表示装置の製造方法、および表示装置
【課題】通常発光時における最大輝度よりも高輝度で有機ＥＬ素子を発光させることが可能な表示装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ素子１３と駆動トランジスタ１１８からなる直列回路、容量素子１２３、グラウンド線ｇｎｄおよび電源線１２０を備え、グラウンド線ｇｎｄが直列回路における駆動トランジスタ１１８のソース電極側の端部に電気的に、電源線１２０がドレイン電極側の端部にそれぞれ電気的に接続された表示装置の製造方法において、グラウンド線ｇｎｄの電位を、ゲート電極とソース電極間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位にすることにより、容量素子１２３を通常発光時よりも高い電圧で充電する充電工程と、充電工程において充電された容量素子１２３の充電電圧に基づき、有機ＥＬ素子１３を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光工程と、を含む。
【解決手段】有機ＥＬ素子１３と駆動トランジスタ１１８からなる直列回路、容量素子１２３、グラウンド線ｇｎｄおよび電源線１２０を備え、グラウンド線ｇｎｄが直列回路における駆動トランジスタ１１８のソース電極側の端部に電気的に、電源線１２０がドレイン電極側の端部にそれぞれ電気的に接続された表示装置の製造方法において、グラウンド線ｇｎｄの電位を、ゲート電極とソース電極間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位にすることにより、容量素子１２３を通常発光時よりも高い電圧で充電する充電工程と、充電工程において充電された容量素子１２３の充電電圧に基づき、有機ＥＬ素子１３を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光工程と、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法、および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、固体蛍光性物質の電界発光現象を利用した発光素子である有機ＥＬ素子の研究・開発が進んでいる。ＴＦＴ基板上に有機ＥＬ素子を行列状に複数配列した表示領域を有する有機ＥＬ表示装置は、自発光を行う有機ＥＬ素子を利用するため視認性が高く、さらに完全固体素子であるため耐衝撃性に優れる等の特徴を有する。有機ＥＬ素子は電流駆動型の発光素子であり、陽極および陰極の電極対の間に、キャリアの再結合による電界発光現象を行う有機発光層等を積層して構成される。また、上記ＴＦＴ基板には、表示領域を駆動するための駆動素子として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置の製造工程には、陽極と陰極との間に電流を流すエージング処理（特許文献１）や、当該表示装置内における滅点数を検査する滅点検査等のように、有機ＥＬ素子を高輝度で発光させる高輝度発光工程が含まれる。これらの発光工程は、エージング処理に要する時間や、滅点数のカウントに要する時間の短縮を目的として、通常発光時における最大輝度で行われることが多い。
【０００４】
有機ＥＬ素子は、当該素子の製造後の使用当初に急峻な輝度低下があり、その後、安定的に輝度が低下する安定状態が続くという特性を有するものがある。このため、エージング処理において電極対間に流す電流量を増やす、すなわち有機ＥＬ素子を高輝度で強制的に発光させることにより、安定状態により早く移行させることができる結果、エージング処理に要する時間が短縮される。一方、滅点数のカウントは一般的に高精細ＣＣＤカメラで読み取ることにより行われる。しかし、ＣＣＤカメラは高精細であるほど感度が低下するため、単位時間あたりに検査可能な有機ＥＬ素子の数は減少する。そこで、有機ＥＬ素子の高輝度発光によって感度の低さを補うことで、滅点検査に要する時間の短縮が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２９７５６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
エージング処理および滅点検査に要する時間のさらなる短縮化の要請から、高輝度発光工程における発光素子のさらなる発光輝度向上が求められている。
本発明は、高輝度発光工程において、通常発光時における最大輝度よりも高輝度で発光素子を発光させることが可能な表示装置の製造方法等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様である表示装置の製造方法は、発光素子と、前記発光素子に直列に接続され、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する駆動トランジスタと、前記ゲート電極と前記ソース電極間に接続された容量素子と、前記発光素子と前記駆動トランジスタからなる直列回路の両端にそれぞれ接続され、前記直列回路に電力を供給するための第１および第２電源線と、を備え、前記第１電源線が前記直列回路の前記ソース電極側の端部に電気的に接続され、前記第２電源線が前記直列回路の前記ドレイン電極側の端部に電気的に接続された表示装置の製造方法であって、前記第１電源線の電位を、前記ゲート電極と前記ソース電極間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位にすることにより、前記容量素子を通常発光時よりも高い電圧で充電する充電工程と、前記充電工程において充電された前記容量素子の充電電圧に基づき、前記発光素子を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様である表示装置の製造方法では、まず充電工程において、第１電源線の電位を、通常発光時と異なり、かつゲート電極とソース電極間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位にすることにより、容量素子を通常発光時における電圧の最大値よりも高い電圧で充電する。これにより、容量素子の端子間電圧を、通常発光時における最高輝度で発光させる場合に容量素子に充電される充電電圧よりも高い充電電圧とすることができる。この結果、充電工程に続く高輝度発光工程では、充電工程において充電された容量素子の充電電圧に基づき、発光素子を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させることが可能となる。
【０００９】
したがって、本発明の一態様によれば、高輝度発光工程において、通常発光時における最大輝度よりも高輝度で発光素子を発光させることが可能な表示装置の製造方法等を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の態様１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成を示す図である。
【図２】実施の態様１に係る有機ＥＬ表示パネル１０の構成を示す平面図である。
【図３】実施の態様１に係る有機ＥＬ表示パネル１０の構成を示す部分断面図である。
【図４】画素回路１１６の回路構成の一例を示す図である。
【図５】実施の態様１に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法を示すフローチャートである。
【図６】有機ＥＬ素子の積算駆動時間に対する輝度の変化を示すグラフである。
【図７】（ａ）通常発光時における画素回路１１６の動作を説明するための図と、（ｂ）エージング工程における画素回路１１６の動作を説明するための図である。
【図８】駆動トランジスタ１１８（ｎ型）のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓと、駆動トランジスタ１１８のドレインからソースに流れる電流Ｉｄの関係を示す図である。
【図９】実施の態様２に係る画素回路１２５の回路構成を示す図である。
【図１０】（ａ）通常発光時における画素回路１２５の動作を説明するための図と、（ｂ）エージング工程における画素回路１２５の動作を説明するための図である。
【図１１】駆動トランジスタ１２６（ｐ型）のソース−ドレイン間電圧Ｖｓｄと、駆動トランジスタ１２６のドレインからソースに流れる電流Ｉｄの関係を示す図である。
【図１２】実施の態様３に係る画素回路１２９の回路構成を示す図である。
【図１３】（ａ）通常発光時における画素回路１２９の動作を説明するための図と、（ｂ）エージング工程における画素回路１２９の動作を説明するための図である。
【図１４】実施の態様３に係る画素回路１３０の回路構成を示す図である。
【図１５】（ａ）通常発光時における画素回路１３０の動作を説明するための図と、（ｂ）エージング工程における画素回路１３０の動作を説明するための図である。
【図１６】表示領域の一部点灯によるエージング処理の概略を説明するための図である。
【図１７】表示領域１１における発光領域の形状に係る変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
≪本発明の一態様の概要≫
本発明の一態様に係る表示装置の製造方法は、発光素子と、前記発光素子に直列に接続され、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する駆動トランジスタと、前記ゲート電極と前記ソース電極間に接続された容量素子と、前記発光素子と前記駆動トランジスタからなる直列回路の両端にそれぞれ接続され、前記直列回路に電力を供給するための第１および第２電源線と、を備え、前記第１電源線が前記直列回路の前記ソース電極側の端部に電気的に接続され、前記第２電源線が前記直列回路の前記ドレイン電極側の端部に電気的に接続された表示装置の製造方法であって、前記第１電源線の電位を、前記ゲート電極と前記ソース電極間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位にすることにより、前記容量素子を通常発光時よりも高い電圧で充電する充電工程と、前記充電工程において充電された前記容量素子の充電電圧に基づき、前記発光素子を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光工程と、を含む。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、前記駆動トランジスタはｎ型であり、前記第１電源線の電位は前記第２電源線の電位よりも低く、少なくとも前記充電工程においては、前記第１電源線の電位を通常発光時よりも低くする。
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第２電源線の電位を通常発光時における前記第２電源線の電位よりも低くする。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第２電源線の電位を通常発光時における前記第２電源線の電位以上とする。
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、前記駆動トランジスタはｐ型であり、前記第１電源線の電位は前記第２電源線の電位よりも高く、少なくとも前記充電工程においては、前記第１電源線の電位を通常発光時よりも高くする。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第２電源線の電位を通常発光時における前記第２電源線の電位よりも高くする。
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第２電源線の電位を通常発光時における前記第２電源線の電位以下とする。
【００１５】
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、前記高輝度発光工程により、前記発光素子のエージング処理を行う。
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、前記充電工程および前記高輝度発光工程において、前記駆動トランジスタの前記ゲート電極には、通常発光時において使用される範囲の電圧が印加される。
【００１６】
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、前記表示装置は、前記充電工程において、さらに、信号線と、前記信号線に映像信号を与える信号線駆動回路と前記信号線と前記容量素子との間の導通および非導通を切り替えるスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタのゲート電極に接続された走査線と、前記スイッチングトランジスタに対する制御信号を前記走査線に与える走査線駆動回路と、を備え、前記充電工程は、前記信号線駆動回路と前記走査線駆動回路を用いて行われる。
【００１７】
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、前記発光素子は有機ＥＬ素子である。
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、前記表示装置は、前記発光素子が行列状に複数配列されてなる。
本発明の一態様に係る表示装置は、発光素子と、前記発光素子に直列に接続され、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する駆動トランジスタと、前記ゲート電極と前記ソース電極間に接続された容量素子と、前記発光素子と前記駆動トランジスタからなる直列回路に電力を供給する第１および第２電源線と、信号線と、前記信号線に映像信号を与える信号線駆動回路と、前記信号線と前記容量素子との間の導通および非導通を切り替えるスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタのゲート電極に接続された走査線と、前記スイッチングトランジスタに対する制御信号を前記走査線に与える走査線駆動回路と、を備え、前記第１電源線が前記ソース電極に電気的に接続され、前記第２電源線が前記ドレイン電極に電気的に接続された表示装置であって、前記発光素子を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光時において、前記第１電源線は、前記信号線駆動回路のグラウンドおよび前記走査線駆動回路のグラウンドと絶縁されているとともに、通常発光時と異なる電位を前記第１電源線に与える電源回路に接続されている。
【００１８】
また、本発明の一態様に係る表示装置の特定の局面では、前記発光素子が行列状に複数配列されてなるとともに、各発光素子は、前記第１および第２電源線から電力供給を受ける電極対を含み、前記電極対を構成する電極のうち、前記高輝度発光時において前記第１電源線と接続されている側の電極は各発光素子間で共通に設けられている。
≪実施の態様１≫
［有機ＥＬ表示装置］
図１は、実施の態様１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成を示す図であり、図２は、実施の態様１に係る有機ＥＬ表示パネル１０の構成を示す平面図（ＸＹ平面図）である。
【００１９】
図１に示す有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０、これに接続された駆動制御部２０を備えており、ディスプレイ、テレビ、携帯電話等に用いられる。
図２に示す有機ＥＬ表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した表示パネルであり、表示領域１１、表示領域１１を取り囲む周辺領域１２からなる。表示領域１１は複数の有機ＥＬ素子１３が、ＸＹ方向に（行列状に）複数配列されてなる。図２においては、赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の各色に対応する有機ＥＬ素子をそれぞれサブピクセル１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂとして示しており、１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの３つのサブピクセルの組み合わせ１４が、１画素に相当する。以下、１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの３つのサブピクセルの組み合わせを、単に、画素１４と記載する。
【００２０】
図１に戻り、駆動制御部２０は、高電位側電源回路２１、低電位側電源回路２２、走査線駆動回路２３、信号線駆動回路２４、制御回路２５とから構成され、各有機ＥＬ素子１３が備えるＴＦＴを制御する。制御回路２５は、外部から入力される外部信号を基に、各画素１４のＴＦＴを駆動制御するための制御信号を生成する。
［有機ＥＬ表示パネル］
図３は、実施の態様１に係る有機ＥＬ表示パネル１０の構成を示す部分断面図（ＺＸ断面図）である。図３に示す部分断面図は図２におけるＡ−Ａ’断面図に相当し、図２に示す平面図は図３におけるＢ−Ｂ’線矢視断面図に相当する。
【００２１】
有機ＥＬ表示パネル１０は、同図上側を表示面とする、いわゆるトップエミッション型である。有機ＥＬ表示パネル１０は、有機ＥＬ素子が形成されたＥＬ基板１５と、カラーフィルターが形成されたＣＦ基板１６とが、シール材１１５により接合されてなる。
ＥＬ基板１５は、その主な構成として、ＴＦＴ基板１０１、引き出し電極１０２、パッシベーション層１０３、層間絶縁膜１０４、陽極１０５、バンク１０６、有機発光層１０７、電子輸送層１０８、陰極１０９、封止膜１１０を備える。陽極１０５と陰極１０９からなる電極対、および当該電極対に挟まれた積層体が有機ＥＬ素子１３に相当する。
【００２２】
一方、ＣＦ基板１６は、その主な構成として、ガラス基板１１１、カラーフィルター１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂ、ブラックマトリクス１１３，１１４を備える。
＜ＴＦＴ基板１０１＞
ＴＦＴ基板１０１は、有機ＥＬ表示パネル１０の背面基板であり、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料の何れかを用いて形成することができる。
【００２３】
ＴＦＴ基板１０１の表面には、有機ＥＬ表示パネル１０をアクティブマトリクス方式で駆動するためのＴＦＴが形成されたＴＦＴ層が存在する。ＴＦＴは陽極１０５と接続される。ＴＦＴは、チャネル材料にアモルファスシリコンや低温ポリシリコンを用いたものでも、インジウムガリウム亜鉛酸化物等の酸化物半導体を用いたものでも、ペンタセン等の有機半導体を用いたものでもよい。
【００２４】
＜引き出し電極１０２＞
引き出し電極１０２は、ＴＦＴ基板１０１表面に形成されたＴＦＴに対して、外部より電力を供給するための配線である。
＜パッシベーション層１０３＞
パッシベーション層１０３は、ＴＦＴおよび引き出し電極１０２を被覆して保護する目的で設けられているものであり、例えば、ＳｉＯ（酸化シリコン）、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）等の薄膜で構成される。
【００２５】
＜層間絶縁膜１０４＞
層間絶縁膜１０４は、引き出し電極１０２およびパッシベーション層１０３が配設されたことにより生じるＴＦＴ基板１０１における表面段差を、平坦に調整する目的で設けられる。層間絶縁膜１０４は、例えば、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料で構成される。
【００２６】
＜陽極１０５＞
層間絶縁膜１０４の上には、画素１４毎に陽極１０５が形成されている。陽極１０５は、例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等で形成することができる。陽極１０５は、サブピクセル１３に対応するようにＸＹ方向に行列状に形成されている。
【００２７】
＜バンク１０６＞
バンク１０６は、有機発光層１０７の形成領域を区画する目的で設けられているものである。バンク１０６の材料としては、絶縁性の有機材料、例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等が選択される。
＜有機発光層１０７＞
バンク１０６で区画された領域には、陽極１０５と陰極１０９からなる電極対の間に介挿されるように有機発光層１０７が形成されている。有機発光層１０７は、キャリア（正孔と電子）の再結合による発光を行う部位である。Ｒに対応する区画には、Ｒに対応する有機発光材料を含む有機発光層１０７Ｒが、Ｇに対応する区画には、Ｇに対応する有機発光材料を含む有機発光層１０７Ｇ、Ｂに対応する区画には、Ｂに対応する有機発光材料を含む有機発光層１０７Ｂが形成される。
【００２８】
