配線基板の製造方法及び配線基板
【課題】導電パターンを有する配線基板の製造方法及び配線基板に関し、薄型化及びアライメントの精度向上を図る。
【解決手段】樹脂層と、その一面側が樹脂層から露出する導電パターン３０３，３０４とを備えた配線基板であって、樹脂層の一面側と導電パターン３０４の露出面は支持部材３０１の粗化面３０１Ｂが転写されることにより粗化面とされており、導電パターン３０３の露出面は平滑化された支持部材３０１の非粗化面３０１Ａが転写されることにより非粗化面とする。
【解決手段】樹脂層と、その一面側が樹脂層から露出する導電パターン３０３，３０４とを備えた配線基板であって、樹脂層の一面側と導電パターン３０４の露出面は支持部材３０１の粗化面３０１Ｂが転写されることにより粗化面とされており、導電パターン３０３の露出面は平滑化された支持部材３０１の非粗化面３０１Ａが転写されることにより非粗化面とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板の製造方法及び配線基板に係り、特に電極パッドとアライメントマークを有する配線基板の製造方法及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体チップなどの実装部品を実装するための配線基板（電子部品）は、様々な形状・構造のものが提案されている。近年は、半導体チップの薄型化・小型化に伴い、半導体チップが実装される配線基板も薄型化・小型化の要求が著しくなっている。
【０００３】
例えば、上記の配線基板を薄型化して形成する方法としては、いわゆるビルドアップ法が知られている。ビルドアップ法とは、例えばエポキシ系の樹脂材料よりなるビルドアップ層（ビルドアップ樹脂）をコア基板上に積層することで、配線の層間絶縁層を形成し、配線基板を製造する方法である。
【０００４】
例えば、上記のコア基板は、プリプレグ材料などよりなり、配線基板の製造工程において、硬化される前の柔らかいビルドアップ層を支持し、また、ビルドアップ層の硬化に伴う反りを抑制する。しかし、上記のビルドアップ法において、さらに配線基板を薄型化しようとすると、配線基板のベースとなるコア基板の厚さが問題となる。
【０００５】
そこで、ビルドアップ法においてさらに配線基板を薄型化するために、配線基板（ビルドアップ層）を支持する支持板上にビルドアップ法にて配線基板を形成した後、当該支持板を除去する方法が提案されていた（例えば特許文献１，２参照）。
【０００６】
しかし、例えば金属材料よりなる支持板と、樹脂材料よりなるビルドアップ層との密着力は強くなく、何らかの密着力向上のための対策が必要である。その一例として、金属の表面を粗化して樹脂との密着力を向上させる方法が検討されている。
【特許文献１】特開２００５−００５７４２号公報
【特許文献２】特開２００６−１８６３２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、支持板を粗化処理すると、粗化処理された表面状態がそのまま配線基板の表面に転写されてしまう。例えば、配線基板側の支持板に接する表面に、アライメント（位置決め）に用いられるアライメントマークが形成されていると、アライメントマークの表面が粗化されてしまう。従って、配線基板の位置決めにおいてアライメントマークの認識が困難となり、加工精度の信頼性が低下してしまう懸念が生じていた。
【０００８】
そこで、本発明では、上記の問題を解決した新規で有用な配線基板の製造方法を提供することを統括的課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題は、本発明の第１の観点からは、支持板の表面を粗化する第１の工程と、該支持板の表面にマスクパターンを形成し、該マスクパターンから露出する該支持板の表面を平滑化する第２の工程と、前記支持板に接するように、該支持板上に複数の導電パターンを形成する工程を含む第３の工程と、前記複数の導電パターンを覆うとともに、前記支持板に接するように樹脂層を形成する第４の工程と、前記複数の導電パターンのうちの少なくとも一部に接続される別の導電パターンを形成する第５の工程と、前記支持板を除去する第６の工程とを有し、前記複数の導電パターンのうちの少なくとも一部は、平滑化された前記支持板表面に形成されることにより平滑面とされることを特徴とする配線基板の製造方法により解決することができる。
【００１０】
また上記の課題は、本発明の第２の観点からは、樹脂層と、その一面側が前記樹脂層から露出する導電パターンとを備えた配線基板であって、前記樹脂層の一面側と前記導電パターンの一部の露出面は、支持部材の粗化面が転写されることにより粗化面とされており、前記導電パターンの他の露出面は平滑化された前記支持部材の非粗化面が転写されることにより非粗化面とされてなる配線基板により解決することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、薄型化が可能となるとともにアライメントの精度が良好となる配線基板の製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
まず、従来の配線基板（電子部品）の製造方法の概略を図１に示す。図１を参照するに、従来は、例えばＣｕなどの金属材料よりなる支持板１１上に、アライメントマーク（導電パターン）１３と樹脂層１２を形成した後、支持板１１をエッチングするなどして除去して配線基板を形成していた。このため、支持板によって配線基板を製造する工程における樹脂層の反りなどを抑制しながら、製造される配線基板を薄型化することが可能となる。なお、本図では、電極パッドや配線構造などの構造体は図示を省略している。
【００１３】
しかし、上記の製造方法においては、例えば金属材料よりなる支持板１１と、樹脂層１２の密着性を良好とするために、支持板１１の表面を粗化処理して表面粗さを大きくする場合があった。この場合、支持板１１上の表面粗さが樹脂層１２やアライメントマーク１３など、配線基板側に転写されることになる。
【００１４】
例えば、アライメントマーク１３の表面が粗化されて、表面粗さが大きい状態となると、アライメントマーク１３の認識が困難となる問題が生じてしまう。例えば、支持板１１を除去した後に、電極パッド（本図では図示省略）上に半田な どの接続部が形成される場合には、アライメントマークの認識が困難となると、配線基板の加工精度に問題が生じてしまう。
【００１５】
そこで、本発明では、以下に説明するように、支持板の、アライメントマークが接する領域と、樹脂層が接する領域の表面粗さが異なるようにしている。このため、樹脂層と支持板の密着力を確保しつつ、かつ、アライメントマークの表面粗さを小さくしてアライメントマークの認識が容易となるようにしていることが特徴である。
【００１６】
