絶縁皮膜形成用材料、この材料を使用してフラットパネルディスプレイ用部品を製造する方法、及びフラットパネルディスプレイ用部品
【課題】十分な絶縁耐圧を有する金属板被覆用の材料と、この材料を使用して前記隔壁等のフラットパネルディスプレイ用部品を製造する方法、及び、こうして得られるフラットパネルディスプレイ用部品を提供することを目的とする。
【解決手段】金属材料１０１の表面に塗布し、焼成して電気絶縁性皮膜を形成する材料であって、溶媒と、この溶媒に溶解したシリコン系材料と、この溶媒に分散された粉体とを主成分とする絶縁皮膜形成用材料を使用する。
【解決手段】金属材料１０１の表面に塗布し、焼成して電気絶縁性皮膜を形成する材料であって、溶媒と、この溶媒に溶解したシリコン系材料と、この溶媒に分散された粉体とを主成分とする絶縁皮膜形成用材料を使用する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁皮膜形成用材料、この材料を使用してフラットパネルディスプレイ用部品を製造する方法、及びフラットパネルディスプレイ用部品に関する。
【０００２】
さらに詳しくは、例えば、プラズマパネルディスプレイ（ＰＤＰ）の放電セル同士を隔離する隔壁として使用する部品を被覆する材料であって、放電電圧に耐える十分な絶縁耐圧を有する金属板被覆用の材料と、この材料を使用して前記隔壁等のフラットパネルディスプレイ用部品を製造する方法、及び、こうして得られるフラットパネルディスプレイ用部品に関するものである。また、本発明は、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）のスペーサーにも適用できる。
【背景技術】
【０００３】
プラズマパネルディスプレイの放電セルの配置は、例えば、図３に示すようなものである。すなわち、図３において、ａは前面板、ｂは背面板で、ガラスで構成されていることが多い。そして、前面板ａと背面板ｂの間に隔壁ｃがはさまれている。隔壁ｃには多数の貫通孔が設けられており、この貫通孔を放電セルとして所要のガスを封入すると共に、前面板ａ及び背面板ｂの間でセル毎に放電し、画面表示する。また、最近では、背面板ｂと隔壁ｃを一体成形することにより、作業性を向上させる試みもなされている（非特許文献１参照）。隔壁ｃは電気的に絶縁されている必要があり、放電時の電圧に耐える絶縁耐性を有する必要がある。
【０００４】
従来、隔壁ｃとして、貫通孔を設けたガラス板などが用いられてきたが、近年、電気絶縁性の皮膜を被覆した金属材料を使用する技術が注目されている。金属材料はウエットエッチングによって大面積を一括で高アスペクト比に加工することができ、板材を用いた場合、厚さ方向の寸法精度が±数μｍと安定しているである。また、放熱性に優れ、電磁波や電気的ノイズのシールドとしての役割をも果たすことが可能であるなどの利点もある。
【０００５】
貫通孔を設けた金属板に電気絶縁性の皮膜を被覆する方法としては、例えば、電着法やスプレー塗装法によってガラスを含む誘電体を形成するが知られている（特許文献１、２）。また、気相成長法で電気絶縁性の皮膜を設ける方法（特許文献３）、液相成長法を利用して基板表面に酸化物を形成する絶縁処理方法（特許文献４）、大気開放ＣＶＤ法による絶縁処理方法（特許文献５）、粉体静電塗装による電気絶縁性ガラスを成膜する方法（特許文献６）などが知られている。
【非特許文献１】「円形ディスプレイ」（株）テクノタイムズ，２００４年６月号、Ｐ３４
【特許文献１】特開平０３−２０５７３８号公報
【特許文献２】特開２０００−２７７０２１号公報
【特許文献３】特開２００４−２４０３号公報
【特許文献４】特開２００４−２２４０４号公報
【特許文献５】特開２００３−１３２８０２号公報
【特許文献６】特開２００１−１９５９７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら特許文献１、特許文献２の方法では、膜形成時に気泡が絶縁層中に発生、残存する。また、焼成時の絶縁層の熱フローによりエッチングで形成されたコーナー部の膜厚が薄くなる。これら気泡の存在やコーナー部の薄みのため、十分な絶縁耐圧を確保することが困難である。
【０００７】
また、特許文献３に示す気相成長法では、絶縁物の成膜速度が遅いため十分な膜厚の皮膜を得ることが困難であり、薄ければ絶縁耐圧を得ることができない。
【０００８】
特許文献４に示す大気開放ＣＶＤでは、通常の気相成長法とは異なり、減圧プロセスがないため材料の搬入、搬出が容易で連続成膜が可能で、大型サイズへの展開も比較的容易である。しかし、成膜時に基板上での熱化学反応を促すために基板を高温に加熱する必要があり、金属基板表面に黒色の酸化物が生成される。その結果、絶縁膜との密着性が低下し剥離を起こしたり、ディスプレイ化したときの輝度低下につながる。
【０００９】
特許文献５の粉体静電塗装によるガラスの成膜では、焼成時に溶融し膜は緻密化するが、表面張力で凝集することによりコーナー部の膜が薄くなり耐電圧特性が十分でなくなってしまう。また、焼成時に粉体と接していない金属板表面が酸化し、絶縁膜との密着性が確保できないといった問題が発生する。したがって、ＰＤＰの金属隔壁についての絶縁膜技術としては製品化に至っていない。
【００１０】
他方、金属板にポリシラザンを利用して絶縁皮膜を形成する方法がある。ポリシラザンは、Ｓｉ−Ｎ結合を持つシラザンを基本とする有機溶媒に可溶な無機ポリマーで、このポリマーの有機溶媒溶液を塗布液として用いて金属板表面に塗布して皮膜を形成し、大気中または水蒸気含有雰囲気中で、３５０〜５５０℃の温度で焼成することにより、水分や水と反応し、非結晶である緻密な高純度シリカが得られる。こうして得られた高純度シリカの皮膜は、１０００℃以上の耐熱性と３０ｋＶ／ｍｍ程度の高い絶縁耐圧を有する。
【００１１】
しかしながら、このポリシラザンの皮膜は、その膜厚が３μｍより大きくなると、３５０〜５５０℃の温度で大気焼成する工程でクラックが発生する。これは、焼成中に蓄積されるポリシラザン自体又は生成した高純度シリカ自体の内部応力や金属板との熱膨張差により発生するものと考えられている。事実、本発明者の検討によれば、ポリシラザンを金属板上に３μｍ形成して焼成したところ、２００〜３５０Ｖ程度の絶縁耐圧しか得ることができなかった。
【００１２】
本発明は上記問題を解決するために発明されたものであり、十分な絶縁耐圧を有する金属板被覆用の材料と、この材料を使用して前記隔壁等のフラットパネルディスプレイ用部品を製造する方法、及び、こうして得られるフラットパネルディスプレイ用部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、