有機発光層１０７として用いることが可能な材料としては、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレンや、例えば、特許公開公報（特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げられる。
【００２９】
＜電子輸送層１０８＞
電子輸送層１０８は、陰極１０９から注入された電子を有機発光層１０７へ輸送する機能を有する。電子輸送層１０８に用いる材料としては、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム等が挙げられる。
＜陰極１０９＞
電子輸送層１０８の上には陰極１０９が形成されている。図３に示すように、陰極１０９は電子輸送層１０８の上面全体に亘って形成されていることにより、複数の画素間で共通に設けられている。有機ＥＬ表示パネル１０はトップエミッション型であるため、陰極１０９には、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等の透明電極材料が用いられている。
【００３０】
＜封止膜１１０＞
陰極１０９の上には、有機発光層１０７が水分や空気等に触れて劣化することを抑制する目的で封止膜１１０が設けられる。有機ＥＬ表示パネル１０はトップエミッション型であるため、封止膜１１０の材料としては、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の透光性材料を用いる必要がある。
【００３１】
＜ガラス基板１１１＞
ガラス基板１１１は、有機ＥＬ表示パネル１０における表示面基板である。有機ＥＬ表示パネル１０はトップエミッション型であるため、ガラス基板１１１に用いる材料は、良好な透明性を有している必要がある。
＜カラーフィルター１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂ＞
カラーフィルター１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂは、それぞれ、ＥＬ基板１５側に形成されている有機発光層１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂの位置に合わせて配設されている。カラーフィルター１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂは、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する波長の可視光を透過する透明層であって、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等で構成されている。
【００３２】
＜ブラックマトリクス１１３，１１４＞
ブラックマトリクス１１３，１１４は、有機ＥＬ表示パネル１０の表示面への外光の照り返しや外光の入射を防止し、表示コントラストを向上させる目的で設けられる黒色層である。ブラックマトリクス１１３，１１４は、例えば、光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料等で構成される。
【００３３】
＜シール材１１５＞
周辺領域１２には、ＥＬ基板１５とＣＦ基板１６とを接合するためのシール材１１５が配設されている。シール材１１５は、緻密な樹脂材料で構成されており、このような材料としては、例えばシリコーン樹脂等を挙げることができる。
＜その他＞
陽極１０５と有機発光層１０７との間に、さらに、正孔注入層を設けられることもある。正孔注入層は、陽極１０５から有機発光層１０７への正孔の注入を促進させる目的で設けられるものである。正孔注入層としては、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）等の酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）等の導電性ポリマー材料を用いることができる。
【００３４】
また、陽極１０５と正孔注入層との間に、各層間の接合性を良好にする目的でＩＴＯ層またはＩＺＯ層が設けられることもある。
さらに、電子輸送層１０８と陰極１０９との間に、陰極１０９から有機発光層１０７への電子注入性を向上させる目的で電子注入層が設けられることもある。電子注入層としては、例えば、電子注入性を有する有機材料にアルカリ金属またはアルカリ土類金属を混合させたものを用いることができる。電子注入性を有する有機材料としては、例えば、特開平５−１６３４８８号公報に記載のニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体等を用いることができる。
【００３５】
［画素回路］
図４は、１つの有機ＥＬ素子１３（サブピクセル１３）を構成する回路１１６（以下、単に画素回路１１６と記載する。）の回路構成を示す図である。ここでは、２個のトランジスタと１個の容量からなる、いわゆる２Ｔｒ１Ｃの画素回路を示している。また、画素回路１１６は、有機ＥＬ素子１３の陰極（カソード）１０９が共通電極となっている、いわゆるコモンカソード型の画素回路である。
【００３６】
図４に示すように、画素回路１１６は、有機ＥＬ素子１３、駆動トランジスタ１１８、スイッチングトランジスタ１１９、電源線１２０、走査線１２１、信号線１２２、容量素子１２３、グラウンド線ｇｎｄを備える。図４中の１０５，１０７，１０９で示した部分は、それぞれ、図２において説明した陽極１０５，有機発光層１０７，陰極１０９に対応し、上述したように陽極１０５，有機発光層１０７，陰極１０９からなる積層体が有機ＥＬ素子１３である。
【００３７】
駆動トランジスタ１１８およびスイッチングトランジスタ１１９は、ｎ型の薄膜トランジスタ素子である。すなわち、図４に示す画素回路１１６は、ｎ型コモンカソードの画素回路である。また、ＴＦＴ基板１０１に形成されていると述べたＴＦＴは、具体的には駆動トランジスタ１１８とスイッチングトランジスタ１１９とを指している。図４において、１１７の一点鎖線で囲った領域は、ＴＦＴ基板１０１に含まれるＴＦＴ層に形成されている回路を示している。
【００３８】
駆動トランジスタ１１８は、有機ＥＬ素子１３と直列に接続されており、有機ＥＬ素子１３と駆動トランジスタ１１８とで直列回路を構成している。以下、有機ＥＬ素子１３と駆動トランジスタ１１８からなる直列回路を、単に直列回路と記載する。図４において「Ｇ」、「Ｓ」および「Ｄ」で示すように、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する。スイッチングトランジスタ１１９は、信号線１２２と容量素子１２３との間の導通および非導通を切り替えるものである。
【００３９】
直列回路における駆動トランジスタ１１８のドレイン電極側の端部には電源線１２０が接続されている。電源線１２０は直列回路に電力を供給する。電源線１２０は各行に１本ずつ設けられており、複数の画素１４は行単位で共通の電源線１２０に接続されている。例えば、水平画素数が１９２０、垂直画素数が１０８０のパネルであれば、電源線は１０８０本設けられており、１９２０画素が１本の電源線に共通に接続されている。一方、陰極１０９は、複数の画素１４で共通に設けられており、複数の画素１４は全画素共通に陰極１０９に接続されている。例えば、ＦＨＤ（Ｆｕｌｌ Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）のパネルであれば、約２００万画素が１枚の陰極１０９に共通に接続されている。
【００４０】
また、電源線１２０は、駆動制御部２０の内部に含まれる高電位側電源回路２１（図１）に接続され、電源線１２０は高電位側電源回路２１から電源電圧の供給を受ける。
スイッチングトランジスタ１１９のゲート電極には、走査線１２１が接続される。走査線１２１には走査線駆動回路２３が接続されており、走査線駆動回路２３は、スイッチングトランジスタ１１９に対する制御信号を走査線に与える。
【００４１】
信号線１２２には信号線駆動回路２４が接続されており、信号線駆動回路２４は信号線１２２に対し映像信号を与える。映像信号は、スイッチングトランジスタ１１９を介して駆動トランジスタ１１８のゲート電極に入力される。以下、走査線駆動回路２３と信号線駆動回路２４を総じて、単に駆動回路と記載する。
駆動トランジスタ１１８のゲート電極とソース電極の間（以下、単に駆動トランジスタ１１８のゲート−ソース間と記載する。）には、容量素子１２３が接続されている。容量素子１２３には、駆動トランジスタ１１８のゲート電極に最大諧調の映像信号が入力された場合（通常発光時における最大輝度で有機ＥＬ素子１３を発光させる場合）における、駆動トランジスタ１１８のゲート−ソース間に蓄積される静電容量よりも大きい定格容量を有するものが用いられている。
【００４２】
グラウンド線ｇｎｄは、直列回路における駆動トランジスタ１１８のソース電極側の端部、すなわち有機ＥＬ素子１３の陰極１０９と電気的に接続されている。つまり、グラウンド線ｇｎｄと電源線１２０は、上記直列回路の両端にそれぞれ接続されており、各々は当該直列回路に電力を供給するための第１電源線、第２電源線に相当する。また、グラウンド線ｇｎｄは駆動制御部２０の内部に含まれる低電位側電源回路２２（図１）に接続されており、グラウンド線ｇｎｄの電位は電源線１２０の電位よりも低い。さらに、陰極１０９および陽極１０５は、グラウンド線ｇｎｄおよび電源線１２０から電力供給を受ける電極対に相当する。
【００４３】
ここで、電源線１２０は、有機ＥＬ表示パネル１０内に引き回されている高電位側の電源線を指しており、有機ＥＬ表示パネル１０の外から高電位側電源回路までの高電位側の電源線は含まない。また、グラウンド線ｇｎｄは、当該グラウンド線ｇｎｄと陰極１０９との接続部分から有機ＥＬ表示パネル１０の内部に存在する低電位側電源線を指しており、有機ＥＬ表示パネル１０の外から低電位側電源回路までの低電位側電源線は含まない。
【００４４】
画素回路１１６はより正確には、サブピクセル１３Ｒに対応する画素回路１１６Ｒと、サブピクセル１３Ｇに対応する画素回路１１６Ｇと、サブピクセル１３Ｂに対応する画素回路１１６Ｂとがある。画素回路１１６Ｒには有機発光層１０７Ｒが、画素回路１１６Ｇには有機発光層１０７Ｇが、画素回路１１６Ｂには有機発光層１０７Ｂがそれぞれ形成されている。すなわち、画素回路１１６Ｒ，１１６Ｇ，１１６Ｂは、有機発光層１０７を除いて同じ回路構成である。
【００４５】
［有機ＥＬ表示装置の製造方法］
図５は、実施の態様１に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法を示すフローチャートである。以下、有機ＥＬ表示装置１の製造方法について、図１，３も併せて参照しながら説明する。
まず、一方の面にＴＦＴ層を形成したＴＦＴ基板１０１（図３）を準備し（ステップＳ１０１）、各ＴＦＴを配線で接続するように引き出し電極１０２（図３）を形成する（ステップＳ１０２）。ステップＳ１０２を終えたＴＦＴ基板１０１をチャンバー内に載置し、パッシベーション層１０３（図３）を蒸着法等の薄膜法により形成する（ステップＳ１０３）。
【００４６】
次に、パッシベーション層１０３上に、ディスペンス法等により層間絶縁膜１０４（図３）を形成する（ステップＳ１０４）。そして、ステップＳ１０４を終えたＴＦＴ基板１０１を再度チャンバー内に導入し、スパッタリング法により陽極１０５（図３）を成膜する（ステップＳ１０５）。
次に、形成した陽極１０５の上に、バンク１０６（図３）をフォトリソグラフィー法により形成する（ステップＳ１０６）。そして、バンク１０６で区画された領域に、インクジェット装置を用いたウェットプロセスにより、有機発光層１０７（図３）を形成する（ステップＳ１０７）。具体的には、有機発光層１０７を構成する有機発光材料が溶媒に分散されてなるインクを、バンク１０６で区画された領域に塗布する。塗布後、これを乾燥させることで有機発光層１０７が形成される。
【００４７】
次に、ステップＳ１０７を終えたＴＦＴ基板１０１をチャンバー内に導入し、有機発光層１０７およびバンク１０６を覆うように、真空蒸着法に基づき電子輸送層１０８を形成する（ステップＳ１０８）。次に、電子輸送層１０８の表面上に、真空蒸着法により陰極１０９を形成する（ステップＳ１０９）。そして、陰極１０９の表面に、ＳｉＯ等の材料を真空蒸着法で成膜し、封止膜１１０を形成する（ステップＳ１１０）。以上、ステップＳ１０１〜ステップＳ１１０に示した工程が、ＥＬ基板１５を形成する工程に相当する。
【００４８】
続くステップＳ１１１では、ＣＦ基板１６を形成する。具体的には、ガラス基板１１１の一方の面にブラックマトリクス１１３，１１４（図３）の材料となるブラックマトリクスペーストを塗布する。その後、ブラックマトリクス１１３，１１４の配設が予定された領域に開口部が施されたパターンマスクを重ね、その上から紫外線照射を行うことにより、ブラックマトリクス１１３，１１４を形成する。
【００４９】
次に、ブラックマトリクス１１３，１１４を形成したガラス基板１１１に、カラーフィルター１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂの材料となるカラーフィルターペーストを塗布する。カラーフィルターペーストに含まれる溶媒を一定除去した後、カラーフィルター１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂの配設が予定された領域に開口部が施されたパターンマスクを載置し、紫外線を照射する。その後はキュアを行い、パターンマスクおよび未硬化のカラーフィルターペーストを除去して現像する。これにより、カラーフィルター１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂが形成され、ＣＦ基板１６が完成する（ステップＳ１１１）。
【００５０】
続いて、ＥＬ基板１５の周辺領域１２にシール材１１５のペーストを塗布する（ステップＳ１１２）。シール材１１５を塗布したＥＬ基板１５とＣＦ基板１６とを接合する（ステップＳ１１３）。以上、ステップＳ１０１〜ステップＳ１１３を経ることで、有機ＥＬ表示パネル１０が完成する。
次に、駆動制御部２０（図１）を有機ＥＬ表示パネル１０に接続する（ステップＳ１１４）。そして、最後に有機ＥＬ表示パネル１０に対しエージング工程を行う（ステップＳ１１５）。
【００５１】
図６は、有機ＥＬ素子の積算駆動時間に対する輝度の変化を示すグラフである。図６において、横軸は積算駆動時間、縦軸は有機ＥＬ素子の相対輝度である。上述したように、有機ＥＬ素子は使用当初に急峻な輝度低下があり、その後、安定的に輝度が低下する安定状態に移行するという性質を有する。このため、ステップＳ１１５においてエージング処理を施すことで、有機ＥＬ素子を安定状態に移行させる。これにより、有機ＥＬ素子の経時的劣化抑制ならびに表示領域における発光特性の安定化が図られる。
【００５２】
有機ＥＬ表示パネル１０に対してエージング工程を終えると、有機ＥＬ表示装置１が完成する。
［エージング工程の概略］
本実施の態様におけるエージング工程には、容量素子１２３（図４）を充電する充電工程と有機ＥＬ素子１３を通常発光時よりも高輝度で発光させる高輝度発光工程が含まれる。
【００５３】
＜充電工程＞
図７（ａ）は通常発光時の動作を説明するための図であり、図７（ｂ）はエージング工程における動作を説明するための図である。なお、図７（ａ），（ｂ）に示す画素回路１１６は、図４で説明したものと同一である。
通常発光時におけるグラウンド線ｇｎｄの電位をＧＮＤと定義した場合、本実施の態様の充電工程時においては、グラウンド線ｇｎｄの電位をＧＮＤよりも低い電位−Ｖｘとする。すなわち、充電工程時におけるグラウンド線ｇｎｄの電位−Ｖｘは、通常発光時に用いるグラウンド線ｇｎｄの電位ＧＮＤとは異なり、かつ駆動トランジスタ１１８のゲート−ソース間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位である。
【００５４】
充電工程時におけるグラウンド線ｇｎｄの電位を、通常発光時における電位ＧＮＤよりも低い電位−Ｖｘとすることにより、容量素子１２３を通常発光時における電圧の最大値よりも高い電圧で充電することが可能となる。したがって、容量素子１２３の端子間電圧を、通常発光時における駆動トランジスタ１１８のゲート−ソース間電圧の最大値よりも高い電圧とすることが可能である。
【００５５】
グラウンド線ｇｎｄの電位を−Ｖｘとする方法について、本実施の態様では、グラウンド線ｇｎｄの電位が−Ｖｘとなるような電圧を、低電位側電源回路２２がグラウンド線ｇｎｄに対し印加することとしている。低電位側電源回路２２は、通常発光時においてはグラウンド線ｇｎｄに対しＧＮＤの電位を与える一方で、エージング工程時（図５のステップＳ１１５）においては−Ｖｘの電位を与えるというように、出力する電圧を切り替える構成を有する。エージング工程時において、グラウンド線ｇｎｄは通常発光時と異なる電位を与える電源回路に接続されていることになる。
【００５６】
一方で、エージング工程においては、駆動トランジスタ１１８のゲート電極には通常発光時において使用される範囲の電圧が印加される。そのため、スイッチングトランジスタ１１９を介して駆動トランジスタ１１８のゲート電極と接続されている走査線駆動回路２３および信号線駆動回路２４は、通常発光時に引き続きエージング工程時においてもそのまま用いることとしている。このようにすることで、通常発光時に使用する駆動回路とは別の駆動回路を準備した上で、駆動トランジスタ１１８のゲート電極にエージング工程特有の電圧を印加するといったことを行う必要がないため、簡便である。
【００５７】
ここで、エージング工程中はグラウンド線ｇｎｄの電位を−Ｖｘとしており、また駆動回路は通常発光時およびエージング工程時を通じて同じ回路が使用されている。そのため、グラウンド線ｇｎｄの電位（直列回路への電力供給路としてのグラウンドの電位）と駆動回路のグラウンドの電位は異なることになる。すなわち、グラウンド線ｇｎｄと駆動回路のグラウンドは、エージング工程においては絶縁されていることになる。
【００５８】
＜高輝度発光工程＞
高輝度発光工程においては、充電工程において充電された容量素子１２３の充電電圧に基づき、有機ＥＬ素子１３を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる。このようにすることで、従来と比較して、有機ＥＬ素子をより短時間で安定状態に移行させることができるため、エージング処理に要する時間のさらなる短縮化を図ることが可能である。
【００５９】
さらに、本実施の態様でのエージング工程においては、図７（ｂ）に示すように、電源線１２０の電位を、通常発光時における電位Ｖｄｄ（図７（ａ））とは異なる電位Ｖｄｄ’とする場合がある。以下、この詳細について説明する。
トランジスタの動作領域には線形領域と飽和領域とがある。本実施の態様における高輝度発光工程においては、有機ＥＬ表示装置１が備える有機ＥＬ表示パネル１０の大きさや、有機ＥＬ表示パネル１０に形成されたＴＦＴ層の材料に応じて、駆動トランジスタ１１８を線形領域で動作させる場合と、飽和領域で動作させる場合と選択することとしている。線形領域で動作させるか、または飽和領域で動作させるかの切り替えは、エージング工程時における電源線１２０の電位によって行うことが可能である。
【００６０】
電源線１２０の電位をＶｄｄ’とする方法は、グラウンド線ｇｎｄの電位を−Ｖｘとする方法と似ている。電源線１２０の電位がＶｄｄ’となるような電圧を、高電位側電源回路２１が電源線１２０に対し印加することで実現できる。高電位側電源回路２１は、通常発光時においては電源線１２０に対しＶｄｄの電位を与える一方で、エージング工程時においてはＶｄｄ’の電位を与えるというように、低電位側電源回路２２と同様に出力する電圧を切り替える構成を有する。
【００６１】
ここで、エージング工程中において電源線１２０の電位をＶｄｄ’とする場合、電源線１２０の電位（直列回路への電力供給路としての高電位側の電源線の電位）と駆動回路の高電位側の電源線の電位は異なることになる。なぜなら、エージング工程中は電源線１２０の電位がＶｄｄ’であり、また駆動回路は通常発光時およびエージング工程時を通じて同じ回路が使用されているからである。したがって、電源線１２０の電位をＶｄｄ’とする場合、電源線１２０と駆動回路の高電位側の電源線は、エージング工程においては絶縁されていることになる。
【００６２】
次に、具体的に電源線１２０の電位をどのようにすれば線形領域動作、飽和領域動作を切り替えられるかについて説明する。
（線形領域の場合）
まず通常発光時における動作について説明する。
一般的に、通常発光時においては駆動トランジスタ１１８を飽和領域で動作させる。この理由について図８を参照しながら説明する。
【００６３】
