配線基板の製造方法
【課題】導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる配線基板を最終製品として提供する際に、その表面に接触痕を形成することなく配線基板の反りを低減し、平坦化することが可能な新規な製造方法を提供する。
【解決手段】導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる配線基板を、支持台上に配置する。次いで、凹部が形成されてなる平板状の治具により、前記凹部が前記配線基板のＩＣチップ搭載部上に位置し、前記ＩＣチップ搭載部が前記治具と離間した状態で、前記配線基板を、加熱下、前記支持台に対して押圧する。この際、前記治具の、前記凹部の外方に位置する押圧面の表面粗さを前記ソルダーレジスト層の表面粗さに対応して粗化する。
【解決手段】導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる配線基板を、支持台上に配置する。次いで、凹部が形成されてなる平板状の治具により、前記凹部が前記配線基板のＩＣチップ搭載部上に位置し、前記ＩＣチップ搭載部が前記治具と離間した状態で、前記配線基板を、加熱下、前記支持台に対して押圧する。この際、前記治具の、前記凹部の外方に位置する押圧面の表面粗さを前記ソルダーレジスト層の表面粗さに対応して粗化する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層され、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる配線基板、いわゆる樹脂製配線基板を用い、この上にＩＣチップを搭載して半導体パッケージを製造することが盛んに行われている。
【０００３】
ＩＣチップは、配線基板の主面上のＩＣチップ搭載部のパッド上に形成されたはんだバンプを介して電気的に接続する。一方、配線基板の裏面側にはベース基板と電気的に接続したり、ソケットに挿入して電気的に接続したりするための外部端子が形成されている。
【０００４】
上記はんだバンプは、配線基板の主面上にはんだペーストを印刷してリフローし、半球状に形成する。
【０００５】
しかしながら、上述したはんだペーストのリフローは、配線基板を加熱装置内に入れて行うものであるため、上述したはんだバンプの形成に際して、配線基板が熱によって反ってしまうという問題があった。このような反りは、特に配線基板のＩＣチップ搭載部で特に問題となり、ＩＣチップ搭載部の反りに起因して、ＩＣチップと配線基板との、はんだバンプを介した電気的接続を十分に行うことができないという問題が生じていた。
【０００６】
このような問題に鑑みて、特許文献１には、はんだペーストをリフローする際に、配線基板を、保持治具を用いて台座に固定し、加熱による配線基板の反りを低減することが試みられている。
【０００７】
しかしながら、上述した配線基板は、上述したはんだペーストのリフローにおける加熱処理のみならず、その製造過程を通じて種々の熱的プロセス及び機械的プロセスを経るため、最終的には、それらのプロセスに起因しても反りが生じてしまう。したがって、配線基板を最終製品として提供する際には、上述のような製造方法を経ることによって得た配線基板に対して、その反りを低減できるような後加熱処理を行う必要がある。
【０００８】
このような後加熱処理は、最表面にソルダーレジスト層が形成されたような配線基板においては、その配線基板を支持台上に固定し、ソルダーレジスト層のガラス転位点の温度以上に配線基板を加熱した後、所定の押圧冶具によって配線基板の全体を支持台に向けて押圧することによって行う。この方法によれば、配線基板の反りを十分に低減できるが、反り低減の操作をソルダーレジスト層のガラス転移点以上の温度で行うことから、配線基板の表面、すなわちソルダーレジスト層の表面に上記押圧冶具の接触痕が形成されてしまう。
【０００９】
このような接触痕は、外観を劣化させるため好ましいものではなく、特にＩＣチップ搭載部においては、ＩＣチップと配線基板との電気的接続を行うはんだバンプを押しつぶしてしまうことになり、これらの電気的接続を良好に行うことができないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−２３４３６６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる配線基板を最終製品として提供する際に、その表面に接触痕を形成することなく配線基板の反りを低減し、平坦化することが可能な新規な製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成すべく、本発明は、
導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる配線基板を、支持台上に配置する工程と、
凹部が形成されてなる平板状の治具により、前記凹部が前記配線基板のＩＣチップ搭載部上に位置し、前記ＩＣチップ搭載部が前記治具と離間した状態で、前記配線基板を、加熱下、前記支持台に対して押圧する工程と、
を備え、
前記治具の、前記凹部の外方に位置する押圧面の表面粗さが前記ソルダーレジスト層の表面粗さに対応して粗化されていることを特徴とする、配線基板の製造方法に関する。
【００１３】
本発明によれば、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる配線基板を所定の支持台上に配置した後、凹部が形成されてなる平板状の冶具を用い、この冶具の凹部が配線基板のＩＣチップ搭載部に位置するようにし、このＩＣチップ搭載部が冶具と離間して接触しない状態で、配線基板を冶具によって支持台に押圧し、反りを低減するようにしている。
【００１４】
この際、治具の、凹部の外方に位置する押圧面の表面粗さがソルダーレジスト層の表面粗さに対応して粗化されているので、上述のように治具によって配線基板を押圧した際においても、上記押圧面による押圧によって上記ソルダーレジスト層に接触痕が生じることがない。
【００１５】
また、配線基板のＩＣチップ搭載部は、一般にその中心部に位置するため、従来のように冶具全体で配線基板を押圧した場合、実質的に大きな押圧力が加わり、ＩＣチップと配線基板との電気的接続を行うはんだバンプを押しつぶしてしまうことになり、これらの電気的接続を良好に行うができなくなってしまう。
【００１６】
一方、本発明では、凹部が形成された平板状冶具を用い、この平板状冶具の凹部が配線基板のＩＣチップ搭載部に位置してＩＣチップ搭載部が平板状冶具に接触しないようにして配置した後、押圧するようにしている。したがって、押圧時において、配線基板のＩＣチップ搭載部は実質的に押圧されないので、ＩＣチップと配線基板との電気的接続を行うはんだバンプを押しつぶしてしまうことがない。結果として、これらの電気的接続を良好に行うことができる。
【００１７】
