配位子
式（Ｉ）の置換パラシクロファン（式中、Ｘ１及びＸ２は２乃至４の炭素原子を含む連結基であり、Ｙ１及びＹ２は水素、ハライド、酸素、窒素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールからなる群から選択され、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は官能基を含んでいてもよい置換基であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０または１でありそしてａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至６である）について記述する。好ましくは、Ｘ１及びＸ２が−（Ｃ２Ｈ４）−であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１または２、である。この置換パラシクロファンは不斉反応に対する高い活性及び選択性を示す遷移金属触媒を提供する。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は遷移金属に触媒される不斉反応に使用される配位子に関し、そして、具体的にはパラシクロファン、より具体的には置換パラシクロファン、に関する。
パラシクロファン及び具体的には［２．２］−パラシクロファン誘導体は遷移金属に触媒される不斉反応のための配位子として確立されている（例えば、Ｓ．Ｅ．Ｇｉｂｓｏｎ ａｎｄ Ｊ．Ｄ．Ｋｎｉｇｈｔ，Ｏｒｇ．Ｂｉｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，２００３，１，１２５６−１２６９参照）。これらの中で、パラシクロファンビス（ホスフィン）がかなりの注目を集めている。というのは、それらから誘導される触媒が、多くの有用な不斉変換において高いレベルの活性及び選択性を示すからである。
【０００２】
例えば、ＷＯ９７／４７６３２はパラシクロファンビス（ホスフィン）配位子、並びに、不斉水素化、異性化、ヒドロホウ素化、環化、アリール化、アルキル化及びアミノ化反応のためのそれらの配位子から誘導されるロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）またはパラジウム（Ｐｄ）触媒を開示している。そこに記載されている配位子は以下に示す構造を有している：
【０００３】
【化１】
【０００４】
式中、両方のＸ基は同一であり、これらの配位子はＣ２対称性を有する、すなわちそれらはキラルでありＣ２対称軸を有している。例えば、ＰＨＡＮＥＰＨＯＳとして知られているＸ＝−（ＣＨ２ＣＨ２）−のＣ２対称［２．２］配位子は、Ｒｕ−ジアミン錯体の部分を構成した場合、ケトンの不斉水素化に使用することができる（ＷＯ０１／７４８２９参照）。
【０００５】
ＷＯ０２／０５７２７８はパラシクロファンビス（ホスフィン）に構造的に関連したパラシクロファン配位子を開示しており、そこでは［２．２］パラシクロファン構造において、リンに結合したフェニル基が酸素、窒素、塩素または水素原子で置き換わっている。これらの配位子を以下に示す：
【０００６】
【化２】
【０００７】
これらから誘導されるＲｈ、Ｉｒ及びＲｕ触媒が不斉水素化反応に使用された。
上記のパラシクロファン配位子は多くの不斉変換に対して効果的であるが、それらから誘導される触媒の、より広い反応及び基質に対する活性及び選択性の改良に対する必要が依然として存在する。さらに、パラシクロファン配位子を不斉変換用の触媒を調製するための高い鏡像体純度で供給するには、一般に、長くそして高価な分割技術を必要とする。
【０００８】
また、さらに、上記の配位子から誘導される触媒は、均一系触媒として使用された場合、これらの反応において許容範囲の活性及び選択性を与えるには効果的であるが、それらは固相支持体への固定化には特に適しているわけではない。均一系触媒の固相支持体への固定は、不均一系触媒の利点を均一系触媒に拡張する可能性を提供する。その利点は、短時間の後処理及びプロセス効率の改良につながる触媒と反応生成物のより容易な分離、高価な金属及び複雑な配位子幾何構造に基づく固定された触媒の再活性化及び再使用の可能性、及び固定化された触媒の連続フロー固定床操作への適用の可能性、を含む。
【０００９】
発明者らは、パラシクロファン構造のベンゼン環の一つまたは両方に置換基を導入することによって配位子の電子的及び／または立体的性質を変化させることができるということを見つけた。さらに、パラシクロファンのキラル分割を容易にするためにその置換基を使用でき、そして所望であれば、固相支持体材料との反応に適した官能基を与えるためにその置換基を使用することができる。
【００１０】
したがって、本発明は式（Ｉ）の置換パラシクロファンを提供する。
【００１１】
【化３】
【００１２】
式中、Ｘ１及びＸ２は２乃至４の炭素原子を含む連結基であり；Ｙ１及びＹ２は水素、ハライド、酸素、窒素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールからなる群から選択され；Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は官能基を含んでいてもよい置換基であり；ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０または１でありそしてａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至６である。
【００１３】
連結基Ｘ１及びＸ２はパラシクロファン構造のベンゼン環の連結を提供し、２乃至４の炭素原子を含む。Ｘ１及びＸ２は線状（ｌｉｎｅａｒ）、分岐または環構造であってよく、そしてその連結は２、３または４の炭素原子で形成される。その連結は、炭素原子に加えて、Ｏ、Ｎ及びＳ等のヘテロ原子を含むことができ（そこで、次には、そのＮはＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、Ｃ３Ｈ７若しくはＣ４Ｈ９等のアルキル基またはアリール基に結合することができ、そしてそのＳはアルキル基またはアリール基に結合することができるか、またはＳＯまたはＳＯ２の部分である）、及び／または連結基の炭素原子はハライド（例えば一つ以上のフッ素原子）で置換されていてもよい。それゆえ、連結基Ｘ１及びＸ２は、それぞれ、例えば、−（ＣＨ２）２−４−、−ＣＨ２ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｎ（ＣＨ３）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＳＯ２ＣＨ２−、−Ｃ２Ｆ４−、またはオルト、メタ若しくはパラ−Ｃ６Ｈ４−であることができる。連結基のそのような修飾は、置換パラシクロファンを異なった反応条件（例えば溶媒）に適用するにおいて有用であろう。好ましくは、連結基は−（Ｃ２Ｈ４）−、−（Ｃ３Ｈ６）−または−（Ｃ４Ｈ８）−を含む。より好ましくはＸ１及びＸ２は同一であって、そして最も好ましくはＸ１及びＸ２は共に−（Ｃ２Ｈ４）−である。
【００１４】
一つの実施態様において、パラシクロファンはビス（ホスフィン）であって、そこでＹ１及びＹ２は、独立に、水素、ハライド（Ｃｌ、Ｂｒ、ＦまたはＩ）、または直鎖または分岐鎖の（例えばＣ１−Ｃ２０）アルキル基（メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル及びステアリル等）、（例えばＣ３−Ｃ１０）シクロアルキル基（シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはアダマンチル等）またはアリール基（フェニル、ナフチルまたはアントラシル等）であることができる。アルキル基は、ハライド（Ｃｌ、Ｂｒ、ＦまたはＩ）またはアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基またはプロポキシ基）等の置換基で一つ以上置換されていてもよい。アリール基は、ハライド（Ｃｌ、Ｂｒ、ＦまたはＩ）、メチル基、トリフルオロメチル基またはメトキシ基等の置換基で一つ以上置換されていてもよい。適した置換アリール基は４−メチルフェニル、３，５−ジメチルフェニル、４−メトキシフェニル及び４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニルを含む。ピリジル等の置換または非置換のヘテロアリール基を使用することもできる。他の実施態様において、各リン原子上のＹ１及びＹ２は、そのリン原子を含んで環構造を形成するように連結されていてもよい。そのような実施態様において、好ましくはＹ１及びＹ２は、各リン原子で４乃至７員環を与えるように連結されている。さらなる実施態様において、パラシクロファンはホスホナイト（そこでＹ１及びＹ２は酸素原子である）、ホスホラスアミド（そこでＹ１及びＹ２は窒素原子である）またはホスホンアミダイト（ｐｈｏｓｐｈｏｎａｍｉｄｉｔｅ、そこでＹ１は酸素原子であり、Ｙ２は窒素原子である）であってもよい。好ましくは、Ｙ１及びＹ２は同一で、そしてフェニル基または置換フェニル基である。
【００１５】
それらの数及び位置に依存して、置換基Ｚ１、Ｚ２及びＺ３はパラシクロファン（Ｉ）の一方または双方のベンゼン環の水素原子を置換する。Ｚ１、Ｚ２またはＺ３は、独立して、非官能性基を含む置換基であり、例えば、分岐または線状アルキル（例えば、Ｙ１及びＹ２について上述したような、Ｃ１−Ｃ３０、好ましくはＣ１−Ｃ２０、より好ましくはＣ１−Ｃ１０）、アリール（例えば、フェニル、ナフチルまたはアントラシル）、またはアラルキルまたはアルカリール（例えば、ベンジル、−ＣＨ２Ｃ６Ｈ５）である。そのような置換基は、例えばパラシクロファンが遷移金属触媒錯体の部分として使用される場合、パラシクロファンの物理的、電子的及び／または立体的性質を変化させるのに有効であろう。追加的にまたは代わりとして、Ｚ１、Ｚ２またはＺ３は一つ以上の官能基を含んでいる置換基であってもよく、そしてそれらの官能基は、所望であれば、配位子の電子的性質を変化させるため、パラシクロファン配位子またはその中間体のキラル分割を容易にするため、及び／またはパラシクロファン配位子（またはその中間体）及びそれから誘導される触媒を適当な反応性の固相支持体に共有結合させるため、に使用することができる。そのため、置換基Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は、一つ以上の官能基を含むことができる。適した官能基は、ハライド（Ｃｌ、Ｂｒ、ＦまたはＩ）、ヒドロキシル、アルコキシ（すなわち−ＯＲ、ここでＲ＝Ｃ１−Ｃ３０アルキル）、カルボニル、カルボキシル、無水物、メタクリル、エポキシド、ビニル、ニトリル、ニトロ、スルフェート、スルホニル、メルカプト、スルフィドアミノ、アミン、イミン、アミド及びイミドを含む。これらの官能基は、適切な場合には、パラシクロファン配位子のベンゼン環に直接結合することができ、または、ベンゼン環に結合したアルキル（例えば、Ｙ１及びＹ２について上述したようなＣ１−Ｃ３０）、アリールまたはアルキル−アリール基上に存在することができる。さらに、パラシクロファン構造の一方のベンゼン環上のＺ１、Ｚ２またはＺ３は、他方のベンゼン環上のＺ１、Ｚ２またはＺ３と同一であっても異なっていてもよい。すなわち、（Ｚ１）ａ、（Ｚ２）ｂ及び（Ｚ３）ｃは（Ｚ１）ｄ、（Ｚ２）ｅ及び（Ｚ３）ｆと同一であっても異なっていてもよい。
【００１６】
特に好ましい置換基は、−ＣＨ３（Ｍｅ）、−Ｃ（ＣＨ３）３（ｔＢｕ）、−ＣＨ（ＣＨ３）２（ｉＰｒ）等のアルキル基；−Ｃ６Ｈ５（Ｐｈ）等のアリール基；例えば式−ＣｘＨｙＦｚ（式中、ｘは１乃至１０、好ましくは１乃至３；ｙは２ｘより小さく０を含む；そしてｚ＝１乃至２ｘ＋１）のフルオロアルキル基；ビニル基−ＣＨ＝ＣＨ２；ヨージド−Ｉ；ニトレート−ＮＯ２；イミノ、例えば−Ｎ＝ＣＰｈ２；アルコキシメチレンまたはアルコキシ基Ｒ’ＯＣＨ２−またはＲ’Ｏ−（例えば、Ｒ’はＨ、Ｃ１−Ｃ３０アルキル、アリール、アルカリールまたはシリルであり、特にはＣＨ２Ｐｈ、ＣＨ３、ｔＢｕ、ｉＰｒ、Ｓｉ（ｔＢｕ）Ｍｅ２またはＳｉ（ｉＰｒ）３）；カルボニルＸＣ（Ｏ）−（例えば、ＸはＨ、ハライド（特にはＣｌ）、Ｃ１−Ｃ３０アルキル（好ましくはＣ１−Ｃ１０））；カルボキシルＲ”Ｏ２Ｃ−（例えば、Ｒ”はＨ、Ｃ１−Ｃ３０アルキル、アリールまたはアルカリール（ＣＨ３、Ｐｈ−ＣＨ２、ｔＢｕ、ｉＰｒ等で好ましくはＨ））；及びアミノＲ’Ｒ”Ｎ−、Ｒ’Ｒ”ＮＣＨ２−またはＲ’Ｒ”ＮＣＯ−（例えば、Ｒ’及び／またはＲ”はＨ、アルキルまたはアルカリール（ＣＨ３、Ｃｈ２Ｐｈ等））である。
【００１７】
パラシクロファン構造の各ベンゼン環上の置換基は、Ｐ（Ｙ１Ｙ２）基に対してオルト（Ｚ３）位、メタ（Ｚ２）位及び／またはパラ（Ｚ１）位であってよい。置換基がベンゼン環のパラ位にある場合、その置換基がＰ（Ｙ１Ｙ２）基への電子的影響を増すことがあり、そして適切なＺ１置換基の選択によって、触媒の部分となった場合に異なった反応及び基質に対する配位子の効果を増すための配位子の電子的微調整を可能にすることができる。Ｚ２または、特にオルト位のＺ３置換基の注意深い選択によって、触媒活性に変化をもたらすように配位子の立体的性質を変化させることができる。置換基はまた、パラシクロファンの物理的性質（例えば、空気中でのまたは水に対する安定性、または異なった溶媒への溶解度）を変化させるために使用することができる。好ましくは、パラシクロファンの各ベンゼン環の置換基はＰ（Ｙ１Ｙ２）基に対してパラ（Ｚ１）位である。
【００１８】
少なくとも一つから、最大で六つまでの置換基が本発明の置換パラシクロファン（Ｉ）に存在することができる。パラシクロファン構造の各ベンゼン環は三つの置換基を持つことができるが、好ましくは、各ベンゼン環はａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至４になるように、特に好ましくはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１または２になるように、一つまたは二つの置換基を含むことができる。最も好ましくは、各ベンゼン環が置換基を一つだけ持つ、すなわちａ＋ｂ＋ｃ＝１及び／またはｄ＋ｅ＋ｆ＝１であり、特にはａ及び／またはｄが１である。
【００１９】
触媒の調製用の配位子としての使用に適している、本発明のパラシクロファンは以下を含む、がそれらに限定はされない：
【００２０】
【化４】
【００２１】
本発明のパラシクロファンを製造するための方法は、適切なパラシクロファン中間体に対する求電子置換反応（フリーデル−クラフツアルキル化及びアシル化反応を含む）、求核置換反応及びメタル化−置換反応を含む。また、置換シクロファンは、適切に置換及び官能基化されたベンゼン環ユニットの、例えば熱的または光化学的手段による、カップリングまたは二量化によって構築することもできる。好ましくは、本発明の置換パラシクロファンは、適切なパラシクロファン中間体の置換反応によって製造される。特に、置換擬（ｐｓｅｕｄｏ）−オルトジブロモ−パラシクロファンが、本発明の置換パラシクロファンの合成に対する非常に有用な出発点を提供するということを、発明者らは見つけた。
【００２２】
したがって、本発明はさらに、式（Ｉ）の置換パラシクロフェンの製造のための方法を提供する。その方法は：
【００２３】
【化５】
【００２４】
（ａ）擬−オルトジブロモパラシクロファンの置換反応を行って式（ＩＩ）の置換擬−オルトジブロモパラシクロファン中間体を形成すること、及び、
【００２５】
【化６】
【００２６】
（ｂ）その置換擬−オルトジブロモパラシクロファンをＰ（Ｙ１Ｙ２）を有するリン化合物と反応させること、による。式中、Ｘ１及びＸ２は２乃至４の炭素原子を含む連結基であり；Ｙ１及びＹ２は水素、ハライド、酸素、窒素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールからなる群から選択され；Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は官能基を含んでいてもよい置換基であり、そして、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０または１でありそしてａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至６である。
【００２７】
置換ジブロモパラシクロファン（ＩＩ）の合成のための擬−オルトジブロモパラシクロファンは既知の方法によって製造することができる。典型的には、適当な溶媒中、鉄の存在下でパラシクロファンを臭素と反応させることができる（Ｄ．Ｊ．Ｃｒａｍ ｅｔ ａｌ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９６９，９１，（１３），３５２７参照）。特に、市販の［２．２］パラシクロファンについて、上述のＷＯ９７／４７６３２の３１頁及び３２頁の実施例１及び実施例２に記載の方法に従って、擬−オルトジブロモ［２．２］パラシクロファンの合成を行うことができる。
【００２８】
本発明の置換パラシクロファンの製造のためには、求電子置換反応が好ましい。特に、擬−オルトジブロモパラシクロファン、特には擬−オルトジブロモ［２．２］パラシクロファン、のルイス酸媒介の求電子置換が、驚くべきことに、高い収率及び選択性で実質的にモノ−パラ−置換反応生成物だけを与えるように進行することを見つけた。モノ−置換生成物のみを形成するので、この方法は非常に効率的であり、そして、所望の置換パラシクロファン生成物を得るために複雑で高価な分離技術を使用しなければならないという可能性を克服する。
【００２９】
例えば、擬−オルトジブロモ［２．２］パラシクロファンのアセチル化は、ジクロロメタン（ＤＣＭ）中、三塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）及びアセチルクロリド（ＣＨ３ＣＯＣｌ）の存在下で容易に進行し、そして、驚くべきことに、パラ位に独占的にケトン基を有するモノ−置換アセチル化生成物を与える。過剰のルイス酸存在下でも、ジアセチル化生成物は得られなかった。この反応を以下に示す：
【００３０】
【化７】
【００３１】
オキサリルクロリド及びＡｌＣｌ３の存在下で、擬−オルトジブロモ［２．２］パラシクロファンモノ−酸クロリドを高い収率で得ることができる。これは水で加水分解でき、またはメタノールでのクエンチ（ｑｕｅｎｃｈｅｄ）によってメチルエステルを与える。これらの反応を以下に示す：
【００３２】
【化８】
【００３３】
標準的なニトロ化条件（濃ＨＮＯ３／無水酢酸）では、モノ−及びジ−置換擬−オルトジブロモ［２．２］パラシクロファン化合物が得られ、また、出発物質のある程度の分解も起こるであろう。しかしながら、好ましいルイス酸ニトロ化条件（Ｓｃ（ＯＴｆ）３）では、擬−オルトジブロモ［２．２］パラシクロファンモノ−ニトロ化合物が高い収率で得られ、また、ジ−置換生成物は検出されなかった。これらの反応を以下に示す：
【００３４】
【化９】
【００３５】
オルト−置換はオルト−リチオ化法を用いて行うことができる。そこでは、４−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミド［２．２］パラシクロファン等のオルト−指向性（ｏｒｔｈｏ−ｄｉｒｅｃｔｉｎｇ）基で置換されたパラシクロファンが、ジエチルエーテル及びＴＭＥＤＡ中でｔ−ブチルリチウム等の適切なアルキルリチウム化合物を用いてリチオ化され、そしてそのリチオ化されたパラシクロファンが適切な求電子剤と処理される（Ｐｅｌｔｅｒ ｅｔ ａｌ，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，２００１，８３９１−４参照）。
【００３６】
所望であれば、置換擬−オルトジブロモパラシクロファン（ＩＩ）上の官能基を、目的のホスフィン、ホスホナイト、ホスホラス−アミドまたはホスホンアミダイトを含んだ式（Ｉ）のパラシクロファンに変換される前に、化学的に変換することができる。例えば、置換基がニトロ基（−ＮＯ２）の場合、触媒的水素化等の既知の方法を用いてアミノ基（−ＮＨ２）に還元することができる。一方、例えば、スキーム２に示したメチルエステル化合物をＬｉＡｌＨ４を使用した対応するベンジルアルコールへの還元によってヒドロキシル官能基を導入することができる。そして、ベンジルアルコール−置換擬−オルトジブロモパラシクロファンの対応するホスフィン、ホスホナイトまたはホスホンアミダイトへの変換の前に、ヒドロキシル基を別の置換基（トリチル基またはトリイソプロポキシシリル基等）に変換することができる。トリチル−変換反応を以下に示す。
【００３７】
【化１０】
【００３８】
必要であれば、トリチル−官能基化置換パラシクロファンを適当な酸で処理することによって、トリチル基からヒドロキシル官能基を再生することができる。同様に、トリイソプロピルシリル基はテトラブチルアンモニウムフルオリド（ＴＢＡＦ）を用いて除去することができる。
【００３９】
置換擬−オルトジブロモパラシクロファン（ＩＩ）を合成すると、本発明の方法の次の段階は、置換擬−オルトジブロモパラシクロファン（ＩＩ）をＰ（Ｙ１Ｙ２）を有するリン化合物と反応することによる擬−オルトブロミド基の目的のホスフィン、ホスホナイト、ホスホラスアミドまたはホスホンアミダイトへの変換である。この反応は、多くの既知の方法にしたがって行うことができる。例えば、ジフェニルホスフィノ基によるＢｒ原子の直接的置換は、ＤＭＦ中１００℃で、ＮｉＣｌ２ｄｐｐｅ及びトリエチレンジアミンの存在下、置換擬−オルトジブロモパラシクロファン（ＩＩ）をジフェニルホスフィン（Ｐｈ２ＰＨ）と反応させることによって達成することができ、または、ＴＨＦ中室温で、リチオ化されたジフェニルホスフィン（Ｐｈ２ＰＬｉ）及びＮｉＣｌ２ｄｐｐｅを使用することによって達成することができる。一方、ＢｕＬｉによる低温でのリチオ化及びＭｇＢｒ２を用いたトランスメタル化は活性化グリニャール試薬を生成し、そしてそれはより安定なホスホリルオキシド（Ｐｈ２Ｐ（Ｏ）Ｃｌ）と反応することができる。そのグリニャール試薬は、置換擬−オルトジブロミド（ＩＩ）とＭｇとの反応によって直接形成することもできる。得られるビス（ホスフィンオキシド）パラシクロファンは適当な還元剤（ＨＳｉＣｌ３またはＬｉＡｌＨ４等）によって目的のビスホスフィンに還元することができる。
【００４０】
好ましくは、置換パラシクロファンビス（ホスフィン）は、式（ＩＩ）の置換擬−オルトジブロモパラシクロファンをアルキルリチウム試薬（ｔｅｒｔ−ブチルリチウム（ｔＢｕＬｉ）等）で処理し、得られたアニオンをアリール−またはアルキル−ホスフィニルクロリド（ジフェニルホスフィニルクロリド（Ｐｈ２ＰＣｌ）等）でクエンチして目的の置換パラシクロファンビス（ホスフィン）を生成することによって製造することができる。他のアリール及びアルキルホスフィンについて、同様の方法を使用することができる。スキーム４のトリチル−保護擬−オルトジブロモ［２．２］パラシクロファンを使用して、この反応を以下に示す：
【００４１】
【化１１】
【００４２】
一方、より空気及び湿気に安定な対応するホスフィンオキシドはＰｈ２ＰＯＣｌを用いて製造することができ、そしてそのホスフィンオキシドはＨＳｉＣｌ３等を用いて還元することができる。
【００４３】
式（ＩＩ）の置換擬−オルトジブロモパラシクロファンからホスホナイト、ホスホラスアミド及びホスホンアミダイトを製造するための適当な方法はＡ．Ｚａｎｏｔｔｉ−Ｇｅｒｏｓａ ｅｔ ａｌ，Ｏｒｇ．ｌｅｔｔ．，２００１，３６８７に見ることができる。
【００４４】
ホスフィンの場合と同様に、強力な有機金属塩基によるジブロミドの直接メタル化及び適切なクロロ−ホスホナイトとの反応によって、置換擬−オルトジブロモパラシクロファンを対応する置換パラシクロファンビス（ホスホナイト）に変換することができる。好ましくは、置換パラシクロファンビス（ジクロロホスフィン）または置換パラシクロファンホスホラス−ジアミドとアルコール、ジオールまたは金属ジオレート（ｄｉｏｌａｔｅ）との処理によって、置換パラシクロファンビス（ホスホナイト）を合成することができる。置換パラシクロファンビス（ジクロロホスフィン）自体はパラシクロファンホスホラスジアミドを経て得ることができ、そしてパラシクロファンホスホラスジアミドは、強力な有機金属塩基によるパラシクロファンジブロミドの直接メタル化及びクロロ−ホスホラス−ジアミド（Ｃｌ−Ｐ（ＮＣＨ３）２またはＣｌＰ（ｉｓｏ−Ｃ３Ｈ７）２等）との反応によって製造することができる。得られたパラシクロファンホスホラス−ジアミドはＨＣｌ溶液との処理によってパラシクロファンビス（ジクロロホスフィン）に変換することができる。置換［２．２］パラシクロファンについて、これらの反応を以下に示す：
【００４５】
【化１２】
【００４６】
上述の反応手順において、望まない副反応を抑えるために、適切な場合には置換基を、例えば既知の方法を用いたアルコキシ基等によって、保護することができる。
本発明の置換パラシクロファンはキラルであり、二つのエナンチオマー形、すなわち（Ｒ）−または（Ｓ）−立体配置の一つを採ることができる。また、パラシクロファンはエナンチオマーのラセミ混合物を含むことができる。一方、そして好ましくは、置換パラシクロファンは実質的にエナンチオマー的に純粋なエナンチオマー（すなわちエナンチオマー過剰＞７５％、好ましくは＞９５％）を含む。実質的に純粋なエナンチオマーを得るために、実質的にエナンチオマー的に純粋な擬−オルトジブロモパラシクロファンの出発原料から、置換パラシクロファンを製造することができる。例えば、擬−オルトジブロモパラシクロファンのラセミ混合物の分割は、結晶性セルローストリアセテート等のキラルな固定相上で溶離液としてエタノールを使用して行うことができ、またはキラルなＨＰＬＣカラム上で行うことができる。または、合成過程のより後の段階でキラル分割を行うことができる。例えば、置換パラシクロファンビス（ホスフィン）、ホスフィンオキシド、ホスホナイト、ホスホラスアミドまたはホスホンアミダイト（Ｉ）について、既存の結晶化技術またはキラルクロマトグラフィーカラム上での分離を利用して、分割を行うことができる。例えば、置換パラシクロファンホスフィンオキシドを、包接錯体を形成する酒石酸ベンゾイル等のキラル基質と処理することによって分割を行うことができる。そして分割したホスフィンオキシドをＨＳｉＣｌ３等を用いて還元する。しかしながら、これらの方法は、高価で時間がかかるという不利がある。
【００４７】
有利なことには、本発明では、必要であれば、パラシクロファンのキラル分割を、その置換基自体を利用して行うことができる。この分割は、好ましくは、置換基上に適切な官能基を持つ置換擬−オルトジブロモパラシクロファンを用いて行うことができる。
【００４８】
したがって、本発明は、さらに、式（ＩＩＩ）の置換擬−オルトジブロモパラシクロファンを提供する：
【００４９】
【化１３】
【００５０】
式中、Ｘ１及びＸ２は２乃至４の炭素原子を含む連結基であり、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は置換基であって、その少なくとも一つはヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、無水物、メタクリル、エポキシド、ビニル、ニトリル、ニトロ、スルフェート、スルホニル、メルカプト、スルフィドアミノ、アミン、イミン及びイミドから選択される官能基を含み、そして、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０または１でありそしてａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至６である。
【００５１】
好ましくは、官能基はカルボン酸（−ＣＯＯＨ）官能基であり、それはキラルな塩基と反応することができる。また、好ましくは、官能基はアミノ官能基（−ＮＨ２、例えば、ニトロ基−ＮＯ２の還元によって形成される）であり、それはキラルな酸と反応することができる。または、官能基は酵素的キラル分割ができるように酵素と相互作用できる基であってもよい。好ましくは一つまたは二つ、より好ましくは官能基を含む一つの置換基が式（ＩＩＩ）の置換擬−オルトジブロモパラシクロファンに存在している。すなわち、好ましくはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１または２であり、より好ましくはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１であり、最も好ましくはａまたはｄが１である。
【００５２】
式（ＩＩＩ）の置換擬−オルトジブロモパラシクロファンの使用は多くの利点、特に、目的のキラル生成物への合成経路の単純化ということ、を提供する。一つの実施態様において、パラシクロファンホスフィン、ホスホナイト、ホスホラス−アミドまたはホスホンアミダイトの合成の前に、擬−オルトジブロミドのキラル分割を行うために、スキーム２のモノ−置換パラシクロファンカルボキシレートを使用することができる。キラルな塩基を利用した、モノ−パラ−置換擬−オルトジブロモ［２．２］パラシクロファンのキラル分割に至る手順を以下に示す：
【００５３】
【化１４】
【００５４】
シンコニジン等のキラル塩基を使用した既存の技術によってキラル分割を行うことができる。一方、酒石酸、酒石酸エステル、マンデル酸またはカンファースルホン酸等のキラルな酸を使用して、アミノ置換擬−オルトジブロモパラシクロファンの分割を行うことができる。
【００５５】
置換パラシクロファンの一方のエナンチオマーが記載されている場合、本発明の態様には他方のエナンチオマーも含まれるということは、当業者には理解されるであろう。
本発明の置換パラシクロファン（Ｉ）は、化学反応の触媒としての使用に適した金属錯体を製造するための配位子として使用することができる。
【００５６】
したがって、本発明はまた、金属化合物と式（Ｉ）の置換パラシクロファンの反応生成物を含む金属錯体を提供する：
【００５７】
【化１５】
【００５８】
式中、Ｘ１及びＸ２は２乃至４の炭素原子を含む連結基であり、Ｙ１及びＹ２は水素、ハライド、酸素、窒素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールからなる群から選択され、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は官能基を含んでいてもよい置換基であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０または１でありそしてａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至６である。
