【課題】 金型と被印刷体とを平行に保ち、金型の破損を防止しつつ、その寿命を延長する。
【解決手段】 石英、シリコンまたは樹脂などの材料からなり凹凸の溝を形成した転写印刷版１を外枠部材７で保持し、その転写印刷版１を被印刷体３に押圧して印刷するための転写印刷版保持構造５において、外枠部材７に、応力衝撃緩衝材９を介して転写印刷版１を保持させた。 （もっと読む）

【課題】 小型でシンプルで、タクトタイムが短く印刷の位置精度が高い転写印刷版用実装金型及び転写印刷方法を提供する。
【解決手段】 凹凸が形成された転写印刷版２４を被印刷部材２５に真空下で押し付けて被印刷部材２４に転写印刷版２５の凹凸形状を転写する転写印刷版用実装金型において、転写印刷版２４と被印刷部材２５とのいずれかを保持する上型１６と下型１８に、その上型１６と下型１８を合わせたときに真空減圧室１９を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】 ＣｕとＣｕ_２Ｏとで構成される銅系複合材料板状体が有する優れた放熱効果を最大限引き出すことを目的とする。
【解決手段】 ＣｕとＣｕ_２Ｏを組成とする銅系複合材料のＣｕ_２Ｏの体積率を小とする第１の面１ａと、前記体積率を大とする第２の面１ｂを有するようにする。 （もっと読む）

【課題】コンタクト層の成長温度を下げる必要なしに、コンタクト層からｐ型クラッド層中への亜鉛の拡散を防止し得る構造を持つ、より高出力な光素子を作製するのに適した半導体光素子用エピタキシャルウエハを提供すること。
【解決手段】基板１上に、ｎ型クラッド層４、活性層６、ｐ型クラッド層７のダブルヘテロ構造から成る発光部を設けると共に、その上にコンタクト層１０を設け、該コンタクト層１０にはｐ型ドーパントとして亜鉛を、それ以外のｐ型層には、ドーパントとしてマグネシウムを用いている半導体光素子用エピタキシャルウエハにおいて、ｐ型クラッド層７中に、圧縮型の歪みを有する薄層と引張り型の歪みを有する薄層とを交互に複数積層した歪補償型の超格子から成る亜鉛拡散抑止層８を設ける。 （もっと読む）

【課題】 応力が加わっても光ファイバケーブル内の光ファイバに光損失増加が生じにくい光ファイバケーブルを提供する。
【解決手段】 第１の抗張力体３３に第１のシース１１ｓを施した支持線部１９と、テープ型光ファイバ心線１２をほぼ中央に収容し外周に第２のシース１１ｃを施すと共に第２のシース１１ｃ内に１本または２本の第２の抗張力体１４を縦添えして収容した断面ほぼ矩形状のケーブル部１０と、支持線部１９とケーブル部１０との短辺側側面とを連結する首部２０とを有し、かつケーブル部１０の長辺側の両側面にそれぞれ一箇所以上の対向する溝部１５を形成すると共に、溝部１５を収容したテープ型光ファイバ心線１２よりも幅広に形成し、更に対向する溝部１５の底辺の両角にノッチ１６ａ〜１６ｄをそれぞれ形成した光ファイバケーブル１である。 （もっと読む）

【課題】基板の両面に、化学的気相成長により異なる組成のエピタキシャル層を得ることが出来る気相エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】反応管６と、該反応管を上部室６１と下部室６２とに分離する分離板４と、上部室６１に第１の成長ガスを導入する第１のガス導入口１０と、下部室６２に第２の成長ガスを導入する第２のガス導入口１４と、分離板４の開口４ａ内に分離板４とほぼ同一平面を形成するように配置され基板設置用の開口部２ａを備えた板状のサセプタ２と、基板３を加熱するヒータ１とを具備し、サセプタ２が備える開口部２ａを閉鎖するように基板３を設置することにより、開口部２ａから下部室６２側に露出した基板の裏面に第２の成長ガスによる第２のエピタキシャル層を形成するとともに、基板３の表面に第１の成長ガスによる第１のエピタキシャル層を形成する。 （もっと読む）

【課題】導電性、強度、ばね特性に優れた端子・コネクタ用銅合金の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ０．１〜０．５質量％のＦｅ、０．２〜１．０質量％のＮｉ、０．０３〜０．２質量％のＰ、０．０２〜０．１質量％のＳｉ、０．０１〜１．０質量％のＳｎ、０．１〜１．０質量％のＺｎ、および残部のＣｕから成り、前記ＦｅおよびＮｉの合計重量と前記ＰおよびＳｉの合計重量の比が、（Ｆｅ+Ｎｉ）/（Ｐ+Ｓｉ）＝３〜１０である合金素材を準備するステップと、その合金素材を７００〜９００℃に昇温した後、毎分２５℃以上の降温速度で３００℃以下まで冷却する第１の熱処理を施すステップと、その第１の熱処理後の材料を冷間圧延した後、４００〜５５０℃に加熱して３０分〜５時間保持する第２の熱処理を施すステップと、その第２の熱処理後の材料を冷間圧延した後、３００〜４５０℃に加熱して３０分〜５時間保持する第３の熱処理を施すステップを有する。 （もっと読む）

【課題】成長後にあえて粗面化処理を行うことなく、既にウェハの段階で、凹凸に荒らされた最表面を持つ発光ダイオード用エピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】導電性の基板１上に、ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型クラッド層４及びＡｌＧａＡｓもしくはＡｌＧａＩｎＰからなる電流分散層５を積層したダブルへテロ構造を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハにおいて、最表面の電流分散層５の成長中にＶ族ガスの供給を一定の間隔で入れたり、切ったりすることで、最表面の電流分散層５に故意に凸凹５ａを設ける。 （もっと読む）

【課題】 タイヤの固体部分に生じている歪みを直接検出し、かつ回転系非回転系間の電力・信号伝達が不要なタイヤ歪み検出用センサシステムを提供する。
【解決手段】 歪みに応じて反射波長が変化するＦＢＧを形成した光ファイバ１をタイヤ２の内層３に埋め込み、この光ファイバ１とタイヤ外部との間で光伝送を行うためのカプラ４をタイヤ２の側部に設けた。タイヤ２の内層３の変形に応じてＦＢＧの反射波長が変化する。 （もっと読む）

【課題】デバイスを作製した時にバッファリーク電流を１×１０^−９Ａ以下に抑制するバッファ層を有することにより、スイッチング特性に優れたIII−Ｖ族化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【構成】このＨＥＭＴ１０は、基板１１上にｐ型バッファ層１２ａ、無添加バッファ層１２、チャネル層１３、スペーサ層１４、キャリア供給層１５、ショットキー層１６及びコンタクト層１７を順次エピタキシャル成長させ、コンタクト層１７を選択的にエッチングしてショットキー層１６の一部を露出させ、残ったコンタクト層１７上にソース電極１０２及びドレイン電極１０３を形成し、ショットキー層１６の露出した部分上にゲート電極１０１を形成したものである。 （もっと読む）