製膜装置
【課題】比較的簡便な方法により、基板面上に形成された柱状構造物の配向方位角を均一に近づける製膜装置を提供する。
【解決手段】製膜装置１は、基板２００上に形成される膜を構成する膜材料を供給する膜材料源１４と、膜材料源及び基板を設置するための空間１１ａを規定すると共に、空間を真空に維持することが可能な真空槽１１と、空間において、基板の少なくとも一部が膜材料源の少なくとも一部と対面するように基板を保持する保持手段１２１と、基板が一の方向に沿って移動するように保持手段を移動する移動手段１２３と、基板及び膜材料源間に配置され、一の方向と交わる方向である他の方向に沿って延在する開口部１２２ａを有するスリット板１２２とを備える。開口部の端部は、スリット板の面内においてずらし、他の方向から開口部を通過する膜材料の他の方向の角度分布の広がりを抑制する。
【解決手段】製膜装置１は、基板２００上に形成される膜を構成する膜材料を供給する膜材料源１４と、膜材料源及び基板を設置するための空間１１ａを規定すると共に、空間を真空に維持することが可能な真空槽１１と、空間において、基板の少なくとも一部が膜材料源の少なくとも一部と対面するように基板を保持する保持手段１２１と、基板が一の方向に沿って移動するように保持手段を移動する移動手段１２３と、基板及び膜材料源間に配置され、一の方向と交わる方向である他の方向に沿って延在する開口部１２２ａを有するスリット板１２２とを備える。開口部の端部は、スリット板の面内においてずらし、他の方向から開口部を通過する膜材料の他の方向の角度分布の広がりを抑制する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に、例えば斜方蒸着法、高レートスパッタ法等により膜を形成可能な
製膜装置の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の装置では、例えば基板面上に形成された柱状構造物の配向方位角を均一に近づ
けることが図られる。例えば、特許文献１乃至３には、蒸着物質の蒸気が流通可能なスリ
ットが、蒸着源と被蒸着材としての基板との間に配置された装置が記載されている。或い
は、特許文献４には、蒸着源と、基板を回転可能な基板支持台との間に、移動可能なスリ
ット板が配置された装置が記載されている。ここでは特に、スリット板の移動制御と、基
板支持台の回転角度制御による蒸着物質の入射角制御とを同時に行うことによって、基板
面内における蒸着角度を均一化する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１２９２２５号公報
【特許文献２】特開２００３−１２９２２８号公報
【特許文献３】特開２００６−３５０３２３号公報
【特許文献４】特開２００７−２７７６４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の特許文献１乃至３に記載の技術では、基板が大型化した場合に、
例えば基板面上に形成された柱状構造物の配向方位角を均一に近づけることが困難になる
という技術的問題点がある。特許文献４に記載の技術では、装置の制御が比較的複雑にな
るという技術的問題点がある。
【０００５】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、比較的簡便な方法により、
基板面上に形成された柱状構造物の配向方位角を均一に近づけることができる製膜装置を
提案することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の製膜装置は、上記課題を解決するために、基板上に形成される膜を構成する膜
材料を供給する膜材料源と、前記膜材料源及び前記基板を設置するための空間を規定する
と共に、前記空間を真空に維持することが可能な真空槽と、前記空間において、前記基板
の少なくとも一部が前記膜材料源の少なくとも一部と対面するように前記基板を保持する
保持手段と、前記基板が一の方向に沿って移動するように前記保持手段を移動する移動手
段と、前記基板及び前記膜材料源間に配置され、前記一の方向と交わる方向である他の方
向に沿って延在する開口部を有するスリット板とを備え、前記開口部の端部は、前記スリ
ット板の面内において、前記他の方向から、前記開口部を通過する膜材料の前記他の方向
の角度分布の広がりを抑制する方向にずれている。
【０００７】
本発明の製膜装置によれば、膜材料源は、基板上に形成される膜を構成する膜材料を供
給する。膜材料源は、具体的には例えば、蒸着源やスパッタリングターゲット等である。
尚、本発明に係る「膜材料源」は、典型的には、点源（ポイントソース）である。
【０００８】
真空槽は、膜材料源及び基板を設置するための空間を規定すると共に、該空間を真空に
維持することが可能である。ここで、「真空槽」は、例えば、チャンバ等の箱体を表す概
念である。係る概念が担保される限りにおいて、真空槽の形状及び材質などは何ら限定さ
れない。尚、真空槽の構成材料としては、機械的、物理的及び化学的な安定性に鑑みて、
例えば金属材料、鉄鋼材料、ガラス材料、陶器又は陶磁器材料等を使用することが望まし
い。
【０００９】
「真空」とは、大気圧より低い圧力の気体で満たされている空間の状態を包括する概念
であり、好適には、膜が基板上に形成される際の膜質に大気雰囲気中に含まれる酸素や窒
素等の不純物が影響しない程度に大気圧から減圧された空間の状態を指す。尚、係る真空
を作り出すための排気機構、排気装置又は排気システムの構成も、係る真空を作り出すこ
とが可能である限りにおいて何ら限定されない。例えば、ロータリーポンプ、メカニカル
ブースターポンプ、油拡散ポンプ又はターボ分子ポンプ等によって係る真空状態が作り出
されてもよい。或いは、これらがその排気特性などに鑑みて予備排気系及び主排気系とし
て複合的に使用されることによって真空が作り出されてもよい。
【００１０】
「真空に維持する」とは、このような排気系によって排気される気体の量と、真空槽に
おける気体の漏れ量（即ち、リーク量）とが相殺する結果として、一定或いは一定とみな
し得る程度に安定した真空度に到達している状態を含む概念である。
【００１１】
保持手段は、前記空間において、基板の少なくとも一部が膜材料源の少なくとも一部と
対面するように該基板を保持する。ここで、「対面して」とは、正対していることのみを
表すものではなく、膜材料源又は膜材料の飛行方向（例えば、蒸着方向）に対し、一定の
傾きをもって基板が設置されてもよい趣旨である。尚、本発明に係る「保持手段」は、こ
のように基板と膜材料源の夫々少なくとも一部が相互に対面するように基板を保持するこ
とが可能である限りにおいてその態様は何ら限定されない。
【００１２】
移動手段は、基板が一の方向に沿って移動するように保持手段を移動する。つまり、移
動手段は、基板が一の方向に沿って移動するように、該基板と保持手段とを一体として移
動する。
【００１３】
スリット板は、基板及び膜材料源間に配置され、前記一の方向と交わる方向である他の
方向に沿って延在する開口部を有する。膜材料源から放出された膜材料は、スリット板に
