【課題】
微細なパターンを高い分解能で検出する欠陥検査方法、その装置及び半導体基板を高歩留まりで製造する方法を提供する。
【解決手段】
Ｘｅランプ３、楕円鏡４、マスク５とからなる輪帯状の照明を形成するランプハウス２４は、輪帯状の照明光を、ＸＹＺステージ２上に載置された微細パターンを形成したウエハ（被検査対象物）１を、コリメータレンズ６、光量調整用フイルタ１４及びコンデンサレンズ７を介して、円又は楕円偏光変換素子により円又は楕円偏光させて、対物レンズ９を介して照明し、その反射光をハーフミラー８ａ、８ｂ、ズームレンズ１３を介し、反射光の画像をイメージセンサ１２ａにより検出する。ステージＸＹＺを移動させ、センサ１２ａにより走査し画像信号を得る。この画像出力をＡ／Ｄ変換器１５ａにより変換して基準画像と比較して不一致を欠陥として検出するものである。 （もっと読む）

試験対象物の第１の表面箇所に対する走査干渉分光信号から導出可能な情報と試験対象物の複数のモデルに対応する情報とを比較することを含む方法であって、複数のモデルは、試験対象物に対する一連の特性によってパラメータ化される方法。複数のモデルに対応する情報は、試験対象物の各モデルに対応する走査干渉分光信号の変換分（例えば、フーリエ変換分）の少なくとも１つの振幅成分についての情報を含んでもよい。第２の側面では、モデルは固定された表面高さに対応するとともに、固定された表面高さとは異なる一連の特性によってパラメータ化されている。第３の側面では、比較は、走査干渉分光信号の系統的な影響を明確にすることを含む。 （もっと読む）

【課題】膜面の傾斜、基板の厚みの影響を考慮し、精度良く膜厚値を求めることが出来、しかも、膜の屈折率が既知であることを前提としない膜厚測定方法、膜厚測定プログラムを提供すること。
【解決手段】膜面の傾斜、基板の厚みの影響を考慮した分光反射率モデルを作成し、このモデルと実測分光反射率との比較演算をすることで精度良く膜厚値を求める。屈折率の波長分散式モデルから反射率の第１段階の理論曲線、第２段階の理論曲線を作成し、第２段階の理論曲線と、実測分光反射率データの平均二乗誤差が最小となるときの膜厚値を求める膜厚の測定結果とする。 （もっと読む）

【課題】基板の部分的な傾斜や振動の影響を受けることなく安定に薄膜の膜厚測定ができる薄膜の膜厚測定装置を提供する。
【解決手段】薄膜の膜厚測定装置は、光源１と、光源１からの光を基板３上の複数箇所（ここでは２箇所）に導き、それぞれの箇所における基板３からの反射光を受光する分岐型光ファイバ２と、基板３の複数箇所に導く入射光と、基板３の複数の反射光とを選択的に遮断する光制限シャッタ４と、分岐型光ファイバ２によって導かれた反射光を波長ごとの光強度に分解する分光器５と、波長ごとの光強度を解析して薄膜の膜厚を算出する計算機６とを含む。光源１には、たとえば可視光線波長域（４００〜８００ｎｍ）に近い波長域（４００〜８５０ｎｍ）を有するハロゲンランプを用いる。ただし、他のランプをハロゲンランプと同一の光源室内または別の光源室内に設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】 どのような形状の検査対象に対しても非破壊でその表面に形成された薄膜の状態を判定できる薄膜検査装置および薄膜検査方法を提供する。
【解決手段】 照射部２から照射された測定光は、積分球２２を通過して、検査対象へ入射する。そして、測定光は、検査対象の基部５２または薄膜５４で反射する。さらに、その反射光は、積分球２２へ入射し、積分球２２内で均一化される。その後、均一化された反射光は、光ファイバ１０を介して分光部１２へ導かれる。分光部１２は、反射光を波長順に分光し、強度スペクトルに応じた電気信号を演算処理部１４へ与える。演算処理部１４は、分光部１２から受けた電気信号に基づいて、検査対象の表面に形成された薄膜５４の状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】 ＥＵＶミラーの母材自身では反射率が低い場合が多く、光を使った母材の形状測定の際に、その光量およびコントラストを得ることが困難であった。また、複数枚での評価の際は、反射率が確保できない場合は測定不可能であった。
【解決手段】 反射用の膜を母材に成膜することにより、測定精度を落とさず測定することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 基板面内の光量分布のムラを低減し欠陥検出精度を向上した、基板の欠陥検出方法および欠陥検出装置を提供する。
【解決手段】 欠陥検出装置２０では、検出用の光２７を基板２５内において発散させるレンズ部２２と、前記検出用の光２７の導光領域を重複させる機能を有する光源部２１とを有し、レンズ部２２によって、検出用の光２７は基板２５内を発散した状態で進行させ、光源２８の配置位置によって導光領域を重複させて複数の検出用の光２７を重畳させることによって、光量の分布を均一にすることができ、光量の分布によって差異が生ずることを防いで、欠陥２６に起因して散乱する光を確実に検出し、欠陥２６を高精度に検出する。 （もっと読む）

