表示装置およびその製造方法
【課題】容易に製造することが可能な構造を備える表示装置を提供する。
【解決手段】各サブピクセルは、１つの有機ＥＬ素子が設けられる素子形成領域と、コンタクトスペーサーが設けられる素子非形成領域とから構成され、複数のピクセルは、前記第２基板の表面上において、第１方向に延在する複数本の直線に沿ってそれぞれ配置され、第２基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセルの素子非形成領域は、前記第１方向に沿って配置され、第２基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルに設けられる複数のサブピクセルの素子形成領域は、第２方向に沿って配置され、第２基板上の１つの直線上に配列される複数のピクセルにおいて、全てのサブピクセルの素子非形成領域は前記第１方向に沿って配置され、同種類の光を放射するサブピクセルの素子形成領域は前記第１方向に沿って配置される、表示装置。
【解決手段】各サブピクセルは、１つの有機ＥＬ素子が設けられる素子形成領域と、コンタクトスペーサーが設けられる素子非形成領域とから構成され、複数のピクセルは、前記第２基板の表面上において、第１方向に延在する複数本の直線に沿ってそれぞれ配置され、第２基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセルの素子非形成領域は、前記第１方向に沿って配置され、第２基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルに設けられる複数のサブピクセルの素子形成領域は、第２方向に沿って配置され、第２基板上の１つの直線上に配列される複数のピクセルにおいて、全てのサブピクセルの素子非形成領域は前記第１方向に沿って配置され、同種類の光を放射するサブピクセルの素子形成領域は前記第１方向に沿って配置される、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を光源として使用する表示装置は、多数の有機ＥＬ素子と、これら多数の有機ＥＬ素子を駆動するための駆動回路とを含んで構成される（たとえば特許文献１参照）。表示装置は、たとえば駆動回路と多数の有機ＥＬ素子とをそれぞれ別々の基板（第１基板および第２基板）に形成しておき、駆動回路が形成された第１基板と、多数の有機ＥＬ素子が形成された第２基板とを貼合することにより作製される。なお第１基板上の駆動回路と第２基板上の有機ＥＬ素子とは、たとえば第１基板と第２基板との間隔を所定の距離に保持するコンタクトスペーサーを介して電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１１４９１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機ＥＬ素子を個別に発光駆動する表示装置では、駆動回路から出力される信号を各有機ＥＬ素子に個別に入力する必要がある。そのため、駆動回路から出力される信号を有機ＥＬ素子に入力するさいの経路となるコンタクトスペーサーは、有機ＥＬ素子ごとに個別に設けられる。すなわち有機ＥＬ素子の数だけコンタクトスペーサーが設けられることになる。
【０００５】
表示装置では、たとえば格子状に形成された隔壁が基板上に設けられており、この隔壁によって略四角形状に区画された領域に、有機ＥＬ素子がそれぞれ設けられる。上記コンタクトスペーサーの設置面積は、有機ＥＬ素子の設置面積よりも小さいため、コンタクトスペーサーは、たとえば格子状に区画された略四角形状の領域において、有機ＥＬ素子が設けられるべき略四角形状の領域を侵食するように、略四角形状の四隅のいずれかに配置される。
【０００６】
有機ＥＬ素子を構成する発光層などを塗布法で形成する場合、発光層用のインクを、それぞれ発光層が形成されるべき部位に選択的に滴下する必要がある一方で、コンタクトスペーサーが設けられる領域へのインクの滴下を避ける必要がある。しかしながら、コンタクトスペーサーが、有機ＥＬ素子の設けられる領域に侵食して設けられる場合、コンタクトスペーサーの設けられる領域へのインクの滴下を避けるには、インクを高精度に塗布する必要があるが、そのような塗布法はインクジェットプリント法などの一部の塗布法に限られている。またたとえインクジェットプリント法などを適用したとしても、コンタクトスペーサーの設けられる領域へのインクの滴下が発生するおそれもあり、歩留まりが低下するおそれがある。
【０００７】
したがって本発明の目的は、容易に製造することが可能な構造を備える表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、駆動回路が形成された第１基板と、前記駆動回路により駆動される有機ＥＬ素子が形成された第２基板とが貼合されて構成され、複数の有機ＥＬ素子を含んで構成されるピクセルを、複数備える表示装置であって、
前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくともいずれか一方は、いずれか他方に向けて延在する複数のコンタクトスペーサーを有し、
前記駆動回路と前記有機ＥＬ素子とはコンタクトスペーサーに形成される導電膜を介して電気的に接続され、
各ピクセルは複数のサブピクセルから構成され、
第２基板上において、各サブピクセルは、１つの有機ＥＬ素子が設けられる素子形成領域と、コンタクトスペーサーが設けられる素子非形成領域とから構成され、
複数のピクセルは、前記第２基板の表面上において、互いに所定の間隔をあけて所定の第１方向に延在する複数本の直線に沿ってそれぞれ配置され、
第２基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセルの素子非形成領域は、前記第１方向に沿って配置され、
第２基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルに設けられる複数のサブピクセルの素子形成領域は、前記第２基板の表面上において前記第１方向と直交する第２方向に沿って配置され、
第２基板上の１つの直線上に配列される複数のピクセルにおいて、全てのサブピクセルの素子非形成領域は前記第１方向に沿って配置され、同種類の光を放射するサブピクセルの素子形成領域は前記第１方向に沿って配置される、表示装置に関する。
【０００９】
また本発明は、第１基板上において各ピクセルは、第１基板の厚み方向の一方から見て、それぞれ第２基板上の対応するピクセルと重なる位置に配置され、
第１基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセルは、前記第１方向に沿って配置される、表示装置に関する。
【００１０】
また本発明は、第２基板上には、前記素子形成領域と、前記コンタクトスペーサーが設けられる素子非形成領域とを分画する隔壁が設けられている、表示装置に関する。
【００１１】
また本発明は、前記隔壁は、さらに、第２基板の厚み方向の一方からみて、各サブピクセルの素子形成領域をそれぞれ個別に囲むように形成されている、表示装置に関する。
【００１２】
また本発明は、前記隔壁は、さらに、第２基板の厚み方向の一方からみて、各サブピクセルの素子非形成領域をそれぞれ個別に囲むように形成されている、表示装置に関する。
【００１３】
また本発明は、前記隔壁は、さらに、第２基板の厚み方向の一方からみて、第２方向に隣り合う各サブピクセルの素子形成領域間に設けられ、第１方向に延在する複数本の隔壁部材から構成される、表示装置に関する。
【００１４】
また本発明は、有機ＥＬ素子は、一対の電極と、該電極間に設けられる１または複数の層を含んで構成され、
１または複数の層のうちの少なくとも１層は、複数のピクセルに跨って、直線状に連続して塗布形成されている、表示装置に関する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、容易に塗布法で製造することが可能な構造を備える表示装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態の表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】各基板上の１つのピクセルを拡大して模式的に示す平面図である。
【図３】各基板上の複数のピクセルを拡大して模式的に示す平面図である。
【図４】第２基板８上における、有機ＥＬ素子１７の一方の電極９およびこの一方の電極９から延在する配線を模式的に示す平面図である。
【図５】第１基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図６】第１基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図７】第１基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図８】第１基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図９】第１基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１０】第１基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１１】第２基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１２】第２基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１３】第２基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１４】第２基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１５】第２基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１６】第２基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１７】第２基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１８】第１基板と第２基板とを貼合する工程を説明するための図である。
【図１９】ストライプバンクを構成する隔壁を備える第２基板８を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態の表示装置について説明する。
【００１８】
図１は本実施形態の表示装置の構成を模式的に示す断面図である。図２は、各基板上の１つのピクセルを拡大して模式的に示す平面図である。図３は、各基板上の複数のピクセルを拡大して模式的に示す平面図である。なお図１は、図２の切断面線Ｉ−Ｉから見たピクセルの断面図に対応する。
【００１９】
本実施形態の表示装置は、駆動回路が形成された第１基板１と、前記駆動回路により駆動される有機ＥＬ素子が形成された第２基板８とが貼合されて構成され、複数の有機ＥＬ素子を含んで構成されるピクセルを、複数備える表示装置であって、前記第１基板１および前記第２基板８のうちの一方から他方に延在する複数のコンタクトスペーサー１２を有し、前記駆動回路と前記有機ＥＬ素子とはコンタクトスペーサー１２に形成された導電膜を介して電気的に接続され、各ピクセルは複数のサブピクセルから構成され、第２基板８上において、各サブピクセルは、１つの有機ＥＬ素子が設けられる素子形成領域２２と、コンタクトスペーサー１２が設けられる素子非形成領域２３とから構成され、複数のピクセルは、前記第２基板８の表面上において、互いに所定の間隔をあけて所定の第１方向Ｘに延在する複数本の直線に沿ってそれぞれ配置され、第２基板８上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセルの素子非形成領域２３は、前記第１方向Ｘに沿って配置され、第２基板８上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルに設けられる複数のサブピクセルの素子形成領域２２は、前記第２基板８の表面上において前記第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙに沿って配置され、前記第２基板上の１つの直線上に配列される複数のピクセルにおいて、全てのサブピクセルの素子非形成領域２３は前記第１方向Ｘに沿って配置され、同種類の光を放射するサブピクセルの素子形成領域２２は前記第１方向Ｘに沿って配置される。
【００２０】
本実施形態の表示装置はいわゆるアクティブマトリクス型の表示装置２１である。表示装置２１は、第１基板１と第２基板８とを貼合することにより構成される。
【００２１】
第１基板１には、有機ＥＬ素子１７に所定の信号を入力する駆動回路が設けられている。また第２基板８には、多数の有機ＥＬ素子１７が設けられている。これら第１基板１上に設けられる駆動回路と第２基板８上に設けられる有機ＥＬ素子とは、コンタクトスペーサー１２を介して電気的に接続される。
【００２２】
表示装置２１は多数のピクセルを備える。このピクセルは、それぞれ複数のサブピクセルから構成される。たとえば１つのピクセルは、（１）赤色の光を出射するためのサブピクセルＲ、（２）緑色の光を出射するためのサブピクセルＧ、（３）青色の光を出射するためのサブピクセルＢから構成される。なお１つのピクセルは、３つのサブピクセルから構成されるものに限られるわけではなく、たとえば白色の光を出射するためのサブピクセルをさらに備えることもある。本実施形態では、１つのピクセルは、３つのサブピクセルＲ，Ｇ，Ｂから構成される。なお本明細書ではサブピクセルについて、赤色、緑色、青色の各光を出射するサブピクセルを特定する場合には、それぞれ符号にＲ，Ｇ，Ｂを付すことがある。
【００２３】
図２（１）は、第２基板８上の１つのピクセルの配置を模式的に示す平面図である。第２基板８上において、各サブピクセルは２つの領域から構成される。すなわち、１つのサブピクセルは、１つの有機ＥＬ素子が設けられる素子形成領域２２と、コンタクトスペーサーが設けられる素子非形成領域２３とから構成される。なお図２（１）、（２）ではコンタクトスペーサーの配置される領域を黒丸で示している。
【００２４】
第２基板８上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセルの素子非形成領域は、所定の第１方向Ｘに沿って配置される。たとえば（１）赤色の光を出射するためのサブピクセルＲの素子非形成領域２３Ｒ、（２）緑色の光を出射するためのサブピクセルＧの素子非形成領域２３Ｇ、（３）青色の光を出射するためのサブピクセルＢの素子非形成領域２３Ｂが、第１方向Ｘに延在する直線上にこの順番で配置される。
【００２５】
また第２基板８上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルに設けられる複数のサブピクセルの素子形成領域は、所定の第２方向Ｙに沿って配置される。この第２方向Ｙは、前記第２基板８の表面上において第１方向Ｘと直交する方向である。たとえば（１）赤色の光を出射するためのサブピクセルＲの素子形成領域２２Ｒ、（２）緑色の光を出射するためのサブピクセルＧの素子形成領域２２Ｇ、（３）青色の光を出射するためのサブピクセルＢの素子形成領域２２Ｂが、第２方向Ｙに延在する直線上にこの順番で配置される。
【００２６】
図３（１）は、第２基板８上の複数のピクセルの配置を模式的に示す平面図である。
【００２７】
複数のピクセルは、前記第２基板８の表面上において、互いに所定の間隔をあけて所定の第１方向Ｘに延在する複数本の直線に沿ってそれぞれ配置される。本実施形態では、前記複数本の直線は、第２方向Ｙに一定の間隔をあけて配置されるものである。したがって本実施形態では第１方向Ｘに沿って複数のピクセルが整列して配置されるとともに、第２方向Ｙにも、当該第２方向Ｙに沿って複数のピクセルが整列して配置される。換言すると複数のピクセルはいわゆるマトリクス状に配置される。
【００２８】
前記第２基板８上の１つの直線上に配列される複数のピクセルにおいて、全てのサブピクセルの素子非形成領域２３は第１方向Ｘに沿って配置される。すなわち全てのサブピクセルの素子非形成領域２３は、第１方向Ｘに延在する直線上に配置される。本実施形態では、１つの直線上に配列される複数のピクセルにおいて、前述した（１）赤色の光を出射するためのサブピクセルＲの素子非形成領域２３Ｒ、（２）緑色の光を出射するためのサブピクセルＧの素子非形成領域２３Ｇ、（３）青色の光を出射するためのサブピクセルＢの素子非形成領域２３Ｂが、これら３つの素子非形成領域２３を１つのまとまりとして、この順をかえずに第１方向Ｘに延在する直線上に繰り返し順次配置される。
