EUV集束器のデブリ管理
エッチング化合物を形成することになる材料を含み、選択中心波長付近の帯域内でEUV光を生成するEUVプラズマ源材料を用いたEUV光生成装置であって、EUVプラズマ発生チャンバと、該チャンバ内に収容され、少なくとも1つの層を含む反射表面を有するEUV光集束器であって、少なくとも1つの層は、エッチング化合物を形成せず、及び/又は帯域内で反射表面の反射性を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含むEUV光集束器と、チャンバ内に収容され、エッチャント供給源材料を含むエッチャント供給源ガスであって、プラズマ源材料がエッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が反射表面からのエッチング化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、を含むEUV光生成装置を含むことができる方法及び装置。エッチャント供給源材料はハロゲン又はハロゲン化合物を含むことができる。エッチャント供給源材料は、EUV光、DUV光、及び/又はプラズマ源材料のエッチングを促進するのに十分なエネルギーを伴うあらゆる励起エネルギーフォトンの存在下で、エッチングが促進されることに基づいて選択することができる。本装置は、反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、エッチャント供給源材料は、エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択することができる。また、反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器があってもよい。イオンは、エッチャント供給源材料を含むことができる。この装置及び方法は、プラズマ源材料がエッチングされることになる光学素子を伴うEUV生成サブシステムの一部を含むことができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、プラズマ生成極端紫外(「EUV」)光発生デブリ制御に関する。
【0002】
(関連出願)
本発明は、2003年4月8日に出願された名称「EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT SOURCE(極端紫外光源)」の米国特許出願番号第10/409,254号(代理人ドケット番号第2002−0030−01号)、2004年3月10日に出願された名称「COLLECTOR FOR EUV LIGHT SOURCE(EUV光源用集束器)」の第10/798,740号(代理人ドケット番号第2003−0083−01号)、2003年7月7日に出願された名称「A DENSE PLASMA FOCUS RADIATION SOURCE(高密度プラズマフォーカス放射源)」の第10/615,321号(代理人ドケット番号第2003−0004−01号)、2003年12月18日に出願された名称「DISCHARGE PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE(放電生成プラズマEUV光源)」の第10/742,233号(代理人ドケット番号第2003−0099−01号)、2004年3月17日に出願された名称「A HIGH REPETITION RATE LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE(高繰り返し率レーザ生成プラズマEUV光源)」の第10/803,526号(代理人ドケット番号第2003−0125−01号)、2003年5月21日に出願された名称「A DENSE PLASMA FOCUS RADIATION SOURCE(高密度プラズマフォーカス放射源)」のもの(代理人ドケット番号第2003−0132−01号)、及び2004年7月27日に出願された名称「EUV LIGHT SOURCE(EUV光源)」の第10/900,836号(代理人ドケット番号第2004−0044−01号)に関連する、2004年11月1日に出願された名称「EUV COLLECTOR DEBRIS MANAGEMENT(EUV集束器のデブリ制御)」の米国特許出願番号第10/979,945号(代理人ドケット番号第2004−0088−01号)に対する優先権を主張し、これらは全て同時係属中であって本出願と同一の譲受人に譲渡され、これらの各々の開示事項は引用により本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【0003】
例えば錫をプラズマ源として用いたレーザ生成プラズマEUV光発生器又は放電生成深プラズマフォーカス生成プラズマにおいて、例えば液体錫の液滴であるターゲットを照射することによるプラズマ開始用のターゲットの形態の錫などの金属から形成されるプラズマを利用するEUV光発生は、当該技術分野で提案されてきた。かかる用途において錫に伴う問題は、EUV光源生成チャンバ内の光学面からプラズマ生成デブリを除去することであった。かかる光学面は、例えば、反射光学系を形成する多くのスタック層又は入射仰角反射表面を形成する少数層を有する多層ミラーを用いた、例えば集束器における例えば反射表面とすることができ、或いは、LPP又は様々な計測用途のプラズマ生成ターゲットにレーザビームを配向及び/又は集束するのに使用される例えばレンズ及びウィンドウの透過表面とすることができる。元素の中でもとりわけリチウム、錫、及びキセノンは、場合によっては高密度プラズマフォーカス(「DPF」)又は高密度プラズマピンチ(「DPP」)とも呼ばれる放電生成プラズマ(「DPP」)種、又はレーザ生成プラズマ(「LPP」)種の両方である、プラズマ生成EUV光発生用のプラズマ生成源材料として提案されてきた。当該技術によるターゲットとしての錫の問題となる態様の1つは、例えばDPP又はLPPシステムのいずれかにおける一次集束器ミラーである、EUV光生成用DPP又はLPP装置の動作に重要な光学素子からの錫の除去できないこと、或いは、例えば計測用に用いられるウィンドウ、及び/又は、例えば、計測用及び/又はLPPのプラズマ開始場所へのレーザ光パルスの集束又は配向用に使用されるレンズのような光学系からの錫の除去できないことが認識される点である。例えば上記に引用した同時係属中の出願において説明されているリチウムについては、リチウムデブリ除去のための幾つかの方策が存在し、例えば、約450〜500℃までミラー又は他の光学素子の反射表面を単に加熱してミラー表面からリチウムを蒸発させることである。
【0004】
2003年11月13日に公開された名称「METHOD OF GENERATION F EXTREME ULTRAVIOLET RADIATION(極端紫外線放射発生の方法)」のWO03/094581A1において説明されているように、ハロゲン化錫及び他の利用可能なターゲット材料のハロゲン化物がターゲット材料源として提案されている。
【0005】
本出願人らは、錫等のこうしたターゲットに関するデブリの軽減における問題に対する様々な解決策を提案する。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【0006】
エッチング化合物を形成することになる材料を含み、選択中心波長付近の帯域内でEUV光を生成するEUVプラズマ源材料を用いたEUV光生成装置であって、EUVプラズマ発生チャンバと、該チャンバ内に収容され、少なくとも1つの層を含む反射表面を有するEUV光集束器であって、少なくとも1つの層は、エッチング化合物を形成せず、及び/又は帯域内で反射表面の反射性を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含むEUV光集束器と、チャンバ内に収容され、エッチャント供給源材料を含むエッチャント供給源ガスであって、プラズマ源材料がエッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が反射表面からのエッチング化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、を含むEUV光生成装置を含むことができる方法及び装置が開示される。エッチャント供給源材料はハロゲン又はハロゲン化合物を含むことができる。エッチャント供給源材料は、EUV光、DUV光、及び/又はプラズマ源材料のエッチングを促進するのに十分なエネルギーを伴うあらゆる励起エネルギーフォトンの存在下で、エッチングが促進されることに基づいて選択することができる。本装置は、反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、エッチャント供給源材料は、エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択することができる。また、反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器があってもよい。イオンは、エッチャント供給源材料を含むことができる。本装置及び方法は、エッチング化合物を形成することになる材料を含むEUVプラズマ源材料を用いた、プラズマ源材料が選択中心波長付近の帯域内でEUV光を生成するEUV光生成装置であって、EUVプラズマ発生チャンバと、このチャンバ内のサブシステム開口であって、該サブシステム開口はサブシステム開口自体内にEUVに露出される光学素子を含み、光学素子は、エッチング化合物を形成せず、及び/又は材料の光学性能を有意に低減させない化合物層を形成する材料を含むサブシステム開口と、光学素子と作動的に接触して収容されたエッチャント供給源ガスであって、エッチャント供給源材料を含み、プラズマ源材料がエッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が、光学素子からのエッチング化合物のエッチングを可能にすることになる蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、を含むEUV光生成装置を含むことができる。上記エッチャント供給源材料及び関連ガスは上述の通りとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0007】
本出願人らが詳細に調査した例えばSnH4である少なくとも1つの水素化錫は、450〜500℃以下の温度で高い蒸気圧を有し、錫ハロゲン(水素)反応から化合物を形成するための活性化エネルギーが高く、従って、形成のためにミラー表面に多大な電力印加が必要となる。本出願人らは、現在検討中の錫等のEUVターゲット材料から作られる他の利用可能なハロゲン形成化合物(ハロゲン化物及び水素化物)を考察した。
【0008】
幾つかの関連値を下記の表Iに示す。
【0009】
上述のPhillips特許出願は、これらの化合物のほとんどについて温度対圧力のプロットを含んでおり、ほとんどが、あらゆる所与の温度においてリチウムよりも高い蒸気圧を有することを示している(リチウムの沸点は1342℃である)。
【0010】
また本出願人らは、例えば13.5nm付近を中心とする所与の帯域内で許容可能なEUV光を適正ガス圧値で得ることができるか否かを考察した。図1A〜1Iのプロットは、CXROウェブサイトから取得されたデータによる様々なハロゲン化錫についての透過率対波長を示している。これらのプロットは、全て22℃で1メートルのガスコラムを通した3つの気圧、1mT、10mT、及び100mTについてのものである。また本出願人らは、400℃でのこれらの気圧に対する各化合物のこの透過率を調査したが、この高温での透過率においては僅かな改善しか見られなかった。これらのプロットは、完全に正確であることは期待されないが、その代わりガス圧のおおよその許容上限に関する指標を与える。
