発光装置およびその製造方法
【課題】基材として金属基板を用いた場合でも、製造コストを著しく増大させることなく、金属基板上に発光特性や信頼性に優れた有機ＥＬ素子を形成することのできる発光装置、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】発光装置１の基材は金属基板１１であり、その表面に無電解めっきにより形成されたニッケルめっき層１２の表面に、少なくとも有機発光層を含む機能層１３、および陰極層１４が順に積層されて有機ＥＬ素子１０が形成されている。金属基板１１は、放熱性に優れており、かつ、取り扱いが容易である。また、金属基板１１は、塑性変形可能であるため、様々な形状に変形させて用いることができる。さらに、ニッケルめっき層１２は、金属基板１１と違って表面が平滑であるため、研磨やＳＯＧ技術により平滑化する必要がなく、ＩＴＯと同様、仕事関数が高い。
【解決手段】発光装置１の基材は金属基板１１であり、その表面に無電解めっきにより形成されたニッケルめっき層１２の表面に、少なくとも有機発光層を含む機能層１３、および陰極層１４が順に積層されて有機ＥＬ素子１０が形成されている。金属基板１１は、放熱性に優れており、かつ、取り扱いが容易である。また、金属基板１１は、塑性変形可能であるため、様々な形状に変形させて用いることができる。さらに、ニッケルめっき層１２は、金属基板１１と違って表面が平滑であるため、研磨やＳＯＧ技術により平滑化する必要がなく、ＩＴＯと同様、仕事関数が高い。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材上に有機エレクトロルミネッセンス（以下「エレクトロルミネッセンス」を「ＥＬ」と略す）素子を備えた発光装置、およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基材上に有機ＥＬ素子を備えた発光装置は、表示装置や照明装置などとして用いられており、かかる発光装置は、概ね、基材としてのガラス基板上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる透明な陽極層、有機発光層を含む機能層、および陰極層が順に積層された構造を備えている。また、陰極層の側にはガラス製あるいは金属製の封止部材が被せられている。かかる発光装置については、ガラス基板を使用しているため、高価であるとともに、フレキシブルに曲がる表示装置や照明装置を製造することができないという問題点がある。
【０００３】
そこで、薄い金属基板（ステンレス箔）を基材として用いることが提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
【非特許文献１】SID ’06 DIGESTp.1354-1357、「A 2.2 inch Top-Emission AMOLED on Flexible Metal Foil with SOG Planarization」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、金属基板の表面粗さは平均粗さで０．５〜０．１μｍ程度あるのに対して、有機ＥＬ素子の膜厚が０．０５〜０．２０μｍ程度であることから、発光特性や信頼性に優れた有機ＥＬ素子を製造するには、金属箔板の表面粗さを改善する事が必要である。従って、従来は、金属基板を使用する場合、平均粗さを０．０５μｍ以下にまで鏡面研磨するか、非特許文献１のように、ＳＯＧ（Spin On Glass）技術を用いて平滑化して使用していた。
【０００５】
しかしながら、大面積の金属基板の表面を研磨やＳＯＧ技術で平滑化するのは極めて困難であり、たとえ可能であっても、多大な手間と相当の熟練を要する。それ故、金属基板を使用した場合、大量生産に向かず、高価になるために、商品開発できないという問題点を有している。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基材として金属基板を用いた場合でも、製造コストを著しく増大させることなく、金属基板上に発光特性や信頼性に優れた有機ＥＬ素子を形成することのできる発光装置、およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、基材上に、陽極層、少なくとも有機発光層を含む機能層、および陰極層が順に積層された有機ＥＬ素子を備えた発光装置において、前記基材は金属基板であり、前記陽極層は、当該金属基板に形成されたニッケルめっき層であることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明では、基材上に、陽極層、少なくとも有機発光層を含む機能層、および陰極層が順に積層された有機ＥＬ素子を備えた発光装置の製造方法において、前記基材として金属基板を用いるとともに、当該金属基板上にニッケルめっき層を形成するめっき工程と、前記ニッケルめっき層上に前記機能層を形成する機能層形成工程と、を行なうことを特徴とする。
【０００９】
本発明における「基板」とは、「比較的厚い板状部材」の意味を含む他、シート状あるいはフィルム状といった「薄い箔状部材」を含む意味である。
【００１０】
本発明では、有機ＥＬ素子が形成される基材として金属基板を用いたため、基材としてガラスを用いた場合と比較して放熱性に優れており、有機ＥＬ素子の信頼性を向上することができる。また、金属基板であれば、ガラスと違って、割れないので、取り扱いが容易である。また、金属基板は、塑性変形可能であるため、様々な形状に変形させて用いることができる。また、本発明では、金属基板上にニッケルめっき層を形成し、ニッケルめっき層の上で有機ＥＬ素子を形成している。ここで、ニッケルめっき層は、金属基板と違って表面が平滑であるため、研磨やＳＯＧ技術により平滑化する必要がない。それ故、製造コストを著しく増大させることなく、平滑面上に有機ＥＬ素子を形成することができるので、発光特性や信頼性に優れた有機ＥＬ素子を形成することができる。さらに、ニッケルめっき層は、ＩＴＯと同様、仕事関数が高いので、そのまま陽極層として用いることができる。
【００１１】
本発明において、前記ニッケルめっき層は、前記金属基板上に直接、形成されている構成を採用することができる。この場合、前記めっき工程では、前記金属基板にめっき処理を行って前記ニッケルめっき層を形成すればよい。
【００１２】
本発明において、前記金属基板は可撓性を有していることが好ましい。
【００１３】
本発明において、前記めっき工程では、無電解めっきにより前記ニッケルめっき層を形成することが好ましい。このように構成すると、表面がより平滑なニッケルめっき層を形成することができる。
【００１４】
本発明において、前記めっき工程では、界面活性剤を含むめっき液を用いることが好ましい。このように構成すると、表面がより平滑なニッケルめっき層を形成することができる。
【００１５】
本発明において、前記機能層形成工程の後、所定形状の成形面を備えた型部材を前記金属基板の一方面側に配置した状態で、当該一方面を前記成形面に押付ける流体圧を前記金属基板に作用させて前記金属基板を変形させる成形工程を行なうことが好ましい。
【００１６】
かかる成形工程では、例えば、前記機能層に対する不活性雰囲気中で、不活性ガスによって前記金属基板の他方側を加圧して前記金属基板の前記一方面側を前記成形面に押付けることが好ましい。また、前記成形工程では、前記機能層に対する不活性雰囲気中で、前記金属基板の前記一方面側を減圧して前記金属基板の前記一方面側を前記成形面に押付けてもよい。このように構成すると、成形加工を行なう際、機能層が空気中の水分や酸素で劣化することを防止することができる。
【００１７】
