【課題】 全てのＴＦＴアレイ基板についての欠陥の抽出結果が求めると共に、検査時間を短時間とする。また、多数の欠陥を含むＴＦＴアレイ基板について、欠陥の抽出結果を短時間で得る。
【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板検査装置１は、ＴＦＴアレイ基板９の各ピクセルの駆動状態を表す画像データを用いてＴＦＴアレイ基板を検査する検査装置において、画像データに基づいてピクセルが構成するパネルの欠陥判定を行うデータ処理部１０を備える。データ処理部１０は、画像データからピクセルを欠陥判定する機能と、基板上のパネルが備えるピクセルから複数のピクセルをランダムにサンプリングする機能と、ランダムサンプリングで得られたピクセルから欠陥ピクセルを抽出する機能と、欠陥ピクセルの発生頻度を評価し、この評価結果に基づいて前記欠陥判定の判定精度を選択する機能の各機能を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハ検査で、高分解能を維持して浅い凹凸、微小異物のレビュー、分類を高精度に行う目的で、二次電子を検出系の中心軸を合わせると共に、検出系の穴による損失を避けて高収率な検出を実現する。
【解決手段】高分解能化可能な電磁界重畳型対物レンズにおいて、試料２０から発生する二次電子３８を加速して対物レンズ１０による回転作用の二次電子エネルギー依存性を抑制し、電子源８と対物レンズ１０の間に設けた環状検出器で二次電子の発生箇所から見た仰角の低角成分と、高角成分を選別、さらに方位角成分も選別して検出する際、加速によって細く収束された二次電子の中心軸を低仰角信号検出系の中心軸に合わせると共に、高仰角信号検出系の穴を避けるようにＥｘＢで二次電子を調整・偏向する。 （もっと読む）

【課題】オーバーレイバーニアの整列に関する情報と、リアルセル内のパターンの整列に関する情報と、が一致しない現象を防止することで、リアルセル内のパターンを正確に整列できるオーバーレイバーニアを提供する。また、前記オーバーレイバーニアを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】リアルセル１１０内に配置されるパターン１１１と同一のレイアウトを有するオーバーレイバーニアパターン１２１を含んでオーバーレイバーニアを構成する。 （もっと読む）

【課題】
非破壊でエッチング後パターンの立体形状を定量的に評価する方法がなかった
。このため、エッチング条件出しに多くの時間とコストがかかっていた。また、
従来の寸法測定のみでは、立体形状の異常を検知することができず、エッチング
プロセス制御が困難であった。
【解決手段】
ＳＥＭ画像の信号量変化を利用して、エッチング加工ステップに対応したパタ
ーンの立体形状情報を算出することにより、立体形状を定量的に評価する。また
、えられた立体形状情報に基づいて、エッチングプロセス条件出しやプロセス制
御を行う。
【効果】
非破壊で、エッチング後パターンの立体形状を定量的に評価することが可能と
なる。また、エッチングプロセスの条件出しの効率化がはかれる。さらに、エッ
チングプロセスの監視あるいは制御を行うことにより、安定なエッチングプロセ
スを実現できる。
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【課題】電子ビーム装置で用いられる偏向校正を高精度で行う電子ビーム校正技術を提供する。
【解決手段】電子ビームの走査方向に対して格子の方向を水平方向になるように一次元回折格子を配置させ、かつ格子のピッチ寸法に一致するように電子ビーム走査を垂直方向に移動させながら水平に走査する。得られた二次電子信号像から、モアレ干渉縞の有無で電子ビームの走査に対する垂直方向の偏向校正が正しく行われているか判定できる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの性能保障に必要なパターン寸法を精度良く測定するためのパターン寸法測定方法および装置を提供する。
【解決手段】パターン測定装置のパターン測定結果判定手段がパターン測定結果を妥当か否か判断する工程Ｓ１と、パターン測定結果を妥当でないと判定した場合に、測定カーソル最適化手段により測定カーソルの大きさまたは位置を修正する工程Ｓ２と、大きさまたは位置が修正された測定カーソルを用いてパターン寸法測定手段によりパターン寸法の測定を行う工程Ｓ３とを含み、工程Ｓ１がパターン寸法測定結果を妥当であると判断するまで、工程を繰り返すものである。 （もっと読む）

