【課題】２段電子線バイプリズム干渉計は１段での電子線バイプリズム干渉計に、飛躍的な自由度の増加を与える光学系であるが、フィラメント電極によって作られる電子線ホログラムの形状の１次元性、さらに干渉領域幅の方向と干渉縞の方位に関しては、１段電子線バイプリズム光学系と同じであった。すなわち、干渉領域幅はフィラメント電極の方向に一致してその長方向が定まり、干渉縞の方位は、干渉領域幅の長方向に一致かつ平行するのみであった。
【解決手段】上、中、下３段電子線バイプリズムを持った構造とするとともに、これら３段電子線バイプリズムのフィラメント電極間のアジムス角Φを操作することにより、干渉領域とその中に形成される干渉縞の方位角θを任意にコントロール可能とすることに加えて、フレネル縞発生の抑制と干渉縞間隔ｓと干渉縞の方位角θの独立したコントロールを可能とする。 （もっと読む）

【課題】 基板の欠陥を高感度で検出する。
【解決手段】 二次電子ビームの焦点面に、検査対象部位に応じた形状およびサイズの複数の開口絞りが設けられた可動絞り板８１を設置し、任意の検査対象部位から高い二次電子放出比で放出される二次電子ビームが可動絞り板８１を通過してＭＣＰ検出器３１の検出面で結像するように絞り８１Ｂα〜８１Ｂγ，８１Ｄα〜８１Ｄγを選択する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上に転写・形成された半導体集積回路パターンの高精度膜厚測定を非破壊検査で可能とする膜厚計測方法を提供する。
【解決手段】 製品パターンの製品２次電子信号波形を取得するステップ、製品２次電子信号波形から複数の製品特徴量を抽出するステップ、製品パターンと寸法規格が同じテストパターンの複数のモデル特徴量と複数の露光条件のそれぞれを未知数とする、予め算出された複数のモデル関数を用い、製品パターンの膜厚を計測するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡システムにおける３次元トモグラフィ・イメージ生成のための方法と装置を提供する。
【解決手段】標本の上端表面上に少なくとも２つの縦のマークを備え、それらの間に角度を持たせる。連続するイメージ記録において、それらのマークの位置が決定され、連続するイメージ記録の間において取り出されたスライスの厚さの定量化に使用される。 （もっと読む）

【目的】 研磨における加工終点を十分に検出することができる方法及びかかる方法を適用することが可能な研磨装置を提供することを目的とする。
【構成】 基板２００を研磨する研磨パッド２３０、ターンテーブル２２０や、トップリング２１０等から構成される研磨部と、前記基板２００の表面側と裏面側とのうち、いずれか一方に配置され、前記研磨部が前記基板を研磨する間、複数の陽電子１１２を放出する陽電子線源１１０と、前記基板２００を挟んで前記陽電子線源１１０と対向して配置され、放出された前記複数の陽電子１１２の寿命を測定する、シンチレータ１２２，１２４、ＣＦＤ１４２，１４４、ＴＡＣ１５０や、ＭＣＡ１６０等から構成される測定部と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子ビーム描画装置のビーム位置補正を精度良く行う方法を実現する。
【解決手段】 メトロロジー測定を複数のマーク位置について正順および逆順でそれぞれ行ってマーク位置ごとの位置誤差とピッチング値またはヨーイング値を互いに垂直な２軸方向において求め（１０１）、位置誤差とピッチング値またはヨーイング値について正順と逆順の差をマーク位置ごとに互いに垂直な２軸方向において求め（１０１）、アッベエラーによるマーク位置ごとのビーム位置補正効果を予め仮定された複数のアッベエラーについてそれぞれシミュレーションして、位置誤差の正順と逆順の差が複数のマーク位置を通じて互いに垂直な２軸方向においてそれぞれ最小となる２種類のアッベエラーを互いに垂直な２軸方向のアッベエラーとしてそれぞれ特定し（１０３）、それらアッベエラーを用いてビーム位置を補正する（１０４）。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で高精度かつ迅速にパターン形状を評価する。
【解決手段】 被評価パターンＰ２の輪郭を検出し、許容値Ｌが予め与えられた基準パターンであってパターンＰ２の評価基準となる基準パターンＲＰ２の輪郭を検出し、基準パターンＲＰ２の輪郭と許容値Ｌに基づいてパターンＰ２の許容範囲ＡＳ２を生成し、検出されたパターンＰ２の輪郭と許容範囲ＡＳ２との相対位置関係を求めることによりパターンＰ２の輪郭と前記許容範囲との包含関係を判定し、さらに、その判定結果に基づいてパターンＰ２の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】 短時間でかつ高い精度でパターンの形状評価及び位置合わせを行なう。
【解決手段】 検査パターンの輪郭データと設計パターンの距離変換データとの演算により距離輪郭データを生成し、この距離輪郭データに基づいて形状一致度を算出する。 （もっと読む）