【００５９】
置換パラシクロファン（Ｉ）は、ラセミ混合物として、または実質的にエナンチオマー的に純粋な形で、金属化合物と組み合わせることができる。好ましくは、置換パラシクロファン（Ｉ）は実質的にエナンチオマー的に純粋（すなわちエナンチオマー過剰＞７５％、好ましくは＞９５％）である。金属化合物としては、置換パラシクロファン（Ｉ）と反応して金属錯体を与えることができる任意の金属化合物であってよい。金属化合物は、好ましくはパラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）またはルテニウム（Ｒｕ）の化合物であり、そしてそれらは、ハライド、カルボキシレート、スルホネートまたはホスホネート等の金属塩であってもよく、またそれらは有機金属化合物であってもよい。金属錯体は、可逆的に配位できる配位子をさらに含むことができる。可逆的に配位する配位子は金属錯体の安定性を改良することができる。そして、可逆的に配位する配位子は金属錯体の合成中に加えることができ、また、反応混合物に添加されたときに金属錯体と反応することもできる。“可逆的に配位する（ｒｅｖｅｒｓｉｂｌｙ ｃｏ−ｏｒｄｉｎａｔｉｎｇ）”、ということによって、発明者らは、反応混合物中で他の分子によって容易に置き換えられる配位子、を指す。そのような可逆的に配位する配位子は、ジエン（特にシクロオクタジエンまたはノルボルナジエン等の環状ジエン）、Ｃ１−Ｃ４アルコール、エーテル、環状エーテル、ジオール（例えば１，２−ジオール）及びＣ２またはＣ３オレフィン（例えばエチレン）を含むリストから選択することができる。また、金属錯体触媒の反応性及び選択性を修飾するために使用することのできる非可逆的に配位する配位子を、金属錯体はさらに含むことができる。特にＲｈ錯体において使用することができる非可逆的に配位する配位子はジアミンであり、例えば１，２−ジフェニルエチレンジアミン、１，２−シクロヘキシルエチレンジアミン及びエチレンジアミンであり、そして特には、実質的にエナンチオマー的に純粋なキラルな１，２−ジアミンである（（Ｓ，Ｓ）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン等）。
【００６０】
金属錯体の酸化状態を満たすために、金属の酸化状態が許容する場合は、金属錯体はさらに対イオンを含むことができる。対イオンは任意の適切なアニオンであることができ、そしてそれらは、好ましくは、トリフルオロメタンスルホネート（トリフレートまたはＯＴｆ）、パークロレート（ＣｌＯ４）、ヘキサフルオロアンチモネート（ＳｂＦ６）またはヘキサフルオロホスフェート（ＰＦ６）から選択される非求核性のアニオンである。
【００６１】
したがって、本発明の金属錯体は以下のものを含むが、それらに限定されるものではない：
【００６２】
【化１６】
【００６３】
金属錯体は本発明の置換パラシクロファンから容易に製造することができる。通例、金属化合物が置換パラシクロファン、及び任意の可逆的に配位する配位子及び／または非可逆的に配位する配位子と適当な溶媒中で混合され、そして必要であれば加熱され、目的の金属錯体が形成される。例えば、スキーム５のアルコキシ−置換パラシクロファンビス（ホスフィン）は比較的温和な条件で［ＲｕＣｌ２（ｂｅｎｚｅｎｅ）２］２及び（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎと反応して不斉還元反応の実施に適した触媒を形成する。この反応を以下に示す：
【００６４】
【化１７】
【００６５】
本発明の置換パラシクロファン配位子はキラルであり、そのためキラルな金属錯体触媒を生成することができる。本発明のキラルな金属錯体触媒はキラル化合物の生産に利用される多くの不斉反応に適用することができる。そのような反応としては、エナミド及び非エナミド構造のキラル水素化、イソキノリン合成における不斉水素化、不飽和アルコールの不斉水素化、及びケトン及びイミンの不斉水素化等の不斉水素化反応を含むが、これらに限定されるものではない。本発明の触媒はまた、ヘック（Ｈｅｃｋ）反応または鈴木（Ｓｕｚｕｋｉ）反応等の炭素−炭素カップリング反応、オレフィンのエナンチオ選択的異性化、不斉ヒドロホウ素化反応、オレフィンアルデヒドの不斉環化、不斉アリール化およびアルキル化反応、及びハロゲン化アリールのアミノ化（Ｈａｒｔｗｉｇ−Ｂｕｃｈｗａｌｄ反応）に対して使用することもできる。適切である場合には、反応において高いレベルのエナンチオマー純度を達成するためは、金属錯体が実質的にエナンチオマー的に純粋な置換パラシクロファン（Ｉ）を含むことが好ましい。
【００６６】
金属錯体触媒を使用する条件は、通常、構造的に類似した触媒について適用されている条件と同様のものである。例えば、ケトンの不斉還元に対しては、スキーム７にしたがって製造された触媒を標準的な水素圧下、室温で使用することができる。この反応を以下のように記すことができる：
【００６７】
【化１８】
【００６８】
発明者らは、本発明の置換パラシクロファンを含む金属錯体が非常に効果的な均一系触媒であることを見つけたが、そのような金属錯体を固相支持体上で不均一系触媒として提供することも望ましい。不均一系触媒は、しばしば反応混合物からの分離が容易であり、そして状況によっては再使用することもできる、という利点を有している。不均一系触媒を形成するために、金属錯体は、適当な固相支持体（例えば、ゼオライト）に吸収され、またはそれらにイオン交換されることができる。一方、金属錯体は、固相支持体材料に存在する官能基と反応して共有結合した触媒を形成することができる。吸収またはイオン交換による不均一系触媒より、使用における金属錯体の浸出に対してより耐性であることがあるので、共有結合した不均一系触媒が、しばしば好ましい。有利なことには、本発明の置換パラシクロファンは置換基を有しており、そしてそれは、固相支持体材料に存在する官能基と反応することができる官能基を含むことができる。
【００６９】
本発明のパラシクロファンを利用して共有結合した不均一系触媒を形成するために、多くの経路が可能である。
（ｉ）官能基を含む置換基を有する置換パラシクロファン（Ｉ）から誘導される金属錯体を不溶性の固相支持体材料の官能基と単に反応させることができる。
（ｉｉ）官能基を含む置換基を有する置換パラシクロファン（Ｉ）を不溶性の固相支持体材料の官能基と反応させ、次いで金属化合物をそれと反応させることによって固定された金属錯体を形成することができる。
（ｉｉｉ）官能基を含む置換基を有する置換ジブロモパラシクロファン（ＩＩ）を固相支持体材料の官能基と反応させ、次いで置換パラシクロファン（Ｉ）に変換し、そして固定されたパラシクロファンを金属化合物と反応させ固定された金属錯体を形成することができる。
【００７０】
さらに、置換基Ｚ１、Ｚ２またはＺ３の官能基が与えられた固相支持体材料との反応に適していない場合には、それを化学反応（還元または酸化等）によって内部変換することができ、または、その官能基を、固相支持体材料との反応が可能な適切な官能基を提供する連結分子（ｌｉｎｋｅｒ ｍｏｌｅｃｕｌｅ）と反応させることができる。
【００７１】
置換パラシクロファンが共有結合することができる固相支持体材料は、置換基Ｚ１、Ｚ２またはＺ３の官能基と反応できる部位を有するポリマー、金属酸化物またはゾル−ゲル材料であることができる。固相支持体材料の反応部位は、ハライド（Ｃｌ、Ｂｒ、ＦまたはＩ）、ヒドロキシル、カルボニル、カルボキシル、無水物、メタクリレート、エポキシド、ビニル、ニトリル、メルカプト、イソシアネート、アミン、イミン、アミド及びイミドから選択することができ、そして、典型的には、既存の方法（有機官能化シランを利用したグラフト法等）を用いて固相支持体の表面の官能基化によって導入される。金属酸化物はシリカ、チタニア、ジルコニア、アルミナ、アルミノ−シリケートまたはそれらの混合物、を含む。ポリマーは、触媒反応の実施に使用される溶媒に不溶であり、その反応条件で安定である、任意の熱可塑性ポリマーであってよい。反応が極性溶媒中で行われる場合、好ましくは、ポリマーはポリオレフィンコポリマー（例えば、適当な分子量のアクリレート／ポリアクリル酸ポリオレフィンコポリマー）である。そのようなポリマーは、置換基Ｚ１、Ｚ２またはＺ３に存在する例えばヒドロキシル基（ＯＨ）またはアミン基（ＮＨ２）等、と反応可能なカルボキシル基（ＣＯＯＨ）を含む。ポリマーは、繊維状または小粒状に形成でき、それらは反応混合物から容易に除去することができるので、有利である。“ゾル−ゲル材料”という語で、発明者らは、有機官能化シリカ材料を指し、そしてそれは例えば有機官能化シランの加水分解（好ましくは、アルキルシリケート及び任意の他の金属アルコキシドの存在下での加水分解）、によって製造される（例えばＷＯ０２／０６６１５９に記載の方法に従って製造される）。
【００７２】
固相支持体材料は、粉末、小粒、顆粒、繊維、ハニカムまたは発泡体の状態であることができる。
以下の実施例を参考として、本発明をさらに説明する。そこでは、特に言及しない限り、ＭＴＢＥ＝メチル−ｔ−ブチルエーテル；ＤＭＦ＝ジメチルホルムアミド；ＤＭＡＰ＝２，６−ジメチルアミノピリジン；Ｄｐｅｎ＝１，２−ジフェニルエチレンジアミン；ＮＢＤ＝ノルボルナジエン；ＤＢＵ＝１，８−ジアザビシクロ−［５．４．０］−ウンデク−７−エン：及び、室温＝２０−２５℃である。置換パラシクロファンの命名はＳ．Ｇｉｓｂｏｎ ｅｔ ａｌ．Ｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｂｉｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ２００３，１２５６にしたがった。
【００７３】
実施例１．ニトロ［２．２］パラシクロファン誘導体の合成
ａ）標準的ニトロ化：４，１２−ジブロモ−７−ニトロ［２．２］パラシクロファン及び４，１２−ジブロモ−７，１５−ジニトロ［２．２］パラシクロファンの製造
【００７４】
【化１９】
【００７５】
０℃に冷却された４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（１．０９８ｇ、３ｍｍｏｌ）の無水酢酸（２ｍＬ）懸濁液に濃ＨＮＯ３（０．６ｍＬ）の無水酢酸（１．４ｍＬ）溶液を加え、そして室温で１．５時間撹拌した。得られた黄色溶液を水（１００ｍＬ）で希釈し、酢酸エチル（２ｘ５０ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層をさらに水で洗浄し、無水Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、エバポレートして黄色オイルを得た。そのオイルをクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン／酢酸エチル １９／１）で精製して、４，１２−ジブロモ−７−ニトロ−パラシクロファン（１０５ｍｇ、収率８．５％）及び４，１２−ジブロモ−７，１５−ジニトロ−パラシクロファン（１１０ｍｇ、収率８％）を得た。
【００７６】
ｂ）ルイス酸媒介ニトロ化：４，１２−ジブロモ−７−ニトロ［２．２］パラシクロファンの製造
室温でジクロロエタン（２．５ｍＬ）にＳｃ（ＯＴｆ）３（１００ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ）を懸濁し、そして７０％ＨＮＯ３（０．１ｍＬ）を加えて透明溶液を得た。４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（３６６ｍｇ、１ｍｍｏｌ）を加え、７０℃に加熱して２０時間撹拌した。この時間の経過後、薄層クロマトグラフ（ＴＬＣ）分析（溶離液：ヘキサン／ＭＴＢＥ ９５／５）は反応が完結していないことを示したので、さらにＳｃ（ＯＴｆ）３（１００ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ）及び７０％ＨＮＯ３（０．１ｍＬ）を加えた。７０℃で１時間後、総ての出発原料を消費した。そして、反応をジクロロメタン（５０ｍＬ）で希釈し、ブライン（２ｘ５０ｍＬ）で洗浄した。有機層を無水Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、エバポレートして黄色オイルを得た。粗生成物をジクロロメタン２ｍＬに溶解し、シリカゲルのパッド（ｐａｄ）を通して溶離した（溶離液：ヘキサン／ＭＴＢＥ ９／１）。溶媒をエバポレートし、黄色オイルとして４，１２−ジブロモ−７−ニトロ［２．２］パラシクロファン（１９０ｍｇ、収率３１％）を得た。
４，１２−ジブロモ−７−ニトロ［２．２］パラシクロファン：1H NMR (CDCl3, 400 MHz): 2.75 (1H, m,-CH2-), 3.0 (4H, m,-CH2-), 3.4 (2H, m,-CH2-), 3.3 (1H, m,-CH2-), 6.4 (1H, d, CH arom), 6.6 (1H, d, CH arom), 7.1 (1H, s, CH arom), 7.25 (1H, s, CH arom), 7.3 (1H, s, CH arom) ppm. 13C NMR (CDCl3, 400MHz): 32.1 (-CH2-), 32.6 (-CH2-), 35.1 (-CH2-), 35.2 (-CH2-), 127.0 (C arom), 130.9 (CH arom), 131.2(CH arom), 132.0 (CH arom), 132.6(C arom), 133.3 (CH arom), 136.2 (CH arom), 137.7 (C arom), 138.9 (C arom), 140.9 (C arom), 141.4 (Carom), 148.6(C-NO2 arom) ppm.
４，１２−ジブロモ−７，１５−ジニトロ［２．２］パラシクロファン：1H NMR (CDCl3, 400 MHz): 3.1 (4H, m,-CH2-), 3.4 (2H, m,-CH2-), 3.8 (2H, m,-CH2-), 7.3 (4H, s, broad, CH arom) ppm. 13C NMR (CDCl3, 400MHz): 30.9(-CH2-), 33.4(-CH2-), 126.9 (CH arom), 131.6 (C arom), 135.5 (CH arom), 135.7 (C arom), 140.4 (Carom), 147.4 (C-NO2arom) ppm.
【００７７】
実施例２．アセチル［２．２］パラシクロファン誘導体の合成
ａ）７−アセチル−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンの製造
【００７８】
【化２０】
【００７９】
（Ｒ）−４，１２−ジブロモパラシクロファン（３６６ｍｇ、１ｍｍｏｌ）のＣＨ２Ｃｌ２（１０ｍｌ）に−４５℃で、ＡｌＣｌ３（２６６ｍｇ、２ｍｍｏｌ）及びアセチルクロリド（０．１４５ｍＬ、２ｍｍｏｌ）の無水ジクロロメタンＣＨ２Ｃｌ２（２．５ｍｌ）の溶液を加えた。その混合物を室温に昇温した。３０分後、反応混合物を２ＭＨＣｌ水溶液（５０ｍｌ）及び氷の入ったフラスコに注いだ。メチル−ｔ−ブチルエーテルＭＴＢＥ（５０ｍｌ）を加え、有機層をＮａＨＣＯ３の飽和溶液（５０ｍｌ）で洗浄し、ブライン（５０ｍｌ）で洗浄し、次いで無水ＭｇＳＯ４で乾燥した。ろ過し、溶媒を除去して粗生成物を得た。それはＮＭＲ的にほぼ純粋であった。
【００８０】
実施例３．［２．２］パラシクロファンカルボン酸誘導体の合成及び分割
ａ）７−クロロカルボニル−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンの製造
【００８１】
【化２１】
【００８２】
ＡｌＣｌ３（２６０ｍｇ、２ｍｍｏｌ）のＣＨ２Ｃｌ２（２ｍＬ）懸濁液にオキサリルクロリド（０．３５ｍＬ、４ｍｍｏｌ）を滴下した。室温で３０分間撹拌後、得られた溶液を０℃に冷却し、そして（Ｒ）−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（３６６ｍｇ、１ｍｍｏｌ）のＣＨ２Ｃｌ２（２ｍｌ）溶液と処理した。暗色溶液を０℃で３０分間撹拌後、室温に昇温してさらに３０分撹拌した。減圧下で溶媒及び揮発性成分を除去し、黄色固体として生成物を得た。
【００８３】
ｂ）４，１２−ジブロモ−７−メトキシカルボニル［２．２］パラシクロファンの製造
【００８４】
【化２２】
【００８５】
７−クロロホルミル−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（１ｍｍｏｌ）のＣＨ２Ｃｌ２（２ｍＬ）溶液をメタノールＭｅＯＨ（３ｍＬ）で処理し、５０℃で１時間撹拌した。室温に冷却後、ＭＴＢＥ（１０ｍＬ）で希釈した。有機層を２．８ＭＮＨ４Ｃｌ、Ｈ２Ｏ及び飽和ＮａＨＣＯ３水溶液で洗浄し、無水ＭｇＳＯ４で乾燥し、そして減圧下で濃縮して淡黄色固体として生成物（３６０ｍｇ、収率８５％）を得た（融点１１８．７℃）。
1H NMR(CDCl3): 2.7-2.8 (m, 1H), 2.8-3.0 (m, 4H), 3.2-3.4 (m, 2H), 3.85 (s, 3H, CO2CH3), 3.7-3.9 (m, 1H), 6.38(d, 1H, J=7.8Hz), 6.43 (d ,1H, J=7.8Hz), 7.10 (s,1H), 7.11 (s,1H), 7.17 (s, 1H) ppm. 13C NMR(CDCl3) : 32.2 (t), 32.7 (t), 35.4 (t), 35.5 (t), 52.0 (q), 126.6 (s), 130.3 (s), 131.1 (s), 131.2 (d), 132.8 (d), 133.3 (d), 135.1 (d), 136.8 (d), 139.1 (s), 139.2 (s), 141.0 (s), 144.0 (s), 166.8 (s, CO) ppm.
【００８６】
ｃ）４，１２−ジブロモ−７−ｔｅｒｔブトキシカルボニル［２．２］パラシクロファンの製造
【００８７】
【化２３】
【００８８】
７−クロロホルミル−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（６ｍｍｏｌ）のＣＨ２Ｃｌ２（１２ｍＬ）溶液をｔＢｕＯＨ（１２ｍＬ）で処理し、５０℃で一晩撹拌した。室温に冷却後、ＭＴＢＥ（２５ｍＬ）で希釈した。有機層を２．８ＭＮＨ４Ｃｌ、Ｈ２Ｏ及び飽和ＮａＨＣＯ３水溶液で洗浄し、無水ＭｇＳＯ４で乾燥し、そして減圧下で濃縮して白色固体として生成物（２．２ｇ、収率７９％）を得た（融点１２８．５℃）。
1H NMR (CDCl3): 1.56 (s, 9H, tBu), 2.7-2.8 (m, 1 H), 2.8-3.0 (m, 4H), 3.2-3.4 (m, 2H), 3.7-3.8 (m, 1H), 6.38 (dd, 1H, J = 7.8, 1.8 Hz), 6.47 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 7.05 (s, 1 H), 7.08 (d, 1H, J = 1.8 Hz), 7.13 (s, 1 H) ppm. 13C NMR (CDCl3) : 27.7 (q, 3x, tBu), 31.6 (t), 32.3 (t), 34.8 (t), 35.1 (t), 80.7 (s), 126.0 (s), 129.9 (s), 130.6 (d), 131.7 (s), 132.2 (d), 132.7 (d), 134.5 (d), 136.5 (d), 138.4 (s), 138.5 (s), 141.5 (s), 142.8 (s), 165.2 (s, CO) ppm.
【００８９】
ｄ）アシルクロリドからの７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンの製造
【００９０】
【化２４】
【００９１】
７−クロロホルミル−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２ｍＬ）をＨ２Ｏ（１ｍＬ）で処理し、室温で一晩撹拌した。反応混合物をＭＴＢＥで希釈し、ブライン及びＨ２Ｏで洗浄した。有機層を乾燥し（ＭｇＳＯ４）、減圧下で濃縮した。得られた固体を温ＭＴＢＥ／ヘキサンから再結晶して白色固体として生成物（３２８ｍｇ、収率８０％）を得た（融点２３９．７℃）。
1H NMR (CDCl3): 2.7-2.8 (m, 1H), 2.9-3.0 (m, 4H), 3.2-3.4 (m, 2H), 3.8-3.9 (m, 1H), 6.42 (d, 1H,J = 7.8 Hz), 6.52 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 7.10 (s, 1H), 7.17 (s, 1H), 7.18 (s, 1H) ppm. 13C NMR (CDCl3) : 31.6 (t), 32.2 (t), 32.8 (t), 35.4 (t), 126.7 (s), 129.2 (s), 131.2 (d), 132.3 (s), 132.8 (d), 133.4 (d), 135.4 (d), 137.6 (d), 139.2 (s), 139.5 (s), 141.1 (s), 145.1 (s), 171.6 (s, CO) ppm.
（Ｓ）−７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン： [α]Ｄ = + 217.5 (CH2Cl2, c = 16.4 mg/mL).
【００９２】
ｅ）エステルからの７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンの製造
４，１２−ジブロモ−７−メトキシカルボニル［２．２］パラシクロファン（４．３ｇ、１０．１４ｍｍｏｌ）を、過剰のＬｉＯＨ存在下、ＭｅＯＨ／Ｈ２Ｏ中で１６時間還流した。得られた粗生成物をＥｔ２Ｏ／ヘキサンで洗浄して精製し、７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン３．４０ｇ（収率８２％）を得た。
【００９３】
ｆ）アシルクロリドからの７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン［（Ｓ）−１−フェニルエチル］アミドの製造
【００９４】
【化２５】
【００９５】
７−クロロホルミル−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（２ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（１０ｍＬ）溶液を（Ｓ）−（−）−α−メチルベンジルアミン（５ｍｍｏｌ）で処理し、室温で１時間撹拌した。反応を２．８ＭＮＨ４Ｃｌで処理し、ジクロロメタンで抽出した。合わせた有機層をＨ２Ｏで洗浄し、次いで飽和ＮａＨＣＯ３水溶液で洗浄した。無水ＭｇＳＯ４で乾燥し、そして減圧下で濃縮して（Ｒ）−７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン［（Ｓ）−１−フェニルエチル］アミドと（Ｓ）−７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン［（Ｓ）−１−フェニルエチル］アミドの１：１の混合物７１５ｍｇ（収率７０％）を得た。両方のジアステレオマーをカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ２、ヘキサン／酢酸エチル２０：１から３：１）で分離した。
最初に溶離した異性体（３１５ｍｇ、収率３１％）
1H NMR (CDCl3) : 1.49 (d, 3H, J = 6.9 Hz, NHCHCH3), 2.6-2.8 (m, 1H), 2.8-3.1 (m, 4H), 3.2-3.4 (m, 2H), 3.42 (dd, 1H, J = 12.4, 10.0 Hz), 5.19 (quint, 1H, J = 7.3Hz, NHCHCH3), 5.70 (d, 1H, J = 7.6 Hz, CONH), 6.32 (dd, 1 H, J = 7.8, 1.6 Hz, Ar-H), 6.59 (s, 1H, Ar-H), 6.74 (d, 1H, J = 7.8 Hz, Ar-H), 7.11 (d, 1H, J = 1.6 Hz, Ar-H), 7.13 (s, 1H, Ar-H), 7.2-7.3 (m, 1H,Ph-H), 7.3-7.4 (m, 4H, Ph-H) ppm
二番目に溶離した異性体（３００ｍｇ、収率２９％）
1H NMR (CDCl3): 7.4-7.3 (m, 4H, Ph-H), 7.3-7.2 (m, 1H, Ph-H), 7.10 (d, 1 H, J = 1.7 Hz, Ar-H), 7.08 (s, 1H, Ar-H), 6.75 (d, 1H, J = 7.8 Hz, Ar-H), 6.64 (s, 1H, Ar-H), 6.36 (dd, 1 H, J = 7.8, 1.7 Hz, Ar-H), 5.72 (d, 1H, J = 7.7 Hz, CONH), 5.18 (quint, 1H, J = 7.3 Hz, NHCHCH3), 3.4-3.3 (m, 1H), 3.3-3.1 (m, 2H), 3.0-2.9 (m, 2H), 2.9-2.7 (m, 2H), 2.7- 2.6 (m, 1H), 1.49 (d, 3H, J = 6.9 Hz, NHCHCH3) ppm.
【００９６】
ｇ）７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンのラセミ体の分割
７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンのラセミ体（４．２９ｇ、１０．５ｍｍｏｌ）のＥｔＯＨ（３０ｍＬ）懸濁液を（−）−シンコニジン（３．０８ｍｇ、１０．５ｍｍｏｌ）のＥｔＯＨ（３０ｍＬ）溶液で処理し、９０℃で１時間撹拌し、その後室温で２時間撹拌した。沈殿した白色の結晶性固体（３．１５ｇ、４．５ｍｍｏｌ）をろ過して集め、８７％ｅｅの（Ｓ）−酸のシンコニジウム塩であると同定した。母液は３９％ｅｅの（Ｒ）−酸のシンコニジウム塩４．１０ｇを含んでいた。得られた固体を９０℃でＥｔＯＨ（４５ｍＬ）に溶解し、そして室温で一晩放置した。再び、白色の結晶性沈殿（１．９ｇ、２．７ｍｍｏｌ）が形成し、ろ過の後、９７％ｅｅの（Ｓ）−酸のシンコニジウム塩であると同定した（（Ｓ）−酸エナンチオマー（９７％ｅ
ｅ）の回収率５１％）。
【００９７】
ジアステレオマー混合物
1H NMR (CDCl3) : 1.65 (brs, 1H x 2), 1.8-2.0 (m, 3H x 2), 2.4-2.6 (m, 2H x 2), 2.7-3.1 (m, 6H x 2), 3.1-3.4 (m, 4H x 2), 3.92 (q, 1H x 2, J = 11.0 Hz), 4.19 (brs, 1H x 2), 4.89 (d, 1H x 2, J = 10.4 Hz), 4.94 (d, 1H x 2, J = 17.2 Hz), 5.51 (ddd, 1 H x 2, J = 17.2, 10.4, 7.1 Hz), 6.15 (s, 1H x 2), 6.19 (d, 1H, J = 7.8 Hz, Ar-H), 6.32 (d, 1H, J = 7.8 Hz, Ar-H), 6.55 (d, 1H, J=7.8Hz, Ar-H), 6.56 (d, 1H, J= 7.8 Hz, Ar-H), 6.91 (s, 1H x 2, Ar-H), 6.95 (s, 1H, Ar-H), 6.99 (s, 1H, Ar-H), 7.04 (brs, 1H x 2, Ar-H), 7.30 (t, 1H x 2, J = 7.5, Ar-H), 7.5-7.6 (m, 2H x 2, Ar-H), 7.89 (d, 1H x 2, J = 8.4 Hz, Ar-H), 8.00 (d, 1H x 2, J = 8.4 Hz, Ar-H), 8.79 (d, 1H x 2, J = 4.5 Hz, Ar-H) ppm
【００９８】
カルボン酸の（Ｓ）−エナンチオマーからの塩
1H NMR (CDCl3): 1.66 (brs, 1H), 1.9-2.1 (m, 3H), 2.2-2.3 (m, 1H), 2.50 (brs, 1H), 2.6-2.8 (m, 3H), 2.9-3.4 (m, 7H), 3.81 (t, 1H, J = 11.0 Hz), 4.23 (brs, 1H), 4.87 (d, 1H, J = 10.4 Hz), 4.92 (d, 1H, J = 17.2 Hz), 5.46 (ddd, 1H, J = 17. 2, 10.4, 7.1 Hz), 6.00 (s, 1H), 6.24 (d, 1H, J=7.5Hz, Ar-H), 6.51 (d, 1H, J=7.7Hz, Ar-H), 6.79 (s, 1H, Ar-H), 6.80 (s, 1H, Ar-H), 6.98 (brs, 1H, Ar-H), 7.24 (t, 1H, J = 7.5, Ar-H),7.5-7.6 (m, 2H, Ar-H), 7.85 (d, 1H, J = 8.4 Hz, Ar-H), 7.96 (d, 1H, J = 8.4 Hz, Ar-H), 8.74 (d, 1H, J = 4.3 Hz, Ar-H) ppm. 13C NMR (CDCl3) : 18.7 (t), 25.0 (t), 27.3 (d), 32.1 (t), 33.1 (t), 35.0 (t), 35.5 (t), 37.8 (d), 43.2 (t), 54.2 (t), 59.8 (d), 66.7 (d, CHOH), 116.7 (t, CHCH2),118.7 (d), 122.5 (d), 124.8 (s), 126.4 (s), 126.9 (d), 128.3 (d), 129.3 (d), 130.1 (d), 131.2 (d), 132.4 (d), 133.4 (s), 134.1 (d), 136.1 (s), 137.0 (d), 137.8 (s), 138.3 (d), 139.2 (s), 140.9 (s), 142.6 (s), 147.2 (s), 147.7 (s), 149.8 (d), 174.0 (s, CO) ppm. [α]Ｄ = + 74.4 (CH2Cl2, c = 12.6 mg/mL).
