電子部品用線状はんだ
【課題】フラックス残渣量が少なく、かつ濡れ性に優れた極細線はんだを提供する。
【解決手段】極細線はんだの表面に非イオン系界面活性剤をコートし、そのうえにフラックスを塗布する。フラックスとはんだ素地との接触反応を排除でき、はんだ素地との反応によるフラックスの変成を回避できるから、フラックス性能の低下やその変成分の非ガス化によるフラックス残渣量の増加をそれだけよく防止できる。フラックス入り極細線はんだの表面に非イオン系界面活性剤をコートした形態では、はんだ線表面の酸化を防止でき、それだけフラックス量を減少できる、または弱活性フラックスを使用できる結果、フラックス残渣量を減少できる、またはフラックスを非電解質化できる。
【解決手段】極細線はんだの表面に非イオン系界面活性剤をコートし、そのうえにフラックスを塗布する。フラックスとはんだ素地との接触反応を排除でき、はんだ素地との反応によるフラックスの変成を回避できるから、フラックス性能の低下やその変成分の非ガス化によるフラックス残渣量の増加をそれだけよく防止できる。フラックス入り極細線はんだの表面に非イオン系界面活性剤をコートした形態では、はんだ線表面の酸化を防止でき、それだけフラックス量を減少できる、または弱活性フラックスを使用できる結果、フラックス残渣量を減少できる、またはフラックスを非電解質化できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品のはんだ付けに使用する電子部品用線状はんだに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ファインピッチ電極を有する半導体チップの接合、ダイボンディング、バンプ形成等に極細線はんだを使用することがある。（特許文献１）
この半導体チップの接合等は、はんだにフラックスを塗布するか、またはフラックス芯入り構造とし、所定量のはんだをフラックスとの共存のもとではんだ付け箇所に供給し、溶融することにより行われている。
近来、前記の電極ピッチのファイン化のために線状はんだの一層の極細化が要求されている。
はんだのフラックスは、保存中のはんだの酸化を防止し、はんだ付け箇所の酸化膜を除去し、はんだ付け箇所や溶融はんだの酸化を防止し、はんだの濡れ性を促進するために使用され、ロジンやアジピン酸のような有機酸等が使用されている。
【特許文献１】特開平５−７７０８７号公報
【０００３】
近来、環境衛生上、はんだの鉛フリー化が進められており、Ｓｎを主成分とする鉛フリーはんだ、Ｚｎを主成分とする鉛フリーはんだ、Ａｇ０．１〜５％−Ｃｕ０．１〜５％−残Ｓｎの鉛フリーはんだ等が開発されているが、Ｓｎ等が鉛に較べて表面張力が大きく濡れ性が悪いために、またＺｎ等が鉛に較べて反応性の金属で酸化され易いために、はんだ単位重量当たりのフラックス量を多くする必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フラックスは−ＣＯＯＨ等に基づく活性ではんだの酸化膜を溶解してはんだの濡れ性を促すものであり、はんだの保存中、フラックスとはんだ素地との接触界面での鹸化反応やフラックスと空気との接触界面での酸化反応によりフラックスの活性が減じられて安定な状態に変成されることは否定できない。
はんだに対して必要なフラックス量をｘ％、線状はんだの線径をｒ、はんだの比重をρ、フラックスの比重をρ’とすると、必要なフラックスの体積量ｖは
ｖ＝πρｘｒ２／（１００ρ’）
で与えられる。
表面にフラックスを塗布した線状はんだの場合、前記フラックスとはんだ素地との接触界面やフラックスと空気との接触界面での反応によって変成されるフラックス厚みをΔｔとすると、変成フラックス体積量Δｖは
Δｖ＝２πｒΔｔ
で与えられ、変成フラックス量Δｖ／フラックス量ｖとの比λは
〔数式１〕
λ＝２００ρ’Δｔ／（ρｘｒ）
で与えられる。
【０００５】
はんだ付け中、フラックスの一部はガス化されるが、残部はフラックス残渣となる。このフラックス残渣は吸湿性であり、吸湿により電解溶液となってマイグレーションの原因となることが知られている。
極細線はんだでは、線径ｒが小さく、数式１から明らかなように変成により失われる活性基量が多いから、同じフラックス性能を維持するにはそれだけフラックス量を多くする必要があり、その結果、フラックス残渣が多くなり、マイグレーションに対し不利となる。
【０００６】
やに入り線状はんだの場合、フラックスと空気との接触がなく、またフラックスとはんだ素地との接触面積が小さく、数式１のλは小さいが、はんだ線表面と空気との接触ではんだ素地が酸化され、濡れ不足が生じ、その濡れ不足を補うためにフラックスをそれだけ多くする必要があり、その結果、フラックス残渣が多くなり、マイグレーションに対し不利となる。
【０００７】
本発明の目的は、フラックス残渣量が少なく、かつ濡れ性に優れた極細線はんだを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に係る電子部品用線状はんだは、極細線はんだの表面に非イオン系界面活性剤をコートしたことを特徴とする。
請求項２に係る電子部品用線状はんだは、請求項１の電子部品用線状はんだにおいて、極細線はんだが外径０．０２〜０．６ｍｍの丸線または厚み０．０２〜０．２ｍｍで巾１０〜０．１５ｍｍのリボン状であることを特徴とする。
請求項３に係る電子部品用線状はんだは、請求項１または２の電子部品用線状はんだにおいて、はんだの組成が、Ａｇが０．１〜５．０％、Ｃｕが０．１〜５．０％、残部がＳｎであることを特徴とする。
請求項４に係る電子部品用線状はんだは、請求項１または２の電子部品用線状はんだにおいて、はんだの組成が、ＳｎにＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｆｅのうちの少なくとも一種が０．００１〜５．０％添加された組成であることを特徴とする。
請求項５に係る電子部品用線状はんだは、請求項１または２の電子部品用線状はんだにおいて、はんだの組成が、Ａｌが１．０〜１０．０％、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ｓｂ、Ｆｅ、Ｓｎのうちの少なくとも一種が０．００１〜５．０％、残部がＺｎであることを特徴とする。
請求項６に係る電子部品用線状はんだは、請求項１〜５何れかの電子部品用線状はんだにおいて、非イオン系界面活性剤のコート層上にフラックスを塗布したことを特徴とする。