本発明の一例においては、前記ソルダーレジスト層表面を、治具の前記押圧面と接触する接触面と、治具と接触しない非接触面とに区分した場合、平板状治具により押圧する工程後において、接触面の算術平均表面粗さＲａと非接触面の算術平均表面粗さＲａとの差が０．０３μｍ以内であり、接触面の十点平均表面粗さＲｚと、非接触面の十点平均表面粗さＲｚとの差が０．３μｍ以内となるよう、押圧面が粗化されていることが好ましい。このように接触面と非接触面との表面粗さの差を上述のような小さい値となるよう押圧面が粗化されているので、冶具を配線基板に押圧した際の接触痕の発生をより効果的に抑制することができる。
【００１８】
また、本発明の一例では、平板状治具により押圧する工程前において、平板状治具の凹部の外方に位置する押圧面の算術平均表面粗さRaは、ソルダーレジスト層の算術平均表面粗さRaに対して、４．００倍以上３３．００倍以下であり、平板状治具の、前記凹部の外方に位置する押圧面の十点平均表面粗さRzは、ソルダーレジスト層の十点平均表面粗さRｚに対して、２．００倍以上１４.００倍以下であることが好ましい。平板状治具の押圧面の表面粗さをソルダーレジスト層表面と比べて上述のように適度に大きい値に設定することで、冶具を配線基板に押圧した際に配線基板の反りを低減するとともに、接触痕の発生をより効果的に抑制することができる。
【００１９】
さらに、本発明の一例においては、上記平板状冶具で配線基板を押圧する際の温度を、ソルダーレジスト層のガラス転移温度以上の温度で行うことが好ましい。これによって、上記押圧による配線基板の反りをより効果的に抑制することができる。また、このような温度で押圧した場合においても、本発明の方法を用いることにより、例えば上述した作用効果に起因して、配線基板に対する接触痕の発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明によれば、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる配線基板を最終製品として提供する際に、その表面に接触痕を形成することなく配線基板の反りを低減し、平坦化することが可能な新規な製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】実施形態における配線基板の平面図である。
【図２】同じく、実施形態における配線基板の平面図である。
【図３】図１及び２に示す配線基板をＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。
【図４】図１及び２に示す配線基板をＩＩ−ＩＩ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。
【図５】実施形態で使用する平板状冶具の概略構成を示す図である。
【図６】同じく、実施形態で使用する平板状冶具の概略構成を示す図である。
【図７】実施形態における配線基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図８】同じく、実施形態における製造方法を説明するための工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
【００２３】
（配線基板）
最初に、本発明の方法に使用する配線基板の構成について説明する。但し、以下に示す配線基板はあくまでも例示であって、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層され、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなるような樹脂製配線基板であれば特に限定されるものではない。
【００２４】
図１及び２は、本実施形態における配線基板の平面図であり、図１は、前記配線基板を上側から見た場合に状態を示し、図２は、前記配線基板を下側から見た場合の状態を示している。また、図３は、図１及び２に示す前記配線基板をＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図であり、図４は、図１及び２に示す前記配線基板をＩＩ−ＩＩ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。
【００２５】
図１〜４に示す配線基板１は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア２の両表面に、所定のパターンに形成された金属配線７ａをなすコア導体層Ｍ１，Ｍ１１（単に導体層ともいう）がＣｕメッキによりそれぞれ形成されている。これらコア導体層Ｍ１，Ｍ１１は板状コア２の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層または接地層として用いられるものである。
【００２６】
他方、板状コア２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。また、スルーホール１２は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１により充填されている。
【００２７】
また、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の上層には、熱硬化性樹脂組成物６にて構成された第１のビア層（ビルドアップ層：絶縁層）Ｖ１，Ｖ１１がそれぞれ形成されている。さらに、その表面にはパターン化された金属配線７ｂをなす第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２がＣｕメッキによりそれぞれ形成されている。なお、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１と第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。同様に、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２の上層には、熱硬化性樹脂組成物６を用いた第２のビア層（ビルドアップ層：絶縁層）Ｖ２，Ｖ１２がそれぞれ形成されている。
【００２８】
第２のビア層Ｖ２及びＶ１２上には、それぞれ金属端子パッド１０，１７を有する第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３が形成されている。これら第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２と第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。ビア３４は、ビアホール３４ｈとその内周面に設けられたビア導体３４ｓと、底面側にてビア導体３４ｓと導通するように設けられたビアパッド３４ｐと、ビアパッド３４ｐと反対側にてビア導体３４ｈの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３４ｌとを有している。
【００２９】
