積層型電子部品およびその製造方法
【課題】部品本体における複数の内部電極の露出端に析出しためっき析出物を成長させることによって、外部電極の少なくとも一部となるめっき膜を形成した後、熱処理すると、部品本体中のめっき液等の水分が蒸発除去されるが、めっき膜の存在により、水分の放出が妨げられるばかりでなく、めっき膜にブリスタ（膨れ不良）が生じることがある。
【解決手段】内部電極５，６の引出し部９，１２に、露出端１０，１３を複数の部分に分割するための切込み１５，１６を形成する。それによって、めっき膜１７，１８には、切込み１５，１６の位置において積層方向に延びるスリット１９，２０が形成される。スリット１９，２０は、水分の放出経路を提供し、熱処理の際、部品本体２の内部から水分をより抜けやすくし、めっき膜１７，１８にブリスタを生じにくくする。
【解決手段】内部電極５，６の引出し部９，１２に、露出端１０，１３を複数の部分に分割するための切込み１５，１６を形成する。それによって、めっき膜１７，１８には、切込み１５，１６の位置において積層方向に延びるスリット１９，２０が形成される。スリット１９，２０は、水分の放出経路を提供し、熱処理の際、部品本体２の内部から水分をより抜けやすくし、めっき膜１７，１８にブリスタを生じにくくする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層型電子部品およびその製造方法に関するもので、特に、外部電極が複数の内部電極と電気的に接続されるようにして直接めっきにより形成された積層型電子部品およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサに代表される積層型電子部品は、一般に、たとえば誘電体セラミックからなる積層された複数の機能材料層と、機能材料層間の界面に沿って形成された複数の層状の内部電極とを含む、積層構造の部品本体を備えている。部品本体のたとえば一方および他方端面には、それぞれ、複数の内部電極の各端部が露出していて、これら内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように、外部電極が形成されている。
【０００３】
外部電極の形成にあたっては、一般に、金属成分とガラス成分とを含む導電性ペーストを部品本体の端面上に塗布し、次いで焼き付けることにより、ペースト電極層がまず形成される。ペースト電極層は、内部電極相互の電気的接続の役割を果たす。次に、ペースト電極層上に、たとえばニッケルを主成分とする第１のめっき層が形成され、さらにその上に、たとえば錫または金を主成分とする第２のめっき層が形成される。第２のめっき層は、はんだぬれ性を確保するためのものであり、第１のめっき層は、はんだ接合時のはんだ喰われを防止する役割を果たしている。
【０００４】
上述のように、外部電極は、典型的には、ペースト電極層、第１のめっき層および第２のめっき層の３層構造より構成される。
【０００５】
しかし、ペースト電極層は、その厚みが数十μｍ〜数百μｍと大きい。したがって、積層型電子部品の寸法を一定の規格値に収めるためには、このペースト電極層の体積を確保する必要が生じる分、不所望にも、静電容量確保のための実効体積を減少させる必要が生じる。一方、めっき層はその厚みが数μｍ程度であるため、仮にめっき層のみで外部電極を構成できれば、静電容量確保のための実効体積をより多く確保することができる。
【０００６】
たとえば、特開昭６３−１６９０１４号公報（特許文献１）には、部品本体の、内部電極が露出した側壁面の全面に対し、側壁面に露出した内部電極が短絡されるように、無電解めっきによって導電性金属膜を析出させ、この導電性金属膜を外部電極とすることが開示されている。
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載されている外部電極の形成方法では、内部電極の露出した端部に直接めっきを行なうため、内部電極と絶縁体層との間の界面に沿って部品本体中にめっき液が浸入することがある。また、めっき液以外の水分が部品本体中に浸入することもある。
【０００８】
他方、外部電極となるめっき膜の、部品本体への固着力強化を目的として、めっき工程の後に８００℃程度以上の温度で熱処理を行なうことがある。この場合、通常であれば、部品本体中の水分は熱処理によって蒸発除去されることになる。しかしながら、めっき工程の後では、部品本体中の水分の放出経路がめっき膜によって覆われており、そのため、水分の放出が妨げられるばかりでなく、めっき膜にブリスタ（膨れ不良）が生じることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開昭６３−１６９０１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
この発明の目的は、上記のような問題点を解決し得る積層型電子部品およびその製造方法を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明は、複数の内部電極が内部に形成された、積層構造の部品本体と、複数の内部電極に電気的に接続されるように部品本体の外表面上に直接形成された、外部電極の少なくとも一部となるめっき膜とを備え、各内部電極は、主要部と主要部から延びる引出し部とを有し、引出し部の端部には、上記めっき膜と接触するように部品本体の外表面に露出する露出端が形成されている、積層型電子部品にまず向けられる。
【００１２】
このような積層型電子部品において、上述した技術的課題を解決するため、各引出し部には、露出端を複数の部分に分割するための切込みが形成されていて、複数の引出し部に形成された複数の切込みは、部品本体の積層方向に整列しており、めっき膜には、切込みの位置において積層方向に延びるスリットが形成されていることを特徴としている。
【００１３】
上述した切込みによって分割された露出端の各部分の長手方向寸法は０．６ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１４】
また、切込みの開放端の幅方向寸法は１０μｍ以下であることが好ましい。
【００１５】
また、外部電極は、上記スリットを埋める状態でめっき膜上に形成される上層めっき膜をさらに含むことが好ましい。
【００１６】
この発明は、上記外部電極として、第１および第２の外部電極を備え、上記内部電極として、第１の外部電極に電気的に接続される複数の第１の内部電極と第２の外部電極に電気的に接続される複数の第２の内部電極とを備え、第１および第２の外部電極ならびに第１および第２の内部電極の各露出端が、部品本体の１つの面上に位置される、積層型電子部品において有利に適用される。
【００１７】
この発明は、また、積層型電子部品の製造方法にも向けられる。
【００１８】
この発明に係る積層型電子部品の製造方法は、複数の内部電極が内部に形成された、積層構造の部品本体を準備する、部品本体準備工程と、複数の内部電極に電気的に接続されるように、外部電極の少なくとも一部となるめっき膜を部品本体の外表面上に直接形成する、外部電極形成工程とを備える。
【００１９】
上記部品本体準備工程において準備される部品本体に形成された各内部電極は、主要部と主要部から延びる引出し部とを有し、引出し部の端部には、めっき膜と接触するように部品本体の外表面に露出する露出端が形成されていて、各引出し部には、露出端を複数の部分に分割するための切込みが形成されていて、複数の引出し部に形成された複数の切込みは、部品本体の積層方向に整列している。
