発光装置の検査方法及び作製方法
【課題】電荷発生層もしくは中間層によって仕切られた複数のＥＬ層を一対の電極間に設けた発光素子が有する、短絡に至っていない潜在的な欠陥を検出する方法を提供することを課題とする。また、当該潜在的な欠陥を絶縁化して発光装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】複数のＥＬ層が電荷発生層によって仕切られた厚い層を一対の電極間に有する発光素子に導電性の異物が混入した部位は、正常な部位が発光開始する電圧より低い電圧で強く発光する。本発明の一態様は、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子に順方向に電圧を印加し、正常な部位が発光を開始する電圧よりも低い電圧で、１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で光る異常な発光部位を検出する。また、当該部位にレーザ光を照射して絶縁化する。
【解決手段】複数のＥＬ層が電荷発生層によって仕切られた厚い層を一対の電極間に有する発光素子に導電性の異物が混入した部位は、正常な部位が発光開始する電圧より低い電圧で強く発光する。本発明の一態様は、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子に順方向に電圧を印加し、正常な部位が発光を開始する電圧よりも低い電圧で、１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で光る異常な発光部位を検出する。また、当該部位にレーザ光を照射して絶縁化する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の潜在的な欠陥を検出する検査方法、及び当該潜在的な欠陥を絶縁化して発光装置を作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下、ＥＬとも記す）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これらの発光素子は一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだ構成を有し、その一対の電極間に電圧を印加して、発光性の物質から発光を得るものである。
【０００３】
エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子は、薄型軽量に作製できること、非常に応答速度が速いこと等が大きな特徴であり、利点である。このような自発光型の発光素子には様々な用途が考えられる。例えば、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高く、バックライトが不要である等の特徴は、当該発光素子がフラットパネルディスプレイに好適であると言える。
【０００４】
また、これらの発光素子は膜状に形成することが可能であるため、大きな面積を有する面状の発光を容易に得ることができる。このことは、白熱電球やＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）に代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
【０００５】
そのエレクトロルミネッセンスを利用した発光素子は、発光性の物質が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって大別できる。有機化合物を発光性の物質に用いた発光素子の発光原理を説明する。まず、発光素子の一対の電極間に電圧を印加することにより、当該一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入される。そして、それらキャリア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成後、基底状態に戻る際に発光する。
【０００６】
ところで、エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子のＥＬ層は非常に薄い。ＥＬ層が薄いため、発光素子の一対の電極間に導電性の異物が混入した場合、一対の電極は短絡し易い。短絡の発生は発光素子の破壊や、発熱による発光素子の劣化や、リーク電流による消費電力の増大等の不具合を招く。
【０００７】
そこで、エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子の欠陥を検出し、欠陥にレーザ光を照射して絶縁化する方法及び装置が提案されている（例えば特許文献１）。
【０００８】
一方、エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子の発光輝度を高めるには、ＥＬ層に流す電流密度を高めればよい。しかし、大電流を流すために駆動電圧を高めれば消費電力は増大するばかりである。また、ＥＬ層に大電流を流せば、発光素子の劣化を早めることにもなる。
【０００９】
そこで、複数のＥＬ層を積層した発光素子が提案されている。特許文献２では、複数の発光ユニット（以下、本明細書においてＥＬ層とも表記する）を有し、各発光ユニットが電極と同様にキャリアをＥＬ層に供給する電荷発生層によって仕切られた発光素子を開示している。本明細書中では、電荷発生層は電極と同等のものであるものとし、互いに隣接する電荷発生層または電極に挟まれる領域を１つのＥＬ層として数える。より具体的には、第１の発光ユニットの電子注入層として機能する金属ドーピング層上に５酸化バナジウムよりなる電荷発生層が設けられ、さらに当該電荷発生層上に第２の発光ユニットが設けられた構造の発光素子を開示している。特許文献２で開示される発光素子は、同じ電流密度で発光素子に電流を流した際に、１つのＥＬ層を有する発光素子と比較して、高輝度発光することが可能である。また、一つのＥＬ層を有する発光素子に比べ省電力で同じ輝度の発光を得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−２６０８５７号公報
【特許文献２】特開２００３−２７２８６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
複数のＥＬ層を電荷発生層もしくは中間層により仕切って形成した積層膜は、一つのＥＬ層で構成される発光素子のものに比べ厚い。厚い積層膜を一対の電極間に有する発光素子は一つのＥＬ層で構成される発光素子に比べて導電性の異物が混入しても短絡し難い。しかし、導電性の異物が混入した部位は潜在的な欠陥であり、当該部位が異常発光する。そして、特性の変化が激しく、長期の使用で短絡に至る等、不具合が顕在化する恐れが強くなる。
【００１２】
また、従来の顕在化した欠陥を検出する方法ではこのような潜在的な欠陥を検出し難いという問題があった。
【００１３】
本発明は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、その目的は、一対の電極間に電荷発生層もしくは中間層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子、言い換えると、一対の電極間に電荷発生層（もしくは中間層）と交互にＥＬ層を２つ以上重ねて設けた発光素子が有する、短絡に至っていない潜在的な欠陥を検出する方法を提供することを課題の一とする。当該潜在的な欠陥を絶縁化して発光装置を作製する方法を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
複数のＥＬ層が電荷発生層によって仕切られた厚い層を一対の電極間に設けた発光素子に導電性の異物が混入した部位は、正常な部位よりも低い電圧で強く発光する特徴を有する。言い換えると、一対の電極間に電荷発生層と交互にＥＬ層を２つ以上重ねて設けた発光素子において、導電性の異物が混入した部位は、正常な部位よりも低い電圧で強く発光する特徴を有する。
【００１５】
従って、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子、言い換えると、一対の電極間に電荷発生層と交互にＥＬ層を２つ以上重ねて設けた発光素子に順方向に電圧を印加し、正常な部位よりも低い電圧で発光を開始する部位を検出すれば、潜在的な欠陥部位を検出できる。そして、当該部位にレーザ光を照射して当該部位を絶縁化すればよい。
【００１６】
すなわち、本発明の一態様は、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子に、発光素子の光取り出し面において実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光する発光開始電圧未満の電圧を発光素子の順方向に印加し、発光素子の光取り出し面において１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光を呈する異常発光部位を検出する発光素子の検査方法である。
【００１７】
また、本発明の一態様は、電荷発生層によって仕切られた発光色が異なる複数のＥＬ層を一対の電極間に設けた発光素子に、発光素子の光取り出し面において実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光する電圧を発光素子の順方向に印加し、発光素子の光取り出し面において色度が異なる異常発光部位を検出する発光素子の検査方法である。
【００１８】
また、本発明の一態様は、発光素子の光取り出し面において実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光する発光開始電圧未満の電圧を発光素子の順方向に印加し、発光素子の光取り出し面において１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度の発光を呈する異常発光部位にレーザ光を照射し絶縁化する工程からなる、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の作製方法である。
【００１９】
また、本発明の一態様は、発光素子の光取り出し面において実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光する電圧を発光素子の順方向に印加し、発光素子の光取り出し面において色度が異なる異常発光部位にレーザ光を照射し絶縁化する工程からなる、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の作製方法である。
【００２０】
また、本発明の一態様は、上記方法を用いて異常発光部位を検出工程と、異常発光部位にレーザ光を照射する工程を有し、異常発光部位の検出工程の観察画像の解像度に比べ、レーザ光を照射する工程の観察画像の解像度が高いことを特徴とする一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の作製方法である。
【００２１】
また、本発明の一態様は、上記方法を用いて異常発光部位の検出工程と、異常発光部位にレーザ光を照射する工程を有し、異常発光部位の検出工程の観察画像の解像度の１００倍以上、１０，０００倍以下の高解像度で、レーザ光を照射する工程の観察画像の解像度が高いことを特徴とする一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の作製方法である。
【００２２】
なお、本明細書において、エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子の電極もしくは中間層で挟まれるように設けられた層であって、少なくとも発光性の物質を含む層を有する層をＥＬ層と呼ぶ。
【００２３】
また、本明細書において、２つのＥＬ層の間に接して形成する層であって、一方のＥＬ層に正孔を注入し、他方のＥＬ層に電子を注入する機能を有する層を中間層と呼ぶものとする。したがって、電荷発生層は中間層の一態様と呼ぶこともできる。なお、中間層は単層であっても複数の層の積層であってもよい。
【００２４】
また、本明細書において、発光素子の光取り出し面が実質的全面に１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光を始める、発光素子に加わる電圧を発光開始電圧と呼ぶものとする。
【００２５】
また、本明細書において、物質Ａを他の物質Ｂからなるマトリクス中に分散する場合、マトリクスを構成する物質Ｂをホスト材料と呼び、マトリクス中に分散される物質Ａをゲスト材料と呼ぶものとする。なお、物質Ａ並びに物質Ｂは、それぞれ単一の物質であっても良いし、２種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。
【００２６】
なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置を含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の一態様によれば、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子が有する短絡に至っていない潜在的な欠陥を検出する方法を提供できる。また、当該潜在的な欠陥を絶縁化して発光装置を作製する方法及び当該方法を用いた発光装置の作製装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施の形態に係わる発光素子の構造を説明する図。
【図２】実施の形態に係わる発光素子の構造を説明する図。
【図３】実施の形態に係わる発光素子を説明する図。
【図４】実施の形態に係わる異常発光する部位の検出及び修正装置を説明する図。
【図５】実施の形態に係わる異常発光する部位の検出方法を説明する図。
【図６】実施の形態に係わる異常発光する部位の修正方法を説明する図。
【図７】実施の形態に係わる発光素子の構造を説明する図。
【図８】実施の形態に係わる発光装置の構造を説明する図。
【図９】実施の形態に係わる発光装置の構造を説明する図。
【図１０】実施の形態に係わる電子機器を説明する図。
【図１１】実施の形態に係わる照明装置を説明する図。
【図１２】実施の形態に係わる照明装置を説明する図。
【図１３】実施の形態に係わる照明装置及び発光装置を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子に生じる、短絡に至っていない潜在的な欠陥を検出する方法について説明する。
【００３１】
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子について、図１（Ａ）を用いて説明する。当該発光素子は、第１の電極１００１と第２の電極１００２を有し、両電極間にｎ（ｎは２以上の自然数）層のＥＬ層１００３を有し、ｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目のＥＬ層と（ｍ＋１）番目のＥＬ層との間に、それぞれ電荷発生層１００４を有する。
【００３２】
また、第１の電極１００１と第２の電極１００２の少なくともどちらか一方は、透光性を有する導電膜を用いて形成する。
【００３３】
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の発光機構について説明する。ここでは、図２（Ａ）に例示した一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた２層のＥＬ層を設けた発光素子１１００を用いて当該機構を説明する。
【００３４】
発光素子１１００は第１のＥＬ層１１０３ａ、第２のＥＬ層１１０３ｂ、電荷発生層１１０４、第１の電極１１０１及び第２の電極１１０２を有する。第１のＥＬ層１１０３ａは一方の面が第１の電極１１０１に接し、他方の面が電荷発生層１１０４に接している。電荷発生層１１０４は第１のＥＬ層１１０３ａと第２のＥＬ層１１０３ｂの間に設けられ、第２のＥＬ層１１０３ｂは一方の面が電荷発生層１１０４に接し、他方の面が第２の電極１１０２に接している。
【００３５】
発光素子１１００の第１の電極１１０１を第２の電極１１０２より高い電位になるよう電圧Ｅ３を加える。すなわち、第１の電極１１０１は陽極として機能し、第２の電極１１０２は陰極として機能する。充分高い電圧を印加すると、第１のＥＬ層１１０３ａにおいて第１の電極１１０１から注入した正孔と、電荷発生層１１０４から注入した電子が再結合し、生じたエネルギーにより第１のＥＬ層１１０３ａ中の発光性物質が発光する。また、第２のＥＬ層１１０３ｂにおいて電荷発生層１１０４から注入した正孔と、第２の電極１１０２から注入した電子が再結合し、生じたエネルギーにより第２のＥＬ層１１０３ｂ中の発光性物質が発光する。
【００３６】
第１のＥＬ層１１０３ａおよび第２のＥＬ層１１０３ｂが発する光は透光性を有する導電膜で形成された第１の電極１１０１または第２の電極１１０２のいずれか一方、または両方から取り出される。例えば、第１の電極１１０１のみが透光性を有する電極である場合には、発光は第１の電極１１０１を通って取り出される。また、第２の電極１１０２のみが透光性を有する電極である場合には、発光は第２の電極１１０２を通って取り出される。さらに、第１の電極１１０１および第２の電極１１０２がいずれも透光性を有する電極である場合には、発光は第１の電極１１０１および第２の電極１１０２を通って両方から取り出される。
【００３７】
次に、一対の電極間にＥＬ層を一つ設けた発光素子と、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の特性について比較して説明する。
【００３８】
一対の電極間にＥＬ層を一つ設けた発光素子１３００の構成を図３（Ａ）に示す。発光素子１３００は、第１の電極１３０１と、第２の電極１３０２と、発光性の有機化合物を含むＥＬ層１３０３ａを有している。
【００３９】
また、一対の電極間に電荷発生層で仕切られた２つのＥＬ層を設けた発光素子１４００の構成を図３（Ｂ）に示す。発光素子１４００は、第１の電極１４０１と、第２の電極１４０２と、発光性の有機化合物を含むＥＬ層１４０３ａ及び１４０３ｂと、電荷発生層１４０４を有している。ここでは、ＥＬ層１４０３ａ及び１４０３ｂは、発光素子１３００が備えるＥＬ層１３０３ａとおなじ構成を有するＥＬ層である場合について説明する。もちろん、発光素子１４００のＥＬ層１４０３ａと１４０３ｂは異なる構成のＥＬ層であってもよい。
【００４０】
発光素子１４００において、第１の電極１４０１と電荷発生層１４０４でＥＬ層１４０３ａを挟んだ第１の領域１４００ａと、電荷発生層１４０４と第２の電極１４０２でＥＬ層１４０３ｂを挟んだ第２の領域１４００ｂは、それぞれ独立した発光素子と見なすことができる。言い換えると、発光素子１４００は第１の領域１４００ａと第２の領域１４００ｂを直列に接続したものである。
【００４１】
発光素子１３００の電圧−輝度特性の一例を図３（Ｃ）の曲線Ｓに示す。一対の電極間にＥＬ層を一つ設けた発光素子１３００は、発光開始電圧Ｅ０を超えると急激に発光輝度が高まる。図３（Ｃ）の曲線Ｓで示す素子は、発光開始電圧Ｅ０において１（ｃｄ／ｍ２）の輝度で発光し、発光開始電圧Ｅ０の２倍の電圧において１万（ｃｄ／ｍ２）程度まで輝度が上昇する。なお、有機化合物を発光物質にもちいたエレクトロルミネッセンスを利用した発光素子が可視光を発する場合、発光開始電圧Ｅ０は少なくとも２（Ｖ）程度を要する。
【００４２】
また、発光素子１４００の電圧−輝度特性の一例を図３（Ｃ）の曲線Ｗに示す。発光素子１４００の電圧−輝度特性（曲線Ｗ）は、発光素子１３００の電圧−輝度特性（曲線Ｓ）に比べて、高電圧側にシフトする。例えば、ＥＬ層１４０３ａと１４０３ｂが、発光素子１３００が備えるＥＬ層１３０３ａとおなじ構成を有するＥＬ層である場合、発光素子１４００は発光素子１３００を直列に接続した素子と見なせる。従って、発光素子１３００の発光開始電圧Ｅ０の２倍の電圧を発光素子１４００に加えると、ＥＬ層１４０３ａと１４０３ｂがそれぞれ１（ｃｄ／ｍ２）の輝度で発光し、発光素子１４００はおよそ２（ｃｄ／ｍ２）の輝度で発光する。
【００４３】
すなわち、発光素子１３００の発光開始電圧Ｅ０の２倍の電圧において、発光素子１３００は１万（ｃｄ／ｍ２）程度の輝度で発光するが、発光素子１４００は２（ｃｄ／ｍ２）で発光する。このように、一対の電極間にＥＬ層を一つ設けた発光素子と、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の印加電圧−発光輝度特性には、極端な違いが認められる。
【００４４】
なお、発光素子１３００の発光開始電圧Ｅ０の２倍の電圧を発光素子１４００に印加した際に流れる電流は、発光開始電圧Ｅ０を発光素子１３００に印加した際に流れる電流とほぼ同じである。従って、発光素子１４００は発光素子１３００に比べ、発光の電流効率を約２倍にする効果を有している。
【００４５】
次に、電荷発生層によって仕切られた２つのＥＬ層のうち一方が導電性の異物を含んでいる発光素子について、図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）を用いて説明する。
【００４６】
