電磁誘導加熱調理器
【課題】フラッシュメモリが内蔵されたフラッシュマイコンを備える場合に、フラッシュメモリへの設定データの書き換えを常に適切に行うことができ、使い勝手の良い電磁誘導加熱調理器を提供する。
【解決手段】操作パネル３で設定された加熱条件に基づいて加熱手段２を制御する制御回路４を有するとともに、制御回路４の周囲温度を検出する温度センサ４２を備え、制御回路４は、温度センサ４２で検出される周囲温度がフラッシュメモリ４１３への設定データの書き換えに適合した仕様温度範囲から外れている場合には設定データのフラッシュメモリ４１３への書き換えを禁止することで、フラッシュメモリ４１３へ誤った設定データが書き込まれるのを防止する。
【解決手段】操作パネル３で設定された加熱条件に基づいて加熱手段２を制御する制御回路４を有するとともに、制御回路４の周囲温度を検出する温度センサ４２を備え、制御回路４は、温度センサ４２で検出される周囲温度がフラッシュメモリ４１３への設定データの書き換えに適合した仕様温度範囲から外れている場合には設定データのフラッシュメモリ４１３への書き換えを禁止することで、フラッシュメモリ４１３へ誤った設定データが書き込まれるのを防止する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁誘導加熱調理器に係り、特にはフラッシュメモリ内蔵のマイクロコンピュータを搭載している場合のフラッシュメモリへのデータ書き換えを確実に行うための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の電磁誘導加熱調理器には、フラッシュメモリを内蔵したマイクロコンピュータ（以下、フラッシュマイコンと称する）を搭載したものがある（例えば、下記の特許文献１参照）。
【０００３】
このようなフラッシュマイコンを内蔵した電磁誘導加熱調理器では、電気回路部品の個々において特性のばらつきが存在するため、製品の組み立て工程において、最終的な完成段階で実際に製品を動作させてインバータの入力電流やスイッチング素子に加わる電圧を計測し、それらの値に不具合がある場合には、フラッシュマイコンのフラッシュメモリに記憶されたインバータの入力電流の設定データやスイッチング素子に加わる電圧上限値を規定する設定データを書き換えるなどの補正を行っている。また、製品出荷後も経年変化にあわせてフラッシュマイコンに記憶された制御プログラムを書き換えることにより、安定した性能を長期間持続できるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２０６６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、フラッシュマイコンの信頼性を確保して誤動作発生を防止するための使用可能な温度範囲は−４０℃〜８５℃、また、フラッシュメモリのデータの書き換えを適切に行える温度範囲は−１０℃〜４０℃の仕様のものが多い。
【０００６】
一方、電磁誘導加熱調理器は、厨房内で使用されるので、比較的高温の環境に晒されることが多く、その周囲温度が５０℃、６０℃を越えることがある。したがって、フラッシュマイコンを搭載している場合、例えば周囲温度が４５℃の環境で使用中にフラッシュメモリに格納されている最大電力の設定データなどの書き換えを行おうとすると、フラッシュメモリの書き換えに適合した上記の仕様温度範囲−１０℃〜４０℃を逸脱しているため、データの書き換えを適切に行えないことが起こる。また、熱的ストレスによるフラッシュメモリの寿命低下が起こり、ひいては書き込み不足や消去不足が生じて正常な動作が確保できなくなる。
【０００７】
すなわち、上記の特許文献１に記載の従来技術では、フラッシュメモリに対してデータ書き込みを行う際の周囲温度については何ら考慮されておらず、そのため、フラッシュメモリの書き換えに適合した仕様温度範囲−１０℃〜４０℃を逸脱している状態で、入力電流の設定データやスイッチング素子に加わる電圧上限値などの設定データを書き換えると、設定データを適切に書き換えることができず、所望の火力で加熱できなくなったり、スイッチング素子が故障するなどの不具合を生じる。
【０００８】
この対策のために、例えば、フラッシュメモリの書き換えに適合した仕様温度範囲−１０℃〜４０℃に合致するように、電磁誘導加熱調理器の使用可能な温度範囲も−１０℃〜４０℃に制限してしまうと、調理器としての使用可能な温度範囲が極端に狭くなり過ぎて、４０℃以上の高温環境下では調理ができなくなり、電磁誘導加熱調理器の使い勝手が悪くなるといった不都合を生じる。
【０００９】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、フラッシュマイコンの信頼性を長期にわたって確保するとともに、フラッシュメモリへの設定データの書き換えを常に適切に行うことができ、かつ、使い勝手の良い電磁誘導加熱調理器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明は、鍋などの被加熱対象となる負荷を電磁誘導加熱する加熱手段と、この加熱手段による各種の加熱条件を設定する加熱条件設定手段と、この加熱条件設定手段で設定された加熱条件に基づいて前記加熱手段を制御する制御手段とを有する電磁誘導加熱調理器において、次の構成を採用している。
【００１１】
すなわち、請求項１記載の発明では、前記制御手段の周囲温度を検出する温度検出手段を備える一方、前記制御手段は、前記加熱条件設定手段で設定された加熱条件の設定データや前記加熱手段に対する制御用の制御プログラムが記憶されるフラッシュメモリと、前記フラッシュメモリに格納された前記設定データや制御プログラムに基づいて前記加熱手段を制御する演算処理手段とを含み、前記演算処理手段は、前記温度検出手段で検出された周囲温度が前記フラッシュメモリへの前記設定データの書き換えに適合した仕様温度範囲内にあるかどうかを判別する温度判別手段と、この温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から外れている場合には前記設定データの前記フラッシュメモリへの書き換えを禁止するデータ書換禁止手段とを備えることを特徴としている。
【００１２】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明の構成において、前記データ書換禁止手段で前記設定データの書き換えが禁止される場合には、その書き換え禁止状態であることを外部に報知する第１外部報知手段を備えることを特徴としている。
【００１３】
また、請求項３記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の発明の構成において、前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲内にあると判別された場合には、前記加熱条件設定手段で設定される設定データの前記フラッシュメモリへのデータ書き換えが完了したかどうかを判別し、未完了の場合には前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを実行するデータ再書換実行手段と、このデータ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換え回数を予め設定された最大試行回数と比較して再度の書き換え回数が前記最大試行回数を越えたか否かを判別する試行回数比較別手段とを含む一方、前記試行回数比較判別手段で再度の書き換え回数が前記最大試行回数を越えた場合には書き換え未完了を外部に報知する第２外部報知手段を備えることを特徴としている。
【００１４】
また、請求項４記載の発明は、請求項３記載の発明の構成において、前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から一定の許容温度分だけ外れていると判別された場合には、前記データ書換禁止手段で前記フラッシュメモリへの設定データの書き換えを禁止する代わりに、前記データ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを許容するとともに、前記試行回数比較別手段で比較対象とされる前記最大試行回数を前記周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも小さく設定することを特徴としている。
