表示装置およびその駆動制御方法
【課題】駆動用トランジスタの閾値電圧のシフトを発生させることなく、発光素子のエージング動作を行う。
【解決手段】発光素子１１ａ、Ｎ型の駆動用トランジスタ１１ｂ、容量素子１１ｃ、選択用トランジスタ１１ｄ、およびソース用トランジスタ１１ｅを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置において、リセット電圧線１８および駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓを介して発光素子１１ａに電流を流すことによって発光素子１１ａのエージング動作を行う。
【解決手段】発光素子１１ａ、Ｎ型の駆動用トランジスタ１１ｂ、容量素子１１ｃ、選択用トランジスタ１１ｄ、およびソース用トランジスタ１１ｅを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置において、リセット電圧線１８および駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓを介して発光素子１１ａに電流を流すことによって発光素子１１ａのエージング動作を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス方式で駆動される発光素子を備えた表示装置およびその表示装置の駆動制御方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ発光素子などの発光素子を用いた表示装置が提案されており、テレビや携帯電話のディスプレイなど種々の分野での利用が提案されている。
【０００３】
一般に、有機ＥＬ発光素子は電流駆動型発光素子であるため、液晶ディスプレイとは異なり、その駆動回路として画素回路を選択する選択用トランジスタと表示画像に応じた電荷を保持する容量素子と有機ＥＬ発光素子を駆動する駆動用トランジスタが最低限必要である（たとえば、特許文献１および特許文献２参照）。
【０００４】
そして、従来、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置の画素回路には、低温ポリシリコンまたはアモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタが用いられていた。
【０００５】
しかしながら、低温ポリシリコンの薄膜トランジスタは高移動度と閾値電圧安定性を得ることができるが、移動度の均一性に問題がある。また、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタは移動度均一性を得ることができるが、移動度の低さと閾値電圧の経時変動の問題がある。また、近年、研究が盛んな無機酸化膜薄膜トランジスタにおいても閾値電圧の経時変動の問題がある。
【０００６】
上記のような移動度の不均一性および閾値電圧の不安定性は表示画像のムラとなって現れる。そこで、たとえば特許文献３に記載の有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ発光素子の寄生容量を駆動用トランジスタで自己充電し、駆動用トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動を補正する方法が提案されている。特許文献３に記載の方法においては、駆動用トランジスタのゲート端子に固定電圧を印加し、駆動用トランジスタの駆動電流Ｉｄで有機ＥＬ発光素子の寄生容量を充電することで駆動用トランジスタのソース電位をＶｇ（ゲート電圧）−Ｖｔｈ（閾値電圧）に固定した後、ゲート端子への印加電圧を駆動電圧Ｖｏｄだけステップアップすることで閾値電圧を補正した電圧プログラムが行われる。
【０００７】
また、有機ＥＬ表示装置においては有機材料を用いた有機ＥＬ発光素子が用いられるが、この有機ＥＬ発光素子は経年劣化による発光量の低下が問題となる。この有機ＥＬ発光素子の経年劣化による発光輝度の低下特性は、有機ＥＬ発光素子への総電荷注入量に対して単純な比例関係とはならず、初期段階での発光輝度の低下が大きいことが特徴である。
【０００８】
そこで、経年劣化による発光量の低下の影響を抑制するため、製品の出荷前に、初期劣化を効果的に実行することによって出荷後の発光特性を安定させるエージング動作を行うことが提案されている。たとえば、特許文献３においては、Ｒ、Ｇ、Ｂの有機ＥＬ発光素子のそれぞれの輝度劣化特性に合わせて駆動用トランジスタによって有機ＥＬ発光素子に駆動電流を流すことによってエージング動作を行う方法が提案されている。また、特許文献４においては、図１２に示すように、点灯・消灯制御回路からパルス信号を出力し、スイッチングトランジスタＳＷＴをパルス駆動することによって駆動用トランジスタＴをパルス駆動し、発光素子Ｄにパルス駆動電流を流す方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平８−２３４６８３号公報
【特許文献２】特開２００３−１７３１５４号公報
【特許文献３】特開２００３−２７１０９５号公報
【特許文献４】特開２００３−３２３９７９号公報
【特許文献５】特開２００６−１９５０３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ここで、図１３に、特許文献３に記載の画素回路の構成を示す。特許文献３に記載の画素回路は、発光部１とその寄生容量２とからなる発光素子と、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ３と、駆動用トランジスタ３のゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間に接続される容量素子４と、駆動用トランジスタ３のゲート端子Ｇに接続される選択用トランジスタ５と、駆動用トランジスタ３のソース端子Ｓに接続されるソース接続スイッチ６とを備えている。
【００１１】
そして、特許文献３に記載の画素回路における閾値電圧検出動作においては、具体的には、選択用トランジスタ５がオンされソース接続スイッチ６がオフされた状態で、駆動用トランジスタ３のゲート端子Ｇに固定電圧が印加され、この固定電圧の印加によって駆動用トランジスタ３に駆動電流が流れ、この駆動電流によって発光素子の寄生容量２が充電される。
【００１２】
そして、寄生容量２の充電にともなって駆動用トランジスタ３のソース端子Ｓのソース電圧Ｖｓが上昇する。駆動用トランジスタ３のゲート端子Ｇに供給されるＶＢは固定電圧であるため、ソース電圧Ｖｓの上昇により駆動用トランジスタ３のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは低下し、Ｖｇｓ＝閾値電圧Ｖｔｈになった時点で駆動用トランジスタ３の駆動電流Ｉｄ＝０となり、ソース電圧Ｖｓの上昇は停止する。その結果、容量素子４に駆動用トランジスタ３の閾値電圧Ｖｔｈが保持される。
【００１３】
ここで、上記のような閾値電圧検出動作中は発光素子を発光させないようにする必要があり、駆動用トランジスタ３のソース端子Ｓのソース電圧Ｖｓは発光素子の発光閾値電圧以下に維持する必要がある。
【００１４】
上述したように閾値電圧検出動作中は駆動用トランジスタ３のソース電圧ＶｓはＶｇｓ＝Ｖｔｈとなるまで上昇する。すなわち、駆動用トランジスタ３のソース電圧Ｖｓは駆動用トランジスタ３のＶｔｈの大きさに応じて変化することになる。
【００１５】
すなわち、閾値電圧検出動作を効果的に実行し、輝度均一性の優れた表示を実現するためには、経時変動を含めたＶｔｈの大きさに対応した駆動用トランジスタ３のソース電圧Ｖｓを発光素子の発光閾値電圧以下に維持する必要がある。
【００１６】
しかしながら、特許文献３および特許文献４に記載のエージング動作は、初期劣化に十分な大きさの駆動用トランジスタの駆動電流を発光素子に流すことによって行われるので、駆動用トランジスタのＶｔｈがシフトしてしまう。
【００１７】
これは、エージング動作によって発光素子自体の経時劣化ばらつきを抑制したことによって、駆動用トランジスタのＶｔｈのシフトの許容範囲を狭めることになり、結果的には、表示輝度均一性能の持続期間を短縮することになる。
【００１８】
本発明は、上記の事情に鑑み、駆動用トランジスタの閾値電圧のシフトを発生させることなく、発光素子のエージング動作を行うことができる表示装置およびその表示装置の駆動制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の表示装置の駆動制御方法は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタ、および駆動用トランジスタのソース端子と駆動用トランジスタのソース端子にリセット電圧を供給するリセット電圧線との間に接続されたソース用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置の駆動制御方法において、リセット電圧線および駆動用トランジスタのソース端子を介して発光素子に電流を流すことによって発光素子のエージング動作を行うことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の表示装置の駆動制御方法においては、発光素子の寄生容量を駆動用トランジスタの駆動電流によって充電することによって駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作を行うことができる。
【００２１】
また、発光素子のエージング動作の間、選択用トランジスタとソース用トランジスタとをオンして信号線とリセット電圧線に同じ大きさのエージング動作用電圧を供給することができる。
【００２２】
本発明の表示装置は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタ、および駆動用トランジスタのソース端子と駆動用トランジスタのソース端子にリセット電圧を供給するリセット電圧線との間に接続されたソース用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置において、リセット電圧線および駆動用トランジスタのソース端子を介して発光素子に電流を流すことによって発光素子のエージング動作を行うよう制御する制御部を備えたことを特徴とする。
【００２３】
また、上記本発明の表示装置においては、制御部を、発光素子の寄生容量を駆動用トランジスタの駆動電流によって充電することによって駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作を行うよう制御するものとすることができる。
【００２４】
また、制御部を、発光素子のエージング動作の間、選択用トランジスタとソース用トランジスタとをオンして信号線とリセット電圧線に同じ大きさのエージング動作用電圧を供給するよう制御するものとすることができる。
