【課題】
測長ＳＥＭは、高真空に保たれた試料室にウェーハを搬入して半導体デバイスの線幅や穴径を測長する装置であり、測長ＳＥＭを使用して、真空中の装置状態を容易に把握する。他の真空装置についても適用できるようにする。
【解決手段】
真空中の駆動系の状態、真空バルブ、真空状態や電子光学系の状態を画面化したことにより真空中の装置状態の把握を可能とした。また、各種センサのＯＮ／ＯＦＦタイミング、Ｏｐｅｎ／Ｃｌｏｓｅタイミングおよび真空の状態をタイミングチャート化し時間計測や、リファレンスデータとの比較を可能とした。
この機能を有することにより、装置保守点検や装置修理時に的確な判断を行う
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検出されたウェハ欠陥座標値をＣＡＤデータを用いてレチクル座標値に変換する為のシステムと方法が記載される。ウェハ検査画像が得られ、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値が測定される。その後、前記ウェハ検査画像は、所定の画像フォーマットに変換される。試験中のデバイスのＣＡＤデータは、その後第２の画像作成の為に用いられが、その際も前記の所定の画像フォーマットによる。前記ＣＡＤ由来の画像と前記ウェハ由来の画像は、その後整合され、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値は、ＣＡＤ座標値に変換される。その後前記ＣＡＤ座標値は、前記検出されたウェハ欠陥に相当するレチクル欠陥の位置を特定するために、前記ウェハに代わって前記レチクルを介して進路を指示するように使用される。
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精度及び正確度に基づいて全体の測定不確実性（ＴＭＵ）を求めることによって、測定装置を評価し、最適化する方法及び関連したプログラムである。ＴＭＵは、線形回帰分析に基づいて、正味残余誤差から基準測定システムの不確実性（Ｕ_ＲＭＳ）を除去することによって計算される。ＴＭＵは、被試験測定システムが製品の実際のばらつきを検出する能力を有するかどうかについて客観的かつより正確に表示する。
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【課題】走査型顕微鏡を用いた半導体装置検査工程においてパターンのラインエッジ形状を高精度で広範囲に渡って抽出するための各種パラメータを簡便に最適化する。
【解決手段】走査型顕微鏡の制御系ないし隣接する端末から画像処理工程で必要になる各種パラメータのうち操作者に理解しやすいものを入力すると、残りのパラメータが自動的に最適化されるようにする。必要な走査線の本数が装置側の可能な値を超えた場合は複数の画像データに分けて走査し取得した画像を重ね合わせて1枚の画像とする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、ウエハ上面からの観察のみで入射電子線に対して影になる部分やウエハ内に埋設された構造の検査および定量評価を行い、三次元構造の表示を行なう検査装置および方法を提供する。
【解決手段】ウエハ表面の一部分を透過し、電子ビームに対して露出しない部分に到達し得るエネルギーを有する電子ビームを照射して、二次的に発生する信号による走査像を取得し(40)、パターンの立体モデルを生成する工程(41)と、得られた二次信号からパターンのエッジの位置情報を検出する工程(44)と信号強度を検出する工程(45)と、検出した情報から被検査パターンの特徴量を算出する工程(46)と、算出したパターンの特徴量から立体構造を構築し、パターンの三次元構造を表示する(47)工程により三次元構造を評価する。 （もっと読む）