形成された開口部を通過するものを除いて、基板に到達することなく、該スリット板で遮
蔽される。他方、開口部を通過した膜材料は、基板と開口部との相対的な位置関係により
規定される所定の範囲内の入射角度で基板の表面に到達し、膜を形成する。
【００１４】
ここで、「他の方向」とは、典型的には、一の方向に延びる直線と他の方向に延びる直
線とが互いになす角が９０度に近づくような方向を意味する。具体的には例えば、「他の
方向」は、当該製膜装置上で平面的に見て、膜材料源を中心とする円周の接線方向である
。
【００１５】
「他の方向に沿って延在する」とは、開口部の長手方向が他の方向と平行であることに
限らず、開口部の長手方向が、実践上、他の方向に沿っているとみなせる範囲内において
、他の方向から大なり小なりズレている場合も含んでよい。
【００１６】
本発明では特に、開口部の端部は、スリット板の面内において、前記他の方向から、開
口部を通過する膜材料の他の方向の角度分布の広がりを抑制する方向にずれている。ここ
で、「開口部を通過する膜材料の他の方向の角度分布の広がりを抑制する方向」とは、膜
材料源及び開口部の端部を結ぶ直線と、開口部の中心及び開口部の端部を結ぶ直線と、の
なす角が小さくなる（即ち、０度に近付く）方向である。
【００１７】
本願発明者の研究によれば、以下の事項が判明している。即ち、生産効率を向上させる
観点から、比較的大きな基板上に、例えば液晶装置等の装置を一挙に複数個形成した後に
、個々の装置に分割する方法が採られることが多い。この場合、例えば斜方蒸着法、高レ
ートスパッタ法等により、基板上に膜を形成しようとすると、基板上の場所によって柱状
構造物の配向方位角や膜厚等にバラツキが生じる。これは、膜材料源が点源であることに
起因して、基板に到達する膜材料がスリット板の開口部の長手方向に角度分布を持ってい
るためである。そして、上記バラツキは、基板が大型化する程顕著になる。ここで、基板
上に形成される膜が、例えば液晶装置の配向膜である場合、上記バラツキに起因して、液
晶分子のプレチルト角にバラツキが生じる可能性がある。すると、液晶装置の表示画像の
品質が低下する可能性がある。
【００１８】
しかるに本発明では、上述の如く、開口部の端部が、スリット板の面内において、前記
他の方向から、開口部を通過する膜材料の他の方向（即ち、開口部の長手方向）の角度分
布の広がりを抑制する方向にずれるように構成されている。このため、基板上に形成され
る柱状構造物の配向方位角のバラツキを抑制することができる。従って、本発明の製膜装
置によれば、スリット板の開口部の形状を工夫するという比較的簡便な方法により、基板
上に形成された柱状構造物の配向方位角を均一に近づけることができる。
【００１９】
尚、開口部の幅が、該開口部の中心から該開口部の端部に向かう程広くなるように構成
すれば、基板上に形成される膜の膜厚のバラツキをも抑制することができ、実用上非常に
有利である。また、スリット板に複数の開口部を形成すれば、成膜レートを向上させるこ
とができる。或いは、スリット板に複数の開口部を形成すると共に、該複数の開口部の幅
を比較的狭くすれば、成膜レートを低下させることなく、成膜精度を向上させることがで
きる。
【００２０】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴアレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る真空蒸着装置の全体構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の実施形態に係る基板の移動を示す概念図である。
【図５】本発明の実施形態に係るスリット板に開口された開口部の形状を説明するための概念図である。
【図６】本発明の実施形態に係るスリット板に開口された開口部の変形例を示す概念図である。
【図７】本発明の実施形態の第１変形例に係るスリット板に開口された開口部の形状を説明するための図である。
【図８】本発明の実施形態の第２変形例に係るスリット板に開口された開口部の形状を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明に係る製膜装置の実施形態を、図面に基づいて説明する。尚、以下の各図
では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするために、該各層・各部材毎
に縮尺を異ならしめている。
【００２３】
（液晶装置）
先ず、本発明に係る製膜装置により形成された無機配向膜を備えてなる液晶装置の実施
形態を、図１及び図２を参照して説明する。尚、本実施形態では、液晶装置として、駆動
回路内蔵型のアクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
【００２４】
本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図
１は、本実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏ
ｒ）アレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図
２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００２５】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０
及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、
ガラス基板、シリコン基板等の基板からなり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラ
ス基板等の基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封
入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは画像表示領域１０ａの周囲に位
置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２６】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、
又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０
上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２
中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とす
るためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャ
ップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ
又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００２７】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域