金属材料の表面に塗布し、焼成して電気絶縁性皮膜を形成する材料であって、溶媒と、この溶媒に溶解したシリコン系材料と、この溶媒に分散された粉体とを主成分とすることを特徴とする絶縁皮膜形成用材料である。
【００１４】
ここで、シリコン系材料は、焼成によって電気絶縁性シリカ皮膜を構成するものである
。また、粉体は、皮膜中で熱緩衝効果を発揮して、前記シリコン系材料自体又は生成した電気絶縁性シリカ皮膜自体の内部応力を緩和し、以って焼成によるクラックの発生を防止し、電気絶縁性シリカ皮膜本来の高い絶縁耐圧の確保を実現する。
【００１５】
次に、請求項２に記載の発明は、請求項１記載の発明を前提として、前記シリコン系材料がポリシラザンであること特徴とする絶縁皮膜形成用材料である。
【００１６】
そして、請求項２に記載の発明によれば、ポリシラザンを焼成して得られる電気絶縁性シリカ皮膜は高純度のシリカ皮膜であるため、高絶縁耐圧を有する皮膜を得ることが可能となる。
【００１７】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１〜２のいずれかに記載の発明を前提として、前記粉体の熱膨張係数が前記シリコン系材料より大きく、かつ、前記金属材料よりも小さいこと特徴とする絶縁皮膜形成用材料である。
【００１８】
この請求項３に記載の発明によれば、前記粉体の熱膨張係数が前記シリコン系材料より大きく、かつ、前記金属材料よりも小さいため、両者の熱膨張率の差を吸収して、焼成時の内部応力を緩和し、電気絶縁性シリカ皮膜にクラックが発生することを防止する。そして、このため、一層絶縁耐圧に優れた電気絶縁性シリカ皮膜の形成を可能とする。なお、電気絶縁性シリカ皮膜の熱膨張係数は０．６×１０-6（／℃）、金属材料の熱膨張係数は一般に５〜２０×１０-6（／℃）である。
【００１９】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の発明を前提として、前記粉体の直径０．５μｍ〜１０μｍであること特徴とする絶縁皮膜形成用材料である。
【００２０】
この請求項４に記載の発明によれば、前記粉体の直径０．５μｍ〜１０μｍであるため、厚さ３０μｍまでの厚膜の電気絶縁性シリカ皮膜の形成が可能となり、一層高い絶縁耐圧を得ることが可能となる。
【００２１】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載の発明を前提として、
前記粉体の熱軟化温度又は融点が５５０℃以上であること特徴とする絶縁皮膜形成用材料である。
【００２２】
請求項５に記載の発明によれば、粉体の熱軟化温度又は融点が５５０℃以上であるため、３５０〜５５０℃の焼成温度に耐えて型崩れを起こすことがなく、電気絶縁性シリカ皮膜自体の内部応力や電気絶縁性シリカ皮膜と金属材料との間の応力を緩和して、クラックがなく、かつ、高い絶縁耐圧を有する電気絶縁性シリカ皮膜を形成することが可能となる。
【００２３】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の発明を前提として、前記粉体の誘電率が１０以下であること特徴とする絶縁皮膜形成用材料である。
【００２４】
請求項６に記載の発明によれば、前記粉体の誘電率が１０以下であるため、皮膜付金属材料をＰＤＰの電極間の隔壁として使用した場合、前面板上に形成された電極の配線と金属材料との間の電気的ロスを低減させることが可能となる。なお、粉体の誘電率は低い方が望ましく、例えば５以下であることが望ましい。また、シリカの誘電率が３程度であることから、これと同じ３程度であることが一層望ましい。
【００２５】
次に、請求項７に記載の発明は、貫通孔又は凹部を有する金属平板の表面に絶縁皮膜形成用材料を塗布して前記貫通孔の内壁又は凹部を含む表面全体を前記材料で被覆し、次に
、この金属平板を大気中で３５０〜５５０℃の温度で焼成して電気絶縁性皮膜を形成するフラットパネルディスプレイ用部品の製造方法において、
絶縁皮膜形成用材料として、請求項１〜６のいずれかの絶縁皮膜形成用材料を使用することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用部品の製造方法である。
【００２６】
請求項７に記載の発明によれば、貫通孔又は凹部を有する金属平板を使用すると共に、請求項１〜６のいずれかの絶縁皮膜形成用材料を使用してこれを金属平板の表面に塗布し、大気中で３５０〜５５０℃の温度で焼成して電気絶縁性皮膜を形成するため、高い絶縁耐圧の電気絶縁性シリカ皮膜を備え、しかも厚さ方向に寸法精度が安定し、また、放熱性や電気的シールド性能に優れた部品を、安定的に生産することが可能となる。
【００２７】
また、請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明を前提として、前記金属平板が、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏから選ばれる１種又は２種以上の金属元素を含むＦｅ系合金であることを特徴とするフラットパネルディスプレイ用部品の製造方法である。
【００２８】
ＰＤＰなど、フラットパネルディスプレイに利用される背面ガラス板や前面ガラス板には、熱膨張係数が８×１０-6（／℃）程度のソーダガラスや高歪点ガラスが用いられているが、請求項７に記載の発明によれば、金属平板が、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏから選ばれる１種又は２種以上の金属元素を含むＦｅ系合金であって、その熱膨張係数がソーダガラスや高歪点ガラスの熱膨張係数に近いため、パネル組み立て工程の４５０〜５００℃の熱サイクルに耐えてパネルに歪みを生じることがなく、安定的にパネルを組み立てることが可能になる。
【００２９】
また、請求項９に記載の発明は、請求項７〜８のいずれかに記載の発明を前提として、絶縁皮膜形成用材料を０．５〜３０μｍの厚みに塗布することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用部品の製造方法である。
【００３０】
請求項９に記載の発明によれば、絶縁皮膜形成用材料を０．５〜３０μｍの厚みに塗布するため、高い絶縁耐圧の電気絶縁性シリカ皮膜を設けることができる。
【００３１】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項７〜９のいずれかの方法で製造されたフラットパネルディスプレイ用部品である。
【００３２】
請求項１０に記載の発明におれば、高い絶縁耐圧の電気絶縁性シリカ皮膜を備え、しかも厚さ方向に寸法精度が安定し、また、放熱性や電気的シールド性能に優れた部品を得ることが可能となる。
【発明の効果】