図８は、駆動トランジスタ１１８（ｎ型）のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓと、駆動トランジスタ１１８のドレインからソースに流れる電流Ｉｄの関係を示す図である。電流Ｉｄは、ここでは画素電流（有機発光層１０７に流れる電流）と考えることができる。また、図８では、（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）が３［Ｖ］と５［Ｖ］の場合を図示しており、一点鎖線から左側の領域が線形領域、一点鎖線から右側の領域が飽和領域である。なお、電圧Ｖｄｓは横軸に示す矢印方向にいくほど大きくなる。
【００６４】
有機ＥＬ表示装置のような、電流駆動型の発光素子を備える表示装置においては、陽極または陰極が共通電極となっている場合（本実施の態様においては陰極１０９が共通電極となっている）、表示領域の周縁部から中央部に向かうにつれて共通電極において電圧降下が生じる。この電圧降下は、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓの変動として現れることになる。そのため、一方、（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）が５［Ｖ］の場合に、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓが例えばｘ［Ｖ］だけ低下したとすると、線形領域の場合（αの矢印）の方が飽和領域の場合（βの矢印）よりも、電圧降下による電流Ｉｄの降下量が小さくなる。したがって、飽和領域で動作させる場合の方が電圧降下による画素電流の変動が小さく、表示品質の劣化が起きにくい。なお、大型の有機ＥＬ表示パネルを備える表示装置であるほど、パネルの周縁と中央部との距離が長くなることで電圧降下量が増えるため、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓの変動は大きくなる。
【００６５】
次に、図７（ａ）において、通常発光時での駆動トランジスタ１１８のドレイン電極とソース電極間の電圧（以下、単に駆動トランジスタ１１８のドレイン−ソース間の電圧と記載する。）をＶｄｓ、駆動トランジスタ１１８のゲート−ソース電極間の電圧をＶｇｓ、有機ＥＬ素子１３の陽極１０５と陰極１０９間の電圧をＶｏｌｅｄと定義して説明を続ける。
【００６６】
通常発光時においては、次の関係式が成り立つ。
Ｖｄｄ−ＧＮＤ＝Ｖｏｌｅｄ＋Ｖｄｓ・・・（ｎ１）
（ｎ１）式を整理すると、以下のようになる。
Ｖｄｓ＝Ｖｄｄ−ＧＮＤ−Ｖｏｌｅｄ・・・（ｎ２）
また、駆動トランジスタ１１８のゲート−ソース電極間の電圧Ｖｇｓは、駆動トランジスタ１１８のゲート電極に入力される最大諧調の映像信号の電圧Ｖｄａｔａ＿ｍａｘを用いて、以下のように表される。
【００６７】
Ｖｇｓ＝Ｖｄａｔａ＿ｍａｘ−（Ｖｏｌｅｄ＋ＧＮＤ）・・・（ｎ３）
上述したように、通常発光時においては駆動トランジスタ１１８を飽和領域で動作させるため、
Ｖｄｓ≧Ｖｇｓ−Ｖｔｈ・・・（ｎ４）
の定義式が成り立つ。ここで、Ｖｔｈは駆動トランジスタ１１８の閾値電圧である。そして、（ｎ４）式に（ｎ２）式および（ｎ３）式を代入すると、
Ｖｄｄ≧Ｖｄａｔａ＿ｍａｘ−Ｖｔｈ・・・（ｎ５）
となる。
【００６８】
次に、図７（ｂ）を参照しながら、エージング工程時における関係式を立てる。エージング工程時での駆動トランジスタ１１８のドレイン電極とソース電極間の電圧をＶｄｓ’、駆動トランジスタ１１８のゲート電極とソース電極間の電圧をＶｇｓ’、有機ＥＬ素子１３の陽極１０５と陰極１０９間の電圧をＶｏｌｅｄ’と定義する。
エージング工程時においては、次の関係式が成り立つ。
【００６９】
Ｖｄｄ’−（−Ｖｘ）＝Ｖｏｌｅｄ’＋Ｖｄｓ’・・・（ｎ６）
（ｎ６）式を整理すると、以下のようになる。
Ｖｄｓ’＝Ｖｄｄ’＋Ｖｘ−Ｖｏｌｅｄ’・・・（ｎ７）
また、駆動トランジスタ１１８のゲート−ソース電極間の電圧Ｖｇｓは、上記Ｖｄａｔａ＿ｍａｘを用いて、以下のように表される。
【００７０】
Ｖｇｓ’＝Ｖｄａｔａ＿ｍａｘ−（Ｖｏｌｅｄ’−Ｖｘ）・・・（ｎ８）
ここでの高輝度発光工程は、駆動トランジスタ１１８を線形領域で動作させる場合であるので、
Ｖｄｓ’＜Ｖｇｓ’−Ｖｔｈ・・・（ｎ９）
の定義式が成り立つ。（ｎ９）式に（ｎ７）式および（ｎ８）式を代入すると、
Ｖｄｄ’＜Ｖｄａｔａ＿ｍａｘ−Ｖｔｈ・・・（ｎ１０）
となる。したがって、（ｎ５）式および（ｎ１０）式より、
Ｖｄｄ’＜Ｖｄｄ
となる。したがって、高輝度発光工程において駆動トランジスタ１１８を線形領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における電源線１２０の電位を、通常発光時における電源線１２０の電位よりも低くすればよいことがわかる。つまり、電源線１２０の電位を通常発光時での電位Ｖｄｄよりも低い電位Ｖｄｄ’にする。
【００７１】
線形領域で動作させた場合の特徴について、図８を用いて説明する。図８におけるＡの矢印で示すように、線形領域で動作させる場合は、駆動トランジスタ１１８の閾値電圧Ｖｔｈが変動したとしても、飽和領域で動作させる場合（Ｂの矢印）と比較して電流Ｉｄの変化量は小さいことがわかる。一方、（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）が５［Ｖ］の場合に、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓが例えばｘ［Ｖ］変化したとすると、飽和領域の場合（βの矢印）よりも線形領域の場合（αの矢印）の方が、それによる電流Ｉｄの変化量が大きくなる。
【００７２】
ここで、閾値電圧Ｖｔｈの変動は、ＴＦＴ層形成時における製造誤差により生じる。また、上述したように、大型の有機ＥＬ表示パネルであるほどドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓの変動は大きくなる。したがって、線形領域での高輝度発光工程は、（ｉ）小型の有機ＥＬ表示パネルを製造する場合、（ｉｉ）製造誤差の大きい低温ポリシリコンで構成されたＴＦＴ層を有する有機ＥＬ表示パネルを製造する場合、および（ｉｉｉ）低温ポリシリコンで構成されたＴＦＴ層を有する小型の有機ＥＬ表示パネルを製造する場合に有効である。
【００７３】
（飽和領域の場合）
飽和領域で動作させる場合においても、線形領域で説明した（ｎ１）〜（ｎ８）式が成り立つ。ここでの高輝度発光工程は、駆動トランジスタ１１８を飽和領域で動作させる場合であるので、
Ｖｄｓ’≧Ｖｇｓ’−Ｖｔｈ・・・（ｎ１１）
の定義式が成り立つ。
【００７４】
（ｎ１１）式に（ｎ７）式および（ｎ８）式を代入すると、
Ｖｄｄ’≧Ｖｄａｔａ＿ｍａｘ−Ｖｔｈ・・・（ｎ１２）
となる。
したがって、（ｎ５）式および（ｎ１２）式より、
Ｖｄｄ’≧Ｖｄｄ
となる。したがって、高輝度発光工程において駆動トランジスタ１１８を飽和領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における電源線１２０の電位を、通常発光時における電源線１２０の電位以上とすればよいことがわかる。つまり、電源線１２０の電位を通常発光時での電位Ｖｄｄと同じにするか、または電位Ｖｄｄよりも高い電位Ｖｄｄ’にする。
【００７５】
飽和領域で動作させた場合の特徴は、線形領域で動作させた場合における特徴と逆の関係にある。すなわち、図８に示すように、（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）が５［Ｖ］の場合にドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓが例えばｘ［Ｖ］変化したとしても、飽和領域の場合（βの矢印）の方が線形領域の場合（αの矢印）よりも、電流Ｉｄの変化量は小さくなる。一方、Ｂの矢印で示すように、飽和領域で動作させる場合は、駆動トランジスタ１１８の閾値電圧Ｖｔｈが変動すると、線形領域で動作させる場合（Ａの矢印）と比較して電流Ｉｄの変化量が大きくなる。
【００７６】
したがって、飽和領域での高輝度発光工程は、（ｉ）大型の有機ＥＬ表示パネルを製造する場合、（ｉｉ）製造誤差の小さいアモルファスシリコンでまたはインジウムガリウム亜鉛酸化物等の酸化物半導体で構成されたＴＦＴ層を有する有機ＥＬ表示パネルを製造する場合、および（ｉｉｉ）上記の半導体材料で構成されたＴＦＴ層を有する大型の有機ＥＬ表示パネルを製造する場合に有効である。
【００７７】
＜まとめ＞
以上説明したように、本実施の態様によれば、高輝度発光工程において通常発光時における最高輝度よりも高輝度で有機ＥＬ素子を発光させることができる。この高輝度発光工程で有機ＥＬ素子のエージング処理を行うことで、従来よりも短期間でエージング処理を終了させることが可能である。また、通常発光時に用いるグラウンド線の電位よりも低い電位のグラウンド線を、充電工程および高輝度発光工程において用いるという簡便な方法であり、複雑な構成の専用装置を必要としない。したがって、充電工程および高輝度発光工程を低コストで行うことができる。
【００７８】
≪実施の態様２≫
実施の態様１においては、いわゆるｎ型コモンカソード型の画素回路を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。本実施の態様においては、駆動トランジスタおよびスイッチングトランジスタをｐ型とするコモンカソード型の画素回路の場合について説明する。
【００７９】
［画素回路］
図９は実施の態様２に係る画素回路１２５の回路構成を示す図である。
図９に示すように、画素回路１２５は、有機ＥＬ素子１３、駆動トランジスタ１２６、スイッチングトランジスタ１２７、電源線１２０、走査線１２１、信号線１２２、容量素子１２８、低電位側電源線ｖｓｓを備える。以下、画素回路１１６（図４）と相違する点にいて中心に説明する。
【００８０】
実施の態様１とは異なり、本実施の態様に係る駆動トランジスタ１２６、スイッチングトランジスタ１２７はｐ型の薄膜トランジスタ素子である。駆動トランジスタ１２６は、画素回路１１６（図４）と同様に有機ＥＬ素子１３と直列に接続されており、「Ｇ」、「Ｓ」および「Ｄ」で示すように、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する。
駆動トランジスタ１２６のソース電極側の端部には、有機ＥＬ素子１３と駆動トランジスタ１２６からなる直列回路に電力を供給する第１電源線としての電源線１２０が接続されている。本実施の態様においても、電源線１２０は高電位側電源回路２１（図１）に接続される。
【００８１】
また、駆動トランジスタ１２６のソース−ゲート間には、容量素子１２８が接続されている。容量素子１２８には、画素回路１１６における容量素子１２３と同等の定格容量を有するものが用いられている。
低電位側電源線ｖｓｓは、駆動トランジスタ１２６のドレイン電極側の端部、すなわち有機ＥＬ素子１３の陰極１０９と電気的に接続される第２電源線である。低電位側電源線ｖｓｓは低電位側電源回路２２（図１）に接続されており、低電位側電源線ｖｓｓの電位は電源線１２０の電位よりも低い。また、低電位側電源線ｖｓｓは、当該低電位側電源線ｖｓｓと陰極１０９との接続部分から有機ＥＬ表示パネル１０の内部に存在する配線を指しており、有機ＥＬ表示パネル１０の外から低電位側電源回路までの配線は含まない。
【００８２】
［エージング工程］
＜充電工程＞
図１０（ａ）は通常発光時における画素回路１２５の動作を説明するための図であり、図１０（ｂ）はエージング工程における画素回路１２５の動作を説明するための図である。
【００８３】
通常発光時における電源線１２０の電位をＶｄｄと定義した場合、本実施の態様の充電工程時においては、電源線１２０の電位をＶｄｄよりも高い電位Ｖｄｄ＋Ｖｘとする。すなわち、充電工程時における電源線１２０の電位Ｖｄｄは、通常発光時に用いる電源線１２０の電位Ｖｄｄとは異なる。
充電工程時における電源線１２０の電位を、通常発光時における電位Ｖｄｄよりも高い電位Ｖｄｄ＋Ｖｘとすることにより、容量素子１２８を通常発光時における電圧の最大値よりも高い電圧で充電することが可能となる。この充電工程により、容量素子１２８の端子間電圧が、通常発光時における駆動トランジスタ１２６のソース−ゲート間電圧の最大値よりも高い電圧となる。なお、エージング工程においても、駆動トランジスタ１２６のゲート電極には通常発光時において使用される範囲の電圧が印加される。この点は実施の態様１と変わりがない。
【００８４】
電源線１２０の電位をＶｄｄ＋Ｖｘとする方法は、実施の態様１と同様である。すなわち、電源線１２０の電位がＶｄｄ＋Ｖｘとなるような電圧を、高電位側電源回路２１が電源線１２０に対し印加することとしている
また、エージング工程中は電源線１２０の電位をＶｄｄ＋Ｖｘとしており、また駆動回路は通常発光時およびエージング工程時を通じて同じ回路が使用されている。そのため、電源線１２０の電位（直列回路への電力供給路としての高電位側の電源線の電位）と駆動回路の高電位側の電源線の電位は異なることになる。すなわち、電源線１２０としてグラウンド線を用いた上で、通常発光時における電源線１２０の電位をグラウンド電位とする場合には、電源線１２０と駆動回路のグラウンドは、エージング工程においては絶縁されていることになる。
【００８５】
＜高輝度発光工程＞
高輝度発光工程においては、実施に態様１の場合と同様に、充電工程において充電された容量素子１２８の充電電圧に基づき、有機ＥＬ素子１３を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる。また、駆動トランジスタ１２６を線形領域で動作させるか、または飽和領域で動作させるかにより、図１０（ｂ）に示すように、低電位側電源線ｖｓｓの電位を通常発光時における電位Ｖｓｓ（図１０（ａ））とは異なる電位Ｖｓｓ’とする場合がある。低電位側電源回路２２が、低電位側電源線ｖｓｓに対してＶｓｓ’の電位の電圧を出力することで、低電位側電源線ｖｓｓの電位を電位Ｖｓｓ’となる。
【００８６】
低電位側電源線ｖｓｓの電位をＶｓｓ’とする場合、低電位側電源線ｖｓｓの電位（直列回路への電力供給路としての低電位側の電源線の電位）と駆動回路の低電位側の電源線の電位は異なることになる。したがって、この場合、低電位側電源線ｖｓｓと駆動回路の低電位側の電源線は、エージング工程においては絶縁されていることになる。
（線形領域の場合）
図１０（ａ）において、通常発光時での駆動トランジスタ１２６のソース電極とドレイン電極間の電圧（以下、単に駆動トランジスタ１２６のソース−ドレイン間の電圧と記載する。）をＶｓｄ、駆動トランジスタ１２６のソース−ゲート電極間の電圧をＶｓｇ、有機ＥＬ素子１３の陽極１０５と陰極１０９間の電圧をＶｏｌｅｄと定義して説明を続ける。
【００８７】
通常発光時においては、次の関係式が成り立つ。
Ｖｄｄ−Ｖｓｓ＝Ｖｏｌｅｄ＋Ｖｓｄ・・・（ｐ１）
（ｐ１）式を整理すると、以下のようになる。
Ｖｓｄ＝Ｖｄｄ−Ｖｓｓ−Ｖｏｌｅｄ・・・（ｐ２）
また、駆動トランジスタ１２６のソース−ゲート電極間の電圧Ｖｓｇは、駆動トランジスタ１２６のゲート電極に入力される最小諧調の映像信号の電圧Ｖｄａｔａ＿ｍｉｎを用いて、以下のように表される。なお、駆動トランジスタ１２６はｐ型であるので、当該トランジスタのゲート電極に入力される映像信号が小さいほど、駆動トランジスタ１２６のソース−ゲート間電圧およびドレインからソースに流れる電流Ｉｄは大きくなる。
【００８８】
Ｖｓｇ＝Ｖｄｄ−Ｖｄａｔａ＿ｍｉｎ・・・（ｐ３）
上述したように、通常発光時においては駆動トランジスタ１２６を飽和領域で動作させるため、
Ｖｓｄ≧Ｖｓｇ＋Ｖｔｈ・・・（ｐ４）
の定義式が成り立つ。そして、（ｐ４）式に（ｐ２）式および（ｐ３）式を代入すると、
Ｖｓｓ≧Ｖｄａｔａ＿ｍｉｎ−Ｖｔｈ−Ｖｏｌｅｄ・・・（ｐ５）
となる。
【００８９】
次に、図１０（ｂ）を参照しながら、エージング工程時における関係式を立てる。エージング工程時での駆動トランジスタ１２６のソース−ドレイン間の電圧をＶｓｄ’、駆動トランジスタ１２６のソース−ゲート間電圧をＶｓｇ’、有機ＥＬ素子１３の陽極１０５と陰極１０９間の電圧をＶｏｌｅｄ’と定義する。
エージング工程時においては、次の関係式が成り立つ。
【００９０】
Ｖｄｄ＋Ｖｘ−Ｖｓｓ’＝Ｖｏｌｅｄ’＋Ｖｓｄ’・・・（ｐ６）
（ｐ６）式を整理すると、以下のようになる。
Ｖｓｄ’＝Ｖｄｄ＋Ｖｘ−Ｖｓｓ’−Ｖｏｌｅｄ’・・・（ｐ７）
また、駆動トランジスタ１２６のソース−ゲート電極間の電圧Ｖｓｇは、上記Ｖｄａｔａ＿ｍｉｎを用いて、以下のように表される。
【００９１】
Ｖｓｇ’＝Ｖｄｄ＋Ｖｘ−Ｖｄａｔａ＿ｍｉｎ・・・（ｐ８）
ここでの高輝度発光工程は、駆動トランジスタ１２６を線形領域で動作させる場合であるので、
Ｖｓｄ’＜Ｖｓｇ’＋Ｖｔｈ・・・（ｐ９）
の定義式が成り立つ。（ｐ９）式に（ｐ７）式および（ｐ８）式を代入すると、
Ｖｓｓ’＞Ｖｄａｔａ＿ｍｉｎ−Ｖｔｈ−Ｖｏｌｅｄ’・・・（ｐ１０）
となる。したがって、（ｐ５）式および（ｐ１０）式より、
Ｖｓｓ’＞Ｖｓｓ
となる。したがって、高輝度発光工程において駆動トランジスタ１２６を線形領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における低電位側電源線ｖｓｓの電位を、通常発光時における低電位側電源線ｖｓｓの電位よりも高くすればよいことがわかる。つまり、低電位側電源線ｖｓｓの電位を通常発光時での電位Ｖｓｓよりも高い電位Ｖｓｓ’にする。
【００９２】
線形領域で動作させた場合の特徴については、実施の態様１で説明したものと同様に説明できる。
図１１は、駆動トランジスタ１２６（ｐ型）のソース−ドレイン間電圧Ｖｓｄと、駆動トランジスタ１２６のドレインからソースに流れる電流Ｉｄの関係を示す図である。図１１では、（Ｖｓｇ−Ｖｔｈ）が−３［Ｖ］と−５［Ｖ］の場合を図示しており、一点鎖線から右側の領域が線形領域、一点鎖線から左側の領域が飽和領域である。なお、電圧Ｖｄｓは横軸に示す矢印方向にいくほど大きくなり、図１１の２本のグラフが横軸と交差する点が０［Ｖ］となっている。
【００９３】
図１１におけるＡ’の矢印で示すように、線形領域で動作させる場合は、駆動トランジスタ１２６の閾値電圧Ｖｔｈが変動したとしても、飽和領域で動作させる場合（Ｂ’の矢印）と比較して電流Ｉｄの変化量は小さいことがわかる。一方、（Ｖｓｇ−Ｖｔｈ）が−５［Ｖ］の場合に、ソース−ドレイン間電圧Ｖｓｄが例えばｘ［Ｖ］変化したとすると、飽和領域の場合（β’の矢印）よりも線形領域の場合（α’の矢印）の方が、それによる電流Ｉｄの変化量が大きくなる。
【００９４】
（飽和領域の場合）
飽和領域で動作させる場合においても、線形領域で説明した（ｐ１）〜（ｐ８）式が成り立つ。ここでの高輝度発光工程は、駆動トランジスタ１２６を飽和領域で動作させる場合であるので、
Ｖｓｄ’≧Ｖｓｇ’＋Ｖｔｈ・・・（ｐ１１）
の定義式が成り立つ。（ｐ１１）式に（ｐ７）式および（ｐ８）式を代入すると、
Ｖｓｓ’≦Ｖｄａｔａ＿ｍｉｎ−Ｖｔｈ−Ｖｏｌｅｄ’・・・（ｐ１２）
となる。したがって、（ｐ５）式および（ｐ１２）式より、
Ｖｓｓ’≦Ｖｓｓ
となる。したがって、高輝度発光工程において駆動トランジスタ１２６を飽和領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における低電位側電源線ｖｓｓの電位を、通常発光時における低電位側電源線ｖｓｓの電位以下とすればよいことがわかる。つまり、低電位側電源線ｖｓｓの電位を通常発光時での電位Ｖｓｓと同じにするか、または電位Ｖｓｓよりも低い電位Ｖｓｓ’にする。
【００９５】
飽和領域で動作させた場合の特徴は、線形領域で動作させた場合における特徴と逆の関係にある。図１１を用いて説明すると、（Ｖｓｇ−Ｖｔｈ）が−５［Ｖ］の場合にソース−ドレイン間電圧Ｖｓｄが例えばｘ［Ｖ］変化したとしても、飽和領域の場合（β’の矢印）の方が線形領域の場合（α’の矢印）よりも、電流Ｉｄの変化量は小さくなる。一方、Ｂ’の矢印で示すように、飽和領域で動作させる場合は、駆動トランジスタ１２６の閾値電圧Ｖｔｈが変動すると、線形領域で動作させる場合（Ａ’の矢印）と比較して電流Ｉｄの変化量が大きくなる。
【００９６】
≪実施の態様３≫
実施の態様１，２においては、いわゆるコモンカソード型の画素回路を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。本実施の態様においては、有機ＥＬ素子の陽極（アノード）が共通電極となっている、いわゆるコモンアノード型の画素回路１２９，１３０の場合について説明する。
【００９７】
［ｎ型コモンアノード］
図１２は実施の態様３に係る画素回路１２９の回路構成を示す図である。
画素回路１２９は、画素回路１１６（図４）と同様に、有機ＥＬ素子１３、駆動トランジスタ１１８、スイッチングトランジスタ１１９、電源線１２０、走査線１２１、信号線１２２、容量素子１２３、グラウンド線ｇｎｄを備える。しかしながら、有機ＥＬ素子１３周辺の接続関係が画素回路１１６とは少し異なる。
【００９８】