【００２９】
前記第２基板８上の１つの直線上に配列される複数のピクセルにおいて、同種類の光を放射するサブピクセルの素子形成領域は第１方向Ｘに沿って配置される。本実施形態では、（１）赤色の光を出射するための複数のサブピクセルが、同じ種類に属するサブピクセルであり、（２）緑色を出射するための複数のサブピクセルが同じ種類に属するサブピクセルであり、（３）青色を出射するための複数のサブピクセルが同じ種類に属するサブピクセルである。
【００３０】
本実施形態では、（１）赤色の光を出射するための複数のサブピクセルの素子形成領域２２Ｒが、第１方向Ｘに延在する所定の直線上に配置され、（２）緑色を出射するための複数のサブピクセルの素子形成領域２２Ｇが、第１方向Ｘに延在する所定の直線上に配置され、（３）青色を出射するための複数のサブピクセルの素子形成領域２２Ｂが、第１方向Ｘに延在する所定の直線上に配置される。
【００３１】
このように同種類の光を放射するサブピクセルの素子形成領域を第１方向Ｘに沿って配置されることにより、有機ＥＬ素子を形成する際に、第１方向Ｘに沿って同じ種類のインクを塗布することができる。塗布法はとくに限定されるわけではないが、このようにサブピクセルの素子形成領域を第１方向Ｘに沿って配置することにより、いわゆるノズルコート法、スリットコート法やインクジェットプリント法等の無版印刷法、もしくは、フレキソ印刷、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、μコンタクトプリント法等の有版印刷法によって、容易に同じ種類のインクを塗布することができる。
【００３２】
本実施形態では、素子形成領域２２と、素子非形成領域２３とは、１つサブピクセルごとにわけられるのではなく、１つのピクセルを単位として２つの領域にわけられる。このようにすることで、従来の技術のように素子形成領域を素子非形成領域が侵食するように配置されることを防ぐことができ、略四角形状の素子形成領域２２を設けることができる。そのため、素子形成領域２２が歪な形をとることを防ぐことができ、インクを塗布する際に、素子非形成領域２３にインクが塗布されることを防ぐことができ、歩留まりを向上することができる。
【００３３】
図２（２）は第１基板１上の１つのピクセルを模式的に示す平面図である。
【００３４】
本実施形態では、第１基板上において各ピクセルは、第１基板１の厚み方向Ｚの一方から見て（以下、「平面視で」ということがある。）、それぞれ第２基板８上の対応するピクセルと重なる位置に配置される。すなわち図２（１）に示される第２基板８上のピクセルと、図２（２）に示される第１基板１上のピクセルとは、平面視で重なるように配置される。なおこの第１基板１の厚み方向Ｚは、第１方向Ｘに垂直な方向であって、かつ第２方向Ｙにも垂直な方向である。
【００３５】
第１基板１上のピクセルは、第２基板８上に設けられる各サブピクセルの有機ＥＬ素子１７をそれぞれ個別に駆動するため信号を出力するため、第２基板８上に設けられる各サブピクセルに対応するサブピクセルを備える。すなわち本実施形態の第１基板１上のピクセルは、（１）赤色の光を出射するためのサブピクセルＲを駆動するサブピクセル２４Ｒ、（２）緑色の光を出射するためのサブピクセルＧを駆動するサブピクセル２４Ｇ、および（３）青色の光を出射するためのサブピクセルＢを駆動するサブピクセル２４Ｂから構成される。
【００３６】
そして、第１基板１上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセル２４は、第１方向Ｘに沿って配置される。
【００３７】
図１に示すように本実施形態ではコンタクトスペーサー１２は、略柱状に形成されるため、第１基板１上の１つのピクセルにおいても、コンタクトスペーサー１２が配置される領域（換言すると、コンタクトスペーサー１２と接続するためのコンタクトホール１４が配置される領域）は、第２基板８上のコンタクトスペーサー１２が配置される領域（すなわち素子非形成領域２３）の配置と同じように配置される。すなわち、第１基板１上においてコンタクトホール１４の配置される領域は、第１方向Ｘに沿って延在する直線上に配置される。
【００３８】
このように、第１基板１においては、（１）赤色の光を出射するためのサブピクセルＲを駆動するサブピクセル２４Ｒ、（２）緑色の光を出射するためのサブピクセルＧを駆動するサブピクセル２４Ｇ、および（３）青色の光を出射するためのサブピクセルＢを駆動するサブピクセル２４Ｂの配列方向（第１方向Ｘ）と、コンタクトホール１４の配置される領域の配列方向（第１方向Ｘ）とを一致させることができるため、平面視で、コンタクトホール１４の配置される領域に連続して、各サブピクセルを形成することができる。仮に第１基板１上のピクセルを、図２（１）に示すような配置、すなわちコンタクトホール１４の配置される領域と、駆動回路を形成する領域を分離するような配置にすると、駆動回路とコンタクトホール１４の配置される領域とを所定の配線で電気的に接続する必要があるが、その場合には配線の配置を考慮する必要があり、設計が難しくなるが、図２（２）に示すような配置にすることで、図１に示すように、駆動回路に用いられるトランジスタのドレイン電極５ｂをそのままコンタクトスペーサー１２との接続部として使う事ができ、設計が容易になる。更に本方式の様にコンタクトスペーサー１２とコンタクトホール１４を一対とした構造をとる事で、第１基板１上に平坦化膜の形成やドレイン電極から平坦化膜上への引出配線を行う製造プロセスが省略でき、製造工程も削減することが可能となる。
【００３９】
図３（２）は第１基板１上の複数のピクセルの配置を模式的に示す平面図である。
【００４０】
前述したように本実施形態では、第１基板１上において各ピクセルは、第１基板１の厚み方向の一方から見て、それぞれ第２基板８上の対応するピクセルと重なる位置に配置されるため、第２基板８上のピクセルと同様に、マトリクス状に配置される。
【００４１】
図１に示すように、本実施形態では、第２基板８上には、隔壁１１が設けられており、この隔壁１１によって、素子形成領域２２と、素子非形成領域２３とが区分けされている。すなわち本実施形態では隔壁１１ａは、素子形成領域２２と、素子非形成領域２３との間に、第１方向Ｘに延在するように配置されている（図２（１）参照）。
【００４２】
さらには、本実施形態では隔壁１１は、素子形成領域２２において、サブピクセルごとに、素子形成領域２２を区分けしている。すなわち本実施形態では隔壁１１ｂは、素子形成領域２２において、隣り合うサブピクセルの間に、第１方向Ｘに延在するように、配置されている（図２（１）参照）。
【００４３】
さらには、本実施形態では隔壁１１は、素子非形成領域２３において、素子形非成領域２３をサブピクセルごとに区分けしている。本実施形態では隔壁１１ｃは、素子非形成領域２３において、隣り合うサブピクセルの間に、第２方向Ｙに延在するように、配置されている（図２（１）参照）。すなわち本実施形態では、各コンタクトスペーサー１２毎に、当該コンタクトスペーサー１２を取り囲むように隔壁１１が形成されている。
【００４４】
なお有機ＥＬ素子を区分けする隔壁の形態には、いわゆるボックスバンクと、ストライプバンクの２種類があり、本発明はいずれの形態にも適用可能である。図３（１）はボックスバンクからなる隔壁１１を示している。ボックスバンクでは、平面視において、隔壁１１は１つの有機ＥＬ素子の四辺を囲むように形成される。すなわち隔壁１１ｅは、第１方向Ｘに隣り合うピクセルの間に、第２方向Ｙにも延在するように配置される。したがって本実施形態では隔壁１１は、素子形成領域において格子状に形成される。本発明の方式は、ストライプバンクの方がより好ましいが、本実施形態に於いてはボックスバンクを用いた場合について述べる。
【００４５】
有機ＥＬ素子１７は、それぞれ第２基板８上において、隔壁１１によって区分けされた領域に設けられる。本実施形態では、たとえば（１）赤色の光を出射するためのサブピクセルＲの素子形成領域２２Ｒには、赤色の光を出射する有機ＥＬ素子が設けられ、（２）緑色の光を出射するためのサブピクセルＧの素子形成領域２２Ｇには、緑色の光を出射する有機ＥＬ素子が設けられ、（３）青色の光を出射するためのサブピクセルＢの素子形成領域２２Ｂには、青色の光を出射する有機ＥＬ素子が設けられる。有機ＥＬ素子は、一対の電極９，１５と、該電極間に設けられる発光層１６とを含んで構成される。出射する光の色は、たとえば発光層１６の材料の構成を各種の有機ＥＬ素子において異ならせることにより、異ならせることができる。なお、有機ＥＬ素子は一対の電極間に、発光層１６だけでなく、必要に応じて所定の層を備えることがある。他の実施形態として、白色光を出射する有機ＥＬ素子を設けて、カラーフィルターを使用して、出射する光の色を異ならせてもよい。
【００４６】
図４は、第２基板８上における、有機ＥＬ素子１７の一方の電極９およびこの一方の電極９から延在する配線を模式的に示す平面図である。同種類の光を出射するサブピクセルの素子形成領域２２と、素子非形成領域２３とは、第２基板８上に形成された配線１８によって電気的に接続される。すなわち素子形成領域２２から上記配線１８が延在し、さらにこの配線１８が素子非形成領域２３にまで延在する。この素子非形成領域２３にまで延在する配線をコンタクトスペーサー下部接続電極２５と記載する。本実施形態ではコンタクトスペーサー下部接続電極２５上にコンタクトスペーサー１２が形成される。たとえば赤色の光を出射するためのサブピクセルＲの素子形成領域２２Ｒと、赤色の光を出射するためのサブピクセルＲの素子非形成領域２３Ｒとは、第２基板８上に形成された配線１８Ｒによって電気的に接続される。具体的には、有機ＥＬ素子の一対の電極のうちの、第２基板８側に設けられる一方の電極９と、コンタクトスペーサー下部接続電極２５とが、上記配線１８を介して電気的に接続される。
【００４７】
図１に示すように、第１基板１上には、第２基板８上に設けられる各サブピクセルの有機ＥＬ素子１７をそれぞれ個別に駆動する信号を出力するため、第２基板８上に設けられる各サブピクセルに対応するサブピクセルを備える。各サブピクセルは、トランジスタやストレージキャパシタおよびこれらを電気的に接続する配線などを含んで構成される。なお回路構成は図１に示すものにとくに限定されない。
【００４８】
図１には、緑色の光を出射するためのサブピクセルＧを駆動するサブピクセル２４Gが示されている。なお図示はされていないが、赤色または青色の光を出射するためのサブピクセルＲ，Ｂを駆動するサブピクセルも、緑色の光を出射するためのサブピクセルＧを駆動するサブピクセル２４Ｇと同じ構成である。
【００４９】
図１に示す駆動回路は２個のトランジスタ（第１および第２トランジスタ）を備える。第１および第２トランジスタは、それぞれゲート電極２ａ，２ｂ、ソース電極４ａ，４ｂおよびドレイン電極５ａ，５ｂを含んで構成される。ソース電極４ａ，４ｂとドレイン電極５ａ，５ｂとは、所定の間隔をあけて配置される。このソース電極４ａ，４ｂとドレイン電極５ａ，５ｂとの間には、半導体層６ａ，６ｂが設けられる。さらに、ソース電極４ａ，４ｂおよびドレイン電極５ａ，５ｂと、ゲート電極２ａ，２ｂとの間には、ゲート絶縁膜３が介在している。また本実施形態では、また第１トランジスタのドレイン電極５ａと、第２トランジスタのゲート電極２ｂとが、ゲート絶縁膜３に形成されたスルーホール中の導電体１９を介して電気的に接続される。
【００５０】
さらには、第２トランジスタのドレイン電極５ｂは、コンタクトスペーサー１２との接続領域に設けられるコンタクトホール１４の下部電極も兼ねている。さらに、ゲート絶縁膜３を介して対向するゲート電極２ｂとソース電極４ｂによって、ストレージキャパシタも構成される。これら駆動回路上には、当該駆動回路を覆う保護膜７が形成される。
【００５１】
第１基板１上においてコンタクトスペーサー１２の配置される領域には、保護膜７を貫通するコンタクトホール１４が形成される。このコンタクトホール１４によって、前述した第２トランジスタのドレイン電極５ｂの表面が保護膜７から露出する。
【００５２】
第１基板および第２基板のうちの少なくともいずれか一方は、いずれか他方に向けて延在する複数のコンタクトスペーサーを有する。すなわちコンタクトスペーサー１２は第１基板１と第２基板８との間に介在する。コンタクトスペーサー１２は、第１基板１および第２基板８を貼合した状態で、第１基板１の厚み方向Ｚに延在するものであればよく、たとえば貼合前に、第１基板１および第２基板８の一方の基板に配置すればよく、またたとえば貼合前に、第１基板１および第２基板８の両方の基板に配置し、これを貼合することによって接続してもよい。本実施形態では貼合する前に、第２基板８にコンタクトスペーサー１２を配置し、両基板を貼合することによって、第１基板１および第２基板８の間に介在するコンタクトスペーサー１２を設けている。
【００５３】
第１基板１上の駆動回路と第２基板８上の有機ＥＬ素子とはコンタクトスペーサー１２を介して電気的に接続される。
【００５４】
コンタクトスペーサー１２は、導電性を示すものであればよく、本実施形態ではたとえば柱形状の絶縁構造体と、この構造体の表面に形成された金属膜とから構成される。このコンタクトスペーサー１２によって、第１基板１上の第２トランジスタのドレイン電極５ｂと、第２基板８上の有機ＥＬ素子１７の一方の電極９とが電気的に接続される。さらにこのコンタクトスペーサー１２によって、第１基板１と第２基板８との間隔が所定の間隔に保持される。
【００５５】
前述したように第２基板８上において、コンタクトスペーサー１２が設けられる領域には、有機ＥＬ素子１７の一方の電極９から延在する配線１８が設けられる。この配線１８上に、コンタクトスペーサー１２が設けられることにより、コンタクトスペーサー１２と、有機ＥＬ素子１７の一方の電極９とが電気的に導通する。本実施形態では、後述するようにコンタクトスペーサー１２の表面の金属膜を発光層１６上に形成される他方の電極１５と同時形成することにより、コンタクトスペーサー１２と配線１８との電気的な導通を図ることができる。
【００５６】
また本実施形態では第２トランジスタのドレイン電極５ｂとコンタクトスペーサー１２の他端とは接合部材２０を介して接続される。コンタクトホール１４の側面は、さらにドレイン電極５に接続された導電膜で覆われていることが好ましいが、必ずしもこの限りではない。本実施形態では、接合部材２０は、両基板を貼合する前は流動性を有するものもしくは、ペースト状のものであり、貼合した後に接合部材２０を乾燥固化もしくは加熱固化することにより、確実な導通が実現できる。
【００５７】
以上のように構成された第１基板１と第２基板８とは、コンタクトスペーサー１２の先端部がコンタクトホール１４内に挿入されて、導電性の接合部材２０を固化することによって固定される。
【００５８】
以下、実施形態１の表示装置の製造方法について説明する。本実施形態ではまず（１）第１基板１上に駆動回路を形成し、つぎに（２）第２基板８上に有機ＥＬ素子を形成し、さらに、（３）第１基板１と第２基板８とを貼合し、表示装置２１を作製する。なおこの（１）の工程と（２）の工程とはいずれを先におこなってもよいし同時に行ってもよい。以下、（１）（２）（３）の各工程について順次説明する。
【００５９】
（１）第１基板１上に駆動回路を形成する工程
まず第１基板１を用意する（図５参照）。第１基板１には、樹脂、ガラス、金属、金属ホイルなど種々の材料からなる基板を選択できる。また第１基板１には、リジットな基板だけでなく、たとえば樹脂からなるフレキシブルな基板を用いることができる。有機ＥＬ素子１７からの光を第２基板８から取出す構成の表示装置では、少なくとも第２基板８が光透過性を示す基板であればよく、第１基板１は透明であっても不透明であってもよい。
【００６０】
さらに上記樹脂基板の材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、全芳香族ポリアミド（別名：アラミド）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ、別名：ポリアセタール）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等を選択することができる。
【００６１】
つぎに、第１基板１上に所定の素子を形成することを可能にするために、第１基板１をたとえば公知の所定の方法で洗浄する。基板の洗浄は、適宜、基板の材質に適した方法によっておこなわれる。
【００６２】
また、第１基板１の上には、平坦化膜、接着膜、バリア膜、もしくは、これらの機能を複数有する膜が成膜されていてもよく、その膜の材質は、無機膜でも有機膜でもよい。また、無機膜と有機膜を組み合わせた積層膜を成膜してもよく、基板の材質や目的に合わせて適宜選択できる。
【００６３】