【課題】 複数の受光素子により光ビームの暗線の位置（全反射減衰角θ_ＳＰ）の検出を行う測定装置において、測定精度を向上させる。
【解決手段】 光ビームを検出する各フォトダイオード17ａ、17ｂ、17ｃ……に接続された差動アンプ18ａ、18ｂ、18ｃ……の中から、全反射減衰角θ_ＳＰに対応する微分値Ｉ´＝０に最も近い出力が得られているものを選択し、次に、選択した差動アンプを中心として前後２ｃｈ分の合計５ｃｈの作動アンプの出力に基づいて３次の近似式を算出し、この近似式を作動アンプの出力（微分値）と全反射減衰角θ_ＳＰ（暗線）の位置との関係を示す関係式として、この関係式と上記で選択した作動アンプの出力とに基づいて全反射減衰角θ_ＳＰの位置を求める。
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【課題】偏光解析装置及び分光光度計により算出されるデータと測定値の一致を向上させる。
【解決手段】偏光解析装置及び分光光度計を有する光学測定システムが較正され、先ず偏光解析装置と分光光度計が互いに独立して較正される。次いで、試料の分光光度計の層厚（ｄ_{ｐｈｏｔｏ}）が分光光度計を用いて初めの入射角（θ_ｉｎｉｔ）で決定される。次いで、試料の偏光解析装置の層厚（ｄ_ｅｌｌｉ）が偏光解析装置を用いて決定される。分光光度計の層厚（ｄ_{ｐｈｏｔｏ}）と偏光解析装置の層厚（ｄ_ｅｌｌｉ）の差の絶対値が所定の絶対値より小さくなるまで、初めの入射角（θ_ｉｎｉｔ）を変えることにより分光光度計と偏光解析装置が互いに合わされる。 （もっと読む）

【課題】 一の材料層に透明或いは半透明の材料層が形成されてなる被検物に対し、一回の走査・撮像工程で、その最表層の高さのみならず、それ以外の層の上面（或いは下面）高さをも測定できるようにする。
【解決手段】 記憶装置３２から走査画像の読み出しを開始した後、最初に検出した光量ピークに対応して求められる焦点面ＦＳの高さ位置から被検部位の高さを算出する構成の高さ測定装置において、走査画像の読み出し順を、走査画像の取得順に対して同順、逆順のいずれについても設定できるようにする。 （もっと読む）

システム（１００）が開示され、当該システムは、（ｉ）検査電磁光線を検査表面（１２４）に、かつ基準電磁光線を基準表面（１２２）に振り向け、次にこれらの電磁光線を合成して干渉パターンを形成するように構成される干渉計であって、電磁光線が共通光源（１０２）から放出される構成の干渉計と、（ｉｉ）マルチエレメント検出器（１３４）と、（ｉｉｉ）干渉パターンを検出器（１３４）に結像させて検出器（１３４）の異なる要素が、検査表面（１２４）を照射する検査電磁光線の異なる照射角に対応するように構成される一つ以上の光学系（１３Ｓ）と、を含む。検出器要素が行なう測定によって、検査表面（１２４）に関する変更解析／反射率データが供給される。開示するシステム（１００）は更に、異なるモード（例えば、形状測定モード）で動作するように再構成することができ、これらの異なるモードでは、検出器（１３４）の異なる要素は検査表面（１２４）の異なる位置に対応する。
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【課題】半導体フォトマスク処理システムにおける交互位相シフトフォトマスクのエッチング間のエッチング深度を測定する方法および機器を提供する。
【解決手段】エッチング処理システム内で基板のエッチング深度を測定する機器は、エッチング処理システムのメインフレームと結合した測定セルと、測定セルの底部と結合したエッチング深度測定器具とを備え、測定セルの底部における開口部により、エッチング深度測定器具と基板の間を光ビームが通過することが可能になる。本発明の実施形態は更に、石英基板を初期エッチング深度にまで部分的にエッチングし、次に、統合測定器具によってエッチング深度を測定することで交互位相シフトマスクを準備する方法に関する。その後、基板が対象のエッチング深度に達するまで、エッチングおよび測定が繰り返される。 （もっと読む）

膜の１または２次元の回折構造の限界寸法および他のパラメータを測定するために、限界寸法、または構造の他の特性に関連するパラメータをいろいろに変えない膜モデルを使用して、始めに膜の厚さの測定を行うことにより計算を簡単化することができる。膜モデルを用いて膜の厚さを充分正確に推定することができるので、そのような推定値を使用して、限界寸法と２次元回折構造に関連する他のパラメータとを導出するために構造モデルを簡単化することができる。
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【課題】容易にセル間隔を測定することができるセル間隔測定方法及びセル間隔測定装置、並びにそれを用いた液晶表示装置の製造システム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一つ以上の液晶セルと該液晶セルの外部に形成されているセル間隔測定パターンとを有する主基板となる二つの表示板のうちの一方の上部に封止材を形成する封止材塗布装置と、前記液晶セルと前記セル間隔測定パターンに液晶物質を滴下する液晶塗布装置と、前記二つの表示板を結合して主基板の液晶パネルを完成させる基板結合装置と、前記セル間隔測定パターンに形成された前記液晶物質の拡散した面積を測定するセル間隔測定装置とを備える。 （もっと読む）