【0011】
これらのプロットはまた、ヨウ化スズ化合物を除けば、13.5nmの吸収がハロゲン化物ではなく錫原子によって支配されることを示している。同様にこれらのプロットは、許容可能な透過において、ガス圧はその大部分が10mTを下回る必要があることを示している。比較のために、図1Jのプロットは、キセノンのEUV透過性を示している。図で分かるように、13.5nm付近のキセノンの極めて高い吸収によって、キセノンについてはバックグラウンド圧力を極めて低く保たなければならない。
【0012】
本出願人らは、例えばハロゲン化錫であるEUVプラズマ源材料ハロゲン含有化合物が、例えば、EUV生成チャンバ中でデブリに曝された光学素子の表面において化学及び/又はイオンエッチングプロセス中にミラー表面上で形成され、錫を取り除くことになるかどうかに関してこれらの化合物を調べた。水素化物SnH4は、文献において本出願人らによってこれまで調査してきたが、高活性化エネルギーを有し、例えばミラー表面上に入射する必要な平均パワーが実施可能になることが明らかになった。他の一部のものについても同様の欠点があるが、EUV(及びLPPのDUV又は他の高エネルギーにおける)フォトンの単なる存在、問題の光学面近傍の誘起二次プラズマの存在、及び光学面のエネルギーボンバードメントの促進などのような、EUV光プラズマ生成チャンバ内環境の他の態様は、必要な活性化エネルギーを低下させることに寄与し、及び/又は本出願人らが考えるように、例えば概ねあらゆるハロゲン、及び例えば錫等の源材料デブリとのハロゲン含有化合物の形成においてほとんど問題がないような活性化エネルギーをもたらすことができる。いずれにしても、Cl2及びBr2等のハロゲンは、低温(例えば室温)において錫と容易に反応し、F2及びI2では、室温を上回るある程度の加温によって反応して「SnX4」を形成し、ここでXはCl、Br、F、及びIである。SnX4分子の蒸気圧は、SnX2の蒸気圧よりも遙かに高く、本発明の実施形態の態様によるその利用が容易になる。
【0013】
現実の問題は、ハロゲン含有化合物を光学素子の表面からどの周囲環境においてエッチングし、すなわち蒸発させ又は追い出すかである。塩素及び臭素並びにこれらの化合物(例えばHClとHBr)は、例えば、更なる活性化エネルギー促進を用いない最も成果をあげた洗浄剤であると思われる。水素は過剰な活性化エネルギーを必要とし、フッ化錫化合物は、活性化エネルギーを追加するための更なる促進を用いることなくミラー表面から蒸発することはできない。
【0014】
取り組むべき別の問題は、例えばモリブデンである光学素子材料の望ましくないエッチングを阻止することであり、これは、例えば塩素等が容易にエッチングを行う。臭素及びその化合物は、モリブデンとは容易に反応しないが、高温では反応することができるので、本出願人らにはハロゲン洗浄剤として良好な選択であるように思われる。チャンバは、臭素又はその化合物が気相状態にある温度で動作する可能性が高い。これに加えて、チャンバは、単に水冷表面を利用してチャンバ雰囲気から臭素及びその化合物並びに臭化錫化合物をクライオポンプで輸送することができる。
【0015】
本出願人らはまた、所与の個数の錫原子が単位時間当たりに例えばミラー表面上に堆積した場合、連続的にミラー表面を洗浄するためにはどれ程の塩素又は臭素のバッファ圧力が必要とされるかを考察した。所与のミラーサイズ及び液滴直径並びにプラズマから全領域中に均等に吐出されると仮定した液滴当たりの及び錫密度について、図2に示されたミラー表面に対する錫についての予測流入率の計算に基づくと、結果として生じる単位表面積当たりの流入率はミラー半径の二乗に従って増減する。本発明の一実施形態の態様によるこの錫原子流入率は、例えばハロゲン化錫である揮発性ハロゲン含有化合物を形成するために十分なハロゲン原子の割合を伴う必要がある。気圧及び温度に対する平面を横断する原子(分子)流束を考えると、図3は塩素及び臭素についての流入率のプロットを示している。
【0016】
本発明の一実施形態の態様によるハロゲン又はハロゲン含有ガスの流入率は、例えば20cm程度のミラー半径の適切な選択に対する錫流入率よりも高いオーダとなり、例えば冷却性能である他の動作を考慮することによって決定付けることができる。あらゆる適切な気圧において1×1018から1×1019原子/cm2sよりも高いハロゲン流入率と比較すると、50μmの錫液滴直径は、ミラー表面における3×1015原子/cm2sの錫流入率をもたらす。従って、多数のハロゲン原子が利用可能となり、問題は、例えばSnBr4である金属ハロゲン含有化合物の形成における反応率の問題となる。Brの供給源は、例えば、プラズマ形成チャンバ内に含まれるBr2又はHBrガスとすることができる。
【0017】
ここで図4を参照すると、EUVのLPP光源に対する集束器システム20を概略的に例示している。図5に概略的に示しているように、システム20は、切頭楕円形状とすることができる集束器22を備えることができ、例えば、液体プラズマ源材料(例えば錫)の液滴92の形態でターゲットとする所要のプラズマ開始場所30に第1の焦点を有する。液滴92は、上記に引用した同時係属中の出願の幾つかにおいてより詳細に説明されているターゲット送出システム90によって送出することができる。
【0018】
レーザビーム100は、例えば入力及び集束光学系102(図5に示している)を通じてプラズマ開始場所30に送出され、レーザビーム100の照射下でターゲットからプラズマ形成を引き起こすことができる。チャンバは、ハロゲンの供給源(例えばBr又はCl)を提供する、例えばハロゲン含有ガス(例えばBr2又はHBr或いは場合によってはHCl)であるガスで充填することができ、このガスは、プラズマ開始場所30に面する集束器22の反射表面及びウィンドウ/レンズ102光学面上に堆積したプラズマ源金属デブリ(例えば錫原子)と反応することになる。
【0019】
このEUV光生成装置は、例えば錫であるプラズマ生成源材料を利用し、該プラズマ生成源材料はハロゲン含有化合物を形成することになるプラズマ源材料を含み、該プラズマ源材料はまた、例えば約13.5nmの選択中心波長付近の帯域でレーザビーム照射を受けて誘起されるプラズマからEUV光を生成する。チャンバ内に備えられる集束器22は、第1の材料(例えばモリブデン又はルテニウムもしくはシリコン)の少なくとも1つの層、或いは、ハロゲン含有化合物を形成しない又はハロゲン含有化合物の層(例えば、帯域中で反射表面の反射率をあまり低減しない)を形成する他の金属の化合物を含有する反射表面を有することができる。例えば、チャンバ内に含まれるガスは、発生源材料が共にハロゲン含有化合物を形成するハロゲン又はハロゲン化合物を含むことができ、このハロゲン含有化合物は、反射表面からのハロゲン含有化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有する。従って、このガスは、例えばハロゲン又はその化合物のうちの1つ(例えばHBr又はBr2)を含むプラズマ源材料エッチャント供給源ガスを構成する。本発明の一実施形態の態様によれば、エッチングは単純に蒸発によるものとすることができ、或いは、例えば、集束器22又はウィンドウ/レンズ102を加熱することによって、又はEUV及び/もしくはDUVフォトンエネルギーの存在によって、又は光学素子22、102の近傍において発生する二次プラズマによって、又は光学素子22、102の近傍にイオン及び/又はラジカルを導入することができる遠隔発生プラズマによって熱的に促進することができる。
【0020】
システム20は、アンテナ42、44に容量結合されたRFアンテナセクターにRF1及びRF2を送出することができる複数の無線周波又はマイクロ波(RF)発生器を含むことができ、アンテナ42、44は、集束器22形状の後側の範囲をカバーし、RFを送出してEUVプラズマ発生場所に面する集束器22反射表面の近傍でイオンを誘起し、集束器22の反射表面に向けて加速する。これらのセクターは正方形、三角形、六角形、又は他のメッシュ幾何形状、或いはこれらの部分形状にセグメント化し、集束器の後側の表面領域をカバーして集束器22の反射表面の異なるセグメントに2つ又はそれ以上のRF周波数を異なるように分配する。プラズマは、例えば、RF源RF3とグランドとの間に接続されたRF源50によって集束器22の近傍で誘起することができる。集束器表面におけるこの局所又は原位置プラズマは、イオン化される前にプラズマ開始場所から排出されたターゲット92の非アブレーション部分の形態のデブリ及びEUV光源プラズマからの高エネルギーイオンの両方を低減することができ、これに加えて集束器22の反射表面からの揮発性ハロゲン−プラズマ源材料化合物のエッチング又は蒸発を誘起するよう機能することができる。RFセクターのアンテナ42、44は、プラズマからイオンを誘起し、反応性イオンエッチングによるハロゲン−プラズマ源材料化合物のエッチングを機械的に誘起する。
【0021】
集束器の動作近傍における原位置プラズマは、例えば集束器22からのEUVプラズマ源材料のエッチングを促進させるだけでなく、例えば集束器22の反射表面へのイオンの到達を阻止するか、或いは、例えば集束器22の反射表面からの反射表面材料のスパッタリングを有意に回避できる程イオンを少なくとも低減することを選択するように発生させることができる。
【0022】
例えば、RF誘起によりプラズマが形成される場合には、例えば自由電子を含有する、例えば塩素、臭素、及びこれらの化合物のラジカルの形態でのイオンを含む遠隔プラズマ発生源70を備えることができ、次いで、該イオンをチャンバに導入し、集束器22の反射表面で原位置プラズマを形成又は構成することができる。
【0023】
チャンバはまた、複数(例えば2つ)の犠牲的検証プレート又はバー60を含むことができる。犠牲的検証プレート又はバー60は、例えば一対の分光計62、64の1つをそれぞれ用いて観測され、プラズマ源材料ハロゲン化合物ではなく、検証プレート又はバー60のベース材料(例えばモリブデン、ルテニウム、シリコン、又は同様のもの)がエッチングされる指標とすることができる。これを用いて、プラズマ(例えば原位置プラズマ)に送出されるRFエネルギーを低減するなどプラズマを制御し、プラズマ源材料−ハロゲン化合物が一時的には完全にエッチング除去されていることを観測中の検証プレート又はバーが示す場合に好ましくないエッチングを抑制することができる。分光計62、64の代わりに、検証プレート60上で集束器材料がエッチングを開始される時に放出される波長に対して敏感なモノクロメータを用いることができる。検証プレート60は、例えばモリブデン、ルテニウム、シリコン等を含む異なるベース材料のものとすることができる。図5に示すように、ウィンドウ管110内に含むことができるウィンドウ/レンズ102に同様の構成を設けることができ、これは、例えばLPPのEUV光生成において利用されるレーザ光ビームを受光する等の役割を果たすことができる。かかるウィンドウ及び例えば計測用途向けの同様の他の光学素子は、レーザシステムのサブシステムの一部とすることができる。ウィンドウ管は、ガス吸気口140及びガス排気口142を有することができ、これらをそれぞれ通じてガスをウィンドウ管110全体に循環させることができる。上述のチャンバガスと同様にエッチャント供給源ガスは、例えばHBr、Br2、HCl、又はCl2の形態の好適なハロゲンを含むことができ、EUVプラズマデブリに曝される場合があるウィンドウ側での揮発性プラズマ源材料−ハロゲン化合物の形成に寄与することができる。このエッチングは更に、RFコイル120によって誘起されるRF誘起プラズマで促進することができ、このプラズマは、例えば永久磁石又は電磁石130によって管内に磁気的に閉じ込めることができる。
【0024】