【００１５】
また、請求項５記載の発明は、請求項３記載の発明の構成において、前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から一定の許容温度分だけ外れていると判別された場合には、前記データ書換禁止手段で前記フラッシュメモリへの設定データの書き換えを禁止する代わりに、前記データ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを許容するとともに、前記試行回数比較別手段で比較対象とされる前記最大試行回数を前記周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも大きく設定することを特徴としている。
【００１６】
また、請求項６記載の発明は、請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の発明の構成において、前記加熱条件設定手段で設定される設定データには、前記加熱手段により前記負荷を電磁誘導加熱する場合の最大電力を規定する設定データが含まれるものであることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明（請求項１）によれば、温度検出手段で検出されたフラッシュマイコンの周囲温度がフラッシュメモリへの設定データの書き換えに適合した仕様温度範囲から外れている場合には、データ書換禁止手段によって設定データのフラッシュメモリへの書き換えが禁止されるため、フラッシュメモリへ誤った設定データが書き込まれてしまうといった不具合発生を防止でき、フラッシュメモリへの設定データの書き換えを常に適切に行うことができる。この場合、設定データの書き換えは禁止されても、フラッシュマイコンが使用可能な温度範囲ならば電磁誘導加熱調理器による調理は続行できるので使い勝手が徒に制限されることがない。
【００１８】
また、本発明（請求項２）によれば、設定データの書き換えが禁止される場合には、第１外部報知手段によってその書き換え禁止状態であることが外部に報知されるため、無理やりフラッシュメモリへ設定データを書き込むなどの誤操作を未然に防ぐことができる。
【００１９】
また、本発明（請求項３）によれば、周囲温度が仕様温度範囲内にある場合において、設定データのフラッシュメモリへの書き換えを一度実行しても、適切な書き換えができなったときには、データ再書換実行手段によってデータ書き換えが再試行されるため、書き込み成功率を高めることができる。しかも、再度の書き換え回数が予め設定された最大試行回数を越えても完了しないときには、第２外部報知手段によってその旨が外部に報知されるため、フラッシュメモリに不具合が生じているのに無理やりフラッシュメモリへ設定データを書き込むなどの誤操作を未然に防ぐことができる。
【００２０】
また、本発明（請求項４）によれば、周囲温度が仕様温度範囲から外れていても一定の許容温度範囲内であれば、フラッシュメモリへの設定データの書き換えを許容するとともに、周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも最大試行回数を小さく設定することにより、フラッシュメモリへの熱ストレスによる負担を軽減しつつ、仕様温度範囲も広い温度域でフラッシュメモリへのデータ書き換えの成功率を確保することができる。
【００２１】
また、本発明（請求項５）によれば、周囲温度が仕様温度範囲から外れていても一定の許容温度範囲内であれば、フラッシュメモリへの設定データの書き換えを許容するとともに、周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも最大試行回数を大きく設定することにより、仕様温度範囲も広い温度域でフラッシュメモリへのデータ書き換えの成功確率を高くすることができる。
【００２２】
また、本発明（請求項６）によれば、加熱手段で負荷を電磁誘導加熱する場合の最大電力を規定する設定データの書き換えを確実に実行できるため、使用者のニーズに合った最大電力の調整を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施の形態１における電磁誘導加熱調理器の全体構成を示すブロック図である。
【図２】同電磁誘導加熱調理器の操作パネルを示す平面図である。
【図３】同電磁誘導加熱調理器が内蔵するフラッシュマイコンによりフラッシュメモリのデータ書き換えを行う際の処理動作の説明に供するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
実施の形態１．
図１は本発明の実施の形態１における電磁誘導加熱調理器の全体構成を示すブロック図、図２は同電磁誘導加熱調理器の操作パネルを示す平面図である。
【００２５】
この実施の形態１の電磁誘導加熱調理器１は、加熱手段２、操作パネル３、および制御回路４を備える。
【００２６】
ここに、加熱手段２は、鍋などの被加熱対象となる負荷を電磁誘導加熱する誘導加熱コイル２１と、所要の周波数の交流電流を誘導加熱コイル２１に通電するためのインバータ回路２２とからなり、その構成自体は周知である。
【００２７】
操作パネル３には、図２に示すように、誘導加熱コイル２１に対する供給電力を調整するための火力ダウンスイッチＳＷ３と火力アップスイッチＳＷ４とが設けられるとともに、各スイッチＳＷ３，ＳＷ４の操作により設定される供給電力の値に応じて点灯されるＬＥＤ等からなる複数の火力表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２が順次配列されている。また、これらの火力ダウンスイッチＳＷ３、火力アップスイッチＳＷ４、および点灯表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２に隣接して、電源のオン／オフ用の電源スイッチＳＷ１、この電源スイッチＳＷ１の操作に伴う電源のオン／オフ状態を表示するＬＥＤからなる電源表示部ＰＬ１、誘導加熱コイル２１による電磁誘導加熱の運転／停止を切替える運転スイッチＳＷ２、この運転スイッチＳＷ２による運転／停止状態を表示するＬＥＤからなる運転表示部ＰＬ２が設けられている。これにより、操作パネル３の上記火力ダウンスイッチＳＷ３、火力アップスイッチＳＷ４、電源スイッチＳＷ１、運転スイッチＳＷ２により操作部３１が構成され、また、火力表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２、電源表示部ＰＬ１、運転表示部ＰＬ２により表示部３２が構成されている。
【００２８】
そして、操作部３１を構成する上記火力ダウンスイッチＳＷ３、火力アップスイッチＳＷ４、運転スイッチＳＷ２が特許請求の範囲の加熱条件設定手段に、火力表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２の内の一つ（例えばＰＬ１２）が特許請求の範囲の第１外部報知手段に、火力表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２の内の他の一つ（例えばＰＬ９）が特許請求の範囲の第２外部報知手段にそれぞれ対応している。なお、第１、第２外部報知手段としてはこのような火力表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２の一部を流用する代わりに、専用の表示部を設けたり、ブザー等を設けることも可能である。
【００２９】
また、この実施の形態１では、後述するように、火力ダウンスイッチＳＷ３と火力アップスイッチＳＷ４とが同時にオン操作された場合には、加熱条件を設定する設定モードへの移行指令が与えられ、この設定モードの下で火力ダウンスイッチＳＷ３あるいは火力アップスイッチＳＷ４が操作されることで誘導加熱コイル２１に対する最大電力の設定データが選択される。また、この設定モードの下で運転スイッチＳＷ２が操作された場合には、選択された設定データについての確定指令がフラッシュマイコン４１に与えられるように構成されている。
【００３０】