【００９９】
ｈ）エナンチオマー過剰の定量のための分析方法
７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンのＣＨ２Ｃｌ２溶液を（トリメチルシリル）ジアゾメタンの２Ｍヘキサン溶液で処理し、系内で４，１２−ジブロモ−７−メトキシカルボニル［２．２］パラシクロファンを形成した。減圧下で溶媒を除去した後、反応混合物をシリカのプラグ（ｐｌｕｇ）を通してろ過し、そしてＨＰＬＣで分析した（カラム：Ｃｈｉｒａｌｃｅｌ ＯＪ、溶媒：ヘキサン、流速：1.5ｍＬ／分、保持時間：（Ｒ）−７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンは８．７分、（Ｓ）−７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンは１２．４分）。
【０１００】
実施例４．ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン誘導体及びそのエーテル体の合成
ａ）（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファンの製造、方法１
【０１０１】
【化２６】
【０１０２】
（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−メトキシカルボニル［２．２］パラシクロファン（４２４ｍｇ、１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５ｍＬ）溶液に、０℃でゆっくりとＬｉＡｌＨ４（２ｍＬ、ＴＨＦ１Ｍ溶液、２ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を０℃で３０分間撹拌し、そして室温に昇温して、さらに３０分間撹拌した。そして、再び０℃に冷却し、ＭｅＯＨ／Ｈ２Ｏの１０：１混合物（５ｍＬ）をゆっくりと加えて反応をクエンチ（ｑｕｅｎｃｈｅｄ）した。室温に昇温後、ＭｇＳＯ４を加えて過剰のＨ２Ｏを吸収し、そして、混合物をろ過してアルミニウム塩及びマグネシウム塩を除き、そして減圧下で濃縮して白色固体として生成物（３５６ｍｇ、収率９０％）を得た（融点１１８．４℃）。
1H NMR (CDCl3): 2.6-2.8 (m, 2H), 2.8-3.0 (m, 3H), 3.1-3.2 (m, 1H),3.34 (q, 2H, J= 13.1 Hz), 4.31 (d, 1H, J = 13.0 Hz, CH2OH), 4.58 (d, 1H, J = 13.0 Hz, CH2OH),6.35 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 6.43 (s, 1H), 6.56 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 7.10 (s, 1H), 7.14 (s, 1H) ppm.
13C NMR (CDCl3) : 29.9 (t), 32.1 (t), 34.4 (t), 35.3 (t), 63.4 (t), 125.5 (s), 126.8 (s), 131.2 (d), 131.4 (d), 133.1 (d), 133.8 (d, 2C), 138.4 (s), 138.8 (s), 139.1 (s), 139.8 (s), 141.1 (s) ppm.
（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン：
[α]D =-139.7 (CH2Cl2,c = 9.95 mg/mL).
【０１０３】
ｂ）４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファンの製造、方法２
７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（１．７８ｇ、４．３４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１５ｍＬ）溶液に、ボラン−ジメチルスルフィド錯体（ＴＨＦの２Ｍ溶液、７．５ｍＬ、１５ｍｍｏｌ）を室温で滴下した（注意：危険な反応）。３０分間４５℃に加熱し、そして室温で１４時間撹拌した。反応を減圧下で約５ｍＬまで濃縮し、そしてＣＨ２Ｃｌ２（５０ｍＬ）を加えた。有機層を２ＮのＨＣｌ（２ｘ５０ｍＬ）で洗浄し、次いでＮａＨＣＯ３の飽和溶液（５０ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、そしてエバポレートした。生成物をＭＴＢＥ（５０ｍＬ）に再溶解し、ブライン（２ｘ５０ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、そしてエバポレートして無色オイルとして生成物を得た。そのオイルは室温で一晩放置すると固化した（１．６６ｇ、収率９６％）。反応をラセミ体材料及び純粋なエナンチオマー的に純粋な材料について繰り返し、９４乃至１００％の収率を達成した。
【０１０４】
ｃ）４，１２−ジブロモ−７−（トリイソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファンの製造
【０１０５】
【化２７】
【０１０６】
４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン（１．６６ｇ、４．１９ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（２５ｍＬ）溶液にルチジン（０．９７ｍＬ、８．４ｍｍｏｌ）を加え、次いで室温でトリイソプロピルシリルトリフレート（１．２１ｍＬ、４．５ｍｍｏｌ）を５分間で滴下した。室温で１時間撹拌し、減圧下で約５ｍＬまで溶媒を濃縮し、２ＮＨＣｌ（５０ｍＬ）を加えた。反応をＭＴＢＥ（２ｘ５０ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層をブライン（４０ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、そしてエバポレートして淡黄色オイルとして生成物を得た。そのオイルは室温で放置すると固化した（１．９５ｇ、収率８４％、融点９６．８℃）。
1H NMR (CDCl3): 1.05-0.95 (6 lines, 18H, CH-CH3), 1.1 (m, 3H, Si-CH), 2.6-2.8 (m, 2H, CH2), 2.8-2.9 (m, 2H, CH2), 2.9-3.1 (m, 2H, CH2), 3.3-3.4 (m, 2H, CH2), 3.34 (q, 2H, J = 15Hz, CH2OH),4.45 (d, 1H, J = 15Hz, CH2OH), 4.65 (d, 1 H, J = 13.0 Hz, CH2OH), 6.32 (d, 1H, J = 8 Hz), 6.56 (s, 1H), 6.64 (d, 1H, J = 8 Hz), 7.03 (s, 1H), 7.16 (s, 1H) ppm.
13C NMR (CDCl3) : 12.0 (CH-CH3), 18.0 (CH-CH3), 29.8 (CH2), 32.1 (CH2), 34.2 (CH2),35.5 (CH2), 63.2 (CH2-O), 124.6 (C), 126.7 (C), 131.31 (CH), 131.33 (CH), 132.7 (CH), 133.05 (CH), 133.2 (CH), 137.6 (C), 138.3 (C), 138.7 (C), 140.3 (C), 141.2 (C) ppm.
（Ｓ）−４，１２−ジブロモ−７−（トリイソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン： [α]Ｄ = 94.17 (CH2Cl2,c = 9.85 mg/mL).
この反応をラセミ体及び純粋なエナンチオマー出発原料について繰り返した（収率８２乃至９４％）。
【０１０７】
ｄ）４，１２−ジブロモ−７−（トリフェニルメトキシ）メチル［２．２］パラシクロファンの製造
【０１０８】
【化２８】
【０１０９】
方法１
ピリジン（５ｍＬ）中、４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン（３９６ｍｇ、１ｍｍｏｌ）、ＤＭＡＰ（１２ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）及びトリチルブロミド（３８８ｍｇ、１．２ｍｍｏｌ）の混合物を室温で４８時間撹拌した。反応混合物をＭＴＢＥで希釈し、２．８ＭのＮＨ４Ｃｌ、Ｈ２Ｏ及び飽和ＮａＨＣＯ３水溶液で洗浄した。乾燥（ＭｇＳＯ４）後、減圧下で濃縮して残渣を得、そしてそれをフラッシュクロマトグラフィー（ＳｉＯ２、ヘキサン中の１０％ＡｃＯＥｔ）で精製して、白色固体として生成物（４１５ｍｇ、収率６５％）を得た（融点２０１．３℃）。
【０１１０】
方法２
４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン（７８０ｍｇ、１．９７ｍｍｏｌ）及びＤＢＵ（０．４ｍＬ、２．７６ｍｍｏｌ）のＣＨ２Ｃｌ２（７ｍＬ）溶液に、室温でトリチルクロリド（６５９ｍｇ、２．３６ｍｍｏｌ）を一度で加えた。１６時間撹拌後、１０％ＨＣｌ（１０ｍＬ）を加えて反応をクエンチし、ＣＨ２Ｃｌ２で抽出し、飽和ＮａＨＣＯ３水溶液及び飽和ＮａＣｌ水溶液で洗浄した。乾燥（ＭｇＳＯ４）後、減圧下で濃縮して残渣を得、そしてそれをフラッシュクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル ２０：１）で精製して、白色固体として生成物（１１４０ｍｇ、収率９１％）を得た。
1H NMR (CDCl3) : 2.11 (dt, 1H, J = 13.6, 8.4 Hz), 2.6-2.8 (m, 2H), 2.8-3.1 (m, 4H), 3.38 (dd, 1H, J = 11.7, 11.2 Hz), 3.77 (d, 1H, J = 12.2 Hz, CH2OTr), 3.99 (d, 1H, J = 12.2 Hz, CH2OTr), 6.02 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 6.22 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 6.65 (s, 1H), 7.04 (s, 1H), 7.08 (s, 1H), 7.22 (d, 3H, J = 8.0 Hz, OTr), 7.29 (t, 6H, J = 8.0 Hz, OTr), 7.46 (d, 6H, J = 8.0 Hz, OTr) ppm.
13C NMR (CDCl3): 29.9 (t), 32.1 (t), 33.9 (t), 35.4 (t), 63.7 (t), 86.9 (s), 124.9 (s), 126.7 (s), 127.2 (d, 3C, OTr), 128.0 (d, 6C, OTr), 128.7 (d, 6C, OTr),131.0 (d), 131.1 (d), 133.0 (d), 133.4 (d), 133.5 (d), 138.1 (s), 138.2 (s), 138.7 (s), 138.8 (s), 141.0 (s), 143.8 (d, 3C, OTr) ppm.
（Ｓ）−４，１２−ジブロモ−７−（トリフェニルメトキシ）メチル［２．２］パラシクロファン：[α]D = 68.33 (CH2Cl2, c = 6.09 mg/mL).
【０１１１】
ｅ）（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−（１−ヒドロキシ−１−メチルエチル）［２．２］パラシクロファンの製造
【０１１２】
【化２９】
【０１１３】
４，１２−ジブロモ−７−メトキシカルボニル［２．２］パラシクロファン（４２４ｍｇ、１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５ｍＬ）溶液に、−７８℃でメチルマグネシウムブロミド（３ｍＬ、ブチルエーテルの１Ｍ溶液、３ｍｍｏｌ）をゆっくりと加えた。反応混合物を−７８℃で１時間撹拌後、室温に昇温してさらに１時間撹拌した。０℃に冷却し、２ＮのＨＣｌ（５ｍＬ）をゆっくり加えて反応をクエンチし、そしてＭＴＢＥ（２ｘ１０ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層をブライン（２０ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、そしてエバポレートして白色固体として生成物（４２４ｍｇ、定量的収率）を得た。
1H NMR (CDCl3): 1.37 (s, 3H, CH3),1.57 (s, 3H, CH3), 2.6-2.7 (m, 1H),2.8-3.1 (m, 4H), 3.2-3.4 (m, 2H), 3.5-3.6 (m, 1H), 6.29 (d, 1H, J = 7.9 Hz), 6.47 (s, 1H), 6.58 (d, 1H, J = 7.9 Hz), 6.98 (s, 1 H), 7.26 (s, 1 H) ppm.
【０１１４】
実施例５．ヒドロキシ［２．２］パラシクロファン誘導体及びそのエーテル体の合成
ａ）（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−ホルミル［２．２］パラシクロファンの製造
【０１１５】
【化３０】
【０１１６】
（Ｒ）−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（８４８ｍｇ、２．３ｍｍｏｌ）のＣＨ２Ｃｌ２（１６ｍＬ）溶液を０℃で、ＴｉＣｌ４（４ｍＬ、ＣＨ２Ｃｌ２の１Ｍ溶液、４．０ｍｍｏｌ）、続いてＣｌ２ＣＨＯＭｅ（１．９ｍＬ、２．１ｍｍｏｌ）で処理した。０℃で１時間撹拌後、室温でさらに１６時間撹拌した。混合物を氷に注ぎ、そして１時間撹拌した。反応混合物をＣＨ２Ｃｌ２で抽出し、合わせた有機層を飽和ＮａＨＣＯ３水溶液及びブラインで洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、そしてエバポレートした。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル １０：１）で精製して白色固体として（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−ホルミル［２．２］パラシクロファン７６３ｍｇ（収率８５％）を得た。
【０１１７】
一方、ＣＨ２Ｃｌ２（５ｍＬ）中の（Ｓ）−４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン（３９６ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）をＭｎＯ２（８６９ｍｇ、１０．０ｍｍｏｌ）で一晩処理し、反応混合物をセライトを通してろ過し、減圧下で溶媒をエバポレートすることによって（Ｓ）−４，１２−ジブロモ−７−ホルミル［２．２］パラシクロファン（３７７ｍｇ、収率９６％）を得た（融点１２８℃）。
1H NMR (CDCl3) : 2.7-2.9 (m, 2H), 2.9-3.1 (m, 3H), 3.3-3.5 (m, 2H), 3.79 (dd, 1H, J = 13.0, 9.9 Hz), 6.33 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 6.36 (dd, 1H, J = 7.8, 1.5 Hz), 6.95 (s, 1H), 7.08 (d, 1H, J = 1.5 Hz), 7.23 (s, 1H), 9.82 (s, 1H, CHO) ppm.
13C NMR (CDCl3): 30.4 (t), 32.2 (t), 35.3 (t), 35.7 (t), 126.8 (s), 131.0 (d), 132.8 (d), 133.0 (s), 133.9 (d), 135.3 (d), 136.1 (s), 137.8 (d), 138.7 (s), 140.0 (s), 141.1 (s), 144.1 (s), 190.9 (s, COH) ppm. [α]D =-126.7 (CH2Cl2, c = 5.67 mg/mL).
【０１１８】
ｂ）（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシ［２．２］パラシクロファンの製造
【０１１９】
【化３１】
【０１２０】
（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−ホルミル［２．２］パラシクロファン（７６３ｍｇ、１．９４ｍｍｏｌ）のＣＨ２Ｃｌ２（１２ｍＬ）溶液に、室温で３−クロロ過安息香酸（５０１ｍｇ、７５％最大純度、２．９ｍｍｏｌ）を少しずつ加えた。一晩撹拌後、反応混合物を０℃に冷却し、沈殿した３−クロロ安息香酸をろ過して除いた。有機層を飽和ＮａＨＣＯ３水溶液で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、そしてエバポレートした。（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−ホルミルオキシ［２．２］パラシクロファンと特定された粗生成物をＭｅＯＨ（１２ｍＬ）に溶解し、ＮａＯＨの２Ｍ溶液（５ｍＬ）で処理し、室温で３０分間撹拌した。加水分解反応が完結した時点で、反応混合物をＭＴＢＥで抽出し、１０％ＨＣｌ及びブラインで洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、エバポレートした。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ２、ヘキサン／酢酸エチル ５：１）で精製して白色固体として（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシ［２．２］パラシクロファン５７０ｍｇ（収率７５％）を得た。
1H NMR (CDCl3): 2.57 (ddd, 1H, J = 13.1, 10.4, 6.4 Hz), 2.78 (ddd, 1H, J = 13.1, 9.8, 7.3 Hz), 2.8-3.1 (m, 4H), 3.2-3.3 (m, 2H), 4.58 (brs, 1H, OH), 5.62 (s, 1 H), 6.38 (dd, 1H, J = 7.8, 1.4 Hz), 6.92 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 7.06 (s, 2H) ppm.
13C NMR (CDCl3): 28.3 (t), 32.4 (t), 33.9 (t), 35.2 (t), 117.3 (s), 123.6 (d), 127.2 (s), 127.4 (s), 130.7 (d), 130.9 (d), 133.7 (d), 134.1 (d), 139.0 (s), 140.4 (s), 140.7 (s), 153.9 (s) ppm.
[α]D=-101.2 (CH2Cl2, c = 9.9 mg/mL).
【０１２１】
ｃ）（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−メトキシ［２．２］パラシクロファンの製造
【０１２２】
【化３２】
【０１２３】
（Ｒ）−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン−７−オール（５６３ｍｇ、１．４７ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５ｍＬ）溶液を、ＮａＨ（６５ｍｇ、鉱油中６０％、１．６２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１０ｍＬ）懸濁液に室温でゆっくりと加えた。５分後、ヨードメタン（１３５μｌ、２．２ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、反応混合物を室温で１６時間撹拌した。減圧下で溶媒をエバポレート後、粗生成物をＭＴＢＥに溶解し、１ＭＮａＯＨ、１０％ＨＣｌ及びブラインで洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、エバポレートした。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ２、ヘキサン／酢酸エチル ２０：１）で精製して白色固体として（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−メトキシ［２．２］パラシクロファン５１４ｍｇ（収率８８％）を得た（融点１１８．２℃）。
1H NMR (CDCl3): 2.66 (ddd, 1H, J = 13.2, 11.5, 6.2 Hz), 2.71 (ddd, 1H, J = 13.7, 9.7, 7.3 Hz), 2.8-3.0 (m, 2H), 2.99 (ddd, 1H, J = 13.0, 10.2, 6.2 Hz), 3.12 (dd, 1H, J = 12.7, 9.7 Hz), 3.20 (dd, 1H, J = 13.0, 10.2 Hz), 3.31 (ddd,1H, J = 12.3, 10.2, 2.0 Hz), 3.62 (s, 3H, OCH3), 5.70 (s, 1H),6.37 (dd, 1H, J = 7.8, 1.7 Hz), 6.67 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 7.03 (d, 1H, J = 1.7 Hz),7.07 (s, 1H) ppm.
13C NMR (CDCl3): 28.5 (t), 32.4 (t), 34.0 (t), 35.6 (t), 54.6 (q, OCH3),116.9 (s), 117.8 (d), 127.3 (s), 128.7 (s), 130.5 (d), 130.7 (d), 133.7 (d, 2C), 139.5 (s), 140.2 (s), 140.4 (s), 157.6 (s) ppm.
[α]Ｄ =−125.6 (CH2Cl2, c= 11.53 mg/mL).
【０１２４】
実施例６．［２．２］パラシクロファン誘導体によるホスフィン配位子の合成
ａ）（Ｒ）−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−（トリフェニルメトキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（“ＴｒｉＯＣＨ２−ＰａｒａＣ”）の製造
【０１２５】
【化３３】
【０１２６】
（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−（トリフェニルメトキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（６３８ｍｇ、１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５ｍＬ）溶液に、−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（２．５ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、４．２ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した混合物をその温度で３０分間撹拌した。冷却バスを取り除き、クロロジフェニルホスフィン（０．５ｍＬ、２．２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（３ｍＬ）混合物を滴下した。黄色溶液を１時間撹拌し、ＳｉＯ２で処理し、さらに３０分間撹拌した。ＳｉＯ２をろ過で取り除き、ＣＨ２Ｃｌ２で洗浄した。溶媒を減圧下で除去し、残渣をＣＨ２Ｃｌ２に溶解し、反応中に生じたＬｉＣｌをろ過で除き、ヘキサンを添加して摩砕（ｔｒｉｔｕｒａｔｅｄ）した。混合物を１時間撹拌後、沈殿した生成物をろ過して集めた（６８０ｍｇ、収率８０％）。
1H NMR (CDCl3): 7.5-7.0 (m, 35H, OTr + PPh2), 6.70 (d, 1H, J = 5.3 Hz), 6.55 (d, 1H, J = 9.0 Hz), 6.42 (d, 1H, J = 9.0 Hz), 6.29 (d, 1H, J = 7.7 Hz), 6.08 (dd, 1H, J = 7.7, 5.3 Hz), 4.06 (d, 1H, J = 12.2 Hz, CH2OTr), 3.90 (d, 1H,J = 12.2 Hz, CH2OTr), 3.0-2.5 (m, 7H), 2.0-1.9 (m, 1H) ppm.
31P NMR (CDCl3): −1.18, −1.24 ppm.
【０１２７】
ｂ）ｒａｃ−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−（トリイソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（“ＴＩＰＳＯ−ＣＨ２−ＰａｒａＣ”）の製造
【０１２８】
【化３４】
【０１２９】
４，１２−ジブロモ−７−（トリス−イソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（５５５ｍｇ、１ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（１７ｍＬ）溶液に、−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（２．３５ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、４ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した溶液を−７８℃で１時間撹拌した。−７８℃でクロロジフェニルホスフィン（０．４５ｍＬ、２．５ｍｍｏｌ）を加えて反応をクエンチした。色がすぐにオレンジから淡黄色に変化した。冷却バスを取り除き、室温で３０分間撹拌し、白色固体（ＬｉＣｌ）が沈殿した。反応をＳｉＯ２で処理し、さらに３０分間撹拌し、そして窒素下でろ過した。溶液をエバポレートし、十分な純度の淡黄色固体を得た（７５０ｍｇ、定量的収率）。
31P NMR (CDCl3) : −1.2, −1.7 ppm.
【０１３０】
ｃ）（Ｒ）−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−（トリス−イソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（“ＴＩＰＳＯ−ＣＨ２−ＰａｒａＣ”）の製造
（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−（トリス−イソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（５５６ｍｇ、１ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（２０ｍＬ）溶液に、−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（２．４ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、４．０５ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した溶液を−７８℃で４０分間撹拌した。−７８℃でクロロジフェニルホスフィン（０．４５ｍＬ、２．５ｍｍｏｌ）を加えて反応をクエンチした。色がすぐにオレンジから淡黄色に変化した。冷却バスを取り除き、反応を室温で１００分間撹拌し、白色固体（ＬｉＣｌ）が沈殿した。反応をＳｉＯ２で処理し、さらに１時間撹拌し、そして窒素下でろ過した。溶液をエバポレートし、固体残渣をメタノール（５ｍＬ）及びジエチルエーテル（５ｍＬ）で洗浄した。さらにメタノール（５ｍＬ）で洗浄後、得られた白色固体を減圧下で乾燥した（４２０ｍｇ、収率５５％、融点１７０．６℃）。
1H NMR (CDCl3): 1.0-1.15 (m, 21H, TIPS-O),2.4-2.6 (m, 2H, CH2), 2.8-3.0 (m, 6H, CH2), 4.6 (d, 1H, J = 15Hz, CH2-O), 4.7 (d, 1H,J = 15Hz, CH2-O), 6.35-6.45 (4 lines, 2H,H arom), 6.55-6.65 (m, 3H, H arom), 7.05-7.50 (m, 20H, H arom).
31P NMR (CDCl3): −1.2, −1.7 ppm.
[α]Ｄ=−25.5 (CH2Cl2, c = 10.57 mg/mL).
【０１３１】
ｄ）（Ｓ）−４，１２−ビス［ビス（３，５ジメチルフェニル）ホスフィノ］−７−（トリス−イソプロピルシリルオキシ）メチル−［２．２］パラシクロファン（“ＴＩＰＳＯ−ＣＨ２−Ｘｙｌ−ＰａｒａＣ”）の製造
【０１３２】
【化３５】
【０１３３】
（Ｓ）−４，１２−ジブロモ−７−（トリス−イソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（２７６ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（２０ｍＬ）溶液に、−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（１．２３ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、２．１ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した溶液を−７８℃で４５分間撹拌した。−７８℃でクロロ−ビス−（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィン（０．３３ｇ、１．２ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（６ｍＬ）溶液を加えて反応をクエンチした。冷却バスを取り除き、反応を室温で１時間撹拌し、白色固体（ＬｉＣｌ）が沈殿した。反応をＳｉＯ２で処理し、さらに１時間撹拌し、そして窒素下でろ過した。溶媒をエバポレートし、固体残渣をトルエン／ヘキサン（２／３）１０ｍＬに再溶解し、そして２ｃｍのシリカゲルプラグを通して溶離した。減圧下で溶媒を除去し、白色固体として生成物を得た（１１０ｍｇ、収率２５％、融点１６０．１℃）。
1H NMR (CDCl3): 1.0-1.10 (m, 21H, TIPS-O), 2.1 (s, 12H, 4 CH3), 2.2 (s, 6H, 2 CH3), 2.25 (s, 3H, CH3), 2.27 (s, 3H, CH3), 2.35-2.55 (m, 2H, CH2), 2.7-2.9 (m, 6H, CH2), 4.55 (d, 1H, J = 14 Hz, CH2-O), 4.7 (d,1H, J= 14 Hz, CH2-O), 6.30 (dd, 1H, H arom), 6.47 (4 lines, 2H, H arom), 6.59 (m, 2H, H arom), 6.7-7.2 (m, 12H, H arom).
31P NMR (CDCl3) : 0.3, −0.3 ppm
【０１３４】
ｅ）（Ｓ）−４，１２−ビス［ビス（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノ］−７−（トリス−イソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（“ＴＩＰＳＯ−ＣＨ２−ＭｅＯＸｙｌ−ＰａｒａＣ”）の製造
【０１３５】
【化３６】
【０１３６】
（Ｓ）−４，１２−ジブロモ−７−（トリス−イソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（１８５ｍｇ、０．３４ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（１５ｍＬ）溶液に、−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（０．８２ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、１．４ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した溶液を−７８℃で４５分間撹拌した。ジアニオンを含む溶液を、クロロ−ビス−（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィン（０．２４ｇ、０．７２ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（８ｍＬ）溶液に室温で滴下した。反応を室温で２時間撹拌し、白色固体（ＬｉＣｌ）が沈殿した。反応をＳｉＯ２で処理し、さらに３時間撹拌し、そして窒素下でろ過した。溶媒をエバポレートし、得られた粗生成物をそれ以上精製することなく使用した（以下の例ｈ参照）。
31P NMR (CDCl3):−2, −3 ppm.
【０１３７】
ｆ）ｒａｃ−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン（“ＨＯ−ＣＨ２−ＰａｒａＣ”）の製造
【０１３８】
【化３７】
【０１３９】
ｒａｃ−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−（トリフェニルメトキシ）−メチル［２．２］パラシクロファン（８６６ｍｇ、１．１４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１５ｍＬ）溶液にテトラブチルアンモニウムフルオリド（１．２ｍＬ、ＴＨＦ＋５％水中の１Ｍ溶液）を加え、反応を室温で１時間撹拌した。溶媒をエバポレートし、脱気したジエチルエーテル（５０ｍＬ）を加えた。エーテル溶液を水（５０ｍＬ）、２ＮＨＣｌ（５０ｍＬ）及びＮａＨＣＯ３飽和溶液（５０ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、窒素下でろ過し、エバポレートした。得られた淡黄色固体残渣をジエチルエーテル（１ｍＬ）及びヘキサン（５ｍＬ）で洗浄し、乾燥してオフホワイト（ｏｆｆ ｗｈｉｔｅ）固体として生成物を得た（４１０ｍｇ、収率６０％）。
【０１４０】
ｇ）（Ｒ）−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン（“ＨＯ−ＣＨ２−ＰａｒａＣ”）の製造
（Ｒ）−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−（トリフェニルメトキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（６５０ｍｇ、０．８５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液にテトラブチルアンモニウムフルオリド（１．０ｍＬ、ＴＨＦ＋５％水中の１Ｍ溶液、１ｍｍｏｌ）を加え、反応を室温で２時間撹拌した。溶媒をエバポレートし、ジエチルエーテル（５０ｍＬ）を加えた。エーテル溶液を水（２０ｍＬ）、２ＮＨＣｌ（２０ｍＬ）及びＮａＨＣＯ３飽和溶液（２０ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、窒素下でろ過し、エバポレートした。得られた淡黄色固体残渣をペンタン（２ｘ１０ｍＬ）で洗浄し、乾燥してオフホワイト固体として生成物を得た（４５０ｍｇ、収率７０％）。
1H NMR (CDCl3): 2.4-2.5 (m, 2H, CH2), 2.7-3.0 (m, 6H, CH2),4.32 (d, 1H, J= 14 Hz, CH2-O), 4.6 (d, 1H, J= 14 Hz, CH2-O), 6.30-6.35 (m, 2H, H arom), 6.4-6.5 (m, 3H H arom), 7.0-7.4 (m, 20H, H arom).
