配線回路基板およびその製造方法
【課題】導通検査を確実に実施することができ、接続信頼性に優れる配線回路基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】回路付サスペンション基板１は、厚み方向を貫通するベース開口部１１が形成されたベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される配線、および、配線に接続される外部側端子７を備える導体パターンとを備え、外部側端子７は、ベース絶縁層３のベース開口部１１内に充填される充填部１４と、充填部１４に連続し、充填部１４から上側に突出するように形成される第１突出部１６と、充填部１４に連続し、充填部１４から下側に突出するように形成される第２突出部１７とを備えている。
【解決手段】回路付サスペンション基板１は、厚み方向を貫通するベース開口部１１が形成されたベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される配線、および、配線に接続される外部側端子７を備える導体パターンとを備え、外部側端子７は、ベース絶縁層３のベース開口部１１内に充填される充填部１４と、充填部１４に連続し、充填部１４から上側に突出するように形成される第１突出部１６と、充填部１４に連続し、充填部１４から下側に突出するように形成される第２突出部１７とを備えている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法、詳しくは、導通検査に供される配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路付サスペンション基板などの配線回路基板は、導体パターンを備えており、導体パターンが、導通検査に供された後、磁気ヘッドおよび外部基板と電気的に接続される。
【０００３】
そのような回路付サスペンション基板は、金属支持基板と、その上に形成されるベース絶縁層と、その上に形成される導体パターンと、それを被覆するカバー絶縁層とを備えている。また、導体パターンは、端子と、それに接続される配線とを備えている。そのような回路付サスペンション基板では、まず、端子に導通検査の検査用プローブが接続され、その後、端子に磁気ヘッドや外部基板の接続端子が電気的に接続される。
【０００４】
具体的には、端子を、ベース絶縁層の開口部内に落ち込むように充填し、充填された端子の裏面を、支持基板から露出させるとともに、端子の表面を、カバー絶縁層から露出するフライングリードとして形成することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
特許文献１では、端子の裏面に、検査用プローブを接触させて、端子を含む導体パターンの導通検査を実施し、その後、端子の表面に制御回路基板の接続端子を接触させて、それらの電気的な接続を図っている。
【０００６】
また、特許文献１では、検査用プローブと制御回路基板との配置を上下反転させて、それらと、端子との電気的な接続を図る場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３３７８１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかるに、特許文献１の回路付サスペンション基板の端子の表面に、制御回路基板の接続端子を上側から接触させようとすると、端子がベース絶縁層の開口部内に落ち込んでいるため、制御回路基板の接続端子が端子の表面に接触しにくく、そのため、制御回路基板の接続端子と回路付サスペンション基板の端子との電気的な接続を確実に図ることができない場合がある。そうすると、導体パターンと制御回路基板との接続信頼性が低下するという不具合がある。
【０００９】
また、検査用プローブと制御回路基板との配置を上下反転させる場合において、端子の表面に、検査用プローブを上側から接触させようとすると、端子がベース絶縁層の開口部内に落ち込んでいるため、検査用プローブが端子の表面に接触しにくく、そのため、検査用プローブと回路付サスペンション基板の端子との電気的な接続を確実に図ることができない場合がある。そうすると、検査用プローブによる導通検査を確実に実施することができないという不具合がある。
【００１０】
本発明の目的は、導通検査を確実に実施することができ、接続信頼性に優れる配線回路基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、厚み方向を貫通する絶縁開口部が形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成される配線、および、前記配線に接続される端子を備える導体パターンとを備え、前記端子は、前記絶縁層の前記絶縁開口部内に充填される充填部と、前記充填部に連続し、前記充填部から厚み方向一方側に突出するように形成される第１突出部と、前記充填部に連続し、前記充填部から厚み方向他方側に突出するように形成される第２突出部とを備えていることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明の配線回路基板では、前記第１突出部が、前記配線に連続していることが好適である。
【００１３】
また、本発明の配線回路基板の製造方法は、厚み方向を貫通する絶縁開口部が形成された絶縁層を形成する工程、および、前記絶縁層の上に形成される配線、および、前記配線に接続される端子を備える導体パターンを形成する工程を備え、前記導体パターンを形成する工程において、前記端子が、前記絶縁層の前記絶縁開口部内に充填される充填部と、前記充填部に連続し、前記充填部から厚み方向一方側に突出するように形成される第１突出部と、前記充填部に連続し、前記充填部から厚み方向他方側に突出するように形成される第２突出部とを備えるように、前記導体パターンを形成することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の配線回路基板の製造方法により得られる本発明の配線回路基板では、端子が、充填部と第１突出部と第２突出部とを備えているので、検査機器のプローブを第１突出部および第２突出部のいずれか一方に近接させれば、プローブを一方に確実に接触させることができながら、接続端子を他方に確実に接触させることができる。
【００１５】
そのため、端子とプローブとの電気的な接続、および、端子と外部基板の接続端子との電気的な接続の両方を確実に図ることができる。
【００１６】
その結果、導体パターンの導通検査を確実に実施しながら、導体パターンの接続信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板の平面図を示す。
【図２】図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の拡大平面図を示す。
【図３】図３は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の拡大底面図を示す。
【図４】図４は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部における断面図であって、図２のＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。
【図５】図５は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部における断面図であって、図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。
【図６】図６は、図１に示す回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図であり、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、支持開口部を金属支持基板に形成する工程、（ｄ）は、導体パターンを形成する工程、（ｅ）は、カバー絶縁層を形成する工程、（ｆ）は、めっき層を積層する工程を示す。
【図７】図７は、図６（ｄ）の導体パターンを形成する工程を説明する工程図であり、（ａ）は、種膜を形成する工程、（ｂ）は、めっきレジストを形成する工程、（ｃ）は、導体パターンをめっきにより形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストおよびそれが積層されていた種膜を除去する工程を示す。
【図８】図８は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の断面図であり、図２のＡ−Ａ線に沿う断面図であって、（ａ）は、プローブを第１突出部に接続する工程、（ｂ）は、外部基板の接続端子を第２突出部に接続する工程を示す。
【図９】図９は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の断面図であり、図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図であって、（ａ）は、プローブを第１突出部に接続する工程、（ｂ）は、外部基板の接続端子を第２突出部に接続する工程を示す。
【図１０】図１０は、比較例１の回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図であり、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、支持開口部を金属支持基板に形成する工程、（ｅ）は、カバー絶縁層を形成する工程、（ｆ）は、めっき層を積層する工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板の平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の拡大平面図、図３は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の拡大底面図、図４は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部における断面図であって、図２のＡ−Ａ線に沿う断面図、図５は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部における断面図であって、図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図６は、図１に示す回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図、図７は、図６（ｄ）の導体パターンを形成する工程を説明する工程図を示す。
【００１９】
なお、図１および図２において、導体パターン４の相対配置を明確に示すため、カバー絶縁層５を省略している。また、図１において、導体パターン４の相対配置を明確に示すため、ベース絶縁層３を省略している。さらに、図２および図３において、外部側端子７の相対配置を明確に示すため、めっき層２２を省略している。
【００２０】