【００２０】
上記外部電極形成工程は、各露出端に析出しためっき析出物を少なくとも積層方向に成長させることによって、切込みの位置において積層方向に延びるスリットが形成されるようにめっき膜を形成する、めっき工程を含む。
【００２１】
さらに、この発明に係る製造方法は、めっき工程の後、部品本体を熱処理する、熱処理工程を備える。
【００２２】
上記外部電極形成工程は、熱処理工程の後、スリットを埋めながらめっき膜上に上層めっき膜を形成する工程をさらに含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
この発明によれば、内部電極の引出し部には、露出端を複数の部分に分割する切込みが形成され、その結果、この切込みの位置に対応して、めっき膜にスリットが形成される。このスリットは、水分の放出経路となり得るものである。そのため、部品本体の内部にある水分の放出経路の長さを考えたとき、めっき膜にスリットが形成されない場合に比べて、この発明のように、めっき膜にスリットが形成されると、水分の放出経路の長さをより短くすることができ、熱処理の際、部品本体の内部から水分をより抜けやすくすることができる。したがって、この発明によれば、熱処理の結果、めっき膜にブリスタが生じることを有利に抑制することができる。
【００２４】
この発明において、上記切込みによって分割された露出端の各部分の長手方向寸法が０．６ｍｍ以下であると、上記の効果がより確実に奏される。
【００２５】
また、上記切込みの開放端の幅方向寸法が１０μｍ以下であると、めっき膜のスリットを埋める状態でめっき膜上に上層めっき膜を形成するに際して、下地のめっき膜のスリットを架橋するように上層めっき膜をめっき成長させることがより容易になる。
【００２６】
上述のように、外部電極が、スリットを埋める状態で下地のめっき膜上に形成される上層めっき膜をさらに含んでいると、各外部電極の表面が分割されず一様な膜によって与えられるので、たとえばリフローはんだによる積層型電子部品の実装性、特に位置合わせ精度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】この発明の一実施形態による積層型電子部品１に備える部品本体２の内部構造を示す平面図であり、（Ａ）は第１の内部電極５が位置する面に沿う断面を示し、（Ｂ）は第２の内部電極６が位置する面に沿う断面を示す。
【図２】図１に示した部品本体２の正面図である。
【図３】図１（Ａ）に対応する図であって、部品本体２に外部電極３および４の一部となる下地めっき膜１７および１８を形成した状態を示す平面図であり、第１の内部電極５が位置する面に沿う断面を示す。
【図４】図３に示した段階にある部品本体２の正面図である。
【図５】図１（Ａ）に対応する図であって、図３に示した下地めっき膜１７および１８上に上層めっき膜２１および２２を形成した状態を示す平面図であり、第１の内部電極５が位置する面に沿う断面を示す。
【図６】図５に示した段階にある部品本体２、すなわち完成品としての積層型電子部品１の外観を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
まず、図６に示すように、この発明の一実施形態による積層型電子部品１は、部品本体２を備え、部品本体２の外表面上には第１および第２の外部電極３および４が形成される。
【００２９】
部品本体２は、図１および図２に示すように、その内部に複数の第１の内部電極５および複数の第２の内部電極６を形成している。より詳細には、部品本体２は、積層された複数の機能材料層７をもって構成される積層構造を有し、第１および第２の内部電極５および６は、機能材料層７間の界面に沿って形成される。第１の内部電極５と第２の内部電極６とは、積層方向に見て交互に配置される。内部電極５および６は、たとえば、ニッケルを主成分としている。
【００３０】
積層型電子部品１が積層セラミックコンデンサを構成するとき、機能材料層７は、誘電体セラミックから構成される。なお、積層型電子部品１は、その他、インダクタ、サーミスタ、圧電部品などを構成するものであってもよい。したがって、積層型電子部品１の機能に応じて、機能材料層７は、誘電体セラミックの他、磁性体セラミック、半導体セラミック、圧電体セラミックなどから構成されてもよく、さらには、セラミック以外のたとえば樹脂を含む材料から構成されてもよい。
【００３１】
第１の内部電極５は、図１（Ａ）に示すように、主要部８と主要部８から延びる引出し部９とを有し、引出し部９の端部には、部品本体２の外表面に露出する露出端１０が形成されている。第２の内部電極６は、図１（Ｂ）に示すように、主要部１１と主要部１１から延びる引出し部１２とを有し、引出し部１２の端部には、部品本体２の外表面に露出する露出端１３が形成されている。この実施形態では、第１の内部電極５の露出端１０および第２の内部電極６の露出端１３ならびに第１および第２の外部電極３および４がともに部品本体２の１つの側面１４に形成されているが、このことは、この発明にとって本質的なことではない。したがって、露出端や外部電極は部品本体２のいずれの面に形成されてもよい。
【００３２】
第１および第２の内部電極５および６の引出し部９および１２の各々には、それぞれ、露出端１０および１３の各々を複数の部分に分割するための切込み１５および１６が形成されている。また、図２に示すように、複数の第１の内部電極５の複数の引出し部９に形成された複数の切込み１５は、部品本体２の積層方向に整列している。同様に、複数の第２の内部電極６の複数の引出し部１２に形成された複数の切込み１６も、部品本体２の積層方向に整列している。
【００３３】
切込み１５および１６の形状は、図示のものでは、矩形とされたが、たとえば三角形のような他の形状とされてもよい。
【００３４】
以下に、積層型電子部品１の製造方法、特に、外部電極３および４の形成方法を明らかにすることによって、外部電極３および４の構造を明らかにする。
【００３５】
まず、上述したような構造を有する部品本体２を得た後、内部電極５および６の露出端１０および１３の露出を十分なものとするため、部品本体２の表面に対して研磨処理を施しておくことが好ましい。
【００３６】
次に、図３および図４に示すように、外部電極３および４の下地となるめっき膜１７および１８が部品本体２の側面１４上に直接形成される。この下地めっき膜１７および１８を形成するためのめっき方法は、めっき液中の金属イオンを通電によって析出させる電解めっき法であっても、還元剤を用いて析出させる無電解めっき法であってもよい。
【００３７】
下地めっき膜１７および１８は、部品本体２における内部電極５および６の各々の露出端１０および１３に、めっき液中の金属イオンを析出させ、この析出しためっき析出物をさらに成長させ、内部電極５および６のそれぞれの隣り合う露出端１０および１３を積層方向に架橋する状態とすることによって形成される。
【００３８】
このとき、露出端１０および１３は、それぞれ、切込み１５および１６によって分断されているため、切込み１５および１６の位置では、露出端１０および１３の各端縁から側面１４の延びる方向にめっき成長した分以外には、めっき膜が形成されない。したがって、下地めっき膜１７および１８には、それぞれ、切込み１５および１６の位置において積層方向に延びるスリット１９および２０が形成される。
【００３９】