チャンバのレーザレンズ/ウィンドウ102及び診断ウィンドウ等の他のものに対して、本出願人らは、CaF2及びMgF2のような臭素耐性光学材料などのハロゲン耐性光学材料を用いることを提案する。この洗浄は、ガス単独で行うことができる(通過するレーザ放射並びに発生EUV放射による促進される)。或いは、上述のように、ウィンドウ洗浄を促進するために洗浄にRFプラズマを用いることができる。
レーザサブシステムの光学素子は、チャンバ壁内に直接形成された、すなわちウィンドウ管110を伴わないウィンドウとすることができ、エッチャント供給源ガスは、チャンバ内に存在することができることは明らかであろう。本発明のこの実施形態の態様に従って、上述のように原位置プラズマ及び磁気閉じ込めも用いることができる。
【0025】
ハロゲンガスは、EUVプラズマ生成チャンバに到達する前にウィンドウ管110から排出することができる。
【0026】
当業者であれば、本発明の実施形態の上記の態様は、好ましい実施形態にのみ関しており、添付の請求項の範囲及び意図、並びにここに定義される本発明はかかる好ましい実施形態に限定されないことは理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【図1A】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1B】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1C】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1D】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1E】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1F】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1G】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1H】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1I】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1J】キセノンについての同様のプロットを示す図である。
【図2】本発明の一実施形態の態様による様々な半径のミラー上への錫イオンの原子流束を示す図である。
【図3】本発明の一実施形態の態様による、ミラー上へのハロゲンガス、塩素及び臭素の原子流束を示す図である。
【図4】本発明の一実施形態の態様による、EUV光源の集束器のためのデブリ軽減構成を概略的に例示する図である。
【図5】本発明の一実施形態の態様による、EUV光源の光学素子のデブリ軽減構成を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【0028】
20 集束器システム
22 集束器
30 プラズマ開始場所
42 RFアンテナ
50 RF源
60 犠牲的検証プレート又は棒
【技術分野】
【0001】
本発明は、プラズマ生成極端紫外(「EUV」)光発生デブリ制御に関する。
【0002】
(関連出願)
本発明は、2003年4月8日に出願された名称「EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT SOURCE(極端紫外光源)」の米国特許出願番号第10/409,254号(代理人ドケット番号第2002−0030−01号)、2004年3月10日に出願された名称「COLLECTOR FOR EUV LIGHT SOURCE(EUV光源用集束器)」の第10/798,740号(代理人ドケット番号第2003−0083−01号)、2003年7月7日に出願された名称「A DENSE PLASMA FOCUS RADIATION SOURCE(高密度プラズマフォーカス放射源)」の第10/615,321号(代理人ドケット番号第2003−0004−01号)、2003年12月18日に出願された名称「DISCHARGE PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE(放電生成プラズマEUV光源)」の第10/742,233号(代理人ドケット番号第2003−0099−01号)、2004年3月17日に出願された名称「A HIGH REPETITION RATE LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE(高繰り返し率レーザ生成プラズマEUV光源)」の第10/803,526号(代理人ドケット番号第2003−0125−01号)、2003年5月21日に出願された名称「A DENSE PLASMA FOCUS RADIATION SOURCE(高密度プラズマフォーカス放射源)」のもの(代理人ドケット番号第2003−0132−01号)、及び2004年7月27日に出願された名称「EUV LIGHT SOURCE(EUV光源)」の第10/900,836号(代理人ドケット番号第2004−0044−01号)に関連する、2004年11月1日に出願された名称「EUV COLLECTOR DEBRIS MANAGEMENT(EUV集束器のデブリ制御)」の米国特許出願番号第10/979,945号(代理人ドケット番号第2004−0088−01号)に対する優先権を主張し、これらは全て同時係属中であって本出願と同一の譲受人に譲渡され、これらの各々の開示事項は引用により本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【0003】
例えば錫をプラズマ源として用いたレーザ生成プラズマEUV光発生器又は放電生成深プラズマフォーカス生成プラズマにおいて、例えば液体錫の液滴であるターゲットを照射することによるプラズマ開始用のターゲットの形態の錫などの金属から形成されるプラズマを利用するEUV光発生は、当該技術分野で提案されてきた。かかる用途において錫に伴う問題は、EUV光源生成チャンバ内の光学面からプラズマ生成デブリを除去することであった。かかる光学面は、例えば、反射光学系を形成する多くのスタック層又は入射仰角反射表面を形成する少数層を有する多層ミラーを用いた、例えば集束器における例えば反射表面とすることができ、或いは、LPP又は様々な計測用途のプラズマ生成ターゲットにレーザビームを配向及び/又は集束するのに使用される例えばレンズ及びウィンドウの透過表面とすることができる。元素の中でもとりわけリチウム、錫、及びキセノンは、場合によっては高密度プラズマフォーカス(「DPF」)又は高密度プラズマピンチ(「DPP」)とも呼ばれる放電生成プラズマ(「DPP」)種、又はレーザ生成プラズマ(「LPP」)種の両方である、プラズマ生成EUV光発生用のプラズマ生成源材料として提案されてきた。当該技術によるターゲットとしての錫の問題となる態様の1つは、例えばDPP又はLPPシステムのいずれかにおける一次集束器ミラーである、EUV光生成用DPP又はLPP装置の動作に重要な光学素子からの錫の除去できないこと、或いは、例えば計測用に用いられるウィンドウ、及び/又は、例えば、計測用及び/又はLPPのプラズマ開始場所へのレーザ光パルスの集束又は配向用に使用されるレンズのような光学系からの錫の除去できないことが認識される点である。例えば上記に引用した同時係属中の出願において説明されているリチウムについては、リチウムデブリ除去のための幾つかの方策が存在し、例えば、約450〜500℃までミラー又は他の光学素子の反射表面を単に加熱してミラー表面からリチウムを蒸発させることである。
【0004】
2003年11月13日に公開された名称「METHOD OF GENERATION F EXTREME ULTRAVIOLET RADIATION(極端紫外線放射発生の方法)」のWO03/094581A1において説明されているように、ハロゲン化錫及び他の利用可能なターゲット材料のハロゲン化物がターゲット材料源として提案されている。
【0005】
本出願人らは、錫等のこうしたターゲットに関するデブリの軽減における問題に対する様々な解決策を提案する。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【0006】
エッチング化合物を形成することになる材料を含み、選択中心波長付近の帯域内でEUV光を生成するEUVプラズマ源材料を用いたEUV光生成装置であって、EUVプラズマ発生チャンバと、該チャンバ内に収容され、少なくとも1つの層を含む反射表面を有するEUV光集束器であって、少なくとも1つの層は、エッチング化合物を形成せず、及び/又は帯域内で反射表面の反射性を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含むEUV光集束器と、チャンバ内に収容され、エッチャント供給源材料を含むエッチャント供給源ガスであって、プラズマ源材料がエッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が反射表面からのエッチング化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、を含むEUV光生成装置を含むことができる方法及び装置が開示される。エッチャント供給源材料はハロゲン又はハロゲン化合物を含むことができる。エッチャント供給源材料は、EUV光、DUV光、及び/又はプラズマ源材料のエッチングを促進するのに十分なエネルギーを伴うあらゆる励起エネルギーフォトンの存在下で、エッチングが促進されることに基づいて選択することができる。本装置は、反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、エッチャント供給源材料は、エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択することができる。また、反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器があってもよい。イオンは、エッチャント供給源材料を含むことができる。本装置及び方法は、エッチング化合物を形成することになる材料を含むEUVプラズマ源材料を用いた、プラズマ源材料が選択中心波長付近の帯域内でEUV光を生成するEUV光生成装置であって、EUVプラズマ発生チャンバと、このチャンバ内のサブシステム開口であって、該サブシステム開口はサブシステム開口自体内にEUVに露出される光学素子を含み、光学素子は、エッチング化合物を形成せず、及び/又は材料の光学性能を有意に低減させない化合物層を形成する材料を含むサブシステム開口と、光学素子と作動的に接触して収容されたエッチャント供給源ガスであって、エッチャント供給源材料を含み、プラズマ源材料がエッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が、光学素子からのエッチング化合物のエッチングを可能にすることになる蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、を含むEUV光生成装置を含むことができる。上記エッチャント供給源材料及び関連ガスは上述の通りとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0007】
本出願人らが詳細に調査した例えばSnH4である少なくとも1つの水素化錫は、450〜500℃以下の温度で高い蒸気圧を有し、錫ハロゲン(水素)反応から化合物を形成するための活性化エネルギーが高く、従って、形成のためにミラー表面に多大な電力印加が必要となる。本出願人らは、現在検討中の錫等のEUVターゲット材料から作られる他の利用可能なハロゲン形成化合物(ハロゲン化物及び水素化物)を考察した。
【0008】
