【課題】回路素子の素子特性の変動を抑制すること。
【解決手段】半導体基板１１０には、拡散領域１１１を有する抵抗素子（回路素子）Ｒ１が形成されている。拡散領域１１１を含む半導体基板１１０の上には、層間絶縁膜１６１が形成される。拡散領域１１１のシリサイド層（コンタクト部）１１１ａは、コンタクトプラグ１６２を介して層間絶縁膜１６１上の配線と接続される。拡散領域１１１の上には、コンタクトホール１６３を形成するためのエッチングストッパ膜１５２が形成されている。このエッチングストッパ膜１５２は、拡散領域１１１上の保護絶縁膜１３１に対応する部分が除去され、開口が形成されている。 （もっと読む）

【課題】チャネル間の音質のバランスを維持しながら音質が向上したオーディオ信号符号化方法および装置の実現。
【解決手段】オーディオ信号符号化装置であって、知覚エントロピー算出部21と、知覚エントロピーに応じて、各チャネルの使用可能ビット数を決定するビット配分部22と、窓判定部23と、使用可能ビット数を補正する補正部24と、各チャネルのオーディオ信号を、補正された使用可能ビット数以下となるように順次量子化し、その際にフレーム内で既に量子化されたチャネルの余りビット数を順次後のチャネルに加えながら量子化する量子化部25と、を有し、補正部24は、以前のフレームの窓のタイプごとの量子化ビット使用率を算出する使用率履歴算出部31と、量子化ビット使用率で量子化が行われた場合の各チャネルの使用可能ビット数に対する使用率が等しくなるように補正する補正ビット数算出部32と、を有する。 （もっと読む）

【課題】遷移期間においてハイサイドトランジスタQ1がオンしないようにする。
【解決手段】高電位電源ラインと低電位電源ラインとの間に直列に接続されたハイサイドトランジスタとロウサイドトランジスタと，両トランジスタの接続ノードと出力端子との間に設けられたインダクタとを有する電源装置の前記両トランジスタを駆動する駆動回路であって，前記ハイサイドトランジスタのゲートを駆動する第１のゲートドライバと，前記ロウサイドトランジスタのゲートを駆動する第２のゲートドライバとを有し，前記ハイサイドトランジスタがオンでロウサイドトランジスタがオフの第１の状態から，前記ハイサイドトランジスタがオフでロウサイドトランジスタがオンの第２の状態に遷移する遷移期間で，前記第１のゲートドライバは前記ハイサイドトランジスタのゲートを前記低電位電源ラインの電位より低い第１の電圧に駆動する電源装置の駆動回路。 （もっと読む）

【課題】電子部品を封止する樹脂層の表面にシールド層が設けられる半導体装置の、当該樹脂層からの脱湿性を高める。
【解決手段】半導体装置１００ｃは、基板１１０と、その基板１１０上に実装された電子部品１２０を含む。基板１１０上の電子部品１２０は、樹脂層１３０によって封止され、その樹脂層１３０の上面及び側面に、電磁波をシールドするシールド層１４０が設けられる。樹脂層１３０及びシールド層１４０には、連通する穴１３１，１４１が設けられ、そこにピン１８０が挿入される。加熱によりピン１８０が熱膨張すると隙間２００ができ、樹脂層１３０に含まれる水分は、穴１３１，１４１及び隙間２００を通って外部へと除去される。 （もっと読む）

【課題】点滅駆動される被写体を好適に撮影すること。
【解決手段】撮像部２２は、１映像記録周期に複数（例えば３つ）のフレームＦａ，Ｆｂ，Ｆｃを出力する。抽出部２５は、デモザイク部２４から連続的に出力されるフレームのうち、［３ｎ−２］番目（ｎ＝１，２，・・・）のフレームＦａと、［３ｎ−１］番目のフレームＦｂとを処理する。合成部２７は、デモザイク部２４から連続的に出力されるフレームのうち、［３ｎ］番目のフレームＦｃを処理する。抽出部２５は、フレームＦａ，Ｆｂの画像データから設定色に対応する領域を推定し、その領域に含まれる画素の情報と、領域の情報をメモリ２６に格納する。合成部２７は、抽出部２５がメモリ２６に格納した発光部領域のデータを、メモリ２６から読み出す。そして、合成部２７は、デモザイク部２４から出力される合成フレームＦｃと、発光部領域とを合成して出力フレームＦｄを生成する。 （もっと読む）