１０ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、
このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜とし
て設けられてもよい。
【００２８】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、デ
ータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿っ
て設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側にサンプリング回路７が額縁
遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に
隣接する２辺に沿ったシール領域の内側の額縁領域に、額縁遮光膜５３に覆われるように
して設けられている。
【００２９】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両
基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これ
らにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができ
る。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４
、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００３０】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のト
ランジスタや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層
構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を含んでなる画素電極９ａが、画素毎に所定の
パターンで島状に形成されている。
【００３１】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の
画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面す
る側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成され
ている。尚、配向膜１６、及び後述する配向膜２２は、斜方蒸着法又は高レートスパッタ
法により形成された無機配向膜である。
【００３２】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されて
いる。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形
成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光
膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクタ用のランプや直視用のバックライ
トから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成
し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素と
によって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００３３】
遮光膜２３上に、ＩＴＯを含んでなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形
成されている。遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、
開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルタが形成
されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向
膜２２が形成されている。
【００３４】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１
０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電
圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造
途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよ
い。
【００３５】
（製膜装置）
次に、本発明に係る製膜装置の実施形態について、図３乃至図５を参照して説明する。
尚、本実施形態では、製膜装置の一例として、真空蒸着装置を挙げる。
【００３６】
本実施形態に係る真空蒸着装置の全体構成について、図３を参照して説明する。図３は
、本実施形態に係る真空蒸着装置の全体構成を示すブロック図である。
【００３７】
図３において、真空蒸着装置１は、チャンバ１１、基板ユニット１２、支持部材１３、
蒸着源１４及び制御部１５を備えて構成されている。
【００３８】
チャンバ１１は、基板ユニット１２及び蒸着源１４を設置するための空間１１ａを規定
する。チャンバ１１は、ここでは図示しない、例えばロータリーポンプ等の排気系に接続
されており、空間１１ａ内の気体が排気系により排気されることによって、空間１１ａが
真空に維持されている。
【００３９】
基板ユニット１２は、大型基板２００を保持する基板保持部材１２１、大型基板２００
の蒸着源１４に対向する側に配置され蒸着源から蒸発される蒸発物質が通過する開口部１
２２ａが開けられたスリット板１２２、及び基板保持部材１２１を移動可能なアクチュエ
ータ１２３を備えて構成されている。
【００４０】
蒸着源１４は、例えばＳｉＯやＳｉＯ２等の無機材料を保持するルツボ（図示せず）、
及び電子銃（図示せず）を備えて構成されている。動作時には、電子銃から出射される電
子ビームによって、ルツボ内の無機材料を加熱し、該無機材料を蒸発させる。
【００４１】
制御部１５は、基板２００上に蒸着膜を成膜する際に、蒸着源１４を制御すると共に、
基板保持部材１２１を移動させるようにアクチュエータ１２３を制御する。
【００４２】
尚、本実施形態に係る「チャンバ１１」、「蒸着源１４」、「基板保持部材１２１」、
「アクチュエータ１２３」、「大型基板２００」及び「無機材料」は、夫々、本発明に係
る「真空槽」、「膜材料源」、「保持手段」、「移動手段」、「基板」及び「膜材料」の
一例である。
【００４３】
次に、大型基板２００上に、本発明に係る「膜」の一例としての蒸着膜を成膜する際に
おける、大型基板２００（即ち、基板保持部材１２１）の移動について、図４を参照して
説明する。図４は、本実施形態に係る基板の移動を示す概念図である。
【００４４】
