電子デバイスの性能改善のための電子デバイスコントローラ
【課題】電子デバイスの性能改善のための電子デバイスコントローラを提供する。
【解決手段】本発明の電子デバイスコントローラは、電子デバイスの動作と状態とに関する細部情報に基づいて電子デバイスの性能を計算する計算部と、計算部によって計算された電子デバイスの性能に基づいて、細部情報のうち少なくとも一つをチューニングするチューニング部と、を含みうる。電子デバイスコントローラは、電子デバイスの動作に関連した細部情報及び性能情報をユーザに提供することができ、さらに、細部情報をチューニングして、電子デバイスの性能を改善することができる効果がある。
【解決手段】本発明の電子デバイスコントローラは、電子デバイスの動作と状態とに関する細部情報に基づいて電子デバイスの性能を計算する計算部と、計算部によって計算された電子デバイスの性能に基づいて、細部情報のうち少なくとも一つをチューニングするチューニング部と、を含みうる。電子デバイスコントローラは、電子デバイスの動作に関連した細部情報及び性能情報をユーザに提供することができ、さらに、細部情報をチューニングして、電子デバイスの性能を改善することができる効果がある。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスを制御するための電子デバイスコントローラに係り、より詳細には、電子デバイスの情報を収集してチューニングして、電子デバイスの性能を改善するための電子デバイスコントローラに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、ＳＯＣ（Ｓｙｓｔｅｍ−Ｏｎ−Ｃｈｉｐ）は、電子デバイスと接続するためにコントローラを備える。ＳＯＣに接続される電子デバイスには、例えば、ＨＤＤ、ＲＯＭ、Ｆｌａｓｈメモリのように主にプログラムを保存するのに使われる不揮発性メモリと、ＳＲＡＭ、ＳＤＲＡＭのように汎用で使われる揮発性メモリがある。そして、ＬＣＤ、ＬＥＤのようなディスプレイ装置が、ＳＯＣの外部デバイスに接続され、キャッシュメモリのようにＳＯＣの内部に含まれている内部デバイスがあり得る。ＳＯＣ及び電子デバイスを含むシステムでは、性能の改善のために、ＳＯＣ自体の電力消費と、これら電子デバイスの電力消費とをいずれも最小化しなければならない。したがって、性能の改善のために、電力消費に関連した情報を測定して、これに基づいて電力消費量を計算して最適化された状態を作ることが重要である。
【０００３】
従来、電力消費量を測定するために、電力消費に関連した情報を実測を通じて測定する方法が主に使われた。例えば、電流計などを用いて電流値を測定する方法や性能測定のためにソフトウェアを動作させて実際の遂行時間を測定する方法が使われた。しかし、このような方法は、ユーザが使っている間に、ユーザのパターンによって動的にチューニングすることが不可能であり、ボード（ｂｏａｒｄ）状況などその他の諸般の状況によって電流計を利用した電流測定が難しい場合が発生し、また、外部要人によって影響を多く受けて測定誤差も大きいために、精密な調整などで使いにくいという問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が果たそうとする技術的課題は、電子デバイスの細部情報をチューニングすることで、前記電子デバイスの性能を改善するための電子デバイスコントローラを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記技術的課題を果たすための電子デバイスコントローラは、電子デバイスの動作と状態とに関する細部情報に基づいて電子デバイスの性能を計算する計算部と、前記計算部によって計算された前記電子デバイスの性能に基づいて、前記細部情報のうち少なくとも一つをチューニングするチューニング部と、を含みうる。
【０００６】
また、前記電子デバイスコントローラは、前記細部情報及び前記電子デバイスの性能情報を保存する保存部をさらに含み、前記計算部は、チューニング後の細部情報に基づいて電子デバイスの性能をさらに計算し、前記チューニング部は、チューニング前の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの性能と前記チューニング後の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの性能とによって、前記チューニング前の細部情報と前記チューニング後の細部情報とのうち一つを選択するか、前記電子デバイスの性能と既定の基準性能とを比較し、これに基づいて前記細部情報を前記基準性能に相応する細部情報にチューニングすることができる。
【０００７】
また、前記細部情報は、前記電子デバイスの動作に関するインターフェース情報及び前記電子デバイスの内部状態に関する状態情報を含み、前記電子デバイスコントローラは、前記チューニング部によって選択された細部情報または前記基準性能に相応する細部情報を前記電子デバイスに出力するか、前記細部情報及び前記電子デバイスの性能情報のうち少なくとも一つをディスプレイ装置に提供する送受信部をさらに含みうる。
【０００８】
また、前記計算部は、前記細部情報のそれぞれに相応して既定の性能ファクターを用いて、前記電子デバイスの性能を計算することができる。
【０００９】
また、前記計算部は、前記細部情報の種類別の個数と前記細部情報の種類とに相応する前記性能ファクターを乗算した値を用いて、前記電子デバイスの性能を計算することができる。
【００１０】
また、前記チューニング部は、前記細部情報のうち少なくとも一つの順序を変更するか、削除あるいは再配列して、前記細部情報をチューニングするチューニングブロックと、前記チューニング前の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの性能と前記チューニング後の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの性能とを比較して、さらに良い性能に相応する細部情報を選択するか、前記電子デバイスの性能と前記基準性能とを比較して、さらに良い性能に相応する細部情報を選択する選択ブロックと、を含みうる。
また、前記インターフェース情報は、前記電子デバイスに対する一つ以上の命令を含み、前記チューニング部は、前記一つ以上の命令の順序を変更することで、前記細部情報をチューニングすることができる。
【００１１】
また、前記電子デバイスは、メモリ装置であり、前記電子デバイスコントローラは、前記メモリ装置を制御するメモリコントローラであり、前記インターフェース情報は、前記メモリ装置をアクセスするための命令を含みうる。
【００１２】
また、前記性能情報は、前記電子デバイスの電力消費量を含み、前記チューニング部は、前記チューニング前の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの電力消費量と前記チューニング後の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの電力消費量とを比較して、さらに少ない電力消費量に該当する細部情報を選択するか、前記電子デバイスの電力消費量と既定の基準電力消費量とを比較して、これに基づいて前記細部情報を前記基準電力消費量に相応する細部情報にチューニングすることができる。
【００１３】
また、前記電子デバイスは、キャッシュメモリまたはディスプレイ装置を含みうる。
また、前記電子デバイスコントローラは、システムの内部または外部に含まれうる。
【発明の効果】
【００１４】
電子デバイスコントローラは、電子デバイスの動作に関連した細部情報及び性能情報をユーザに提供することができ、さらに、細部情報をチューニングして、前記電子デバイスの性能を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１Ａ】本発明の一実施形態による電子デバイスコントローラを含むＳＯＣを示すブロック図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態による電子デバイスコントローラを含むＳＯＣを示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態による図１Ａに示された電子デバイスコントローラをさらに詳しく示す図である。
【図３】本発明の一実施形態による図２のチューニング部をさらに詳しく示す図である。
【図４】本発明の一実施形態による電子デバイスコントローラの動作過程を説明するための図である。
【図５】本発明の一実施形態による電子デバイスがメモリ装置である場合、細部情報による消費電力量を示すための図である。
【図６】本発明の一実施形態によるメモリ装置の書き込み命令による電流プロファイルを示すための図である。
