発光装置
【課題】発光分布のむらをさらに低減させること。
【解決手段】基体１１と、基体１１上に実装された発光素子１２と、発光素子１２の側面１２ｓおよび上端１２ｔを囲んでいる発光部材１３とを有している。発光素子１２は、半導体材料からなり、第１の光を発生する。発光部材１３は、発光素子１２の配光Ｄに対応する形状を有しているとともに、第１の光に励起されて第２の光を放射する蛍光材料を含んでいる。
【解決手段】基体１１と、基体１１上に実装された発光素子１２と、発光素子１２の側面１２ｓおよび上端１２ｔを囲んでいる発光部材１３とを有している。発光素子１２は、半導体材料からなり、第１の光を発生する。発光部材１３は、発光素子１２の配光Ｄに対応する形状を有しているとともに、第１の光に励起されて第２の光を放射する蛍光材料を含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば発光ダイオードなどの発光素子を有する発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光装置として、発光素子の上方に設けられた蛍光材料部材を有するものがある。発光素子によって発生された光は、蛍光材料部材によって波長変換されて、外部へ放射される。
【特許文献１】特開２００４−５４３７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
例えば発光ダイオードなどの発光素子によって発生される光は、発光素子を中心に放射状に照射される。従来の発光装置においては、発光素子の上方に蛍光材料部材が設けられており、この蛍光材料部材に対する発光素子によって発生された光の強度分布に偏りがある場合がある。今後の発光装置においては、発光分布のむらをさらに低減させることが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の発光装置は、基体と、基体上に実装された発光素子と、発光素子の側面および上端を囲んでいる発光部材とを有している。発光素子は、半導体材料からなり、第１の光を発生する。発光部材は、発光素子の配光に対応する形状を有しているとともに、第１の光に励起されて第２の光を放射する蛍光材料を含んでいる。
【発明の効果】
【０００５】
本発明の発光装置は、発光素子の配光に対応する形状を有しており、発光素子の側面および上端を囲んでいる発光部材を有していることにより、発光分布のむらが低減されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１−図３に示されたように、本実施の形態の発光装置は、基体１１と、基体１１上に実装された発光素子１２と、発光素子１２の側面１２ｓおよび上端１２ｔを囲んでいる発光部材１３とを有している。図２は、図１に示された発光装置における発光部材１３の一部分を省略して示している。
【０００７】
基体１１は、セラミックスなどの絶縁材料からなる。発光素子１２は、基体１１上に実装されており、第１の光を発生する。第１の光は、３７０ｎｍから４００ｎｍ（紫外）の波長範囲の少なくとも一部、または、４２０ｎｍから４４０ｎｍ（青色）の波長範囲の少なくとも一部を有するものである。発光素子１２は、半導体材料からなる発光ダイオードである。発光ダイオードの例としては、基板上に形成されたｐ型のＧａＮ層、ＧａＮ活性層およびｎ型のＧａＮ層を有するものがある。発光ダイオード素子の他の例としては、ＡｌＮからなるものがある。
【０００８】
発光部材１３は、発光素子１２によって発生された第１の光に励起されて第２の光を放射する蛍光材料を有している。第２の光は、第１の光の第１の波長より長い第２の波長を有している。発光部材１３は、第１の波長を第２の波長に変換する。発光部材１３は、蛍光材料を含有している透光性樹脂からなる。本実施の形態において、樹脂の透光性とは、発光素子１２によって発生された第１の光の波長の少なくとも一部が透過することをいう。
【０００９】
図３に示されたように、発光部材１３は、発光素子１２の配光Ｄに対応する形状を有している。本実施の形態において、配光とは、空間における発光素子から放射された光の強度分布のことをいう。配光に対応しているとは、発光素子からの距離を、配光における光の強度に反比例していることをいう。すなわち、光の強度が強ければ発光素子からの距離を離し、光の強度が弱ければ発光素子からの距離を近づけることをいう。本実施の形態の発光装置は、発光素子の配光に対応する形状を有する発光部材を備えていることにより、発光分布のむらが低減されている。
【００１０】
発光部材１３の内側表面は、発光素子１２から離れている。発光部材１３は、曲面の外形状を有している。発光部材１３は、発光素子１２の上方であり光軸Ｘ上に位置する中心点を有している。発光部材１３の中心点が、発光素子１２の直上に位置している。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の発光装置の実施の形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示された発光装置を説明する図である。
【図３】図１に示された発光装置の断面図である。
【符号の説明】
【００１２】
１１ 基体
１２ 発光素子
１３ 発光部材
Ｄ 発光分布
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば発光ダイオードなどの発光素子を有する発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光装置として、発光素子の上方に設けられた蛍光材料部材を有するものがある。発光素子によって発生された光は、蛍光材料部材によって波長変換されて、外部へ放射される。
【特許文献１】特開２００４−５４３７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
例えば発光ダイオードなどの発光素子によって発生される光は、発光素子を中心に放射状に照射される。従来の発光装置においては、発光素子の上方に蛍光材料部材が設けられており、この蛍光材料部材に対する発光素子によって発生された光の強度分布に偏りがある場合がある。今後の発光装置においては、発光分布のむらをさらに低減させることが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の発光装置は、基体と、基体上に実装された発光素子と、発光素子の側面および上端を囲んでいる発光部材とを有している。発光素子は、半導体材料からなり、第１の光を発生する。発光部材は、発光素子の配光に対応する形状を有しているとともに、第１の光に励起されて第２の光を放射する蛍光材料を含んでいる。
