【課題】集積回路装置が仕様通りとなっているかの検証の容易化を図る。
【解決手段】集積回路装置１０は、マスターモジュール１１と、マスターモジュール１１に接続されたインターコネクト１２と、インターコネクト１２によってマスターモジュール１１の接続先とされるスレーブモジュール１３を含む。集積回路装置１０は更に、そのスレーブモジュール１３に対してインターコネクト１２から送信されてくる読み出し命令信号を受信する固定値応答回路１４を含む。インターコネクト１２から読み出し命令信号を受信した固定値応答回路１４は、インターコネクト１２によってマスターモジュール１１の接続先とされたスレーブモジュール１３固有の固定値を、インターコネクト１２に送信する。この固定値に基づき、接続先が仕様通りか否かを検証する。 （もっと読む）

【課題】処理開始までの時間を短縮すること。
【解決手段】撮像部１１は、１つのフレームの撮像データを分割した複数のフィールドの分割撮像データを出力する。センサＩ／Ｆ５０は、撮像部１１が出力する１番目のフィールドの分割撮像データをメモリ１３に格納する。次いで、センサＩ／Ｆ５０は、２番目のフィールドの分割撮像データをメモリ１３に格納し、メモリアクセス部５３はメモリ１３から１番目のフィールドの分割撮像データを読み出す。演算部５４は、２番目のフィールドの分割撮像データと、メモリアクセス部５３によりメモリ１３から読み出した１番目のフィールドの分割撮像データとを演算して最終フィールドに対応する分割撮像データを生成する。メモリアクセス部５２は、最終フィールドに対応する分割撮像データを、メモリ１３に格納する。 （もっと読む）

【課題】漏れ光を抑制し、高い寸法精度及び位置精度を実現しうるフォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板の第１の領域上に形成されたデバイスパターンと、透明基板の第２の領域上に形成された周辺パターンと、周辺パターンが形成された領域の透明基板内に形成され、デバイスパターンをウェーハに露光する際に用いる露光光に対する周辺パターンの光透過部の透過率を、露光光に対するデバイスパターンの光透過部の透過率よりも低下させる改質層とを有する。 （もっと読む）

【課題】欠陥検出の精度を向上させることのできる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】ウェハ上に欠陥があるか否かを検査する第１の欠陥検査処理（ステップＳ１１）を実行した後、その第１の欠陥検査処理にて検出された欠陥により、不良チップを判定する（ステップＳ１２，Ｓ１３）。続いて、不良チップを除いて、その不良チップに隣接するチップに欠陥があるか否かを、第１の欠陥検査処理よりも検査感度を上げて検査する（ステップＳ１６）。 （もっと読む）

【課題】 エッチングの終点を精度良く制御する。
【解決手段】エッチング装置１は、処理ユニット２と制御ユニット３とを有する。処理ユニット内のプラズマの発光強度は、ＯＥＳ検出器２１で取得され、エッチング制御装置３１が非線形回帰分析して回帰式を決定する。非線形回帰分析は、プラズマの発光強度がピークを超えた第１の時間までに取得したプラズマの発光強度を用いて行われ、回帰式を用いてエッチング終点となる第２の時間が算出される。エッチング終点は、第１の時間から発光強度が所定値だけ減少する時間として算出される。エッチング装置１は、エッチング終点に達したら、エッチングを終了する。 （もっと読む）

【課題】電気的に１回限りの書き込みが行われる記憶素子への誤書き込みを抑制する。
【解決手段】入力部１１は、電気的に１回限りの書き込みが行われる記憶素子（電気ヒューズ素子２）への書き込みを指示する複数パルスの書き込み信号を入力し、書き込み制御部１２は、入力された書き込み信号のパルス数が所定数に達するまで、電気ヒューズ素子２への書き込みを無効状態にすることで、書き込み信号の信号線にノイズやグリッジのような連続性の少ないパルスがのっても、これらのパルスにより直ちに書き込みトランジスタ３がオンすることが抑制される。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の形成過程で、余分な酸化膜を確実に除去する。
【解決手段】貫通電極を形成するビアホール２５の内面に酸化膜２６を形成した後、Ｃｕ膜２８を埋め込む。第１層間絶縁膜２２の上に形成された余分なＣｕ膜２８をＣＭＰ法による研磨で除去するときに、酸化膜２６も研磨されて膜厚が薄くなる。膜厚が薄くなった酸化膜２６Ｂをハードマスクとして第１層間絶縁膜１４に配線溝を形成する。このとき、酸化膜２６Ｂの膜厚が薄くなる。配線溝に導電材を埋め込んだ後、余分な導電材を研磨によって除去する。このとき、残りの酸化膜２６Ｂが全て研磨により除去される。 （もっと読む）

【課題】ウェハの周縁部で膜を正常に成長させることができるめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき槽2内部に取り付けられた第１電極６と、めっき槽2の側壁5cにおいて、環状のフランジ7cを介してめっき槽2の内から外に向けて直径の小さい順に隣接する環状の第１、第２の開口部7a,7bと、第２の開口部7b内でフランジ7cの上に取り付けられるシールパッキン8と、シールパッキン8の上に、第２の開口部7bの内壁から離れて取り付けられる環状の第２の電極9と、第２の電極9に対向する位置に周縁を有するウェハ保持領域11xを有する第２の開口部7bよりも大きなウェハステージ11と、ウェハステージ11のウェハ保持領域11xの周囲の領域に形成され、シールパッキン8に一端が向けられる加圧用ホール11iと、ウェハステージ11を移動してめっき槽2の側壁5cに押し当てて前記第２の開口部7bを閉塞させる駆動部13とを有する。 （もっと読む）

【課題】流入電流の発生を抑制することができる出力バッファ回路を提供する。
【解決手段】出力バッファ回路１は、第１の高電位電源ＶＤＤ１レベル又は低電位電源ＶＳＳレベルの出力信号ＯＵＴ１を出力する第１出力回路１０と、第１出力回路１０とワイヤードオア接続され、第１の高電位電源ＶＤＤ１よりも低電位である第２の高電位電源ＶＤＤ２レベル又は低電位電源ＶＳＳレベルの出力信号ＯＵＴ２を出力する第２出力回路２０とを有している。また、出力バッファ回路１は、第１の高電位電源ＶＤＤ１及び第２の高電位電源ＶＤＤ２のうち第２の高電位電源ＶＤＤ２のみが投入される場合に、第１出力回路１０の高電位側の第１出力トランジスタＴ１６及び第２出力回路２０の高電位側の第２出力トランジスタＴ２６の少なくとも一方のトランジスタのゲート電圧及びバックゲート電圧を第２の高電位電源ＶＤＤ２レベルに設定する制御回路５０を有している。 （もっと読む）

【課題】少ないトランジスタ数で双方向スイッチを構成する。
【解決手段】双方向スイッチ装置は，ＨＥＭＴを有する双方向スイッチと，第１の条件時にＨＥＭＴのソースまたはドレインの一方の端子とゲートとの間に閾値電圧未満の第１の電圧を印加してソースまたはドレインの他方の端子から一方の端子への第１の電流パスをオフにし，第２の条件時に他方の端子とゲートとの間に閾値電圧未満の第２の電圧を印加して一方の端子から他方の端子への第２の電流パスをオフにし，第３の条件時にＨＥＭＴのソース及びドレインとゲートとの間に閾値電圧より高い第３の電圧を印加して第１，第２の電流パスをオンにする制御回路とを有する。 （もっと読む）