無機膜は、ゾルーゲルや前駆体を含む液から塗布法により形成してもよいし、原子層堆積(Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ)法を含むＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やスパッタリング法などのＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法で形成してもよい。無機膜としては、例えば、ＳｉＯｘ，ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３等の酸化物や窒化物が挙げられる。なお本明細書中、塗布法には印刷法も含まれる。
【００６４】
有機膜は、ＣＶＤ法やＰＶＤ法で成膜することができ、高分子化合物などの塗布・焼成で形成してもよい。有機膜の材料については、目的に沿うものが選択されるが、パリレン、エポキシ樹脂、ＰＳ（Polystyrene）樹脂、ＰＶＰ（Poly-4-vinylphenol）樹脂、ＰＭＭＡ（Poly(methyl methacrylate)）樹脂などが挙げられる。
【００６５】
つぎに第１基板１上に、所定のパターンの導電性薄膜を形成する（図６参照）。この導電性薄膜によって、第１および第２トランジスタのゲート電極２ａ、２ｂが構成される。さらには、この導電性薄膜によって、上記ゲート電極２ａ、２ｂ以外の駆動回路を構成する受動素子の電極、配線及び外部接続端子などが構成される。
【００６６】
この導電性薄膜は、スパッタリング法、真空蒸着法などのＰＶＤ法や、導電性インクを第１基板１上に塗布する方法で基板１上に導電性薄膜を一面に成膜した後、フォトリソグラフィ法により所定の形状にパターニングを実施することにより形成される。
【００６７】
導電性薄膜として選択される材料は、特に制限されるものではないが、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａ等の金属、これらの金属の合金、これらの金属の化合物が挙げられ、導電性が高い材料が好ましい。
【００６８】
またたとえば第１基板１上に導電性薄膜を形成した後に、この導電性薄膜をパターニングするのではなく、たとえば有版印刷法もしくは無版印刷法により、直接的に所定のパターンの導電性薄膜を形成してもよい。このように、直接的に所定のパターンの導電性薄膜を形成することにより工程を簡略化することができる。
【００６９】
有版印刷もしくは無版印刷により導電性薄膜を成膜する場合に使用するインクには種々の導電性インクを用いることができる。使用するインクは、導電性の高い材料を含むインクが好ましく、たとえばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性高分子化合物を含むインク、無機材料のナノパーティクル微粒子を分散させた微粒子分散インク、銀塩などの金属化合物インクがあげられる。微粒子分散インクの微粒子としては、ナノ−Ａｕ、ナノ−Ａｇ、ナノ−Ｃｕ、ナノ−Ｐｄ、ナノ−Ｐｔ、ナノ−Ｎｉ、ナノ−ＩＴＯ、ナノ−酸化銀、ナノ−酸化銅等の微粒子を挙げることができる。なおナノ−酸化銀やナノ−酸化銅を含む微粒子分散インクには、還元剤を混合して用いてもよい。
【００７０】
またさらにはめっき法により導電性薄膜を形成してもよい。たとえばフォトリソグラフィ法や、有版印刷法もしくは無版印刷法により、あらかじめ所定のパターンの活性層を第１基板１上に形成しておき、この基板上に、無電解めっき法や、無電解めっき法と電解めっき法の組合せにより所定の位置に導電性薄膜を形成してもよい。
【００７１】
ゲート電極２ａ，２ｂを構成する導電性薄膜の膜厚は、特に制限は無いが、好ましくは、５０ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは、５０ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００７２】
つぎにゲート絶縁膜３を形成する（図７参照）。
【００７３】
ゲート絶縁膜３には高分子化合物材料からなる有機絶縁膜を用いることが好ましい。高分子化合物材料としては、ＰＳ樹脂、ＰＶＰ樹脂、ＰＭＭＡ樹脂、含フッ素樹脂、ＰＩ（Polyimide）樹脂、ＰＣ（Polycarbonate）樹脂、ＰＶＡ（Polyvinyl alcohol）樹脂やこれらの樹脂に含有される繰り返し単位を複数含む共重合体などがあげられる。これらのなかでも高分子化合物材料としては、耐溶剤性などのプロセス耐性や安定性に優れる、架橋性を有する共重合体を用いることが好ましい。たとえばゲート絶縁膜３は、スピンコート法により高分子化合物材料を成膜することにより形成することができる。
【００７４】
つぎに、ゲート絶縁膜３上に形成される後述の第１トランジスタのドレイン電極５ａと、第２トランジスタのゲート電極２ｂとの電気的な導通を確保するために、ゲート絶縁膜３の所定の部位にコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールはたとえばフォトリソグラフィ法によって形成することができる。
【００７５】
なお他の実施の形態では、ゲート絶縁膜３を成膜した後にコンタクトホールを形成するのではなく、所定の部位に選択的にゲート絶縁膜３をパターン形成することにより、コンタクトホールが形成されたゲート絶縁膜３を形成することが好ましい。たとえば有版印刷法もしくは無版印刷法によりゲート絶縁膜３をパターン形成することにより、コンタクトホールが形成されたゲート絶縁膜３を得ることができる。また感光性樹脂をゲート絶縁膜３の形成に用いることにより、フォトリソグラフィ法で所定のパターンのゲート絶縁膜３を形成することができる。
【００７６】
ゲート絶縁膜３の膜厚は、特に制限は無いが、好ましくは、１０ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは、１００ｎｍ〜６００ｎｍである。
【００７７】
ゲート絶縁膜３を塗布法により形成する際に使用するインクの溶媒は、当該インクが塗布される下層に対してダメージを与えないものが好ましく、たとえば前記下層を溶解し難い溶媒を用いることが好ましい。以下において説明する各層を形成する工程においても、ゲート絶縁膜３の形成するさいの工程と同様に、塗布法により形成する際に使用するインクの溶媒は、当該インクが塗布される下層に対してダメージを与えないものが好ましく、たとえば前記下層を溶解し難い溶媒を用いることが好ましい。
【００７８】
つぎにゲート絶縁膜３上に所定のパターンの導電性薄膜を形成する（図８参照）。この導電性薄膜によって、第１および第２トランジスタのソース電極４ａ，４ｂ、ドレイン電極５ａ，５ｂが構成される。さらには、この導電性薄膜によって、上記電極以外の駆動回路を構成する受動素子の電極、配線及び外部接続端子などが構成される。
【００７９】
第１および第２トランジスタのソース電極４ａ，４ｂ、ドレイン電極５ａ，５ｂを構成する所定のパターンの導電性薄膜は、前述の第１および第２トランジスタのゲート電極２ａ、２ｂを構成する導電性薄膜の説明において例示した材料および方法で形成することができる。なお、第１および第２トランジスタのソース電極４ａ，４ｂ、ドレイン電極５ａ，５ｂを構成する所定のパターンの導電性薄膜は、前述の第１および第２トランジスタのゲート電極２ａ、２ｂを構成する導電性薄膜と同じ材料および同じ方法で形成する必要はない。
【００８０】
第１および第２トランジスタのソース電極４ａ，４ｂ、ドレイン電極５ａ，５ｂの膜厚は、特に制限は無いが、好ましくは、５０ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは、１００ｎｍ〜６００ｎｍである。
【００８１】
つぎに第１および第２トランジスタの半導体層６ａ，６ｂを形成する（図９参照）。
【００８２】
たとえば半導体層６ａ，６ｂは、当該半導体層６ａ，６ｂが形成されるべき部位にのみ、選択的に半導体層６ａ，６ｂとなる材料を成膜することによって形成してもよい。具体的にはメタルマスクなどのマスクを介して、真空蒸着法によって半導体層６ａ，６ｂとなる材料を所定の領域のみに成膜することによって半導体層６ａ，６ｂを形成してもよい。また半導体層６ａ，６ｂとなる薄膜をまず形成し、フォトリソグラフィ法によってこの薄膜をパターニングすることにより、半導体層６ａ，６ｂが形成されるべき部位に半導体層６ａ，６ｂを形成してもよい。さらには、半導体層６ａ，６ｂを形成すべき部位に開口部を有する樹脂膜を形成し、その後、一面に半導体層６ａ，６ｂを真空蒸着法で成膜してもよい。なお樹脂膜の開口部は、第１基板１から離間するほどその断面が小さくなる、逆テーパー形状に形成される。このような逆テーパー形状の開口部を樹脂膜に形成することにより、開口部内に形成された半導体層６ａ，６ｂと、樹脂膜上に形成された半導体層と同じ材料の薄膜とが切断されることになり、樹脂膜がセパレーターとしても機能する。また、有版印刷法もしくは無版印刷法により、当該半導体層６ａ，６ｂが形成されるべき部位にのみ、選択的に半導体層６ａ，６ｂとなる材料を成膜することによって半導体層６ａ，６ｂを形成することが好ましい。
【００８３】
有版印刷法もしくは無版印刷法により半導体層６ａ，６ｂを形成する際に使用するインクには、無機半導体材料の分散インクや低分子化合物、高分子化合物などの有機半導体材料を含むインク等を用いることができるが、高分子有機半導体材料を含むインクを用いることが好ましい。また有版印刷法もしくは無版印刷法によって半導体層６ａ，６ｂを成膜した後に、半導体層６ａ，６ｂのモルフォロジーを制御するため、または溶媒を揮発するために、適宜、焼成処理を施してもよい。半導体層６ａ，６ｂの膜厚は、素子特性に好ましくない影響を与えない範囲であれば特に制限はないが、好ましくは、１５ｎｍ〜１０００ｎｍであり、より好ましくは、１５ｎｍ〜１５０ｎｍである。
【００８４】
無機半導体材料の分散インクとしては、ＺｎＯ、ＩＧＺＯ、ＺＴＯ、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの酸化物半導体のナノ粒子分散インク、ゾル−ゲル液や前駆体、およびＳｉなどの無機半導体のナノ粒子分散インクなどがあげられる。
【００８５】
有機半導体材料としては、ペンタセン(Pentacene)や銅フタロシアニン等の蒸着により成膜しうる低分子化合物、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン(6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene(Tips-Pentacene))、１３，６−Ｎ−スルフィニルアセトアミドペンタセン(13,6-N-sulfinylacetamidopentacene(NSFAAP))、６，１３−ジヒドロ−６，１３−メタノペンタセン−１５−オン(6,13-Dihydro-6,13-methanopentacene-15-one(DMP))、ペンタセン−Ｎ−スルフィニル−ｎ−ブチルカルバマート付加物(Pentacene-N-sulfinyl-n-butylcarbamate adduct)、ペンタセン−Ｎ−スルフィニル−ｔｅｒｔ−ブチルカルバマート(Pentacene-N-sulfinyl-tert-butylcarbamate)等のペンタセン前駆体、［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］ベンゾチオフェン([1]Benzothieno[3,2-b]benzothiophene(BTBT))、ポルフィリン、ベンゾポルフィリン、可溶性基としてアルキル基等を有するオリゴチオフェン等の低分子化合物又はオリゴマー、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）(P3HT)等のポリチオフェン、フルオレンコポリマー（例えば、フルオレンジイル基とチオフェンジイル基とを有する共重合体）等の高分子化合物等があげられる。
【００８６】
つぎに保護膜７を形成する（図１０参照）。なお保護膜７は半導体層６ａ，６ｂに対して可能な限りダメージを与えない成膜手法によって形成することが好ましい。
【００８７】
保護膜７は、たとえば真空蒸着法、原子層堆積法(ＡＬＤ)法、スピンコート法などの塗布法を用いてに一面に絶縁性薄膜を形成した後、フォトリソグラフィ法により所定の形状にパターニングすることにより形成される。このパターニングの際に、第２トランジスタのドレイン電極５の表面の一部が露出するコンタクトホール１４が形成される。さらには有版印刷法もしくは無版印刷法により、直接所定のパターンで保護膜７を形成することが好ましい。
【００８８】
印刷する材料は、無機材料の分散インク、ゾルーゲル材料、低分子化合物、高分子化合物になどの有機材料を含むインク等の種々の材料が選択できるが、高分子材料を含むインクが好ましい。
【００８９】
保護膜７の材料としては、無機や有機ＳＯＧ（スピンオングラス）材料のほか、前述のゲート絶縁膜３において例示した材料と同様のものをあげることができる。
【００９０】
保護膜７の膜厚は、特に制限は無いが、好ましくは、５０ｎｍ〜５μｍであり、より好ましくは、５００ｎｍ〜１．５μｍである。
【００９１】
なおコンタクトホール１４の側面には、第２トランジスタのドレイン電極５ｂに接続される導電性薄膜を形成することが好ましい。
【００９２】
（２）第２基板８上への有機ＥＬ素子の形成
まず第２基板８を用意する（図１１参照）。第２基板８には水蒸気などのガスに対する高いバリア性を有する基板を用いることが好ましい。なお本実施形態では第２基板８には、光透過性を示す基板が用いられる。
【００９３】
つぎに、第２基板８上に所定の素子を形成することを可能にするために、第２基板８をたとえば公知の所定の方法で洗浄する。基板の洗浄は、適宜、基板の材質に適した方法によっておこなわれる。
【００９４】
また第２基板８上には、前述した第１基板１と同様に、平坦化膜、接着膜、バリア膜、もしくは、これらの機能を複数有する膜を成膜してもよい。これらの膜の材料および形成方法は、前述と同様である。
【００９５】
つぎに、第２基板８上に所定のパターンの導電性薄膜を形成する（図１２参照）。この導電性薄膜によって、有機ＥＬ素子１７の一方の電極９が構成される。さらには、この導電性薄膜によって、有機ＥＬ素子１７の一方の電極９から素子非形成領域２３にまで延在する配線１８も構成される（図４参照）。
【００９６】
本実施形態では、光透過性を示す導電性薄膜を形成する態様について説明する。この導電性薄膜は、スパッタリング法や真空蒸着法などのＰＶＤ法により導電性薄膜を第２基板８上に一面に成膜した後、フォトリソグラフィ法により所定の形状にパターニングすることにより形成することができる。
【００９７】
導電性薄膜の材料には、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺＴＯ、ＺｎＯ、ＩＧＺＯなどの金属酸化物材料から選択することができ、可視光透過率や導電性が高い材料からなる導電膜が好ましい。もしくは、配線１８を兼ねることからより導電性が高い材料が好ましく、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａ等の金属によるメッシュ電極等の様な光を透過することができる格子状の電極を形成してもよい。
【００９８】
有機ＥＬ素子１７の一方の電極９を構成する導電性薄膜は、たとえば有版印刷法もしくは無版印刷法により、直接的に所定のパターンで形成することが好ましい。このように、直接的に所定のパターンの導電性薄膜を形成することにより工程を簡略化することができる。
【００９９】
有版印刷もしくは無版印刷により有機ＥＬ素子１７の一方の電極９を構成する導電性薄膜を形成する場合に使用するインクには、種々の導電性インクを用いることができる。使用するインクは、導電性の高い材料を含むインクが好ましく、たとえばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性高分子化合物を含むインク、無機材料のナノパーティクル微粒子を分散させた微粒子分散インク、銀塩などの金属化合物インクがあげられる。微粒子分散インクの微粒子としては、ナノ−Ａｕ、ナノ−Ａｇ、ナノ−Ｃｕ、ナノ−Ｐｄ、ナノ−ＩＴＯ、ナノ−酸化銀、ナノ−酸化銅等の微粒子を挙げることができる。これらの材料を所定の光透過率となる厚さに形成した電極や、メッシュ構造に導電性材料を形成した電極も使用することができ、これらのうえにさらに透明導電材料を積層した構造の電極や、メッシュ構造の電極の段差を平坦化する平坦化電極を組み合わせた電極も使用することができる。ナノ−酸化銀やナノ−酸化銅を含む微粒子分散インクには、還元剤を混合して用いてもよい。
【０１００】