発光素子１２００は、第１のＥＬ層１２０３ａ、第２のＥＬ層１２０３ｂ、電荷発生層１２０４、第１の電極１２０１及び第２の電極１２０２と導電性の異物１２０６を有しており、発光素子１１００と同じ構成で作製したが、導電性の異物１２０６が混入してしまった異常な素子である。なお、導電性の異物１２０６が混入した状態の発生頻度は低く、例えば図２（Ｃ）のごとく正常な部位に潜在的な欠陥が点在している。
【００４７】
正常な発光素子１１００に電流Ｉ（Ａ）を流す場合、第１の領域１１００ａには電流Ｉ（Ａ）を流す電圧Ｅ１（Ｖ）が印加されており、第２の領域１１００ｂには電流Ｉ（Ａ）を流す電圧Ｅ２（Ｖ）が印加されている。従って、発光素子１１００の第１の電極と第２の電極間にはおよそＥ１（Ｖ）＋Ｅ２（Ｖ）＝Ｅ３（Ｖ）の電圧が印加されている。なお、発光素子１２００の各ＥＬ層が可視光を発する場合、Ｅ１（Ｖ）及びＥ２（Ｖ）はそれぞれおよそ２（Ｖ）以上であって、Ｅ３（Ｖ）はその和より大きい。
【００４８】
一方、導電性の異物１２０６を含んだ発光素子１２００の場合、導電性の異物１２０６が電荷発生層１２０４と第１の電極１２０１を短絡し、導電性の異物１２０６近傍の電荷発生層１２０４は第１の電極１２０１とおよそ同電位になる。
【００４９】
例えば発光素子１２００にＥ３（Ｖ）の電圧を印加した場合、正常な領域の第２のＥＬ層１２０３ｂに印加される電圧はＥ２（Ｖ）になる。しかし、導電性の異物１２０６近傍の電荷発生層１２０４と第２の電極１２０２の間の第２のＥＬ層１２０３ｂを含む領域１２００ｃに印加される電圧Ｅ４（Ｖ）は、およそＥ２（Ｖ）よりＥ１（Ｖ）大きいＥ３（Ｖ）になる。なお、領域１２００ａが可視光を発する構成の場合、Ｅ１（Ｖ）はおよそ２（Ｖ）以上である。
【００５０】
このように、領域１２００ｃの第２のＥＬ層１２０３ｂは、周囲よりおよそ２（Ｖ）以上高い電圧が加わるため、極めて強く発光する。従って、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子において周囲より極めて強く発光する部位を検出すれば、当該発光素子の短絡に至っていない潜在的な欠陥の位置を特定できる。
【００５１】
また、発光素子１２００に、０（Ｖ）から発光素子１２００の正常な部分の発光開始電圧までの電圧を掃引して異常発光部位を検出する方法が特に有効である。
【００５２】
発光素子１２００への印加電圧が発光開始電圧に達しないとき、発光素子の正常な部分の発光輝度は１（ｃｄ／ｍ２）に満たない。しかし、領域１２００ｃの第２のＥＬ層１２０３ｂには、導電性の異物１２０６が短絡しているＥＬ層でおこる電圧降下に相当する分だけ高い電圧が印加される。その結果、輝度１（ｃｄ／ｍ２）に満たない発光状態の正常な領域を背景に、輝度１（ｃｄ／ｍ２）を大幅に越える輝度、例えば１万（ｃｄ／ｍ２）程度の輝度、で強く発光する部位が点在することになる。
【００５３】
このように、周囲に比べて極めて明るく光る場所を検出することによって、潜在的な欠陥を有する部位を特定すればよい。
【００５４】
具体的には、正常な発光素子の発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）を調べ、検査する発光素子に発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）未満の第１の電圧を印加する第１のステップと、１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で異常発光する部位を発光素子の光取り出し面に検出する第２のステップと、検出した異常発光する部位の座標を特定する第３のステップと、１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光している場所を検出できなかった場合に、第１の電圧より高い電圧であって、発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）未満の第２の電圧を設定する第４のステップを順次実行し、第１のステップから第４のステップまでを繰り返すことにより、潜在的な欠陥を有する部位を特定すればよい。
【００５５】
以上の通り、正常な発光素子の発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）未満の電圧を被検査発光素子に印加し、１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光する場所を検出することにより、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子が有する、短絡に至っていない潜在的な欠陥を検出することができる。
【００５６】
（実施の形態２）
本実施の形態では発光素子の潜在的な欠陥の検出方法及び絶縁化方法を発光素子の作製装置と共に説明する。
【００５７】
本実施の形態で例示する発光素子の作製装置の側面図を図４に示す。発光素子の作製装置５００は、検査対象である発光素子５６０を固定及び移動する試料台５１０と、発光素子５６０の映像を捉える検出系５２０と、潜在的な欠陥５６１を修正する照射系５３０と、発光素子５６０の光学像を検出系５２０に送る第１の光学系５４１と、照射系５３０からの放射光を潜在的な欠陥５６１に送る第２の光学系５４２と、放射光また詳細な光学像を送り結像する第３の光学系５４３と、制御系５５０を有する。また、本実施の形態では検査対象である発光素子５６０を駆動する駆動装置５７１および外部電源５７２も用いる。
【００５８】
発光素子５６０は一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子である。なお、本実施の形態において説明する電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を有する発光素子５６０は潜在的な欠陥を有している。
【００５９】
発光素子５６０は発光の取り出し面を第３の光学系５４３に向けて試料台５１０の支持機構５１１に固定されている。また、発光素子５６０は発光素子を駆動する駆動装置５７１と接続され、端子部５６５と駆動装置５７１を介して外部電源５７２と接続されている。なお、駆動装置５７１は制御系５５０と接続されている。
【００６０】
試料台５１０のＸ−Ｙ面は図４の紙面に対し垂直に広がり、図４に示す矢印ＺはＸ−Ｙ面に垂直なＺ軸を表す。試料台５１０は、検査対象である発光素子５６０を固定し保持する支持機構５１１と、試料台をＸ−Ｙ面内及びＸ−Ｙ面に対して垂直なＺ軸方向に制御して移動可能な移動機構５１２を有する。また、移動機構５１２は制御系５５０と接続されている。移動機構５１２は試料台を１０μｍより細かく、好ましくは２μｍから０．１μｍの分解能で移動が可能であるものを用いる。なお、移動機構５１２は試料台をＸ−Ｙ面内の回転や、Ｘ−Ｙ面に対し試料を傾斜する機構を有していても良い。
【００６１】
検出系５２０は、撮像装置５２１を有する。撮像装置５２１は第１の光学系５４１及び第３の光学系５４３を介して、発光素子５６０の映像を捉える。また、撮像装置５２１は制御系５５０と接続されている。
【００６２】
検出系５２０は、発光素子５６０が発する光のうち少なくとも１（ｃｄ／ｍ２）以上の発光を第１の光学系５４１及び第３の光学系５４３を介して検出できればよい。従って、高感度なＣＣＤカメラである必要はなく、比較的安価なＣＣＤカメラであっても撮像装置５２１に利用できる。
【００６３】
照射系５３０は、レーザ装置５３１を有する。レーザ装置５３１は第２の光学系５４２及び第３の光学系５４３を介して、発光素子５６０にレーザ光を照射する。また、レーザ装置５３１は制御系５５０と接続されている。
【００６４】
また、照射系５３０は好ましくはレーザ装置５３１が照射するレーザ光の照射位置を指し示すガイド光源を有している。ガイド光源は撮像装置５２１で照射位置を確認できるが、レーザ光に比べて充分に強度が弱く、発光素子に照射しても発光素子に損傷を与えることはない。
【００６５】
本実施の形態で用いるレーザ装置５３１は、発光素子の支持体もしくは封止膜または封止基板に吸収されない波長のレーザ光を選択して用いる。例えば、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、上記固体レーザから発振される第２高調波や第３高調波、さらに高次の高調波を用いることもできる。なお、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、レーザ光の出力が比較的に安定している利点を有している。また、ナノ秒、ピコ秒、フェムト秒等の短時間のパルスレーザが本工程に適している。短時間のパルスレーザを用いると、多光子吸収現象を引き起こす高密度のエネルギーを発光素子の異常発光する部位に与えることができる。
【００６６】
第１の光学系５４１は検出系５２０の撮像装置５２１と接続され、第２の光学系５４２は照射系５３０のレーザ装置５３１と接続されている。また、第１の光学系５４１は第１のシャッター５４１ｓを有し、第２の光学系５４２は第２のシャッター５４２ｓを有する。第１のシャッター５４１ｓと第２のシャッター５４２ｓは共に制御系５５０に接続されている。
【００６７】
第３の光学系５４３は第１の光学系５４１と第２の光学系５４２に接続され、例えばハーフミラー５４５や集光レンズ等の光学素子を有している。また、交換可能であって倍率が異なる集光レンズを有していても良い。なお、ハーフミラー５４５を用いて検出系５２０と照射系５３０の光軸を一致させる方法は、装置の小型化が容易なため好ましい。
【００６８】
制御系５５０は制御装置５５１と表示装置５５２を有する。制御装置５５１は移動機構５１２と、撮像装置５２１と、レーザ装置５３１と、第１のシャッター５４１ｓ及び第２のシャッター５４２ｓと、駆動装置５７１と、表示装置５５２と少なくとも接続されている。
【００６９】
また、制御装置５５１は画像解析装置を兼ねる。
【００７０】
次に、本実施の形態で例示する発光素子の作製装置５００の動作の一例を説明する。
【００７１】
本実施の形態の潜在的な欠陥の検出方法の一例を図５に示す。本実施の形態の潜在的な欠陥の検出方法は、検査対象となる発光素子を試料台に固定し、光学系を調整して撮影に備える第１のステップと、発光素子に試験電圧を印加する第２のステップと、発光素子の映像データを取り込む第３のステップと、映像データを解析し１（ｃｄ／ｍ２）より高い輝度で発光している部分を検出して発光素子上の位置を特定する第４ステップと、発光素子への印加電圧と１（ｃｄ／ｍ２）より高い輝度で発光している部分の位置情報を記録する第５のステップからなる。
【００７２】
第１のステップでは、検査対象となる発光素子５６０を試料台５１０に固定し、移動機構５１２、第１の光学系５４１及び第３の光学系５４３を調整し、発光素子５６０の映像を検出系５２０で捉える。この時、好ましくは発光素子５６０の発光の取り出し面の全体を捉えるように、第１の光学系５４１及び第３の光学系５４３を調整する。発光素子５６０の広い範囲を検査することで、検査時間を短縮できる。
【００７３】
第２のステップでは、制御装置５５１を用いて駆動装置５７１から発光素子５６０の第１の電極と第２の電極に第１の試験電圧Ｅｄ１（Ｖ）を順方向に印加する。
【００７４】
第１の試験電圧Ｅｄ１（Ｖ）は発光素子５６０の正常な部位の発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）未満とする。例えば、発光素子５６０が電荷発生層によって仕切られたｎ層のＥＬ層を有する場合、発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）をｎ以上分割した電圧を第１の試験電圧Ｅｄ１（Ｖ）としてもよい。
【００７５】
本実施の形態では、例えば、発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）を５分割して第１の試験電圧Ｅｄ１（Ｖ）＝Ｅ０／５（Ｖ）とし、第２の試験電圧Ｅｄ２（Ｖ）をＥ０×２／５（Ｖ）とし、第３の試験電圧Ｅｄ３（Ｖ）をＥ０×３／５（Ｖ）とし、第４の試験電圧Ｅｄ４（Ｖ）をＥ０×４／５（Ｖ）とし、第５の試験電圧Ｅｄ５（Ｖ）をＥ０（Ｖ）とした。このように、発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）までの電圧を発光素子５６０に段階的に印加することで、潜在的な欠陥に過剰な電流を流して発光素子５６０を破壊する事故を避けることができる。
【００７６】
また、積層した各ＥＬ層の発光開始電圧が判っている場合は、各ＥＬ層の発光開始電圧に相当する電圧を低い順に印加し、続いて、複数のＥＬ層の発光開始電圧を組み合わせた合計の小さい順に電圧を印加してもよい。このようにすることで、潜在的な欠陥に過剰な電流を流して発光素子５６０を破壊することなく、短時間に異常発光の有無を検査できる。
【００７７】
第３のステップでは、発光素子５６０に第１の試験電圧Ｅｄ１（Ｖ）を印加した状態で、発光素子５６０の映像を制御装置５５１に取り込む。具体的には、第２のシャッター５４２ｓを閉鎖し、第１のシャッター５４１ｓを開放する。撮像装置５２１は第３の光学系５４３と第１の光学系５４１を介して、発光素子５６０の映像を画像信号に変換し、制御装置５５１に出力する。
【００７８】
輝度１（ｃｄ／ｍ２）に満たない発光状態の正常な領域を背景に、輝度１（ｃｄ／ｍ２）以上、もしくは大幅に越える輝度で発光するため異常発光する部位は検出が容易である。従って、広い領域を観察して、異常発光する部位の位置を概略特定することが可能であり、効率よく検査できる。例えば、１ピクセル当たり１０μｍ以上１ｍｍ程度の解像度で観察すればよい。
【００７９】
第４のステップでは、制御装置５５１が画像信号を解析して、１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で異常発光する部位を検出する。また、制御装置５５１は映像上の位置情報を移動機構５１２の座標情報と重ね合わせて、試料台５１０上の位置情報を算出する。
【００８０】
第５のステップでは、印加している第１の試験電圧Ｅｄ１（Ｖ）と、異常発光する部位の位置情報を共に記録する。なお、映像、輝度及び色度を記録しても良い。
【００８１】
以上の５つのステップを終えた後、第２のステップに戻り、発光素子５６０に印加する電圧を第２の試験電圧Ｅｄ２（Ｖ）に変更する。以後、駆動電圧をＥｄ１（Ｖ）からＥｄ５（Ｖ）まで階段状に高めながら、ステップ２からステップ５を繰り返し、発光開始電圧未満で異常発光する部位の位置情報を記録する。このようにして記録した、試験電圧と異常発光する部位５６２ａ乃至５６２ｅの位置情報を図５（Ｂ）に模式的に示す。
【００８２】
また、第１のステップにて、発光素子５６０の全景を捉えるように第１の光学系５４１及び第３の光学系５４３を調整したが、発光素子５６０の光取り出し面を幾つかの領域に分割して潜在的な欠陥を検出してもよい。幾つかの領域に分割することで、小型の装置を用いて大型の発光素子を検査できるため、検査装置のコストを抑制できる。また、幾つかの領域に分割すれば、倍率を高めて映像を撮影できるため、解像度が高まり微小な異常発光を捉えることができる。
【００８３】
本実施の形態の潜在的な欠陥の絶縁化工程を図６に示す。潜在的な欠陥の絶縁化工程は異常発光部位の検出工程に引き続いて行うことが好ましい。引き続き行うことで、異常発光部位の位置情報を精度良く利用できる。
【００８４】
異常発光部位の検査工程で得た位置情報とそれに対応する試験電圧から、異常発光する部位を修正する順番を決める。本実施の形態では、試験電圧の低い条件で検出した異常発光する部位から修正するが、互いに近い距離にある異常発光する部位を選んで順番に修正してもよい。
【００８５】
第６のステップ乃至第８のステップでは、検査工程で得た異常発光の位置情報に基づいて、移動機構５１２を用いて発光素子５６０の異常発光する部位をレーザの照射位置に正確に移動する。
【００８６】
第３のステップでは、検査の効率を高めるために広い領域を観察して、異常発光する部位の位置を概略特定したに過ぎない。そのため、第６のステップでは異常発光する部位をレーザの照射位置におよそ移動したのち、解像度を高めて異常発光する部位を観察して、正確にレーザの照射位置に合わせる必要がある。具体的には、第３の光学系の倍率を変更して異常発光する部位の位置を精度良く特定する。例えば、１ピクセル当たり０．１μｍ程度にする。
【００８７】
例えば、図５（Ｂ）に示す異常発光する部位５６２ａを絶縁化する場合、異常発光する部位５６２ａをレーザの照射位置におよそ移動する。次に、第３の光学系５４３の倍率を変更して解像度を高める。
【００８８】
第７のステップでは、発光素子５６０に異常発光する部位５６２ａを観測した試験電圧Ｅｄ２（Ｖ）以下の電圧を印加して、異常発光を観測する。撮像装置５２１は発光素子５６０の映像を第３の光学系５４３と第１の光学系５４１を介して捉え、画像信号に変換して制御装置５５１に出力する。
【００８９】
第８のステップでは、第１のシャッター５４１ｓと第２のシャッター５４２ｓを開放し、照射系５３０が有するガイド光源からのガイド光を用いてレーザ装置５３１が照射するレーザ光の照射位置を指し示す。制御系５５０は移動機構５１２を用いて試料台５１０を移動し、異常発光する部位とレーザ光の照射位置を一致させる。このステップを経て、発光素子５６０の異常発光する部位をレーザの照射位置に正確に移動できる。
【００９０】
第９のステップでは、撮像装置５２１にレーザ光の迷光が入射しないように第１のシャッター５４１ｓを閉鎖する。次いで、レーザ装置５３１から第２の光学系５４２及び第３の光学系５４３を介して、異常発光する部位にレーザ光を照射する。なお、このステップでは発光素子５６０への試験電圧の印加をやめても良い。
【００９１】
第３の光学系５４３を用いて集光したレーザ光は高いエネルギー密度を有する。レーザ光が照射される微小な領域は高温になり、潜在的な欠陥５６１の近傍は絶縁化される。
【００９２】
第１０のステップでは試験電圧を印加し、異常発光する部位５６２ａが消失していることを第１１のステップで確認する。具体的には第２のシャッター５４２ｓを閉鎖し、第１のシャッター５４１ｓを開放し、発光素子５６０に試験電圧Ｅｄ２（Ｖ）を印加して、異常発光する部位５６２ａが消失していることを撮像して確認する。
【００９３】
異常発光する部位５６２ａが消失していない場合は、異常発光する部位の位置情報を再度収集し、第８のステップに戻って、レーザを再照射すればよい。
【００９４】
異常発光する部位５６２ａが消失している場合は、制御系５５０は異常発光する部位の情報に、異常発光する部位５６２ａが消失した旨の情報を第１２のステップで書き込む。次いで、第６のステップに戻って異常発光する部位の情報を参照して、次の異常発光する部位の修正に取りかかる。
【００９５】
以上、第１のステップから第５のステップで検出した潜在的な欠陥を、第６のステップから第１２のステップを繰り返して絶縁化する。また、制御装置５５１を用いて第１のステップから第１２のステップまで、検出及び修正を自動的に進めても良いし、途中でオペレーターが状況を判断して検出及び修正を半自動的に進めてもよい。
【００９６】
本実施の形態によれば正常な発光素子の発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）未満の電圧を被検査発光素子に印加し、１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光する場所を検出することにより、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子が有する、短絡に至っていない潜在的な欠陥を検出することができる。
【００９７】
また、輝度１（ｃｄ／ｍ２）に満たない発光状態の正常な領域を背景に、輝度１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で強く発光する異常発光部位を検出するため、高感度なＣＣＤカメラ等を必要とせず、装置を安価に作製できる。
【００９８】
また、異常発光部位に１（ｃｄ／ｍ２）以上の強さの輝度があるため、異常発光する部位を広い観察範囲から検出できる。このように観察範囲が広いため、検査時間を短縮できる。
【００９９】
また、本実施の形態によれば、成膜中に付着した絶縁性の異物の周囲に、膜厚が局部的に薄くなるような欠陥についても、輝度分布に異常が認められれば検出して、絶縁化できる。
【０１００】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１０１】
また、本実施の形態は、従来の方法と組み合わせて実施してもよい。具体的には、発光素子に逆バイアスを加えて短絡部位に電流を流し、エミッション顕微鏡を用いて発光素子を観察し、短絡部の位置を特定してもよい。なお、エミッション顕微鏡は、電流が流れた際に生じる光子の数を測定できる装置であり、顕在化している欠陥では多くの光子が検出される。多くの光子が検出される顕在化している欠陥に、レーザ光を照射し欠陥を絶縁化した後、本実施の形態に従って、潜在的な欠陥を検出すればよい。
【０１０２】
また、検査対象である発光素子は、一対の電極間に電荷発生層に仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子ひとつであっても良いし、複数の発光素子を線状や行列状に配置した発光装置を検査対象としてもよい。また、発光素子と駆動回路を同一基板上に搭載した発光装置であってもよい。
【０１０３】
