【課題】本発明は、アスペクト比の大きなパターンの測定を実現することが可能な荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子源から放出された荷電粒子線を試料に走査することによって、当該試料から放出される荷電粒子の検出に基づいて、前記試料の画像を形成する荷電粒子線装置であって、前記試料の高さと、前記試料に対する予備帯電条件を関連付けて記憶する記憶媒体を備えた制御装置を備え、当該制御装置は、所望の試料高さの指定に基づいて、当該指定された試料高さに対応する予備帯電条件による予備帯電を実施する荷電粒子線装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】所定の設備内の監視対象について、計測センサによる測定と目視による観測（監視）を同時に行うことができる設備監視装置を提供すること。
【解決手段】設備Ｅ内の監視対象を観察する設備監視装置に、監視対象を観察するために用いられる可視光とマイクロ波との共通の経路Ｌ上に設けられ、可視光及びマイクロ波のいずれか一方を透過させると共に、他方を該透過方向とは異なる方向に向けて反射させる分離器２２と、分離器２２によるマイクロ波の透過方向又は反射方向に設けられ、マイクロ波に基づいて監視対象の状態を検出するマイクロ波検出部２４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された凹部の形状を、非破壊、非接触にて検査する技術を提供する。
【解決手段】基板検査装置１００は貫通ビアＷＨ（凹部）が形成されている基板Ｗを検査する。基板検査装置１００は、ポンプ光の照射に応じて、基板Ｗに向けてテラヘルツ波を照射する照射部１２と、プローブ光の照射に応じて、基板Ｗを透過したテラヘルツ波の電場強度を検出する検出部１３と、テラヘルツ波が基板Ｗの貫通ビア形成領域を透過する透過時間と平坦領域を透過する透過時間との時間差を取得する時間差取得部２４と、該時間差に基づいて貫通ビアＷＨの深度を算出するビア深度算出部２６とを備える。また、基板検査装置１００は、ビア深度算出部２６により算出した貫通ビアＷＨの算出深度と、干渉法を利用する深度測定装置１６によって測定した貫通ビアＷＨの実測深度とに基づいて、貫通ビアＷＨの形状を示す形状指標値を取得する形状指標取得部２７を備える。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された凹部の深さを、加工方法の制約を受けず、かつ、任意の時間に、非破壊、非接触で測定する技術を提供する。
【解決手段】基板９に形成された貫通ビア９Ｈ（凹部）の深度を検査する基板検査装置１００であって、基板９に向けて電磁波パルスを照射する電磁波パルス照射部１３と、電磁波パルスを検出する電磁波パルス検出部１５とを備える。また、基板検査装置１００は、貫通ビア９Ｈが形成されているビア形成領域９２Ｒを透過した電磁波パルスの時間波形と、ビア形成領域９２Ｒとは異なる参照領域を透過した電磁波パルスの時間波形とを比較して、その位相差を取得する位相差取得部２５と、前記位相差に基づいて、前記ビア形成領域に形成された貫通ビアの深度を取得するビア深度取得部２７とを備える。 （もっと読む）