いずれの場合も、前記機能層は、前記金属基板の他方面側に形成されていることが好ましく、このように構成すると、機能層が形成されている側が前記成形面に触れて損傷することを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明に用いる各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１９】
［発光装置の全体構成］
図１は、本発明を適用した発光装置（有機ＥＬ装置）の要部構成を模式的に示す断面図である。
【００２０】
図１に示す発光装置１は、基材として金属基板１１が用いられており、この金属基板１１の表面側に有機ＥＬ素子１０が形成されている。また、金属基板１１において、有機ＥＬ素子１０が形成されている側には、封止用ガラス基板２０がシール材２１（封止用接着剤）により貼られており、その内側には脱酸素材（図示せず）が配置されることもある。
【００２１】
本形態では、金属基板１１として、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、ステンレス鋼、軟鋼などが用いられており、その厚さは数十μｍ〜数ｍｍと薄い。それ故、金属基板１１は可撓性を備えている。
【００２２】
このように構成した発光装置１において、本形態では、金属基板１１の表面および裏面は、膜厚が１〜５μｍ、好ましくは２〜３μｍのニッケルめっき層１２で覆われており、ニッケルめっき層１２の仕事関数は、５．２２ｅＶであり、ＩＴＯの仕事関数（４．９ｅＶ）と同等以上である。
【００２３】
そこで、本形態では、ニッケルめっき層１２のうち、金属基板１１の表面に形成された部分が有機ＥＬ素子１０の陽極層として用いられている。すなわち、金属基板１１の表面側において、ニッケルめっき層１２の上層には、その中央領域を囲むようにポジ型の感光性レジストやシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１５が形成されており、ニッケルめっき層１２の上層のうち、層間絶縁膜１５で囲まれた領域内には、少なくとも有機発光層を含む機能層１３が積層され、この機能層１３の上層には、陰極層１４が積層されている。また、層間絶縁膜１５上には、陰極層１４と電気的接続する状態で陰極層配線１６が形成され、その端部によって陰極層端子１６０が構成されている。
【００２４】
本形態において、ニッケルめっき層１２は、金属基板１１に対して直接、電解めっきあるいは無電解めっきを行なうことにより形成された層である。但し、電解めっきでは、結晶粒界が大きくなり、無電解めっきに比して、表面粗さが粗くなる傾向にある。従って、本形態では、無電解めっきにより、ニッケルめっき層１２が形成され、かかるニッケルめっき層１２の平均粗さは、０．０５μｍ以下の平滑面になっている。なお、ニッケルめっき層１２には、めっきの際に用いた還元剤由来のＰ（リン）あるいはＢ（ホウ素）などが含まれている。
【００２５】
有機ＥＬ素子１０において、機能層１３は、少なくとも有機発光層を含んでおり、例えば、以下の
正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層
層構造が採用される。ここで、正孔輸送層および電子輸送層は省略された構成や、正孔注入輸送層や電子注入輸送層として、正孔注入層や電子注入層と一体化される場合がある。
【００２６】
正孔注入輸送層としては、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）などや、Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−［１、１−ビフェニル］−４、４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ、Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−（１、１’−ビフェニル）−４、４’−ジアミン（ＮＰＢ）などにより形成されている。電子注入輸送層は、Ａｌｑ3などによって形成されている。有機発光層は、芳香族ジメチリデン化合物、オキサジアゾール化合物、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料、アゾメチン亜鉛錯体、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体等の蛍光性有機金属化合物等が用いられる。また、ホスト材料に蛍光色素をドーピングしたものが用いられることがあり、このようなホスト材料とドーパント材料の組み合わせとしては、例えば、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとクマリン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とスチリルアミン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とナフタセン誘導体との組み合わせ、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとジシアノピラン誘導体との組み合わせ、ナフタセン誘導体とジインデノペリレンとの組み合わせなどがある。
【００２７】
このように構成した発光装置１は、陰極層１４の側から光を出射するトップエミッション型である。すなわち、ニッケルめっき層１２の一部を陽極端子１２０とし、この陽極端子１２０と陰極層端子１６０との間に電源により電圧を印加すると、陽極側（ニッケルめっき層１２）の側から注入された正孔と、陰極層１４から注入された電子とが、機能層１３の有機発光層で再結合することにより発光し、陰極層１４の側から出射される。このため、陰極層１４としては、例えば、厚さが１０ｎｍと薄い金属膜（例えば、９０重量％Ｍｇ（マグネシウム）と１０重量％Ａｇ（銀）との合金）が用いられており、かかる陰極層１４によれば、光を透過可能である。なお、有機発光層から金属基板１１に向けて出射された光も、ニッケルめっき層１２や金属基板１１で反射した後、陰極層１４の側から出射される。
【００２８】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の発光装置１では、有機ＥＬ素子１０が形成される基材として金属基板１１を用いたため、基材としてガラスを用いた場合と比較して放熱性に優れており、有機ＥＬ素子１０の信頼性を向上することができる。また、金属基板１１であれば、ガラスと違って、割れないので、取り扱いが容易である。また、金属基板１１は、塑性変形可能であるため、様々な形状に変形させて用いることができる。
【００２９】
また、本形態では、金属基板１１上にニッケルめっき層１２を形成し、ニッケルめっき層１２を陽極層として用いて有機ＥＬ素子１０を構成している。ここで、ニッケルめっき層１２は、金属基板１１と違って表面が平滑であるため、研磨やＳＯＧ技術により平滑化する必要がない。それ故、製造コストを著しく増大させることなく、平滑面上に有機ＥＬ素子１０を形成することができるので、発光特性や信頼性に優れた有機ＥＬ素子１０を形成することができる。
【００３０】
さらに、ニッケルめっき層１２は、ＩＴＯと同様、仕事関数が高いので、そのまま陽極層として用いることができる。
【００３１】
（発光装置１の製造方法）
図２（ａ）〜（ｆ）は、本形態の発光装置１の製造方法を示す工程断面図である。まず、本形態では、アルミニウム、銅、ステンレス鋼、軟鋼などからなる金属基板１１を準備した後、洗浄する。
【００３２】
次に、図２（ａ）に示すめっき工程において、金属基板１１にめっきを施し、金属基板１１の表面および裏面にニッケルめっき層１２を形成する。より具体的には、以下に示す組成
硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4） １００mol/m3
ｄｌ−リンゴ酸（Ｃ4Ｈ6Ｏ5） １５０mol/m3
コハク酸ナトリウム（Ｎａ2Ｃ4Ｈ4Ｏ4） １５０mol/m3
次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ2ＰＯ2） ３００mol/m3
サッカリンナトリウム（Ｃ7Ｈ4ＮＮａＯ3Ｓ） ３ｇ／Ｌ
水酸化ナトリウムによりｐＨ＝４．８に調整
のニッケル−リンめっき浴を用い、温度が８０℃の条件で金属基板１１に無電解めっきを行なう。ここで、サッカリンナトリウムはニッケルめっき層１２表面の平滑性を高める効果を備えている。
【００３３】
次に、図２（ｂ）に示すように、金属基板１１の表面側において、ニッケルめっき層１２の上層のうち、有機ＥＬ素子１０を形成すべき中央領域の周りに、ポジ型の感光性レジストやシリコン酸化膜により、層間絶縁膜１５を形成する。例えば、金属基板１１の表面側にスピンコート法により、ポジ型の感光性樹脂を塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いて所定の領域のみに感光性樹脂を層間絶縁膜１５として残す。その際、ニッケルめっき層１２の一部を陽極端子１２０として露出させる。
【００３４】
次に、図２（ｃ）に示すように、マスク蒸着などの方法を用いて、金属基板１１の表面側にアルミニウムなどからなる陰極層配線１６を形成する。なお、金属基板１１の表面全体にアルミニウム膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてアルミニウム膜をパターニングして陰極層配線１６を形成してもよい。この場合に用いるエッチング液としては、ニッケルめっき層１２の溶解を避けるために、例えば、５％水酸化カリウム水溶液などを用いる。
【００３５】
次に、図２（ｄ）に示す機能層形成工程において、マスク蒸着などの方法を用いて、層間絶縁膜１５で囲まれた領域内に有機発光層を含む機能膜を形成する。その際に用いるマスクとしては、金属製、ガラス製、あるいはプラスチック製のものを用いることができる。本形態では、正孔注入層となる銅フタロシアニンを３ｎｍの厚さに形成した後、その上に正孔輸送層となるべきα−ＮＰＤを５０ｎｍ成膜し、さらにその上に青色有機発光層となるべきホスト材とドーパント材とを各々１０ｎｍ、０．５ｎｍずつ共蒸着した。さらに、その上に赤色有機発光層として、ホスト材とドーパント材を各々、３０ｎｍ、１．５ｎｍずつ共蒸着した。さらにその上に電子輸送層を２０ｎｍ成膜した。
【００３６】
次に、図２（ｅ）に示すように、マスク蒸着などの方法を用いて、機能膜の上層に陰極層１４を形成する。その結果、有機ＥＬ素子１０が形成されるとともに、陰極層１４は陰極層配線１６に電気的に接続される。
【００３７】
次に、シール材２１によって、金属基板１１において、有機ＥＬ素子１０が形成されている側に封止用ガラス基板２０を貼り合せる。なお、機能膜形成工程から封止工程までは、窒素雰囲気などといった機能膜に対する不活性ガス雰囲気で行なう。
【００３８】
［発光装置１の変形例］
図３は、本発明を適用した別の発光装置１（有機ＥＬ装置）の要部構成を模式的に示す断面図である。図１に示す発光装置１では封止用ガラス基板２０によって封止を行なったが、図２に示すように、金属基板１１において、有機ＥＬ素子１０が形成されている側を封止樹脂層２５で覆い、かかる封止樹脂層２４によって、機能層１３を保護してもよい。その他の構成は、図１に示す発光装置１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示することにして、それらの説明を省略する。
【００３９】
［発光装置１の使用例１］
図４は、本発明を適用した発光装置１を備えた液晶表示装置の要部構成を模式的に示す断面図である。図４に示す液晶表示装置５０は、画素電極や画素トランジスタが形成された素子基板５６と、素子基板５６に対してシール材５９により貼り合わされた対向基板５７とを備えた液晶パネル５５を備えており、液晶パネル５５に対して素子基板５６の側には、図１を参照して説明した発光装置１がバックライト装置として光学接着剤５２により接着されている。ここで、液晶パネル５５は、透過型あるいは半透過反射型の液晶装置であり、発光装置１から出射された光を変調し、対向基板５７の側から出射して画像を表示する。かかる液晶表示装置は、携帯電話機などの表示部を構成する直視型表示装置などとして用いられる。
【００４０】
このような構成の液晶表示装置５０では、発光装置１の基材として金属基板１１を用いたため、基材としてガラスを用いた場合と比較して放熱性に優れている。このため、従来の発光装置１（バックライト装置）と比較して２倍以上の寿命を有している。
【００４１】
［発光装置１の使用例２］
図５（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した発光装置１を備えた照明装置の外観図である。図５（ａ）に示す照明装置２００は、スタンド本体２１０と、図１あるいは図３を参照して説明した発光装置１とを備えており、発光装置１は、図１あるいは図３に示す金属基板１１が湾曲した状態で使用されている。発光装置１からの光出射側（下面側）には、湾曲した金属基板１１において有機ＥＬ素子１０が形成されている内側を覆うように平板状の封止用ガラス基板（図示せず）が取り付けられている。あるいは、発光装置１からの光出射側（下面側）には、湾曲した金属基板１１において有機ＥＬ素子１０が形成されている内側を覆うように封止用樹脂層２５が形成されている。
【００４２】
図５（ｂ）に示す照明装置３００は、台本体３１０、図１あるいは図３を参照して説明した発光装置１とを備えており、発光装置１は、図１あるいは図３に示す金属基板１１が円筒状に湾曲した状態で縦置で使用されている。発光装置１からの光出射側（外面側）には、湾曲した金属基板１１において有機ＥＬ素子１０が形成されている外周面を覆うように封止用ガラス基板２０が取り付けられている。あるいは、発光装置１からの光出射側（外面側）には、湾曲した金属基板１１において有機ＥＬ素子１０が形成されている外周面を覆うように封止用樹脂層２５が形成されている。
【００４３】
［発光装置１の成形方法］
図６（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した発光装置１を湾曲させるための成形方法の説明図である。図７（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した発光装置１を湾曲させるための別の成形方法の説明図である。図１〜図３を参照して説明した発光装置１を、例えば、図５（ａ）に示すように湾曲させるにあたっては、例えば、図６（ａ）に示す成形装置１００を用いる。この成形装置１００は、成形面１１１に凹湾曲部１１２を備えた金型１１０（型部材）と、この金型１１０の成形面１１１に被さるカバー１２０とを備え取り、カバー１２０は、陰極層１４までを形成し終えた金属基板１１の端部を金型１１０との間に挟んだ状態にある。ここで、カバー１２０には、窒素ガス導入口１２１が形成されている。
【００４４】
このようにした成形装置１００を用いて、陰極層１４までを形成し終えた金属基板１１を、有機ＥＬ素子１０が形成される側が凹むように湾曲させるには、まず、有機ＥＬ素子１０が形成されている側の表面をカバー１２０の向かせた状態で、カバー１２０と金型１１０との間に金属基板１１を配置する。この状態で、成形装置１００の内部は窒素ガスに置換されている。また、カバー１２０と金型１１０との間において、金属基板１１の表面側と金属基板１１の裏面側とは、金属基板１１自身によって気密状態に仕切られている。
