔ２＜Ｔ１）を湿度の計測周期とする。ＣＰＵ５−１は、第２の周期Ｔ２でＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み（ステップ４０２のＹＥＳ）、この電圧信号から湿度計測値Ｈを求める（ステップ４０３）。
【００４８】
この第２の周期Ｔ２での湿度の計測中、前回の加熱クリーニング指令からクリーニング周期Ｔ１が経過すると（ステップ４０１のＹＥＳ）、ＣＰＵ５−１は、次の加熱クリーニング指令をヒータ回路４へ送り（ステップ４０５）、湿度センサ１の加熱クリーニングを行う。
【００４９】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が低下する。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニングの終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐを求める（ステップ４０６）。
【００５０】
そして、この湿度計測値Ｐと最初の加熱クリーニングの終了後に計測された湿度計測値の初期値Ｐ０との偏差ΔＰ（ΔＰ＝｜Ｐ−Ｐ０｜）を求め（ステップ４０７）、この偏差ΔＰに正負の補正方向を付し補正値βとして不揮発性メモリ５−４に格納する（ステップ４０８）。そして、次の加熱クリーニングが行われるまで、ステップ４０１のＮＯに応じてステップ４０２へ進み、周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈを補正値βによって補正する（ステップ４０３，４０４）。この場合、湿度計測値Ｈから補正値βを差し引き、補正後の湿度計測値Ｈ’とする。
【００５１】
〔実施の形態１の第５例〕
図９に湿度センサの劣化診断の処理に湿度計測値の補正処理を組み合わせた場合の第２例（実施の形態１の第５例）のフローチャートを示す。この例においても、クリーニング周期Ｔ１を第１の周期とし、この第１の周期Ｔ１よりも短い第２の周期Ｔ２（Ｔ２＜Ｔ１）を湿度の計測周期とする。ＣＰＵ５−１は、第２の周期Ｔ２でＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み（ステップ５０２のＹＥＳ）、この電圧信号から湿度計測値Ｈを求める（ステップ５０３）。
【００５２】
この第２の周期Ｔ２での湿度の計測中、前回の加熱クリーニングからクリーニング周期Ｔ１が経過すると（ステップ５０１のＹＥＳ）、ＣＰＵ５−１は、次の加熱クリーニング指令をヒータ回路４へ送り（ステップ５０５）、湿度センサ１の加熱クリーニングを行う。
【００５３】
加熱クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ０％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が低下する。ＣＰＵ５−１は、この加熱クリーニングの終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐを求める（ステップ５０６）。そして、この湿度計測値Ｐと最初の加熱クリーニングの終了後に計測された湿度計測値の初期値Ｐ０との偏差ΔＰ（ΔＰ＝｜Ｐ−Ｐ０｜）を求め（ステップ５０７）、この偏差ΔＰと予め定められている最大補正可能偏差ΔＨｍａｘとを比較する（ステップ５０８）。
【００５４】
ここで、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていなければ（ΔＰ≦ΔＨｍａｘ：ステップ５０８のＹＥＳ）、偏差ΔＰに正負の補正方向を付し補正値βとして不揮発性メモリ５−４に格納する（ステップ５０９）。そして、次の加熱クリーニングが行われるまで、ステップ５０１のＮＯに応じてステップ５０２へ進み、周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈを補正値βによって補正する（ステップ５０３，５０４）。この場合、湿度計測値Ｈから補正値βを差し引き、補正後の湿度計測値Ｈ’とする。
【００５５】
これに対し、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていれば（ΔＰ＞ΔＨｍａｘ：ステップ５０８のＮＯ）、湿度計測値Ｈの補正は行わずに、湿度センサ１に劣化が生じたことを示す劣化サインを表示部６へ出力する（ステップ５１０）。
【００５６】
偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていた場合、周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈを補正したとしても、その補正後の湿度計測値Ｈ’の信憑性は低い。この実施の形態１の第５例では、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていた場合、周期Ｔ２で計測される湿度計測値Ｈの補正は行われないので、信憑性が低い湿度計測値Ｈ’に基づいて制御や各種判断が行われることを避けることができる。また、この場合、湿度センサ１が劣化したと判定されるので、湿度センサ１の適切な交換時期を知ることができる。
【００５７】
〔実施の形態２〕
図１０は本発明の実施に用いる湿度計測装置の他の例（実施の形態２）を示すブロック構成図である。同図において、図１と同一符号は図１を参照して説明した構成要素と同一或いは同等構成要素を示し、その説明は省略する。この実施の形態２では、湿度センサ１に対して洗浄装置７を設け、湿度センサ１を洗浄することによって劣化の回復を図る。
【００５８】