31P NMR (CDCl3): −1.1, −1.3 ppm.
【０１４１】
ｈ）（Ｓ）−４，１２−ビス［ビス（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノ］ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン（“ＨＯ−ＣＨ２−ＭｅＯＸｙｌＰａｒａＣ”）の製造
【０１４２】
【化３８】
【０１４３】
実施例６ｅ）で得た粗生成物のＴＨＦ（５ｍＬ）溶液にテトラブチルアンモニウムフルオリドのＴＨＦ溶液（０．４ｍＬ、１Ｍ溶液、０．４ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間撹拌し、そして溶媒をエバポレートした。固体残渣をジエチルエーテル（２０ｍＬ）に溶解し、不活性雰囲気下、ＮａＨＣＯ３飽和溶液（１０ｍＬ）及び２ＮのＨＣｌ（１０ｍＬ）で洗浄した。有機溶液をＮａ２ＳＯ４で乾燥し、ろ過し、そしてエバポレートした。不活性雰囲気下、粗生成物をシリカゲルを通したろ過（溶離液：トルエン／ジエチルエーテル ８／２）で精製した。（７５ｍｇ、収率２９％、及びいくらかの不純画分）。
31P NMR (CDCl3): −2.1, −2.4 ppm.
【０１４４】
ｉ）ｒａｃ−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−ｔｅｒｔブトキシカルボニル［２．２］パラシクロファン（“ｔ−ＢｕＯＯＣ−ＰａｒａＣ”）の製造
【０１４５】
【化３９】
【０１４６】
ｒａｃ−４，１２−ジブロモ−７−ｔｅｒｔブトキシカルボニル［２．２］パラシクロファン（３５８ｍｇ、０．７７ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（２０ｍＬ）溶液に−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（１．８５ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、３．１５１ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した溶液を−７８℃で４０分間撹拌した。−７８℃でクロロ−ジフェニルホスフィン（０．３ｍＬ、１．７ｍｍｏｌ）を加えて反応をクエンチした。冷却バスを取り除き、反応を室温で１時間撹拌し、白色固体（ＬｉＣｌ）が沈殿した。反応を含水テトラヒドロフラン（２ｍＬ）でクエンチし、ジエチルエーテル（２０ｍＬ）で希釈し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、ろ過した。溶媒をエバポレートし、固体残渣をメタノール（２ｘ５ｍＬ）で洗浄し、減圧下で乾燥した（３２０ｍｇ、収率４７％）。
1H NMR (CDCl3): 1.5 (s, 9H, t-Bu-O), 2.55 (m, 1H, CH2), 2.63 (m, 1H, CH2), 2.8-3.0 (m, 5H, CH2), 3.7 (m, 1H, CH2),6.4-6.55 (m, 3H, H arom), 7.05-7.55 (m, 22H H arom).
31P NMR (CDCl3) :−1.35 ppm.
【０１４７】
ｊ）ｒａｃ−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−メトキシ［２．２］パラシクロファン（“ＭｅＯ−Ｐａｒａ−Ｃ”）の製造
【０１４８】
【化４０】
【０１４９】
ｒａｃ−４，１２−ジブロモ−７−メトキシ［２．２］パラシクロファン（１３３ｍｇ、０．３３５ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（１５ｍＬ）溶液に−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（０．８ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、１．３６ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した溶液を−７８℃で９０分間撹拌した。−７８℃でクロロ−ジフェニルホスフィン（０．１５５ｇ、０．７ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（５ｍＬ）溶液を加えて反応をクエンチした。冷却バスを取り除き、反応を室温で１時間撹拌し、白色固体（ＬｉＣｌ）が沈殿した。反応をＳｉＯ２で処理し、さらに１時間撹拌し、そして窒素下でろ過した。溶媒をエバポレートし、得られた固体残渣をトルエン１０ｍＬに再溶解し、２ｃｍのシリカゲルプラグを通して溶離した。減圧下で溶媒を除去し、融点１７３．３℃の白色固体として生成物を得た（８０ｍｇ、収率４０％）。
1H NMR (CDCl3): 2.4-2.5 (m, 1H, CH2), 2.7-2.85 (m, 4H, CH2), 2.9-3.05 (m, 3H, CH2), 3.69 (s, 3H, OCH3), 5.78 (d, 1H, J = 4.2 Hz, H arom), 6.42 (dd, 1 H, J = 7.7, 1.5 Hz, H arom), 6.4-6.5 (m, 2H, H arom), 6.65 (dd, 1H, J = 7.7, 5.5 Hz H arom), 7.05-7.5 (m, 20H,H arom).
31P NMR (CDCl3): −0.9, −3.0 ppm.
【０１５０】
ｋ）（Ｒ）−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−メトキシ［２．２］パラシクロファン（“ＣＨ３Ｏ−ＰａｒａＣ”）の製造
（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−メトキシ［２．２］パラシクロファン（１００ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（１５ｍＬ）溶液に−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（０．６１ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、１．０ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した溶液を−７８℃で５０分間撹拌した。−７８℃でクロロ−ジフェニルホスフィン（０．１２５ｇ、０．５５ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（５ｍＬ）溶液を加えて反応をクエンチした。冷却バスを取り除き、反応を室温で１時間撹拌し、白色固体（ＬｉＣｌ）が沈殿した。反応をＳｉＯ２で処理し、さらに１時間撹拌し、そして窒素下でろ過した。溶媒をエバポレートし、得られた固体残渣をジクロロメタン（１ｍＬ）及びヘキサン（３ｍＬ）に溶解した。ジクロロメタンを減圧下で除去し、得られた固体沈殿物を静置し、上澄み液を除去した。この手順を二回行った。白色粉末として生成物を得た（６３ｍｇ、収率４１％）。
[α]D = 49.2 (CH2Cl2, c = 1.16 mg/mL).
【０１５１】
ｌ）ｒａｃ−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ［２．２］パラシクロファン（“ＴＢＳＯ−ＰａｒａＣ”）の製造
【０１５２】
【化４１】
【０１５３】
ｒａｃ−４，１２−ジブロモ−７−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ［２．２］パラシクロファン（９０ｍｇ、０．１８ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（１０ｍＬ）溶液に−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（０．４４ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、０．７５ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した溶液を−７８℃で５０分間撹拌した。−７８℃でクロロ−ジフェニルホスフィン（０．０９ｇ、０．４ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（５ｍＬ）溶液を加えて反応をクエンチした。冷却バスを取り除き、反応を室温で１時間撹拌し、白色固体（ＬｉＣｌ）が沈殿した。反応をＳｉＯ２で処理し、さらに１時間撹拌し、そして窒素下でろ過した。溶媒をエバポレートし、白色固体として生成物を得た（８５ｍｇ、収率６７％）。
1H NMR (CDCl3) : 1.0 (s, 9H, t-BuSi), 1.08 (s, 3H, CH3Si), 1.10 (s, 3H, CH3Si), 2.4 (m, 1H, CH2), 2.7-3.0 (m, 7H, CH2), 5.70 (d, 1H, H arom), 6.4 (m, 2H, h arom), 6.5 (d, 1H, H arom), 6.9 (dd, 1H, H arom), 7.05-7.5 (m, 20H, H arom).
31P NMR (CDCl3): −1.0, −2.35 ppm.
【０１５４】
ｍ）４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノオキシド）−７−（トリイソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファンの製造
【０１５５】
【化４２】
【０１５６】
Ｐｄ（ＯＡｃ）２（３１ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）、ビスジフェニルホスフィノブタン（６０ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）及びジフェニルホスフィンオキシド（２００ｍｇ、１ｍｍｏｌ）を無水の脱気したＤＭＳＯ（２ｍＬ）に溶解し、１１５℃に加熱した。５分後、４，１２−ジブロモ−７−（トリス−イソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（２００ｍｇ、０．３６ｍｍｏｌ）を加え、反応を１１５℃で１６時間撹拌した。溶媒をエバポレートし、２ＮのＨＣｌ（５０ｍＬ）を加え、そしてジクロロメタン（３ｘ５０ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層をＮａ２ＳＯ４で乾燥し、ろ過し、エバポレートした。粗混合物をクロマトグラフィー（ＳｉＯ２、溶離液：ヘキサン／ＭＴＢＥ／ジクロロメタン ４／４／２）で精製して白色粉末として生成物を得た（１１６ｍｇ、収率１５％）。
1H NMR (CDCl3) : 1.05 (t, 9 H, CH3-CH-Si J = 8.5 Hz), 1.15 (m, 3H, CH3CHSi), 2.65 (m, 2H,-CH2-), 2.9 (m, 2H,-CH2-), 3.1 (m, 2H,-CH2-), 3.3 (m, 2H,-CH2-),4.65 (d, 1H,- CH2-O, J = 6 Hz), 4.72 (d, 1H,-CH2-O, J = 6 Hz), 6.53 (d, 1H, H arom), 6.2 (d, 1H, H arom), 6.25 (m, 1H, H arom), 6.95 (d, 1H, H arom), 7.12 (d, 1H, H arom), 7.2 (m, 3H, H arom), 7.28 (m, 2H, H arom), 7.45 (m, 11H, H arom), 7.6 (m, 4H, H arom).
31P NMR (CDCl3): 23.3, 22.9 ppm.
この物質はキシレン中１２０℃でＨＳｉＣｌ３及びＥｔ３Ｎと処理することによって対応するホスフィンに還元することができる。
ＮＭＲスケールでの実験：31P NMR (CDCl3) : −1.2, −1.7 ppm.
【０１５７】
実施例７．置換［２．２］パラシクロファン誘導体に基づくホスフィン配位子のルテニウム錯体の合成
ａ）［（Ｒ）−ＴｒｉＯＣＨ２−Ｐａｒａ−Ｃ］ＲｕＣｌ２［（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎ］の製造
【０１５８】
【化４３】
【０１５９】
実施例６ａのホスフィン（（Ｒ）エナンチオマー、５０ｍｇ、０．０５８８９ｍｍｏｌ）及び［Ｒｕ（ｂｅｎｚｅｎｅ）Ｃｌ］２（１４．７ｍｇ、０．０２９４ｍｍｏｌ）をシュレンクフラスコに入れ、空気を窒素で置換した。無水の脱気したＤＭＦ（１．５ｍｌ）及びトルエン（２ｍｌ）を加えた。その混合物を１０５℃で４時間加熱して、赤色の均一溶液が得られた。その溶液に固体の（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎ（１２．５ｍｇ、０．０５８８９ｍｍｏｌ）を加え、溶液を再び１０５℃で１．７５時間加熱した。そして、溶媒を除去した。固体をＣＨ２Ｃｌ２に溶解し、ＭＴＢＥを加えた。溶媒を除去し、黄褐色の沈殿が生じた。固体を集めず、溶媒を完全に除去して粗錯体を得た。そして、それ以上精製することなく使用した。
31P NMR (CDCl3): 43.98 ppm.
【０１６０】
ｂ）［（Ｓ）−ＭｅＯ−Ｐａｒａ−Ｃ］ＲｕＣｌ２［（Ｒ，Ｒ）−Ｄｐｅｎ］の製造
ホスフィン（実施例６ｊの（Ｓ）エナンチオマー、４９ｍｇ、０．０８０７ｍｍｏｌ）及び［Ｒｕ（ｂｅｎｚｅｎｅ）Ｃｌ］２（２０．２ｍｇ、０．０４０３ｍｍｏｌ）をシュレンクフラスコに入れ、空気を窒素で置換した。無水の脱気したＤＭＦ（１ｍｌ）及びトルエン（１ｍｌ）を加えた。その混合物を１０５℃で４時間加熱した。その溶液に固体の（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎ（１７ｍｇ、０．０８０７ｍｍｏｌ）を加えた。色がすぐに茶色から黄−ベージュ色に変化した。反応を室温に冷却し、減圧下で溶媒を除去した。粗錯体をそれ以上精製することなく使用した。
31P NMR (CDCl3): 46.2 (d, J= 28 Hz), 45.9 (d, 27.5 Hz) ppm.
【０１６１】
ｃ）［（Ｒ）−ＴＩＰＳＯＣＨ２−Ｐａｒａ−Ｃ］ＲｕＣｌ２［（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎ］の製造
実施例６ｃの（Ｒ）エナンチオマー配位子を使用し、実施例７ｂと同様の方法に従った。粗錯体をそれ以上精製することなく使用した。
31P NMR (CDCl3): 43.6, 43.75, 43.8, 44.0 (一次でない(not first order)) ppm
【０１６２】
ｄ）［（Ｒ）−ＨＯＣＨ２−Ｐａｒａ−Ｃ］ＲｕＣｌ２［（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎ］の製造
実施例６ｇの（Ｒ）エナンチオマー配位子を使用し、実施例７ｂと同様の方法に従った。粗錯体をそれ以上精製することなく使用した。
31P NMR (CDCl3): 44.0 (s) ppm
【０１６３】
実施例８．［２．２］パラシクロファン誘導体に基づくホスフィン配位子のロジウム錯体の合成
ａ）［（Ｒ）−ＴｒｉＯＣＨ２−ＰａｒａＣ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４の製造
【０１６４】
【化４４】
【０１６５】
実施例６ａのホスフィン（（Ｒ）エナンチオマー、６６ｍｇ、０．０７８ｍｍｏｌ）及び［Ｒｈ（ＮＢＤ）２］ＢＦ４（２７ｍｇ、０．０７２ｍｍｏｌ）（ＮＢＤ＝ノルボルナジエン）を不活性の窒素雰囲気下シュレンクフラスコに入れ、室温で、脱気したジクロロメタン（２ｍｌ）を加えた。溶液の色がすぐに赤からオレンジに変化した。１時間後、減圧下で溶媒を除去し、得られた粗固体残渣をＥｔ２Ｏ（１ｍＬ）及びヘキサン（２ｍＬ）で洗浄した。黄色懸濁液を１時間撹拌し、そして固体を沈殿させ、上澄み液を除去した。固体をさらにヘキサンで洗浄し、減圧下で乾燥した（５０ｍｇ、収率６３％）。それ以上精製することなく触媒前駆体（ｐｒｅｃａｔａｌｙｓｔ）を使用した。
31P NMR (CDCl3): 35.3 (dd, JP−Rh = 158 Hz, 3JP−P = 21 Hz), 37.4 (dd, JP−Rh = 159 Hz, 3JP−P= 21 Hz).
【０１６６】
ｂ）［ＨＯ−ＣＨ２−ＰａｒａＣ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４の製造
【０１６７】
【化４５】
【０１６８】
実施例６ｇのホスフィン配位子の（Ｒ）−エナンチオマー（１３５ｍｇ、０．２２ｍｍｏｌ）及び［Ｒｈ（ＮＢＤ）２］ＢＦ４（７５ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ）（ＮＢＤ＝ノルボルナジエン）を不活性の窒素雰囲気下シュレンクフラスコに入れ、室温で、脱気したジクロロメタン（１５ｍｌ）を加えた。溶液の色がすぐに赤からオレンジに変化した。２時間後、減圧下で溶媒を除去し、得られた粗固体残渣をジエチルエーテル（１ｍＬ）及びヘキサン（５ｍＬ）で洗浄した。固体を沈殿させ、上澄み液を除去し、固体を減圧下で乾燥した（１４５ｍｇ、収率８１％）。
31P NMR (CDCl3) : 35.2 (dd, JP−Rh = 158 Hz, 3JP−P = 21 Hz), 36.4 (dd, JP−Rh = 160 Hz, 3JP−P = 20 Hz).
【０１６９】
ｃ）ロジウム錯体の製造：一般的方法
実施例６の適当な配位子と、それと等モル量の［Ｒｈ（ＮＢＤ）２］を不活性の窒素雰囲気下シュレンクフラスコに入れ、室温でジクロロメタンを加えた。溶液の色がすぐに赤からオレンジに変化した。０．５乃至２時間後、減圧下で溶媒を除去し、得られた粗固体残渣を31P NMRで分析した。必要であれば、生成物をジエチルエーテル及びヘキサンで洗浄して精製し、そうでなければ、それ以上精製することなく使用した。
ｉ）［（Ｓ）−ＴＩＰＳＯ−ＣＨ２−Ｘｙｌ−Ｐａｒａ−Ｃ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４（収率求めず）
31P NMR (CDCl3) : 36.2 (dd, JP−Rh = 159 Hz, 3JP−P = 21 Hz), 37.1 (dd, JP−Rh = 159 Hz, 3JP−P = 21 Hz).
ｉｉ）［（Ｓ）−ＨＯ−ＣＨ２−ＭｅＯＸｙｌ−Ｐａｒａ−Ｃ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４（収率求めず）
31P NMR (CDCl3) : 34.0 (dd, JP−Rh = 159 Hz, 3JP−P = 21 Hz), 36.0 (dd, JP−Rh = 159 Hz, 3JP−P = 21 Hz).
［ｒａｃ−ｔＢｕＯＯＣ−Ｐａｒａ−Ｃ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４（収率求めず）
31P NMR (CDCl3): 35.9 (dd, JP−Rh = 159 Hz, 3JP−P = 23 Hz), 37.8 (dd, JP−Rh = 159 Hz, 3JP−P = 23 Hz).
ｉｖ）［ｒａｃ−ＣＨ３Ｏ−Ｐａｒａ−Ｃ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４（収率８３％）及び［（Ｒ）−ＣＨ３Ｏ−Ｐａｒａ−Ｃ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４（収率求めず）
31P NMR (CDCl3): 34.1 (dd, JP−Rh = 157 Hz, 3JP−P = 21 Hz), 38.1 (dd, JP−Rh = 157 Hz, 3JP−P = 20 Hz).
ｖ）［ｒａｃ−ＴＢＳＯ−Ｐａｒａ−Ｃ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４（収率９８％）
31P NMR (CDCl3): 34.9 (dd, JP−Rh = 159 Hz, 3JP−P= 21 Hz), 37.9 (dd, JP−Rh = 160 Hz, 3JP−P= 21 Hz).
【０１７０】
実施例９．芳香族ケトンの水素化
ａ）ＰａｒｒＴＭオートクレーブ中、Ｓ／Ｃ ３０００／１でのアセトフェノンの水素化
【０１７１】
【化４６】
【０１７２】
５０ｍＬのガラスライナー（ｇｌａｓｓ−ｌｉｎｅｒ）に［（Ｒ）−ＴｒｉＯＣＨ２−ＰａｒａＣ］−ＲｕＣｌ２−［（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎ］（０．００２ｍｍｏｌ）を加えた。これをＰａｒｒオートクレーブに入れ、空気を窒素で置換した。アセトフェノン（６ｍｍｏｌ）及びｔ−ＢｕＯＫの２−プロパノール溶液をそのＰａｒｒオートクレーブに加えた。オートクレーブを水素で８．３バール（ｂａｒ）に加圧し、室温で撹拌した。３０分後、水素の吸収が停止した。オートクレーブを開け、ガスクロマトグラフィーで溶液を分析した（カラム：ＣｈｉｒａｓｉｌＤＥＸ−ＣＢ、方法：１００℃で７分、その後１５℃で２００℃まで）＞９９％の転化率、９８％ｅ．ｅ．。
【０１７３】
ｂ）Ａｒｇｏｎａｕｔ ＥｎｄｅａｖｏｕｒＴＭ中、Ｓ／Ｃ ５０００／１でのアセトフェノンの水素化
Ａｒｇｏｎａｕｔマルチウエル圧力反応器のガラスライナーに［（Ｒ）−ＴｒｉＯＣＨ２−ＰａｒａＣ］−ＲｕＣｌ２−［（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎ］（１ｍｇ、０．００１ｍｍｏｌ）を加えた。その容器を窒素でパージし、アセトフェノン（５ｍｍｏｌ）の２−プロパノール（２ｍＬ）溶液を加えた。ｔ−ＢｕＯＫ（０．１ｍｍｏｌ、Ｂ／Ｃ １００／１、アセトフェノンに対して２％）の２−プロパノール（２ｍＬ）溶液を加え、窒素でパージし、そして１０バールの水素圧とした。１０バールの圧力に維持して水素の吸収を監視した。反応は４０分で完結した。圧力を開放し、反応をキラルガスクロマトグラフィーで分析した：＞９９％の転化率、９８．５％ｅ．ｅ．。
【０１７４】
ｃ）ＰａｒｒＴＭオートクレーブ中、Ｓ／Ｃ １００００／１でのアセトフェノンの水素化の例
５０ｍＬのガラスライナーに［（Ｒ）−ＴｒｉＯＣＨ２−Ｐａｒａ−Ｃ］−ＲｕＣｌ２−［（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎ］（０．００１ｍｍｏｌ）を加えた。これをＰａｒｒオートクレーブに入れ、空気を窒素で置換した。アセトフェノン（１０ｍｍｏｌ）及びｔ−ＢｕＯＫ（０．４ｍｍｏｌ、Ｂ／Ｃ ４００／１、アセトフェノンに対して４％）の２−プロパノール溶液をそのＰａｒｒオートクレーブに加えた。オートクレーブを水素で１０バールに加圧し、室温で撹拌した。反応完結後、オートクレーブを開け、ガスクロマトグラフィーで溶液を分析した（カラム：ＣｈｉｒａｓｉｌＤＥＸ−ＣＢ、方法：１００℃で７分、その後１５℃で２００℃まで）＞９９％の転化率、９９％ｅ．ｅ．。
【０１７５】
一連の触媒に対する結果を以下に示す。
【０１７６】
【表１】
【０１７７】
実施例１０．デヒドロアミノ酸の水素化
ａ）基質／触媒＝１０００／１での２−アセトアミドアクリル酸メチルの水素化
【０１７８】
【化４７】
【０１７９】
Ｅｎｄｅａｖｏｕｒ Ａｒｇｏｎａｕｔマルチウエル圧力反応器のガラスライナーに［（Ｒ）−ＴｒｉＯＣＨ２−ＰａｒａＣ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４（２．２ｍｇ、０．００２ｍｍｏｌ）及びアセトアミドアクリル酸メチル（２８６ｍｇ、２ｍｍｏｌ）を加えた。その容器を窒素でパージし、脱気したＭｅＯＨ（４ｍＬ）を加え、１０バールの水素圧とした。１０バールの圧力に維持して水素の吸収を監視した。３０分後、圧力を開放し、キラルガスクロマトグラフィーで反応を分析した（カラム：ＣｈｉｒａｓｉｌＤＥＸ−ＣＢ、方法：１３０℃で１０分、その後１５℃／分で２００℃まで）１００％の転化率、９９％ｅ．ｅ．。
【０１８０】
ｂ）Ｓ／Ｃ ５０００／１での２−アセトアミドアクリル酸メチルの水素化：一般的方法
【０１８１】
【化４８】
【０１８２】
５０ｍＬのＰａｒｒ圧力反応器のガラスライナーに触媒（０．００１ｍｍｏｌ）及びアセトアミドアクリル酸メチル（７１６ｍｇ、５ｍｍｏｌ）を入れた。その容器を窒素でパージし、そして、水素での１０バールへの加圧及び圧力の開放を少なくとも三回行った。脱気したＭｅＯＨ（１０ｍＬ）を加え、上記のように水素でパージし、そして水素で５バールに加圧した。４乃至５バールに圧力を維持した。２０分後、圧力を開放し、キラルガスクロマトグラフィーで反応を分析した（カラム：ＣｈｉｒａｓｉｌＤＥＸ−ＣＢ、方法：１３０℃で１０分、その後１５℃／分で２００℃まで）。
【０１８３】
一連の触媒を使用した結果を以下に示す。ファンホス（Ｐｈａｎｅｐｈｏｓ）ベースの触媒を、本発明のＰａｒａ−Ｃベースの触媒と比較した。それは、本発明の触媒の有効性を示している。生成物の立体化学は、ファンホスベースの触媒について報告された結果（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９７，１１９，６２０７）に従って帰属した。
【０１８４】
【表２】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は遷移金属に触媒される不斉反応に使用される配位子に関し、そして、具体的にはパラシクロファン、より具体的には置換パラシクロファン、に関する。
パラシクロファン及び具体的には［２．２］−パラシクロファン誘導体は遷移金属に触媒される不斉反応のための配位子として確立されている（例えば、Ｓ．Ｅ．Ｇｉｂｓｏｎ ａｎｄ Ｊ．Ｄ．Ｋｎｉｇｈｔ，Ｏｒｇ．Ｂｉｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，２００３，１，１２５６−１２６９参照）。これらの中で、パラシクロファンビス（ホスフィン）がかなりの注目を集めている。というのは、それらから誘導される触媒が、多くの有用な不斉変換において高いレベルの活性及び選択性を示すからである。
【０００２】
例えば、ＷＯ９７／４７６３２はパラシクロファンビス（ホスフィン）配位子、並びに、不斉水素化、異性化、ヒドロホウ素化、環化、アリール化、アルキル化及びアミノ化反応のためのそれらの配位子から誘導されるロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）またはパラジウム（Ｐｄ）触媒を開示している。そこに記載されている配位子は以下に示す構造を有している：
【０００３】
【化１】
【０００４】
式中、両方のＸ基は同一であり、これらの配位子はＣ２対称性を有する、すなわちそれらはキラルでありＣ２対称軸を有している。例えば、ＰＨＡＮＥＰＨＯＳとして知られているＸ＝−（ＣＨ２ＣＨ２）−のＣ２対称［２．２］配位子は、Ｒｕ−ジアミン錯体の部分を構成した場合、ケトンの不斉水素化に使用することができる（ＷＯ０１／７４８２９参照）。
【０００５】
ＷＯ０２／０５７２７８はパラシクロファンビス（ホスフィン）に構造的に関連したパラシクロファン配位子を開示しており、そこでは［２．２］パラシクロファン構造において、リンに結合したフェニル基が酸素、窒素、塩素または水素原子で置き換わっている。これらの配位子を以下に示す：
【０００６】
【化２】
【０００７】
これらから誘導されるＲｈ、Ｉｒ及びＲｕ触媒が不斉水素化反応に使用された。
上記のパラシクロファン配位子は多くの不斉変換に対して効果的であるが、それらから誘導される触媒の、より広い反応及び基質に対する活性及び選択性の改良に対する必要が依然として存在する。さらに、パラシクロファン配位子を不斉変換用の触媒を調製するための高い鏡像体純度で供給するには、一般に、長くそして高価な分割技術を必要とする。
【０００８】
また、さらに、上記の配位子から誘導される触媒は、均一系触媒として使用された場合、これらの反応において許容範囲の活性及び選択性を与えるには効果的であるが、それらは固相支持体への固定化には特に適しているわけではない。均一系触媒の固相支持体への固定は、不均一系触媒の利点を均一系触媒に拡張する可能性を提供する。その利点は、短時間の後処理及びプロセス効率の改良につながる触媒と反応生成物のより容易な分離、高価な金属及び複雑な配位子幾何構造に基づく固定された触媒の再活性化及び再使用の可能性、及び固定化された触媒の連続フロー固定床操作への適用の可能性、を含む。
【０００９】
発明者らは、パラシクロファン構造のベンゼン環の一つまたは両方に置換基を導入することによって配位子の電子的及び／または立体的性質を変化させることができるということを見つけた。さらに、パラシクロファンのキラル分割を容易にするためにその置換基を使用でき、そして所望であれば、固相支持体材料との反応に適した官能基を与えるためにその置換基を使用することができる。
【００１０】
したがって、本発明は式（Ｉ）の置換パラシクロファンを提供する。
【００１１】
【化３】
【００１２】
式中、Ｘ１及びＸ２は２乃至４の炭素原子を含む連結基であり；Ｙ１及びＹ２は水素、ハライド、酸素、窒素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールからなる群から選択され；Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は官能基を含んでいてもよい置換基であり；ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０または１でありそしてａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至６である。
【００１３】
連結基Ｘ１及びＸ２はパラシクロファン構造のベンゼン環の連結を提供し、２乃至４の炭素原子を含む。Ｘ１及びＸ２は線状（ｌｉｎｅａｒ）、分岐または環構造であってよく、そしてその連結は２、３または４の炭素原子で形成される。その連結は、炭素原子に加えて、Ｏ、Ｎ及びＳ等のヘテロ原子を含むことができ（そこで、次には、そのＮはＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、Ｃ３Ｈ７若しくはＣ４Ｈ９等のアルキル基またはアリール基に結合することができ、そしてそのＳはアルキル基またはアリール基に結合することができるか、またはＳＯまたはＳＯ２の部分である）、及び／または連結基の炭素原子はハライド（例えば一つ以上のフッ素原子）で置換されていてもよい。それゆえ、連結基Ｘ１及びＸ２は、それぞれ、例えば、−（ＣＨ２）２−４−、−ＣＨ２ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｎ（ＣＨ３）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＳＯ２ＣＨ２−、−Ｃ２Ｆ４−、またはオルト、メタ若しくはパラ−Ｃ６Ｈ４−であることができる。連結基のそのような修飾は、置換パラシクロファンを異なった反応条件（例えば溶媒）に適用するにおいて有用であろう。好ましくは、連結基は−（Ｃ２Ｈ４）−、−（Ｃ３Ｈ６）−または−（Ｃ４Ｈ８）−を含む。より好ましくはＸ１及びＸ２は同一であって、そして最も好ましくはＸ１及びＸ２は共に−（Ｃ２Ｈ４）−である。