【００４５】
この状態で、図６（ｂ）に示すように、カバー１２０の窒素ガス導入口１２１から高圧の窒素ガスを導入する。その結果、金属基板１１は、表面側の流体圧（窒素ガスの圧力）によって、裏面側が金型１１０の成形面１１１に押付けられる。このめ、金属基板１１は、塑性変形しながら凹湾曲部１１２に沿って湾曲し、その後、成形装置１００から取り外しても元の形状に戻らない。従って、湾曲した金属基板１１において、有機ＥＬ素子１０が形成されている側に封止用ガラス基板２０や封止用樹脂層２５を設ければ、発光装置１を形成することができる。
【００４６】
また、図１〜図３を参照して説明した発光装置１を、例えば、図５（ａ）に示すように湾曲させるにあたっては、図７（ａ）に示す成形装置１００を用いてもよい。この成形装置１００は、成形面１１１に凹湾曲部１１２を備えた金型１１０（型部材）と、この金型１１０の成形面１１１に被さるカバー１２０とを備え取り、カバー１２０は、陰極層１４までを形成し終えた金属基板１１の端部を金型１１０との間に挟んだ状態にある。ここで、金型１１０において、凹湾曲部１１２の底部には吸気口１１５が形成されている。
【００４７】
このようにした成形装置１００を用いて、陰極層１４までを形成し終えた金属基板１１を、有機ＥＬ素子１０が形成される側が凹むように湾曲させるには、まず、有機ＥＬ素子１０が形成されている側の表面をカバー１２０の向かせた状態で、カバー１２０と金型１１０との間に金属基板１１を配置する。この状態で、成形装置１００の内部は窒素ガスに置換されている。また、カバー１２０と金型１１０との間において、金属基板１１の表面側と金属基板１１の裏面側とは、金属基板１１自身によって気密状態に仕切られている。
【００４８】
この状態で、図７（ｂ）に示すように、真空ポンプによって金型１１０の吸気口１１５から、金属基板１１の裏面側と凹湾曲部１１２とにより区画された空間内を減圧すると、金属基板１１は、表面側と裏面側の圧力差によって、裏面側が金型１１０の成形面１１１に押付けられる。その結果、金属基板１１は、塑性変形しながら凹湾曲部１１２に沿って湾曲し、その後、成形装置１００から取り外しても元の形状に戻らない。従って、湾曲した金属基板１１において、有機ＥＬ素子１０が形成されている側に封止用ガラス基板２０や封止用樹脂層２５を設ければ、発光装置１を形成することができる。
【００４９】
これらいずれの方法によっても、機能層１３が形成されている側が成形面１１１に触れることがないので、有機ＥＬ素子１０が損傷することを防止することができる。
【００５０】
なお、図６および図７を参照して説明した成形装置１００を組み合わせ、金属基板１１の表面側では窒素ガスの供給により圧力を高める一方、金属基板１１の裏面側で吸引を行なって減圧して、金属基板１１の裏面側を金型１１０の成形面１１１に押付けてもよい。
【００５１】
［その他の実施の形態］
なお、上記形態では、金属基板１１の略全面に一体の有機ＥＬ素子１０を形成したが、面内方向に複数の有機ＥＬ素子１０を形成してもよい。また、上記形態では、金属基板１１の表面に直接、ニッケルめっき層１２を形成したが、例えば、金属基板１１の表面に層間絶縁膜、配線層、層間絶縁膜を形成し、その上層にニッケルめっき層１１を形成した構成を採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明を適用した発光装置（有機ＥＬ装置）の要部構成を模式的に示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本形態の発光装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図３】本発明を適用した別の発光装置（有機ＥＬ装置）の要部構成を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明を適用した発光装置を備えた液晶表示装置の要部構成を模式的に示す断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した発光装置を備えた照明装置の外観図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した発光装置を湾曲させるための成形方法の説明図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した発光装置を湾曲させるための別の成形方法の説明図である。
【符号の説明】
【００５３】
１・・発光装置（有機ＥＬ装置）、１１・・金属基板（基材）、１０・・有機ＥＬ素子、１２・・ニッケルめっき層（陽極層）、１３・・機能層、１４・・陰極層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材上に有機エレクトロルミネッセンス（以下「エレクトロルミネッセンス」を「ＥＬ」と略す）素子を備えた発光装置、およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基材上に有機ＥＬ素子を備えた発光装置は、表示装置や照明装置などとして用いられており、かかる発光装置は、概ね、基材としてのガラス基板上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる透明な陽極層、有機発光層を含む機能層、および陰極層が順に積層された構造を備えている。また、陰極層の側にはガラス製あるいは金属製の封止部材が被せられている。かかる発光装置については、ガラス基板を使用しているため、高価であるとともに、フレキシブルに曲がる表示装置や照明装置を製造することができないという問題点がある。
【０００３】
そこで、薄い金属基板（ステンレス箔）を基材として用いることが提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
【非特許文献１】SID ’06 DIGESTp.1354-1357、「A 2.2 inch Top-Emission AMOLED on Flexible Metal Foil with SOG Planarization」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、金属基板の表面粗さは平均粗さで０．５〜０．１μｍ程度あるのに対して、有機ＥＬ素子の膜厚が０．０５〜０．２０μｍ程度であることから、発光特性や信頼性に優れた有機ＥＬ素子を製造するには、金属箔板の表面粗さを改善する事が必要である。従って、従来は、金属基板を使用する場合、平均粗さを０．０５μｍ以下にまで鏡面研磨するか、非特許文献１のように、ＳＯＧ（Spin On Glass）技術を用いて平滑化して使用していた。
【０００５】
しかしながら、大面積の金属基板の表面を研磨やＳＯＧ技術で平滑化するのは極めて困難であり、たとえ可能であっても、多大な手間と相当の熟練を要する。それ故、金属基板を使用した場合、大量生産に向かず、高価になるために、商品開発できないという問題点を有している。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基材として金属基板を用いた場合でも、製造コストを著しく増大させることなく、金属基板上に発光特性や信頼性に優れた有機ＥＬ素子を形成することのできる発光装置、およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、基材上に、陽極層、少なくとも有機発光層を含む機能層、および陰極層が順に積層された有機ＥＬ素子を備えた発光装置において、前記基材は金属基板であり、前記陽極層は、当該金属基板に形成されたニッケルめっき層であることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明では、基材上に、陽極層、少なくとも有機発光層を含む機能層、および陰極層が順に積層された有機ＥＬ素子を備えた発光装置の製造方法において、前記基材として金属基板を用いるとともに、当該金属基板上にニッケルめっき層を形成するめっき工程と、前記ニッケルめっき層上に前記機能層を形成する機能層形成工程と、を行なうことを特徴とする。