図１において、この回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッドが実装されるスライダ９（仮想線）と、外部基板２５（図４および図５の仮想線参照）とを実装して、ハードディスクドライブに搭載される。
【００２１】
回路付サスペンション基板１は、長手方向に延びる平帯状に形成されており、金属支持基板２と、それに支持される導体パターン４とを備えている。
【００２２】
金属支持基板２は、回路付サスペンション基板１の平面形状に対応する形状に形成されている。
【００２３】
金属支持基板２の先端部（長手方向一端部）には、スリット２１が厚み方向を貫通するように形成されている。スリット２１は、先後方向に互いに間隔を隔てて配置されている。
【００２４】
金属支持基板２の後端部（長手方向他端部）には、支持開口部１２が厚み方向を貫通するように形成されている。支持開口部１２は、幅方向（先後方向に直交する方向）に長い平面視略矩形状に形成されている。
【００２５】
導体パターン４は、金属支持基板２の先端部に形成されるヘッド側端子６と、金属支持基板２の後端部に形成される端子としての外部側端子７と、ヘッド側端子６と外部側端子７とを電気的に接続する配線８とを一体的に備えている。
【００２６】
ヘッド側端子６は、先後方向において、スリット２１に挟まれるように配置されている。
【００２７】
外部側端子７は、厚み方向に投影したときに、金属支持基板２の支持開口部１２に囲まれるように配置されている。
【００２８】
そして、この回路付サスペンション基板１は、図４および図５に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成される絶縁層としてのベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように形成されるカバー絶縁層５とを備えている。
【００２９】
金属支持基板２を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが挙げられる。好ましくは、ステンレスが挙げられる。
【００３０】
金属支持基板２の厚みは、例えば、１０〜５０μｍ、好ましくは、１２〜３０μｍである。
【００３１】
ベース絶縁層３は、金属支持基板２の上面において、導体パターン４に対応するパターンに形成されている。また、ベース絶縁層３には、その後端部において、厚み方向を貫通する絶縁開口部としてのベース開口部１１が、外部側端子７に対応するように形成されている。
【００３２】
ベース絶縁層３を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などが挙げられる。好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。
【００３３】
ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、３〜３３μｍである。
【００３４】
導体パターン４は、上記したヘッド側端子６（図１参照）と、外部側端子７と、配線８とを備える配線回路パターンとして形成されている。
【００３５】
ヘッド側端子６は、図１に示すように、ベース絶縁層３（図２および図５参照）の上に、幅方向に間隔を隔てて複数整列配置され、各ヘッド側端子６は、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。
【００３６】
外部側端子７は、図２に示すように、ベース絶縁層３（図４および図５参照）の上に、幅方向に間隔を隔てて複数整列配置され、各外部側端子７は、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。
【００３７】
配線８は、図１に示すように、ベース絶縁層３（図２および図５参照）の上に、ヘッド側端子６の後端部および外部側端子７の先端部に連続するように形成されている。
【００３８】
導体パターン４を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、クロム、金、はんだまたはこれらの合金などが挙げられる。好ましくは、銅が挙げられる。
【００３９】
各ヘッド側端子６の幅（幅方向長さ）は、例えば、１０〜２５０μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍであり、各ヘッド側端子６の長さ（先後方向長さ）は、例えば、１０〜２０６０μｍ、好ましくは、２０〜５６０μｍである。各ヘッド側端子６間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。
【００４０】
また、各配線８の幅は、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍである。また、各配線８間の間隔は、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍである。
【００４１】
なお、外部側端子７の寸法は、後で詳述する。
【００４２】
配線８およびヘッド側端子６の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００４３】
カバー絶縁層５は、図４および図５示すように、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面と、配線８の上面および側面（図５において図示されず）とに形成されている。また、カバー絶縁層５は、ヘッド側端子６および外部側端子７を露出するように形成されている。
【００４４】
カバー絶縁層５を形成する絶縁材料としては、ベース絶縁層を形成する絶縁材料と同様のものが挙げられる。また、カバー絶縁層５の厚みは、例えば、２〜２０μｍ、好ましくは、４〜１５μｍである。
【００４５】
次に、回路付サスペンション基板１の後端部について、図２〜図５を参照して詳述する。
【００４６】
図３に示すように、回路付サスペンション基板１の後端部では、金属支持基板２に支持開口部１２が形成されており、支持開口部１２は、厚み方向に投影したときに、ベース開口部１１を含むように、形成されている。
【００４７】
ベース開口部１１は、厚み方向に投影したときに、支持開口部１２に囲まれており、先後方向に長い平面視略矩形状に形成され、ヘッド側端子６に対応して、複数形成されている。各ベース開口部１１は、幅方向に間隔を隔てて整列配置されている。
【００４８】
ベース開口部１１の幅は、例えば、１０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜６００μｍであり、長さは、例えば、４０〜２０００μｍ、好ましくは、６０〜１０００μｍである。また、各ベース開口部１１間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。
【００４９】
外部側端子７は、厚み方向に投影したときに、支持開口部１２に含まれるように形成されている。外部側端子７は、図４および図５に示すように、ベース絶縁層３の各ベース開口部１１内に充填される充填部１４と、充填部１４に連続し、充填部１４から上側（厚み方向一方側）に突出するように形成される第１突出部１６と、充填部１４に連続し、充填部１４から下側（厚み方向他方側）に突出するように形成される第２突出部１７とを備えている。
【００５０】
充填部１４は、ベース開口部１１に対応する形状に形成されている。充填部１４の厚みは、ベース絶縁層３の厚みと同様である。
【００５１】
第１突出部１６は、充填部１４の上部から上側と、幅方向両外側と、先後方向両外側とに膨出するように形成されており、具体的には、外部側端子７の平面視形状と同一形状に形成され、詳しくは、図２に示すように、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。
【００５２】
また、図４および図５に示すように、第１突出部１６の膨出部の周端部（先後方向両端部および幅方向両端部）の下面は、ベース開口部１１の周囲のベース絶縁層３の上面に接触している。
【００５３】
また、第１突出部１６の下部の中央部は、充填部１４の上部に連続している。これにより、各第１突出部１６は、各充填部１４と電気的にそれぞれ接続されている。
【００５４】
また、第１突出部１６の後側面と、幅方向両側面と、上面の周端部は、カバー絶縁層５に被覆されている。
【００５５】
一方、第１突出部１６の先端部には、配線８の後端部が連続しており、これにより、第１突出部１６は、配線８と電気的に接続されている。
【００５６】
また、図５に示すように、第１突出部１６の上面は、配線８の上面と、先後方向において、面一に形成されている。
【００５７】
また、外部側端子７において、配線８の厚みに相当する部分が、第１突出部１６とされている。
【００５８】
また、第１突出部１６の上面の中央部は、カバー絶縁層５から露出している。
【００５９】
各第１突出部１６の幅は、例えば、１０〜２５０μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍであり、各第１突出部１６の長さは、例えば、１０〜２０６０μｍ、好ましくは、２０〜５６０μｍである。各第１突出部１６間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。また、第１突出部１６の厚みは、配線８およびヘッド側端子６の厚みと同様である。
【００６０】
第２突出部１７は、充填部１４の下部から下側と、幅方向両外側と、先後方向両外側とに膨出するように形成されており、具体的には、厚み方向に投影したときに、第１突出部１７と同一形状で形成されている。すなわち、第２突出部１７は、ヘッド側端子６の底面視形状と同一形状に形成されており、詳しくは、図３に示すように、先後方向に長い底面視略矩形状に形成されている。
【００６１】
また、図４および図５に示すように、第２突出部１７の膨出部の周端部（先後方向両端部および幅方向両端部）の上面は、ベース絶縁層３の下面に接触している。
【００６２】
また、第２突出部１７の上部の中央部は、充填部１４の下面に連続している。これにより、各第２突出部１７は、各充填部１４と電気的にそれぞれ接続されている。
【００６３】
従って、各第２突出部１７は、各充填部１４を介して、各第１突出部１６と電気的にそれぞれ接続される。
【００６４】
また、第２突出部１７は、金属支持基板２の支持開口部１２の内側に間隔を隔てて配置されている。これにより、第２突出部１７は、支持開口部１２の周囲（外側）の金属支持基板２から電気的に絶縁されている。
【００６５】
各第２突出部１７の幅、長さおよび厚みは、各第１突出部１６の幅、長さおよび厚みと同様であり、また、各第２突出部１７間の間隔は、各第１突出部１６間の間隔と同様である。
【００６６】
また、この回路付サスペンション基板１には、外部側端子７の表面に、めっき層２２が積層されている。
【００６７】
めっき層２２は、外部側端子７の上面に形成される第１めっき層１５と、外部側端子７の下面に形成される第２めっき層２０とを備えている。
【００６８】
第１めっき層１５は、カバー絶縁層５から露出する第１突出部１６の上面（表面）の中央部に積層されている。
