【課題】半導体ウエハ上に形成された微細パターン及びそれを露光した露光装置の評価と異常検知を行う。
【解決手段】ステッパにより露光した微細パターンに対しエッジ検出を行い、個々のパターンに対してレジスト表面及び底面におけるパターン形状を検出する。検出されたレジスト表面及び底面のパターンの位置関係を示す位置ずれベクトルを算出、画面表示することで微細パターンの評価を行う。更にチップ、１ショット、ウエハの複数位置の微細パターンで同様に位置ずれベクトルを算出し、各場所における位置ずれベクトルの大きさ、分布状況を特徴量として分類、その傾向を各範囲内で分析することで露光装置あるいはウエハの異常検知を行う。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭ装置等において、撮像レシピを自動作成するための選択ルールを教示により最適化できるようにした撮像レシピ作成装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピを作成する撮像レシピ作成装置であって、半導体パターンのレイアウト情報を低倍視野で入力して記憶したデータベース８０５と、該データベースに記憶した半導体パターンのレイアウト情報を基に、教示により最適化された撮像ポイントを選択する選択ルールを含む自動作成アルゴリズムに従って前記撮像レシピを自動作成する撮像レシピ作成部８０６、８０９とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オペレータフリーな完全自動化された高スループットを実現するパターンマッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明は、設計データと走査型電子顕微鏡にて取得される画像との間でパターンマッチングを行うパターンマッチング方法及び装置であって、設計データをビットマップに変換して、当該ビットマップ化された設計データと、走査型電子顕微鏡によって取得された画像とのマッチングを行うことを特徴とする。ビットマップは、エッジ強調が行われた後に、マッチング処理が行われる。このエッジ強調が行われたビットマップには、さらに、平滑化処理が施された後に、マッチング処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造過程にあるウェハ上の半導体装置の同一設計パターンの欠陥，異物，残渣等を電子線により検査する回路パターン検査装置において、条件設定の効率、検査時間の短縮及び検査の信頼性を向上する。
【解決手段】欠陥の存在を検出する為の大電流高速画像形成用の検出信号処理回路と、この欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位の画像形成用の検出信号処理回路とを独立に設ける。または、欠陥検出検査の為の第１の電子光学系と欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位を観察するレビュー専用の第２の電子光学系とを同一の真空容器内に並べて収容する。または欠陥検出検査の為の第１の検出器とこの欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位を観察するレビュー専用の第２の検出器とを設ける。 （もっと読む）

【課題】電子写真感光体を破壊、加工することなく、連続して検査することのできるＥＰＭＡ法による検査装置および検査方法を提供することである。
【解決手段】試料に電子線を照射する電子線光学手段が接続され、所定の真空度に保持された試料室と、真空排気手段および給気手段とが接続され、前記試料室との間で試料の出し入れを行う第１開口部および外部との間で試料の出し入れを行う第２開口部を有する予備排気室と、前記第１開口部を開閉するための第１仕切り弁と、前記第２開口部を開閉するための第2仕切り弁と、試料を保持して外部と予備排気室と試料室との間を移動する試料台と、この試料台の移動に対応して、前記第１仕切り弁および第２仕切り弁の開閉、予備排気室の給・排気を行う制御手段とを備えたことを特徴とするＥＰＭＡ法による検査装置である。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム描画時のビーム寸法精度を向上させ、ひいてはレジストパターン寸法精度を向上させ得る荷電ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】描画時に行うビーム寸法校正を、描画装置によって決まる描画フィールド内の各点で行い（ステップＳ１）、描画フィールド内の各点でのビーム寸法校正関数を求め（ステップＳ２）、これを用いて試料に描画する（ステップＳ４）。この際、描画フィールド内の各点での歪によるビーム寸法変換差に加えて、描画後のレジスト寸法への変換差も見込んで寸法校正関数を求め（ステップＳ３）、これを用いて描画を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電子線の照射によってシュリンクを起こすパターンを測定する際に、そのシュリンクの発生を抑制することで、正確なパターンの寸法測定を可能とすることにある。
【解決手段】Ｘ方向の測定倍率と当該Ｘ方向の測定倍率より低倍率であるＹ方向の倍率の組み合わせを複数記憶する記憶装置に記憶された倍率の組み合わせに基づいて、前記Ｘ方向が短辺であり前記Ｙ方向が長辺である矩形状に電子線を偏向させ、パターンのＹ方向の形状がＸ方向に対し狭まるように表示し、当該表示領域に表示されたパターン画像に基づいて、前記パターンのＸ方向の寸法を測定する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ装置等において、観察画像からパターンの配線幅などの各種寸法値を計測してパターン形状の評価を行うための撮像レシピを、ＣＡＤデータから変換されたＣＡＤ画像を用いた解析により自動生成して生成時間の短縮を図った撮像レシピ作成装置及びその方法を提供する。
【解決手段】走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピ作成装置において、ＣＡＤデータを基に画像に変換してＣＡＤ画像を作成するＣＰＵ（ＣＡＤ画像作成部）１２５１を、画像量子化幅決定処理部１２５１１と明度情報付与処理部１２５１２とパターン形状変形処理部１２５１３とで構成する。 （もっと読む）