【００２５】
また、駆動用トランジスタとして、閾値電圧が負電圧の薄膜トランジスタを用い、制御部を、発光素子のエージング動作の間、駆動用トランジスタのドレイン端子に接続された電源電圧線に対してもエージング動作用電圧を供給するよう制御するものとすることができる。
【００２６】
また、アクティブマトリクス基板を、多数の信号線および多数のリセット電圧線を備えたものとし、制御部を、多数のリセット電圧線のうちの一部のリセット電圧線を順次切り替えて該一部のリセット電圧線にエージング動作用電圧を順次供給するとともに、エージング用動作電圧が供給されていない画素回路に接続されたリセット電圧線および/または信号線に対し、画素回路の発光素子の発光閾値電圧よりも低い電圧を供給するよう制御するものとすることができる。
【００２７】
ここで、上記「エージング動作」とは、予め発光素子に電流を流すことによって発光素子を初期劣化させる動作のことをいう。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の表示装置およびその駆動制御方法によれば、リセット電圧線および駆動用トランジスタのソース端子を介して発光素子に電流を流すことによって発光素子のエージング動作を行うようにしたので、駆動用トランジスタの閾値電圧のシフトを発生させることなくエージング動作を行うことができ、表示輝度均一性が長期間維持可能な表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図
【図２】本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の画素回路の構成を示す図
【図３】本発明の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置のエージング動作の作用を説明するための図
【図４】本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の表示動作の作用を説明するためのタイミングチャート
【図５】本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置のリセット動作の作用を説明するための図
【図６】本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の閾値電圧検出動作の作用を説明するための図
【図７】本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置のプログラム動作の作用を説明するための図
【図８】本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の発光動作の作用を説明するための図
【図９】本発明の表示装置の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図
【図１０】オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタのＶＧＳ−ＩＤ特性の一例を示す図
【図１１】オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタを駆動用トランジスタとして用いた場合のエージング動作の作用を説明するための図
【図１２】従来の有機ＥＬ表示装置におけるエージング動作を説明するための図
【図１３】従来の有機ＥＬ表示装置の画素回路の一例を示す図
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、図面を参照して本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図である。
【００３１】
本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、図１に示すように、有機ＥＬ発光素子を有する画素回路１１が２次元状に多数配列されたアクティブマトリクス基板１０と、各画素回路１１にゲートスキャン信号およびソーススキャン信号を出力する走査駆動回路１２と、画像データに応じた表示データに基づいて各画素回路１１の駆動用トランジスタにプログラム電圧を出力するゲート駆動回路１３と、エージング動作の間に後述するリセット電圧線にエージング動作用電圧およびリセット電圧を供給するリセット電圧駆動回路１４と、画像データに応じた表示データと同期信号に基づくタイミング信号をゲート駆動回路１３に出力するとともに、走査駆動回路１２およびリセット電圧駆動回路１４に同期信号に基づくタイミング信号を出力する制御部１９とを備えている。
【００３２】
そして、アクティブマトリクス基板１０は、ゲート駆動回路１３から出力されたプログラム電圧を各画素回路列に供給する多数のデータ線１５と、走査駆動回路１２から出力されたゲートスキャン信号を各画素回路行に供給する多数のゲート走査線１６と、走査駆動回路１２から出力されたソーススキャン信号を各画素回路行に供給する多数のソース走査線１７と、リセット電圧駆動回路１４から出力されたエージング動作用電圧を各画素回路列に供給する多数のリセット電圧線１８とを備えている。
【００３３】
そして、データ線１５およびリセット電圧線１８と、ゲート走査線１６およびソース走査線１７とは直交して格子状に設けられている。そして、これらの交差点近傍に画素回路１１が設けられている。
【００３４】
各画素回路１１は、図２に示すように、有機ＥＬ発光素子１１ａと、有機ＥＬ発光素子１１ａのアノード端子にソース端子Ｓが接続され、有機ＥＬ発光素子１１ａに駆動電流を流す駆動用トランジスタ１１ｂと、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間に接続された容量素子１１ｃと、容量素子１１ｃの一端および駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１５との間に接続されたゲート選択用トランジスタ１１ｄと、容量素子１１ｃの他端および駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓとリセット電圧線１８との間に接続されたソース用トランジスタ１１ｅとを備えている。
【００３５】
有機ＥＬ発光素子１１ａは、駆動用トランジスタ１１ｂにより流された駆動電流により発光する発光部５０と、発光部５０の寄生容量５１とを有している。そして、有機ＥＬ発光素子１１ａのカソード端子は共通電位（図２では接地電位）に接続されている。
【００３６】
駆動用トランジスタ１１ｂ、ゲート選択用トランジスタ１１ｄおよびソース用トランジスタ１１ｅは、Ｎ型の薄膜トランジスタから構成されている。そして、駆動用トランジスタ１１ｂの薄膜トランジスタの種類としては、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタや無機酸化膜の薄膜トランジスタを用いることができる。無機酸化膜薄膜トランジスタとしては、たとえば、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）を材料とする無機酸化膜からなる薄膜トランジスタを利用することができるが、ＩＧＺＯに限らず、その他ＩＺＯ（ＩｎＺｎＯ）なども用いることができる。
【００３７】
走査駆動回路１２は、制御部１９から出力されたタイミング信号に基づいて、画素回路１１のゲート選択用トランジスタ１１ｄをＯＮ/ＯＦＦするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧを各ゲート走査線１６に順次出力するとともに、ソース用トランジスタ１１ｅをＯＮ/ＯＦＦするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳを各ソース走査線１７に順次出力するものである。
【００３８】
ゲート駆動回路１３は、入力された表示データに基づいて、各画素回路１１に入力されるプログラム電圧を生成し、そのプログラム電圧を各データ線１５に出力するものである。
【００３９】
リセット電圧駆動回路１４は、後述するエージング動作用電圧ＶＥとリセット電圧ＶＡとを切り替えて出力するものであり、具体的には、後述する有機ＥＬ発光素子１１ａのエージング動作時に各リセット電圧線１８にエージング動作用電圧ＶＥを供給するとともに、後述するリセット動作時に各リセット電圧線１８にリセット電圧ＶＡを供給するものである。
【００４０】
次に、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作について詳細に説明する。
【００４１】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、表示データに基づく表示動作の前に、各画素回路１１の有機ＥＬ発光素子１１ａのエージング動作を行う。本実施形態においては、全ての画素回路１１の有機ＥＬ発光素子１１ａを同時にエージング動作させる場合について説明するが、これに限らず、一部の画素回路１１のエージング動作を順次切り替えて行うようにしてもよい。その場合については後述する本発明の第２の実施形態において詳細に説明する。
【００４２】
エージング動作を行う際には、まず、走査駆動回路１２から全てのゲート走査線１６にゲート選択用トランジスタ１１ｄをＯＮするためのゲートスキャン信号が出力されるとともに、全てのソース走査線１７にソース用トランジスタ１１ｅをＯＮするためのソーススキャン信号が出力される。
【００４３】
そして、図３に示すように、走査駆動回路１２から出力されたゲートスキャン信号に応じて全ての画素回路１１のゲート選択用トランジスタ１１ｄがＯＮするとともに、ソーススキャン信号に応じて全ての画素回路１１のソース用トランジスタ１１ｅがＯＮし、全ての画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１５とが接続されるとともに、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓとリセット電圧線１８とが接続される。
【００４４】
一方、リセット電圧駆動回路１４から全てのリセット電圧線１８にエージング動作用電圧ＶＥが出力され、また、このときゲート駆動回路１３からも上記エージング動作用電圧ＶＥと同じ大きさのプログラム電圧Ｖｄａｔａが全てのデータ線１５に出力される。
【００４５】