幾つかの関連値を下記の表Iに示す。
【0009】
上述のPhillips特許出願は、これらの化合物のほとんどについて温度対圧力のプロットを含んでおり、ほとんどが、あらゆる所与の温度においてリチウムよりも高い蒸気圧を有することを示している(リチウムの沸点は1342℃である)。
【0010】
また本出願人らは、例えば13.5nm付近を中心とする所与の帯域内で許容可能なEUV光を適正ガス圧値で得ることができるか否かを考察した。図1A〜1Iのプロットは、CXROウェブサイトから取得されたデータによる様々なハロゲン化錫についての透過率対波長を示している。これらのプロットは、全て22℃で1メートルのガスコラムを通した3つの気圧、1mT、10mT、及び100mTについてのものである。また本出願人らは、400℃でのこれらの気圧に対する各化合物のこの透過率を調査したが、この高温での透過率においては僅かな改善しか見られなかった。これらのプロットは、完全に正確であることは期待されないが、その代わりガス圧のおおよその許容上限に関する指標を与える。
【0011】
これらのプロットはまた、ヨウ化スズ化合物を除けば、13.5nmの吸収がハロゲン化物ではなく錫原子によって支配されることを示している。同様にこれらのプロットは、許容可能な透過において、ガス圧はその大部分が10mTを下回る必要があることを示している。比較のために、図1Jのプロットは、キセノンのEUV透過性を示している。図で分かるように、13.5nm付近のキセノンの極めて高い吸収によって、キセノンについてはバックグラウンド圧力を極めて低く保たなければならない。
【0012】
本出願人らは、例えばハロゲン化錫であるEUVプラズマ源材料ハロゲン含有化合物が、例えば、EUV生成チャンバ中でデブリに曝された光学素子の表面において化学及び/又はイオンエッチングプロセス中にミラー表面上で形成され、錫を取り除くことになるかどうかに関してこれらの化合物を調べた。水素化物SnH4は、文献において本出願人らによってこれまで調査してきたが、高活性化エネルギーを有し、例えばミラー表面上に入射する必要な平均パワーが実施可能になることが明らかになった。他の一部のものについても同様の欠点があるが、EUV(及びLPPのDUV又は他の高エネルギーにおける)フォトンの単なる存在、問題の光学面近傍の誘起二次プラズマの存在、及び光学面のエネルギーボンバードメントの促進などのような、EUV光プラズマ生成チャンバ内環境の他の態様は、必要な活性化エネルギーを低下させることに寄与し、及び/又は本出願人らが考えるように、例えば概ねあらゆるハロゲン、及び例えば錫等の源材料デブリとのハロゲン含有化合物の形成においてほとんど問題がないような活性化エネルギーをもたらすことができる。いずれにしても、Cl2及びBr2等のハロゲンは、低温(例えば室温)において錫と容易に反応し、F2及びI2では、室温を上回るある程度の加温によって反応して「SnX4」を形成し、ここでXはCl、Br、F、及びIである。SnX4分子の蒸気圧は、SnX2の蒸気圧よりも遙かに高く、本発明の実施形態の態様によるその利用が容易になる。
【0013】
現実の問題は、ハロゲン含有化合物を光学素子の表面からどの周囲環境においてエッチングし、すなわち蒸発させ又は追い出すかである。塩素及び臭素並びにこれらの化合物(例えばHClとHBr)は、例えば、更なる活性化エネルギー促進を用いない最も成果をあげた洗浄剤であると思われる。水素は過剰な活性化エネルギーを必要とし、フッ化錫化合物は、活性化エネルギーを追加するための更なる促進を用いることなくミラー表面から蒸発することはできない。
【0014】
取り組むべき別の問題は、例えばモリブデンである光学素子材料の望ましくないエッチングを阻止することであり、これは、例えば塩素等が容易にエッチングを行う。臭素及びその化合物は、モリブデンとは容易に反応しないが、高温では反応することができるので、本出願人らにはハロゲン洗浄剤として良好な選択であるように思われる。チャンバは、臭素又はその化合物が気相状態にある温度で動作する可能性が高い。これに加えて、チャンバは、単に水冷表面を利用してチャンバ雰囲気から臭素及びその化合物並びに臭化錫化合物をクライオポンプで輸送することができる。
【0015】
本出願人らはまた、所与の個数の錫原子が単位時間当たりに例えばミラー表面上に堆積した場合、連続的にミラー表面を洗浄するためにはどれ程の塩素又は臭素のバッファ圧力が必要とされるかを考察した。所与のミラーサイズ及び液滴直径並びにプラズマから全領域中に均等に吐出されると仮定した液滴当たりの及び錫密度について、図2に示されたミラー表面に対する錫についての予測流入率の計算に基づくと、結果として生じる単位表面積当たりの流入率はミラー半径の二乗に従って増減する。本発明の一実施形態の態様によるこの錫原子流入率は、例えばハロゲン化錫である揮発性ハロゲン含有化合物を形成するために十分なハロゲン原子の割合を伴う必要がある。気圧及び温度に対する平面を横断する原子(分子)流束を考えると、図3は塩素及び臭素についての流入率のプロットを示している。
【0016】
本発明の一実施形態の態様によるハロゲン又はハロゲン含有ガスの流入率は、例えば20cm程度のミラー半径の適切な選択に対する錫流入率よりも高いオーダとなり、例えば冷却性能である他の動作を考慮することによって決定付けることができる。あらゆる適切な気圧において1×1018から1×1019原子/cm2sよりも高いハロゲン流入率と比較すると、50μmの錫液滴直径は、ミラー表面における3×1015原子/cm2sの錫流入率をもたらす。従って、多数のハロゲン原子が利用可能となり、問題は、例えばSnBr4である金属ハロゲン含有化合物の形成における反応率の問題となる。Brの供給源は、例えば、プラズマ形成チャンバ内に含まれるBr2又はHBrガスとすることができる。
【0017】
ここで図4を参照すると、EUVのLPP光源に対する集束器システム20を概略的に例示している。図5に概略的に示しているように、システム20は、切頭楕円形状とすることができる集束器22を備えることができ、例えば、液体プラズマ源材料(例えば錫)の液滴92の形態でターゲットとする所要のプラズマ開始場所30に第1の焦点を有する。液滴92は、上記に引用した同時係属中の出願の幾つかにおいてより詳細に説明されているターゲット送出システム90によって送出することができる。
【0018】
レーザビーム100は、例えば入力及び集束光学系102(図5に示している)を通じてプラズマ開始場所30に送出され、レーザビーム100の照射下でターゲットからプラズマ形成を引き起こすことができる。チャンバは、ハロゲンの供給源(例えばBr又はCl)を提供する、例えばハロゲン含有ガス(例えばBr2又はHBr或いは場合によってはHCl)であるガスで充填することができ、このガスは、プラズマ開始場所30に面する集束器22の反射表面及びウィンドウ/レンズ102光学面上に堆積したプラズマ源金属デブリ(例えば錫原子)と反応することになる。
【0019】
このEUV光生成装置は、例えば錫であるプラズマ生成源材料を利用し、該プラズマ生成源材料はハロゲン含有化合物を形成することになるプラズマ源材料を含み、該プラズマ源材料はまた、例えば約13.5nmの選択中心波長付近の帯域でレーザビーム照射を受けて誘起されるプラズマからEUV光を生成する。チャンバ内に備えられる集束器22は、第1の材料(例えばモリブデン又はルテニウムもしくはシリコン)の少なくとも1つの層、或いは、ハロゲン含有化合物を形成しない又はハロゲン含有化合物の層(例えば、帯域中で反射表面の反射率をあまり低減しない)を形成する他の金属の化合物を含有する反射表面を有することができる。例えば、チャンバ内に含まれるガスは、発生源材料が共にハロゲン含有化合物を形成するハロゲン又はハロゲン化合物を含むことができ、このハロゲン含有化合物は、反射表面からのハロゲン含有化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有する。従って、このガスは、例えばハロゲン又はその化合物のうちの1つ(例えばHBr又はBr2)を含むプラズマ源材料エッチャント供給源ガスを構成する。本発明の一実施形態の態様によれば、エッチングは単純に蒸発によるものとすることができ、或いは、例えば、集束器22又はウィンドウ/レンズ102を加熱することによって、又はEUV及び/もしくはDUVフォトンエネルギーの存在によって、又は光学素子22、102の近傍において発生する二次プラズマによって、又は光学素子22、102の近傍にイオン及び/又はラジカルを導入することができる遠隔発生プラズマによって熱的に促進することができる。
【0020】
システム20は、アンテナ42、44に容量結合されたRFアンテナセクターにRF1及びRF2を送出することができる複数の無線周波又はマイクロ波(RF)発生器を含むことができ、アンテナ42、44は、集束器22形状の後側の範囲をカバーし、RFを送出してEUVプラズマ発生場所に面する集束器22反射表面の近傍でイオンを誘起し、集束器22の反射表面に向けて加速する。これらのセクターは正方形、三角形、六角形、又は他のメッシュ幾何形状、或いはこれらの部分形状にセグメント化し、集束器の後側の表面領域をカバーして集束器22の反射表面の異なるセグメントに2つ又はそれ以上のRF周波数を異なるように分配する。プラズマは、例えば、RF源RF3とグランドとの間に接続されたRF源50によって集束器22の近傍で誘起することができる。集束器表面におけるこの局所又は原位置プラズマは、イオン化される前にプラズマ開始場所から排出されたターゲット92の非アブレーション部分の形態のデブリ及びEUV光源プラズマからの高エネルギーイオンの両方を低減することができ、これに加えて集束器22の反射表面からの揮発性ハロゲン−プラズマ源材料化合物のエッチング又は蒸発を誘起するよう機能することができる。RFセクターのアンテナ42、44は、プラズマからイオンを誘起し、反応性イオンエッチングによるハロゲン−プラズマ源材料化合物のエッチングを機械的に誘起する。
【0021】
集束器の動作近傍における原位置プラズマは、例えば集束器22からのEUVプラズマ源材料のエッチングを促進させるだけでなく、例えば集束器22の反射表面へのイオンの到達を阻止するか、或いは、例えば集束器22の反射表面からの反射表面材料のスパッタリングを有意に回避できる程イオンを少なくとも低減することを選択するように発生させることができる。
【0022】
例えば、RF誘起によりプラズマが形成される場合には、例えば自由電子を含有する、例えば塩素、臭素、及びこれらの化合物のラジカルの形態でのイオンを含む遠隔プラズマ発生源70を備えることができ、次いで、該イオンをチャンバに導入し、集束器22の反射表面で原位置プラズマを形成又は構成することができる。
【0023】
チャンバはまた、複数(例えば2つ)の犠牲的検証プレート又はバー60を含むことができる。犠牲的検証プレート又はバー60は、例えば一対の分光計62、64の1つをそれぞれ用いて観測され、プラズマ源材料ハロゲン化合物ではなく、検証プレート又はバー60のベース材料(例えばモリブデン、ルテニウム、シリコン、又は同様のもの)がエッチングされる指標とすることができる。これを用いて、プラズマ(例えば原位置プラズマ)に送出されるRFエネルギーを低減するなどプラズマを制御し、プラズマ源材料−ハロゲン化合物が一時的には完全にエッチング除去されていることを観測中の検証プレート又はバーが示す場合に好ましくないエッチングを抑制することができる。分光計62、64の代わりに、検証プレート60上で集束器材料がエッチングを開始される時に放出される波長に対して敏感なモノクロメータを用いることができる。検証プレート60は、例えばモリブデン、ルテニウム、シリコン等を含む異なるベース材料のものとすることができる。図5に示すように、ウィンドウ管110内に含むことができるウィンドウ/レンズ102に同様の構成を設けることができ、これは、例えばLPPのEUV光生成において利用されるレーザ光ビームを受光する等の役割を果たすことができる。かかるウィンドウ及び例えば計測用途向けの同様の他の光学素子は、レーザシステムのサブシステムの一部とすることができる。ウィンドウ管は、ガス吸気口140及びガス排気口142を有することができ、これらをそれぞれ通じてガスをウィンドウ管110全体に循環させることができる。上述のチャンバガスと同様にエッチャント供給源ガスは、例えばHBr、Br2、HCl、又はCl2の形態の好適なハロゲンを含むことができ、EUVプラズマデブリに曝される場合があるウィンドウ側での揮発性プラズマ源材料−ハロゲン化合物の形成に寄与することができる。このエッチングは更に、RFコイル120によって誘起されるRF誘起プラズマで促進することができ、このプラズマは、例えば永久磁石又は電磁石130によって管内に磁気的に閉じ込めることができる。
