【課題】従来必要であった各工程に合わせたデータ変換を不要とし、また保有データを一括管理して、各工程に利用することが有効なデータを保有データから容易に選択することができ、また、形成パターンの形状に時間変動があった場合にも、時系列データをもとに撮像レシピの修正を行い、安定な計測が可能な撮像レシピを生成することができる半導体製造技術を提供する。
【解決手段】測長ＳＥＭを用いた半導体パターンの形状評価装置において、データベース３０１に記憶された多種データを一括管理するために、多種データ間の座標系を対応付けし、多種データの一部あるいは全てを任意に選択し、選択されたデータを利用して測長ＳＥＭにおいて半導体パターンを観察するための撮像レシピを生成する。また、前記多種データを時系列で管理し、パターン形状の変動があった場合に撮像レシピを修正する。 （もっと読む）

【課題】 検査対象を撮像した検査画像と、この検査画像と本来同一であるべき参照画像とを比較して、お互いに異なる部分を欠陥として検出する画像欠陥検査において、検査画像に生じる色ムラにより生じる疑似欠陥を低減する。
【解決手段】 画像欠陥検査装置を、検査対象上の所定の大きさの領域毎にこれら各領域を撮像した画像に含まれる画素の画素値に応じて参照値をそれぞれ決定する参照値決定部２１と、この所定の大きさの領域を複数含んで構成されるマクロ領域について、マクロ領域に含まれる上記所定の大きさの領域毎に決定された参照値の分布情報を決定する分布情報決定部２２と、を備えて構成し、マクロ領域において算出された分布情報に応じて欠陥検出条件を変えて欠陥検出を行う。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置で用いられる測長校正を高精度で行う標準部材を提供する。
【解決手段】一次元回折格子を貼り合せウェーハに配置させることにより実測ウェーハと同じ高さでの高精度校正や装置間校正が可能となる。かつ表面シリコン層に一定電圧を加える構成とすることにより二次電子信号強度が大きく取れ微弱電子ビームでも良好な二次電子信号像が得られる。さらに一次元回折格子をウェーハ内の複数箇所に設置させることにより大口径ウェーハにおける面内位置毎の校正が保証される。 （もっと読む）

【目的】本発明は、複数の被観察試料の相対位置を測定する相対位置測定方法および相対位置測定装置に関し、比較対象の複数の被観察試料の重ね合わせ位置などの相対的位置を直接に高精度に測定することを目的とする。
【構成】 相対位置の測定対象の複数の被観察試料を同時に搭載し、かつ移動可能な１つのステージと、相対位置の測定対象の複数の被観察試料について、それぞれの位置を精密測定するレーザ干渉計とを備え、レーザ干渉計で複数の被観察試料の位置をそれぞれ測定するステップと、複数の被観察試料上のパターンの画像を取得するステップと、取得した画像および測定したそれぞれの被観察試料の位置をもとに各被観察試料の画像上のパターンの相対位置をそれぞれ算出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイスの製造プロセスをモニタする装置において，被評価パターンの断面形状，あるいは被評価パターンのプロセス条件，あるいは被評価パターンのデバイス特性を，パターンを非破壊で計測可能にする。
【解決手段】
露光プロセス，あるいはエッチングプロセスにおいて，被評価パターンのSEM像から，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を推定するのに有効な画像特徴量を算出し，前記画像特徴量を予めデータベースに保存しておいたパターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前期パターンのデバイス特性とSEM像から算出した前記画像特徴量とを関連づける学習データに照合することにより，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を算出する。 （もっと読む）

【課題】機差の発生要因を簡便に推定し、この推定結果を元に走査電子顕微鏡装置を較正することで、複数台の装置間における計測寸法差を低減させ、より高精度な配線パターンの寸法管理を可能とする機差管理装置を提供することにある。
【解決手段】走査電子顕微鏡装置において、装置間での機差や経時変化による機差を管理するシステム及びその方法であって、標準ウエハを撮像して得られる２次電子画像データを基に装置間や経時変化による機差を計測し、ほぼ同時に各種装置状態を示す指標値を計測する計測手段１０、３０１ａ、３０１ｂ；１８、３０１ａと、該計測手段によって計測された前記機差と前記各種装置状態を示す指標値との関係を分析して機差発生要因を推定する機差要因分析部３０１ｃ、３０１ｅと、該機差要因分析部で推定された機差発生要因を表示して出力する出力手段３０２とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦ露光用のフォトレジスト等、低Ｓ／Ｎの信号波形による寸法計測が必要な試料においても、精度の高い寸法計測を実現する電子線式寸法計測装置及びそれを用いた寸法計測方法を提供する。
【解決手段】電子線式寸法計測装置（測長ＳＥＭ装置）において、予め、寸法計測対象試料と同種のサンプル試料から得たサンプル信号波形（あるいは画像）の部分波形（あるいは部分画像）を登録しておき、寸法計測対象試料から得られた計測対象信号波形（あるいは画像）と前記サンプル登録波形の波形照合を行い、照合結果に基づき寸法計測対象パターンの寸法値を算出する。 （もっと読む）