そして、リセット電圧線１８に供給されたエージング動作用電圧はソース用トランジスタ１１ｅを介して有機ＥＬ発光素子１１ａに供給され、有機ＥＬ発光素子１１ａに駆動電流が流れてエージングのための発光動作が行われる。なお、このとき、上述したようにゲート駆動回路１３からもエージング動作用電圧ＶＥと同じ大きさのプログラム電圧Ｖｄａｔａが全てのデータ線１５に出力されて、全ての駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇにはエージング動作用電圧ＶＥと同じ大きさのプログラム電圧Ｖｄａｔａが供給されている状態であるので、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは０Ｖに固定される。したがって、駆動用トランジスタ１１ｂに駆動電流が流れないので駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧Ｖｔｈのシフトを防止することができる。
【００４６】
そして、上記のようにして有機ＥＬ発光素子１１ａのエージング動作が行われた後、表示データに基づく表示動作が行われる。
【００４７】
次に、表示データに基づく表示動作について、図４に示すタイミングチャートおよび図５から図８を参照しながら説明する。なお、図４には、走査駆動回路１２から出力されるゲートスキャン信号ＳｃａｎＧの電圧波形と、走査駆動回路１２から出力されるソーススキャン信号ＳｃａnＳの電圧波形と、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ、ソース電圧Ｖｓおよびゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの電圧波形とが示されている。
【００４８】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、アクティブマトリクス基板１０の各ゲート走査線１６に接続された画素回路行が順次選択され、１行単位でその選択期間内に所定の動作が行なわれる。ここでは、その選択された所定の画素回路行において選択期間内に行なわれる動作について説明する。
【００４９】
まず、画素回路行についてリセット動作が行われる（図４の時刻ｔ１〜時刻ｔ２、図５参照）。
【００５０】
具体的には、図４に示すように、走査駆動回路１２からゲート走査線１６にゲート選択用トランジスタ１１ｄをオンするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧが出力されるとともに、走査駆動回路１２からソース走査線１７にソース用トランジスタ１１ｅをオンするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳが出力される。そして、図５に示すように、ゲートスキャン信号ＳｃａｎＧに応じてゲート選択用トランジスタ１１ｄがオンされ、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇがデータ線１５に接続される。また、ソーススキャン信号ＳｃａｎＳに応じてソース用トランジスタ１１ｅがオンされ、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓおよび容量素子１１ｃの一端（駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子とは反対側）と、リセット電圧線１８とが接続される。
【００５１】
そして、このときゲート駆動回路１３から各データ線１５に所定電圧ＶＢが出力され、各画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇに供給され、また、リセット電圧駆動回路１４から各リセット電圧線１８にリセット電圧ＶＡが出力され、各画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓに供給される。なお、本実施形態においてはリセット電圧は０Ｖに設定している。
【００５２】
上記のような動作によって、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝ＶＡ＝０となり、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝ＶＢ−ＶＡに設定され、容量素子１１ｃおよび寄生容量５１がリセットされる。
【００５３】
ここで、所定電圧ＶＢは、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧の最大値をＶｔｈｍａｘとすると、ＶＢ＞ＶＡ＋Ｖｔｈｍａｘが条件であり、駆動用トランジスタ１１ｂからリセット電圧線１８には何らかの駆動電流Ｉｄが流れる状態である。
【００５４】
また、リセット電圧ＶＡは、有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧をＶｆ０、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧偏差＋変動の最大値をΔＶｔｈとすると、ＶＡ＜Ｖｆ０−ΔＶｔｈが条件となり、たとえば、本実施形態のようにＶＡ＝０Ｖに設定されるが、ΔＶｔｈが小さい場合には、より高い電圧を設定した方が有機ＥＬ発光素子１１ａの発光遷移時間を短縮でき、逆にΔＶｔｈが大きい場合には、より低い電圧（負電圧を含む）を設定する必要がある。
【００５５】
そして、次に、閾値電圧検出動作が行われる（図４の時刻ｔ２〜時刻ｔ３、図６参照）。
【００５６】
具体的には、図４に示すように、走査駆動回路１２からソース走査線１７にソース用トランジスタ１１ｅをオフするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳが出力される。そして、図６に示すように、ソーススキャン信号ＳｃａｎＳに応じてソース用トランジスタ１１ｅがオフされる。
【００５７】
これにより、図６に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓとリセット電圧線１８とが遮断される。そして、このとき駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは、
Ｖｇｓ＝Ｖｇ−Ｖｓ＝ＶＢ−ＶＡ＞Ｖｔｈ
となっているため、駆動用トランジスタ１１ｂからリセット電圧線１８へ流れていた駆動電流Ｉｄは、有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１に流れ、寄生容量５１が充電され、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓのソース電圧Ｖｓが上昇する。
【００５８】
駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇに供給されるＶＢは固定電圧であるため、ソース電圧Ｖｓの上昇によりＶｇｓは低下し、Ｖｇｓ＝Ｖｔｈになった時点で駆動電流Ｉｄ＝０となり、ソース電圧Ｖｓの上昇は停止する。なお、このときの容量素子１１ｃの両端電圧Ｖｃｓ＝Ｖｇｓ＝Ｖｔｈとなっている。
【００５９】
ここで、このとき駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈであり、ソース電圧Ｖｓは有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧以下とする必要があるため、
ＶＢ＜Ｖｆ０＋Ｖｔｈｍｉｎ
が条件となる。なお、Ｖｆ０は有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧、Ｖｔｈｍｉｎは駆動用トランジスタ１１ｂの最小閾値電圧である。
【００６０】
そして、次にプログラム動作が行われる（図４における時刻ｔ３〜時刻ｔ４、図７参照）。上記閾値電圧検出動作によって駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧が十分に安定した時点でゲート駆動回路１３は各データ線１５に出力する電圧を所定電圧ＶＢからプログラム電圧Ｖｐｒｇ＝ＶＢ＋Ｖｏｄにステップアップさせる。
【００６１】
ここで、Ｖｏｄは有機ＥＬ発光素子１１ａに所望の輝度に応じた駆動電流を流すための駆動用トランジスタ１１ｂの駆動電圧であり、Ｖｏｄ＝Ｖｇｓ−Ｖｔｈである。そして、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓは容量素子１１ｃの容量値Ｃｓと寄生容量５１の容量値Ｃｄの分圧となるので、
Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ×Ｃｓ/（Ｃｄ＋Ｃｓ）
となるが、Ｃｄ≫Ｃｓである場合には、
Ｖｓ≒ＶＢ−Ｖｔｈ
Ｖｇｓ≒ＶＢ＋Ｖｏｄ−（ＶＢ−Ｖｔｈ）＝Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ
となり、ほぼ容量素子１１ｃで検出したＶｔｈにＶｏｄを加算した値となる。
【００６２】
そして、次に発光動作が行われる（図４における時刻ｔ４以降、図８参照）。
【００６３】
具体的には、図４に示すように、走査駆動回路１２からゲート走査線１６にゲート選択用トランジスタ１１ｄをオフするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧが出力され、図８に示すように、ゲートスキャン信号に応じてゲート選択用トランジスタ１１ｄがオフされる。これにより、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１５との接続が遮断される。
【００６４】
そして、図８に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂには、上述したプログラム動作における容量素子１１ｃの両端電圧が保持されたままその駆動電圧に応じた駆動電流Ｉｄが流れ、この駆動電流Ｉｄによって有機ＥＬ発光素子１１ａの発光部５０が発光する。なお、Ｖｏｄの印加完了後、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓが上昇する前にゲート選択用トランジスタ１１ｄをオフする必要がある。
【００６５】
次に、本発明の表示装置の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００６６】
上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ発光素子１１ａのエージング動作を全ての画素回路１１について同時に行うようにしたが、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、一部の画素回路１１を順次切り替えてエージング動作を行うことによって、最終的に全画素回路１１のエージング動作を行うようにしたものである。このように一部の画素回路１１のみエージング動作を行うようにすることによってエージング動作中の発熱を抑制することができる。
【００６７】