【００６９】
第１めっき層１５を形成する金属としては、例えば、金、ニッケル、クロム、および、それらの合金などの導電材料が挙げられる。好ましくは、金が挙げられる。これら金属は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００７０】
第１めっき層１５の厚みは、例えば、０．０１〜１０μｍ、好ましくは、０．１〜１μｍである。
【００７１】
なお、第１めっき層１５は、図４および図５において図示されないが、ヘッド側端子６（図１参照）の表面（上面）にも積層されている。
【００７２】
第２めっき層２０は、第２突出部１７の下面（表面）に積層されている。
【００７３】
第２めっき層２０を形成する金属は、第１めっき層１５を形成する金属と同様である。第２めっき層２０の厚みは、第１めっき層１５の厚みと同様である。
【００７４】
次に、回路付サスペンション基板１の製造方法について、図６および図７を参照して説明する。
【００７５】
まず、この方法では、図６（ａ）に示すように、板状の金属支持基板２を用意する。
【００７６】
次いで、この方法では、図６（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上に、ベース開口部１１が形成されるように、形成する。
【００７７】
ベース絶縁層３を上記したパターンで形成するには、例えば、金属支持基板２の上に、感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布して、感光性のベース皮膜を形成した後、それを露光および現像して、上記したパターンとし、次いで、必要に応じて、加熱硬化させる。
【００７８】
次いで、この方法では、図６（ｃ）に示すように、支持開口部１２を金属支持基板２に形成する。支持開口部１２は、底面視において、ベース絶縁層３のベース開口部１１を含むように、形成する。
【００７９】
具体的には、支持開口部１２を形成するには、例えば、ウェットエッチング（例えば、化学エッチングなど）、ドライエッチング（例えば、レーザ加工など）などのエッチング、例えば、ドリル穿孔などの機械加工などが用いられる。好ましくは、エッチングが用いられる。
【００８０】
次いで、この方法では、図６（ｄ）に示すように、導体パターン４を、上記したヘッド側端子６（図１参照）、外部側端子７および配線８に対応するパターンで形成する。
【００８１】
導体パターン４を形成するには、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。好ましくは、アディティブ法が用いられる。
【００８２】
アディティブ法では、図７（ａ）に示すように、まず、種膜２４を、ベース絶縁層３の表面全面に形成する。
【００８３】
詳しくは、種膜２４を、ベース絶縁層３の上面全面と、ベース絶縁層３のベース開口部１１の内側面と、金属支持基板２の支持開口部１２から露出するベース絶縁層３の下面とに形成する。
【００８４】
種膜２４をベース絶縁層３の表面全面に形成するには、例えば、スパッタリングなどの物理蒸着法などの薄膜形成法が用いられる。
【００８５】
具体的には、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを、ベース絶縁層３および金属支持基板２の表面全面に順次積層する。
【００８６】
なお、種膜２４は、上記した薄膜形成法によって形成される場合には、金属支持基板２の表面全面（具体的には、金属支持基板２の下面と、金属支持基板２の支持開口部１２の内側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面と）にも形成される。
【００８７】
種膜２４の厚みは、例えば、１０〜２００ｎｍ、好ましくは、２０〜１００ｎｍである。
【００８８】
次いで、アディティブ法では、図７（ｂ）に示すように、種膜２４の表面に、めっきレジスト１３を、導体パターン４と逆パターンで形成する。
【００８９】
すなわち、めっきレジスト１３を、ベース絶縁層３の上に形成される種膜２４の上面と、金属支持基板２およびベース絶縁層３の下に形成される種膜２４の下面とに、ドライフィルムレジストから上記したパターンで形成する。
【００９０】
次いで、アディティブ法では、図７（ｃ）に示すように、めっきレジスト１３から露出する種膜２４の表面に、例えば、電解めっき、無電解めっきなどのめっきにより、導体パターン４を形成する。
【００９１】
このめっきでは、ベース開口部１１の内側面に形成される種膜２４の表面（内側面）から、内側に向かって導体材料が析出し、この析出部分が、ベース開口部１１内に充填され、これによって、充填部１４を形成する。
【００９２】
これと同時に、ベース絶縁層３の上面に形成される種膜２４の上面（表面）から、上側に向かって導体材料が析出し、この析出部分が、ヘッド側端子６（図１参照）、配線８および第１突出部１６を形成する。
【００９３】
これとともに、金属支持基板２の支持開口部１２内において、ベース絶縁層３の下面に形成される種膜２４の下面（表面）から、下側に向かって導体材料が析出し、この析出部分が、第２突出部１７を形成する。
【００９４】
これによって、導体パターン４を形成する。
【００９５】
その後、アディティブ法では、図７（ｄ）に示すように、めっきレジスト１３およびそのめっきレジスト１３が積層されていた部分の種膜２４を、例えば、エッチング、剥離などによって順次除去する。
【００９６】
なお、図６（ｄ）では、導体パターン４がアディティブ法によって形成される場合に形成される種膜２４を省略している。
【００９７】
次いで、この方法では、図６（ｅ）に示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に、配線８を被覆し、ヘッド側端子６および外部側端子７を露出するパターンで形成する。
【００９８】
また、カバー絶縁層５は、外部側端子７の第１突出部１６の上面の周端部を被覆し、第１突出部１６の上面の中央部を露出するパターンに形成する。
【００９９】
カバー絶縁層５を形成するには、例えば、金属支持基板２、ベース絶縁層３および導体パターン４の上に、感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布して、感光性のカバー皮膜を形成した後、それを露光および現像して、上記したパターンとし、次いで、必要に応じて、加熱硬化させる。
【０１００】
次いで、この方法では、図６（ｆ）に示すように、めっき層２２を、ヘッド側端子６（図１参照）および外部側端子７の表面に積層する。
【０１０１】
具体的には、第１めっき層１５を、ヘッド側端子６（図１参照）および外部側端子７の上面に積層するとともに、第２めっき層２０を、外部側端子７の下面に積層する。
【０１０２】
詳しくは、外部側端子７において、第１めっき層１５を、カバー絶縁層５から露出する第１突出部１６の上面の中央部に積層するとともに、第２めっき層２０を、第２突出部１７の下面に積層する。
【０１０３】
第１めっき層１５および第２めっき層２０は、例えば、無電解めっき、電解めっきなどのめっきにより、同時に形成する。
【０１０４】
その後、図１に示すように、金属支持基板２にスリット２１を形成するとともに、金属支持基板２を外形加工する。スリット２１の形成および金属支持基板２の外形加工には、例えば、エッチングなどが用いられる。
【０１０５】
これにより、回路付サスペンション基板１を得る。
【０１０６】
その後、図１の仮想線で示すように、得られた回路付サスペンション基板１に、磁気ヘッドが実装されたスライダ９を搭載する。また、磁気ヘッドを、ヘッド側端子６と電気的に接続する。
【０１０７】
その後、図１の仮想線で示すように、検査機器１０によって、導体パターン４の導通の検査および磁気ヘッドの動作の検査を実施する。
【０１０８】
具体的には、図４および図５の仮想線で示すように、まず、検査機器１０を、プローブ１８の先端が上側に向かうように、回路付サスペンション基板１の下に配置する。
【０１０９】
次いで、検査機器１０のプローブ１８を、第２突出部１７に下側から近接させて、第２めっき層２０の下面に接触させる。なお、プローブ１８の先端面（上面）は、第２突出部１７より小さく形成されている。
【０１１０】
検査機器１０のプローブ１８は、第２突出部１７に、第２めっき層２０を介して電気的に接続される。すなわち、プローブ１８は、導体パターン４と電気的に接続される。
【０１１１】
そして、プローブ１８から、検査信号（検査電流）が、第２めっき層２０および外部側端子７を介して、配線８およびヘッド側端子６、さらには、磁気ヘッドに伝導される。これによって、導体パターン４の導通の有無、および、磁気ヘッドの動作の正常／異常が検査される。
【０１１２】
その後、検査機器１０のプローブ１８を第２めっき層２０から離間させた後、図４および図５の仮想線で示すように、例えば、フレキシブル配線回路基板などの外部基板２５の接続端子１９と、外部側端子７とを電気的に接続する。
【０１１３】
具体的には、まず、外部基板２５を、その接続端子１９が下側に向かうように、外部側端子７の上側に対向配置し、続いて、接続端子１９を第１突出部１６に上側から近接させて、接続端子１９を外部側端子７の上面に接触させる。
【０１１４】
これにより、接続端子１９は、第１めっき層１５を介して第１突出部１６に電気的に接続される。すなわち、接続端子１９は、導体パターン４と電気的に接続される。
【０１１５】
そして、この回路付サスペンション基板１では、外部側端子７が、充填部１４と第１突出部１６と第２突出部１７とを備えているので、検査機器１０のプローブ１８を第２突出部１７に近接させれば、プローブ１８を第２突出部１７に確実に接触させることができながら、外部基板２５の接続端子１９を第１突出部１６に確実に接触させることができる。
【０１１６】
そのため、外部側端子７とプローブ１８との電気的な接続、および、外部側端子７と外部基板２５の接続端子１９との電気的な接続の両方を確実に図ることができる。
【０１１７】
その結果、導体パターン４の導通検査、さらには、磁気ヘッドの動作の検査を確実に実施しながら、導体パターン４の接続信頼性を向上させることができる。
【０１１８】
図８は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の断面図であり、図２のＡ−Ａ線に沿う断面図、図９は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の断面図であり、図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。
【０１１９】
なお、上記した各部に対応する部材については、以降の各図面において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１２０】
図４および図５の仮想線の実施形態では、検査機器１０を外部側端子７の下側に配置して、プローブ１８を第２突出部１７に接続し、その後、外部基板２５を外部側端子７の上側に配置して、接続端子１９を第１突出部１７に接続しているが、例えば、図８および図９に示すように、プローブ１８および外部基板２５の配置を上下反転させることもできる。