【0024】
チャンバのレーザレンズ/ウィンドウ102及び診断ウィンドウ等の他のものに対して、本出願人らは、CaF2及びMgF2のような臭素耐性光学材料などのハロゲン耐性光学材料を用いることを提案する。この洗浄は、ガス単独で行うことができる(通過するレーザ放射並びに発生EUV放射による促進される)。或いは、上述のように、ウィンドウ洗浄を促進するために洗浄にRFプラズマを用いることができる。
レーザサブシステムの光学素子は、チャンバ壁内に直接形成された、すなわちウィンドウ管110を伴わないウィンドウとすることができ、エッチャント供給源ガスは、チャンバ内に存在することができることは明らかであろう。本発明のこの実施形態の態様に従って、上述のように原位置プラズマ及び磁気閉じ込めも用いることができる。
【0025】
ハロゲンガスは、EUVプラズマ生成チャンバに到達する前にウィンドウ管110から排出することができる。
【0026】
当業者であれば、本発明の実施形態の上記の態様は、好ましい実施形態にのみ関しており、添付の請求項の範囲及び意図、並びにここに定義される本発明はかかる好ましい実施形態に限定されないことは理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【図1A】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1B】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1C】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1D】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1E】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1F】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1G】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1H】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1I】約13.5nm付近のEUV領域にある光についての1mT、10mT、及び100mTのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図1J】キセノンについての同様のプロットを示す図である。
【図2】本発明の一実施形態の態様による様々な半径のミラー上への錫イオンの原子流束を示す図である。
【図3】本発明の一実施形態の態様による、ミラー上へのハロゲンガス、塩素及び臭素の原子流束を示す図である。
【図4】本発明の一実施形態の態様による、EUV光源の集束器のためのデブリ軽減構成を概略的に例示する図である。
【図5】本発明の一実施形態の態様による、EUV光源の光学素子のデブリ軽減構成を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【0028】
20 集束器システム
22 集束器
30 プラズマ開始場所
42 RFアンテナ
50 RF源
60 犠牲的検証プレート又は棒
【特許請求の範囲】
【請求項1】
エッチング化合物を形成することになる材料を含み、選択中心波長付近の帯域内でEUV光を生成するEUVプラズマ源材料を用いたEUV光生成装置であって、
EUVプラズマ発生チャンバと、
前記チャンバ内に収容された、少なくとも1つの層を含む反射表面を有するEUV光集束器であって、前記少なくとも1つの層は、エッチング化合物を形成せず、及び/又は前記帯域内で前記反射表面の反射性を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含むEUV光集束器と、
前記チャンバ内に収容され、エッチャント供給源材料を含むエッチャント供給源ガスであって、前記プラズマ源材料が前記エッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が前記反射表面からの前記エッチング化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、
を含むEUV光生成装置。
【請求項2】
前記エッチャント供給源材料がハロゲン又はハロゲン化合物を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。
【請求項3】
前記エッチャント供給源材料が、EUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。
【請求項4】
前記エッチャント供給源材料は、EUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項2に記載の装置。
【請求項5】
前記エッチャント供給源材料は、DUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。
【請求項6】
前記エッチャント供給源材料は、DUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項2に記載の装置。
【請求項7】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。
【請求項8】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項2に記載の装置。
【請求項9】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。
【請求項10】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項2に記載の装置。
【請求項11】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項3に記載の装置。
【請求項12】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項4に記載の装置。
【請求項13】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項5に記載の装置。
【請求項14】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項6に記載の装置。
【請求項15】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項7に記載の装置。
【請求項16】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項8に記載の装置。
【請求項17】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項1に記載の装置。
【請求項18】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項2に記載の装置。
【請求項19】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項3に記載の装置。
【請求項20】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項4に記載の装置。
【請求項21】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項5に記載の装置。
【請求項22】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項6に記載の装置。
【請求項23】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項7に記載の装置。
【請求項24】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項8に記載の装置。
【請求項25】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項9に記載の装置。
【請求項26】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項10に記載の装置。
【請求項27】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項11に記載の装置。
【請求項28】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項12に記載の装置。
【請求項29】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項13に記載の装置。
【請求項30】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項14に記載の装置。
【請求項31】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項15に記載の装置。
【請求項32】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項16に記載の装置。
【請求項33】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項17に記載の装置。
【請求項34】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項18に記載の装置。
【請求項35】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項19に記載の装置。
【請求項36】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項20に記載の装置。
【請求項37】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項21に記載の装置。
【請求項38】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項22に記載の装置。
【請求項39】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項23に記載の装置。
【請求項40】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項24に記載の装置。
【請求項41】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項25に記載の装置。