請求項７に係る電子部品用線状はんだは、請求項１〜５何れかの電子部品用線状はんだにおいて、極細線はんだを中空とし、その空間にフラックスを入れたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
（１）極細線はんだに非イオン系界面活性剤をコートし、そのコート層上にフラックスを塗布した形態では、フラックスとはんだ素地との接触反応を排除でき、はんだ素地との反応によるフラックスの変成を回避できるから、フラックス性能の低下やその変成分の非ガス化によるフラックス残渣量の増加をそれだけよく防止できる。
（２）フラックス入り極細線はんだの表面に非イオン系界面活性剤をコートした形態では、はんだ線表面の酸化を防止でき、それだけフラックス量を減少できる、または弱活性フラックスを使用できる結果、フラックス残渣量を減少できる、またはフラックスを非電解質化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１−１の（イ）及び（ロ）は本発明に係る極細線はんだの異なる実施例を示す横断面図である。
図１−１において、１はリボン状はんだであり、厚みを０．０２〜０．２ｍｍ、巾を１０．０〜０．１５ｍｍとしてある。
１０は丸線はんだであり、外径を０．０２〜０．６ｍｍとしてある。
２ははんだ線の表面にコートした非イオン系界面活性剤であり、付着量ははんだ線に対し１〜１００ｐｐｍとしてある。
この非イオン系界面活性剤には、例えば、ポリオキシエチレングリセリンアルキルエーテル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル等を使用できる。
３は界面活性剤層上に塗布したフラックスであり、そのフラックス重量はフラックスの活性度により異なるが、通常はんだ重量の０．５〜３．０％とされる。フラックスの材質は、ロジンの他、アジピン酸等のカルボン酸を使用できる。
【００１１】
図１−２の（イ）及び（ロ）は上記とは別の本発明に係る極細線はんだの異なる実施例を示す横断面図である。
図１−２において、１’はフラックス入りのリボン状はんだであり、孔にフラックス３を入れ、厚みを０．０２〜０．２ｍｍ、巾を１０．０〜０．１５ｍｍとしてある。
１０’はフラックス入りの丸線はんだであり、孔にフラックスを入れ、外径を０．０２〜０．６ｍｍとしてある。
フラックス重量はフラックスの活性度により異なるが、通常はんだ重量の０．５〜３．０％とされる。フラックスの材質は、ロジンの他、アジピン酸等のカルボン酸を使用できる。
２ははんだ線の表面にコートした非イオン系界面活性剤であり、付着量ははんだ線に対し１〜１００ｐｐｍとしてある。この非イオン系界面活性剤には、例えば、ポリオキシエチレングリセリンアルキルエーテル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル等を使用できる。
【００１２】
図１−１に示す極細線はんだでは、界面活性剤のコート層２によりはんだ素地１，１０とフラックス３との接触が排除され、はんだ合金によるフラックスの変成が防止される。
図１−２に示す極細線はんだでは、界面活性剤のコート層２によりはんだ素地１’，１０’と空気との接触が排除され、はんだ素地の酸化が防止される。
何れの極細線はんだにおいても、界面活性剤２を非イオン系としてあるから、残渣をそれだけ非電解質化でき、後述する通りマイグレーションを効果的に抑制できる。
【００１３】
図１−１に示す実施形態において、線外径を０．０２〜０．６ｍｍと制限した理由は、その下限値未満では破断荷重が小さくなって取り扱いが困難になり、上限値を越えると前記数式１でのｒが大となって変成フラックス量Δｖ／フラックス量ｖとの比λが小さくなり、界面活性剤をコートする技術的意義が実質的になくなるからである。
【００１４】
図１−２に示す実施形態において、線外径を０．０２〜０．６ｍｍと制限した理由は、その下限値未満では破断荷重が小さくなって取り扱いが困難になり、上限の制限理由は、はんだ線表面の酸化によるはんだの酸素含有量が線径ｒに反比例し、上限を越える寸法では界面活性剤をコートしてはんだ線表面の酸化を防止する技術的意義が実質的になくなるからである。
【００１５】
図１−１に示す極細線はんだを製造するには、母材を所定径の棒状に押出成形し、これをダイスにより線引き加工し、更にロールで圧延加工し、潤滑油を洗浄除去したのち、非イオン系界面活性剤をコートし、そのコート層上にフラックスを塗布していく。
【００１６】
図１−２に示す極細線はんだを製造するには、母材を所定径の中空棒状に押出成形し、その中空孔にフラックスを充填し、これをダイスにより線引き加工し、更にロールで圧延加工し、潤滑油を洗浄除去したのち、非イオン系界面活性剤をコートしていく。
非イオン系界面活性剤を線引き加工の潤滑油として使用する場合、潤滑油を洗浄除去することなく、その潤滑油層を非イオン系界面活性剤層として使用できる。
かかる製造方法によれば、はんだ素地と空気との接触を当初よりよく防止でき、はんだが含有する酸素量を母材製造時や押出・線引き中での酸素巻き込みに起因するものにとどめ得、はんだの酸素含有量を５〜２０ｐｐｍ程度の極く微量に抑えることができる。
【００１７】
極細線はんだをリボン状とした実施形態において、厚みを０．０２〜０．２ｍｍ、巾を１０．０〜０．１５ｍｍとした理由も前記の限定理由に同じである。て
【００１８】
前記はんだの合金組成には、鉛フリーが使用され、次のものを好適に使用できる。
（１）Ａｇ０．１〜５．０％−Ｃｕ０．１〜５．０％−残部Ｓｎ
Ａｇを０．１〜５．０％添加する理由は、液相線温度を２２０℃〜２３０℃に抑えると共にＡｇとＳｎとの金属間化合物Ａｇ３Ｓｎを分散させて引張り強度を向上させるためであり、０．１％未満では液相線温度を２３０℃以下にすることが難しく、５．０％を越えると液相線温度が高くなり過ぎるばかりか金属間化合物Ａｇ３Ｓｎが過剰となり伸び特性が低下し脆くなる。
Ｃｕを０．１〜５．０％添加する理由は、融点を低下させると共にＡｇとの相乗効果により機械的特性を向上させるためであり、０．１％未満では添加の効果が得られず、５．０％を越えると液相線温度が高くなるばかりか、Ｓｎ−Ｃｕ金属間化合物が多量に発生して機械的強度が低下される。
（２）Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｆｅの少なくとも何れか一種が０．００１〜５．０％、残部がＳｎ
Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｆｅの少なくとも何れか一種を０．００１〜５．０％添加する理由は、Ｓｎの融点を基準として液相線温度を調整すると共に接着強度を向上させるためであり、０．１％未満では添加の効果が得られず、５．０％を越えるとＳｎとの金属間化合物が多量に発生して機械的強度が低下される。
（３）Ａｌが１．０〜１０．０％、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ｓｂ、Ｆｅ、Ｓｎのうちの何れか一種が０．００１〜５．０％、残部がＺｎ
Ｓｉのダイボンドやパワーモジュールの接合に用いるはんだ組成である。Ａｌを１．０〜１０．０％添加する理由は、Ａｌ−Ｚｎの共晶点（Ｚｎ−５Ａｌ、３８２℃）に対し液相線温度を３９０℃〜４２０℃にするためであり、１．０％未満では液相線温度を３９０℃以上にすることができず、１０．０％を越えると液相線温度が４２０℃以下にすることが難しい。Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ｓｂ、Ｆｅ、Ｓｎの何れか１種を０．００１〜５．０％添加する理由は、接着強度を向上させたり固相線温度を下げるためであり、０．１％未満では添加の効果が得られず、５．０％を越えるとＺｎとの金属間化合物が多量に発生して機械的強度が低下される。
【００１９】
本発明に係る極細線はんだのうち、フラックス付きのはんだでは、はんだ合金の素地とフラックスとの間に界面活性剤が介在しているから、保管中、フラックスがはんだ合金で変成されることがない。または、はんだ線外面が界面活性剤で覆われているから、保管中、はんだ線外面が酸化されることがない。
【００２０】
本発明に係る極細線はんだのうち、フラックス付きのはんだを使用して電子部品のはんだ付けを行うには、通常の空気雰囲気のもとではんだ付け箇所に一定量のはんだを供給し、自動温度制御方式の精密電気はんだゴテではんだ付けしていく。界面活性剤は親水基と親油基を有し、親油性のためにフラックスの油脂分とよく混和し、フラックスの活性によりはんだ付け箇所の酸化膜の除去、酸化防止が行われ、溶融はんだのはんだ付け箇所への濡れが促される。フラックスの一部はガス化により飛散されるが、残りのフラックス残渣が濡れ拡がり、凝固はんだの周囲からはみ出される。フラックス残渣は吸湿性であり、吸湿により電解質溶液となり、電子部品の電極間がフラックス残渣でブリッジされていると、マイグレーションが発生するに至る。
しかしながら、本発明に係る極細線はんだのうちのフラックス付きのはんだでは、はんだ合金によるフラックスの変成を防止してフラックスの機能を効率よく発揮させ得、それだけフラックスの使用量を少なくできる、またははんだ線表面の酸化を防止でき、それだけフラックスの使用量を少なくできる結果、フラックス残渣量を少なくできる。従って、少ないフラックス量ではんだ付け箇所を溶融はんだでよく濡らし得、かつ電極間のフラックス残渣によるブリッジをよく防止し得、マイグレーションの畏れのない良好なはんだ付けを行うことができる。
【００２１】
本発明に係る極細線はんだのうちのフラックス付きのはんだでは、フラックス量を少なくでき、フラックス入りでははんだ合金の断面積を大きくできる結果、極細線はんだの引張り強度を向上できる。
【００２２】
本発明に係る極細線はんだのうち、フラックス無しのはんだを使用して電子部品のはんだ付けを行うには、還元性雰囲気、例えばＡｒ−濃度４％Ｈ２雰囲気のもとではんだ付け箇所に一定量のはんだを供給し、自動温度制御方式の精密電気はんだゴテではんだ付けしていく。この場合、はんだ保管中での酸化を界面活性剤のコート層で防止でき、はんだ付け中も還元性雰囲気で酸素を遮断して酸化を防止しでき、しかもはんだ中に巻き込まれている酸化物を還元性雰囲気で還元できる。しかも、界面活性剤のコート量をはんだ線に対し１〜１００ｐｐｍと微量としてあるから、界面活性剤がはんだ付けに与える影響はない。界面活性剤の残渣が微量であり、かつ非イオン系で非電解質であるから、マイグレーションの畏れのない良好なはんだ付けを行うことができる。
【００２３】
本発明において、界面活性剤として非イオン系をしているために残渣の電解質化を排除できる。更に、吸湿下でのはんだ合金素地との反応やフラックスとの反応を排除でき、はんだ合金やフラックスの経時的安定性に影響を及ぼすこともない。
【００２４】
以下の実施例１〜１０において、はんだをリボン状とし、厚みを０．０７ｍｍ、巾を０．６ｍｍとした。
非イオン系界面活性剤にはポリオキシエチレンアルキルエーテルを使用した。はんだに対するポリオキシエチレンアルキルエーテルのコート量は１〜１００ｐｐｍである。
フラックスにはロジンを使用した。
試料を大気中オーブン６０℃×２４時間の酸化環境においた後、長さ１０ｍｍの切断試料を銅板上に載置し、２６０℃のホットプレート上に５秒間保持して濡れ性及びフラック残渣の評価を行った。
はんだの溶融状態は両端側が丸く拡がった双子状となり、中央箇所の溶融はんだの接触角が９０°を越えるものを濡れ性×、９０°より小で７０°より大きいものを濡れ性○、７０℃より小さいものを濡れ性◎と評価し、両端丸形でのフラックス残渣の外郭がはんだの外郭の１．５倍を越えるものを残渣量×、１．２倍〜１．５倍のものを残渣量○、１．２倍以下のものを残渣量◎と評価した。
【実施例１】
【００２５】
図１−２に示す形態であり、合金組成をＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕとし、フラックス量を合金量の１重量％とした。
濡れ性及び残渣量ともに◎であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。そこで、フラックス量を合金量の３．３重量％としたところ濡れ性は◎となったが、残渣量が×となった。
【実施例２】
【００２６】
図１−２に示す形態であり、合金組成をＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ−４Ｉｎとし、フラックス量を合金量の１重量％とした。
濡れ性、残渣量ともに◎であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例３】
【００２７】
図１−２に示す形態であり、合金組成をＳｎ−３．５Ａｇ−０．７Ｃｕ−０．２Ｎｉとし、フラックス量を合金量の２重量％とした。