【０００９】
本発明における「基板」とは、「比較的厚い板状部材」の意味を含む他、シート状あるいはフィルム状といった「薄い箔状部材」を含む意味である。
【００１０】
本発明では、有機ＥＬ素子が形成される基材として金属基板を用いたため、基材としてガラスを用いた場合と比較して放熱性に優れており、有機ＥＬ素子の信頼性を向上することができる。また、金属基板であれば、ガラスと違って、割れないので、取り扱いが容易である。また、金属基板は、塑性変形可能であるため、様々な形状に変形させて用いることができる。また、本発明では、金属基板上にニッケルめっき層を形成し、ニッケルめっき層の上で有機ＥＬ素子を形成している。ここで、ニッケルめっき層は、金属基板と違って表面が平滑であるため、研磨やＳＯＧ技術により平滑化する必要がない。それ故、製造コストを著しく増大させることなく、平滑面上に有機ＥＬ素子を形成することができるので、発光特性や信頼性に優れた有機ＥＬ素子を形成することができる。さらに、ニッケルめっき層は、ＩＴＯと同様、仕事関数が高いので、そのまま陽極層として用いることができる。
【００１１】
本発明において、前記ニッケルめっき層は、前記金属基板上に直接、形成されている構成を採用することができる。この場合、前記めっき工程では、前記金属基板にめっき処理を行って前記ニッケルめっき層を形成すればよい。
【００１２】
本発明において、前記金属基板は可撓性を有していることが好ましい。
【００１３】
本発明において、前記めっき工程では、無電解めっきにより前記ニッケルめっき層を形成することが好ましい。このように構成すると、表面がより平滑なニッケルめっき層を形成することができる。
【００１４】
本発明において、前記めっき工程では、界面活性剤を含むめっき液を用いることが好ましい。このように構成すると、表面がより平滑なニッケルめっき層を形成することができる。
【００１５】
本発明において、前記機能層形成工程の後、所定形状の成形面を備えた型部材を前記金属基板の一方面側に配置した状態で、当該一方面を前記成形面に押付ける流体圧を前記金属基板に作用させて前記金属基板を変形させる成形工程を行なうことが好ましい。
【００１６】
かかる成形工程では、例えば、前記機能層に対する不活性雰囲気中で、不活性ガスによって前記金属基板の他方側を加圧して前記金属基板の前記一方面側を前記成形面に押付けることが好ましい。また、前記成形工程では、前記機能層に対する不活性雰囲気中で、前記金属基板の前記一方面側を減圧して前記金属基板の前記一方面側を前記成形面に押付けてもよい。このように構成すると、成形加工を行なう際、機能層が空気中の水分や酸素で劣化することを防止することができる。
【００１７】
いずれの場合も、前記機能層は、前記金属基板の他方面側に形成されていることが好ましく、このように構成すると、機能層が形成されている側が前記成形面に触れて損傷することを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明に用いる各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１９】
［発光装置の全体構成］
図１は、本発明を適用した発光装置（有機ＥＬ装置）の要部構成を模式的に示す断面図である。
【００２０】
図１に示す発光装置１は、基材として金属基板１１が用いられており、この金属基板１１の表面側に有機ＥＬ素子１０が形成されている。また、金属基板１１において、有機ＥＬ素子１０が形成されている側には、封止用ガラス基板２０がシール材２１（封止用接着剤）により貼られており、その内側には脱酸素材（図示せず）が配置されることもある。
【００２１】
本形態では、金属基板１１として、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、ステンレス鋼、軟鋼などが用いられており、その厚さは数十μｍ〜数ｍｍと薄い。それ故、金属基板１１は可撓性を備えている。
【００２２】
このように構成した発光装置１において、本形態では、金属基板１１の表面および裏面は、膜厚が１〜５μｍ、好ましくは２〜３μｍのニッケルめっき層１２で覆われており、ニッケルめっき層１２の仕事関数は、５．２２ｅＶであり、ＩＴＯの仕事関数（４．９ｅＶ）と同等以上である。
【００２３】
そこで、本形態では、ニッケルめっき層１２のうち、金属基板１１の表面に形成された部分が有機ＥＬ素子１０の陽極層として用いられている。すなわち、金属基板１１の表面側において、ニッケルめっき層１２の上層には、その中央領域を囲むようにポジ型の感光性レジストやシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１５が形成されており、ニッケルめっき層１２の上層のうち、層間絶縁膜１５で囲まれた領域内には、少なくとも有機発光層を含む機能層１３が積層され、この機能層１３の上層には、陰極層１４が積層されている。また、層間絶縁膜１５上には、陰極層１４と電気的接続する状態で陰極層配線１６が形成され、その端部によって陰極層端子１６０が構成されている。
【００２４】
本形態において、ニッケルめっき層１２は、金属基板１１に対して直接、電解めっきあるいは無電解めっきを行なうことにより形成された層である。但し、電解めっきでは、結晶粒界が大きくなり、無電解めっきに比して、表面粗さが粗くなる傾向にある。従って、本形態では、無電解めっきにより、ニッケルめっき層１２が形成され、かかるニッケルめっき層１２の平均粗さは、０．０５μｍ以下の平滑面になっている。なお、ニッケルめっき層１２には、めっきの際に用いた還元剤由来のＰ（リン）あるいはＢ（ホウ素）などが含まれている。
【００２５】
有機ＥＬ素子１０において、機能層１３は、少なくとも有機発光層を含んでおり、例えば、以下の
正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層
層構造が採用される。ここで、正孔輸送層および電子輸送層は省略された構成や、正孔注入輸送層や電子注入輸送層として、正孔注入層や電子注入層と一体化される場合がある。
【００２６】
正孔注入輸送層としては、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）などや、Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−［１、１−ビフェニル］−４、４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ、Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−（１、１’−ビフェニル）−４、４’−ジアミン（ＮＰＢ）などにより形成されている。電子注入輸送層は、Ａｌｑ3などによって形成されている。有機発光層は、芳香族ジメチリデン化合物、オキサジアゾール化合物、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料、アゾメチン亜鉛錯体、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体等の蛍光性有機金属化合物等が用いられる。また、ホスト材料に蛍光色素をドーピングしたものが用いられることがあり、このようなホスト材料とドーパント材料の組み合わせとしては、例えば、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとクマリン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とスチリルアミン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とナフタセン誘導体との組み合わせ、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとジシアノピラン誘導体との組み合わせ、ナフタセン誘導体とジインデノペリレンとの組み合わせなどがある。