以上のように、板状コア２の第１の主面ＭＰ１上には、コア導体層Ｍ１、第１のビア層Ｖ１、第１の導体層Ｍ２および第２のビア層Ｖ２が順次に積層され、第１の配線積層部Ｌ１を形成している。また、板状コア２の第２の主面ＭＰ２上においては、コア導体層Ｍ１１、第１のビア層Ｖ１１、第１の導体層Ｍ１２および第２のビア層Ｖ１２が順次に積層され、第２の配線積層部Ｌ２を形成している。そして、第１の主表面ＣＰ１上には複数の金属端子パッド１０が形成されており、第２の主表面ＣＰ２上には、複数の金属端子パッド１７が形成されている。
【００３０】
なお、金属端子パッド１０は、後に形成するはんだバンプを介して図示しないＩＣチップをフリップチップ接続するためのパッド（ＦＣパッド）であり、ＩＣチップ搭載部を構成する。図１に示すように、金属端子パッド１０は、配線基板１の略中央部において形成され、矩形状に配列されている。
【００３１】
また、金属端子パッド１７は、配線基板１をマザーボードやソケット等にピングリッドアレイ（ＰＧＡ）あるいはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）により接続するための裏面ランド（ＰＧＡパッド、ＢＧＡパッド）として利用されるものであって、配線基板１の略中心部を除く外周部に形成され、前記略中央部を囲むようにして矩形状に配列されている。
【００３２】
さらに、第１の主表面ＣＰ１上には開口部８ａを有するソルダーレジスト層８が形成されており、金属端子パッド１０は開口部８ａを介してソルダーレジスト層８から露出している。また、第２の主表面ＣＰ２上にも開口部１８ａを有するソルダーレジスト層１８が形成されており、金属端子パッド１７は開口部１８ａを介してソルダーレジスト層１８から露出している。
【００３３】
また、開口部８ａ内には、たとえばＳｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ等のはんだからなる、はんだバンプ１１が金属端子パッド１０と電気的に接続するようにして形成されている。さらに、開口部１８ａ内には図示しないはんだボールやピン等が金属端子パッド１７と電気的に接続するようにして形成されている。
【００３４】
なお、図１〜４から明らかなように、本実施形態における配線基板１は矩形の略板形状を呈しており、その大きさは、例えば約３５ｍｍ×約３５ｍｍ×約１ｍｍとすることができる。
【００３５】
（配線基板の製造方法）
次に、本発明の配線基板の製造方法について説明する。図５及び図６は、本実施形態で使用する平板状冶具の概略構成を示す図であり、図７及び図８は、本実施形態における製造方法を説明するための工程図である。
【００３６】
図５は、本実施形態における平板状冶具の基本構成を示す概略構成図である。図５に示す平板状冶具２０は、その中心部において凹部２１が形成されており、凹部２１を画定するようにして外枠２２が設けられている。凹部２１の大きさは、後に説明するように、配線基板１のはんだバンプ１１によって画定されてなるＩＣチップ搭載部を囲い込むことができるような大きさとし、その深さは、はんだバンプ１１の上部が凹部２１の底面２１Ａに接触しないような深さとする。
【００３７】
また、外枠２２は、以下に説明するように、配線基板１の平坦化操作の際の押圧面となることから、その表面粗さは、配線基板１のソルダーレジスト層の表面粗さに対応して粗化されていることが必要である。
【００３８】
図６は、図５に示す平板状冶具の変形例に相当する概略構成図である。図６に示す平板状冶具３０は、その中心部において凹部３１が形成されており、その四隅において凹部３１を画定するような柱状部３２が設けられている。凹部３１の大きさは、後に説明するように、配線基板１のはんだバンプ１１によって画定されてなるＩＣチップ搭載部を囲い込むことができるような大きさとし、その深さ、すなわち、柱状部３２の高さは、はんだバンプ１１の上部が凹部２１の底面２１Ａに接触しないような高さとする。
【００３９】
また、柱状部３２は、以下に説明するように、配線基板１の平坦化操作の際の押圧面となることから、その表面粗さは、配線基板１のソルダーレジスト層の表面粗さに対応して粗化されていることが必要である。
【００４０】
なお、平板状冶具２０及び３０は、それぞれアルミニウム、ステンレスなどの金属材料の他、ガラスやセラミック材料から構成することができる。
【００４１】
次に、図５に示す平板状冶具を用いた場合の配線基板の製造方法、すなわち配線基板の反りの低減方法について説明する。
【００４２】
最初に、図７に示すように、配線基板の外形に沿った凹形状をなす設置部４１が設けられた支持台４０を準備し、この支持台４０の設置部４１に図１〜４に示すような配線基板１を設置する。配線基板１は、はんだバンプ１１で画定されてなるＩＣチップ搭載部が上面に位置し、ソルダーレジスト層１８が下面に位置するようにして配置する。なお、設置部４１は、例えば浅溝によって形成することができる。
【００４３】
なお、支持台４０は、アルミニウム、ステンレスなどの金属材料の他、ガラスやセラミック材料から構成することができる。
【００４４】
次いで、図８に示すように、支持台４０の設置部４１に配線基板１を配置した後、配線基板１を所定の温度、例えばソルダーレジスト層８のガラス転移点以上の温度である、８０℃〜２８０℃に加熱し、図５に示す平板状冶具２０によって配線基板１を押圧する。
【００４５】
なお、ソルダーレジスト層８は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、シアネ-ト樹脂、ポリアミド樹脂等の樹脂組成物に、シリカ、アルミナなどの無機フィラーを含んで構成することができる。
【００４６】
平板状冶具２０の凹部２１の大きさは、上述したように配線基板１のＩＣチップ搭載部を囲い込むような大きさであって、その深さもはんだバンプ１１の上部が底面２１Ａに接触しないような深さであるので、平板状冶具２０によって配線基板１を押圧する際には、凹部２１が開口してなる側の第１の面２０Ａを下側とし、相対向する第２の面２０Ｂを上側として、上記ＩＣチップ搭載部が凹部２１内に位置するようにして行う。
【００４７】
また、平板状治具２０の、凹部２１の外方に位置する外枠２２、すなわち押圧面の表面粗さをソルダーレジスト層８の表面粗さに対応して粗化しているので、平板状治具２０によって配線基板１を押圧した際においても、外枠２２、すなわち押圧面による押圧によってソルダーレジスト層８に接触痕が生じることがない。したがって、平板状冶具２０の外枠２２が配線基板１の、ＩＣチップ搭載部の外方の領域１Ａを押圧し、配線基板１の表面、すなわちソルダーレジスト層８に接触痕を生じることなく、配線基板１の反りを低減して平坦化することができる。
【００４８】
また、ＩＣチップ搭載部は押圧されないので、ＩＣチップと配線基板１との電気的接続を行うはんだバンプ１１を押しつぶしてしまうことがない。結果として、これらの電気的接続を良好に行うことができる。
【００４９】