つぎに隔壁１１を形成する（図１３参照）。隔壁１１は、本実施形態では、コンタクトスペーサー１２が設けられる領域を囲むように形成され、さらには、各有機ＥＬ素子１７間にも形成される。本実施形態では、逆テーパー形状の隔壁１１を形成する。本明細書において隔壁１１が逆テーパー形状とは、隔壁１１の先端ほど、その幅が幅広になる形状を意味する。このような逆テーパー形状の隔壁１１を形成することにより、たとえば真空蒸着によって導電性薄膜を形成するさいに、隔壁１１の端部で導電性薄膜が切断される。すなわちこの逆テーパー形状の隔壁１１がセパレーターとしても機能する。
【０１０１】
逆テーパー形状の隔壁１１の材料には、逆テーパー形状への加工が可能な永久材であって電気絶縁性が高い永久材を使用することができる。このような隔壁１１の材料としては、光パターニングが可能な材料であって電極や有機発光層１６に悪影響を与えるガスを隔壁形成後に放出しない材料であることが好ましく、このような観点からは、たとえばＺＰＮ２４６４（ＺＥＯＮ社製）を使用することができる。隔壁１１には撥水処理を施してもよい。隔壁１１の厚さは特に限定されるものではないが、例えば、０．５μｍ以上４．０μｍ以下が好ましい。
【０１０２】
なお逆テーパー形状の隔壁１１を形成する前に、適宜、隔壁１１が設けられる部位に下地層を形成するようにしてもよい。下地層は、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＳｉＮｘ等の無機材料や電気絶縁性が高い無機又は有機の永久材を用いることができるが、無機材料の方が電気絶縁性が高く、かつ下地層の高さを低くできるので好ましい。この下地層の厚さは電気絶縁性が保たれれば特に制限は無いが、例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下に設定される。
【０１０３】
つぎに、有機ＥＬ素子１７の一方の電極９から配線１８を介して延在するコンタクトスペーサー下部接続電極２５上にコンタクトスペーサー１２を形成する（図１４参照）。
【０１０４】
前述したように本実施形態ではコンタクトスペーサー１２は絶縁構造体と金属膜とから構成される。この絶縁構造体の材料としては例えば、順テーパー形状への加工が可能な永久材であって電気絶縁性が高く、かつ厚膜化が可能な永久材を使用することができる。なお本明細書において順テーパー形状とは、先端ほどその幅が狭くなる形状を意味する。このような絶縁構造体の材料としては、光パターニングが可能な材料であって電極や有機発光層１６に悪影響を与えるガスを絶縁構造体形成後に放出しない材料であることが好ましい。具体的には、東レ製のフォトニース（感光性ポリイミド）が用いられる。コンタクトスペーサー１２の高さは、隔壁１１の厚さと第１基板１のドレイン電極５ｂ上に設けられたコンタクトホール１４の深さとの和よりも長ければよく、好ましくは、隔壁１１の厚さとコンタクトホール１４の深さとの和よりも１．５倍以上、より好ましくは、２倍以上長く設定される。
【０１０５】
絶縁構造体の形状は、柱形状であることが好ましい。また、この絶縁構造体の表面には、有機ＥＬ素子の一方の電極９とドレイン電極５とを導通させる導電膜が形成される。
【０１０６】
この導電膜は、有機ＥＬ素子１７の他方の電極１５を蒸着により形成する際に、同時に形成される。なお逆テーパー形状の隔壁１１を設けた場合、隔壁１１の端部で導電性薄膜が切断されるため、有機ＥＬ素子１７の他方の電極１５と一方の電極９との電気絶縁性が保たれる。
【０１０７】
つぎに有機ＥＬ素子を形成する（図１５、図１６参照）。有機ＥＬ素子１７は、前述したように一対の電極９，１６と、該電極間に設けられる発光層１６とを含んで構成される。なお一対の電極間には、発光層１６以外にも、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などが設けられる。これらは公知の材料によって、たとえば蒸着法や塗布法により形成され、塗布法が好ましい。塗布法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等をあげることができ、これらのなかでも、パターニング塗布が可能な無版印刷法または有版印刷法が好ましく、具体的にはインクジェットプリント法、ノズルコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクトプリント法等が好ましい。なお、複数の層を積層する場合には、すべての層を塗布法で形成するのではなく、たとえば低分子化合物などを蒸着法等によって成膜してもよい。
【０１０８】
一対の電極間に、発光層１６などを形成したのち、前述したように本実施形態では他方の電極１５を蒸着法によって形成する。
【０１０９】
（３）第１基板１と第２基板８とを貼合する工程
まずコンタクトスペーサー１２の先端部に、導電性インク若しくは導電性ペーストからなる接合部材層を形成する（図１７参照）。この接合部材層はたとえばナノパーティクルＡｇインクもしくはＡｇペーストからなる。たとえば転写印刷法により、コンタクトスペーサー１２の先端部に接合部材層を形成する。すなわち、まず接合部材層が塗布された転写用印刷版を準備し、その接合部材層に第２基板８のコンタクトスペーサー１２を押し当て、その先端部に接合部材層を付着させることにより、コンタクトスペーサー１２の先端部に接合部材層を形成する。
【０１１０】
なおコンタクトスペーサー１２の先端部への接合部材層の形成は、転写印刷法に限定されるものではなく、第１基板１のコンタクトホール１４に直接、インクジェット法やドロップキャスト法により例えばナノパーティクルＡｇインクを塗布するようにしてもよい。
【０１１１】
その他の塗布方法としては、マイクロコンタクトプリント法、スクリーン印刷法、凸版印刷法などの有版印刷手法が適用でき、これらの方法によって、導電性インクもしくは導電性ペーストなどの接合部材を、コンタクトスペーサー１２の先端部へ塗布もしくはコンタクトホール１４内に充填することができる。
【０１１２】
導電性インクは、溶媒中に無機ナノ粒子が分散されていることが好ましい。無機ナノ粒子は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、ＩＴＯ、Ａｌ、硫化銀、酸化銀及び酸化銅のナノ粒子からなる群から選択された少なくとも１つを含むことが好ましい。
【０１１３】
導電性ペーストは、ＰｂＳｎ合金、ＳｎＡｇ合金、およびＡｇからなる群から選択された少なくとも１つの材料を含んでいてもよく、ポリマーを含んでいてもよい。
【０１１４】
つぎに第１基板１と第２基板８とを貼合する（図１８参照）。たとえばアライメント可能な貼り合わせ装置を用いて、コンタクトスペーサー１２の先端部がコンタクトホール１４に対向するように第１基板１と第２基板８とをアライメントマークを基準に位置合わせした後、両基板を近接させてコンタクトスペーサー１２の先端部をコンタクトホール１４内に挿入し、接合部材層を固化する。アライメント精度は、±５μｍ以下であることが望ましい。
【０１１５】
接合部材層の固化方法は、選択される接合部材の種類に応じて適宜選択され、例えば、加熱固化もしくは乾燥固化されるが、加熱を伴う場合には加熱温度は１５０℃以下であることが好ましい。
【０１１６】
加熱固化とは、例えば、分散剤を含有する銀ナノ粒子を接合部材として用いる場合であって分散剤の脱離温度もしくは分解温度が常温以上の場合、脱離温度もしくは分解温度よりも高い温度にて焼成し、分散剤を脱離もしくは分解させて銀ナノ粒子同士を直接接触させ、固化させることを指す。ナノ粒子の表面は非常に活性なため、銀ナノ粒子同士が直接触れることで低温でも溶融し、凝集して金属膜となり固化する。
【０１１７】
乾燥固化とは、例えば、接着性導電ペーストを接合部材として用いる場合、接着性導電ペースト中の分散溶媒を乾燥させることで導電フィラーとして入っている銀粒子同士を接触させ、固化させることを指す。もしくは、分散剤を含有する銀ナノ粒子を接合部材として用いる場合であって常温で分散剤が脱離もしくは分解しうる場合、時間をかけて分散溶媒を乾燥させ、分散剤を脱離もしくは分解させることで銀ナノ粒子が金属膜になり固化させることを指す。
【０１１８】
以上のようにして第１基板１と第２基板８とが貼り合わされ、有機ＥＬ素子１７の一方の電極９と、第２トランジスタのドレイン電極５ｂとが電気的に接続される。
【０１１９】
つぎにシーラント層１３を形成して表示装置２１を封止する。シーラント層１３は、基板内部全体に充填されてもよいし、貼り合わせた基板の内、外形の小さい方の基板の外周部のみに塗布されていてもよい。基板がフレキシブル樹脂基板の場合は、基板の全面に充填硬化されて封止されることが好ましい。シーラント層の材質には特に制限は無いが、第１基板１上の駆動回路や有機ＥＬ素子１７に影響を与えないものが好ましく、例えば、エポキシ樹脂系の封止材などが用いられる。さらには、シーラント層に用いられる封止材が、水蒸気や酸素等のガス補足機能を含有していることが好ましい。
【０１２０】
以上のようにして、コンタクトスペーサー１２の先端部がコンタクトホール１４で固定され、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置２１が製造される。
【０１２１】
以上説明したように、本実施形態では、素子形成領域２２と、素子非形成領域２３とは、１つサブピクセルごとにわけられるのではなく、１つのピクセルを単位として２つの領域にわけられる。このようにすることで、従来の技術のように素子形成領域を素子非形成領域が侵食するように配置されることを防ぐことができ、略四角形状の素子形成領域２２を設けることができる。そのため、素子形成領域２２がいびつな形をとることを防ぐことができ、ノズルコート法やインクジェットプリント法によってインクを塗布する際に、素子非形成領域２３にインクが塗布されることを防ぐことができ、歩留まりを向上することができる。
【０１２２】
また、このような構成の第２基板８に対して、有機ＥＬ素子を駆動するための回路が形成された第１基板１において、コンタクトスペーサー１２の配置に合わせて、第１基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセルは、前記第１方向に沿って配置される。そのため、平面視で、コンタクトスペーサー１２の配置される領域に連続して、各サブピクセルを形成することができる。かりに第１基板上のピクセルを、図２（１）に示すような配置、すなわちコンタクトスペーサー１２の配置される領域と、駆動回路を形成する領域を分離するような配置にすると、駆動回路とコンタクトスペーサー１２の配置される領域とを所定の配線で電気的に接続する必要があるが、その場合には配線の配置を考慮する必要があり、設計が難しくなるが、図２（２）に示すような配置にすることで、配線の配置の設計が容易になる。
【０１２３】
以上の実施形態では、有機ＥＬ素子１７を個々に囲むいわゆるボックスバンクを構成する隔壁１１を備える表示装置について説明したが、他の実施形態では隔壁１１は、いわゆるストライプバングを構成する隔壁を設けてもよい。図１９はストライプバンクを構成する隔壁を備える第２基板８を模式的に示す平面図である。
【０１２４】
前述の実施形態では、隔壁１１ｅは、第１方向Ｘに隣り合うピクセルの間にも、第２方向Ｙにも延在するように配置されているが（図２（１）参照）、本実施形態では、隔壁は、第２方向Ｙに隣り合うサブピクセル間に、第１方向Ｘに延在するように配置され、第１方向Ｘに隣り合うピクセルの間には設けられない。すなわち素子形成領域において、隔壁は、第１方向Ｘに延在する複数本の隔壁部材から構成される。
【０１２５】
このような隔壁を形成した場合、たとえばノズルコート法によって、発光層などの一対の電極間に設けられる層を容易に形成することができる。
【０１２６】
またこの場合、発光層などの一対の電極間に設けられる層の少なくとも一層は、複数のピクセルに跨って、直線状に連続して形成される。
【０１２７】
以上、本発明に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、溶液を塗布することで形成可能な表示装置全般に適用する事が可能である。
【０１２８】
なお前述の実施形態では、第２基板８にあらかじめコンタクトスペーサー１２を形成し、これを第１基板１と貼合する形態について説明したが、他の実施形態では、第１基板１にあらかじめコンタクトスペーサーを形成し、これを第２基板８と貼合してもよい。この形態では、第１基板１上に形成したコンタクトスペーサーの先端に、接合部材層を形成し、これをこの場合の第２基板８のコンタクトホール下部電極に相当するコンタクトスペーサー下部接続電極２５に接合し、固化することにより、第１基板と第２基板とを貼合する。
【０１２９】
また以上の実施形態ではいわゆるボトムゲート型のトランジスタによって構成された駆動回路について説明したが、駆動回路の構成はとくに前述の実施形態に限られず、たとえばトップゲート型のトランジスタによって駆動回路を構成してもよい。
【０１３０】
以上のように構成された本発明に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子を塗布形成する場合の最良の構成ではあるが、当然のことながら、低分子有機ＥＬの様に真空蒸着法で形成する有機ＥＬ素子をはじめ、塗布法以外で形成する表示素子についても適用する事は可能である。
【０１３１】
更に、第１基板１に形成される薄膜トランジスタは本実施形態で記載の有機半導体や有機絶縁膜、フレキシブル基板等で作成された物に限定されず、低温ポリシリコン半導体、アモルファスシリコン半導体、酸化物半導体、カーボンナノチューブやグラフェンなどを半導体層として用いた薄膜トランジスタアレイを用いても良い。
【符号の説明】
【０１３２】
１ 第１基板
２ ゲート電極
３ ゲート絶縁膜
４ ソース電極
５ ドレイン電極
６ 半導体
７ 保護膜
８ 第２基板
９ 一方の電極
１１ 隔壁
１２ コンタクトスペーサー
１３ シーラント層
１４ コンタクトホール
１５ 他方の電極
１６ 発光層
１７ 有機ＥＬ素子
１８ 配線
１９ 導電体
２０ 接合部材
２１ 表示装置
２２ 素子形成領域
２３ 素子非形成領域
２４ サブピクセル
２５ コンタクトスペーサー下部接続電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を光源として使用する表示装置は、多数の有機ＥＬ素子と、これら多数の有機ＥＬ素子を駆動するための駆動回路とを含んで構成される（たとえば特許文献１参照）。表示装置は、たとえば駆動回路と多数の有機ＥＬ素子とをそれぞれ別々の基板（第１基板および第２基板）に形成しておき、駆動回路が形成された第１基板と、多数の有機ＥＬ素子が形成された第２基板とを貼合することにより作製される。なお第１基板上の駆動回路と第２基板上の有機ＥＬ素子とは、たとえば第１基板と第２基板との間隔を所定の距離に保持するコンタクトスペーサーを介して電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１１４９１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機ＥＬ素子を個別に発光駆動する表示装置では、駆動回路から出力される信号を各有機ＥＬ素子に個別に入力する必要がある。そのため、駆動回路から出力される信号を有機ＥＬ素子に入力するさいの経路となるコンタクトスペーサーは、有機ＥＬ素子ごとに個別に設けられる。すなわち有機ＥＬ素子の数だけコンタクトスペーサーが設けられることになる。
【０００５】
表示装置では、たとえば格子状に形成された隔壁が基板上に設けられており、この隔壁によって略四角形状に区画された領域に、有機ＥＬ素子がそれぞれ設けられる。上記コンタクトスペーサーの設置面積は、有機ＥＬ素子の設置面積よりも小さいため、コンタクトスペーサーは、たとえば格子状に区画された略四角形状の領域において、有機ＥＬ素子が設けられるべき略四角形状の領域を侵食するように、略四角形状の四隅のいずれかに配置される。
【０００６】
有機ＥＬ素子を構成する発光層などを塗布法で形成する場合、発光層用のインクを、それぞれ発光層が形成されるべき部位に選択的に滴下する必要がある一方で、コンタクトスペーサーが設けられる領域へのインクの滴下を避ける必要がある。しかしながら、コンタクトスペーサーが、有機ＥＬ素子の設けられる領域に侵食して設けられる場合、コンタクトスペーサーの設けられる領域へのインクの滴下を避けるには、インクを高精度に塗布する必要があるが、そのような塗布法はインクジェットプリント法などの一部の塗布法に限られている。またたとえインクジェットプリント法などを適用したとしても、コンタクトスペーサーの設けられる領域へのインクの滴下が発生するおそれもあり、歩留まりが低下するおそれがある。
【０００７】
