説明

照明装置

【課題】オンデューティが制限されず、エネルギ損失の少ない降圧動作を実現するLED照明装置が提供する。
【解決手段】一実施形態に係る照明装置は、降圧チョッパ方式の回路を用いてLEDを点灯する照明装置であって、交流電圧を変換して得られる直流電源に接続される第1スイッチ素子と;カソードが前記直流電源のグランドに接続されるLEDのアノードと前記第1スイッチ素子の間に接続される降圧用コイルと;前記第1スイッチ素子のオン/オフを制御するドライバICとを具備する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は降圧チョッパ方式の回路を用いてLEDを点灯する照明装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年になって、従来の白熱電球及び蛍光灯に代わり、発光ダイオード(LED:Light-Emitting Diode)が普及し始めている。LEDは低消費電力及び長寿命という特性を有し、LEDを点灯するためのLED点灯装置の研究開発が各社で行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2006−196697号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
従来の技術では、チョッパ方式の回路を用いてLEDを点灯する場合、直流電流をチョッパーするスイッチ素子のオン/オフを制御するために、ドライバICを使用することがある。ドライバICを使用する場合は一般に、電源のグランド側にスイッチ素子を配置するか、昇圧巻線等を使用して電源の高圧側にスイッチ素子を配置するかどちらかの構成が適用された。
【0005】
病院あるいは駅等の施設での用途で、交流入力電源電圧が例えば220Vを超える場合、負荷(LED)が電源の高圧側(以下電源側という)に配置されていると、負荷側の対地直流電圧が300Vrmsを超える電圧となるため、例えば感電をした場合の危険性が高くなる。また、300Vrmsを超える直流電圧が負荷側に発生する装置では、安全基準を満たすために様々な対策を施す必要が生じる。
【0006】
従って、電源グランド側に負荷を配置することが望ましい。この場合、スイッチ素子は電源側に配置することになるが、これまでの技術では、昇圧トランス等を用いた方式であったため、スイッチ素子のオンディユーティ(on duty)幅を大きく設定すると、スイッチ素子のゲート駆動パルスが理想的な波形とはならない。そのため、オンディユーティ幅を制限しなければならず、また昇圧トランス等、部品の大型化が避けられない。さらに、H.B(half bridge)用の汎用のドライバICを使用する場合は、電源グランド側にダイオードと並列に抵抗を接続して使用する必要があるが、抵抗により数Wのロスを発生させるため実現性が薄かった。
【0007】
本発明の実施形態は、オンデューティが制限されず、エネルギ損失の少ない降圧動作を実現するLED照明装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記の課題を解決するために、実施形態に係る照明装置は、降圧チョッパ方式の回路を用いてLEDを点灯する照明装置であって、交流電圧を変換して得られる直流電源に接続される第1スイッチ素子と;カソードが前記直流電源のグランドに接続されるLEDのアノードと前記第1スイッチ素子の間に接続される降圧用コイルと;第1スイッチ素子がオフしている期間中にオンオフする第2スイッチ素子と、この第2スイッチのオン期間中に第1スイッチをオンするための電力を充電する充電部と、充電部の電力によって第1スイッチをオンする信号を出力する信号出力部とを有し、第1スイッチ素子のオン/オフを制御するドライバICとを具備する。
【発明の効果】
【0009】
オンデューティが制限されず、エネルギ損失の少ない降圧動作を実現するLED照明装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】第1実施形態に係る照明装置10の構成を示すブロック図である。
【図2】ドライバIC14の回路構成を示すブロック図である。
【図3】第1実施形態の作用を説明するタイムチャートである。
【図4】第2実施形態に係る照明装置10の構成を示すブロック図である。
【図5】第2実施形態の作用を説明するタイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0011】
第1の実施例に記載の照明装置は、降圧チョッパ方式の回路を用いてLEDを点灯する照明装置であって、交流電圧を変換して得られる直流電源に接続される第1スイッチ素子と;カソードが前記直流電源のグランドに接続されるLEDのアノードと前記第1スイッチ素子の間に接続される降圧用コイルと;第1スイッチ素子がオフしている期間中にオンオフする第2スイッチ素子と、この第2スイッチのオン期間中に第1スイッチをオンするための電力を充電する充電部と、充電部の電力によって第1スイッチをオンする信号を出力する信号出力部とを有し、第1スイッチ素子のオン/オフを制御するドライバICと;を具備する。