駆動トランジスタ１１８およびスイッチングトランジスタ１１９は、画素回路１１６と同じくｎ型の薄膜トランジスタ素子である。駆動トランジスタ１１８は、有機ＥＬ素子１３と直列に接続されており、有機ＥＬ素子１３と駆動トランジスタ１１８とで直列回路を構成している。直列回路における駆動トランジスタ１１８のドレイン電極側の端部、すなわち有機ＥＬ素子１３の陽極１０５には第２電源線としての電源線１２０が接続されている。電源線１２０は高電位側電源回路２１（図１）に接続される。また、駆動トランジスタ１１８のゲート−ソース間には、容量素子１２３が接続されている。
【００９９】
グラウンド線ｇｎｄは、直列回路における駆動トランジスタ１１８のソース電極側の端部と電気的に接続される第１電源線である。また、実施の態様１と同様に、グラウンド線ｇｎｄは低電位側電源回路２２（図１）に接続されており、グラウンド線ｇｎｄの電位は電源線１２０の電位よりも低い。
図１３（ａ）は通常発光時における画素回路１２９の動作を説明するための図であり、図１３（ｂ）はエージング工程における画素回路１２９の動作を説明するための図である。
【０１００】
エージング工程における画素回路１２９の動作は、実施の態様１と略同様である。充電工程時におけるグラウンド線ｇｎｄの電位を、通常発光時におけるグラウンド線ｇｎｄの電位ＧＮＤよりも低い電位−Ｖｘとする。これにより、容量素子１２３が通常発光時における電圧の最大値よりも高い電圧で充電される。
充電工程に続く高輝度発光工程においては、充電工程において充電された容量素子１２３の充電電圧に基づき、有機ＥＬ素子１３を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる。
【０１０１】
さらに、駆動トランジスタ１１８を線形領域で動作させるか飽和領域で動作させるかによっては、エージング工程における電源線１２０の電位を、通常発光時における電位Ｖｄｄとは異なる電位Ｖｄｄ’とする。アノードコモン型の画素回路においても、実施の態様１で説明した（ｎ１）〜（ｎ１２）式をそのまま適用することが可能である。したがって、線形領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における電源線１２０の電位を通常発光時での電位Ｖｄｄよりも低い電位Ｖｄｄ’にする。一方、飽和領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における電源線１２０の電位を通常発光時での電位Ｖｄｄと同じにするか、または電位Ｖｄｄよりも高い電位Ｖｄｄ’にする。
【０１０２】
［ｐ型コモンアノード］
図１４は実施の態様３に係る画素回路１３０の回路構成を示す図である。
画素回路１３０は、画素回路１２５（図９）と同様に、有機ＥＬ素子１３、駆動トランジスタ１２６、スイッチングトランジスタ１２７、電源線１２０、走査線１２１、信号線１２２、容量素子１２８、低電位側電源線ｖｓｓを備える。しかしながら、有機ＥＬ素子１３周辺の接続関係が画素回路１２５とは少し異なる。
【０１０３】
駆動トランジスタ１２６およびスイッチングトランジスタ１２７は、画素回路１２５と同じくｐ型の薄膜トランジスタ素子である。有機ＥＬ素子１３と駆動トランジスタ１２６とで構成される直列回路における駆動トランジスタ１２６のソース電極側の端部、すなわち有機ＥＬ素子１３の陽極１０５には、第１電源線としての電源線１２０が接続されている。電源線１２０は高電位側電源回路２１（図１）に接続される。また、駆動トランジスタ１１８のソース−ゲート間には、容量素子１２８が接続されている。
【０１０４】
低電位側電源線ｖｓｓは、直列回路における駆動トランジスタ１１８のドレイン電極側の端部と電気的に接続される第２電源線である。また、実施の態様２と同様に、低電位側電源線ｖｓｓは低電位側電源回路２２（図１）に接続されており、低電位側電源線ｖｓｓの電位は電源線１２０の電位よりも低い。
図１５（ａ）は通常発光時における画素回路１３０の動作を説明するための図であり、図１５（ｂ）はエージング工程における画素回路１３０の動作を説明するための図である。
【０１０５】
エージング工程における画素回路１３０の動作は、実施の態様２と略同様である。充電工程時における電源線１２０の電位を、通常発光時における電位Ｖｄｄよりも高い電位Ｖｄｄ＋Ｖｘとする。これにより、容量素子１２８が通常発光時における電圧の最大値よりも高い電圧で充電される。
充電工程に続く高輝度発光工程においては、充電工程において充電された容量素子１２８の充電電圧に基づき、有機ＥＬ素子１３を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる。
【０１０６】
さらに、駆動トランジスタ１２６を線形領域で動作させるか飽和領域で動作させるかによっては、エージング工程における低電位側電源線ｖｓｓの電位を、通常発光時における電位Ｖｓｓとは異なる電位Ｖｓｓ’とする。アノードコモン型の画素回路においても、実施の態様２で説明した（ｐ１）〜（ｐ１２）式をそのまま適用することが可能である。したがって、線形領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における低電位側電源線ｖｓｓの電位を、通常発光時での電位Ｖｓｓよりも高い電位Ｖｓｓ’にする。一方、飽和領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における低電位側電源線ｖｓｓの電位を、通常発光時での電位Ｖｓｓと同じにするか、または電位Ｖｓｓよりも低い電位Ｖｓｓ’にする。
【０１０７】
［変形例・その他］
以上、実施の態様１〜３について説明したが、本発明は上記の実施の態様に限られない。例えば、以下のような変形例等が考えられる。
（１）上記の実施の態様では、充電工程および高輝度発光工程により、有機ＥＬ素子に対してエージング処理を行うこととしたが、本発明はこれに限定されない。背景技術の項で説明した滅点検査に本発明を適用することで、滅点検査に要する時間の短縮化を図ることが可能である。エージング工程および滅点検査以外でも、有機ＥＬ素子を高輝度で発光させることにより処理速度向上が期待される点灯検査等に広く適用することができる。
【０１０８】
（２）実施の態様１のエージング工程においては、低電位側電源回路がグラウンド線ｇｎｄに与える電位を−Ｖｘに切り替えることで、グラウンド線ｇｎｄの電位が−Ｖｘとなるようにしたが、本発明はこれに限定されない。
例えば、グラウンド線ｇｎｄに−Ｖｘの電位を与えるエージング工程用電源回路を低電位側電源回路とは別に準備し、エージング工程用電源回路をエージング工程中のみ有機ＥＬ表示パネル１０に接続することで、グラウンド線ｇｎｄに−Ｖｘの電位を与えることとしてもよい。この場合、エージング工程が終了したら、エージング工程用電源回路と通常発光時に用いる低電位側電源回路とをつなぎ変えることになる。また、エージング工程用電源回路を用いる場合、有機ＥＬ素子における電極対のうちグラウンド線（第１電源線）と接続されている側の電極、すなわち陰極は各有機ＥＬ素子間で共通に設けられていることが望ましい。このようにすることで、エージング工程用電源回路から有機ＥＬ素子の個数分のプローブを設けた上で、エージング工程用電源回路と各有機ＥＬ素子とを接続するといった手間が不要となる。したがって、エージング工程の簡略化を図ることが可能である。ここでは実施の態様１の場合を例に挙げて説明したが、実施の態様２〜４についても、電極対のうち第１電源線と接続されている側の電極を共通電極とすることで、上記の効果を得ることができる。
【０１０９】
（３）上記の実施の態様においては、有機ＥＬ表示装置の製造方法を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、単一の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ照明等の発光装置であって、調光タイプ等の駆動トランジスタを有するタイプの発光装置に対しても本発明を適用することが可能である。
（４）ｎ型カソードコモン（図４，７）およびｎ型アノードコモン（図１２，１３）の画素回路についての実施態様においては、充電工程および高輝度発光工程の両工程でグラウンド線の電位を通常発光時よりも下げることとしたが、本発明はこれに限定されない。最低限、充電工程においてグラウンド線の電位を通常発光時よりも下げていれば足りる。また、電源線の電位を通常発光時と異なる電位にすることについても、最低限、高輝度発光工程においてなされていれば足りる。
【０１１０】
一方、ｐ型カソードコモン（図９，１０）およびｎ型アノードコモン（図１４，１５）の画素回路についての実施態様においても、充電工程および高輝度発光工程の両工程で高電位側の電源線の電位を通常発光時よりも上げることとしたが、本発明はこれに限定されない。最低限、充電工程において高電位側の電源線の電位を通常発光時よりも上げていれば足りる。また、低電位側の電源線の電位を通常発光時と異なる電位にすることについても、最低限、高輝度発光工程においてなされていれば足りる。
【０１１１】
（５）上記の実施の態様においては、有機ＥＬ素子を発光素子として備える有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。本発明は、製造工程中においてエージング工程や滅点検査等が行われる発光素子を有する表示装置全般に適用することができる。
（６）エージング処理時においては、有機ＥＬ表示パネルの表示領域を構成する有機ＥＬ素子の全てを点灯させることとしてもよいし（全面点灯）、表示領域を構成する有機ＥＬ素子の一部を順に発光させていくこととしてもよい（一部点灯）。
【０１１２】
図１６は、表示領域の一部点灯によるエージング処理の概略を説明するための図である。図１６（ａ）は従来の充電工程を経た場合のイメージ図であり、（ｂ）本発明の充電工程を経た場合のイメージ図である。各図において、最も外側の枠は有機ＥＬ表示パネル１０全体を示しており、その内側の枠は表示領域１１（図２，３）の外枠を示している。
図１６（ａ）における表示領域１１のうち、黒く塗りつぶされている非発光領域１８は発光させていない領域、換言すると最小階調（０階調）の映像信号が入力されている領域を示している。ハッチングが入っている発光領域１７は最大諧調の映像信号が入力されている領域であり、通常発光時における最高輝度の領域である。このように、従来例の充電工程を経た場合には、黒色表示の非発光領域１８の中を高輝度の発光領域１７が移動することになる。
【０１１３】
一方、図１６（ｂ）におけるハッチングが入っていない発光領域３１は、本発明の充電工程を経たことにより、通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光している領域である。ハッチングが入っている非発光領域３２は最小階調（０階調）の映像信号が入力されている領域である。しかしながら、上記の実施の態様で説明したように第１電源線を通常発光時における電位と異なる電位としているため、非発光領域３２では入力されている映像信号が最小階調であるが、黒色表示とはならずに灰色表示となる。非発光領域３２は、従来例における発光領域１７よりは低輝度ではあるものの、非発光領域１８よりは高輝度である。したがって、主にエージング処理を行っている発光領域３１が従来よりも高輝度であることに加え、従来ではエージング処理が行われていなかった領域においてもエージング処理が行われるので、エージング処理に要する時間を大幅に短縮することが可能である。
【０１１４】
なお、一部点灯によるエージング処理の効果としては、全面点灯の場合と比較して、表示領域１１内におけるエージング処理進行度の均一化を図ることができる点が挙げられる。上述したように、有機ＥＬ表示装置では表示領域の周縁部から中央部に向かうにつれて共通電極において電圧降下が生じるが、一部点灯とすることで発光領域１７，３１内における電圧降下量が低減される。この結果、発光領域１７，３１内における輝度差を小さくすることができ、エージング処理進行度の均一化が図られる。
【０１１５】
（７）一部点灯によるエージング処理を行う例として、図１６では発光領域の形状を表示領域１１の上端から下端に向かって延びる帯状としたが、本発明はこれに限定されない。
図１７は、表示領域１１における発光領域の形状に係る変形例を示す図である。図１７（ａ）に示す発光領域３１Ａのように、表示領域１１の左端から右端の向かって延びる帯状としてもよい。なお、図１６，図１７（ａ）においては発光領域が１個であったが、複数個とすることもできる。
【０１１６】
また、図１７（ｂ）に示す発光領域３１Ｂのように、ブロック形状としてもよいし、図１７（ｃ）に示す発光領域３１Ｃのように、斜め方向に延びる帯状としてもよい。さらに、図１７（ｄ）に示す発光領域３１Ｄのように、ウサギの図柄としてもよい。図１７（ｄ）にはウサギの図柄を示しているが、これは単なる一例である。ウサギのほか、例えば、イヌ、ネコ、カタツムリ、ヒマワリ等の図柄とすることもできる。発光領域の形状を図柄とすることで、エージング処理を行っている作業員の居眠り防止の一助となる。
【０１１７】
（８）上記の実施の態様においては、トップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルを例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。ＴＦＴ基板１０１（図３）側を表示面とするいわゆるボトムエミッション型であってもよい。
（９）有機ＥＬ表示装置について、有機ＥＬ表示パネルに対する駆動制御部の配置や接続関係、および駆動制御部に含まれる回路については、図１に示すものに限られない。
【０１１８】
（１０）上記の実施の態様においては、有機ＥＬ表示パネルをＲ，Ｇ，Ｂを発光色とするカラー表示のパネルであるとしたが、本発明はこれに限定されない。有機ＥＬ表示パネルを、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色およびその他単色の有機ＥＬ素子が複数配列されてなる表示パネルとしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
本発明の表示装置の製造方法等は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種ディスプレイ、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に用いられる有機ＥＬ表示装置等の製造方法等に好適に利用可能である。
【符号の説明】
【０１２０】
１ 有機ＥＬ表示装置
１０ 有機表示パネル
１１ 表示領域
１２ 周辺領域
１３、１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂ サブピクセル（有機ＥＬ素子）
１４ 画素
１５ ＥＬ基板
１６ ＣＦ基板
１７ 発光領域
１８ 非発光領域
２０ 駆動制御部
２１ 高電位側電源回路
２２ 低電位側電源回路
２３ 走査線駆動回路
２４ 信号線駆動回路
２５ 制御回路
３０ エージング装置
３１、３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃ、３１Ｄ 発光領域
３２ 非発光領域
１０１ ＴＦＴ基板
１０２ 引き出し電極
１０３ パッシベーション層
１０４ 層間絶縁膜
１０５ 陽極
１０６ バンク
１０７、１０７Ｒ、１０７Ｇ、１０７Ｂ 有機発光層
１０８ 電子輸送層
１０９ 陰極
１１０ 封止膜
１１１ ガラス基板
１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂ カラーフィルター
１１３、１１４ ブラックマトリクス
１１５ シール材
１１６、１２５、１２９、１３０ 画素回路
１１７ ＴＦＴ層
１１８、１２６ 駆動トランジスタ
１１９、１２７ スイッチングトランジスタ
１２０ 電源線
１２１ 走査線
１２２ 信号線
１２３、１２８ 容量素子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法、および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、固体蛍光性物質の電界発光現象を利用した発光素子である有機ＥＬ素子の研究・開発が進んでいる。ＴＦＴ基板上に有機ＥＬ素子を行列状に複数配列した表示領域を有する有機ＥＬ表示装置は、自発光を行う有機ＥＬ素子を利用するため視認性が高く、さらに完全固体素子であるため耐衝撃性に優れる等の特徴を有する。有機ＥＬ素子は電流駆動型の発光素子であり、陽極および陰極の電極対の間に、キャリアの再結合による電界発光現象を行う有機発光層等を積層して構成される。また、上記ＴＦＴ基板には、表示領域を駆動するための駆動素子として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置の製造工程には、陽極と陰極との間に電流を流すエージング処理（特許文献１）や、当該表示装置内における滅点数を検査する滅点検査等のように、有機ＥＬ素子を高輝度で発光させる高輝度発光工程が含まれる。これらの発光工程は、エージング処理に要する時間や、滅点数のカウントに要する時間の短縮を目的として、通常発光時における最大輝度で行われることが多い。
【０００４】
有機ＥＬ素子は、当該素子の製造後の使用当初に急峻な輝度低下があり、その後、安定的に輝度が低下する安定状態が続くという特性を有するものがある。このため、エージング処理において電極対間に流す電流量を増やす、すなわち有機ＥＬ素子を高輝度で強制的に発光させることにより、安定状態により早く移行させることができる結果、エージング処理に要する時間が短縮される。一方、滅点数のカウントは一般的に高精細ＣＣＤカメラで読み取ることにより行われる。しかし、ＣＣＤカメラは高精細であるほど感度が低下するため、単位時間あたりに検査可能な有機ＥＬ素子の数は減少する。そこで、有機ＥＬ素子の高輝度発光によって感度の低さを補うことで、滅点検査に要する時間の短縮が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２９７５６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
エージング処理および滅点検査に要する時間のさらなる短縮化の要請から、高輝度発光工程における発光素子のさらなる発光輝度向上が求められている。
本発明は、高輝度発光工程において、通常発光時における最大輝度よりも高輝度で発光素子を発光させることが可能な表示装置の製造方法等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様である表示装置の製造方法は、発光素子と、前記発光素子に直列に接続され、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する駆動トランジスタと、前記ゲート電極と前記ソース電極間に接続された容量素子と、前記発光素子と前記駆動トランジスタからなる直列回路の両端にそれぞれ接続され、前記直列回路に電力を供給するための第１および第２電源線と、を備え、前記第１電源線が前記直列回路の前記ソース電極側の端部に電気的に接続され、前記第２電源線が前記直列回路の前記ドレイン電極側の端部に電気的に接続された表示装置の製造方法であって、前記第１電源線の電位を、前記ゲート電極と前記ソース電極間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位にすることにより、前記容量素子を通常発光時よりも高い電圧で充電する充電工程と、前記充電工程において充電された前記容量素子の充電電圧に基づき、前記発光素子を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様である表示装置の製造方法では、まず充電工程において、第１電源線の電位を、通常発光時と異なり、かつゲート電極とソース電極間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位にすることにより、容量素子を通常発光時における電圧の最大値よりも高い電圧で充電する。これにより、容量素子の端子間電圧を、通常発光時における最高輝度で発光させる場合に容量素子に充電される充電電圧よりも高い充電電圧とすることができる。この結果、充電工程に続く高輝度発光工程では、充電工程において充電された容量素子の充電電圧に基づき、発光素子を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させることが可能となる。
【０００９】
したがって、本発明の一態様によれば、高輝度発光工程において、通常発光時における最大輝度よりも高輝度で発光素子を発光させることが可能な表示装置の製造方法等を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の態様１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成を示す図である。
【図２】実施の態様１に係る有機ＥＬ表示パネル１０の構成を示す平面図である。
