【課題】複数のＣＤ計測ツール間の一貫した測定結果を検証する方法を提供する。
【解決手段】ＳＥＭの据付基部全体にわたる一貫した測定結果を保証するためにＣＤ−ＳＥＭをマッチする方法が開示され、フィールドごとの変動並びにレチクル及び露光ツールの非画一性がマッチング結果において効率よく抑制されるように、基板上の少なくとも２つの位置でレジストのフィーチャのフィーチャ・サイズを複数の走査電子顕微鏡のそれぞれを用いて測定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、二次元領域を荷電粒子線走査する際の帯電の偏りを、抑制するのに好適な画像形成方法及び荷電粒子線装置の提供を目的とするものである。
【解決手段】本発明では、第１の走査線と第２の走査線との間に、第３の走査線を走査させ、当該第１の走査線と第３の走査線との間、及び第２の走査線と第３の走査線との間で、前記第１，第２、及び第３の走査線が走査された後に、複数本の走査線を走査する方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】 手作業による不具合解析時などにおける測長検査の時間短縮を図ることが可能な走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）およびその画像表示方法を提供する。
【解決手段】 ＳＥＭ１は、ＳＥＭ画像取得部１１のほかに、試料１０５のＣＡＤデータに基づき生成され、その表面形状を表わしたＣＡＤ画像のデータを記憶するＣＡＤ画像記憶部１７を備える。まず、試料１０５の低倍率のＳＥＭ画像またはＣＡＤ画像を表示部１５に表示する。そして、その表示された画像の中で、操作情報入力部１６から拡大表示を指示する領域指定情報が入力されたときには、指定された領域の拡大ＣＡＤ画像を表示する。その後、その拡大ＣＡＤ画像の中で、拡大ＳＥＭ画像の表示を指示する領域記指定情報が入力されたときには、指定された領域に所定の電子ビームを照射し、その領域の拡大ＳＥＭ画像を取得し、その拡大ＳＥＭ画像を表示装置１５に表示する。 （もっと読む）

【課題】キャリブレーション時に生じるビームドリフトによる影響を抑制することができ、描画精度の向上に寄与する。
【解決手段】荷電ビーム描画装置の偏向器１２の偏向領域内に位置検出用のマークをマトリクス状に配置し、偏向器１２により荷電ビームを偏向することによって各々のマークの位置を測定し、測定結果に基づき偏向器１２の偏向感度の補正を行う方法であって、マーク位置の測定順をランダムに行う。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単で、試料の交換作業を短時間で行なえる真空搬送装置を実現し、しかも、占有面積が小さく、スループットを向上させた荷電粒子線検査装置を提供する。
【解決手段】２つの駆動源２，１０により回転および上下動作が可能なアーム１と、このアーム１の両端に、アーム１の回転に伴って回転するように支持されて試料を載置する第１のハンド２２と第２のハンド２３とを上下方向に離間させて配置して、アーム１の回転と上下動作の制御のみにより試料の搬送とその交換を可能した真空搬送装置２６を構成し、また、この真空搬送装置２６を荷電粒子線検査装置の予備排気室ではなく真空試料室内に配置した。 （もっと読む）

【課題】低倍率のＳＥＭ像で欠陥を検出し、高倍率のＳＥＭ画像で欠陥を観察する半導体デバイスの欠陥レビューにおいて、欠陥レビューの効率をあげて短時間に多数に欠陥をレビューできるようにする。
【解決手段】半導体デバイスの欠陥を観察する方法において、検査装置で検出した半導体デバイス上の欠陥を走査型電子顕微鏡を用いて第１の倍率で欠陥を含む画像を取得し、この取得した第１の倍率の欠陥を含む画像から参照画像を作成し、取得した第１の倍率の欠陥を含む画像とこの第１の倍率の欠陥を含む画像から作成した参照画像とを比較して欠陥を検出し、検出した欠陥を第１の倍率よりも大きい第２の倍率で撮像するようにした。 （もっと読む）

【課題】検査対象の表面の電位分布を均一にし、撮像した画像のコントラストを向上させる。
【解決手段】電子銃から放出された電子ビームを対象に照射し、対象から放出された電子を検出器を用いて検出し、前記対象の画像情報の収集、対象の欠陥の検査等を行う撮像装置において、前記対象に帯電した電荷を均一化若しくは低減化する手段を有する。 （もっと読む）