【0012】
第2の実施例に記載の照明装置は、第1の実施例に記載の照明装置において、前記第2スイッチ素子は、前記第1スイッチ素子のオン期間の次に設定されたデッドタイムの後に前記所定時間オンすることを特徴とする。
【0013】
第3の実施例に記載の照明装置は、第1の実施例に記載の照明装置において、前記コイルは2次巻線を有し、前記2次巻線は前記コイルに流れる電流が0となったことを検出し、この検出に基づいて前記第2スイッチ素子は、前記所定時間オンすることを特徴とする。
【0014】
第4の実施例に記載の照明装置は、第1乃至3のいずれか1記載の実施例において、前記ドライバICは、第3スイッチ素子と第4スイッチ素子を接続して構成され、前記第3スイッチ素子の高電位側電流端子は前記ドライバICの電源に接続され、前記第1スイッチ素子に対するゲート信号を出力するゲート駆動回路と;前記第4スイッチ素子と前記ドライバICのグランドの間に接続される第2スイッチ素子と;前記第4スイッチ素子と前記第2スイッチ素子との接続点と前記ドライバICの電源の間に接続されたレベルシフト回路(充電部)とを具備し、前記第2スイッチ素子は、前記第1スイッチ素子がオフのとき、所定時間オンすることを特徴とする。
【0015】
第5の実施例に記載のドライバICは、第1スイッチ素子とコイルの直列回路を含む降圧チヨツパ方式の回路を用いてLEDを点灯する照明装置に適用されるドライバICであって、第3スイッチ素子と第4スイッチ素子を接続して構成され、前記第3スイッチ素子の高電位側電流端子は前記ドライバICの電源に接続され、前記第1スイッチ素子に対するゲート信号を出力するゲート駆動回路と;前記第4スイッチ素子と前記ドライバICのクランドの間に接続される第2スイッチ素子と;前記第4スイッチ素子と前記第2スイッチ素子との接続点と前記ドライバICの電源の間に接続されたレベルシフト回路(充電部)とを具備し、前記第2スイッチ素子は、前記第1スイッチ素子がオフのとき、所定時間オンすることを特徴とする。
【0016】
以下、本発明に係る照明装置の実施形態について、図面を参照して説明する。
【0017】
図1は第1実施形態に係る照明装置10の構成を示すブロック図である。
【0018】
直流電源電圧Vinは、商用交流電源11から全波整流回路12及びフィルタコンデンサ13を用いて生成される。本装置は交流電源11として、例えば100V〜242Vの入力電圧範囲を許容するものとする。全波整流回路12から供給される電流は、スイッチ素子Q1(NchFETトランジスタ)、コイル17を介して平滑コンデンサ18及びLED19に供給される。LED19はアノードがコイル17に接続され、カソードがグランドに接続されている。尚、図中LEDは1つ示されているが、実際には複数のLEDが直列あるいは並列に接続されている。
【0019】
ドライバIC14は、スイッチ素子Q1をオン/オフ制御するためのゲート信号をスイッチ素子Q1のゲートに供給する。またドライバIC14は、例えば内部回路が1チップ上に形成されたIC(integrated circuit)である。オン/オフ制御された電流はコイル17のインダクタンスにより降圧し、コンデンサ18により平滑化されると共にLED19を流れ、LED19を発光させる。ダイオード16は、スイッチ素子Q1がオフしたときコイル17に対する電流経路を提供するフライホイールダイオードである。
【0020】
図2はドライバIC14の回路構成を示すブロック図である。図1と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、詳細な説明を割愛する。
【0021】
レギュレータ22は、ドライバIC14の電源VccからドライバIC内部の基準電圧を発生し各部に供給する基準電圧発生器である。電源Vccから供給される電圧はまた、逆流防止ダイオード15を介してスイッチ素子Q2(PchFET)のソース(高電位側電流端子)及びレベルシフト回路(充電部)23に電圧VBとして供給される。以下、各端子に発生する電圧の信号名と、端子名を同一の参照符号を用いて説明する。
【0022】
ドライバ24は、本照明装置の制御部(図示されず)から入力される信号V1に応答して、スイッチ素子Q2及びQ3をオン/オフ制御するためのゲート信号を発生する。この信号V1は所望のデューティー比を有するスイッチング波形(矩形波)である。LED19は、このデューティー比に応じて明るさが可変される。例えば、スイッチ素子Q1をオンデューティ(on duty)30%で動作させたい場合、信号V1は30%:high/70%:Lowに設定された信号となる。レベルシフト回路23は、スイッチ素子Q2を介して、スイッチ素子Q1のゲートにオン電圧を供給する。