濡れ性は◎であり、残渣量は○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例４】
【００２８】
図１−１に示す形態であり、合金組成をＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ−０．１Ｇｅとし、フラックス量を合金量の０．５重量％とした。
濡れ性、残渣量ともには◎であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例５】
【００２９】
図１−１に示す形態であり、合金組成をＳｎ−２Ａｇ−２Ｂｉとし、フラックス量を合金量の０．５重量％とした。
濡れ性、残渣量ともには◎であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例６】
【００３０】
図１−１に示す形態であり、合金組成をＳｎ−８Ｚｎ−３Ｂｉとし、フラックス量を合金量の１．０重量％とした。
濡れ性は○であり、残渣量は◎であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例７】
【００３１】
図１−１に示す形態であり、合金組成をＳｎ−５Ｓｂとし、フラックス量を合金量の３．０重量％とした。
濡れ性は◎であり、残渣量は○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例８】
【００３２】
図１−１に示す形態であり、合金組成をＳｎ−９Ｚｎとし、フラックス量を合金量の２．０重量％とした。
濡れ性、残渣量ともに○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。フラックス量を合金量の１．０重量％としたところ残渣量は◎となったが、濡れ性は×のままであった。
【実施例９】
【００３３】
図１−１に示す形態であり、合金組成をＳｎ−１Ｃｕ−０．１Ｎｉとし、フラックス量を合金量の２．０重量％とした。
濡れ性、残渣量ともに○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。フラックス量を合金量の１．０重量％としたところ残渣量は◎となったが、濡れ性は×のままであった。
【実施例１０】
【００３４】
図１−１に示す形態であり、合金組成をＳｎ−５Ｉｎ−０．０１Ｆｅとし、フラックス量を合金量の２．０重量％とした。
濡れ性は◎であり、残渣量は○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【００３５】
以下の実施例１１〜１６において、はんだはフラックス無しのリボン状とし、厚みを０．０７ｍｍ、巾を０．６ｍｍとした。
非イオン系界面活性剤にはポリオキシエチレンアルキルエーテルを使用した。はんだに対するポリオキシエチレンアルキルエーテルのコート量は１〜１００ｐｐｍである。
試料を大気中オーブン６０℃×２４時間の酸化環境においた後、長さ１０ｍｍの切断試料をＮｉメッキコバール板上に載置し、Ａｒ−４％濃度Ｈ２ガス炉中に４００℃、１分間保持して濡れ性及びフラック残渣の評価を行った。
はんだの溶融状態は両端側が丸く拡がった双子状となり、中央箇所の溶融はんだの接触角が９０°を越えるものを濡れ×、９０°より小で７０℃より大きいものを濡れ○、７０℃より小さいものを濡れ◎と評価した。
【実施例１１】
【００３６】
合金組成をＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕとした。濡れ性が◎であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例１２】
【００３７】
合金組成をＳｎ−３．５Ａｇ−０．７Ｃｕ−０．２Ｎｉとした。濡れ性が◎であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例１３】
【００３８】
合金組成をＺｎ−５Ａｌとした。
濡れ性が○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例１４】
【００３９】
合金組成をＺｎ−５Ａｌ−０．００４Ｆｅとした。濡れ性が○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例１５】
【００４０】
合金組成をＺｎ−５Ａｌ−０．００４Ｆｅ−２Ｇｅとした。濡れ性が○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例１６】
【００４１】
合金組成をＺｎ−５Ａｌ−０．０１Ｆｅ−０．１Ａｇとした。濡れ性が○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１−１】本発明に係る電子部品用線状はんだの異なる実施例を示す断面図である。
【図１−２】本発明に係る電子部品用線状はんだの上記とは別の異なる実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１ はんだ
１’ はんだ
１０ はんだ
１０’ はんだ
２ 非イオン系界面活性剤
３ フラックス
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品のはんだ付けに使用する電子部品用線状はんだに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ファインピッチ電極を有する半導体チップの接合、ダイボンディング、バンプ形成等に極細線はんだを使用することがある。（特許文献１）
この半導体チップの接合等は、はんだにフラックスを塗布するか、またはフラックス芯入り構造とし、所定量のはんだをフラックスとの共存のもとではんだ付け箇所に供給し、溶融することにより行われている。
近来、前記の電極ピッチのファイン化のために線状はんだの一層の極細化が要求されている。
はんだのフラックスは、保存中のはんだの酸化を防止し、はんだ付け箇所の酸化膜を除去し、はんだ付け箇所や溶融はんだの酸化を防止し、はんだの濡れ性を促進するために使用され、ロジンやアジピン酸のような有機酸等が使用されている。
【特許文献１】特開平５−７７０８７号公報
【０００３】