制御回路４は、一つの回路基板上にフラッシュマイコン４１、温度センサ４２、および入出力回路４３が搭載されている。温度センサ４２は、例えばサーミスタからなり、フラッシュマイコン４１に近接して設けられてフラッシュマイコン４１の周囲温度を検出する。また、フラッシュマイコン４１は、操作部３１で設定される加熱条件に基づいて加熱手段２を制御するものである。入出力回路４３は、操作部３１から入力される設定データをフラッシュマイコン４１に取り込むとともに、その処理結果を表示部３２に出力するインタフェイスの役目を果たすものである。そして、制御回路４が特許請求の範囲の制御手段に、温度センサ４２が特許請求の範囲の温度検出手段にそれぞれ対応している。
【００３１】
フラッシュマイコン４１は、ＡＤ変換回路４１１、ＲＡＭ４１２、フラッシュメモリ４１３、およびＣＰＵ４１４を有する。
【００３２】
ここに、ＡＤ変換回路４１１は、温度センサ４２で検出される周囲温度に対応した抵抗値の変化に応じて得られる電圧信号をデジタル化してＣＰＵ４１４に取り込むものである。なお、ＡＤ変換回路４１１を使用せずに、例えばコンパレータに温度センサ４２の電圧信号の変化を入力し、基準電圧と比較してＨ／Ｌのレベル変化をフラッシュマイコン４１に取り込むようにすることも可能である。
【００３３】
ＲＡＭ４１２には、操作部３１により設定された加熱条件の設定データや、温度センサ４２で検出された周囲温度のデータ、またフラッシュメモリ４１３から転送されるプログラムが一時的に格納される。フラッシュメモリ４１３には、操作部３１で設定された加熱条件の設定データや加熱手段２の制御用の調理制御プログラム、およびこのフラッシュメモリ４１３に登録されているプログラム自体を書き換えるための書換用プログラムが登録されている。
【００３４】
ＣＰＵ４１４は、フラッシュメモリ４１３およびＲＡＭ４１２に格納されたプログラムや設定データに基づいて加熱手段２の制御や各種の演算処理を実行するもので、特許請求の範囲の演算処理手段に対応している。そして、フラッシュメモリ４１３に登録されている調理制御プログラムに基づき、そのプログラム実行時にＣＰＵ４１４によって特許請求の範囲における温度判別手段、データ書換禁止手段、データ再書換実行手段、試行回数比較判別手段がそれぞれ構成される。
【００３５】
次に、上記構成を備えた電磁誘導加熱調理器において、フラッシュマイコン４１によりフラッシュメモリ４１３のデータ書き換えを行う場合、特にここでは誘導加熱コイル２１に供給する最大電力を規定する設定データをフラッシュメモリ４１３に登録する場合の処理動作について、図３に示すフローチャートを参照して説明する。なお、以下において、符号Ｓは各処理ステップを意味する。
【００３６】
まず、操作パネル３の火力ダウンスイッチＳＷ３と火力アップスイッチＳＷ４とを同時にオン操作すると（Ｓ１）、これに応じて、ＣＰＵ４１４は、加熱条件を設定する設定モードに移行する（Ｓ２）。
【００３７】
そして、この設定モードの下で火力ダウンスイッチＳＷ３あるいは火力アップスイッチＳＷ４が操作されることで最大電力の値が選択される（Ｓ３）。その際の最大電力の値は、火力表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２の点灯個数によって確認することができる。例えば１０個点灯なら最大電力が５ｋＷに設定され、９個点灯なら最大電力が４．５ｋＷに設定されたことを確認できる。そして、所望の最大電力の設定が終了した時点で運転スイッチＳＷ２を操作することで（Ｓ４）、ＣＰＵ４１４に対してその最大電力の設定データの確定指令が与えられる。
【００３８】
これに応じて、ＣＰＵ４１４は、この最大電力の設定データがフラッシュメモリ４１３に既に登録されている前回の設定データと同じかどうかを判定する（Ｓ５）。このとき、新たに設定しようとする最大電力の設定データがフラッシュメモリ４１３に既に登録されている前回の設定データと同じであれば、データの書き換えは不要であるから設定モードを終了する（Ｓ１４）。
【００３９】
これに対して、Ｓ５で新たに設定しようとする最大電力の設定データがフラッシュメモリ４１３に既に登録されている前回の設定データと異なっておれば、次に、ＣＰＵ４１４は、温度センサ４２で検出される周囲温度Ｔがフラッシュメモリ４１３のデータ書き換えに適合した仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）内にあるかどうかを判別する（Ｓ６）。
【００４０】
このとき、周囲温度Ｔがフラッシュメモリ４１３のデータ書き換えに適合した仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）から外れている場合には、フラッシュメモリ４１３のデータ書き換えは不適合であるので、その旨が外部から分かるように例えば火力表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２の一つ（例えばＰＬ１２）を一定周期で点滅させるなどしてエラー表示を行う（Ｓ１６）。なお、このエラー表示になった場合は、例えば電源スイッチＳＷ１の操作により電源を一旦オフするなどしてリセットしない限り通常動作には復帰せず、エラー表示がそのまま継続されて機能が停止した状態になる。
【００４１】
一方、Ｓ６で周囲温度Ｔがフラッシュメモリ４１３のデータ書き換えに適合した仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）に含まれる場合、ＣＰＵ４１４は、フラッシュメモリ４１３に対して設定データの書き込みが繰り返されるたびに図示しない内部の書込みカウンタで計数される書込み回数が、予め規定されている最大試行回数Ｎ（例えばＮ＝１０）を越えたかどうかを判別する（Ｓ７）。
【００４２】
このとき、書込み回数が最大試行回数Ｎに達している場合、ＣＰＵ４１４はフラッシュメモリ４１３へのデータ書き換えは不可能と判断し、その旨が外部から分かるように例えば火力表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２の一つ（例えばＰＬ９）を一定周期で点滅させるなどしてエラー表示を行う（Ｓ１７）。なお、このエラー表示になった場合は、例えば電源スイッチＳＷ１の操作により電源を一旦オフするなどしてリセットしない限り通常動作には復帰せず、エラー表示がそのまま継続されて機能が停止した状態になる。
【００４３】
一方、Ｓ７で書込みカウンタで計数される書込み回数が、予め設定されている最大試行回数Ｎ（例えばＮ＝１０）未満である場合、ＣＰＵ４１４は、フラッシュメモリ４１３へ新たに設定された最大電力の設定データを書き込む書込みモードに移行する（Ｓ８）。
【００４４】
この書込みモードにおいて、ＣＰＵ４１４は、フラッシュメモリ４１３に予め登録されているプログラム自体を書き換えるための書換用プログラムをフラッシュメモリ４１３から読み出してＲＡＭ４１２に転送する（Ｓ９）。そして、ＲＡＭ４１２に転送された書換用プログラムを実行してフラッシュメモリ４１３に対して新たに設定された最大電力の設定データをフラッシュメモリ４１３に書き込む（Ｓ１０）。このように、フラッシュメモリ４１３からＲＡＭ４１２に書換用プログラムを一旦転送するのは、フラッシュメモリ４１３のデータ書き換え時に同時にフラッシュメモリ４１３のプログラムを実行することができないからである。
【００４５】
次いで、ＣＰＵ４１４は、フラッシュメモリ４１３に正しく最大電力の設定データが書き込まれたかどうかを判断する（Ｓ１１）。その判断手法としては、フラッシュメモリ４１３に書き込むべき最大電力の設定データはＲＡＭ４１２に一時的に格納されているので、フラッシュメモリ４１３に書き込んだ設定データを読み出し、この値とＲＡＭ４１２に一時的に格納されている設定データとを比較して両設定データが一致するかどうかにより書き込みの成否を判断する。
【００４６】
先のＳ１１で両設定データの比較の結果、ＣＰＵ４１４は、フラッシュメモリ４１３に正しく設定データが書き込まれていないと判断した場合には、書込みカウンタを＋１だけインクリメントしてＳ７に戻る。一方、Ｓ１１で両設定データの比較の結果、フラッシュメモリ４１３に正しく設定データが書き込まれていると判断した場合には、書込みカウンタのカウント値をクリアした後（Ｓ１３）、設定モードを終了する（Ｓ１４）。
【００４７】