【課題】微調整からレビューまでを完全に自動化で行なえる走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】座標補正後の補正精度を算出し、ベクトル３９を用いて表示する機能、得られた情報から座標補正後異物／欠陥を自動検出する際の探索時の倍率を自動で決定する機能、また探索倍率と測定条件から異物／欠陥の出現率とかかる時間を算出する機能を設けた。 （もっと読む）

【課題】ＷＣ基超硬合金に存在するＶとＷとＣｒを含む複炭化物相の面積率の測定方法を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金の複炭化物相の面積率を測定する方法であって、第１の手段はＷＣ基超硬合金の鏡面仕上げ面を作成する手段、第２の手段はＥＰＭＡのマッピング機能により複炭化物相のラインプロファイルを採取する手段、第３の手段はＴＥＭにより複炭化物相の形態とその寸法値を測定する手段、第４の手段は該ラインプロファイルと該寸法値より、複炭化物相のラインプロファイルの閾値を設定する手段、第５の手段は、複数の画像を閾値により２値化し、画像処理することにより複炭化物相の面積率を演算によって求める手段であり、該第１から該第５の手段を有する事を特徴とするＷＣ基超硬合金の複炭化物相の面積率の測定方法である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、名目上同一構造の規則的グリッド中の特定構造での、たとえば電子顕微鏡像フィールドの位置設定について説明する。そのような構造はたとえば、チップ上のメモリセルであって良い。そのようなメモリセルは近年、たとえば1μm²未満の領域を有し、1000*1000のセル中に配列されている。変位中、構造のグリッド距離よりも大きなエラーが発生する可能性があり、その結果、像フィールドは意図しない構造に調節される。
【解決手段】 本発明の本質は、変位が多数の成分変位にさらに分割可能なことであり、それにより、成分変位あたりのエラーはグリッド距離の半分未満になる。各成分を変位させた後に、変位を決定することで、成分変位あたりのエラーは排除可能となる。この方法は自動化に適しており、それにより補正技術の手段によって像変位が決定される。 （もっと読む）

【課題】 ２つの画像のパターンマッチングの成功率および精度を向上させ、しかも、測長などの検査作業の効率を低下させない画像処理装置、画像処理方法および走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 走査型顕微鏡１０は、第１の画像と第２の画像とのパターンマッチングを行なう画像処理装置４を含んで構成される。画像処理装置４は、第１の画像に基づき塗り分け画像を生成する塗り分け画像生成部４１と、塗り分け画像を平滑処理して重心分布画像を生成する重心分布画像生成部４２と、第２の画像に基づき輪郭線線分群を生成する輪郭線線分群生成部４３と、重心分布画像と前記輪郭線線分群とに基づきマッチングスコアを算出するマッチングスコア算出部４４と、前記マッチングスコアが最大になる位置を検出する最大スコア位置検出部４５とを含む。 （もっと読む）

【課題】試料の材質に依存することなく試料表面の電位を一定にして精度よく試料を測定することのできる電子ビーム寸法測定装置及び電子ビーム寸法測定方法を提供すること。
【解決手段】電子ビーム寸法測定装置は、電子ビームを試料の表面に照射する電子ビーム照射手段と、前記試料から放出される電子を検出する検出手段と、前記電子ビーム照射手段に前記試料から二次電子が放出する電圧よりも低い加速電圧で電子ビームを照射させ、前記検出手段からの信号に基づき前記試料の表面が一定の電位になったと判定したときに前記電子ビームの照射を停止させる制御手段とを有する。前記制御手段は、前記電子ビーム照射手段に、前記電子ビームを試料の表面全体に照射させてもよいし、前記電子ビーム照射手段に、前記電子ビームを試料の測定部位を中心とした所定の範囲に照射させてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、二次元領域を荷電粒子線走査する際の帯電の偏りを、抑制するのに好適な画像形成方法及び荷電粒子線装置の提供を目的とするものである。
【解決手段】本発明では、第１の走査線と第２の走査線との間に、第３の走査線を走査させ、当該第１の走査線と第３の走査線との間、及び第２の走査線と第３の走査線との間で、前記第１，第２、及び第３の走査線が走査された後に、複数本の走査線を走査する方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】複数のＣＤ計測ツール間の一貫した測定結果を検証する方法を提供する。
【解決手段】ＳＥＭの据付基部全体にわたる一貫した測定結果を保証するためにＣＤ−ＳＥＭをマッチする方法が開示され、フィールドごとの変動並びにレチクル及び露光ツールの非画一性がマッチング結果において効率よく抑制されるように、基板上の少なくとも２つの位置でレジストのフィーチャのフィーチャ・サイズを複数の走査電子顕微鏡のそれぞれを用いて測定する。 （もっと読む）