したがって本発明の目的は、容易に製造することが可能な構造を備える表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、駆動回路が形成された第１基板と、前記駆動回路により駆動される有機ＥＬ素子が形成された第２基板とが貼合されて構成され、複数の有機ＥＬ素子を含んで構成されるピクセルを、複数備える表示装置であって、
前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくともいずれか一方は、いずれか他方に向けて延在する複数のコンタクトスペーサーを有し、
前記駆動回路と前記有機ＥＬ素子とはコンタクトスペーサーに形成される導電膜を介して電気的に接続され、
各ピクセルは複数のサブピクセルから構成され、
第２基板上において、各サブピクセルは、１つの有機ＥＬ素子が設けられる素子形成領域と、コンタクトスペーサーが設けられる素子非形成領域とから構成され、
複数のピクセルは、前記第２基板の表面上において、互いに所定の間隔をあけて所定の第１方向に延在する複数本の直線に沿ってそれぞれ配置され、
第２基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセルの素子非形成領域は、前記第１方向に沿って配置され、
第２基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルに設けられる複数のサブピクセルの素子形成領域は、前記第２基板の表面上において前記第１方向と直交する第２方向に沿って配置され、
第２基板上の１つの直線上に配列される複数のピクセルにおいて、全てのサブピクセルの素子非形成領域は前記第１方向に沿って配置され、同種類の光を放射するサブピクセルの素子形成領域は前記第１方向に沿って配置される、表示装置に関する。
【０００９】
また本発明は、第１基板上において各ピクセルは、第１基板の厚み方向の一方から見て、それぞれ第２基板上の対応するピクセルと重なる位置に配置され、
第１基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセルは、前記第１方向に沿って配置される、表示装置に関する。
【００１０】
また本発明は、第２基板上には、前記素子形成領域と、前記コンタクトスペーサーが設けられる素子非形成領域とを分画する隔壁が設けられている、表示装置に関する。
【００１１】
また本発明は、前記隔壁は、さらに、第２基板の厚み方向の一方からみて、各サブピクセルの素子形成領域をそれぞれ個別に囲むように形成されている、表示装置に関する。
【００１２】
また本発明は、前記隔壁は、さらに、第２基板の厚み方向の一方からみて、各サブピクセルの素子非形成領域をそれぞれ個別に囲むように形成されている、表示装置に関する。
【００１３】
また本発明は、前記隔壁は、さらに、第２基板の厚み方向の一方からみて、第２方向に隣り合う各サブピクセルの素子形成領域間に設けられ、第１方向に延在する複数本の隔壁部材から構成される、表示装置に関する。
【００１４】
また本発明は、有機ＥＬ素子は、一対の電極と、該電極間に設けられる１または複数の層を含んで構成され、
１または複数の層のうちの少なくとも１層は、複数のピクセルに跨って、直線状に連続して塗布形成されている、表示装置に関する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、容易に塗布法で製造することが可能な構造を備える表示装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態の表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】各基板上の１つのピクセルを拡大して模式的に示す平面図である。
【図３】各基板上の複数のピクセルを拡大して模式的に示す平面図である。
【図４】第２基板８上における、有機ＥＬ素子１７の一方の電極９およびこの一方の電極９から延在する配線を模式的に示す平面図である。
【図５】第１基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図６】第１基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図７】第１基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図８】第１基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図９】第１基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１０】第１基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１１】第２基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１２】第２基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１３】第２基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１４】第２基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１５】第２基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１６】第２基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１７】第２基板上に素子等を形成する工程を説明するための図である。
【図１８】第１基板と第２基板とを貼合する工程を説明するための図である。
【図１９】ストライプバンクを構成する隔壁を備える第２基板８を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態の表示装置について説明する。
【００１８】
図１は本実施形態の表示装置の構成を模式的に示す断面図である。図２は、各基板上の１つのピクセルを拡大して模式的に示す平面図である。図３は、各基板上の複数のピクセルを拡大して模式的に示す平面図である。なお図１は、図２の切断面線Ｉ−Ｉから見たピクセルの断面図に対応する。
【００１９】
本実施形態の表示装置は、駆動回路が形成された第１基板１と、前記駆動回路により駆動される有機ＥＬ素子が形成された第２基板８とが貼合されて構成され、複数の有機ＥＬ素子を含んで構成されるピクセルを、複数備える表示装置であって、前記第１基板１および前記第２基板８のうちの一方から他方に延在する複数のコンタクトスペーサー１２を有し、前記駆動回路と前記有機ＥＬ素子とはコンタクトスペーサー１２に形成された導電膜を介して電気的に接続され、各ピクセルは複数のサブピクセルから構成され、第２基板８上において、各サブピクセルは、１つの有機ＥＬ素子が設けられる素子形成領域２２と、コンタクトスペーサー１２が設けられる素子非形成領域２３とから構成され、複数のピクセルは、前記第２基板８の表面上において、互いに所定の間隔をあけて所定の第１方向Ｘに延在する複数本の直線に沿ってそれぞれ配置され、第２基板８上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセルの素子非形成領域２３は、前記第１方向Ｘに沿って配置され、第２基板８上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルに設けられる複数のサブピクセルの素子形成領域２２は、前記第２基板８の表面上において前記第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙに沿って配置され、前記第２基板上の１つの直線上に配列される複数のピクセルにおいて、全てのサブピクセルの素子非形成領域２３は前記第１方向Ｘに沿って配置され、同種類の光を放射するサブピクセルの素子形成領域２２は前記第１方向Ｘに沿って配置される。
【００２０】
本実施形態の表示装置はいわゆるアクティブマトリクス型の表示装置２１である。表示装置２１は、第１基板１と第２基板８とを貼合することにより構成される。
【００２１】
第１基板１には、有機ＥＬ素子１７に所定の信号を入力する駆動回路が設けられている。また第２基板８には、多数の有機ＥＬ素子１７が設けられている。これら第１基板１上に設けられる駆動回路と第２基板８上に設けられる有機ＥＬ素子とは、コンタクトスペーサー１２を介して電気的に接続される。
【００２２】
表示装置２１は多数のピクセルを備える。このピクセルは、それぞれ複数のサブピクセルから構成される。たとえば１つのピクセルは、（１）赤色の光を出射するためのサブピクセルＲ、（２）緑色の光を出射するためのサブピクセルＧ、（３）青色の光を出射するためのサブピクセルＢから構成される。なお１つのピクセルは、３つのサブピクセルから構成されるものに限られるわけではなく、たとえば白色の光を出射するためのサブピクセルをさらに備えることもある。本実施形態では、１つのピクセルは、３つのサブピクセルＲ，Ｇ，Ｂから構成される。なお本明細書ではサブピクセルについて、赤色、緑色、青色の各光を出射するサブピクセルを特定する場合には、それぞれ符号にＲ，Ｇ，Ｂを付すことがある。
【００２３】
図２（１）は、第２基板８上の１つのピクセルの配置を模式的に示す平面図である。第２基板８上において、各サブピクセルは２つの領域から構成される。すなわち、１つのサブピクセルは、１つの有機ＥＬ素子が設けられる素子形成領域２２と、コンタクトスペーサーが設けられる素子非形成領域２３とから構成される。なお図２（１）、（２）ではコンタクトスペーサーの配置される領域を黒丸で示している。
【００２４】
第２基板８上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセルの素子非形成領域は、所定の第１方向Ｘに沿って配置される。たとえば（１）赤色の光を出射するためのサブピクセルＲの素子非形成領域２３Ｒ、（２）緑色の光を出射するためのサブピクセルＧの素子非形成領域２３Ｇ、（３）青色の光を出射するためのサブピクセルＢの素子非形成領域２３Ｂが、第１方向Ｘに延在する直線上にこの順番で配置される。
【００２５】
また第２基板８上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルに設けられる複数のサブピクセルの素子形成領域は、所定の第２方向Ｙに沿って配置される。この第２方向Ｙは、前記第２基板８の表面上において第１方向Ｘと直交する方向である。たとえば（１）赤色の光を出射するためのサブピクセルＲの素子形成領域２２Ｒ、（２）緑色の光を出射するためのサブピクセルＧの素子形成領域２２Ｇ、（３）青色の光を出射するためのサブピクセルＢの素子形成領域２２Ｂが、第２方向Ｙに延在する直線上にこの順番で配置される。
【００２６】
図３（１）は、第２基板８上の複数のピクセルの配置を模式的に示す平面図である。
【００２７】
複数のピクセルは、前記第２基板８の表面上において、互いに所定の間隔をあけて所定の第１方向Ｘに延在する複数本の直線に沿ってそれぞれ配置される。本実施形態では、前記複数本の直線は、第２方向Ｙに一定の間隔をあけて配置されるものである。したがって本実施形態では第１方向Ｘに沿って複数のピクセルが整列して配置されるとともに、第２方向Ｙにも、当該第２方向Ｙに沿って複数のピクセルが整列して配置される。換言すると複数のピクセルはいわゆるマトリクス状に配置される。
【００２８】
前記第２基板８上の１つの直線上に配列される複数のピクセルにおいて、全てのサブピクセルの素子非形成領域２３は第１方向Ｘに沿って配置される。すなわち全てのサブピクセルの素子非形成領域２３は、第１方向Ｘに延在する直線上に配置される。本実施形態では、１つの直線上に配列される複数のピクセルにおいて、前述した（１）赤色の光を出射するためのサブピクセルＲの素子非形成領域２３Ｒ、（２）緑色の光を出射するためのサブピクセルＧの素子非形成領域２３Ｇ、（３）青色の光を出射するためのサブピクセルＢの素子非形成領域２３Ｂが、これら３つの素子非形成領域２３を１つのまとまりとして、この順をかえずに第１方向Ｘに延在する直線上に繰り返し順次配置される。
【００２９】
前記第２基板８上の１つの直線上に配列される複数のピクセルにおいて、同種類の光を放射するサブピクセルの素子形成領域は第１方向Ｘに沿って配置される。本実施形態では、（１）赤色の光を出射するための複数のサブピクセルが、同じ種類に属するサブピクセルであり、（２）緑色を出射するための複数のサブピクセルが同じ種類に属するサブピクセルであり、（３）青色を出射するための複数のサブピクセルが同じ種類に属するサブピクセルである。
【００３０】
本実施形態では、（１）赤色の光を出射するための複数のサブピクセルの素子形成領域２２Ｒが、第１方向Ｘに延在する所定の直線上に配置され、（２）緑色を出射するための複数のサブピクセルの素子形成領域２２Ｇが、第１方向Ｘに延在する所定の直線上に配置され、（３）青色を出射するための複数のサブピクセルの素子形成領域２２Ｂが、第１方向Ｘに延在する所定の直線上に配置される。
【００３１】
このように同種類の光を放射するサブピクセルの素子形成領域を第１方向Ｘに沿って配置されることにより、有機ＥＬ素子を形成する際に、第１方向Ｘに沿って同じ種類のインクを塗布することができる。塗布法はとくに限定されるわけではないが、このようにサブピクセルの素子形成領域を第１方向Ｘに沿って配置することにより、いわゆるノズルコート法、スリットコート法やインクジェットプリント法等の無版印刷法、もしくは、フレキソ印刷、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、μコンタクトプリント法等の有版印刷法によって、容易に同じ種類のインクを塗布することができる。
【００３２】
本実施形態では、素子形成領域２２と、素子非形成領域２３とは、１つサブピクセルごとにわけられるのではなく、１つのピクセルを単位として２つの領域にわけられる。このようにすることで、従来の技術のように素子形成領域を素子非形成領域が侵食するように配置されることを防ぐことができ、略四角形状の素子形成領域２２を設けることができる。そのため、素子形成領域２２が歪な形をとることを防ぐことができ、インクを塗布する際に、素子非形成領域２３にインクが塗布されることを防ぐことができ、歩留まりを向上することができる。
【００３３】
図２（２）は第１基板１上の１つのピクセルを模式的に示す平面図である。
【００３４】
本実施形態では、第１基板上において各ピクセルは、第１基板１の厚み方向Ｚの一方から見て（以下、「平面視で」ということがある。）、それぞれ第２基板８上の対応するピクセルと重なる位置に配置される。すなわち図２（１）に示される第２基板８上のピクセルと、図２（２）に示される第１基板１上のピクセルとは、平面視で重なるように配置される。なおこの第１基板１の厚み方向Ｚは、第１方向Ｘに垂直な方向であって、かつ第２方向Ｙにも垂直な方向である。
【００３５】
第１基板１上のピクセルは、第２基板８上に設けられる各サブピクセルの有機ＥＬ素子１７をそれぞれ個別に駆動するため信号を出力するため、第２基板８上に設けられる各サブピクセルに対応するサブピクセルを備える。すなわち本実施形態の第１基板１上のピクセルは、（１）赤色の光を出射するためのサブピクセルＲを駆動するサブピクセル２４Ｒ、（２）緑色の光を出射するためのサブピクセルＧを駆動するサブピクセル２４Ｇ、および（３）青色の光を出射するためのサブピクセルＢを駆動するサブピクセル２４Ｂから構成される。
【００３６】
そして、第１基板１上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセル２４は、第１方向Ｘに沿って配置される。
【００３７】
図１に示すように本実施形態ではコンタクトスペーサー１２は、略柱状に形成されるため、第１基板１上の１つのピクセルにおいても、コンタクトスペーサー１２が配置される領域（換言すると、コンタクトスペーサー１２と接続するためのコンタクトホール１４が配置される領域）は、第２基板８上のコンタクトスペーサー１２が配置される領域（すなわち素子非形成領域２３）の配置と同じように配置される。すなわち、第１基板１上においてコンタクトホール１４の配置される領域は、第１方向Ｘに沿って延在する直線上に配置される。
【００３８】
