【課題】凹凸加工されたサファイア基板を用いたIII 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率をさらに向上させつつ、ピットの発生を抑制すること。
【解決手段】まず、ｃ面を主面とするサファイア基板１０表面に凹凸加工を施す。凹凸の深さは１〜２μｍ、凹凸側面の傾斜角度は４０〜８０°とする。次にサファイア基板１０上に、バッファ層１１を形成し、バッファ層１１上に、ＧａＮからなる防止層１２を、６００〜１０５０℃で形成し、バッファ層１１の全面を被覆する。次に、防止層１２上に、１０５０〜１２００℃でｎ型層１３をＭＯＣＶＤ法によって形成する。このとき、バッファ層１１の全面が防止層１２に覆われているため、バッファ層１１のマストランスポートが抑制される。そのため、結晶にピットが発生するのを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】車両組み付け時に取付部の開口部が広がるのを防止しつつ、シール性能を確保することのできる自動車用ウエザストリップを提供する。
【解決手段】車体開口部開閉部材又は車体開口部周縁に設けられたフランジにはウエザストリップが取り付けられている。ウエザストリップは上記フランジに取付けられる取付部及び取付部の車外側側壁部の先端から一体的に延長されている保持底部、車体開口部開閉部材に当接してシールするシール部を備えている。上記取付部に設けられているフランジを保持するための保持リップ、及び上記フランジに設けられた段部に係止する係止突起、上記保持底部は取付部を形成する高硬度のソリッド材よりも低硬度のソリッド材で形成されている。 （もっと読む）

【課題】既存の蛍光灯器具に取り付け又は取り外す際に作業者が感電するのを確実に防止可能なラピッドスタート式の直管蛍光灯型ＬＥＤ照明装置を提供する。
【解決手段】商用電源から常時供給される交流電源を直流に変換してＬＥＤを点灯させる駆動回路が内蔵された管体と、管体の第１端部にて２個の接続端子を有する第１口金と、管体の第２端部にて２個の接続端子を有する第２口金と、第１口金および第２口金の接続端子と駆動回路との間の電源供給経路について、その導通状態と非導通状態とを切り替える切替手段とを備え、切替手段は、第１口金の接続端子間に電位差を検知すると共に、第２口金の接続端子間に電位差を検知しないときには、第２口金の接続端子と駆動回路との電源供給経路を導通状態にすると共に、第１口金の接続端子と駆動回路との電源供給経路を非導通状態にする。 （もっと読む）

【課題】重量が軽減され、コーナー部に装着が容易で、製造が容易な自動車用オープニングトリムウエザストリップを提供することを目的とするものである。
【解決手段】
オープニングトリムウエザストリップ１０は、車体開口部周縁６に設けられているフランジ７に取付けられる取付基部２０と、取付基部２０に一体的に設けられ、車体開口部開閉部材２に当接して車体開口部開閉部材２と車体開口部周縁６との間をシールするシール部を有する。取付基部２０は、金属製インサートを埋設せず、車外側側壁２１と底壁２３及び車内側側壁２２を有する断面略コ字形に形成される。底壁２３は長手方向に連続する硬質樹脂板２６で形成されるか又は底壁２３に長手方向に連続する硬質樹脂板２６が埋設されている。硬質樹脂板２６は、車外側側壁２１及び車内側側壁２２よりも剛性が高い。 （もっと読む）

【課題】シール性を良好とした収納部位内にエアバッグを収納させることができ、かつ、作動時における収納部位の飛散も的確に防止可能なエアバッグ装置の提供。
【解決手段】本発明のエアバッグ装置では、フロントピラーの前面側を覆うように膨張するエアバッグを折り畳んで、フロントピラーに沿って配設される収納部位３１内に収納させている。収納部位３１が、合成樹脂製とされて、エアバッグのフロントピラー側を覆う外側壁部３３と、エアバッグのフロントガラス側を覆う内側壁部３４と、エアバッグの前方を覆う前側壁部３８と、エアバッグの後方を覆う後側壁部３５と、を連結させて構成され、外側壁部３３と前側壁部３８との境界部位付近に、エアバッグの膨張時に破断可能な破断予定部４１を配設させ、内側壁部３４と後側壁部３５との境界部位付近に、破断予定部４１の破断後に屈曲可能とされる屈曲予定部３７を、配設させている。 （もっと読む）