【００３３】
請求項１〜６に記載の発明によれば、高絶縁耐圧を有する電気絶縁性シリカ皮膜を得ることが可能となる。
【００３４】
また、請求項７，９に記載の発明によれば、高い絶縁耐圧の電気絶縁性シリカ皮膜を備え、しかも厚さ方向に寸法精度が安定し、また、放熱性や電気的シールド性能に優れた部品を、安定的に生産することが可能となる。
【００３５】
また、請求項８に記載の発明によれば、パネル組み立て工程の４５０〜５００℃の熱サイクルに耐えてパネルに歪みを生じることがなく、安定的にパネルを組み立てることが可能になる。
【００３６】
また、請求項１０に記載の発明によれば、高い絶縁耐圧の電気絶縁性シリカ皮膜を備え
、しかも厚さ方向に寸法精度が安定し、また、放熱性や電気的シールド性能に優れた部品を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
（金属材料）
本発明に係る金属材料は、その表面に電気絶縁性シリカ皮膜を設けて、例えば、ＰＤＰの隔壁として使用するものである。このため、高いアスペクト比で、厚さのばらつきが１０μｍ以下の均一な厚みの金属平板に貫通孔を設けたものが好適に使用できる。なお、この貫通孔は、ＰＤＰの放電セルを構成するものである。貫通孔の代わりに貫通していない孔、すなわち、凹部を有する金属平板を利用することもできる。
【００３８】
また、ＰＤＰなどのフラットパネルディスプレイ組み立て工程の熱サイクルに耐える必要から、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏから選ばれる１種又は２種以上の金属元素を含むＦｅ系合金であることが望ましい。中でもＮｉを４０〜５２質量％含有するＦｅ−Ｎｉ系合金が望ましく、特にＮｉを４６〜５０質量％含有するＦｅ−Ｎｉ系合金が望ましい。
【００３９】
かかる金属平板に貫通孔又は凹部を設けるためには、定法に従ってエッチングすれば良い。すなわち、まず、金属平板表面の片面または両面に感光性レジストを塗布し、パターン状の露光・現像して、孔形状を形成させたい所望の箇所を開口させるようパターニングする。次に塩化第二鉄液等の腐食性溶液をスプレーする事により、レジストが開口している部分の金属をエッチングし、金属材料にハーフエッチング形状または貫通孔を有する形状を形成させる。その後残余の感光性レジストをアルカリなどにより剥離する。
（シリコン系材料）
シリコン系材料は、焼成によて電気絶縁性シリカ皮膜を構成する作用を有するものである。この理由から、ポリシラザンを利用することが望ましい。ポリシラザンは（ＳｉＨ2−ＮＨ）nを基本とする無機ポリマーで、分子量が６００から１０００である事が好ましい。ポリシラザンを選択した理由は以下の通りである。
(1)表面に塗布し、３００℃から５００℃の温度で焼成することで非結晶である緻密な高
純度シリカが得られる。
(2)ポリシラザンのＳｉＯ2は（ＳｉＨ2−ＮＨ）ｎ中に炭素を含有していないため、金 属セラミックスやガラスあるいは金属材料との密着性が良く、ゾルゲル法のように熱分 解中に膜の収縮や残留炭素の問題がなくクラックが比較的発生しにくい。
(3)塗布し、大気焼成が可能なため、真空環境などの特殊な装置、成膜条件を用いること
なく連続加工ができる。
(4)ポリシラザンを塗布し基板表面が露出無くコートされた状態で焼成するため、金属板
表面の酸化の問題がない。
(5)鉛などの環境を害する物質を使用しない。
（粉体）
粉体は、電気絶縁性シリカ皮膜中で熱緩衝効果を発揮して、前記シリコン系材料自体又は生成した電気絶縁性皮膜自体の内部応力を緩和し、以って焼成によるクラックの発生を防止する作用を有するものである。
【００４０】
また、電気絶縁性シリカ皮膜と金属材料の熱膨張の違いによる応力の発生とこの応力に基づくクラックの発生を防止する作用も有することが望ましい。
【００４１】
また、粉体は、厚膜の電気絶縁性シリカ皮膜の形成を可能にするという作用を有することが望ましい。
【００４２】
さらに、粉体は、３５０〜５５０℃の焼成温度に耐えて型崩れを起こすことがないという作用を有することが望ましい。
【００４３】
また、粉体は、皮膜付金属材料をＰＤＰの電極間の隔壁として使用し且つこの上に電極を設けて、電極と金属材料との間の電気的ロスを低減させることが望ましい。
【００４４】
このような粉体としては、Ｓｉ、Ａｌなどの金属酸化物又は窒化物、ＳｉＯ2，Ｂａ０，Ｂ2Ｏ3，Ｎａ2Ｏ，ＴｉＯ2，Ｎｄ2Ｏ5などを含むの高融点ガラスなどがあげられる。
（溶媒）
溶媒は、シリコン系材料を溶解し、粉体を分散して、塗布可能な材料を形成するものである。このような溶媒としては、例えば、キシレン、ターペン、ソルベッソ、ジブチルエーテルなどがあり、ポリシラザン（ＳｉＨ2−ＮＨ）ｎなどのシリコン系材料を重量比で０．５〜２５％溶解させ、粉体を重量比で０．５〜２５％分散させて使用する。
（塗布）
本発明に係る絶縁皮膜形成用材料は、スプレー法、ディッピング法などで塗布することが可能である。なお、貫通孔又は凹部の深さが深いときは、半乾燥した吐液を金属表面に均一厚さの膜として形成することができるスプレー噴射法が有利である。更に、貫通孔又は凹部の壁面に絶縁物を的確に塗布するために、静電塗装を用いることも効果的である。（焼成）
本発明に係る焼成工程は、塗布された絶縁皮膜形成用材料中のシリコン系材料を電気絶縁性シリカに変えるものであり、乾燥した大気中または水蒸気を含有する雰囲気中で３５０〜５５０℃で焼成すれば良い。膜を緻密にして絶縁耐性を増大するため、４００℃以上の高温で焼成することが好ましい。なお、ポリシラザンを大気中で焼成してシリカ（ＳｉＯ2）皮膜を得る反応は次式で示される。
【００４５】
（ＳｉＨ2−ＮＨ）＋Ｏ2→ＳｉＯ2＋ＮＨ3
【実施例１】
【００４６】
以下、本発明の実施例１を説明する。
【００４７】
厚み３００μｍのＦｅ―５０Ｎｉ合金(熱膨張係数；９４×１０-7／℃)の平板をアルカリ脱脂し、膜厚２０μｍの市販のドライフイルムレジストを前記金属平板の表面に貼り合わせた。次いで、ピッチ２７０×８１０μｍで、１００×６４０μｍが開孔しているスロットパターンのフォトマスクで露光し、アルカリ水溶液のスプレー現像で、前記金属平板に、フォトマスクと同寸法のフォトレジストパターンを形成した。次いで、塩化第二鉄エッチング液でスプレーエッチングし、ドライフイルムレジストを残したハーフエッチング金属平板を作製した。苛性ソーダ水溶液をスプレーしてフォトレジストを剥膜し、ＰＤＰ用金属隔壁のリブ形状を有し、凹部を有する金属平板を作製した。
【００４８】
他方、キシレンに、ポリシラザンを１０重量％の割合で溶解させ、平均直径２μｍのアルミナ粉末（融点；２０２０℃，誘電率；９．０，熱膨張係数；７８×１０-7／℃)を２０重量％の割合で分散させて、絶縁皮膜形成用材料を調整した。