本実施形態では、平板状冶具２０で配線基板１を押圧する際の温度を、上述したように、ソルダーレジスト層のガラス転移温度以上の温度で行うようにしているので、上記押圧による配線基板１の反りをより効果的に抑制することができる。また、このような温度で押圧した場合においても、上述した作用効果に起因して、配線基板１に対する接触痕の発生を抑制することができる。
【００５０】
なお、平板状治具２０の、凹部２１の外方に位置する外枠２２、すなわち押圧面の算術平均表面粗さRaを、配線基板１の外方領域１Ａ、すなわち平板状治具２０の接触面となるソルダーレジスト層８表面の算術平均表面粗さＲａに対して４．００倍以上３３．００倍以下とし、押圧面の十点平均表面粗さRzを、ソルダーレジスト層８表面の算術平均表面粗さに対して、２．００倍以上１４.００倍以下とすることが好ましい。この場合、平板状冶具２０の押圧による接触痕の発生をより効果的に抑制することができる。
【００５１】
また、ソルダーレジスト層８表面を、平板状冶具２０の押圧面（外枠２２）と接触する接触面と、平板状冶具２０の押圧面（外枠２２）と接触しない非接触面とに区分して、平板状治具２０により配線基板１を押圧した後に、接触面の算術平均表面粗さＲａと、非接触面の算術平均表面粗さＲａとの差が０．０３μｍ以内、接触面の十点平均表面粗さＲｚと、非接触面の十点平均表面粗さＲｚの差が０．３μｍ以内となるよう押圧面（外枠２２）が粗化されていることが好ましい。
【００５２】
接触面と非接触面との表面粗さの差が上述のような小さい値になるよう平板状冶具２０の表面粗さを設定することによって、平板状冶具２０を配線基板１に押圧した際の接触痕の発生をより効果的に抑制することができる。
【００５３】
上述したような平板状冶具２０の表面粗化は、例えば平板状冶具２０に対してサンドブラスト法などを施すことによって実現することができる。また、平板状治具の表面粗さには、サンドブラスト法における砥粒の大きさ、処理時間を適宜変更することで調整することができる。
【実施例】
【００５４】
実施例及び比較例として、押圧面（外枠２２）の表面粗さが異なる平板状治具２０を用いて押圧した場合において、接触痕の発生の有無を調べた結果を表１に示す。配線基板には、押圧前におけるソルダーレジスト層８表面の算術平均表面粗さＲａが０．１０μｍ、十点平均表面粗さＲｚが２．４２μｍであるものを使用した。
【００５５】
なお、実施例及び比較例における、平板状治具２０の凹部２１の外方に位置する押圧面（外枠２２）の算術平均表面粗Raと、ソルダーレジスト層８の算術平均表面粗さRaとの比、平板状治具２０の凹部２１の外方に位置する押圧面（外枠２２）の十点平均表面粗さRzと、ソルダーレジスト層８（ＳＲ）表面の十点平均表面粗さRｚとの比などの諸条件については、表２に示した。表２の表面観察結果では、接触痕が観察されたものをＯＫ、接触根が観察されなかったものについてはＮＧと表記した。
【００５６】
また、表面観察結果における接触痕の発生の有無は、押圧後のソルダーレジスト層８表面を拡大鏡にて１０倍の倍率で観察して判定を行った。
【００５７】
【表１】
【００５８】
【表２】
【００５９】
本発明の範囲内である、押圧前におけるソルダーレジスト層表面の算術平均表面粗さＲａに対して押圧面の算術平均表面粗さＲａが４．００倍以上３３．００倍以下、押圧前におけるソルダーレジスト層８表面の十点平均表面粗さＲｚに対して押圧面の十点平均表面粗さRzが、２．００倍以上１４.００倍以下となる平板状治具を用いて押圧した配線基板では、平板状治具と接触するソルダーレジスト層８の接触面と接触しない非接触面との間における表面粗さの差が小さく、特に平板状治具２０により配線基板１を押圧した後に、接触面の算術平均表面粗さＲａと、非接触面の算術平均表面粗さＲａとの差が０．０３μｍ以内、接触面の十点平均表面粗さＲｚと、非接触面の十点平均表面粗さＲｚの差が０．３μｍ以内となり、接触痕が観察されなかった。
【００６０】
一方、本発明の範囲外にある平板状治具を用いた場合には、ソルダーレジスト層の接触面と非接触面との間における表面粗さの差が大きく、接触痕が観察された。
【００６１】
以上においては、図５に示す平板状部材２０を用いて配線基板１を製造する場合について説明したが、図６に示す平板状部材３０を用いた場合においても上記同様にして配線基板１を製造することができる。但し、この場合は、図８に示す工程において、平板状部材３０の第１の面３０Ａを下側にし、第１の面３０Ａと相対向する第２の面３０Ｂを上側とし、平板状部材２０の外枠２２の代わりに、柱状部３２によって配線基板１の外方領域１Ａを押圧することになる。
【００６２】
以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【００６３】
例えば、上記具体例では、単一の凹部２１及び３１が形成された平板状冶具２０及び３０を用いて、単一の配線基板１を製造する方法、すなわち反りを低減する方法について述べているが、平板状冶具２０及び３０が複数連結され、複数の凹部を有するような冶具を用いることによって、複数の配線基板１を一括して製造（反りの低減）することもできる。
【００６４】
また、上記具体例においては、コア基板２を有する配線基板１に対して説明したが、本発明の製造方法は、当然にコア基板２を有しない配線基板においても適用することができる。
【符号の説明】
【００６５】
１ 配線基板
８，１８ ソルダーレジスト層
１１ はんだバンプ
２０，３０ 平板状部材
２１，３１ 凹部
２２ 外枠
３２ 柱状部
４０ 支持台
４１ 設置部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層され、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる配線基板、いわゆる樹脂製配線基板を用い、この上にＩＣチップを搭載して半導体パッケージを製造することが盛んに行われている。
【０００３】
ＩＣチップは、配線基板の主面上のＩＣチップ搭載部のパッド上に形成されたはんだバンプを介して電気的に接続する。一方、配線基板の裏面側にはベース基板と電気的に接続したり、ソケットに挿入して電気的に接続したりするための外部端子が形成されている。
【０００４】
上記はんだバンプは、配線基板の主面上にはんだペーストを印刷してリフローし、半球状に形成する。
【０００５】
しかしながら、上述したはんだペーストのリフローは、配線基板を加熱装置内に入れて行うものであるため、上述したはんだバンプの形成に際して、配線基板が熱によって反ってしまうという問題があった。このような反りは、特に配線基板のＩＣチップ搭載部で特に問題となり、ＩＣチップ搭載部の反りに起因して、ＩＣチップと配線基板との、はんだバンプを介した電気的接続を十分に行うことができないという問題が生じていた。
【０００６】
このような問題に鑑みて、特許文献１には、はんだペーストをリフローする際に、配線基板を、保持治具を用いて台座に固定し、加熱による配線基板の反りを低減することが試みられている。
【０００７】