近来、環境衛生上、はんだの鉛フリー化が進められており、Ｓｎを主成分とする鉛フリーはんだ、Ｚｎを主成分とする鉛フリーはんだ、Ａｇ０．１〜５％−Ｃｕ０．１〜５％−残Ｓｎの鉛フリーはんだ等が開発されているが、Ｓｎ等が鉛に較べて表面張力が大きく濡れ性が悪いために、またＺｎ等が鉛に較べて反応性の金属で酸化され易いために、はんだ単位重量当たりのフラックス量を多くする必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フラックスは−ＣＯＯＨ等に基づく活性ではんだの酸化膜を溶解してはんだの濡れ性を促すものであり、はんだの保存中、フラックスとはんだ素地との接触界面での鹸化反応やフラックスと空気との接触界面での酸化反応によりフラックスの活性が減じられて安定な状態に変成されることは否定できない。
はんだに対して必要なフラックス量をｘ％、線状はんだの線径をｒ、はんだの比重をρ、フラックスの比重をρ’とすると、必要なフラックスの体積量ｖは
ｖ＝πρｘｒ２／（１００ρ’）
で与えられる。
表面にフラックスを塗布した線状はんだの場合、前記フラックスとはんだ素地との接触界面やフラックスと空気との接触界面での反応によって変成されるフラックス厚みをΔｔとすると、変成フラックス体積量Δｖは
Δｖ＝２πｒΔｔ
で与えられ、変成フラックス量Δｖ／フラックス量ｖとの比λは
〔数式１〕
λ＝２００ρ’Δｔ／（ρｘｒ）
で与えられる。
【０００５】
はんだ付け中、フラックスの一部はガス化されるが、残部はフラックス残渣となる。このフラックス残渣は吸湿性であり、吸湿により電解溶液となってマイグレーションの原因となることが知られている。
極細線はんだでは、線径ｒが小さく、数式１から明らかなように変成により失われる活性基量が多いから、同じフラックス性能を維持するにはそれだけフラックス量を多くする必要があり、その結果、フラックス残渣が多くなり、マイグレーションに対し不利となる。
【０００６】
やに入り線状はんだの場合、フラックスと空気との接触がなく、またフラックスとはんだ素地との接触面積が小さく、数式１のλは小さいが、はんだ線表面と空気との接触ではんだ素地が酸化され、濡れ不足が生じ、その濡れ不足を補うためにフラックスをそれだけ多くする必要があり、その結果、フラックス残渣が多くなり、マイグレーションに対し不利となる。
【０００７】
本発明の目的は、フラックス残渣量が少なく、かつ濡れ性に優れた極細線はんだを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に係る電子部品用線状はんだは、極細線はんだの表面に非イオン系界面活性剤をコートしたことを特徴とする。
請求項２に係る電子部品用線状はんだは、請求項１の電子部品用線状はんだにおいて、極細線はんだが外径０．０２〜０．６ｍｍの丸線または厚み０．０２〜０．２ｍｍで巾１０〜０．１５ｍｍのリボン状であることを特徴とする。
請求項３に係る電子部品用線状はんだは、請求項１または２の電子部品用線状はんだにおいて、はんだの組成が、Ａｇが０．１〜５．０％、Ｃｕが０．１〜５．０％、残部がＳｎであることを特徴とする。
請求項４に係る電子部品用線状はんだは、請求項１または２の電子部品用線状はんだにおいて、はんだの組成が、ＳｎにＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｆｅのうちの少なくとも一種が０．００１〜５．０％添加された組成であることを特徴とする。
請求項５に係る電子部品用線状はんだは、請求項１または２の電子部品用線状はんだにおいて、はんだの組成が、Ａｌが１．０〜１０．０％、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ｓｂ、Ｆｅ、Ｓｎのうちの少なくとも一種が０．００１〜５．０％、残部がＺｎであることを特徴とする。
請求項６に係る電子部品用線状はんだは、請求項１〜５何れかの電子部品用線状はんだにおいて、非イオン系界面活性剤のコート層上にフラックスを塗布したことを特徴とする。
請求項７に係る電子部品用線状はんだは、請求項１〜５何れかの電子部品用線状はんだにおいて、極細線はんだを中空とし、その空間にフラックスを入れたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
（１）極細線はんだに非イオン系界面活性剤をコートし、そのコート層上にフラックスを塗布した形態では、フラックスとはんだ素地との接触反応を排除でき、はんだ素地との反応によるフラックスの変成を回避できるから、フラックス性能の低下やその変成分の非ガス化によるフラックス残渣量の増加をそれだけよく防止できる。
（２）フラックス入り極細線はんだの表面に非イオン系界面活性剤をコートした形態では、はんだ線表面の酸化を防止でき、それだけフラックス量を減少できる、または弱活性フラックスを使用できる結果、フラックス残渣量を減少できる、またはフラックスを非電解質化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１−１の（イ）及び（ロ）は本発明に係る極細線はんだの異なる実施例を示す横断面図である。
図１−１において、１はリボン状はんだであり、厚みを０．０２〜０．２ｍｍ、巾を１０．０〜０．１５ｍｍとしてある。
１０は丸線はんだであり、外径を０．０２〜０．６ｍｍとしてある。
２ははんだ線の表面にコートした非イオン系界面活性剤であり、付着量ははんだ線に対し１〜１００ｐｐｍとしてある。
この非イオン系界面活性剤には、例えば、ポリオキシエチレングリセリンアルキルエーテル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル等を使用できる。
３は界面活性剤層上に塗布したフラックスであり、そのフラックス重量はフラックスの活性度により異なるが、通常はんだ重量の０．５〜３．０％とされる。フラックスの材質は、ロジンの他、アジピン酸等のカルボン酸を使用できる。
【００１１】
図１−２の（イ）及び（ロ）は上記とは別の本発明に係る極細線はんだの異なる実施例を示す横断面図である。
図１−２において、１’はフラックス入りのリボン状はんだであり、孔にフラックス３を入れ、厚みを０．０２〜０．２ｍｍ、巾を１０．０〜０．１５ｍｍとしてある。
１０’はフラックス入りの丸線はんだであり、孔にフラックスを入れ、外径を０．０２〜０．６ｍｍとしてある。
フラックス重量はフラックスの活性度により異なるが、通常はんだ重量の０．５〜３．０％とされる。フラックスの材質は、ロジンの他、アジピン酸等のカルボン酸を使用できる。
２ははんだ線の表面にコートした非イオン系界面活性剤であり、付着量ははんだ線に対し１〜１００ｐｐｍとしてある。この非イオン系界面活性剤には、例えば、ポリオキシエチレングリセリンアルキルエーテル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル等を使用できる。