なお、フラッシュマイコン４１の使用可能温度は−４０℃〜８５℃の仕様になっているため、温度センサ４２で検出される周囲温度Ｔがフラッシュメモリ４１３のデータ書き換えに適合した仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）を越えている場合でも、図３に示したような設定モードに移行する操作をしない限り、通常の調理には問題がない。例えば周囲温度が４５℃になっても何ら調理に支障はなく、高温の厨房環境でも使用可能である。また、フラッシュメモリ４１３に対して設定データを書き換える設定モードに移行する必要がある場合、使用者はフラッシュマイコン４１の周囲温度が十分に低下して安全な書き換えが可能な仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）内になってから改めて操作を行えばよい。
【００４８】
本発明は上記の実施の形態１に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において各種の変形を加えることが可能である。
【００４９】
例えば、上記の実施の形態１では、温度センサ４２で検出される周囲温度Ｔがフラッシュメモリ４１３のデータ書き換えに適合した仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）から外れている場合には、単純にフラッシュメモリ４１３への設定データの書き換えを禁止するようにしているが、これに限らず、表１に示すように、例えば周囲温度Ｔが仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）から一定の許容温度分（±１０℃）だけ外れている場合、例えば−２０℃≦Ｔ＜−１０℃、あるいは４０℃＜Ｔ≦５０℃のグレーゾーンの範囲にある場合には、フラッシュメモリ４１３への設定データの書き換えを禁止する代わりに、フラッシュメモリ４１３への設定データの再度の書き換えを許可するとともに、最大試行回数Ｎを周囲温度Ｔが仕様温度範囲に含まれる場合の値（Ｎ＝１０）よりも小さく（例えばＮ＝５）に設定するようにしてもよい。このように、最大試行回数Ｎを小さく（Ｎ＝５）設定すると、フラッシュメモリ４１３へのデータ書き換えの際の熱ストレスの負担を軽減させることができ、フラッシュメモリ４１３の故障発生の確率を抑えつつ、仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）よりも広い温度域でのデータ書き換えが可能となり、使い勝手が改善される。
【００５０】
【表１】
【００５１】
また、逆に、温度センサ４２で検出される周囲温度Ｔが、例えば上記の−２０℃≦Ｔ＜−１０℃、あるいは４０℃＜Ｔ≦５０℃のグレーゾーンの範囲にある場合には、フラッシュメモリ４１３への設定データの再度の書き換えを許可するとともに、最大試行回数Ｎを周囲温度Ｔが仕様温度範囲に含まれる場合の値（Ｎ＝１０）よりも大きく（例えばＮ＝１５）に設定するようにしてもよい。このように、最大試行回数Ｎを大きく（Ｎ＝１５）設定すると、フラッシュメモリ４１３へのデータ書き換えの際の熱ストレスの負担は大きくなるものの、仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）よりも広い温度域においてフラッシュメモリ４１３へのデータ書き換えの成功の確率を高くすることができる。
【００５２】
さらに、上記の実施の形態１では、誘導加熱コイル２１に供給する最大電力を規定する設定データをフラッシュメモリ４１３に登録する場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限らず、例えば、表２に示すような加熱条件を設定するための各種の設定データをフラッシュメモリ４１３に登録する場合にも適用することが可能である。
【００５３】
【表２】
【符号の説明】
【００５４】
１ 電磁誘導加熱調理器、２ 加熱手段、３ 操作パネル、
３１ 操作部（加熱条件設定手段）、３２ 表示部、４ 制御回路（制御手段）、
４１ フラッシュマイコン、４１２ ＲＡＭ、４１３ フラッシュメモリ、
４１４ ＣＰＵ（演算処理手段）、４２ 温度センサ（温度検出手段）。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁誘導加熱調理器に係り、特にはフラッシュメモリ内蔵のマイクロコンピュータを搭載している場合のフラッシュメモリへのデータ書き換えを確実に行うための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の電磁誘導加熱調理器には、フラッシュメモリを内蔵したマイクロコンピュータ（以下、フラッシュマイコンと称する）を搭載したものがある（例えば、下記の特許文献１参照）。
【０００３】
このようなフラッシュマイコンを内蔵した電磁誘導加熱調理器では、電気回路部品の個々において特性のばらつきが存在するため、製品の組み立て工程において、最終的な完成段階で実際に製品を動作させてインバータの入力電流やスイッチング素子に加わる電圧を計測し、それらの値に不具合がある場合には、フラッシュマイコンのフラッシュメモリに記憶されたインバータの入力電流の設定データやスイッチング素子に加わる電圧上限値を規定する設定データを書き換えるなどの補正を行っている。また、製品出荷後も経年変化にあわせてフラッシュマイコンに記憶された制御プログラムを書き換えることにより、安定した性能を長期間持続できるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２０６６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、フラッシュマイコンの信頼性を確保して誤動作発生を防止するための使用可能な温度範囲は−４０℃〜８５℃、また、フラッシュメモリのデータの書き換えを適切に行える温度範囲は−１０℃〜４０℃の仕様のものが多い。
【０００６】
一方、電磁誘導加熱調理器は、厨房内で使用されるので、比較的高温の環境に晒されることが多く、その周囲温度が５０℃、６０℃を越えることがある。したがって、フラッシュマイコンを搭載している場合、例えば周囲温度が４５℃の環境で使用中にフラッシュメモリに格納されている最大電力の設定データなどの書き換えを行おうとすると、フラッシュメモリの書き換えに適合した上記の仕様温度範囲−１０℃〜４０℃を逸脱しているため、データの書き換えを適切に行えないことが起こる。また、熱的ストレスによるフラッシュメモリの寿命低下が起こり、ひいては書き込み不足や消去不足が生じて正常な動作が確保できなくなる。
【０００７】
すなわち、上記の特許文献１に記載の従来技術では、フラッシュメモリに対してデータ書き込みを行う際の周囲温度については何ら考慮されておらず、そのため、フラッシュメモリの書き換えに適合した仕様温度範囲−１０℃〜４０℃を逸脱している状態で、入力電流の設定データやスイッチング素子に加わる電圧上限値などの設定データを書き換えると、設定データを適切に書き換えることができず、所望の火力で加熱できなくなったり、スイッチング素子が故障するなどの不具合を生じる。
【０００８】
この対策のために、例えば、フラッシュメモリの書き換えに適合した仕様温度範囲−１０℃〜４０℃に合致するように、電磁誘導加熱調理器の使用可能な温度範囲も−１０℃〜４０℃に制限してしまうと、調理器としての使用可能な温度範囲が極端に狭くなり過ぎて、４０℃以上の高温環境下では調理ができなくなり、電磁誘導加熱調理器の使い勝手が悪くなるといった不都合を生じる。
【０００９】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、フラッシュマイコンの信頼性を長期にわたって確保するとともに、フラッシュメモリへの設定データの書き換えを常に適切に行うことができ、かつ、使い勝手の良い電磁誘導加熱調理器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明は、鍋などの被加熱対象となる負荷を電磁誘導加熱する加熱手段と、この加熱手段による各種の加熱条件を設定する加熱条件設定手段と、この加熱条件設定手段で設定された加熱条件に基づいて前記加熱手段を制御する制御手段とを有する電磁誘導加熱調理器において、次の構成を採用している。