図４では、スリット１９および２０が部品本体２の積層方向に沿って延びる状態で形成されているが、スリット１９および２０は途中の任意の箇所で途絶えていてもよい。すなわち、下地めっき膜１７および１８は、それぞれ、スリット１９および２０で区画される各部分が一部互いにつながっていてもよい。
【００４０】
上述した下地めっき膜１７および１８は、たとえば銅を主成分とすることが好ましい。銅は、良好な導電性を示し、かつめっき処理時のつきまわり性が良好であるので、めっき処理の能率化を図れ、かつ外部電極３および４の、部品本体２に対する固着力を高めることができるからである。
【００４１】
図６に示すように、外部電極３および４は、部品本体２の側面１４上に形成されるだけでなく、各々の端縁が側面１４に隣接する１対の主面上にまで届くように形成されている。このような形態の外部電極３および４を能率的に形成することを可能にするため、図示しないが、部品本体２の主面の、側面１４に隣接する端部上ならびに／または部品本体２の外層部に、ダミー導体が形成されてもよい。このようなダミー導体は、電気的特性の発現に実質的に寄与するものではないが、めっき膜の形成のための金属イオンの析出をもたらし、かつめっき成長を促進するように作用する。
【００４２】
次に、洗浄が行なわれた後、部品本体２が熱処理される。熱処理温度としては、たとえば６００℃以上、好ましくは８００℃以上の温度が採用される。この熱処理は、下地めっき膜１７および１８の、部品本体２への固着力強化を目的とするばかりでなく、部品本体２中のめっき液等の水分を蒸発除去することを目的としている。蒸発除去されるべき水分の少なくとも一部は、下地めっき膜１７および１８に形成されたスリット１９および２０を通して外部に放出される。したがって、このようなスリットが形成されない場合に比べると、部品本体２の内部から水分をより抜けやすくすることができる。そのため、めっき膜１７および１８にブリスタを生じにくくすることができる。
【００４３】
上述したスリット１９および２０は、下地めっき膜１７および１８の連続して延びる部分の寸法をより小さくすることによって、水分の放出経路をより短くし、その結果、水分の放出効果をより高めるように作用する。したがって、水分の放出効果をより高めるためには、下地めっき膜１７および１８の、スリット１９および２０によって分割される各部分の寸法をより小さくすることが有効である。下地めっき膜１７および１８の、スリット１９および２０によって分割される各部分の寸法をより小さくするには、引出し部９および１２の切込み１５および１６によって分割された露出端１０および１３の各部分の長手方向寸法Ｌ１およびＬ２（図２参照）をより短くすればよい。後述する実験例からわかるように、切込み１５および１６によって分割された露出端１０および１３の各部分の長手方向寸法Ｌ１およびＬ２は、いずれも、０．６ｍｍ以下であることが、水分の放出効果を高めるのに有効である。
【００４４】
また、切込みによって分割された露出端の各部分の長手方向寸法をより短くするため、１個の引出し部において複数の切込みを形成し、露出端を３分割以上の分割としてもよい。
【００４５】
次に、必要に応じて、上記下地めっき膜１７および１８上に、図５に示すように、上層めっき膜２１および２２がそれぞれ形成される。上層めっき膜２１および２２は、下地めっき膜１７および１８にあるスリット１９および２０を埋めるように形成されることが好ましい。上層めっき膜２１および２２は、たとえば、ニッケルを主成分とするめっき層からなるはんだバリア層と、はんだぬれ性を付与するためにはんだバリア層上に形成される、錫または金を主成分とするめっき層からなるはんだぬれ性付与層とからなる２層構造とされる。
【００４６】
このように、上層めっき膜２１および２２が形成されると、外部電極３および４の各々の表面が分割されず一様な膜によって与えられることになるので、後述する実験例からわかるように、たとえばリフローはんだによる積層型電子部品１の実装性、特に位置合わせ精度を高めることができる。
【００４７】
また、上層めっき膜２１および２２を形成するにあたり、下地めっき膜２１および２２のスリット１９および２０を架橋するように上層めっき膜２１および２２をめっき成長させることをより容易にするには、後述する実験例からわかるように、引出し部９および１２に形成される切込み１５および１６の開放端の幅方向寸法Ｗ（図１参照）を１０μｍ以下にし、それによって、下地めっき膜１７および１８のスリット１９および２０の幅方向寸法をより短くすることが好ましい。
【００４８】
上述の上層めっき膜２１および２２の形成の後、洗浄が行なわれ、積層型電子部品１が完成される。
【００４９】
なお、図示した積層型電子部品１は、２個の外部電極３および４を備える２端子型のものであるが、この発明は３端子以上の多端子型の積層型電子部品にも適用することができる。
【００５０】
次に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
【００５１】
この実験例では、以下のような工程に従って、試料となる積層セラミックコンデンサを作製した。
【００５２】
（１）部品本体準備
（２）電解銅めっきによる下地めっき膜形成
（３）熱処理
（４）電解ニッケルめっきによる上層めっき膜形成
（５）電解錫めっきによる上層めっき膜形成
上記（１）〜（５）の各工程の詳細は以下のとおりである。
【００５３】
（１）部品本体準備
図１および図２に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサ用部品本体として、表１に示すような試料１〜５の各々に係る部品本体を準備した。
【００５４】
試料１〜５の各々に係る部品本体は、共通して、長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍおよび高さ１．６ｍｍであって、機能材料層がチタン酸バリウム系誘電体セラミックからなり、内部電極がニッケルを主成分とし、隣り合う内部電極間の機能材料層の厚みが６μｍであり、内部電極の積層数が４３１であった。
【００５５】
また、試料１〜５の各々において、内部電極の引出し部の切込みの開放端の幅方向寸法は、表１の「切込み幅」の欄に示すとおりとし、露出端の切込みによって分割された各部分の長手方向寸法は、表１の「露出端長さ」の欄に示すとおりとした。表１の「露出端長さ」における「Ｌ１」および「Ｌ２」は、図２に示した「Ｌ１」および「Ｌ２」に対応している。なお、試料４については、引出し部に切込みを形成せず、よって、表１では、「切込み幅」が０であり、「Ｌ１」が１ｍｍおよび「Ｌ２」が０ｍｍであると表示した。
【００５６】
いずれの部品本体についても、焼成後、バレル研磨を実施し、内部電極の露出端を十分に露出させた。
【００５７】
（２）電解銅めっきによる下地めっき膜形成
次に、各試料につき、５００個の部品本体を、容積３００ｍｌの水平回転バレル中に投入し、それに加えて、直径０．７ｍｍのメディアを１００ｍｌ投入し、バレルを周速２．６ｍ／分にて回転させながら、電解銅めっきを実施した。
【００５８】
この電解銅めっきでは、まず、以下のＣｕストライク浴を用いながら、電流密度を０.１０Ａ／ｄｍ２とし、約１μｍの膜厚が得られるまで、Ｃｕストライクめっきを実施した。
〈Ｃｕストライク浴〉
・ピロリン酸銅：１４ｇ／Ｌ
・ピロリン酸：１２０ｇ／Ｌ
・シュウ酸カリウム：１０ｇ／Ｌ
・ｐＨ：８.７
・浴温：２５℃。
【００５９】