【００１４】
一つの実施態様において、パラシクロファンはビス（ホスフィン）であって、そこでＹ１及びＹ２は、独立に、水素、ハライド（Ｃｌ、Ｂｒ、ＦまたはＩ）、または直鎖または分岐鎖の（例えばＣ１−Ｃ２０）アルキル基（メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル及びステアリル等）、（例えばＣ３−Ｃ１０）シクロアルキル基（シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはアダマンチル等）またはアリール基（フェニル、ナフチルまたはアントラシル等）であることができる。アルキル基は、ハライド（Ｃｌ、Ｂｒ、ＦまたはＩ）またはアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基またはプロポキシ基）等の置換基で一つ以上置換されていてもよい。アリール基は、ハライド（Ｃｌ、Ｂｒ、ＦまたはＩ）、メチル基、トリフルオロメチル基またはメトキシ基等の置換基で一つ以上置換されていてもよい。適した置換アリール基は４−メチルフェニル、３，５−ジメチルフェニル、４−メトキシフェニル及び４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニルを含む。ピリジル等の置換または非置換のヘテロアリール基を使用することもできる。他の実施態様において、各リン原子上のＹ１及びＹ２は、そのリン原子を含んで環構造を形成するように連結されていてもよい。そのような実施態様において、好ましくはＹ１及びＹ２は、各リン原子で４乃至７員環を与えるように連結されている。さらなる実施態様において、パラシクロファンはホスホナイト（そこでＹ１及びＹ２は酸素原子である）、ホスホラスアミド（そこでＹ１及びＹ２は窒素原子である）またはホスホンアミダイト（ｐｈｏｓｐｈｏｎａｍｉｄｉｔｅ、そこでＹ１は酸素原子であり、Ｙ２は窒素原子である）であってもよい。好ましくは、Ｙ１及びＹ２は同一で、そしてフェニル基または置換フェニル基である。
【００１５】
それらの数及び位置に依存して、置換基Ｚ１、Ｚ２及びＺ３はパラシクロファン（Ｉ）の一方または双方のベンゼン環の水素原子を置換する。Ｚ１、Ｚ２またはＺ３は、独立して、非官能性基を含む置換基であり、例えば、分岐または線状アルキル（例えば、Ｙ１及びＹ２について上述したような、Ｃ１−Ｃ３０、好ましくはＣ１−Ｃ２０、より好ましくはＣ１−Ｃ１０）、アリール（例えば、フェニル、ナフチルまたはアントラシル）、またはアラルキルまたはアルカリール（例えば、ベンジル、−ＣＨ２Ｃ６Ｈ５）である。そのような置換基は、例えばパラシクロファンが遷移金属触媒錯体の部分として使用される場合、パラシクロファンの物理的、電子的及び／または立体的性質を変化させるのに有効であろう。追加的にまたは代わりとして、Ｚ１、Ｚ２またはＺ３は一つ以上の官能基を含んでいる置換基であってもよく、そしてそれらの官能基は、所望であれば、配位子の電子的性質を変化させるため、パラシクロファン配位子またはその中間体のキラル分割を容易にするため、及び／またはパラシクロファン配位子（またはその中間体）及びそれから誘導される触媒を適当な反応性の固相支持体に共有結合させるため、に使用することができる。そのため、置換基Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は、一つ以上の官能基を含むことができる。適した官能基は、ハライド（Ｃｌ、Ｂｒ、ＦまたはＩ）、ヒドロキシル、アルコキシ（すなわち−ＯＲ、ここでＲ＝Ｃ１−Ｃ３０アルキル）、カルボニル、カルボキシル、無水物、メタクリル、エポキシド、ビニル、ニトリル、ニトロ、スルフェート、スルホニル、メルカプト、スルフィドアミノ、アミン、イミン、アミド及びイミドを含む。これらの官能基は、適切な場合には、パラシクロファン配位子のベンゼン環に直接結合することができ、または、ベンゼン環に結合したアルキル（例えば、Ｙ１及びＹ２について上述したようなＣ１−Ｃ３０）、アリールまたはアルキル−アリール基上に存在することができる。さらに、パラシクロファン構造の一方のベンゼン環上のＺ１、Ｚ２またはＺ３は、他方のベンゼン環上のＺ１、Ｚ２またはＺ３と同一であっても異なっていてもよい。すなわち、（Ｚ１）ａ、（Ｚ２）ｂ及び（Ｚ３）ｃは（Ｚ１）ｄ、（Ｚ２）ｅ及び（Ｚ３）ｆと同一であっても異なっていてもよい。
【００１６】
特に好ましい置換基は、−ＣＨ３（Ｍｅ）、−Ｃ（ＣＨ３）３（ｔＢｕ）、−ＣＨ（ＣＨ３）２（ｉＰｒ）等のアルキル基；−Ｃ６Ｈ５（Ｐｈ）等のアリール基；例えば式−ＣｘＨｙＦｚ（式中、ｘは１乃至１０、好ましくは１乃至３；ｙは２ｘより小さく０を含む；そしてｚ＝１乃至２ｘ＋１）のフルオロアルキル基；ビニル基−ＣＨ＝ＣＨ２；ヨージド−Ｉ；ニトレート−ＮＯ２；イミノ、例えば−Ｎ＝ＣＰｈ２；アルコキシメチレンまたはアルコキシ基Ｒ’ＯＣＨ２−またはＲ’Ｏ−（例えば、Ｒ’はＨ、Ｃ１−Ｃ３０アルキル、アリール、アルカリールまたはシリルであり、特にはＣＨ２Ｐｈ、ＣＨ３、ｔＢｕ、ｉＰｒ、Ｓｉ（ｔＢｕ）Ｍｅ２またはＳｉ（ｉＰｒ）３）；カルボニルＸＣ（Ｏ）−（例えば、ＸはＨ、ハライド（特にはＣｌ）、Ｃ１−Ｃ３０アルキル（好ましくはＣ１−Ｃ１０））；カルボキシルＲ”Ｏ２Ｃ−（例えば、Ｒ”はＨ、Ｃ１−Ｃ３０アルキル、アリールまたはアルカリール（ＣＨ３、Ｐｈ−ＣＨ２、ｔＢｕ、ｉＰｒ等で好ましくはＨ））；及びアミノＲ’Ｒ”Ｎ−、Ｒ’Ｒ”ＮＣＨ２−またはＲ’Ｒ”ＮＣＯ−（例えば、Ｒ’及び／またはＲ”はＨ、アルキルまたはアルカリール（ＣＨ３、Ｃｈ２Ｐｈ等））である。
【００１７】
パラシクロファン構造の各ベンゼン環上の置換基は、Ｐ（Ｙ１Ｙ２）基に対してオルト（Ｚ３）位、メタ（Ｚ２）位及び／またはパラ（Ｚ１）位であってよい。置換基がベンゼン環のパラ位にある場合、その置換基がＰ（Ｙ１Ｙ２）基への電子的影響を増すことがあり、そして適切なＺ１置換基の選択によって、触媒の部分となった場合に異なった反応及び基質に対する配位子の効果を増すための配位子の電子的微調整を可能にすることができる。Ｚ２または、特にオルト位のＺ３置換基の注意深い選択によって、触媒活性に変化をもたらすように配位子の立体的性質を変化させることができる。置換基はまた、パラシクロファンの物理的性質（例えば、空気中でのまたは水に対する安定性、または異なった溶媒への溶解度）を変化させるために使用することができる。好ましくは、パラシクロファンの各ベンゼン環の置換基はＰ（Ｙ１Ｙ２）基に対してパラ（Ｚ１）位である。
【００１８】
少なくとも一つから、最大で六つまでの置換基が本発明の置換パラシクロファン（Ｉ）に存在することができる。パラシクロファン構造の各ベンゼン環は三つの置換基を持つことができるが、好ましくは、各ベンゼン環はａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至４になるように、特に好ましくはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１または２になるように、一つまたは二つの置換基を含むことができる。最も好ましくは、各ベンゼン環が置換基を一つだけ持つ、すなわちａ＋ｂ＋ｃ＝１及び／またはｄ＋ｅ＋ｆ＝１であり、特にはａ及び／またはｄが１である。
【００１９】
触媒の調製用の配位子としての使用に適している、本発明のパラシクロファンは以下を含む、がそれらに限定はされない：
【００２０】
【化４】
【００２１】
本発明のパラシクロファンを製造するための方法は、適切なパラシクロファン中間体に対する求電子置換反応（フリーデル−クラフツアルキル化及びアシル化反応を含む）、求核置換反応及びメタル化−置換反応を含む。また、置換シクロファンは、適切に置換及び官能基化されたベンゼン環ユニットの、例えば熱的または光化学的手段による、カップリングまたは二量化によって構築することもできる。好ましくは、本発明の置換パラシクロファンは、適切なパラシクロファン中間体の置換反応によって製造される。特に、置換擬（ｐｓｅｕｄｏ）−オルトジブロモ−パラシクロファンが、本発明の置換パラシクロファンの合成に対する非常に有用な出発点を提供するということを、発明者らは見つけた。
【００２２】
したがって、本発明はさらに、式（Ｉ）の置換パラシクロフェンの製造のための方法を提供する。その方法は：
【００２３】
【化５】
【００２４】
（ａ）擬−オルトジブロモパラシクロファンの置換反応を行って式（ＩＩ）の置換擬−オルトジブロモパラシクロファン中間体を形成すること、及び、
【００２５】
【化６】
【００２６】
（ｂ）その置換擬−オルトジブロモパラシクロファンをＰ（Ｙ１Ｙ２）を有するリン化合物と反応させること、による。式中、Ｘ１及びＸ２は２乃至４の炭素原子を含む連結基であり；Ｙ１及びＹ２は水素、ハライド、酸素、窒素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールからなる群から選択され；Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は官能基を含んでいてもよい置換基であり、そして、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０または１でありそしてａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至６である。
【００２７】
置換ジブロモパラシクロファン（ＩＩ）の合成のための擬−オルトジブロモパラシクロファンは既知の方法によって製造することができる。典型的には、適当な溶媒中、鉄の存在下でパラシクロファンを臭素と反応させることができる（Ｄ．Ｊ．Ｃｒａｍ ｅｔ ａｌ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９６９，９１，（１３），３５２７参照）。特に、市販の［２．２］パラシクロファンについて、上述のＷＯ９７／４７６３２の３１頁及び３２頁の実施例１及び実施例２に記載の方法に従って、擬−オルトジブロモ［２．２］パラシクロファンの合成を行うことができる。
【００２８】
本発明の置換パラシクロファンの製造のためには、求電子置換反応が好ましい。特に、擬−オルトジブロモパラシクロファン、特には擬−オルトジブロモ［２．２］パラシクロファン、のルイス酸媒介の求電子置換が、驚くべきことに、高い収率及び選択性で実質的にモノ−パラ−置換反応生成物だけを与えるように進行することを見つけた。モノ−置換生成物のみを形成するので、この方法は非常に効率的であり、そして、所望の置換パラシクロファン生成物を得るために複雑で高価な分離技術を使用しなければならないという可能性を克服する。
【００２９】
例えば、擬−オルトジブロモ［２．２］パラシクロファンのアセチル化は、ジクロロメタン（ＤＣＭ）中、三塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）及びアセチルクロリド（ＣＨ３ＣＯＣｌ）の存在下で容易に進行し、そして、驚くべきことに、パラ位に独占的にケトン基を有するモノ−置換アセチル化生成物を与える。過剰のルイス酸存在下でも、ジアセチル化生成物は得られなかった。この反応を以下に示す：
【００３０】
【化７】
【００３１】
オキサリルクロリド及びＡｌＣｌ３の存在下で、擬−オルトジブロモ［２．２］パラシクロファンモノ−酸クロリドを高い収率で得ることができる。これは水で加水分解でき、またはメタノールでのクエンチ（ｑｕｅｎｃｈｅｄ）によってメチルエステルを与える。これらの反応を以下に示す：
【００３２】
【化８】
【００３３】
標準的なニトロ化条件（濃ＨＮＯ３／無水酢酸）では、モノ−及びジ−置換擬−オルトジブロモ［２．２］パラシクロファン化合物が得られ、また、出発物質のある程度の分解も起こるであろう。しかしながら、好ましいルイス酸ニトロ化条件（Ｓｃ（ＯＴｆ）３）では、擬−オルトジブロモ［２．２］パラシクロファンモノ−ニトロ化合物が高い収率で得られ、また、ジ−置換生成物は検出されなかった。これらの反応を以下に示す：
【００３４】
【化９】
【００３５】
オルト−置換はオルト−リチオ化法を用いて行うことができる。そこでは、４−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミド［２．２］パラシクロファン等のオルト−指向性（ｏｒｔｈｏ−ｄｉｒｅｃｔｉｎｇ）基で置換されたパラシクロファンが、ジエチルエーテル及びＴＭＥＤＡ中でｔ−ブチルリチウム等の適切なアルキルリチウム化合物を用いてリチオ化され、そしてそのリチオ化されたパラシクロファンが適切な求電子剤と処理される（Ｐｅｌｔｅｒ ｅｔ ａｌ，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，２００１，８３９１−４参照）。
【００３６】
所望であれば、置換擬−オルトジブロモパラシクロファン（ＩＩ）上の官能基を、目的のホスフィン、ホスホナイト、ホスホラス−アミドまたはホスホンアミダイトを含んだ式（Ｉ）のパラシクロファンに変換される前に、化学的に変換することができる。例えば、置換基がニトロ基（−ＮＯ２）の場合、触媒的水素化等の既知の方法を用いてアミノ基（−ＮＨ２）に還元することができる。一方、例えば、スキーム２に示したメチルエステル化合物をＬｉＡｌＨ４を使用した対応するベンジルアルコールへの還元によってヒドロキシル官能基を導入することができる。そして、ベンジルアルコール−置換擬−オルトジブロモパラシクロファンの対応するホスフィン、ホスホナイトまたはホスホンアミダイトへの変換の前に、ヒドロキシル基を別の置換基（トリチル基またはトリイソプロポキシシリル基等）に変換することができる。トリチル−変換反応を以下に示す。
【００３７】
【化１０】
【００３８】
必要であれば、トリチル−官能基化置換パラシクロファンを適当な酸で処理することによって、トリチル基からヒドロキシル官能基を再生することができる。同様に、トリイソプロピルシリル基はテトラブチルアンモニウムフルオリド（ＴＢＡＦ）を用いて除去することができる。
【００３９】
置換擬−オルトジブロモパラシクロファン（ＩＩ）を合成すると、本発明の方法の次の段階は、置換擬−オルトジブロモパラシクロファン（ＩＩ）をＰ（Ｙ１Ｙ２）を有するリン化合物と反応することによる擬−オルトブロミド基の目的のホスフィン、ホスホナイト、ホスホラスアミドまたはホスホンアミダイトへの変換である。この反応は、多くの既知の方法にしたがって行うことができる。例えば、ジフェニルホスフィノ基によるＢｒ原子の直接的置換は、ＤＭＦ中１００℃で、ＮｉＣｌ２ｄｐｐｅ及びトリエチレンジアミンの存在下、置換擬−オルトジブロモパラシクロファン（ＩＩ）をジフェニルホスフィン（Ｐｈ２ＰＨ）と反応させることによって達成することができ、または、ＴＨＦ中室温で、リチオ化されたジフェニルホスフィン（Ｐｈ２ＰＬｉ）及びＮｉＣｌ２ｄｐｐｅを使用することによって達成することができる。一方、ＢｕＬｉによる低温でのリチオ化及びＭｇＢｒ２を用いたトランスメタル化は活性化グリニャール試薬を生成し、そしてそれはより安定なホスホリルオキシド（Ｐｈ２Ｐ（Ｏ）Ｃｌ）と反応することができる。そのグリニャール試薬は、置換擬−オルトジブロミド（ＩＩ）とＭｇとの反応によって直接形成することもできる。得られるビス（ホスフィンオキシド）パラシクロファンは適当な還元剤（ＨＳｉＣｌ３またはＬｉＡｌＨ４等）によって目的のビスホスフィンに還元することができる。
【００４０】
好ましくは、置換パラシクロファンビス（ホスフィン）は、式（ＩＩ）の置換擬−オルトジブロモパラシクロファンをアルキルリチウム試薬（ｔｅｒｔ−ブチルリチウム（ｔＢｕＬｉ）等）で処理し、得られたアニオンをアリール−またはアルキル−ホスフィニルクロリド（ジフェニルホスフィニルクロリド（Ｐｈ２ＰＣｌ）等）でクエンチして目的の置換パラシクロファンビス（ホスフィン）を生成することによって製造することができる。他のアリール及びアルキルホスフィンについて、同様の方法を使用することができる。スキーム４のトリチル−保護擬−オルトジブロモ［２．２］パラシクロファンを使用して、この反応を以下に示す：
【００４１】
【化１１】
【００４２】
一方、より空気及び湿気に安定な対応するホスフィンオキシドはＰｈ２ＰＯＣｌを用いて製造することができ、そしてそのホスフィンオキシドはＨＳｉＣｌ３等を用いて還元することができる。
【００４３】
式（ＩＩ）の置換擬−オルトジブロモパラシクロファンからホスホナイト、ホスホラスアミド及びホスホンアミダイトを製造するための適当な方法はＡ．Ｚａｎｏｔｔｉ−Ｇｅｒｏｓａ ｅｔ ａｌ，Ｏｒｇ．ｌｅｔｔ．，２００１，３６８７に見ることができる。
【００４４】
ホスフィンの場合と同様に、強力な有機金属塩基によるジブロミドの直接メタル化及び適切なクロロ−ホスホナイトとの反応によって、置換擬−オルトジブロモパラシクロファンを対応する置換パラシクロファンビス（ホスホナイト）に変換することができる。好ましくは、置換パラシクロファンビス（ジクロロホスフィン）または置換パラシクロファンホスホラス−ジアミドとアルコール、ジオールまたは金属ジオレート（ｄｉｏｌａｔｅ）との処理によって、置換パラシクロファンビス（ホスホナイト）を合成することができる。置換パラシクロファンビス（ジクロロホスフィン）自体はパラシクロファンホスホラスジアミドを経て得ることができ、そしてパラシクロファンホスホラスジアミドは、強力な有機金属塩基によるパラシクロファンジブロミドの直接メタル化及びクロロ−ホスホラス−ジアミド（Ｃｌ−Ｐ（ＮＣＨ３）２またはＣｌＰ（ｉｓｏ−Ｃ３Ｈ７）２等）との反応によって製造することができる。得られたパラシクロファンホスホラス−ジアミドはＨＣｌ溶液との処理によってパラシクロファンビス（ジクロロホスフィン）に変換することができる。置換［２．２］パラシクロファンについて、これらの反応を以下に示す：
【００４５】
【化１２】
【００４６】
上述の反応手順において、望まない副反応を抑えるために、適切な場合には置換基を、例えば既知の方法を用いたアルコキシ基等によって、保護することができる。
本発明の置換パラシクロファンはキラルであり、二つのエナンチオマー形、すなわち（Ｒ）−または（Ｓ）−立体配置の一つを採ることができる。また、パラシクロファンはエナンチオマーのラセミ混合物を含むことができる。一方、そして好ましくは、置換パラシクロファンは実質的にエナンチオマー的に純粋なエナンチオマー（すなわちエナンチオマー過剰＞７５％、好ましくは＞９５％）を含む。実質的に純粋なエナンチオマーを得るために、実質的にエナンチオマー的に純粋な擬−オルトジブロモパラシクロファンの出発原料から、置換パラシクロファンを製造することができる。例えば、擬−オルトジブロモパラシクロファンのラセミ混合物の分割は、結晶性セルローストリアセテート等のキラルな固定相上で溶離液としてエタノールを使用して行うことができ、またはキラルなＨＰＬＣカラム上で行うことができる。または、合成過程のより後の段階でキラル分割を行うことができる。例えば、置換パラシクロファンビス（ホスフィン）、ホスフィンオキシド、ホスホナイト、ホスホラスアミドまたはホスホンアミダイト（Ｉ）について、既存の結晶化技術またはキラルクロマトグラフィーカラム上での分離を利用して、分割を行うことができる。例えば、置換パラシクロファンホスフィンオキシドを、包接錯体を形成する酒石酸ベンゾイル等のキラル基質と処理することによって分割を行うことができる。そして分割したホスフィンオキシドをＨＳｉＣｌ３等を用いて還元する。しかしながら、これらの方法は、高価で時間がかかるという不利がある。
【００４７】
有利なことには、本発明では、必要であれば、パラシクロファンのキラル分割を、その置換基自体を利用して行うことができる。この分割は、好ましくは、置換基上に適切な官能基を持つ置換擬−オルトジブロモパラシクロファンを用いて行うことができる。
【００４８】
したがって、本発明は、さらに、式（ＩＩＩ）の置換擬−オルトジブロモパラシクロファンを提供する：
【００４９】
【化１３】
【００５０】
式中、Ｘ１及びＸ２は２乃至４の炭素原子を含む連結基であり、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は置換基であって、その少なくとも一つはヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、無水物、メタクリル、エポキシド、ビニル、ニトリル、ニトロ、スルフェート、スルホニル、メルカプト、スルフィドアミノ、アミン、イミン及びイミドから選択される官能基を含み、そして、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０または１でありそしてａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至６である。
【００５１】
好ましくは、官能基はカルボン酸（−ＣＯＯＨ）官能基であり、それはキラルな塩基と反応することができる。また、好ましくは、官能基はアミノ官能基（−ＮＨ２、例えば、ニトロ基−ＮＯ２の還元によって形成される）であり、それはキラルな酸と反応することができる。または、官能基は酵素的キラル分割ができるように酵素と相互作用できる基であってもよい。好ましくは一つまたは二つ、より好ましくは官能基を含む一つの置換基が式（ＩＩＩ）の置換擬−オルトジブロモパラシクロファンに存在している。すなわち、好ましくはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１または２であり、より好ましくはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１であり、最も好ましくはａまたはｄが１である。
【００５２】
式（ＩＩＩ）の置換擬−オルトジブロモパラシクロファンの使用は多くの利点、特に、目的のキラル生成物への合成経路の単純化ということ、を提供する。一つの実施態様において、パラシクロファンホスフィン、ホスホナイト、ホスホラス−アミドまたはホスホンアミダイトの合成の前に、擬−オルトジブロミドのキラル分割を行うために、スキーム２のモノ−置換パラシクロファンカルボキシレートを使用することができる。キラルな塩基を利用した、モノ−パラ−置換擬−オルトジブロモ［２．２］パラシクロファンのキラル分割に至る手順を以下に示す：
【００５３】
【化１４】
【００５４】
シンコニジン等のキラル塩基を使用した既存の技術によってキラル分割を行うことができる。一方、酒石酸、酒石酸エステル、マンデル酸またはカンファースルホン酸等のキラルな酸を使用して、アミノ置換擬−オルトジブロモパラシクロファンの分割を行うことができる。
【００５５】
置換パラシクロファンの一方のエナンチオマーが記載されている場合、本発明の態様には他方のエナンチオマーも含まれるということは、当業者には理解されるであろう。
本発明の置換パラシクロファン（Ｉ）は、化学反応の触媒としての使用に適した金属錯体を製造するための配位子として使用することができる。
【００５６】
したがって、本発明はまた、金属化合物と式（Ｉ）の置換パラシクロファンの反応生成物を含む金属錯体を提供する：
【００５７】
【化１５】
【００５８】
式中、Ｘ１及びＸ２は２乃至４の炭素原子を含む連結基であり、Ｙ１及びＹ２は水素、ハライド、酸素、窒素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールからなる群から選択され、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は官能基を含んでいてもよい置換基であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０または１でありそしてａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至６である。
【００５９】
置換パラシクロファン（Ｉ）は、ラセミ混合物として、または実質的にエナンチオマー的に純粋な形で、金属化合物と組み合わせることができる。好ましくは、置換パラシクロファン（Ｉ）は実質的にエナンチオマー的に純粋（すなわちエナンチオマー過剰＞７５％、好ましくは＞９５％）である。金属化合物としては、置換パラシクロファン（Ｉ）と反応して金属錯体を与えることができる任意の金属化合物であってよい。金属化合物は、好ましくはパラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）またはルテニウム（Ｒｕ）の化合物であり、そしてそれらは、ハライド、カルボキシレート、スルホネートまたはホスホネート等の金属塩であってもよく、またそれらは有機金属化合物であってもよい。金属錯体は、可逆的に配位できる配位子をさらに含むことができる。可逆的に配位する配位子は金属錯体の安定性を改良することができる。そして、可逆的に配位する配位子は金属錯体の合成中に加えることができ、また、反応混合物に添加されたときに金属錯体と反応することもできる。“可逆的に配位する（ｒｅｖｅｒｓｉｂｌｙ ｃｏ−ｏｒｄｉｎａｔｉｎｇ）”、ということによって、発明者らは、反応混合物中で他の分子によって容易に置き換えられる配位子、を指す。そのような可逆的に配位する配位子は、ジエン（特にシクロオクタジエンまたはノルボルナジエン等の環状ジエン）、Ｃ１−Ｃ４アルコール、エーテル、環状エーテル、ジオール（例えば１，２−ジオール）及びＣ２またはＣ３オレフィン（例えばエチレン）を含むリストから選択することができる。また、金属錯体触媒の反応性及び選択性を修飾するために使用することのできる非可逆的に配位する配位子を、金属錯体はさらに含むことができる。特にＲｈ錯体において使用することができる非可逆的に配位する配位子はジアミンであり、例えば１，２−ジフェニルエチレンジアミン、１，２−シクロヘキシルエチレンジアミン及びエチレンジアミンであり、そして特には、実質的にエナンチオマー的に純粋なキラルな１，２−ジアミンである（（Ｓ，Ｓ）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン等）。
【００６０】
金属錯体の酸化状態を満たすために、金属の酸化状態が許容する場合は、金属錯体はさらに対イオンを含むことができる。対イオンは任意の適切なアニオンであることができ、そしてそれらは、好ましくは、トリフルオロメタンスルホネート（トリフレートまたはＯＴｆ）、パークロレート（ＣｌＯ４）、ヘキサフルオロアンチモネート（ＳｂＦ６）またはヘキサフルオロホスフェート（ＰＦ６）から選択される非求核性のアニオンである。
【００６１】
したがって、本発明の金属錯体は以下のものを含むが、それらに限定されるものではない：
【００６２】
【化１６】
【００６３】
金属錯体は本発明の置換パラシクロファンから容易に製造することができる。通例、金属化合物が置換パラシクロファン、及び任意の可逆的に配位する配位子及び／または非可逆的に配位する配位子と適当な溶媒中で混合され、そして必要であれば加熱され、目的の金属錯体が形成される。例えば、スキーム５のアルコキシ−置換パラシクロファンビス（ホスフィン）は比較的温和な条件で［ＲｕＣｌ２（ｂｅｎｚｅｎｅ）２］２及び（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎと反応して不斉還元反応の実施に適した触媒を形成する。この反応を以下に示す：
【００６４】
【化１７】
【００６５】
本発明の置換パラシクロファン配位子はキラルであり、そのためキラルな金属錯体触媒を生成することができる。本発明のキラルな金属錯体触媒はキラル化合物の生産に利用される多くの不斉反応に適用することができる。そのような反応としては、エナミド及び非エナミド構造のキラル水素化、イソキノリン合成における不斉水素化、不飽和アルコールの不斉水素化、及びケトン及びイミンの不斉水素化等の不斉水素化反応を含むが、これらに限定されるものではない。本発明の触媒はまた、ヘック（Ｈｅｃｋ）反応または鈴木（Ｓｕｚｕｋｉ）反応等の炭素−炭素カップリング反応、オレフィンのエナンチオ選択的異性化、不斉ヒドロホウ素化反応、オレフィンアルデヒドの不斉環化、不斉アリール化およびアルキル化反応、及びハロゲン化アリールのアミノ化（Ｈａｒｔｗｉｇ−Ｂｕｃｈｗａｌｄ反応）に対して使用することもできる。適切である場合には、反応において高いレベルのエナンチオマー純度を達成するためは、金属錯体が実質的にエナンチオマー的に純粋な置換パラシクロファン（Ｉ）を含むことが好ましい。
【００６６】
金属錯体触媒を使用する条件は、通常、構造的に類似した触媒について適用されている条件と同様のものである。例えば、ケトンの不斉還元に対しては、スキーム７にしたがって製造された触媒を標準的な水素圧下、室温で使用することができる。この反応を以下のように記すことができる：
【００６７】
【化１８】
【００６８】
発明者らは、本発明の置換パラシクロファンを含む金属錯体が非常に効果的な均一系触媒であることを見つけたが、そのような金属錯体を固相支持体上で不均一系触媒として提供することも望ましい。不均一系触媒は、しばしば反応混合物からの分離が容易であり、そして状況によっては再使用することもできる、という利点を有している。不均一系触媒を形成するために、金属錯体は、適当な固相支持体（例えば、ゼオライト）に吸収され、またはそれらにイオン交換されることができる。一方、金属錯体は、固相支持体材料に存在する官能基と反応して共有結合した触媒を形成することができる。吸収またはイオン交換による不均一系触媒より、使用における金属錯体の浸出に対してより耐性であることがあるので、共有結合した不均一系触媒が、しばしば好ましい。有利なことには、本発明の置換パラシクロファンは置換基を有しており、そしてそれは、固相支持体材料に存在する官能基と反応することができる官能基を含むことができる。
【００６９】
本発明のパラシクロファンを利用して共有結合した不均一系触媒を形成するために、多くの経路が可能である。
（ｉ）官能基を含む置換基を有する置換パラシクロファン（Ｉ）から誘導される金属錯体を不溶性の固相支持体材料の官能基と単に反応させることができる。
（ｉｉ）官能基を含む置換基を有する置換パラシクロファン（Ｉ）を不溶性の固相支持体材料の官能基と反応させ、次いで金属化合物をそれと反応させることによって固定された金属錯体を形成することができる。
（ｉｉｉ）官能基を含む置換基を有する置換ジブロモパラシクロファン（ＩＩ）を固相支持体材料の官能基と反応させ、次いで置換パラシクロファン（Ｉ）に変換し、そして固定されたパラシクロファンを金属化合物と反応させ固定された金属錯体を形成することができる。