また、第３の光学系５４３を用いず、第１の光学系５４１から直接観察し、第２の光学系５４２から直接レーザ光を照射してもよい。また、検出系５２０及び照射系５３０と発光素子５６０の相対的な位置を変える方法としては、発光素子５６０を支持している試料台５１０を移動する方法の他、第１の光学系５４１及び第２の光学系５４２を移動する方法であっても良く、例えば第１の光学系５４１及び第２の光学系５４２に角度可変な反射鏡を設ける方法でも良い。
【０１０４】
（実施の形態３）
本実施の形態では、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の一態様について詳細に説明する。次に、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた３つの異なる発光色のＥＬ層を設けた発光素子について説明し、その発光素子の潜在的な欠陥を検出し、修正する方法を説明する。
【０１０５】
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子について、図１（Ａ）を用いて説明する。当該発光素子は、第１の電極１００１と第２の電極１００２を有し、両電極間にｎ（ｎは２以上の自然数）層のＥＬ層１００３を有し、ｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目のＥＬ層と（ｍ＋１）番目のＥＬ層との間に、それぞれ電荷発生層１００４を有する。
【０１０６】
電荷発生層１００４は、有機化合物と金属酸化物の複合材料、金属酸化物、有機化合物とアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物との複合材料の他、これらを適宜組み合わせて形成することができる。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、例えば、有機化合物とＶ２Ｏ５やＭｏＯ３やＷＯ３等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
【０１０７】
なお、電荷発生層を一対の電極間を仕切って複数のＥＬ層を設けることで、発光素子の低電流駆動が可能になるだけでなく、電荷発生層１００４に用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、電荷発生層１００４を設けることによる駆動電圧の上昇を抑制して、発光素子を低電圧駆動することができる。
【０１０８】
電荷発生層１００４は、第１の電極１００１と第２の電極１００２に電圧を印加したときに、電荷発生層１００４に接して形成される一方のＥＬ層１００３に対して正孔を注入する機能を有し、他方のＥＬ層１００３に電子を注入する機能を有する。例えば、第１の電極１００１が陽極であって、第２の電極１００２が陰極である積層型素子において、電荷発生層１００４の陰極側の面に接するＥＬ層１００３に電荷発生層１００４は正孔を注入し、電荷発生層１００４の陽極側の面に接するＥＬ層１００３に電荷発生層１００４は電子を注入する。
【０１０９】
ＥＬ層１００３の構成について図１（Ｂ）を用いて説明する。ＥＬ層１００３は、少なくとも発光層１０１３を含んで形成されていればよく、発光層１０１３以外の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層１０１３以外の機能層としては、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いることができる。具体的には、発光層１０１３から陽極側に正孔輸送層１０１２及び正孔注入層１０１１等の機能層を、発光層１０１３から陰極側に電子輸送層１０１４及び電子注入層１０１５等の機能層を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１１０】
以下に、ＥＬ層１００３が正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含んで構成される場合の各層を構成する物質の具体例を示す。
【０１１１】
正孔注入層は、正孔注入性物質を含む層である。当該正孔注入性物質としては、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ルテニウム、酸化タングステン、酸化マンガン等が挙げられる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）及び銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、並びにＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（略称）等の高分子等を正孔注入性物質として用いることもできる。
【０１１２】
正孔輸送層は、正孔輸送性物質を含む層である、当該正孔輸送性物質としては、ＮＰＢ（略称）、ＴＰＤ（略称）、ＴＣＴＡ（略称）、ＴＤＡＴＡ（略称）、ＭＴＤＡＴＡ（略称）、及び４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等の芳香族アミン化合物、並びにＰＣｚＰＣＡ１（略称）、ＰＣｚＰＣＡ２（略称）、ＰＣｚＰＣＮ１（略称）、ＣＢＰ（略称）、ＴＣＰＢ（略称）、及びＣｚＰＡ（略称）のカルバゾール誘導体が挙げられる。また、ＰＶＫ（略称）、ＰＶＴＰＡ（略称）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）を当該正孔輸送性物質として適用することも可能である。ここに述べた物質は、主に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。また、正孔輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層を二層以上積層したものを用いてもよい。
【０１１３】
発光層は、発光物質を含む層である。当該発光物質としては、以下に示す蛍光性化合物及び燐光性化合物を適用することが可能である。
【０１１４】
当該蛍光性化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。
【０１１５】
当該燐光性化合物としては、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−（パーフルオロフェニルフェニル））ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））などが挙げられる。
【０１１６】
なお、発光層は、ホスト材料にこれらの発光物質を分散させた構造とすることが好ましい。ホスト材料としては、ＮＰＢ（略称）、ＴＰＤ（略称）、ＴＣＴＡ（略称）、ＴＤＡＴＡ（略称）、ＭＴＤＡＴＡ（略称）、ＢＳＰＢ（略称）などの芳香族アミン化合物、ＰＣｚＰＣＡ１（略称）、ＰＣｚＰＣＡ２（略称）、ＰＣｚＰＣＮ１（略称）、ＣＢＰ（略称）、ＴＣＰＢ（略称）、ＣｚＰＡ（略称）などのカルバゾール誘導体、及びＰＶＫ（略称）、ＰＶＴＰＡ（略称）、ＰＴＰＤＭＡ（略称）、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ（略称）などの高分子化合物を含む正孔輸送性物質、並びにトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、及びポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）などを含む電子輸送性物質が挙げられる。
【０１１７】
電子輸送層は、電子輸送性物質を含む層である。当該電子輸送性物質としては、Ａｌｑ（略称）、Ａｌｍｑ３（略称）、ＢｅＢｑ２（略称）、及びＢＡｌｑ（略称）などのキノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、並びにＺｎ（ＢＯＸ）２（略称）及びＺｎ（ＢＴＺ）２（略称）などのオキサゾール系又はチアゾール系配位子を有する金属錯体などが挙げられる。また、金属錯体以外にも、ＰＢＤ（略称）、ＯＸＤ−７（略称）、ＣＯ１１（略称）、ＴＡＺ（略称）、ＢＰｈｅｎ（略称）、ＢＣＰ（略称）、ＰＦ−Ｐｙ（略称）、ＰＦ−ＢＰｙ（略称）などを当該電子輸送性物質として適用することも可能である。ここに述べた物質は、主に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層を二層以上積層したものを用いてもよい。
【０１１８】
電子注入層は、電子注入性物質を含む層である。電子注入性物質としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物が挙げられる。また、電子輸送性物質中にアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はこれらの化合物を含有させたもの（例えば、Ａｌｑ（略称）中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等）を当該電子注入性物質として適用することも可能である。この様な構造とすることにより、陰極からの電子注入効率をより高めることができる。
【０１１９】
またＥＬ層と陽極又は陰極との間に電荷発生層を設けることもできる。ＥＬ層と陽極又は陰極との間に電荷発生層を設ける場合、電荷発生層は、正孔輸送性物質と、アクセプター性物質とを含む層とする。なお、電荷発生層は、同一膜中に正孔輸送性物質と、アクセプター性物質とを含有する場合だけでなく、正孔輸送性物質を含む層と、アクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。ただし、積層構造の場合には、アクセプター性物質を含む層が、陽極又は陰極と接する構造とする。
【０１２０】
ＥＬ層と陽極又は陰極との間に電荷発生層を設けることにより、電極を形成する物質の仕事関数を考慮せずに陽極又は陰極を形成することが可能になる。なお、ＥＬ層に設けられる電荷発生層は、上述の電荷発生層と同様の構成及び物質を適用することが可能である。そのため、ここでは前述の説明を援用することとする。
【０１２１】
なお、これらの層を適宜組み合わせて積層することにより、ＥＬ層を形成することができる。また、ＥＬ層の形成方法としては、用いる材料に応じて種々の方法（例えば、乾式法や湿式法等）を適宜選択することができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法、又はスピンコート法などを用いることができる。また、各層で異なる方法を用いて形成してもよい。
【０１２２】
支持体１０００上に形成する第１の電極１００１については特に限定はないが、陽極として利用する場合は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
【０１２３】
これらの材料は、通常スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットにより成膜できる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットにより成膜できる。その他、ゾル−ゲル法などを応用して、インクジェット法、スピンコート法などにより膜を形成してもよい。
【０１２４】
なお、陽極として機能する第１の電極１００１上に形成するＥＬ層１００３のうち、第１の電極１００１に接する層に、前述の複合材料を含む層を用いる場合には、第１の電極１００１に用いる物質は、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムを含む合金（ＡｌＳｉ）等も用いることができる。
【０１２５】
また、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。
【０１２６】
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて第１の電極１００１を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
【０１２７】
第１の電極１００１上に形成するＥＬ層１００３には、公知の物質を用いることができ、低分子系化合物および高分子系化合物のいずれも用いることができる。
【０１２８】
第２の電極１００２についても特に限定はないが、陰極として機能する際は、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。
【０１２９】
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて第２の電極１００２を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
【０１３０】
なお、前述の電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を用いて第２の電極１００２を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
【０１３１】
支持体１０００は、発光素子の支持体として用いられる。例えばガラス、石英、プラスチックなどを用いることができる。なお、支持体１０００側から発光素子の光を取り出す場合は、可視光に対する透光性を有する材料を支持体に用いる。
【０１３２】
ガラス基板の具体例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、若しくはアルミノシリケートガラスなど、フュージョン法やフロート法で作製される無アルカリガラス基板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板等を用いることができる。例えば、成分比としてホウ酸（Ｂ２Ｏ３）よりも酸化バリウム（ＢａＯ）を多く含み、歪み点が７３０℃以上のガラス基板を用いると好ましい。酸化物半導体層を７００℃程度の高温で熱処理する場合でも、ガラス基板が歪まないで済むからである。
【０１３３】
支持体１０００がマザーガラスの場合、基板の大きさは、第１世代（３２０ｍｍ×４００ｍｍ）、第２世代（４００ｍｍ×５００ｍｍ）、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、または７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１０００ｍｍ×１２００ｍｍ、または１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ）、第６世代（１５００ｍｍ×１８００ｍｍ）、第７世代（１９００ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、または２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等とすることができる。
【０１３４】
また、ステンレス合金などの金属基板の表面に絶縁膜を設けた基板を適用しても良い。また、プラスチック基板は軽量である、可撓性を有している、可視光を透過する等、発光素子の基板として魅力的な特徴を有する。また、プラスチック基板に防湿性を有する層を成膜もしくは貼り付け、発光素子を水などの不純物から保護できる基板を用いてもよい。
【０１３５】
また、支持体１０００上に下地膜として絶縁膜を形成してもよい。下地膜としては、ＰＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜の単層、又は積層で形成すればよい。また、発光装置の駆動回路などが別途作製された支持体１０００を用い、駆動回路に電気的に接続した第１の電極にＥＬ層を形成してもよい。
【０１３６】
本実施の形態の発光素子は、第１の電極１００１と第２の電極１００２に与えた電位差により電流が流れ、ＥＬ層１００３にて正孔と電子が再結合して発光に至る。この光を発光素子の外部に取り出すには、透光性を有する導電膜で第１の電極１００１または第２の電極１００２のいずれか一方、または両方を形成すればよい。
【０１３７】
なお、第１の電極１００１のみが透光性を有する電極である場合には、ＥＬ層１００３で生じた発光は第１の電極１００１を通って支持体１０００側から取り出される。また、第２の電極１００２のみが透光性を有する電極である場合には、ＥＬ層１００３で生じた発光は第２の電極１００２を通って支持体１０００と逆側から取り出される。さらに、第１の電極１００１および第２の電極１００２がいずれも透光性を有する電極である場合には、ＥＬ層１００３で生じた発光は第１の電極１００１および第２の電極１００２を通って、支持体１０００側および支持体１０００と逆側の両方から取り出される。
【０１３８】
次に、一対の電極間に２つの電荷発生層によって仕切られた３つの異なる発光色のＥＬ層を設けた発光素子を図７に例示する。
【０１３９】
発光素子１５００ａは、可視光を透過する支持体１０００上に、可視光を透過する第１の電極１５０１と第２の電極１５０２の間に、２つの電荷発生層１５０４に仕切られた３つのＥＬ層１５０３Ｒ、１５０３Ｇ及び１５０３Ｂを有しており、各層は前述の材料を用いて形成できる。
【０１４０】
また、発光素子１５００ｂは、支持体１０００上に、第１の電極１５０１と可視光を透過する第２の電極１５０２の間に、２つの電荷発生層１５０４に仕切られた３つのＥＬ層１５０３Ｒ、１５０３Ｇ及び１５０３Ｂを有しており、各層は前述の材料を用いて形成できる。また、第２の電極１５０２上に可視光を透過する封止膜１５０９を形成してある。
【０１４１】
発光素子の光を取り出す側から、潜在的な欠陥を検出し、レーザ光を照射して絶縁化する方法が、発光装置の構造が簡便であり好ましい。従って、発光素子１５００ａは支持体１０００側から潜在的な欠陥の検出及び絶縁化を行い、発光素子１５００ｂは封止膜１５０９と第２の電極１５０２を通して潜在的な欠陥の検出及び絶縁化を行う。
【０１４２】
第１のＥＬ層１５０３Ｒは赤色の光を発する発光層を有し、第２のＥＬ層１５０３Ｇは緑色の光を発する発光層を有し、第３のＥＬ層１５０３Ｂは青色の光を発する発光層を有する。このような発光素子１５００ａ及び発光素子１５００ｂは、発光素子全体としては白色光を発する。なお、各ＥＬ層の発光色及び積層の順番はこの例に限らない。
【０１４３】
このように異なる波長の光を発するＥＬ層を積層すると、多様な波長の光を発する発光素子を形成できる。例えば、可視光領域の多様な波長の光を発する発光素子は演色性に優れており、照明用途に好適である。
【０１４４】
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数の異なる発光色のＥＬ層を設けた発光素子では、導電性の異物が混入した部位は輝度だけでなく色度も変化する。
【０１４５】
発光素子１５００ａ及び１５００ｂにおいて、第１のＥＬ層１５０３Ｒに導電性の異物が混入した場合は、第１のＥＬ層１５０３Ｒからの発光が損なわれるため緑色光と青色光の成分からなる強い発光が得られる。また、第２のＥＬ層１５０３Ｇに導電性の異物が混入した場合は、第２のＥＬ層１５０３Ｇからの発光が損なわれるため赤色光と青色光の成分からなる強い発光が得られる。また、第３のＥＬ層１５０３Ｂに導電性の異物が混入した場合は、第３のＥＬ層１５０３Ｂからの発光が損なわれるため赤色光と緑色光の成分からなる強い発光が得られる。
【０１４６】
また、第１のＥＬ層１５０３Ｒと第２のＥＬ層１５０３Ｇに渡って導電性の異物が混入した場合は、青色光の成分からなる強い発光が得られる。また、第２のＥＬ層１５０３Ｇと第３のＥＬ層１５０３Ｂに渡って導電性の異物が混入した場合は、赤色光の成分からなる強い発光が得られる。
【０１４７】
このように、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数の異なる発光色のＥＬ層を設けた発光素子の場合、導電性の異物が混入した潜在的な欠陥は輝度だけでなく色度も変化する。従って、発光素子の光取り出し面の実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上に発光する電圧を発光素子の順方向に印加し、色度分布の観測手段を用いて発光素子の光取り出し面を測定し、色度が異なる異常発光部位を検出すれば、導電性の異物が混入した潜在的な欠陥を検出できる。
【０１４８】
色度分布の観測手段としては、カラーＣＣＤカメラなどを用いることができる。
【０１４９】
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数の異なる発光色のＥＬ層を設けた発光素子の潜在的な欠陥は、輝度または色度の違う異常発光部位として検出できる。
【０１５０】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができることとする。
【０１５１】
（実施の形態４）
本実施の形態では表示装置の潜在的な欠陥を検出し、修正する方法について説明する。検査対象とする発光装置について図８及び図９を用いて説明する。
【０１５２】
まず、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置について説明する。図８（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された４０１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、４０２は画素部、４０３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。また、４０４は封止基板、４０５はシール材であり、シール材４０５で囲まれた内側は、空間４０７になっている。
