【課題】 走査電子顕微鏡で、試料の測長により得られた寸法をより精密に校正する。
【解決手段】 互いの間隔を空けて並んだ複数の校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…を備え、各校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…は、並んでいる方向の幅寸法が互いに異なり、各寸法が予め定められた寸法になっている校正用標準材４０を用いる。走査電子顕微鏡の画像処理装置には、各校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…の幅寸法の公証値を記憶しておき、各校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…の幅を実測し、各実測値と対応公証値との差を求め、各差と実測値との関係を校正関数として記憶し、これを用いて試料の実測値を補正する。 （もっと読む）

【課題】迅速かつ簡便に、また試料の損傷を抑えながら最適な観察条件を見出して試料観察を可能にする試料観察条件設定方法及び装置、並びに試料観察方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明による試料観察条件設定は、電子線装置によって、基準となる観察条件の下、試料の所定の評価箇所におけるプロファイルを取得し、処理部が、上記取得されたプロファイルが所定の設定範囲内にあるか否かを判定し、この判定結果に基づいて、試料観察に用いる最適な観察条件を設定することによって実現される。より具体的には、まずあらかじめ条件検討可能な箇所を登録した後、該当する場所に移動し低倍率で電子線照射（以下プレドーズ）を行い、試料表面を帯電させた後、観察倍率に拡大して対象箇所の二次電子情報を得る。その後プレドーズを行いながら随時二次電子情報を得、その情報からパターン底部が観察・測定可能な状態であるかまた試料の破壊が発生しないかを逐次判断し、最適な観察条件を見出すものである。 （もっと読む）

【課題】
電子線照射に対する耐性が低い材料では，Ｓ／Ｎの良好な電子顕微鏡画像を得ることが難しい。これに対し，従来の画像平滑化処理を行うと，計測の安定性は向上するが，絶対値に対する計測誤差や感度が低下したり，立体形状情報の質が劣化したりという問題が生じる。
【解決手段】
計測対象パターンの寸法ばらつきを考慮して，信号波形が持つ立体形状情報を劣化させない画像平均化処理を行うことにより，計測安定性と精度および感度の向上を両立する。本発明により，高精度なパターン寸法および形状の計測と，それを用いた高感度な半導体製造プロセスの管理が実現できる。 （もっと読む）

【課題】例えば外径が数十ｎｍ以下の繊維状物質の長さを、短時間で簡便かつ精度よく測定可能な繊維状物質の測長用試料の作成方法及び測長方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る繊維状物質の測長用試料の作成方法は、繊維状物質を揮発性溶媒中に分散させた分散液を作成する分散液作成工程と、導電性基板１上に前記分散液による液滴２を形成する液滴形成工程と、前記導電性基板１上に形成した液滴２を乾燥させて、中央部に比べて周辺部に残留する繊維状物質の密度が高くなるような残留痕２ａを形成させる残留痕形成工程とを有する。
また、本発明に係る測長方法は、上記測長用試料の作成方法で作成した測長用試料における残留痕２ａの中で、繊維状物質の１本毎の長さが観察できる特定の領域に、０．１〜３ｋＶの加速電圧で加速された電子ビームを照射して、そこからの２次電子像を観察することで繊維状物質の１本毎の長さを測定する測長工程を有する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、電子線ビームを高磁場によって細く絞って低真空の試料室内に配置した試料に照射しつつ平面走査し、放出された２次電子を検出して試料の寸法の測長を行う寸法測長装置に関し、試料のパターンなどを高精度に測長することを目的とする。
【構成】電子線ビームを高磁場で細く絞って低真空の試料室内に配置した試料に照射しつつ平面走査する磁界型対物レンズおよび偏向系と、磁界型対物レンズの高磁場による、試料から放出された２次電子の２次電子軌道の絞り込みが行われる場所に配置し、かつ２次電子を遮断しない可及的に小さな直径を持つ２段以上のオリフィスと、２段以上のオリフィスを、回転しながら通過した２次電子を加速する正の電圧を印加あるいは正の電圧を印加した電極を設けると共に加速された２次電子を衝突させて検出・増幅する２次電子検出器とを備える。 （もっと読む）