図２は、本発明による配線基板（電子部品）の製造方法の概略を示した図である。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。図２を参照するに、本図に示す場合、例えばＣｕよりなる支持板１１の、配線基板に接する表面に、それぞれ表面粗さが異なる第１の領域（非粗化面）１１Ａと第２の領域（粗化面）１１Ｂが形成されていることが特徴である。
【００１７】
例えば、第１の領域１１Ａは、通常の一般的な金属板（Ｃｕ板）の表面仕上げ程度の表面粗さ（Ｒａ）であり、第２の領域１１Ｂに比べて表面粗さが小さく、表面粗さを示すＲａは１００ｎｍ以下である。一方で、第２の領域１１Ｂは、粗化処理されて形成されており、第１の領域１００Ａに比べて表面粗さが大きく、表面粗さを示すＲａは、２００ｎｍ〜６００ｎｍ程度である。
【００１８】
このため、平滑な第１の領域１１Ａの表面状態がアライメントマーク（導電パターン）１３にそのまま転写されることになり、アライメントマーク１３の表面粗さは小さくなる。従って、支持板１１を除去した後のアライメントマークの認識が容易となり、アライメントの精度が良好となる効果を奏する。
【００１９】
また、表面粗さが大きい、いわゆる粗化面である第２の領域１１Ｂと、第２の領域１１Ｂに接する樹脂層１２との密着性が良好となり、配線基板の製造工程における樹脂層１２の剥がれを抑制することができる。
【００２０】
また、上記の図２では、図示を省略しているが、アライメントマークと同一平面上には、電極パッド（導電パターン）が形成され、当該電極パッドに接続されるビアプラグやパターン配線などの導電パターンが形成された後、支持板１１がエッチングにより除去される。また、アライメントマークと電極パッドは兼用してもよく、電極パッドを用いてアライメントを行ってもよい。
【００２１】
このようにして、薄型化が容易であって、かつ、アライメントの精度が良好である配線基板（電子部品）を製造することができる。
【００２２】
また、支持板１１に、表面粗さが異なる複数の領域を形成する場合には、例えば、１）支持板表面にアライメントマークまたは電極パッドなどの導電パターンを形成した後、当該導電パターンをマスクにして支持板表面を粗化処理する方法（第１の方法）と、支持板表面の全体を粗化処理した後、当該表面を覆うマスクパターンを形成し、当該マスクパターンから露出する粗化処理した面を、平滑化処理する方法（第２の方法）がある。
【００２３】
次に、上記の第１の方法と第２の方法による配線基板の製造方法のさらに具体的な例について、以下の実施例１，実施例２において順に説明する。
【実施例１】
【００２４】
図３Ａ〜図３Ｉは、本発明の実施例１による配線基板（電子部品）の製造方法を、手順を追って説明する図である。ただし、以下の図中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある（以下の実施例、図について同じ）。
【００２５】
まず、図３Ａに示す工程において、例えば電解メッキ法により形成されるＣｕ箔よりなる支持板１０１上に、レジストを用いたフォトリソグラフィ法により、開口部１０２Ａ、１０２Ｂを有するマスクパターン１０２を形成する。なお、支持板１０１Ａの表面は、一般的な金属板の表面状態とされており、Ｒａが１００ｎｍ以下の非粗化面（第１の領域）１０１Ａとされている。上記の支持板は、金属箔（Ｃｕ箔）に限定されず、例えば、通常の金属板より構成してもよい。
【００２６】
次に、図３Ｂに示す工程において、開口部１０２Ａ、１０２Ｂから露出する支持板１０１の表面（第１の領域１０１Ａ）に接するように、アライメントマーク（導電パターン）１０３、電極パッド（導電パターン）１０４をそれぞれ形成する。すなわち、上記のアライメントマーク１０３と電極パッド１０４は、支持板１０１上の、表面粗さが小さい第１の領域（非粗化面）１０１Ａに形成される。
【００２７】
また、例えばアライメントマーク１０３と電極パッド１０４は、同一平面上に形成され、また、同様の工程、方法によって形成される。例えば、アライメントマーク１０３，電極パッド１０４は、導電材料よりなる支持板１０１を給電経路（電極）として、電解メッキ法により、形成される。また、アライメントマーク１０３や電極パッド１０４などの導電パターンは、例えば、Ａｕ層とＮｉ層の積層構造（Ａｕ層が支持板１０１側）で構成されるが、これに限定されず、例えばＡｕ層とＮｉ層とＣｕ層（Ａｕ層が支持板１０１側）や、またはＡｕ層とＣｕ層の積層構造（Ａｕ層が支持板１０１側）で構成するなど、様々な構造で構成することができる。
【００２８】
次に、図３Ｃに示す工程において、支持板１０１上のマスクパターン１０２を除去する。ここで、マスクパターン１０２を除去した後に、例えば、蟻酸などの有機酸を含む薬液によるウェット処理を行い、支持板１０１の表面を粗化して、第１の領域１０１Ａのうち、アライメントマーク１０３と電極パッド１０４（導電パターン）により覆われていない領域を粗化面（第２の領域）１０１Ｂとする。すなわち、アライメントマーク１０３と電極パッド１０４とよりなる導電パターンをマスクにしたウェット処理により、支持板１０１の表面（第２の領域）１０１Ｂを粗化する。この場合、第２の領域１０１Ｂの表面粗さＲａは、２００ｎｍ〜６００ｎｍ（例えば４００ｎｍ）とされることが好ましい。
【００２９】
次に、図３Ｄに示す工程において、アライメントマーク１０３と電極パッド１０４を覆うとともに、支持板１０１の粗化面（第２の領域）１０１Ｂに接するように、例えばエポキシ系の樹脂材料を主成分とする樹脂層（ビルドアップ層）１０５を形成する。さらに、樹脂層１０５に、例えばレーザにより、電極パッド１０４に到達するビアホール１０５Ａを形成する。
【００３０】
次に、図３Ｅに示す工程において、まず、Ｃｕの無電解メッキ法によって、樹脂層１０５の表面にシード層（図示せず）を形成した後、当該シード層上にレジストパターン（図示せず）を形成する。さらに、上記のシード層を給電経路とするＣｕの電解メッキ法により、ビアホールを埋設するビアプラグと当該ビアプラグに接続されるパターン配線よりなる導電パターン（別の導電パターン）１０６を形成する。導電パターン１０６の形成後にレジストパターンを剥離し、レジストパターンの剥離によって露出したシード層をエッチングにより除去する。
【００３１】
次に、図３Ｆに示す工程において、図３Ｄ〜図３Ｅで先に説明した工程を繰り返して、樹脂層１０５上に、樹脂層１０５に相当する樹脂層１０７，１０９を順に積層し、導電パターン１０６に相当する導電パターン１０８，１１０を形成する。
【００３２】
さらに、樹脂層１０９上に、導電パターン１１０の一部が露出する開口部１１１Ａを有する、ソルダーレジストよりなる絶縁層１１１を形成する。
【００３３】
次に、図３Ｇに示す工程において、Ｃｕよりなる支持板１０１を、例えば薬液を用いたウェットエッチングにより除去する。このようにして、配線基板（電子部品）１００を形成することができる。
【００３４】