【０１５３】
なお、引き回し配線４０８はソース側駆動回路４０１及びゲート側駆動回路４０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）４０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１５４】
次に、断面構造について図８（Ｂ）を用いて説明する。基板４１０上には駆動回路部及び複数の画素を有する画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路４０１と画素部４０２に複数形成された画素のうち一つの画素が示されている。
【０１５５】
なお、ソース側駆動回路４０１はｎチャネル型ＴＦＴ４２３とｐチャネル型ＴＦＴ４２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路は、ＴＦＴで形成される種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０１５６】
また、画素部４０２はスイッチング用ＴＦＴ４１１と、電流制御用ＴＦＴ４１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極４１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極４１３の端部を覆って絶縁物４１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
【０１５７】
また、カバレッジを良好なものとするため、絶縁物４１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物４１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物４１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物４１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【０１５８】
第１の電極４１３上には、発光物質を含む層４１６、および第２の電極４１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極４１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、または珪素を含有したインジウムスズ酸化物膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
【０１５９】
第１の電極４１３と第２の電極４１７の間には、電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を実施の形態３と同様に形成する。また、ＥＬ層に用いる材料としては、通常、有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、有機化合物からなる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めることとする。
【０１６０】
また、発光物質を含む層４１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法により形成できる。
【０１６１】
さらに、発光物質を含む層４１６上に形成される第２の電極４１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金や化合物、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、または窒化カルシウム）が好ましい。なお、発光物質を含む層４１６で生じた光が陰極として機能する第２の電極４１７を透過させる場合には、第２の電極４１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。
【０１６２】
さらにシール材４０５で封止基板４０４を基板４１０と貼り合わせることにより、基板４１０、封止基板４０４、およびシール材４０５で囲まれた空間４０７に発光素子４１８が備えられた構造になっている。なお、空間４０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材４０５で充填される構成も含むものとする。
【０１６３】
なお、シール材４０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板４０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル樹脂等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１６４】
以上のようにして作製した、電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の潜在的な欠陥は、実施の形態２で例示した方法および装置を用いて、検出および修正することができる。
【０１６５】
本発明の一態様によれば、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子が有する、短絡に至っていない潜在的な欠陥を検出できる。また、当該潜在的な欠陥を絶縁化して潜在的な欠陥が修復された発光装置を提供できる。
【０１６６】
次に、パッシブマトリクス型の画像表示装置について説明する。図９には本発明の一態様を適用して作製したパッシブマトリクス型の画像表示装置を示す。なお、図９（Ａ）は、パッシブマトリクス型の画像表示装置を示す斜視図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）をＸ−Ｙで切断した断面図である。図９において、基板９５１上には、第１の電極９５２と第２の電極９５６と、それらの間に発光物質を含む層９５５とが設けられている。第１の電極９５２の端部は絶縁層９５３で覆われている。そして、絶縁層９５３上には隔壁層９５４が設けられている。
【０１６７】
隔壁層９５４の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層９５４の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接する辺）の方が上辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層９５４を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。
【０１６８】
第１の電極９５２と第２の電極９５６の間には、電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を実施の形態３と同様に形成する。
【０１６９】
以上のようにして作製した、電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子に、潜在的な欠陥が生じた場合、当該潜在的な欠陥を実施の形態２で例示した方法および装置を用いて、検出および修正することができる。
【０１７０】
本発明の一態様によれば、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子が有する、短絡に至っていない潜在的な欠陥を検出できる。また、当該潜在的な欠陥を絶縁化して潜在的な欠陥が修復された発光装置を提供できる。
【０１７１】
（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態４に示した潜在的な欠陥が修復された発光装置をその一部に含む電子機器について説明する。実施の形態４に示した潜在的な欠陥が修復された発光装置を含む電子機器は異常発光する部位や激しい特性の変化や、長期の使用で短絡に至ったりする等の不具合が顕在化することがなく、信頼性に優れる。
【０１７２】
本発明の一態様の発光素子を用いて作製された発光装置を有する電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的には、Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等）の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図１０に示す。
【０１７３】
図１０（Ａ）は本発明の一形態に係るテレビ装置であり、筐体９１０１、支持台９１０２、表示部９１０３、スピーカー部９１０４、ビデオ入力端子９１０５等を含む。このテレビ装置において、表示部９１０３は、実施の形態４で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、潜在的な欠陥が修復されているという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９１０３も同様の特徴を有するため、異常発光する部位や激しい特性の変化や、長期の使用で短絡に至ったりする等の不具合が顕在化することがない。このように本発明の一形態に係るテレビ装置は高信頼性が図られているので、長期間にわたって使用でき、無駄な買い換えが不要であり、資源を無駄にしない。
【０１７４】
図１０（Ｂ）は本発明に係るコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングデバイス９２０６等を含む。このコンピュータにおいて、表示部９２０３は、実施の形態４で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、潜在的な欠陥が修復されているという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９２０３も同様の特徴を有するため、異常発光する部位や激しい特性の変化や、長期の使用で短絡に至ったりする等の不具合が顕在化することがない。このように本発明の一形態に係るコンピュータは高信頼性が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。
【０１７５】
図１０（Ｃ）は本発明の一形態に係る携帯電話９３００であり、筐体９３０１、表示部９３０２、スイッチ９３０３、接続部９３０４、スピーカー９３０５、マイク９３０６等を含む。表示部９３０２を指などで触れることで、情報を入力ことができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つ操作は、表示部９３０２を指などで触れることにより行うことができる。この携帯電話において、表示部９３０２は、実施の形態４で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、潜在的な欠陥が修復されているという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９３０２も同様の特徴を有するため、異常発光する部位や激しい特性の変化や、長期の使用で短絡に至ったりする等の不具合が顕在化することがない。このように本発明の一形態に係る携帯電話は高信頼性が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。
【０１７６】
図１０（Ｄ）は本発明の一形態に係るカメラであり、本体９５０１、表示部９５０２、筐体９５０３、外部接続ポート９５０４、リモコン受信部９５０５、受像部９５０６、バッテリー９５０７、音声入力部９５０８、操作キー９５０９、接眼部９５１０等を含む。このカメラにおいて、表示部９５０２は、実施の形態４で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、潜在的な欠陥が修復されているという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９５０２も同様の特徴を有するため、異常発光する部位や激しい特性の変化や、長期の使用で短絡に至ったりする等の不具合が顕在化することがない。このように本発明の一形態に係るカメラは高信頼性が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。
【０１７７】
以上の様に、本発明の一態様の潜在的な欠陥の検出方法及び修正方法によって製造された発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本発明の一態様の発光素子を用いることにより、信頼性の高い電子機器を提供することが可能となる。また、潜在的な欠陥を検出し修正することにより、良品の歩留まりが高まり、生産コストを低減する効果を有する。
【０１７８】
また、本発明の一態様の潜在的な欠陥の検出方法及び修正方法によって製造された発光装置は、照明装置として用いることもできる。発光素子を照明装置として用いる一態様を、図１１を用いて説明する。
【０１７９】
図１１は、本発明の一形態に係る発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図１１に示した液晶表示装置は、筐体９６０１、液晶層９６０２、バックライト９６０３、筐体９６０４を有し、液晶層９６０２は、ドライバーＩＣ９６０５と接続されている。また、バックライト９６０３は、本発明の一形態に係る発光装置が用いられおり、端子９６０６により、電流が供給されている。
【０１８０】
本発明の一態様の潜在的な欠陥の検出方法及び修正方法によって製造された発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、信頼性の高いバックライトが得られる。また、当該発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、当該発光装置は異常発光する部位や激しい特性の変化や、長期の使用で短絡に至ったりする等の不具合が顕在化することがなく、高信頼性が図られているので、当該発光装置を用いた液晶表示装置も信頼性が高い。
【０１８１】
図１２は、本発明の一態様を適用した発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図１２に示す電気スタンドは、筐体２００１と、光源２００２を有し、光源２００２として、本発明の一態様の発光装置が用いられている。本発明の一態様の潜在的な欠陥の検出方法及び修正方法によって製造された発光装置は、異常発光する部位や激しい特性の変化や、長期の使用で短絡に至ったりする等の不具合が顕在化することがなく、高信頼性が図られているため、当該発光装置を用いた電気スタンドも信頼性が高い。
【０１８２】
また、図１３は本発明の一態様を適用した発光装置を室内の照明装置３００１として用いた例である。
【０１８３】
本発明の一態様の潜在的な欠陥の検出方法及び修正方法は大面積の発光装置にも適用可能であり、本発明の一態様を適用した照明装置は大面積の照明装置として用いることができる。また、本発明の一態様の発光装置は、薄型で低消費電力であるため、薄型化、低消費電力化の照明装置として用いることが可能となる。
【０１８４】
このように、本発明の一態様を適用した発光装置を、室内の照明装置３００１として用いた部屋に、図１０（Ａ）で説明したような、本発明の一形態に係るテレビ装置３００２を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。このような場合、両装置は信頼性が高いので長期間の使用に耐え、故障による買い換えが不要であり資源を無駄遣いすることがない。
【符号の説明】
【０１８５】
４０１ ソース側駆動回路
４０２ 画素部
４０３ ゲート側駆動回路
４０４ 封止基板
４０５ シール材
４０７ 空間
４０８ 引き回し配線
４０９ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
４１０ 基板
４１１ スイッチング用ＴＦＴ
４１２ 電流制御用ＴＦＴ
４１３ 電極
４１４ 絶縁物
４１６ 発光物質を含む層
４１７ 電極
４１８ 発光素子
４２３ ｎチャネル型ＴＦＴ
４２４ ｐチャネル型ＴＦＴ
５００ 作製装置
５１０ 試料台
５１１ 支持機構
５１２ 移動機構
５２０ 検出系
５２１ 撮像装置
５３０ 照射系
５３１ レーザ装置
５４１ 第１の光学系
５４１ｓ 第１のシャッター
５４２ 第２の光学系
５４２ｓ 第２のシャッター
５４３ 第３の光学系
５４５ ハーフミラー
５５０ 制御系
５５１ 制御装置
５５２ 表示装置
５６０ 発光素子
５６１ 潜在的な欠陥
５６２ａ 異常発光する部位
５６２ｂ 異常発光する部位
５６２ｃ 異常発光する部位
５６２ｄ 異常発光する部位
５６２ｅ 異常発光する部位５６５ 端子部
５７１ 駆動装置
５７２ 外部電源
９５１ 基板
９５２ 第１の電極
９５３ 絶縁層
９５４ 隔壁層
９５５ 発光物質を含む層
９５６ 第２の電極
１０００ 支持体
１００１ 第１の電極
１００２ 第２の電極
１００３ ＥＬ層
１００４ 電荷発生層
１０１１ 正孔注入層
１０１２ 正孔輸送層
１０１３ 発光層
１０１４ 電子輸送層
１０１５ 電子注入層
１１００ 発光素子
１１００ａ 第１の領域
１１００ｂ 第２の領域
１１０１ 第１の電極
１１０２ 第２の電極
１１０３ａ 第１のＥＬ層
１１０３ｂ 第２のＥＬ層
１１０４ 電荷発生層
１２００ 発光素子
１２００ａ 領域
１２００ｃ 領域
１２０１ 第１の電極
１２０２ 第２の電極
１２０３ａ 第１のＥＬ層
１２０３ｂ 第２のＥＬ層
１２０４ 電荷発生層
１２０６ 導電性の異物
１３００ 発光素子
１３０１ 第１の電極
１３０２ 第２の電極
１３０３ａ 発光性の有機化合物を含むＥＬ層
１４００ 発光素子
１４００ａ 第１の領域
１４００ｂ 第２の領域
１４０１ 第１の電極
１４０２ 第２の電極
１４０３ａ 第１のＥＬ層
１４０３ｂ 第２のＥＬ層
１４０４ 電荷発生層
１５００ａ 発光素子
１５００ｂ 発光素子
１５０１ 第１の電極
１５０２ 第２の電極
１５０３Ｂ ＥＬ層
１５０３Ｇ ＥＬ層
１５０３Ｒ ＥＬ層
１５０４ 電荷発生層
１５０９ 封止膜
２００１ 筐体
２００２ 光源
３００１ 照明装置
３００２ テレビ装置
９１０１ 筐体
９１０２ 支持台
９１０３ 表示部
９１０４ スピーカー部
９１０５ ビデオ入力端子
９２０１ 本体
９２０２ 筐体
９２０３ 表示部
９２０４ キーボード
９２０５ 外部接続ポート
９２０６ ポインティングデバイス
９３０１ 筐体
９３０２ 表示部
９３０３ スイッチ
９３０４ 接続部
９３０５ スピーカー
９３０６ マイク
９５０１ 本体
９５０２ 表示部
９５０３ 筐体
９５０４ 外部接続ポート
９５０５ リモコン受信部
９５０６ 受像部
９５０７ バッテリー
９５０８ 音声入力部
９５０９ 操作キー
９５１０ 接眼部
９６０１ 筐体
９６０２ 液晶層
９６０３ バックライト
９６０４ 筐体
９６０５ ドライバーＩＣ
９６０６ 端子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の潜在的な欠陥を検出する検査方法、及び当該潜在的な欠陥を絶縁化して発光装置を作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下、ＥＬとも記す）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これらの発光素子は一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだ構成を有し、その一対の電極間に電圧を印加して、発光性の物質から発光を得るものである。
【０００３】
エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子は、薄型軽量に作製できること、非常に応答速度が速いこと等が大きな特徴であり、利点である。このような自発光型の発光素子には様々な用途が考えられる。例えば、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高く、バックライトが不要である等の特徴は、当該発光素子がフラットパネルディスプレイに好適であると言える。
【０００４】
また、これらの発光素子は膜状に形成することが可能であるため、大きな面積を有する面状の発光を容易に得ることができる。このことは、白熱電球やＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）に代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
【０００５】
そのエレクトロルミネッセンスを利用した発光素子は、発光性の物質が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって大別できる。有機化合物を発光性の物質に用いた発光素子の発光原理を説明する。まず、発光素子の一対の電極間に電圧を印加することにより、当該一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入される。そして、それらキャリア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成後、基底状態に戻る際に発光する。