【課題】構造の３次元表面粗さを測定する改良された方法を提供すること。
【解決手段】事前に選択された測定距離にわたって事前に選択された間隔において、対象フィーチャの断面または「スライス」の連続をミリングするために、集束イオン・ビームが使用される。各断面が暴露される際、フィーチャの該当寸法を測定するために、走査電子顕微鏡が使用される。次いで、これらの連続「スライス」からのデータは、フィーチャについて３次元表面粗さを決定するために使用される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成された微細パターン及びそれを露光した露光装置の評価と異常検知を行う。
【解決手段】ステッパにより露光した微細パターンに対しエッジ検出を行い、個々のパターンに対してレジスト表面及び底面におけるパターン形状を検出する。検出されたレジスト表面及び底面のパターンの位置関係を示す位置ずれベクトルを算出、画面表示することで微細パターンの評価を行う。更にチップ、１ショット、ウエハの複数位置の微細パターンで同様に位置ずれベクトルを算出し、各場所における位置ずれベクトルの大きさ、分布状況を特徴量として分類、その傾向を各範囲内で分析することで露光装置あるいはウエハの異常検知を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成された微細パターン及びそれを露光した露光装置の評価と異常検知を行う。
【解決手段】ステッパにより露光した微細パターンに対しエッジ検出を行い、個々のパターンに対してレジスト表面及び底面におけるパターン形状を検出する。検出されたレジスト表面及び底面のパターンの位置関係を示す位置ずれベクトルを算出、画面表示することで微細パターンの評価を行う。更にチップ、１ショット、ウエハの複数位置の微細パターンで同様に位置ずれベクトルを算出し、各場所における位置ずれベクトルの大きさ、分布状況を特徴量として分類、その傾向を各範囲内で分析することで露光装置あるいはウエハの異常検知を行う。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム描画時のビーム寸法精度を向上させ、ひいてはレジストパターン寸法精度を向上させ得る荷電ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】描画時に行うビーム寸法校正を、描画装置によって決まる描画フィールド内の各点で行い（ステップＳ１）、描画フィールド内の各点でのビーム寸法校正関数を求め（ステップＳ２）、これを用いて試料に描画する（ステップＳ４）。この際、描画フィールド内の各点での歪によるビーム寸法変換差に加えて、描画後のレジスト寸法への変換差も見込んで寸法校正関数を求め（ステップＳ３）、これを用いて描画を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電子線の照射によってシュリンクを起こすパターンを測定する際に、そのシュリンクの発生を抑制することで、正確なパターンの寸法測定を可能とすることにある。
【解決手段】Ｘ方向の測定倍率と当該Ｘ方向の測定倍率より低倍率であるＹ方向の倍率の組み合わせを複数記憶する記憶装置に記憶された倍率の組み合わせに基づいて、前記Ｘ方向が短辺であり前記Ｙ方向が長辺である矩形状に電子線を偏向させ、パターンのＹ方向の形状がＸ方向に対し狭まるように表示し、当該表示領域に表示されたパターン画像に基づいて、前記パターンのＸ方向の寸法を測定する。 （もっと読む）