上記の配線基板１００においては、アライメントマーク（導電パターン）１０３が、支持板１０１の非粗化面である第１の領域１０１Ａに接するように形成されるため、アライメントマーク１０３の表面が平滑であり、例えば電極パッド１０４上に半田などの接続部を形成する場合のアライメントの精度が良好となる効果を奏する。また、樹脂層１０５は、支持板１０１の粗化面である第２の領域１０１Ｂに接するように形成されるため、支持板１０１と樹脂層１０５の密着力が良好となり、配線基板の製造工程において樹脂層の剥離が抑制されて信頼性の高い配線基板の製造が可能となる。また、アライメントマークと電極パッドとを、別途独立に形成してもよいが、複数形成される電極パッドうちの少なくとも一部をアライメントマークとして用いる（すなわち電極パッドとアライメントマークを兼用する）ようにしてもよい。
【００３５】
また、上記の配線基板１００に、以下に示すように接続部を形成して、半導体チップなどの実装部品を実装してもよい。
【００３６】
例えば、図３Ｈに示すように、アライメントマーク１０３を用いてアライメントを行って、例えば印刷法または半田ボールの振り込みと、当該半田のリフローによって、電極パッド１０４上に、半田よりなる接続部１１２を形成する。
【００３７】
さらに、図３Ｉに示す工程において、接続部１１２に接続されるように、例えば半導体チップよりなる実装部品１１３を実装し、実装部品１１３と樹脂層１０５の間をアンダーフィルと呼ばれる樹脂材料１１４で埋設してもよい。
【００３８】
また、実装部品１１３は、絶縁層１１１の開口部１１１Ａから露出する導電パターン１１０に接続されるように実装してもよい。
【実施例２】
【００３９】
また、図４Ａ〜図４Ｅは、本発明の実施例２による配線基板（電子部品）の製造方法を、手順を追って説明する図である。
【００４０】
まず、図４Ａに示す工程において、例えばＣｕなどの金属材料よりなる支持板２０１の表面を、例えば、蟻酸などの有機酸を含む薬液によるウェット処理を行い、粗化面（第２の領域）２０１Ｂを形成する。この場合、第２の領域２０１Ｂの表面粗さＲａは、２００ｎｍ〜６００ｎｍ（例えば４００ｎｍ）とされることが好ましい。
【００４１】
次に、図４Ｂに示す工程において、支持板２０１の第２の領域２０１Ｂ上に、開口部２０２Ａ、２０２Ｂを有するマスクパターン２０２を形成する。
【００４２】
次に、図４Ｃに示す工程において、上記のマスクパターン２０２の開口部２０２Ａ，２０２Ｂから露出する第２の領域２０１Ｂを、例えば過硫酸ナトリウムを含む薬液のウェット処理により平滑化し、非粗化面（第１の領域２０１Ａ）とする。例えば、第１の領域２０１Ａの表面粗さＲａは、１００ｎｍ以下とされることが好ましい。
【００４３】
次に、図４Ｄに示す工程において、開口部２０２Ａ、２０２Ｂから露出する支持板２０１の表面（第１の領域２０１Ａ）に接するように、アライメントマーク２０３、電極パッド２０４をそれぞれ形成する。すなわち、上記のアライメントマーク２０３と電極パッド２０４は、支持板２０１上の、表面粗さが小さい第１の領域（非粗化面）２０１Ａに形成される。例えばアライメントマーク２０３と電極パッド２０４は、実施例１に記載したアライメントマーク１０３と電極パッド１０４と同様にして形成することができる。
【００４４】
次に、図４Ｅに示す工程において、支持板２０１上のマスクパターン２０２を除去する。
【００４５】
後は、実施例１の図３Ｄ以降の工程と同様の工程を実施することで、実施例１に示した樹脂層１０５，１０７，１０９、絶縁層１１１，導電パターン１０６，１０８，１１０、さらに、必要に応じて接続部１１２を形成して実装部品を実装することで、配線基板（電子部品）を製造することができる。
【００４６】
本実施例においても、実施例１の場合と同様の効果を奏し、アライメントマーク２０３の表面が平滑であり、アライメントの精度が良好となるとともに、支持板２０１に接して形成される樹脂層の剥離が抑制される効果を奏する。
【実施例３】
【００４７】
また、上記の実施例１、実施例２では、アライメントマークと電極パッドがともに非粗化面に対応して形成されたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、アライメントマークと電極パッドのうち、少なくともアライメントマークが非粗化面に対応して形成されればよく、以下に示すように電極パッドが粗化面に対応して形成されてもよい。
【００４８】
図５Ａ〜図５Ｋは、本発明の実施例３による配線基板（電子部品）の製造方法を示す図である。
【００４９】
まず、図５Ａに示す工程において、例えばＣｕなどの金属材料よりなる支持板３０１の表面を、例えば、蟻酸などの有機酸を含む薬液によるウェット処理を行い、粗化面（第２の領域）３０１Ｂを形成する。この場合、第２の領域３０１Ｂの表面粗さＲａは、２００ｎｍ〜６００ｎｍ（例えば４００ｎｍ）とされることが好ましい。
【００５０】
次に、図５Ｂに示す工程において、支持板３０１の第２の領域３０１Ｂ上に、開口部３０２Ａを有するマスクパターン３０２を形成する。
【００５１】
次に、図５Ｃに示す工程において、上記のマスクパターン３０２の開口部３０２Ａから露出する第２の領域３０１Ｂを、例えば過硫酸ナトリウムを含む薬液のウェット処理により平滑化し、非粗化面（第１の領域３０１Ａ）とする。例えば、第１の領域３０１Ａの表面粗さＲａは、１００ｎｍ以下とされることが好ましい。
【００５２】
次に、図５Ｄに示す工程において、マスクパターン３０２を除去する。
【００５３】
次に、図５Ｅに示す工程において、支持板３０１上に、開口部３２０Ａ、３２０Ｂを有するマスクパターン３２０を形成する。この場合、開口部３２０Ａからは第１の領域（非粗化面）３０１Ａが、開口部３２０Ｂからは第２の領域３０１Ｂ（粗化面）が露出するようにする。すなわち、開口部３２０Ａは、図５Ｃの工程で形成した開口部３０２Ａに対応して形成される。
【００５４】
次に、図５Ｆに示す工程において、開口部３２０Ａ、３２０Ｂから露出する支持板３０１の表面に接するように、アライメントマーク３０３、電極パッド３０４をそれぞれ形成する。すなわち、上記のアライメントマーク３０３は、支持板３０１上の、表面粗さが小さい第１の領域（非粗化面）３０１Ａに、電極パッド３０４は表面粗さが大きい第２の領域３０１Ｂに形成される。例えばアライメントマーク３０３と電極パッド３０４は、実施例１に記載したアライメントマーク１０３と電極パッド１０４と同様にして形成することができる。
【００５５】
次に、図５Ｇに示す工程において、支持板３０１上のマスクパターン３２０を除去する。
【００５６】
後は、実施例１の図３Ｄ以降の工程と同様の工程を実施することで、実施例１に示した樹脂層１０５，１０７，１０９、絶縁層１１１，導電パターン１０６，１０８，１１０、さらに、必要に応じて接続部１１２を形成して実装部品を実装することで、配線基板（電子部品）を製造することができる。
【００５７】