【０００６】
ところで、エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子のＥＬ層は非常に薄い。ＥＬ層が薄いため、発光素子の一対の電極間に導電性の異物が混入した場合、一対の電極は短絡し易い。短絡の発生は発光素子の破壊や、発熱による発光素子の劣化や、リーク電流による消費電力の増大等の不具合を招く。
【０００７】
そこで、エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子の欠陥を検出し、欠陥にレーザ光を照射して絶縁化する方法及び装置が提案されている（例えば特許文献１）。
【０００８】
一方、エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子の発光輝度を高めるには、ＥＬ層に流す電流密度を高めればよい。しかし、大電流を流すために駆動電圧を高めれば消費電力は増大するばかりである。また、ＥＬ層に大電流を流せば、発光素子の劣化を早めることにもなる。
【０００９】
そこで、複数のＥＬ層を積層した発光素子が提案されている。特許文献２では、複数の発光ユニット（以下、本明細書においてＥＬ層とも表記する）を有し、各発光ユニットが電極と同様にキャリアをＥＬ層に供給する電荷発生層によって仕切られた発光素子を開示している。本明細書中では、電荷発生層は電極と同等のものであるものとし、互いに隣接する電荷発生層または電極に挟まれる領域を１つのＥＬ層として数える。より具体的には、第１の発光ユニットの電子注入層として機能する金属ドーピング層上に５酸化バナジウムよりなる電荷発生層が設けられ、さらに当該電荷発生層上に第２の発光ユニットが設けられた構造の発光素子を開示している。特許文献２で開示される発光素子は、同じ電流密度で発光素子に電流を流した際に、１つのＥＬ層を有する発光素子と比較して、高輝度発光することが可能である。また、一つのＥＬ層を有する発光素子に比べ省電力で同じ輝度の発光を得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−２６０８５７号公報
【特許文献２】特開２００３−２７２８６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
複数のＥＬ層を電荷発生層もしくは中間層により仕切って形成した積層膜は、一つのＥＬ層で構成される発光素子のものに比べ厚い。厚い積層膜を一対の電極間に有する発光素子は一つのＥＬ層で構成される発光素子に比べて導電性の異物が混入しても短絡し難い。しかし、導電性の異物が混入した部位は潜在的な欠陥であり、当該部位が異常発光する。そして、特性の変化が激しく、長期の使用で短絡に至る等、不具合が顕在化する恐れが強くなる。
【００１２】
また、従来の顕在化した欠陥を検出する方法ではこのような潜在的な欠陥を検出し難いという問題があった。
【００１３】
本発明は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、その目的は、一対の電極間に電荷発生層もしくは中間層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子、言い換えると、一対の電極間に電荷発生層（もしくは中間層）と交互にＥＬ層を２つ以上重ねて設けた発光素子が有する、短絡に至っていない潜在的な欠陥を検出する方法を提供することを課題の一とする。当該潜在的な欠陥を絶縁化して発光装置を作製する方法を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
複数のＥＬ層が電荷発生層によって仕切られた厚い層を一対の電極間に設けた発光素子に導電性の異物が混入した部位は、正常な部位よりも低い電圧で強く発光する特徴を有する。言い換えると、一対の電極間に電荷発生層と交互にＥＬ層を２つ以上重ねて設けた発光素子において、導電性の異物が混入した部位は、正常な部位よりも低い電圧で強く発光する特徴を有する。
【００１５】
従って、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子、言い換えると、一対の電極間に電荷発生層と交互にＥＬ層を２つ以上重ねて設けた発光素子に順方向に電圧を印加し、正常な部位よりも低い電圧で発光を開始する部位を検出すれば、潜在的な欠陥部位を検出できる。そして、当該部位にレーザ光を照射して当該部位を絶縁化すればよい。
【００１６】
すなわち、本発明の一態様は、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子に、発光素子の光取り出し面において実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光する発光開始電圧未満の電圧を発光素子の順方向に印加し、発光素子の光取り出し面において１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光を呈する異常発光部位を検出する発光素子の検査方法である。
【００１７】
また、本発明の一態様は、電荷発生層によって仕切られた発光色が異なる複数のＥＬ層を一対の電極間に設けた発光素子に、発光素子の光取り出し面において実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光する電圧を発光素子の順方向に印加し、発光素子の光取り出し面において色度が異なる異常発光部位を検出する発光素子の検査方法である。
【００１８】
また、本発明の一態様は、発光素子の光取り出し面において実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光する発光開始電圧未満の電圧を発光素子の順方向に印加し、発光素子の光取り出し面において１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度の発光を呈する異常発光部位にレーザ光を照射し絶縁化する工程からなる、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の作製方法である。
【００１９】
また、本発明の一態様は、発光素子の光取り出し面において実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光する電圧を発光素子の順方向に印加し、発光素子の光取り出し面において色度が異なる異常発光部位にレーザ光を照射し絶縁化する工程からなる、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の作製方法である。
【００２０】
また、本発明の一態様は、上記方法を用いて異常発光部位を検出工程と、異常発光部位にレーザ光を照射する工程を有し、異常発光部位の検出工程の観察画像の解像度に比べ、レーザ光を照射する工程の観察画像の解像度が高いことを特徴とする一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の作製方法である。
【００２１】
また、本発明の一態様は、上記方法を用いて異常発光部位の検出工程と、異常発光部位にレーザ光を照射する工程を有し、異常発光部位の検出工程の観察画像の解像度の１００倍以上、１０，０００倍以下の高解像度で、レーザ光を照射する工程の観察画像の解像度が高いことを特徴とする一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の作製方法である。
【００２２】
なお、本明細書において、エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子の電極もしくは中間層で挟まれるように設けられた層であって、少なくとも発光性の物質を含む層を有する層をＥＬ層と呼ぶ。
【００２３】
また、本明細書において、２つのＥＬ層の間に接して形成する層であって、一方のＥＬ層に正孔を注入し、他方のＥＬ層に電子を注入する機能を有する層を中間層と呼ぶものとする。したがって、電荷発生層は中間層の一態様と呼ぶこともできる。なお、中間層は単層であっても複数の層の積層であってもよい。
【００２４】
また、本明細書において、発光素子の光取り出し面が実質的全面に１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光を始める、発光素子に加わる電圧を発光開始電圧と呼ぶものとする。
【００２５】
また、本明細書において、物質Ａを他の物質Ｂからなるマトリクス中に分散する場合、マトリクスを構成する物質Ｂをホスト材料と呼び、マトリクス中に分散される物質Ａをゲスト材料と呼ぶものとする。なお、物質Ａ並びに物質Ｂは、それぞれ単一の物質であっても良いし、２種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。
【００２６】
なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置を含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の一態様によれば、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子が有する短絡に至っていない潜在的な欠陥を検出する方法を提供できる。また、当該潜在的な欠陥を絶縁化して発光装置を作製する方法及び当該方法を用いた発光装置の作製装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施の形態に係わる発光素子の構造を説明する図。
【図２】実施の形態に係わる発光素子の構造を説明する図。
【図３】実施の形態に係わる発光素子を説明する図。
【図４】実施の形態に係わる異常発光する部位の検出及び修正装置を説明する図。
【図５】実施の形態に係わる異常発光する部位の検出方法を説明する図。
【図６】実施の形態に係わる異常発光する部位の修正方法を説明する図。
【図７】実施の形態に係わる発光素子の構造を説明する図。
【図８】実施の形態に係わる発光装置の構造を説明する図。
【図９】実施の形態に係わる発光装置の構造を説明する図。
【図１０】実施の形態に係わる電子機器を説明する図。
【図１１】実施の形態に係わる照明装置を説明する図。
【図１２】実施の形態に係わる照明装置を説明する図。
【図１３】実施の形態に係わる照明装置及び発光装置を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子に生じる、短絡に至っていない潜在的な欠陥を検出する方法について説明する。
【００３１】
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子について、図１（Ａ）を用いて説明する。当該発光素子は、第１の電極１００１と第２の電極１００２を有し、両電極間にｎ（ｎは２以上の自然数）層のＥＬ層１００３を有し、ｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目のＥＬ層と（ｍ＋１）番目のＥＬ層との間に、それぞれ電荷発生層１００４を有する。
【００３２】
また、第１の電極１００１と第２の電極１００２の少なくともどちらか一方は、透光性を有する導電膜を用いて形成する。
【００３３】
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の発光機構について説明する。ここでは、図２（Ａ）に例示した一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた２層のＥＬ層を設けた発光素子１１００を用いて当該機構を説明する。
【００３４】
発光素子１１００は第１のＥＬ層１１０３ａ、第２のＥＬ層１１０３ｂ、電荷発生層１１０４、第１の電極１１０１及び第２の電極１１０２を有する。第１のＥＬ層１１０３ａは一方の面が第１の電極１１０１に接し、他方の面が電荷発生層１１０４に接している。電荷発生層１１０４は第１のＥＬ層１１０３ａと第２のＥＬ層１１０３ｂの間に設けられ、第２のＥＬ層１１０３ｂは一方の面が電荷発生層１１０４に接し、他方の面が第２の電極１１０２に接している。
【００３５】
発光素子１１００の第１の電極１１０１を第２の電極１１０２より高い電位になるよう電圧Ｅ３を加える。すなわち、第１の電極１１０１は陽極として機能し、第２の電極１１０２は陰極として機能する。充分高い電圧を印加すると、第１のＥＬ層１１０３ａにおいて第１の電極１１０１から注入した正孔と、電荷発生層１１０４から注入した電子が再結合し、生じたエネルギーにより第１のＥＬ層１１０３ａ中の発光性物質が発光する。また、第２のＥＬ層１１０３ｂにおいて電荷発生層１１０４から注入した正孔と、第２の電極１１０２から注入した電子が再結合し、生じたエネルギーにより第２のＥＬ層１１０３ｂ中の発光性物質が発光する。
【００３６】
第１のＥＬ層１１０３ａおよび第２のＥＬ層１１０３ｂが発する光は透光性を有する導電膜で形成された第１の電極１１０１または第２の電極１１０２のいずれか一方、または両方から取り出される。例えば、第１の電極１１０１のみが透光性を有する電極である場合には、発光は第１の電極１１０１を通って取り出される。また、第２の電極１１０２のみが透光性を有する電極である場合には、発光は第２の電極１１０２を通って取り出される。さらに、第１の電極１１０１および第２の電極１１０２がいずれも透光性を有する電極である場合には、発光は第１の電極１１０１および第２の電極１１０２を通って両方から取り出される。
【００３７】
次に、一対の電極間にＥＬ層を一つ設けた発光素子と、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の特性について比較して説明する。
【００３８】
一対の電極間にＥＬ層を一つ設けた発光素子１３００の構成を図３（Ａ）に示す。発光素子１３００は、第１の電極１３０１と、第２の電極１３０２と、発光性の有機化合物を含むＥＬ層１３０３ａを有している。
【００３９】
また、一対の電極間に電荷発生層で仕切られた２つのＥＬ層を設けた発光素子１４００の構成を図３（Ｂ）に示す。発光素子１４００は、第１の電極１４０１と、第２の電極１４０２と、発光性の有機化合物を含むＥＬ層１４０３ａ及び１４０３ｂと、電荷発生層１４０４を有している。ここでは、ＥＬ層１４０３ａ及び１４０３ｂは、発光素子１３００が備えるＥＬ層１３０３ａとおなじ構成を有するＥＬ層である場合について説明する。もちろん、発光素子１４００のＥＬ層１４０３ａと１４０３ｂは異なる構成のＥＬ層であってもよい。
【００４０】
発光素子１４００において、第１の電極１４０１と電荷発生層１４０４でＥＬ層１４０３ａを挟んだ第１の領域１４００ａと、電荷発生層１４０４と第２の電極１４０２でＥＬ層１４０３ｂを挟んだ第２の領域１４００ｂは、それぞれ独立した発光素子と見なすことができる。言い換えると、発光素子１４００は第１の領域１４００ａと第２の領域１４００ｂを直列に接続したものである。
【００４１】
発光素子１３００の電圧−輝度特性の一例を図３（Ｃ）の曲線Ｓに示す。一対の電極間にＥＬ層を一つ設けた発光素子１３００は、発光開始電圧Ｅ０を超えると急激に発光輝度が高まる。図３（Ｃ）の曲線Ｓで示す素子は、発光開始電圧Ｅ０において１（ｃｄ／ｍ２）の輝度で発光し、発光開始電圧Ｅ０の２倍の電圧において１万（ｃｄ／ｍ２）程度まで輝度が上昇する。なお、有機化合物を発光物質にもちいたエレクトロルミネッセンスを利用した発光素子が可視光を発する場合、発光開始電圧Ｅ０は少なくとも２（Ｖ）程度を要する。
【００４２】
また、発光素子１４００の電圧−輝度特性の一例を図３（Ｃ）の曲線Ｗに示す。発光素子１４００の電圧−輝度特性（曲線Ｗ）は、発光素子１３００の電圧−輝度特性（曲線Ｓ）に比べて、高電圧側にシフトする。例えば、ＥＬ層１４０３ａと１４０３ｂが、発光素子１３００が備えるＥＬ層１３０３ａとおなじ構成を有するＥＬ層である場合、発光素子１４００は発光素子１３００を直列に接続した素子と見なせる。従って、発光素子１３００の発光開始電圧Ｅ０の２倍の電圧を発光素子１４００に加えると、ＥＬ層１４０３ａと１４０３ｂがそれぞれ１（ｃｄ／ｍ２）の輝度で発光し、発光素子１４００はおよそ２（ｃｄ／ｍ２）の輝度で発光する。
【００４３】
すなわち、発光素子１３００の発光開始電圧Ｅ０の２倍の電圧において、発光素子１３００は１万（ｃｄ／ｍ２）程度の輝度で発光するが、発光素子１４００は２（ｃｄ／ｍ２）で発光する。このように、一対の電極間にＥＬ層を一つ設けた発光素子と、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の印加電圧−発光輝度特性には、極端な違いが認められる。
【００４４】
なお、発光素子１３００の発光開始電圧Ｅ０の２倍の電圧を発光素子１４００に印加した際に流れる電流は、発光開始電圧Ｅ０を発光素子１３００に印加した際に流れる電流とほぼ同じである。従って、発光素子１４００は発光素子１３００に比べ、発光の電流効率を約２倍にする効果を有している。
【００４５】
次に、電荷発生層によって仕切られた２つのＥＬ層のうち一方が導電性の異物を含んでいる発光素子について、図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）を用いて説明する。
【００４６】
発光素子１２００は、第１のＥＬ層１２０３ａ、第２のＥＬ層１２０３ｂ、電荷発生層１２０４、第１の電極１２０１及び第２の電極１２０２と導電性の異物１２０６を有しており、発光素子１１００と同じ構成で作製したが、導電性の異物１２０６が混入してしまった異常な素子である。なお、導電性の異物１２０６が混入した状態の発生頻度は低く、例えば図２（Ｃ）のごとく正常な部位に潜在的な欠陥が点在している。
【００４７】
正常な発光素子１１００に電流Ｉ（Ａ）を流す場合、第１の領域１１００ａには電流Ｉ（Ａ）を流す電圧Ｅ１（Ｖ）が印加されており、第２の領域１１００ｂには電流Ｉ（Ａ）を流す電圧Ｅ２（Ｖ）が印加されている。従って、発光素子１１００の第１の電極と第２の電極間にはおよそＥ１（Ｖ）＋Ｅ２（Ｖ）＝Ｅ３（Ｖ）の電圧が印加されている。なお、発光素子１２００の各ＥＬ層が可視光を発する場合、Ｅ１（Ｖ）及びＥ２（Ｖ）はそれぞれおよそ２（Ｖ）以上であって、Ｅ３（Ｖ）はその和より大きい。
【００４８】
一方、導電性の異物１２０６を含んだ発光素子１２００の場合、導電性の異物１２０６が電荷発生層１２０４と第１の電極１２０１を短絡し、導電性の異物１２０６近傍の電荷発生層１２０４は第１の電極１２０１とおよそ同電位になる。
【００４９】
例えば発光素子１２００にＥ３（Ｖ）の電圧を印加した場合、正常な領域の第２のＥＬ層１２０３ｂに印加される電圧はＥ２（Ｖ）になる。しかし、導電性の異物１２０６近傍の電荷発生層１２０４と第２の電極１２０２の間の第２のＥＬ層１２０３ｂを含む領域１２００ｃに印加される電圧Ｅ４（Ｖ）は、およそＥ２（Ｖ）よりＥ１（Ｖ）大きいＥ３（Ｖ）になる。なお、領域１２００ａが可視光を発する構成の場合、Ｅ１（Ｖ）はおよそ２（Ｖ）以上である。
【００５０】
このように、領域１２００ｃの第２のＥＬ層１２０３ｂは、周囲よりおよそ２（Ｖ）以上高い電圧が加わるため、極めて強く発光する。従って、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子において周囲より極めて強く発光する部位を検出すれば、当該発光素子の短絡に至っていない潜在的な欠陥の位置を特定できる。
【００５１】
また、発光素子１２００に、０（Ｖ）から発光素子１２００の正常な部分の発光開始電圧までの電圧を掃引して異常発光部位を検出する方法が特に有効である。
【００５２】
発光素子１２００への印加電圧が発光開始電圧に達しないとき、発光素子の正常な部分の発光輝度は１（ｃｄ／ｍ２）に満たない。しかし、領域１２００ｃの第２のＥＬ層１２０３ｂには、導電性の異物１２０６が短絡しているＥＬ層でおこる電圧降下に相当する分だけ高い電圧が印加される。その結果、輝度１（ｃｄ／ｍ２）に満たない発光状態の正常な領域を背景に、輝度１（ｃｄ／ｍ２）を大幅に越える輝度、例えば１万（ｃｄ／ｍ２）程度の輝度、で強く発光する部位が点在することになる。
【００５３】
このように、周囲に比べて極めて明るく光る場所を検出することによって、潜在的な欠陥を有する部位を特定すればよい。
【００５４】
具体的には、正常な発光素子の発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）を調べ、検査する発光素子に発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）未満の第１の電圧を印加する第１のステップと、１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で異常発光する部位を発光素子の光取り出し面に検出する第２のステップと、検出した異常発光する部位の座標を特定する第３のステップと、１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光している場所を検出できなかった場合に、第１の電圧より高い電圧であって、発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）未満の第２の電圧を設定する第４のステップを順次実行し、第１のステップから第４のステップまでを繰り返すことにより、潜在的な欠陥を有する部位を特定すればよい。
【００５５】