【０１２１】
すなわち、図８（ａ）および図９（ａ）に示すように、検査機器１０を外部側端子７の上側に配置し、続いて、プローブ１８を第１突出部１６に上側から近接させて、プローブ１８を第１めっき層１５に接触させることにより、プローブ１８を、第１めっき層１５を介して第１突出部１６と電気的に接触させる。
【０１２２】
その後、図８（ｂ）および図９（ｂ）に示すように、外部基板２５を外部側端子７の下側に配置し、続いて、接続端子１９を第２突出部１７に下側から近接させて、第２めっき層２０に接触させることにより、接続端子１９を、第２めっき層２０を介して第２突出部１７と電気的に接触させる。
【０１２３】
図８および図９に示す回路付サスペンション基板１によれば、図８（ａ）および図９（ａ）に示すように、検査機器１０のプローブ１８を第１突出部１６に近接させれば、プローブ１８を第１突出部１６に確実に接触させることができながら、図８（ｂ）および図９（ｂ）に示すように、外部基板２５の接続端子１９を第２突出部１７に確実に接触させることができる。
【０１２４】
また、上記した実施形態では、本発明の配線回路基板として、ベース絶縁層３が金属支持基板２に支持された回路付サスペンション基板１を例示したが、例えば、図示しないが、金属支持基板２が補強層として設けられたフレキシブル配線回路基板、または、金属支持基板２が設けられていないフレキシブル配線回路基板や、ＣＯＦ基板（ＴＡＢテープキャリアなどを含む）などの各種配線回路基板にも広く適用することができる。
【実施例】
【０１２５】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、それらに限定されない。
【０１２６】
実施例１
ステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる厚み２５μｍの金属支持基板を用意した（図６（ａ）参照）。
【０１２７】
次いで、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に、平面視矩形状のベース開口部が形成されるパターンで形成した（図６（ｂ）参照）。
【０１２８】
具体的には、金属支持基板の上に、感光性のポリアミド酸樹脂のワニスを塗布して、感光性のベース皮膜を形成した後、それを露光および現像して、上記したパターンとし、加熱硬化させた。
【０１２９】
各ベース開口部の長さが１５０μｍ、幅が３０μｍであり、各ベース開口部間の間隔は、３０μｍであった。また、ベース絶縁層の厚みは、２０μｍであった。
【０１３０】
次いで、支持開口部を、金属支持基板に、ベース絶縁層のベース開口部を含むように、ウェットエッチングによって、底面視矩形状に形成した（図６（ｃ）参照）。
【０１３１】
次いで、銅からなり、ヘッド側端子（図１参照）、外部側端子および配線を備える導体パターンを、アディティブ法によって形成した（図６（ｄ）参照）。
【０１３２】
具体的には、まず、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、厚み３０ｎｍのクロム薄膜、および、厚み７０ｎｍの銅薄膜からなる種膜を、ベース絶縁層および金属支持基板の表面全面に順次積層した（図７（ａ）参照）。
【０１３３】
次いで、種膜の表面に、めっきレジストを、ドライフィルムレジストから、上記した導体パターンと逆パターンで形成した（図７（ｂ）参照）。
【０１３４】
次いで、めっきレジストから露出する種膜の表面に、電解銅めっきにより、導体パターンを形成した（図７（ｃ）参照）。
【０１３５】
詳しくは、電解銅めっきでは、ベース開口部の内側面に形成される種膜の内側面から、内側に向かって銅が析出し、銅の析出部分が、ベース開口部内に充填され、これによって、充填部を形成した。
【０１３６】
これと同時に、ベース絶縁層の上面に形成される種膜の上面から、上側に向かって銅が析出し、銅の析出部分が、ヘッド側端子（図１参照）、配線および第１突出部を形成した。
【０１３７】
これとともに、ベース絶縁層の下面に形成される種膜の下面から、下側に向かって銅が析出し、銅の析出部分が、第２突出部を形成した。
【０１３８】
これにより、配線と、ヘッド側端子と、外部側端子（充填部、第１突出部および第２突出部）とを一体的に備える導体パターンを形成した。
【０１３９】
なお、第１突出部および第２突出部は、厚み方向に投影した時に、同一形状、つまり、先後方向に長い矩形状に、それぞれ形成した。
【０１４０】
第１突出部および第２突出部の長さは２００μｍ、幅が４０μｍであり、各第１突出部間の間隔および各第２突出部間の間隔は４０μｍであった。
【０１４１】
その後、めっきレジストをエッチングによって除去し、続いて、めっきレジストが積層されていた部分の種膜を、剥離によって除去した（図７（ｄ）および図６（ｄ）参照）。
【０１４２】
その後、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、配線を被覆し、ヘッド側端子および外部側端子を露出するパターンで、形成した（図６（ｅ）参照）。
【０１４３】
具体的には、金属支持基板、ベース絶縁層および導体パターンの上に、感光性のポリアミド酸樹脂のワニスを塗布して、感光性のカバー皮膜を形成した後、それを露光および現像して、上記したパターンとし、次いで、加熱硬化させた。
【０１４４】
カバー絶縁層の厚みは５μｍであった。
【０１４５】
次いで、めっき層を、外部側端子の表面に、無電解金めっきにより、積層した（図６（ｆ）参照）。
【０１４６】
詳しくは、金からなる第１めっき層を、ヘッド側端子および外部側端子の上面に積層するとともに、金からなる第２めっき層を、外部側端子の下面に積層した。
【０１４７】
第１めっき層および第２めっき層の厚みは、０．５μｍであった。
【０１４８】
その後、スリット（図１参照）を金属支持基板にエッチングにより形成するとともに、金属支持基板を外形加工することによって、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。
【０１４９】
比較例１
特開２００５−３３７８１１号公報の記載に準拠して、外部側端子を、ベース絶縁層の開口部内に落ち込むように充填した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た（図１０（ｆ）参照）。
【０１５０】
すなわち、ベース絶縁層を形成する工程を、導体パターンを形成する工程の前に、実施した。
【０１５１】
金属支持基板、ベース絶縁層、導体パターン（外部側端子を除く）およびカバー絶縁層の各層の材料、厚みおよび形成方法などは、上記した実施例１の各工程と実質的に同様である。
【０１５２】
具体的には、まず、図１０（ａ）に示すように、金属支持基板（２）を用意し、次いで、図１０（ｂ）に示すように、金属支持基板（２）の上に、ベース絶縁層（３）を、ベース開口部（１１）が形成されるパターンで形成した。
【０１５３】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、導体パターン（４）を、外部側端子（７）がベース開口部（１１）内に落ち込むように充填されるように、形成し、次いで、図１０（ｄ）に示すように、支持開口部（１２）を、金属支持基板（２）に、ベース開口部（１１）内に充填された外部側端子（７）の下面が露出するように形成した。
【０１５４】
次いで、図１０（ｅ）に示すように、カバー絶縁層（５）を、ベース絶縁層（３）の上に、ヘッド側端子（６）（図１参照）および外部側端子（７）の上面を露出するように形成した。
【０１５５】
その後、図１０（ｆ）に示すように、めっき層（２０）を、ヘッド側端子（６）および外部側端子（７）の表面に、積層した。詳しくは、第１めっき層（１５）を、ヘッド側端子（６）および外部側端子（７）の上面に積層し、第２めっき層（２０）を、外部側端子７の下面に積層した。
【０１５６】
その後、スリット（２１）（図１参照）を金属支持基板（２）に形成するとともに、金属支持基板（２）を外形加工することによって、回路付サスペンション基板（１）を得た（図１参照）。
【０１５７】
（評価）
（導通試験）
回路付サスペンション基板の導体パターンについて、導通検査を実施した。
【０１５８】
すなわち、検査機器のプローブを外部側端子に接続することにより、導体パターンの導通検査を実施した。導通検査の詳細を以下に記載する。
【０１５９】
（実施例１の評価）
Ａ． 第２突出部との接続
実施例１の回路付サスペンション基板において、外部側端子の第２突出部の表面に積層された第２めっき層に、検査機器のプローブを接触させた（図４および図５参照）。
【０１６０】
これにより、外部側端子（第２突出部）とプローブとを電気的に接続し、その後、導体パターンの導通の検査を実施できた。
Ｂ． 第１突出部との接続
別途、外部側端子の第１突出部に積層される第１めっき層に、検査機器のプローブを接触させた（図８（ａ）および図９（ａ）参照）。
【０１６１】
これにより、外部側端子（第１突出部）とプローブとを電気的に接続し、その後、導体パターンの導通の検査を実施できた。
【０１６２】
（比較例１の評価）
Ａ． 外部側端子の下面との接続
検査機器のプローブを、外部側端子の下面に積層される第２めっき層に接触させ、それにより、プローブと外部側端子とを電気的に接続し、その後、導体パターンの導通の検査を実施できた。
Ｂ． 外部側端子の上面との接続
一方、検査機器のプローブを、外部側端子の上面に積層される第１めっき層に接触させようと試みた。しかし、上記の接触が不十分であったため、プローブと外部側端子とを電気的に接続できなかった。その結果、導体パターンの導通の検査を実施できなかった。
【符号の説明】
【０１６３】
１ 回路付サスペンション基板
３ ベース絶縁層
４ 導体パターン
７ 外部側端子
８ 配線
１１ ベース開口部
１４ 充填部
１６ 第１突出部
１７ 第２突出部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法、詳しくは、導通検査に供される配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路付サスペンション基板などの配線回路基板は、導体パターンを備えており、導体パターンが、導通検査に供された後、磁気ヘッドおよび外部基板と電気的に接続される。
【０００３】
そのような回路付サスペンション基板は、金属支持基板と、その上に形成されるベース絶縁層と、その上に形成される導体パターンと、それを被覆するカバー絶縁層とを備えている。また、導体パターンは、端子と、それに接続される配線とを備えている。そのような回路付サスペンション基板では、まず、端子に導通検査の検査用プローブが接続され、その後、端子に磁気ヘッドや外部基板の接続端子が電気的に接続される。
【０００４】
具体的には、端子を、ベース絶縁層の開口部内に落ち込むように充填し、充填された端子の裏面を、支持基板から露出させるとともに、端子の表面を、カバー絶縁層から露出するフライングリードとして形成することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
