説明

国立大学法人東京工業大学により出願された特許

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【課題】電気絶縁性及び熱伝導性が高い均質なエポキシ樹脂硬化物を与え、且つ成形性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】メソゲン基を含む液晶ユニットと、前記液晶ユニットの少なくとも片端に結合した柔軟ユニットと、末端のエポキシ基とを有するエポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物であって、前記柔軟ユニットは、以下の式:
【化1】


(式中、nは4以上の整数である)からなる群より選択される一種以上の基であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物とする。 (もっと読む)


【課題】小型、高効率および高エネルギー密度のDCDCコンバータを実現する。
【解決手段】1次側直流電圧源V1および2次側直流電圧源V2との間に接続されるDCDCコンバータ1は、各直流側入出力端子P1−1およびP1−2が1次側直流電圧源の正極端子および負極端子にそれぞれ接続され、直流と交流との間で相互に電力変換する1次側電力変換部11と、一方の直流側入出力端子P2−1が2次側直流電圧源の正極端子に接続され、もう一方の直流側入出力端子P2−2が1次側直流電圧源の正極端子に接続され、直流と交流との間で相互に電力変換する2次側電力変換部12と、各1次側端子R1−1およびR1−2が1次側電力変換部11の各交流側入出力端子Q1−1およびQ1−2にそれぞれ接続され、各2次側端子R2−1およびR2−2が2次側電力変換部12の各交流側入出力端子Q2−1およびQ2−2にそれぞれ接続された変圧器13と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 複数の公衆網と閉域網を透過的に接続して宅内装置同士の高品質なコンテンツ等の相互配信を可能にする。
【解決手段】 本発明は、問い合わせ元となる端末Bが端末Aのアドレス情報をランデブーサーバ装置に問い合わせ、ランデブーサーバ装置は、端末Bから端末Aの問い合わせを受信すると、該端末B及び該端末Aの識別子に基づいて、閉域網アドレスDBに問い合わせることにより、端末B及び端末Aの識別子に対応するアドレス情報を取得し、端末Bに送信し、該閉域網アドレスが取得できなかった場合は、広域ネットワークの複数の端末から予め登録された識別子及びアドレス情報を格納する端末情報記憶手段からインターネットアドレスを検索して該端末Bに送信し、端末Bはランデブーサーバ装置から受信した端末Aのアドレス情報を用いて該端末Aにアクセスする。 (もっと読む)


【課題】電池電極材料、電池電極添加材、および樹脂添加材などとして有用な極細炭素繊維綿状体の製造方法を提供する。
【解決手段】以下(1)〜(5)の工程よりなる。(1)熱可塑性樹脂100質量部と、レーヨン、ピッチ、ポリアクリロニトリル、ポリα−クロロアクリロニトリル、ポリカルボジイミド、ポリイミド等よりなる群から選ばれる少なくとも1種の熱可塑性炭素前駆体1〜150質量部からなる混合物から前駆体繊維を形成する工程。(2)溶剤により前駆体繊維中の熱可塑性樹脂を溶解除去して熱可塑性炭素前駆体繊維とし、その分散液を作製する工程。(3)前記熱可塑性炭素前駆体繊維分散液を冷媒中に滴下させ、該分散液の凍結体を作製する工程。(4)前記凍結体を凍結乾燥させることにより、熱可塑性炭素前駆体繊維から成る低密度構造体を形成させる工程。(5)前記低密度構造体を不融化処理した後、炭素化または黒鉛化する工程。 (もっと読む)



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【課題】
キャリアの発生、消滅を評価する手段を有する検出装置を提供すること。
【解決手段】
観察対象物に設けられた電極間における電界分布またはキャリア分布を高次高調波に基づいて検出する検出装置において、前記観察対象物に基本波を照射する照射部と、前記観察対象物における電圧印加時の電圧分布又はキャリア分布に応じて生成された前記高次高調波を検出する検出部と、前記観察対象物にキャリアを発生させるための励起光を照射する励起照射部と、前記励起照射部の第1信号に基づき、前記励起照射部より前記観察対象物に前記基本波を第2信号で照射させ、第3信号で高次高調波を前記検出部で検出する制御信号出力部を備え、前記制御信号出力部は、前記第1信号の出力時点と前記第2及び第3の出力時点との間の時間間隔を変更可能に構成した。 (もっと読む)



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【課題】優れた記録再生特性と長期保存特性とを有し、高記録密度の磁気記録テープを提供する。
【解決手段】本発明の磁気記録テープは、非磁性基板と、前記非磁性基板の上に形成された非磁性下地層と、前記非磁性下地層の上に形成された多層構造軟磁性層と、前記多層構造軟磁性層の上に形成された非磁性中間層と、前記非磁性中間層の上に形成されたグラニュラ磁性層と、前記グラニュラ磁性層の上に形成された保護層とを含み、前記非磁性下地層、前記多層構造軟磁性層、前記非磁性中間層、前記グラニュラ磁性層及び前記保護層は、対向ターゲット式スパッタリング法によって形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)



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