【００１１】
すなわち、請求項１記載の発明では、前記制御手段の周囲温度を検出する温度検出手段を備える一方、前記制御手段は、前記加熱条件設定手段で設定された加熱条件の設定データや前記加熱手段に対する制御用の制御プログラムが記憶されるフラッシュメモリと、前記フラッシュメモリに格納された前記設定データや制御プログラムに基づいて前記加熱手段を制御する演算処理手段とを含み、前記演算処理手段は、前記温度検出手段で検出された周囲温度が前記フラッシュメモリへの前記設定データの書き換えに適合した仕様温度範囲内にあるかどうかを判別する温度判別手段と、この温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から外れている場合には前記設定データの前記フラッシュメモリへの書き換えを禁止するデータ書換禁止手段とを備えることを特徴としている。
【００１２】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明の構成において、前記データ書換禁止手段で前記設定データの書き換えが禁止される場合には、その書き換え禁止状態であることを外部に報知する第１外部報知手段を備えることを特徴としている。
【００１３】
また、請求項３記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の発明の構成において、前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲内にあると判別された場合には、前記加熱条件設定手段で設定される設定データの前記フラッシュメモリへのデータ書き換えが完了したかどうかを判別し、未完了の場合には前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを実行するデータ再書換実行手段と、このデータ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換え回数を予め設定された最大試行回数と比較して再度の書き換え回数が前記最大試行回数を越えたか否かを判別する試行回数比較別手段とを含む一方、前記試行回数比較判別手段で再度の書き換え回数が前記最大試行回数を越えた場合には書き換え未完了を外部に報知する第２外部報知手段を備えることを特徴としている。
【００１４】
また、請求項４記載の発明は、請求項３記載の発明の構成において、前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から一定の許容温度分だけ外れていると判別された場合には、前記データ書換禁止手段で前記フラッシュメモリへの設定データの書き換えを禁止する代わりに、前記データ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを許容するとともに、前記試行回数比較別手段で比較対象とされる前記最大試行回数を前記周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも小さく設定することを特徴としている。
【００１５】
また、請求項５記載の発明は、請求項３記載の発明の構成において、前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から一定の許容温度分だけ外れていると判別された場合には、前記データ書換禁止手段で前記フラッシュメモリへの設定データの書き換えを禁止する代わりに、前記データ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを許容するとともに、前記試行回数比較別手段で比較対象とされる前記最大試行回数を前記周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも大きく設定することを特徴としている。
【００１６】
また、請求項６記載の発明は、請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の発明の構成において、前記加熱条件設定手段で設定される設定データには、前記加熱手段により前記負荷を電磁誘導加熱する場合の最大電力を規定する設定データが含まれるものであることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明（請求項１）によれば、温度検出手段で検出されたフラッシュマイコンの周囲温度がフラッシュメモリへの設定データの書き換えに適合した仕様温度範囲から外れている場合には、データ書換禁止手段によって設定データのフラッシュメモリへの書き換えが禁止されるため、フラッシュメモリへ誤った設定データが書き込まれてしまうといった不具合発生を防止でき、フラッシュメモリへの設定データの書き換えを常に適切に行うことができる。この場合、設定データの書き換えは禁止されても、フラッシュマイコンが使用可能な温度範囲ならば電磁誘導加熱調理器による調理は続行できるので使い勝手が徒に制限されることがない。
【００１８】
また、本発明（請求項２）によれば、設定データの書き換えが禁止される場合には、第１外部報知手段によってその書き換え禁止状態であることが外部に報知されるため、無理やりフラッシュメモリへ設定データを書き込むなどの誤操作を未然に防ぐことができる。
【００１９】
また、本発明（請求項３）によれば、周囲温度が仕様温度範囲内にある場合において、設定データのフラッシュメモリへの書き換えを一度実行しても、適切な書き換えができなったときには、データ再書換実行手段によってデータ書き換えが再試行されるため、書き込み成功率を高めることができる。しかも、再度の書き換え回数が予め設定された最大試行回数を越えても完了しないときには、第２外部報知手段によってその旨が外部に報知されるため、フラッシュメモリに不具合が生じているのに無理やりフラッシュメモリへ設定データを書き込むなどの誤操作を未然に防ぐことができる。
【００２０】
また、本発明（請求項４）によれば、周囲温度が仕様温度範囲から外れていても一定の許容温度範囲内であれば、フラッシュメモリへの設定データの書き換えを許容するとともに、周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも最大試行回数を小さく設定することにより、フラッシュメモリへの熱ストレスによる負担を軽減しつつ、仕様温度範囲も広い温度域でフラッシュメモリへのデータ書き換えの成功率を確保することができる。
【００２１】
また、本発明（請求項５）によれば、周囲温度が仕様温度範囲から外れていても一定の許容温度範囲内であれば、フラッシュメモリへの設定データの書き換えを許容するとともに、周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも最大試行回数を大きく設定することにより、仕様温度範囲も広い温度域でフラッシュメモリへのデータ書き換えの成功確率を高くすることができる。
【００２２】
また、本発明（請求項６）によれば、加熱手段で負荷を電磁誘導加熱する場合の最大電力を規定する設定データの書き換えを確実に実行できるため、使用者のニーズに合った最大電力の調整を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施の形態１における電磁誘導加熱調理器の全体構成を示すブロック図である。
【図２】同電磁誘導加熱調理器の操作パネルを示す平面図である。
【図３】同電磁誘導加熱調理器が内蔵するフラッシュマイコンによりフラッシュメモリのデータ書き換えを行う際の処理動作の説明に供するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
実施の形態１．
図１は本発明の実施の形態１における電磁誘導加熱調理器の全体構成を示すブロック図、図２は同電磁誘導加熱調理器の操作パネルを示す平面図である。
【００２５】
この実施の形態１の電磁誘導加熱調理器１は、加熱手段２、操作パネル３、および制御回路４を備える。
【００２６】
ここに、加熱手段２は、鍋などの被加熱対象となる負荷を電磁誘導加熱する誘導加熱コイル２１と、所要の周波数の交流電流を誘導加熱コイル２１に通電するためのインバータ回路２２とからなり、その構成自体は周知である。
【００２７】