【００２７】
このように構成した発光装置１は、陰極層１４の側から光を出射するトップエミッション型である。すなわち、ニッケルめっき層１２の一部を陽極端子１２０とし、この陽極端子１２０と陰極層端子１６０との間に電源により電圧を印加すると、陽極側（ニッケルめっき層１２）の側から注入された正孔と、陰極層１４から注入された電子とが、機能層１３の有機発光層で再結合することにより発光し、陰極層１４の側から出射される。このため、陰極層１４としては、例えば、厚さが１０ｎｍと薄い金属膜（例えば、９０重量％Ｍｇ（マグネシウム）と１０重量％Ａｇ（銀）との合金）が用いられており、かかる陰極層１４によれば、光を透過可能である。なお、有機発光層から金属基板１１に向けて出射された光も、ニッケルめっき層１２や金属基板１１で反射した後、陰極層１４の側から出射される。
【００２８】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の発光装置１では、有機ＥＬ素子１０が形成される基材として金属基板１１を用いたため、基材としてガラスを用いた場合と比較して放熱性に優れており、有機ＥＬ素子１０の信頼性を向上することができる。また、金属基板１１であれば、ガラスと違って、割れないので、取り扱いが容易である。また、金属基板１１は、塑性変形可能であるため、様々な形状に変形させて用いることができる。
【００２９】
また、本形態では、金属基板１１上にニッケルめっき層１２を形成し、ニッケルめっき層１２を陽極層として用いて有機ＥＬ素子１０を構成している。ここで、ニッケルめっき層１２は、金属基板１１と違って表面が平滑であるため、研磨やＳＯＧ技術により平滑化する必要がない。それ故、製造コストを著しく増大させることなく、平滑面上に有機ＥＬ素子１０を形成することができるので、発光特性や信頼性に優れた有機ＥＬ素子１０を形成することができる。
【００３０】
さらに、ニッケルめっき層１２は、ＩＴＯと同様、仕事関数が高いので、そのまま陽極層として用いることができる。
【００３１】
（発光装置１の製造方法）
図２（ａ）〜（ｆ）は、本形態の発光装置１の製造方法を示す工程断面図である。まず、本形態では、アルミニウム、銅、ステンレス鋼、軟鋼などからなる金属基板１１を準備した後、洗浄する。
【００３２】
次に、図２（ａ）に示すめっき工程において、金属基板１１にめっきを施し、金属基板１１の表面および裏面にニッケルめっき層１２を形成する。より具体的には、以下に示す組成
硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ4） １００mol/m3
ｄｌ−リンゴ酸（Ｃ4Ｈ6Ｏ5） １５０mol/m3
コハク酸ナトリウム（Ｎａ2Ｃ4Ｈ4Ｏ4） １５０mol/m3
次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ2ＰＯ2） ３００mol/m3
サッカリンナトリウム（Ｃ7Ｈ4ＮＮａＯ3Ｓ） ３ｇ／Ｌ
水酸化ナトリウムによりｐＨ＝４．８に調整
のニッケル−リンめっき浴を用い、温度が８０℃の条件で金属基板１１に無電解めっきを行なう。ここで、サッカリンナトリウムはニッケルめっき層１２表面の平滑性を高める効果を備えている。
【００３３】
次に、図２（ｂ）に示すように、金属基板１１の表面側において、ニッケルめっき層１２の上層のうち、有機ＥＬ素子１０を形成すべき中央領域の周りに、ポジ型の感光性レジストやシリコン酸化膜により、層間絶縁膜１５を形成する。例えば、金属基板１１の表面側にスピンコート法により、ポジ型の感光性樹脂を塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いて所定の領域のみに感光性樹脂を層間絶縁膜１５として残す。その際、ニッケルめっき層１２の一部を陽極端子１２０として露出させる。
【００３４】
次に、図２（ｃ）に示すように、マスク蒸着などの方法を用いて、金属基板１１の表面側にアルミニウムなどからなる陰極層配線１６を形成する。なお、金属基板１１の表面全体にアルミニウム膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてアルミニウム膜をパターニングして陰極層配線１６を形成してもよい。この場合に用いるエッチング液としては、ニッケルめっき層１２の溶解を避けるために、例えば、５％水酸化カリウム水溶液などを用いる。
【００３５】
次に、図２（ｄ）に示す機能層形成工程において、マスク蒸着などの方法を用いて、層間絶縁膜１５で囲まれた領域内に有機発光層を含む機能膜を形成する。その際に用いるマスクとしては、金属製、ガラス製、あるいはプラスチック製のものを用いることができる。本形態では、正孔注入層となる銅フタロシアニンを３ｎｍの厚さに形成した後、その上に正孔輸送層となるべきα−ＮＰＤを５０ｎｍ成膜し、さらにその上に青色有機発光層となるべきホスト材とドーパント材とを各々１０ｎｍ、０．５ｎｍずつ共蒸着した。さらに、その上に赤色有機発光層として、ホスト材とドーパント材を各々、３０ｎｍ、１．５ｎｍずつ共蒸着した。さらにその上に電子輸送層を２０ｎｍ成膜した。
【００３６】
次に、図２（ｅ）に示すように、マスク蒸着などの方法を用いて、機能膜の上層に陰極層１４を形成する。その結果、有機ＥＬ素子１０が形成されるとともに、陰極層１４は陰極層配線１６に電気的に接続される。
【００３７】
次に、シール材２１によって、金属基板１１において、有機ＥＬ素子１０が形成されている側に封止用ガラス基板２０を貼り合せる。なお、機能膜形成工程から封止工程までは、窒素雰囲気などといった機能膜に対する不活性ガス雰囲気で行なう。
【００３８】
［発光装置１の変形例］
図３は、本発明を適用した別の発光装置１（有機ＥＬ装置）の要部構成を模式的に示す断面図である。図１に示す発光装置１では封止用ガラス基板２０によって封止を行なったが、図２に示すように、金属基板１１において、有機ＥＬ素子１０が形成されている側を封止樹脂層２５で覆い、かかる封止樹脂層２４によって、機能層１３を保護してもよい。その他の構成は、図１に示す発光装置１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示することにして、それらの説明を省略する。
【００３９】
［発光装置１の使用例１］
図４は、本発明を適用した発光装置１を備えた液晶表示装置の要部構成を模式的に示す断面図である。図４に示す液晶表示装置５０は、画素電極や画素トランジスタが形成された素子基板５６と、素子基板５６に対してシール材５９により貼り合わされた対向基板５７とを備えた液晶パネル５５を備えており、液晶パネル５５に対して素子基板５６の側には、図１を参照して説明した発光装置１がバックライト装置として光学接着剤５２により接着されている。ここで、液晶パネル５５は、透過型あるいは半透過反射型の液晶装置であり、発光装置１から出射された光を変調し、対向基板５７の側から出射して画像を表示する。かかる液晶表示装置は、携帯電話機などの表示部を構成する直視型表示装置などとして用いられる。