以上の通り、正常な発光素子の発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）未満の電圧を被検査発光素子に印加し、１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光する場所を検出することにより、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子が有する、短絡に至っていない潜在的な欠陥を検出することができる。
【００５６】
（実施の形態２）
本実施の形態では発光素子の潜在的な欠陥の検出方法及び絶縁化方法を発光素子の作製装置と共に説明する。
【００５７】
本実施の形態で例示する発光素子の作製装置の側面図を図４に示す。発光素子の作製装置５００は、検査対象である発光素子５６０を固定及び移動する試料台５１０と、発光素子５６０の映像を捉える検出系５２０と、潜在的な欠陥５６１を修正する照射系５３０と、発光素子５６０の光学像を検出系５２０に送る第１の光学系５４１と、照射系５３０からの放射光を潜在的な欠陥５６１に送る第２の光学系５４２と、放射光また詳細な光学像を送り結像する第３の光学系５４３と、制御系５５０を有する。また、本実施の形態では検査対象である発光素子５６０を駆動する駆動装置５７１および外部電源５７２も用いる。
【００５８】
発光素子５６０は一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子である。なお、本実施の形態において説明する電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を有する発光素子５６０は潜在的な欠陥を有している。
【００５９】
発光素子５６０は発光の取り出し面を第３の光学系５４３に向けて試料台５１０の支持機構５１１に固定されている。また、発光素子５６０は発光素子を駆動する駆動装置５７１と接続され、端子部５６５と駆動装置５７１を介して外部電源５７２と接続されている。なお、駆動装置５７１は制御系５５０と接続されている。
【００６０】
試料台５１０のＸ−Ｙ面は図４の紙面に対し垂直に広がり、図４に示す矢印ＺはＸ−Ｙ面に垂直なＺ軸を表す。試料台５１０は、検査対象である発光素子５６０を固定し保持する支持機構５１１と、試料台をＸ−Ｙ面内及びＸ−Ｙ面に対して垂直なＺ軸方向に制御して移動可能な移動機構５１２を有する。また、移動機構５１２は制御系５５０と接続されている。移動機構５１２は試料台を１０μｍより細かく、好ましくは２μｍから０．１μｍの分解能で移動が可能であるものを用いる。なお、移動機構５１２は試料台をＸ−Ｙ面内の回転や、Ｘ−Ｙ面に対し試料を傾斜する機構を有していても良い。
【００６１】
検出系５２０は、撮像装置５２１を有する。撮像装置５２１は第１の光学系５４１及び第３の光学系５４３を介して、発光素子５６０の映像を捉える。また、撮像装置５２１は制御系５５０と接続されている。
【００６２】
検出系５２０は、発光素子５６０が発する光のうち少なくとも１（ｃｄ／ｍ２）以上の発光を第１の光学系５４１及び第３の光学系５４３を介して検出できればよい。従って、高感度なＣＣＤカメラである必要はなく、比較的安価なＣＣＤカメラであっても撮像装置５２１に利用できる。
【００６３】
照射系５３０は、レーザ装置５３１を有する。レーザ装置５３１は第２の光学系５４２及び第３の光学系５４３を介して、発光素子５６０にレーザ光を照射する。また、レーザ装置５３１は制御系５５０と接続されている。
【００６４】
また、照射系５３０は好ましくはレーザ装置５３１が照射するレーザ光の照射位置を指し示すガイド光源を有している。ガイド光源は撮像装置５２１で照射位置を確認できるが、レーザ光に比べて充分に強度が弱く、発光素子に照射しても発光素子に損傷を与えることはない。
【００６５】
本実施の形態で用いるレーザ装置５３１は、発光素子の支持体もしくは封止膜または封止基板に吸収されない波長のレーザ光を選択して用いる。例えば、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、上記固体レーザから発振される第２高調波や第３高調波、さらに高次の高調波を用いることもできる。なお、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、レーザ光の出力が比較的に安定している利点を有している。また、ナノ秒、ピコ秒、フェムト秒等の短時間のパルスレーザが本工程に適している。短時間のパルスレーザを用いると、多光子吸収現象を引き起こす高密度のエネルギーを発光素子の異常発光する部位に与えることができる。
【００６６】
第１の光学系５４１は検出系５２０の撮像装置５２１と接続され、第２の光学系５４２は照射系５３０のレーザ装置５３１と接続されている。また、第１の光学系５４１は第１のシャッター５４１ｓを有し、第２の光学系５４２は第２のシャッター５４２ｓを有する。第１のシャッター５４１ｓと第２のシャッター５４２ｓは共に制御系５５０に接続されている。
【００６７】
第３の光学系５４３は第１の光学系５４１と第２の光学系５４２に接続され、例えばハーフミラー５４５や集光レンズ等の光学素子を有している。また、交換可能であって倍率が異なる集光レンズを有していても良い。なお、ハーフミラー５４５を用いて検出系５２０と照射系５３０の光軸を一致させる方法は、装置の小型化が容易なため好ましい。
【００６８】
制御系５５０は制御装置５５１と表示装置５５２を有する。制御装置５５１は移動機構５１２と、撮像装置５２１と、レーザ装置５３１と、第１のシャッター５４１ｓ及び第２のシャッター５４２ｓと、駆動装置５７１と、表示装置５５２と少なくとも接続されている。
【００６９】
また、制御装置５５１は画像解析装置を兼ねる。
【００７０】
次に、本実施の形態で例示する発光素子の作製装置５００の動作の一例を説明する。
【００７１】
本実施の形態の潜在的な欠陥の検出方法の一例を図５に示す。本実施の形態の潜在的な欠陥の検出方法は、検査対象となる発光素子を試料台に固定し、光学系を調整して撮影に備える第１のステップと、発光素子に試験電圧を印加する第２のステップと、発光素子の映像データを取り込む第３のステップと、映像データを解析し１（ｃｄ／ｍ２）より高い輝度で発光している部分を検出して発光素子上の位置を特定する第４ステップと、発光素子への印加電圧と１（ｃｄ／ｍ２）より高い輝度で発光している部分の位置情報を記録する第５のステップからなる。
【００７２】
第１のステップでは、検査対象となる発光素子５６０を試料台５１０に固定し、移動機構５１２、第１の光学系５４１及び第３の光学系５４３を調整し、発光素子５６０の映像を検出系５２０で捉える。この時、好ましくは発光素子５６０の発光の取り出し面の全体を捉えるように、第１の光学系５４１及び第３の光学系５４３を調整する。発光素子５６０の広い範囲を検査することで、検査時間を短縮できる。
【００７３】
第２のステップでは、制御装置５５１を用いて駆動装置５７１から発光素子５６０の第１の電極と第２の電極に第１の試験電圧Ｅｄ１（Ｖ）を順方向に印加する。
【００７４】
第１の試験電圧Ｅｄ１（Ｖ）は発光素子５６０の正常な部位の発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）未満とする。例えば、発光素子５６０が電荷発生層によって仕切られたｎ層のＥＬ層を有する場合、発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）をｎ以上分割した電圧を第１の試験電圧Ｅｄ１（Ｖ）としてもよい。
【００７５】
本実施の形態では、例えば、発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）を５分割して第１の試験電圧Ｅｄ１（Ｖ）＝Ｅ０／５（Ｖ）とし、第２の試験電圧Ｅｄ２（Ｖ）をＥ０×２／５（Ｖ）とし、第３の試験電圧Ｅｄ３（Ｖ）をＥ０×３／５（Ｖ）とし、第４の試験電圧Ｅｄ４（Ｖ）をＥ０×４／５（Ｖ）とし、第５の試験電圧Ｅｄ５（Ｖ）をＥ０（Ｖ）とした。このように、発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）までの電圧を発光素子５６０に段階的に印加することで、潜在的な欠陥に過剰な電流を流して発光素子５６０を破壊する事故を避けることができる。
【００７６】
また、積層した各ＥＬ層の発光開始電圧が判っている場合は、各ＥＬ層の発光開始電圧に相当する電圧を低い順に印加し、続いて、複数のＥＬ層の発光開始電圧を組み合わせた合計の小さい順に電圧を印加してもよい。このようにすることで、潜在的な欠陥に過剰な電流を流して発光素子５６０を破壊することなく、短時間に異常発光の有無を検査できる。
【００７７】
第３のステップでは、発光素子５６０に第１の試験電圧Ｅｄ１（Ｖ）を印加した状態で、発光素子５６０の映像を制御装置５５１に取り込む。具体的には、第２のシャッター５４２ｓを閉鎖し、第１のシャッター５４１ｓを開放する。撮像装置５２１は第３の光学系５４３と第１の光学系５４１を介して、発光素子５６０の映像を画像信号に変換し、制御装置５５１に出力する。
【００７８】
輝度１（ｃｄ／ｍ２）に満たない発光状態の正常な領域を背景に、輝度１（ｃｄ／ｍ２）以上、もしくは大幅に越える輝度で発光するため異常発光する部位は検出が容易である。従って、広い領域を観察して、異常発光する部位の位置を概略特定することが可能であり、効率よく検査できる。例えば、１ピクセル当たり１０μｍ以上１ｍｍ程度の解像度で観察すればよい。
【００７９】
第４のステップでは、制御装置５５１が画像信号を解析して、１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で異常発光する部位を検出する。また、制御装置５５１は映像上の位置情報を移動機構５１２の座標情報と重ね合わせて、試料台５１０上の位置情報を算出する。
【００８０】
第５のステップでは、印加している第１の試験電圧Ｅｄ１（Ｖ）と、異常発光する部位の位置情報を共に記録する。なお、映像、輝度及び色度を記録しても良い。
【００８１】
以上の５つのステップを終えた後、第２のステップに戻り、発光素子５６０に印加する電圧を第２の試験電圧Ｅｄ２（Ｖ）に変更する。以後、駆動電圧をＥｄ１（Ｖ）からＥｄ５（Ｖ）まで階段状に高めながら、ステップ２からステップ５を繰り返し、発光開始電圧未満で異常発光する部位の位置情報を記録する。このようにして記録した、試験電圧と異常発光する部位５６２ａ乃至５６２ｅの位置情報を図５（Ｂ）に模式的に示す。
【００８２】
また、第１のステップにて、発光素子５６０の全景を捉えるように第１の光学系５４１及び第３の光学系５４３を調整したが、発光素子５６０の光取り出し面を幾つかの領域に分割して潜在的な欠陥を検出してもよい。幾つかの領域に分割することで、小型の装置を用いて大型の発光素子を検査できるため、検査装置のコストを抑制できる。また、幾つかの領域に分割すれば、倍率を高めて映像を撮影できるため、解像度が高まり微小な異常発光を捉えることができる。
【００８３】
本実施の形態の潜在的な欠陥の絶縁化工程を図６に示す。潜在的な欠陥の絶縁化工程は異常発光部位の検出工程に引き続いて行うことが好ましい。引き続き行うことで、異常発光部位の位置情報を精度良く利用できる。
【００８４】
異常発光部位の検査工程で得た位置情報とそれに対応する試験電圧から、異常発光する部位を修正する順番を決める。本実施の形態では、試験電圧の低い条件で検出した異常発光する部位から修正するが、互いに近い距離にある異常発光する部位を選んで順番に修正してもよい。
【００８５】
第６のステップ乃至第８のステップでは、検査工程で得た異常発光の位置情報に基づいて、移動機構５１２を用いて発光素子５６０の異常発光する部位をレーザの照射位置に正確に移動する。
【００８６】
第３のステップでは、検査の効率を高めるために広い領域を観察して、異常発光する部位の位置を概略特定したに過ぎない。そのため、第６のステップでは異常発光する部位をレーザの照射位置におよそ移動したのち、解像度を高めて異常発光する部位を観察して、正確にレーザの照射位置に合わせる必要がある。具体的には、第３の光学系の倍率を変更して異常発光する部位の位置を精度良く特定する。例えば、１ピクセル当たり０．１μｍ程度にする。
【００８７】
例えば、図５（Ｂ）に示す異常発光する部位５６２ａを絶縁化する場合、異常発光する部位５６２ａをレーザの照射位置におよそ移動する。次に、第３の光学系５４３の倍率を変更して解像度を高める。
【００８８】
第７のステップでは、発光素子５６０に異常発光する部位５６２ａを観測した試験電圧Ｅｄ２（Ｖ）以下の電圧を印加して、異常発光を観測する。撮像装置５２１は発光素子５６０の映像を第３の光学系５４３と第１の光学系５４１を介して捉え、画像信号に変換して制御装置５５１に出力する。
【００８９】
第８のステップでは、第１のシャッター５４１ｓと第２のシャッター５４２ｓを開放し、照射系５３０が有するガイド光源からのガイド光を用いてレーザ装置５３１が照射するレーザ光の照射位置を指し示す。制御系５５０は移動機構５１２を用いて試料台５１０を移動し、異常発光する部位とレーザ光の照射位置を一致させる。このステップを経て、発光素子５６０の異常発光する部位をレーザの照射位置に正確に移動できる。
【００９０】
第９のステップでは、撮像装置５２１にレーザ光の迷光が入射しないように第１のシャッター５４１ｓを閉鎖する。次いで、レーザ装置５３１から第２の光学系５４２及び第３の光学系５４３を介して、異常発光する部位にレーザ光を照射する。なお、このステップでは発光素子５６０への試験電圧の印加をやめても良い。
【００９１】
第３の光学系５４３を用いて集光したレーザ光は高いエネルギー密度を有する。レーザ光が照射される微小な領域は高温になり、潜在的な欠陥５６１の近傍は絶縁化される。
【００９２】
第１０のステップでは試験電圧を印加し、異常発光する部位５６２ａが消失していることを第１１のステップで確認する。具体的には第２のシャッター５４２ｓを閉鎖し、第１のシャッター５４１ｓを開放し、発光素子５６０に試験電圧Ｅｄ２（Ｖ）を印加して、異常発光する部位５６２ａが消失していることを撮像して確認する。
【００９３】
異常発光する部位５６２ａが消失していない場合は、異常発光する部位の位置情報を再度収集し、第８のステップに戻って、レーザを再照射すればよい。
【００９４】
異常発光する部位５６２ａが消失している場合は、制御系５５０は異常発光する部位の情報に、異常発光する部位５６２ａが消失した旨の情報を第１２のステップで書き込む。次いで、第６のステップに戻って異常発光する部位の情報を参照して、次の異常発光する部位の修正に取りかかる。
【００９５】
以上、第１のステップから第５のステップで検出した潜在的な欠陥を、第６のステップから第１２のステップを繰り返して絶縁化する。また、制御装置５５１を用いて第１のステップから第１２のステップまで、検出及び修正を自動的に進めても良いし、途中でオペレーターが状況を判断して検出及び修正を半自動的に進めてもよい。
【００９６】
本実施の形態によれば正常な発光素子の発光開始電圧Ｅ０（Ｖ）未満の電圧を被検査発光素子に印加し、１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で発光する場所を検出することにより、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子が有する、短絡に至っていない潜在的な欠陥を検出することができる。
【００９７】
また、輝度１（ｃｄ／ｍ２）に満たない発光状態の正常な領域を背景に、輝度１（ｃｄ／ｍ２）以上の輝度で強く発光する異常発光部位を検出するため、高感度なＣＣＤカメラ等を必要とせず、装置を安価に作製できる。
【００９８】
また、異常発光部位に１（ｃｄ／ｍ２）以上の強さの輝度があるため、異常発光する部位を広い観察範囲から検出できる。このように観察範囲が広いため、検査時間を短縮できる。
【００９９】
また、本実施の形態によれば、成膜中に付着した絶縁性の異物の周囲に、膜厚が局部的に薄くなるような欠陥についても、輝度分布に異常が認められれば検出して、絶縁化できる。
【０１００】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１０１】
また、本実施の形態は、従来の方法と組み合わせて実施してもよい。具体的には、発光素子に逆バイアスを加えて短絡部位に電流を流し、エミッション顕微鏡を用いて発光素子を観察し、短絡部の位置を特定してもよい。なお、エミッション顕微鏡は、電流が流れた際に生じる光子の数を測定できる装置であり、顕在化している欠陥では多くの光子が検出される。多くの光子が検出される顕在化している欠陥に、レーザ光を照射し欠陥を絶縁化した後、本実施の形態に従って、潜在的な欠陥を検出すればよい。
【０１０２】
また、検査対象である発光素子は、一対の電極間に電荷発生層に仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子ひとつであっても良いし、複数の発光素子を線状や行列状に配置した発光装置を検査対象としてもよい。また、発光素子と駆動回路を同一基板上に搭載した発光装置であってもよい。
【０１０３】
また、第３の光学系５４３を用いず、第１の光学系５４１から直接観察し、第２の光学系５４２から直接レーザ光を照射してもよい。また、検出系５２０及び照射系５３０と発光素子５６０の相対的な位置を変える方法としては、発光素子５６０を支持している試料台５１０を移動する方法の他、第１の光学系５４１及び第２の光学系５４２を移動する方法であっても良く、例えば第１の光学系５４１及び第２の光学系５４２に角度可変な反射鏡を設ける方法でも良い。
【０１０４】
（実施の形態３）
本実施の形態では、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の一態様について詳細に説明する。次に、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた３つの異なる発光色のＥＬ層を設けた発光素子について説明し、その発光素子の潜在的な欠陥を検出し、修正する方法を説明する。
【０１０５】
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子について、図１（Ａ）を用いて説明する。当該発光素子は、第１の電極１００１と第２の電極１００２を有し、両電極間にｎ（ｎは２以上の自然数）層のＥＬ層１００３を有し、ｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目のＥＬ層と（ｍ＋１）番目のＥＬ層との間に、それぞれ電荷発生層１００４を有する。
【０１０６】
電荷発生層１００４は、有機化合物と金属酸化物の複合材料、金属酸化物、有機化合物とアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物との複合材料の他、これらを適宜組み合わせて形成することができる。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、例えば、有機化合物とＶ２Ｏ５やＭｏＯ３やＷＯ３等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
【０１０７】
なお、電荷発生層を一対の電極間を仕切って複数のＥＬ層を設けることで、発光素子の低電流駆動が可能になるだけでなく、電荷発生層１００４に用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、電荷発生層１００４を設けることによる駆動電圧の上昇を抑制して、発光素子を低電圧駆動することができる。
【０１０８】
電荷発生層１００４は、第１の電極１００１と第２の電極１００２に電圧を印加したときに、電荷発生層１００４に接して形成される一方のＥＬ層１００３に対して正孔を注入する機能を有し、他方のＥＬ層１００３に電子を注入する機能を有する。例えば、第１の電極１００１が陽極であって、第２の電極１００２が陰極である積層型素子において、電荷発生層１００４の陰極側の面に接するＥＬ層１００３に電荷発生層１００４は正孔を注入し、電荷発生層１００４の陽極側の面に接するＥＬ層１００３に電荷発生層１００４は電子を注入する。
【０１０９】
ＥＬ層１００３の構成について図１（Ｂ）を用いて説明する。ＥＬ層１００３は、少なくとも発光層１０１３を含んで形成されていればよく、発光層１０１３以外の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層１０１３以外の機能層としては、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いることができる。具体的には、発光層１０１３から陽極側に正孔輸送層１０１２及び正孔注入層１０１１等の機能層を、発光層１０１３から陰極側に電子輸送層１０１４及び電子注入層１０１５等の機能層を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１１０】
以下に、ＥＬ層１００３が正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含んで構成される場合の各層を構成する物質の具体例を示す。
【０１１１】