しかしながら、上述した配線基板は、上述したはんだペーストのリフローにおける加熱処理のみならず、その製造過程を通じて種々の熱的プロセス及び機械的プロセスを経るため、最終的には、それらのプロセスに起因しても反りが生じてしまう。したがって、配線基板を最終製品として提供する際には、上述のような製造方法を経ることによって得た配線基板に対して、その反りを低減できるような後加熱処理を行う必要がある。
【０００８】
このような後加熱処理は、最表面にソルダーレジスト層が形成されたような配線基板においては、その配線基板を支持台上に固定し、ソルダーレジスト層のガラス転位点の温度以上に配線基板を加熱した後、所定の押圧冶具によって配線基板の全体を支持台に向けて押圧することによって行う。この方法によれば、配線基板の反りを十分に低減できるが、反り低減の操作をソルダーレジスト層のガラス転移点以上の温度で行うことから、配線基板の表面、すなわちソルダーレジスト層の表面に上記押圧冶具の接触痕が形成されてしまう。
【０００９】
このような接触痕は、外観を劣化させるため好ましいものではなく、特にＩＣチップ搭載部においては、ＩＣチップと配線基板との電気的接続を行うはんだバンプを押しつぶしてしまうことになり、これらの電気的接続を良好に行うことができないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−２３４３６６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる配線基板を最終製品として提供する際に、その表面に接触痕を形成することなく配線基板の反りを低減し、平坦化することが可能な新規な製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成すべく、本発明は、
導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる配線基板を、支持台上に配置する工程と、
凹部が形成されてなる平板状の治具により、前記凹部が前記配線基板のＩＣチップ搭載部上に位置し、前記ＩＣチップ搭載部が前記治具と離間した状態で、前記配線基板を、加熱下、前記支持台に対して押圧する工程と、
を備え、
前記治具の、前記凹部の外方に位置する押圧面の表面粗さが前記ソルダーレジスト層の表面粗さに対応して粗化されていることを特徴とする、配線基板の製造方法に関する。
【００１３】
本発明によれば、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる配線基板を所定の支持台上に配置した後、凹部が形成されてなる平板状の冶具を用い、この冶具の凹部が配線基板のＩＣチップ搭載部に位置するようにし、このＩＣチップ搭載部が冶具と離間して接触しない状態で、配線基板を冶具によって支持台に押圧し、反りを低減するようにしている。
【００１４】
この際、治具の、凹部の外方に位置する押圧面の表面粗さがソルダーレジスト層の表面粗さに対応して粗化されているので、上述のように治具によって配線基板を押圧した際においても、上記押圧面による押圧によって上記ソルダーレジスト層に接触痕が生じることがない。
【００１５】
また、配線基板のＩＣチップ搭載部は、一般にその中心部に位置するため、従来のように冶具全体で配線基板を押圧した場合、実質的に大きな押圧力が加わり、ＩＣチップと配線基板との電気的接続を行うはんだバンプを押しつぶしてしまうことになり、これらの電気的接続を良好に行うができなくなってしまう。
【００１６】
一方、本発明では、凹部が形成された平板状冶具を用い、この平板状冶具の凹部が配線基板のＩＣチップ搭載部に位置してＩＣチップ搭載部が平板状冶具に接触しないようにして配置した後、押圧するようにしている。したがって、押圧時において、配線基板のＩＣチップ搭載部は実質的に押圧されないので、ＩＣチップと配線基板との電気的接続を行うはんだバンプを押しつぶしてしまうことがない。結果として、これらの電気的接続を良好に行うことができる。
【００１７】
本発明の一例においては、前記ソルダーレジスト層表面を、治具の前記押圧面と接触する接触面と、治具と接触しない非接触面とに区分した場合、平板状治具により押圧する工程後において、接触面の算術平均表面粗さＲａと非接触面の算術平均表面粗さＲａとの差が０．０３μｍ以内であり、接触面の十点平均表面粗さＲｚと、非接触面の十点平均表面粗さＲｚとの差が０．３μｍ以内となるよう、押圧面が粗化されていることが好ましい。このように接触面と非接触面との表面粗さの差を上述のような小さい値となるよう押圧面が粗化されているので、冶具を配線基板に押圧した際の接触痕の発生をより効果的に抑制することができる。
【００１８】
また、本発明の一例では、平板状治具により押圧する工程前において、平板状治具の凹部の外方に位置する押圧面の算術平均表面粗さRaは、ソルダーレジスト層の算術平均表面粗さRaに対して、４．００倍以上３３．００倍以下であり、平板状治具の、前記凹部の外方に位置する押圧面の十点平均表面粗さRzは、ソルダーレジスト層の十点平均表面粗さRｚに対して、２．００倍以上１４.００倍以下であることが好ましい。平板状治具の押圧面の表面粗さをソルダーレジスト層表面と比べて上述のように適度に大きい値に設定することで、冶具を配線基板に押圧した際に配線基板の反りを低減するとともに、接触痕の発生をより効果的に抑制することができる。
【００１９】
さらに、本発明の一例においては、上記平板状冶具で配線基板を押圧する際の温度を、ソルダーレジスト層のガラス転移温度以上の温度で行うことが好ましい。これによって、上記押圧による配線基板の反りをより効果的に抑制することができる。また、このような温度で押圧した場合においても、本発明の方法を用いることにより、例えば上述した作用効果に起因して、配線基板に対する接触痕の発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明によれば、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる配線基板を最終製品として提供する際に、その表面に接触痕を形成することなく配線基板の反りを低減し、平坦化することが可能な新規な製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】実施形態における配線基板の平面図である。
【図２】同じく、実施形態における配線基板の平面図である。
【図３】図１及び２に示す配線基板をＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。
【図４】図１及び２に示す配線基板をＩＩ−ＩＩ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。
【図５】実施形態で使用する平板状冶具の概略構成を示す図である。
【図６】同じく、実施形態で使用する平板状冶具の概略構成を示す図である。
【図７】実施形態における配線基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図８】同じく、実施形態における製造方法を説明するための工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
