【課題】従来困難とされていた凹凸の大きく激しい表面構造や試料内部に埋設された特定構造物と、この特定構造物とは深さの異なる深さに埋設された構造物との距離を測定し得るようにする。
【解決手段】試料２の内部に埋設された特定構造物としての配線パターンに到達し、特定構造物で反射して試料表面から脱出するに足る入射エネルギーで配線パターンを含む領域に荷電粒子としての電子ビームを照射して走査する。特定構造物で反射した反射ビームと試料表面から脱出する際に試料表面で放出させる二次電子ビームを検出し、特定構造物と、その特定構造物の埋設深さとは異なる深さに埋設された構造物との距離を測長する。 （もっと読む）

【課題】半導体試料等の表面に形成されたパターン等の体積減少を抑制、或いは減少に関わらず正確な測長を行う。
【解決手段】荷電粒子線を試料上で走査し、試料より放出された二次電子に基づいて、試料上に形成されたパターン等の線幅等を測長する荷電粒子線装置において、試料の物性に基づいて決定される照射密度を上回らないように前記荷電粒子線の走査線間隔を設定する。或いは予め記憶された近似関数に基づいて測長値を演算する。 （もっと読む）

【課題】 荷電ビームを用いて寸法測定パターンの測長を行う際に、正確に寸法測定を行うことができる寸法測定パターン及び寸法測定方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成され、荷電ビームを用いた寸法測定に使用される寸法測定パターンにおいて、寸法が測定される測長部６を有するメインパターン１０ｍと、メインパターン１０ｍに隣接して、前記荷電ビームの合焦点位置が前記測長部６と等価であるサブパターン１０ｓを設ける構成とする。
上記構成によれば、荷電ビームのフォーカスをサブパターン１０ｓで合わせることで、測長部６にフォーカスを合わせることが可能となる。したがって、フォーカス合わせ中に測長部６にコンタミネーションが付着したり、測長部がチャージアップしたりすることがなく、測長部６の寸法を正確に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】 アライメントマークが認識領域から外れた状況下でも、比較的短時間でアライメントマークを検出することを可能とするアライメントマーク、及びアライメントマークの検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明のアライメントマーク１は、位置検出に使用されるメインパターン１ｍと、メインパターン１ｍの周囲に近接して設けられた複数のサブパターン１ｓを備える。サブパターン１ｓはメインパターン１ｍと異なる形状を有しており、メインパターン１ｍとサブパターン１ｓとの間隔を、位置ずれによりメインパターン１ｍが認識領域外に位置するときに、少なくとも１のサブパターン１ｓが認識領域内に位置する間隔とすることで、サブパターン１ｓによりフォーカスを合わせることが可能となる。認識エラーによる測長ＳＥＭの動作停止を回避することができるとともに、比較的短時間で、位置検出を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームの照射により生じる基板電流を検出する技術をさらに改善し、コンタクトホールの詳細な形状や半導体デバイスの内部状態を非破壊で検査する。
【解決手段】 平行電子ビーム２を試料５に照射して試料５に流れる電流を電流計９により測定する。電子ビーム２の加速電圧を変えて測定を繰り返し、データ処理装置１０において、加速電圧の違いによる試料５への電子ビーム２の透過率の違いに基づく電流値の違いから、試料５の深さ方向の構造に関する情報を求める。 （もっと読む）

【課題】
測長ＳＥＭは、高真空に保たれた試料室にウェーハを搬入して半導体デバイスの線幅や穴径を測長する装置であり、測長ＳＥＭを使用して、真空中の装置状態を容易に把握する。他の真空装置についても適用できるようにする。
【解決手段】
真空中の駆動系の状態、真空バルブ、真空状態や電子光学系の状態を画面化したことにより真空中の装置状態の把握を可能とした。また、各種センサのＯＮ／ＯＦＦタイミング、Ｏｐｅｎ／Ｃｌｏｓｅタイミングおよび真空の状態をタイミングチャート化し時間計測や、リファレンスデータとの比較を可能とした。
この機能を有することにより、装置保守点検や装置修理時に的確な判断を行う
。 （もっと読む）