正孔注入層は、正孔注入性物質を含む層である。当該正孔注入性物質としては、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ルテニウム、酸化タングステン、酸化マンガン等が挙げられる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）及び銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、並びにＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（略称）等の高分子等を正孔注入性物質として用いることもできる。
【０１１２】
正孔輸送層は、正孔輸送性物質を含む層である、当該正孔輸送性物質としては、ＮＰＢ（略称）、ＴＰＤ（略称）、ＴＣＴＡ（略称）、ＴＤＡＴＡ（略称）、ＭＴＤＡＴＡ（略称）、及び４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等の芳香族アミン化合物、並びにＰＣｚＰＣＡ１（略称）、ＰＣｚＰＣＡ２（略称）、ＰＣｚＰＣＮ１（略称）、ＣＢＰ（略称）、ＴＣＰＢ（略称）、及びＣｚＰＡ（略称）のカルバゾール誘導体が挙げられる。また、ＰＶＫ（略称）、ＰＶＴＰＡ（略称）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）を当該正孔輸送性物質として適用することも可能である。ここに述べた物質は、主に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。また、正孔輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層を二層以上積層したものを用いてもよい。
【０１１３】
発光層は、発光物質を含む層である。当該発光物質としては、以下に示す蛍光性化合物及び燐光性化合物を適用することが可能である。
【０１１４】
当該蛍光性化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。
【０１１５】
当該燐光性化合物としては、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−（パーフルオロフェニルフェニル））ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））などが挙げられる。
【０１１６】
なお、発光層は、ホスト材料にこれらの発光物質を分散させた構造とすることが好ましい。ホスト材料としては、ＮＰＢ（略称）、ＴＰＤ（略称）、ＴＣＴＡ（略称）、ＴＤＡＴＡ（略称）、ＭＴＤＡＴＡ（略称）、ＢＳＰＢ（略称）などの芳香族アミン化合物、ＰＣｚＰＣＡ１（略称）、ＰＣｚＰＣＡ２（略称）、ＰＣｚＰＣＮ１（略称）、ＣＢＰ（略称）、ＴＣＰＢ（略称）、ＣｚＰＡ（略称）などのカルバゾール誘導体、及びＰＶＫ（略称）、ＰＶＴＰＡ（略称）、ＰＴＰＤＭＡ（略称）、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ（略称）などの高分子化合物を含む正孔輸送性物質、並びにトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、及びポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）などを含む電子輸送性物質が挙げられる。
【０１１７】
電子輸送層は、電子輸送性物質を含む層である。当該電子輸送性物質としては、Ａｌｑ（略称）、Ａｌｍｑ３（略称）、ＢｅＢｑ２（略称）、及びＢＡｌｑ（略称）などのキノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、並びにＺｎ（ＢＯＸ）２（略称）及びＺｎ（ＢＴＺ）２（略称）などのオキサゾール系又はチアゾール系配位子を有する金属錯体などが挙げられる。また、金属錯体以外にも、ＰＢＤ（略称）、ＯＸＤ−７（略称）、ＣＯ１１（略称）、ＴＡＺ（略称）、ＢＰｈｅｎ（略称）、ＢＣＰ（略称）、ＰＦ−Ｐｙ（略称）、ＰＦ−ＢＰｙ（略称）などを当該電子輸送性物質として適用することも可能である。ここに述べた物質は、主に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層を二層以上積層したものを用いてもよい。
【０１１８】
電子注入層は、電子注入性物質を含む層である。電子注入性物質としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物が挙げられる。また、電子輸送性物質中にアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はこれらの化合物を含有させたもの（例えば、Ａｌｑ（略称）中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等）を当該電子注入性物質として適用することも可能である。この様な構造とすることにより、陰極からの電子注入効率をより高めることができる。
【０１１９】
またＥＬ層と陽極又は陰極との間に電荷発生層を設けることもできる。ＥＬ層と陽極又は陰極との間に電荷発生層を設ける場合、電荷発生層は、正孔輸送性物質と、アクセプター性物質とを含む層とする。なお、電荷発生層は、同一膜中に正孔輸送性物質と、アクセプター性物質とを含有する場合だけでなく、正孔輸送性物質を含む層と、アクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。ただし、積層構造の場合には、アクセプター性物質を含む層が、陽極又は陰極と接する構造とする。
【０１２０】
ＥＬ層と陽極又は陰極との間に電荷発生層を設けることにより、電極を形成する物質の仕事関数を考慮せずに陽極又は陰極を形成することが可能になる。なお、ＥＬ層に設けられる電荷発生層は、上述の電荷発生層と同様の構成及び物質を適用することが可能である。そのため、ここでは前述の説明を援用することとする。
【０１２１】
なお、これらの層を適宜組み合わせて積層することにより、ＥＬ層を形成することができる。また、ＥＬ層の形成方法としては、用いる材料に応じて種々の方法（例えば、乾式法や湿式法等）を適宜選択することができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法、又はスピンコート法などを用いることができる。また、各層で異なる方法を用いて形成してもよい。
【０１２２】
支持体１０００上に形成する第１の電極１００１については特に限定はないが、陽極として利用する場合は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
【０１２３】
これらの材料は、通常スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットにより成膜できる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットにより成膜できる。その他、ゾル−ゲル法などを応用して、インクジェット法、スピンコート法などにより膜を形成してもよい。
【０１２４】
なお、陽極として機能する第１の電極１００１上に形成するＥＬ層１００３のうち、第１の電極１００１に接する層に、前述の複合材料を含む層を用いる場合には、第１の電極１００１に用いる物質は、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムを含む合金（ＡｌＳｉ）等も用いることができる。
【０１２５】
また、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。
【０１２６】
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて第１の電極１００１を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
【０１２７】
第１の電極１００１上に形成するＥＬ層１００３には、公知の物質を用いることができ、低分子系化合物および高分子系化合物のいずれも用いることができる。
【０１２８】
第２の電極１００２についても特に限定はないが、陰極として機能する際は、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。
【０１２９】
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて第２の電極１００２を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
【０１３０】
なお、前述の電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を用いて第２の電極１００２を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
【０１３１】
支持体１０００は、発光素子の支持体として用いられる。例えばガラス、石英、プラスチックなどを用いることができる。なお、支持体１０００側から発光素子の光を取り出す場合は、可視光に対する透光性を有する材料を支持体に用いる。
【０１３２】
ガラス基板の具体例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、若しくはアルミノシリケートガラスなど、フュージョン法やフロート法で作製される無アルカリガラス基板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板等を用いることができる。例えば、成分比としてホウ酸（Ｂ２Ｏ３）よりも酸化バリウム（ＢａＯ）を多く含み、歪み点が７３０℃以上のガラス基板を用いると好ましい。酸化物半導体層を７００℃程度の高温で熱処理する場合でも、ガラス基板が歪まないで済むからである。
【０１３３】
支持体１０００がマザーガラスの場合、基板の大きさは、第１世代（３２０ｍｍ×４００ｍｍ）、第２世代（４００ｍｍ×５００ｍｍ）、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、または７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１０００ｍｍ×１２００ｍｍ、または１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ）、第６世代（１５００ｍｍ×１８００ｍｍ）、第７世代（１９００ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、または２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等とすることができる。
【０１３４】
また、ステンレス合金などの金属基板の表面に絶縁膜を設けた基板を適用しても良い。また、プラスチック基板は軽量である、可撓性を有している、可視光を透過する等、発光素子の基板として魅力的な特徴を有する。また、プラスチック基板に防湿性を有する層を成膜もしくは貼り付け、発光素子を水などの不純物から保護できる基板を用いてもよい。
【０１３５】
また、支持体１０００上に下地膜として絶縁膜を形成してもよい。下地膜としては、ＰＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜の単層、又は積層で形成すればよい。また、発光装置の駆動回路などが別途作製された支持体１０００を用い、駆動回路に電気的に接続した第１の電極にＥＬ層を形成してもよい。
【０１３６】
本実施の形態の発光素子は、第１の電極１００１と第２の電極１００２に与えた電位差により電流が流れ、ＥＬ層１００３にて正孔と電子が再結合して発光に至る。この光を発光素子の外部に取り出すには、透光性を有する導電膜で第１の電極１００１または第２の電極１００２のいずれか一方、または両方を形成すればよい。
【０１３７】
なお、第１の電極１００１のみが透光性を有する電極である場合には、ＥＬ層１００３で生じた発光は第１の電極１００１を通って支持体１０００側から取り出される。また、第２の電極１００２のみが透光性を有する電極である場合には、ＥＬ層１００３で生じた発光は第２の電極１００２を通って支持体１０００と逆側から取り出される。さらに、第１の電極１００１および第２の電極１００２がいずれも透光性を有する電極である場合には、ＥＬ層１００３で生じた発光は第１の電極１００１および第２の電極１００２を通って、支持体１０００側および支持体１０００と逆側の両方から取り出される。
【０１３８】
次に、一対の電極間に２つの電荷発生層によって仕切られた３つの異なる発光色のＥＬ層を設けた発光素子を図７に例示する。
【０１３９】
発光素子１５００ａは、可視光を透過する支持体１０００上に、可視光を透過する第１の電極１５０１と第２の電極１５０２の間に、２つの電荷発生層１５０４に仕切られた３つのＥＬ層１５０３Ｒ、１５０３Ｇ及び１５０３Ｂを有しており、各層は前述の材料を用いて形成できる。
【０１４０】
また、発光素子１５００ｂは、支持体１０００上に、第１の電極１５０１と可視光を透過する第２の電極１５０２の間に、２つの電荷発生層１５０４に仕切られた３つのＥＬ層１５０３Ｒ、１５０３Ｇ及び１５０３Ｂを有しており、各層は前述の材料を用いて形成できる。また、第２の電極１５０２上に可視光を透過する封止膜１５０９を形成してある。
【０１４１】
発光素子の光を取り出す側から、潜在的な欠陥を検出し、レーザ光を照射して絶縁化する方法が、発光装置の構造が簡便であり好ましい。従って、発光素子１５００ａは支持体１０００側から潜在的な欠陥の検出及び絶縁化を行い、発光素子１５００ｂは封止膜１５０９と第２の電極１５０２を通して潜在的な欠陥の検出及び絶縁化を行う。
【０１４２】
第１のＥＬ層１５０３Ｒは赤色の光を発する発光層を有し、第２のＥＬ層１５０３Ｇは緑色の光を発する発光層を有し、第３のＥＬ層１５０３Ｂは青色の光を発する発光層を有する。このような発光素子１５００ａ及び発光素子１５００ｂは、発光素子全体としては白色光を発する。なお、各ＥＬ層の発光色及び積層の順番はこの例に限らない。
【０１４３】
このように異なる波長の光を発するＥＬ層を積層すると、多様な波長の光を発する発光素子を形成できる。例えば、可視光領域の多様な波長の光を発する発光素子は演色性に優れており、照明用途に好適である。
【０１４４】
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数の異なる発光色のＥＬ層を設けた発光素子では、導電性の異物が混入した部位は輝度だけでなく色度も変化する。
【０１４５】
発光素子１５００ａ及び１５００ｂにおいて、第１のＥＬ層１５０３Ｒに導電性の異物が混入した場合は、第１のＥＬ層１５０３Ｒからの発光が損なわれるため緑色光と青色光の成分からなる強い発光が得られる。また、第２のＥＬ層１５０３Ｇに導電性の異物が混入した場合は、第２のＥＬ層１５０３Ｇからの発光が損なわれるため赤色光と青色光の成分からなる強い発光が得られる。また、第３のＥＬ層１５０３Ｂに導電性の異物が混入した場合は、第３のＥＬ層１５０３Ｂからの発光が損なわれるため赤色光と緑色光の成分からなる強い発光が得られる。
【０１４６】
また、第１のＥＬ層１５０３Ｒと第２のＥＬ層１５０３Ｇに渡って導電性の異物が混入した場合は、青色光の成分からなる強い発光が得られる。また、第２のＥＬ層１５０３Ｇと第３のＥＬ層１５０３Ｂに渡って導電性の異物が混入した場合は、赤色光の成分からなる強い発光が得られる。
【０１４７】
このように、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数の異なる発光色のＥＬ層を設けた発光素子の場合、導電性の異物が混入した潜在的な欠陥は輝度だけでなく色度も変化する。従って、発光素子の光取り出し面の実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上に発光する電圧を発光素子の順方向に印加し、色度分布の観測手段を用いて発光素子の光取り出し面を測定し、色度が異なる異常発光部位を検出すれば、導電性の異物が混入した潜在的な欠陥を検出できる。
【０１４８】
色度分布の観測手段としては、カラーＣＣＤカメラなどを用いることができる。
【０１４９】
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数の異なる発光色のＥＬ層を設けた発光素子の潜在的な欠陥は、輝度または色度の違う異常発光部位として検出できる。
【０１５０】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができることとする。
【０１５１】
（実施の形態４）
本実施の形態では表示装置の潜在的な欠陥を検出し、修正する方法について説明する。検査対象とする発光装置について図８及び図９を用いて説明する。
【０１５２】
まず、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置について説明する。図８（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された４０１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、４０２は画素部、４０３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。また、４０４は封止基板、４０５はシール材であり、シール材４０５で囲まれた内側は、空間４０７になっている。
【０１５３】
なお、引き回し配線４０８はソース側駆動回路４０１及びゲート側駆動回路４０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）４０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１５４】
次に、断面構造について図８（Ｂ）を用いて説明する。基板４１０上には駆動回路部及び複数の画素を有する画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路４０１と画素部４０２に複数形成された画素のうち一つの画素が示されている。
【０１５５】
なお、ソース側駆動回路４０１はｎチャネル型ＴＦＴ４２３とｐチャネル型ＴＦＴ４２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路は、ＴＦＴで形成される種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０１５６】
また、画素部４０２はスイッチング用ＴＦＴ４１１と、電流制御用ＴＦＴ４１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極４１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極４１３の端部を覆って絶縁物４１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
【０１５７】
また、カバレッジを良好なものとするため、絶縁物４１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物４１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物４１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物４１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【０１５８】
第１の電極４１３上には、発光物質を含む層４１６、および第２の電極４１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極４１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、または珪素を含有したインジウムスズ酸化物膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
【０１５９】
第１の電極４１３と第２の電極４１７の間には、電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を実施の形態３と同様に形成する。また、ＥＬ層に用いる材料としては、通常、有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、有機化合物からなる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めることとする。
【０１６０】
また、発光物質を含む層４１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法により形成できる。
【０１６１】
さらに、発光物質を含む層４１６上に形成される第２の電極４１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金や化合物、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、または窒化カルシウム）が好ましい。なお、発光物質を含む層４１６で生じた光が陰極として機能する第２の電極４１７を透過させる場合には、第２の電極４１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。