【図３】実施の態様１に係る有機ＥＬ表示パネル１０の構成を示す部分断面図である。
【図４】画素回路１１６の回路構成の一例を示す図である。
【図５】実施の態様１に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法を示すフローチャートである。
【図６】有機ＥＬ素子の積算駆動時間に対する輝度の変化を示すグラフである。
【図７】（ａ）通常発光時における画素回路１１６の動作を説明するための図と、（ｂ）エージング工程における画素回路１１６の動作を説明するための図である。
【図８】駆動トランジスタ１１８（ｎ型）のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓと、駆動トランジスタ１１８のドレインからソースに流れる電流Ｉｄの関係を示す図である。
【図９】実施の態様２に係る画素回路１２５の回路構成を示す図である。
【図１０】（ａ）通常発光時における画素回路１２５の動作を説明するための図と、（ｂ）エージング工程における画素回路１２５の動作を説明するための図である。
【図１１】駆動トランジスタ１２６（ｐ型）のソース−ドレイン間電圧Ｖｓｄと、駆動トランジスタ１２６のドレインからソースに流れる電流Ｉｄの関係を示す図である。
【図１２】実施の態様３に係る画素回路１２９の回路構成を示す図である。
【図１３】（ａ）通常発光時における画素回路１２９の動作を説明するための図と、（ｂ）エージング工程における画素回路１２９の動作を説明するための図である。
【図１４】実施の態様３に係る画素回路１３０の回路構成を示す図である。
【図１５】（ａ）通常発光時における画素回路１３０の動作を説明するための図と、（ｂ）エージング工程における画素回路１３０の動作を説明するための図である。
【図１６】表示領域の一部点灯によるエージング処理の概略を説明するための図である。
【図１７】表示領域１１における発光領域の形状に係る変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
≪本発明の一態様の概要≫
本発明の一態様に係る表示装置の製造方法は、発光素子と、前記発光素子に直列に接続され、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する駆動トランジスタと、前記ゲート電極と前記ソース電極間に接続された容量素子と、前記発光素子と前記駆動トランジスタからなる直列回路の両端にそれぞれ接続され、前記直列回路に電力を供給するための第１および第２電源線と、を備え、前記第１電源線が前記直列回路の前記ソース電極側の端部に電気的に接続され、前記第２電源線が前記直列回路の前記ドレイン電極側の端部に電気的に接続された表示装置の製造方法であって、前記第１電源線の電位を、前記ゲート電極と前記ソース電極間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位にすることにより、前記容量素子を通常発光時よりも高い電圧で充電する充電工程と、前記充電工程において充電された前記容量素子の充電電圧に基づき、前記発光素子を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光工程と、を含む。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、前記駆動トランジスタはｎ型であり、前記第１電源線の電位は前記第２電源線の電位よりも低く、少なくとも前記充電工程においては、前記第１電源線の電位を通常発光時よりも低くする。
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第２電源線の電位を通常発光時における前記第２電源線の電位よりも低くする。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第２電源線の電位を通常発光時における前記第２電源線の電位以上とする。
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、前記駆動トランジスタはｐ型であり、前記第１電源線の電位は前記第２電源線の電位よりも高く、少なくとも前記充電工程においては、前記第１電源線の電位を通常発光時よりも高くする。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第２電源線の電位を通常発光時における前記第２電源線の電位よりも高くする。
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第２電源線の電位を通常発光時における前記第２電源線の電位以下とする。
【００１５】
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、前記高輝度発光工程により、前記発光素子のエージング処理を行う。
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、前記充電工程および前記高輝度発光工程において、前記駆動トランジスタの前記ゲート電極には、通常発光時において使用される範囲の電圧が印加される。
【００１６】
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、前記表示装置は、前記充電工程において、さらに、信号線と、前記信号線に映像信号を与える信号線駆動回路と前記信号線と前記容量素子との間の導通および非導通を切り替えるスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタのゲート電極に接続された走査線と、前記スイッチングトランジスタに対する制御信号を前記走査線に与える走査線駆動回路と、を備え、前記充電工程は、前記信号線駆動回路と前記走査線駆動回路を用いて行われる。
【００１７】
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、前記発光素子は有機ＥＬ素子である。
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、前記表示装置は、前記発光素子が行列状に複数配列されてなる。
本発明の一態様に係る表示装置は、発光素子と、前記発光素子に直列に接続され、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する駆動トランジスタと、前記ゲート電極と前記ソース電極間に接続された容量素子と、前記発光素子と前記駆動トランジスタからなる直列回路に電力を供給する第１および第２電源線と、信号線と、前記信号線に映像信号を与える信号線駆動回路と、前記信号線と前記容量素子との間の導通および非導通を切り替えるスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタのゲート電極に接続された走査線と、前記スイッチングトランジスタに対する制御信号を前記走査線に与える走査線駆動回路と、を備え、前記第１電源線が前記ソース電極に電気的に接続され、前記第２電源線が前記ドレイン電極に電気的に接続された表示装置であって、前記発光素子を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光時において、前記第１電源線は、前記信号線駆動回路のグラウンドおよび前記走査線駆動回路のグラウンドと絶縁されているとともに、通常発光時と異なる電位を前記第１電源線に与える電源回路に接続されている。
【００１８】
また、本発明の一態様に係る表示装置の特定の局面では、前記発光素子が行列状に複数配列されてなるとともに、各発光素子は、前記第１および第２電源線から電力供給を受ける電極対を含み、前記電極対を構成する電極のうち、前記高輝度発光時において前記第１電源線と接続されている側の電極は各発光素子間で共通に設けられている。
≪実施の態様１≫
［有機ＥＬ表示装置］
図１は、実施の態様１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成を示す図であり、図２は、実施の態様１に係る有機ＥＬ表示パネル１０の構成を示す平面図（ＸＹ平面図）である。
【００１９】
図１に示す有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０、これに接続された駆動制御部２０を備えており、ディスプレイ、テレビ、携帯電話等に用いられる。
図２に示す有機ＥＬ表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した表示パネルであり、表示領域１１、表示領域１１を取り囲む周辺領域１２からなる。表示領域１１は複数の有機ＥＬ素子１３が、ＸＹ方向に（行列状に）複数配列されてなる。図２においては、赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の各色に対応する有機ＥＬ素子をそれぞれサブピクセル１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂとして示しており、１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの３つのサブピクセルの組み合わせ１４が、１画素に相当する。以下、１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの３つのサブピクセルの組み合わせを、単に、画素１４と記載する。
【００２０】
図１に戻り、駆動制御部２０は、高電位側電源回路２１、低電位側電源回路２２、走査線駆動回路２３、信号線駆動回路２４、制御回路２５とから構成され、各有機ＥＬ素子１３が備えるＴＦＴを制御する。制御回路２５は、外部から入力される外部信号を基に、各画素１４のＴＦＴを駆動制御するための制御信号を生成する。
［有機ＥＬ表示パネル］
図３は、実施の態様１に係る有機ＥＬ表示パネル１０の構成を示す部分断面図（ＺＸ断面図）である。図３に示す部分断面図は図２におけるＡ−Ａ’断面図に相当し、図２に示す平面図は図３におけるＢ−Ｂ’線矢視断面図に相当する。
【００２１】
有機ＥＬ表示パネル１０は、同図上側を表示面とする、いわゆるトップエミッション型である。有機ＥＬ表示パネル１０は、有機ＥＬ素子が形成されたＥＬ基板１５と、カラーフィルターが形成されたＣＦ基板１６とが、シール材１１５により接合されてなる。
ＥＬ基板１５は、その主な構成として、ＴＦＴ基板１０１、引き出し電極１０２、パッシベーション層１０３、層間絶縁膜１０４、陽極１０５、バンク１０６、有機発光層１０７、電子輸送層１０８、陰極１０９、封止膜１１０を備える。陽極１０５と陰極１０９からなる電極対、および当該電極対に挟まれた積層体が有機ＥＬ素子１３に相当する。
【００２２】
一方、ＣＦ基板１６は、その主な構成として、ガラス基板１１１、カラーフィルター１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂ、ブラックマトリクス１１３，１１４を備える。
＜ＴＦＴ基板１０１＞
ＴＦＴ基板１０１は、有機ＥＬ表示パネル１０の背面基板であり、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料の何れかを用いて形成することができる。
【００２３】
ＴＦＴ基板１０１の表面には、有機ＥＬ表示パネル１０をアクティブマトリクス方式で駆動するためのＴＦＴが形成されたＴＦＴ層が存在する。ＴＦＴは陽極１０５と接続される。ＴＦＴは、チャネル材料にアモルファスシリコンや低温ポリシリコンを用いたものでも、インジウムガリウム亜鉛酸化物等の酸化物半導体を用いたものでも、ペンタセン等の有機半導体を用いたものでもよい。
【００２４】
＜引き出し電極１０２＞
引き出し電極１０２は、ＴＦＴ基板１０１表面に形成されたＴＦＴに対して、外部より電力を供給するための配線である。
＜パッシベーション層１０３＞
パッシベーション層１０３は、ＴＦＴおよび引き出し電極１０２を被覆して保護する目的で設けられているものであり、例えば、ＳｉＯ（酸化シリコン）、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）等の薄膜で構成される。
【００２５】
＜層間絶縁膜１０４＞
層間絶縁膜１０４は、引き出し電極１０２およびパッシベーション層１０３が配設されたことにより生じるＴＦＴ基板１０１における表面段差を、平坦に調整する目的で設けられる。層間絶縁膜１０４は、例えば、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料で構成される。
【００２６】
＜陽極１０５＞
層間絶縁膜１０４の上には、画素１４毎に陽極１０５が形成されている。陽極１０５は、例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等で形成することができる。陽極１０５は、サブピクセル１３に対応するようにＸＹ方向に行列状に形成されている。
【００２７】
＜バンク１０６＞
バンク１０６は、有機発光層１０７の形成領域を区画する目的で設けられているものである。バンク１０６の材料としては、絶縁性の有機材料、例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等が選択される。
＜有機発光層１０７＞
バンク１０６で区画された領域には、陽極１０５と陰極１０９からなる電極対の間に介挿されるように有機発光層１０７が形成されている。有機発光層１０７は、キャリア（正孔と電子）の再結合による発光を行う部位である。Ｒに対応する区画には、Ｒに対応する有機発光材料を含む有機発光層１０７Ｒが、Ｇに対応する区画には、Ｇに対応する有機発光材料を含む有機発光層１０７Ｇ、Ｂに対応する区画には、Ｂに対応する有機発光材料を含む有機発光層１０７Ｂが形成される。
【００２８】
有機発光層１０７として用いることが可能な材料としては、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレンや、例えば、特許公開公報（特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げられる。
【００２９】
＜電子輸送層１０８＞
電子輸送層１０８は、陰極１０９から注入された電子を有機発光層１０７へ輸送する機能を有する。電子輸送層１０８に用いる材料としては、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム等が挙げられる。
＜陰極１０９＞
電子輸送層１０８の上には陰極１０９が形成されている。図３に示すように、陰極１０９は電子輸送層１０８の上面全体に亘って形成されていることにより、複数の画素間で共通に設けられている。有機ＥＬ表示パネル１０はトップエミッション型であるため、陰極１０９には、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等の透明電極材料が用いられている。
【００３０】
＜封止膜１１０＞
陰極１０９の上には、有機発光層１０７が水分や空気等に触れて劣化することを抑制する目的で封止膜１１０が設けられる。有機ＥＬ表示パネル１０はトップエミッション型であるため、封止膜１１０の材料としては、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の透光性材料を用いる必要がある。
【００３１】
＜ガラス基板１１１＞
ガラス基板１１１は、有機ＥＬ表示パネル１０における表示面基板である。有機ＥＬ表示パネル１０はトップエミッション型であるため、ガラス基板１１１に用いる材料は、良好な透明性を有している必要がある。
＜カラーフィルター１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂ＞
カラーフィルター１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂは、それぞれ、ＥＬ基板１５側に形成されている有機発光層１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂの位置に合わせて配設されている。カラーフィルター１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂは、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する波長の可視光を透過する透明層であって、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等で構成されている。
【００３２】
＜ブラックマトリクス１１３，１１４＞
ブラックマトリクス１１３，１１４は、有機ＥＬ表示パネル１０の表示面への外光の照り返しや外光の入射を防止し、表示コントラストを向上させる目的で設けられる黒色層である。ブラックマトリクス１１３，１１４は、例えば、光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料等で構成される。
【００３３】
＜シール材１１５＞
周辺領域１２には、ＥＬ基板１５とＣＦ基板１６とを接合するためのシール材１１５が配設されている。シール材１１５は、緻密な樹脂材料で構成されており、このような材料としては、例えばシリコーン樹脂等を挙げることができる。
＜その他＞
陽極１０５と有機発光層１０７との間に、さらに、正孔注入層を設けられることもある。正孔注入層は、陽極１０５から有機発光層１０７への正孔の注入を促進させる目的で設けられるものである。正孔注入層としては、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）等の酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）等の導電性ポリマー材料を用いることができる。
【００３４】
また、陽極１０５と正孔注入層との間に、各層間の接合性を良好にする目的でＩＴＯ層またはＩＺＯ層が設けられることもある。
さらに、電子輸送層１０８と陰極１０９との間に、陰極１０９から有機発光層１０７への電子注入性を向上させる目的で電子注入層が設けられることもある。電子注入層としては、例えば、電子注入性を有する有機材料にアルカリ金属またはアルカリ土類金属を混合させたものを用いることができる。電子注入性を有する有機材料としては、例えば、特開平５−１６３４８８号公報に記載のニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体等を用いることができる。
【００３５】
［画素回路］
図４は、１つの有機ＥＬ素子１３（サブピクセル１３）を構成する回路１１６（以下、単に画素回路１１６と記載する。）の回路構成を示す図である。ここでは、２個のトランジスタと１個の容量からなる、いわゆる２Ｔｒ１Ｃの画素回路を示している。また、画素回路１１６は、有機ＥＬ素子１３の陰極（カソード）１０９が共通電極となっている、いわゆるコモンカソード型の画素回路である。
【００３６】
図４に示すように、画素回路１１６は、有機ＥＬ素子１３、駆動トランジスタ１１８、スイッチングトランジスタ１１９、電源線１２０、走査線１２１、信号線１２２、容量素子１２３、グラウンド線ｇｎｄを備える。図４中の１０５，１０７，１０９で示した部分は、それぞれ、図２において説明した陽極１０５，有機発光層１０７，陰極１０９に対応し、上述したように陽極１０５，有機発光層１０７，陰極１０９からなる積層体が有機ＥＬ素子１３である。
【００３７】
駆動トランジスタ１１８およびスイッチングトランジスタ１１９は、ｎ型の薄膜トランジスタ素子である。すなわち、図４に示す画素回路１１６は、ｎ型コモンカソードの画素回路である。また、ＴＦＴ基板１０１に形成されていると述べたＴＦＴは、具体的には駆動トランジスタ１１８とスイッチングトランジスタ１１９とを指している。図４において、１１７の一点鎖線で囲った領域は、ＴＦＴ基板１０１に含まれるＴＦＴ層に形成されている回路を示している。
【００３８】
駆動トランジスタ１１８は、有機ＥＬ素子１３と直列に接続されており、有機ＥＬ素子１３と駆動トランジスタ１１８とで直列回路を構成している。以下、有機ＥＬ素子１３と駆動トランジスタ１１８からなる直列回路を、単に直列回路と記載する。図４において「Ｇ」、「Ｓ」および「Ｄ」で示すように、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する。スイッチングトランジスタ１１９は、信号線１２２と容量素子１２３との間の導通および非導通を切り替えるものである。
【００３９】