【００１２】
図１−１に示す極細線はんだでは、界面活性剤のコート層２によりはんだ素地１，１０とフラックス３との接触が排除され、はんだ合金によるフラックスの変成が防止される。
図１−２に示す極細線はんだでは、界面活性剤のコート層２によりはんだ素地１’，１０’と空気との接触が排除され、はんだ素地の酸化が防止される。
何れの極細線はんだにおいても、界面活性剤２を非イオン系としてあるから、残渣をそれだけ非電解質化でき、後述する通りマイグレーションを効果的に抑制できる。
【００１３】
図１−１に示す実施形態において、線外径を０．０２〜０．６ｍｍと制限した理由は、その下限値未満では破断荷重が小さくなって取り扱いが困難になり、上限値を越えると前記数式１でのｒが大となって変成フラックス量Δｖ／フラックス量ｖとの比λが小さくなり、界面活性剤をコートする技術的意義が実質的になくなるからである。
【００１４】
図１−２に示す実施形態において、線外径を０．０２〜０．６ｍｍと制限した理由は、その下限値未満では破断荷重が小さくなって取り扱いが困難になり、上限の制限理由は、はんだ線表面の酸化によるはんだの酸素含有量が線径ｒに反比例し、上限を越える寸法では界面活性剤をコートしてはんだ線表面の酸化を防止する技術的意義が実質的になくなるからである。
【００１５】
図１−１に示す極細線はんだを製造するには、母材を所定径の棒状に押出成形し、これをダイスにより線引き加工し、更にロールで圧延加工し、潤滑油を洗浄除去したのち、非イオン系界面活性剤をコートし、そのコート層上にフラックスを塗布していく。
【００１６】
図１−２に示す極細線はんだを製造するには、母材を所定径の中空棒状に押出成形し、その中空孔にフラックスを充填し、これをダイスにより線引き加工し、更にロールで圧延加工し、潤滑油を洗浄除去したのち、非イオン系界面活性剤をコートしていく。
非イオン系界面活性剤を線引き加工の潤滑油として使用する場合、潤滑油を洗浄除去することなく、その潤滑油層を非イオン系界面活性剤層として使用できる。
かかる製造方法によれば、はんだ素地と空気との接触を当初よりよく防止でき、はんだが含有する酸素量を母材製造時や押出・線引き中での酸素巻き込みに起因するものにとどめ得、はんだの酸素含有量を５〜２０ｐｐｍ程度の極く微量に抑えることができる。
【００１７】
極細線はんだをリボン状とした実施形態において、厚みを０．０２〜０．２ｍｍ、巾を１０．０〜０．１５ｍｍとした理由も前記の限定理由に同じである。て
【００１８】
前記はんだの合金組成には、鉛フリーが使用され、次のものを好適に使用できる。
（１）Ａｇ０．１〜５．０％−Ｃｕ０．１〜５．０％−残部Ｓｎ
Ａｇを０．１〜５．０％添加する理由は、液相線温度を２２０℃〜２３０℃に抑えると共にＡｇとＳｎとの金属間化合物Ａｇ３Ｓｎを分散させて引張り強度を向上させるためであり、０．１％未満では液相線温度を２３０℃以下にすることが難しく、５．０％を越えると液相線温度が高くなり過ぎるばかりか金属間化合物Ａｇ３Ｓｎが過剰となり伸び特性が低下し脆くなる。
Ｃｕを０．１〜５．０％添加する理由は、融点を低下させると共にＡｇとの相乗効果により機械的特性を向上させるためであり、０．１％未満では添加の効果が得られず、５．０％を越えると液相線温度が高くなるばかりか、Ｓｎ−Ｃｕ金属間化合物が多量に発生して機械的強度が低下される。
（２）Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｆｅの少なくとも何れか一種が０．００１〜５．０％、残部がＳｎ
Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｆｅの少なくとも何れか一種を０．００１〜５．０％添加する理由は、Ｓｎの融点を基準として液相線温度を調整すると共に接着強度を向上させるためであり、０．１％未満では添加の効果が得られず、５．０％を越えるとＳｎとの金属間化合物が多量に発生して機械的強度が低下される。
（３）Ａｌが１．０〜１０．０％、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ｓｂ、Ｆｅ、Ｓｎのうちの何れか一種が０．００１〜５．０％、残部がＺｎ
Ｓｉのダイボンドやパワーモジュールの接合に用いるはんだ組成である。Ａｌを１．０〜１０．０％添加する理由は、Ａｌ−Ｚｎの共晶点（Ｚｎ−５Ａｌ、３８２℃）に対し液相線温度を３９０℃〜４２０℃にするためであり、１．０％未満では液相線温度を３９０℃以上にすることができず、１０．０％を越えると液相線温度が４２０℃以下にすることが難しい。Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ｓｂ、Ｆｅ、Ｓｎの何れか１種を０．００１〜５．０％添加する理由は、接着強度を向上させたり固相線温度を下げるためであり、０．１％未満では添加の効果が得られず、５．０％を越えるとＺｎとの金属間化合物が多量に発生して機械的強度が低下される。
【００１９】
本発明に係る極細線はんだのうち、フラックス付きのはんだでは、はんだ合金の素地とフラックスとの間に界面活性剤が介在しているから、保管中、フラックスがはんだ合金で変成されることがない。または、はんだ線外面が界面活性剤で覆われているから、保管中、はんだ線外面が酸化されることがない。
【００２０】
本発明に係る極細線はんだのうち、フラックス付きのはんだを使用して電子部品のはんだ付けを行うには、通常の空気雰囲気のもとではんだ付け箇所に一定量のはんだを供給し、自動温度制御方式の精密電気はんだゴテではんだ付けしていく。界面活性剤は親水基と親油基を有し、親油性のためにフラックスの油脂分とよく混和し、フラックスの活性によりはんだ付け箇所の酸化膜の除去、酸化防止が行われ、溶融はんだのはんだ付け箇所への濡れが促される。フラックスの一部はガス化により飛散されるが、残りのフラックス残渣が濡れ拡がり、凝固はんだの周囲からはみ出される。フラックス残渣は吸湿性であり、吸湿により電解質溶液となり、電子部品の電極間がフラックス残渣でブリッジされていると、マイグレーションが発生するに至る。