【００２３】
（配線基板）
最初に、本発明の方法に使用する配線基板の構成について説明する。但し、以下に示す配線基板はあくまでも例示であって、導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層され、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなるような樹脂製配線基板であれば特に限定されるものではない。
【００２４】
図１及び２は、本実施形態における配線基板の平面図であり、図１は、前記配線基板を上側から見た場合に状態を示し、図２は、前記配線基板を下側から見た場合の状態を示している。また、図３は、図１及び２に示す前記配線基板をＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図であり、図４は、図１及び２に示す前記配線基板をＩＩ−ＩＩ線に沿って切った場合の断面の一部を拡大して示す図である。
【００２５】
図１〜４に示す配線基板１は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア２の両表面に、所定のパターンに形成された金属配線７ａをなすコア導体層Ｍ１，Ｍ１１（単に導体層ともいう）がＣｕメッキによりそれぞれ形成されている。これらコア導体層Ｍ１，Ｍ１１は板状コア２の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層または接地層として用いられるものである。
【００２６】
他方、板状コア２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。また、スルーホール１２は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１により充填されている。
【００２７】
また、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の上層には、熱硬化性樹脂組成物６にて構成された第１のビア層（ビルドアップ層：絶縁層）Ｖ１，Ｖ１１がそれぞれ形成されている。さらに、その表面にはパターン化された金属配線７ｂをなす第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２がＣｕメッキによりそれぞれ形成されている。なお、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１と第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。同様に、第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２の上層には、熱硬化性樹脂組成物６を用いた第２のビア層（ビルドアップ層：絶縁層）Ｖ２，Ｖ１２がそれぞれ形成されている。
【００２８】
第２のビア層Ｖ２及びＶ１２上には、それぞれ金属端子パッド１０，１７を有する第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３が形成されている。これら第１の導体層Ｍ２，Ｍ１２と第２の導体層Ｍ３，Ｍ１３とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。ビア３４は、ビアホール３４ｈとその内周面に設けられたビア導体３４ｓと、底面側にてビア導体３４ｓと導通するように設けられたビアパッド３４ｐと、ビアパッド３４ｐと反対側にてビア導体３４ｈの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３４ｌとを有している。
【００２９】
以上のように、板状コア２の第１の主面ＭＰ１上には、コア導体層Ｍ１、第１のビア層Ｖ１、第１の導体層Ｍ２および第２のビア層Ｖ２が順次に積層され、第１の配線積層部Ｌ１を形成している。また、板状コア２の第２の主面ＭＰ２上においては、コア導体層Ｍ１１、第１のビア層Ｖ１１、第１の導体層Ｍ１２および第２のビア層Ｖ１２が順次に積層され、第２の配線積層部Ｌ２を形成している。そして、第１の主表面ＣＰ１上には複数の金属端子パッド１０が形成されており、第２の主表面ＣＰ２上には、複数の金属端子パッド１７が形成されている。
【００３０】
なお、金属端子パッド１０は、後に形成するはんだバンプを介して図示しないＩＣチップをフリップチップ接続するためのパッド（ＦＣパッド）であり、ＩＣチップ搭載部を構成する。図１に示すように、金属端子パッド１０は、配線基板１の略中央部において形成され、矩形状に配列されている。
【００３１】
また、金属端子パッド１７は、配線基板１をマザーボードやソケット等にピングリッドアレイ（ＰＧＡ）あるいはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）により接続するための裏面ランド（ＰＧＡパッド、ＢＧＡパッド）として利用されるものであって、配線基板１の略中心部を除く外周部に形成され、前記略中央部を囲むようにして矩形状に配列されている。
【００３２】
さらに、第１の主表面ＣＰ１上には開口部８ａを有するソルダーレジスト層８が形成されており、金属端子パッド１０は開口部８ａを介してソルダーレジスト層８から露出している。また、第２の主表面ＣＰ２上にも開口部１８ａを有するソルダーレジスト層１８が形成されており、金属端子パッド１７は開口部１８ａを介してソルダーレジスト層１８から露出している。
【００３３】
また、開口部８ａ内には、たとえばＳｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ等のはんだからなる、はんだバンプ１１が金属端子パッド１０と電気的に接続するようにして形成されている。さらに、開口部１８ａ内には図示しないはんだボールやピン等が金属端子パッド１７と電気的に接続するようにして形成されている。
【００３４】
なお、図１〜４から明らかなように、本実施形態における配線基板１は矩形の略板形状を呈しており、その大きさは、例えば約３５ｍｍ×約３５ｍｍ×約１ｍｍとすることができる。
【００３５】
（配線基板の製造方法）
次に、本発明の配線基板の製造方法について説明する。図５及び図６は、本実施形態で使用する平板状冶具の概略構成を示す図であり、図７及び図８は、本実施形態における製造方法を説明するための工程図である。
【００３６】
図５は、本実施形態における平板状冶具の基本構成を示す概略構成図である。図５に示す平板状冶具２０は、その中心部において凹部２１が形成されており、凹部２１を画定するようにして外枠２２が設けられている。凹部２１の大きさは、後に説明するように、配線基板１のはんだバンプ１１によって画定されてなるＩＣチップ搭載部を囲い込むことができるような大きさとし、その深さは、はんだバンプ１１の上部が凹部２１の底面２１Ａに接触しないような深さとする。