【請求項42】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項26に記載の装置。
【請求項43】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項27に記載の装置。
【請求項44】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項28に記載の装置。
【請求項45】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項29に記載の装置。
【請求項46】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項30に記載の装置。
【請求項47】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項31に記載の装置。
【請求項48】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項32に記載の装置。
【請求項49】
エッチング化合物を形成することになる材料を含み、選択中心波長付近の帯域内でEUV光を生成するEUVプラズマ源材料を用いたEUV光生成装置であって、
EUVプラズマ発生チャンバと、
前記チャンバ内のサブシステム開口であって、該サブシステム開口は該サブシステム開口内にEUVに露出される光学素子を含み、該光学素子は、エッチング化合物を形成せず、及び/又は材料の光学性能を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含むサブシステム開口と、
前記光学素子と作動的に接触して収容されたエッチャント供給源ガスであって、エッチャント供給源材料を含み、前記プラズマ源材料が該エッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が、前記光学素子からの前記エッチング化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、
を含むEUV光生成装置。
【請求項50】
前記エッチャント供給源材料はハロゲン又はハロゲン化合物を含む、
ことを特徴とする請求項49に記載の装置。
【請求項51】
前記エッチャント供給源材料は、EUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項49に記載の装置。
【請求項52】
前記エッチャント供給源材料は、EUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項50に記載の装置。
【請求項53】
前記エッチャント供給源材料は、DUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項49に記載の装置。
【請求項54】
前記エッチャント供給源材料は、DUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項50に記載の装置。
【請求項55】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項49に記載の装置。
【請求項56】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項50に記載の装置。
【請求項57】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項49に記載の装置。
【請求項58】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項50に記載の装置。
【請求項59】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項51に記載の装置。
【請求項60】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項52に記載の装置。
【請求項61】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項53に記載の装置。
【請求項62】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項54に記載の装置。
【請求項63】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項55に記載の装置。
【請求項64】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項56に記載の装置。
【請求項65】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項57に記載の装置。
【請求項66】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項58に記載の装置。
【請求項67】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項59に記載の装置。
【請求項68】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項60に記載の装置。
【請求項69】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項61に記載の装置。
【請求項70】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項62に記載の装置。
【請求項71】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項63に記載の装置。
【請求項72】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項64に記載の装置。
【請求項73】
エッチング化合物を形成することになる材料を含む、選択中心波長付近の帯域内でEUV光を生成するEUVプラズマ源材料を用い、EUV光集束器を用いて前記EUV光を集束するEUV光生成装置において前記集束器を洗浄する方法であって、
少なくとも1つの層を含む反射表面を有する光集束器を用いる段階を含み、
前記少なくとも1つの層が、エッチング化合物を形成せず、及び/又は前記帯域内で前記反射表面の反射率を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含み、
前記方法が更に、
エッチャント供給源材料を含むエッチャント供給源ガスを供給する段階と、
を含み、
前記プラズマ源材料が前記エッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物は、前記反射表面からの前記エッチング化合物のエッチングを可能にすることになる蒸気圧を有する方法。
【請求項74】
前記エッチャント供給源材料はハロゲン又はハロゲン化合物を含むことを特徴とする請求項73に記載の方法。
【請求項75】
前記エッチャント供給源材料は、EUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項73に記載の方法。
【請求項76】
前記エッチャント供給源材料は、EUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項74に記載の方法。
【請求項77】
前記エッチャント供給源材料は、DUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項73に記載の方法。
【請求項78】
前記エッチャント供給源材料は、DUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項74に記載の方法。
【請求項79】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項73に記載の方法。
【請求項80】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項74に記載の方法。
【請求項81】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項71に記載の方法。
【請求項82】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項83】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項73に記載の方法。
【請求項84】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項74に記載の方法。
【請求項85】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項75に記載の方法。
【請求項86】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項76に記載の方法。
【請求項87】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項77に記載の方法。
【請求項88】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項78に記載の方法。
【請求項89】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項79に記載の方法。
【請求項90】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項80に記載の方法。
【請求項91】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項81に記載の方法。
【請求項92】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項82に記載の方法。
【請求項93】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項83に記載の方法。
【請求項94】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項84に記載の方法。
【請求項95】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項85に記載の方法。
【請求項96】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項86に記載の方法。
【請求項97】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項87に記載の方法。
【請求項98】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項88に記載の方法。
【請求項99】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項89に記載の方法。
【請求項100】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項90に記載の方法。
【請求項101】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項9に記載の装置。
【請求項102】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項92に記載の装置。
【請求項103】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項93に記載の装置。