しかしながら、本発明に係る極細線はんだのうちのフラックス付きのはんだでは、はんだ合金によるフラックスの変成を防止してフラックスの機能を効率よく発揮させ得、それだけフラックスの使用量を少なくできる、またははんだ線表面の酸化を防止でき、それだけフラックスの使用量を少なくできる結果、フラックス残渣量を少なくできる。従って、少ないフラックス量ではんだ付け箇所を溶融はんだでよく濡らし得、かつ電極間のフラックス残渣によるブリッジをよく防止し得、マイグレーションの畏れのない良好なはんだ付けを行うことができる。
【００２１】
本発明に係る極細線はんだのうちのフラックス付きのはんだでは、フラックス量を少なくでき、フラックス入りでははんだ合金の断面積を大きくできる結果、極細線はんだの引張り強度を向上できる。
【００２２】
本発明に係る極細線はんだのうち、フラックス無しのはんだを使用して電子部品のはんだ付けを行うには、還元性雰囲気、例えばＡｒ−濃度４％Ｈ２雰囲気のもとではんだ付け箇所に一定量のはんだを供給し、自動温度制御方式の精密電気はんだゴテではんだ付けしていく。この場合、はんだ保管中での酸化を界面活性剤のコート層で防止でき、はんだ付け中も還元性雰囲気で酸素を遮断して酸化を防止しでき、しかもはんだ中に巻き込まれている酸化物を還元性雰囲気で還元できる。しかも、界面活性剤のコート量をはんだ線に対し１〜１００ｐｐｍと微量としてあるから、界面活性剤がはんだ付けに与える影響はない。界面活性剤の残渣が微量であり、かつ非イオン系で非電解質であるから、マイグレーションの畏れのない良好なはんだ付けを行うことができる。
【００２３】
本発明において、界面活性剤として非イオン系をしているために残渣の電解質化を排除できる。更に、吸湿下でのはんだ合金素地との反応やフラックスとの反応を排除でき、はんだ合金やフラックスの経時的安定性に影響を及ぼすこともない。
【００２４】
以下の実施例１〜１０において、はんだをリボン状とし、厚みを０．０７ｍｍ、巾を０．６ｍｍとした。
非イオン系界面活性剤にはポリオキシエチレンアルキルエーテルを使用した。はんだに対するポリオキシエチレンアルキルエーテルのコート量は１〜１００ｐｐｍである。
フラックスにはロジンを使用した。
試料を大気中オーブン６０℃×２４時間の酸化環境においた後、長さ１０ｍｍの切断試料を銅板上に載置し、２６０℃のホットプレート上に５秒間保持して濡れ性及びフラック残渣の評価を行った。
はんだの溶融状態は両端側が丸く拡がった双子状となり、中央箇所の溶融はんだの接触角が９０°を越えるものを濡れ性×、９０°より小で７０°より大きいものを濡れ性○、７０℃より小さいものを濡れ性◎と評価し、両端丸形でのフラックス残渣の外郭がはんだの外郭の１．５倍を越えるものを残渣量×、１．２倍〜１．５倍のものを残渣量○、１．２倍以下のものを残渣量◎と評価した。
【実施例１】
【００２５】
図１−２に示す形態であり、合金組成をＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕとし、フラックス量を合金量の１重量％とした。
濡れ性及び残渣量ともに◎であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。そこで、フラックス量を合金量の３．３重量％としたところ濡れ性は◎となったが、残渣量が×となった。
【実施例２】
【００２６】
図１−２に示す形態であり、合金組成をＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ−４Ｉｎとし、フラックス量を合金量の１重量％とした。
濡れ性、残渣量ともに◎であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例３】
【００２７】
図１−２に示す形態であり、合金組成をＳｎ−３．５Ａｇ−０．７Ｃｕ−０．２Ｎｉとし、フラックス量を合金量の２重量％とした。
濡れ性は◎であり、残渣量は○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例４】
【００２８】
図１−１に示す形態であり、合金組成をＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ−０．１Ｇｅとし、フラックス量を合金量の０．５重量％とした。
濡れ性、残渣量ともには◎であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例５】
【００２９】
図１−１に示す形態であり、合金組成をＳｎ−２Ａｇ−２Ｂｉとし、フラックス量を合金量の０．５重量％とした。
濡れ性、残渣量ともには◎であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例６】
【００３０】
図１−１に示す形態であり、合金組成をＳｎ−８Ｚｎ−３Ｂｉとし、フラックス量を合金量の１．０重量％とした。
濡れ性は○であり、残渣量は◎であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例７】
【００３１】
図１−１に示す形態であり、合金組成をＳｎ−５Ｓｂとし、フラックス量を合金量の３．０重量％とした。
濡れ性は◎であり、残渣量は○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例８】
【００３２】
図１−１に示す形態であり、合金組成をＳｎ−９Ｚｎとし、フラックス量を合金量の２．０重量％とした。
濡れ性、残渣量ともに○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。フラックス量を合金量の１．０重量％としたところ残渣量は◎となったが、濡れ性は×のままであった。
【実施例９】
【００３３】
図１−１に示す形態であり、合金組成をＳｎ−１Ｃｕ−０．１Ｎｉとし、フラックス量を合金量の２．０重量％とした。
濡れ性、残渣量ともに○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。フラックス量を合金量の１．０重量％としたところ残渣量は◎となったが、濡れ性は×のままであった。
【実施例１０】
【００３４】
図１−１に示す形態であり、合金組成をＳｎ−５Ｉｎ−０．０１Ｆｅとし、フラックス量を合金量の２．０重量％とした。
濡れ性は◎であり、残渣量は○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【００３５】
以下の実施例１１〜１６において、はんだはフラックス無しのリボン状とし、厚みを０．０７ｍｍ、巾を０．６ｍｍとした。
非イオン系界面活性剤にはポリオキシエチレンアルキルエーテルを使用した。はんだに対するポリオキシエチレンアルキルエーテルのコート量は１〜１００ｐｐｍである。