【００３７】
また、外枠２２は、以下に説明するように、配線基板１の平坦化操作の際の押圧面となることから、その表面粗さは、配線基板１のソルダーレジスト層の表面粗さに対応して粗化されていることが必要である。
【００３８】
図６は、図５に示す平板状冶具の変形例に相当する概略構成図である。図６に示す平板状冶具３０は、その中心部において凹部３１が形成されており、その四隅において凹部３１を画定するような柱状部３２が設けられている。凹部３１の大きさは、後に説明するように、配線基板１のはんだバンプ１１によって画定されてなるＩＣチップ搭載部を囲い込むことができるような大きさとし、その深さ、すなわち、柱状部３２の高さは、はんだバンプ１１の上部が凹部２１の底面２１Ａに接触しないような高さとする。
【００３９】
また、柱状部３２は、以下に説明するように、配線基板１の平坦化操作の際の押圧面となることから、その表面粗さは、配線基板１のソルダーレジスト層の表面粗さに対応して粗化されていることが必要である。
【００４０】
なお、平板状冶具２０及び３０は、それぞれアルミニウム、ステンレスなどの金属材料の他、ガラスやセラミック材料から構成することができる。
【００４１】
次に、図５に示す平板状冶具を用いた場合の配線基板の製造方法、すなわち配線基板の反りの低減方法について説明する。
【００４２】
最初に、図７に示すように、配線基板の外形に沿った凹形状をなす設置部４１が設けられた支持台４０を準備し、この支持台４０の設置部４１に図１〜４に示すような配線基板１を設置する。配線基板１は、はんだバンプ１１で画定されてなるＩＣチップ搭載部が上面に位置し、ソルダーレジスト層１８が下面に位置するようにして配置する。なお、設置部４１は、例えば浅溝によって形成することができる。
【００４３】
なお、支持台４０は、アルミニウム、ステンレスなどの金属材料の他、ガラスやセラミック材料から構成することができる。
【００４４】
次いで、図８に示すように、支持台４０の設置部４１に配線基板１を配置した後、配線基板１を所定の温度、例えばソルダーレジスト層８のガラス転移点以上の温度である、８０℃〜２８０℃に加熱し、図５に示す平板状冶具２０によって配線基板１を押圧する。
【００４５】
なお、ソルダーレジスト層８は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、シアネ-ト樹脂、ポリアミド樹脂等の樹脂組成物に、シリカ、アルミナなどの無機フィラーを含んで構成することができる。
【００４６】
平板状冶具２０の凹部２１の大きさは、上述したように配線基板１のＩＣチップ搭載部を囲い込むような大きさであって、その深さもはんだバンプ１１の上部が底面２１Ａに接触しないような深さであるので、平板状冶具２０によって配線基板１を押圧する際には、凹部２１が開口してなる側の第１の面２０Ａを下側とし、相対向する第２の面２０Ｂを上側として、上記ＩＣチップ搭載部が凹部２１内に位置するようにして行う。
【００４７】
また、平板状治具２０の、凹部２１の外方に位置する外枠２２、すなわち押圧面の表面粗さをソルダーレジスト層８の表面粗さに対応して粗化しているので、平板状治具２０によって配線基板１を押圧した際においても、外枠２２、すなわち押圧面による押圧によってソルダーレジスト層８に接触痕が生じることがない。したがって、平板状冶具２０の外枠２２が配線基板１の、ＩＣチップ搭載部の外方の領域１Ａを押圧し、配線基板１の表面、すなわちソルダーレジスト層８に接触痕を生じることなく、配線基板１の反りを低減して平坦化することができる。
【００４８】
また、ＩＣチップ搭載部は押圧されないので、ＩＣチップと配線基板１との電気的接続を行うはんだバンプ１１を押しつぶしてしまうことがない。結果として、これらの電気的接続を良好に行うことができる。
【００４９】
本実施形態では、平板状冶具２０で配線基板１を押圧する際の温度を、上述したように、ソルダーレジスト層のガラス転移温度以上の温度で行うようにしているので、上記押圧による配線基板１の反りをより効果的に抑制することができる。また、このような温度で押圧した場合においても、上述した作用効果に起因して、配線基板１に対する接触痕の発生を抑制することができる。
【００５０】
なお、平板状治具２０の、凹部２１の外方に位置する外枠２２、すなわち押圧面の算術平均表面粗さRaを、配線基板１の外方領域１Ａ、すなわち平板状治具２０の接触面となるソルダーレジスト層８表面の算術平均表面粗さＲａに対して４．００倍以上３３．００倍以下とし、押圧面の十点平均表面粗さRzを、ソルダーレジスト層８表面の算術平均表面粗さに対して、２．００倍以上１４.００倍以下とすることが好ましい。この場合、平板状冶具２０の押圧による接触痕の発生をより効果的に抑制することができる。
【００５１】
また、ソルダーレジスト層８表面を、平板状冶具２０の押圧面（外枠２２）と接触する接触面と、平板状冶具２０の押圧面（外枠２２）と接触しない非接触面とに区分して、平板状治具２０により配線基板１を押圧した後に、接触面の算術平均表面粗さＲａと、非接触面の算術平均表面粗さＲａとの差が０．０３μｍ以内、接触面の十点平均表面粗さＲｚと、非接触面の十点平均表面粗さＲｚの差が０．３μｍ以内となるよう押圧面（外枠２２）が粗化されていることが好ましい。
【００５２】
接触面と非接触面との表面粗さの差が上述のような小さい値になるよう平板状冶具２０の表面粗さを設定することによって、平板状冶具２０を配線基板１に押圧した際の接触痕の発生をより効果的に抑制することができる。
【００５３】
上述したような平板状冶具２０の表面粗化は、例えば平板状冶具２０に対してサンドブラスト法などを施すことによって実現することができる。また、平板状治具の表面粗さには、サンドブラスト法における砥粒の大きさ、処理時間を適宜変更することで調整することができる。
【実施例】
【００５４】
実施例及び比較例として、押圧面（外枠２２）の表面粗さが異なる平板状治具２０を用いて押圧した場合において、接触痕の発生の有無を調べた結果を表１に示す。配線基板には、押圧前におけるソルダーレジスト層８表面の算術平均表面粗さＲａが０．１０μｍ、十点平均表面粗さＲｚが２．４２μｍであるものを使用した。
【００５５】
なお、実施例及び比較例における、平板状治具２０の凹部２１の外方に位置する押圧面（外枠２２）の算術平均表面粗Raと、ソルダーレジスト層８の算術平均表面粗さRaとの比、平板状治具２０の凹部２１の外方に位置する押圧面（外枠２２）の十点平均表面粗さRzと、ソルダーレジスト層８（ＳＲ）表面の十点平均表面粗さRｚとの比などの諸条件については、表２に示した。表２の表面観察結果では、接触痕が観察されたものをＯＫ、接触根が観察されなかったものについてはＮＧと表記した。
【００５６】
また、表面観察結果における接触痕の発生の有無は、押圧後のソルダーレジスト層８表面を拡大鏡にて１０倍の倍率で観察して判定を行った。
【００５７】
【表１】
【００５８】
【表２】
【００５９】