特許文献１では、端子の裏面に、検査用プローブを接触させて、端子を含む導体パターンの導通検査を実施し、その後、端子の表面に制御回路基板の接続端子を接触させて、それらの電気的な接続を図っている。
【０００６】
また、特許文献１では、検査用プローブと制御回路基板との配置を上下反転させて、それらと、端子との電気的な接続を図る場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３３７８１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかるに、特許文献１の回路付サスペンション基板の端子の表面に、制御回路基板の接続端子を上側から接触させようとすると、端子がベース絶縁層の開口部内に落ち込んでいるため、制御回路基板の接続端子が端子の表面に接触しにくく、そのため、制御回路基板の接続端子と回路付サスペンション基板の端子との電気的な接続を確実に図ることができない場合がある。そうすると、導体パターンと制御回路基板との接続信頼性が低下するという不具合がある。
【０００９】
また、検査用プローブと制御回路基板との配置を上下反転させる場合において、端子の表面に、検査用プローブを上側から接触させようとすると、端子がベース絶縁層の開口部内に落ち込んでいるため、検査用プローブが端子の表面に接触しにくく、そのため、検査用プローブと回路付サスペンション基板の端子との電気的な接続を確実に図ることができない場合がある。そうすると、検査用プローブによる導通検査を確実に実施することができないという不具合がある。
【００１０】
本発明の目的は、導通検査を確実に実施することができ、接続信頼性に優れる配線回路基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、厚み方向を貫通する絶縁開口部が形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成される配線、および、前記配線に接続される端子を備える導体パターンとを備え、前記端子は、前記絶縁層の前記絶縁開口部内に充填される充填部と、前記充填部に連続し、前記充填部から厚み方向一方側に突出するように形成される第１突出部と、前記充填部に連続し、前記充填部から厚み方向他方側に突出するように形成される第２突出部とを備えていることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明の配線回路基板では、前記第１突出部が、前記配線に連続していることが好適である。
【００１３】
また、本発明の配線回路基板の製造方法は、厚み方向を貫通する絶縁開口部が形成された絶縁層を形成する工程、および、前記絶縁層の上に形成される配線、および、前記配線に接続される端子を備える導体パターンを形成する工程を備え、前記導体パターンを形成する工程において、前記端子が、前記絶縁層の前記絶縁開口部内に充填される充填部と、前記充填部に連続し、前記充填部から厚み方向一方側に突出するように形成される第１突出部と、前記充填部に連続し、前記充填部から厚み方向他方側に突出するように形成される第２突出部とを備えるように、前記導体パターンを形成することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の配線回路基板の製造方法により得られる本発明の配線回路基板では、端子が、充填部と第１突出部と第２突出部とを備えているので、検査機器のプローブを第１突出部および第２突出部のいずれか一方に近接させれば、プローブを一方に確実に接触させることができながら、接続端子を他方に確実に接触させることができる。
【００１５】
そのため、端子とプローブとの電気的な接続、および、端子と外部基板の接続端子との電気的な接続の両方を確実に図ることができる。
【００１６】
その結果、導体パターンの導通検査を確実に実施しながら、導体パターンの接続信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板の平面図を示す。
【図２】図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の拡大平面図を示す。
【図３】図３は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の拡大底面図を示す。
【図４】図４は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部における断面図であって、図２のＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。
【図５】図５は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部における断面図であって、図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。
【図６】図６は、図１に示す回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図であり、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、支持開口部を金属支持基板に形成する工程、（ｄ）は、導体パターンを形成する工程、（ｅ）は、カバー絶縁層を形成する工程、（ｆ）は、めっき層を積層する工程を示す。
【図７】図７は、図６（ｄ）の導体パターンを形成する工程を説明する工程図であり、（ａ）は、種膜を形成する工程、（ｂ）は、めっきレジストを形成する工程、（ｃ）は、導体パターンをめっきにより形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストおよびそれが積層されていた種膜を除去する工程を示す。
【図８】図８は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の断面図であり、図２のＡ−Ａ線に沿う断面図であって、（ａ）は、プローブを第１突出部に接続する工程、（ｂ）は、外部基板の接続端子を第２突出部に接続する工程を示す。
【図９】図９は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の断面図であり、図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図であって、（ａ）は、プローブを第１突出部に接続する工程、（ｂ）は、外部基板の接続端子を第２突出部に接続する工程を示す。
【図１０】図１０は、比較例１の回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図であり、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、支持開口部を金属支持基板に形成する工程、（ｅ）は、カバー絶縁層を形成する工程、（ｆ）は、めっき層を積層する工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板の平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の拡大平面図、図３は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の拡大底面図、図４は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部における断面図であって、図２のＡ−Ａ線に沿う断面図、図５は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部における断面図であって、図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図６は、図１に示す回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図、図７は、図６（ｄ）の導体パターンを形成する工程を説明する工程図を示す。
【００１９】
なお、図１および図２において、導体パターン４の相対配置を明確に示すため、カバー絶縁層５を省略している。また、図１において、導体パターン４の相対配置を明確に示すため、ベース絶縁層３を省略している。さらに、図２および図３において、外部側端子７の相対配置を明確に示すため、めっき層２２を省略している。
【００２０】
図１において、この回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッドが実装されるスライダ９（仮想線）と、外部基板２５（図４および図５の仮想線参照）とを実装して、ハードディスクドライブに搭載される。
【００２１】
回路付サスペンション基板１は、長手方向に延びる平帯状に形成されており、金属支持基板２と、それに支持される導体パターン４とを備えている。
【００２２】
金属支持基板２は、回路付サスペンション基板１の平面形状に対応する形状に形成されている。
【００２３】
金属支持基板２の先端部（長手方向一端部）には、スリット２１が厚み方向を貫通するように形成されている。スリット２１は、先後方向に互いに間隔を隔てて配置されている。
【００２４】
金属支持基板２の後端部（長手方向他端部）には、支持開口部１２が厚み方向を貫通するように形成されている。支持開口部１２は、幅方向（先後方向に直交する方向）に長い平面視略矩形状に形成されている。
【００２５】
導体パターン４は、金属支持基板２の先端部に形成されるヘッド側端子６と、金属支持基板２の後端部に形成される端子としての外部側端子７と、ヘッド側端子６と外部側端子７とを電気的に接続する配線８とを一体的に備えている。
【００２６】
ヘッド側端子６は、先後方向において、スリット２１に挟まれるように配置されている。
【００２７】
外部側端子７は、厚み方向に投影したときに、金属支持基板２の支持開口部１２に囲まれるように配置されている。
【００２８】
そして、この回路付サスペンション基板１は、図４および図５に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成される絶縁層としてのベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように形成されるカバー絶縁層５とを備えている。
【００２９】
金属支持基板２を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが挙げられる。好ましくは、ステンレスが挙げられる。
【００３０】
金属支持基板２の厚みは、例えば、１０〜５０μｍ、好ましくは、１２〜３０μｍである。
【００３１】
ベース絶縁層３は、金属支持基板２の上面において、導体パターン４に対応するパターンに形成されている。また、ベース絶縁層３には、その後端部において、厚み方向を貫通する絶縁開口部としてのベース開口部１１が、外部側端子７に対応するように形成されている。
【００３２】