このように、第１基板１においては、（１）赤色の光を出射するためのサブピクセルＲを駆動するサブピクセル２４Ｒ、（２）緑色の光を出射するためのサブピクセルＧを駆動するサブピクセル２４Ｇ、および（３）青色の光を出射するためのサブピクセルＢを駆動するサブピクセル２４Ｂの配列方向（第１方向Ｘ）と、コンタクトホール１４の配置される領域の配列方向（第１方向Ｘ）とを一致させることができるため、平面視で、コンタクトホール１４の配置される領域に連続して、各サブピクセルを形成することができる。仮に第１基板１上のピクセルを、図２（１）に示すような配置、すなわちコンタクトホール１４の配置される領域と、駆動回路を形成する領域を分離するような配置にすると、駆動回路とコンタクトホール１４の配置される領域とを所定の配線で電気的に接続する必要があるが、その場合には配線の配置を考慮する必要があり、設計が難しくなるが、図２（２）に示すような配置にすることで、図１に示すように、駆動回路に用いられるトランジスタのドレイン電極５ｂをそのままコンタクトスペーサー１２との接続部として使う事ができ、設計が容易になる。更に本方式の様にコンタクトスペーサー１２とコンタクトホール１４を一対とした構造をとる事で、第１基板１上に平坦化膜の形成やドレイン電極から平坦化膜上への引出配線を行う製造プロセスが省略でき、製造工程も削減することが可能となる。
【００３９】
図３（２）は第１基板１上の複数のピクセルの配置を模式的に示す平面図である。
【００４０】
前述したように本実施形態では、第１基板１上において各ピクセルは、第１基板１の厚み方向の一方から見て、それぞれ第２基板８上の対応するピクセルと重なる位置に配置されるため、第２基板８上のピクセルと同様に、マトリクス状に配置される。
【００４１】
図１に示すように、本実施形態では、第２基板８上には、隔壁１１が設けられており、この隔壁１１によって、素子形成領域２２と、素子非形成領域２３とが区分けされている。すなわち本実施形態では隔壁１１ａは、素子形成領域２２と、素子非形成領域２３との間に、第１方向Ｘに延在するように配置されている（図２（１）参照）。
【００４２】
さらには、本実施形態では隔壁１１は、素子形成領域２２において、サブピクセルごとに、素子形成領域２２を区分けしている。すなわち本実施形態では隔壁１１ｂは、素子形成領域２２において、隣り合うサブピクセルの間に、第１方向Ｘに延在するように、配置されている（図２（１）参照）。
【００４３】
さらには、本実施形態では隔壁１１は、素子非形成領域２３において、素子形非成領域２３をサブピクセルごとに区分けしている。本実施形態では隔壁１１ｃは、素子非形成領域２３において、隣り合うサブピクセルの間に、第２方向Ｙに延在するように、配置されている（図２（１）参照）。すなわち本実施形態では、各コンタクトスペーサー１２毎に、当該コンタクトスペーサー１２を取り囲むように隔壁１１が形成されている。
【００４４】
なお有機ＥＬ素子を区分けする隔壁の形態には、いわゆるボックスバンクと、ストライプバンクの２種類があり、本発明はいずれの形態にも適用可能である。図３（１）はボックスバンクからなる隔壁１１を示している。ボックスバンクでは、平面視において、隔壁１１は１つの有機ＥＬ素子の四辺を囲むように形成される。すなわち隔壁１１ｅは、第１方向Ｘに隣り合うピクセルの間に、第２方向Ｙにも延在するように配置される。したがって本実施形態では隔壁１１は、素子形成領域において格子状に形成される。本発明の方式は、ストライプバンクの方がより好ましいが、本実施形態に於いてはボックスバンクを用いた場合について述べる。
【００４５】
有機ＥＬ素子１７は、それぞれ第２基板８上において、隔壁１１によって区分けされた領域に設けられる。本実施形態では、たとえば（１）赤色の光を出射するためのサブピクセルＲの素子形成領域２２Ｒには、赤色の光を出射する有機ＥＬ素子が設けられ、（２）緑色の光を出射するためのサブピクセルＧの素子形成領域２２Ｇには、緑色の光を出射する有機ＥＬ素子が設けられ、（３）青色の光を出射するためのサブピクセルＢの素子形成領域２２Ｂには、青色の光を出射する有機ＥＬ素子が設けられる。有機ＥＬ素子は、一対の電極９，１５と、該電極間に設けられる発光層１６とを含んで構成される。出射する光の色は、たとえば発光層１６の材料の構成を各種の有機ＥＬ素子において異ならせることにより、異ならせることができる。なお、有機ＥＬ素子は一対の電極間に、発光層１６だけでなく、必要に応じて所定の層を備えることがある。他の実施形態として、白色光を出射する有機ＥＬ素子を設けて、カラーフィルターを使用して、出射する光の色を異ならせてもよい。
【００４６】
図４は、第２基板８上における、有機ＥＬ素子１７の一方の電極９およびこの一方の電極９から延在する配線を模式的に示す平面図である。同種類の光を出射するサブピクセルの素子形成領域２２と、素子非形成領域２３とは、第２基板８上に形成された配線１８によって電気的に接続される。すなわち素子形成領域２２から上記配線１８が延在し、さらにこの配線１８が素子非形成領域２３にまで延在する。この素子非形成領域２３にまで延在する配線をコンタクトスペーサー下部接続電極２５と記載する。本実施形態ではコンタクトスペーサー下部接続電極２５上にコンタクトスペーサー１２が形成される。たとえば赤色の光を出射するためのサブピクセルＲの素子形成領域２２Ｒと、赤色の光を出射するためのサブピクセルＲの素子非形成領域２３Ｒとは、第２基板８上に形成された配線１８Ｒによって電気的に接続される。具体的には、有機ＥＬ素子の一対の電極のうちの、第２基板８側に設けられる一方の電極９と、コンタクトスペーサー下部接続電極２５とが、上記配線１８を介して電気的に接続される。
【００４７】
図１に示すように、第１基板１上には、第２基板８上に設けられる各サブピクセルの有機ＥＬ素子１７をそれぞれ個別に駆動する信号を出力するため、第２基板８上に設けられる各サブピクセルに対応するサブピクセルを備える。各サブピクセルは、トランジスタやストレージキャパシタおよびこれらを電気的に接続する配線などを含んで構成される。なお回路構成は図１に示すものにとくに限定されない。
【００４８】
図１には、緑色の光を出射するためのサブピクセルＧを駆動するサブピクセル２４Gが示されている。なお図示はされていないが、赤色または青色の光を出射するためのサブピクセルＲ，Ｂを駆動するサブピクセルも、緑色の光を出射するためのサブピクセルＧを駆動するサブピクセル２４Ｇと同じ構成である。
【００４９】
図１に示す駆動回路は２個のトランジスタ（第１および第２トランジスタ）を備える。第１および第２トランジスタは、それぞれゲート電極２ａ，２ｂ、ソース電極４ａ，４ｂおよびドレイン電極５ａ，５ｂを含んで構成される。ソース電極４ａ，４ｂとドレイン電極５ａ，５ｂとは、所定の間隔をあけて配置される。このソース電極４ａ，４ｂとドレイン電極５ａ，５ｂとの間には、半導体層６ａ，６ｂが設けられる。さらに、ソース電極４ａ，４ｂおよびドレイン電極５ａ，５ｂと、ゲート電極２ａ，２ｂとの間には、ゲート絶縁膜３が介在している。また本実施形態では、また第１トランジスタのドレイン電極５ａと、第２トランジスタのゲート電極２ｂとが、ゲート絶縁膜３に形成されたスルーホール中の導電体１９を介して電気的に接続される。
【００５０】
さらには、第２トランジスタのドレイン電極５ｂは、コンタクトスペーサー１２との接続領域に設けられるコンタクトホール１４の下部電極も兼ねている。さらに、ゲート絶縁膜３を介して対向するゲート電極２ｂとソース電極４ｂによって、ストレージキャパシタも構成される。これら駆動回路上には、当該駆動回路を覆う保護膜７が形成される。
【００５１】
第１基板１上においてコンタクトスペーサー１２の配置される領域には、保護膜７を貫通するコンタクトホール１４が形成される。このコンタクトホール１４によって、前述した第２トランジスタのドレイン電極５ｂの表面が保護膜７から露出する。
【００５２】
第１基板および第２基板のうちの少なくともいずれか一方は、いずれか他方に向けて延在する複数のコンタクトスペーサーを有する。すなわちコンタクトスペーサー１２は第１基板１と第２基板８との間に介在する。コンタクトスペーサー１２は、第１基板１および第２基板８を貼合した状態で、第１基板１の厚み方向Ｚに延在するものであればよく、たとえば貼合前に、第１基板１および第２基板８の一方の基板に配置すればよく、またたとえば貼合前に、第１基板１および第２基板８の両方の基板に配置し、これを貼合することによって接続してもよい。本実施形態では貼合する前に、第２基板８にコンタクトスペーサー１２を配置し、両基板を貼合することによって、第１基板１および第２基板８の間に介在するコンタクトスペーサー１２を設けている。
【００５３】
第１基板１上の駆動回路と第２基板８上の有機ＥＬ素子とはコンタクトスペーサー１２を介して電気的に接続される。
【００５４】
コンタクトスペーサー１２は、導電性を示すものであればよく、本実施形態ではたとえば柱形状の絶縁構造体と、この構造体の表面に形成された金属膜とから構成される。このコンタクトスペーサー１２によって、第１基板１上の第２トランジスタのドレイン電極５ｂと、第２基板８上の有機ＥＬ素子１７の一方の電極９とが電気的に接続される。さらにこのコンタクトスペーサー１２によって、第１基板１と第２基板８との間隔が所定の間隔に保持される。
【００５５】
前述したように第２基板８上において、コンタクトスペーサー１２が設けられる領域には、有機ＥＬ素子１７の一方の電極９から延在する配線１８が設けられる。この配線１８上に、コンタクトスペーサー１２が設けられることにより、コンタクトスペーサー１２と、有機ＥＬ素子１７の一方の電極９とが電気的に導通する。本実施形態では、後述するようにコンタクトスペーサー１２の表面の金属膜を発光層１６上に形成される他方の電極１５と同時形成することにより、コンタクトスペーサー１２と配線１８との電気的な導通を図ることができる。
【００５６】
また本実施形態では第２トランジスタのドレイン電極５ｂとコンタクトスペーサー１２の他端とは接合部材２０を介して接続される。コンタクトホール１４の側面は、さらにドレイン電極５に接続された導電膜で覆われていることが好ましいが、必ずしもこの限りではない。本実施形態では、接合部材２０は、両基板を貼合する前は流動性を有するものもしくは、ペースト状のものであり、貼合した後に接合部材２０を乾燥固化もしくは加熱固化することにより、確実な導通が実現できる。
【００５７】
以上のように構成された第１基板１と第２基板８とは、コンタクトスペーサー１２の先端部がコンタクトホール１４内に挿入されて、導電性の接合部材２０を固化することによって固定される。
【００５８】
以下、実施形態１の表示装置の製造方法について説明する。本実施形態ではまず（１）第１基板１上に駆動回路を形成し、つぎに（２）第２基板８上に有機ＥＬ素子を形成し、さらに、（３）第１基板１と第２基板８とを貼合し、表示装置２１を作製する。なおこの（１）の工程と（２）の工程とはいずれを先におこなってもよいし同時に行ってもよい。以下、（１）（２）（３）の各工程について順次説明する。
【００５９】
（１）第１基板１上に駆動回路を形成する工程
まず第１基板１を用意する（図５参照）。第１基板１には、樹脂、ガラス、金属、金属ホイルなど種々の材料からなる基板を選択できる。また第１基板１には、リジットな基板だけでなく、たとえば樹脂からなるフレキシブルな基板を用いることができる。有機ＥＬ素子１７からの光を第２基板８から取出す構成の表示装置では、少なくとも第２基板８が光透過性を示す基板であればよく、第１基板１は透明であっても不透明であってもよい。
【００６０】
さらに上記樹脂基板の材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、全芳香族ポリアミド（別名：アラミド）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ、別名：ポリアセタール）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等を選択することができる。
【００６１】
つぎに、第１基板１上に所定の素子を形成することを可能にするために、第１基板１をたとえば公知の所定の方法で洗浄する。基板の洗浄は、適宜、基板の材質に適した方法によっておこなわれる。
【００６２】
また、第１基板１の上には、平坦化膜、接着膜、バリア膜、もしくは、これらの機能を複数有する膜が成膜されていてもよく、その膜の材質は、無機膜でも有機膜でもよい。また、無機膜と有機膜を組み合わせた積層膜を成膜してもよく、基板の材質や目的に合わせて適宜選択できる。
【００６３】
無機膜は、ゾルーゲルや前駆体を含む液から塗布法により形成してもよいし、原子層堆積(Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ)法を含むＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やスパッタリング法などのＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法で形成してもよい。無機膜としては、例えば、ＳｉＯｘ，ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３等の酸化物や窒化物が挙げられる。なお本明細書中、塗布法には印刷法も含まれる。
【００６４】
有機膜は、ＣＶＤ法やＰＶＤ法で成膜することができ、高分子化合物などの塗布・焼成で形成してもよい。有機膜の材料については、目的に沿うものが選択されるが、パリレン、エポキシ樹脂、ＰＳ（Polystyrene）樹脂、ＰＶＰ（Poly-4-vinylphenol）樹脂、ＰＭＭＡ（Poly(methyl methacrylate)）樹脂などが挙げられる。
【００６５】
つぎに第１基板１上に、所定のパターンの導電性薄膜を形成する（図６参照）。この導電性薄膜によって、第１および第２トランジスタのゲート電極２ａ、２ｂが構成される。さらには、この導電性薄膜によって、上記ゲート電極２ａ、２ｂ以外の駆動回路を構成する受動素子の電極、配線及び外部接続端子などが構成される。
【００６６】
この導電性薄膜は、スパッタリング法、真空蒸着法などのＰＶＤ法や、導電性インクを第１基板１上に塗布する方法で基板１上に導電性薄膜を一面に成膜した後、フォトリソグラフィ法により所定の形状にパターニングを実施することにより形成される。
【００６７】
導電性薄膜として選択される材料は、特に制限されるものではないが、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａ等の金属、これらの金属の合金、これらの金属の化合物が挙げられ、導電性が高い材料が好ましい。
【００６８】
またたとえば第１基板１上に導電性薄膜を形成した後に、この導電性薄膜をパターニングするのではなく、たとえば有版印刷法もしくは無版印刷法により、直接的に所定のパターンの導電性薄膜を形成してもよい。このように、直接的に所定のパターンの導電性薄膜を形成することにより工程を簡略化することができる。
【００６９】
有版印刷もしくは無版印刷により導電性薄膜を成膜する場合に使用するインクには種々の導電性インクを用いることができる。使用するインクは、導電性の高い材料を含むインクが好ましく、たとえばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性高分子化合物を含むインク、無機材料のナノパーティクル微粒子を分散させた微粒子分散インク、銀塩などの金属化合物インクがあげられる。微粒子分散インクの微粒子としては、ナノ−Ａｕ、ナノ−Ａｇ、ナノ−Ｃｕ、ナノ−Ｐｄ、ナノ−Ｐｔ、ナノ−Ｎｉ、ナノ−ＩＴＯ、ナノ−酸化銀、ナノ−酸化銅等の微粒子を挙げることができる。なおナノ−酸化銀やナノ−酸化銅を含む微粒子分散インクには、還元剤を混合して用いてもよい。
【００７０】
またさらにはめっき法により導電性薄膜を形成してもよい。たとえばフォトリソグラフィ法や、有版印刷法もしくは無版印刷法により、あらかじめ所定のパターンの活性層を第１基板１上に形成しておき、この基板上に、無電解めっき法や、無電解めっき法と電解めっき法の組合せにより所定の位置に導電性薄膜を形成してもよい。
【００７１】
ゲート電極２ａ，２ｂを構成する導電性薄膜の膜厚は、特に制限は無いが、好ましくは、５０ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは、５０ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００７２】
つぎにゲート絶縁膜３を形成する（図７参照）。
【００７３】
ゲート絶縁膜３には高分子化合物材料からなる有機絶縁膜を用いることが好ましい。高分子化合物材料としては、ＰＳ樹脂、ＰＶＰ樹脂、ＰＭＭＡ樹脂、含フッ素樹脂、ＰＩ（Polyimide）樹脂、ＰＣ（Polycarbonate）樹脂、ＰＶＡ（Polyvinyl alcohol）樹脂やこれらの樹脂に含有される繰り返し単位を複数含む共重合体などがあげられる。これらのなかでも高分子化合物材料としては、耐溶剤性などのプロセス耐性や安定性に優れる、架橋性を有する共重合体を用いることが好ましい。たとえばゲート絶縁膜３は、スピンコート法により高分子化合物材料を成膜することにより形成することができる。
【００７４】