【課題】 リムとタイヤの組付け状態を、タイヤの一周に渡り短時間で連続的に測定できる、リム組付けタイヤの組付け状態測定方法を提供する。
【解決手段】 タイヤ内部構造測定装置１０に、リム３０にタイヤ５６を組み付けたリム組付けタイヤ１２を回転可能に支持し、リム組付けタイヤ１２を、押圧負荷のない無負荷状態で回転させ、Ｘ線照射装置２０からＸ線をリム３０の接線方向に照射し、Ｘ線検知装置２２により、リム３０とタイヤ５６との組付部のＸ線透過情報を所定のタイミングで取り込み、取り込んだＸ線透過情報に基づいて、画像形成処理部２８で接線方向透過画像を形成し、得られた接線方向透過画像を用いて、リム３０とタイヤ５６の特定部位の位置情報を得る。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像のエッジを検出する手段と、前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、前記検査対象パターン画像を検査する検査手段は、検査対象パターンごとの変形量を使用して検査する。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＥＭ等の走査型荷電粒子顕微鏡を用いた断面形状計測を１回のサンプル作成で複数の断面について行うことができるようにしたパターン寸法計測方法及びそのシステムを提供することにある。
【解決手段】走査型荷電粒子線顕微鏡を用いて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うパターンの計測方法であって、収束荷電粒子線の焦点位置を前記計測対象パターンの所望の断面に合せてｚ方向に対して順次変化させ、それぞれの焦点位置での前記計測対象パターンの透過電子画像若しくは散乱電子画像を取得し、それぞれの焦点位置で取得した透過電子画像若しくは散乱電子画像を処理して、該それぞれの焦点位置での電子画像内での計測対象パターンのエッジ位置を算出し、該算出されたそれぞれの焦点位置での電子画像内の計測対象パターンのエッジ位置とそれぞれの焦点位置との組み合わせに基づいて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】計測対象物の画像データに基づいて当該計測対象物の測定を行うに当たり、自動的に最適なエッジ抽出法が適用される構成を提供することを目的とする。
【解決手段】画像データに、当該画像の撮像に係る所定の撮像条件データを添付しておき、当該画像データに基づいて前記計測対象物の計測を行うために計測対象物の輪郭に対応するエッジを抽出する際、当該画像データに添付された撮像条件データに基づいて当該画像データについて適用するエッジ抽出方法を決定するようにした。 （もっと読む）

特にコンクリート内の棒鋼に適する、放射線を使用したトモグラフィ決定を改善する方法および配置。この方法には、物体を透過性放射線で照射し、前記物体を通過した前記放射線を記録手段に記録し、高密度の放射線吸収材料ででき独立して識別され個別化された複数の基準要素を備え、この基準要素を規則的に配置し、前述の測定を識別し、照射時間を決定し、測定に使用した記録手段に記録された情報に基づいて物体内の対象物の位置および寸法を決定することが含まれる。 （もっと読む）

【課題】光学顕微鏡による観察面の直接観察では発見しにくい、平坦で特徴の少ない面内の極小領域に規則性を持って点在する試料であった場合に、アライメントを容易にする。
【解決手段】走査電子顕微鏡の試料室外もしくは試料室内に、走査電子顕微鏡の観察面に対して斜め方向に光を照射して反射光を検出する光学顕微鏡ユニット２４を設ける。アライメントの際には、複数ある観察対象部位から任意に選択した観察対象部位で、電子顕微鏡の観察面とは異なる端面を斜めから観察した光顕画像を撮影する。撮影した画像をテンプレートマッチングの手法を用いて解析し、実画像上における観察位置の座標情報を推定する。 （もっと読む）

【課題】微細な測定物の大きさの測定に適用することができて、作業者による測定値のばらつきが発生せず、測定精度が高い測長装置及び測長方法を提供する。
【解決手段】試料搭載部１６の上に結晶格子間隔が既知の単結晶試料２０を搭載し、ＳＴＥＭ検出器１７及び画像解析部１８により結晶格子像を取得する。画像解析部１８は、結晶格子像をフーリエ変換して回折スポット像を取得し、その回折スポット像の回折スポットの位置が理論上の回折スポットの位置と一致するように画像の倍率、縦横比及び歪みを補正する。そして、補正後の回折スポット像を逆フーリエ変換して実空間の画像とするとともに、スケールを逆数に変換して実空間のスケールとする。 （もっと読む）

【課題】部品が両面に実装された基板を検査するための検査装置を提供する。
【解決手段】基板の検査装置が実行する処理は、片面のみに電子部品が実装された基板の第１の光学画像とＸ線透過画像との各位置確認マークを一致させて、電子部品の基準画像を生成するステップ（Ｓ８２０）と、両面に電子部品が実装された基板の第２の光学画像と第２のＸ線透過画像との入力を受けるステップ（Ｓ８３０）と、第１の光学画像と第２の光学画像とを比較して位置ずれ量を算出するステップ（Ｓ８４０）と、位置ずれ量を用いて第１の光学画像を補正して第３のＸ線透過画像を作成するステップ（Ｓ８５０）と、第２のＸ線透過画像から第３のＸ線透過画像を差し引いて第４のＸ線透過画像を導出するステップ（Ｓ８６０）と、第４のＸ線透過画像に基づいてはんだ付け部の合否を判定するステップ（Ｓ８７０）とを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に使用される寸法は、ますます微細化されている。寸法が微細化され、導電膜配線のエッチング時における下地膜のエッチングにより、導電膜配線パターンの寸法測定が正確に行えないという問題がある。
【解決手段】本発明の寸法測定パターンは、導電膜配線の寸法測定点となる導電膜配線の両端部を含む領域における下地膜を、導電膜配線のエッチングガスに対しエッチングされない材料とする。そのため測長ＳＥＭにて観察した時の２次電子画像のコントラスト波形が配線幅にあたるピークのみを安定して得られ、正確に導電膜配線の寸法測定が実施できる。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線顕微装置において、任意倍率における幾何歪みを高精度に測定し、補正する。
【解決手段】 周期構造を持つ標準試料を基準にした絶対歪みとして第1の倍率における幾何歪みを測定する。幾何歪み測定済の第1の倍率と、幾何歪み未測定の第２の倍率で微細構造試料を撮影する。第1の倍率の画像を第2の倍率まで等方的に伸縮した伸縮画像を生成する。第2の倍率における幾何歪みを、伸縮画像を基準とした相対歪みとして測定する。第1の倍率における絶対歪みと第2の倍率における相対歪みから 、第2の倍率における絶対歪みを求める。以後、第2の倍率を第1の倍率に置き換えて相対歪み測定を繰り返すことにより、任意倍率における幾何歪みを測定し、補正する。 （もっと読む）