次いで、純水による洗浄を実施した後、以下のＣｕ厚付け浴を用いながら、電流密度を０．３０Ａ／ｄｍ２とし、約５μｍの膜厚が得られるまで、Ｃｕ厚付けめっきを実施した。
〈Ｃｕ厚付け浴〉
・上村工業社製「ピロブライトプロセス」
・ｐＨ：８.６
・浴温：５５℃。
【００６０】
次いで、純水による洗浄を実施した。
【００６１】
以上の電解銅めっきを終えた段階で、得られた下地めっき膜を観察したところ、試料１〜３および５では、内部電極の引出し部に形成された切込みの位置において、積層方向に延びるスリットが形成されていた。
【００６２】
（３）熱処理
次に、窒素雰囲気中において、８００℃の温度で２０分間キープする熱処理を実施した。
【００６３】
この熱処理を終えた段階で、表１に示すように、「ブリスタ発生率」を評価した。より詳細には、各試料について、５００個の部品本体を金属顕微鏡で観察して、ブリスタが発生している部品本体の数を求め、ブリスタが発生している部品本体の数の比率を「ブリスタ発生率」として求めた。ここで、ブリスタが発生している部品本体とは、上記銅めっき膜において、直径２０μｍ以上の膨れが１つ以上存在するものと定義した。
【００６４】
（４）電解ニッケルめっきによる上層めっき膜形成
次に、各試料につき、３０ｍｌの部品本体を、容積３００ｍｌの水平回転バレル中に投入し、それに加えて、直径０．７ｍｍのはんだボールを７０ｍｌ投入し、バレル回転数２０ｒｐｍにて回転させながら、電解ニッケルめっきを実施した。
【００６５】
この電解ニッケルめっきでは、ワット浴（弱酸性Ｎｉ浴）を用い、浴温を６０℃とし、ｐＨを４．２とし、電流密度を０.２０Ａ／ｄｍ２としながら６０分間通電し、約４μｍの膜厚のニッケルめっき膜を得た。
【００６６】
次いで、純水による洗浄を実施した。
【００６７】
以上の電解ニッケルめっきを終えた段階で、試料１〜３および５について、下地めっき膜のスリットを埋めるような架橋がニッケルめっき膜によって達成されているか否かを評価した結果が、表１の「ニッケルめっき膜による架橋」の欄に示されている。「ニッケルめっき膜による架橋」の欄において、「○」は架橋が達成されていることを示し、「×」は架橋が達成されていないことを示している。
【００６８】
（５）電解錫めっきによる上層めっき膜形成
次に、電解錫めっき浴として石原薬品社製「ＮＢ−ＲＺＳ」を用い、浴温を３０℃とし、ｐＨを４．５とし、電流密度を０.１０Ａ／ｄｍ２としながら６０分間通電し、約４μｍの膜厚の錫めっき膜を得たことを除いて、上記電解ニッケルめっきと同じ装置および条件にて電解錫めっきを実施した。
【００６９】
次いで、純水による洗浄を実施した。
【００７０】
以上のようにして得られた各試料に係る積層セラミックコンデンサについて、表１に示すように、「セルフアライメント性」を評価した。「セルフアライメント性」は、積層セラミックコンデンサを基板のランドの中心から長手方向へ０．１５ｍｍずらして載置し、リフロー後の積層セラミックコンデンサの位置を観察し、積層セラミックコンデンサが基板のランドの中心に戻っていないものを不良と判定し、表１において、５０個中、１個以上の積層セラミックコンデンサについて不良と判定された場合を「×」で示し、それ以外の場合を「○」で示した。
【００７１】
【表１】
【００７２】
表１からわかるように、試料４では、「露出端長さ」が０．６ｍｍを超える１ｍｍであり、しかも切込みが形成されなかったため、「セルフアライメント性」は「○」であったものの、「ブリスタ発生率」は１００％となった。
【００７３】
これに対して、試料１〜３および５では、切込みが形成され、よって下地めっき膜となる銅めっき膜にスリットが形成されたため、「ブリスタ発生率」を３０％以下に低減できた。
【００７４】
特に、試料１、２および５では、「露出端長さ」が「Ｌ１」および「Ｌ２」とも０．６ｍｍ以下であるため、「ブリスタ発生率」を０％とすることができた。
【００７５】
また、試料１〜３では、「切込み幅」を１０μｍ以下としたため、「ニッケルめっき膜による架橋」が「○」となり、応じて「セルフアライメント性」が「○」となった。
【符号の説明】
【００７６】
１ 積層型電子部品
２ 部品本体
３，４ 外部電極
５，６ 内部電極
７ 機能材料層
９，１２ 引出し部
１０，１３ 露出端
１４ 側面
１５，１６ 切込み
１７，１８ 下地めっき膜
１９，２０ スリット
２１，２２ 上層めっき膜
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層型電子部品およびその製造方法に関するもので、特に、外部電極が複数の内部電極と電気的に接続されるようにして直接めっきにより形成された積層型電子部品およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサに代表される積層型電子部品は、一般に、たとえば誘電体セラミックからなる積層された複数の機能材料層と、機能材料層間の界面に沿って形成された複数の層状の内部電極とを含む、積層構造の部品本体を備えている。部品本体のたとえば一方および他方端面には、それぞれ、複数の内部電極の各端部が露出していて、これら内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように、外部電極が形成されている。
【０００３】
外部電極の形成にあたっては、一般に、金属成分とガラス成分とを含む導電性ペーストを部品本体の端面上に塗布し、次いで焼き付けることにより、ペースト電極層がまず形成される。ペースト電極層は、内部電極相互の電気的接続の役割を果たす。次に、ペースト電極層上に、たとえばニッケルを主成分とする第１のめっき層が形成され、さらにその上に、たとえば錫または金を主成分とする第２のめっき層が形成される。第２のめっき層は、はんだぬれ性を確保するためのものであり、第１のめっき層は、はんだ接合時のはんだ喰われを防止する役割を果たしている。
【０００４】
上述のように、外部電極は、典型的には、ペースト電極層、第１のめっき層および第２のめっき層の３層構造より構成される。
【０００５】
しかし、ペースト電極層は、その厚みが数十μｍ〜数百μｍと大きい。したがって、積層型電子部品の寸法を一定の規格値に収めるためには、このペースト電極層の体積を確保する必要が生じる分、不所望にも、静電容量確保のための実効体積を減少させる必要が生じる。一方、めっき層はその厚みが数μｍ程度であるため、仮にめっき層のみで外部電極を構成できれば、静電容量確保のための実効体積をより多く確保することができる。
【０００６】
たとえば、特開昭６３−１６９０１４号公報（特許文献１）には、部品本体の、内部電極が露出した側壁面の全面に対し、側壁面に露出した内部電極が短絡されるように、無電解めっきによって導電性金属膜を析出させ、この導電性金属膜を外部電極とすることが開示されている。
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載されている外部電極の形成方法では、内部電極の露出した端部に直接めっきを行なうため、内部電極と絶縁体層との間の界面に沿って部品本体中にめっき液が浸入することがある。また、めっき液以外の水分が部品本体中に浸入することもある。
【０００８】