【００４９】
そして、前記金属平板を再びアルカリ脱脂し、水洗後、絶縁皮膜形成用材料を塗布した。。塗布はスプレー法を使用し、面内均一に、乾燥前の膜厚が２５μｍになるように塗布した。
【００５０】
その後、大気中で溶剤が十分揮発するまで乾燥させ、４８０℃で６０分、乾燥した大気中で焼成を行った。上記ＰＤＰ用金属隔壁のリブ形状に絶縁層をクラック等発生することなく形成させることができた。
【００５１】
この絶縁処理を施したＰＤＰ用金属隔壁をスロットの長手方向と垂直に切断し断面を観
察すると、図１の様な形状となり、凹部の側壁１０４では５μｍ、隔壁のトップ平坦部１０５では１５．６μｍの膜が形成されていることが確認できた。絶縁耐圧測定装置にて、金属隔壁上部に測定端子平板を接触させ、平坦部１０５の絶縁耐圧を測定したところ１０５０Ｖとなり、十分な絶縁耐圧を示した。また、誘電率は６．５であった。
【実施例２】
【００５２】
以下、本発明の実施例２を説明する。
厚み５００μｍのＦｅ―４２Ｎｉ合金（熱膨張係数；１１０×１０-7／℃)の平板をアルカリ脱脂し、膜厚２０μｍの市販のドライフイルムレジスト基板表面に貼り合わせた。。次いで、ピッチ２７０×８１０μｍで、１００×６２０μｍが開孔しているスロットパターンのフォトマスクで露光し、アルカリ水溶液のスプレー現像で、前記金属平板に、フォトマスクと同寸法のフォトレジストパターンを形成した。次いで、塩化第二鉄エッチング液でスプレーエッチングし、ドライフイルムレジストを残したハーフエッチング金属平板を作製した。次にドライフィルムを苛性ソーダ水溶液にて剥離後、ポジ型電着フォトレジストのゾンネＥＤＵＶ Ｐ−５００（関西ペイント製）をハーフエッチング金属平板上に均一な膜厚でコーティングした。次いでポジ用フォトマスクの位置合わせを行って露光し、炭酸ソーダ水溶液でスプレー現像してゾンネＥＤＵＶ Ｐ−５００をパターニングした。最後に、二回目のエッチング工程として、塩化第二鉄エッチング液をスプレーエッチングし、苛性ソーダ水溶液をスプレーしてフォトレジストを剥膜し、板厚５００μｍで、ピッチ２７０×８１０μｍで、２２０×７６０μｍが開孔しているスロットパターンの貫通孔を有する金属平板を作製した。
【００５３】
他方、キシレンに、ポリシラザンを２０重量％の割合で溶解させ、平均直径５．７μｍのＮａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3-ＳｉＯ2系の粉末ガラス（日本電気硝子製：ｌｓ−５００、熱軟化点；５８９℃，誘電率；７．６，熱膨張係数；８３×１０-7／℃)を２０重量％の割合で分散させて、絶縁皮膜形成用材料を調整した。
【００５４】
そして、前記金属平板を再びアルカリ脱脂し、水洗後、絶縁皮膜形成用材料を塗布した。。塗布はスプレー法を使用し、面内均一に、乾燥前の膜厚が１５μｍになるように塗布した。
【００５５】
その後、溶剤が十分揮発するまで乾燥させ、５００℃で６０分、乾燥した大気中で焼成を行った。上記したスロットパターンの貫通孔を有する金属平板に絶縁層を形成させることができた。
【００５６】
この絶縁処理を施した金属平板の断面を観察すると、図２のような形状となり、貫通孔の側壁２０４では５．１μｍ、貫通孔のない平坦部２０５では１２．４μｍの膜が形成されていることが確認できた。絶縁耐圧測定装置にて、金属隔壁上部に測定端子平板を接触させ、平坦部２０５の絶縁耐圧を測定したところ１２４０Ｖとなり、十分な絶縁耐圧を示した。また、誘電率は５．２であった。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施例１（凹部を有するＰＤＰ用金属隔壁）の実施例断面図
【図２】本発明の実施例２（貫通孔を有する金属エッチング製品）の実施例断面図
【図３】ＰＤＰの放電セルの配置を示す説明用斜視図
【符号の説明】
【００５８】
１０１…金属平板
１０２…シリカ
１０３…粉体
１０４…凹部の側壁
１０５…隔壁のトップ平坦部
２０１…金属平板
２０２…シリカ
２０３…粉体
２０４…貫通孔の側壁
２０５…貫通孔のない平坦部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁皮膜形成用材料、この材料を使用してフラットパネルディスプレイ用部品を製造する方法、及びフラットパネルディスプレイ用部品に関する。
【０００２】
さらに詳しくは、例えば、プラズマパネルディスプレイ（ＰＤＰ）の放電セル同士を隔離する隔壁として使用する部品を被覆する材料であって、放電電圧に耐える十分な絶縁耐圧を有する金属板被覆用の材料と、この材料を使用して前記隔壁等のフラットパネルディスプレイ用部品を製造する方法、及び、こうして得られるフラットパネルディスプレイ用部品に関するものである。また、本発明は、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）のスペーサーにも適用できる。
【背景技術】
【０００３】
プラズマパネルディスプレイの放電セルの配置は、例えば、図３に示すようなものである。すなわち、図３において、ａは前面板、ｂは背面板で、ガラスで構成されていることが多い。そして、前面板ａと背面板ｂの間に隔壁ｃがはさまれている。隔壁ｃには多数の貫通孔が設けられており、この貫通孔を放電セルとして所要のガスを封入すると共に、前面板ａ及び背面板ｂの間でセル毎に放電し、画面表示する。また、最近では、背面板ｂと隔壁ｃを一体成形することにより、作業性を向上させる試みもなされている（非特許文献１参照）。隔壁ｃは電気的に絶縁されている必要があり、放電時の電圧に耐える絶縁耐性を有する必要がある。
【０００４】
従来、隔壁ｃとして、貫通孔を設けたガラス板などが用いられてきたが、近年、電気絶縁性の皮膜を被覆した金属材料を使用する技術が注目されている。金属材料はウエットエッチングによって大面積を一括で高アスペクト比に加工することができ、板材を用いた場合、厚さ方向の寸法精度が±数μｍと安定しているである。また、放熱性に優れ、電磁波や電気的ノイズのシールドとしての役割をも果たすことが可能であるなどの利点もある。
【０００５】
貫通孔を設けた金属板に電気絶縁性の皮膜を被覆する方法としては、例えば、電着法やスプレー塗装法によってガラスを含む誘電体を形成するが知られている（特許文献１、２）。また、気相成長法で電気絶縁性の皮膜を設ける方法（特許文献３）、液相成長法を利用して基板表面に酸化物を形成する絶縁処理方法（特許文献４）、大気開放ＣＶＤ法による絶縁処理方法（特許文献５）、粉体静電塗装による電気絶縁性ガラスを成膜する方法（特許文献６）などが知られている。
【非特許文献１】「円形ディスプレイ」（株）テクノタイムズ，２００４年６月号、Ｐ３４