検出されたウェハ欠陥座標値をＣＡＤデータを用いてレチクル座標値に変換する為のシステムと方法が記載される。ウェハ検査画像が得られ、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値が測定される。その後、前記ウェハ検査画像は、所定の画像フォーマットに変換される。試験中のデバイスのＣＡＤデータは、その後第２の画像作成の為に用いられが、その際も前記の所定の画像フォーマットによる。前記ＣＡＤ由来の画像と前記ウェハ由来の画像は、その後整合され、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値は、ＣＡＤ座標値に変換される。その後前記ＣＡＤ座標値は、前記検出されたウェハ欠陥に相当するレチクル欠陥の位置を特定するために、前記ウェハに代わって前記レチクルを介して進路を指示するように使用される。
（もっと読む）

精度及び正確度に基づいて全体の測定不確実性（ＴＭＵ）を求めることによって、測定装置を評価し、最適化する方法及び関連したプログラムである。ＴＭＵは、線形回帰分析に基づいて、正味残余誤差から基準測定システムの不確実性（Ｕ_ＲＭＳ）を除去することによって計算される。ＴＭＵは、被試験測定システムが製品の実際のばらつきを検出する能力を有するかどうかについて客観的かつより正確に表示する。
（もっと読む）

【課題】走査型顕微鏡を用いた半導体装置検査工程においてパターンのラインエッジ形状を高精度で広範囲に渡って抽出するための各種パラメータを簡便に最適化する。
【解決手段】走査型顕微鏡の制御系ないし隣接する端末から画像処理工程で必要になる各種パラメータのうち操作者に理解しやすいものを入力すると、残りのパラメータが自動的に最適化されるようにする。必要な走査線の本数が装置側の可能な値を超えた場合は複数の画像データに分けて走査し取得した画像を重ね合わせて1枚の画像とする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、ウエハ上面からの観察のみで入射電子線に対して影になる部分やウエハ内に埋設された構造の検査および定量評価を行い、三次元構造の表示を行なう検査装置および方法を提供する。
【解決手段】ウエハ表面の一部分を透過し、電子ビームに対して露出しない部分に到達し得るエネルギーを有する電子ビームを照射して、二次的に発生する信号による走査像を取得し(40)、パターンの立体モデルを生成する工程(41)と、得られた二次信号からパターンのエッジの位置情報を検出する工程(44)と信号強度を検出する工程(45)と、検出した情報から被検査パターンの特徴量を算出する工程(46)と、算出したパターンの特徴量から立体構造を構築し、パターンの三次元構造を表示する(47)工程により三次元構造を評価する。 （もっと読む）

【課題】 潜像担持体の表面に形成された潜像を正確に測定できる静電潜像測定装置並びにこれを用いた潜像担持体の評価方法及び装置を提供する。
【解決手段】 感光体試料５０を帯電させる試料設置部３０と、帯電した感光体試料５０の試料面に光を照射して静電潜像を形成する露光部２０と、静電潜像が形成された光導電性試料の試料面に荷電粒子ビームを照射する荷電粒子照射部１０と、荷電粒子ビームが照射されることによって感光体試料５０の試料面から放出された二次荷電粒子を検出する二次電子検出部４０と、二次電子検出部の検出結果に基づいて感光体試料５０の試料面における電荷の分布状態を測定する電荷分布状態測定手段と、感光体試料５０の試料面の電界強度のバイアス成分を変える試料バイアス成分変更手段とを有する静電潜像測定装置であって、試料バイアス成分変更手段は、感光体試料の試料面上に配置された透明導電性部材６０を含む。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線応用装置及び測長装置などにおける所要の倍率範囲における倍率誤差を小さくする。
【解決手段】試料に対する倍率を実測した第１の画像を記録し、試料に対する倍率が未知の第２画像を記録し、画像解析を用いて第１の画像に対する第２の画像の倍率を解析することによって、試料に対する第２の画像の倍率を実測する。以後、第２の画像を第１の画像として上記倍率解析を繰り返す事により、全倍率範囲において倍率を実測する。全倍率範囲で試料に対する画像の倍率を実測して校正することにより、倍率誤差を一桁小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】環境条件の変動による感光体の表面帯電位の変動を抑制し、画像品質への影響を少なくして、より安定した画像品質が得られる電子写真感光体、その製造方法およびそれを搭載した電子写真装置の提供。
【解決手段】導電性基体上に浸漬塗布法による下引き層と感光層とをこの順に備える電子写真感光体において、下引き層が少なくとも顔料と結着樹脂とを含有し、顔料成分と樹脂成分の合計重量に対する顔料成分の重量比率が４０重量％以上７５重量％未満であって、かつ、下引き層表面の樹脂偏析層の膜厚が２５ｎｍ以下である電子写真感光体とする。 （もっと読む）