【課題】キャリブレーション時に生じるビームドリフトによる影響を抑制することができ、描画精度の向上に寄与する。
【解決手段】荷電ビーム描画装置の偏向器１２の偏向領域内に位置検出用のマークをマトリクス状に配置し、偏向器１２により荷電ビームを偏向することによって各々のマークの位置を測定し、測定結果に基づき偏向器１２の偏向感度の補正を行う方法であって、マーク位置の測定順をランダムに行う。 （もっと読む）

【課題】 手作業による不具合解析時などにおける測長検査の時間短縮を図ることが可能な走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）およびその画像表示方法を提供する。
【解決手段】 ＳＥＭ１は、ＳＥＭ画像取得部１１のほかに、試料１０５のＣＡＤデータに基づき生成され、その表面形状を表わしたＣＡＤ画像のデータを記憶するＣＡＤ画像記憶部１７を備える。まず、試料１０５の低倍率のＳＥＭ画像またはＣＡＤ画像を表示部１５に表示する。そして、その表示された画像の中で、操作情報入力部１６から拡大表示を指示する領域指定情報が入力されたときには、指定された領域の拡大ＣＡＤ画像を表示する。その後、その拡大ＣＡＤ画像の中で、拡大ＳＥＭ画像の表示を指示する領域記指定情報が入力されたときには、指定された領域に所定の電子ビームを照射し、その領域の拡大ＳＥＭ画像を取得し、その拡大ＳＥＭ画像を表示装置１５に表示する。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単で、試料の交換作業を短時間で行なえる真空搬送装置を実現し、しかも、占有面積が小さく、スループットを向上させた荷電粒子線検査装置を提供する。
【解決手段】２つの駆動源２，１０により回転および上下動作が可能なアーム１と、このアーム１の両端に、アーム１の回転に伴って回転するように支持されて試料を載置する第１のハンド２２と第２のハンド２３とを上下方向に離間させて配置して、アーム１の回転と上下動作の制御のみにより試料の搬送とその交換を可能した真空搬送装置２６を構成し、また、この真空搬送装置２６を荷電粒子線検査装置の予備排気室ではなく真空試料室内に配置した。 （もっと読む）

【課題】検査対象の表面の電位分布を均一にし、撮像した画像のコントラストを向上させる。
【解決手段】電子銃から放出された電子ビームを対象に照射し、対象から放出された電子を検出器を用いて検出し、前記対象の画像情報の収集、対象の欠陥の検査等を行う撮像装置において、前記対象に帯電した電荷を均一化若しくは低減化する手段を有する。 （もっと読む）

【課題】構造の３次元表面粗さを測定する改良された方法を提供すること。
【解決手段】事前に選択された測定距離にわたって事前に選択された間隔において、対象フィーチャの断面または「スライス」の連続をミリングするために、集束イオン・ビームが使用される。各断面が暴露される際、フィーチャの該当寸法を測定するために、走査電子顕微鏡が使用される。次いで、これらの連続「スライス」からのデータは、フィーチャについて３次元表面粗さを決定するために使用される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成された微細パターン及びそれを露光した露光装置の評価と異常検知を行う。
【解決手段】ステッパにより露光した微細パターンに対しエッジ検出を行い、個々のパターンに対してレジスト表面及び底面におけるパターン形状を検出する。検出されたレジスト表面及び底面のパターンの位置関係を示す位置ずれベクトルを算出、画面表示することで微細パターンの評価を行う。更にチップ、１ショット、ウエハの複数位置の微細パターンで同様に位置ずれベクトルを算出し、各場所における位置ずれベクトルの大きさ、分布状況を特徴量として分類、その傾向を各範囲内で分析することで露光装置あるいはウエハの異常検知を行う。 （もっと読む）