本発明の範囲内である、押圧前におけるソルダーレジスト層表面の算術平均表面粗さＲａに対して押圧面の算術平均表面粗さＲａが４．００倍以上３３．００倍以下、押圧前におけるソルダーレジスト層８表面の十点平均表面粗さＲｚに対して押圧面の十点平均表面粗さRzが、２．００倍以上１４.００倍以下となる平板状治具を用いて押圧した配線基板では、平板状治具と接触するソルダーレジスト層８の接触面と接触しない非接触面との間における表面粗さの差が小さく、特に平板状治具２０により配線基板１を押圧した後に、接触面の算術平均表面粗さＲａと、非接触面の算術平均表面粗さＲａとの差が０．０３μｍ以内、接触面の十点平均表面粗さＲｚと、非接触面の十点平均表面粗さＲｚの差が０．３μｍ以内となり、接触痕が観察されなかった。
【００６０】
一方、本発明の範囲外にある平板状治具を用いた場合には、ソルダーレジスト層の接触面と非接触面との間における表面粗さの差が大きく、接触痕が観察された。
【００６１】
以上においては、図５に示す平板状部材２０を用いて配線基板１を製造する場合について説明したが、図６に示す平板状部材３０を用いた場合においても上記同様にして配線基板１を製造することができる。但し、この場合は、図８に示す工程において、平板状部材３０の第１の面３０Ａを下側にし、第１の面３０Ａと相対向する第２の面３０Ｂを上側とし、平板状部材２０の外枠２２の代わりに、柱状部３２によって配線基板１の外方領域１Ａを押圧することになる。
【００６２】
以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【００６３】
例えば、上記具体例では、単一の凹部２１及び３１が形成された平板状冶具２０及び３０を用いて、単一の配線基板１を製造する方法、すなわち反りを低減する方法について述べているが、平板状冶具２０及び３０が複数連結され、複数の凹部を有するような冶具を用いることによって、複数の配線基板１を一括して製造（反りの低減）することもできる。
【００６４】
また、上記具体例においては、コア基板２を有する配線基板１に対して説明したが、本発明の製造方法は、当然にコア基板２を有しない配線基板においても適用することができる。
【符号の説明】
【００６５】
１ 配線基板
８，１８ ソルダーレジスト層
１１ はんだバンプ
２０，３０ 平板状部材
２１，３１ 凹部
２２ 外枠
３２ 柱状部
４０ 支持台
４１ 設置部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる配線基板を、支持台上に配置する工程と、
凹部が形成されてなる平板状の治具により、前記凹部が前記配線基板のＩＣチップ搭載部上に位置し、前記ＩＣチップ搭載部が前記治具と離間した状態で、前記配線基板を、加熱下、前記支持台に対して押圧する工程と、
を備え、
前記治具の、前記凹部の外方に位置する押圧面の表面粗さが前記ソルダーレジスト層の表面粗さに対応して粗化されていることを特徴とする、配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記ソルダーレジスト層表面は、前記治具の前記押圧面と接触する接触面と、前記治具と接触しない非接触面とに区分され、
前記押圧する工程後において、
前記接触面の算術平均表面粗さＲａと、前記非接触面の算術平均表面粗さＲａとの差が０．０３μｍ以内であり、前記接触面の十点平均表面粗さＲｚと、前記非接触面の十点平均表面粗さＲｚの差が０．３μｍ以内となるように、前記押圧面は粗化されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記押圧する工程前において、
前記治具の、前記凹部の外方に位置する押圧面の算術平均表面粗さRaは、前記ソルダーレジスト層の算術平均表面粗さRaに対して、４．００倍以上３３．００倍以下であり、
前記治具の、前記凹部の外方に位置する押圧面の十点平均表面粗さRzは、前記ソルダーレジスト層の十点平均表面粗さRｚに対して、２．００倍以上１４．００倍以下であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記加熱は、前記ソルダーレジスト層のガラス転移温度以上の温度で行うことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１】
導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる配線基板を、支持台上に配置する工程と、
凹部が形成されてなる平板状の治具により、前記凹部が前記配線基板のＩＣチップ搭載部上に位置し、前記ＩＣチップ搭載部が前記治具と離間した状態で、前記配線基板を、加熱下、前記支持台に対して押圧する工程と、
を備え、
前記治具の、前記凹部の外方に位置する押圧面の表面粗さが前記ソルダーレジスト層の表面粗さに対応して粗化されていることを特徴とする、配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記ソルダーレジスト層表面は、前記治具の前記押圧面と接触する接触面と、前記治具と接触しない非接触面とに区分され、
前記押圧する工程後において、
前記接触面の算術平均表面粗さＲａと、前記非接触面の算術平均表面粗さＲａとの差が０．０３μｍ以内であり、前記接触面の十点平均表面粗さＲｚと、前記非接触面の十点平均表面粗さＲｚの差が０．３μｍ以内となるように、前記押圧面は粗化されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記押圧する工程前において、
前記治具の、前記凹部の外方に位置する押圧面の算術平均表面粗さRaは、前記ソルダーレジスト層の算術平均表面粗さRaに対して、４．００倍以上３３．００倍以下であり、
前記治具の、前記凹部の外方に位置する押圧面の十点平均表面粗さRzは、前記ソルダーレジスト層の十点平均表面粗さRｚに対して、２．００倍以上１４．００倍以下であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記加熱は、前記ソルダーレジスト層のガラス転移温度以上の温度で行うことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１２−３８９９１（Ｐ２０１２−３８９９１Ａ）
【公開日】平成２４年２月２３日（２０１２．２．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７９４０７（Ｐ２０１０−１７９４０７）
【出願日】平成２２年８月１０日（２０１０．８．１０）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月２３日（２０１２．２．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月１０日（２０１０．８．１０）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
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