【課題】 潜像担持体の表面に形成された潜像を正確に測定できる静電潜像測定装置並びにこれを用いた潜像担持体の評価方法及び装置を提供する。
【解決手段】 感光体試料５０を帯電させる試料設置部３０と、帯電した感光体試料５０の試料面に光を照射して静電潜像を形成する露光部２０と、静電潜像が形成された光導電性試料の試料面に荷電粒子ビームを照射する荷電粒子照射部１０と、荷電粒子ビームが照射されることによって感光体試料５０の試料面から放出された二次荷電粒子を検出する二次電子検出部４０と、二次電子検出部の検出結果に基づいて感光体試料５０の試料面における電荷の分布状態を測定する電荷分布状態測定手段と、感光体試料５０の試料面の電界強度のバイアス成分を変える試料バイアス成分変更手段とを有する静電潜像測定装置であって、試料バイアス成分変更手段は、感光体試料の試料面上に配置された透明導電性部材６０を含む。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線応用装置及び測長装置などにおける所要の倍率範囲における倍率誤差を小さくする。
【解決手段】試料に対する倍率を実測した第１の画像を記録し、試料に対する倍率が未知の第２画像を記録し、画像解析を用いて第１の画像に対する第２の画像の倍率を解析することによって、試料に対する第２の画像の倍率を実測する。以後、第２の画像を第１の画像として上記倍率解析を繰り返す事により、全倍率範囲において倍率を実測する。全倍率範囲で試料に対する画像の倍率を実測して校正することにより、倍率誤差を一桁小さくすることができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。ある実施の形態において、それは半導体製造施設内での製造中に半導体ウェファの欠陥をキャラクタライズする方法を提供する。その方法は以下のようなアクションからなる。半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。
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パターンを走査する為の装置および方法。方法は、（ｉ）第１走査路に沿ってパターンと相互作用する等の為に荷電粒子ビームを導くステップと、（ｉｉ）第２走査路に沿ってパターンと相互作用する等の為に荷電粒子ビームを導くステップと、を含む。ビームとの相互作用の結果、パターンは、その特性の一つを変える。第１走査路と第２走査路間の距離は、荷電粒子径より大きくてもよい。第１走査路と第２走査路の各々は、複数の連続したサンプルを含み、第１走査路と第２走査路との間の距離は、隣接したサンプル間の距離より大きくてもよい。走査路の位置は、測定間、特に、測定セッション間で変更してもよい。荷電粒子ビームの横断面は、楕円面でもよい。
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【課題】微細ラインパターン上のエッジラフネスのうち、デバイスの作成上あるいは材料やプロセスの解析上特に評価が必要となる空間周波数の成分を抽出し、指標で表す。
【解決手段】エッジラフネスのデータは十分長い領域に渡って取得し、パワースペクトル上で操作者が設定した空間周波数領域に対応する成分を積算し、測長SEM上で表示する。または、十分長い領域のエッジラフネスデータを分割し、統計処理と理論計算によるフィッティングを行って、任意の検査領域に対応する長周期ラフネスと短周期ラフネスを算出し測長SEM上で表示する。 （もっと読む）

【課題】 回転ステージの回転振れを測定するため、ＳＥＭ等で拡大観察可能な測定円の描画を好適に行って回転同期振れＲＲＯの測定を高精度に行い、描画補償により描画真円度を高める。
【解決手段】 回転ステージ41に載置した基板11に偏向制御したビームEBを照射して所定パターンの露光を行う露光装置40において、回転ステージ41を回転させつつ基板11上の回転中心付近にビームEBを照射し、基板11上に全体がＳＥＭ等で拡大観察可能な小径の測定円５を描画し、該測定円５の計測より回転同期振れＲＲＯを測定し、実描画に反映する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク又はウェハのパターンを電子顕微鏡（ＳＥＭ）から撮像し、得られたパターン画像を計測する方法において、そのパターン画像特有のチャージアップやフォーカスのボケによるパターン計測の信頼性の低下を防ぎ、パターン計測結果の信頼性を高めることを目的とする。
【解決手段】計測対象のパターンのＳＥＭ画像を取得し、計測するパターンを輪郭線を抽出処理し、該輪郭線の各点の近傍領域の濃度値から判別分析処理を行い判別分析処理によって算出したη値を統計解析処理し、画質の定量化し、信頼度の判定処理することにより、前記パターン計測の結果の信頼度を向上させるが可能となるパターン画像計測方法。 （もっと読む）