他方、外部電極となるめっき膜の、部品本体への固着力強化を目的として、めっき工程の後に８００℃程度以上の温度で熱処理を行なうことがある。この場合、通常であれば、部品本体中の水分は熱処理によって蒸発除去されることになる。しかしながら、めっき工程の後では、部品本体中の水分の放出経路がめっき膜によって覆われており、そのため、水分の放出が妨げられるばかりでなく、めっき膜にブリスタ（膨れ不良）が生じることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開昭６３−１６９０１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
この発明の目的は、上記のような問題点を解決し得る積層型電子部品およびその製造方法を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明は、複数の内部電極が内部に形成された、積層構造の部品本体と、複数の内部電極に電気的に接続されるように部品本体の外表面上に直接形成された、外部電極の少なくとも一部となるめっき膜とを備え、各内部電極は、主要部と主要部から延びる引出し部とを有し、引出し部の端部には、上記めっき膜と接触するように部品本体の外表面に露出する露出端が形成されている、積層型電子部品にまず向けられる。
【００１２】
このような積層型電子部品において、上述した技術的課題を解決するため、各引出し部には、露出端を複数の部分に分割するための切込みが形成されていて、複数の引出し部に形成された複数の切込みは、部品本体の積層方向に整列しており、めっき膜には、切込みの位置において積層方向に延びるスリットが形成されていることを特徴としている。
【００１３】
上述した切込みによって分割された露出端の各部分の長手方向寸法は０．６ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１４】
また、切込みの開放端の幅方向寸法は１０μｍ以下であることが好ましい。
【００１５】
また、外部電極は、上記スリットを埋める状態でめっき膜上に形成される上層めっき膜をさらに含むことが好ましい。
【００１６】
この発明は、上記外部電極として、第１および第２の外部電極を備え、上記内部電極として、第１の外部電極に電気的に接続される複数の第１の内部電極と第２の外部電極に電気的に接続される複数の第２の内部電極とを備え、第１および第２の外部電極ならびに第１および第２の内部電極の各露出端が、部品本体の１つの面上に位置される、積層型電子部品において有利に適用される。
【００１７】
この発明は、また、積層型電子部品の製造方法にも向けられる。
【００１８】
この発明に係る積層型電子部品の製造方法は、複数の内部電極が内部に形成された、積層構造の部品本体を準備する、部品本体準備工程と、複数の内部電極に電気的に接続されるように、外部電極の少なくとも一部となるめっき膜を部品本体の外表面上に直接形成する、外部電極形成工程とを備える。
【００１９】
上記部品本体準備工程において準備される部品本体に形成された各内部電極は、主要部と主要部から延びる引出し部とを有し、引出し部の端部には、めっき膜と接触するように部品本体の外表面に露出する露出端が形成されていて、各引出し部には、露出端を複数の部分に分割するための切込みが形成されていて、複数の引出し部に形成された複数の切込みは、部品本体の積層方向に整列している。
【００２０】
上記外部電極形成工程は、各露出端に析出しためっき析出物を少なくとも積層方向に成長させることによって、切込みの位置において積層方向に延びるスリットが形成されるようにめっき膜を形成する、めっき工程を含む。
【００２１】
さらに、この発明に係る製造方法は、めっき工程の後、部品本体を熱処理する、熱処理工程を備える。
【００２２】
上記外部電極形成工程は、熱処理工程の後、スリットを埋めながらめっき膜上に上層めっき膜を形成する工程をさらに含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
この発明によれば、内部電極の引出し部には、露出端を複数の部分に分割する切込みが形成され、その結果、この切込みの位置に対応して、めっき膜にスリットが形成される。このスリットは、水分の放出経路となり得るものである。そのため、部品本体の内部にある水分の放出経路の長さを考えたとき、めっき膜にスリットが形成されない場合に比べて、この発明のように、めっき膜にスリットが形成されると、水分の放出経路の長さをより短くすることができ、熱処理の際、部品本体の内部から水分をより抜けやすくすることができる。したがって、この発明によれば、熱処理の結果、めっき膜にブリスタが生じることを有利に抑制することができる。
【００２４】
この発明において、上記切込みによって分割された露出端の各部分の長手方向寸法が０．６ｍｍ以下であると、上記の効果がより確実に奏される。
【００２５】
また、上記切込みの開放端の幅方向寸法が１０μｍ以下であると、めっき膜のスリットを埋める状態でめっき膜上に上層めっき膜を形成するに際して、下地のめっき膜のスリットを架橋するように上層めっき膜をめっき成長させることがより容易になる。
【００２６】
上述のように、外部電極が、スリットを埋める状態で下地のめっき膜上に形成される上層めっき膜をさらに含んでいると、各外部電極の表面が分割されず一様な膜によって与えられるので、たとえばリフローはんだによる積層型電子部品の実装性、特に位置合わせ精度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】この発明の一実施形態による積層型電子部品１に備える部品本体２の内部構造を示す平面図であり、（Ａ）は第１の内部電極５が位置する面に沿う断面を示し、（Ｂ）は第２の内部電極６が位置する面に沿う断面を示す。
【図２】図１に示した部品本体２の正面図である。
【図３】図１（Ａ）に対応する図であって、部品本体２に外部電極３および４の一部となる下地めっき膜１７および１８を形成した状態を示す平面図であり、第１の内部電極５が位置する面に沿う断面を示す。
【図４】図３に示した段階にある部品本体２の正面図である。
【図５】図１（Ａ）に対応する図であって、図３に示した下地めっき膜１７および１８上に上層めっき膜２１および２２を形成した状態を示す平面図であり、第１の内部電極５が位置する面に沿う断面を示す。
【図６】図５に示した段階にある部品本体２、すなわち完成品としての積層型電子部品１の外観を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
まず、図６に示すように、この発明の一実施形態による積層型電子部品１は、部品本体２を備え、部品本体２の外表面上には第１および第２の外部電極３および４が形成される。
【００２９】
部品本体２は、図１および図２に示すように、その内部に複数の第１の内部電極５および複数の第２の内部電極６を形成している。より詳細には、部品本体２は、積層された複数の機能材料層７をもって構成される積層構造を有し、第１および第２の内部電極５および６は、機能材料層７間の界面に沿って形成される。第１の内部電極５と第２の内部電極６とは、積層方向に見て交互に配置される。内部電極５および６は、たとえば、ニッケルを主成分としている。
【００３０】
積層型電子部品１が積層セラミックコンデンサを構成するとき、機能材料層７は、誘電体セラミックから構成される。なお、積層型電子部品１は、その他、インダクタ、サーミスタ、圧電部品などを構成するものであってもよい。したがって、積層型電子部品１の機能に応じて、機能材料層７は、誘電体セラミックの他、磁性体セラミック、半導体セラミック、圧電体セラミックなどから構成されてもよく、さらには、セラミック以外のたとえば樹脂を含む材料から構成されてもよい。