【発明の効果】
【０００５】
本発明の発光装置は、発光素子の配光に対応する形状を有しており、発光素子の側面および上端を囲んでいる発光部材を有していることにより、発光分布のむらが低減されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１−図３に示されたように、本実施の形態の発光装置は、基体１１と、基体１１上に実装された発光素子１２と、発光素子１２の側面１２ｓおよび上端１２ｔを囲んでいる発光部材１３とを有している。図２は、図１に示された発光装置における発光部材１３の一部分を省略して示している。
【０００７】
基体１１は、セラミックスなどの絶縁材料からなる。発光素子１２は、基体１１上に実装されており、第１の光を発生する。第１の光は、３７０ｎｍから４００ｎｍ（紫外）の波長範囲の少なくとも一部、または、４２０ｎｍから４４０ｎｍ（青色）の波長範囲の少なくとも一部を有するものである。発光素子１２は、半導体材料からなる発光ダイオードである。発光ダイオードの例としては、基板上に形成されたｐ型のＧａＮ層、ＧａＮ活性層およびｎ型のＧａＮ層を有するものがある。発光ダイオード素子の他の例としては、ＡｌＮからなるものがある。
【０００８】
発光部材１３は、発光素子１２によって発生された第１の光に励起されて第２の光を放射する蛍光材料を有している。第２の光は、第１の光の第１の波長より長い第２の波長を有している。発光部材１３は、第１の波長を第２の波長に変換する。発光部材１３は、蛍光材料を含有している透光性樹脂からなる。本実施の形態において、樹脂の透光性とは、発光素子１２によって発生された第１の光の波長の少なくとも一部が透過することをいう。
【０００９】
図３に示されたように、発光部材１３は、発光素子１２の配光Ｄに対応する形状を有している。本実施の形態において、配光とは、空間における発光素子から放射された光の強度分布のことをいう。配光に対応しているとは、発光素子からの距離を、配光における光の強度に反比例していることをいう。すなわち、光の強度が強ければ発光素子からの距離を離し、光の強度が弱ければ発光素子からの距離を近づけることをいう。本実施の形態の発光装置は、発光素子の配光に対応する形状を有する発光部材を備えていることにより、発光分布のむらが低減されている。
【００１０】
発光部材１３の内側表面は、発光素子１２から離れている。発光部材１３は、曲面の外形状を有している。発光部材１３は、発光素子１２の上方であり光軸Ｘ上に位置する中心点を有している。発光部材１３の中心点が、発光素子１２の直上に位置している。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の発光装置の実施の形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示された発光装置を説明する図である。
【図３】図１に示された発光装置の断面図である。
【符号の説明】
【００１２】
１１ 基体
１２ 発光素子
１３ 発光部材
Ｄ 発光分布
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
半導体材料からなり、前記基体上に実装されており、第１の光を発生する発光素子と、
前記発光素子の配光に対応する形状を有しているとともに、前記第１の光に励起されて第２の光を放射する蛍光材料を含んでおり、前記発光素子の側面および上端を囲んでいる発光部材と、
を備えた発光装置。
【請求項２】
前記発光部材の内側表面が、前記発光素子から離れていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光部材は、曲面の外形状を有していることを特徴とする請求項２記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光部材は、発光素子の上方であり光軸上に位置する中心点を有していることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光部材の前記中心点が、前記発光素子の直上に位置することを特徴とする請求項４記載の発光装置。
【請求項１】
基体と、
半導体材料からなり、前記基体上に実装されており、第１の光を発生する発光素子と、
前記発光素子の配光に対応する形状を有しているとともに、前記第１の光に励起されて第２の光を放射する蛍光材料を含んでおり、前記発光素子の側面および上端を囲んでいる発光部材と、
を備えた発光装置。
【請求項２】
前記発光部材の内側表面が、前記発光素子から離れていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光部材は、曲面の外形状を有していることを特徴とする請求項２記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光部材は、発光素子の上方であり光軸上に位置する中心点を有していることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光部材の前記中心点が、前記発光素子の直上に位置することを特徴とする請求項４記載の発光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１０−２６２９４５（Ｐ２０１０−２６２９４５Ａ）
【公開日】平成２２年１１月１８日（２０１０．１１．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２２３４６４（Ｐ２００７−２２３４６４）
【出願日】平成１９年８月３０日（２００７．８．３０）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１１月１８日（２０１０．１１．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年８月３０日（２００７．８．３０）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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