【００７０】
さらに、置換基Ｚ１、Ｚ２またはＺ３の官能基が与えられた固相支持体材料との反応に適していない場合には、それを化学反応（還元または酸化等）によって内部変換することができ、または、その官能基を、固相支持体材料との反応が可能な適切な官能基を提供する連結分子（ｌｉｎｋｅｒ ｍｏｌｅｃｕｌｅ）と反応させることができる。
【００７１】
置換パラシクロファンが共有結合することができる固相支持体材料は、置換基Ｚ１、Ｚ２またはＺ３の官能基と反応できる部位を有するポリマー、金属酸化物またはゾル−ゲル材料であることができる。固相支持体材料の反応部位は、ハライド（Ｃｌ、Ｂｒ、ＦまたはＩ）、ヒドロキシル、カルボニル、カルボキシル、無水物、メタクリレート、エポキシド、ビニル、ニトリル、メルカプト、イソシアネート、アミン、イミン、アミド及びイミドから選択することができ、そして、典型的には、既存の方法（有機官能化シランを利用したグラフト法等）を用いて固相支持体の表面の官能基化によって導入される。金属酸化物はシリカ、チタニア、ジルコニア、アルミナ、アルミノ−シリケートまたはそれらの混合物、を含む。ポリマーは、触媒反応の実施に使用される溶媒に不溶であり、その反応条件で安定である、任意の熱可塑性ポリマーであってよい。反応が極性溶媒中で行われる場合、好ましくは、ポリマーはポリオレフィンコポリマー（例えば、適当な分子量のアクリレート／ポリアクリル酸ポリオレフィンコポリマー）である。そのようなポリマーは、置換基Ｚ１、Ｚ２またはＺ３に存在する例えばヒドロキシル基（ＯＨ）またはアミン基（ＮＨ２）等、と反応可能なカルボキシル基（ＣＯＯＨ）を含む。ポリマーは、繊維状または小粒状に形成でき、それらは反応混合物から容易に除去することができるので、有利である。“ゾル−ゲル材料”という語で、発明者らは、有機官能化シリカ材料を指し、そしてそれは例えば有機官能化シランの加水分解（好ましくは、アルキルシリケート及び任意の他の金属アルコキシドの存在下での加水分解）、によって製造される（例えばＷＯ０２／０６６１５９に記載の方法に従って製造される）。
【００７２】
固相支持体材料は、粉末、小粒、顆粒、繊維、ハニカムまたは発泡体の状態であることができる。
以下の実施例を参考として、本発明をさらに説明する。そこでは、特に言及しない限り、ＭＴＢＥ＝メチル−ｔ−ブチルエーテル；ＤＭＦ＝ジメチルホルムアミド；ＤＭＡＰ＝２，６−ジメチルアミノピリジン；Ｄｐｅｎ＝１，２−ジフェニルエチレンジアミン；ＮＢＤ＝ノルボルナジエン；ＤＢＵ＝１，８−ジアザビシクロ−［５．４．０］−ウンデク−７−エン：及び、室温＝２０−２５℃である。置換パラシクロファンの命名はＳ．Ｇｉｓｂｏｎ ｅｔ ａｌ．Ｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｂｉｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ２００３，１２５６にしたがった。
【００７３】
実施例１．ニトロ［２．２］パラシクロファン誘導体の合成
ａ）標準的ニトロ化：４，１２−ジブロモ−７−ニトロ［２．２］パラシクロファン及び４，１２−ジブロモ−７，１５−ジニトロ［２．２］パラシクロファンの製造
【００７４】
【化１９】
【００７５】
０℃に冷却された４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（１．０９８ｇ、３ｍｍｏｌ）の無水酢酸（２ｍＬ）懸濁液に濃ＨＮＯ３（０．６ｍＬ）の無水酢酸（１．４ｍＬ）溶液を加え、そして室温で１．５時間撹拌した。得られた黄色溶液を水（１００ｍＬ）で希釈し、酢酸エチル（２ｘ５０ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層をさらに水で洗浄し、無水Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、エバポレートして黄色オイルを得た。そのオイルをクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン／酢酸エチル １９／１）で精製して、４，１２−ジブロモ−７−ニトロ−パラシクロファン（１０５ｍｇ、収率８．５％）及び４，１２−ジブロモ−７，１５−ジニトロ−パラシクロファン（１１０ｍｇ、収率８％）を得た。
【００７６】
ｂ）ルイス酸媒介ニトロ化：４，１２−ジブロモ−７−ニトロ［２．２］パラシクロファンの製造
室温でジクロロエタン（２．５ｍＬ）にＳｃ（ＯＴｆ）３（１００ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ）を懸濁し、そして７０％ＨＮＯ３（０．１ｍＬ）を加えて透明溶液を得た。４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（３６６ｍｇ、１ｍｍｏｌ）を加え、７０℃に加熱して２０時間撹拌した。この時間の経過後、薄層クロマトグラフ（ＴＬＣ）分析（溶離液：ヘキサン／ＭＴＢＥ ９５／５）は反応が完結していないことを示したので、さらにＳｃ（ＯＴｆ）３（１００ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ）及び７０％ＨＮＯ３（０．１ｍＬ）を加えた。７０℃で１時間後、総ての出発原料を消費した。そして、反応をジクロロメタン（５０ｍＬ）で希釈し、ブライン（２ｘ５０ｍＬ）で洗浄した。有機層を無水Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、エバポレートして黄色オイルを得た。粗生成物をジクロロメタン２ｍＬに溶解し、シリカゲルのパッド（ｐａｄ）を通して溶離した（溶離液：ヘキサン／ＭＴＢＥ ９／１）。溶媒をエバポレートし、黄色オイルとして４，１２−ジブロモ−７−ニトロ［２．２］パラシクロファン（１９０ｍｇ、収率３１％）を得た。
４，１２−ジブロモ−７−ニトロ［２．２］パラシクロファン：1H NMR (CDCl3, 400 MHz): 2.75 (1H, m,-CH2-), 3.0 (4H, m,-CH2-), 3.4 (2H, m,-CH2-), 3.3 (1H, m,-CH2-), 6.4 (1H, d, CH arom), 6.6 (1H, d, CH arom), 7.1 (1H, s, CH arom), 7.25 (1H, s, CH arom), 7.3 (1H, s, CH arom) ppm. 13C NMR (CDCl3, 400MHz): 32.1 (-CH2-), 32.6 (-CH2-), 35.1 (-CH2-), 35.2 (-CH2-), 127.0 (C arom), 130.9 (CH arom), 131.2(CH arom), 132.0 (CH arom), 132.6(C arom), 133.3 (CH arom), 136.2 (CH arom), 137.7 (C arom), 138.9 (C arom), 140.9 (C arom), 141.4 (Carom), 148.6(C-NO2 arom) ppm.
４，１２−ジブロモ−７，１５−ジニトロ［２．２］パラシクロファン：1H NMR (CDCl3, 400 MHz): 3.1 (4H, m,-CH2-), 3.4 (2H, m,-CH2-), 3.8 (2H, m,-CH2-), 7.3 (4H, s, broad, CH arom) ppm. 13C NMR (CDCl3, 400MHz): 30.9(-CH2-), 33.4(-CH2-), 126.9 (CH arom), 131.6 (C arom), 135.5 (CH arom), 135.7 (C arom), 140.4 (Carom), 147.4 (C-NO2arom) ppm.
【００７７】
実施例２．アセチル［２．２］パラシクロファン誘導体の合成
ａ）７−アセチル−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンの製造
【００７８】
【化２０】
【００７９】
（Ｒ）−４，１２−ジブロモパラシクロファン（３６６ｍｇ、１ｍｍｏｌ）のＣＨ２Ｃｌ２（１０ｍｌ）に−４５℃で、ＡｌＣｌ３（２６６ｍｇ、２ｍｍｏｌ）及びアセチルクロリド（０．１４５ｍＬ、２ｍｍｏｌ）の無水ジクロロメタンＣＨ２Ｃｌ２（２．５ｍｌ）の溶液を加えた。その混合物を室温に昇温した。３０分後、反応混合物を２ＭＨＣｌ水溶液（５０ｍｌ）及び氷の入ったフラスコに注いだ。メチル−ｔ−ブチルエーテルＭＴＢＥ（５０ｍｌ）を加え、有機層をＮａＨＣＯ３の飽和溶液（５０ｍｌ）で洗浄し、ブライン（５０ｍｌ）で洗浄し、次いで無水ＭｇＳＯ４で乾燥した。ろ過し、溶媒を除去して粗生成物を得た。それはＮＭＲ的にほぼ純粋であった。
【００８０】
実施例３．［２．２］パラシクロファンカルボン酸誘導体の合成及び分割
ａ）７−クロロカルボニル−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンの製造
【００８１】
【化２１】
【００８２】
ＡｌＣｌ３（２６０ｍｇ、２ｍｍｏｌ）のＣＨ２Ｃｌ２（２ｍＬ）懸濁液にオキサリルクロリド（０．３５ｍＬ、４ｍｍｏｌ）を滴下した。室温で３０分間撹拌後、得られた溶液を０℃に冷却し、そして（Ｒ）−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（３６６ｍｇ、１ｍｍｏｌ）のＣＨ２Ｃｌ２（２ｍｌ）溶液と処理した。暗色溶液を０℃で３０分間撹拌後、室温に昇温してさらに３０分撹拌した。減圧下で溶媒及び揮発性成分を除去し、黄色固体として生成物を得た。
【００８３】
ｂ）４，１２−ジブロモ−７−メトキシカルボニル［２．２］パラシクロファンの製造
【００８４】
【化２２】
【００８５】
７−クロロホルミル−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（１ｍｍｏｌ）のＣＨ２Ｃｌ２（２ｍＬ）溶液をメタノールＭｅＯＨ（３ｍＬ）で処理し、５０℃で１時間撹拌した。室温に冷却後、ＭＴＢＥ（１０ｍＬ）で希釈した。有機層を２．８ＭＮＨ４Ｃｌ、Ｈ２Ｏ及び飽和ＮａＨＣＯ３水溶液で洗浄し、無水ＭｇＳＯ４で乾燥し、そして減圧下で濃縮して淡黄色固体として生成物（３６０ｍｇ、収率８５％）を得た（融点１１８．７℃）。
1H NMR(CDCl3): 2.7-2.8 (m, 1H), 2.8-3.0 (m, 4H), 3.2-3.4 (m, 2H), 3.85 (s, 3H, CO2CH3), 3.7-3.9 (m, 1H), 6.38(d, 1H, J=7.8Hz), 6.43 (d ,1H, J=7.8Hz), 7.10 (s,1H), 7.11 (s,1H), 7.17 (s, 1H) ppm. 13C NMR(CDCl3) : 32.2 (t), 32.7 (t), 35.4 (t), 35.5 (t), 52.0 (q), 126.6 (s), 130.3 (s), 131.1 (s), 131.2 (d), 132.8 (d), 133.3 (d), 135.1 (d), 136.8 (d), 139.1 (s), 139.2 (s), 141.0 (s), 144.0 (s), 166.8 (s, CO) ppm.
【００８６】
ｃ）４，１２−ジブロモ−７−ｔｅｒｔブトキシカルボニル［２．２］パラシクロファンの製造
【００８７】
【化２３】
【００８８】
７−クロロホルミル−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（６ｍｍｏｌ）のＣＨ２Ｃｌ２（１２ｍＬ）溶液をｔＢｕＯＨ（１２ｍＬ）で処理し、５０℃で一晩撹拌した。室温に冷却後、ＭＴＢＥ（２５ｍＬ）で希釈した。有機層を２．８ＭＮＨ４Ｃｌ、Ｈ２Ｏ及び飽和ＮａＨＣＯ３水溶液で洗浄し、無水ＭｇＳＯ４で乾燥し、そして減圧下で濃縮して白色固体として生成物（２．２ｇ、収率７９％）を得た（融点１２８．５℃）。
1H NMR (CDCl3): 1.56 (s, 9H, tBu), 2.7-2.8 (m, 1 H), 2.8-3.0 (m, 4H), 3.2-3.4 (m, 2H), 3.7-3.8 (m, 1H), 6.38 (dd, 1H, J = 7.8, 1.8 Hz), 6.47 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 7.05 (s, 1 H), 7.08 (d, 1H, J = 1.8 Hz), 7.13 (s, 1 H) ppm. 13C NMR (CDCl3) : 27.7 (q, 3x, tBu), 31.6 (t), 32.3 (t), 34.8 (t), 35.1 (t), 80.7 (s), 126.0 (s), 129.9 (s), 130.6 (d), 131.7 (s), 132.2 (d), 132.7 (d), 134.5 (d), 136.5 (d), 138.4 (s), 138.5 (s), 141.5 (s), 142.8 (s), 165.2 (s, CO) ppm.
【００８９】
ｄ）アシルクロリドからの７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンの製造
【００９０】
【化２４】
【００９１】
７−クロロホルミル−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２ｍＬ）をＨ２Ｏ（１ｍＬ）で処理し、室温で一晩撹拌した。反応混合物をＭＴＢＥで希釈し、ブライン及びＨ２Ｏで洗浄した。有機層を乾燥し（ＭｇＳＯ４）、減圧下で濃縮した。得られた固体を温ＭＴＢＥ／ヘキサンから再結晶して白色固体として生成物（３２８ｍｇ、収率８０％）を得た（融点２３９．７℃）。
1H NMR (CDCl3): 2.7-2.8 (m, 1H), 2.9-3.0 (m, 4H), 3.2-3.4 (m, 2H), 3.8-3.9 (m, 1H), 6.42 (d, 1H,J = 7.8 Hz), 6.52 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 7.10 (s, 1H), 7.17 (s, 1H), 7.18 (s, 1H) ppm. 13C NMR (CDCl3) : 31.6 (t), 32.2 (t), 32.8 (t), 35.4 (t), 126.7 (s), 129.2 (s), 131.2 (d), 132.3 (s), 132.8 (d), 133.4 (d), 135.4 (d), 137.6 (d), 139.2 (s), 139.5 (s), 141.1 (s), 145.1 (s), 171.6 (s, CO) ppm.
（Ｓ）−７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン： [α]Ｄ = + 217.5 (CH2Cl2, c = 16.4 mg/mL).
【００９２】
ｅ）エステルからの７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンの製造
４，１２−ジブロモ−７−メトキシカルボニル［２．２］パラシクロファン（４．３ｇ、１０．１４ｍｍｏｌ）を、過剰のＬｉＯＨ存在下、ＭｅＯＨ／Ｈ２Ｏ中で１６時間還流した。得られた粗生成物をＥｔ２Ｏ／ヘキサンで洗浄して精製し、７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン３．４０ｇ（収率８２％）を得た。
【００９３】
ｆ）アシルクロリドからの７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン［（Ｓ）−１−フェニルエチル］アミドの製造
【００９４】
【化２５】
【００９５】
７−クロロホルミル−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（２ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（１０ｍＬ）溶液を（Ｓ）−（−）−α−メチルベンジルアミン（５ｍｍｏｌ）で処理し、室温で１時間撹拌した。反応を２．８ＭＮＨ４Ｃｌで処理し、ジクロロメタンで抽出した。合わせた有機層をＨ２Ｏで洗浄し、次いで飽和ＮａＨＣＯ３水溶液で洗浄した。無水ＭｇＳＯ４で乾燥し、そして減圧下で濃縮して（Ｒ）−７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン［（Ｓ）−１−フェニルエチル］アミドと（Ｓ）−７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン［（Ｓ）−１−フェニルエチル］アミドの１：１の混合物７１５ｍｇ（収率７０％）を得た。両方のジアステレオマーをカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ２、ヘキサン／酢酸エチル２０：１から３：１）で分離した。
最初に溶離した異性体（３１５ｍｇ、収率３１％）
1H NMR (CDCl3) : 1.49 (d, 3H, J = 6.9 Hz, NHCHCH3), 2.6-2.8 (m, 1H), 2.8-3.1 (m, 4H), 3.2-3.4 (m, 2H), 3.42 (dd, 1H, J = 12.4, 10.0 Hz), 5.19 (quint, 1H, J = 7.3Hz, NHCHCH3), 5.70 (d, 1H, J = 7.6 Hz, CONH), 6.32 (dd, 1 H, J = 7.8, 1.6 Hz, Ar-H), 6.59 (s, 1H, Ar-H), 6.74 (d, 1H, J = 7.8 Hz, Ar-H), 7.11 (d, 1H, J = 1.6 Hz, Ar-H), 7.13 (s, 1H, Ar-H), 7.2-7.3 (m, 1H,Ph-H), 7.3-7.4 (m, 4H, Ph-H) ppm
二番目に溶離した異性体（３００ｍｇ、収率２９％）
1H NMR (CDCl3): 7.4-7.3 (m, 4H, Ph-H), 7.3-7.2 (m, 1H, Ph-H), 7.10 (d, 1 H, J = 1.7 Hz, Ar-H), 7.08 (s, 1H, Ar-H), 6.75 (d, 1H, J = 7.8 Hz, Ar-H), 6.64 (s, 1H, Ar-H), 6.36 (dd, 1 H, J = 7.8, 1.7 Hz, Ar-H), 5.72 (d, 1H, J = 7.7 Hz, CONH), 5.18 (quint, 1H, J = 7.3 Hz, NHCHCH3), 3.4-3.3 (m, 1H), 3.3-3.1 (m, 2H), 3.0-2.9 (m, 2H), 2.9-2.7 (m, 2H), 2.7- 2.6 (m, 1H), 1.49 (d, 3H, J = 6.9 Hz, NHCHCH3) ppm.
【００９６】
ｇ）７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンのラセミ体の分割
７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンのラセミ体（４．２９ｇ、１０．５ｍｍｏｌ）のＥｔＯＨ（３０ｍＬ）懸濁液を（−）−シンコニジン（３．０８ｍｇ、１０．５ｍｍｏｌ）のＥｔＯＨ（３０ｍＬ）溶液で処理し、９０℃で１時間撹拌し、その後室温で２時間撹拌した。沈殿した白色の結晶性固体（３．１５ｇ、４．５ｍｍｏｌ）をろ過して集め、８７％ｅｅの（Ｓ）−酸のシンコニジウム塩であると同定した。母液は３９％ｅｅの（Ｒ）−酸のシンコニジウム塩４．１０ｇを含んでいた。得られた固体を９０℃でＥｔＯＨ（４５ｍＬ）に溶解し、そして室温で一晩放置した。再び、白色の結晶性沈殿（１．９ｇ、２．７ｍｍｏｌ）が形成し、ろ過の後、９７％ｅｅの（Ｓ）−酸のシンコニジウム塩であると同定した（（Ｓ）−酸エナンチオマー（９７％ｅ
ｅ）の回収率５１％）。
【００９７】
ジアステレオマー混合物
1H NMR (CDCl3) : 1.65 (brs, 1H x 2), 1.8-2.0 (m, 3H x 2), 2.4-2.6 (m, 2H x 2), 2.7-3.1 (m, 6H x 2), 3.1-3.4 (m, 4H x 2), 3.92 (q, 1H x 2, J = 11.0 Hz), 4.19 (brs, 1H x 2), 4.89 (d, 1H x 2, J = 10.4 Hz), 4.94 (d, 1H x 2, J = 17.2 Hz), 5.51 (ddd, 1 H x 2, J = 17.2, 10.4, 7.1 Hz), 6.15 (s, 1H x 2), 6.19 (d, 1H, J = 7.8 Hz, Ar-H), 6.32 (d, 1H, J = 7.8 Hz, Ar-H), 6.55 (d, 1H, J=7.8Hz, Ar-H), 6.56 (d, 1H, J= 7.8 Hz, Ar-H), 6.91 (s, 1H x 2, Ar-H), 6.95 (s, 1H, Ar-H), 6.99 (s, 1H, Ar-H), 7.04 (brs, 1H x 2, Ar-H), 7.30 (t, 1H x 2, J = 7.5, Ar-H), 7.5-7.6 (m, 2H x 2, Ar-H), 7.89 (d, 1H x 2, J = 8.4 Hz, Ar-H), 8.00 (d, 1H x 2, J = 8.4 Hz, Ar-H), 8.79 (d, 1H x 2, J = 4.5 Hz, Ar-H) ppm
【００９８】
カルボン酸の（Ｓ）−エナンチオマーからの塩
1H NMR (CDCl3): 1.66 (brs, 1H), 1.9-2.1 (m, 3H), 2.2-2.3 (m, 1H), 2.50 (brs, 1H), 2.6-2.8 (m, 3H), 2.9-3.4 (m, 7H), 3.81 (t, 1H, J = 11.0 Hz), 4.23 (brs, 1H), 4.87 (d, 1H, J = 10.4 Hz), 4.92 (d, 1H, J = 17.2 Hz), 5.46 (ddd, 1H, J = 17. 2, 10.4, 7.1 Hz), 6.00 (s, 1H), 6.24 (d, 1H, J=7.5Hz, Ar-H), 6.51 (d, 1H, J=7.7Hz, Ar-H), 6.79 (s, 1H, Ar-H), 6.80 (s, 1H, Ar-H), 6.98 (brs, 1H, Ar-H), 7.24 (t, 1H, J = 7.5, Ar-H),7.5-7.6 (m, 2H, Ar-H), 7.85 (d, 1H, J = 8.4 Hz, Ar-H), 7.96 (d, 1H, J = 8.4 Hz, Ar-H), 8.74 (d, 1H, J = 4.3 Hz, Ar-H) ppm. 13C NMR (CDCl3) : 18.7 (t), 25.0 (t), 27.3 (d), 32.1 (t), 33.1 (t), 35.0 (t), 35.5 (t), 37.8 (d), 43.2 (t), 54.2 (t), 59.8 (d), 66.7 (d, CHOH), 116.7 (t, CHCH2),118.7 (d), 122.5 (d), 124.8 (s), 126.4 (s), 126.9 (d), 128.3 (d), 129.3 (d), 130.1 (d), 131.2 (d), 132.4 (d), 133.4 (s), 134.1 (d), 136.1 (s), 137.0 (d), 137.8 (s), 138.3 (d), 139.2 (s), 140.9 (s), 142.6 (s), 147.2 (s), 147.7 (s), 149.8 (d), 174.0 (s, CO) ppm. [α]Ｄ = + 74.4 (CH2Cl2, c = 12.6 mg/mL).
【００９９】
ｈ）エナンチオマー過剰の定量のための分析方法
７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンのＣＨ２Ｃｌ２溶液を（トリメチルシリル）ジアゾメタンの２Ｍヘキサン溶液で処理し、系内で４，１２−ジブロモ−７−メトキシカルボニル［２．２］パラシクロファンを形成した。減圧下で溶媒を除去した後、反応混合物をシリカのプラグ（ｐｌｕｇ）を通してろ過し、そしてＨＰＬＣで分析した（カラム：Ｃｈｉｒａｌｃｅｌ ＯＪ、溶媒：ヘキサン、流速：1.5ｍＬ／分、保持時間：（Ｒ）−７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンは８．７分、（Ｓ）−７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファンは１２．４分）。
【０１００】
実施例４．ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン誘導体及びそのエーテル体の合成
ａ）（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファンの製造、方法１
【０１０１】
【化２６】
【０１０２】
（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−メトキシカルボニル［２．２］パラシクロファン（４２４ｍｇ、１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５ｍＬ）溶液に、０℃でゆっくりとＬｉＡｌＨ４（２ｍＬ、ＴＨＦ１Ｍ溶液、２ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を０℃で３０分間撹拌し、そして室温に昇温して、さらに３０分間撹拌した。そして、再び０℃に冷却し、ＭｅＯＨ／Ｈ２Ｏの１０：１混合物（５ｍＬ）をゆっくりと加えて反応をクエンチ（ｑｕｅｎｃｈｅｄ）した。室温に昇温後、ＭｇＳＯ４を加えて過剰のＨ２Ｏを吸収し、そして、混合物をろ過してアルミニウム塩及びマグネシウム塩を除き、そして減圧下で濃縮して白色固体として生成物（３５６ｍｇ、収率９０％）を得た（融点１１８．４℃）。
1H NMR (CDCl3): 2.6-2.8 (m, 2H), 2.8-3.0 (m, 3H), 3.1-3.2 (m, 1H),3.34 (q, 2H, J= 13.1 Hz), 4.31 (d, 1H, J = 13.0 Hz, CH2OH), 4.58 (d, 1H, J = 13.0 Hz, CH2OH),6.35 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 6.43 (s, 1H), 6.56 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 7.10 (s, 1H), 7.14 (s, 1H) ppm.
13C NMR (CDCl3) : 29.9 (t), 32.1 (t), 34.4 (t), 35.3 (t), 63.4 (t), 125.5 (s), 126.8 (s), 131.2 (d), 131.4 (d), 133.1 (d), 133.8 (d, 2C), 138.4 (s), 138.8 (s), 139.1 (s), 139.8 (s), 141.1 (s) ppm.
（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン：
[α]D =-139.7 (CH2Cl2,c = 9.95 mg/mL).
【０１０３】
ｂ）４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファンの製造、方法２
７−カルボキシ−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（１．７８ｇ、４．３４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１５ｍＬ）溶液に、ボラン−ジメチルスルフィド錯体（ＴＨＦの２Ｍ溶液、７．５ｍＬ、１５ｍｍｏｌ）を室温で滴下した（注意：危険な反応）。３０分間４５℃に加熱し、そして室温で１４時間撹拌した。反応を減圧下で約５ｍＬまで濃縮し、そしてＣＨ２Ｃｌ２（５０ｍＬ）を加えた。有機層を２ＮのＨＣｌ（２ｘ５０ｍＬ）で洗浄し、次いでＮａＨＣＯ３の飽和溶液（５０ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、そしてエバポレートした。生成物をＭＴＢＥ（５０ｍＬ）に再溶解し、ブライン（２ｘ５０ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、そしてエバポレートして無色オイルとして生成物を得た。そのオイルは室温で一晩放置すると固化した（１．６６ｇ、収率９６％）。反応をラセミ体材料及び純粋なエナンチオマー的に純粋な材料について繰り返し、９４乃至１００％の収率を達成した。
【０１０４】
ｃ）４，１２−ジブロモ−７−（トリイソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファンの製造
【０１０５】
【化２７】
【０１０６】
４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン（１．６６ｇ、４．１９ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（２５ｍＬ）溶液にルチジン（０．９７ｍＬ、８．４ｍｍｏｌ）を加え、次いで室温でトリイソプロピルシリルトリフレート（１．２１ｍＬ、４．５ｍｍｏｌ）を５分間で滴下した。室温で１時間撹拌し、減圧下で約５ｍＬまで溶媒を濃縮し、２ＮＨＣｌ（５０ｍＬ）を加えた。反応をＭＴＢＥ（２ｘ５０ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層をブライン（４０ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、そしてエバポレートして淡黄色オイルとして生成物を得た。そのオイルは室温で放置すると固化した（１．９５ｇ、収率８４％、融点９６．８℃）。
1H NMR (CDCl3): 1.05-0.95 (6 lines, 18H, CH-CH3), 1.1 (m, 3H, Si-CH), 2.6-2.8 (m, 2H, CH2), 2.8-2.9 (m, 2H, CH2), 2.9-3.1 (m, 2H, CH2), 3.3-3.4 (m, 2H, CH2), 3.34 (q, 2H, J = 15Hz, CH2OH),4.45 (d, 1H, J = 15Hz, CH2OH), 4.65 (d, 1 H, J = 13.0 Hz, CH2OH), 6.32 (d, 1H, J = 8 Hz), 6.56 (s, 1H), 6.64 (d, 1H, J = 8 Hz), 7.03 (s, 1H), 7.16 (s, 1H) ppm.