【課題】素子面積の増加を抑制しつつ、動作速度が向上する半導体装置を提供する。
【解決手段】本明細書に開示する半導体装置は、ボディ領域１１ａ、１１ｂと、ボディ領域１１ａ、１１ｂ上にゲート絶縁層１２ａ、１２ｂを介して配置されるゲート電極１３ａ、１３ｂと、ボディ領域１１ａ、１１ｂを挟んで配置される一対のソース／ドレイン領域１４ａ、１４ｂ、１４ｃと、を有する電界効果型トランジスタ１０ａ、１０ｂを複数備え、複数のトランジスタ１０ａ、１０ｂは、ボディ領域１１ａ、１１ｂ同士が電気的に接続されており、複数のトランジスタ１０ａ、１０ｂの内の一のトランジスタ１０ａのゲート電極１３ａのみが、複数のトランジスタ１０ａ、１０ｂの内の何れかのトランジスタのボディ領域と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】干渉波による精度の悪化を防止することができるシンボルタイミングリカバリ回路を提供することを課題とする。
【解決手段】第１のフィルタを用いて入力デジタル信号のゼロクロス点及び／又はデータ識別点の補間データを生成する補間器（１４）と、第２のフィルタを用いて補間器により生成された補間データを基に入力デジタル信号から前方干渉波を除去し、その除去した信号、第１の識別信号及び第１の誤差信号を出力する前方等化器（２１）と、第３のフィルタを用いて補間器により生成された補間データを基に入力デジタル信号から後方干渉波を除去し、その除去した信号、第２の識別信号及び第２の誤差信号を出力する後方等化器（２３）と、第２のフィルタのタップ係数、第３のフィルタのタップ係数、第１の識別信号、第１の誤差信号、第２の識別信号及び第２の誤差信号を基に第１のフィルタのタップ係数を生成するタイミング再生部（２０）とを有する。 （もっと読む）

【課題】動作速度および信頼性を維持しながら、消費電力を低減したＳＲＡＭの実現。
【解決手段】複数のワード線WLと、複数のローカルビット線対LBL,LBLXと、複数のローカルビット線対の複数のワード線との交差部に設けられた複数のメモリセルC0-Cmと、複数のローカルビット線対毎に設けられた容量共通化回路BCと、複数の容量共通化回路を接続する共通接続ラインCLNと、複数のローカルビット線対に接続されるグローバルビット線対GBL,GBLXと、を有し、容量共通化回路は、対応するローカルビット線対と共通接続ラインの間に接続された２個のＮチャネルトランジスタを有するスタティックＲＡＭ。 （もっと読む）

【課題】 反りと反発力の大きいウェハであっても、確実に吸着して保持しながら搬送することができる搬送技術を提供することを課題とする。
【解決手段】 基板搬送装置は、基板を吸着保持しながら搬送する搬送ピック４０を有する。搬送ピック４０の吸着面４０ａは複数の領域４６ａ，４６ｂに分割され、複数の領域の各々に対して吸着経路が設けられる。制御部６０は、吸着経路への負圧の導入を制御して、搬送ピック４０による基板の吸着保持動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】チップごとに適正な電源電圧を設定する。
【解決手段】チップのレイアウトデータ２０からクリティカルパスのゲート遅延と配線遅延の遅延比を抽出する（ステップＳ１，Ｓ２）。チップのモニタ回路で実測されたゲート遅延及び配線遅延を、その遅延比に基づき合成して第１遅延値を生成し（ステップＳ３）、モニタ回路のシミュレーションで得られるゲート遅延及び配線遅延を、その遅延比に基づき合成して第２遅延値を生成する（ステップＳ４，Ｓ５）。このようにゲート遅延、配線遅延、クリティカルパスでの遅延比が考慮された第１遅延値及び第２遅延値に基づいて、チップに適用するチップ電源電圧を設定する（ステップＳ７）。 （もっと読む）