【0023】
スイッチ素子Q2のドレイン(低電位側電流端子)は、スイッチ素子Q3(NchFET)のドレイン(高電位側電流端子)に接続される。スイッチ素子Q3のソース(低電位側電流端子)は、スイッチ素子Q4(NchFET)のドレイン(高電位側電流端子)に接続される。スイッチ素子Q2、Q3はコンプリメンタリ接続され、それらの出力端H0はスイッチ素子Q1のゲートに接続される。
【0024】
ドライバ25は、入力信号V1に基づいて、スイッチ素子Q1がオフ期間中に、所定幅のパルスをスイッチ素子Q4に対するゲート信号として供給する。スイッチ素子Q4がオン期間中、電源Vccから電流がダイオード15、レベルシフト回路23を介してスイッチ素子Q4を流れる。このときレベルシフト回路23には、スイッチ素子Q1のゲートにハイレベルゲート信号を供給するための電荷が蓄積される。
【0025】
次に第1実施形態に係る照明装置の作用を詳細に説明する。
【0026】
図3は第1実施形態の作用を説明するタイムチャートである。(a)はスイッチ素子Q1のオン/オフ波形、(b)はスイッチ素子Q4のオン/オフ波形、(c)は電圧VSの波形、(d)は電圧VBの波形である。
【0027】
ドライバ24は、所定周期のスイッチング信号V1に基づいてスイッチ素子Q2、Q3により構成されるコンプリメンタリ回路に対するゲート信号を発生する。このときドライバ24は、後述のデッドタイムTd中を除き、Q3及びQ3に対して互いに逆の論理信号を出力する。このコンプリメンタリ回路の出力は端子HOを介してスイッチ素子Q1のゲートに供給される。この結果、スイッチ素子Q1は図3(a)に示すようにオン/オフする。
【0028】
ドライバ25は、入力信号V1に基づいて、スイッチ素子Q4に対するゲート信号を発生する。この結果、Q4は図3(b)に示すようにオン/オフする。このとき、Q1の立下りからQ4の立ち上がりまでの期間はデッドタイムTdが設定されている。このデッドタイムTdは、スイッチ素子Q1、Q4が共にオンして、電源が短絡することを防ぐために設けられる期間であって、この期間中、スイッチ素子Q1、Q4は共にオフする。このデッドタイムTdは制御部からのスイッチング信号V1に設定されていても良い。デッドタイムTdの後、ドライバ25はQ4を例えば最大で5μsecの間オンさせる論理1の信号をQ4のゲートに出力する。スイッチ素子Q4がオンするタイミングは、制御部からタイミング信号を端子V2を介してドライバ25に入力し、このタイミング信号に基づいてドライバ25が論理1の信号をQ4のゲートに出力してもよい。
【0029】
スイッチ素子Q4がオンすると、電源Vccからダイオード15、端子VB、レベルシフト回路23を介してスイッチ素子Q4に電流が流れる。このとき、レベルシフト回路23はコンデンサのように作用し、電荷がレベルシフト回路23にチャージされる。その後、スイッチ素子Q2がオン(スイッチ素子Q3がオフ)すると、レベルシフト回路23にチャージされた電荷は、スイッチ素子Q1のゲートにオン信号として供給される。この結果、スイッチ素子Q1は図3(a)のようにオンする。以上の動作が繰り返される。
【0030】
電圧VSは、ダイオード16の順方向電圧を無視すると、図3(c)のように0〜Vinの振幅で変化する。電圧VBは図3(d)のように、ダイオード15の順方向電圧を無視すると、レベルシフト回路23の作用により、電圧VSよりVccだけ上方にシフトした波形となる。
【0031】
図3(c)の電圧VSは、コイル17及びコンデンサ18により降圧及び平滑化されLED19に供給される。
【0032】
[効果]
以上説明したように本実施形態によれば、チョッパーを行うスイッチ素子Q1のオフ期間中、スイッチ素子Q4を短時間オンすることで、レベルシフト回路23にスイッチ素子Q1のゲートを高レベルに駆動する十分なエネルギ(電荷)が効率よく確保され、エネルギ損失の少ない降圧動作を実現できる。
【0033】
次に、第2実施形態に係る照明装置について、図面を参照して説明する。図4は第2実施形態に係る照明装置10の構成を示すブロック図である。
【0034】
第2実施形態では、2次巻線20がコイル17に対して設けられる。2次巻線20の一端はドライバICのグランドに接続され、多端は端子V2を介してドライバ25に接続される。他の構成は図2の第1実施形態と同様である。
【0035】
次に第2実施形態の作用を説明する。
【0036】
図5は第2実施形態の作用を説明するタイムチャートである。(a)はスイッチ素子Q1のオン/オフ波形、(b)はコイル17を流れる電流I、(c)はコイル(1次巻線)17の端子電圧波形VLP、(d)は2次巻線20の端子電圧波形VLS、(e)はスイッチ素子Q4のオン/オフ波形である。