【課題】ミラー電子結像を使った電子線式検査装置において、従来のグリッド電極を用いた帯電制御電極と二次電子を発生させる照射ビームとの組み合わせでは、ミラー電子結像にコントラスト異常を生じさせるような帯電電位の不均一が生じてしまい、正しい欠陥検査が行えなかった。
【解決手段】帯電制御電極の構造をグリッドからスリットに変更し、ウェハのビーム照射において影を作らない構成にした。また、帯電制御スリットの前段にビーム成形スリットを配し、予備帯電のための電子ビームが帯電制御スリットに照射され帯電制御を擾乱する2次電子の発生を抑制した。スリット形状を電子ビーム照射領域の長手方向の両端に向かって、電子線強度が緩やかに減少するような形状とした。また、予め不本意に形成されてしまった帯電電位分布を、除去あるいは減じる予備除帯電装置を設けた。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡応用装置および試料検査方法において、試料の帯電を制御することができる技術を提供する。
【解決手段】光電子２を放出する帯電制御電極４を、ウェハ３（試料）の直上に平行に配置し、且つ、帯電制御電極４を通して紫外光をウェハ３に照射できるように、貫通する孔を持つ構造とした。具体的には、メッシュ形状もしくは１つあるいは複数の孔が開いた金属板を帯電制御電極４とする。帯電制御電極４を試料の直上に平行に設置することで、負電圧を印加した場合、ウェハ３に対してほぼ垂直に電界が発生する為、光電子２が効率良くウェハ３に吸着する。また、ウェハ３と同程度の大きさを持つ帯電制御電極４を使用する事で、ウェハ３全面の帯電を一括で均一に除去でき、処理にかかる時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】試験片のマクロまたはミクロの変形の測定を含め、試験片の変形特性を決定するために試験片にマークを付けて測定するための方法および装置を提供すること。
【解決手段】試験片にマークを付けて測定するための方法および装置であって、エネルギー式システムを用いて試験片の変形特性を決定するために高解像度ゲージマークを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、特に試料上に形成されたライン＆スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供することにある。
【解決手段】荷電粒子線を当該荷電粒子線の光軸に対し斜めになるように荷電粒子線を傾斜、或いは、試料ステージを傾斜して、試料上に走査し、検出信号の荷電粒子線の線走査方向への広がりを計測し、荷電粒子線を光軸に沿って走査したときの広がりと比較し、広がりの増減に基づいて前記走査個所の凹凸状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】 全てのＴＦＴアレイ基板についての欠陥の抽出結果が求めると共に、検査時間を短時間とする。また、多数の欠陥を含むＴＦＴアレイ基板について、欠陥の抽出結果を短時間で得る。
【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板検査装置１は、ＴＦＴアレイ基板９の各ピクセルの駆動状態を表す画像データを用いてＴＦＴアレイ基板を検査する検査装置において、画像データに基づいてピクセルが構成するパネルの欠陥判定を行うデータ処理部１０を備える。データ処理部１０は、画像データからピクセルを欠陥判定する機能と、基板上のパネルが備えるピクセルから複数のピクセルをランダムにサンプリングする機能と、ランダムサンプリングで得られたピクセルから欠陥ピクセルを抽出する機能と、欠陥ピクセルの発生頻度を評価し、この評価結果に基づいて前記欠陥判定の判定精度を選択する機能の各機能を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハ検査で、高分解能を維持して浅い凹凸、微小異物のレビュー、分類を高精度に行う目的で、二次電子を検出系の中心軸を合わせると共に、検出系の穴による損失を避けて高収率な検出を実現する。
【解決手段】高分解能化可能な電磁界重畳型対物レンズにおいて、試料２０から発生する二次電子３８を加速して対物レンズ１０による回転作用の二次電子エネルギー依存性を抑制し、電子源８と対物レンズ１０の間に設けた環状検出器で二次電子の発生箇所から見た仰角の低角成分と、高角成分を選別、さらに方位角成分も選別して検出する際、加速によって細く収束された二次電子の中心軸を低仰角信号検出系の中心軸に合わせると共に、高仰角信号検出系の穴を避けるようにＥｘＢで二次電子を調整・偏向する。 （もっと読む）