【請求項104】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項94に記載の装置。
【請求項105】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項95に記載の装置。
【請求項106】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項96に記載の装置。
【請求項107】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項97に記載の装置。
【請求項108】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項98に記載の装置。
【請求項109】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項99に記載の装置。
【請求項110】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項100に記載の装置。
【請求項1】
エッチング化合物を形成することになる材料を含み、選択中心波長付近の帯域内でEUV光を生成するEUVプラズマ源材料を用いたEUV光生成装置であって、
EUVプラズマ発生チャンバと、
前記チャンバ内に収容された、少なくとも1つの層を含む反射表面を有するEUV光集束器であって、前記少なくとも1つの層は、エッチング化合物を形成せず、及び/又は前記帯域内で前記反射表面の反射性を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含むEUV光集束器と、
前記チャンバ内に収容され、エッチャント供給源材料を含むエッチャント供給源ガスであって、前記プラズマ源材料が前記エッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が前記反射表面からの前記エッチング化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、
を含むEUV光生成装置。
【請求項2】
前記エッチャント供給源材料がハロゲン又はハロゲン化合物を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。
【請求項3】
前記エッチャント供給源材料が、EUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。
【請求項4】
前記エッチャント供給源材料は、EUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項2に記載の装置。
【請求項5】
前記エッチャント供給源材料は、DUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。
【請求項6】
前記エッチャント供給源材料は、DUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項2に記載の装置。
【請求項7】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。
【請求項8】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項2に記載の装置。
【請求項9】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。
【請求項10】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項2に記載の装置。
【請求項11】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項3に記載の装置。
【請求項12】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項4に記載の装置。
【請求項13】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項5に記載の装置。
【請求項14】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項6に記載の装置。
【請求項15】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項7に記載の装置。
【請求項16】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項8に記載の装置。
【請求項17】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項1に記載の装置。
【請求項18】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項2に記載の装置。
【請求項19】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項3に記載の装置。
【請求項20】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項4に記載の装置。
【請求項21】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項5に記載の装置。
【請求項22】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項6に記載の装置。
【請求項23】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項7に記載の装置。
【請求項24】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項8に記載の装置。
【請求項25】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項9に記載の装置。
【請求項26】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項10に記載の装置。
【請求項27】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項11に記載の装置。
【請求項28】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項12に記載の装置。
【請求項29】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項13に記載の装置。
【請求項30】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項14に記載の装置。
【請求項31】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項15に記載の装置。
【請求項32】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項16に記載の装置。
【請求項33】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項17に記載の装置。
【請求項34】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項18に記載の装置。
【請求項35】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項19に記載の装置。
【請求項36】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項20に記載の装置。
【請求項37】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項21に記載の装置。
【請求項38】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項22に記載の装置。
【請求項39】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項23に記載の装置。
【請求項40】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項24に記載の装置。
【請求項41】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項25に記載の装置。
【請求項42】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項26に記載の装置。
【請求項43】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項27に記載の装置。
【請求項44】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項28に記載の装置。
【請求項45】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項29に記載の装置。
【請求項46】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項30に記載の装置。
【請求項47】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項31に記載の装置。
【請求項48】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項32に記載の装置。
【請求項49】
エッチング化合物を形成することになる材料を含み、選択中心波長付近の帯域内でEUV光を生成するEUVプラズマ源材料を用いたEUV光生成装置であって、
EUVプラズマ発生チャンバと、
前記チャンバ内のサブシステム開口であって、該サブシステム開口は該サブシステム開口内にEUVに露出される光学素子を含み、該光学素子は、エッチング化合物を形成せず、及び/又は材料の光学性能を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含むサブシステム開口と、
前記光学素子と作動的に接触して収容されたエッチャント供給源ガスであって、エッチャント供給源材料を含み、前記プラズマ源材料が該エッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が、前記光学素子からの前記エッチング化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、
を含むEUV光生成装置。
【請求項50】
前記エッチャント供給源材料はハロゲン又はハロゲン化合物を含む、
ことを特徴とする請求項49に記載の装置。
【請求項51】
前記エッチャント供給源材料は、EUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項49に記載の装置。
【請求項52】
前記エッチャント供給源材料は、EUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項50に記載の装置。
【請求項53】
前記エッチャント供給源材料は、DUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項49に記載の装置。
【請求項54】
前記エッチャント供給源材料は、DUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項50に記載の装置。