試料を大気中オーブン６０℃×２４時間の酸化環境においた後、長さ１０ｍｍの切断試料をＮｉメッキコバール板上に載置し、Ａｒ−４％濃度Ｈ２ガス炉中に４００℃、１分間保持して濡れ性及びフラック残渣の評価を行った。
はんだの溶融状態は両端側が丸く拡がった双子状となり、中央箇所の溶融はんだの接触角が９０°を越えるものを濡れ×、９０°より小で７０℃より大きいものを濡れ○、７０℃より小さいものを濡れ◎と評価した。
【実施例１１】
【００３６】
合金組成をＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕとした。濡れ性が◎であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例１２】
【００３７】
合金組成をＳｎ−３．５Ａｇ−０．７Ｃｕ−０．２Ｎｉとした。濡れ性が◎であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例１３】
【００３８】
合金組成をＺｎ−５Ａｌとした。
濡れ性が○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例１４】
【００３９】
合金組成をＺｎ−５Ａｌ−０．００４Ｆｅとした。濡れ性が○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例１５】
【００４０】
合金組成をＺｎ−５Ａｌ−０．００４Ｆｅ−２Ｇｅとした。濡れ性が○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【実施例１６】
【００４１】
合金組成をＺｎ−５Ａｌ−０．０１Ｆｅ−０．１Ａｇとした。濡れ性が○であった。
非イオン系界面活性剤を省略したところ濡れ性が×となった。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１−１】本発明に係る電子部品用線状はんだの異なる実施例を示す断面図である。
【図１−２】本発明に係る電子部品用線状はんだの上記とは別の異なる実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１ はんだ
１’ はんだ
１０ はんだ
１０’ はんだ
２ 非イオン系界面活性剤
３ フラックス
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極細線はんだの表面に非イオン系界面活性剤をコートしたことを特徴とする電子部品用線状はんだ。
【請求項２】
極細線はんだが外径０．０２〜０．６ｍｍの丸線または厚み０．０２〜０．２ｍｍで巾１０〜０．１５ｍｍのリボン状であることを特徴とする請求項１記載の電子部品用線状はんだ。
【請求項３】
はんだの組成が、Ａｇが０．１〜５．０％、Ｃｕが０．１〜５．０％、残部がＳｎであることを特徴とする請求項１〜２何れか記載の電子部品用線状はんだ。
【請求項４】
はんだの組成が、ＳｎにＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｆｅのうちの少なくとも一種が０．００１〜５．０％添加された組成であることを特徴とする請求項１〜２何れか記載の電子部品用線状はんだ。
【請求項５】
はんだの組成が、Ａｌが１．０〜１０．０％、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ｓｂ、Ｆｅ、Ｓｎのうちの少なくとも一種が０．００１〜５．０％、残部がＺｎであることを特徴とする請求項１〜２何れか記載の電子部品用線状はんだ。
【請求項６】
非イオン系界面活性剤のコート層上にフラックスを塗布したことを特徴とする請求項１〜５何れか記載の電子部品用線状はんだ。
【請求項７】
極細線はんだを中空とし、その空間にフラックスを入れたことを特徴とする請求項１〜５何れか記載の電子部品用線状はんだ。
【請求項１】
極細線はんだの表面に非イオン系界面活性剤をコートしたことを特徴とする電子部品用線状はんだ。
【請求項２】
極細線はんだが外径０．０２〜０．６ｍｍの丸線または厚み０．０２〜０．２ｍｍで巾１０〜０．１５ｍｍのリボン状であることを特徴とする請求項１記載の電子部品用線状はんだ。
【請求項３】
はんだの組成が、Ａｇが０．１〜５．０％、Ｃｕが０．１〜５．０％、残部がＳｎであることを特徴とする請求項１〜２何れか記載の電子部品用線状はんだ。
【請求項４】
はんだの組成が、ＳｎにＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｆｅのうちの少なくとも一種が０．００１〜５．０％添加された組成であることを特徴とする請求項１〜２何れか記載の電子部品用線状はんだ。
【請求項５】
はんだの組成が、Ａｌが１．０〜１０．０％、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ｓｂ、Ｆｅ、Ｓｎのうちの少なくとも一種が０．００１〜５．０％、残部がＺｎであることを特徴とする請求項１〜２何れか記載の電子部品用線状はんだ。
【請求項６】
非イオン系界面活性剤のコート層上にフラックスを塗布したことを特徴とする請求項１〜５何れか記載の電子部品用線状はんだ。
【請求項７】
極細線はんだを中空とし、その空間にフラックスを入れたことを特徴とする請求項１〜５何れか記載の電子部品用線状はんだ。
【図１−１】
【図１−２】
【図１−２】
【公開番号】特開２００６−２５５７６２（Ｐ２００６−２５５７６２Ａ）
【公開日】平成１８年９月２８日（２００６．９．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−７８５８２（Ｐ２００５−７８５８２）
【出願日】平成１７年３月１８日（２００５．３．１８）
【出願人】（０００２２５３３７）内橋エステック株式会社 (115)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年９月２８日（２００６．９．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月１８日（２００５．３．１８）
【出願人】（０００２２５３３７）内橋エステック株式会社 (115)
【Ｆターム（参考）】
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