パターンを走査する為の装置および方法。方法は、（ｉ）第１走査路に沿ってパターンと相互作用する等の為に荷電粒子ビームを導くステップと、（ｉｉ）第２走査路に沿ってパターンと相互作用する等の為に荷電粒子ビームを導くステップと、を含む。ビームとの相互作用の結果、パターンは、その特性の一つを変える。第１走査路と第２走査路間の距離は、荷電粒子径より大きくてもよい。第１走査路と第２走査路の各々は、複数の連続したサンプルを含み、第１走査路と第２走査路との間の距離は、隣接したサンプル間の距離より大きくてもよい。走査路の位置は、測定間、特に、測定セッション間で変更してもよい。荷電粒子ビームの横断面は、楕円面でもよい。
（もっと読む）

【課題】微細ラインパターン上のエッジラフネスのうち、デバイスの作成上あるいは材料やプロセスの解析上特に評価が必要となる空間周波数の成分を抽出し、指標で表す。
【解決手段】エッジラフネスのデータは十分長い領域に渡って取得し、パワースペクトル上で操作者が設定した空間周波数領域に対応する成分を積算し、測長SEM上で表示する。または、十分長い領域のエッジラフネスデータを分割し、統計処理と理論計算によるフィッティングを行って、任意の検査領域に対応する長周期ラフネスと短周期ラフネスを算出し測長SEM上で表示する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク又はウェハのパターンを電子顕微鏡（ＳＥＭ）から撮像し、得られたパターン画像を計測する方法において、そのパターン画像特有のチャージアップやフォーカスのボケによるパターン計測の信頼性の低下を防ぎ、パターン計測結果の信頼性を高めることを目的とする。
【解決手段】計測対象のパターンのＳＥＭ画像を取得し、計測するパターンを輪郭線を抽出処理し、該輪郭線の各点の近傍領域の濃度値から判別分析処理を行い判別分析処理によって算出したη値を統計解析処理し、画質の定量化し、信頼度の判定処理することにより、前記パターン計測の結果の信頼度を向上させるが可能となるパターン画像計測方法。 （もっと読む）

本発明は試料表面を検査する方法に関する。この方法は、試料表面に向けて誘導される複数の一次ビームを発生するステップと、複数の一次ビームを、試料表面上のそれぞれの位置に集束させるステップと、一次ビームが入射するとすぐ、試料表面から発生する荷電粒子の、複数の二次ビームを収集するステップと、収集された二次ビームの少なくとも１つを光学ビームに変換するステップと、光学ビームを検出するステップとを含む。
（もっと読む）

【課題】 画像表示モニターに表示された寸法測定パターン画像の倍率誤差に起因する寸法測定誤差を低減し、正確な寸法測定値を得る。
【解決手段】 寸法を測定すべき第１のパターンと少なくとも２本のラインパターンを並べて配列された第２のパターン１６，１７とが基板上に形成され、第１のパターンを横切るように電子線を照射し、第１のパターンからの二次電子信号を検出することにより第１のパターンの寸法を測定可能な顕微鏡装置を用いたパターン寸法測定方法であって、顕微鏡装置を用いて第２のパターンのピッチを二次電子信号１８を検出することにより測定するとともに予め第２のパターンの真のピッチを求めるステップと、第１のパターンの寸法を測定するステップと、第１のパターン寸法の測定値、第２のパターンピッチの測定値および真のピッチから第１のパターンの真の寸法を求めるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭの２次電子画像信号量の傾斜角依存性を利用して平坦な面や垂直に近い面についても高精度な立体形状計測を可能にしたＳＥＭによる立体形状計測方法およびその装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、被計測対象パターンにおいて傾斜角変化に対して感度が低い領域（平坦部領域）ａ、ｃ１については、チルト像取得部１５２１で観察方向φ（２）からチルト像（チルト２次電子画像）Ｉ（２）を取得し、形状計測部１５２３，１５２４で取得されるチルト像を用いて勾配（表面傾斜角）を推定し、該推定された勾配推定値（表面傾斜角推定値）を積分することによって立体形状Ｓ２ａ、Ｓ２ｃの計測を行うことで、高精度な３次元プロファイル（立体形状）の計測を可能にすることにある。 （もっと読む）

【課題】 同一寸法校正パターンへの位置決めを可能にする。
【解決手段】 不連続な格子状の寸法校正パターン26とその近傍に特定の位置決め用アライメントパターンを形成する。 （もっと読む）