【課題】
非破壊でエッチング後パターンの立体形状を定量的に評価する方法がなかった
。このため、エッチング条件出しに多くの時間とコストがかかっていた。また、
従来の寸法測定のみでは、立体形状の異常を検知することができず、エッチング
プロセス制御が困難であった。
【解決手段】
ＳＥＭ画像の信号量変化を利用して、エッチング加工ステップに対応したパタ
ーンの立体形状情報を算出することにより、立体形状を定量的に評価する。また
、えられた立体形状情報に基づいて、エッチングプロセス条件出しやプロセス制
御を行う。
【効果】
非破壊で、エッチング後パターンの立体形状を定量的に評価することが可能と
なる。また、エッチングプロセスの条件出しの効率化がはかれる。さらに、エッ
チングプロセスの監視あるいは制御を行うことにより、安定なエッチングプロセ
スを実現できる。
（もっと読む）

【課題】オーバーレイバーニアの整列に関する情報と、リアルセル内のパターンの整列に関する情報と、が一致しない現象を防止することで、リアルセル内のパターンを正確に整列できるオーバーレイバーニアを提供する。また、前記オーバーレイバーニアを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】リアルセル１１０内に配置されるパターン１１１と同一のレイアウトを有するオーバーレイバーニアパターン１２１を含んでオーバーレイバーニアを構成する。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造工程における材料、プロセス、露光光学系の特徴が現れる、微小パターンのラインエッジ形状の分析を非破壊検査により行い、定量的に分析し、製造工程の欠陥や観察装置の画像歪みを見出すパターンエッジ形状検査方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成されたパターンを荷電粒子線を用いた走査型顕微鏡により観察して（４１）得られる２次電子強度あるいは反射電子強度の２次元分布情報（４２）からパターン形状を検査する方法であって、２次元面内におけるパターンのエッジの位置を表すエッジ点の集合をしきい値法により検出する工程（４５）と、検出されたエッジ点の集合に対する近似線を得る工程（４８）と、エッジ点の集合と近似線との差を算出する（４９）ことにより、エッジラフネス形状と特性を求める工程とを具備し、しきい値法に用いるしきい値として、複数個の値を用いる。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置で用いられる偏向校正を高精度で行う電子ビーム校正技術を提供する。
【解決手段】電子ビームの走査方向に対して格子の方向を水平方向になるように一次元回折格子を配置させ、かつ格子のピッチ寸法に一致するように電子ビーム走査を垂直方向に移動させながら水平に走査する。得られた二次電子信号像から、モアレ干渉縞の有無で電子ビームの走査に対する垂直方向の偏向校正が正しく行われているか判定できる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの性能保障に必要なパターン寸法を精度良く測定するためのパターン寸法測定方法および装置を提供する。
【解決手段】パターン測定装置のパターン測定結果判定手段がパターン測定結果を妥当か否か判断する工程Ｓ１と、パターン測定結果を妥当でないと判定した場合に、測定カーソル最適化手段により測定カーソルの大きさまたは位置を修正する工程Ｓ２と、大きさまたは位置が修正された測定カーソルを用いてパターン寸法測定手段によりパターン寸法の測定を行う工程Ｓ３とを含み、工程Ｓ１がパターン寸法測定結果を妥当であると判断するまで、工程を繰り返すものである。 （もっと読む）

【課題】容易に調整可能で焦点深度の深い、収差補正手段を備えた走査形荷電粒子顕微鏡を提供する。
【解決手段】複数開口をもつ絞りを使用することにより、収差の補正状態をSEM画像から判定して、収差補正手段の調整にフィードバックする。略輪帯形状の絞りを収差補正手段と併用する。 （もっと読む）