【００３１】
第１の内部電極５は、図１（Ａ）に示すように、主要部８と主要部８から延びる引出し部９とを有し、引出し部９の端部には、部品本体２の外表面に露出する露出端１０が形成されている。第２の内部電極６は、図１（Ｂ）に示すように、主要部１１と主要部１１から延びる引出し部１２とを有し、引出し部１２の端部には、部品本体２の外表面に露出する露出端１３が形成されている。この実施形態では、第１の内部電極５の露出端１０および第２の内部電極６の露出端１３ならびに第１および第２の外部電極３および４がともに部品本体２の１つの側面１４に形成されているが、このことは、この発明にとって本質的なことではない。したがって、露出端や外部電極は部品本体２のいずれの面に形成されてもよい。
【００３２】
第１および第２の内部電極５および６の引出し部９および１２の各々には、それぞれ、露出端１０および１３の各々を複数の部分に分割するための切込み１５および１６が形成されている。また、図２に示すように、複数の第１の内部電極５の複数の引出し部９に形成された複数の切込み１５は、部品本体２の積層方向に整列している。同様に、複数の第２の内部電極６の複数の引出し部１２に形成された複数の切込み１６も、部品本体２の積層方向に整列している。
【００３３】
切込み１５および１６の形状は、図示のものでは、矩形とされたが、たとえば三角形のような他の形状とされてもよい。
【００３４】
以下に、積層型電子部品１の製造方法、特に、外部電極３および４の形成方法を明らかにすることによって、外部電極３および４の構造を明らかにする。
【００３５】
まず、上述したような構造を有する部品本体２を得た後、内部電極５および６の露出端１０および１３の露出を十分なものとするため、部品本体２の表面に対して研磨処理を施しておくことが好ましい。
【００３６】
次に、図３および図４に示すように、外部電極３および４の下地となるめっき膜１７および１８が部品本体２の側面１４上に直接形成される。この下地めっき膜１７および１８を形成するためのめっき方法は、めっき液中の金属イオンを通電によって析出させる電解めっき法であっても、還元剤を用いて析出させる無電解めっき法であってもよい。
【００３７】
下地めっき膜１７および１８は、部品本体２における内部電極５および６の各々の露出端１０および１３に、めっき液中の金属イオンを析出させ、この析出しためっき析出物をさらに成長させ、内部電極５および６のそれぞれの隣り合う露出端１０および１３を積層方向に架橋する状態とすることによって形成される。
【００３８】
このとき、露出端１０および１３は、それぞれ、切込み１５および１６によって分断されているため、切込み１５および１６の位置では、露出端１０および１３の各端縁から側面１４の延びる方向にめっき成長した分以外には、めっき膜が形成されない。したがって、下地めっき膜１７および１８には、それぞれ、切込み１５および１６の位置において積層方向に延びるスリット１９および２０が形成される。
【００３９】
図４では、スリット１９および２０が部品本体２の積層方向に沿って延びる状態で形成されているが、スリット１９および２０は途中の任意の箇所で途絶えていてもよい。すなわち、下地めっき膜１７および１８は、それぞれ、スリット１９および２０で区画される各部分が一部互いにつながっていてもよい。
【００４０】
上述した下地めっき膜１７および１８は、たとえば銅を主成分とすることが好ましい。銅は、良好な導電性を示し、かつめっき処理時のつきまわり性が良好であるので、めっき処理の能率化を図れ、かつ外部電極３および４の、部品本体２に対する固着力を高めることができるからである。
【００４１】
図６に示すように、外部電極３および４は、部品本体２の側面１４上に形成されるだけでなく、各々の端縁が側面１４に隣接する１対の主面上にまで届くように形成されている。このような形態の外部電極３および４を能率的に形成することを可能にするため、図示しないが、部品本体２の主面の、側面１４に隣接する端部上ならびに／または部品本体２の外層部に、ダミー導体が形成されてもよい。このようなダミー導体は、電気的特性の発現に実質的に寄与するものではないが、めっき膜の形成のための金属イオンの析出をもたらし、かつめっき成長を促進するように作用する。
【００４２】
次に、洗浄が行なわれた後、部品本体２が熱処理される。熱処理温度としては、たとえば６００℃以上、好ましくは８００℃以上の温度が採用される。この熱処理は、下地めっき膜１７および１８の、部品本体２への固着力強化を目的とするばかりでなく、部品本体２中のめっき液等の水分を蒸発除去することを目的としている。蒸発除去されるべき水分の少なくとも一部は、下地めっき膜１７および１８に形成されたスリット１９および２０を通して外部に放出される。したがって、このようなスリットが形成されない場合に比べると、部品本体２の内部から水分をより抜けやすくすることができる。そのため、めっき膜１７および１８にブリスタを生じにくくすることができる。
【００４３】
上述したスリット１９および２０は、下地めっき膜１７および１８の連続して延びる部分の寸法をより小さくすることによって、水分の放出経路をより短くし、その結果、水分の放出効果をより高めるように作用する。したがって、水分の放出効果をより高めるためには、下地めっき膜１７および１８の、スリット１９および２０によって分割される各部分の寸法をより小さくすることが有効である。下地めっき膜１７および１８の、スリット１９および２０によって分割される各部分の寸法をより小さくするには、引出し部９および１２の切込み１５および１６によって分割された露出端１０および１３の各部分の長手方向寸法Ｌ１およびＬ２（図２参照）をより短くすればよい。後述する実験例からわかるように、切込み１５および１６によって分割された露出端１０および１３の各部分の長手方向寸法Ｌ１およびＬ２は、いずれも、０．６ｍｍ以下であることが、水分の放出効果を高めるのに有効である。
【００４４】
また、切込みによって分割された露出端の各部分の長手方向寸法をより短くするため、１個の引出し部において複数の切込みを形成し、露出端を３分割以上の分割としてもよい。
【００４５】
次に、必要に応じて、上記下地めっき膜１７および１８上に、図５に示すように、上層めっき膜２１および２２がそれぞれ形成される。上層めっき膜２１および２２は、下地めっき膜１７および１８にあるスリット１９および２０を埋めるように形成されることが好ましい。上層めっき膜２１および２２は、たとえば、ニッケルを主成分とするめっき層からなるはんだバリア層と、はんだぬれ性を付与するためにはんだバリア層上に形成される、錫または金を主成分とするめっき層からなるはんだぬれ性付与層とからなる２層構造とされる。
【００４６】
このように、上層めっき膜２１および２２が形成されると、外部電極３および４の各々の表面が分割されず一様な膜によって与えられることになるので、後述する実験例からわかるように、たとえばリフローはんだによる積層型電子部品１の実装性、特に位置合わせ精度を高めることができる。
【００４７】
また、上層めっき膜２１および２２を形成するにあたり、下地めっき膜２１および２２のスリット１９および２０を架橋するように上層めっき膜２１および２２をめっき成長させることをより容易にするには、後述する実験例からわかるように、引出し部９および１２に形成される切込み１５および１６の開放端の幅方向寸法Ｗ（図１参照）を１０μｍ以下にし、それによって、下地めっき膜１７および１８のスリット１９および２０の幅方向寸法をより短くすることが好ましい。