【課題】オペレータフリーな完全自動化された高スループットを実現するパターンマッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明は、設計データと走査型電子顕微鏡にて取得される画像との間でパターンマッチングを行うパターンマッチング方法及び装置であって、設計データをビットマップに変換して、当該ビットマップ化された設計データと、走査型電子顕微鏡によって取得された画像とのマッチングを行うことを特徴とする。ビットマップは、エッジ強調が行われた後に、マッチング処理が行われる。このエッジ強調が行われたビットマップには、さらに、平滑化処理が施された後に、マッチング処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造過程にあるウェハ上の半導体装置の同一設計パターンの欠陥，異物，残渣等を電子線により検査する回路パターン検査装置において、条件設定の効率、検査時間の短縮及び検査の信頼性を向上する。
【解決手段】欠陥の存在を検出する為の大電流高速画像形成用の検出信号処理回路と、この欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位の画像形成用の検出信号処理回路とを独立に設ける。または、欠陥検出検査の為の第１の電子光学系と欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位を観察するレビュー専用の第２の電子光学系とを同一の真空容器内に並べて収容する。または欠陥検出検査の為の第１の検出器とこの欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位を観察するレビュー専用の第２の検出器とを設ける。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭ装置等において、撮像レシピを自動作成するための選択ルールを教示により最適化できるようにした撮像レシピ作成装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピを作成する撮像レシピ作成装置であって、半導体パターンのレイアウト情報を低倍視野で入力して記憶したデータベース８０５と、該データベースに記憶した半導体パターンのレイアウト情報を基に、教示により最適化された撮像ポイントを選択する選択ルールを含む自動作成アルゴリズムに従って前記撮像レシピを自動作成する撮像レシピ作成部８０６、８０９とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ装置等において、観察画像からパターンの配線幅などの各種寸法値を計測してパターン形状の評価を行うための撮像レシピを、ＣＡＤデータから変換されたＣＡＤ画像を用いた解析により自動生成して生成時間の短縮を図った撮像レシピ作成装置及びその方法を提供する。
【解決手段】走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピ作成装置において、ＣＡＤデータを基に画像に変換してＣＡＤ画像を作成するＣＰＵ（ＣＡＤ画像作成部）１２５１を、画像量子化幅決定処理部１２５１１と明度情報付与処理部１２５１２とパターン形状変形処理部１２５１３とで構成する。 （もっと読む）

【課題】ミラー電子結像を使った電子線式検査装置において、従来のグリッド電極を用いた帯電制御電極と二次電子を発生させる照射ビームとの組み合わせでは、ミラー電子結像にコントラスト異常を生じさせるような帯電電位の不均一が生じてしまい、正しい欠陥検査が行えなかった。
【解決手段】帯電制御電極の構造をグリッドからスリットに変更し、ウェハのビーム照射において影を作らない構成にした。また、帯電制御スリットの前段にビーム成形スリットを配し、予備帯電のための電子ビームが帯電制御スリットに照射され帯電制御を擾乱する2次電子の発生を抑制した。スリット形状を電子ビーム照射領域の長手方向の両端に向かって、電子線強度が緩やかに減少するような形状とした。また、予め不本意に形成されてしまった帯電電位分布を、除去あるいは減じる予備除帯電装置を設けた。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡応用装置および試料検査方法において、試料の帯電を制御することができる技術を提供する。
【解決手段】光電子２を放出する帯電制御電極４を、ウェハ３（試料）の直上に平行に配置し、且つ、帯電制御電極４を通して紫外光をウェハ３に照射できるように、貫通する孔を持つ構造とした。具体的には、メッシュ形状もしくは１つあるいは複数の孔が開いた金属板を帯電制御電極４とする。帯電制御電極４を試料の直上に平行に設置することで、負電圧を印加した場合、ウェハ３に対してほぼ垂直に電界が発生する為、光電子２が効率良くウェハ３に吸着する。また、ウェハ３と同程度の大きさを持つ帯電制御電極４を使用する事で、ウェハ３全面の帯電を一括で均一に除去でき、処理にかかる時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】試験片のマクロまたはミクロの変形の測定を含め、試験片の変形特性を決定するために試験片にマークを付けて測定するための方法および装置を提供すること。
【解決手段】試験片にマークを付けて測定するための方法および装置であって、エネルギー式システムを用いて試験片の変形特性を決定するために高解像度ゲージマークを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハ検査で、高分解能を維持して浅い凹凸、微小異物のレビュー、分類を高精度に行う目的で、二次電子を検出系の中心軸を合わせると共に、検出系の穴による損失を避けて高収率な検出を実現する。
【解決手段】高分解能化可能な電磁界重畳型対物レンズにおいて、試料２０から発生する二次電子３８を加速して対物レンズ１０による回転作用の二次電子エネルギー依存性を抑制し、電子源８と対物レンズ１０の間に設けた環状検出器で二次電子の発生箇所から見た仰角の低角成分と、高角成分を選別、さらに方位角成分も選別して検出する際、加速によって細く収束された二次電子の中心軸を低仰角信号検出系の中心軸に合わせると共に、高仰角信号検出系の穴を避けるようにＥｘＢで二次電子を調整・偏向する。 （もっと読む）