直列回路における駆動トランジスタ１１８のドレイン電極側の端部には電源線１２０が接続されている。電源線１２０は直列回路に電力を供給する。電源線１２０は各行に１本ずつ設けられており、複数の画素１４は行単位で共通の電源線１２０に接続されている。例えば、水平画素数が１９２０、垂直画素数が１０８０のパネルであれば、電源線は１０８０本設けられており、１９２０画素が１本の電源線に共通に接続されている。一方、陰極１０９は、複数の画素１４で共通に設けられており、複数の画素１４は全画素共通に陰極１０９に接続されている。例えば、ＦＨＤ（Ｆｕｌｌ Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）のパネルであれば、約２００万画素が１枚の陰極１０９に共通に接続されている。
【００４０】
また、電源線１２０は、駆動制御部２０の内部に含まれる高電位側電源回路２１（図１）に接続され、電源線１２０は高電位側電源回路２１から電源電圧の供給を受ける。
スイッチングトランジスタ１１９のゲート電極には、走査線１２１が接続される。走査線１２１には走査線駆動回路２３が接続されており、走査線駆動回路２３は、スイッチングトランジスタ１１９に対する制御信号を走査線に与える。
【００４１】
信号線１２２には信号線駆動回路２４が接続されており、信号線駆動回路２４は信号線１２２に対し映像信号を与える。映像信号は、スイッチングトランジスタ１１９を介して駆動トランジスタ１１８のゲート電極に入力される。以下、走査線駆動回路２３と信号線駆動回路２４を総じて、単に駆動回路と記載する。
駆動トランジスタ１１８のゲート電極とソース電極の間（以下、単に駆動トランジスタ１１８のゲート−ソース間と記載する。）には、容量素子１２３が接続されている。容量素子１２３には、駆動トランジスタ１１８のゲート電極に最大諧調の映像信号が入力された場合（通常発光時における最大輝度で有機ＥＬ素子１３を発光させる場合）における、駆動トランジスタ１１８のゲート−ソース間に蓄積される静電容量よりも大きい定格容量を有するものが用いられている。
【００４２】
グラウンド線ｇｎｄは、直列回路における駆動トランジスタ１１８のソース電極側の端部、すなわち有機ＥＬ素子１３の陰極１０９と電気的に接続されている。つまり、グラウンド線ｇｎｄと電源線１２０は、上記直列回路の両端にそれぞれ接続されており、各々は当該直列回路に電力を供給するための第１電源線、第２電源線に相当する。また、グラウンド線ｇｎｄは駆動制御部２０の内部に含まれる低電位側電源回路２２（図１）に接続されており、グラウンド線ｇｎｄの電位は電源線１２０の電位よりも低い。さらに、陰極１０９および陽極１０５は、グラウンド線ｇｎｄおよび電源線１２０から電力供給を受ける電極対に相当する。
【００４３】
ここで、電源線１２０は、有機ＥＬ表示パネル１０内に引き回されている高電位側の電源線を指しており、有機ＥＬ表示パネル１０の外から高電位側電源回路までの高電位側の電源線は含まない。また、グラウンド線ｇｎｄは、当該グラウンド線ｇｎｄと陰極１０９との接続部分から有機ＥＬ表示パネル１０の内部に存在する低電位側電源線を指しており、有機ＥＬ表示パネル１０の外から低電位側電源回路までの低電位側電源線は含まない。
【００４４】
画素回路１１６はより正確には、サブピクセル１３Ｒに対応する画素回路１１６Ｒと、サブピクセル１３Ｇに対応する画素回路１１６Ｇと、サブピクセル１３Ｂに対応する画素回路１１６Ｂとがある。画素回路１１６Ｒには有機発光層１０７Ｒが、画素回路１１６Ｇには有機発光層１０７Ｇが、画素回路１１６Ｂには有機発光層１０７Ｂがそれぞれ形成されている。すなわち、画素回路１１６Ｒ，１１６Ｇ，１１６Ｂは、有機発光層１０７を除いて同じ回路構成である。
【００４５】
［有機ＥＬ表示装置の製造方法］
図５は、実施の態様１に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法を示すフローチャートである。以下、有機ＥＬ表示装置１の製造方法について、図１，３も併せて参照しながら説明する。
まず、一方の面にＴＦＴ層を形成したＴＦＴ基板１０１（図３）を準備し（ステップＳ１０１）、各ＴＦＴを配線で接続するように引き出し電極１０２（図３）を形成する（ステップＳ１０２）。ステップＳ１０２を終えたＴＦＴ基板１０１をチャンバー内に載置し、パッシベーション層１０３（図３）を蒸着法等の薄膜法により形成する（ステップＳ１０３）。
【００４６】
次に、パッシベーション層１０３上に、ディスペンス法等により層間絶縁膜１０４（図３）を形成する（ステップＳ１０４）。そして、ステップＳ１０４を終えたＴＦＴ基板１０１を再度チャンバー内に導入し、スパッタリング法により陽極１０５（図３）を成膜する（ステップＳ１０５）。
次に、形成した陽極１０５の上に、バンク１０６（図３）をフォトリソグラフィー法により形成する（ステップＳ１０６）。そして、バンク１０６で区画された領域に、インクジェット装置を用いたウェットプロセスにより、有機発光層１０７（図３）を形成する（ステップＳ１０７）。具体的には、有機発光層１０７を構成する有機発光材料が溶媒に分散されてなるインクを、バンク１０６で区画された領域に塗布する。塗布後、これを乾燥させることで有機発光層１０７が形成される。
【００４７】
次に、ステップＳ１０７を終えたＴＦＴ基板１０１をチャンバー内に導入し、有機発光層１０７およびバンク１０６を覆うように、真空蒸着法に基づき電子輸送層１０８を形成する（ステップＳ１０８）。次に、電子輸送層１０８の表面上に、真空蒸着法により陰極１０９を形成する（ステップＳ１０９）。そして、陰極１０９の表面に、ＳｉＯ等の材料を真空蒸着法で成膜し、封止膜１１０を形成する（ステップＳ１１０）。以上、ステップＳ１０１〜ステップＳ１１０に示した工程が、ＥＬ基板１５を形成する工程に相当する。
【００４８】
続くステップＳ１１１では、ＣＦ基板１６を形成する。具体的には、ガラス基板１１１の一方の面にブラックマトリクス１１３，１１４（図３）の材料となるブラックマトリクスペーストを塗布する。その後、ブラックマトリクス１１３，１１４の配設が予定された領域に開口部が施されたパターンマスクを重ね、その上から紫外線照射を行うことにより、ブラックマトリクス１１３，１１４を形成する。
【００４９】
次に、ブラックマトリクス１１３，１１４を形成したガラス基板１１１に、カラーフィルター１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂの材料となるカラーフィルターペーストを塗布する。カラーフィルターペーストに含まれる溶媒を一定除去した後、カラーフィルター１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂの配設が予定された領域に開口部が施されたパターンマスクを載置し、紫外線を照射する。その後はキュアを行い、パターンマスクおよび未硬化のカラーフィルターペーストを除去して現像する。これにより、カラーフィルター１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂが形成され、ＣＦ基板１６が完成する（ステップＳ１１１）。
【００５０】
続いて、ＥＬ基板１５の周辺領域１２にシール材１１５のペーストを塗布する（ステップＳ１１２）。シール材１１５を塗布したＥＬ基板１５とＣＦ基板１６とを接合する（ステップＳ１１３）。以上、ステップＳ１０１〜ステップＳ１１３を経ることで、有機ＥＬ表示パネル１０が完成する。
次に、駆動制御部２０（図１）を有機ＥＬ表示パネル１０に接続する（ステップＳ１１４）。そして、最後に有機ＥＬ表示パネル１０に対しエージング工程を行う（ステップＳ１１５）。
【００５１】
図６は、有機ＥＬ素子の積算駆動時間に対する輝度の変化を示すグラフである。図６において、横軸は積算駆動時間、縦軸は有機ＥＬ素子の相対輝度である。上述したように、有機ＥＬ素子は使用当初に急峻な輝度低下があり、その後、安定的に輝度が低下する安定状態に移行するという性質を有する。このため、ステップＳ１１５においてエージング処理を施すことで、有機ＥＬ素子を安定状態に移行させる。これにより、有機ＥＬ素子の経時的劣化抑制ならびに表示領域における発光特性の安定化が図られる。
【００５２】
有機ＥＬ表示パネル１０に対してエージング工程を終えると、有機ＥＬ表示装置１が完成する。
［エージング工程の概略］
本実施の態様におけるエージング工程には、容量素子１２３（図４）を充電する充電工程と有機ＥＬ素子１３を通常発光時よりも高輝度で発光させる高輝度発光工程が含まれる。
【００５３】
＜充電工程＞
図７（ａ）は通常発光時の動作を説明するための図であり、図７（ｂ）はエージング工程における動作を説明するための図である。なお、図７（ａ），（ｂ）に示す画素回路１１６は、図４で説明したものと同一である。
通常発光時におけるグラウンド線ｇｎｄの電位をＧＮＤと定義した場合、本実施の態様の充電工程時においては、グラウンド線ｇｎｄの電位をＧＮＤよりも低い電位−Ｖｘとする。すなわち、充電工程時におけるグラウンド線ｇｎｄの電位−Ｖｘは、通常発光時に用いるグラウンド線ｇｎｄの電位ＧＮＤとは異なり、かつ駆動トランジスタ１１８のゲート−ソース間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位である。
【００５４】
充電工程時におけるグラウンド線ｇｎｄの電位を、通常発光時における電位ＧＮＤよりも低い電位−Ｖｘとすることにより、容量素子１２３を通常発光時における電圧の最大値よりも高い電圧で充電することが可能となる。したがって、容量素子１２３の端子間電圧を、通常発光時における駆動トランジスタ１１８のゲート−ソース間電圧の最大値よりも高い電圧とすることが可能である。
【００５５】
グラウンド線ｇｎｄの電位を−Ｖｘとする方法について、本実施の態様では、グラウンド線ｇｎｄの電位が−Ｖｘとなるような電圧を、低電位側電源回路２２がグラウンド線ｇｎｄに対し印加することとしている。低電位側電源回路２２は、通常発光時においてはグラウンド線ｇｎｄに対しＧＮＤの電位を与える一方で、エージング工程時（図５のステップＳ１１５）においては−Ｖｘの電位を与えるというように、出力する電圧を切り替える構成を有する。エージング工程時において、グラウンド線ｇｎｄは通常発光時と異なる電位を与える電源回路に接続されていることになる。
【００５６】
一方で、エージング工程においては、駆動トランジスタ１１８のゲート電極には通常発光時において使用される範囲の電圧が印加される。そのため、スイッチングトランジスタ１１９を介して駆動トランジスタ１１８のゲート電極と接続されている走査線駆動回路２３および信号線駆動回路２４は、通常発光時に引き続きエージング工程時においてもそのまま用いることとしている。このようにすることで、通常発光時に使用する駆動回路とは別の駆動回路を準備した上で、駆動トランジスタ１１８のゲート電極にエージング工程特有の電圧を印加するといったことを行う必要がないため、簡便である。
【００５７】
ここで、エージング工程中はグラウンド線ｇｎｄの電位を−Ｖｘとしており、また駆動回路は通常発光時およびエージング工程時を通じて同じ回路が使用されている。そのため、グラウンド線ｇｎｄの電位（直列回路への電力供給路としてのグラウンドの電位）と駆動回路のグラウンドの電位は異なることになる。すなわち、グラウンド線ｇｎｄと駆動回路のグラウンドは、エージング工程においては絶縁されていることになる。
【００５８】
＜高輝度発光工程＞
高輝度発光工程においては、充電工程において充電された容量素子１２３の充電電圧に基づき、有機ＥＬ素子１３を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる。このようにすることで、従来と比較して、有機ＥＬ素子をより短時間で安定状態に移行させることができるため、エージング処理に要する時間のさらなる短縮化を図ることが可能である。
【００５９】
さらに、本実施の態様でのエージング工程においては、図７（ｂ）に示すように、電源線１２０の電位を、通常発光時における電位Ｖｄｄ（図７（ａ））とは異なる電位Ｖｄｄ’とする場合がある。以下、この詳細について説明する。
トランジスタの動作領域には線形領域と飽和領域とがある。本実施の態様における高輝度発光工程においては、有機ＥＬ表示装置１が備える有機ＥＬ表示パネル１０の大きさや、有機ＥＬ表示パネル１０に形成されたＴＦＴ層の材料に応じて、駆動トランジスタ１１８を線形領域で動作させる場合と、飽和領域で動作させる場合と選択することとしている。線形領域で動作させるか、または飽和領域で動作させるかの切り替えは、エージング工程時における電源線１２０の電位によって行うことが可能である。
【００６０】
電源線１２０の電位をＶｄｄ’とする方法は、グラウンド線ｇｎｄの電位を−Ｖｘとする方法と似ている。電源線１２０の電位がＶｄｄ’となるような電圧を、高電位側電源回路２１が電源線１２０に対し印加することで実現できる。高電位側電源回路２１は、通常発光時においては電源線１２０に対しＶｄｄの電位を与える一方で、エージング工程時においてはＶｄｄ’の電位を与えるというように、低電位側電源回路２２と同様に出力する電圧を切り替える構成を有する。
【００６１】
ここで、エージング工程中において電源線１２０の電位をＶｄｄ’とする場合、電源線１２０の電位（直列回路への電力供給路としての高電位側の電源線の電位）と駆動回路の高電位側の電源線の電位は異なることになる。なぜなら、エージング工程中は電源線１２０の電位がＶｄｄ’であり、また駆動回路は通常発光時およびエージング工程時を通じて同じ回路が使用されているからである。したがって、電源線１２０の電位をＶｄｄ’とする場合、電源線１２０と駆動回路の高電位側の電源線は、エージング工程においては絶縁されていることになる。
【００６２】
次に、具体的に電源線１２０の電位をどのようにすれば線形領域動作、飽和領域動作を切り替えられるかについて説明する。
（線形領域の場合）
まず通常発光時における動作について説明する。
一般的に、通常発光時においては駆動トランジスタ１１８を飽和領域で動作させる。この理由について図８を参照しながら説明する。
【００６３】
図８は、駆動トランジスタ１１８（ｎ型）のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓと、駆動トランジスタ１１８のドレインからソースに流れる電流Ｉｄの関係を示す図である。電流Ｉｄは、ここでは画素電流（有機発光層１０７に流れる電流）と考えることができる。また、図８では、（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）が３［Ｖ］と５［Ｖ］の場合を図示しており、一点鎖線から左側の領域が線形領域、一点鎖線から右側の領域が飽和領域である。なお、電圧Ｖｄｓは横軸に示す矢印方向にいくほど大きくなる。
【００６４】
有機ＥＬ表示装置のような、電流駆動型の発光素子を備える表示装置においては、陽極または陰極が共通電極となっている場合（本実施の態様においては陰極１０９が共通電極となっている）、表示領域の周縁部から中央部に向かうにつれて共通電極において電圧降下が生じる。この電圧降下は、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓの変動として現れることになる。そのため、一方、（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）が５［Ｖ］の場合に、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓが例えばｘ［Ｖ］だけ低下したとすると、線形領域の場合（αの矢印）の方が飽和領域の場合（βの矢印）よりも、電圧降下による電流Ｉｄの降下量が小さくなる。したがって、飽和領域で動作させる場合の方が電圧降下による画素電流の変動が小さく、表示品質の劣化が起きにくい。なお、大型の有機ＥＬ表示パネルを備える表示装置であるほど、パネルの周縁と中央部との距離が長くなることで電圧降下量が増えるため、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓの変動は大きくなる。
【００６５】
次に、図７（ａ）において、通常発光時での駆動トランジスタ１１８のドレイン電極とソース電極間の電圧（以下、単に駆動トランジスタ１１８のドレイン−ソース間の電圧と記載する。）をＶｄｓ、駆動トランジスタ１１８のゲート−ソース電極間の電圧をＶｇｓ、有機ＥＬ素子１３の陽極１０５と陰極１０９間の電圧をＶｏｌｅｄと定義して説明を続ける。
【００６６】
通常発光時においては、次の関係式が成り立つ。
Ｖｄｄ−ＧＮＤ＝Ｖｏｌｅｄ＋Ｖｄｓ・・・（ｎ１）
（ｎ１）式を整理すると、以下のようになる。
Ｖｄｓ＝Ｖｄｄ−ＧＮＤ−Ｖｏｌｅｄ・・・（ｎ２）
また、駆動トランジスタ１１８のゲート−ソース電極間の電圧Ｖｇｓは、駆動トランジスタ１１８のゲート電極に入力される最大諧調の映像信号の電圧Ｖｄａｔａ＿ｍａｘを用いて、以下のように表される。
【００６７】
Ｖｇｓ＝Ｖｄａｔａ＿ｍａｘ−（Ｖｏｌｅｄ＋ＧＮＤ）・・・（ｎ３）
上述したように、通常発光時においては駆動トランジスタ１１８を飽和領域で動作させるため、
Ｖｄｓ≧Ｖｇｓ−Ｖｔｈ・・・（ｎ４）
の定義式が成り立つ。ここで、Ｖｔｈは駆動トランジスタ１１８の閾値電圧である。そして、（ｎ４）式に（ｎ２）式および（ｎ３）式を代入すると、
Ｖｄｄ≧Ｖｄａｔａ＿ｍａｘ−Ｖｔｈ・・・（ｎ５）
となる。
【００６８】
次に、図７（ｂ）を参照しながら、エージング工程時における関係式を立てる。エージング工程時での駆動トランジスタ１１８のドレイン電極とソース電極間の電圧をＶｄｓ’、駆動トランジスタ１１８のゲート電極とソース電極間の電圧をＶｇｓ’、有機ＥＬ素子１３の陽極１０５と陰極１０９間の電圧をＶｏｌｅｄ’と定義する。
エージング工程時においては、次の関係式が成り立つ。
【００６９】
Ｖｄｄ’−（−Ｖｘ）＝Ｖｏｌｅｄ’＋Ｖｄｓ’・・・（ｎ６）
（ｎ６）式を整理すると、以下のようになる。
Ｖｄｓ’＝Ｖｄｄ’＋Ｖｘ−Ｖｏｌｅｄ’・・・（ｎ７）
また、駆動トランジスタ１１８のゲート−ソース電極間の電圧Ｖｇｓは、上記Ｖｄａｔａ＿ｍａｘを用いて、以下のように表される。
【００７０】
Ｖｇｓ’＝Ｖｄａｔａ＿ｍａｘ−（Ｖｏｌｅｄ’−Ｖｘ）・・・（ｎ８）
ここでの高輝度発光工程は、駆動トランジスタ１１８を線形領域で動作させる場合であるので、
Ｖｄｓ’＜Ｖｇｓ’−Ｖｔｈ・・・（ｎ９）
の定義式が成り立つ。（ｎ９）式に（ｎ７）式および（ｎ８）式を代入すると、
Ｖｄｄ’＜Ｖｄａｔａ＿ｍａｘ−Ｖｔｈ・・・（ｎ１０）
となる。したがって、（ｎ５）式および（ｎ１０）式より、
Ｖｄｄ’＜Ｖｄｄ
となる。したがって、高輝度発光工程において駆動トランジスタ１１８を線形領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における電源線１２０の電位を、通常発光時における電源線１２０の電位よりも低くすればよいことがわかる。つまり、電源線１２０の電位を通常発光時での電位Ｖｄｄよりも低い電位Ｖｄｄ’にする。
【００７１】
線形領域で動作させた場合の特徴について、図８を用いて説明する。図８におけるＡの矢印で示すように、線形領域で動作させる場合は、駆動トランジスタ１１８の閾値電圧Ｖｔｈが変動したとしても、飽和領域で動作させる場合（Ｂの矢印）と比較して電流Ｉｄの変化量は小さいことがわかる。一方、（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）が５［Ｖ］の場合に、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓが例えばｘ［Ｖ］変化したとすると、飽和領域の場合（βの矢印）よりも線形領域の場合（αの矢印）の方が、それによる電流Ｉｄの変化量が大きくなる。
【００７２】
ここで、閾値電圧Ｖｔｈの変動は、ＴＦＴ層形成時における製造誤差により生じる。また、上述したように、大型の有機ＥＬ表示パネルであるほどドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓの変動は大きくなる。したがって、線形領域での高輝度発光工程は、（ｉ）小型の有機ＥＬ表示パネルを製造する場合、（ｉｉ）製造誤差の大きい低温ポリシリコンで構成されたＴＦＴ層を有する有機ＥＬ表示パネルを製造する場合、および（ｉｉｉ）低温ポリシリコンで構成されたＴＦＴ層を有する小型の有機ＥＬ表示パネルを製造する場合に有効である。
【００７３】
（飽和領域の場合）
飽和領域で動作させる場合においても、線形領域で説明した（ｎ１）〜（ｎ８）式が成り立つ。ここでの高輝度発光工程は、駆動トランジスタ１１８を飽和領域で動作させる場合であるので、
Ｖｄｓ’≧Ｖｇｓ’−Ｖｔｈ・・・（ｎ１１）
の定義式が成り立つ。
【００７４】
（ｎ１１）式に（ｎ７）式および（ｎ８）式を代入すると、
Ｖｄｄ’≧Ｖｄａｔａ＿ｍａｘ−Ｖｔｈ・・・（ｎ１２）
となる。
したがって、（ｎ５）式および（ｎ１２）式より、
Ｖｄｄ’≧Ｖｄｄ
となる。したがって、高輝度発光工程において駆動トランジスタ１１８を飽和領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における電源線１２０の電位を、通常発光時における電源線１２０の電位以上とすればよいことがわかる。つまり、電源線１２０の電位を通常発光時での電位Ｖｄｄと同じにするか、または電位Ｖｄｄよりも高い電位Ｖｄｄ’にする。