本実施例においても、実施例１の場合と同様の効果を奏し、アライメントマーク３０３の表面が平滑であり、アライメントの精度が良好となるとともに、支持板３０１に接して形成される樹脂層の剥離が抑制される効果を奏する。
【００５８】
また、本実施例に示すように、電極パッドは必ずしもアライメントマークと同等の表面粗さである必要はなく、樹脂層と同程度の表面粗さであってもよい。
【００５９】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明によれば、薄型化が可能となるとともにアライメントの精度が良好となる配線基板の製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】従来の電子部品の製造方法の概略図である。
【図２】本発明による電子部品の製造方法の概略図である。
【図３Ａ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その１）である。
【図３Ｂ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その２）である。
【図３Ｃ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その３）である。
【図３Ｄ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その４）である。
【図３Ｅ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その５）である。
【図３Ｆ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その６）である。
【図３Ｇ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その７）である。
【図３Ｈ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その８）である。
【図３Ｉ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その９）である。
【図４Ａ】実施例２による電子部品の製造方法を示す図（その１）である。
【図４Ｂ】実施例２による電子部品の製造方法を示す図（その２）である。
【図４Ｃ】実施例２による電子部品の製造方法を示す図（その３）である。
【図４Ｄ】実施例２による電子部品の製造方法を示す図（その４）である。
【図４Ｅ】実施例２による電子部品の製造方法を示す図（その５）である。
【図５Ａ】実施例３による電子部品の製造方法を示す図（その１）である。
【図５Ｂ】実施例３による電子部品の製造方法を示す図（その２）である。
【図５Ｃ】実施例３による電子部品の製造方法を示す図（その３）である。
【図５Ｄ】実施例３による電子部品の製造方法を示す図（その４）である。
【図５Ｅ】実施例３による電子部品の製造方法を示す図（その５）である。
【図５Ｆ】実施例３による電子部品の製造方法を示す図（その６）である。
【図５Ｇ】実施例３による電子部品の製造方法を示す図（その７）である。
【符号の説明】
【００６２】
１００ 電子部品
１０１，２０１，３０１ 支持板
１０１Ａ，２０１Ａ，３０１Ａ 第１の領域（非粗化面）
１０１Ｂ，２０１Ｂ，３０１Ｂ 第２の領域（粗化面）
１０２，２０２，３０２，３２０ マスクパターン
１０３，２０３，３０３ アライメントマーク
１０４，２０４，３０４ 電極パッド
１０５，１０７，１０９ 樹脂層
１０６，１０８，１１０ 導電パターン
１１１ 絶縁層
１１２ 接続部
１１３ 実装部品
１１４ アンダーフィル
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板の製造方法及び配線基板に係り、特に電極パッドとアライメントマークを有する配線基板の製造方法及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体チップなどの実装部品を実装するための配線基板（電子部品）は、様々な形状・構造のものが提案されている。近年は、半導体チップの薄型化・小型化に伴い、半導体チップが実装される配線基板も薄型化・小型化の要求が著しくなっている。
【０００３】
例えば、上記の配線基板を薄型化して形成する方法としては、いわゆるビルドアップ法が知られている。ビルドアップ法とは、例えばエポキシ系の樹脂材料よりなるビルドアップ層（ビルドアップ樹脂）をコア基板上に積層することで、配線の層間絶縁層を形成し、配線基板を製造する方法である。
【０００４】
例えば、上記のコア基板は、プリプレグ材料などよりなり、配線基板の製造工程において、硬化される前の柔らかいビルドアップ層を支持し、また、ビルドアップ層の硬化に伴う反りを抑制する。しかし、上記のビルドアップ法において、さらに配線基板を薄型化しようとすると、配線基板のベースとなるコア基板の厚さが問題となる。
【０００５】
そこで、ビルドアップ法においてさらに配線基板を薄型化するために、配線基板（ビルドアップ層）を支持する支持板上にビルドアップ法にて配線基板を形成した後、当該支持板を除去する方法が提案されていた（例えば特許文献１，２参照）。
【０００６】
しかし、例えば金属材料よりなる支持板と、樹脂材料よりなるビルドアップ層との密着力は強くなく、何らかの密着力向上のための対策が必要である。その一例として、金属の表面を粗化して樹脂との密着力を向上させる方法が検討されている。
【特許文献１】特開２００５−００５７４２号公報
【特許文献２】特開２００６−１８６３２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、支持板を粗化処理すると、粗化処理された表面状態がそのまま配線基板の表面に転写されてしまう。例えば、配線基板側の支持板に接する表面に、アライメント（位置決め）に用いられるアライメントマークが形成されていると、アライメントマークの表面が粗化されてしまう。従って、配線基板の位置決めにおいてアライメントマークの認識が困難となり、加工精度の信頼性が低下してしまう懸念が生じていた。
【０００８】
そこで、本発明では、上記の問題を解決した新規で有用な配線基板の製造方法を提供することを統括的課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題は、本発明の第１の観点からは、支持板の表面を粗化する第１の工程と、該支持板の表面にマスクパターンを形成し、該マスクパターンから露出する該支持板の表面を平滑化する第２の工程と、前記支持板に接するように、該支持板上に複数の導電パターンを形成する工程を含む第３の工程と、前記複数の導電パターンを覆うとともに、前記支持板に接するように樹脂層を形成する第４の工程と、前記複数の導電パターンのうちの少なくとも一部に接続される別の導電パターンを形成する第５の工程と、前記支持板を除去する第６の工程とを有し、前記複数の導電パターンのうちの少なくとも一部は、平滑化された前記支持板表面に形成されることにより平滑面とされることを特徴とする配線基板の製造方法により解決することができる。