ベース絶縁層３を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などが挙げられる。好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。
【００３３】
ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、３〜３３μｍである。
【００３４】
導体パターン４は、上記したヘッド側端子６（図１参照）と、外部側端子７と、配線８とを備える配線回路パターンとして形成されている。
【００３５】
ヘッド側端子６は、図１に示すように、ベース絶縁層３（図２および図５参照）の上に、幅方向に間隔を隔てて複数整列配置され、各ヘッド側端子６は、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。
【００３６】
外部側端子７は、図２に示すように、ベース絶縁層３（図４および図５参照）の上に、幅方向に間隔を隔てて複数整列配置され、各外部側端子７は、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。
【００３７】
配線８は、図１に示すように、ベース絶縁層３（図２および図５参照）の上に、ヘッド側端子６の後端部および外部側端子７の先端部に連続するように形成されている。
【００３８】
導体パターン４を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、クロム、金、はんだまたはこれらの合金などが挙げられる。好ましくは、銅が挙げられる。
【００３９】
各ヘッド側端子６の幅（幅方向長さ）は、例えば、１０〜２５０μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍであり、各ヘッド側端子６の長さ（先後方向長さ）は、例えば、１０〜２０６０μｍ、好ましくは、２０〜５６０μｍである。各ヘッド側端子６間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。
【００４０】
また、各配線８の幅は、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍである。また、各配線８間の間隔は、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍである。
【００４１】
なお、外部側端子７の寸法は、後で詳述する。
【００４２】
配線８およびヘッド側端子６の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００４３】
カバー絶縁層５は、図４および図５示すように、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面と、配線８の上面および側面（図５において図示されず）とに形成されている。また、カバー絶縁層５は、ヘッド側端子６および外部側端子７を露出するように形成されている。
【００４４】
カバー絶縁層５を形成する絶縁材料としては、ベース絶縁層を形成する絶縁材料と同様のものが挙げられる。また、カバー絶縁層５の厚みは、例えば、２〜２０μｍ、好ましくは、４〜１５μｍである。
【００４５】
次に、回路付サスペンション基板１の後端部について、図２〜図５を参照して詳述する。
【００４６】
図３に示すように、回路付サスペンション基板１の後端部では、金属支持基板２に支持開口部１２が形成されており、支持開口部１２は、厚み方向に投影したときに、ベース開口部１１を含むように、形成されている。
【００４７】
ベース開口部１１は、厚み方向に投影したときに、支持開口部１２に囲まれており、先後方向に長い平面視略矩形状に形成され、ヘッド側端子６に対応して、複数形成されている。各ベース開口部１１は、幅方向に間隔を隔てて整列配置されている。
【００４８】
ベース開口部１１の幅は、例えば、１０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜６００μｍであり、長さは、例えば、４０〜２０００μｍ、好ましくは、６０〜１０００μｍである。また、各ベース開口部１１間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。
【００４９】
外部側端子７は、厚み方向に投影したときに、支持開口部１２に含まれるように形成されている。外部側端子７は、図４および図５に示すように、ベース絶縁層３の各ベース開口部１１内に充填される充填部１４と、充填部１４に連続し、充填部１４から上側（厚み方向一方側）に突出するように形成される第１突出部１６と、充填部１４に連続し、充填部１４から下側（厚み方向他方側）に突出するように形成される第２突出部１７とを備えている。
【００５０】
充填部１４は、ベース開口部１１に対応する形状に形成されている。充填部１４の厚みは、ベース絶縁層３の厚みと同様である。
【００５１】
第１突出部１６は、充填部１４の上部から上側と、幅方向両外側と、先後方向両外側とに膨出するように形成されており、具体的には、外部側端子７の平面視形状と同一形状に形成され、詳しくは、図２に示すように、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。
【００５２】
また、図４および図５に示すように、第１突出部１６の膨出部の周端部（先後方向両端部および幅方向両端部）の下面は、ベース開口部１１の周囲のベース絶縁層３の上面に接触している。
【００５３】
また、第１突出部１６の下部の中央部は、充填部１４の上部に連続している。これにより、各第１突出部１６は、各充填部１４と電気的にそれぞれ接続されている。
【００５４】
また、第１突出部１６の後側面と、幅方向両側面と、上面の周端部は、カバー絶縁層５に被覆されている。
【００５５】
一方、第１突出部１６の先端部には、配線８の後端部が連続しており、これにより、第１突出部１６は、配線８と電気的に接続されている。
【００５６】
また、図５に示すように、第１突出部１６の上面は、配線８の上面と、先後方向において、面一に形成されている。
【００５７】
また、外部側端子７において、配線８の厚みに相当する部分が、第１突出部１６とされている。
【００５８】
また、第１突出部１６の上面の中央部は、カバー絶縁層５から露出している。
【００５９】
各第１突出部１６の幅は、例えば、１０〜２５０μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍであり、各第１突出部１６の長さは、例えば、１０〜２０６０μｍ、好ましくは、２０〜５６０μｍである。各第１突出部１６間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。また、第１突出部１６の厚みは、配線８およびヘッド側端子６の厚みと同様である。
【００６０】
第２突出部１７は、充填部１４の下部から下側と、幅方向両外側と、先後方向両外側とに膨出するように形成されており、具体的には、厚み方向に投影したときに、第１突出部１７と同一形状で形成されている。すなわち、第２突出部１７は、ヘッド側端子６の底面視形状と同一形状に形成されており、詳しくは、図３に示すように、先後方向に長い底面視略矩形状に形成されている。
【００６１】
また、図４および図５に示すように、第２突出部１７の膨出部の周端部（先後方向両端部および幅方向両端部）の上面は、ベース絶縁層３の下面に接触している。
【００６２】
また、第２突出部１７の上部の中央部は、充填部１４の下面に連続している。これにより、各第２突出部１７は、各充填部１４と電気的にそれぞれ接続されている。
【００６３】
従って、各第２突出部１７は、各充填部１４を介して、各第１突出部１６と電気的にそれぞれ接続される。
【００６４】
また、第２突出部１７は、金属支持基板２の支持開口部１２の内側に間隔を隔てて配置されている。これにより、第２突出部１７は、支持開口部１２の周囲（外側）の金属支持基板２から電気的に絶縁されている。
【００６５】
各第２突出部１７の幅、長さおよび厚みは、各第１突出部１６の幅、長さおよび厚みと同様であり、また、各第２突出部１７間の間隔は、各第１突出部１６間の間隔と同様である。
【００６６】
また、この回路付サスペンション基板１には、外部側端子７の表面に、めっき層２２が積層されている。
【００６７】
めっき層２２は、外部側端子７の上面に形成される第１めっき層１５と、外部側端子７の下面に形成される第２めっき層２０とを備えている。
【００６８】
第１めっき層１５は、カバー絶縁層５から露出する第１突出部１６の上面（表面）の中央部に積層されている。
【００６９】
第１めっき層１５を形成する金属としては、例えば、金、ニッケル、クロム、および、それらの合金などの導電材料が挙げられる。好ましくは、金が挙げられる。これら金属は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００７０】
第１めっき層１５の厚みは、例えば、０．０１〜１０μｍ、好ましくは、０．１〜１μｍである。
【００７１】
なお、第１めっき層１５は、図４および図５において図示されないが、ヘッド側端子６（図１参照）の表面（上面）にも積層されている。
【００７２】
第２めっき層２０は、第２突出部１７の下面（表面）に積層されている。
【００７３】
第２めっき層２０を形成する金属は、第１めっき層１５を形成する金属と同様である。第２めっき層２０の厚みは、第１めっき層１５の厚みと同様である。
【００７４】
次に、回路付サスペンション基板１の製造方法について、図６および図７を参照して説明する。
【００７５】
まず、この方法では、図６（ａ）に示すように、板状の金属支持基板２を用意する。
【００７６】
次いで、この方法では、図６（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上に、ベース開口部１１が形成されるように、形成する。
【００７７】
ベース絶縁層３を上記したパターンで形成するには、例えば、金属支持基板２の上に、感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布して、感光性のベース皮膜を形成した後、それを露光および現像して、上記したパターンとし、次いで、必要に応じて、加熱硬化させる。
【００７８】
次いで、この方法では、図６（ｃ）に示すように、支持開口部１２を金属支持基板２に形成する。支持開口部１２は、底面視において、ベース絶縁層３のベース開口部１１を含むように、形成する。
【００７９】
具体的には、支持開口部１２を形成するには、例えば、ウェットエッチング（例えば、化学エッチングなど）、ドライエッチング（例えば、レーザ加工など）などのエッチング、例えば、ドリル穿孔などの機械加工などが用いられる。好ましくは、エッチングが用いられる。
【００８０】
次いで、この方法では、図６（ｄ）に示すように、導体パターン４を、上記したヘッド側端子６（図１参照）、外部側端子７および配線８に対応するパターンで形成する。
【００８１】
導体パターン４を形成するには、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。好ましくは、アディティブ法が用いられる。