例えば、大型基板２００の複数のＴＦＴアレイ基板１０となるべき領域の各々に、所定
の製造工程を経て、画素電極９ａ（図２参照）が形成された後に、或いは、大型基板２０
０の複数の対向基板２０となるべき領域の各々に、所定の製造工程を経て、対向電極２１
（図２参照）が形成された後、大型基板２００が基板保持部材１２１に固定される。
【００４５】
次に、チャンバ１１内の気体が排気系により排気され、所定の真空度に到達した後に、
制御部１５は、蒸着源１４を制御すると共に、基板保持部材１２１（即ち、大型基板２０
０）を、図４に矢印ａで示すように、スリット板１２２に対してＺ軸方向に沿って往復移
動するようにアクチュエータ１２３を制御する。
【００４６】
この際、蒸着源１４から飛来した蒸着材料（無機材料）が開口部１２２ａを通過して、
大型基板２００と開口部１２２ａとの相対的な位置関係により規定される所定の範囲内の
入射角度で大型基板２００の表面に到達することにより、蒸着膜（ここでは、配向膜１６
又は２２）が形成される。
【００４７】
尚、本実施形態に係る「Ｚ軸方向」は、本発明に係る「一の方向」の一例である。また
、図４に示すように、スリット板１２２の開口部１２２ａは、本発明に係る「他の方向」
の一例としてのＸ軸方向に沿って延在している。
【００４８】
次に、スリット板１２２の開口部１２２ａについて、図５を参照して説明を加える。図
５は、本実施形態に係るスリット板に開口された開口部の形状を説明するための概念図で
ある。
【００４９】
図５に示すように、開口部１２２ａの形状は、開口部１２２ａの中心Ｏ及び端部を結ぶ
直線ａ１又はａ２と、蒸着源１４及び開口部１２２ａの端部を結ぶ直線ｂ１又はｂ２との
なす角（例えば、θ３）が、大型基板２００に到達する蒸着材料のＸ軸方向の角度分布が
広がる方向（即ち、該なす角が９０度に近付く方向）とは、逆方向（即ち、該なす角が０
度に近付く方向）になるように構成されている。
【００５０】
言い換えれば、開口部１２２ａの端部が、スリット板１２２の面内において、Ｘ軸方向
から、開口部１２２ａを通過する蒸着材料のＸ軸方向の角度分布の広がりを抑制する方向
に、角度θ１だけずれている。ここで、角度θ１は、図５に示すように、直線ａ１とＸ軸
方向に沿う直線ｘ１とがなす角である。
【００５１】
すると、直線ａ１又はａ２に対して垂直に入射する蒸着材料が、開口部１２２ａを比較
的多く通過するため、大型基板２００に到達する（即ち、開口部１２２ａを通過する）蒸
着材料のＸ軸方向の角度分布の広がりを抑制することができる。この結果、大型基板２０
０上に形成される蒸着膜を構成する柱状構造物の配向方位角のバラツキを抑制することが
できる。
【００５２】
尚、角度θ１と、直線ｂ１とＺ軸方向に沿う直線ｚ１とがなす角θ２とは、同程度であ
ることが望ましく、同一であることがより望ましい。
【００５３】
尚、スリット板１２２に開口された開口部は、図４及び図５に示した開口部１２２ａに
限らず、例えば、図６（ａ）に示すような、一部分だけ曲がった形状を有する開口部１２
２ｂや、図６（ｂ）に示すような、円弧状の開口部１２２ｃであってもよい。図６は、本
実施形態に係るスリット板に開口された開口部の変形例を示す概念図である。
【００５４】
＜第１変形例＞
次に、本実施形態の製膜装置に係る第１変形例について、図７を参照して説明する。図
７は、本実施形態の第１変形例に係るスリット板に開口された開口部の形状を説明するた
めの図である。
【００５５】
図７に示すように、本変形例に係るスリット板１２２に開口された開口部１２２ｄの幅
は、開口部１２２ｄの中心から開口部１２２ｄの端部に向かう程広くなっている。このよ
うに構成すれば、開口部１２２ｄの中心近傍と、開口部１２２ｄの端部近傍との成膜レー
トのバラツキを抑制することができる。この結果、大型基板２００上に形成される蒸着膜
の膜厚のバラツキを抑制することができる。
【００５６】
＜第２変形例＞
次に、本実施形態の製膜装置に係る第２変形例について、図８を参照して説明する。図
８は、本実施形態の第２変形例に係るスリット板に開口された開口部の形状を説明するた
めの図である。
【００５７】
図８に示すように、本変形例では、スリット板１２２に複数の開口部が開口されている
。例えば図８（ａ）に示すように、比較的幅の広い二つの開口部１２２ｅを、スリット板
１２２に開口すれば、成膜レートを向上させることができる。或いは、例えば図８（ｂ）
に示すように、比較的幅の狭い二つの開口部１２２ｆを、スリット板１２２に開口すれば
、例えば図４又は図５に示した開口部１２２ａが形成されたスリット板１２２と比べて、
成膜レートを低下させることなく、成膜精度を向上させることができる。
【００５８】
尚、スリット板１２２に開口される開口部は二つに限らず、三つ以上であってよい。
【００５９】
尚、実施形態では真空蒸着装置１を本発明に係る製膜装置の一例として挙げたが、本発
明は、該真空蒸着装置１に限らず、例えばスパッタリングターゲットを備えたスパッタ装
置等にも適用可能である。
【００６０】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体
から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような
変更を伴う製膜装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６１】
１…真空蒸着装置、１０…ＴＦＴアレイ基板、１１…チャンバ、１２…基板ユニット、
１３…支持部材、１４…蒸着源、１５…制御部、２０…対向基板、１００…液晶装置、１
２１…基板保持部材、１２２…スリット板、１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ、１２２ｄ、
１２２ｅ、１２２ｆ…開口部、１２３…アクチュエータ、２００…大型基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に、例えば斜方蒸着法、高レートスパッタ法等により膜を形成可能な
製膜装置の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の装置では、例えば基板面上に形成された柱状構造物の配向方位角を均一に近づ
けることが図られる。例えば、特許文献１乃至３には、蒸着物質の蒸気が流通可能なスリ
ットが、蒸着源と被蒸着材としての基板との間に配置された装置が記載されている。或い
は、特許文献４には、蒸着源と、基板を回転可能な基板支持台との間に、移動可能なスリ
ット板が配置された装置が記載されている。ここでは特に、スリット板の移動制御と、基
板支持台の回転角度制御による蒸着物質の入射角制御とを同時に行うことによって、基板
面内における蒸着角度を均一化する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１２９２２５号公報
【特許文献２】特開２００３−１２９２２８号公報
【特許文献３】特開２００６−３５０３２３号公報
【特許文献４】特開２００７−２７７６４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の特許文献１乃至３に記載の技術では、基板が大型化した場合に、