13C NMR (CDCl3) : 12.0 (CH-CH3), 18.0 (CH-CH3), 29.8 (CH2), 32.1 (CH2), 34.2 (CH2),35.5 (CH2), 63.2 (CH2-O), 124.6 (C), 126.7 (C), 131.31 (CH), 131.33 (CH), 132.7 (CH), 133.05 (CH), 133.2 (CH), 137.6 (C), 138.3 (C), 138.7 (C), 140.3 (C), 141.2 (C) ppm.
（Ｓ）−４，１２−ジブロモ−７−（トリイソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン： [α]Ｄ = 94.17 (CH2Cl2,c = 9.85 mg/mL).
この反応をラセミ体及び純粋なエナンチオマー出発原料について繰り返した（収率８２乃至９４％）。
【０１０７】
ｄ）４，１２−ジブロモ−７−（トリフェニルメトキシ）メチル［２．２］パラシクロファンの製造
【０１０８】
【化２８】
【０１０９】
方法１
ピリジン（５ｍＬ）中、４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン（３９６ｍｇ、１ｍｍｏｌ）、ＤＭＡＰ（１２ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）及びトリチルブロミド（３８８ｍｇ、１．２ｍｍｏｌ）の混合物を室温で４８時間撹拌した。反応混合物をＭＴＢＥで希釈し、２．８ＭのＮＨ４Ｃｌ、Ｈ２Ｏ及び飽和ＮａＨＣＯ３水溶液で洗浄した。乾燥（ＭｇＳＯ４）後、減圧下で濃縮して残渣を得、そしてそれをフラッシュクロマトグラフィー（ＳｉＯ２、ヘキサン中の１０％ＡｃＯＥｔ）で精製して、白色固体として生成物（４１５ｍｇ、収率６５％）を得た（融点２０１．３℃）。
【０１１０】
方法２
４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン（７８０ｍｇ、１．９７ｍｍｏｌ）及びＤＢＵ（０．４ｍＬ、２．７６ｍｍｏｌ）のＣＨ２Ｃｌ２（７ｍＬ）溶液に、室温でトリチルクロリド（６５９ｍｇ、２．３６ｍｍｏｌ）を一度で加えた。１６時間撹拌後、１０％ＨＣｌ（１０ｍＬ）を加えて反応をクエンチし、ＣＨ２Ｃｌ２で抽出し、飽和ＮａＨＣＯ３水溶液及び飽和ＮａＣｌ水溶液で洗浄した。乾燥（ＭｇＳＯ４）後、減圧下で濃縮して残渣を得、そしてそれをフラッシュクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル ２０：１）で精製して、白色固体として生成物（１１４０ｍｇ、収率９１％）を得た。
1H NMR (CDCl3) : 2.11 (dt, 1H, J = 13.6, 8.4 Hz), 2.6-2.8 (m, 2H), 2.8-3.1 (m, 4H), 3.38 (dd, 1H, J = 11.7, 11.2 Hz), 3.77 (d, 1H, J = 12.2 Hz, CH2OTr), 3.99 (d, 1H, J = 12.2 Hz, CH2OTr), 6.02 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 6.22 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 6.65 (s, 1H), 7.04 (s, 1H), 7.08 (s, 1H), 7.22 (d, 3H, J = 8.0 Hz, OTr), 7.29 (t, 6H, J = 8.0 Hz, OTr), 7.46 (d, 6H, J = 8.0 Hz, OTr) ppm.
13C NMR (CDCl3): 29.9 (t), 32.1 (t), 33.9 (t), 35.4 (t), 63.7 (t), 86.9 (s), 124.9 (s), 126.7 (s), 127.2 (d, 3C, OTr), 128.0 (d, 6C, OTr), 128.7 (d, 6C, OTr),131.0 (d), 131.1 (d), 133.0 (d), 133.4 (d), 133.5 (d), 138.1 (s), 138.2 (s), 138.7 (s), 138.8 (s), 141.0 (s), 143.8 (d, 3C, OTr) ppm.
（Ｓ）−４，１２−ジブロモ−７−（トリフェニルメトキシ）メチル［２．２］パラシクロファン：[α]D = 68.33 (CH2Cl2, c = 6.09 mg/mL).
【０１１１】
ｅ）（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−（１−ヒドロキシ−１−メチルエチル）［２．２］パラシクロファンの製造
【０１１２】
【化２９】
【０１１３】
４，１２−ジブロモ−７−メトキシカルボニル［２．２］パラシクロファン（４２４ｍｇ、１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５ｍＬ）溶液に、−７８℃でメチルマグネシウムブロミド（３ｍＬ、ブチルエーテルの１Ｍ溶液、３ｍｍｏｌ）をゆっくりと加えた。反応混合物を−７８℃で１時間撹拌後、室温に昇温してさらに１時間撹拌した。０℃に冷却し、２ＮのＨＣｌ（５ｍＬ）をゆっくり加えて反応をクエンチし、そしてＭＴＢＥ（２ｘ１０ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層をブライン（２０ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、そしてエバポレートして白色固体として生成物（４２４ｍｇ、定量的収率）を得た。
1H NMR (CDCl3): 1.37 (s, 3H, CH3),1.57 (s, 3H, CH3), 2.6-2.7 (m, 1H),2.8-3.1 (m, 4H), 3.2-3.4 (m, 2H), 3.5-3.6 (m, 1H), 6.29 (d, 1H, J = 7.9 Hz), 6.47 (s, 1H), 6.58 (d, 1H, J = 7.9 Hz), 6.98 (s, 1 H), 7.26 (s, 1 H) ppm.
【０１１４】
実施例５．ヒドロキシ［２．２］パラシクロファン誘導体及びそのエーテル体の合成
ａ）（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−ホルミル［２．２］パラシクロファンの製造
【０１１５】
【化３０】
【０１１６】
（Ｒ）−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン（８４８ｍｇ、２．３ｍｍｏｌ）のＣＨ２Ｃｌ２（１６ｍＬ）溶液を０℃で、ＴｉＣｌ４（４ｍＬ、ＣＨ２Ｃｌ２の１Ｍ溶液、４．０ｍｍｏｌ）、続いてＣｌ２ＣＨＯＭｅ（１．９ｍＬ、２．１ｍｍｏｌ）で処理した。０℃で１時間撹拌後、室温でさらに１６時間撹拌した。混合物を氷に注ぎ、そして１時間撹拌した。反応混合物をＣＨ２Ｃｌ２で抽出し、合わせた有機層を飽和ＮａＨＣＯ３水溶液及びブラインで洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、そしてエバポレートした。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル １０：１）で精製して白色固体として（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−ホルミル［２．２］パラシクロファン７６３ｍｇ（収率８５％）を得た。
【０１１７】
一方、ＣＨ２Ｃｌ２（５ｍＬ）中の（Ｓ）−４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン（３９６ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）をＭｎＯ２（８６９ｍｇ、１０．０ｍｍｏｌ）で一晩処理し、反応混合物をセライトを通してろ過し、減圧下で溶媒をエバポレートすることによって（Ｓ）−４，１２−ジブロモ−７−ホルミル［２．２］パラシクロファン（３７７ｍｇ、収率９６％）を得た（融点１２８℃）。
1H NMR (CDCl3) : 2.7-2.9 (m, 2H), 2.9-3.1 (m, 3H), 3.3-3.5 (m, 2H), 3.79 (dd, 1H, J = 13.0, 9.9 Hz), 6.33 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 6.36 (dd, 1H, J = 7.8, 1.5 Hz), 6.95 (s, 1H), 7.08 (d, 1H, J = 1.5 Hz), 7.23 (s, 1H), 9.82 (s, 1H, CHO) ppm.
13C NMR (CDCl3): 30.4 (t), 32.2 (t), 35.3 (t), 35.7 (t), 126.8 (s), 131.0 (d), 132.8 (d), 133.0 (s), 133.9 (d), 135.3 (d), 136.1 (s), 137.8 (d), 138.7 (s), 140.0 (s), 141.1 (s), 144.1 (s), 190.9 (s, COH) ppm. [α]D =-126.7 (CH2Cl2, c = 5.67 mg/mL).
【０１１８】
ｂ）（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシ［２．２］パラシクロファンの製造
【０１１９】
【化３１】
【０１２０】
（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−ホルミル［２．２］パラシクロファン（７６３ｍｇ、１．９４ｍｍｏｌ）のＣＨ２Ｃｌ２（１２ｍＬ）溶液に、室温で３−クロロ過安息香酸（５０１ｍｇ、７５％最大純度、２．９ｍｍｏｌ）を少しずつ加えた。一晩撹拌後、反応混合物を０℃に冷却し、沈殿した３−クロロ安息香酸をろ過して除いた。有機層を飽和ＮａＨＣＯ３水溶液で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、そしてエバポレートした。（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−ホルミルオキシ［２．２］パラシクロファンと特定された粗生成物をＭｅＯＨ（１２ｍＬ）に溶解し、ＮａＯＨの２Ｍ溶液（５ｍＬ）で処理し、室温で３０分間撹拌した。加水分解反応が完結した時点で、反応混合物をＭＴＢＥで抽出し、１０％ＨＣｌ及びブラインで洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、エバポレートした。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ２、ヘキサン／酢酸エチル ５：１）で精製して白色固体として（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−ヒドロキシ［２．２］パラシクロファン５７０ｍｇ（収率７５％）を得た。
1H NMR (CDCl3): 2.57 (ddd, 1H, J = 13.1, 10.4, 6.4 Hz), 2.78 (ddd, 1H, J = 13.1, 9.8, 7.3 Hz), 2.8-3.1 (m, 4H), 3.2-3.3 (m, 2H), 4.58 (brs, 1H, OH), 5.62 (s, 1 H), 6.38 (dd, 1H, J = 7.8, 1.4 Hz), 6.92 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 7.06 (s, 2H) ppm.
13C NMR (CDCl3): 28.3 (t), 32.4 (t), 33.9 (t), 35.2 (t), 117.3 (s), 123.6 (d), 127.2 (s), 127.4 (s), 130.7 (d), 130.9 (d), 133.7 (d), 134.1 (d), 139.0 (s), 140.4 (s), 140.7 (s), 153.9 (s) ppm.
[α]D=-101.2 (CH2Cl2, c = 9.9 mg/mL).
【０１２１】
ｃ）（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−メトキシ［２．２］パラシクロファンの製造
【０１２２】
【化３２】
【０１２３】
（Ｒ）−４，１２−ジブロモ［２．２］パラシクロファン−７−オール（５６３ｍｇ、１．４７ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５ｍＬ）溶液を、ＮａＨ（６５ｍｇ、鉱油中６０％、１．６２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１０ｍＬ）懸濁液に室温でゆっくりと加えた。５分後、ヨードメタン（１３５μｌ、２．２ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、反応混合物を室温で１６時間撹拌した。減圧下で溶媒をエバポレート後、粗生成物をＭＴＢＥに溶解し、１ＭＮａＯＨ、１０％ＨＣｌ及びブラインで洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、エバポレートした。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ２、ヘキサン／酢酸エチル ２０：１）で精製して白色固体として（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−メトキシ［２．２］パラシクロファン５１４ｍｇ（収率８８％）を得た（融点１１８．２℃）。
1H NMR (CDCl3): 2.66 (ddd, 1H, J = 13.2, 11.5, 6.2 Hz), 2.71 (ddd, 1H, J = 13.7, 9.7, 7.3 Hz), 2.8-3.0 (m, 2H), 2.99 (ddd, 1H, J = 13.0, 10.2, 6.2 Hz), 3.12 (dd, 1H, J = 12.7, 9.7 Hz), 3.20 (dd, 1H, J = 13.0, 10.2 Hz), 3.31 (ddd,1H, J = 12.3, 10.2, 2.0 Hz), 3.62 (s, 3H, OCH3), 5.70 (s, 1H),6.37 (dd, 1H, J = 7.8, 1.7 Hz), 6.67 (d, 1H, J = 7.8 Hz), 7.03 (d, 1H, J = 1.7 Hz),7.07 (s, 1H) ppm.
13C NMR (CDCl3): 28.5 (t), 32.4 (t), 34.0 (t), 35.6 (t), 54.6 (q, OCH3),116.9 (s), 117.8 (d), 127.3 (s), 128.7 (s), 130.5 (d), 130.7 (d), 133.7 (d, 2C), 139.5 (s), 140.2 (s), 140.4 (s), 157.6 (s) ppm.
[α]Ｄ =−125.6 (CH2Cl2, c= 11.53 mg/mL).
【０１２４】
実施例６．［２．２］パラシクロファン誘導体によるホスフィン配位子の合成
ａ）（Ｒ）−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−（トリフェニルメトキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（“ＴｒｉＯＣＨ２−ＰａｒａＣ”）の製造
【０１２５】
【化３３】
【０１２６】
（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−（トリフェニルメトキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（６３８ｍｇ、１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５ｍＬ）溶液に、−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（２．５ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、４．２ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した混合物をその温度で３０分間撹拌した。冷却バスを取り除き、クロロジフェニルホスフィン（０．５ｍＬ、２．２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（３ｍＬ）混合物を滴下した。黄色溶液を１時間撹拌し、ＳｉＯ２で処理し、さらに３０分間撹拌した。ＳｉＯ２をろ過で取り除き、ＣＨ２Ｃｌ２で洗浄した。溶媒を減圧下で除去し、残渣をＣＨ２Ｃｌ２に溶解し、反応中に生じたＬｉＣｌをろ過で除き、ヘキサンを添加して摩砕（ｔｒｉｔｕｒａｔｅｄ）した。混合物を１時間撹拌後、沈殿した生成物をろ過して集めた（６８０ｍｇ、収率８０％）。
1H NMR (CDCl3): 7.5-7.0 (m, 35H, OTr + PPh2), 6.70 (d, 1H, J = 5.3 Hz), 6.55 (d, 1H, J = 9.0 Hz), 6.42 (d, 1H, J = 9.0 Hz), 6.29 (d, 1H, J = 7.7 Hz), 6.08 (dd, 1H, J = 7.7, 5.3 Hz), 4.06 (d, 1H, J = 12.2 Hz, CH2OTr), 3.90 (d, 1H,J = 12.2 Hz, CH2OTr), 3.0-2.5 (m, 7H), 2.0-1.9 (m, 1H) ppm.
31P NMR (CDCl3): −1.18, −1.24 ppm.
【０１２７】
ｂ）ｒａｃ−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−（トリイソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（“ＴＩＰＳＯ−ＣＨ２−ＰａｒａＣ”）の製造
【０１２８】
【化３４】
【０１２９】
４，１２−ジブロモ−７−（トリス−イソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（５５５ｍｇ、１ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（１７ｍＬ）溶液に、−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（２．３５ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、４ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した溶液を−７８℃で１時間撹拌した。−７８℃でクロロジフェニルホスフィン（０．４５ｍＬ、２．５ｍｍｏｌ）を加えて反応をクエンチした。色がすぐにオレンジから淡黄色に変化した。冷却バスを取り除き、室温で３０分間撹拌し、白色固体（ＬｉＣｌ）が沈殿した。反応をＳｉＯ２で処理し、さらに３０分間撹拌し、そして窒素下でろ過した。溶液をエバポレートし、十分な純度の淡黄色固体を得た（７５０ｍｇ、定量的収率）。
31P NMR (CDCl3) : −1.2, −1.7 ppm.
【０１３０】
ｃ）（Ｒ）−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−（トリス−イソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（“ＴＩＰＳＯ−ＣＨ２−ＰａｒａＣ”）の製造
（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−（トリス−イソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（５５６ｍｇ、１ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（２０ｍＬ）溶液に、−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（２．４ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、４．０５ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した溶液を−７８℃で４０分間撹拌した。−７８℃でクロロジフェニルホスフィン（０．４５ｍＬ、２．５ｍｍｏｌ）を加えて反応をクエンチした。色がすぐにオレンジから淡黄色に変化した。冷却バスを取り除き、反応を室温で１００分間撹拌し、白色固体（ＬｉＣｌ）が沈殿した。反応をＳｉＯ２で処理し、さらに１時間撹拌し、そして窒素下でろ過した。溶液をエバポレートし、固体残渣をメタノール（５ｍＬ）及びジエチルエーテル（５ｍＬ）で洗浄した。さらにメタノール（５ｍＬ）で洗浄後、得られた白色固体を減圧下で乾燥した（４２０ｍｇ、収率５５％、融点１７０．６℃）。
1H NMR (CDCl3): 1.0-1.15 (m, 21H, TIPS-O),2.4-2.6 (m, 2H, CH2), 2.8-3.0 (m, 6H, CH2), 4.6 (d, 1H, J = 15Hz, CH2-O), 4.7 (d, 1H,J = 15Hz, CH2-O), 6.35-6.45 (4 lines, 2H,H arom), 6.55-6.65 (m, 3H, H arom), 7.05-7.50 (m, 20H, H arom).
31P NMR (CDCl3): −1.2, −1.7 ppm.
[α]Ｄ=−25.5 (CH2Cl2, c = 10.57 mg/mL).
【０１３１】
ｄ）（Ｓ）−４，１２−ビス［ビス（３，５ジメチルフェニル）ホスフィノ］−７−（トリス−イソプロピルシリルオキシ）メチル−［２．２］パラシクロファン（“ＴＩＰＳＯ−ＣＨ２−Ｘｙｌ−ＰａｒａＣ”）の製造
【０１３２】
【化３５】
【０１３３】
（Ｓ）−４，１２−ジブロモ−７−（トリス−イソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（２７６ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（２０ｍＬ）溶液に、−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（１．２３ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、２．１ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した溶液を−７８℃で４５分間撹拌した。−７８℃でクロロ−ビス−（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィン（０．３３ｇ、１．２ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（６ｍＬ）溶液を加えて反応をクエンチした。冷却バスを取り除き、反応を室温で１時間撹拌し、白色固体（ＬｉＣｌ）が沈殿した。反応をＳｉＯ２で処理し、さらに１時間撹拌し、そして窒素下でろ過した。溶媒をエバポレートし、固体残渣をトルエン／ヘキサン（２／３）１０ｍＬに再溶解し、そして２ｃｍのシリカゲルプラグを通して溶離した。減圧下で溶媒を除去し、白色固体として生成物を得た（１１０ｍｇ、収率２５％、融点１６０．１℃）。
1H NMR (CDCl3): 1.0-1.10 (m, 21H, TIPS-O), 2.1 (s, 12H, 4 CH3), 2.2 (s, 6H, 2 CH3), 2.25 (s, 3H, CH3), 2.27 (s, 3H, CH3), 2.35-2.55 (m, 2H, CH2), 2.7-2.9 (m, 6H, CH2), 4.55 (d, 1H, J = 14 Hz, CH2-O), 4.7 (d,1H, J= 14 Hz, CH2-O), 6.30 (dd, 1H, H arom), 6.47 (4 lines, 2H, H arom), 6.59 (m, 2H, H arom), 6.7-7.2 (m, 12H, H arom).
31P NMR (CDCl3) : 0.3, −0.3 ppm
【０１３４】
ｅ）（Ｓ）−４，１２−ビス［ビス（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノ］−７−（トリス−イソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（“ＴＩＰＳＯ−ＣＨ２−ＭｅＯＸｙｌ−ＰａｒａＣ”）の製造
【０１３５】
【化３６】
【０１３６】
（Ｓ）−４，１２−ジブロモ−７−（トリス−イソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（１８５ｍｇ、０．３４ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（１５ｍＬ）溶液に、−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（０．８２ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、１．４ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した溶液を−７８℃で４５分間撹拌した。ジアニオンを含む溶液を、クロロ−ビス−（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィン（０．２４ｇ、０．７２ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（８ｍＬ）溶液に室温で滴下した。反応を室温で２時間撹拌し、白色固体（ＬｉＣｌ）が沈殿した。反応をＳｉＯ２で処理し、さらに３時間撹拌し、そして窒素下でろ過した。溶媒をエバポレートし、得られた粗生成物をそれ以上精製することなく使用した（以下の例ｈ参照）。
31P NMR (CDCl3):−2, −3 ppm.
【０１３７】
ｆ）ｒａｃ−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン（“ＨＯ−ＣＨ２−ＰａｒａＣ”）の製造
【０１３８】
【化３７】
【０１３９】
ｒａｃ−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−（トリフェニルメトキシ）−メチル［２．２］パラシクロファン（８６６ｍｇ、１．１４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１５ｍＬ）溶液にテトラブチルアンモニウムフルオリド（１．２ｍＬ、ＴＨＦ＋５％水中の１Ｍ溶液）を加え、反応を室温で１時間撹拌した。溶媒をエバポレートし、脱気したジエチルエーテル（５０ｍＬ）を加えた。エーテル溶液を水（５０ｍＬ）、２ＮＨＣｌ（５０ｍＬ）及びＮａＨＣＯ３飽和溶液（５０ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、窒素下でろ過し、エバポレートした。得られた淡黄色固体残渣をジエチルエーテル（１ｍＬ）及びヘキサン（５ｍＬ）で洗浄し、乾燥してオフホワイト（ｏｆｆ ｗｈｉｔｅ）固体として生成物を得た（４１０ｍｇ、収率６０％）。
【０１４０】
ｇ）（Ｒ）−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン（“ＨＯ−ＣＨ２−ＰａｒａＣ”）の製造
（Ｒ）−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−（トリフェニルメトキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（６５０ｍｇ、０．８５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液にテトラブチルアンモニウムフルオリド（１．０ｍＬ、ＴＨＦ＋５％水中の１Ｍ溶液、１ｍｍｏｌ）を加え、反応を室温で２時間撹拌した。溶媒をエバポレートし、ジエチルエーテル（５０ｍＬ）を加えた。エーテル溶液を水（２０ｍＬ）、２ＮＨＣｌ（２０ｍＬ）及びＮａＨＣＯ３飽和溶液（２０ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、窒素下でろ過し、エバポレートした。得られた淡黄色固体残渣をペンタン（２ｘ１０ｍＬ）で洗浄し、乾燥してオフホワイト固体として生成物を得た（４５０ｍｇ、収率７０％）。
1H NMR (CDCl3): 2.4-2.5 (m, 2H, CH2), 2.7-3.0 (m, 6H, CH2),4.32 (d, 1H, J= 14 Hz, CH2-O), 4.6 (d, 1H, J= 14 Hz, CH2-O), 6.30-6.35 (m, 2H, H arom), 6.4-6.5 (m, 3H H arom), 7.0-7.4 (m, 20H, H arom).
31P NMR (CDCl3): −1.1, −1.3 ppm.
【０１４１】
ｈ）（Ｓ）−４，１２−ビス［ビス（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノ］ヒドロキシメチル［２．２］パラシクロファン（“ＨＯ−ＣＨ２−ＭｅＯＸｙｌＰａｒａＣ”）の製造
【０１４２】
【化３８】
【０１４３】
実施例６ｅ）で得た粗生成物のＴＨＦ（５ｍＬ）溶液にテトラブチルアンモニウムフルオリドのＴＨＦ溶液（０．４ｍＬ、１Ｍ溶液、０．４ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間撹拌し、そして溶媒をエバポレートした。固体残渣をジエチルエーテル（２０ｍＬ）に溶解し、不活性雰囲気下、ＮａＨＣＯ３飽和溶液（１０ｍＬ）及び２ＮのＨＣｌ（１０ｍＬ）で洗浄した。有機溶液をＮａ２ＳＯ４で乾燥し、ろ過し、そしてエバポレートした。不活性雰囲気下、粗生成物をシリカゲルを通したろ過（溶離液：トルエン／ジエチルエーテル ８／２）で精製した。（７５ｍｇ、収率２９％、及びいくらかの不純画分）。
31P NMR (CDCl3): −2.1, −2.4 ppm.
【０１４４】
ｉ）ｒａｃ−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−ｔｅｒｔブトキシカルボニル［２．２］パラシクロファン（“ｔ−ＢｕＯＯＣ−ＰａｒａＣ”）の製造
【０１４５】
【化３９】
【０１４６】
ｒａｃ−４，１２−ジブロモ−７−ｔｅｒｔブトキシカルボニル［２．２］パラシクロファン（３５８ｍｇ、０．７７ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（２０ｍＬ）溶液に−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（１．８５ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、３．１５１ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した溶液を−７８℃で４０分間撹拌した。−７８℃でクロロ−ジフェニルホスフィン（０．３ｍＬ、１．７ｍｍｏｌ）を加えて反応をクエンチした。冷却バスを取り除き、反応を室温で１時間撹拌し、白色固体（ＬｉＣｌ）が沈殿した。反応を含水テトラヒドロフラン（２ｍＬ）でクエンチし、ジエチルエーテル（２０ｍＬ）で希釈し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、ろ過した。溶媒をエバポレートし、固体残渣をメタノール（２ｘ５ｍＬ）で洗浄し、減圧下で乾燥した（３２０ｍｇ、収率４７％）。
1H NMR (CDCl3): 1.5 (s, 9H, t-Bu-O), 2.55 (m, 1H, CH2), 2.63 (m, 1H, CH2), 2.8-3.0 (m, 5H, CH2), 3.7 (m, 1H, CH2),6.4-6.55 (m, 3H, H arom), 7.05-7.55 (m, 22H H arom).
31P NMR (CDCl3) :−1.35 ppm.
【０１４７】
ｊ）ｒａｃ−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−メトキシ［２．２］パラシクロファン（“ＭｅＯ−Ｐａｒａ−Ｃ”）の製造
【０１４８】
【化４０】
【０１４９】
ｒａｃ−４，１２−ジブロモ−７−メトキシ［２．２］パラシクロファン（１３３ｍｇ、０．３３５ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（１５ｍＬ）溶液に−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（０．８ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、１．３６ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した溶液を−７８℃で９０分間撹拌した。−７８℃でクロロ−ジフェニルホスフィン（０．１５５ｇ、０．７ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（５ｍＬ）溶液を加えて反応をクエンチした。冷却バスを取り除き、反応を室温で１時間撹拌し、白色固体（ＬｉＣｌ）が沈殿した。反応をＳｉＯ２で処理し、さらに１時間撹拌し、そして窒素下でろ過した。溶媒をエバポレートし、得られた固体残渣をトルエン１０ｍＬに再溶解し、２ｃｍのシリカゲルプラグを通して溶離した。減圧下で溶媒を除去し、融点１７３．３℃の白色固体として生成物を得た（８０ｍｇ、収率４０％）。
1H NMR (CDCl3): 2.4-2.5 (m, 1H, CH2), 2.7-2.85 (m, 4H, CH2), 2.9-3.05 (m, 3H, CH2), 3.69 (s, 3H, OCH3), 5.78 (d, 1H, J = 4.2 Hz, H arom), 6.42 (dd, 1 H, J = 7.7, 1.5 Hz, H arom), 6.4-6.5 (m, 2H, H arom), 6.65 (dd, 1H, J = 7.7, 5.5 Hz H arom), 7.05-7.5 (m, 20H,H arom).
31P NMR (CDCl3): −0.9, −3.0 ppm.