本発明は試料表面を検査する方法に関する。この方法は、試料表面に向けて誘導される複数の一次ビームを発生するステップと、複数の一次ビームを、試料表面上のそれぞれの位置に集束させるステップと、一次ビームが入射するとすぐ、試料表面から発生する荷電粒子の、複数の二次ビームを収集するステップと、収集された二次ビームの少なくとも１つを光学ビームに変換するステップと、光学ビームを検出するステップとを含む。
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【課題】 画像表示モニターに表示された寸法測定パターン画像の倍率誤差に起因する寸法測定誤差を低減し、正確な寸法測定値を得る。
【解決手段】 寸法を測定すべき第１のパターンと少なくとも２本のラインパターンを並べて配列された第２のパターン１６，１７とが基板上に形成され、第１のパターンを横切るように電子線を照射し、第１のパターンからの二次電子信号を検出することにより第１のパターンの寸法を測定可能な顕微鏡装置を用いたパターン寸法測定方法であって、顕微鏡装置を用いて第２のパターンのピッチを二次電子信号１８を検出することにより測定するとともに予め第２のパターンの真のピッチを求めるステップと、第１のパターンの寸法を測定するステップと、第１のパターン寸法の測定値、第２のパターンピッチの測定値および真のピッチから第１のパターンの真の寸法を求めるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭの２次電子画像信号量の傾斜角依存性を利用して平坦な面や垂直に近い面についても高精度な立体形状計測を可能にしたＳＥＭによる立体形状計測方法およびその装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、被計測対象パターンにおいて傾斜角変化に対して感度が低い領域（平坦部領域）ａ、ｃ１については、チルト像取得部１５２１で観察方向φ（２）からチルト像（チルト２次電子画像）Ｉ（２）を取得し、形状計測部１５２３，１５２４で取得されるチルト像を用いて勾配（表面傾斜角）を推定し、該推定された勾配推定値（表面傾斜角推定値）を積分することによって立体形状Ｓ２ａ、Ｓ２ｃの計測を行うことで、高精度な３次元プロファイル（立体形状）の計測を可能にすることにある。 （もっと読む）

【課題】 同一寸法校正パターンへの位置決めを可能にする。
【解決手段】 不連続な格子状の寸法校正パターン26とその近傍に特定の位置決め用アライメントパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 試料の傾斜角や高さに依存することなく、精度のよい試料の画像計測が行なえる電子線装置と電子線装置用基準試料を提供する。
【解決手段】 上記目的を達成する本発明の電子線システムは、例えば図１に示すように、電子線を射出する電子線源１と、電子線源１から射出された電子線７を収束し、試料９に照射する電子光学系２と、電子線７が照射された試料９からの電子７ｄを受け取る検出部４と、試料９を支持する試料支持部３と、試料支持部３で支持された試料９に照射される電子線７と試料３とを相対的に傾斜させる試料傾斜部５（５ａ，５ｂ）と、前記相対的な傾斜が自在であるように試料支持部３で支持された少なくとも傾斜した２面を有する基準試料９ａから電子を受け取った検出部４からの検出信号を、傾斜毎に受け取り、前記傾斜した２面の画像と基準試料９ａの基準寸法とから、基準試料９ａの傾斜角度を求めるデータ処理部２０等とを備える。 （もっと読む）

特徴部を評価する方法であって、前記特徴部の画像を受け取るステップと、前記画像において前記特徴部のエッジ上で、複数の突端の、それぞれの座標を決定するステップからなる前記方法。非円の非線状形状を有する図形は、複数の突端に適合され、その複数の突端と図研との間の、それぞれの距離が決定される。特徴部のための粗さパラメータは、それぞれの距離に応じて計算される。上記方法は、電子走査型顕微鏡（ＳＥＭ）により結像されるように、集積回路の限界寸法（CD）の分析において、更に、特に、これらの特徴部と構成要素の測定において応用を見出す。
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本発明は、方法および測定システムを提供する。当該方法は：測定画像情報を含む測定モデルを提供するステップと；上記測定画像情報を利用することにより測定領域を突き止めるステップと；測定結果情報を提供する為に少なくとも一つの測定を実施するステップと；を含む。
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【課題】 ウェブの修正を伴ったベータ線の使用によるウェブの坪量などの特徴を測定するためのシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】 β線厚さ計による組成修正を複数の検出器（32）からの信号を使用して行うようにした。検出器は、その受理する放射線の割合が、放射線が検出器に到達する前に放射線が透過される物質の組成に依存するように配置されている。この放射線は検出器で測定され、受理された放射線の差を使用してβ線厚さ計の補償が行われ、組成の変動についての修正が行割れる。検出器のアレイ(A)は放射線(22b)の中央とほぼ整合した内方検出器(I)と、この内方検出器を少なくとも部分的に囲む外方検出器(O)の少なくとも1セットに分割されている。測定は、この内方検出器および少なくとも1セットの外方検出器を含むすべての含めて行われ、これら検出器による測定の差異を用いて全ての検出器によりなされたトータルの測定の補償が行われる。 （もっと読む）