【００８２】
アディティブ法では、図７（ａ）に示すように、まず、種膜２４を、ベース絶縁層３の表面全面に形成する。
【００８３】
詳しくは、種膜２４を、ベース絶縁層３の上面全面と、ベース絶縁層３のベース開口部１１の内側面と、金属支持基板２の支持開口部１２から露出するベース絶縁層３の下面とに形成する。
【００８４】
種膜２４をベース絶縁層３の表面全面に形成するには、例えば、スパッタリングなどの物理蒸着法などの薄膜形成法が用いられる。
【００８５】
具体的には、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを、ベース絶縁層３および金属支持基板２の表面全面に順次積層する。
【００８６】
なお、種膜２４は、上記した薄膜形成法によって形成される場合には、金属支持基板２の表面全面（具体的には、金属支持基板２の下面と、金属支持基板２の支持開口部１２の内側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面と）にも形成される。
【００８７】
種膜２４の厚みは、例えば、１０〜２００ｎｍ、好ましくは、２０〜１００ｎｍである。
【００８８】
次いで、アディティブ法では、図７（ｂ）に示すように、種膜２４の表面に、めっきレジスト１３を、導体パターン４と逆パターンで形成する。
【００８９】
すなわち、めっきレジスト１３を、ベース絶縁層３の上に形成される種膜２４の上面と、金属支持基板２およびベース絶縁層３の下に形成される種膜２４の下面とに、ドライフィルムレジストから上記したパターンで形成する。
【００９０】
次いで、アディティブ法では、図７（ｃ）に示すように、めっきレジスト１３から露出する種膜２４の表面に、例えば、電解めっき、無電解めっきなどのめっきにより、導体パターン４を形成する。
【００９１】
このめっきでは、ベース開口部１１の内側面に形成される種膜２４の表面（内側面）から、内側に向かって導体材料が析出し、この析出部分が、ベース開口部１１内に充填され、これによって、充填部１４を形成する。
【００９２】
これと同時に、ベース絶縁層３の上面に形成される種膜２４の上面（表面）から、上側に向かって導体材料が析出し、この析出部分が、ヘッド側端子６（図１参照）、配線８および第１突出部１６を形成する。
【００９３】
これとともに、金属支持基板２の支持開口部１２内において、ベース絶縁層３の下面に形成される種膜２４の下面（表面）から、下側に向かって導体材料が析出し、この析出部分が、第２突出部１７を形成する。
【００９４】
これによって、導体パターン４を形成する。
【００９５】
その後、アディティブ法では、図７（ｄ）に示すように、めっきレジスト１３およびそのめっきレジスト１３が積層されていた部分の種膜２４を、例えば、エッチング、剥離などによって順次除去する。
【００９６】
なお、図６（ｄ）では、導体パターン４がアディティブ法によって形成される場合に形成される種膜２４を省略している。
【００９７】
次いで、この方法では、図６（ｅ）に示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に、配線８を被覆し、ヘッド側端子６および外部側端子７を露出するパターンで形成する。
【００９８】
また、カバー絶縁層５は、外部側端子７の第１突出部１６の上面の周端部を被覆し、第１突出部１６の上面の中央部を露出するパターンに形成する。
【００９９】
カバー絶縁層５を形成するには、例えば、金属支持基板２、ベース絶縁層３および導体パターン４の上に、感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布して、感光性のカバー皮膜を形成した後、それを露光および現像して、上記したパターンとし、次いで、必要に応じて、加熱硬化させる。
【０１００】
次いで、この方法では、図６（ｆ）に示すように、めっき層２２を、ヘッド側端子６（図１参照）および外部側端子７の表面に積層する。
【０１０１】
具体的には、第１めっき層１５を、ヘッド側端子６（図１参照）および外部側端子７の上面に積層するとともに、第２めっき層２０を、外部側端子７の下面に積層する。
【０１０２】
詳しくは、外部側端子７において、第１めっき層１５を、カバー絶縁層５から露出する第１突出部１６の上面の中央部に積層するとともに、第２めっき層２０を、第２突出部１７の下面に積層する。
【０１０３】
第１めっき層１５および第２めっき層２０は、例えば、無電解めっき、電解めっきなどのめっきにより、同時に形成する。
【０１０４】
その後、図１に示すように、金属支持基板２にスリット２１を形成するとともに、金属支持基板２を外形加工する。スリット２１の形成および金属支持基板２の外形加工には、例えば、エッチングなどが用いられる。
【０１０５】
これにより、回路付サスペンション基板１を得る。
【０１０６】
その後、図１の仮想線で示すように、得られた回路付サスペンション基板１に、磁気ヘッドが実装されたスライダ９を搭載する。また、磁気ヘッドを、ヘッド側端子６と電気的に接続する。
【０１０７】
その後、図１の仮想線で示すように、検査機器１０によって、導体パターン４の導通の検査および磁気ヘッドの動作の検査を実施する。
【０１０８】
具体的には、図４および図５の仮想線で示すように、まず、検査機器１０を、プローブ１８の先端が上側に向かうように、回路付サスペンション基板１の下に配置する。
【０１０９】
次いで、検査機器１０のプローブ１８を、第２突出部１７に下側から近接させて、第２めっき層２０の下面に接触させる。なお、プローブ１８の先端面（上面）は、第２突出部１７より小さく形成されている。
【０１１０】
検査機器１０のプローブ１８は、第２突出部１７に、第２めっき層２０を介して電気的に接続される。すなわち、プローブ１８は、導体パターン４と電気的に接続される。
【０１１１】
そして、プローブ１８から、検査信号（検査電流）が、第２めっき層２０および外部側端子７を介して、配線８およびヘッド側端子６、さらには、磁気ヘッドに伝導される。これによって、導体パターン４の導通の有無、および、磁気ヘッドの動作の正常／異常が検査される。
【０１１２】
その後、検査機器１０のプローブ１８を第２めっき層２０から離間させた後、図４および図５の仮想線で示すように、例えば、フレキシブル配線回路基板などの外部基板２５の接続端子１９と、外部側端子７とを電気的に接続する。
【０１１３】
具体的には、まず、外部基板２５を、その接続端子１９が下側に向かうように、外部側端子７の上側に対向配置し、続いて、接続端子１９を第１突出部１６に上側から近接させて、接続端子１９を外部側端子７の上面に接触させる。
【０１１４】
これにより、接続端子１９は、第１めっき層１５を介して第１突出部１６に電気的に接続される。すなわち、接続端子１９は、導体パターン４と電気的に接続される。
【０１１５】
そして、この回路付サスペンション基板１では、外部側端子７が、充填部１４と第１突出部１６と第２突出部１７とを備えているので、検査機器１０のプローブ１８を第２突出部１７に近接させれば、プローブ１８を第２突出部１７に確実に接触させることができながら、外部基板２５の接続端子１９を第１突出部１６に確実に接触させることができる。
【０１１６】
そのため、外部側端子７とプローブ１８との電気的な接続、および、外部側端子７と外部基板２５の接続端子１９との電気的な接続の両方を確実に図ることができる。
【０１１７】
その結果、導体パターン４の導通検査、さらには、磁気ヘッドの動作の検査を確実に実施しながら、導体パターン４の接続信頼性を向上させることができる。
【０１１８】
図８は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の断面図であり、図２のＡ−Ａ線に沿う断面図、図９は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の断面図であり、図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。
【０１１９】
なお、上記した各部に対応する部材については、以降の各図面において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１２０】
図４および図５の仮想線の実施形態では、検査機器１０を外部側端子７の下側に配置して、プローブ１８を第２突出部１７に接続し、その後、外部基板２５を外部側端子７の上側に配置して、接続端子１９を第１突出部１７に接続しているが、例えば、図８および図９に示すように、プローブ１８および外部基板２５の配置を上下反転させることもできる。
【０１２１】
すなわち、図８（ａ）および図９（ａ）に示すように、検査機器１０を外部側端子７の上側に配置し、続いて、プローブ１８を第１突出部１６に上側から近接させて、プローブ１８を第１めっき層１５に接触させることにより、プローブ１８を、第１めっき層１５を介して第１突出部１６と電気的に接触させる。
【０１２２】
その後、図８（ｂ）および図９（ｂ）に示すように、外部基板２５を外部側端子７の下側に配置し、続いて、接続端子１９を第２突出部１７に下側から近接させて、第２めっき層２０に接触させることにより、接続端子１９を、第２めっき層２０を介して第２突出部１７と電気的に接触させる。
【０１２３】
図８および図９に示す回路付サスペンション基板１によれば、図８（ａ）および図９（ａ）に示すように、検査機器１０のプローブ１８を第１突出部１６に近接させれば、プローブ１８を第１突出部１６に確実に接触させることができながら、図８（ｂ）および図９（ｂ）に示すように、外部基板２５の接続端子１９を第２突出部１７に確実に接触させることができる。
【０１２４】
また、上記した実施形態では、本発明の配線回路基板として、ベース絶縁層３が金属支持基板２に支持された回路付サスペンション基板１を例示したが、例えば、図示しないが、金属支持基板２が補強層として設けられたフレキシブル配線回路基板、または、金属支持基板２が設けられていないフレキシブル配線回路基板や、ＣＯＦ基板（ＴＡＢテープキャリアなどを含む）などの各種配線回路基板にも広く適用することができる。
【実施例】
【０１２５】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、それらに限定されない。
【０１２６】
実施例１
ステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる厚み２５μｍの金属支持基板を用意した（図６（ａ）参照）。
【０１２７】
次いで、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に、平面視矩形状のベース開口部が形成されるパターンで形成した（図６（ｂ）参照）。
【０１２８】
具体的には、金属支持基板の上に、感光性のポリアミド酸樹脂のワニスを塗布して、感光性のベース皮膜を形成した後、それを露光および現像して、上記したパターンとし、加熱硬化させた。
【０１２９】
各ベース開口部の長さが１５０μｍ、幅が３０μｍであり、各ベース開口部間の間隔は、３０μｍであった。また、ベース絶縁層の厚みは、２０μｍであった。
【０１３０】