具体的には、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置とはリセット電圧駆動回路２０の構成とこれを駆動制御する制御部１９の駆動制御方法が異なるものであり、その他の構成については第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様である。
【００６８】
第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置のリセット電圧駆動回路２０は、各リセット電圧線１８を順次切り替えてエージング動作用電圧を出力するものである。
【００６９】
そして、エージング動作用電圧が供給されているリセット電圧線１８に接続された画素回路１１の動作については、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置で説明したエージング動作と同様である。そして、このときエージング動作用電圧が供給されていないリセット電圧線１８に対しては、たとえば、リセット電圧駆動回路２０からリセット電圧ＶＡを出力するようにすればよい。また、このときエージング動作が行われていない画素回路１１に接続されたデータ線１５に対しては、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを０Ｖにするため、リセット電圧ＶＡと同じ大きさのプログラム電圧Ｖｐｒｇをデータ線１５に供給することが望ましい。なお、エージング動作が行われていない画素回路１１に接続されたリセット電圧線１８および/またはデータ線１５に供給される電圧は、有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧Ｖｆ０よりも低い電圧に設定する必要がある。
【００７０】
また、上記説明では、各リセット電圧線１８に接続された画素回路列毎にエージング動作を行うようにしたが、画素回路列単位ではなく、複数の画素回路列からなる画素回路列群毎にエージング動作を行うようにしてもよく、たとえば、全ての画素回路列を２等分し、半分の画素回路列からなる画素回路列群毎にエージング動作を行うようにしてもよい。また、Ｒ、Ｇ、Ｂの画素回路列をそれぞれ切り替えてエージング動作を行い、それぞれの画素回路の有機ＥＬ発光素子の特性に応じたエージング動作用電圧をリセット電圧線１８に供給するようにしてもよい。
【００７１】
また、上記第１および第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、駆動用トランジスタ１１ｂとして、そのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが０Ｖのときに駆動電流が流れないもの、すなわち閾値電圧Ｖｔｈが０Ｖよりも大きいものを使用することが前提となっているが、これに限らず、駆動用トランジスタ１１ｂとして、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタを用いるようにしてもよい。ここで、オフ動作する閾値電圧とはドレイン電流ＩＤが急激に増加し始めるゲート−ソース間電圧のこといい、オフ動作する閾値電圧が負電圧であるとは、たとえば、図１０に示すようなＶＧＳ−ＩＤ特性を有することをいう。なお、図１０のＶＧＳ−ＩＤ特性における閾値電圧はＶＴＨである。無機酸化膜薄膜トランジスタとしては、たとえば、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）を材料とする無機酸化膜からなる薄膜トランジスタを利用することができるが、ＩＧＺＯに限らず、その他ＺｎＯなどがある。ＩＧＺＯの薄膜トランジスタは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの組成比によって閾値電圧を設定可能である。
【００７２】
そして、駆動用トランジスタ１１ｂとして、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタを用いた場合には、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝０でも駆動電流が流れてしまうため、有機ＥＬ発光素子１１ａのエージング動作に誤差が生じたり、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧のシフトを生じてしまう。そこで、この場合には、図１１に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂのドレイン端子Ｄに接続される電源電圧Ｖｄｄをエージング動作用電圧ＶＥと同じ大きさにすることによって、駆動用トランジスタ１１ｂのドレイン端子Ｄ、ゲート端子Ｇおよびソース端子Ｓの全ての端子の電位を同一に設定することによってエージング動作の誤差などを防止することができる。
【００７３】
なお、本発明のエージング動作の駆動制御方法では、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧のシフトは防止することができるが、ソース用トランジスタ１１ｅには閾値電圧のシフトが発生してしまうおそれがある。しかしながら、ソース用トランジスタ１１ｅは、リセット動作時に有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１と容量素子１１ｃを放電させるために設けられたものであり、電流値を制御する駆動用トランジスタ１１ｂと異なり、たとえ閾値電圧がシフトしたとしても、ソーススキャン信号の振幅をそのシフト分を加味した大きさとしておくようにすれば閾値電圧のシフトの影響を排除することができ、表示画質への影響はない。
【００７４】
また、上記第１および第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、エージング動作時にエージング動作用電圧としてＤＣ電圧を用いるようにしたが、これに限らず、パルス電圧を用いるようにしてもよい。
【００７５】
また、上記本発明の実施形態は、本発明の表示装置を有機ＥＬ表示装置に適用したものであるが、発光素子としては、有機ＥＬ発光素子に限らず、たとえば、無機ＥＬ素子などを用いるようにしてもよい。
【００７６】
また、本発明の表示装置は、様々な用途がある。たとえば、携帯情報端末（電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話など）、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビなどが挙げられる。
【符号の説明】
【００７７】
１０ アクティブマトリクス基板
１１ 画素回路
１１ａ 有機ＥＬ発光素子
１１ｂ 駆動用トランジスタ
１１ｃ 容量素子
１１ｄ ゲート選択用トランジスタ
１１ｅ ソース用トランジスタ
１２ 走査駆動回路
１３ ゲート駆動回路
１４，２０ リセット電圧駆動回路
１５ データ線
１６ ゲート走査線
１７ ソース走査線
１８ リセット電圧線
１９ 制御部
２０ リセット電圧駆動回路
５０ 発光部
５１ 寄生容量
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス方式で駆動される発光素子を備えた表示装置およびその表示装置の駆動制御方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ発光素子などの発光素子を用いた表示装置が提案されており、テレビや携帯電話のディスプレイなど種々の分野での利用が提案されている。
【０００３】
一般に、有機ＥＬ発光素子は電流駆動型発光素子であるため、液晶ディスプレイとは異なり、その駆動回路として画素回路を選択する選択用トランジスタと表示画像に応じた電荷を保持する容量素子と有機ＥＬ発光素子を駆動する駆動用トランジスタが最低限必要である（たとえば、特許文献１および特許文献２参照）。
【０００４】
そして、従来、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置の画素回路には、低温ポリシリコンまたはアモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタが用いられていた。
【０００５】
しかしながら、低温ポリシリコンの薄膜トランジスタは高移動度と閾値電圧安定性を得ることができるが、移動度の均一性に問題がある。また、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタは移動度均一性を得ることができるが、移動度の低さと閾値電圧の経時変動の問題がある。また、近年、研究が盛んな無機酸化膜薄膜トランジスタにおいても閾値電圧の経時変動の問題がある。
【０００６】
上記のような移動度の不均一性および閾値電圧の不安定性は表示画像のムラとなって現れる。そこで、たとえば特許文献３に記載の有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ発光素子の寄生容量を駆動用トランジスタで自己充電し、駆動用トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動を補正する方法が提案されている。特許文献３に記載の方法においては、駆動用トランジスタのゲート端子に固定電圧を印加し、駆動用トランジスタの駆動電流Ｉｄで有機ＥＬ発光素子の寄生容量を充電することで駆動用トランジスタのソース電位をＶｇ（ゲート電圧）−Ｖｔｈ（閾値電圧）に固定した後、ゲート端子への印加電圧を駆動電圧Ｖｏｄだけステップアップすることで閾値電圧を補正した電圧プログラムが行われる。
【０００７】
また、有機ＥＬ表示装置においては有機材料を用いた有機ＥＬ発光素子が用いられるが、この有機ＥＬ発光素子は経年劣化による発光量の低下が問題となる。この有機ＥＬ発光素子の経年劣化による発光輝度の低下特性は、有機ＥＬ発光素子への総電荷注入量に対して単純な比例関係とはならず、初期段階での発光輝度の低下が大きいことが特徴である。
【０００８】
そこで、経年劣化による発光量の低下の影響を抑制するため、製品の出荷前に、初期劣化を効果的に実行することによって出荷後の発光特性を安定させるエージング動作を行うことが提案されている。たとえば、特許文献３においては、Ｒ、Ｇ、Ｂの有機ＥＬ発光素子のそれぞれの輝度劣化特性に合わせて駆動用トランジスタによって有機ＥＬ発光素子に駆動電流を流すことによってエージング動作を行う方法が提案されている。また、特許文献４においては、図１２に示すように、点灯・消灯制御回路からパルス信号を出力し、スイッチングトランジスタＳＷＴをパルス駆動することによって駆動用トランジスタＴをパルス駆動し、発光素子Ｄにパルス駆動電流を流す方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平８−２３４６８３号公報
