説明

株式会社トクヤマにより出願された特許

161 - 170 / 839


【課題】アルミニウム系III族窒化物結晶成長装置において、加熱機構に起因して発生するベース基板のそりを低減し、かつ、速い結晶成長速度を達成できるような高温度を両立できるような装置を提供する。
【解決手段】少なくともハロゲン化アルミニウムガスを含むIII族原料ガスと窒素源ガスの原料ガスをベース基板16表面に沿った流れで供給し、アルミニウム系III族窒化物層を該ベース基板表面に成長させるアルミニウム系III族窒化物製造装置において、反応部へ供給するまでの原料ガスの温度を該ガスの反応温度未満とし、かつアルミニウム系III族窒化物層が成長するベース基板表面に対向する反応部内の面に加熱面を有する第二加熱手段19を設置したことを特徴とするアルミニウム系III族窒化物製造装置である。 (もっと読む)


【課題】セラミック基板の表面に導電ペースト層を形成し、焼成することによってメタライズド窒化アルミニウム基板を製造する方法において、形成されるメタライズ層の信頼性を向上させ、その後にメッキ処理を行なう際、かかる処理を高い歩留りで実施することが可能なメタライズド窒化アルミニウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体基板1上に、焼結助剤を含有する窒化アルミニウムペースト層2を介して、焼結助剤を含有せず、また、タングステン100重量%に対して窒化アルミニウムを6重量%〜20重量%含有する導電ペースト層3を形成した後、1600℃〜1900℃で焼成してメタライズ層を形成する。 (もっと読む)


【課題】 タングステンよりなる配線パターンと更にその上の一部に窒化アルミニウムよりなる絶縁パターンを持つメタライズド窒化アルミニウム基板の焼成に用いる治具として、被焼成物との癒着を防止し、かつ被焼成物への汚染を少なくすることが可能な新規な治具を提供する。
【解決手段】 タングステンよりなる配線パターンと更にその上の一部に窒化アルミニウムよりなる絶縁パターンを持つメタライズド窒化アルミニウム基板を焼成する工程で被焼成物と接触する治具について、少なくとも被焼成物と接触する面が、面積率15〜35%で窒化アルミニウムを存在させたタングステンと窒化アルミニウムとの複合面により構成された治具を使用して焼成を行う。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板表面への微細な凹凸部であって、その凹凸部にバラツキが少なく、反射率の低いシリコン基板を形成するためのテクスチャー形成用組成物、および該テクスチャー形成方法を提供する。
【解決の手段】シリコン基板表面と接触して該表面に凹凸部を形成するテクスチャー形成用組成物であって、水、塩基、及びアミド結合を有するアミド化合物を含むテクスチャー形成用組成物、および該テクスチャー組成物とシリコン基板表面とを接触させて、該基板表面に凹凸部を形成する方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 真空紫外領域用の電子線励起発光検出装置が正常であることを示すと共に、試料の発光強度の定量的な比較や発光に寄与する元素の定量に基準となる、校正用標準試料を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、バンドギャップエネルギーが6.2eV以上の酸化物結晶よりなる電子線励起真空紫外発光測定装置用の校正用標準試料、測定試料及び該校正用標準試料の電子励起真空紫外発光を同じ測定条件で測定し、測定試料と校正用標準試料の発光強度の比(測定試料の発光強度/校正用標準試料の発光強度)を求める電子線励起真空紫外発光強度の定量的測定方法である。 (もっと読む)


【課題】中性子に対する検出効率、及びn/γ弁別能に優れた中性子用シンチレーター並びに当該中性子シンチレーターを使用した中性子検出器を提供する。
【解決手段】層状のフッ化リチウム結晶と層状のフッ化カルシウム結晶とが交互に積層した共晶体であって、この共晶体中の層状のフッ化リチウム結晶層の厚さが0.1〜5μmである共晶体からなる中性子用シンチレーター、或いは、層状のフッ化リチウム結晶と層状のフッ化カルシウム結晶とが交互に積層した共晶体であって、この共晶体中の層状のフッ化カルシウム結晶層が少なくとも一方向に直線的に連続している共晶体からなる中性子用シンチレーター、更に、これら中性子シンチレーターと光検出器から基本構成される中性子検出器である。 (もっと読む)


【課題】チョクラルスキー法によってフッ化金属の単結晶体を製造する方法に使用され、散乱体の発生がさらに抑制されたアズグロウン単結晶体を製造することが可能な二重坩堝構造を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるフッ化金属単結晶育成炉内に配置される外坩堝1と内坩堝3とからなる二重坩堝構造において、外坩堝1は、原料フッ化金属及びその融液を収容、保持するものであって、上下動可能に且つ内坩堝3と同軸上に設けられており、内坩堝3は、外坩堝1の上部に位置固定されていると共に、下方中心に向かって縮径した傾斜壁21を備え、傾斜壁21の中心には、外坩堝1に保持されている原料フッ化金属の融液が流通し得る貫通孔Aが形成されており、傾斜壁21には、その上端径をLで表して、径が(2/3)×Lとなるよりも上方の位置に複数の貫通孔Bが回転対称に形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 石膏ボード廃材を粉砕して得られる廃石膏粉末を熱可塑性樹脂に対して大量に配合して、例えばベント式スクリュー押出機を用い、140℃以上で溶融混練するに際し、廃石膏粉末の使用を可能とし、且つ、安定的に樹脂組成物を製造する方法を提供することにある。
【解決手段】 廃石膏を加熱処理し、二水石膏の割合が40質量%以下の割合となるように調整された廃石膏粉末として、前記熱可塑性樹脂との溶融混練を行い、樹脂組成物を得る。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物単結晶が積層された積層体を冷却したとしても、該積層体の反り(結晶軸の歪み)が低減できる製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板/第1のIII族窒化物単結晶層/第1の非単結晶層からなる積層基板を形成する工程、積層基板からベース基板を除去する工程、第1のIII族窒化物単結晶層上にIII族窒化物単結晶をエピタキシャル成長させて第2のIII族窒化物単結晶層を形成する工程、第2のIII族窒化物単結晶層上に、第2の非単結晶層を形成する工程、を含む積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ダイオード型ガスセンサまたはFET型ガスセンサにおいて、ガス感度を増加させることを目的とする。
【解決手段】Ti基体の表面にTiO2膜とPd系電極とをこの順に積層し、ダイオード型ガスセンサとする。Pd系電極を芳香族ビニル/オレフィンエラストマーで被覆する。
【効果】湿潤雰囲気での水素への感度が向上する。 (もっと読む)


161 - 170 / 839