【００７５】
飽和領域で動作させた場合の特徴は、線形領域で動作させた場合における特徴と逆の関係にある。すなわち、図８に示すように、（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）が５［Ｖ］の場合にドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓが例えばｘ［Ｖ］変化したとしても、飽和領域の場合（βの矢印）の方が線形領域の場合（αの矢印）よりも、電流Ｉｄの変化量は小さくなる。一方、Ｂの矢印で示すように、飽和領域で動作させる場合は、駆動トランジスタ１１８の閾値電圧Ｖｔｈが変動すると、線形領域で動作させる場合（Ａの矢印）と比較して電流Ｉｄの変化量が大きくなる。
【００７６】
したがって、飽和領域での高輝度発光工程は、（ｉ）大型の有機ＥＬ表示パネルを製造する場合、（ｉｉ）製造誤差の小さいアモルファスシリコンでまたはインジウムガリウム亜鉛酸化物等の酸化物半導体で構成されたＴＦＴ層を有する有機ＥＬ表示パネルを製造する場合、および（ｉｉｉ）上記の半導体材料で構成されたＴＦＴ層を有する大型の有機ＥＬ表示パネルを製造する場合に有効である。
【００７７】
＜まとめ＞
以上説明したように、本実施の態様によれば、高輝度発光工程において通常発光時における最高輝度よりも高輝度で有機ＥＬ素子を発光させることができる。この高輝度発光工程で有機ＥＬ素子のエージング処理を行うことで、従来よりも短期間でエージング処理を終了させることが可能である。また、通常発光時に用いるグラウンド線の電位よりも低い電位のグラウンド線を、充電工程および高輝度発光工程において用いるという簡便な方法であり、複雑な構成の専用装置を必要としない。したがって、充電工程および高輝度発光工程を低コストで行うことができる。
【００７８】
≪実施の態様２≫
実施の態様１においては、いわゆるｎ型コモンカソード型の画素回路を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。本実施の態様においては、駆動トランジスタおよびスイッチングトランジスタをｐ型とするコモンカソード型の画素回路の場合について説明する。
【００７９】
［画素回路］
図９は実施の態様２に係る画素回路１２５の回路構成を示す図である。
図９に示すように、画素回路１２５は、有機ＥＬ素子１３、駆動トランジスタ１２６、スイッチングトランジスタ１２７、電源線１２０、走査線１２１、信号線１２２、容量素子１２８、低電位側電源線ｖｓｓを備える。以下、画素回路１１６（図４）と相違する点にいて中心に説明する。
【００８０】
実施の態様１とは異なり、本実施の態様に係る駆動トランジスタ１２６、スイッチングトランジスタ１２７はｐ型の薄膜トランジスタ素子である。駆動トランジスタ１２６は、画素回路１１６（図４）と同様に有機ＥＬ素子１３と直列に接続されており、「Ｇ」、「Ｓ」および「Ｄ」で示すように、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する。
駆動トランジスタ１２６のソース電極側の端部には、有機ＥＬ素子１３と駆動トランジスタ１２６からなる直列回路に電力を供給する第１電源線としての電源線１２０が接続されている。本実施の態様においても、電源線１２０は高電位側電源回路２１（図１）に接続される。
【００８１】
また、駆動トランジスタ１２６のソース−ゲート間には、容量素子１２８が接続されている。容量素子１２８には、画素回路１１６における容量素子１２３と同等の定格容量を有するものが用いられている。
低電位側電源線ｖｓｓは、駆動トランジスタ１２６のドレイン電極側の端部、すなわち有機ＥＬ素子１３の陰極１０９と電気的に接続される第２電源線である。低電位側電源線ｖｓｓは低電位側電源回路２２（図１）に接続されており、低電位側電源線ｖｓｓの電位は電源線１２０の電位よりも低い。また、低電位側電源線ｖｓｓは、当該低電位側電源線ｖｓｓと陰極１０９との接続部分から有機ＥＬ表示パネル１０の内部に存在する配線を指しており、有機ＥＬ表示パネル１０の外から低電位側電源回路までの配線は含まない。
【００８２】
［エージング工程］
＜充電工程＞
図１０（ａ）は通常発光時における画素回路１２５の動作を説明するための図であり、図１０（ｂ）はエージング工程における画素回路１２５の動作を説明するための図である。
【００８３】
通常発光時における電源線１２０の電位をＶｄｄと定義した場合、本実施の態様の充電工程時においては、電源線１２０の電位をＶｄｄよりも高い電位Ｖｄｄ＋Ｖｘとする。すなわち、充電工程時における電源線１２０の電位Ｖｄｄは、通常発光時に用いる電源線１２０の電位Ｖｄｄとは異なる。
充電工程時における電源線１２０の電位を、通常発光時における電位Ｖｄｄよりも高い電位Ｖｄｄ＋Ｖｘとすることにより、容量素子１２８を通常発光時における電圧の最大値よりも高い電圧で充電することが可能となる。この充電工程により、容量素子１２８の端子間電圧が、通常発光時における駆動トランジスタ１２６のソース−ゲート間電圧の最大値よりも高い電圧となる。なお、エージング工程においても、駆動トランジスタ１２６のゲート電極には通常発光時において使用される範囲の電圧が印加される。この点は実施の態様１と変わりがない。
【００８４】
電源線１２０の電位をＶｄｄ＋Ｖｘとする方法は、実施の態様１と同様である。すなわち、電源線１２０の電位がＶｄｄ＋Ｖｘとなるような電圧を、高電位側電源回路２１が電源線１２０に対し印加することとしている
また、エージング工程中は電源線１２０の電位をＶｄｄ＋Ｖｘとしており、また駆動回路は通常発光時およびエージング工程時を通じて同じ回路が使用されている。そのため、電源線１２０の電位（直列回路への電力供給路としての高電位側の電源線の電位）と駆動回路の高電位側の電源線の電位は異なることになる。すなわち、電源線１２０としてグラウンド線を用いた上で、通常発光時における電源線１２０の電位をグラウンド電位とする場合には、電源線１２０と駆動回路のグラウンドは、エージング工程においては絶縁されていることになる。
【００８５】
＜高輝度発光工程＞
高輝度発光工程においては、実施に態様１の場合と同様に、充電工程において充電された容量素子１２８の充電電圧に基づき、有機ＥＬ素子１３を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる。また、駆動トランジスタ１２６を線形領域で動作させるか、または飽和領域で動作させるかにより、図１０（ｂ）に示すように、低電位側電源線ｖｓｓの電位を通常発光時における電位Ｖｓｓ（図１０（ａ））とは異なる電位Ｖｓｓ’とする場合がある。低電位側電源回路２２が、低電位側電源線ｖｓｓに対してＶｓｓ’の電位の電圧を出力することで、低電位側電源線ｖｓｓの電位を電位Ｖｓｓ’となる。
【００８６】
低電位側電源線ｖｓｓの電位をＶｓｓ’とする場合、低電位側電源線ｖｓｓの電位（直列回路への電力供給路としての低電位側の電源線の電位）と駆動回路の低電位側の電源線の電位は異なることになる。したがって、この場合、低電位側電源線ｖｓｓと駆動回路の低電位側の電源線は、エージング工程においては絶縁されていることになる。
（線形領域の場合）
図１０（ａ）において、通常発光時での駆動トランジスタ１２６のソース電極とドレイン電極間の電圧（以下、単に駆動トランジスタ１２６のソース−ドレイン間の電圧と記載する。）をＶｓｄ、駆動トランジスタ１２６のソース−ゲート電極間の電圧をＶｓｇ、有機ＥＬ素子１３の陽極１０５と陰極１０９間の電圧をＶｏｌｅｄと定義して説明を続ける。
【００８７】
通常発光時においては、次の関係式が成り立つ。
Ｖｄｄ−Ｖｓｓ＝Ｖｏｌｅｄ＋Ｖｓｄ・・・（ｐ１）
（ｐ１）式を整理すると、以下のようになる。
Ｖｓｄ＝Ｖｄｄ−Ｖｓｓ−Ｖｏｌｅｄ・・・（ｐ２）
また、駆動トランジスタ１２６のソース−ゲート電極間の電圧Ｖｓｇは、駆動トランジスタ１２６のゲート電極に入力される最小諧調の映像信号の電圧Ｖｄａｔａ＿ｍｉｎを用いて、以下のように表される。なお、駆動トランジスタ１２６はｐ型であるので、当該トランジスタのゲート電極に入力される映像信号が小さいほど、駆動トランジスタ１２６のソース−ゲート間電圧およびドレインからソースに流れる電流Ｉｄは大きくなる。
【００８８】
Ｖｓｇ＝Ｖｄｄ−Ｖｄａｔａ＿ｍｉｎ・・・（ｐ３）
上述したように、通常発光時においては駆動トランジスタ１２６を飽和領域で動作させるため、
Ｖｓｄ≧Ｖｓｇ＋Ｖｔｈ・・・（ｐ４）
の定義式が成り立つ。そして、（ｐ４）式に（ｐ２）式および（ｐ３）式を代入すると、
Ｖｓｓ≧Ｖｄａｔａ＿ｍｉｎ−Ｖｔｈ−Ｖｏｌｅｄ・・・（ｐ５）
となる。
【００８９】
次に、図１０（ｂ）を参照しながら、エージング工程時における関係式を立てる。エージング工程時での駆動トランジスタ１２６のソース−ドレイン間の電圧をＶｓｄ’、駆動トランジスタ１２６のソース−ゲート間電圧をＶｓｇ’、有機ＥＬ素子１３の陽極１０５と陰極１０９間の電圧をＶｏｌｅｄ’と定義する。
エージング工程時においては、次の関係式が成り立つ。
【００９０】
Ｖｄｄ＋Ｖｘ−Ｖｓｓ’＝Ｖｏｌｅｄ’＋Ｖｓｄ’・・・（ｐ６）
（ｐ６）式を整理すると、以下のようになる。
Ｖｓｄ’＝Ｖｄｄ＋Ｖｘ−Ｖｓｓ’−Ｖｏｌｅｄ’・・・（ｐ７）
また、駆動トランジスタ１２６のソース−ゲート電極間の電圧Ｖｓｇは、上記Ｖｄａｔａ＿ｍｉｎを用いて、以下のように表される。
【００９１】
Ｖｓｇ’＝Ｖｄｄ＋Ｖｘ−Ｖｄａｔａ＿ｍｉｎ・・・（ｐ８）
ここでの高輝度発光工程は、駆動トランジスタ１２６を線形領域で動作させる場合であるので、
Ｖｓｄ’＜Ｖｓｇ’＋Ｖｔｈ・・・（ｐ９）
の定義式が成り立つ。（ｐ９）式に（ｐ７）式および（ｐ８）式を代入すると、
Ｖｓｓ’＞Ｖｄａｔａ＿ｍｉｎ−Ｖｔｈ−Ｖｏｌｅｄ’・・・（ｐ１０）
となる。したがって、（ｐ５）式および（ｐ１０）式より、
Ｖｓｓ’＞Ｖｓｓ
となる。したがって、高輝度発光工程において駆動トランジスタ１２６を線形領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における低電位側電源線ｖｓｓの電位を、通常発光時における低電位側電源線ｖｓｓの電位よりも高くすればよいことがわかる。つまり、低電位側電源線ｖｓｓの電位を通常発光時での電位Ｖｓｓよりも高い電位Ｖｓｓ’にする。
【００９２】
線形領域で動作させた場合の特徴については、実施の態様１で説明したものと同様に説明できる。
図１１は、駆動トランジスタ１２６（ｐ型）のソース−ドレイン間電圧Ｖｓｄと、駆動トランジスタ１２６のドレインからソースに流れる電流Ｉｄの関係を示す図である。図１１では、（Ｖｓｇ−Ｖｔｈ）が−３［Ｖ］と−５［Ｖ］の場合を図示しており、一点鎖線から右側の領域が線形領域、一点鎖線から左側の領域が飽和領域である。なお、電圧Ｖｄｓは横軸に示す矢印方向にいくほど大きくなり、図１１の２本のグラフが横軸と交差する点が０［Ｖ］となっている。
【００９３】
図１１におけるＡ’の矢印で示すように、線形領域で動作させる場合は、駆動トランジスタ１２６の閾値電圧Ｖｔｈが変動したとしても、飽和領域で動作させる場合（Ｂ’の矢印）と比較して電流Ｉｄの変化量は小さいことがわかる。一方、（Ｖｓｇ−Ｖｔｈ）が−５［Ｖ］の場合に、ソース−ドレイン間電圧Ｖｓｄが例えばｘ［Ｖ］変化したとすると、飽和領域の場合（β’の矢印）よりも線形領域の場合（α’の矢印）の方が、それによる電流Ｉｄの変化量が大きくなる。
【００９４】
（飽和領域の場合）
飽和領域で動作させる場合においても、線形領域で説明した（ｐ１）〜（ｐ８）式が成り立つ。ここでの高輝度発光工程は、駆動トランジスタ１２６を飽和領域で動作させる場合であるので、
Ｖｓｄ’≧Ｖｓｇ’＋Ｖｔｈ・・・（ｐ１１）
の定義式が成り立つ。（ｐ１１）式に（ｐ７）式および（ｐ８）式を代入すると、
Ｖｓｓ’≦Ｖｄａｔａ＿ｍｉｎ−Ｖｔｈ−Ｖｏｌｅｄ’・・・（ｐ１２）
となる。したがって、（ｐ５）式および（ｐ１２）式より、
Ｖｓｓ’≦Ｖｓｓ
となる。したがって、高輝度発光工程において駆動トランジスタ１２６を飽和領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における低電位側電源線ｖｓｓの電位を、通常発光時における低電位側電源線ｖｓｓの電位以下とすればよいことがわかる。つまり、低電位側電源線ｖｓｓの電位を通常発光時での電位Ｖｓｓと同じにするか、または電位Ｖｓｓよりも低い電位Ｖｓｓ’にする。
【００９５】
飽和領域で動作させた場合の特徴は、線形領域で動作させた場合における特徴と逆の関係にある。図１１を用いて説明すると、（Ｖｓｇ−Ｖｔｈ）が−５［Ｖ］の場合にソース−ドレイン間電圧Ｖｓｄが例えばｘ［Ｖ］変化したとしても、飽和領域の場合（β’の矢印）の方が線形領域の場合（α’の矢印）よりも、電流Ｉｄの変化量は小さくなる。一方、Ｂ’の矢印で示すように、飽和領域で動作させる場合は、駆動トランジスタ１２６の閾値電圧Ｖｔｈが変動すると、線形領域で動作させる場合（Ａ’の矢印）と比較して電流Ｉｄの変化量が大きくなる。
【００９６】
≪実施の態様３≫
実施の態様１，２においては、いわゆるコモンカソード型の画素回路を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。本実施の態様においては、有機ＥＬ素子の陽極（アノード）が共通電極となっている、いわゆるコモンアノード型の画素回路１２９，１３０の場合について説明する。
【００９７】
［ｎ型コモンアノード］
図１２は実施の態様３に係る画素回路１２９の回路構成を示す図である。
画素回路１２９は、画素回路１１６（図４）と同様に、有機ＥＬ素子１３、駆動トランジスタ１１８、スイッチングトランジスタ１１９、電源線１２０、走査線１２１、信号線１２２、容量素子１２３、グラウンド線ｇｎｄを備える。しかしながら、有機ＥＬ素子１３周辺の接続関係が画素回路１１６とは少し異なる。
【００９８】
駆動トランジスタ１１８およびスイッチングトランジスタ１１９は、画素回路１１６と同じくｎ型の薄膜トランジスタ素子である。駆動トランジスタ１１８は、有機ＥＬ素子１３と直列に接続されており、有機ＥＬ素子１３と駆動トランジスタ１１８とで直列回路を構成している。直列回路における駆動トランジスタ１１８のドレイン電極側の端部、すなわち有機ＥＬ素子１３の陽極１０５には第２電源線としての電源線１２０が接続されている。電源線１２０は高電位側電源回路２１（図１）に接続される。また、駆動トランジスタ１１８のゲート−ソース間には、容量素子１２３が接続されている。
【００９９】
グラウンド線ｇｎｄは、直列回路における駆動トランジスタ１１８のソース電極側の端部と電気的に接続される第１電源線である。また、実施の態様１と同様に、グラウンド線ｇｎｄは低電位側電源回路２２（図１）に接続されており、グラウンド線ｇｎｄの電位は電源線１２０の電位よりも低い。
図１３（ａ）は通常発光時における画素回路１２９の動作を説明するための図であり、図１３（ｂ）はエージング工程における画素回路１２９の動作を説明するための図である。
【０１００】
エージング工程における画素回路１２９の動作は、実施の態様１と略同様である。充電工程時におけるグラウンド線ｇｎｄの電位を、通常発光時におけるグラウンド線ｇｎｄの電位ＧＮＤよりも低い電位−Ｖｘとする。これにより、容量素子１２３が通常発光時における電圧の最大値よりも高い電圧で充電される。
充電工程に続く高輝度発光工程においては、充電工程において充電された容量素子１２３の充電電圧に基づき、有機ＥＬ素子１３を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる。
【０１０１】
さらに、駆動トランジスタ１１８を線形領域で動作させるか飽和領域で動作させるかによっては、エージング工程における電源線１２０の電位を、通常発光時における電位Ｖｄｄとは異なる電位Ｖｄｄ’とする。アノードコモン型の画素回路においても、実施の態様１で説明した（ｎ１）〜（ｎ１２）式をそのまま適用することが可能である。したがって、線形領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における電源線１２０の電位を通常発光時での電位Ｖｄｄよりも低い電位Ｖｄｄ’にする。一方、飽和領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における電源線１２０の電位を通常発光時での電位Ｖｄｄと同じにするか、または電位Ｖｄｄよりも高い電位Ｖｄｄ’にする。
【０１０２】
［ｐ型コモンアノード］
図１４は実施の態様３に係る画素回路１３０の回路構成を示す図である。
画素回路１３０は、画素回路１２５（図９）と同様に、有機ＥＬ素子１３、駆動トランジスタ１２６、スイッチングトランジスタ１２７、電源線１２０、走査線１２１、信号線１２２、容量素子１２８、低電位側電源線ｖｓｓを備える。しかしながら、有機ＥＬ素子１３周辺の接続関係が画素回路１２５とは少し異なる。
【０１０３】
駆動トランジスタ１２６およびスイッチングトランジスタ１２７は、画素回路１２５と同じくｐ型の薄膜トランジスタ素子である。有機ＥＬ素子１３と駆動トランジスタ１２６とで構成される直列回路における駆動トランジスタ１２６のソース電極側の端部、すなわち有機ＥＬ素子１３の陽極１０５には、第１電源線としての電源線１２０が接続されている。電源線１２０は高電位側電源回路２１（図１）に接続される。また、駆動トランジスタ１１８のソース−ゲート間には、容量素子１２８が接続されている。
【０１０４】
低電位側電源線ｖｓｓは、直列回路における駆動トランジスタ１１８のドレイン電極側の端部と電気的に接続される第２電源線である。また、実施の態様２と同様に、低電位側電源線ｖｓｓは低電位側電源回路２２（図１）に接続されており、低電位側電源線ｖｓｓの電位は電源線１２０の電位よりも低い。
図１５（ａ）は通常発光時における画素回路１３０の動作を説明するための図であり、図１５（ｂ）はエージング工程における画素回路１３０の動作を説明するための図である。
【０１０５】
エージング工程における画素回路１３０の動作は、実施の態様２と略同様である。充電工程時における電源線１２０の電位を、通常発光時における電位Ｖｄｄよりも高い電位Ｖｄｄ＋Ｖｘとする。これにより、容量素子１２８が通常発光時における電圧の最大値よりも高い電圧で充電される。
充電工程に続く高輝度発光工程においては、充電工程において充電された容量素子１２８の充電電圧に基づき、有機ＥＬ素子１３を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる。
【０１０６】
さらに、駆動トランジスタ１２６を線形領域で動作させるか飽和領域で動作させるかによっては、エージング工程における低電位側電源線ｖｓｓの電位を、通常発光時における電位Ｖｓｓとは異なる電位Ｖｓｓ’とする。アノードコモン型の画素回路においても、実施の態様２で説明した（ｐ１）〜（ｐ１２）式をそのまま適用することが可能である。したがって、線形領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における低電位側電源線ｖｓｓの電位を、通常発光時での電位Ｖｓｓよりも高い電位Ｖｓｓ’にする。一方、飽和領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における低電位側電源線ｖｓｓの電位を、通常発光時での電位Ｖｓｓと同じにするか、または電位Ｖｓｓよりも低い電位Ｖｓｓ’にする。
【０１０７】
［変形例・その他］
以上、実施の態様１〜３について説明したが、本発明は上記の実施の態様に限られない。例えば、以下のような変形例等が考えられる。
（１）上記の実施の態様では、充電工程および高輝度発光工程により、有機ＥＬ素子に対してエージング処理を行うこととしたが、本発明はこれに限定されない。背景技術の項で説明した滅点検査に本発明を適用することで、滅点検査に要する時間の短縮化を図ることが可能である。エージング工程および滅点検査以外でも、有機ＥＬ素子を高輝度で発光させることにより処理速度向上が期待される点灯検査等に広く適用することができる。
【０１０８】
（２）実施の態様１のエージング工程においては、低電位側電源回路がグラウンド線ｇｎｄに与える電位を−Ｖｘに切り替えることで、グラウンド線ｇｎｄの電位が−Ｖｘとなるようにしたが、本発明はこれに限定されない。
例えば、グラウンド線ｇｎｄに−Ｖｘの電位を与えるエージング工程用電源回路を低電位側電源回路とは別に準備し、エージング工程用電源回路をエージング工程中のみ有機ＥＬ表示パネル１０に接続することで、グラウンド線ｇｎｄに−Ｖｘの電位を与えることとしてもよい。この場合、エージング工程が終了したら、エージング工程用電源回路と通常発光時に用いる低電位側電源回路とをつなぎ変えることになる。また、エージング工程用電源回路を用いる場合、有機ＥＬ素子における電極対のうちグラウンド線（第１電源線）と接続されている側の電極、すなわち陰極は各有機ＥＬ素子間で共通に設けられていることが望ましい。このようにすることで、エージング工程用電源回路から有機ＥＬ素子の個数分のプローブを設けた上で、エージング工程用電源回路と各有機ＥＬ素子とを接続するといった手間が不要となる。したがって、エージング工程の簡略化を図ることが可能である。ここでは実施の態様１の場合を例に挙げて説明したが、実施の態様２〜４についても、電極対のうち第１電源線と接続されている側の電極を共通電極とすることで、上記の効果を得ることができる。