【課題】放射線の線量を少なくでき、簡易な方法でかつ従来と同様な精度の腐食調査が可能な腐食画像を得る方法及び装置を得る。
【解決手段】本発明に係る腐食画像取得方法は、放射線を被検査体に照射して前記被検査体を透過した放射線に基づいて前記被検査体の腐食状態を示す腐食画像を取得する腐食画像取得方法であって、前記被検査体を透過した放射線を検出する検出手段としてフォトンカウンティングセンサを用い、フォトンカウンティングセンサで得られた結果に基づいて腐食画像を形成するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アスペクト比の大きなパターンの高さ（深さ）測定を実現することが可能な試料高さ測定方法、及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料上の第１の部分の高さと、第２の部分の高さの差違に関する情報と、前記第２の部分の輝度に関する情報を関連付けて記憶媒体に記憶させ、前記試料に荷電粒子線を走査したときに検出される荷電粒子に基づいて、前記第２の部分の輝度に関する情報を検出し、当該検出された輝度に関する情報と、前記記憶媒体に記憶された情報に基づいて、前記試料上の第１の部分と第２の部分との差違を求める方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭによって得られたパターン画像のボケを除去し、ＡＦＭなどの他の計測機で得られたパターンの高さ方向の情報と合わせ、試料表面のパターンの３次元形状を簡便にかつ精度良く計測する方法を提供する。
【解決手段】試料表面のパターンに収束させた電子ビームを照射して走査し、ＳＥＭ画像を取得し、前記ＳＥＭ画像から作成したＳＥＭ画像のコントラスト形状と、１次電子ビームの強度分布とから、デコンボリューション操作により前記パターンの２次電子の発生効率を算出し、予め走査型プローブ顕微鏡で前記パターンの形状を計測して得た深さ方向の情報を基に予測した前記パターンの２次電子の発生効率とを用い、前記各々の２次電子の発生効率を比較照合し、前記パターンの三次元形状を求めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凹部の形状を正確に把握することができる計測方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜に形成された凹部の底面に対する側壁の角度を測定する工程（処理Ｓ１）と、凹部の底面に対する側壁の角度、幅寸法、深さ寸法を含んだパラメータ群を複数設定し、複数のパラメータ群にそれぞれ関連づけられた複数の反射光の波形を有するライブラリを作成する工程（処理Ｓ２）と、凹部に対し光を照射する工程と（処理Ｓ４）、反射光を検出する工程（処理Ｓ５）と、反射光の波形と、ライブラリから選択した波形とを照合する工程（処理Ｓ６）と、反射光の波形とライブラリから選択した波形とのずれが所定値未満である場合に、選択した波形に関連づけられた凹部の幅寸法等のパラメータを最適値とし、凹部の形状を把握する工程を含む。ライブラリの複数のパラメータ群の凹部の底面に対する側壁の角度は処理Ｓ１での測定値である。 （もっと読む）

【課題】焼入れ硬化層の深さ等を高精度に評価できて、高度な焼入れ品質が要求される焼入れ部品でも好適に使用可能な焼入れ硬化層の評価方法及びその装置を提供する。
【解決手段】焼入れ部品の硬化層形成部分を誘導加熱して硬化層を形成した後に、前記硬化層の画像を撮像すると共に硬化層の電気的特性値を測定し、該画像データと電気的特性値とに基づいて硬化層の深さ等を評価することを特徴とする。また、前記画像が、Ｘ線による透過画像もしくは光ＣＴ、磁気共鳴による断層画像であり、前記電流的特性値が、電流値と周波数の少なくとも一つであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オートフォーカスの失敗による影響を除去でき、試料の特徴構造の寸法を正確に測定し得る電子顕微鏡を用いた試料の寸法の測定方法を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡は電子ビームの焦点を試料上に結ぶための対物レンズ151bと、対物レンズ151bに供給される励磁電流を供給するレンズ制御部150bと、特徴構造を測定するホストコンピュータ102を有している。ホストコンピュータ102は、対物レンズ151bに供給される励磁電流を変化させ、対物レンズ151bに供給される各励磁電流における前記試料の特徴構造の寸法データを測定し、この測定により得られる寸法データの変化を示す変動量が所定値以下となる寸法データを、試料の特徴構造の寸法として決定する。 （もっと読む）

【課題】浅い位置に埋設された埋設物の位置及び形状の検出を従来例に比較して高い精度で行え、従来には行えなかった埋設物の材質の推定を行う非破壊探査装置を提供する。
【解決手段】本発明の非破壊探査装置は、送信波を発信し、反射波を受信するマイクロ波レーダ部と、反射波形から送信波形を減算して差分波形を求める差分計算部と、差分波形及び送信波形の相互相関のヒルベルト変換を行い、複素反射係数の絶対値のモデル適応度関数を得る相互相関ヒルベルト変換部と、モデル適応度関数の時間差の最大値及び最大値の時間差を保持し、所定の時間差幅の境界モデル適応度関数に変換する境界モデル適応度演算部と、測定点毎の反射波の境界モデル適応度関数を考慮点の信頼度とし、反射波の境界モデル適応度関数のヒストグラムにより逆投影画像を生成する逆投影像生成部と、逆投影画像にてヒストグラムの極大値を与える送信波形の位相を求める位相検出部とを有する。 （もっと読む）