【特許文献１】特開平０３−２０５７３８号公報
【特許文献２】特開２０００−２７７０２１号公報
【特許文献３】特開２００４−２４０３号公報
【特許文献４】特開２００４−２２４０４号公報
【特許文献５】特開２００３−１３２８０２号公報
【特許文献６】特開２００１−１９５９７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら特許文献１、特許文献２の方法では、膜形成時に気泡が絶縁層中に発生、残存する。また、焼成時の絶縁層の熱フローによりエッチングで形成されたコーナー部の膜厚が薄くなる。これら気泡の存在やコーナー部の薄みのため、十分な絶縁耐圧を確保することが困難である。
【０００７】
また、特許文献３に示す気相成長法では、絶縁物の成膜速度が遅いため十分な膜厚の皮膜を得ることが困難であり、薄ければ絶縁耐圧を得ることができない。
【０００８】
特許文献４に示す大気開放ＣＶＤでは、通常の気相成長法とは異なり、減圧プロセスがないため材料の搬入、搬出が容易で連続成膜が可能で、大型サイズへの展開も比較的容易である。しかし、成膜時に基板上での熱化学反応を促すために基板を高温に加熱する必要があり、金属基板表面に黒色の酸化物が生成される。その結果、絶縁膜との密着性が低下し剥離を起こしたり、ディスプレイ化したときの輝度低下につながる。
【０００９】
特許文献５の粉体静電塗装によるガラスの成膜では、焼成時に溶融し膜は緻密化するが、表面張力で凝集することによりコーナー部の膜が薄くなり耐電圧特性が十分でなくなってしまう。また、焼成時に粉体と接していない金属板表面が酸化し、絶縁膜との密着性が確保できないといった問題が発生する。したがって、ＰＤＰの金属隔壁についての絶縁膜技術としては製品化に至っていない。
【００１０】
他方、金属板にポリシラザンを利用して絶縁皮膜を形成する方法がある。ポリシラザンは、Ｓｉ−Ｎ結合を持つシラザンを基本とする有機溶媒に可溶な無機ポリマーで、このポリマーの有機溶媒溶液を塗布液として用いて金属板表面に塗布して皮膜を形成し、大気中または水蒸気含有雰囲気中で、３５０〜５５０℃の温度で焼成することにより、水分や水と反応し、非結晶である緻密な高純度シリカが得られる。こうして得られた高純度シリカの皮膜は、１０００℃以上の耐熱性と３０ｋＶ／ｍｍ程度の高い絶縁耐圧を有する。
【００１１】
しかしながら、このポリシラザンの皮膜は、その膜厚が３μｍより大きくなると、３５０〜５５０℃の温度で大気焼成する工程でクラックが発生する。これは、焼成中に蓄積されるポリシラザン自体又は生成した高純度シリカ自体の内部応力や金属板との熱膨張差により発生するものと考えられている。事実、本発明者の検討によれば、ポリシラザンを金属板上に３μｍ形成して焼成したところ、２００〜３５０Ｖ程度の絶縁耐圧しか得ることができなかった。
【００１２】
本発明は上記問題を解決するために発明されたものであり、十分な絶縁耐圧を有する金属板被覆用の材料と、この材料を使用して前記隔壁等のフラットパネルディスプレイ用部品を製造する方法、及び、こうして得られるフラットパネルディスプレイ用部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、
金属材料の表面に塗布し、焼成して電気絶縁性皮膜を形成する材料であって、溶媒と、この溶媒に溶解したシリコン系材料と、この溶媒に分散された粉体とを主成分とすることを特徴とする絶縁皮膜形成用材料である。
【００１４】
ここで、シリコン系材料は、焼成によって電気絶縁性シリカ皮膜を構成するものである
。また、粉体は、皮膜中で熱緩衝効果を発揮して、前記シリコン系材料自体又は生成した電気絶縁性シリカ皮膜自体の内部応力を緩和し、以って焼成によるクラックの発生を防止し、電気絶縁性シリカ皮膜本来の高い絶縁耐圧の確保を実現する。
【００１５】
次に、請求項２に記載の発明は、請求項１記載の発明を前提として、前記シリコン系材料がポリシラザンであること特徴とする絶縁皮膜形成用材料である。
【００１６】
そして、請求項２に記載の発明によれば、ポリシラザンを焼成して得られる電気絶縁性シリカ皮膜は高純度のシリカ皮膜であるため、高絶縁耐圧を有する皮膜を得ることが可能となる。
【００１７】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１〜２のいずれかに記載の発明を前提として、前記粉体の熱膨張係数が前記シリコン系材料より大きく、かつ、前記金属材料よりも小さいこと特徴とする絶縁皮膜形成用材料である。
【００１８】
この請求項３に記載の発明によれば、前記粉体の熱膨張係数が前記シリコン系材料より大きく、かつ、前記金属材料よりも小さいため、両者の熱膨張率の差を吸収して、焼成時の内部応力を緩和し、電気絶縁性シリカ皮膜にクラックが発生することを防止する。そして、このため、一層絶縁耐圧に優れた電気絶縁性シリカ皮膜の形成を可能とする。なお、電気絶縁性シリカ皮膜の熱膨張係数は０．６×１０-6（／℃）、金属材料の熱膨張係数は一般に５〜２０×１０-6（／℃）である。
【００１９】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の発明を前提として、前記粉体の直径０．５μｍ〜１０μｍであること特徴とする絶縁皮膜形成用材料である。
【００２０】
この請求項４に記載の発明によれば、前記粉体の直径０．５μｍ〜１０μｍであるため、厚さ３０μｍまでの厚膜の電気絶縁性シリカ皮膜の形成が可能となり、一層高い絶縁耐圧を得ることが可能となる。
【００２１】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載の発明を前提として、
前記粉体の熱軟化温度又は融点が５５０℃以上であること特徴とする絶縁皮膜形成用材料である。
【００２２】
請求項５に記載の発明によれば、粉体の熱軟化温度又は融点が５５０℃以上であるため、３５０〜５５０℃の焼成温度に耐えて型崩れを起こすことがなく、電気絶縁性シリカ皮膜自体の内部応力や電気絶縁性シリカ皮膜と金属材料との間の応力を緩和して、クラックがなく、かつ、高い絶縁耐圧を有する電気絶縁性シリカ皮膜を形成することが可能となる。
【００２３】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の発明を前提として、前記粉体の誘電率が１０以下であること特徴とする絶縁皮膜形成用材料である。
【００２４】
請求項６に記載の発明によれば、前記粉体の誘電率が１０以下であるため、皮膜付金属材料をＰＤＰの電極間の隔壁として使用した場合、前面板上に形成された電極の配線と金属材料との間の電気的ロスを低減させることが可能となる。なお、粉体の誘電率は低い方が望ましく、例えば５以下であることが望ましい。また、シリカの誘電率が３程度であることから、これと同じ３程度であることが一層望ましい。