【特許文献２】特開２００３−１７３１５４号公報
【特許文献３】特開２００３−２７１０９５号公報
【特許文献４】特開２００３−３２３９７９号公報
【特許文献５】特開２００６−１９５０３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ここで、図１３に、特許文献３に記載の画素回路の構成を示す。特許文献３に記載の画素回路は、発光部１とその寄生容量２とからなる発光素子と、発光素子に駆動電流を流す駆動用トランジスタ３と、駆動用トランジスタ３のゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間に接続される容量素子４と、駆動用トランジスタ３のゲート端子Ｇに接続される選択用トランジスタ５と、駆動用トランジスタ３のソース端子Ｓに接続されるソース接続スイッチ６とを備えている。
【００１１】
そして、特許文献３に記載の画素回路における閾値電圧検出動作においては、具体的には、選択用トランジスタ５がオンされソース接続スイッチ６がオフされた状態で、駆動用トランジスタ３のゲート端子Ｇに固定電圧が印加され、この固定電圧の印加によって駆動用トランジスタ３に駆動電流が流れ、この駆動電流によって発光素子の寄生容量２が充電される。
【００１２】
そして、寄生容量２の充電にともなって駆動用トランジスタ３のソース端子Ｓのソース電圧Ｖｓが上昇する。駆動用トランジスタ３のゲート端子Ｇに供給されるＶＢは固定電圧であるため、ソース電圧Ｖｓの上昇により駆動用トランジスタ３のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは低下し、Ｖｇｓ＝閾値電圧Ｖｔｈになった時点で駆動用トランジスタ３の駆動電流Ｉｄ＝０となり、ソース電圧Ｖｓの上昇は停止する。その結果、容量素子４に駆動用トランジスタ３の閾値電圧Ｖｔｈが保持される。
【００１３】
ここで、上記のような閾値電圧検出動作中は発光素子を発光させないようにする必要があり、駆動用トランジスタ３のソース端子Ｓのソース電圧Ｖｓは発光素子の発光閾値電圧以下に維持する必要がある。
【００１４】
上述したように閾値電圧検出動作中は駆動用トランジスタ３のソース電圧ＶｓはＶｇｓ＝Ｖｔｈとなるまで上昇する。すなわち、駆動用トランジスタ３のソース電圧Ｖｓは駆動用トランジスタ３のＶｔｈの大きさに応じて変化することになる。
【００１５】
すなわち、閾値電圧検出動作を効果的に実行し、輝度均一性の優れた表示を実現するためには、経時変動を含めたＶｔｈの大きさに対応した駆動用トランジスタ３のソース電圧Ｖｓを発光素子の発光閾値電圧以下に維持する必要がある。
【００１６】
しかしながら、特許文献３および特許文献４に記載のエージング動作は、初期劣化に十分な大きさの駆動用トランジスタの駆動電流を発光素子に流すことによって行われるので、駆動用トランジスタのＶｔｈがシフトしてしまう。
【００１７】
これは、エージング動作によって発光素子自体の経時劣化ばらつきを抑制したことによって、駆動用トランジスタのＶｔｈのシフトの許容範囲を狭めることになり、結果的には、表示輝度均一性能の持続期間を短縮することになる。
【００１８】
本発明は、上記の事情に鑑み、駆動用トランジスタの閾値電圧のシフトを発生させることなく、発光素子のエージング動作を行うことができる表示装置およびその表示装置の駆動制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の表示装置の駆動制御方法は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタ、および駆動用トランジスタのソース端子と駆動用トランジスタのソース端子にリセット電圧を供給するリセット電圧線との間に接続されたソース用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置の駆動制御方法において、リセット電圧線および駆動用トランジスタのソース端子を介して発光素子に電流を流すことによって発光素子のエージング動作を行うことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の表示装置の駆動制御方法においては、発光素子の寄生容量を駆動用トランジスタの駆動電流によって充電することによって駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作を行うことができる。
【００２１】
また、発光素子のエージング動作の間、選択用トランジスタとソース用トランジスタとをオンして信号線とリセット電圧線に同じ大きさのエージング動作用電圧を供給することができる。
【００２２】
本発明の表示装置は、発光素子、発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、駆動用トランジスタのゲート端子と駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタ、および駆動用トランジスタのソース端子と駆動用トランジスタのソース端子にリセット電圧を供給するリセット電圧線との間に接続されたソース用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置において、リセット電圧線および駆動用トランジスタのソース端子を介して発光素子に電流を流すことによって発光素子のエージング動作を行うよう制御する制御部を備えたことを特徴とする。
【００２３】
また、上記本発明の表示装置においては、制御部を、発光素子の寄生容量を駆動用トランジスタの駆動電流によって充電することによって駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作を行うよう制御するものとすることができる。
【００２４】
また、制御部を、発光素子のエージング動作の間、選択用トランジスタとソース用トランジスタとをオンして信号線とリセット電圧線に同じ大きさのエージング動作用電圧を供給するよう制御するものとすることができる。
【００２５】
また、駆動用トランジスタとして、閾値電圧が負電圧の薄膜トランジスタを用い、制御部を、発光素子のエージング動作の間、駆動用トランジスタのドレイン端子に接続された電源電圧線に対してもエージング動作用電圧を供給するよう制御するものとすることができる。
【００２６】
また、アクティブマトリクス基板を、多数の信号線および多数のリセット電圧線を備えたものとし、制御部を、多数のリセット電圧線のうちの一部のリセット電圧線を順次切り替えて該一部のリセット電圧線にエージング動作用電圧を順次供給するとともに、エージング用動作電圧が供給されていない画素回路に接続されたリセット電圧線および/または信号線に対し、画素回路の発光素子の発光閾値電圧よりも低い電圧を供給するよう制御するものとすることができる。
【００２７】
ここで、上記「エージング動作」とは、予め発光素子に電流を流すことによって発光素子を初期劣化させる動作のことをいう。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の表示装置およびその駆動制御方法によれば、リセット電圧線および駆動用トランジスタのソース端子を介して発光素子に電流を流すことによって発光素子のエージング動作を行うようにしたので、駆動用トランジスタの閾値電圧のシフトを発生させることなくエージング動作を行うことができ、表示輝度均一性が長期間維持可能な表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図
【図２】本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の画素回路の構成を示す図
【図３】本発明の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置のエージング動作の作用を説明するための図
【図４】本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の表示動作の作用を説明するためのタイミングチャート
【図５】本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置のリセット動作の作用を説明するための図
【図６】本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の閾値電圧検出動作の作用を説明するための図
【図７】本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置のプログラム動作の作用を説明するための図
【図８】本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の発光動作の作用を説明するための図
【図９】本発明の表示装置の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図
【図１０】オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタのＶＧＳ−ＩＤ特性の一例を示す図
【図１１】オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタを駆動用トランジスタとして用いた場合のエージング動作の作用を説明するための図
【図１２】従来の有機ＥＬ表示装置におけるエージング動作を説明するための図
【図１３】従来の有機ＥＬ表示装置の画素回路の一例を示す図
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、図面を参照して本発明の表示装置の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置の概略構成図である。
【００３１】
本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、図１に示すように、有機ＥＬ発光素子を有する画素回路１１が２次元状に多数配列されたアクティブマトリクス基板１０と、各画素回路１１にゲートスキャン信号およびソーススキャン信号を出力する走査駆動回路１２と、画像データに応じた表示データに基づいて各画素回路１１の駆動用トランジスタにプログラム電圧を出力するゲート駆動回路１３と、エージング動作の間に後述するリセット電圧線にエージング動作用電圧およびリセット電圧を供給するリセット電圧駆動回路１４と、画像データに応じた表示データと同期信号に基づくタイミング信号をゲート駆動回路１３に出力するとともに、走査駆動回路１２およびリセット電圧駆動回路１４に同期信号に基づくタイミング信号を出力する制御部１９とを備えている。
【００３２】