【図７】本発明の一実施形態によるメモリ装置の読み出し命令による電流プロファイルを示すための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明と本発明の動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の望ましい実施形態を例示する添付図面及び添付図面に記載の内容を参照しなければならない。以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を説明することによって、本発明を詳しく説明する。各図面に付された同じ参照符号は、同じ部材を表わす。
【００１７】
図１Ａは、本発明の一実施形態による電子デバイスコントローラ１０を含むＳＯＣ１を示すブロック図である。図１Ｂは、本発明の他の一実施形態によるオンチップキャッシュ（Ｏｎ−ｃｈｉｐ Ｃａｃｈｅ）５０を制御する電子デバイスコントローラ１０’を含むＳＯＣ１を示すブロック図である。図１Ａ及び図１Ｂを参考にすると、前記ＳＯＣ１は、電子デバイスコントローラ１０、ＤＭＡ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｍｅｍｏｒｙ Ａｃｃｅｓｓ）２０、内部メモリ３０、マイクロプロセッサ４０及びオンチップキャッシュ５０を含む。
【００１８】
前記ＳＯＣ１は、追加のその他のブロックをさらに含みうるが、図面の簡略化のために省略する。前記電子デバイスコントローラ１０、ＤＭＡ２０、内部メモリ３０、マイクロプロセッサ４０及びオンチップキャッシュ５０は、システムバス６０に連結されて相互通信する。前記ＳＯＣ１内に含まれる装置のうち、本発明と関連していない部分の具体的な動作の説明は省略する。
【００１９】
図１Ａ及び図１Ｂの実施形態では、前記電子デバイスコントローラ１０は、ＳＯＣ１の内部に位置したように示されているが、本発明の範囲が、これに限定されるものではない。例えば、前記電子デバイスコントローラ１０は、前記ＳＯＣ１の外部に位置することもできる。
【００２０】
前記マイクロプロセッサ４０は、前記システムバス６０を通じて前記電子デバイスコントローラ１０に、前記電子デバイス７０の動作と関連したインターフェース情報を提供して、前記電子デバイスコントローラ１０が、前記電子デバイス７０を制御できるようにする。この際、前記電子デバイス７０は、メモリ装置、ＳＯＣ１に含まれたキャッシュメモリ、カメラまたは液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）であり得る。
【００２１】
また、図１Ｂを参考にすると、電子デバイスコントローラ１０’は、オンチップキャッシュ（Ｏｎ−ｃｈｉｐ Ｃａｃｈｅ）５０の細部情報をチューニングすることができる。細部情報は、インターフェース情報と状態情報とを含む。インターフェース情報は、システムバス６０を通じて受信されるキャッシュメモリの動作と関連した情報である。前記状態情報は、キャッシュメモリの内部状態を表わす情報である。この際、前記キャッシュメモリは、オンチップキャッシュ５０メモリであり得る。
【００２２】
以下、図１Ａと関連して、前記電子デバイス７０が、メモリ装置であり、電子デバイスコントローラ１０が、メモリコントローラである実施形態を中心に記述されるが、本発明の範囲が、これに限定されるものではない。
【００２３】
前記インターフェース情報は、メモリ装置の動作と関連したアクティブ（ａｃｔｉｖｅ）、読み出し（ｒｅａｄ）、書き込み（ｗｒｉｔｅ）及びプリチャージ（ｐｒｅｃｈａｒｇｅ）などのような命令情報を含みうる。
【００２４】
また、前記電子デバイスコントローラ１０は、前記メモリ装置の内部状態を表わす状態情報を前記メモリ装置から受信することもできる。前記装置の状態情報には、前記メモリ装置に含まれたメモリセルアレイの内部状態を表わすオープン（ｏｐｅｎ）、クローズ（ｃｌｏｓｅ）、セルフリフレッシュ（ｓｅｌｆ−ｒｅｆｒｅｓｈ）などが含まれうる。
【００２５】
図１Ａには、図示されていないが、前記電子デバイスコントローラ１０は、システムバス６０を通じて外部ディスプレイ装置（図示せず）と連結されていて、情報交換ができる。この際、ユーザは、前記電子デバイスコントローラ１０が、前記電子デバイス７０を制御するための前記インターフェース情報及び前記状態情報を含む各種の情報を外部ディスプレイ装置を通じて確認することができる。
【００２６】
図２は、本発明の一実施形態による図１Ａに示された電子デバイスコントローラ１０をさらに詳しく示す図である。図２を参考にすると、前記電子デバイスコントローラ１０は、送受信部１１０、保存部１２０、計算部１３０及びチューニング部１４０を含む。
【００２７】
送受信部１１０は、システムバス６０を通じて前記インターフェース情報を受信し、電子デバイス７０から電子デバイス７０の状態情報を受信し、前記インターフェース情報及び前記状態情報を含む細部情報を前記システムバス６０を通じて出力することもできる。
【００２８】
前記保存部１２０には、前記インターフェース情報及び前記状態情報を含む細部情報及び電子デバイス７０の性能情報が保存され、また、前記電子デバイス７０のスペック（ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎ）などのような基本動作情報、前記チューニング部１４０によってチューニングされた細部情報及び前記チューニングされた細部情報に基づいたチューニングされた前記電子デバイス７０の性能情報などが保存することができる。
【００２９】
計算部１３０は、前記細部情報に基づいて電子デバイス７０の性能を計算する。計算部１３０によって計算された性能情報は、前記保存部１２０に保存することができる。前記計算部１３０は、前記電子デバイスコントローラ１０の内部でハードウェア及び／またはソフトウェアとして具現可能である。
【００３０】
例えば、前記計算部１３０は、前記細部情報の種類別の個数と前記細部情報の種類とに相応する性能ファクターを乗算した値を用いて、前記電子デバイス７０の性能を計算することができる。この際、前記細部情報のそれぞれに相応する性能ファクター（ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｆａｃｔｏｒ）は、前記保存部１２０に保存された電子デバイス７０のスペックに含まれた値であり得る。
【００３１】
前記送受信部１１０は、保存部１２０に保存された前記細部情報を電子デバイス７０に出力することができ、前記細部情報及び電子デバイス７０の性能情報をシステムバス６０に出力することができる。この際、細部情報は、システムバス６０を通じて外部ディスプレイ装置（図示せず）に出力される。すなわち、本発明の実施形態による電子デバイスコントローラ１０は、一般的なコントローラと異なって、前記電子デバイス７０の動作を制御するだけではなく、前記電子デバイス７０の動作状態及び性能情報をユーザに提供する機能も行える。
【００３２】
前記計算部１３０によって計算される電子デバイス７０の性能情報には、前記電子デバイス７０の動作時の電力消費量、前記電子デバイス７０の動作遂行時間、前記電子デバイス７０のデータ送受信能力などであり得る。しかし、本発明の範囲が、これに限定されるものではない。
【００３３】
チューニング部１４０は、前記電子デバイスの細部情報（インターフェース情報と状態情報）をチューニングして、該チューニングされた細部情報を発生させ、前記保存部１２０に保存する。前記チューニング部１４０は、細部情報に対するチューニングを複数回行える。ここで、チューニングされた細部情報とは、前記電子デバイス７０についての細部情報を前記チューニング部１４０でチューニング（例えば、変更あるいはアップデート）したものである。細部情報のチューニングは、インターフェース情報のチューニングと状態情報のチューニングとを含む。
【００３４】
例えば、インターフェース情報のチューニングは、前記電子デバイス７０の命令遂行の順序を調整（すなわち、一連の命令の再配列）するものを含みうる。状態情報のチューニングは、状態情報を直接的に変更することを意味するよりは、前記電子デバイス７０のインターフェース情報のチューニングの結果によって、前記状態情報が変更されることを意味する。しかし、本発明の範囲が、これに限定されるものではない。
【００３５】
この際、前記計算部１３０は、前記チューニングされた細部情報に基づいてチューニング後、電子デバイス７０の性能を計算し、前記保存部１２０に計算された性能情報を保存する。さらに具体的に説明すれば、前記計算部１３０は、前記チューニングされた細部情報の種類別の個数と前記チューニングされた細部情報の種類とに相応する性能ファクターを乗算した値を用いて、前記チューニングされた前記電子デバイス７０の性能を計算することができる。
【００３６】
前記送受信部１１０は、保存部１２０に保存された前記チューニングされた細部情報を電子デバイス７０に出力することができ、前記チューニングされた細部情報及びチューニング後、電子デバイス７０の性能情報をシステムバス６０に出力することができる。この際、前記チューニングされた細部情報及びチューニングされた電子デバイス７０の性能情報は、システムバス６０を通じて外部ディスプレイ装置（図示せず）に出力される。
【００３７】