【課題】
収差補正器で使用する多数の電源のノイズの影響を低減し、安定した高分解能観察の可能な荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】
電子線を試料１８上に照射し、走査させるＳＥＭカラム１０１と、前記試料を載置する試料ステージ８０が格納される試料室と、前記電子線の走査により発生する２次電子を検出する検出器７３と、前記検出器の出力信号をＳＥＭ画像として表示する表示手段と、前記ＳＥＭカラム、前記試料室、前記表示手段を含む各構成部品を制御するための制御ユニット１０３とを備えた荷電粒子線装置において、前記ＳＥＭカラムは、一対の静電レンズ９１、９２と、前記一対の静電レンズの間に置かれた前記電子線の収差を補正する収差補正器１０とを有し、前記一対の加速電極に高電圧を印加して、前記収差補正器を通過する間の前記電子線を加速せしめる構成とする。 （もっと読む）

【課題】タイヤの目視・自動判定の検出精度を向上することができるタイヤ検査方法を提供する。
【解決手段】ｙ１の位置に配置したＸ線源１１が、Ｘ線α１，α２をタイヤ１３のポイントＡ，Ｂにそれぞれ照射し、ポイントＡ，Ｂに対応するカメラ１２上の座標ｘ１，ｘ２を取得する。次いで、ｙ２の位置に配置したＸ線源１１が、Ｘ線α３，α４をタイヤ１３のポイントＡ，Ｂにそれぞれ照射し、ポイントＡ，Ｂに対応するカメラ１２上の座標ｘ３，ｘ４を取得する。次いで、Ｘ線α１，α３との交点及びＸ線α２，α４の交点を求めることによって、ポイントＡ，Ｂの座標を求める。次いで、ポイントＡ，Ｂの座標を用いて、ポイントＡ，Ｂ間の実際の距離ｔを求める。次いで、ポイントＡ，Ｂ間の画像上の距離を、ポイントＡ，Ｂ間の実際の距離ｔに変換する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、電子線ビームを測定対象にフォーカスして取得した画像上のパターンの測定を行うパターン測定方法およびパターン測定装置に関し、走査型電子顕微鏡なしで測定データ情報を指定して登録可能になると共に測定対象のマスク上でのパターンの欠落や余分なパターンがあっても確実かつ正確に測定データ情報を指定して測定することを目的とする。
【構成】測定対象の設計データのパターン上で指定された測定対象のパターンと測定領域と測定方法からなる測定データ情報を読み込むステップと、読み込んだ測定データ情報をもとに、電子線ビームを測定対象にフォーカスして画像を取得するステップと、取得した画像上で、読み込んだ測定データ情報をもとに、パターンの有無、余分なパターンの有無、および寸法を測定するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターン照合方法およびパターン照合装置に関し、平坦試料上で電子光学系の焦点深度を超えた歪みがある場合などに再フォーカス合わせによる電子光学系のパラメータの変化による影響を受けることなく平坦試料の全面に渡って高精度にパターンマッチングしてパターンの位置およびパターン測長を正確に行うことを目的とする。
【解決手段】フォーカスしたときの焦点位置Ｚ０を取得して記憶するステップと、フォーカスしたときの焦点位置Ｚ１を取得するステップと、焦点位置Ｚ０と焦点位置Ｚ１との差ΔＺをもとに、テーブルを参照して回転量ΔＲ１および拡縮倍率ΔＭ１を算出するステップと、回転量ΔＲ１および拡縮倍率ΔＭ１した設計データパターンを生成するステップと、生成した設計データパターンと、他の場所にフォーカスして取得した画像上のパターンとを照合し、パターンの位置および寸法のうちの必要なものを測長するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料を透過した電子を用いて観察するＴＥＭやＳＴＥＭ、或いはＳＥＭにおいて、画像のサブミクロンから数１０μｍの微小寸法を高い精度で測定可能にする荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】本発明では、上記目的を達成するために、倍率、或いは寸法校正のための異なる２つの試料が含まれている荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供する。 （もっと読む）