例えば基板面上に形成された柱状構造物の配向方位角を均一に近づけることが困難になる
という技術的問題点がある。特許文献４に記載の技術では、装置の制御が比較的複雑にな
るという技術的問題点がある。
【０００５】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、比較的簡便な方法により、
基板面上に形成された柱状構造物の配向方位角を均一に近づけることができる製膜装置を
提案することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の製膜装置は、上記課題を解決するために、基板上に形成される膜を構成する膜
材料を供給する膜材料源と、前記膜材料源及び前記基板を設置するための空間を規定する
と共に、前記空間を真空に維持することが可能な真空槽と、前記空間において、前記基板
の少なくとも一部が前記膜材料源の少なくとも一部と対面するように前記基板を保持する
保持手段と、前記基板が一の方向に沿って移動するように前記保持手段を移動する移動手
段と、前記基板及び前記膜材料源間に配置され、前記一の方向と交わる方向である他の方
向に沿って延在する開口部を有するスリット板とを備え、前記開口部の端部は、前記スリ
ット板の面内において、前記他の方向から、前記開口部を通過する膜材料の前記他の方向
の角度分布の広がりを抑制する方向にずれている。
【０００７】
本発明の製膜装置によれば、膜材料源は、基板上に形成される膜を構成する膜材料を供
給する。膜材料源は、具体的には例えば、蒸着源やスパッタリングターゲット等である。
尚、本発明に係る「膜材料源」は、典型的には、点源（ポイントソース）である。
【０００８】
真空槽は、膜材料源及び基板を設置するための空間を規定すると共に、該空間を真空に
維持することが可能である。ここで、「真空槽」は、例えば、チャンバ等の箱体を表す概
念である。係る概念が担保される限りにおいて、真空槽の形状及び材質などは何ら限定さ
れない。尚、真空槽の構成材料としては、機械的、物理的及び化学的な安定性に鑑みて、
例えば金属材料、鉄鋼材料、ガラス材料、陶器又は陶磁器材料等を使用することが望まし
い。
【０００９】
「真空」とは、大気圧より低い圧力の気体で満たされている空間の状態を包括する概念
であり、好適には、膜が基板上に形成される際の膜質に大気雰囲気中に含まれる酸素や窒
素等の不純物が影響しない程度に大気圧から減圧された空間の状態を指す。尚、係る真空
を作り出すための排気機構、排気装置又は排気システムの構成も、係る真空を作り出すこ
とが可能である限りにおいて何ら限定されない。例えば、ロータリーポンプ、メカニカル
ブースターポンプ、油拡散ポンプ又はターボ分子ポンプ等によって係る真空状態が作り出
されてもよい。或いは、これらがその排気特性などに鑑みて予備排気系及び主排気系とし
て複合的に使用されることによって真空が作り出されてもよい。
【００１０】
「真空に維持する」とは、このような排気系によって排気される気体の量と、真空槽に
おける気体の漏れ量（即ち、リーク量）とが相殺する結果として、一定或いは一定とみな
し得る程度に安定した真空度に到達している状態を含む概念である。
【００１１】
保持手段は、前記空間において、基板の少なくとも一部が膜材料源の少なくとも一部と
対面するように該基板を保持する。ここで、「対面して」とは、正対していることのみを
表すものではなく、膜材料源又は膜材料の飛行方向（例えば、蒸着方向）に対し、一定の
傾きをもって基板が設置されてもよい趣旨である。尚、本発明に係る「保持手段」は、こ
のように基板と膜材料源の夫々少なくとも一部が相互に対面するように基板を保持するこ
とが可能である限りにおいてその態様は何ら限定されない。
【００１２】
移動手段は、基板が一の方向に沿って移動するように保持手段を移動する。つまり、移
動手段は、基板が一の方向に沿って移動するように、該基板と保持手段とを一体として移
動する。
【００１３】
スリット板は、基板及び膜材料源間に配置され、前記一の方向と交わる方向である他の
方向に沿って延在する開口部を有する。膜材料源から放出された膜材料は、スリット板に
形成された開口部を通過するものを除いて、基板に到達することなく、該スリット板で遮
蔽される。他方、開口部を通過した膜材料は、基板と開口部との相対的な位置関係により
規定される所定の範囲内の入射角度で基板の表面に到達し、膜を形成する。
【００１４】
ここで、「他の方向」とは、典型的には、一の方向に延びる直線と他の方向に延びる直
線とが互いになす角が９０度に近づくような方向を意味する。具体的には例えば、「他の
方向」は、当該製膜装置上で平面的に見て、膜材料源を中心とする円周の接線方向である
。
【００１５】
「他の方向に沿って延在する」とは、開口部の長手方向が他の方向と平行であることに
限らず、開口部の長手方向が、実践上、他の方向に沿っているとみなせる範囲内において
、他の方向から大なり小なりズレている場合も含んでよい。
【００１６】
本発明では特に、開口部の端部は、スリット板の面内において、前記他の方向から、開
口部を通過する膜材料の他の方向の角度分布の広がりを抑制する方向にずれている。ここ
で、「開口部を通過する膜材料の他の方向の角度分布の広がりを抑制する方向」とは、膜
材料源及び開口部の端部を結ぶ直線と、開口部の中心及び開口部の端部を結ぶ直線と、の
なす角が小さくなる（即ち、０度に近付く）方向である。
【００１７】
本願発明者の研究によれば、以下の事項が判明している。即ち、生産効率を向上させる
観点から、比較的大きな基板上に、例えば液晶装置等の装置を一挙に複数個形成した後に
、個々の装置に分割する方法が採られることが多い。この場合、例えば斜方蒸着法、高レ
ートスパッタ法等により、基板上に膜を形成しようとすると、基板上の場所によって柱状
構造物の配向方位角や膜厚等にバラツキが生じる。これは、膜材料源が点源であることに
起因して、基板に到達する膜材料がスリット板の開口部の長手方向に角度分布を持ってい
るためである。そして、上記バラツキは、基板が大型化する程顕著になる。ここで、基板
上に形成される膜が、例えば液晶装置の配向膜である場合、上記バラツキに起因して、液
晶分子のプレチルト角にバラツキが生じる可能性がある。すると、液晶装置の表示画像の
品質が低下する可能性がある。
【００１８】
しかるに本発明では、上述の如く、開口部の端部が、スリット板の面内において、前記
他の方向から、開口部を通過する膜材料の他の方向（即ち、開口部の長手方向）の角度分
布の広がりを抑制する方向にずれるように構成されている。このため、基板上に形成され
る柱状構造物の配向方位角のバラツキを抑制することができる。従って、本発明の製膜装
置によれば、スリット板の開口部の形状を工夫するという比較的簡便な方法により、基板
上に形成された柱状構造物の配向方位角を均一に近づけることができる。
【００１９】
尚、開口部の幅が、該開口部の中心から該開口部の端部に向かう程広くなるように構成
すれば、基板上に形成される膜の膜厚のバラツキをも抑制することができ、実用上非常に