【００２５】
次に、請求項７に記載の発明は、貫通孔又は凹部を有する金属平板の表面に絶縁皮膜形成用材料を塗布して前記貫通孔の内壁又は凹部を含む表面全体を前記材料で被覆し、次に
、この金属平板を大気中で３５０〜５５０℃の温度で焼成して電気絶縁性皮膜を形成するフラットパネルディスプレイ用部品の製造方法において、
絶縁皮膜形成用材料として、請求項１〜６のいずれかの絶縁皮膜形成用材料を使用することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用部品の製造方法である。
【００２６】
請求項７に記載の発明によれば、貫通孔又は凹部を有する金属平板を使用すると共に、請求項１〜６のいずれかの絶縁皮膜形成用材料を使用してこれを金属平板の表面に塗布し、大気中で３５０〜５５０℃の温度で焼成して電気絶縁性皮膜を形成するため、高い絶縁耐圧の電気絶縁性シリカ皮膜を備え、しかも厚さ方向に寸法精度が安定し、また、放熱性や電気的シールド性能に優れた部品を、安定的に生産することが可能となる。
【００２７】
また、請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明を前提として、前記金属平板が、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏから選ばれる１種又は２種以上の金属元素を含むＦｅ系合金であることを特徴とするフラットパネルディスプレイ用部品の製造方法である。
【００２８】
ＰＤＰなど、フラットパネルディスプレイに利用される背面ガラス板や前面ガラス板には、熱膨張係数が８×１０-6（／℃）程度のソーダガラスや高歪点ガラスが用いられているが、請求項７に記載の発明によれば、金属平板が、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏから選ばれる１種又は２種以上の金属元素を含むＦｅ系合金であって、その熱膨張係数がソーダガラスや高歪点ガラスの熱膨張係数に近いため、パネル組み立て工程の４５０〜５００℃の熱サイクルに耐えてパネルに歪みを生じることがなく、安定的にパネルを組み立てることが可能になる。
【００２９】
また、請求項９に記載の発明は、請求項７〜８のいずれかに記載の発明を前提として、絶縁皮膜形成用材料を０．５〜３０μｍの厚みに塗布することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用部品の製造方法である。
【００３０】
請求項９に記載の発明によれば、絶縁皮膜形成用材料を０．５〜３０μｍの厚みに塗布するため、高い絶縁耐圧の電気絶縁性シリカ皮膜を設けることができる。
【００３１】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項７〜９のいずれかの方法で製造されたフラットパネルディスプレイ用部品である。
【００３２】
請求項１０に記載の発明におれば、高い絶縁耐圧の電気絶縁性シリカ皮膜を備え、しかも厚さ方向に寸法精度が安定し、また、放熱性や電気的シールド性能に優れた部品を得ることが可能となる。
【発明の効果】
【００３３】
請求項１〜６に記載の発明によれば、高絶縁耐圧を有する電気絶縁性シリカ皮膜を得ることが可能となる。
【００３４】
また、請求項７，９に記載の発明によれば、高い絶縁耐圧の電気絶縁性シリカ皮膜を備え、しかも厚さ方向に寸法精度が安定し、また、放熱性や電気的シールド性能に優れた部品を、安定的に生産することが可能となる。
【００３５】
また、請求項８に記載の発明によれば、パネル組み立て工程の４５０〜５００℃の熱サイクルに耐えてパネルに歪みを生じることがなく、安定的にパネルを組み立てることが可能になる。
【００３６】
また、請求項１０に記載の発明によれば、高い絶縁耐圧の電気絶縁性シリカ皮膜を備え
、しかも厚さ方向に寸法精度が安定し、また、放熱性や電気的シールド性能に優れた部品を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
（金属材料）
本発明に係る金属材料は、その表面に電気絶縁性シリカ皮膜を設けて、例えば、ＰＤＰの隔壁として使用するものである。このため、高いアスペクト比で、厚さのばらつきが１０μｍ以下の均一な厚みの金属平板に貫通孔を設けたものが好適に使用できる。なお、この貫通孔は、ＰＤＰの放電セルを構成するものである。貫通孔の代わりに貫通していない孔、すなわち、凹部を有する金属平板を利用することもできる。
【００３８】
また、ＰＤＰなどのフラットパネルディスプレイ組み立て工程の熱サイクルに耐える必要から、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏから選ばれる１種又は２種以上の金属元素を含むＦｅ系合金であることが望ましい。中でもＮｉを４０〜５２質量％含有するＦｅ−Ｎｉ系合金が望ましく、特にＮｉを４６〜５０質量％含有するＦｅ−Ｎｉ系合金が望ましい。
【００３９】
かかる金属平板に貫通孔又は凹部を設けるためには、定法に従ってエッチングすれば良い。すなわち、まず、金属平板表面の片面または両面に感光性レジストを塗布し、パターン状の露光・現像して、孔形状を形成させたい所望の箇所を開口させるようパターニングする。次に塩化第二鉄液等の腐食性溶液をスプレーする事により、レジストが開口している部分の金属をエッチングし、金属材料にハーフエッチング形状または貫通孔を有する形状を形成させる。その後残余の感光性レジストをアルカリなどにより剥離する。
（シリコン系材料）
シリコン系材料は、焼成によて電気絶縁性シリカ皮膜を構成する作用を有するものである。この理由から、ポリシラザンを利用することが望ましい。ポリシラザンは（ＳｉＨ2−ＮＨ）nを基本とする無機ポリマーで、分子量が６００から１０００である事が好ましい。ポリシラザンを選択した理由は以下の通りである。
(1)表面に塗布し、３００℃から５００℃の温度で焼成することで非結晶である緻密な高
純度シリカが得られる。
(2)ポリシラザンのＳｉＯ2は（ＳｉＨ2−ＮＨ）ｎ中に炭素を含有していないため、金 属セラミックスやガラスあるいは金属材料との密着性が良く、ゾルゲル法のように熱分 解中に膜の収縮や残留炭素の問題がなくクラックが比較的発生しにくい。
(3)塗布し、大気焼成が可能なため、真空環境などの特殊な装置、成膜条件を用いること
なく連続加工ができる。
(4)ポリシラザンを塗布し基板表面が露出無くコートされた状態で焼成するため、金属板
表面の酸化の問題がない。
(5)鉛などの環境を害する物質を使用しない。
（粉体）