【００４０】
このような構成の液晶表示装置５０では、発光装置１の基材として金属基板１１を用いたため、基材としてガラスを用いた場合と比較して放熱性に優れている。このため、従来の発光装置１（バックライト装置）と比較して２倍以上の寿命を有している。
【００４１】
［発光装置１の使用例２］
図５（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した発光装置１を備えた照明装置の外観図である。図５（ａ）に示す照明装置２００は、スタンド本体２１０と、図１あるいは図３を参照して説明した発光装置１とを備えており、発光装置１は、図１あるいは図３に示す金属基板１１が湾曲した状態で使用されている。発光装置１からの光出射側（下面側）には、湾曲した金属基板１１において有機ＥＬ素子１０が形成されている内側を覆うように平板状の封止用ガラス基板（図示せず）が取り付けられている。あるいは、発光装置１からの光出射側（下面側）には、湾曲した金属基板１１において有機ＥＬ素子１０が形成されている内側を覆うように封止用樹脂層２５が形成されている。
【００４２】
図５（ｂ）に示す照明装置３００は、台本体３１０、図１あるいは図３を参照して説明した発光装置１とを備えており、発光装置１は、図１あるいは図３に示す金属基板１１が円筒状に湾曲した状態で縦置で使用されている。発光装置１からの光出射側（外面側）には、湾曲した金属基板１１において有機ＥＬ素子１０が形成されている外周面を覆うように封止用ガラス基板２０が取り付けられている。あるいは、発光装置１からの光出射側（外面側）には、湾曲した金属基板１１において有機ＥＬ素子１０が形成されている外周面を覆うように封止用樹脂層２５が形成されている。
【００４３】
［発光装置１の成形方法］
図６（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した発光装置１を湾曲させるための成形方法の説明図である。図７（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した発光装置１を湾曲させるための別の成形方法の説明図である。図１〜図３を参照して説明した発光装置１を、例えば、図５（ａ）に示すように湾曲させるにあたっては、例えば、図６（ａ）に示す成形装置１００を用いる。この成形装置１００は、成形面１１１に凹湾曲部１１２を備えた金型１１０（型部材）と、この金型１１０の成形面１１１に被さるカバー１２０とを備え取り、カバー１２０は、陰極層１４までを形成し終えた金属基板１１の端部を金型１１０との間に挟んだ状態にある。ここで、カバー１２０には、窒素ガス導入口１２１が形成されている。
【００４４】
このようにした成形装置１００を用いて、陰極層１４までを形成し終えた金属基板１１を、有機ＥＬ素子１０が形成される側が凹むように湾曲させるには、まず、有機ＥＬ素子１０が形成されている側の表面をカバー１２０の向かせた状態で、カバー１２０と金型１１０との間に金属基板１１を配置する。この状態で、成形装置１００の内部は窒素ガスに置換されている。また、カバー１２０と金型１１０との間において、金属基板１１の表面側と金属基板１１の裏面側とは、金属基板１１自身によって気密状態に仕切られている。
【００４５】
この状態で、図６（ｂ）に示すように、カバー１２０の窒素ガス導入口１２１から高圧の窒素ガスを導入する。その結果、金属基板１１は、表面側の流体圧（窒素ガスの圧力）によって、裏面側が金型１１０の成形面１１１に押付けられる。このめ、金属基板１１は、塑性変形しながら凹湾曲部１１２に沿って湾曲し、その後、成形装置１００から取り外しても元の形状に戻らない。従って、湾曲した金属基板１１において、有機ＥＬ素子１０が形成されている側に封止用ガラス基板２０や封止用樹脂層２５を設ければ、発光装置１を形成することができる。
【００４６】
また、図１〜図３を参照して説明した発光装置１を、例えば、図５（ａ）に示すように湾曲させるにあたっては、図７（ａ）に示す成形装置１００を用いてもよい。この成形装置１００は、成形面１１１に凹湾曲部１１２を備えた金型１１０（型部材）と、この金型１１０の成形面１１１に被さるカバー１２０とを備え取り、カバー１２０は、陰極層１４までを形成し終えた金属基板１１の端部を金型１１０との間に挟んだ状態にある。ここで、金型１１０において、凹湾曲部１１２の底部には吸気口１１５が形成されている。
【００４７】
このようにした成形装置１００を用いて、陰極層１４までを形成し終えた金属基板１１を、有機ＥＬ素子１０が形成される側が凹むように湾曲させるには、まず、有機ＥＬ素子１０が形成されている側の表面をカバー１２０の向かせた状態で、カバー１２０と金型１１０との間に金属基板１１を配置する。この状態で、成形装置１００の内部は窒素ガスに置換されている。また、カバー１２０と金型１１０との間において、金属基板１１の表面側と金属基板１１の裏面側とは、金属基板１１自身によって気密状態に仕切られている。
【００４８】
この状態で、図７（ｂ）に示すように、真空ポンプによって金型１１０の吸気口１１５から、金属基板１１の裏面側と凹湾曲部１１２とにより区画された空間内を減圧すると、金属基板１１は、表面側と裏面側の圧力差によって、裏面側が金型１１０の成形面１１１に押付けられる。その結果、金属基板１１は、塑性変形しながら凹湾曲部１１２に沿って湾曲し、その後、成形装置１００から取り外しても元の形状に戻らない。従って、湾曲した金属基板１１において、有機ＥＬ素子１０が形成されている側に封止用ガラス基板２０や封止用樹脂層２５を設ければ、発光装置１を形成することができる。
【００４９】
これらいずれの方法によっても、機能層１３が形成されている側が成形面１１１に触れることがないので、有機ＥＬ素子１０が損傷することを防止することができる。
【００５０】
なお、図６および図７を参照して説明した成形装置１００を組み合わせ、金属基板１１の表面側では窒素ガスの供給により圧力を高める一方、金属基板１１の裏面側で吸引を行なって減圧して、金属基板１１の裏面側を金型１１０の成形面１１１に押付けてもよい。
【００５１】
［その他の実施の形態］
なお、上記形態では、金属基板１１の略全面に一体の有機ＥＬ素子１０を形成したが、面内方向に複数の有機ＥＬ素子１０を形成してもよい。また、上記形態では、金属基板１１の表面に直接、ニッケルめっき層１２を形成したが、例えば、金属基板１１の表面に層間絶縁膜、配線層、層間絶縁膜を形成し、その上層にニッケルめっき層１１を形成した構成を採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明を適用した発光装置（有機ＥＬ装置）の要部構成を模式的に示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本形態の発光装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図３】本発明を適用した別の発光装置（有機ＥＬ装置）の要部構成を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明を適用した発光装置を備えた液晶表示装置の要部構成を模式的に示す断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した発光装置を備えた照明装置の外観図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した発光装置を湾曲させるための成形方法の説明図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した発光装置を湾曲させるための別の成形方法の説明図である。