【０１５０】
ｋ）（Ｒ）−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−メトキシ［２．２］パラシクロファン（“ＣＨ３Ｏ−ＰａｒａＣ”）の製造
（Ｒ）−４，１２−ジブロモ−７−メトキシ［２．２］パラシクロファン（１００ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（１５ｍＬ）溶液に−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（０．６１ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、１．０ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した溶液を−７８℃で５０分間撹拌した。−７８℃でクロロ−ジフェニルホスフィン（０．１２５ｇ、０．５５ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（５ｍＬ）溶液を加えて反応をクエンチした。冷却バスを取り除き、反応を室温で１時間撹拌し、白色固体（ＬｉＣｌ）が沈殿した。反応をＳｉＯ２で処理し、さらに１時間撹拌し、そして窒素下でろ過した。溶媒をエバポレートし、得られた固体残渣をジクロロメタン（１ｍＬ）及びヘキサン（３ｍＬ）に溶解した。ジクロロメタンを減圧下で除去し、得られた固体沈殿物を静置し、上澄み液を除去した。この手順を二回行った。白色粉末として生成物を得た（６３ｍｇ、収率４１％）。
[α]D = 49.2 (CH2Cl2, c = 1.16 mg/mL).
【０１５１】
ｌ）ｒａｃ−４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−７−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ［２．２］パラシクロファン（“ＴＢＳＯ−ＰａｒａＣ”）の製造
【０１５２】
【化４１】
【０１５３】
ｒａｃ−４，１２−ジブロモ−７−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ［２．２］パラシクロファン（９０ｍｇ、０．１８ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（１０ｍＬ）溶液に−７８℃でｔ−ＢｕＬｉ（０．４４ｍＬ、ペンタン中１．７Ｍ、０．７５ｍｍｏｌ）をゆっくりと加え、着色した溶液を−７８℃で５０分間撹拌した。−７８℃でクロロ−ジフェニルホスフィン（０．０９ｇ、０．４ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（５ｍＬ）溶液を加えて反応をクエンチした。冷却バスを取り除き、反応を室温で１時間撹拌し、白色固体（ＬｉＣｌ）が沈殿した。反応をＳｉＯ２で処理し、さらに１時間撹拌し、そして窒素下でろ過した。溶媒をエバポレートし、白色固体として生成物を得た（８５ｍｇ、収率６７％）。
1H NMR (CDCl3) : 1.0 (s, 9H, t-BuSi), 1.08 (s, 3H, CH3Si), 1.10 (s, 3H, CH3Si), 2.4 (m, 1H, CH2), 2.7-3.0 (m, 7H, CH2), 5.70 (d, 1H, H arom), 6.4 (m, 2H, h arom), 6.5 (d, 1H, H arom), 6.9 (dd, 1H, H arom), 7.05-7.5 (m, 20H, H arom).
31P NMR (CDCl3): −1.0, −2.35 ppm.
【０１５４】
ｍ）４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノオキシド）−７−（トリイソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファンの製造
【０１５５】
【化４２】
【０１５６】
Ｐｄ（ＯＡｃ）２（３１ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）、ビスジフェニルホスフィノブタン（６０ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）及びジフェニルホスフィンオキシド（２００ｍｇ、１ｍｍｏｌ）を無水の脱気したＤＭＳＯ（２ｍＬ）に溶解し、１１５℃に加熱した。５分後、４，１２−ジブロモ−７−（トリス−イソプロピルシリルオキシ）メチル［２．２］パラシクロファン（２００ｍｇ、０．３６ｍｍｏｌ）を加え、反応を１１５℃で１６時間撹拌した。溶媒をエバポレートし、２ＮのＨＣｌ（５０ｍＬ）を加え、そしてジクロロメタン（３ｘ５０ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層をＮａ２ＳＯ４で乾燥し、ろ過し、エバポレートした。粗混合物をクロマトグラフィー（ＳｉＯ２、溶離液：ヘキサン／ＭＴＢＥ／ジクロロメタン ４／４／２）で精製して白色粉末として生成物を得た（１１６ｍｇ、収率１５％）。
1H NMR (CDCl3) : 1.05 (t, 9 H, CH3-CH-Si J = 8.5 Hz), 1.15 (m, 3H, CH3CHSi), 2.65 (m, 2H,-CH2-), 2.9 (m, 2H,-CH2-), 3.1 (m, 2H,-CH2-), 3.3 (m, 2H,-CH2-),4.65 (d, 1H,- CH2-O, J = 6 Hz), 4.72 (d, 1H,-CH2-O, J = 6 Hz), 6.53 (d, 1H, H arom), 6.2 (d, 1H, H arom), 6.25 (m, 1H, H arom), 6.95 (d, 1H, H arom), 7.12 (d, 1H, H arom), 7.2 (m, 3H, H arom), 7.28 (m, 2H, H arom), 7.45 (m, 11H, H arom), 7.6 (m, 4H, H arom).
31P NMR (CDCl3): 23.3, 22.9 ppm.
この物質はキシレン中１２０℃でＨＳｉＣｌ３及びＥｔ３Ｎと処理することによって対応するホスフィンに還元することができる。
ＮＭＲスケールでの実験：31P NMR (CDCl3) : −1.2, −1.7 ppm.
【０１５７】
実施例７．置換［２．２］パラシクロファン誘導体に基づくホスフィン配位子のルテニウム錯体の合成
ａ）［（Ｒ）−ＴｒｉＯＣＨ２−Ｐａｒａ−Ｃ］ＲｕＣｌ２［（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎ］の製造
【０１５８】
【化４３】
【０１５９】
実施例６ａのホスフィン（（Ｒ）エナンチオマー、５０ｍｇ、０．０５８８９ｍｍｏｌ）及び［Ｒｕ（ｂｅｎｚｅｎｅ）Ｃｌ］２（１４．７ｍｇ、０．０２９４ｍｍｏｌ）をシュレンクフラスコに入れ、空気を窒素で置換した。無水の脱気したＤＭＦ（１．５ｍｌ）及びトルエン（２ｍｌ）を加えた。その混合物を１０５℃で４時間加熱して、赤色の均一溶液が得られた。その溶液に固体の（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎ（１２．５ｍｇ、０．０５８８９ｍｍｏｌ）を加え、溶液を再び１０５℃で１．７５時間加熱した。そして、溶媒を除去した。固体をＣＨ２Ｃｌ２に溶解し、ＭＴＢＥを加えた。溶媒を除去し、黄褐色の沈殿が生じた。固体を集めず、溶媒を完全に除去して粗錯体を得た。そして、それ以上精製することなく使用した。
31P NMR (CDCl3): 43.98 ppm.
【０１６０】
ｂ）［（Ｓ）−ＭｅＯ−Ｐａｒａ−Ｃ］ＲｕＣｌ２［（Ｒ，Ｒ）−Ｄｐｅｎ］の製造
ホスフィン（実施例６ｊの（Ｓ）エナンチオマー、４９ｍｇ、０．０８０７ｍｍｏｌ）及び［Ｒｕ（ｂｅｎｚｅｎｅ）Ｃｌ］２（２０．２ｍｇ、０．０４０３ｍｍｏｌ）をシュレンクフラスコに入れ、空気を窒素で置換した。無水の脱気したＤＭＦ（１ｍｌ）及びトルエン（１ｍｌ）を加えた。その混合物を１０５℃で４時間加熱した。その溶液に固体の（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎ（１７ｍｇ、０．０８０７ｍｍｏｌ）を加えた。色がすぐに茶色から黄−ベージュ色に変化した。反応を室温に冷却し、減圧下で溶媒を除去した。粗錯体をそれ以上精製することなく使用した。
31P NMR (CDCl3): 46.2 (d, J= 28 Hz), 45.9 (d, 27.5 Hz) ppm.
【０１６１】
ｃ）［（Ｒ）−ＴＩＰＳＯＣＨ２−Ｐａｒａ−Ｃ］ＲｕＣｌ２［（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎ］の製造
実施例６ｃの（Ｒ）エナンチオマー配位子を使用し、実施例７ｂと同様の方法に従った。粗錯体をそれ以上精製することなく使用した。
31P NMR (CDCl3): 43.6, 43.75, 43.8, 44.0 (一次でない(not first order)) ppm
【０１６２】
ｄ）［（Ｒ）−ＨＯＣＨ２−Ｐａｒａ−Ｃ］ＲｕＣｌ２［（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎ］の製造
実施例６ｇの（Ｒ）エナンチオマー配位子を使用し、実施例７ｂと同様の方法に従った。粗錯体をそれ以上精製することなく使用した。
31P NMR (CDCl3): 44.0 (s) ppm
【０１６３】
実施例８．［２．２］パラシクロファン誘導体に基づくホスフィン配位子のロジウム錯体の合成
ａ）［（Ｒ）−ＴｒｉＯＣＨ２−ＰａｒａＣ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４の製造
【０１６４】
【化４４】
【０１６５】
実施例６ａのホスフィン（（Ｒ）エナンチオマー、６６ｍｇ、０．０７８ｍｍｏｌ）及び［Ｒｈ（ＮＢＤ）２］ＢＦ４（２７ｍｇ、０．０７２ｍｍｏｌ）（ＮＢＤ＝ノルボルナジエン）を不活性の窒素雰囲気下シュレンクフラスコに入れ、室温で、脱気したジクロロメタン（２ｍｌ）を加えた。溶液の色がすぐに赤からオレンジに変化した。１時間後、減圧下で溶媒を除去し、得られた粗固体残渣をＥｔ２Ｏ（１ｍＬ）及びヘキサン（２ｍＬ）で洗浄した。黄色懸濁液を１時間撹拌し、そして固体を沈殿させ、上澄み液を除去した。固体をさらにヘキサンで洗浄し、減圧下で乾燥した（５０ｍｇ、収率６３％）。それ以上精製することなく触媒前駆体（ｐｒｅｃａｔａｌｙｓｔ）を使用した。
31P NMR (CDCl3): 35.3 (dd, JP−Rh = 158 Hz, 3JP−P = 21 Hz), 37.4 (dd, JP−Rh = 159 Hz, 3JP−P= 21 Hz).
【０１６６】
ｂ）［ＨＯ−ＣＨ２−ＰａｒａＣ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４の製造
【０１６７】
【化４５】
【０１６８】
実施例６ｇのホスフィン配位子の（Ｒ）−エナンチオマー（１３５ｍｇ、０．２２ｍｍｏｌ）及び［Ｒｈ（ＮＢＤ）２］ＢＦ４（７５ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ）（ＮＢＤ＝ノルボルナジエン）を不活性の窒素雰囲気下シュレンクフラスコに入れ、室温で、脱気したジクロロメタン（１５ｍｌ）を加えた。溶液の色がすぐに赤からオレンジに変化した。２時間後、減圧下で溶媒を除去し、得られた粗固体残渣をジエチルエーテル（１ｍＬ）及びヘキサン（５ｍＬ）で洗浄した。固体を沈殿させ、上澄み液を除去し、固体を減圧下で乾燥した（１４５ｍｇ、収率８１％）。
31P NMR (CDCl3) : 35.2 (dd, JP−Rh = 158 Hz, 3JP−P = 21 Hz), 36.4 (dd, JP−Rh = 160 Hz, 3JP−P = 20 Hz).
【０１６９】
ｃ）ロジウム錯体の製造：一般的方法
実施例６の適当な配位子と、それと等モル量の［Ｒｈ（ＮＢＤ）２］を不活性の窒素雰囲気下シュレンクフラスコに入れ、室温でジクロロメタンを加えた。溶液の色がすぐに赤からオレンジに変化した。０．５乃至２時間後、減圧下で溶媒を除去し、得られた粗固体残渣を31P NMRで分析した。必要であれば、生成物をジエチルエーテル及びヘキサンで洗浄して精製し、そうでなければ、それ以上精製することなく使用した。
ｉ）［（Ｓ）−ＴＩＰＳＯ−ＣＨ２−Ｘｙｌ−Ｐａｒａ−Ｃ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４（収率求めず）
31P NMR (CDCl3) : 36.2 (dd, JP−Rh = 159 Hz, 3JP−P = 21 Hz), 37.1 (dd, JP−Rh = 159 Hz, 3JP−P = 21 Hz).
ｉｉ）［（Ｓ）−ＨＯ−ＣＨ２−ＭｅＯＸｙｌ−Ｐａｒａ−Ｃ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４（収率求めず）
31P NMR (CDCl3) : 34.0 (dd, JP−Rh = 159 Hz, 3JP−P = 21 Hz), 36.0 (dd, JP−Rh = 159 Hz, 3JP−P = 21 Hz).
［ｒａｃ−ｔＢｕＯＯＣ−Ｐａｒａ−Ｃ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４（収率求めず）
31P NMR (CDCl3): 35.9 (dd, JP−Rh = 159 Hz, 3JP−P = 23 Hz), 37.8 (dd, JP−Rh = 159 Hz, 3JP−P = 23 Hz).
ｉｖ）［ｒａｃ−ＣＨ３Ｏ−Ｐａｒａ−Ｃ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４（収率８３％）及び［（Ｒ）−ＣＨ３Ｏ−Ｐａｒａ−Ｃ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４（収率求めず）
31P NMR (CDCl3): 34.1 (dd, JP−Rh = 157 Hz, 3JP−P = 21 Hz), 38.1 (dd, JP−Rh = 157 Hz, 3JP−P = 20 Hz).
ｖ）［ｒａｃ−ＴＢＳＯ−Ｐａｒａ−Ｃ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４（収率９８％）
31P NMR (CDCl3): 34.9 (dd, JP−Rh = 159 Hz, 3JP−P= 21 Hz), 37.9 (dd, JP−Rh = 160 Hz, 3JP−P= 21 Hz).
【０１７０】
実施例９．芳香族ケトンの水素化
ａ）ＰａｒｒＴＭオートクレーブ中、Ｓ／Ｃ ３０００／１でのアセトフェノンの水素化
【０１７１】
【化４６】
【０１７２】
５０ｍＬのガラスライナー（ｇｌａｓｓ−ｌｉｎｅｒ）に［（Ｒ）−ＴｒｉＯＣＨ２−ＰａｒａＣ］−ＲｕＣｌ２−［（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎ］（０．００２ｍｍｏｌ）を加えた。これをＰａｒｒオートクレーブに入れ、空気を窒素で置換した。アセトフェノン（６ｍｍｏｌ）及びｔ−ＢｕＯＫの２−プロパノール溶液をそのＰａｒｒオートクレーブに加えた。オートクレーブを水素で８．３バール（ｂａｒ）に加圧し、室温で撹拌した。３０分後、水素の吸収が停止した。オートクレーブを開け、ガスクロマトグラフィーで溶液を分析した（カラム：ＣｈｉｒａｓｉｌＤＥＸ−ＣＢ、方法：１００℃で７分、その後１５℃で２００℃まで）＞９９％の転化率、９８％ｅ．ｅ．。
【０１７３】
ｂ）Ａｒｇｏｎａｕｔ ＥｎｄｅａｖｏｕｒＴＭ中、Ｓ／Ｃ ５０００／１でのアセトフェノンの水素化
Ａｒｇｏｎａｕｔマルチウエル圧力反応器のガラスライナーに［（Ｒ）−ＴｒｉＯＣＨ２−ＰａｒａＣ］−ＲｕＣｌ２−［（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎ］（１ｍｇ、０．００１ｍｍｏｌ）を加えた。その容器を窒素でパージし、アセトフェノン（５ｍｍｏｌ）の２−プロパノール（２ｍＬ）溶液を加えた。ｔ−ＢｕＯＫ（０．１ｍｍｏｌ、Ｂ／Ｃ １００／１、アセトフェノンに対して２％）の２−プロパノール（２ｍＬ）溶液を加え、窒素でパージし、そして１０バールの水素圧とした。１０バールの圧力に維持して水素の吸収を監視した。反応は４０分で完結した。圧力を開放し、反応をキラルガスクロマトグラフィーで分析した：＞９９％の転化率、９８．５％ｅ．ｅ．。
【０１７４】
ｃ）ＰａｒｒＴＭオートクレーブ中、Ｓ／Ｃ １００００／１でのアセトフェノンの水素化の例
５０ｍＬのガラスライナーに［（Ｒ）−ＴｒｉＯＣＨ２−Ｐａｒａ−Ｃ］−ＲｕＣｌ２−［（Ｓ，Ｓ）−Ｄｐｅｎ］（０．００１ｍｍｏｌ）を加えた。これをＰａｒｒオートクレーブに入れ、空気を窒素で置換した。アセトフェノン（１０ｍｍｏｌ）及びｔ−ＢｕＯＫ（０．４ｍｍｏｌ、Ｂ／Ｃ ４００／１、アセトフェノンに対して４％）の２−プロパノール溶液をそのＰａｒｒオートクレーブに加えた。オートクレーブを水素で１０バールに加圧し、室温で撹拌した。反応完結後、オートクレーブを開け、ガスクロマトグラフィーで溶液を分析した（カラム：ＣｈｉｒａｓｉｌＤＥＸ−ＣＢ、方法：１００℃で７分、その後１５℃で２００℃まで）＞９９％の転化率、９９％ｅ．ｅ．。
【０１７５】
一連の触媒に対する結果を以下に示す。
【０１７６】
【表１】
【０１７７】
実施例１０．デヒドロアミノ酸の水素化
ａ）基質／触媒＝１０００／１での２−アセトアミドアクリル酸メチルの水素化
【０１７８】
【化４７】
【０１７９】
Ｅｎｄｅａｖｏｕｒ Ａｒｇｏｎａｕｔマルチウエル圧力反応器のガラスライナーに［（Ｒ）−ＴｒｉＯＣＨ２−ＰａｒａＣ Ｒｈ ＮＢＤ］ＢＦ４（２．２ｍｇ、０．００２ｍｍｏｌ）及びアセトアミドアクリル酸メチル（２８６ｍｇ、２ｍｍｏｌ）を加えた。その容器を窒素でパージし、脱気したＭｅＯＨ（４ｍＬ）を加え、１０バールの水素圧とした。１０バールの圧力に維持して水素の吸収を監視した。３０分後、圧力を開放し、キラルガスクロマトグラフィーで反応を分析した（カラム：ＣｈｉｒａｓｉｌＤＥＸ−ＣＢ、方法：１３０℃で１０分、その後１５℃／分で２００℃まで）１００％の転化率、９９％ｅ．ｅ．。
【０１８０】
ｂ）Ｓ／Ｃ ５０００／１での２−アセトアミドアクリル酸メチルの水素化：一般的方法
【０１８１】
【化４８】
【０１８２】
５０ｍＬのＰａｒｒ圧力反応器のガラスライナーに触媒（０．００１ｍｍｏｌ）及びアセトアミドアクリル酸メチル（７１６ｍｇ、５ｍｍｏｌ）を入れた。その容器を窒素でパージし、そして、水素での１０バールへの加圧及び圧力の開放を少なくとも三回行った。脱気したＭｅＯＨ（１０ｍＬ）を加え、上記のように水素でパージし、そして水素で５バールに加圧した。４乃至５バールに圧力を維持した。２０分後、圧力を開放し、キラルガスクロマトグラフィーで反応を分析した（カラム：ＣｈｉｒａｓｉｌＤＥＸ−ＣＢ、方法：１３０℃で１０分、その後１５℃／分で２００℃まで）。
【０１８３】
一連の触媒を使用した結果を以下に示す。ファンホス（Ｐｈａｎｅｐｈｏｓ）ベースの触媒を、本発明のＰａｒａ−Ｃベースの触媒と比較した。それは、本発明の触媒の有効性を示している。生成物の立体化学は、ファンホスベースの触媒について報告された結果（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９７，１１９，６２０７）に従って帰属した。
【０１８４】
【表２】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）の置換パラシクロファン：
【化１】
（式中、Ｘ１及びＸ２は２乃至４の炭素原子を含む連結基であり；Ｙ１及びＹ２は水素、ハライド、酸素、窒素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールからなる群から選択され；Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は官能基を含んでいてもよい置換基であり；ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０または１でありそしてａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至６である）。
【請求項２】
Ｘ１及びＸ２が共に−Ｃ２Ｈ４−である、請求項１に記載の置換パラシクロファン。
【請求項３】
Ｚ１、Ｚ２またはＺ３が、Ｃ１−Ｃ３０の分岐若しくは線状アルキル基、フェニル基、ナフチル基またはアントラシル基から選択される置換基である、請求項１または２に記載の置換パラシクロファン。
【請求項４】
Ｚ１、Ｚ２またはＺ３が、ハライド、ヒドロキシル、アルコキシ、カルボニル、カルボキシル、無水物、メタクリル、エポキシド、ビニル、ニトリル、ニトロ、スルフェート、スルホニル、メルカプト、アミノ、アミン、イミン、アミド及びイミドから選択される一つ以上の官能基を含む置換基である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の置換パラシクロファン。
【請求項５】
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１または２である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の置換パラシクロファン。
【請求項６】
ａ＋ｂ＋ｃ＝１及び／またはｄ＋ｅ＋ｆ＝１である、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の置換パラシクロファン。
【請求項７】
式（Ｉ）の置換パラシクロファンを製造するための方法であって：
【化２】
（ａ）擬−オルトジブロモパラシクロファンの置換反応を行って式（ＩＩ）の置換擬−オルトジブロモパラシクロファン中間体を形成すること、及び：
【化３】
（ｂ）置換擬−オルトジブロモパラシクロファンをＰ（Ｙ１Ｙ２）を有するリン化合物と反応させること、による前記方法（式中、Ｘ１及びＸ２は２乃至４の炭素原子を含む連結基であり；Ｙ１及びＹ２は水素、ハライド、酸素、窒素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールからなる群から選択され；Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は官能基を含んでいてもよい置換基であり；そして、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０または１でありそしてａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至６である）。
【請求項８】
置換反応がルイス酸媒介の求電子置換である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
式（ＩＩＩ）の置換擬−オルトジブロモパラシクロファン：
【化４】
（式中、Ｘ１及びＸ２は２乃至４の炭素原子を含む連結基であり；Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は置換基であって、その少なくとも一つがヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、無水物、メタクリル、エポキシド、ビニル、ニトリル、ニトロ、スルフェート、スルホニル、メルカプト、スルフィドアミノ、アミン、イミン及びイミドから選択される官能基を含み；そして、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０または１でありそしてａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至６である）。
【請求項１０】
官能基がカルボン酸官能基またはアミノ官能基である、請求項９に記載の置換擬−オルトジブロモパラシクロファン。
【請求項１１】
金属化合物と式（Ｉ）の置換パラシクロファンの反応生成物を含む金属錯体：
【化５】
（式中、Ｘ１及びＸ２は２乃至４の炭素原子を含む連結基であり；Ｙ１及びＹ２は水素、ハライド、酸素、窒素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールからなる群から選択され；Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は官能基を含んでいてもよい置換基であり；ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０または１でありそしてａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至６である）。
【請求項１２】
金属化合物がパラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）またはルテニウム（Ｒｕ）の化合物である、請求項１１に記載の金属錯体。
【請求項１３】
置換パラシクロファン（Ｉ）が実質的にエナンチオマー的に純粋である、請求項１１または請求項１２に記載の金属錯体。
【請求項１４】
金属錯体が固相支持体上に固定されている、請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の金属錯体。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の金属錯体の、不斉水素化反応の触媒としての使用。
【請求項１６】
炭素−炭素カップリング反応、オレフィンのエナンチオ選択的異性化、不斉ヒドロホウ素化反応、オレフィンアルデヒドの不斉環化、不斉アリール化およびアルキル化反応、及びハロゲン化アリールのアミノ化（Ｈａｒｔｗｉｇ−Ｂｕｃｈｗａｌｄ反応）からなる群から選択される反応に対する触媒としての、請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の金属錯体の使用。
【請求項１】
式（Ｉ）の置換パラシクロファン：
【化１】
（式中、Ｘ１及びＸ２は２乃至４の炭素原子を含む連結基であり；Ｙ１及びＹ２は水素、ハライド、酸素、窒素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールからなる群から選択され；Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は官能基を含んでいてもよい置換基であり；ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０または１でありそしてａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至６である）。
【請求項２】
Ｘ１及びＸ２が共に−Ｃ２Ｈ４−である、請求項１に記載の置換パラシクロファン。
【請求項３】
Ｚ１、Ｚ２またはＺ３が、Ｃ１−Ｃ３０の分岐若しくは線状アルキル基、フェニル基、ナフチル基またはアントラシル基から選択される置換基である、請求項１または２に記載の置換パラシクロファン。
【請求項４】
Ｚ１、Ｚ２またはＺ３が、ハライド、ヒドロキシル、アルコキシ、カルボニル、カルボキシル、無水物、メタクリル、エポキシド、ビニル、ニトリル、ニトロ、スルフェート、スルホニル、メルカプト、アミノ、アミン、イミン、アミド及びイミドから選択される一つ以上の官能基を含む置換基である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の置換パラシクロファン。
【請求項５】
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１または２である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の置換パラシクロファン。
【請求項６】
ａ＋ｂ＋ｃ＝１及び／またはｄ＋ｅ＋ｆ＝１である、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の置換パラシクロファン。
【請求項７】
式（Ｉ）の置換パラシクロファンを製造するための方法であって：
【化２】
（ａ）擬−オルトジブロモパラシクロファンの置換反応を行って式（ＩＩ）の置換擬−オルトジブロモパラシクロファン中間体を形成すること、及び：
【化３】
（ｂ）置換擬−オルトジブロモパラシクロファンをＰ（Ｙ１Ｙ２）を有するリン化合物と反応させること、による前記方法（式中、Ｘ１及びＸ２は２乃至４の炭素原子を含む連結基であり；Ｙ１及びＹ２は水素、ハライド、酸素、窒素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールからなる群から選択され；Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は官能基を含んでいてもよい置換基であり；そして、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０または１でありそしてａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至６である）。
【請求項８】
置換反応がルイス酸媒介の求電子置換である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
式（ＩＩＩ）の置換擬−オルトジブロモパラシクロファン：
【化４】
（式中、Ｘ１及びＸ２は２乃至４の炭素原子を含む連結基であり；Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は置換基であって、その少なくとも一つがヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、無水物、メタクリル、エポキシド、ビニル、ニトリル、ニトロ、スルフェート、スルホニル、メルカプト、スルフィドアミノ、アミン、イミン及びイミドから選択される官能基を含み；そして、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０または１でありそしてａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至６である）。
【請求項１０】
官能基がカルボン酸官能基またはアミノ官能基である、請求項９に記載の置換擬−オルトジブロモパラシクロファン。
【請求項１１】
金属化合物と式（Ｉ）の置換パラシクロファンの反応生成物を含む金属錯体：
【化５】
（式中、Ｘ１及びＸ２は２乃至４の炭素原子を含む連結基であり；Ｙ１及びＹ２は水素、ハライド、酸素、窒素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリールからなる群から選択され；Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は官能基を含んでいてもよい置換基であり；ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは０または１でありそしてａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１乃至６である）。
【請求項１２】
金属化合物がパラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）またはルテニウム（Ｒｕ）の化合物である、請求項１１に記載の金属錯体。
【請求項１３】
置換パラシクロファン（Ｉ）が実質的にエナンチオマー的に純粋である、請求項１１または請求項１２に記載の金属錯体。
【請求項１４】
金属錯体が固相支持体上に固定されている、請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の金属錯体。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の金属錯体の、不斉水素化反応の触媒としての使用。
【請求項１６】
炭素−炭素カップリング反応、オレフィンのエナンチオ選択的異性化、不斉ヒドロホウ素化反応、オレフィンアルデヒドの不斉環化、不斉アリール化およびアルキル化反応、及びハロゲン化アリールのアミノ化（Ｈａｒｔｗｉｇ−Ｂｕｃｈｗａｌｄ反応）からなる群から選択される反応に対する触媒としての、請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の金属錯体の使用。
【公表番号】特表２００６−５２７２４６（Ｐ２００６−５２７２４６Ａ）
【公表日】平成１８年１１月３０日（２００６．１１．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５１６３８３（Ｐ２００６−５１６３８３）
【出願日】平成１６年６月８日（２００４．６．８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＧＢ２００４／００２４２６
【国際公開番号】ＷＯ２００４／１１１０６５
【国際公開日】平成１６年１２月２３日（２００４．１２．２３）
【出願人】（５９０００４７１８）ジョンソン、マッセイ、パブリック、リミテッド、カンパニー (152)
【氏名又は名称原語表記】ＪＯＨＮＳＯＮ ＭＡＴＴＨＥＹ ＰＵＢＬＩＣ ＬＩＭＩＴＥＤ ＣＯＭＰＡＮＹ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１８年１１月３０日（２００６．１１．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年６月８日（２００４．６．８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＧＢ２００４／００２４２６
【国際公開番号】ＷＯ２００４／１１１０６５
【国際公開日】平成１６年１２月２３日（２００４．１２．２３）
【出願人】（５９０００４７１８）ジョンソン、マッセイ、パブリック、リミテッド、カンパニー (152)
【氏名又は名称原語表記】ＪＯＨＮＳＯＮ ＭＡＴＴＨＥＹ ＰＵＢＬＩＣ ＬＩＭＩＴＥＤ ＣＯＭＰＡＮＹ
【Ｆターム（参考）】
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