有利である。また、スリット板に複数の開口部を形成すれば、成膜レートを向上させるこ
とができる。或いは、スリット板に複数の開口部を形成すると共に、該複数の開口部の幅
を比較的狭くすれば、成膜レートを低下させることなく、成膜精度を向上させることがで
きる。
【００２０】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴアレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る真空蒸着装置の全体構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の実施形態に係る基板の移動を示す概念図である。
【図５】本発明の実施形態に係るスリット板に開口された開口部の形状を説明するための概念図である。
【図６】本発明の実施形態に係るスリット板に開口された開口部の変形例を示す概念図である。
【図７】本発明の実施形態の第１変形例に係るスリット板に開口された開口部の形状を説明するための図である。
【図８】本発明の実施形態の第２変形例に係るスリット板に開口された開口部の形状を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明に係る製膜装置の実施形態を、図面に基づいて説明する。尚、以下の各図
では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするために、該各層・各部材毎
に縮尺を異ならしめている。
【００２３】
（液晶装置）
先ず、本発明に係る製膜装置により形成された無機配向膜を備えてなる液晶装置の実施
形態を、図１及び図２を参照して説明する。尚、本実施形態では、液晶装置として、駆動
回路内蔵型のアクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
【００２４】
本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図
１は、本実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏ
ｒ）アレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図
２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００２５】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０
及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、
ガラス基板、シリコン基板等の基板からなり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラ
ス基板等の基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封
入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは画像表示領域１０ａの周囲に位
置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２６】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、
又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０
上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２
中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とす
るためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャ
ップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ
又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００２７】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域
１０ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、
このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜とし
て設けられてもよい。
【００２８】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、デ
ータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿っ
て設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側にサンプリング回路７が額縁
遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に
隣接する２辺に沿ったシール領域の内側の額縁領域に、額縁遮光膜５３に覆われるように
して設けられている。
【００２９】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両
基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これ
らにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができ
る。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４
、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００３０】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のト
ランジスタや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層
構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を含んでなる画素電極９ａが、画素毎に所定の
パターンで島状に形成されている。
【００３１】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の
画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面す
る側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成され
ている。尚、配向膜１６、及び後述する配向膜２２は、斜方蒸着法又は高レートスパッタ
法により形成された無機配向膜である。
【００３２】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されて