【００１０】
また上記の課題は、本発明の第２の観点からは、樹脂層と、その一面側が前記樹脂層から露出する導電パターンとを備えた配線基板であって、前記樹脂層の一面側と前記導電パターンの一部の露出面は、支持部材の粗化面が転写されることにより粗化面とされており、前記導電パターンの他の露出面は平滑化された前記支持部材の非粗化面が転写されることにより非粗化面とされてなる配線基板により解決することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、薄型化が可能となるとともにアライメントの精度が良好となる配線基板の製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
まず、従来の配線基板（電子部品）の製造方法の概略を図１に示す。図１を参照するに、従来は、例えばＣｕなどの金属材料よりなる支持板１１上に、アライメントマーク（導電パターン）１３と樹脂層１２を形成した後、支持板１１をエッチングするなどして除去して配線基板を形成していた。このため、支持板によって配線基板を製造する工程における樹脂層の反りなどを抑制しながら、製造される配線基板を薄型化することが可能となる。なお、本図では、電極パッドや配線構造などの構造体は図示を省略している。
【００１３】
しかし、上記の製造方法においては、例えば金属材料よりなる支持板１１と、樹脂層１２の密着性を良好とするために、支持板１１の表面を粗化処理して表面粗さを大きくする場合があった。この場合、支持板１１上の表面粗さが樹脂層１２やアライメントマーク１３など、配線基板側に転写されることになる。
【００１４】
例えば、アライメントマーク１３の表面が粗化されて、表面粗さが大きい状態となると、アライメントマーク１３の認識が困難となる問題が生じてしまう。例えば、支持板１１を除去した後に、電極パッド（本図では図示省略）上に半田な どの接続部が形成される場合には、アライメントマークの認識が困難となると、配線基板の加工精度に問題が生じてしまう。
【００１５】
そこで、本発明では、以下に説明するように、支持板の、アライメントマークが接する領域と、樹脂層が接する領域の表面粗さが異なるようにしている。このため、樹脂層と支持板の密着力を確保しつつ、かつ、アライメントマークの表面粗さを小さくしてアライメントマークの認識が容易となるようにしていることが特徴である。
【００１６】
図２は、本発明による配線基板（電子部品）の製造方法の概略を示した図である。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。図２を参照するに、本図に示す場合、例えばＣｕよりなる支持板１１の、配線基板に接する表面に、それぞれ表面粗さが異なる第１の領域（非粗化面）１１Ａと第２の領域（粗化面）１１Ｂが形成されていることが特徴である。
【００１７】
例えば、第１の領域１１Ａは、通常の一般的な金属板（Ｃｕ板）の表面仕上げ程度の表面粗さ（Ｒａ）であり、第２の領域１１Ｂに比べて表面粗さが小さく、表面粗さを示すＲａは１００ｎｍ以下である。一方で、第２の領域１１Ｂは、粗化処理されて形成されており、第１の領域１００Ａに比べて表面粗さが大きく、表面粗さを示すＲａは、２００ｎｍ〜６００ｎｍ程度である。
【００１８】
このため、平滑な第１の領域１１Ａの表面状態がアライメントマーク（導電パターン）１３にそのまま転写されることになり、アライメントマーク１３の表面粗さは小さくなる。従って、支持板１１を除去した後のアライメントマークの認識が容易となり、アライメントの精度が良好となる効果を奏する。
【００１９】
また、表面粗さが大きい、いわゆる粗化面である第２の領域１１Ｂと、第２の領域１１Ｂに接する樹脂層１２との密着性が良好となり、配線基板の製造工程における樹脂層１２の剥がれを抑制することができる。
【００２０】
また、上記の図２では、図示を省略しているが、アライメントマークと同一平面上には、電極パッド（導電パターン）が形成され、当該電極パッドに接続されるビアプラグやパターン配線などの導電パターンが形成された後、支持板１１がエッチングにより除去される。また、アライメントマークと電極パッドは兼用してもよく、電極パッドを用いてアライメントを行ってもよい。
【００２１】
このようにして、薄型化が容易であって、かつ、アライメントの精度が良好である配線基板（電子部品）を製造することができる。
【００２２】
また、支持板１１に、表面粗さが異なる複数の領域を形成する場合には、例えば、１）支持板表面にアライメントマークまたは電極パッドなどの導電パターンを形成した後、当該導電パターンをマスクにして支持板表面を粗化処理する方法（第１の方法）と、支持板表面の全体を粗化処理した後、当該表面を覆うマスクパターンを形成し、当該マスクパターンから露出する粗化処理した面を、平滑化処理する方法（第２の方法）がある。
【００２３】
次に、上記の第１の方法と第２の方法による配線基板の製造方法のさらに具体的な例について、以下の実施例１，実施例２において順に説明する。
【実施例１】
【００２４】
図３Ａ〜図３Ｉは、本発明の実施例１による配線基板（電子部品）の製造方法を、手順を追って説明する図である。ただし、以下の図中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある（以下の実施例、図について同じ）。
【００２５】
まず、図３Ａに示す工程において、例えば電解メッキ法により形成されるＣｕ箔よりなる支持板１０１上に、レジストを用いたフォトリソグラフィ法により、開口部１０２Ａ、１０２Ｂを有するマスクパターン１０２を形成する。なお、支持板１０１Ａの表面は、一般的な金属板の表面状態とされており、Ｒａが１００ｎｍ以下の非粗化面（第１の領域）１０１Ａとされている。上記の支持板は、金属箔（Ｃｕ箔）に限定されず、例えば、通常の金属板より構成してもよい。
【００２６】
次に、図３Ｂに示す工程において、開口部１０２Ａ、１０２Ｂから露出する支持板１０１の表面（第１の領域１０１Ａ）に接するように、アライメントマーク（導電パターン）１０３、電極パッド（導電パターン）１０４をそれぞれ形成する。すなわち、上記のアライメントマーク１０３と電極パッド１０４は、支持板１０１上の、表面粗さが小さい第１の領域（非粗化面）１０１Ａに形成される。
【００２７】
また、例えばアライメントマーク１０３と電極パッド１０４は、同一平面上に形成され、また、同様の工程、方法によって形成される。例えば、アライメントマーク１０３，電極パッド１０４は、導電材料よりなる支持板１０１を給電経路（電極）として、電解メッキ法により、形成される。また、アライメントマーク１０３や電極パッド１０４などの導電パターンは、例えば、Ａｕ層とＮｉ層の積層構造（Ａｕ層が支持板１０１側）で構成されるが、これに限定されず、例えばＡｕ層とＮｉ層とＣｕ層（Ａｕ層が支持板１０１側）や、またはＡｕ層とＣｕ層の積層構造（Ａｕ層が支持板１０１側）で構成するなど、様々な構造で構成することができる。