また、チューニング部１４０は、チューニング前の電子デバイス７０の性能及びチューニングされた電子デバイス７０の性能に基づいて、前記電子デバイス７０またはシステムバス６０にチューニング前の細部情報を出力するか、前記チューニングされた細部情報を出力するかを選択することができる。
【００３８】
例えば、前記チューニング部１４０は、システムバス６０を通じて受信された細部情報に基づいて計算された電子デバイス７０の性能情報とチューニングされた細部情報に基づいて計算された電子デバイス７０のチューニングされた性能情報とを比較し、電子デバイス７０がさらに良い性能を発揮させる細部情報を選択し、該選択された細部情報を電子デバイス７０に出力することによって、前記電子デバイス７０の性能を改善することができる。これにより、電子デバイスコントローラ１０は、チューニングされたインターフェース情報を用いて電子デバイスをアクセスすることで、前記電子デバイス７０の性能及び前記電子デバイス７０を含むシステムの性能が改善されうる。
【００３９】
また、前記チューニング部１４０は、前記計算部１３０によって計算された前記電子デバイスの性能と既定の基準性能とを比較し、これに基づいて前記細部情報をチューニングすることができる。
【００４０】
例えば、前記チューニング部１４０は、一定時点あるいは一定期間の間に、前記計算部１３０によって計算された前記電子デバイス７０の性能が、前記基準性能から外れる場合、前記細部情報を前記基準性能に相応する細部情報にチューニングすることができる。このために、前記基準性能及び前記基準性能に相応する細部情報は、あらかじめシミュレーション、テストなどの方法を通じて決定されて保存することができる。
【００４１】
例えば、性能情報が電力消費量であり、基準電力消費量が１０ｍＷである場合を仮定する。この場合、前記細部情報による前記電子デバイス７０の電力消費量が２０ｍＷであれば、基準電力消費量である１０ｍＷから大きく外れるので、前記チューニング部１４０は、チューニングを通じて前記細部情報を変更することができる。これにより、前記電子デバイス７０の性能及び前記電子デバイス７０を含むシステムの性能が改善されうる。
【００４２】
また、前記チューニング部１４０は、受信された細部情報及びチューニングされた細部情報のうち、電子デバイス７０がさらに良い性能を発揮させる細部情報をシステムバス６０に出力することで、性能が改善された電子デバイス７０の情報をユーザに提供することもできる。
【００４３】
前記チューニング部１４０が、前記電子デバイス７０の電力消費量を改善するために、細部情報をチューニングする過程を例をあげて説明する。チューニング前の細部情報に基づいた電力消費量が、チューニングされた細部情報に基づいた電力消費量より多いと仮定すれば、前記チューニング部１４０は、チューニングされた細部情報を前記電子デバイス７０に出力させて、前記電子デバイス７０の電力消費量を減少させることができ、チューニングされた細部情報を前記システムバス６０を通じてユーザに伝達することもできる。
【００４４】
以下、図１Ｂのキャッシュメモリを制御する前記電子デバイスコントローラ１０’の動作を、図２と関連して説明する。送受信部１１０は、システムバス６０を通じて前記キャッシュメモリの動作と関連したインターフェース情報を受信し、キャッシュメモリの前記状態情報を受信し、前記キャッシュメモリの動作と関連したインターフェース情報及び前記キャッシュメモリの前記状態情報を含むキャッシュメモリの細部情報を保存部１２０に保存する。
【００４５】
この際、前記キャッシュメモリ５０と関連したインターフェース情報は、キャッシュヒット（ｃａｃｈｅ ｈｉｔ）、キャッシュミス（ｃａｃｈｅ ｍｉｓｓ）及びバイパス（ｂｙｐａｓｓ）情報などのようなリクエスト（ｒｅｑｕｅｓｔ）情報を含み、キャッシュメモリの状態情報は、クロック（ｃｌｏｃｋ）及びリフレッシュ（ｒｅｆｒｅｓｈ）情報などのようなローカリティ（ｌｏｃａｌｉｔｙ）情報を含みうる。
【００４６】
計算部１３０は、前記キャッシュメモリ５０の細部情報に基づいてキャッシュメモリ５０の性能を計算する。計算部１３０によって計算された性能情報は、保存部１２０に保存される。前記送受信部１１０は、保存部１２０に保存された細部情報をキャッシュメモリ５０に出力し、前記キャッシュメモリ５０の細部情報及びキャッシュメモリの性能情報をシステムバス６０に出力することができる。この際、キャッシュメモリ５０の細部情報及び性能情報は、システムバス６０を通じて外部ディスプレイに出力される。
【００４７】
チューニング部１４０は、前記キャッシュメモリの細部情報（すなわち、インターフェース情報と状態情報）をチューニングして、該チューニングされた細部情報を発生させ、前記保存部１２０に保存することができる。前記計算部１３０は、前記チューニングされたキャッシュメモリの細部情報に基づいてチューニング後、キャッシュメモリの性能を計算し、前記保存部１２０に計算された性能情報を保存する。
【００４８】
前記送受信部１１０は、保存部１２０に保存されたチューニングされた細部情報をキャッシュメモリ５０に出力し、前記チューニングされた細部情報及びチューニング後、キャッシュメモリの性能情報をシステムバス６０に出力することができる。この際、チューニングされた細部情報及びチューニングされた性能情報は、システムバス６０を通じて外部ディスプレイ装置（図示せず）に出力される。
【００４９】
また、チューニング部１４０は、チューニング前のキャッシュメモリの性能及びチューニングされたキャッシュメモリの性能に基づいて、前記チューニング前の細部情報を前記キャッシュメモリまたはシステムバス６０に出力するか、チューニングされた細部情報を前記キャッシュメモリまたはシステムバス６０に出力するかを選択することができる。このように、前記チューニング部１４０は、細部情報をチューニングして、前記キャッシュメモリ５０の性能を改善することができる。
【００５０】
図３は、本発明の一実施形態による図２のチューニング部１４０をさらに詳しく示す図である。前記チューニング部１４０は、チューニングブロック１４１及び選択ブロック１４２を含む。
【００５１】
前記チューニングブロック１４１は、電子デバイス７０の細部情報をチューニングする。また、前記選択ブロック１４２は、前記計算部１３０で計算されたチューニング前の電子デバイス７０の性能情報及びチューニングされた電子デバイス７０の性能情報を比較して、前記チューニング前の細部情報または前記チューニングされた細部情報のうち一つを選択する。
【００５２】
また、前記選択ブロック１４２は、電子デバイス７０の性能と基準性能とを比較して、さらに良い性能に相応する細部情報を選択することができる。
【００５３】
図４は、本発明の一実施形態による電子デバイスコントローラ１０の動作過程を説明するための図である。図４に示された電子デバイスコントローラ１０の動作過程は、図２に示された電子デバイスコントローラ１０によって行われる。図４を参照すると、前記電子デバイスコントローラ１０は、システムバス６０を通じて電子デバイス７０の動作と関連したインターフェース情報と前記電子デバイス７０の状態情報を含む細部情報とを受信する（ステップＳ１０）。
【００５４】
次いで、計算部１３０は、受信された細部情報に基づいて電子デバイス７０の性能を計算する（ステップＳ２０）。次いで、チューニング部１４０は、受信された細部情報をチューニングし（ステップＳ３０）、前記計算部１３０は、チューニングされた細部情報に基づいてチューニングされた電子デバイス７０の性能を計算する（ステップＳ４０）。
【００５５】
次いで、前記チューニング部１４０は、チューニングされた細部情報に基づいて計算されたチューニングされた電子デバイス７０の性能が、チューニング前の細部情報に基づいて計算された電子デバイスの性能に比べて改善されたか否かを判断する（ステップＳ５０）。
【００５６】
チューニングされた細部情報に基づいて計算されたチューニングされた電子デバイス７０の性能が、チューニング前の細部情報に基づいて計算された電子デバイス７０の性能より改善されたなら、前記チューニング部１４０は、チューニングされた細部情報を選択し、これにより、チューニングされた細部情報及びチューニングされた電子デバイス７０の性能を前記電子デバイス７０及び／またはシステムバス６０に出力することができ（ステップＳ６０）、そうでなければ、チューニング前の細部情報を選択し、これにより、チューニング前の細部情報及びチューニング前の電子デバイスの性能を前記電子デバイス７０及び前記システムバス６０に出力することができる（ステップＳ７０）。
【００５７】
図５は、本発明の一実施形態による電子デバイス７０がメモリ装置である場合、細部情報による消費電力量を示すための図である。前記計算部１３０は、図５のような各インターフェース情報及び状態情報（横軸）による性能ファクター（縦軸）を用いて、電子デバイス７０の性能を計算することができる。図５は、性能ファクターの一例として、各細部情報に対する消費電力を示している。
【００５８】
図５を参考にすると、本発明の一実施形態によるプリチャージ情報の消費電力量は１１ｍＷ、アクティブ情報の消費電力量は２０．５ｍＷ、書き込み情報の消費電力量は１０ｍＷ、読み出し情報の消費電力量は２０ｍＷ及びＤＱ情報の消費電力量は６ｍＷである。