【課題】
従来は、二次元又は三次元形状計測の際に用いた計測手法固有の形状算出式のパラメータと形状指標値とを関連づけ，前記パラメータを調整することにより，形状を補正する場合、補正による形状変形の自由度も形状の算出に用いられるモデル式に依存するため，多くの形状バリエーションをもつ補正対象には不向きであった。
【解決手段】
本発明では、任意の三次元形状計測手法によって計測された半導体パターンの三次元形状に曲線式を当てはめ，別途算出した形状指標値に基づいて前記曲線式のパラメータを調整することによって前記三次元形状を補正するようにした。前記形状指標値と前記パラメータとの関係をデータベースに蓄積し，計測時は前記関係をもとに計測形状の補正が実施されるようにした。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム露光装置の持つ光を越える優れた解像力と光ステッパの持つ高いスループットの双方を生かし、微細パターンを高いスループットで形成することができ、かつパターンの重ね合わせ精度の向上をはかる。
【解決手段】 ウェハ５上に形成されたレジストに所望パターンを露光してレジストパターンを形成するパターン形成方法において、感光材が塗布された下地基板のパターンを、感光材に電子ビームを照射することにより該感光材から放出される二次電子の情報に基づいて検出し、該検出されたパターンに位置合わせして露光を行う。 （もっと読む）

【課題】走査型顕微鏡で得られる画像からパターンのエッジ形状を抽出し、その抽出情報からデバイスの電気的性能を予測し、パターンを検査するパターン検査方法を提供する。
【解決手段】走査型顕微鏡の制御部１６１１及び検査用コンピュータ１６１２において、反射電子又は二次電子１６０９の強度分布を処理し、エッジ位置のデータから単一ゲート内のゲート長の分布を求め、最終的に作成されるトランジスタを様々なゲート長を持つ複数個のトランジスタの並列接続とみなしてトランジスタ性能を予測し、その予測結果を基にパターンの良否や等級を判定することにより、エッジラフネスのデバイス性能への影響を高精度かつ迅速に予測することができ、デバイス仕様に応じて高精度かつ効率的にパターン検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】
設計データと実際のパターン間の位置あわせするための確たる基準がなく、設計データが示す理想パターンに対し、測定対象パターンがどの程度ずれて形成されているのか等、何らかの基準に基づいて、測定することができなかった。
【解決手段】
上述のような問題を解決するため、測定個所から離間した位置に形成され、走査電子顕微鏡等によって得られる画像上の基準パターンの位置情報と、設計データに基づいて検出される基準パターンと測定個所の位置関係の情報に基づいて、走査電子顕微鏡等による測定個所の基準位置を設定する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、電子線を真空室内に配置した試料に照射し放出あるいは吸収あるいは透過する電子あるいは２次電子あるいは光をもとに画像を生成する際に、温度変化を与えることなく汚染を防止する電子顕微鏡に関し、真空内に配置された試料に対向してゲッター面を設け、必要に応じて新規なゲッター面に切り替えるあるいは再生成することで、試料に対する温度変化を与えずに残留ガス分子による汚染を低減することを目的とする。
【構成】 真空室内に配置した試料の面に対向して設けたゲッター面と、ゲッター面について、必要に応じて、ゲッター面に新たなゲッター膜を生成する、あるいは他のゲッター面に新たなゲッター面を生成して置換する機構とを有する。 （もっと読む）