図5(a)、(b)のように、Q1がオン状態の時、電流Iは増加し、Q1がオフ状態の時、電流Iは減少する。電流Iが0になるとき、すなわちコイル17の磁気エネルギが0となるとき、コイル17には今までとは逆方向の電流ΔIが僅かに流れる。これはインダクタの特性である。図5(c)、(d)のように、この電流ΔIを2次巻線20で検出し、検出信号がドライバ25にトリガ信号として入力される。
【0037】
ドライバ25は、このトリガー信号に基づいて、図5(e)のようにスイッチ素子Q4に対してオン信号を、例えば最大で5μsecの幅で発生する。この結果、レベルシフト回路23に電荷がチャージされ、この電荷によりスイッチング信号V1の次の論理1信号のタイミングでQ1がオンする。以上の動作が繰り返される。
【0038】
[効果]
本発明の第2実施形態によれば、前述した第1実施形態の効果の他に、レベルシフト回路23に電荷をチャージするためのスイッチ素子Q4のオンタイミングを、コイル17の2次巻線20を用いて得ているので、第1実施形態に比べ、ドライバ25あるいは制御部のQ4オンタイミング信号を生成するための処理が軽減される。
【0039】
以上の説明はこの発明の実施の形態であって、この発明の装置及び方法を限定するものではなく、様々な変形例を容易に実施することができるものである。例えば、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を構成できる。
【符号の説明】
【0040】
11…商用交流電源、12…全波整流回路、14…ドライバIC、17…コイル、
19…LED、20…2次巻線、22…レギュレータ、23…レベルシフト回路、
24、25…ドライバ回路、Q1、Q3、Q4…NchFET、Q2…PchFET。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
降圧チョッパ方式の回路を用いてLEDを点灯する照明装置であって、
交流電圧を変換して得られる直流電源に接続される第1スイッチ素子と;
カソードが前記直流電源のグランドに接続されるLEDのアノードと前記第1スイッチ素子の間に接続される降圧用コイルと;
第1スイッチ素子がオフしている期間中にオンオフする第2スイッチ素子と、この第2スイッチのオン期間中に第1スイッチをオンするための電力を充電する充電部と、充電部の電力によって第1スイッチをオンする信号を出力する信号出力部とを有し、第1スイッチ素子のオン/オフを制御するドライバICと;
を具備する照明装置。
【請求項2】
前記第2スイッチ素子は、前記第1スイッチ素子のオン期間の次に設定されたデッドタイムの後に前記所定時間オンすることを特徴とする請求項1記載の照明装置。
【請求項3】
前記コイルは2次巻線を有し、前記2次巻線は前記コイルに流れる電流が0となったことを検出し、この検出に基づいて前記第2スイッチ素子は、前記所定時間オンすることを特徴とする請求項1記載の照明装置。
【請求項4】
前記ドライバICは、
第3スイッチ素子と第4スイッチ素子を接続して構成され、前記第3スイッチ素子の高電位側電流端子は前記ドライバICの電源に接続され、前記第1スイッチ素子に対するゲート信号を出力するゲート駆動回路と;
前記第4スイッチ素子と前記ドライバICのグランドの間に接続される第2スイッチ素子と;
前記第4スイッチ素子と前記第2スイッチ素子との接続点と前記ドライバICの電源の間に接続された充電部とを具備し、前記第2スイッチ素子は、前記第1スイッチ素子がオフのとき、所定時間オンすることを特徴とする請求項1乃至3いずれか1記載の照明装置。
【請求項5】
第1スイッチ素子とコイルの直列回路を含む降圧チヨツパ方式の回路を用いてLEDを点灯する照明装置に適用されるドライバICであって、
第3スイッチ素子と第4スイッチ素子を接続して構成され、前記第3スイッチ素子の高電位側電流端子は前記ドライバICの電源に接続され、前記第1スイッチ素子に対するゲート信号を出力するゲート駆動回路と;
前記第4スイッチ素子と前記ドライバICのクランドの間に接続される第2スイッチ素子と;
前記第4スイッチ素子と前記第2スイッチ素子との接続点と前記ドライバICの電源の間に接続された充電部とを具備し、前記第2スイッチ素子は、前記第1スイッチ素子がオフのとき、所定時間オンすることを特徴とするドライバIC。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【公開番号】特開2012−204316(P2012−204316A)
【公開日】平成24年10月22日(2012.10.22)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−70861(P2011−70861)
【出願日】平成23年3月28日(2011.3.28)
【出願人】(000003757)東芝ライテック株式会社 (2,710)
【Fターム(参考)】