【００２８】
次に、図３Ｃに示す工程において、支持板１０１上のマスクパターン１０２を除去する。ここで、マスクパターン１０２を除去した後に、例えば、蟻酸などの有機酸を含む薬液によるウェット処理を行い、支持板１０１の表面を粗化して、第１の領域１０１Ａのうち、アライメントマーク１０３と電極パッド１０４（導電パターン）により覆われていない領域を粗化面（第２の領域）１０１Ｂとする。すなわち、アライメントマーク１０３と電極パッド１０４とよりなる導電パターンをマスクにしたウェット処理により、支持板１０１の表面（第２の領域）１０１Ｂを粗化する。この場合、第２の領域１０１Ｂの表面粗さＲａは、２００ｎｍ〜６００ｎｍ（例えば４００ｎｍ）とされることが好ましい。
【００２９】
次に、図３Ｄに示す工程において、アライメントマーク１０３と電極パッド１０４を覆うとともに、支持板１０１の粗化面（第２の領域）１０１Ｂに接するように、例えばエポキシ系の樹脂材料を主成分とする樹脂層（ビルドアップ層）１０５を形成する。さらに、樹脂層１０５に、例えばレーザにより、電極パッド１０４に到達するビアホール１０５Ａを形成する。
【００３０】
次に、図３Ｅに示す工程において、まず、Ｃｕの無電解メッキ法によって、樹脂層１０５の表面にシード層（図示せず）を形成した後、当該シード層上にレジストパターン（図示せず）を形成する。さらに、上記のシード層を給電経路とするＣｕの電解メッキ法により、ビアホールを埋設するビアプラグと当該ビアプラグに接続されるパターン配線よりなる導電パターン（別の導電パターン）１０６を形成する。導電パターン１０６の形成後にレジストパターンを剥離し、レジストパターンの剥離によって露出したシード層をエッチングにより除去する。
【００３１】
次に、図３Ｆに示す工程において、図３Ｄ〜図３Ｅで先に説明した工程を繰り返して、樹脂層１０５上に、樹脂層１０５に相当する樹脂層１０７，１０９を順に積層し、導電パターン１０６に相当する導電パターン１０８，１１０を形成する。
【００３２】
さらに、樹脂層１０９上に、導電パターン１１０の一部が露出する開口部１１１Ａを有する、ソルダーレジストよりなる絶縁層１１１を形成する。
【００３３】
次に、図３Ｇに示す工程において、Ｃｕよりなる支持板１０１を、例えば薬液を用いたウェットエッチングにより除去する。このようにして、配線基板（電子部品）１００を形成することができる。
【００３４】
上記の配線基板１００においては、アライメントマーク（導電パターン）１０３が、支持板１０１の非粗化面である第１の領域１０１Ａに接するように形成されるため、アライメントマーク１０３の表面が平滑であり、例えば電極パッド１０４上に半田などの接続部を形成する場合のアライメントの精度が良好となる効果を奏する。また、樹脂層１０５は、支持板１０１の粗化面である第２の領域１０１Ｂに接するように形成されるため、支持板１０１と樹脂層１０５の密着力が良好となり、配線基板の製造工程において樹脂層の剥離が抑制されて信頼性の高い配線基板の製造が可能となる。また、アライメントマークと電極パッドとを、別途独立に形成してもよいが、複数形成される電極パッドうちの少なくとも一部をアライメントマークとして用いる（すなわち電極パッドとアライメントマークを兼用する）ようにしてもよい。
【００３５】
また、上記の配線基板１００に、以下に示すように接続部を形成して、半導体チップなどの実装部品を実装してもよい。
【００３６】
例えば、図３Ｈに示すように、アライメントマーク１０３を用いてアライメントを行って、例えば印刷法または半田ボールの振り込みと、当該半田のリフローによって、電極パッド１０４上に、半田よりなる接続部１１２を形成する。
【００３７】
さらに、図３Ｉに示す工程において、接続部１１２に接続されるように、例えば半導体チップよりなる実装部品１１３を実装し、実装部品１１３と樹脂層１０５の間をアンダーフィルと呼ばれる樹脂材料１１４で埋設してもよい。
【００３８】
また、実装部品１１３は、絶縁層１１１の開口部１１１Ａから露出する導電パターン１１０に接続されるように実装してもよい。
【実施例２】
【００３９】
また、図４Ａ〜図４Ｅは、本発明の実施例２による配線基板（電子部品）の製造方法を、手順を追って説明する図である。
【００４０】
まず、図４Ａに示す工程において、例えばＣｕなどの金属材料よりなる支持板２０１の表面を、例えば、蟻酸などの有機酸を含む薬液によるウェット処理を行い、粗化面（第２の領域）２０１Ｂを形成する。この場合、第２の領域２０１Ｂの表面粗さＲａは、２００ｎｍ〜６００ｎｍ（例えば４００ｎｍ）とされることが好ましい。
【００４１】
次に、図４Ｂに示す工程において、支持板２０１の第２の領域２０１Ｂ上に、開口部２０２Ａ、２０２Ｂを有するマスクパターン２０２を形成する。
【００４２】
次に、図４Ｃに示す工程において、上記のマスクパターン２０２の開口部２０２Ａ，２０２Ｂから露出する第２の領域２０１Ｂを、例えば過硫酸ナトリウムを含む薬液のウェット処理により平滑化し、非粗化面（第１の領域２０１Ａ）とする。例えば、第１の領域２０１Ａの表面粗さＲａは、１００ｎｍ以下とされることが好ましい。
【００４３】
次に、図４Ｄに示す工程において、開口部２０２Ａ、２０２Ｂから露出する支持板２０１の表面（第１の領域２０１Ａ）に接するように、アライメントマーク２０３、電極パッド２０４をそれぞれ形成する。すなわち、上記のアライメントマーク２０３と電極パッド２０４は、支持板２０１上の、表面粗さが小さい第１の領域（非粗化面）２０１Ａに形成される。例えばアライメントマーク２０３と電極パッド２０４は、実施例１に記載したアライメントマーク１０３と電極パッド１０４と同様にして形成することができる。
【００４４】
次に、図４Ｅに示す工程において、支持板２０１上のマスクパターン２０２を除去する。
【００４５】
後は、実施例１の図３Ｄ以降の工程と同様の工程を実施することで、実施例１に示した樹脂層１０５，１０７，１０９、絶縁層１１１，導電パターン１０６，１０８，１１０、さらに、必要に応じて接続部１１２を形成して実装部品を実装することで、配線基板（電子部品）を製造することができる。
【００４６】
本実施例においても、実施例１の場合と同様の効果を奏し、アライメントマーク２０３の表面が平滑であり、アライメントの精度が良好となるとともに、支持板２０１に接して形成される樹脂層の剥離が抑制される効果を奏する。
【実施例３】
【００４７】
また、上記の実施例１、実施例２では、アライメントマークと電極パッドがともに非粗化面に対応して形成されたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、アライメントマークと電極パッドのうち、少なくともアライメントマークが非粗化面に対応して形成されればよく、以下に示すように電極パッドが粗化面に対応して形成されてもよい。