【０１０９】
（３）上記の実施の態様においては、有機ＥＬ表示装置の製造方法を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、単一の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ照明等の発光装置であって、調光タイプ等の駆動トランジスタを有するタイプの発光装置に対しても本発明を適用することが可能である。
（４）ｎ型カソードコモン（図４，７）およびｎ型アノードコモン（図１２，１３）の画素回路についての実施態様においては、充電工程および高輝度発光工程の両工程でグラウンド線の電位を通常発光時よりも下げることとしたが、本発明はこれに限定されない。最低限、充電工程においてグラウンド線の電位を通常発光時よりも下げていれば足りる。また、電源線の電位を通常発光時と異なる電位にすることについても、最低限、高輝度発光工程においてなされていれば足りる。
【０１１０】
一方、ｐ型カソードコモン（図９，１０）およびｎ型アノードコモン（図１４，１５）の画素回路についての実施態様においても、充電工程および高輝度発光工程の両工程で高電位側の電源線の電位を通常発光時よりも上げることとしたが、本発明はこれに限定されない。最低限、充電工程において高電位側の電源線の電位を通常発光時よりも上げていれば足りる。また、低電位側の電源線の電位を通常発光時と異なる電位にすることについても、最低限、高輝度発光工程においてなされていれば足りる。
【０１１１】
（５）上記の実施の態様においては、有機ＥＬ素子を発光素子として備える有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。本発明は、製造工程中においてエージング工程や滅点検査等が行われる発光素子を有する表示装置全般に適用することができる。
（６）エージング処理時においては、有機ＥＬ表示パネルの表示領域を構成する有機ＥＬ素子の全てを点灯させることとしてもよいし（全面点灯）、表示領域を構成する有機ＥＬ素子の一部を順に発光させていくこととしてもよい（一部点灯）。
【０１１２】
図１６は、表示領域の一部点灯によるエージング処理の概略を説明するための図である。図１６（ａ）は従来の充電工程を経た場合のイメージ図であり、（ｂ）本発明の充電工程を経た場合のイメージ図である。各図において、最も外側の枠は有機ＥＬ表示パネル１０全体を示しており、その内側の枠は表示領域１１（図２，３）の外枠を示している。
図１６（ａ）における表示領域１１のうち、黒く塗りつぶされている非発光領域１８は発光させていない領域、換言すると最小階調（０階調）の映像信号が入力されている領域を示している。ハッチングが入っている発光領域１７は最大諧調の映像信号が入力されている領域であり、通常発光時における最高輝度の領域である。このように、従来例の充電工程を経た場合には、黒色表示の非発光領域１８の中を高輝度の発光領域１７が移動することになる。
【０１１３】
一方、図１６（ｂ）におけるハッチングが入っていない発光領域３１は、本発明の充電工程を経たことにより、通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光している領域である。ハッチングが入っている非発光領域３２は最小階調（０階調）の映像信号が入力されている領域である。しかしながら、上記の実施の態様で説明したように第１電源線を通常発光時における電位と異なる電位としているため、非発光領域３２では入力されている映像信号が最小階調であるが、黒色表示とはならずに灰色表示となる。非発光領域３２は、従来例における発光領域１７よりは低輝度ではあるものの、非発光領域１８よりは高輝度である。したがって、主にエージング処理を行っている発光領域３１が従来よりも高輝度であることに加え、従来ではエージング処理が行われていなかった領域においてもエージング処理が行われるので、エージング処理に要する時間を大幅に短縮することが可能である。
【０１１４】
なお、一部点灯によるエージング処理の効果としては、全面点灯の場合と比較して、表示領域１１内におけるエージング処理進行度の均一化を図ることができる点が挙げられる。上述したように、有機ＥＬ表示装置では表示領域の周縁部から中央部に向かうにつれて共通電極において電圧降下が生じるが、一部点灯とすることで発光領域１７，３１内における電圧降下量が低減される。この結果、発光領域１７，３１内における輝度差を小さくすることができ、エージング処理進行度の均一化が図られる。
【０１１５】
（７）一部点灯によるエージング処理を行う例として、図１６では発光領域の形状を表示領域１１の上端から下端に向かって延びる帯状としたが、本発明はこれに限定されない。
図１７は、表示領域１１における発光領域の形状に係る変形例を示す図である。図１７（ａ）に示す発光領域３１Ａのように、表示領域１１の左端から右端の向かって延びる帯状としてもよい。なお、図１６，図１７（ａ）においては発光領域が１個であったが、複数個とすることもできる。
【０１１６】
また、図１７（ｂ）に示す発光領域３１Ｂのように、ブロック形状としてもよいし、図１７（ｃ）に示す発光領域３１Ｃのように、斜め方向に延びる帯状としてもよい。さらに、図１７（ｄ）に示す発光領域３１Ｄのように、ウサギの図柄としてもよい。図１７（ｄ）にはウサギの図柄を示しているが、これは単なる一例である。ウサギのほか、例えば、イヌ、ネコ、カタツムリ、ヒマワリ等の図柄とすることもできる。発光領域の形状を図柄とすることで、エージング処理を行っている作業員の居眠り防止の一助となる。
【０１１７】
（８）上記の実施の態様においては、トップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルを例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。ＴＦＴ基板１０１（図３）側を表示面とするいわゆるボトムエミッション型であってもよい。
（９）有機ＥＬ表示装置について、有機ＥＬ表示パネルに対する駆動制御部の配置や接続関係、および駆動制御部に含まれる回路については、図１に示すものに限られない。
【０１１８】
（１０）上記の実施の態様においては、有機ＥＬ表示パネルをＲ，Ｇ，Ｂを発光色とするカラー表示のパネルであるとしたが、本発明はこれに限定されない。有機ＥＬ表示パネルを、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色およびその他単色の有機ＥＬ素子が複数配列されてなる表示パネルとしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
本発明の表示装置の製造方法等は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種ディスプレイ、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に用いられる有機ＥＬ表示装置等の製造方法等に好適に利用可能である。
【符号の説明】
【０１２０】
１ 有機ＥＬ表示装置
１０ 有機表示パネル
１１ 表示領域
１２ 周辺領域
１３、１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂ サブピクセル（有機ＥＬ素子）
１４ 画素
１５ ＥＬ基板
１６ ＣＦ基板
１７ 発光領域
１８ 非発光領域
２０ 駆動制御部
２１ 高電位側電源回路
２２ 低電位側電源回路
２３ 走査線駆動回路
２４ 信号線駆動回路
２５ 制御回路
３０ エージング装置
３１、３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃ、３１Ｄ 発光領域
３２ 非発光領域
１０１ ＴＦＴ基板
１０２ 引き出し電極
１０３ パッシベーション層
１０４ 層間絶縁膜
１０５ 陽極
１０６ バンク
１０７、１０７Ｒ、１０７Ｇ、１０７Ｂ 有機発光層
１０８ 電子輸送層
１０９ 陰極
１１０ 封止膜
１１１ ガラス基板
１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂ カラーフィルター
１１３、１１４ ブラックマトリクス
１１５ シール材
１１６、１２５、１２９、１３０ 画素回路
１１７ ＴＦＴ層
１１８、１２６ 駆動トランジスタ
１１９、１２７ スイッチングトランジスタ
１２０ 電源線
１２１ 走査線
１２２ 信号線
１２３、１２８ 容量素子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子に直列に接続され、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する駆動トランジスタと、
前記ゲート電極と前記ソース電極間に接続された容量素子と、
前記発光素子と前記駆動トランジスタからなる直列回路の両端にそれぞれ接続され、前記直列回路に電力を供給するための第１および第２電源線と、を備え、
前記第１電源線が前記直列回路の前記ソース電極側の端部に電気的に接続され、前記第２電源線が前記直列回路の前記ドレイン電極側の端部に電気的に接続された表示装置の製造方法であって、
前記第１電源線の電位を、前記ゲート電極と前記ソース電極間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位にすることにより、前記容量素子を通常発光時よりも高い電圧で充電する充電工程と、
前記充電工程において充電された前記容量素子の充電電圧に基づき、前記発光素子を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光工程と、を含む、
表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記駆動トランジスタはｎ型であり、
前記第１電源線の電位は前記第２電源線の電位よりも低く、
少なくとも前記充電工程においては、前記第１電源線の電位を通常発光時よりも低くする、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第２電源線の電位を通常発光時における前記第２電源線の電位よりも低くする、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第２電源線の電位を通常発光時における前記第２電源線の電位以上とする、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記駆動トランジスタはｐ型であり、
前記第１電源線の電位は前記第２電源線の電位よりも高く、
少なくとも前記充電工程においては、前記第１電源線の電位を通常発光時よりも高くする、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第２電源線の電位を通常発光時における前記第２電源線の電位よりも高くする、
請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第２電源線の電位を通常発光時における前記第２電源線の電位以下とする、
請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記高輝度発光工程により、前記発光素子のエージング処理を行う、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記充電工程および前記高輝度発光工程において、前記駆動トランジスタの前記ゲート電極には、通常発光時において使用される範囲の電圧が印加される、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記表示装置は、前記充電工程において、さらに、
信号線と、
前記信号線に映像信号を与える信号線駆動回路と
前記信号線と前記容量素子との間の導通および非導通を切り替えるスイッチングトランジスタと、
前記スイッチングトランジスタのゲート電極に接続された走査線と、
前記スイッチングトランジスタに対する制御信号を前記走査線に与える走査線駆動回路と、を備え、
前記充電工程は、前記信号線駆動回路と前記走査線駆動回路を用いて行われる、
請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記発光素子は有機ＥＬ素子である、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記表示装置は、前記発光素子が行列状に複数配列されてなる、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
発光素子と、
前記発光素子に直列に接続され、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する駆動トランジスタと、
前記ゲート電極と前記ソース電極間に接続された容量素子と、
前記発光素子と前記駆動トランジスタからなる直列回路に電力を供給する第１および第２電源線と、
信号線と、
前記信号線に映像信号を与える信号線駆動回路と、
前記信号線と前記容量素子との間の導通および非導通を切り替えるスイッチングトランジスタと、
前記スイッチングトランジスタのゲート電極に接続された走査線と、
前記スイッチングトランジスタに対する制御信号を前記走査線に与える走査線駆動回路と、を備え、
前記第１電源線が前記ソース電極に電気的に接続され、前記第２電源線が前記ドレイン電極に電気的に接続された表示装置であって、
前記発光素子を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光時において、
前記第１電源線は、前記信号線駆動回路のグラウンドおよび前記走査線駆動回路のグラウンドと絶縁されているとともに、通常発光時と異なる電位を前記第１電源線に与える電源回路に接続されている、
表示装置。
【請求項１４】
前記発光素子が行列状に複数配列されてなるとともに、各発光素子は、前記第１および第２電源線から電力供給を受ける電極対を含み、
前記電極対を構成する電極のうち、前記高輝度発光時において前記第１電源線と接続されている側の電極は各発光素子間で共通に設けられている、
請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子に直列に接続され、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する駆動トランジスタと、
前記ゲート電極と前記ソース電極間に接続された容量素子と、
前記発光素子と前記駆動トランジスタからなる直列回路の両端にそれぞれ接続され、前記直列回路に電力を供給するための第１および第２電源線と、を備え、
前記第１電源線が前記直列回路の前記ソース電極側の端部に電気的に接続され、前記第２電源線が前記直列回路の前記ドレイン電極側の端部に電気的に接続された表示装置の製造方法であって、
前記第１電源線の電位を、前記ゲート電極と前記ソース電極間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位にすることにより、前記容量素子を通常発光時よりも高い電圧で充電する充電工程と、
前記充電工程において充電された前記容量素子の充電電圧に基づき、前記発光素子を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光工程と、を含む、
表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記駆動トランジスタはｎ型であり、
前記第１電源線の電位は前記第２電源線の電位よりも低く、
少なくとも前記充電工程においては、前記第１電源線の電位を通常発光時よりも低くする、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第２電源線の電位を通常発光時における前記第２電源線の電位よりも低くする、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第２電源線の電位を通常発光時における前記第２電源線の電位以上とする、
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記駆動トランジスタはｐ型であり、
前記第１電源線の電位は前記第２電源線の電位よりも高く、
少なくとも前記充電工程においては、前記第１電源線の電位を通常発光時よりも高くする、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第２電源線の電位を通常発光時における前記第２電源線の電位よりも高くする、
請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第２電源線の電位を通常発光時における前記第２電源線の電位以下とする、
請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記高輝度発光工程により、前記発光素子のエージング処理を行う、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記充電工程および前記高輝度発光工程において、前記駆動トランジスタの前記ゲート電極には、通常発光時において使用される範囲の電圧が印加される、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記表示装置は、前記充電工程において、さらに、
信号線と、
前記信号線に映像信号を与える信号線駆動回路と
前記信号線と前記容量素子との間の導通および非導通を切り替えるスイッチングトランジスタと、
前記スイッチングトランジスタのゲート電極に接続された走査線と、
前記スイッチングトランジスタに対する制御信号を前記走査線に与える走査線駆動回路と、を備え、
前記充電工程は、前記信号線駆動回路と前記走査線駆動回路を用いて行われる、
請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記発光素子は有機ＥＬ素子である、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記表示装置は、前記発光素子が行列状に複数配列されてなる、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
発光素子と、
前記発光素子に直列に接続され、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する駆動トランジスタと、
前記ゲート電極と前記ソース電極間に接続された容量素子と、
前記発光素子と前記駆動トランジスタからなる直列回路に電力を供給する第１および第２電源線と、
信号線と、
前記信号線に映像信号を与える信号線駆動回路と、
前記信号線と前記容量素子との間の導通および非導通を切り替えるスイッチングトランジスタと、
前記スイッチングトランジスタのゲート電極に接続された走査線と、
前記スイッチングトランジスタに対する制御信号を前記走査線に与える走査線駆動回路と、を備え、
前記第１電源線が前記ソース電極に電気的に接続され、前記第２電源線が前記ドレイン電極に電気的に接続された表示装置であって、
前記発光素子を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光時において、
前記第１電源線は、前記信号線駆動回路のグラウンドおよび前記走査線駆動回路のグラウンドと絶縁されているとともに、通常発光時と異なる電位を前記第１電源線に与える電源回路に接続されている、
表示装置。
【請求項１４】
前記発光素子が行列状に複数配列されてなるとともに、各発光素子は、前記第１および第２電源線から電力供給を受ける電極対を含み、
前記電極対を構成する電極のうち、前記高輝度発光時において前記第１電源線と接続されている側の電極は各発光素子間で共通に設けられている、
請求項１３に記載の表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１３−１０９８６８（Ｐ２０１３−１０９８６８Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５２１５６（Ｐ２０１１−２５２１５６）
【出願日】平成２３年１１月１８日（２０１１．１１．１８）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１８日（２０１１．１１．１８）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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