【００５９】
電子デバイス７０の性能のうち一つである電子デバイス７０の電力消費量は、前記インターフェース情報及び状態情報のそれぞれの個数に、前記インターフェース情報及び前記状態情報の消費電力量を乗算した結果を合わせた結果として計算されうる。例えば、（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＲＤ）（ＲＤ）（ＲＤ）が入力された場合、ＷＲが４回入力され、ＲＤが３回入力されたものなので、電力消費量＝４×１０（ｍＷ）＋３×２０（ｍＷ）＝１００（ｍＷ）になる。
【００６０】
図６は、メモリ装置の書き込み命令による電流プロファイル（ｐｒｏｆｉｌｅ）を示すための図であり、図７は、メモリ装置の読み出し命令による電流プロファイルを示すための図である。
【００６１】
図６の場合、細部情報は、アクティブＡＣＴ命令、４つの書き込みＷＲ命令及びプリチャージＰＲＥ命令を含む一連の命令ＣＭＤに該当し、図７の場合、細部情報は、アクティブ命令、４つの読み出し命令及びプリチャージ命令を含む一連の命令ＣＭＤに該当する。
【００６２】
図６を参照すると、アクティブ命令が入力される時、前記アクティブ命令に対する電流は、所定の高さほど上昇しながら下降することが見られ、書き込み命令が入力されれば、前記書き込み命令に対する電流は、所定の高さほど再び上昇しながら下降する。また、図７を参照すると、アクティブ命令が入力される時、前記アクティブ命令に対する電流は、所定の高さほど上昇しながら下降することが見られ、読み出し命令が入力されれば、前記読み出し命令に対する電流は、所定の高さほど再び上昇しながら下降する。
【００６３】
そして、プリチャージ命令が入力されれば、プリチャージ命令に対する電流は、所定の高さほど再び上昇しながら下降することが見られる。図６及び図７に示したように、各命令による電流プロファイルが異なるために、各命令遂行による消費電力量も異なる。
【００６４】
チューニング部１４０は、インターフェース情報に含まれた命令の遂行順序をチューニングすることで、前記電子デバイス７０の性能をチューニングすることができる。メモリ装置が、図６に示された４つの書き込み命令と別途の３つの他の書き込み命令とを行う場合を例として、前記チューニング部１４０のチューニング動作を説明する。
【００６５】
前記３つの他の書き込み命令が、図６に示された４つの書き込み命令と別途に行われる場合も、図６に示されたところと同様に、３つの他の書き込み命令を行うために、アクティブ命令、３つの書き込み命令、プリチャージ命令の順の電流プロファイルを形成する。前記チューニング部１４０は、図６に示された４つの書き込み命令と前記３つの他の書き込み命令とが別途ではない一度に行われるように、命令の順序をチューニングすることができる。例えば、チューニング前（ＡＣＴ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＰＲＥ）（ＡＣＴ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＰＲＥ）の順序を有する一連の命令をチューニングを通じて（ＡＣＴ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＰＲＥ）に変更されうる。
【００６６】
そうすると、図６に示された４つの書き込み命令と前記他の３つの書き込み命令とが行われる場合、アクティブ命令、７つの書き込み命令、プリチャージ命令の順の電流プロファイルが形成される。すなわち、この場合には、図６に示された４つの書き込み命令と前記他の３つの書き込み命令とが別途に行われる場合に比べて、アクティブ命令及びプリチャージ命令の遂行過程が減少して、メモリ装置の電力消費量が減少しうる。
【００６７】
本発明は、図面に示された一実施形態を参考にして説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、電子デバイスの性能改善のための電子デバイスコントローラ関連の技術分野に適用可能である。
【符号の説明】
【００６９】
１ ＳＯＣ
１０ 電子デバイスコントローラ
２０ ＤＭＡ
３０ 内部メモリ
４０ マイクロプロセッサ
５０ オンチップキャッシュ
６０ システムバス
７０ 電子デバイス
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスを制御するための電子デバイスコントローラに係り、より詳細には、電子デバイスの情報を収集してチューニングして、電子デバイスの性能を改善するための電子デバイスコントローラに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、ＳＯＣ（Ｓｙｓｔｅｍ−Ｏｎ−Ｃｈｉｐ）は、電子デバイスと接続するためにコントローラを備える。ＳＯＣに接続される電子デバイスには、例えば、ＨＤＤ、ＲＯＭ、Ｆｌａｓｈメモリのように主にプログラムを保存するのに使われる不揮発性メモリと、ＳＲＡＭ、ＳＤＲＡＭのように汎用で使われる揮発性メモリがある。そして、ＬＣＤ、ＬＥＤのようなディスプレイ装置が、ＳＯＣの外部デバイスに接続され、キャッシュメモリのようにＳＯＣの内部に含まれている内部デバイスがあり得る。ＳＯＣ及び電子デバイスを含むシステムでは、性能の改善のために、ＳＯＣ自体の電力消費と、これら電子デバイスの電力消費とをいずれも最小化しなければならない。したがって、性能の改善のために、電力消費に関連した情報を測定して、これに基づいて電力消費量を計算して最適化された状態を作ることが重要である。
【０００３】
従来、電力消費量を測定するために、電力消費に関連した情報を実測を通じて測定する方法が主に使われた。例えば、電流計などを用いて電流値を測定する方法や性能測定のためにソフトウェアを動作させて実際の遂行時間を測定する方法が使われた。しかし、このような方法は、ユーザが使っている間に、ユーザのパターンによって動的にチューニングすることが不可能であり、ボード（ｂｏａｒｄ）状況などその他の諸般の状況によって電流計を利用した電流測定が難しい場合が発生し、また、外部要人によって影響を多く受けて測定誤差も大きいために、精密な調整などで使いにくいという問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が果たそうとする技術的課題は、電子デバイスの細部情報をチューニングすることで、前記電子デバイスの性能を改善するための電子デバイスコントローラを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記技術的課題を果たすための電子デバイスコントローラは、電子デバイスの動作と状態とに関する細部情報に基づいて電子デバイスの性能を計算する計算部と、前記計算部によって計算された前記電子デバイスの性能に基づいて、前記細部情報のうち少なくとも一つをチューニングするチューニング部と、を含みうる。
【０００６】
また、前記電子デバイスコントローラは、前記細部情報及び前記電子デバイスの性能情報を保存する保存部をさらに含み、前記計算部は、チューニング後の細部情報に基づいて電子デバイスの性能をさらに計算し、前記チューニング部は、チューニング前の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの性能と前記チューニング後の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの性能とによって、前記チューニング前の細部情報と前記チューニング後の細部情報とのうち一つを選択するか、前記電子デバイスの性能と既定の基準性能とを比較し、これに基づいて前記細部情報を前記基準性能に相応する細部情報にチューニングすることができる。
【０００７】
また、前記細部情報は、前記電子デバイスの動作に関するインターフェース情報及び前記電子デバイスの内部状態に関する状態情報を含み、前記電子デバイスコントローラは、前記チューニング部によって選択された細部情報または前記基準性能に相応する細部情報を前記電子デバイスに出力するか、前記細部情報及び前記電子デバイスの性能情報のうち少なくとも一つをディスプレイ装置に提供する送受信部をさらに含みうる。
【０００８】
また、前記計算部は、前記細部情報のそれぞれに相応して既定の性能ファクターを用いて、前記電子デバイスの性能を計算することができる。
【０００９】
また、前記計算部は、前記細部情報の種類別の個数と前記細部情報の種類とに相応する前記性能ファクターを乗算した値を用いて、前記電子デバイスの性能を計算することができる。
【００１０】
また、前記チューニング部は、前記細部情報のうち少なくとも一つの順序を変更するか、削除あるいは再配列して、前記細部情報をチューニングするチューニングブロックと、前記チューニング前の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの性能と前記チューニング後の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの性能とを比較して、さらに良い性能に相応する細部情報を選択するか、前記電子デバイスの性能と前記基準性能とを比較して、さらに良い性能に相応する細部情報を選択する選択ブロックと、を含みうる。