マイクロコンピュータ５は、ＣＰＵ５−１やＲＯＭ５−２，ＲＡＭ５−３、不揮発性のメモリ５−４などを備えており、ＣＰＵ５−１はＲＡＭ５−３や不揮発性のメモリ５−４にアクセスしながら、ＲＯＭ５−２に格納されたプログラムに従って動作する。ＲＯＭ５−２には、本実施の形態特有のプログラムとして、湿度センサの劣化診断プログラムが格納されている。
【００５９】
〔実施の形態２の第１例〕
図１１にＣＰＵ５−１が実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第１例（実施の形態２の第１例）のフローチャートを示す。ＣＰＵ５−１は、ユーザからの劣化診断の開始の指示を受けて（ステップ６０１のＹＥＳ）、洗浄装置７へ洗浄クリーニング指令を送る（ステップ６０２）。これにより、湿度センサ１が洗浄装置７によって洗浄され、この洗浄によって湿度センサ１の劣化の回復（洗浄クリーニング）が図られる。
【００６０】
洗浄クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ１００％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値（相対湿度）が上昇する（図１２（ａ）に示すｔ１点）。ＣＰＵ５−１は、この洗浄クリーニング（最初の洗浄クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐを求め（ステップ６０３）、この求めた湿度計測値Ｐを初期値Ｐ０として不揮発性のメモリ５−４に格納する（ステップ６０４）。
【００６１】
そして、予め定められているクリーニング周期Ｔ１の経過を待って、すなわち前回の洗浄クリーニング指令から周期Ｔ１の経過を待って（ステップ６０５のＹＥＳ）、次の洗浄クリーニング指令を洗浄装置７へ送り（ステップ６０６）、湿度センサ１の洗浄クリーニングを行う。
【００６２】
洗浄クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ１００％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が上昇する（図１２（ａ）に示すｔ２点）。ＣＰＵ５−１は、この洗浄クリーニング（２回目の洗浄クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐ１を求める（ステップ６０７）。
【００６３】
そして、この求めた湿度計測値Ｐ１と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ１（ΔＰ１＝｜Ｐ１−Ｐ０｜）を求め（ステップ６０８）、この湿度計測値Ｐ１と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ１と予め定められている閾値ΔＰｔｈとを比較する（ステップ６０９）。ここで、ΔＰ１≦ΔＰｔｈであれば（ステップ６０９のＮＯ）、ステップ６０５へ戻り、ΔＰ１＞ΔＰｔｈであれば（ステップ６０９のＹＥＳ）、ステップ６１０へ進む。
【００６４】
ここでは、湿度センサ１に大きな劣化は生じておらず、ΔＰ１≦ΔＰｔｈであるとする。この場合、ＣＰＵ５−１は、ステップ６０９のＮＯに応じてステップ６０５へ戻り、クリーニング周期Ｔ１の経過を待って（ステップ６０５のＹＥＳ）、次の洗浄クリーニング指令を洗浄装置７へ送り（ステップ６０６）、湿度センサ１の洗浄クリーニングを行う。
【００６５】
洗浄クリーニングを行うと、湿度センサ１の周辺の相対湿度がほゞ１００％となり、湿度センサ１によって計測される湿度計測値が上昇する（図１２（ａ）に示すｔ３点）。ＣＰＵ５−１は、この洗浄クリーニング（３回目の洗浄クリーニング）の終了後のＣ−Ｖ変換回路３からの電圧信号を取り込み、この電圧信号から湿度計測値Ｐ２を求める（ステップ６０７）。
【００６６】
そして、この求めた湿度計測値Ｐ２と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ２（ΔＰ２＝｜Ｐ２−Ｐ０｜）を求め（ステップ６０８）、この湿度計測値Ｐ２と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ２と閾値ΔＰｔｈとを比較する（ステップ６０９）。以下同様にして、ステップ６０９において、ΔＰ＞ΔＰｔｈが確認されるまで、ステップ６０５〜６０９の処理動作を繰り返す。
【００６７】
ここで、例えば、７回目の洗浄クリーニングにおいて（図１２（ａ），（ｂ）に示すｔ７点）、その洗浄クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐ６と初期値Ｐ０との偏差ΔＰ６が閾値ΔＰｔｈよりも大きくなったとする。すると、ＣＰＵ５−１は、ΔＰ６＞ΔＰｔｈとなったことを確認して（ステップ６０９のＹＥＳ）、湿度センサ１に劣化が生じたことを示す劣化サインを表示部６へ出力する（ステップ６１０、図１２（ｃ）に示すｔ７点）。
【００６８】
このようにして、この実施の形態２の第１例では、最初の洗浄クリーニングの終了後の湿度計測値Ｐ０を基準として湿度センサ１の劣化が診断されるものとなり、湿度センサ１が設置されている環境に左右され難く、どのような計測環境に設置された湿度センサ１でもその劣化を診断することができるようになる。また、この診断結果から、湿度センサ１の適切な交換時期を知り、信頼性の高い湿度計測を継続することができるようになる。
【００６９】
〔実施の形態２の第２例〕
図１３にＣＰＵ５−１が実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第２例（実施の形態２の第２例）のフローチャートを示す。このフローチャートは、実施の形態１の第２例で示した図４のフローチャートに対応し、許容湿度範囲Ｗを定めて湿度センサ１の劣化を判定する。その処理動作は、基本的に図４のフローチャートの処理動作と同じであるので、図１４に図５に対応するタイムチャートを示し、その説明は省略する。