【００４８】
図５Ａ〜図５Ｋは、本発明の実施例３による配線基板（電子部品）の製造方法を示す図である。
【００４９】
まず、図５Ａに示す工程において、例えばＣｕなどの金属材料よりなる支持板３０１の表面を、例えば、蟻酸などの有機酸を含む薬液によるウェット処理を行い、粗化面（第２の領域）３０１Ｂを形成する。この場合、第２の領域３０１Ｂの表面粗さＲａは、２００ｎｍ〜６００ｎｍ（例えば４００ｎｍ）とされることが好ましい。
【００５０】
次に、図５Ｂに示す工程において、支持板３０１の第２の領域３０１Ｂ上に、開口部３０２Ａを有するマスクパターン３０２を形成する。
【００５１】
次に、図５Ｃに示す工程において、上記のマスクパターン３０２の開口部３０２Ａから露出する第２の領域３０１Ｂを、例えば過硫酸ナトリウムを含む薬液のウェット処理により平滑化し、非粗化面（第１の領域３０１Ａ）とする。例えば、第１の領域３０１Ａの表面粗さＲａは、１００ｎｍ以下とされることが好ましい。
【００５２】
次に、図５Ｄに示す工程において、マスクパターン３０２を除去する。
【００５３】
次に、図５Ｅに示す工程において、支持板３０１上に、開口部３２０Ａ、３２０Ｂを有するマスクパターン３２０を形成する。この場合、開口部３２０Ａからは第１の領域（非粗化面）３０１Ａが、開口部３２０Ｂからは第２の領域３０１Ｂ（粗化面）が露出するようにする。すなわち、開口部３２０Ａは、図５Ｃの工程で形成した開口部３０２Ａに対応して形成される。
【００５４】
次に、図５Ｆに示す工程において、開口部３２０Ａ、３２０Ｂから露出する支持板３０１の表面に接するように、アライメントマーク３０３、電極パッド３０４をそれぞれ形成する。すなわち、上記のアライメントマーク３０３は、支持板３０１上の、表面粗さが小さい第１の領域（非粗化面）３０１Ａに、電極パッド３０４は表面粗さが大きい第２の領域３０１Ｂに形成される。例えばアライメントマーク３０３と電極パッド３０４は、実施例１に記載したアライメントマーク１０３と電極パッド１０４と同様にして形成することができる。
【００５５】
次に、図５Ｇに示す工程において、支持板３０１上のマスクパターン３２０を除去する。
【００５６】
後は、実施例１の図３Ｄ以降の工程と同様の工程を実施することで、実施例１に示した樹脂層１０５，１０７，１０９、絶縁層１１１，導電パターン１０６，１０８，１１０、さらに、必要に応じて接続部１１２を形成して実装部品を実装することで、配線基板（電子部品）を製造することができる。
【００５７】
本実施例においても、実施例１の場合と同様の効果を奏し、アライメントマーク３０３の表面が平滑であり、アライメントの精度が良好となるとともに、支持板３０１に接して形成される樹脂層の剥離が抑制される効果を奏する。
【００５８】
また、本実施例に示すように、電極パッドは必ずしもアライメントマークと同等の表面粗さである必要はなく、樹脂層と同程度の表面粗さであってもよい。
【００５９】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明によれば、薄型化が可能となるとともにアライメントの精度が良好となる配線基板の製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】従来の電子部品の製造方法の概略図である。
【図２】本発明による電子部品の製造方法の概略図である。
【図３Ａ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その１）である。
【図３Ｂ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その２）である。
【図３Ｃ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その３）である。
【図３Ｄ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その４）である。
【図３Ｅ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その５）である。
【図３Ｆ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その６）である。
【図３Ｇ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その７）である。
【図３Ｈ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その８）である。
【図３Ｉ】実施例１による電子部品の製造方法を示す図（その９）である。
【図４Ａ】実施例２による電子部品の製造方法を示す図（その１）である。
【図４Ｂ】実施例２による電子部品の製造方法を示す図（その２）である。
【図４Ｃ】実施例２による電子部品の製造方法を示す図（その３）である。
【図４Ｄ】実施例２による電子部品の製造方法を示す図（その４）である。
【図４Ｅ】実施例２による電子部品の製造方法を示す図（その５）である。
【図５Ａ】実施例３による電子部品の製造方法を示す図（その１）である。
【図５Ｂ】実施例３による電子部品の製造方法を示す図（その２）である。
【図５Ｃ】実施例３による電子部品の製造方法を示す図（その３）である。
【図５Ｄ】実施例３による電子部品の製造方法を示す図（その４）である。
【図５Ｅ】実施例３による電子部品の製造方法を示す図（その５）である。
【図５Ｆ】実施例３による電子部品の製造方法を示す図（その６）である。
【図５Ｇ】実施例３による電子部品の製造方法を示す図（その７）である。
【符号の説明】
【００６２】
１００ 電子部品
１０１，２０１，３０１ 支持板
１０１Ａ，２０１Ａ，３０１Ａ 第１の領域（非粗化面）
１０１Ｂ，２０１Ｂ，３０１Ｂ 第２の領域（粗化面）
１０２，２０２，３０２，３２０ マスクパターン
１０３，２０３，３０３ アライメントマーク
１０４，２０４，３０４ 電極パッド
１０５，１０７，１０９ 樹脂層
１０６，１０８，１１０ 導電パターン
１１１ 絶縁層
１１２ 接続部
１１３ 実装部品
１１４ アンダーフィル
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持板の表面を粗化する第１の工程と、
該支持板の表面にマスクパターンを形成し、該マスクパターンから露出する該支持板の表面を平滑化する第２の工程と、
前記支持板に接するように、該支持板上に複数の導電パターンを形成する工程を含む第３の工程と、
前記複数の導電パターンを覆うとともに、前記支持板に接するように樹脂層を形成する第４の工程と、
前記複数の導電パターンのうちの少なくとも一部に接続される別の導電パターンを形成する第５の工程と、
前記支持板を除去する第６の工程とを有し、