操作パネル３には、図２に示すように、誘導加熱コイル２１に対する供給電力を調整するための火力ダウンスイッチＳＷ３と火力アップスイッチＳＷ４とが設けられるとともに、各スイッチＳＷ３，ＳＷ４の操作により設定される供給電力の値に応じて点灯されるＬＥＤ等からなる複数の火力表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２が順次配列されている。また、これらの火力ダウンスイッチＳＷ３、火力アップスイッチＳＷ４、および点灯表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２に隣接して、電源のオン／オフ用の電源スイッチＳＷ１、この電源スイッチＳＷ１の操作に伴う電源のオン／オフ状態を表示するＬＥＤからなる電源表示部ＰＬ１、誘導加熱コイル２１による電磁誘導加熱の運転／停止を切替える運転スイッチＳＷ２、この運転スイッチＳＷ２による運転／停止状態を表示するＬＥＤからなる運転表示部ＰＬ２が設けられている。これにより、操作パネル３の上記火力ダウンスイッチＳＷ３、火力アップスイッチＳＷ４、電源スイッチＳＷ１、運転スイッチＳＷ２により操作部３１が構成され、また、火力表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２、電源表示部ＰＬ１、運転表示部ＰＬ２により表示部３２が構成されている。
【００２８】
そして、操作部３１を構成する上記火力ダウンスイッチＳＷ３、火力アップスイッチＳＷ４、運転スイッチＳＷ２が特許請求の範囲の加熱条件設定手段に、火力表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２の内の一つ（例えばＰＬ１２）が特許請求の範囲の第１外部報知手段に、火力表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２の内の他の一つ（例えばＰＬ９）が特許請求の範囲の第２外部報知手段にそれぞれ対応している。なお、第１、第２外部報知手段としてはこのような火力表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２の一部を流用する代わりに、専用の表示部を設けたり、ブザー等を設けることも可能である。
【００２９】
また、この実施の形態１では、後述するように、火力ダウンスイッチＳＷ３と火力アップスイッチＳＷ４とが同時にオン操作された場合には、加熱条件を設定する設定モードへの移行指令が与えられ、この設定モードの下で火力ダウンスイッチＳＷ３あるいは火力アップスイッチＳＷ４が操作されることで誘導加熱コイル２１に対する最大電力の設定データが選択される。また、この設定モードの下で運転スイッチＳＷ２が操作された場合には、選択された設定データについての確定指令がフラッシュマイコン４１に与えられるように構成されている。
【００３０】
制御回路４は、一つの回路基板上にフラッシュマイコン４１、温度センサ４２、および入出力回路４３が搭載されている。温度センサ４２は、例えばサーミスタからなり、フラッシュマイコン４１に近接して設けられてフラッシュマイコン４１の周囲温度を検出する。また、フラッシュマイコン４１は、操作部３１で設定される加熱条件に基づいて加熱手段２を制御するものである。入出力回路４３は、操作部３１から入力される設定データをフラッシュマイコン４１に取り込むとともに、その処理結果を表示部３２に出力するインタフェイスの役目を果たすものである。そして、制御回路４が特許請求の範囲の制御手段に、温度センサ４２が特許請求の範囲の温度検出手段にそれぞれ対応している。
【００３１】
フラッシュマイコン４１は、ＡＤ変換回路４１１、ＲＡＭ４１２、フラッシュメモリ４１３、およびＣＰＵ４１４を有する。
【００３２】
ここに、ＡＤ変換回路４１１は、温度センサ４２で検出される周囲温度に対応した抵抗値の変化に応じて得られる電圧信号をデジタル化してＣＰＵ４１４に取り込むものである。なお、ＡＤ変換回路４１１を使用せずに、例えばコンパレータに温度センサ４２の電圧信号の変化を入力し、基準電圧と比較してＨ／Ｌのレベル変化をフラッシュマイコン４１に取り込むようにすることも可能である。
【００３３】
ＲＡＭ４１２には、操作部３１により設定された加熱条件の設定データや、温度センサ４２で検出された周囲温度のデータ、またフラッシュメモリ４１３から転送されるプログラムが一時的に格納される。フラッシュメモリ４１３には、操作部３１で設定された加熱条件の設定データや加熱手段２の制御用の調理制御プログラム、およびこのフラッシュメモリ４１３に登録されているプログラム自体を書き換えるための書換用プログラムが登録されている。
【００３４】
ＣＰＵ４１４は、フラッシュメモリ４１３およびＲＡＭ４１２に格納されたプログラムや設定データに基づいて加熱手段２の制御や各種の演算処理を実行するもので、特許請求の範囲の演算処理手段に対応している。そして、フラッシュメモリ４１３に登録されている調理制御プログラムに基づき、そのプログラム実行時にＣＰＵ４１４によって特許請求の範囲における温度判別手段、データ書換禁止手段、データ再書換実行手段、試行回数比較判別手段がそれぞれ構成される。
【００３５】
次に、上記構成を備えた電磁誘導加熱調理器において、フラッシュマイコン４１によりフラッシュメモリ４１３のデータ書き換えを行う場合、特にここでは誘導加熱コイル２１に供給する最大電力を規定する設定データをフラッシュメモリ４１３に登録する場合の処理動作について、図３に示すフローチャートを参照して説明する。なお、以下において、符号Ｓは各処理ステップを意味する。
【００３６】
まず、操作パネル３の火力ダウンスイッチＳＷ３と火力アップスイッチＳＷ４とを同時にオン操作すると（Ｓ１）、これに応じて、ＣＰＵ４１４は、加熱条件を設定する設定モードに移行する（Ｓ２）。
【００３７】
そして、この設定モードの下で火力ダウンスイッチＳＷ３あるいは火力アップスイッチＳＷ４が操作されることで最大電力の値が選択される（Ｓ３）。その際の最大電力の値は、火力表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２の点灯個数によって確認することができる。例えば１０個点灯なら最大電力が５ｋＷに設定され、９個点灯なら最大電力が４．５ｋＷに設定されたことを確認できる。そして、所望の最大電力の設定が終了した時点で運転スイッチＳＷ２を操作することで（Ｓ４）、ＣＰＵ４１４に対してその最大電力の設定データの確定指令が与えられる。
【００３８】
これに応じて、ＣＰＵ４１４は、この最大電力の設定データがフラッシュメモリ４１３に既に登録されている前回の設定データと同じかどうかを判定する（Ｓ５）。このとき、新たに設定しようとする最大電力の設定データがフラッシュメモリ４１３に既に登録されている前回の設定データと同じであれば、データの書き換えは不要であるから設定モードを終了する（Ｓ１４）。
【００３９】
これに対して、Ｓ５で新たに設定しようとする最大電力の設定データがフラッシュメモリ４１３に既に登録されている前回の設定データと異なっておれば、次に、ＣＰＵ４１４は、温度センサ４２で検出される周囲温度Ｔがフラッシュメモリ４１３のデータ書き換えに適合した仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）内にあるかどうかを判別する（Ｓ６）。
【００４０】
このとき、周囲温度Ｔがフラッシュメモリ４１３のデータ書き換えに適合した仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）から外れている場合には、フラッシュメモリ４１３のデータ書き換えは不適合であるので、その旨が外部から分かるように例えば火力表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２の一つ（例えばＰＬ１２）を一定周期で点滅させるなどしてエラー表示を行う（Ｓ１６）。なお、このエラー表示になった場合は、例えば電源スイッチＳＷ１の操作により電源を一旦オフするなどしてリセットしない限り通常動作には復帰せず、エラー表示がそのまま継続されて機能が停止した状態になる。
【００４１】