粉体は、電気絶縁性シリカ皮膜中で熱緩衝効果を発揮して、前記シリコン系材料自体又は生成した電気絶縁性皮膜自体の内部応力を緩和し、以って焼成によるクラックの発生を防止する作用を有するものである。
【００４０】
また、電気絶縁性シリカ皮膜と金属材料の熱膨張の違いによる応力の発生とこの応力に基づくクラックの発生を防止する作用も有することが望ましい。
【００４１】
また、粉体は、厚膜の電気絶縁性シリカ皮膜の形成を可能にするという作用を有することが望ましい。
【００４２】
さらに、粉体は、３５０〜５５０℃の焼成温度に耐えて型崩れを起こすことがないという作用を有することが望ましい。
【００４３】
また、粉体は、皮膜付金属材料をＰＤＰの電極間の隔壁として使用し且つこの上に電極を設けて、電極と金属材料との間の電気的ロスを低減させることが望ましい。
【００４４】
このような粉体としては、Ｓｉ、Ａｌなどの金属酸化物又は窒化物、ＳｉＯ2，Ｂａ０，Ｂ2Ｏ3，Ｎａ2Ｏ，ＴｉＯ2，Ｎｄ2Ｏ5などを含むの高融点ガラスなどがあげられる。
（溶媒）
溶媒は、シリコン系材料を溶解し、粉体を分散して、塗布可能な材料を形成するものである。このような溶媒としては、例えば、キシレン、ターペン、ソルベッソ、ジブチルエーテルなどがあり、ポリシラザン（ＳｉＨ2−ＮＨ）ｎなどのシリコン系材料を重量比で０．５〜２５％溶解させ、粉体を重量比で０．５〜２５％分散させて使用する。
（塗布）
本発明に係る絶縁皮膜形成用材料は、スプレー法、ディッピング法などで塗布することが可能である。なお、貫通孔又は凹部の深さが深いときは、半乾燥した吐液を金属表面に均一厚さの膜として形成することができるスプレー噴射法が有利である。更に、貫通孔又は凹部の壁面に絶縁物を的確に塗布するために、静電塗装を用いることも効果的である。（焼成）
本発明に係る焼成工程は、塗布された絶縁皮膜形成用材料中のシリコン系材料を電気絶縁性シリカに変えるものであり、乾燥した大気中または水蒸気を含有する雰囲気中で３５０〜５５０℃で焼成すれば良い。膜を緻密にして絶縁耐性を増大するため、４００℃以上の高温で焼成することが好ましい。なお、ポリシラザンを大気中で焼成してシリカ（ＳｉＯ2）皮膜を得る反応は次式で示される。
【００４５】
（ＳｉＨ2−ＮＨ）＋Ｏ2→ＳｉＯ2＋ＮＨ3
【実施例１】
【００４６】
以下、本発明の実施例１を説明する。
【００４７】
厚み３００μｍのＦｅ―５０Ｎｉ合金(熱膨張係数；９４×１０-7／℃)の平板をアルカリ脱脂し、膜厚２０μｍの市販のドライフイルムレジストを前記金属平板の表面に貼り合わせた。次いで、ピッチ２７０×８１０μｍで、１００×６４０μｍが開孔しているスロットパターンのフォトマスクで露光し、アルカリ水溶液のスプレー現像で、前記金属平板に、フォトマスクと同寸法のフォトレジストパターンを形成した。次いで、塩化第二鉄エッチング液でスプレーエッチングし、ドライフイルムレジストを残したハーフエッチング金属平板を作製した。苛性ソーダ水溶液をスプレーしてフォトレジストを剥膜し、ＰＤＰ用金属隔壁のリブ形状を有し、凹部を有する金属平板を作製した。
【００４８】
他方、キシレンに、ポリシラザンを１０重量％の割合で溶解させ、平均直径２μｍのアルミナ粉末（融点；２０２０℃，誘電率；９．０，熱膨張係数；７８×１０-7／℃)を２０重量％の割合で分散させて、絶縁皮膜形成用材料を調整した。
【００４９】
そして、前記金属平板を再びアルカリ脱脂し、水洗後、絶縁皮膜形成用材料を塗布した。。塗布はスプレー法を使用し、面内均一に、乾燥前の膜厚が２５μｍになるように塗布した。
【００５０】
その後、大気中で溶剤が十分揮発するまで乾燥させ、４８０℃で６０分、乾燥した大気中で焼成を行った。上記ＰＤＰ用金属隔壁のリブ形状に絶縁層をクラック等発生することなく形成させることができた。
【００５１】
この絶縁処理を施したＰＤＰ用金属隔壁をスロットの長手方向と垂直に切断し断面を観
察すると、図１の様な形状となり、凹部の側壁１０４では５μｍ、隔壁のトップ平坦部１０５では１５．６μｍの膜が形成されていることが確認できた。絶縁耐圧測定装置にて、金属隔壁上部に測定端子平板を接触させ、平坦部１０５の絶縁耐圧を測定したところ１０５０Ｖとなり、十分な絶縁耐圧を示した。また、誘電率は６．５であった。
【実施例２】
【００５２】
以下、本発明の実施例２を説明する。
厚み５００μｍのＦｅ―４２Ｎｉ合金（熱膨張係数；１１０×１０-7／℃)の平板をアルカリ脱脂し、膜厚２０μｍの市販のドライフイルムレジスト基板表面に貼り合わせた。。次いで、ピッチ２７０×８１０μｍで、１００×６２０μｍが開孔しているスロットパターンのフォトマスクで露光し、アルカリ水溶液のスプレー現像で、前記金属平板に、フォトマスクと同寸法のフォトレジストパターンを形成した。次いで、塩化第二鉄エッチング液でスプレーエッチングし、ドライフイルムレジストを残したハーフエッチング金属平板を作製した。次にドライフィルムを苛性ソーダ水溶液にて剥離後、ポジ型電着フォトレジストのゾンネＥＤＵＶ Ｐ−５００（関西ペイント製）をハーフエッチング金属平板上に均一な膜厚でコーティングした。次いでポジ用フォトマスクの位置合わせを行って露光し、炭酸ソーダ水溶液でスプレー現像してゾンネＥＤＵＶ Ｐ−５００をパターニングした。最後に、二回目のエッチング工程として、塩化第二鉄エッチング液をスプレーエッチングし、苛性ソーダ水溶液をスプレーしてフォトレジストを剥膜し、板厚５００μｍで、ピッチ２７０×８１０μｍで、２２０×７６０μｍが開孔しているスロットパターンの貫通孔を有する金属平板を作製した。
【００５３】
他方、キシレンに、ポリシラザンを２０重量％の割合で溶解させ、平均直径５．７μｍのＮａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3-ＳｉＯ2系の粉末ガラス（日本電気硝子製：ｌｓ−５００、熱軟化点；５８９℃，誘電率；７．６，熱膨張係数；８３×１０-7／℃)を２０重量％の割合で分散させて、絶縁皮膜形成用材料を調整した。
【００５４】
そして、前記金属平板を再びアルカリ脱脂し、水洗後、絶縁皮膜形成用材料を塗布した。。塗布はスプレー法を使用し、面内均一に、乾燥前の膜厚が１５μｍになるように塗布した。
【００５５】
その後、溶剤が十分揮発するまで乾燥させ、５００℃で６０分、乾燥した大気中で焼成を行った。上記したスロットパターンの貫通孔を有する金属平板に絶縁層を形成させることができた。
【００５６】
この絶縁処理を施した金属平板の断面を観察すると、図２のような形状となり、貫通孔の側壁２０４では５．１μｍ、貫通孔のない平坦部２０５では１２．４μｍの膜が形成されていることが確認できた。絶縁耐圧測定装置にて、金属隔壁上部に測定端子平板を接触させ、平坦部２０５の絶縁耐圧を測定したところ１２４０Ｖとなり、十分な絶縁耐圧を示した。また、誘電率は５．２であった。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施例１（凹部を有するＰＤＰ用金属隔壁）の実施例断面図