また、前記インターフェース情報は、前記電子デバイスに対する一つ以上の命令を含み、前記チューニング部は、前記一つ以上の命令の順序を変更することで、前記細部情報をチューニングすることができる。
【００１１】
また、前記電子デバイスは、メモリ装置であり、前記電子デバイスコントローラは、前記メモリ装置を制御するメモリコントローラであり、前記インターフェース情報は、前記メモリ装置をアクセスするための命令を含みうる。
【００１２】
また、前記性能情報は、前記電子デバイスの電力消費量を含み、前記チューニング部は、前記チューニング前の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの電力消費量と前記チューニング後の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの電力消費量とを比較して、さらに少ない電力消費量に該当する細部情報を選択するか、前記電子デバイスの電力消費量と既定の基準電力消費量とを比較して、これに基づいて前記細部情報を前記基準電力消費量に相応する細部情報にチューニングすることができる。
【００１３】
また、前記電子デバイスは、キャッシュメモリまたはディスプレイ装置を含みうる。
また、前記電子デバイスコントローラは、システムの内部または外部に含まれうる。
【発明の効果】
【００１４】
電子デバイスコントローラは、電子デバイスの動作に関連した細部情報及び性能情報をユーザに提供することができ、さらに、細部情報をチューニングして、前記電子デバイスの性能を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１Ａ】本発明の一実施形態による電子デバイスコントローラを含むＳＯＣを示すブロック図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態による電子デバイスコントローラを含むＳＯＣを示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態による図１Ａに示された電子デバイスコントローラをさらに詳しく示す図である。
【図３】本発明の一実施形態による図２のチューニング部をさらに詳しく示す図である。
【図４】本発明の一実施形態による電子デバイスコントローラの動作過程を説明するための図である。
【図５】本発明の一実施形態による電子デバイスがメモリ装置である場合、細部情報による消費電力量を示すための図である。
【図６】本発明の一実施形態によるメモリ装置の書き込み命令による電流プロファイルを示すための図である。
【図７】本発明の一実施形態によるメモリ装置の読み出し命令による電流プロファイルを示すための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明と本発明の動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の望ましい実施形態を例示する添付図面及び添付図面に記載の内容を参照しなければならない。以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を説明することによって、本発明を詳しく説明する。各図面に付された同じ参照符号は、同じ部材を表わす。
【００１７】
図１Ａは、本発明の一実施形態による電子デバイスコントローラ１０を含むＳＯＣ１を示すブロック図である。図１Ｂは、本発明の他の一実施形態によるオンチップキャッシュ（Ｏｎ−ｃｈｉｐ Ｃａｃｈｅ）５０を制御する電子デバイスコントローラ１０’を含むＳＯＣ１を示すブロック図である。図１Ａ及び図１Ｂを参考にすると、前記ＳＯＣ１は、電子デバイスコントローラ１０、ＤＭＡ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｍｅｍｏｒｙ Ａｃｃｅｓｓ）２０、内部メモリ３０、マイクロプロセッサ４０及びオンチップキャッシュ５０を含む。
【００１８】
前記ＳＯＣ１は、追加のその他のブロックをさらに含みうるが、図面の簡略化のために省略する。前記電子デバイスコントローラ１０、ＤＭＡ２０、内部メモリ３０、マイクロプロセッサ４０及びオンチップキャッシュ５０は、システムバス６０に連結されて相互通信する。前記ＳＯＣ１内に含まれる装置のうち、本発明と関連していない部分の具体的な動作の説明は省略する。
【００１９】
図１Ａ及び図１Ｂの実施形態では、前記電子デバイスコントローラ１０は、ＳＯＣ１の内部に位置したように示されているが、本発明の範囲が、これに限定されるものではない。例えば、前記電子デバイスコントローラ１０は、前記ＳＯＣ１の外部に位置することもできる。
【００２０】
前記マイクロプロセッサ４０は、前記システムバス６０を通じて前記電子デバイスコントローラ１０に、前記電子デバイス７０の動作と関連したインターフェース情報を提供して、前記電子デバイスコントローラ１０が、前記電子デバイス７０を制御できるようにする。この際、前記電子デバイス７０は、メモリ装置、ＳＯＣ１に含まれたキャッシュメモリ、カメラまたは液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）であり得る。
【００２１】
また、図１Ｂを参考にすると、電子デバイスコントローラ１０’は、オンチップキャッシュ（Ｏｎ−ｃｈｉｐ Ｃａｃｈｅ）５０の細部情報をチューニングすることができる。細部情報は、インターフェース情報と状態情報とを含む。インターフェース情報は、システムバス６０を通じて受信されるキャッシュメモリの動作と関連した情報である。前記状態情報は、キャッシュメモリの内部状態を表わす情報である。この際、前記キャッシュメモリは、オンチップキャッシュ５０メモリであり得る。
【００２２】
以下、図１Ａと関連して、前記電子デバイス７０が、メモリ装置であり、電子デバイスコントローラ１０が、メモリコントローラである実施形態を中心に記述されるが、本発明の範囲が、これに限定されるものではない。
【００２３】
前記インターフェース情報は、メモリ装置の動作と関連したアクティブ（ａｃｔｉｖｅ）、読み出し（ｒｅａｄ）、書き込み（ｗｒｉｔｅ）及びプリチャージ（ｐｒｅｃｈａｒｇｅ）などのような命令情報を含みうる。
【００２４】
また、前記電子デバイスコントローラ１０は、前記メモリ装置の内部状態を表わす状態情報を前記メモリ装置から受信することもできる。前記装置の状態情報には、前記メモリ装置に含まれたメモリセルアレイの内部状態を表わすオープン（ｏｐｅｎ）、クローズ（ｃｌｏｓｅ）、セルフリフレッシュ（ｓｅｌｆ−ｒｅｆｒｅｓｈ）などが含まれうる。
【００２５】
図１Ａには、図示されていないが、前記電子デバイスコントローラ１０は、システムバス６０を通じて外部ディスプレイ装置（図示せず）と連結されていて、情報交換ができる。この際、ユーザは、前記電子デバイスコントローラ１０が、前記電子デバイス７０を制御するための前記インターフェース情報及び前記状態情報を含む各種の情報を外部ディスプレイ装置を通じて確認することができる。
【００２６】
図２は、本発明の一実施形態による図１Ａに示された電子デバイスコントローラ１０をさらに詳しく示す図である。図２を参考にすると、前記電子デバイスコントローラ１０は、送受信部１１０、保存部１２０、計算部１３０及びチューニング部１４０を含む。
【００２７】
送受信部１１０は、システムバス６０を通じて前記インターフェース情報を受信し、電子デバイス７０から電子デバイス７０の状態情報を受信し、前記インターフェース情報及び前記状態情報を含む細部情報を前記システムバス６０を通じて出力することもできる。
【００２８】
前記保存部１２０には、前記インターフェース情報及び前記状態情報を含む細部情報及び電子デバイス７０の性能情報が保存され、また、前記電子デバイス７０のスペック（ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎ）などのような基本動作情報、前記チューニング部１４０によってチューニングされた細部情報及び前記チューニングされた細部情報に基づいたチューニングされた前記電子デバイス７０の性能情報などが保存することができる。
【００２９】
計算部１３０は、前記細部情報に基づいて電子デバイス７０の性能を計算する。計算部１３０によって計算された性能情報は、前記保存部１２０に保存することができる。前記計算部１３０は、前記電子デバイスコントローラ１０の内部でハードウェア及び／またはソフトウェアとして具現可能である。
【００３０】
例えば、前記計算部１３０は、前記細部情報の種類別の個数と前記細部情報の種類とに相応する性能ファクターを乗算した値を用いて、前記電子デバイス７０の性能を計算することができる。この際、前記細部情報のそれぞれに相応する性能ファクター（ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｆａｃｔｏｒ）は、前記保存部１２０に保存された電子デバイス７０のスペックに含まれた値であり得る。