一方、Ｓ６で周囲温度Ｔがフラッシュメモリ４１３のデータ書き換えに適合した仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）に含まれる場合、ＣＰＵ４１４は、フラッシュメモリ４１３に対して設定データの書き込みが繰り返されるたびに図示しない内部の書込みカウンタで計数される書込み回数が、予め規定されている最大試行回数Ｎ（例えばＮ＝１０）を越えたかどうかを判別する（Ｓ７）。
【００４２】
このとき、書込み回数が最大試行回数Ｎに達している場合、ＣＰＵ４１４はフラッシュメモリ４１３へのデータ書き換えは不可能と判断し、その旨が外部から分かるように例えば火力表示部ＰＬ３〜ＰＬ１２の一つ（例えばＰＬ９）を一定周期で点滅させるなどしてエラー表示を行う（Ｓ１７）。なお、このエラー表示になった場合は、例えば電源スイッチＳＷ１の操作により電源を一旦オフするなどしてリセットしない限り通常動作には復帰せず、エラー表示がそのまま継続されて機能が停止した状態になる。
【００４３】
一方、Ｓ７で書込みカウンタで計数される書込み回数が、予め設定されている最大試行回数Ｎ（例えばＮ＝１０）未満である場合、ＣＰＵ４１４は、フラッシュメモリ４１３へ新たに設定された最大電力の設定データを書き込む書込みモードに移行する（Ｓ８）。
【００４４】
この書込みモードにおいて、ＣＰＵ４１４は、フラッシュメモリ４１３に予め登録されているプログラム自体を書き換えるための書換用プログラムをフラッシュメモリ４１３から読み出してＲＡＭ４１２に転送する（Ｓ９）。そして、ＲＡＭ４１２に転送された書換用プログラムを実行してフラッシュメモリ４１３に対して新たに設定された最大電力の設定データをフラッシュメモリ４１３に書き込む（Ｓ１０）。このように、フラッシュメモリ４１３からＲＡＭ４１２に書換用プログラムを一旦転送するのは、フラッシュメモリ４１３のデータ書き換え時に同時にフラッシュメモリ４１３のプログラムを実行することができないからである。
【００４５】
次いで、ＣＰＵ４１４は、フラッシュメモリ４１３に正しく最大電力の設定データが書き込まれたかどうかを判断する（Ｓ１１）。その判断手法としては、フラッシュメモリ４１３に書き込むべき最大電力の設定データはＲＡＭ４１２に一時的に格納されているので、フラッシュメモリ４１３に書き込んだ設定データを読み出し、この値とＲＡＭ４１２に一時的に格納されている設定データとを比較して両設定データが一致するかどうかにより書き込みの成否を判断する。
【００４６】
先のＳ１１で両設定データの比較の結果、ＣＰＵ４１４は、フラッシュメモリ４１３に正しく設定データが書き込まれていないと判断した場合には、書込みカウンタを＋１だけインクリメントしてＳ７に戻る。一方、Ｓ１１で両設定データの比較の結果、フラッシュメモリ４１３に正しく設定データが書き込まれていると判断した場合には、書込みカウンタのカウント値をクリアした後（Ｓ１３）、設定モードを終了する（Ｓ１４）。
【００４７】
なお、フラッシュマイコン４１の使用可能温度は−４０℃〜８５℃の仕様になっているため、温度センサ４２で検出される周囲温度Ｔがフラッシュメモリ４１３のデータ書き換えに適合した仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）を越えている場合でも、図３に示したような設定モードに移行する操作をしない限り、通常の調理には問題がない。例えば周囲温度が４５℃になっても何ら調理に支障はなく、高温の厨房環境でも使用可能である。また、フラッシュメモリ４１３に対して設定データを書き換える設定モードに移行する必要がある場合、使用者はフラッシュマイコン４１の周囲温度が十分に低下して安全な書き換えが可能な仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）内になってから改めて操作を行えばよい。
【００４８】
本発明は上記の実施の形態１に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において各種の変形を加えることが可能である。
【００４９】
例えば、上記の実施の形態１では、温度センサ４２で検出される周囲温度Ｔがフラッシュメモリ４１３のデータ書き換えに適合した仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）から外れている場合には、単純にフラッシュメモリ４１３への設定データの書き換えを禁止するようにしているが、これに限らず、表１に示すように、例えば周囲温度Ｔが仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）から一定の許容温度分（±１０℃）だけ外れている場合、例えば−２０℃≦Ｔ＜−１０℃、あるいは４０℃＜Ｔ≦５０℃のグレーゾーンの範囲にある場合には、フラッシュメモリ４１３への設定データの書き換えを禁止する代わりに、フラッシュメモリ４１３への設定データの再度の書き換えを許可するとともに、最大試行回数Ｎを周囲温度Ｔが仕様温度範囲に含まれる場合の値（Ｎ＝１０）よりも小さく（例えばＮ＝５）に設定するようにしてもよい。このように、最大試行回数Ｎを小さく（Ｎ＝５）設定すると、フラッシュメモリ４１３へのデータ書き換えの際の熱ストレスの負担を軽減させることができ、フラッシュメモリ４１３の故障発生の確率を抑えつつ、仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）よりも広い温度域でのデータ書き換えが可能となり、使い勝手が改善される。
【００５０】
【表１】
【００５１】
また、逆に、温度センサ４２で検出される周囲温度Ｔが、例えば上記の−２０℃≦Ｔ＜−１０℃、あるいは４０℃＜Ｔ≦５０℃のグレーゾーンの範囲にある場合には、フラッシュメモリ４１３への設定データの再度の書き換えを許可するとともに、最大試行回数Ｎを周囲温度Ｔが仕様温度範囲に含まれる場合の値（Ｎ＝１０）よりも大きく（例えばＮ＝１５）に設定するようにしてもよい。このように、最大試行回数Ｎを大きく（Ｎ＝１５）設定すると、フラッシュメモリ４１３へのデータ書き換えの際の熱ストレスの負担は大きくなるものの、仕様温度範囲（−１０℃〜４０℃）よりも広い温度域においてフラッシュメモリ４１３へのデータ書き換えの成功の確率を高くすることができる。
【００５２】
さらに、上記の実施の形態１では、誘導加熱コイル２１に供給する最大電力を規定する設定データをフラッシュメモリ４１３に登録する場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限らず、例えば、表２に示すような加熱条件を設定するための各種の設定データをフラッシュメモリ４１３に登録する場合にも適用することが可能である。
【００５３】
【表２】
【符号の説明】
【００５４】
１ 電磁誘導加熱調理器、２ 加熱手段、３ 操作パネル、
３１ 操作部（加熱条件設定手段）、３２ 表示部、４ 制御回路（制御手段）、
４１ フラッシュマイコン、４１２ ＲＡＭ、４１３ フラッシュメモリ、
４１４ ＣＰＵ（演算処理手段）、４２ 温度センサ（温度検出手段）。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鍋などの被加熱対象となる負荷を電磁誘導加熱する加熱手段と、この加熱手段による各種の加熱条件を設定する加熱条件設定手段と、この加熱条件設定手段で設定された加熱条件に基づいて前記加熱手段を制御する制御手段と、を有する電磁誘導加熱調理器において、
前記制御手段の周囲温度を検出する温度検出手段を備える一方、
前記制御手段は、前記加熱条件設定手段で設定された加熱条件の設定データや前記加熱手段に対する制御用の制御プログラムが記憶されるフラッシュメモリと、前記フラッシュメモリに格納された前記設定データや制御プログラムに基づいて前記加熱手段を制御する演算処理手段とを含み、
前記演算処理手段は、前記温度検出手段で検出された周囲温度が前記フラッシュメモリへの前記設定データの書き換えに適合した仕様温度範囲内にあるかどうかを判別する温度判別手段と、この温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から外れている場合には前記設定データの前記フラッシュメモリへの書き換えを禁止するデータ書換禁止手段とを備えることを特徴とする電磁誘導加熱調理器。
【請求項２】
