【課題】消費電力を低減することができる発振回路を提供する。
【解決手段】入力信号が含むアナログ成分をデジタル信号に変換するアナログ／デジタル変換回路１００と、アナログ／デジタル変換回路１００で変換されたデジタル信号Ｄ１について、予め設定された周波数帯域成分のみを基準信号として通過させるバンドパスフィルタ１０１と、バンドパスフィルタ１０１を通過した基準信号Ｄ２と、ＰＬＬループ内に設けられる電圧制御発振器２０３からの出力信号Ｄ３との位相差が一定となるように電圧制御発振器２０３にフィードバック制御を行って発振させるＰＬＬ回路２００とを備え、バンドパスフィルタ１０１は、所定の条件に基づいて、アナログ／デジタル変換回路１００で変換されたデジタル信号Ｄ１の所定ビット幅について、「０」に固定するマスク処理を実行するマスク処理部１０２を備える。 （もっと読む）

【課題】出力クロック信号の周波数制御を精度良く行うことが容易となるＰＬＬ回路を提供する。
【解決手段】流出または流入の出力電流を出力するものであって、パルス信号に応じて前記出力電流のオン／オフが切替えられるチャージポンプと、周期性を有する多値の参照信号に応じて前記パルス信号を生成する、パルス信号生成部と、を備え、前記出力電流に応じた出力クロック信号を生成するＰＬＬ回路であって、前記参照信号に応じて前記出力電流の電流量を調節する、電流量調節部を備えたＰＬＬ回路とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで高い耐熱性ワイヤレス接合を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実装基板８と、実装基板８上に配置された信号配線電極１２と、実装基板８上に若しくは実装基板８を貫通して配置されたパワー配線電極６と、信号配線電極１２と電気的に接合可能なゲートパッド電極ＧＰおよびパワー配線電極６と電気的に接合可能なソースパッド電極ＳＰを有する半導体デバイス１６と、信号配線電極１２とゲートパッド電極ＧＰとの間に配置された第１金属粒子接合層１８Ｇと、パワー配線電極６とソースパッド電極ＳＰとの間に配置された第２金属粒子接合層１８Ｓとを備え、半導体デバイス１６が実装基板８上にフリップチップ接続された半導体装置１およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ホログラム領域の読み取りが可能でありつつ、薄型化を図ることが可能なイメージセンサモジュールを提供すること。
【解決手段】 イメージセンサモジュール１０１は、主走査方向ｘに配列された複数の受光部を有するセンサＩＣ５００と、読み取り対象物８９０から向かってきた光をセンサＩＣ５００に結像させるレンズユニット４００と、副走査方向ｙにおいてレンズユニット４００に対して離間した位置に置かれた主走査方向ｘに延びる出射面２８３Ａを有し、この出射面２８３Ａから主走査方向ｘに延びる線状光を読み取り対象物８９０に向けて出射する光源ユニット２００Ａと、副走査方向ｙにおいてレンズユニット４００と出射面２８３Ａとの間に置かれた主走査方向ｘに延びる出射面２８３Ｂを有し、この出射面２８３Ｂから主走査方向ｘに延びる線状光を読み取り対象物８９０に向けて出射する光源ユニット２００Ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】低電圧駆動時における動作完了直後のビット線のプリチャージ電圧復帰するまでの時間を高速化し、読み取りエラーを防止する。
【解決手段】メモリセルＢＬＣＥＬＬ＜０＞、ＢＬＣＥＬＬ＜１＞と、メモリセルのビット線対ｂｌ／ｂｌｂと、ビット線対の電位差を増幅するセンスアンプ回路ＢＬＳＡと、センスアンプ回路ＢＬＳＡのグローバルビット線対ｇｂｌ／ｇｂｌｂと、を有する半導体記憶装置である。センスアンプ回路ＢＬＳＡは、Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタＰ１及びＰ２と、Ｎチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタＮ１〜Ｎ６と、を含むＳＲＡＭ型であり、該ＳＲＡＭの接続ノードａ及び接続ノードｂに専用のイコライズ線ｅｑｃを設けることによって、各駆動信号線に分布する寄生容量を分散させる。 （もっと読む）

【課題】測定対象物の寸法を電子的に測定可能な電子測定器を提供する。
【解決手段】等ピッチで１列に並べられた受光素子アレイ２０と、受光素子アレイ２０に結像するレンズ系１６と、測定対象物２５へ光を照射する光源２６と、測定対象物２５から反射した光を受光素子アレイ２０により受光して出力されるアナログ信号をディジタル処理する信号処理部２８と、信号処理部２８によって得られたディジタル計数値ＤＳを表示する表示部１２とを備え、ディジタル計数値ＤＳにより、測定対象物２５の大きさを表示することを特徴とする電子測定器１０。 （もっと読む）

【課題】プリント配線基板上の実装面積削減やコスト削減を実現することのできるチャージポンプを提供する。
【解決手段】チャージポンプ１００は、フライングキャパシタ１２０の充放電用スイッチとして、半導体装置１１０に集積化されたフローティングＮＭＯＳＦＥＴ１１１及び１１２のボディダイオード１１１ｄ及び１１２ｄを用いる。 （もっと読む）

【課題】調整できる抵抗値の範囲を広くすることができ、かつ高精度のトリミングが行えるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】絶縁基板１、抵抗体４、および１対の電極２、３を備えている。電極２と電極３は離間し、かつ対向して配置されている。抵抗体４の形状は、長方形に形成されている。また、抵抗体４は、電極２から電極３に渡って形成される。電極２と電極３の離間領域を覆っている抵抗体４の形状は、台形である。電極２と電極３の離間領域は、電極２と電極３が形成される延伸方向に段階的に電極間の間隔が広がるように構成されている。すなわち、電極２と電極３との間の経路の抵抗値が、抵抗体４の２辺の一方の辺から他方の辺に向かって段階的に増加するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】限られた記憶領域に多くの文字情報を記憶させる。
【解決手段】本発明に係る文字コード圧縮方法は、ｍ通りの基本文字コードで表される入力文字列（lot_name）の文字種を集約ないしは削減してｘ通り（ただしｘ＜ｍ）の新文字コードで表される新文字列（new_lot_name）に変換する第１ステップ（Ｓ１０１〜Ｓ１１０）と、前記新文字列をｙ文字ずつに区切り、ｎ文字目（ただしｎ＝１、２、…、ｙ）の新文字コードにｘ^ｎ−１を各々乗算した値を全て足し合わせて、ｙ文字分でｚビット（ただしｘ^ｙ＜２^ｚ）の圧縮文字列データ（otpLotDat）を生成する第２ステップ（ステップＳ１１１〜Ｓ１１５）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 流体に対して非接触の状態で流体の反応を検出することが可能な流体反応検出モジュールおよび流体反応検出システムを提供すること。
【解決手段】 気体反応検出モジュール１００は、配管８００に向けて光を出射する発光手段２００と、複数の受光部を有するセンサＩＣ４００と、配管８００からの光を上記複数の受光部に集光するレンズユニット３００と、を備える。 （もっと読む）