【００３１】
前記送受信部１１０は、保存部１２０に保存された前記細部情報を電子デバイス７０に出力することができ、前記細部情報及び電子デバイス７０の性能情報をシステムバス６０に出力することができる。この際、細部情報は、システムバス６０を通じて外部ディスプレイ装置（図示せず）に出力される。すなわち、本発明の実施形態による電子デバイスコントローラ１０は、一般的なコントローラと異なって、前記電子デバイス７０の動作を制御するだけではなく、前記電子デバイス７０の動作状態及び性能情報をユーザに提供する機能も行える。
【００３２】
前記計算部１３０によって計算される電子デバイス７０の性能情報には、前記電子デバイス７０の動作時の電力消費量、前記電子デバイス７０の動作遂行時間、前記電子デバイス７０のデータ送受信能力などであり得る。しかし、本発明の範囲が、これに限定されるものではない。
【００３３】
チューニング部１４０は、前記電子デバイスの細部情報（インターフェース情報と状態情報）をチューニングして、該チューニングされた細部情報を発生させ、前記保存部１２０に保存する。前記チューニング部１４０は、細部情報に対するチューニングを複数回行える。ここで、チューニングされた細部情報とは、前記電子デバイス７０についての細部情報を前記チューニング部１４０でチューニング（例えば、変更あるいはアップデート）したものである。細部情報のチューニングは、インターフェース情報のチューニングと状態情報のチューニングとを含む。
【００３４】
例えば、インターフェース情報のチューニングは、前記電子デバイス７０の命令遂行の順序を調整（すなわち、一連の命令の再配列）するものを含みうる。状態情報のチューニングは、状態情報を直接的に変更することを意味するよりは、前記電子デバイス７０のインターフェース情報のチューニングの結果によって、前記状態情報が変更されることを意味する。しかし、本発明の範囲が、これに限定されるものではない。
【００３５】
この際、前記計算部１３０は、前記チューニングされた細部情報に基づいてチューニング後、電子デバイス７０の性能を計算し、前記保存部１２０に計算された性能情報を保存する。さらに具体的に説明すれば、前記計算部１３０は、前記チューニングされた細部情報の種類別の個数と前記チューニングされた細部情報の種類とに相応する性能ファクターを乗算した値を用いて、前記チューニングされた前記電子デバイス７０の性能を計算することができる。
【００３６】
前記送受信部１１０は、保存部１２０に保存された前記チューニングされた細部情報を電子デバイス７０に出力することができ、前記チューニングされた細部情報及びチューニング後、電子デバイス７０の性能情報をシステムバス６０に出力することができる。この際、前記チューニングされた細部情報及びチューニングされた電子デバイス７０の性能情報は、システムバス６０を通じて外部ディスプレイ装置（図示せず）に出力される。
【００３７】
また、チューニング部１４０は、チューニング前の電子デバイス７０の性能及びチューニングされた電子デバイス７０の性能に基づいて、前記電子デバイス７０またはシステムバス６０にチューニング前の細部情報を出力するか、前記チューニングされた細部情報を出力するかを選択することができる。
【００３８】
例えば、前記チューニング部１４０は、システムバス６０を通じて受信された細部情報に基づいて計算された電子デバイス７０の性能情報とチューニングされた細部情報に基づいて計算された電子デバイス７０のチューニングされた性能情報とを比較し、電子デバイス７０がさらに良い性能を発揮させる細部情報を選択し、該選択された細部情報を電子デバイス７０に出力することによって、前記電子デバイス７０の性能を改善することができる。これにより、電子デバイスコントローラ１０は、チューニングされたインターフェース情報を用いて電子デバイスをアクセスすることで、前記電子デバイス７０の性能及び前記電子デバイス７０を含むシステムの性能が改善されうる。
【００３９】
また、前記チューニング部１４０は、前記計算部１３０によって計算された前記電子デバイスの性能と既定の基準性能とを比較し、これに基づいて前記細部情報をチューニングすることができる。
【００４０】
例えば、前記チューニング部１４０は、一定時点あるいは一定期間の間に、前記計算部１３０によって計算された前記電子デバイス７０の性能が、前記基準性能から外れる場合、前記細部情報を前記基準性能に相応する細部情報にチューニングすることができる。このために、前記基準性能及び前記基準性能に相応する細部情報は、あらかじめシミュレーション、テストなどの方法を通じて決定されて保存することができる。
【００４１】
例えば、性能情報が電力消費量であり、基準電力消費量が１０ｍＷである場合を仮定する。この場合、前記細部情報による前記電子デバイス７０の電力消費量が２０ｍＷであれば、基準電力消費量である１０ｍＷから大きく外れるので、前記チューニング部１４０は、チューニングを通じて前記細部情報を変更することができる。これにより、前記電子デバイス７０の性能及び前記電子デバイス７０を含むシステムの性能が改善されうる。
【００４２】
また、前記チューニング部１４０は、受信された細部情報及びチューニングされた細部情報のうち、電子デバイス７０がさらに良い性能を発揮させる細部情報をシステムバス６０に出力することで、性能が改善された電子デバイス７０の情報をユーザに提供することもできる。
【００４３】
前記チューニング部１４０が、前記電子デバイス７０の電力消費量を改善するために、細部情報をチューニングする過程を例をあげて説明する。チューニング前の細部情報に基づいた電力消費量が、チューニングされた細部情報に基づいた電力消費量より多いと仮定すれば、前記チューニング部１４０は、チューニングされた細部情報を前記電子デバイス７０に出力させて、前記電子デバイス７０の電力消費量を減少させることができ、チューニングされた細部情報を前記システムバス６０を通じてユーザに伝達することもできる。
【００４４】
以下、図１Ｂのキャッシュメモリを制御する前記電子デバイスコントローラ１０’の動作を、図２と関連して説明する。送受信部１１０は、システムバス６０を通じて前記キャッシュメモリの動作と関連したインターフェース情報を受信し、キャッシュメモリの前記状態情報を受信し、前記キャッシュメモリの動作と関連したインターフェース情報及び前記キャッシュメモリの前記状態情報を含むキャッシュメモリの細部情報を保存部１２０に保存する。
【００４５】
この際、前記キャッシュメモリ５０と関連したインターフェース情報は、キャッシュヒット（ｃａｃｈｅ ｈｉｔ）、キャッシュミス（ｃａｃｈｅ ｍｉｓｓ）及びバイパス（ｂｙｐａｓｓ）情報などのようなリクエスト（ｒｅｑｕｅｓｔ）情報を含み、キャッシュメモリの状態情報は、クロック（ｃｌｏｃｋ）及びリフレッシュ（ｒｅｆｒｅｓｈ）情報などのようなローカリティ（ｌｏｃａｌｉｔｙ）情報を含みうる。
【００４６】
計算部１３０は、前記キャッシュメモリ５０の細部情報に基づいてキャッシュメモリ５０の性能を計算する。計算部１３０によって計算された性能情報は、保存部１２０に保存される。前記送受信部１１０は、保存部１２０に保存された細部情報をキャッシュメモリ５０に出力し、前記キャッシュメモリ５０の細部情報及びキャッシュメモリの性能情報をシステムバス６０に出力することができる。この際、キャッシュメモリ５０の細部情報及び性能情報は、システムバス６０を通じて外部ディスプレイに出力される。
【００４７】
チューニング部１４０は、前記キャッシュメモリの細部情報（すなわち、インターフェース情報と状態情報）をチューニングして、該チューニングされた細部情報を発生させ、前記保存部１２０に保存することができる。前記計算部１３０は、前記チューニングされたキャッシュメモリの細部情報に基づいてチューニング後、キャッシュメモリの性能を計算し、前記保存部１２０に計算された性能情報を保存する。
【００４８】
前記送受信部１１０は、保存部１２０に保存されたチューニングされた細部情報をキャッシュメモリ５０に出力し、前記チューニングされた細部情報及びチューニング後、キャッシュメモリの性能情報をシステムバス６０に出力することができる。この際、チューニングされた細部情報及びチューニングされた性能情報は、システムバス６０を通じて外部ディスプレイ装置（図示せず）に出力される。
【００４９】
また、チューニング部１４０は、チューニング前のキャッシュメモリの性能及びチューニングされたキャッシュメモリの性能に基づいて、前記チューニング前の細部情報を前記キャッシュメモリまたはシステムバス６０に出力するか、チューニングされた細部情報を前記キャッシュメモリまたはシステムバス６０に出力するかを選択することができる。このように、前記チューニング部１４０は、細部情報をチューニングして、前記キャッシュメモリ５０の性能を改善することができる。
【００５０】
図３は、本発明の一実施形態による図２のチューニング部１４０をさらに詳しく示す図である。前記チューニング部１４０は、チューニングブロック１４１及び選択ブロック１４２を含む。
【００５１】