そして、アクティブマトリクス基板１０は、ゲート駆動回路１３から出力されたプログラム電圧を各画素回路列に供給する多数のデータ線１５と、走査駆動回路１２から出力されたゲートスキャン信号を各画素回路行に供給する多数のゲート走査線１６と、走査駆動回路１２から出力されたソーススキャン信号を各画素回路行に供給する多数のソース走査線１７と、リセット電圧駆動回路１４から出力されたエージング動作用電圧を各画素回路列に供給する多数のリセット電圧線１８とを備えている。
【００３３】
そして、データ線１５およびリセット電圧線１８と、ゲート走査線１６およびソース走査線１７とは直交して格子状に設けられている。そして、これらの交差点近傍に画素回路１１が設けられている。
【００３４】
各画素回路１１は、図２に示すように、有機ＥＬ発光素子１１ａと、有機ＥＬ発光素子１１ａのアノード端子にソース端子Ｓが接続され、有機ＥＬ発光素子１１ａに駆動電流を流す駆動用トランジスタ１１ｂと、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間に接続された容量素子１１ｃと、容量素子１１ｃの一端および駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１５との間に接続されたゲート選択用トランジスタ１１ｄと、容量素子１１ｃの他端および駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓとリセット電圧線１８との間に接続されたソース用トランジスタ１１ｅとを備えている。
【００３５】
有機ＥＬ発光素子１１ａは、駆動用トランジスタ１１ｂにより流された駆動電流により発光する発光部５０と、発光部５０の寄生容量５１とを有している。そして、有機ＥＬ発光素子１１ａのカソード端子は共通電位（図２では接地電位）に接続されている。
【００３６】
駆動用トランジスタ１１ｂ、ゲート選択用トランジスタ１１ｄおよびソース用トランジスタ１１ｅは、Ｎ型の薄膜トランジスタから構成されている。そして、駆動用トランジスタ１１ｂの薄膜トランジスタの種類としては、アモルファスシリコンの薄膜トランジスタや無機酸化膜の薄膜トランジスタを用いることができる。無機酸化膜薄膜トランジスタとしては、たとえば、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）を材料とする無機酸化膜からなる薄膜トランジスタを利用することができるが、ＩＧＺＯに限らず、その他ＩＺＯ（ＩｎＺｎＯ）なども用いることができる。
【００３７】
走査駆動回路１２は、制御部１９から出力されたタイミング信号に基づいて、画素回路１１のゲート選択用トランジスタ１１ｄをＯＮ/ＯＦＦするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧを各ゲート走査線１６に順次出力するとともに、ソース用トランジスタ１１ｅをＯＮ/ＯＦＦするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳを各ソース走査線１７に順次出力するものである。
【００３８】
ゲート駆動回路１３は、入力された表示データに基づいて、各画素回路１１に入力されるプログラム電圧を生成し、そのプログラム電圧を各データ線１５に出力するものである。
【００３９】
リセット電圧駆動回路１４は、後述するエージング動作用電圧ＶＥとリセット電圧ＶＡとを切り替えて出力するものであり、具体的には、後述する有機ＥＬ発光素子１１ａのエージング動作時に各リセット電圧線１８にエージング動作用電圧ＶＥを供給するとともに、後述するリセット動作時に各リセット電圧線１８にリセット電圧ＶＡを供給するものである。
【００４０】
次に、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の動作について詳細に説明する。
【００４１】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、表示データに基づく表示動作の前に、各画素回路１１の有機ＥＬ発光素子１１ａのエージング動作を行う。本実施形態においては、全ての画素回路１１の有機ＥＬ発光素子１１ａを同時にエージング動作させる場合について説明するが、これに限らず、一部の画素回路１１のエージング動作を順次切り替えて行うようにしてもよい。その場合については後述する本発明の第２の実施形態において詳細に説明する。
【００４２】
エージング動作を行う際には、まず、走査駆動回路１２から全てのゲート走査線１６にゲート選択用トランジスタ１１ｄをＯＮするためのゲートスキャン信号が出力されるとともに、全てのソース走査線１７にソース用トランジスタ１１ｅをＯＮするためのソーススキャン信号が出力される。
【００４３】
そして、図３に示すように、走査駆動回路１２から出力されたゲートスキャン信号に応じて全ての画素回路１１のゲート選択用トランジスタ１１ｄがＯＮするとともに、ソーススキャン信号に応じて全ての画素回路１１のソース用トランジスタ１１ｅがＯＮし、全ての画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１５とが接続されるとともに、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓとリセット電圧線１８とが接続される。
【００４４】
一方、リセット電圧駆動回路１４から全てのリセット電圧線１８にエージング動作用電圧ＶＥが出力され、また、このときゲート駆動回路１３からも上記エージング動作用電圧ＶＥと同じ大きさのプログラム電圧Ｖｄａｔａが全てのデータ線１５に出力される。
【００４５】
そして、リセット電圧線１８に供給されたエージング動作用電圧はソース用トランジスタ１１ｅを介して有機ＥＬ発光素子１１ａに供給され、有機ＥＬ発光素子１１ａに駆動電流が流れてエージングのための発光動作が行われる。なお、このとき、上述したようにゲート駆動回路１３からもエージング動作用電圧ＶＥと同じ大きさのプログラム電圧Ｖｄａｔａが全てのデータ線１５に出力されて、全ての駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇにはエージング動作用電圧ＶＥと同じ大きさのプログラム電圧Ｖｄａｔａが供給されている状態であるので、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは０Ｖに固定される。したがって、駆動用トランジスタ１１ｂに駆動電流が流れないので駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧Ｖｔｈのシフトを防止することができる。
【００４６】
そして、上記のようにして有機ＥＬ発光素子１１ａのエージング動作が行われた後、表示データに基づく表示動作が行われる。
【００４７】
次に、表示データに基づく表示動作について、図４に示すタイミングチャートおよび図５から図８を参照しながら説明する。なお、図４には、走査駆動回路１２から出力されるゲートスキャン信号ＳｃａｎＧの電圧波形と、走査駆動回路１２から出力されるソーススキャン信号ＳｃａnＳの電圧波形と、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ、ソース電圧Ｖｓおよびゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの電圧波形とが示されている。
【００４８】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、アクティブマトリクス基板１０の各ゲート走査線１６に接続された画素回路行が順次選択され、１行単位でその選択期間内に所定の動作が行なわれる。ここでは、その選択された所定の画素回路行において選択期間内に行なわれる動作について説明する。
【００４９】
まず、画素回路行についてリセット動作が行われる（図４の時刻ｔ１〜時刻ｔ２、図５参照）。
【００５０】
具体的には、図４に示すように、走査駆動回路１２からゲート走査線１６にゲート選択用トランジスタ１１ｄをオンするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧが出力されるとともに、走査駆動回路１２からソース走査線１７にソース用トランジスタ１１ｅをオンするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳが出力される。そして、図５に示すように、ゲートスキャン信号ＳｃａｎＧに応じてゲート選択用トランジスタ１１ｄがオンされ、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇがデータ線１５に接続される。また、ソーススキャン信号ＳｃａｎＳに応じてソース用トランジスタ１１ｅがオンされ、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓおよび容量素子１１ｃの一端（駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子とは反対側）と、リセット電圧線１８とが接続される。
【００５１】
そして、このときゲート駆動回路１３から各データ線１５に所定電圧ＶＢが出力され、各画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇに供給され、また、リセット電圧駆動回路１４から各リセット電圧線１８にリセット電圧ＶＡが出力され、各画素回路１１の駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓに供給される。なお、本実施形態においてはリセット電圧は０Ｖに設定している。
【００５２】
上記のような動作によって、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝ＶＡ＝０となり、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝ＶＢ−ＶＡに設定され、容量素子１１ｃおよび寄生容量５１がリセットされる。
【００５３】
ここで、所定電圧ＶＢは、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧の最大値をＶｔｈｍａｘとすると、ＶＢ＞ＶＡ＋Ｖｔｈｍａｘが条件であり、駆動用トランジスタ１１ｂからリセット電圧線１８には何らかの駆動電流Ｉｄが流れる状態である。
【００５４】
また、リセット電圧ＶＡは、有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧をＶｆ０、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧偏差＋変動の最大値をΔＶｔｈとすると、ＶＡ＜Ｖｆ０−ΔＶｔｈが条件となり、たとえば、本実施形態のようにＶＡ＝０Ｖに設定されるが、ΔＶｔｈが小さい場合には、より高い電圧を設定した方が有機ＥＬ発光素子１１ａの発光遷移時間を短縮でき、逆にΔＶｔｈが大きい場合には、より低い電圧（負電圧を含む）を設定する必要がある。