次いで、支持開口部を、金属支持基板に、ベース絶縁層のベース開口部を含むように、ウェットエッチングによって、底面視矩形状に形成した（図６（ｃ）参照）。
【０１３１】
次いで、銅からなり、ヘッド側端子（図１参照）、外部側端子および配線を備える導体パターンを、アディティブ法によって形成した（図６（ｄ）参照）。
【０１３２】
具体的には、まず、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、厚み３０ｎｍのクロム薄膜、および、厚み７０ｎｍの銅薄膜からなる種膜を、ベース絶縁層および金属支持基板の表面全面に順次積層した（図７（ａ）参照）。
【０１３３】
次いで、種膜の表面に、めっきレジストを、ドライフィルムレジストから、上記した導体パターンと逆パターンで形成した（図７（ｂ）参照）。
【０１３４】
次いで、めっきレジストから露出する種膜の表面に、電解銅めっきにより、導体パターンを形成した（図７（ｃ）参照）。
【０１３５】
詳しくは、電解銅めっきでは、ベース開口部の内側面に形成される種膜の内側面から、内側に向かって銅が析出し、銅の析出部分が、ベース開口部内に充填され、これによって、充填部を形成した。
【０１３６】
これと同時に、ベース絶縁層の上面に形成される種膜の上面から、上側に向かって銅が析出し、銅の析出部分が、ヘッド側端子（図１参照）、配線および第１突出部を形成した。
【０１３７】
これとともに、ベース絶縁層の下面に形成される種膜の下面から、下側に向かって銅が析出し、銅の析出部分が、第２突出部を形成した。
【０１３８】
これにより、配線と、ヘッド側端子と、外部側端子（充填部、第１突出部および第２突出部）とを一体的に備える導体パターンを形成した。
【０１３９】
なお、第１突出部および第２突出部は、厚み方向に投影した時に、同一形状、つまり、先後方向に長い矩形状に、それぞれ形成した。
【０１４０】
第１突出部および第２突出部の長さは２００μｍ、幅が４０μｍであり、各第１突出部間の間隔および各第２突出部間の間隔は４０μｍであった。
【０１４１】
その後、めっきレジストをエッチングによって除去し、続いて、めっきレジストが積層されていた部分の種膜を、剥離によって除去した（図７（ｄ）および図６（ｄ）参照）。
【０１４２】
その後、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、配線を被覆し、ヘッド側端子および外部側端子を露出するパターンで、形成した（図６（ｅ）参照）。
【０１４３】
具体的には、金属支持基板、ベース絶縁層および導体パターンの上に、感光性のポリアミド酸樹脂のワニスを塗布して、感光性のカバー皮膜を形成した後、それを露光および現像して、上記したパターンとし、次いで、加熱硬化させた。
【０１４４】
カバー絶縁層の厚みは５μｍであった。
【０１４５】
次いで、めっき層を、外部側端子の表面に、無電解金めっきにより、積層した（図６（ｆ）参照）。
【０１４６】
詳しくは、金からなる第１めっき層を、ヘッド側端子および外部側端子の上面に積層するとともに、金からなる第２めっき層を、外部側端子の下面に積層した。
【０１４７】
第１めっき層および第２めっき層の厚みは、０．５μｍであった。
【０１４８】
その後、スリット（図１参照）を金属支持基板にエッチングにより形成するとともに、金属支持基板を外形加工することによって、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。
【０１４９】
比較例１
特開２００５−３３７８１１号公報の記載に準拠して、外部側端子を、ベース絶縁層の開口部内に落ち込むように充填した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た（図１０（ｆ）参照）。
【０１５０】
すなわち、ベース絶縁層を形成する工程を、導体パターンを形成する工程の前に、実施した。
【０１５１】
金属支持基板、ベース絶縁層、導体パターン（外部側端子を除く）およびカバー絶縁層の各層の材料、厚みおよび形成方法などは、上記した実施例１の各工程と実質的に同様である。
【０１５２】
具体的には、まず、図１０（ａ）に示すように、金属支持基板（２）を用意し、次いで、図１０（ｂ）に示すように、金属支持基板（２）の上に、ベース絶縁層（３）を、ベース開口部（１１）が形成されるパターンで形成した。
【０１５３】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、導体パターン（４）を、外部側端子（７）がベース開口部（１１）内に落ち込むように充填されるように、形成し、次いで、図１０（ｄ）に示すように、支持開口部（１２）を、金属支持基板（２）に、ベース開口部（１１）内に充填された外部側端子（７）の下面が露出するように形成した。
【０１５４】
次いで、図１０（ｅ）に示すように、カバー絶縁層（５）を、ベース絶縁層（３）の上に、ヘッド側端子（６）（図１参照）および外部側端子（７）の上面を露出するように形成した。
【０１５５】
その後、図１０（ｆ）に示すように、めっき層（２０）を、ヘッド側端子（６）および外部側端子（７）の表面に、積層した。詳しくは、第１めっき層（１５）を、ヘッド側端子（６）および外部側端子（７）の上面に積層し、第２めっき層（２０）を、外部側端子７の下面に積層した。
【０１５６】
その後、スリット（２１）（図１参照）を金属支持基板（２）に形成するとともに、金属支持基板（２）を外形加工することによって、回路付サスペンション基板（１）を得た（図１参照）。
【０１５７】
（評価）
（導通試験）
回路付サスペンション基板の導体パターンについて、導通検査を実施した。
【０１５８】
すなわち、検査機器のプローブを外部側端子に接続することにより、導体パターンの導通検査を実施した。導通検査の詳細を以下に記載する。
【０１５９】
（実施例１の評価）
Ａ． 第２突出部との接続
実施例１の回路付サスペンション基板において、外部側端子の第２突出部の表面に積層された第２めっき層に、検査機器のプローブを接触させた（図４および図５参照）。
【０１６０】
これにより、外部側端子（第２突出部）とプローブとを電気的に接続し、その後、導体パターンの導通の検査を実施できた。
Ｂ． 第１突出部との接続
別途、外部側端子の第１突出部に積層される第１めっき層に、検査機器のプローブを接触させた（図８（ａ）および図９（ａ）参照）。
【０１６１】
これにより、外部側端子（第１突出部）とプローブとを電気的に接続し、その後、導体パターンの導通の検査を実施できた。
【０１６２】
（比較例１の評価）
Ａ． 外部側端子の下面との接続
検査機器のプローブを、外部側端子の下面に積層される第２めっき層に接触させ、それにより、プローブと外部側端子とを電気的に接続し、その後、導体パターンの導通の検査を実施できた。
Ｂ． 外部側端子の上面との接続
一方、検査機器のプローブを、外部側端子の上面に積層される第１めっき層に接触させようと試みた。しかし、上記の接触が不十分であったため、プローブと外部側端子とを電気的に接続できなかった。その結果、導体パターンの導通の検査を実施できなかった。
【符号の説明】
【０１６３】
１ 回路付サスペンション基板
３ ベース絶縁層
４ 導体パターン
７ 外部側端子
８ 配線
１１ ベース開口部
１４ 充填部
１６ 第１突出部
１７ 第２突出部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向を貫通する絶縁開口部が形成された絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成される配線、および、前記配線に接続される端子を備える導体パターンと
を備え、
前記端子は、
前記絶縁層の前記絶縁開口部内に充填される充填部と、
前記充填部に連続し、前記充填部から厚み方向一方側に突出するように形成される第１突出部と、
前記充填部に連続し、前記充填部から厚み方向他方側に突出するように形成される第２突出部と
を備えていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記第１突出部が、前記配線に連続していることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
厚み方向を貫通する絶縁開口部が形成された絶縁層を形成する工程、および、
前記絶縁層の上に形成される配線、および、前記配線に接続される端子を備える導体パターンを形成する工程
を備え、
前記導体パターンを形成する工程において、
前記端子が、
前記絶縁層の前記絶縁開口部内に充填される充填部と、
前記充填部に連続し、前記充填部から厚み方向一方側に突出するように形成される第１突出部と、
前記充填部に連続し、前記充填部から厚み方向他方側に突出するように形成される第２突出部と
を備えるように、前記導体パターンを形成することを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項１】
厚み方向を貫通する絶縁開口部が形成された絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成される配線、および、前記配線に接続される端子を備える導体パターンと
を備え、
前記端子は、
前記絶縁層の前記絶縁開口部内に充填される充填部と、
前記充填部に連続し、前記充填部から厚み方向一方側に突出するように形成される第１突出部と、
前記充填部に連続し、前記充填部から厚み方向他方側に突出するように形成される第２突出部と
を備えていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記第１突出部が、前記配線に連続していることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
厚み方向を貫通する絶縁開口部が形成された絶縁層を形成する工程、および、
前記絶縁層の上に形成される配線、および、前記配線に接続される端子を備える導体パターンを形成する工程
を備え、
前記導体パターンを形成する工程において、
前記端子が、
前記絶縁層の前記絶縁開口部内に充填される充填部と、
前記充填部に連続し、前記充填部から厚み方向一方側に突出するように形成される第１突出部と、
前記充填部に連続し、前記充填部から厚み方向他方側に突出するように形成される第２突出部と
を備えるように、前記導体パターンを形成することを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−１７４８４０（Ｐ２０１２−１７４８４０Ａ）
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−３４４４６（Ｐ２０１１−３４４４６）
【出願日】平成２３年２月２１日（２０１１．２．２１）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月２１日（２０１１．２．２１）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
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