いる。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形
成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光
膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクタ用のランプや直視用のバックライ
トから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成
し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素と
によって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００３３】
遮光膜２３上に、ＩＴＯを含んでなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形
成されている。遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、
開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルタが形成
されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向
膜２２が形成されている。
【００３４】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１
０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電
圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造
途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよ
い。
【００３５】
（製膜装置）
次に、本発明に係る製膜装置の実施形態について、図３乃至図５を参照して説明する。
尚、本実施形態では、製膜装置の一例として、真空蒸着装置を挙げる。
【００３６】
本実施形態に係る真空蒸着装置の全体構成について、図３を参照して説明する。図３は
、本実施形態に係る真空蒸着装置の全体構成を示すブロック図である。
【００３７】
図３において、真空蒸着装置１は、チャンバ１１、基板ユニット１２、支持部材１３、
蒸着源１４及び制御部１５を備えて構成されている。
【００３８】
チャンバ１１は、基板ユニット１２及び蒸着源１４を設置するための空間１１ａを規定
する。チャンバ１１は、ここでは図示しない、例えばロータリーポンプ等の排気系に接続
されており、空間１１ａ内の気体が排気系により排気されることによって、空間１１ａが
真空に維持されている。
【００３９】
基板ユニット１２は、大型基板２００を保持する基板保持部材１２１、大型基板２００
の蒸着源１４に対向する側に配置され蒸着源から蒸発される蒸発物質が通過する開口部１
２２ａが開けられたスリット板１２２、及び基板保持部材１２１を移動可能なアクチュエ
ータ１２３を備えて構成されている。
【００４０】
蒸着源１４は、例えばＳｉＯやＳｉＯ２等の無機材料を保持するルツボ（図示せず）、
及び電子銃（図示せず）を備えて構成されている。動作時には、電子銃から出射される電
子ビームによって、ルツボ内の無機材料を加熱し、該無機材料を蒸発させる。
【００４１】
制御部１５は、基板２００上に蒸着膜を成膜する際に、蒸着源１４を制御すると共に、
基板保持部材１２１を移動させるようにアクチュエータ１２３を制御する。
【００４２】
尚、本実施形態に係る「チャンバ１１」、「蒸着源１４」、「基板保持部材１２１」、
「アクチュエータ１２３」、「大型基板２００」及び「無機材料」は、夫々、本発明に係
る「真空槽」、「膜材料源」、「保持手段」、「移動手段」、「基板」及び「膜材料」の
一例である。
【００４３】
次に、大型基板２００上に、本発明に係る「膜」の一例としての蒸着膜を成膜する際に
おける、大型基板２００（即ち、基板保持部材１２１）の移動について、図４を参照して
説明する。図４は、本実施形態に係る基板の移動を示す概念図である。
【００４４】
例えば、大型基板２００の複数のＴＦＴアレイ基板１０となるべき領域の各々に、所定
の製造工程を経て、画素電極９ａ（図２参照）が形成された後に、或いは、大型基板２０
０の複数の対向基板２０となるべき領域の各々に、所定の製造工程を経て、対向電極２１
（図２参照）が形成された後、大型基板２００が基板保持部材１２１に固定される。
【００４５】
次に、チャンバ１１内の気体が排気系により排気され、所定の真空度に到達した後に、
制御部１５は、蒸着源１４を制御すると共に、基板保持部材１２１（即ち、大型基板２０
０）を、図４に矢印ａで示すように、スリット板１２２に対してＺ軸方向に沿って往復移
動するようにアクチュエータ１２３を制御する。
【００４６】
この際、蒸着源１４から飛来した蒸着材料（無機材料）が開口部１２２ａを通過して、
大型基板２００と開口部１２２ａとの相対的な位置関係により規定される所定の範囲内の
入射角度で大型基板２００の表面に到達することにより、蒸着膜（ここでは、配向膜１６
又は２２）が形成される。
【００４７】
尚、本実施形態に係る「Ｚ軸方向」は、本発明に係る「一の方向」の一例である。また
、図４に示すように、スリット板１２２の開口部１２２ａは、本発明に係る「他の方向」
の一例としてのＸ軸方向に沿って延在している。
【００４８】
次に、スリット板１２２の開口部１２２ａについて、図５を参照して説明を加える。図
５は、本実施形態に係るスリット板に開口された開口部の形状を説明するための概念図で
ある。
【００４９】
図５に示すように、開口部１２２ａの形状は、開口部１２２ａの中心Ｏ及び端部を結ぶ
直線ａ１又はａ２と、蒸着源１４及び開口部１２２ａの端部を結ぶ直線ｂ１又はｂ２との
なす角（例えば、θ３）が、大型基板２００に到達する蒸着材料のＸ軸方向の角度分布が
広がる方向（即ち、該なす角が９０度に近付く方向）とは、逆方向（即ち、該なす角が０
度に近付く方向）になるように構成されている。
【００５０】
言い換えれば、開口部１２２ａの端部が、スリット板１２２の面内において、Ｘ軸方向
から、開口部１２２ａを通過する蒸着材料のＸ軸方向の角度分布の広がりを抑制する方向
に、角度θ１だけずれている。ここで、角度θ１は、図５に示すように、直線ａ１とＸ軸
方向に沿う直線ｘ１とがなす角である。
【００５１】
すると、直線ａ１又はａ２に対して垂直に入射する蒸着材料が、開口部１２２ａを比較
的多く通過するため、大型基板２００に到達する（即ち、開口部１２２ａを通過する）蒸
着材料のＸ軸方向の角度分布の広がりを抑制することができる。この結果、大型基板２０
０上に形成される蒸着膜を構成する柱状構造物の配向方位角のバラツキを抑制することが
できる。
【００５２】
尚、角度θ１と、直線ｂ１とＺ軸方向に沿う直線ｚ１とがなす角θ２とは、同程度であ
ることが望ましく、同一であることがより望ましい。
【００５３】