基板上の少なくとも１部分に製品を形成するためのインテリジェント被覆システムが開示される。インテリジェント被覆システムは、被膜塗布冶具、厚みモニタ、多軸デバイス、および選択が随意な少なくとも１つの制御器を含む。厚みモニタは、被膜塗布冶具の操作によって形成された基板上の製品の少なくとも１部分の厚みを測定し、被覆システムをインテリジェント被覆システムに変換することが可能である。多軸デバイスは、被膜塗布冶具と基板の少なくとも１部分との相対運動を容易にする。少なくとも１つの制御器は少なくとも１つの厚みモニタと情報の授受を行う。 （もっと読む）

【課題】 検査装置を複雑化および大型化することなく短時間で、数十ｎｍ〜数百ｎｍ程度の分解能で膜厚差を検出するための検出方法および検出装置を提供する。
【解決手段】 本発明の膜厚差検出装置である画像処理装置１０６は、カラーフィルタ表面を所定の傾斜角度で光照射した状態で撮像して得られた撮像画像情報を分析して、各領域におけるカラーフィルタの輝度差を算出する撮像画像情報分析部１０と、上記撮像画像情報分析部１０によって算出された輝度差と外部から得られる膜厚差参照情報とからカラーフィルタにおける膜厚差を推定する膜厚差推定部２０とを備えているので、簡単な構成で、高分解能で膜厚差を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】 被露光体の表面膜の膜厚、膜質状態の変化に影響をうけずにその最表面までの距離を安定して正確に測定することができる位置測定方法を提供供することを目的とする。
【解決手段】 第１の液体貯留タンク２６と、第２の液体貯留タンク２８と、被露光体１０の表面を、前記第１の液体貯留タンクに貯留された第１の液体４で覆い、前記第１の液体を介して前記被露光体の表面に検出光を入射させ、前記被露光体の表面で前記検出光を反射させて前記被露光体の表面の高さを測定する位置測定機構３１，３２と、被露光体の表面を、前記第２の液体貯留タンク２８に貯留された第２の液体３９で覆い、前記第２の液体を介して前記被露光体に露光光を照射することにより露光する露光機構と、を備えたことを特徴とする投影露光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】非破壊式方法を使用し有機塗膜の厚さを直接評価することが可能な標準化された測定技術を提供する。
【解決手段】金属表面上に形成された少なくとも一つの基準有機塗膜に対する吸収スペクトラムを測定する段階と、この塗膜の吸収スペクトラムにおいて特定波長帯域の吸収強度を算出する段階と、破壊式測定法により基準有機塗膜の厚さを測定する段階と、基準有機塗膜の吸収強度と測定された厚さに基づき、吸収強度と膜厚さの相関性を定義する段階と、金属表面上に形成された被測定対象の有機塗膜に対する吸収スペクトラムを測定する段階と、被測定対象の有機塗膜の吸収スペクトラムにおいて特定波長帯域の吸収強度を算出する段階と、吸収強度と膜厚さの相関性に基づき、被測定対象の有機塗膜の吸収強度から膜厚さを算出する段階を含む有機塗膜の厚さ測定方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】球面収差の発生を低減した共焦点光学装置及び球面収差補正方法を提供する。
【解決手段】対物レンズ５と試料台との間隔を変えるように試料台７を移動させる駆動機構８と、光源１と対物レンズ５との間に配置された球面収差補正素子４と、光検出器による検出結果に基づいて、対物レンズ５の焦点位置が試料の表面に合うときの試料台の位置を検出する基準位置検出部１５と、光検出器１２による検出結果に基づいて、対物レンズ５の焦点位置が試料内における測定対象に合うまでの試料台７の移動量を演算し、測定対象の試料内深さを導出する移動量導出部１６と、測定対象の試料内深さに応じて、球面収差補正素子４を制御する補正制御部１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 光ディスクのカバーシートの貼りずれを精度良く検出する。
【解決手段】 光ディスク１を回転し、回転する光ディスク１の外周面を撮像し、次いで、撮像した光ディスク１の画像データの色濃度変化に基づき、この光ディスクの位置補正用基準端面２２を検出し、次いで、位置補正用基準端面２２の外側に矩形のはみ出し検出ウィンドウ２３の一辺を一致させて配し、はみ出し検出ウィンドウ２３に、光ディスク１の一部が含まれているとき、カバーシート４ｂがディスク基板２に対してずれていると判断する。 （もっと読む）