【００７０】
〔実施の形態２の第３例〕
図１３にＣＰＵ５−１が実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第３例（実施の形態２の第３例）のフローチャートを示す。このフローチャートは、実施の形態１の第３例で示した図６のフローチャートに対応し、今回の偏差ΔＰとＸ回前までの各偏差ΔＰとの合計の平均値ΔＰAVを算出し、この平均値ΔＰAVと閾値ΔＰｔｈとの比較によって湿度センサ１の劣化を判定する。その処理動作は、基本的に図６のフローチャートの処理動作と同じであるので、図１６に図７に対応するタイムチャートを示し、その説明は省略する。
【００７１】
〔実施の形態２の第４例〕
図１７にＣＰＵ５−１が実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第４例（実施の形態２の第４例）のフローチャートを示す。このフローチャートは、実施の形態１の第４例で示した図８のフローチャートに対応し、洗浄クリーニングを行う度に補正値βを求め、次の洗浄クリーニングを行う前までの間に計測される湿度計測値Ｈを補正する。その処理動作は、基本的に図８のフローチャートの処理動作と同じであるので、その説明は省略する。
【００７２】
〔実施の形態２の第５例〕
図１８にＣＰＵ５−１が実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第５例（実施の形態２の第５例）のフローチャートを示す。このフローチャートは、実施の形態１の第５例で示した図９のフローチャートに対応し、洗浄クリーニングを行う度に、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えているか否かを確認し、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていなければ、次の洗浄クリーニングを行う前までの間に計測される湿度計測値Ｈを補正し、偏差ΔＰが最大補正可能偏差ΔＨｍａｘを超えていれば、湿度計測値Ｈの補正を行わずに、劣化と判定する。その処理動作は、基本的に図９のフローチャートの処理動作と同じであるので、その説明は省略する。
【００７３】
上述した実施の形態１や２において、湿度センサ１が劣化したと判定するために用いる閾値ΔＰｔｈや許容湿度範囲Ｗは、製品に予め組み込んでおいてもよいし、ユーザが決められるようにしてもよい。
また、上述した実施の形態１や２において、マイクロコンピュータ５から出力された劣化サインは表示部６に送られ、表示部６において劣化が生じたことがユーザに知らされる。この場合、お知らせランプによって劣化が生じたことを知らせるようにしたり、ブザーによって劣化が生じたことを知らせるようにしてもよい。
また、空調システム等で上位システムがある場合は、上位に通信または電気信号で知らせ、管理者が把握できるようにしてもよい。
【００７４】
また、湿度センサ１が設置される計測環境は、薬品，溶剤，高湿等の環境だけではなく、通常の環境であってもよい。近年、半導体製品の需要の増加などにより、有機溶剤など薬品環境に湿度センサがさらされる機会が増加しており、その信頼性が歩留まりに関係するなど、湿度センサの信頼性の重要度が高くなっている。これらのニーズに適応するため、薬品環境でも長期にわたり使用できる湿度センサが必要とされているが、本願の実施の形態のように、さらに踏み込んで、湿度センサの劣化の有無をユーザに知らせることにより、より信頼性の高い湿度センサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施に用いる湿度計測装置の一例（実施の形態１）を示すブロック構成図である。
【図２】この湿度計測装置におけるマイクロコンピュータ内のＣＰＵが実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第１例（実施の形態１の第１例）のフローチャートである。
【図３】この実施の形態１の第１例の処理動作を説明するためのタイムチャートである。
【図４】湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第２例（実施の形態１の第２例）のフローチャートである。
【図５】この実施の形態１の第２例の処理動作を説明するためのタイムチャートである。
【図６】湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第３例（実施の形態１の第３例）のフローチャートである。
【図７】この実施の形態１の第３例の処理動作を説明するためのタイムチャートである。
【図８】湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第４例（実施の形態１の第４例）のフローチャートである。
【図９】湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第５例（実施の形態１の第５例）のフローチャートである。
【図１０】本発明の実施に用いる湿度計測装置の他の例（実施の形態２）を示すブロック構成図である。
【図１１】この湿度計測装置におけるマイクロコンピュータ内のＣＰＵが実行する湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第１例（実施の形態２の第１例）のフローチャートである。
【図１２】この実施の形態２の第１例の処理動作を説明するためのタイムチャートである。