前記チューニングブロック１４１は、電子デバイス７０の細部情報をチューニングする。また、前記選択ブロック１４２は、前記計算部１３０で計算されたチューニング前の電子デバイス７０の性能情報及びチューニングされた電子デバイス７０の性能情報を比較して、前記チューニング前の細部情報または前記チューニングされた細部情報のうち一つを選択する。
【００５２】
また、前記選択ブロック１４２は、電子デバイス７０の性能と基準性能とを比較して、さらに良い性能に相応する細部情報を選択することができる。
【００５３】
図４は、本発明の一実施形態による電子デバイスコントローラ１０の動作過程を説明するための図である。図４に示された電子デバイスコントローラ１０の動作過程は、図２に示された電子デバイスコントローラ１０によって行われる。図４を参照すると、前記電子デバイスコントローラ１０は、システムバス６０を通じて電子デバイス７０の動作と関連したインターフェース情報と前記電子デバイス７０の状態情報を含む細部情報とを受信する（ステップＳ１０）。
【００５４】
次いで、計算部１３０は、受信された細部情報に基づいて電子デバイス７０の性能を計算する（ステップＳ２０）。次いで、チューニング部１４０は、受信された細部情報をチューニングし（ステップＳ３０）、前記計算部１３０は、チューニングされた細部情報に基づいてチューニングされた電子デバイス７０の性能を計算する（ステップＳ４０）。
【００５５】
次いで、前記チューニング部１４０は、チューニングされた細部情報に基づいて計算されたチューニングされた電子デバイス７０の性能が、チューニング前の細部情報に基づいて計算された電子デバイスの性能に比べて改善されたか否かを判断する（ステップＳ５０）。
【００５６】
チューニングされた細部情報に基づいて計算されたチューニングされた電子デバイス７０の性能が、チューニング前の細部情報に基づいて計算された電子デバイス７０の性能より改善されたなら、前記チューニング部１４０は、チューニングされた細部情報を選択し、これにより、チューニングされた細部情報及びチューニングされた電子デバイス７０の性能を前記電子デバイス７０及び／またはシステムバス６０に出力することができ（ステップＳ６０）、そうでなければ、チューニング前の細部情報を選択し、これにより、チューニング前の細部情報及びチューニング前の電子デバイスの性能を前記電子デバイス７０及び前記システムバス６０に出力することができる（ステップＳ７０）。
【００５７】
図５は、本発明の一実施形態による電子デバイス７０がメモリ装置である場合、細部情報による消費電力量を示すための図である。前記計算部１３０は、図５のような各インターフェース情報及び状態情報（横軸）による性能ファクター（縦軸）を用いて、電子デバイス７０の性能を計算することができる。図５は、性能ファクターの一例として、各細部情報に対する消費電力を示している。
【００５８】
図５を参考にすると、本発明の一実施形態によるプリチャージ情報の消費電力量は１１ｍＷ、アクティブ情報の消費電力量は２０．５ｍＷ、書き込み情報の消費電力量は１０ｍＷ、読み出し情報の消費電力量は２０ｍＷ及びＤＱ情報の消費電力量は６ｍＷである。
【００５９】
電子デバイス７０の性能のうち一つである電子デバイス７０の電力消費量は、前記インターフェース情報及び状態情報のそれぞれの個数に、前記インターフェース情報及び前記状態情報の消費電力量を乗算した結果を合わせた結果として計算されうる。例えば、（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＲＤ）（ＲＤ）（ＲＤ）が入力された場合、ＷＲが４回入力され、ＲＤが３回入力されたものなので、電力消費量＝４×１０（ｍＷ）＋３×２０（ｍＷ）＝１００（ｍＷ）になる。
【００６０】
図６は、メモリ装置の書き込み命令による電流プロファイル（ｐｒｏｆｉｌｅ）を示すための図であり、図７は、メモリ装置の読み出し命令による電流プロファイルを示すための図である。
【００６１】
図６の場合、細部情報は、アクティブＡＣＴ命令、４つの書き込みＷＲ命令及びプリチャージＰＲＥ命令を含む一連の命令ＣＭＤに該当し、図７の場合、細部情報は、アクティブ命令、４つの読み出し命令及びプリチャージ命令を含む一連の命令ＣＭＤに該当する。
【００６２】
図６を参照すると、アクティブ命令が入力される時、前記アクティブ命令に対する電流は、所定の高さほど上昇しながら下降することが見られ、書き込み命令が入力されれば、前記書き込み命令に対する電流は、所定の高さほど再び上昇しながら下降する。また、図７を参照すると、アクティブ命令が入力される時、前記アクティブ命令に対する電流は、所定の高さほど上昇しながら下降することが見られ、読み出し命令が入力されれば、前記読み出し命令に対する電流は、所定の高さほど再び上昇しながら下降する。
【００６３】
そして、プリチャージ命令が入力されれば、プリチャージ命令に対する電流は、所定の高さほど再び上昇しながら下降することが見られる。図６及び図７に示したように、各命令による電流プロファイルが異なるために、各命令遂行による消費電力量も異なる。
【００６４】
チューニング部１４０は、インターフェース情報に含まれた命令の遂行順序をチューニングすることで、前記電子デバイス７０の性能をチューニングすることができる。メモリ装置が、図６に示された４つの書き込み命令と別途の３つの他の書き込み命令とを行う場合を例として、前記チューニング部１４０のチューニング動作を説明する。
【００６５】
前記３つの他の書き込み命令が、図６に示された４つの書き込み命令と別途に行われる場合も、図６に示されたところと同様に、３つの他の書き込み命令を行うために、アクティブ命令、３つの書き込み命令、プリチャージ命令の順の電流プロファイルを形成する。前記チューニング部１４０は、図６に示された４つの書き込み命令と前記３つの他の書き込み命令とが別途ではない一度に行われるように、命令の順序をチューニングすることができる。例えば、チューニング前（ＡＣＴ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＰＲＥ）（ＡＣＴ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＰＲＥ）の順序を有する一連の命令をチューニングを通じて（ＡＣＴ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＷＲ）（ＰＲＥ）に変更されうる。
【００６６】
そうすると、図６に示された４つの書き込み命令と前記他の３つの書き込み命令とが行われる場合、アクティブ命令、７つの書き込み命令、プリチャージ命令の順の電流プロファイルが形成される。すなわち、この場合には、図６に示された４つの書き込み命令と前記他の３つの書き込み命令とが別途に行われる場合に比べて、アクティブ命令及びプリチャージ命令の遂行過程が減少して、メモリ装置の電力消費量が減少しうる。
【００６７】
本発明は、図面に示された一実施形態を参考にして説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、電子デバイスの性能改善のための電子デバイスコントローラ関連の技術分野に適用可能である。
【符号の説明】
【００６９】
１ ＳＯＣ
１０ 電子デバイスコントローラ
２０ ＤＭＡ
３０ 内部メモリ
４０ マイクロプロセッサ
５０ オンチップキャッシュ
６０ システムバス
７０ 電子デバイス
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスの動作と状態とに関する細部情報に基づいて電子デバイスの性能を計算する計算部と、
前記計算部によって計算された前記電子デバイスの性能に基づいて、前記細部情報のうち少なくとも一つをチューニングするチューニング部と、
を含むことを特徴とする電子デバイスコントローラ。
【請求項２】
前記電子デバイスコントローラは、
前記細部情報及び前記電子デバイスの性能情報を保存する保存部をさらに含み、
前記計算部は、チューニング前の細部情報及びチューニング後の細部情報にそれぞれ基づいて、前記電子デバイスの性能を計算し、
前記チューニング部は、チューニング前の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの性能と前記チューニング後の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの性能とによって、前記チューニング前の細部情報と前記チューニング後の細部情報とのうち一つを選択することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスコントローラ。
【請求項３】
前記チューニング部は、
前記計算部によって計算された前記電子デバイスの性能と既定の基準性能とを比較し、該比較結果に基づいて、前記細部情報を前記基準性能に相応する細部情報にチューニングすることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスコントローラ。
【請求項４】
前記細部情報は、前記電子デバイスの動作に関するインターフェース情報及び前記電子デバイスの内部状態に関する状態情報を含み、