つぎに、ゲート絶縁膜３上に形成される後述の第１トランジスタのドレイン電極５ａと、第２トランジスタのゲート電極２ｂとの電気的な導通を確保するために、ゲート絶縁膜３の所定の部位にコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールはたとえばフォトリソグラフィ法によって形成することができる。
【００７５】
なお他の実施の形態では、ゲート絶縁膜３を成膜した後にコンタクトホールを形成するのではなく、所定の部位に選択的にゲート絶縁膜３をパターン形成することにより、コンタクトホールが形成されたゲート絶縁膜３を形成することが好ましい。たとえば有版印刷法もしくは無版印刷法によりゲート絶縁膜３をパターン形成することにより、コンタクトホールが形成されたゲート絶縁膜３を得ることができる。また感光性樹脂をゲート絶縁膜３の形成に用いることにより、フォトリソグラフィ法で所定のパターンのゲート絶縁膜３を形成することができる。
【００７６】
ゲート絶縁膜３の膜厚は、特に制限は無いが、好ましくは、１０ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは、１００ｎｍ〜６００ｎｍである。
【００７７】
ゲート絶縁膜３を塗布法により形成する際に使用するインクの溶媒は、当該インクが塗布される下層に対してダメージを与えないものが好ましく、たとえば前記下層を溶解し難い溶媒を用いることが好ましい。以下において説明する各層を形成する工程においても、ゲート絶縁膜３の形成するさいの工程と同様に、塗布法により形成する際に使用するインクの溶媒は、当該インクが塗布される下層に対してダメージを与えないものが好ましく、たとえば前記下層を溶解し難い溶媒を用いることが好ましい。
【００７８】
つぎにゲート絶縁膜３上に所定のパターンの導電性薄膜を形成する（図８参照）。この導電性薄膜によって、第１および第２トランジスタのソース電極４ａ，４ｂ、ドレイン電極５ａ，５ｂが構成される。さらには、この導電性薄膜によって、上記電極以外の駆動回路を構成する受動素子の電極、配線及び外部接続端子などが構成される。
【００７９】
第１および第２トランジスタのソース電極４ａ，４ｂ、ドレイン電極５ａ，５ｂを構成する所定のパターンの導電性薄膜は、前述の第１および第２トランジスタのゲート電極２ａ、２ｂを構成する導電性薄膜の説明において例示した材料および方法で形成することができる。なお、第１および第２トランジスタのソース電極４ａ，４ｂ、ドレイン電極５ａ，５ｂを構成する所定のパターンの導電性薄膜は、前述の第１および第２トランジスタのゲート電極２ａ、２ｂを構成する導電性薄膜と同じ材料および同じ方法で形成する必要はない。
【００８０】
第１および第２トランジスタのソース電極４ａ，４ｂ、ドレイン電極５ａ，５ｂの膜厚は、特に制限は無いが、好ましくは、５０ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは、１００ｎｍ〜６００ｎｍである。
【００８１】
つぎに第１および第２トランジスタの半導体層６ａ，６ｂを形成する（図９参照）。
【００８２】
たとえば半導体層６ａ，６ｂは、当該半導体層６ａ，６ｂが形成されるべき部位にのみ、選択的に半導体層６ａ，６ｂとなる材料を成膜することによって形成してもよい。具体的にはメタルマスクなどのマスクを介して、真空蒸着法によって半導体層６ａ，６ｂとなる材料を所定の領域のみに成膜することによって半導体層６ａ，６ｂを形成してもよい。また半導体層６ａ，６ｂとなる薄膜をまず形成し、フォトリソグラフィ法によってこの薄膜をパターニングすることにより、半導体層６ａ，６ｂが形成されるべき部位に半導体層６ａ，６ｂを形成してもよい。さらには、半導体層６ａ，６ｂを形成すべき部位に開口部を有する樹脂膜を形成し、その後、一面に半導体層６ａ，６ｂを真空蒸着法で成膜してもよい。なお樹脂膜の開口部は、第１基板１から離間するほどその断面が小さくなる、逆テーパー形状に形成される。このような逆テーパー形状の開口部を樹脂膜に形成することにより、開口部内に形成された半導体層６ａ，６ｂと、樹脂膜上に形成された半導体層と同じ材料の薄膜とが切断されることになり、樹脂膜がセパレーターとしても機能する。また、有版印刷法もしくは無版印刷法により、当該半導体層６ａ，６ｂが形成されるべき部位にのみ、選択的に半導体層６ａ，６ｂとなる材料を成膜することによって半導体層６ａ，６ｂを形成することが好ましい。
【００８３】
有版印刷法もしくは無版印刷法により半導体層６ａ，６ｂを形成する際に使用するインクには、無機半導体材料の分散インクや低分子化合物、高分子化合物などの有機半導体材料を含むインク等を用いることができるが、高分子有機半導体材料を含むインクを用いることが好ましい。また有版印刷法もしくは無版印刷法によって半導体層６ａ，６ｂを成膜した後に、半導体層６ａ，６ｂのモルフォロジーを制御するため、または溶媒を揮発するために、適宜、焼成処理を施してもよい。半導体層６ａ，６ｂの膜厚は、素子特性に好ましくない影響を与えない範囲であれば特に制限はないが、好ましくは、１５ｎｍ〜１０００ｎｍであり、より好ましくは、１５ｎｍ〜１５０ｎｍである。
【００８４】
無機半導体材料の分散インクとしては、ＺｎＯ、ＩＧＺＯ、ＺＴＯ、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの酸化物半導体のナノ粒子分散インク、ゾル−ゲル液や前駆体、およびＳｉなどの無機半導体のナノ粒子分散インクなどがあげられる。
【００８５】
有機半導体材料としては、ペンタセン(Pentacene)や銅フタロシアニン等の蒸着により成膜しうる低分子化合物、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン(6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene(Tips-Pentacene))、１３，６−Ｎ−スルフィニルアセトアミドペンタセン(13,6-N-sulfinylacetamidopentacene(NSFAAP))、６，１３−ジヒドロ−６，１３−メタノペンタセン−１５−オン(6,13-Dihydro-6,13-methanopentacene-15-one(DMP))、ペンタセン−Ｎ−スルフィニル−ｎ−ブチルカルバマート付加物(Pentacene-N-sulfinyl-n-butylcarbamate adduct)、ペンタセン−Ｎ−スルフィニル−ｔｅｒｔ−ブチルカルバマート(Pentacene-N-sulfinyl-tert-butylcarbamate)等のペンタセン前駆体、［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］ベンゾチオフェン([1]Benzothieno[3,2-b]benzothiophene(BTBT))、ポルフィリン、ベンゾポルフィリン、可溶性基としてアルキル基等を有するオリゴチオフェン等の低分子化合物又はオリゴマー、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）(P3HT)等のポリチオフェン、フルオレンコポリマー（例えば、フルオレンジイル基とチオフェンジイル基とを有する共重合体）等の高分子化合物等があげられる。
【００８６】
つぎに保護膜７を形成する（図１０参照）。なお保護膜７は半導体層６ａ，６ｂに対して可能な限りダメージを与えない成膜手法によって形成することが好ましい。
【００８７】
保護膜７は、たとえば真空蒸着法、原子層堆積法(ＡＬＤ)法、スピンコート法などの塗布法を用いてに一面に絶縁性薄膜を形成した後、フォトリソグラフィ法により所定の形状にパターニングすることにより形成される。このパターニングの際に、第２トランジスタのドレイン電極５の表面の一部が露出するコンタクトホール１４が形成される。さらには有版印刷法もしくは無版印刷法により、直接所定のパターンで保護膜７を形成することが好ましい。
【００８８】
印刷する材料は、無機材料の分散インク、ゾルーゲル材料、低分子化合物、高分子化合物になどの有機材料を含むインク等の種々の材料が選択できるが、高分子材料を含むインクが好ましい。
【００８９】
保護膜７の材料としては、無機や有機ＳＯＧ（スピンオングラス）材料のほか、前述のゲート絶縁膜３において例示した材料と同様のものをあげることができる。
【００９０】
保護膜７の膜厚は、特に制限は無いが、好ましくは、５０ｎｍ〜５μｍであり、より好ましくは、５００ｎｍ〜１．５μｍである。
【００９１】
なおコンタクトホール１４の側面には、第２トランジスタのドレイン電極５ｂに接続される導電性薄膜を形成することが好ましい。
【００９２】
（２）第２基板８上への有機ＥＬ素子の形成
まず第２基板８を用意する（図１１参照）。第２基板８には水蒸気などのガスに対する高いバリア性を有する基板を用いることが好ましい。なお本実施形態では第２基板８には、光透過性を示す基板が用いられる。
【００９３】
つぎに、第２基板８上に所定の素子を形成することを可能にするために、第２基板８をたとえば公知の所定の方法で洗浄する。基板の洗浄は、適宜、基板の材質に適した方法によっておこなわれる。
【００９４】
また第２基板８上には、前述した第１基板１と同様に、平坦化膜、接着膜、バリア膜、もしくは、これらの機能を複数有する膜を成膜してもよい。これらの膜の材料および形成方法は、前述と同様である。
【００９５】
つぎに、第２基板８上に所定のパターンの導電性薄膜を形成する（図１２参照）。この導電性薄膜によって、有機ＥＬ素子１７の一方の電極９が構成される。さらには、この導電性薄膜によって、有機ＥＬ素子１７の一方の電極９から素子非形成領域２３にまで延在する配線１８も構成される（図４参照）。
【００９６】
本実施形態では、光透過性を示す導電性薄膜を形成する態様について説明する。この導電性薄膜は、スパッタリング法や真空蒸着法などのＰＶＤ法により導電性薄膜を第２基板８上に一面に成膜した後、フォトリソグラフィ法により所定の形状にパターニングすることにより形成することができる。
【００９７】
導電性薄膜の材料には、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺＴＯ、ＺｎＯ、ＩＧＺＯなどの金属酸化物材料から選択することができ、可視光透過率や導電性が高い材料からなる導電膜が好ましい。もしくは、配線１８を兼ねることからより導電性が高い材料が好ましく、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａ等の金属によるメッシュ電極等の様な光を透過することができる格子状の電極を形成してもよい。
【００９８】
有機ＥＬ素子１７の一方の電極９を構成する導電性薄膜は、たとえば有版印刷法もしくは無版印刷法により、直接的に所定のパターンで形成することが好ましい。このように、直接的に所定のパターンの導電性薄膜を形成することにより工程を簡略化することができる。
【００９９】
有版印刷もしくは無版印刷により有機ＥＬ素子１７の一方の電極９を構成する導電性薄膜を形成する場合に使用するインクには、種々の導電性インクを用いることができる。使用するインクは、導電性の高い材料を含むインクが好ましく、たとえばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性高分子化合物を含むインク、無機材料のナノパーティクル微粒子を分散させた微粒子分散インク、銀塩などの金属化合物インクがあげられる。微粒子分散インクの微粒子としては、ナノ−Ａｕ、ナノ−Ａｇ、ナノ−Ｃｕ、ナノ−Ｐｄ、ナノ−ＩＴＯ、ナノ−酸化銀、ナノ−酸化銅等の微粒子を挙げることができる。これらの材料を所定の光透過率となる厚さに形成した電極や、メッシュ構造に導電性材料を形成した電極も使用することができ、これらのうえにさらに透明導電材料を積層した構造の電極や、メッシュ構造の電極の段差を平坦化する平坦化電極を組み合わせた電極も使用することができる。ナノ−酸化銀やナノ−酸化銅を含む微粒子分散インクには、還元剤を混合して用いてもよい。
【０１００】
つぎに隔壁１１を形成する（図１３参照）。隔壁１１は、本実施形態では、コンタクトスペーサー１２が設けられる領域を囲むように形成され、さらには、各有機ＥＬ素子１７間にも形成される。本実施形態では、逆テーパー形状の隔壁１１を形成する。本明細書において隔壁１１が逆テーパー形状とは、隔壁１１の先端ほど、その幅が幅広になる形状を意味する。このような逆テーパー形状の隔壁１１を形成することにより、たとえば真空蒸着によって導電性薄膜を形成するさいに、隔壁１１の端部で導電性薄膜が切断される。すなわちこの逆テーパー形状の隔壁１１がセパレーターとしても機能する。
【０１０１】
逆テーパー形状の隔壁１１の材料には、逆テーパー形状への加工が可能な永久材であって電気絶縁性が高い永久材を使用することができる。このような隔壁１１の材料としては、光パターニングが可能な材料であって電極や有機発光層１６に悪影響を与えるガスを隔壁形成後に放出しない材料であることが好ましく、このような観点からは、たとえばＺＰＮ２４６４（ＺＥＯＮ社製）を使用することができる。隔壁１１には撥水処理を施してもよい。隔壁１１の厚さは特に限定されるものではないが、例えば、０．５μｍ以上４．０μｍ以下が好ましい。
【０１０２】
なお逆テーパー形状の隔壁１１を形成する前に、適宜、隔壁１１が設けられる部位に下地層を形成するようにしてもよい。下地層は、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＳｉＮｘ等の無機材料や電気絶縁性が高い無機又は有機の永久材を用いることができるが、無機材料の方が電気絶縁性が高く、かつ下地層の高さを低くできるので好ましい。この下地層の厚さは電気絶縁性が保たれれば特に制限は無いが、例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下に設定される。
【０１０３】
つぎに、有機ＥＬ素子１７の一方の電極９から配線１８を介して延在するコンタクトスペーサー下部接続電極２５上にコンタクトスペーサー１２を形成する（図１４参照）。
【０１０４】
前述したように本実施形態ではコンタクトスペーサー１２は絶縁構造体と金属膜とから構成される。この絶縁構造体の材料としては例えば、順テーパー形状への加工が可能な永久材であって電気絶縁性が高く、かつ厚膜化が可能な永久材を使用することができる。なお本明細書において順テーパー形状とは、先端ほどその幅が狭くなる形状を意味する。このような絶縁構造体の材料としては、光パターニングが可能な材料であって電極や有機発光層１６に悪影響を与えるガスを絶縁構造体形成後に放出しない材料であることが好ましい。具体的には、東レ製のフォトニース（感光性ポリイミド）が用いられる。コンタクトスペーサー１２の高さは、隔壁１１の厚さと第１基板１のドレイン電極５ｂ上に設けられたコンタクトホール１４の深さとの和よりも長ければよく、好ましくは、隔壁１１の厚さとコンタクトホール１４の深さとの和よりも１．５倍以上、より好ましくは、２倍以上長く設定される。
【０１０５】
絶縁構造体の形状は、柱形状であることが好ましい。また、この絶縁構造体の表面には、有機ＥＬ素子の一方の電極９とドレイン電極５とを導通させる導電膜が形成される。
【０１０６】
この導電膜は、有機ＥＬ素子１７の他方の電極１５を蒸着により形成する際に、同時に形成される。なお逆テーパー形状の隔壁１１を設けた場合、隔壁１１の端部で導電性薄膜が切断されるため、有機ＥＬ素子１７の他方の電極１５と一方の電極９との電気絶縁性が保たれる。
【０１０７】
つぎに有機ＥＬ素子を形成する（図１５、図１６参照）。有機ＥＬ素子１７は、前述したように一対の電極９，１６と、該電極間に設けられる発光層１６とを含んで構成される。なお一対の電極間には、発光層１６以外にも、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などが設けられる。これらは公知の材料によって、たとえば蒸着法や塗布法により形成され、塗布法が好ましい。塗布法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等をあげることができ、これらのなかでも、パターニング塗布が可能な無版印刷法または有版印刷法が好ましく、具体的にはインクジェットプリント法、ノズルコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクトプリント法等が好ましい。なお、複数の層を積層する場合には、すべての層を塗布法で形成するのではなく、たとえば低分子化合物などを蒸着法等によって成膜してもよい。
【０１０８】
一対の電極間に、発光層１６などを形成したのち、前述したように本実施形態では他方の電極１５を蒸着法によって形成する。
【０１０９】
（３）第１基板１と第２基板８とを貼合する工程