前記複数の導電パターンのうちの少なくとも一部は、平滑化された前記支持板表面に形成されることにより平滑面とされることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記導電パターンは、アライメントマークと電極パッドを含む請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第３の工程は、
前記マスクパターンを除去する工程と、
前記平滑化された前記支持板の表面を含む、前記導電パターンの所定形成位置に開口部を有したレジストを形成する工程と、
前記レジストを介して、前記支持板に接するように、該支持板上に複数の導電パターンを形成する工程と、
前記導電パターンの形成後、前記レジストを除去する工程とを有する請求項１または２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記支持板の前記平滑化された表面に形成される前記導電パターンは、前記アライメントマークである請求項２または３記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記複数の導電パターンは、前記支持板を給電経路とする電解メッキにより形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
樹脂層と、その一面側が前記樹脂層から露出する導電パターンとを備えた配線基板であって、
前記樹脂層の一面側と前記導電パターンの一部の露出面は、支持部材の粗化面が転写されることにより粗化面とされており、
前記導電パターンの他の露出面は平滑化された前記支持部材の非粗化面が転写されることにより非粗化面とされてなる配線基板。
【請求項７】
前記導電パターンは、アライメントマークと電極パッドを含む請求項６記載の配線基板。
【請求項８】
前記支持部材の粗化面が転写されることにより粗化面とさた前記導電パターンの露出面を前記電極バッドとし、
前記支持部材の非粗化面が転写されることにより非粗化面とされた前記導電パターンの露出面を前記アライメントマークとした請求項７記載の配線基板。
【請求項１】
支持板の表面を粗化する第１の工程と、
該支持板の表面にマスクパターンを形成し、該マスクパターンから露出する該支持板の表面を平滑化する第２の工程と、
前記支持板に接するように、該支持板上に複数の導電パターンを形成する工程を含む第３の工程と、
前記複数の導電パターンを覆うとともに、前記支持板に接するように樹脂層を形成する第４の工程と、
前記複数の導電パターンのうちの少なくとも一部に接続される別の導電パターンを形成する第５の工程と、
前記支持板を除去する第６の工程とを有し、
前記複数の導電パターンのうちの少なくとも一部は、平滑化された前記支持板表面に形成されることにより平滑面とされることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記導電パターンは、アライメントマークと電極パッドを含む請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第３の工程は、
前記マスクパターンを除去する工程と、
前記平滑化された前記支持板の表面を含む、前記導電パターンの所定形成位置に開口部を有したレジストを形成する工程と、
前記レジストを介して、前記支持板に接するように、該支持板上に複数の導電パターンを形成する工程と、
前記導電パターンの形成後、前記レジストを除去する工程とを有する請求項１または２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記支持板の前記平滑化された表面に形成される前記導電パターンは、前記アライメントマークである請求項２または３記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記複数の導電パターンは、前記支持板を給電経路とする電解メッキにより形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
樹脂層と、その一面側が前記樹脂層から露出する導電パターンとを備えた配線基板であって、
前記樹脂層の一面側と前記導電パターンの一部の露出面は、支持部材の粗化面が転写されることにより粗化面とされており、
前記導電パターンの他の露出面は平滑化された前記支持部材の非粗化面が転写されることにより非粗化面とされてなる配線基板。
【請求項７】
前記導電パターンは、アライメントマークと電極パッドを含む請求項６記載の配線基板。
【請求項８】
前記支持部材の粗化面が転写されることにより粗化面とさた前記導電パターンの露出面を前記電極バッドとし、
前記支持部材の非粗化面が転写されることにより非粗化面とされた前記導電パターンの露出面を前記アライメントマークとした請求項７記載の配線基板。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図３Ｅ】
【図３Ｆ】
【図３Ｇ】
【図３Ｈ】
【図３Ｉ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図４Ｅ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図５Ｅ】
【図５Ｆ】
【図５Ｇ】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図３Ｅ】
【図３Ｆ】
【図３Ｇ】
【図３Ｈ】
【図３Ｉ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図４Ｅ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図５Ｅ】
【図５Ｆ】
【図５Ｇ】
【公開番号】特開２００９−３３１８３（Ｐ２００９−３３１８３Ａ）
【公開日】平成２１年２月１２日（２００９．２．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２２３６１４（Ｐ２００８−２２３６１４）
【出願日】平成２０年９月１日（２００８．９．１）
【分割の表示】特願２００７−１０１４６５（Ｐ２００７−１０１４６５）の分割
【原出願日】平成１９年４月９日（２００７．４．９）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年２月１２日（２００９．２．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年９月１日（２００８．９．１）
【分割の表示】特願２００７−１０１４６５（Ｐ２００７−１０１４６５）の分割
【原出願日】平成１９年４月９日（２００７．４．９）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
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