【課題】鉄筋の設置深度及び直径を電磁波レーダを使用した非破壊的手段で計測する。
【解決手段】電磁波レーダの物理的特性と媒質界面における反射及び屈折を含めた伝播特性に基づく予測受信信号波形を予め作成し、電磁波レーダを測定対象物の表面に沿って走査させて測定した実際の受信信号とのパターンマッチングによって媒質内の物体の位置及び物体の形状、及び媒質の比誘電率を計測するものである。電磁波レーダ２をコンクリート１の表面１０にセットし、走査させて反射波を受信し、未知パラメータを設置深さ（ｄ）、鉄筋径（ａ）、及び比誘電率（ε）として受信信号波形とモデル波形の最適パターンマッチングをおこない、鉄筋のかぶり及び直径を精度よく測定する。 （もっと読む）

【課題】外乱が現れているＸ線撮影画像においても、被測定物に生じている亀裂の位置やその深さを精度良く検出することを目的とする。
【解決手段】本発明は、被測定物のＸ線撮影画像から注目部位を抽出する注目部位抽出部１１と、注目部位の輝度およびその近傍領域の輝度に基づいて、注目部位の特徴量を決定する特徴量決定部１２と、特徴量に応じて、注目部位の亀裂深さを決定する亀裂深さ決定部１３とを具備する検査装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】層寸法を正確に測定する方法を提供する。
【解決手段】平坦な試料の領域上に作用させるべく励起光線をあてるステップを有し、該試料は、その試料の面に垂直な側壁を持った特徴部を含んでおり、該側壁は、その上に薄膜を有している。励起光線に応じて試料から放出された蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）の強度が測定され、強度に基づいて側壁上の薄膜の厚さが評価される。別の方法では、研磨後の試料の表層にある凹部の幅と、凹部内に堆積した材料の厚さとが、ＸＲＦを用いて評価される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、特に試料上に形成されたライン＆スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供することにある。
【解決手段】荷電粒子線を当該荷電粒子線の光軸に対し斜めになるように荷電粒子線を傾斜、或いは、試料ステージを傾斜して、試料上に走査し、検出信号の荷電粒子線の線走査方向への広がりを計測し、荷電粒子線を光軸に沿って走査したときの広がりと比較し、広がりの増減に基づいて前記走査個所の凹凸状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】 低加速電圧を用いた高精度な三次元解析を行える走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 二次電子検出器１２よりも電子源側に、４分割された変換電極２１ａ〜２１ｄが配置されている。変換電極２１ａは対物レンズの下面（試料側）より上方に配置されており、その変換電極２１ａに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換され、変換電極２１ａの近傍の二次電子検出器１２ａに捕集される。同様にして、変換電極２１ｂに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換されて二次電子検出器１２ｂにより捕獲され、変換電極２１ｃに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換されて二次電子検出器１２ｃにより捕獲され、変換電極２１ｄに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換され、二次電子検出器１２ｄに捕集される。 （もっと読む）

【課題】従来困難とされていた凹凸の大きく激しい表面構造や試料内部に埋設された特定構造物と、この特定構造物とは深さの異なる深さに埋設された構造物との距離を測定し得るようにする。
【解決手段】試料２の内部に埋設された特定構造物としての配線パターンに到達し、特定構造物で反射して試料表面から脱出するに足る入射エネルギーで配線パターンを含む領域に荷電粒子としての電子ビームを照射して走査する。特定構造物で反射した反射ビームと試料表面から脱出する際に試料表面で放出させる二次電子ビームを検出し、特定構造物と、その特定構造物の埋設深さとは異なる深さに埋設された構造物との距離を測長する。 （もっと読む）

精度及び正確度に基づいて全体の測定不確実性（ＴＭＵ）を求めることによって、測定装置を評価し、最適化する方法及び関連したプログラムである。ＴＭＵは、線形回帰分析に基づいて、正味残余誤差から基準測定システムの不確実性（Ｕ_ＲＭＳ）を除去することによって計算される。ＴＭＵは、被試験測定システムが製品の実際のばらつきを検出する能力を有するかどうかについて客観的かつより正確に表示する。
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