尚、スリット板１２２に開口された開口部は、図４及び図５に示した開口部１２２ａに
限らず、例えば、図６（ａ）に示すような、一部分だけ曲がった形状を有する開口部１２
２ｂや、図６（ｂ）に示すような、円弧状の開口部１２２ｃであってもよい。図６は、本
実施形態に係るスリット板に開口された開口部の変形例を示す概念図である。
【００５４】
＜第１変形例＞
次に、本実施形態の製膜装置に係る第１変形例について、図７を参照して説明する。図
７は、本実施形態の第１変形例に係るスリット板に開口された開口部の形状を説明するた
めの図である。
【００５５】
図７に示すように、本変形例に係るスリット板１２２に開口された開口部１２２ｄの幅
は、開口部１２２ｄの中心から開口部１２２ｄの端部に向かう程広くなっている。このよ
うに構成すれば、開口部１２２ｄの中心近傍と、開口部１２２ｄの端部近傍との成膜レー
トのバラツキを抑制することができる。この結果、大型基板２００上に形成される蒸着膜
の膜厚のバラツキを抑制することができる。
【００５６】
＜第２変形例＞
次に、本実施形態の製膜装置に係る第２変形例について、図８を参照して説明する。図
８は、本実施形態の第２変形例に係るスリット板に開口された開口部の形状を説明するた
めの図である。
【００５７】
図８に示すように、本変形例では、スリット板１２２に複数の開口部が開口されている
。例えば図８（ａ）に示すように、比較的幅の広い二つの開口部１２２ｅを、スリット板
１２２に開口すれば、成膜レートを向上させることができる。或いは、例えば図８（ｂ）
に示すように、比較的幅の狭い二つの開口部１２２ｆを、スリット板１２２に開口すれば
、例えば図４又は図５に示した開口部１２２ａが形成されたスリット板１２２と比べて、
成膜レートを低下させることなく、成膜精度を向上させることができる。
【００５８】
尚、スリット板１２２に開口される開口部は二つに限らず、三つ以上であってよい。
【００５９】
尚、実施形態では真空蒸着装置１を本発明に係る製膜装置の一例として挙げたが、本発
明は、該真空蒸着装置１に限らず、例えばスパッタリングターゲットを備えたスパッタ装
置等にも適用可能である。
【００６０】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体
から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような
変更を伴う製膜装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６１】
１…真空蒸着装置、１０…ＴＦＴアレイ基板、１１…チャンバ、１２…基板ユニット、
１３…支持部材、１４…蒸着源、１５…制御部、２０…対向基板、１００…液晶装置、１
２１…基板保持部材、１２２…スリット板、１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ、１２２ｄ、
１２２ｅ、１２２ｆ…開口部、１２３…アクチュエータ、２００…大型基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成される膜を構成する膜材料を供給する膜材料源と、
前記膜材料源及び前記基板を設置するための空間を規定すると共に、前記空間を真空に
維持することが可能な真空槽と、
前記空間において、前記基板の少なくとも一部が前記膜材料源の少なくとも一部と対面
するように前記基板を保持する保持手段と、
前記基板が一の方向に沿って移動するように前記保持手段を移動する移動手段と、
前記基板及び前記膜材料源間に配置され、前記一の方向と交わる方向である他の方向に
沿って延在する開口部を有するスリット板と
を備え、
前記開口部の端部は、前記スリット板の面内において、前記他の方向から、前記開口部
を通過する膜材料の前記他の方向の角度分布の広がりを抑制する方向にずれている
ことを特徴とする製膜装置。
【請求項２】
前記角度分布の広がりを抑制する方向は、前記膜材料源及び前記開口部の端部を結ぶ直
線と、前記開口部の中心及び前記開口部の端部を結ぶ直線と、のなす角が小さくなる方向
であることを特徴とする請求項１に記載の製膜装置。
【請求項３】
前記開口部の幅は、前記開口部の中心から前記開口部の端部に向かう程広くなることを
特徴とする請求項１又は２に記載の製膜装置。
【請求項４】
前記スリット板は、前記開口部を複数有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
か一項に記載の製膜装置。
【請求項５】
前記膜材料源は、蒸着源であり、
前記膜は、蒸着膜である
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の製膜装置。
【請求項１】
基板上に形成される膜を構成する膜材料を供給する膜材料源と、
前記膜材料源及び前記基板を設置するための空間を規定すると共に、前記空間を真空に
維持することが可能な真空槽と、
前記空間において、前記基板の少なくとも一部が前記膜材料源の少なくとも一部と対面
するように前記基板を保持する保持手段と、
前記基板が一の方向に沿って移動するように前記保持手段を移動する移動手段と、
前記基板及び前記膜材料源間に配置され、前記一の方向と交わる方向である他の方向に
沿って延在する開口部を有するスリット板と
を備え、
前記開口部の端部は、前記スリット板の面内において、前記他の方向から、前記開口部
を通過する膜材料の前記他の方向の角度分布の広がりを抑制する方向にずれている
ことを特徴とする製膜装置。
【請求項２】
前記角度分布の広がりを抑制する方向は、前記膜材料源及び前記開口部の端部を結ぶ直
線と、前記開口部の中心及び前記開口部の端部を結ぶ直線と、のなす角が小さくなる方向
であることを特徴とする請求項１に記載の製膜装置。
【請求項３】
前記開口部の幅は、前記開口部の中心から前記開口部の端部に向かう程広くなることを
特徴とする請求項１又は２に記載の製膜装置。
【請求項４】
前記スリット板は、前記開口部を複数有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
か一項に記載の製膜装置。
【請求項５】
前記膜材料源は、蒸着源であり、
前記膜は、蒸着膜である
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の製膜装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１１−２１４１２３（Ｐ２０１１−２１４１２３Ａ）
【公開日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−８５８４７（Ｐ２０１０−８５８４７）
【出願日】平成２２年４月２日（２０１０．４．２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月２日（２０１０．４．２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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