【請求項55】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項49に記載の装置。
【請求項56】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項50に記載の装置。
【請求項57】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項49に記載の装置。
【請求項58】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項50に記載の装置。
【請求項59】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項51に記載の装置。
【請求項60】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項52に記載の装置。
【請求項61】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項53に記載の装置。
【請求項62】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項54に記載の装置。
【請求項63】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項55に記載の装置。
【請求項64】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項56に記載の装置。
【請求項65】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項57に記載の装置。
【請求項66】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項58に記載の装置。
【請求項67】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項59に記載の装置。
【請求項68】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項60に記載の装置。
【請求項69】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項61に記載の装置。
【請求項70】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項62に記載の装置。
【請求項71】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項63に記載の装置。
【請求項72】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項64に記載の装置。
【請求項73】
エッチング化合物を形成することになる材料を含む、選択中心波長付近の帯域内でEUV光を生成するEUVプラズマ源材料を用い、EUV光集束器を用いて前記EUV光を集束するEUV光生成装置において前記集束器を洗浄する方法であって、
少なくとも1つの層を含む反射表面を有する光集束器を用いる段階を含み、
前記少なくとも1つの層が、エッチング化合物を形成せず、及び/又は前記帯域内で前記反射表面の反射率を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含み、
前記方法が更に、
エッチャント供給源材料を含むエッチャント供給源ガスを供給する段階と、
を含み、
前記プラズマ源材料が前記エッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物は、前記反射表面からの前記エッチング化合物のエッチングを可能にすることになる蒸気圧を有する方法。
【請求項74】
前記エッチャント供給源材料はハロゲン又はハロゲン化合物を含むことを特徴とする請求項73に記載の方法。
【請求項75】
前記エッチャント供給源材料は、EUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項73に記載の方法。
【請求項76】
前記エッチャント供給源材料は、EUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項74に記載の方法。
【請求項77】
前記エッチャント供給源材料は、DUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項73に記載の方法。
【請求項78】
前記エッチャント供給源材料は、DUV光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項74に記載の方法。
【請求項79】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項73に記載の方法。
【請求項80】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項74に記載の方法。
【請求項81】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項71に記載の方法。
【請求項82】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項83】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項73に記載の方法。
【請求項84】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項74に記載の方法。
【請求項85】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項75に記載の方法。
【請求項86】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項76に記載の方法。
【請求項87】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項77に記載の方法。
【請求項88】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項78に記載の方法。
【請求項89】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項79に記載の方法。
【請求項90】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項80に記載の方法。
【請求項91】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項81に記載の方法。
【請求項92】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項82に記載の方法。
【請求項93】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項83に記載の方法。
【請求項94】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項84に記載の方法。
【請求項95】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項85に記載の方法。
【請求項96】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項86に記載の方法。
【請求項97】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項87に記載の方法。
【請求項98】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項88に記載の方法。
【請求項99】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項89に記載の方法。
【請求項100】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項90に記載の方法。
【請求項101】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項9に記載の装置。
【請求項102】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項92に記載の装置。
【請求項103】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項93に記載の装置。
【請求項104】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項94に記載の装置。
【請求項105】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項95に記載の装置。
【請求項106】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項96に記載の装置。
【請求項107】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項97に記載の装置。
【請求項108】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項98に記載の装置。
【請求項109】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項99に記載の装置。
【請求項110】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項100に記載の装置。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図1F】
【図1G】
【図1H】
【図1I】
【図1J】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図1F】
【図1G】
【図1H】
【図1I】
【図1J】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【公表番号】特表2008−518480(P2008−518480A)
【公表日】平成20年5月29日(2008.5.29)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−538994(P2007−538994)
【出願日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【国際出願番号】PCT/US2005/037725
【国際公開番号】WO2006/049886
【国際公開日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【出願人】(504010648)サイマー インコーポレイテッド (115)
【Fターム(参考)】
【公表日】平成20年5月29日(2008.5.29)
【国際特許分類】
【出願日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【国際出願番号】PCT/US2005/037725
【国際公開番号】WO2006/049886
【国際公開日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【出願人】(504010648)サイマー インコーポレイテッド (115)
【Fターム(参考)】
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