対象物（６）を少なくとも一次元で非接触で測定する方法であって、対象物（６）を走査ビームフィールド（１）の空間的に制限された有効範囲内で走査し、走査ビーム（Ｌ）の１本又は複数本の遮断を検出して測定次元での対象物（６）の大きさを推定するようにした前記方法を提案する。走査ビームフィールド（１）は直接アドレス化可能な複数本の個々のビーム（Ｌ）から構成されている。走査ビームフィールド（１）の空間的に制限された有効範囲のビームによる走査は、予め設定可能なステップのパターンにしたがって非線形ソーティング方法を使用して行なう。好ましい方法は二等分探索方法の適用にある。
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【課題】描画されたパターン中から確実かつ精度高くかつ高速かつ人手に頼ることなく対象パターンを特定し、測長などする方法を提供する。
【解決手段】 設計データで表現されるパターンに、プロセスシフト情報を加味した第１のパターンを作成するステップＳ１〜Ｓ４と、描画されたパターンを拡大するステップＳ５、Ｓ６と、特定対象の第１のパターン、あるいは特定対象の第１のパターンとその周辺のパターンを含め、拡大されたパターン、あるいは拡大されたパターンとその周辺の拡大されたパターンを含めてパターンマッチングするステップＳ７と、パターンマッチングして一致あるいは最も一致した拡大されたパターンを出力するステップＳ８〜Ｓ１０とを有する。 （もっと読む）

集束イオンビーム３１２のスパッタリングエッチング加工を行って薄片を作製すると同時に、薄片の側壁に対して平行な方向から電子ビーム３１４の照射を行って走査電子顕微鏡観察をし、薄片の厚さを測定する。そして、薄片の厚さが所定の厚さになったことを確認して、集束イオンビーム３１２による加工を終了する。
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【課題】高加速電圧で収差補正機能を備えた荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線源と該荷電粒子線源から荷電粒子を引き出すための引き出し電極と荷電粒子線の収束手段を含む荷電粒子線銃と、該粒子線銃から放出された荷電粒子線を加速する加速手段と前記粒子線銃と加速手段の間に収差補正手段を設けて、引き出し電位あるいは、それとほぼ同等の加速初期段階のビームに、試料面上での粒子線プローブの収差をキャンセルするだけの収差を与えることにより上記課題を、解決する。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【課題】 プラスチックシートに貫通形成された微小孔の形成状態の良否判断を行う場合、電子顕微鏡等を用いての高倍率での観察が必要である。この場合、観察が容易でなく、また良否判断をするには形成状態を熟知している必要がある。
【解決手段】 穿孔前のプラスチックシートに薄膜を設け、プラスチックシートに穿孔して微小孔を貫通形成する。この後、プラスチックシートの薄膜を設けた面を観察面として、穿孔して貫通形成された孔部の周辺の皺や亀裂を観察することにより、微小孔の形状の検査をする。 （もっと読む）

【課題】 測定範囲の全域にわたって分解能の改善を図った物理量測定装置およびこの装置を用いた物理量測定装置を提供する。
【解決手段】 放射線を含む線源から出射され、シ―ト状の被測定体を透過したエネルギーの減衰量を検出器により検出し、前記被測定体の物理量の測定を行う物理量測定装置において、前記線源と検出器の間の空気層を測定した検出器の出力信号を正規化して検量線を作成する第１検量線作成手段と、前記線源と検出器の間に標準サンプルを挿入した状態の検出器の出力信号を正規化して検量線を作成する第２検量線作成手段を備えている。 （もっと読む）