【符号の説明】
【００５３】
１・・発光装置（有機ＥＬ装置）、１１・・金属基板（基材）、１０・・有機ＥＬ素子、１２・・ニッケルめっき層（陽極層）、１３・・機能層、１４・・陰極層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、陽極層、少なくとも有機発光層を含む機能層、および陰極層が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた発光装置において、
前記基材は金属基板であり、
前記陽極層は、当該金属基板に形成されたニッケルめっき層であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記ニッケルめっき層は、前記金属基板上に直接、形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記金属基板は可撓性を有していることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
基材上に、陽極層、少なくとも有機発光層を含む機能層、および陰極層が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた発光装置の製造方法において、
前記基材として金属基板を用いるとともに、
当該金属基板上にニッケルめっき層を形成するめっき工程と、
前記ニッケルめっき層上に前記機能層を形成する機能層形成工程と
を行なうことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記めっき工程では、前記金属基板にめっき処理を行って前記ニッケルめっき層を形成することを特徴とする請求項４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記めっき工程では、無電解めっきにより前記ニッケルめっき層を形成することを特徴とする請求項４または５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記めっき工程では、界面活性剤を含むめっき液を用いることを特徴とする請求項４乃至６の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記機能層形成工程の後、
所定形状の成形面を備えた型部材を前記金属基板の一方面側に配置した状態で、当該一方面を前記成形面に押付ける流体圧を当該金属基板に作用させて前記金属基板を変形させる成形工程を行なうことを特徴とする請求項４乃至７の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記成形工程では、前記機能層に対する不活性雰囲気中で、不活性ガスによって前記金属基板の他方側を加圧して前記金属基板の前記一方面側を前記成形面に押付けることを特徴とする請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記成形工程では、前記機能層に対する不活性雰囲気中で、前記金属基板の前記一方面側を減圧して前記金属基板の前記一方面側を前記成形面に押付けることを特徴とする請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記機能層は、前記金属基板の他方面側に形成されていることを特徴とする請求項８乃至１０の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１】
基材上に、陽極層、少なくとも有機発光層を含む機能層、および陰極層が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた発光装置において、
前記基材は金属基板であり、
前記陽極層は、当該金属基板に形成されたニッケルめっき層であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記ニッケルめっき層は、前記金属基板上に直接、形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記金属基板は可撓性を有していることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
基材上に、陽極層、少なくとも有機発光層を含む機能層、および陰極層が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた発光装置の製造方法において、
前記基材として金属基板を用いるとともに、
当該金属基板上にニッケルめっき層を形成するめっき工程と、
前記ニッケルめっき層上に前記機能層を形成する機能層形成工程と
を行なうことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記めっき工程では、前記金属基板にめっき処理を行って前記ニッケルめっき層を形成することを特徴とする請求項４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記めっき工程では、無電解めっきにより前記ニッケルめっき層を形成することを特徴とする請求項４または５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記めっき工程では、界面活性剤を含むめっき液を用いることを特徴とする請求項４乃至６の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記機能層形成工程の後、
所定形状の成形面を備えた型部材を前記金属基板の一方面側に配置した状態で、当該一方面を前記成形面に押付ける流体圧を当該金属基板に作用させて前記金属基板を変形させる成形工程を行なうことを特徴とする請求項４乃至７の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記成形工程では、前記機能層に対する不活性雰囲気中で、不活性ガスによって前記金属基板の他方側を加圧して前記金属基板の前記一方面側を前記成形面に押付けることを特徴とする請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記成形工程では、前記機能層に対する不活性雰囲気中で、前記金属基板の前記一方面側を減圧して前記金属基板の前記一方面側を前記成形面に押付けることを特徴とする請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記機能層は、前記金属基板の他方面側に形成されていることを特徴とする請求項８乃至１０の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００８−２４３７７２（Ｐ２００８−２４３７７２Ａ）
【公開日】平成２０年１０月９日（２００８．１０．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−８６７８３（Ｐ２００７−８６７８３）
【出願日】平成１９年３月２９日（２００７．３．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１０月９日（２００８．１０．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年３月２９日（２００７．３．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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