【図１３】湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第２例（実施の形態２の第２例）のフローチャートである。
【図１４】この実施の形態２の第２例の処理動作を説明するためのタイムチャートである。
【図１５】湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第３例（実施の形態２の第３例）のフローチャートである。
【図１６】この実施の形態２の第３例の処理動作を説明するためのタイムチャートである。
【図１７】湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第４例（実施の形態２の第４例）のフローチャートである。
【図１８】湿度センサの劣化診断プログラムに従う処理動作の第５例（実施の形態２の第５例）のフローチャートである。
【符号の説明】
【００７６】
１…湿度センサ、２…ヒータ、３…Ｃ−Ｖ変換回路、４…ヒータ回路、５…マイクロコンピュータ、５−１…ＣＰＵ、５−２…ＲＯＭ、５−３…ＲＡＭ、５−４…不揮発性のメモリ、６…表示部、７…洗浄装置。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
計測環境雰囲気中に設置される湿度センサの劣化を診断する湿度センサの劣化診断方法において、
前記湿度センサの劣化の回復を図る回復処理を所定の周期で行うステップと、
最初の前記回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測される湿度計測値を初期値としてメモリに記憶するステップと、
前記回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測される湿度計測値と前記初期値とを比較し、その比較結果に基づいて前記湿度センサの劣化を診断するステップと
を備えることを特徴とする湿度センサの劣化診断方法。
【請求項２】
計測環境雰囲気中に設置される湿度センサの劣化を診断する湿度センサの劣化診断方法において、
前記湿度センサの劣化の回復を図る回復処理を所定の周期で行うステップと、
最初の前記回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測される湿度計測値を基準値とし、この基準値から所定の範囲を許容湿度範囲としてメモリに記憶するステップと、
前記回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測される湿度計測値が前記許容湿度範囲内にあるか否かを確認し、その確認結果に基づいて前記湿度センサの劣化を診断するステップと
を備えることを特徴とする湿度センサの劣化診断方法。
【請求項３】
計測環境雰囲気中に設置される湿度センサの劣化を診断する湿度センサの劣化診断方法において、
前記湿度センサの劣化の回復を図る回復処理を所定の周期で行うステップと、
最初の前記回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測される湿度計測値を初期値としてメモリに記憶するステップと、
前記回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測される湿度計測値および所定回数前までの各回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測された各湿度計測値と前記初期値とを比較し、それぞれの比較結果に基づいて前記湿度センサの劣化を診断するステップと
を備えることを特徴とする湿度センサの劣化診断方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載された湿度センサの劣化診断方法において、
前記回復処理の周期を第１の周期とし、この第１の周期よりも短い第２の周期で前記計測環境雰囲気中の湿度を前記湿度センサによって計測するステップと、
前記回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測される湿度計測値と前記初期値との偏差を求め、この求めた偏差に基づいて次回の前記回復処理を行う前までの間に前記第２の周期で計測される湿度計測値を補正するステップと
を備えることを特徴とする湿度センサの劣化診断方法。
【請求項５】
請求項１〜３の何れか１項に記載された湿度センサの劣化診断方法において、
前記回復処理の周期を第１の周期とし、この第１の周期よりも短い第２の周期で前記計測環境雰囲気中の湿度を前記湿度センサによって計測するステップと、
前記回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測される湿度計測値と前記初期値との偏差を求め、この求めた偏差と予め定められている最大補正可能偏差とを比較し、前記偏差が前記最大補正可能偏差を超えていなければ、前記偏差に基づいて次回の前記回復処理を行う前までの間に前記第２の周期で計測される湿度計測値を補正し、前記偏差が前記最大補正可能偏差を超えていれば、前記第２の周期で計測される湿度計測値の補正は行わず、前記湿度センサが劣化したと判定するステップと
を備えることを特徴とする湿度センサの劣化診断方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載された湿度センサの劣化診断方法において、
前記回復処理は、前記湿度センサを加熱することによって劣化の回復を図る加熱クリーニングである
ことを特徴とする湿度センサの劣化診断方法。
【請求項７】
請求項１〜５の何れか１項に記載された湿度センサの劣化診断方法において、