【００５５】
そして、次に、閾値電圧検出動作が行われる（図４の時刻ｔ２〜時刻ｔ３、図６参照）。
【００５６】
具体的には、図４に示すように、走査駆動回路１２からソース走査線１７にソース用トランジスタ１１ｅをオフするためのソーススキャン信号ＳｃａｎＳが出力される。そして、図６に示すように、ソーススキャン信号ＳｃａｎＳに応じてソース用トランジスタ１１ｅがオフされる。
【００５７】
これにより、図６に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓとリセット電圧線１８とが遮断される。そして、このとき駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは、
Ｖｇｓ＝Ｖｇ−Ｖｓ＝ＶＢ−ＶＡ＞Ｖｔｈ
となっているため、駆動用トランジスタ１１ｂからリセット電圧線１８へ流れていた駆動電流Ｉｄは、有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１に流れ、寄生容量５１が充電され、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓのソース電圧Ｖｓが上昇する。
【００５８】
駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇに供給されるＶＢは固定電圧であるため、ソース電圧Ｖｓの上昇によりＶｇｓは低下し、Ｖｇｓ＝Ｖｔｈになった時点で駆動電流Ｉｄ＝０となり、ソース電圧Ｖｓの上昇は停止する。なお、このときの容量素子１１ｃの両端電圧Ｖｃｓ＝Ｖｇｓ＝Ｖｔｈとなっている。
【００５９】
ここで、このとき駆動用トランジスタ１１ｂのゲート電圧Ｖｇ＝ＶＢ、ソース電圧Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈであり、ソース電圧Ｖｓは有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧以下とする必要があるため、
ＶＢ＜Ｖｆ０＋Ｖｔｈｍｉｎ
が条件となる。なお、Ｖｆ０は有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧、Ｖｔｈｍｉｎは駆動用トランジスタ１１ｂの最小閾値電圧である。
【００６０】
そして、次にプログラム動作が行われる（図４における時刻ｔ３〜時刻ｔ４、図７参照）。上記閾値電圧検出動作によって駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧が十分に安定した時点でゲート駆動回路１３は各データ線１５に出力する電圧を所定電圧ＶＢからプログラム電圧Ｖｐｒｇ＝ＶＢ＋Ｖｏｄにステップアップさせる。
【００６１】
ここで、Ｖｏｄは有機ＥＬ発光素子１１ａに所望の輝度に応じた駆動電流を流すための駆動用トランジスタ１１ｂの駆動電圧であり、Ｖｏｄ＝Ｖｇｓ−Ｖｔｈである。そして、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓは容量素子１１ｃの容量値Ｃｓと寄生容量５１の容量値Ｃｄの分圧となるので、
Ｖｓ＝ＶＢ−Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ×Ｃｓ/（Ｃｄ＋Ｃｓ）
となるが、Ｃｄ≫Ｃｓである場合には、
Ｖｓ≒ＶＢ−Ｖｔｈ
Ｖｇｓ≒ＶＢ＋Ｖｏｄ−（ＶＢ−Ｖｔｈ）＝Ｖｔｈ＋Ｖｏｄ
となり、ほぼ容量素子１１ｃで検出したＶｔｈにＶｏｄを加算した値となる。
【００６２】
そして、次に発光動作が行われる（図４における時刻ｔ４以降、図８参照）。
【００６３】
具体的には、図４に示すように、走査駆動回路１２からゲート走査線１６にゲート選択用トランジスタ１１ｄをオフするためのゲートスキャン信号ＳｃａｎＧが出力され、図８に示すように、ゲートスキャン信号に応じてゲート選択用トランジスタ１１ｄがオフされる。これにより、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート端子Ｇとデータ線１５との接続が遮断される。
【００６４】
そして、図８に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂには、上述したプログラム動作における容量素子１１ｃの両端電圧が保持されたままその駆動電圧に応じた駆動電流Ｉｄが流れ、この駆動電流Ｉｄによって有機ＥＬ発光素子１１ａの発光部５０が発光する。なお、Ｖｏｄの印加完了後、駆動用トランジスタ１１ｂのソース電圧Ｖｓが上昇する前にゲート選択用トランジスタ１１ｄをオフする必要がある。
【００６５】
次に、本発明の表示装置の第２の実施形態を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００６６】
上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ発光素子１１ａのエージング動作を全ての画素回路１１について同時に行うようにしたが、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、一部の画素回路１１を順次切り替えてエージング動作を行うことによって、最終的に全画素回路１１のエージング動作を行うようにしたものである。このように一部の画素回路１１のみエージング動作を行うようにすることによってエージング動作中の発熱を抑制することができる。
【００６７】
具体的には、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置とはリセット電圧駆動回路２０の構成とこれを駆動制御する制御部１９の駆動制御方法が異なるものであり、その他の構成については第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様である。
【００６８】
第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置のリセット電圧駆動回路２０は、各リセット電圧線１８を順次切り替えてエージング動作用電圧を出力するものである。
【００６９】
そして、エージング動作用電圧が供給されているリセット電圧線１８に接続された画素回路１１の動作については、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置で説明したエージング動作と同様である。そして、このときエージング動作用電圧が供給されていないリセット電圧線１８に対しては、たとえば、リセット電圧駆動回路２０からリセット電圧ＶＡを出力するようにすればよい。また、このときエージング動作が行われていない画素回路１１に接続されたデータ線１５に対しては、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを０Ｖにするため、リセット電圧ＶＡと同じ大きさのプログラム電圧Ｖｐｒｇをデータ線１５に供給することが望ましい。なお、エージング動作が行われていない画素回路１１に接続されたリセット電圧線１８および/またはデータ線１５に供給される電圧は、有機ＥＬ発光素子１１ａの発光閾値電圧Ｖｆ０よりも低い電圧に設定する必要がある。
【００７０】
また、上記説明では、各リセット電圧線１８に接続された画素回路列毎にエージング動作を行うようにしたが、画素回路列単位ではなく、複数の画素回路列からなる画素回路列群毎にエージング動作を行うようにしてもよく、たとえば、全ての画素回路列を２等分し、半分の画素回路列からなる画素回路列群毎にエージング動作を行うようにしてもよい。また、Ｒ、Ｇ、Ｂの画素回路列をそれぞれ切り替えてエージング動作を行い、それぞれの画素回路の有機ＥＬ発光素子の特性に応じたエージング動作用電圧をリセット電圧線１８に供給するようにしてもよい。
【００７１】
また、上記第１および第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、駆動用トランジスタ１１ｂとして、そのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが０Ｖのときに駆動電流が流れないもの、すなわち閾値電圧Ｖｔｈが０Ｖよりも大きいものを使用することが前提となっているが、これに限らず、駆動用トランジスタ１１ｂとして、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタを用いるようにしてもよい。ここで、オフ動作する閾値電圧とはドレイン電流ＩＤが急激に増加し始めるゲート−ソース間電圧のこといい、オフ動作する閾値電圧が負電圧であるとは、たとえば、図１０に示すようなＶＧＳ−ＩＤ特性を有することをいう。なお、図１０のＶＧＳ−ＩＤ特性における閾値電圧はＶＴＨである。無機酸化膜薄膜トランジスタとしては、たとえば、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）を材料とする無機酸化膜からなる薄膜トランジスタを利用することができるが、ＩＧＺＯに限らず、その他ＺｎＯなどがある。ＩＧＺＯの薄膜トランジスタは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの組成比によって閾値電圧を設定可能である。
【００７２】
そして、駆動用トランジスタ１１ｂとして、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタを用いた場合には、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝０でも駆動電流が流れてしまうため、有機ＥＬ発光素子１１ａのエージング動作に誤差が生じたり、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧のシフトを生じてしまう。そこで、この場合には、図１１に示すように、駆動用トランジスタ１１ｂのドレイン端子Ｄに接続される電源電圧Ｖｄｄをエージング動作用電圧ＶＥと同じ大きさにすることによって、駆動用トランジスタ１１ｂのドレイン端子Ｄ、ゲート端子Ｇおよびソース端子Ｓの全ての端子の電位を同一に設定することによってエージング動作の誤差などを防止することができる。
【００７３】
なお、本発明のエージング動作の駆動制御方法では、駆動用トランジスタ１１ｂの閾値電圧のシフトは防止することができるが、ソース用トランジスタ１１ｅには閾値電圧のシフトが発生してしまうおそれがある。しかしながら、ソース用トランジスタ１１ｅは、リセット動作時に有機ＥＬ発光素子１１ａの寄生容量５１と容量素子１１ｃを放電させるために設けられたものであり、電流値を制御する駆動用トランジスタ１１ｂと異なり、たとえ閾値電圧がシフトしたとしても、ソーススキャン信号の振幅をそのシフト分を加味した大きさとしておくようにすれば閾値電圧のシフトの影響を排除することができ、表示画質への影響はない。