前記電子デバイスコントローラは、
前記細部情報のうち少なくとも一つを前記電子デバイスに出力するか、ディスプレイ装置に提供する送受信部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスコントローラ。
【請求項５】
前記計算部は、
前記細部情報のそれぞれに相応して既定の性能ファクターを用いて、前記電子デバイスの性能を計算することを特徴とする請求項４に記載の電子デバイスコントローラ。
【請求項６】
前記計算部は、
前記細部情報の種類別の個数と前記細部情報の種類とに相応する前記性能ファクターを乗算した値を用いて、前記電子デバイスの性能を計算することを特徴とする請求項５に記載の電子デバイスコントローラ。
【請求項７】
前記チューニング部は、
前記細部情報のうち少なくとも一つの順序を変更するか、削除あるいは再配列して、前記細部情報をチューニングするチューニングブロックと、
チューニング前の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの性能とチューニング後の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの性能とを比較して、さらに良い性能に相応する細部情報を選択するか、
前記計算部によって計算された前記電子デバイスの性能と前記基準性能とを比較して、さらに良い性能に相応する細部情報を選択する選択ブロックと、
を含むことを特徴とする請求項４に記載の電子デバイスコントローラ。
【請求項８】
前記インターフェース情報は、前記電子デバイスに対する一つ以上の命令を含み、
前記チューニング部は、前記一つ以上の命令の順序を変更することで、前記細部情報をチューニングすることを特徴とする請求項４に記載の電子デバイスコントローラ。
【請求項９】
前記電子デバイスは、メモリ装置であり、
前記電子デバイスコントローラは、前記メモリ装置を制御するメモリコントローラであり、
前記インターフェース情報は、前記メモリ装置をアクセスするための命令を含むことを特徴とする請求項４に記載の電子デバイスコントローラ。
【請求項１０】
前記性能情報は、前記電子デバイスの電力消費量を含み、
前記チューニング部は、
前記チューニング前の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの電力消費量と前記チューニング後の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの電力消費量とを比較して、さらに少ない電力消費量に該当する細部情報を選択するか、
前記計算部によって計算された電子デバイスの電力消費量と既定の基準電力消費量とを比較し、これに基づいて前記細部情報を前記基準電力消費量に相応する細部情報にチューニングすることを特徴とする請求項２または３に記載の電子デバイスコントローラ。
【請求項１】
電子デバイスの動作と状態とに関する細部情報に基づいて電子デバイスの性能を計算する計算部と、
前記計算部によって計算された前記電子デバイスの性能に基づいて、前記細部情報のうち少なくとも一つをチューニングするチューニング部と、
を含むことを特徴とする電子デバイスコントローラ。
【請求項２】
前記電子デバイスコントローラは、
前記細部情報及び前記電子デバイスの性能情報を保存する保存部をさらに含み、
前記計算部は、チューニング前の細部情報及びチューニング後の細部情報にそれぞれ基づいて、前記電子デバイスの性能を計算し、
前記チューニング部は、チューニング前の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの性能と前記チューニング後の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの性能とによって、前記チューニング前の細部情報と前記チューニング後の細部情報とのうち一つを選択することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスコントローラ。
【請求項３】
前記チューニング部は、
前記計算部によって計算された前記電子デバイスの性能と既定の基準性能とを比較し、該比較結果に基づいて、前記細部情報を前記基準性能に相応する細部情報にチューニングすることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスコントローラ。
【請求項４】
前記細部情報は、前記電子デバイスの動作に関するインターフェース情報及び前記電子デバイスの内部状態に関する状態情報を含み、
前記電子デバイスコントローラは、
前記細部情報のうち少なくとも一つを前記電子デバイスに出力するか、ディスプレイ装置に提供する送受信部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスコントローラ。
【請求項５】
前記計算部は、
前記細部情報のそれぞれに相応して既定の性能ファクターを用いて、前記電子デバイスの性能を計算することを特徴とする請求項４に記載の電子デバイスコントローラ。
【請求項６】
前記計算部は、
前記細部情報の種類別の個数と前記細部情報の種類とに相応する前記性能ファクターを乗算した値を用いて、前記電子デバイスの性能を計算することを特徴とする請求項５に記載の電子デバイスコントローラ。
【請求項７】
前記チューニング部は、
前記細部情報のうち少なくとも一つの順序を変更するか、削除あるいは再配列して、前記細部情報をチューニングするチューニングブロックと、
チューニング前の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの性能とチューニング後の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの性能とを比較して、さらに良い性能に相応する細部情報を選択するか、
前記計算部によって計算された前記電子デバイスの性能と前記基準性能とを比較して、さらに良い性能に相応する細部情報を選択する選択ブロックと、
を含むことを特徴とする請求項４に記載の電子デバイスコントローラ。
【請求項８】
前記インターフェース情報は、前記電子デバイスに対する一つ以上の命令を含み、
前記チューニング部は、前記一つ以上の命令の順序を変更することで、前記細部情報をチューニングすることを特徴とする請求項４に記載の電子デバイスコントローラ。
【請求項９】
前記電子デバイスは、メモリ装置であり、
前記電子デバイスコントローラは、前記メモリ装置を制御するメモリコントローラであり、
前記インターフェース情報は、前記メモリ装置をアクセスするための命令を含むことを特徴とする請求項４に記載の電子デバイスコントローラ。
【請求項１０】
前記性能情報は、前記電子デバイスの電力消費量を含み、
前記チューニング部は、
前記チューニング前の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの電力消費量と前記チューニング後の細部情報に基づいて計算された前記電子デバイスの電力消費量とを比較して、さらに少ない電力消費量に該当する細部情報を選択するか、
前記計算部によって計算された電子デバイスの電力消費量と既定の基準電力消費量とを比較し、これに基づいて前記細部情報を前記基準電力消費量に相応する細部情報にチューニングすることを特徴とする請求項２または３に記載の電子デバイスコントローラ。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図７】
【図５】
【図１Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図７】
【図５】
【公開番号】特開２０１１−７０６６６（Ｐ２０１１−７０６６６Ａ）
【公開日】平成２３年４月７日（２０１１．４．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２０９４１１（Ｐ２０１０−２０９４１１）
【出願日】平成２２年９月１７日（２０１０．９．１７）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＭＳＵＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ ４４２−７４２（ＫＲ）
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年４月７日（２０１１．４．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月１７日（２０１０．９．１７）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＭＳＵＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ ４４２−７４２（ＫＲ）
【Ｆターム（参考）】
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