前記データ書換禁止手段で前記設定データの書き換えが禁止される場合には、その書き換え禁止状態であることを外部に報知する第１外部報知手段を備えることを特徴とする請求項１記載の電磁誘導加熱調理器。
【請求項３】
前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲内にあると判別された場合には、前記加熱条件設定手段で設定される設定データの前記フラッシュメモリへのデータ書き換えが完了したかどうかを判別し、未完了の場合には前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを実行するデータ再書換実行手段と、このデータ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換え回数を予め設定された最大試行回数と比較して再度の書き換え回数が前記最大試行回数を越えたか否かを判別する試行回数比較別手段とを含む一方、前記試行回数比較判別手段で再度の書き換え回数が前記最大試行回数を越えた場合には書き換え未完了を外部に報知する第２外部報知手段を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電磁誘導加熱調理器。
【請求項４】
前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から一定の許容温度分だけ外れていると判別された場合には、前記データ書換禁止手段で前記フラッシュメモリへの設定データの書き換えを禁止する代わりに、前記データ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを許容するとともに、前記試行回数比較別手段で比較対象とされる前記最大試行回数を前記周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも小さく設定することを特徴とする請求項３記載の電磁誘導加熱調理器。
【請求項５】
前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から一定の許容温度分だけ外れていると判別された場合には、前記データ書換禁止手段で前記フラッシュメモリへの設定データの書き換えを禁止する代わりに、前記データ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを許容するとともに、前記試行回数比較別手段で比較対象とされる前記最大試行回数を前記周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも大きく設定することを特徴とする請求項３記載の電磁誘導加熱調理器。
【請求項６】
前記加熱条件設定手段で設定される設定データには、前記加熱手段により前記負荷を電磁誘導加熱する場合の最大電力を規定する設定データが含まれるものである、ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の電磁誘導加熱調理器。
【請求項１】
鍋などの被加熱対象となる負荷を電磁誘導加熱する加熱手段と、この加熱手段による各種の加熱条件を設定する加熱条件設定手段と、この加熱条件設定手段で設定された加熱条件に基づいて前記加熱手段を制御する制御手段と、を有する電磁誘導加熱調理器において、
前記制御手段の周囲温度を検出する温度検出手段を備える一方、
前記制御手段は、前記加熱条件設定手段で設定された加熱条件の設定データや前記加熱手段に対する制御用の制御プログラムが記憶されるフラッシュメモリと、前記フラッシュメモリに格納された前記設定データや制御プログラムに基づいて前記加熱手段を制御する演算処理手段とを含み、
前記演算処理手段は、前記温度検出手段で検出された周囲温度が前記フラッシュメモリへの前記設定データの書き換えに適合した仕様温度範囲内にあるかどうかを判別する温度判別手段と、この温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から外れている場合には前記設定データの前記フラッシュメモリへの書き換えを禁止するデータ書換禁止手段とを備えることを特徴とする電磁誘導加熱調理器。
【請求項２】
前記データ書換禁止手段で前記設定データの書き換えが禁止される場合には、その書き換え禁止状態であることを外部に報知する第１外部報知手段を備えることを特徴とする請求項１記載の電磁誘導加熱調理器。
【請求項３】
前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲内にあると判別された場合には、前記加熱条件設定手段で設定される設定データの前記フラッシュメモリへのデータ書き換えが完了したかどうかを判別し、未完了の場合には前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを実行するデータ再書換実行手段と、このデータ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換え回数を予め設定された最大試行回数と比較して再度の書き換え回数が前記最大試行回数を越えたか否かを判別する試行回数比較別手段とを含む一方、前記試行回数比較判別手段で再度の書き換え回数が前記最大試行回数を越えた場合には書き換え未完了を外部に報知する第２外部報知手段を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電磁誘導加熱調理器。
【請求項４】
前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から一定の許容温度分だけ外れていると判別された場合には、前記データ書換禁止手段で前記フラッシュメモリへの設定データの書き換えを禁止する代わりに、前記データ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを許容するとともに、前記試行回数比較別手段で比較対象とされる前記最大試行回数を前記周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも小さく設定することを特徴とする請求項３記載の電磁誘導加熱調理器。
【請求項５】
前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から一定の許容温度分だけ外れていると判別された場合には、前記データ書換禁止手段で前記フラッシュメモリへの設定データの書き換えを禁止する代わりに、前記データ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを許容するとともに、前記試行回数比較別手段で比較対象とされる前記最大試行回数を前記周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも大きく設定することを特徴とする請求項３記載の電磁誘導加熱調理器。
【請求項６】
前記加熱条件設定手段で設定される設定データには、前記加熱手段により前記負荷を電磁誘導加熱する場合の最大電力を規定する設定データが含まれるものである、ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の電磁誘導加熱調理器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１２−１９０６６９（Ｐ２０１２−１９０６６９Ａ）
【公開日】平成２４年１０月４日（２０１２．１０．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５３６６７（Ｐ２０１１−５３６６７）
【出願日】平成２３年３月１１日（２０１１．３．１１）
【出願人】（００００００２６２）株式会社ダイヘン (990)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月４日（２０１２．１０．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１１日（２０１１．３．１１）
【出願人】（００００００２６２）株式会社ダイヘン (990)
【Ｆターム（参考）】
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