【０１６２】
さらにシール材４０５で封止基板４０４を基板４１０と貼り合わせることにより、基板４１０、封止基板４０４、およびシール材４０５で囲まれた空間４０７に発光素子４１８が備えられた構造になっている。なお、空間４０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材４０５で充填される構成も含むものとする。
【０１６３】
なお、シール材４０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板４０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル樹脂等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１６４】
以上のようにして作製した、電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の潜在的な欠陥は、実施の形態２で例示した方法および装置を用いて、検出および修正することができる。
【０１６５】
本発明の一態様によれば、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子が有する、短絡に至っていない潜在的な欠陥を検出できる。また、当該潜在的な欠陥を絶縁化して潜在的な欠陥が修復された発光装置を提供できる。
【０１６６】
次に、パッシブマトリクス型の画像表示装置について説明する。図９には本発明の一態様を適用して作製したパッシブマトリクス型の画像表示装置を示す。なお、図９（Ａ）は、パッシブマトリクス型の画像表示装置を示す斜視図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）をＸ−Ｙで切断した断面図である。図９において、基板９５１上には、第１の電極９５２と第２の電極９５６と、それらの間に発光物質を含む層９５５とが設けられている。第１の電極９５２の端部は絶縁層９５３で覆われている。そして、絶縁層９５３上には隔壁層９５４が設けられている。
【０１６７】
隔壁層９５４の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層９５４の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接する辺）の方が上辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層９５４を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。
【０１６８】
第１の電極９５２と第２の電極９５６の間には、電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を実施の形態３と同様に形成する。
【０１６９】
以上のようにして作製した、電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子に、潜在的な欠陥が生じた場合、当該潜在的な欠陥を実施の形態２で例示した方法および装置を用いて、検出および修正することができる。
【０１７０】
本発明の一態様によれば、一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子が有する、短絡に至っていない潜在的な欠陥を検出できる。また、当該潜在的な欠陥を絶縁化して潜在的な欠陥が修復された発光装置を提供できる。
【０１７１】
（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態４に示した潜在的な欠陥が修復された発光装置をその一部に含む電子機器について説明する。実施の形態４に示した潜在的な欠陥が修復された発光装置を含む電子機器は異常発光する部位や激しい特性の変化や、長期の使用で短絡に至ったりする等の不具合が顕在化することがなく、信頼性に優れる。
【０１７２】
本発明の一態様の発光素子を用いて作製された発光装置を有する電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的には、Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等）の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図１０に示す。
【０１７３】
図１０（Ａ）は本発明の一形態に係るテレビ装置であり、筐体９１０１、支持台９１０２、表示部９１０３、スピーカー部９１０４、ビデオ入力端子９１０５等を含む。このテレビ装置において、表示部９１０３は、実施の形態４で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、潜在的な欠陥が修復されているという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９１０３も同様の特徴を有するため、異常発光する部位や激しい特性の変化や、長期の使用で短絡に至ったりする等の不具合が顕在化することがない。このように本発明の一形態に係るテレビ装置は高信頼性が図られているので、長期間にわたって使用でき、無駄な買い換えが不要であり、資源を無駄にしない。
【０１７４】
図１０（Ｂ）は本発明に係るコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングデバイス９２０６等を含む。このコンピュータにおいて、表示部９２０３は、実施の形態４で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、潜在的な欠陥が修復されているという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９２０３も同様の特徴を有するため、異常発光する部位や激しい特性の変化や、長期の使用で短絡に至ったりする等の不具合が顕在化することがない。このように本発明の一形態に係るコンピュータは高信頼性が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。
【０１７５】
図１０（Ｃ）は本発明の一形態に係る携帯電話９３００であり、筐体９３０１、表示部９３０２、スイッチ９３０３、接続部９３０４、スピーカー９３０５、マイク９３０６等を含む。表示部９３０２を指などで触れることで、情報を入力ことができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つ操作は、表示部９３０２を指などで触れることにより行うことができる。この携帯電話において、表示部９３０２は、実施の形態４で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、潜在的な欠陥が修復されているという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９３０２も同様の特徴を有するため、異常発光する部位や激しい特性の変化や、長期の使用で短絡に至ったりする等の不具合が顕在化することがない。このように本発明の一形態に係る携帯電話は高信頼性が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。
【０１７６】
図１０（Ｄ）は本発明の一形態に係るカメラであり、本体９５０１、表示部９５０２、筐体９５０３、外部接続ポート９５０４、リモコン受信部９５０５、受像部９５０６、バッテリー９５０７、音声入力部９５０８、操作キー９５０９、接眼部９５１０等を含む。このカメラにおいて、表示部９５０２は、実施の形態４で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、潜在的な欠陥が修復されているという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部９５０２も同様の特徴を有するため、異常発光する部位や激しい特性の変化や、長期の使用で短絡に至ったりする等の不具合が顕在化することがない。このように本発明の一形態に係るカメラは高信頼性が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。
【０１７７】
以上の様に、本発明の一態様の潜在的な欠陥の検出方法及び修正方法によって製造された発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本発明の一態様の発光素子を用いることにより、信頼性の高い電子機器を提供することが可能となる。また、潜在的な欠陥を検出し修正することにより、良品の歩留まりが高まり、生産コストを低減する効果を有する。
【０１７８】
また、本発明の一態様の潜在的な欠陥の検出方法及び修正方法によって製造された発光装置は、照明装置として用いることもできる。発光素子を照明装置として用いる一態様を、図１１を用いて説明する。
【０１７９】
図１１は、本発明の一形態に係る発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図１１に示した液晶表示装置は、筐体９６０１、液晶層９６０２、バックライト９６０３、筐体９６０４を有し、液晶層９６０２は、ドライバーＩＣ９６０５と接続されている。また、バックライト９６０３は、本発明の一形態に係る発光装置が用いられおり、端子９６０６により、電流が供給されている。
【０１８０】
本発明の一態様の潜在的な欠陥の検出方法及び修正方法によって製造された発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、信頼性の高いバックライトが得られる。また、当該発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、当該発光装置は異常発光する部位や激しい特性の変化や、長期の使用で短絡に至ったりする等の不具合が顕在化することがなく、高信頼性が図られているので、当該発光装置を用いた液晶表示装置も信頼性が高い。
【０１８１】
図１２は、本発明の一態様を適用した発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図１２に示す電気スタンドは、筐体２００１と、光源２００２を有し、光源２００２として、本発明の一態様の発光装置が用いられている。本発明の一態様の潜在的な欠陥の検出方法及び修正方法によって製造された発光装置は、異常発光する部位や激しい特性の変化や、長期の使用で短絡に至ったりする等の不具合が顕在化することがなく、高信頼性が図られているため、当該発光装置を用いた電気スタンドも信頼性が高い。
【０１８２】
また、図１３は本発明の一態様を適用した発光装置を室内の照明装置３００１として用いた例である。
【０１８３】
本発明の一態様の潜在的な欠陥の検出方法及び修正方法は大面積の発光装置にも適用可能であり、本発明の一態様を適用した照明装置は大面積の照明装置として用いることができる。また、本発明の一態様の発光装置は、薄型で低消費電力であるため、薄型化、低消費電力化の照明装置として用いることが可能となる。
【０１８４】
このように、本発明の一態様を適用した発光装置を、室内の照明装置３００１として用いた部屋に、図１０（Ａ）で説明したような、本発明の一形態に係るテレビ装置３００２を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。このような場合、両装置は信頼性が高いので長期間の使用に耐え、故障による買い換えが不要であり資源を無駄遣いすることがない。
【符号の説明】
【０１８５】
４０１ ソース側駆動回路
４０２ 画素部
４０３ ゲート側駆動回路
４０４ 封止基板
４０５ シール材
４０７ 空間
４０８ 引き回し配線
４０９ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
４１０ 基板
４１１ スイッチング用ＴＦＴ
４１２ 電流制御用ＴＦＴ
４１３ 電極
４１４ 絶縁物
４１６ 発光物質を含む層
４１７ 電極
４１８ 発光素子
４２３ ｎチャネル型ＴＦＴ
４２４ ｐチャネル型ＴＦＴ
５００ 作製装置
５１０ 試料台
５１１ 支持機構
５１２ 移動機構
５２０ 検出系
５２１ 撮像装置
５３０ 照射系
５３１ レーザ装置
５４１ 第１の光学系
５４１ｓ 第１のシャッター
５４２ 第２の光学系
５４２ｓ 第２のシャッター
５４３ 第３の光学系
５４５ ハーフミラー
５５０ 制御系
５５１ 制御装置
５５２ 表示装置
５６０ 発光素子
５６１ 潜在的な欠陥
５６２ａ 異常発光する部位
５６２ｂ 異常発光する部位
５６２ｃ 異常発光する部位
５６２ｄ 異常発光する部位
５６２ｅ 異常発光する部位５６５ 端子部
５７１ 駆動装置
５７２ 外部電源
９５１ 基板
９５２ 第１の電極
９５３ 絶縁層
９５４ 隔壁層
９５５ 発光物質を含む層
９５６ 第２の電極
１０００ 支持体
１００１ 第１の電極
１００２ 第２の電極
１００３ ＥＬ層
１００４ 電荷発生層
１０１１ 正孔注入層
１０１２ 正孔輸送層
１０１３ 発光層
１０１４ 電子輸送層
１０１５ 電子注入層
１１００ 発光素子
１１００ａ 第１の領域
１１００ｂ 第２の領域
１１０１ 第１の電極
１１０２ 第２の電極
１１０３ａ 第１のＥＬ層
１１０３ｂ 第２のＥＬ層
１１０４ 電荷発生層
１２００ 発光素子
１２００ａ 領域
１２００ｃ 領域
１２０１ 第１の電極
１２０２ 第２の電極
１２０３ａ 第１のＥＬ層
１２０３ｂ 第２のＥＬ層
１２０４ 電荷発生層
１２０６ 導電性の異物
１３００ 発光素子
１３０１ 第１の電極
１３０２ 第２の電極
１３０３ａ 発光性の有機化合物を含むＥＬ層
１４００ 発光素子
１４００ａ 第１の領域
１４００ｂ 第２の領域
１４０１ 第１の電極
１４０２ 第２の電極
１４０３ａ 第１のＥＬ層
１４０３ｂ 第２のＥＬ層
１４０４ 電荷発生層
１５００ａ 発光素子
１５００ｂ 発光素子
１５０１ 第１の電極
１５０２ 第２の電極
１５０３Ｂ ＥＬ層
１５０３Ｇ ＥＬ層
１５０３Ｒ ＥＬ層
１５０４ 電荷発生層
１５０９ 封止膜
２００１ 筐体
２００２ 光源
３００１ 照明装置
３００２ テレビ装置
９１０１ 筐体
９１０２ 支持台
９１０３ 表示部
９１０４ スピーカー部
９１０５ ビデオ入力端子
９２０１ 本体
９２０２ 筐体
９２０３ 表示部
９２０４ キーボード
９２０５ 外部接続ポート
９２０６ ポインティングデバイス
９３０１ 筐体
９３０２ 表示部
９３０３ スイッチ
９３０４ 接続部
９３０５ スピーカー
９３０６ マイク
９５０１ 本体
９５０２ 表示部
９５０３ 筐体
９５０４ 外部接続ポート
９５０５ リモコン受信部
９５０６ 受像部
９５０７ バッテリー
９５０８ 音声入力部
９５０９ 操作キー
９５１０ 接眼部
９６０１ 筐体
９６０２ 液晶層
９６０３ バックライト
９６０４ 筐体
９６０５ ドライバーＩＣ
９６０６ 端子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子に、
前記発光素子の光取り出し面において実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上に発光する発光開始電圧未満の電圧を前記発光素子の順方向に印加し、
前記発光素子の光取り出し面において１（ｃｄ／ｍ２）以上の発光を呈する異常発光部位を検出する発光素子の検査方法。
【請求項２】
電荷発生層によって仕切られた発光色が異なる複数のＥＬ層を一対の電極間に設けた発光素子に、
前記発光素子の光取り出し面において実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上に発光する電圧を前記発光素子の順方向に印加し、
前記発光素子の光取り出し面において色度が異なる異常発光部位を検出する発光素子の検査方法。
【請求項３】
発光素子の光取り出し面において実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上に発光する発光開始電圧未満の電圧を前記発光素子の順方向に印加し、
前記発光素子の光取り出し面において１（ｃｄ／ｍ２）以上の発光を呈する異常発光部位にレーザ光を照射し絶縁化する、
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の作製方法。
【請求項４】
前記発光素子の光取り出し面において実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上に発光する電圧を前記発光素子の順方向に印加し、
前記発光素子の光取り出し面において色度が異なる異常発光部位にレーザ光を照射し絶縁化する、
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の作製方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２記載の
前記異常発光部位の検出工程と、
前記異常発光部位にレーザ光を照射する工程を有し、
前記異常発光部位の検出工程の観察画像の解像度に比べ、レーザ光を照射する工程の観察画像の解像度が高いことを特徴とする、
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の作製方法。
【請求項６】
請求項１または請求項２記載の
前記異常発光部位の検出工程と、
前記異常発光部位にレーザ光を照射する工程を有し、
前記異常発光部位の検出工程の観察画像の解像度の１００倍以上、１０，０００倍以下の高解像度で、
レーザ光を照射する工程の観察画像の解像度が高いことを特徴とする
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の作製方法。
【請求項１】
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子に、
前記発光素子の光取り出し面において実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上に発光する発光開始電圧未満の電圧を前記発光素子の順方向に印加し、
前記発光素子の光取り出し面において１（ｃｄ／ｍ２）以上の発光を呈する異常発光部位を検出する発光素子の検査方法。
【請求項２】
電荷発生層によって仕切られた発光色が異なる複数のＥＬ層を一対の電極間に設けた発光素子に、
前記発光素子の光取り出し面において実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上に発光する電圧を前記発光素子の順方向に印加し、
前記発光素子の光取り出し面において色度が異なる異常発光部位を検出する発光素子の検査方法。
【請求項３】
発光素子の光取り出し面において実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上に発光する発光開始電圧未満の電圧を前記発光素子の順方向に印加し、
前記発光素子の光取り出し面において１（ｃｄ／ｍ２）以上の発光を呈する異常発光部位にレーザ光を照射し絶縁化する、
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の作製方法。
【請求項４】
前記発光素子の光取り出し面において実質的に全面が１（ｃｄ／ｍ２）以上に発光する電圧を前記発光素子の順方向に印加し、
前記発光素子の光取り出し面において色度が異なる異常発光部位にレーザ光を照射し絶縁化する、
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の作製方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２記載の
前記異常発光部位の検出工程と、
前記異常発光部位にレーザ光を照射する工程を有し、
前記異常発光部位の検出工程の観察画像の解像度に比べ、レーザ光を照射する工程の観察画像の解像度が高いことを特徴とする、
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の作製方法。
【請求項６】
請求項１または請求項２記載の
前記異常発光部位の検出工程と、
前記異常発光部位にレーザ光を照射する工程を有し、
前記異常発光部位の検出工程の観察画像の解像度の１００倍以上、１０，０００倍以下の高解像度で、
レーザ光を照射する工程の観察画像の解像度が高いことを特徴とする
一対の電極間に電荷発生層によって仕切られた複数のＥＬ層を設けた発光素子の作製方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１１−４９１５９（Ｐ２０１１−４９１５９Ａ）
【公開日】平成２３年３月１０日（２０１１．３．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１６７１２５（Ｐ２０１０−１６７１２５）
【出願日】平成２２年７月２６日（２０１０．７．２６）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月１０日（２０１１．３．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月２６日（２０１０．７．２６）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]