【００４８】
上述の上層めっき膜２１および２２の形成の後、洗浄が行なわれ、積層型電子部品１が完成される。
【００４９】
なお、図示した積層型電子部品１は、２個の外部電極３および４を備える２端子型のものであるが、この発明は３端子以上の多端子型の積層型電子部品にも適用することができる。
【００５０】
次に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
【００５１】
この実験例では、以下のような工程に従って、試料となる積層セラミックコンデンサを作製した。
【００５２】
（１）部品本体準備
（２）電解銅めっきによる下地めっき膜形成
（３）熱処理
（４）電解ニッケルめっきによる上層めっき膜形成
（５）電解錫めっきによる上層めっき膜形成
上記（１）〜（５）の各工程の詳細は以下のとおりである。
【００５３】
（１）部品本体準備
図１および図２に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサ用部品本体として、表１に示すような試料１〜５の各々に係る部品本体を準備した。
【００５４】
試料１〜５の各々に係る部品本体は、共通して、長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍおよび高さ１．６ｍｍであって、機能材料層がチタン酸バリウム系誘電体セラミックからなり、内部電極がニッケルを主成分とし、隣り合う内部電極間の機能材料層の厚みが６μｍであり、内部電極の積層数が４３１であった。
【００５５】
また、試料１〜５の各々において、内部電極の引出し部の切込みの開放端の幅方向寸法は、表１の「切込み幅」の欄に示すとおりとし、露出端の切込みによって分割された各部分の長手方向寸法は、表１の「露出端長さ」の欄に示すとおりとした。表１の「露出端長さ」における「Ｌ１」および「Ｌ２」は、図２に示した「Ｌ１」および「Ｌ２」に対応している。なお、試料４については、引出し部に切込みを形成せず、よって、表１では、「切込み幅」が０であり、「Ｌ１」が１ｍｍおよび「Ｌ２」が０ｍｍであると表示した。
【００５６】
いずれの部品本体についても、焼成後、バレル研磨を実施し、内部電極の露出端を十分に露出させた。
【００５７】
（２）電解銅めっきによる下地めっき膜形成
次に、各試料につき、５００個の部品本体を、容積３００ｍｌの水平回転バレル中に投入し、それに加えて、直径０．７ｍｍのメディアを１００ｍｌ投入し、バレルを周速２．６ｍ／分にて回転させながら、電解銅めっきを実施した。
【００５８】
この電解銅めっきでは、まず、以下のＣｕストライク浴を用いながら、電流密度を０.１０Ａ／ｄｍ２とし、約１μｍの膜厚が得られるまで、Ｃｕストライクめっきを実施した。
〈Ｃｕストライク浴〉
・ピロリン酸銅：１４ｇ／Ｌ
・ピロリン酸：１２０ｇ／Ｌ
・シュウ酸カリウム：１０ｇ／Ｌ
・ｐＨ：８.７
・浴温：２５℃。
【００５９】
次いで、純水による洗浄を実施した後、以下のＣｕ厚付け浴を用いながら、電流密度を０．３０Ａ／ｄｍ２とし、約５μｍの膜厚が得られるまで、Ｃｕ厚付けめっきを実施した。
〈Ｃｕ厚付け浴〉
・上村工業社製「ピロブライトプロセス」
・ｐＨ：８.６
・浴温：５５℃。
【００６０】
次いで、純水による洗浄を実施した。
【００６１】
以上の電解銅めっきを終えた段階で、得られた下地めっき膜を観察したところ、試料１〜３および５では、内部電極の引出し部に形成された切込みの位置において、積層方向に延びるスリットが形成されていた。
【００６２】
（３）熱処理
次に、窒素雰囲気中において、８００℃の温度で２０分間キープする熱処理を実施した。
【００６３】
この熱処理を終えた段階で、表１に示すように、「ブリスタ発生率」を評価した。より詳細には、各試料について、５００個の部品本体を金属顕微鏡で観察して、ブリスタが発生している部品本体の数を求め、ブリスタが発生している部品本体の数の比率を「ブリスタ発生率」として求めた。ここで、ブリスタが発生している部品本体とは、上記銅めっき膜において、直径２０μｍ以上の膨れが１つ以上存在するものと定義した。
【００６４】
（４）電解ニッケルめっきによる上層めっき膜形成
次に、各試料につき、３０ｍｌの部品本体を、容積３００ｍｌの水平回転バレル中に投入し、それに加えて、直径０．７ｍｍのはんだボールを７０ｍｌ投入し、バレル回転数２０ｒｐｍにて回転させながら、電解ニッケルめっきを実施した。
【００６５】
この電解ニッケルめっきでは、ワット浴（弱酸性Ｎｉ浴）を用い、浴温を６０℃とし、ｐＨを４．２とし、電流密度を０.２０Ａ／ｄｍ２としながら６０分間通電し、約４μｍの膜厚のニッケルめっき膜を得た。
【００６６】
次いで、純水による洗浄を実施した。
【００６７】
以上の電解ニッケルめっきを終えた段階で、試料１〜３および５について、下地めっき膜のスリットを埋めるような架橋がニッケルめっき膜によって達成されているか否かを評価した結果が、表１の「ニッケルめっき膜による架橋」の欄に示されている。「ニッケルめっき膜による架橋」の欄において、「○」は架橋が達成されていることを示し、「×」は架橋が達成されていないことを示している。
【００６８】
（５）電解錫めっきによる上層めっき膜形成
次に、電解錫めっき浴として石原薬品社製「ＮＢ−ＲＺＳ」を用い、浴温を３０℃とし、ｐＨを４．５とし、電流密度を０.１０Ａ／ｄｍ２としながら６０分間通電し、約４μｍの膜厚の錫めっき膜を得たことを除いて、上記電解ニッケルめっきと同じ装置および条件にて電解錫めっきを実施した。
【００６９】
次いで、純水による洗浄を実施した。
【００７０】
以上のようにして得られた各試料に係る積層セラミックコンデンサについて、表１に示すように、「セルフアライメント性」を評価した。「セルフアライメント性」は、積層セラミックコンデンサを基板のランドの中心から長手方向へ０．１５ｍｍずらして載置し、リフロー後の積層セラミックコンデンサの位置を観察し、積層セラミックコンデンサが基板のランドの中心に戻っていないものを不良と判定し、表１において、５０個中、１個以上の積層セラミックコンデンサについて不良と判定された場合を「×」で示し、それ以外の場合を「○」で示した。
【００７１】
【表１】
【００７２】
表１からわかるように、試料４では、「露出端長さ」が０．６ｍｍを超える１ｍｍであり、しかも切込みが形成されなかったため、「セルフアライメント性」は「○」であったものの、「ブリスタ発生率」は１００％となった。
【００７３】
これに対して、試料１〜３および５では、切込みが形成され、よって下地めっき膜となる銅めっき膜にスリットが形成されたため、「ブリスタ発生率」を３０％以下に低減できた。
【００７４】
特に、試料１、２および５では、「露出端長さ」が「Ｌ１」および「Ｌ２」とも０．６ｍｍ以下であるため、「ブリスタ発生率」を０％とすることができた。
【００７５】
また、試料１〜３では、「切込み幅」を１０μｍ以下としたため、「ニッケルめっき膜による架橋」が「○」となり、応じて「セルフアライメント性」が「○」となった。
【符号の説明】
【００７６】
１ 積層型電子部品
２ 部品本体
３，４ 外部電極
５，６ 内部電極
７ 機能材料層
９，１２ 引出し部
１０，１３ 露出端
１４ 側面
１５，１６ 切込み
１７，１８ 下地めっき膜
１９，２０ スリット