【００７４】
また、上記第１および第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、エージング動作時にエージング動作用電圧としてＤＣ電圧を用いるようにしたが、これに限らず、パルス電圧を用いるようにしてもよい。
【００７５】
また、上記本発明の実施形態は、本発明の表示装置を有機ＥＬ表示装置に適用したものであるが、発光素子としては、有機ＥＬ発光素子に限らず、たとえば、無機ＥＬ素子などを用いるようにしてもよい。
【００７６】
また、本発明の表示装置は、様々な用途がある。たとえば、携帯情報端末（電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話など）、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビなどが挙げられる。
【符号の説明】
【００７７】
１０ アクティブマトリクス基板
１１ 画素回路
１１ａ 有機ＥＬ発光素子
１１ｂ 駆動用トランジスタ
１１ｃ 容量素子
１１ｄ ゲート選択用トランジスタ
１１ｅ ソース用トランジスタ
１２ 走査駆動回路
１３ ゲート駆動回路
１４，２０ リセット電圧駆動回路
１５ データ線
１６ ゲート走査線
１７ ソース走査線
１８ リセット電圧線
１９ 制御部
２０ リセット電圧駆動回路
５０ 発光部
５１ 寄生容量
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と該駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と該駆動用トランジスタのソース端子にリセット電圧を供給するリセット電圧線との間に接続されたソース用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置の駆動制御方法において、
前記リセット電圧線および前記駆動用トランジスタのソース端子を介して前記発光素子に電流を流すことによって前記発光素子のエージング動作を行うことを特徴とする表示装置の駆動制御方法。
【請求項２】
前記発光素子の寄生容量を前記駆動用トランジスタの駆動電流によって充電することによって前記駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作を行うことを特徴とする請求項１記載の表示装置の駆動制御方法。
【請求項３】
前記発光素子のエージング動作の間、前記選択用トランジスタと前記ソース用トランジスタとをオンして前記信号線と前記リセット電圧線に同じ大きさのエージング動作用電圧を供給することを特徴とする請求項１または２記載の表示装置の駆動制御方法。
【請求項４】
発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と該駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と該駆動用トランジスタのソース端子にリセット電圧を供給するリセット電圧線との間に接続されたソース用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置において、
前記リセット電圧線および前記駆動用トランジスタのソース端子を介して前記発光素子に電流を流すことによって前記発光素子のエージング動作を行うよう制御する制御部を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
前記制御部が、前記発光素子の寄生容量を前記駆動用トランジスタの駆動電流によって充電することによって前記駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作を行うよう制御するものであることを特徴とする請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記制御部が、前記発光素子のエージング動作の間、前記選択用トランジスタと前記ソース用トランジスタとをオンして前記信号線と前記リセット電圧線に同じ大きさのエージング動作用電圧を供給するよう制御するものであることを特徴とする請求項４または５記載の表示装置。
【請求項７】
前記駆動用トランジスタが、閾値電圧が負電圧の薄膜トランジスタであり、
前記制御部が、前記発光素子のエージング動作の間、前記駆動用トランジスタのドレイン端子に接続された電源電圧線に対しても前記エージング動作用電圧を供給するよう制御するものであることを特徴とする請求項４から６いずれか１項記載の表示装置。
【請求項８】
前記アクティブマトリクス基板が、多数の前記信号線および多数の前記リセット電圧線を備えたものであり、
前記制御部が、前記多数のリセット電圧線のうちの一部のリセット電圧線を順次切り替えて該一部のリセット電圧線に前記エージング動作用電圧を順次供給するとともに、前記エージング用動作電圧が供給されていない前記画素回路に接続された前記リセット電圧線および/または前記信号線に対し、前記画素回路の発光素子の発光閾値電圧よりも低い電圧を供給するよう制御するものであることを特徴とする請求項４から７いずれか１項記載の表示装置。
【請求項１】
発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と該駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と該駆動用トランジスタのソース端子にリセット電圧を供給するリセット電圧線との間に接続されたソース用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置の駆動制御方法において、
前記リセット電圧線および前記駆動用トランジスタのソース端子を介して前記発光素子に電流を流すことによって前記発光素子のエージング動作を行うことを特徴とする表示装置の駆動制御方法。
【請求項２】
前記発光素子の寄生容量を前記駆動用トランジスタの駆動電流によって充電することによって前記駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作を行うことを特徴とする請求項１記載の表示装置の駆動制御方法。
【請求項３】
前記発光素子のエージング動作の間、前記選択用トランジスタと前記ソース用トランジスタとをオンして前記信号線と前記リセット電圧線に同じ大きさのエージング動作用電圧を供給することを特徴とする請求項１または２記載の表示装置の駆動制御方法。
【請求項４】
発光素子、該発光素子のアノード端子にソース端子が接続され、前記発光素子に駆動電流を流すＮ型の駆動用トランジスタ、該駆動用トランジスタのゲート端子とソース端子との間に接続された容量素子、前記駆動用トランジスタのゲート端子と該駆動用トランジスタのゲート端子に駆動電圧を供給する信号線との間に接続された選択用トランジスタ、および前記駆動用トランジスタのソース端子と該駆動用トランジスタのソース端子にリセット電圧を供給するリセット電圧線との間に接続されたソース用トランジスタを有する画素回路が多数配列されたアクティブマトリクス基板を備えた表示装置において、
前記リセット電圧線および前記駆動用トランジスタのソース端子を介して前記発光素子に電流を流すことによって前記発光素子のエージング動作を行うよう制御する制御部を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
前記制御部が、前記発光素子の寄生容量を前記駆動用トランジスタの駆動電流によって充電することによって前記駆動用トランジスタの閾値電圧検出動作を行うよう制御するものであることを特徴とする請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記制御部が、前記発光素子のエージング動作の間、前記選択用トランジスタと前記ソース用トランジスタとをオンして前記信号線と前記リセット電圧線に同じ大きさのエージング動作用電圧を供給するよう制御するものであることを特徴とする請求項４または５記載の表示装置。
【請求項７】
前記駆動用トランジスタが、閾値電圧が負電圧の薄膜トランジスタであり、
前記制御部が、前記発光素子のエージング動作の間、前記駆動用トランジスタのドレイン端子に接続された電源電圧線に対しても前記エージング動作用電圧を供給するよう制御するものであることを特徴とする請求項４から６いずれか１項記載の表示装置。
【請求項８】
前記アクティブマトリクス基板が、多数の前記信号線および多数の前記リセット電圧線を備えたものであり、
前記制御部が、前記多数のリセット電圧線のうちの一部のリセット電圧線を順次切り替えて該一部のリセット電圧線に前記エージング動作用電圧を順次供給するとともに、前記エージング用動作電圧が供給されていない前記画素回路に接続された前記リセット電圧線および/または前記信号線に対し、前記画素回路の発光素子の発光閾値電圧よりも低い電圧を供給するよう制御するものであることを特徴とする請求項４から７いずれか１項記載の表示装置。
【図１】
【図４】
【図９】
【図１０】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図１１】
【図４】
【図９】
【図１０】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図１１】
【公開番号】特開２０１１−２２３６４（Ｐ２０１１−２２３６４Ａ）
【公開日】平成２３年２月３日（２０１１．２．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１６７３７８（Ｐ２００９−１６７３７８）
【出願日】平成２１年７月１６日（２００９．７．１６）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【復代理人】
【識別番号】１００１２８４５１
【弁理士】
【氏名又は名称】安田 隆一
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月３日（２０１１．２．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年７月１６日（２００９．７．１６）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【復代理人】
【識別番号】１００１２８４５１
【弁理士】
【氏名又は名称】安田 隆一
【Ｆターム（参考）】
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