【課題】凹凸加工されたサファイア基板を用いたIII 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率をさらに向上させつつ、ピットの発生を抑制すること。
【解決手段】まず、ｃ面を主面とするサファイア基板１０表面に凹凸加工を施す。凹凸の深さは１．２〜２．５μｍ、凹凸側面の傾斜角度は４０〜８０°とする。次に、水素雰囲気中１０００〜１２００℃の温度で熱処理を行う。次に、サファイア基板１０上に、ＡｌＮからなるバッファ層１１を形成し、バッファ層１１上に、埋め込み層１２、ｎ型層１３、発光層１４、ｐ型層１５を順に積層する。ここで、バッファ層１１としてＡｌＮを用いているため、凹凸の深さ１．２〜２．５μｍ、凹凸側面の傾斜角度が４０〜８０°の場合であっても、結晶にピットが発生せず、結晶方位のばらつきが小さい。 （もっと読む）

【課題】ホルダ本体とスクイブとを樹脂成形部により一体化していても、成形不良が発生しがたく、かつ、安定して作動させることが可能なガス発生装置の提供。
【解決手段】ガス発生装置Ｓ１は、ハウジング１７とスクイブ１３とを有する。ハウジング１３が、ハウジング本体１８と、スクイブ１３を保持するホルダ２３と、を備える。ホルダ２３が、金属製のホルダ本体２４と、ホルダ本体２４とスクイブ１３との間に介在される樹脂成形部３１と、を備えて、スクイブ１３が、樹脂成形部３１の成形時に、ホルダ２３とともに一体成形されて、ホルダ２３に支持される。ホルダ本体２４が、スクイブ１３の点火部１３ａを支持可能に内方に突出する支持部２６を備える。支持部２６が、外表面側を全域にわたって樹脂成形部３１により覆われるとともに、ハウジング本体１８の軸方向に沿った断面形状を、先端２６ａにかけて、先細りとして、構成される。 （もっと読む）

【課題】凹凸加工されたサファイア基板を用いたIII 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率をさらに向上させつつ、ピットの発生を抑制すること。
【解決手段】凹凸の深さが１〜２μｍのｃ面サファイア基板１０上に、バッファ層１１を介してＳｉドープのＧａＮからなる埋め込み層１２を形成する。この埋め込み層１２によって凹凸を埋め込み、平坦な表面にする。埋め込み層１２の成長温度は、その後に埋め込み層１２上に形成するｎ型層１３の成長温度（１０００〜１２００℃）よりも２０〜８０℃低い温度とする。これにより、縦方向成長が促進されるため、大きなピットの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】燃料遮断弁は、簡単な構成で、満タン液位を設定することができるとともに、過給油を防止する。
【解決手段】燃料遮断弁１０は、接続通路３３ａと排出通路４２ａとを有するケーシングと、弁室４０Ｓに収納されたフロート機構６０と、排出通路４２ａを開閉する排出弁７０とを備えている。排出弁７０は、排出通路４２ａを開閉する排出弁体７４と、排出弁体７４へ開閉するための力を加えるための転動体７８と、転動体７８を乗せかつ凹面で形成された支持面７２ａとを有し、転動体７８を支持面７２ａの中心位置で支持することで排出弁体７４を閉弁状態とし、転動体７８が外力を受けて支持面７２ａ上を径方向の外方へ移動することで排出弁体７４を開弁状態とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板へスパッタ法によりバッファ層を形成し、その後ＭＯＣＶＤ法によりIII族窒化物系化合物半導体層を形成するIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法において、III族窒化物系化合物半導体層に異常成長部が発生することを抑制する。
【解決手段】バッファ層の形成されたサファイア基板をスパッタ装置から取り出してバッファ層表面の電荷を中和し、その後そのサファイア基板をＭＯＣＶＤ装置にセットしてIII族窒化物系化合物半導体層を形成する。バッファ層表面の電荷を中和するのにはイオナイザーを用いることができる。 （もっと読む）