２１，２２ 上層めっき膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の内部電極が内部に形成された、積層構造の部品本体と、
複数の前記内部電極に電気的に接続されるように前記部品本体の外表面上に直接形成された、外部電極の少なくとも一部となるめっき膜と
を備え、
各前記内部電極は、主要部と前記主要部から延びる引出し部とを有し、前記引出し部の端部には、前記めっき膜と接触するように前記部品本体の外表面に露出する露出端が形成されている、
積層型電子部品であって、
各前記引出し部には、前記露出端を複数の部分に分割するための切込みが形成されていて、複数の前記引出し部に形成された複数の前記切込みは、前記部品本体の積層方向に整列しており、
前記めっき膜には、前記切込みの位置において前記積層方向に延びるスリットが形成されている、
積層型電子部品。
【請求項２】
前記切込みによって分割された前記露出端の各部分の長手方向寸法は０．６ｍｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項３】
前記切込みの開放端の幅方向寸法は１０μｍ以下である、請求項１または２に記載の積層型電子部品。
【請求項４】
前記外部電極は、前記スリットを埋める状態で前記めっき膜上に形成される上層めっき膜をさらに含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層型電子部品。
【請求項５】
前記外部電極は、第１および第２の外部電極を備え、前記内部電極は、前記第１の外部電極に電気的に接続される複数の第１の前記内部電極と前記第２の外部電極に電気的に接続される複数の第２の前記内部電極とを備え、前記第１および第２の外部電極ならびに前記第１および第２の内部電極の各前記露出端は、前記部品本体の１つの面上に位置される、請求項１ないし４のいずれかに記載の積層型電子部品。
【請求項６】
複数の内部電極が内部に形成された、積層構造の部品本体を準備する、部品本体準備工程と、
複数の前記内部電極に電気的に接続されるように、外部電極の少なくとも一部となるめっき膜を前記部品本体の外表面上に直接形成する、外部電極形成工程と
を備え、
前記部品本体準備工程において準備される前記部品本体に形成された各前記内部電極は、主要部と前記主要部から延びる引出し部とを有し、前記引出し部の端部には、前記めっき膜と接触するように前記部品本体の外表面に露出する露出端が形成されていて、各前記引出し部には、前記露出端を複数の部分に分割するための切込みが形成されていて、複数の前記引出し部に形成された複数の前記切込みは、前記部品本体の積層方向に整列しており、
前記外部電極形成工程は、各前記露出端に析出しためっき析出物を少なくとも前記積層方向に成長させることによって、前記切込みの位置において前記積層方向に延びるスリットが形成されるように前記めっき膜を形成する、めっき工程を含み、
前記めっき工程の後、前記部品本体を熱処理する、熱処理工程をさらに備える、
積層型電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記外部電極形成工程は、前記熱処理工程の後、前記スリットを埋めながら前記めっき膜上に上層めっき膜を形成する工程をさらに含む、請求項６に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項１】
複数の内部電極が内部に形成された、積層構造の部品本体と、
複数の前記内部電極に電気的に接続されるように前記部品本体の外表面上に直接形成された、外部電極の少なくとも一部となるめっき膜と
を備え、
各前記内部電極は、主要部と前記主要部から延びる引出し部とを有し、前記引出し部の端部には、前記めっき膜と接触するように前記部品本体の外表面に露出する露出端が形成されている、
積層型電子部品であって、
各前記引出し部には、前記露出端を複数の部分に分割するための切込みが形成されていて、複数の前記引出し部に形成された複数の前記切込みは、前記部品本体の積層方向に整列しており、
前記めっき膜には、前記切込みの位置において前記積層方向に延びるスリットが形成されている、
積層型電子部品。
【請求項２】
前記切込みによって分割された前記露出端の各部分の長手方向寸法は０．６ｍｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項３】
前記切込みの開放端の幅方向寸法は１０μｍ以下である、請求項１または２に記載の積層型電子部品。
【請求項４】
前記外部電極は、前記スリットを埋める状態で前記めっき膜上に形成される上層めっき膜をさらに含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層型電子部品。
【請求項５】
前記外部電極は、第１および第２の外部電極を備え、前記内部電極は、前記第１の外部電極に電気的に接続される複数の第１の前記内部電極と前記第２の外部電極に電気的に接続される複数の第２の前記内部電極とを備え、前記第１および第２の外部電極ならびに前記第１および第２の内部電極の各前記露出端は、前記部品本体の１つの面上に位置される、請求項１ないし４のいずれかに記載の積層型電子部品。
【請求項６】
複数の内部電極が内部に形成された、積層構造の部品本体を準備する、部品本体準備工程と、
複数の前記内部電極に電気的に接続されるように、外部電極の少なくとも一部となるめっき膜を前記部品本体の外表面上に直接形成する、外部電極形成工程と
を備え、
前記部品本体準備工程において準備される前記部品本体に形成された各前記内部電極は、主要部と前記主要部から延びる引出し部とを有し、前記引出し部の端部には、前記めっき膜と接触するように前記部品本体の外表面に露出する露出端が形成されていて、各前記引出し部には、前記露出端を複数の部分に分割するための切込みが形成されていて、複数の前記引出し部に形成された複数の前記切込みは、前記部品本体の積層方向に整列しており、
前記外部電極形成工程は、各前記露出端に析出しためっき析出物を少なくとも前記積層方向に成長させることによって、前記切込みの位置において前記積層方向に延びるスリットが形成されるように前記めっき膜を形成する、めっき工程を含み、
前記めっき工程の後、前記部品本体を熱処理する、熱処理工程をさらに備える、
積層型電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記外部電極形成工程は、前記熱処理工程の後、前記スリットを埋めながら前記めっき膜上に上層めっき膜を形成する工程をさらに含む、請求項６に記載の積層型電子部品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−１４２４７８（Ｐ２０１２−１４２４７８Ａ）
【公開日】平成２４年７月２６日（２０１２．７．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−３８８（Ｐ２０１１−３８８）
【出願日】平成２３年１月５日（２０１１．１．５）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月２６日（２０１２．７．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月５日（２０１１．１．５）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]