まずコンタクトスペーサー１２の先端部に、導電性インク若しくは導電性ペーストからなる接合部材層を形成する（図１７参照）。この接合部材層はたとえばナノパーティクルＡｇインクもしくはＡｇペーストからなる。たとえば転写印刷法により、コンタクトスペーサー１２の先端部に接合部材層を形成する。すなわち、まず接合部材層が塗布された転写用印刷版を準備し、その接合部材層に第２基板８のコンタクトスペーサー１２を押し当て、その先端部に接合部材層を付着させることにより、コンタクトスペーサー１２の先端部に接合部材層を形成する。
【０１１０】
なおコンタクトスペーサー１２の先端部への接合部材層の形成は、転写印刷法に限定されるものではなく、第１基板１のコンタクトホール１４に直接、インクジェット法やドロップキャスト法により例えばナノパーティクルＡｇインクを塗布するようにしてもよい。
【０１１１】
その他の塗布方法としては、マイクロコンタクトプリント法、スクリーン印刷法、凸版印刷法などの有版印刷手法が適用でき、これらの方法によって、導電性インクもしくは導電性ペーストなどの接合部材を、コンタクトスペーサー１２の先端部へ塗布もしくはコンタクトホール１４内に充填することができる。
【０１１２】
導電性インクは、溶媒中に無機ナノ粒子が分散されていることが好ましい。無機ナノ粒子は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、ＩＴＯ、Ａｌ、硫化銀、酸化銀及び酸化銅のナノ粒子からなる群から選択された少なくとも１つを含むことが好ましい。
【０１１３】
導電性ペーストは、ＰｂＳｎ合金、ＳｎＡｇ合金、およびＡｇからなる群から選択された少なくとも１つの材料を含んでいてもよく、ポリマーを含んでいてもよい。
【０１１４】
つぎに第１基板１と第２基板８とを貼合する（図１８参照）。たとえばアライメント可能な貼り合わせ装置を用いて、コンタクトスペーサー１２の先端部がコンタクトホール１４に対向するように第１基板１と第２基板８とをアライメントマークを基準に位置合わせした後、両基板を近接させてコンタクトスペーサー１２の先端部をコンタクトホール１４内に挿入し、接合部材層を固化する。アライメント精度は、±５μｍ以下であることが望ましい。
【０１１５】
接合部材層の固化方法は、選択される接合部材の種類に応じて適宜選択され、例えば、加熱固化もしくは乾燥固化されるが、加熱を伴う場合には加熱温度は１５０℃以下であることが好ましい。
【０１１６】
加熱固化とは、例えば、分散剤を含有する銀ナノ粒子を接合部材として用いる場合であって分散剤の脱離温度もしくは分解温度が常温以上の場合、脱離温度もしくは分解温度よりも高い温度にて焼成し、分散剤を脱離もしくは分解させて銀ナノ粒子同士を直接接触させ、固化させることを指す。ナノ粒子の表面は非常に活性なため、銀ナノ粒子同士が直接触れることで低温でも溶融し、凝集して金属膜となり固化する。
【０１１７】
乾燥固化とは、例えば、接着性導電ペーストを接合部材として用いる場合、接着性導電ペースト中の分散溶媒を乾燥させることで導電フィラーとして入っている銀粒子同士を接触させ、固化させることを指す。もしくは、分散剤を含有する銀ナノ粒子を接合部材として用いる場合であって常温で分散剤が脱離もしくは分解しうる場合、時間をかけて分散溶媒を乾燥させ、分散剤を脱離もしくは分解させることで銀ナノ粒子が金属膜になり固化させることを指す。
【０１１８】
以上のようにして第１基板１と第２基板８とが貼り合わされ、有機ＥＬ素子１７の一方の電極９と、第２トランジスタのドレイン電極５ｂとが電気的に接続される。
【０１１９】
つぎにシーラント層１３を形成して表示装置２１を封止する。シーラント層１３は、基板内部全体に充填されてもよいし、貼り合わせた基板の内、外形の小さい方の基板の外周部のみに塗布されていてもよい。基板がフレキシブル樹脂基板の場合は、基板の全面に充填硬化されて封止されることが好ましい。シーラント層の材質には特に制限は無いが、第１基板１上の駆動回路や有機ＥＬ素子１７に影響を与えないものが好ましく、例えば、エポキシ樹脂系の封止材などが用いられる。さらには、シーラント層に用いられる封止材が、水蒸気や酸素等のガス補足機能を含有していることが好ましい。
【０１２０】
以上のようにして、コンタクトスペーサー１２の先端部がコンタクトホール１４で固定され、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置２１が製造される。
【０１２１】
以上説明したように、本実施形態では、素子形成領域２２と、素子非形成領域２３とは、１つサブピクセルごとにわけられるのではなく、１つのピクセルを単位として２つの領域にわけられる。このようにすることで、従来の技術のように素子形成領域を素子非形成領域が侵食するように配置されることを防ぐことができ、略四角形状の素子形成領域２２を設けることができる。そのため、素子形成領域２２がいびつな形をとることを防ぐことができ、ノズルコート法やインクジェットプリント法によってインクを塗布する際に、素子非形成領域２３にインクが塗布されることを防ぐことができ、歩留まりを向上することができる。
【０１２２】
また、このような構成の第２基板８に対して、有機ＥＬ素子を駆動するための回路が形成された第１基板１において、コンタクトスペーサー１２の配置に合わせて、第１基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセルは、前記第１方向に沿って配置される。そのため、平面視で、コンタクトスペーサー１２の配置される領域に連続して、各サブピクセルを形成することができる。かりに第１基板上のピクセルを、図２（１）に示すような配置、すなわちコンタクトスペーサー１２の配置される領域と、駆動回路を形成する領域を分離するような配置にすると、駆動回路とコンタクトスペーサー１２の配置される領域とを所定の配線で電気的に接続する必要があるが、その場合には配線の配置を考慮する必要があり、設計が難しくなるが、図２（２）に示すような配置にすることで、配線の配置の設計が容易になる。
【０１２３】
以上の実施形態では、有機ＥＬ素子１７を個々に囲むいわゆるボックスバンクを構成する隔壁１１を備える表示装置について説明したが、他の実施形態では隔壁１１は、いわゆるストライプバングを構成する隔壁を設けてもよい。図１９はストライプバンクを構成する隔壁を備える第２基板８を模式的に示す平面図である。
【０１２４】
前述の実施形態では、隔壁１１ｅは、第１方向Ｘに隣り合うピクセルの間にも、第２方向Ｙにも延在するように配置されているが（図２（１）参照）、本実施形態では、隔壁は、第２方向Ｙに隣り合うサブピクセル間に、第１方向Ｘに延在するように配置され、第１方向Ｘに隣り合うピクセルの間には設けられない。すなわち素子形成領域において、隔壁は、第１方向Ｘに延在する複数本の隔壁部材から構成される。
【０１２５】
このような隔壁を形成した場合、たとえばノズルコート法によって、発光層などの一対の電極間に設けられる層を容易に形成することができる。
【０１２６】
またこの場合、発光層などの一対の電極間に設けられる層の少なくとも一層は、複数のピクセルに跨って、直線状に連続して形成される。
【０１２７】
以上、本発明に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、溶液を塗布することで形成可能な表示装置全般に適用する事が可能である。
【０１２８】
なお前述の実施形態では、第２基板８にあらかじめコンタクトスペーサー１２を形成し、これを第１基板１と貼合する形態について説明したが、他の実施形態では、第１基板１にあらかじめコンタクトスペーサーを形成し、これを第２基板８と貼合してもよい。この形態では、第１基板１上に形成したコンタクトスペーサーの先端に、接合部材層を形成し、これをこの場合の第２基板８のコンタクトホール下部電極に相当するコンタクトスペーサー下部接続電極２５に接合し、固化することにより、第１基板と第２基板とを貼合する。
【０１２９】
また以上の実施形態ではいわゆるボトムゲート型のトランジスタによって構成された駆動回路について説明したが、駆動回路の構成はとくに前述の実施形態に限られず、たとえばトップゲート型のトランジスタによって駆動回路を構成してもよい。
【０１３０】
以上のように構成された本発明に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子を塗布形成する場合の最良の構成ではあるが、当然のことながら、低分子有機ＥＬの様に真空蒸着法で形成する有機ＥＬ素子をはじめ、塗布法以外で形成する表示素子についても適用する事は可能である。
【０１３１】
更に、第１基板１に形成される薄膜トランジスタは本実施形態で記載の有機半導体や有機絶縁膜、フレキシブル基板等で作成された物に限定されず、低温ポリシリコン半導体、アモルファスシリコン半導体、酸化物半導体、カーボンナノチューブやグラフェンなどを半導体層として用いた薄膜トランジスタアレイを用いても良い。
【符号の説明】
【０１３２】
１ 第１基板
２ ゲート電極
３ ゲート絶縁膜
４ ソース電極
５ ドレイン電極
６ 半導体
７ 保護膜
８ 第２基板
９ 一方の電極
１１ 隔壁
１２ コンタクトスペーサー
１３ シーラント層
１４ コンタクトホール
１５ 他方の電極
１６ 発光層
１７ 有機ＥＬ素子
１８ 配線
１９ 導電体
２０ 接合部材
２１ 表示装置
２２ 素子形成領域
２３ 素子非形成領域
２４ サブピクセル
２５ コンタクトスペーサー下部接続電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動回路が形成された第１基板と、前記駆動回路により駆動される有機ＥＬ素子が形成された第２基板とが貼合されて構成され、複数の有機ＥＬ素子を含んで構成されるピクセルを、複数備える表示装置であって、
前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくともいずれか一方は、いずれか他方に向けて延在する複数のコンタクトスペーサーを有し、
前記駆動回路と前記有機ＥＬ素子とはコンタクトスペーサーに形成される導電膜を介して電気的に接続され、
各ピクセルは複数のサブピクセルから構成され、
第２基板上において、各サブピクセルは、１つの有機ＥＬ素子が設けられる素子形成領域と、コンタクトスペーサーが設けられる素子非形成領域とから構成され、
複数のピクセルは、前記第２基板の表面上において、互いに所定の間隔をあけて所定の第１方向に延在する複数本の直線に沿ってそれぞれ配置され、
第２基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセルの素子非形成領域は、前記第１方向に沿って配置され、
第２基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルに設けられる複数のサブピクセルの素子形成領域は、前記第２基板の表面上において前記第１方向と直交する第２方向に沿って配置され、
第２基板上の１つの直線上に配列される複数のピクセルにおいて、全てのサブピクセルの素子非形成領域は前記第１方向に沿って配置され、同種類の光を放射するサブピクセルの素子形成領域は前記第１方向に沿って配置される、表示装置。
【請求項２】
第１基板上において各ピクセルは、第１基板の厚み方向の一方から見て、それぞれ第２基板上の対応するピクセルと重なる位置に配置され、
第１基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセルは、前記第１方向に沿って配置される、請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
第２基板上には、前記素子形成領域と、前記コンタクトスペーサーが設けられる素子非形成領域とを分画する隔壁が設けられている、請求項１または２記載の表示装置。
【請求項４】
前記隔壁は、さらに、第２基板の厚み方向の一方からみて、各サブピクセルの素子形成領域をそれぞれ個別に囲むように形成されている、請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記隔壁は、さらに、第２基板の厚み方向の一方からみて、各サブピクセルの素子非形成領域をそれぞれ個別に囲むように形成されている、請求項３または４記載の表示装置。
【請求項６】
前記隔壁は、さらに、第２基板の厚み方向の一方からみて、第２方向に隣り合う各サブピクセルの素子形成領域間に設けられ、第１方向に延在する複数本の隔壁部材から構成される、請求項３または５記載の表示装置。
【請求項７】
有機ＥＬ素子は、一対の電極と、該電極間に設けられる１または複数の層を含んで構成され、
１または複数の層のうちの少なくとも１層は、複数のピクセルに跨って、直線状に連続して塗布形成されている、請求項５記載の表示装置。
【請求項１】
駆動回路が形成された第１基板と、前記駆動回路により駆動される有機ＥＬ素子が形成された第２基板とが貼合されて構成され、複数の有機ＥＬ素子を含んで構成されるピクセルを、複数備える表示装置であって、
前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくともいずれか一方は、いずれか他方に向けて延在する複数のコンタクトスペーサーを有し、
前記駆動回路と前記有機ＥＬ素子とはコンタクトスペーサーに形成される導電膜を介して電気的に接続され、
各ピクセルは複数のサブピクセルから構成され、
第２基板上において、各サブピクセルは、１つの有機ＥＬ素子が設けられる素子形成領域と、コンタクトスペーサーが設けられる素子非形成領域とから構成され、
複数のピクセルは、前記第２基板の表面上において、互いに所定の間隔をあけて所定の第１方向に延在する複数本の直線に沿ってそれぞれ配置され、
第２基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセルの素子非形成領域は、前記第１方向に沿って配置され、
第２基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルに設けられる複数のサブピクセルの素子形成領域は、前記第２基板の表面上において前記第１方向と直交する第２方向に沿って配置され、
第２基板上の１つの直線上に配列される複数のピクセルにおいて、全てのサブピクセルの素子非形成領域は前記第１方向に沿って配置され、同種類の光を放射するサブピクセルの素子形成領域は前記第１方向に沿って配置される、表示装置。
【請求項２】
第１基板上において各ピクセルは、第１基板の厚み方向の一方から見て、それぞれ第２基板上の対応するピクセルと重なる位置に配置され、
第１基板上の１つのピクセルにおいて、当該ピクセルを構成する複数のサブピクセルは、前記第１方向に沿って配置される、請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
第２基板上には、前記素子形成領域と、前記コンタクトスペーサーが設けられる素子非形成領域とを分画する隔壁が設けられている、請求項１または２記載の表示装置。
【請求項４】
前記隔壁は、さらに、第２基板の厚み方向の一方からみて、各サブピクセルの素子形成領域をそれぞれ個別に囲むように形成されている、請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記隔壁は、さらに、第２基板の厚み方向の一方からみて、各サブピクセルの素子非形成領域をそれぞれ個別に囲むように形成されている、請求項３または４記載の表示装置。
【請求項６】
前記隔壁は、さらに、第２基板の厚み方向の一方からみて、第２方向に隣り合う各サブピクセルの素子形成領域間に設けられ、第１方向に延在する複数本の隔壁部材から構成される、請求項３または５記載の表示装置。
【請求項７】
有機ＥＬ素子は、一対の電極と、該電極間に設けられる１または複数の層を含んで構成され、
１または複数の層のうちの少なくとも１層は、複数のピクセルに跨って、直線状に連続して塗布形成されている、請求項５記載の表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１３−２５９７２（Ｐ２０１３−２５９７２Ａ）
【公開日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１５８６５４（Ｐ２０１１−１５８６５４）
【出願日】平成２３年７月２０日（２０１１．７．２０）
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月２０日（２０１１．７．２０）
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【Ｆターム（参考）】
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