前記回復処理は、前記湿度センサを洗浄することによって劣化の回復を図る洗浄クリーニングである
ことを特徴とする湿度センサの劣化診断方法。
【請求項１】
計測環境雰囲気中に設置される湿度センサの劣化を診断する湿度センサの劣化診断方法において、
前記湿度センサの劣化の回復を図る回復処理を所定の周期で行うステップと、
最初の前記回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測される湿度計測値を初期値としてメモリに記憶するステップと、
前記回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測される湿度計測値と前記初期値とを比較し、その比較結果に基づいて前記湿度センサの劣化を診断するステップと
を備えることを特徴とする湿度センサの劣化診断方法。
【請求項２】
計測環境雰囲気中に設置される湿度センサの劣化を診断する湿度センサの劣化診断方法において、
前記湿度センサの劣化の回復を図る回復処理を所定の周期で行うステップと、
最初の前記回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測される湿度計測値を基準値とし、この基準値から所定の範囲を許容湿度範囲としてメモリに記憶するステップと、
前記回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測される湿度計測値が前記許容湿度範囲内にあるか否かを確認し、その確認結果に基づいて前記湿度センサの劣化を診断するステップと
を備えることを特徴とする湿度センサの劣化診断方法。
【請求項３】
計測環境雰囲気中に設置される湿度センサの劣化を診断する湿度センサの劣化診断方法において、
前記湿度センサの劣化の回復を図る回復処理を所定の周期で行うステップと、
最初の前記回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測される湿度計測値を初期値としてメモリに記憶するステップと、
前記回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測される湿度計測値および所定回数前までの各回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測された各湿度計測値と前記初期値とを比較し、それぞれの比較結果に基づいて前記湿度センサの劣化を診断するステップと
を備えることを特徴とする湿度センサの劣化診断方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載された湿度センサの劣化診断方法において、
前記回復処理の周期を第１の周期とし、この第１の周期よりも短い第２の周期で前記計測環境雰囲気中の湿度を前記湿度センサによって計測するステップと、
前記回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測される湿度計測値と前記初期値との偏差を求め、この求めた偏差に基づいて次回の前記回復処理を行う前までの間に前記第２の周期で計測される湿度計測値を補正するステップと
を備えることを特徴とする湿度センサの劣化診断方法。
【請求項５】
請求項１〜３の何れか１項に記載された湿度センサの劣化診断方法において、
前記回復処理の周期を第１の周期とし、この第１の周期よりも短い第２の周期で前記計測環境雰囲気中の湿度を前記湿度センサによって計測するステップと、
前記回復処理を行う毎に、その回復処理の終了後の前記湿度センサによって計測される湿度計測値と前記初期値との偏差を求め、この求めた偏差と予め定められている最大補正可能偏差とを比較し、前記偏差が前記最大補正可能偏差を超えていなければ、前記偏差に基づいて次回の前記回復処理を行う前までの間に前記第２の周期で計測される湿度計測値を補正し、前記偏差が前記最大補正可能偏差を超えていれば、前記第２の周期で計測される湿度計測値の補正は行わず、前記湿度センサが劣化したと判定するステップと
を備えることを特徴とする湿度センサの劣化診断方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載された湿度センサの劣化診断方法において、
前記回復処理は、前記湿度センサを加熱することによって劣化の回復を図る加熱クリーニングである
ことを特徴とする湿度センサの劣化診断方法。
【請求項７】
請求項１〜５の何れか１項に記載された湿度センサの劣化診断方法において、
前記回復処理は、前記湿度センサを洗浄することによって劣化の回復を図る洗浄クリーニングである
ことを特徴とする湿度センサの劣化診断方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１０−８３１８（Ｐ２０１０−８３１８Ａ）
【公開日】平成２２年１月１４日（２０１０．１．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１７０２９６（Ｐ２００８−１７０２９６）
【出願日】平成２０年６月３０日（２００８．６．３０）
【出願人】（０００００６６６６）株式会社山武 (1,808)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１月１４日（２０１０．１．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年６月３０日（２００８．６．３０）
【出願人】（０００００６６６６）株式会社山武 (1,808)
【Ｆターム（参考）】
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