【図２】本発明の実施例２（貫通孔を有する金属エッチング製品）の実施例断面図
【図３】ＰＤＰの放電セルの配置を示す説明用斜視図
【符号の説明】
【００５８】
１０１…金属平板
１０２…シリカ
１０３…粉体
１０４…凹部の側壁
１０５…隔壁のトップ平坦部
２０１…金属平板
２０２…シリカ
２０３…粉体
２０４…貫通孔の側壁
２０５…貫通孔のない平坦部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料の表面に塗布し、焼成して電気絶縁性皮膜を形成する材料であって、溶媒と、この溶媒に溶解したシリコン系材料と、この溶媒に分散された粉体とを主成分とすることを特徴とする絶縁皮膜形成用材料
【請求項２】
前記シリコン系材料がポリシラザンであること特徴とする請求項１に記載の絶縁皮膜形成用材料。
【請求項３】
前記粉体の熱膨張係数が前記シリコン系材料より大きく、かつ、前記金属材料よりも小さいこと特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の絶縁皮膜形成用材料。
【請求項４】
前記粉体の直径０．５μｍ〜１０μｍであること特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の絶縁皮膜形成用材料。
【請求項５】
前記粉体の熱軟化温度又は融点が５５０℃以上であること特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の絶縁皮膜形成用材料。
【請求項６】
前記粉体の誘電率が１０以下であること特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の絶縁皮膜形成用材料。
【請求項７】
貫通孔又は凹部を有する金属平板の表面に絶縁皮膜形成用材料を塗布して前記貫通孔の内壁又は凹部を含む表面全体を前記材料で被覆し、次に、この金属平板を大気中で３５０〜５５０℃の温度で焼成して電気絶縁性皮膜を形成するフラットパネルディスプレイ用部品の製造方法において、
絶縁皮膜形成用材料として、請求項１〜６のいずれかの絶縁皮膜形成用材料を使用することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用部品の製造方法。
【請求項８】
前記金属平板が、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏから選ばれる１種又は２種以上の金属元素を含むＦｅ系合金であることを特徴とする請求項７記載のフラットパネルディスプレイ用部品の製造方法。
【請求項９】
絶縁皮膜形成用材料を０．５〜３０μｍの厚みに塗布することを特徴とする請求項７〜８のいずれかに記載のフラットパネルディスプレイ用部品の製造方法。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれかの方法で製造されたフラットパネルディスプレイ用部品。
【請求項１】
金属材料の表面に塗布し、焼成して電気絶縁性皮膜を形成する材料であって、溶媒と、この溶媒に溶解したシリコン系材料と、この溶媒に分散された粉体とを主成分とすることを特徴とする絶縁皮膜形成用材料
【請求項２】
前記シリコン系材料がポリシラザンであること特徴とする請求項１に記載の絶縁皮膜形成用材料。
【請求項３】
前記粉体の熱膨張係数が前記シリコン系材料より大きく、かつ、前記金属材料よりも小さいこと特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の絶縁皮膜形成用材料。
【請求項４】
前記粉体の直径０．５μｍ〜１０μｍであること特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の絶縁皮膜形成用材料。
【請求項５】
前記粉体の熱軟化温度又は融点が５５０℃以上であること特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の絶縁皮膜形成用材料。
【請求項６】
前記粉体の誘電率が１０以下であること特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の絶縁皮膜形成用材料。
【請求項７】
貫通孔又は凹部を有する金属平板の表面に絶縁皮膜形成用材料を塗布して前記貫通孔の内壁又は凹部を含む表面全体を前記材料で被覆し、次に、この金属平板を大気中で３５０〜５５０℃の温度で焼成して電気絶縁性皮膜を形成するフラットパネルディスプレイ用部品の製造方法において、
絶縁皮膜形成用材料として、請求項１〜６のいずれかの絶縁皮膜形成用材料を使用することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用部品の製造方法。
【請求項８】
前記金属平板が、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏから選ばれる１種又は２種以上の金属元素を含むＦｅ系合金であることを特徴とする請求項７記載のフラットパネルディスプレイ用部品の製造方法。
【請求項９】
絶縁皮膜形成用材料を０．５〜３０μｍの厚みに塗布することを特徴とする請求項７〜８のいずれかに記載のフラットパネルディスプレイ用部品の製造方法。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれかの方法で製造されたフラットパネルディスプレイ用部品。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００６−１９３５７１（Ｐ２００６−１９３５７１Ａ）
【公開日】平成１８年７月２７日（２００６．７．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−４８８８（Ｐ２００５−４８８８）
【出願日】平成１７年１月１２日（２００５．１．１２）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年７月２７日（２００６．７．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１月１２日（２００５．１．１２）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
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