【課題】容易に調整可能で焦点深度の深い、収差補正手段を備えた走査形荷電粒子顕微鏡を提供する。
【解決手段】複数開口をもつ絞りを使用することにより、収差の補正状態をSEM画像から判定して、収差補正手段の調整にフィードバックする。略輪帯形状の絞りを収差補正手段と併用する。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造工程における材料、プロセス、露光光学系の特徴が現れる、微小パターンのラインエッジ形状の分析を非破壊検査により行い、定量的に分析し、製造工程の欠陥や観察装置の画像歪みを見出すパターンエッジ形状検査方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成されたパターンを荷電粒子線を用いた走査型顕微鏡により観察して（４１）得られる２次電子強度あるいは反射電子強度の２次元分布情報（４２）からパターン形状を検査する方法であって、２次元面内におけるパターンのエッジの位置を表すエッジ点の集合をしきい値法により検出する工程（４５）と、検出されたエッジ点の集合に対する近似線を得る工程（４８）と、エッジ点の集合と近似線との差を算出する（４９）ことにより、エッジラフネス形状と特性を求める工程とを具備し、しきい値法に用いるしきい値として、複数個の値を用いる。 （もっと読む）

【課題】２段電子線バイプリズム干渉計は１段での電子線バイプリズム干渉計に、飛躍的な自由度の増加を与える光学系であるが、フィラメント電極によって作られる電子線ホログラムの形状の１次元性、さらに干渉領域幅の方向と干渉縞の方位に関しては、１段電子線バイプリズム光学系と同じであった。すなわち、干渉領域幅はフィラメント電極の方向に一致してその長方向が定まり、干渉縞の方位は、干渉領域幅の長方向に一致かつ平行するのみであった。
【解決手段】上、中、下３段電子線バイプリズムを持った構造とするとともに、これら３段電子線バイプリズムのフィラメント電極間のアジムス角Φを操作することにより、干渉領域とその中に形成される干渉縞の方位角θを任意にコントロール可能とすることに加えて、フレネル縞発生の抑制と干渉縞間隔ｓと干渉縞の方位角θの独立したコントロールを可能とする。 （もっと読む）

【課題】 基板の欠陥を高感度で検出する。
【解決手段】 二次電子ビームの焦点面に、検査対象部位に応じた形状およびサイズの複数の開口絞りが設けられた可動絞り板８１を設置し、任意の検査対象部位から高い二次電子放出比で放出される二次電子ビームが可動絞り板８１を通過してＭＣＰ検出器３１の検出面で結像するように絞り８１Ｂα〜８１Ｂγ，８１Ｄα〜８１Ｄγを選択する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上に転写・形成された半導体集積回路パターンの高精度膜厚測定を非破壊検査で可能とする膜厚計測方法を提供する。
【解決手段】 製品パターンの製品２次電子信号波形を取得するステップ、製品２次電子信号波形から複数の製品特徴量を抽出するステップ、製品パターンと寸法規格が同じテストパターンの複数のモデル特徴量と複数の露光条件のそれぞれを未知数とする、予め算出された複数のモデル関数を用い、製品パターンの膜厚を計測するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡システムにおける３次元トモグラフィ・イメージ生成のための方法と装置を提供する。
【解決手段】標本の上端表面上に少なくとも２つの縦のマークを備え、それらの間に角度を持たせる。連続するイメージ記録において、それらのマークの位置が決定され、連続するイメージ記録の間において取り出されたスライスの厚さの定量化に使用される。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子ビーム描画装置のビーム位置補正を精度良く行う方法を実現する。
【解決手段】 メトロロジー測定を複数のマーク位置について正順および逆順でそれぞれ行ってマーク位置ごとの位置誤差とピッチング値またはヨーイング値を互いに垂直な２軸方向において求め（１０１）、位置誤差とピッチング値またはヨーイング値について正順と逆順の差をマーク位置ごとに互いに垂直な２軸方向において求め（１０１）、アッベエラーによるマーク位置ごとのビーム位置補正効果を予め仮定された複数のアッベエラーについてそれぞれシミュレーションして、位置誤差の正順と逆順の差が複数のマーク位置を通じて互いに垂直な２軸方向においてそれぞれ最小となる２種類のアッベエラーを互いに垂直な２軸方向のアッベエラーとしてそれぞれ特定し（１０３）、それらアッベエラーを用いてビーム位置を補正する（１０４）。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で高精度かつ迅速にパターン形状を評価する。
【解決手段】 被評価パターンＰ２の輪郭を検出し、許容値Ｌが予め与えられた基準パターンであってパターンＰ２の評価基準となる基準パターンＲＰ２の輪郭を検出し、基準パターンＲＰ２の輪郭と許容値Ｌに基づいてパターンＰ２の許容範囲ＡＳ２を生成し、検出されたパターンＰ２の輪郭と許容範囲ＡＳ２との相対位置関係を求めることによりパターンＰ２の輪郭と前記許容範囲との包含関係を判定し、さらに、その判定結果に基づいてパターンＰ２の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】 短時間でかつ高い精度でパターンの形状評価及び位置合わせを行なう。
【解決手段】 検査パターンの輪郭データと設計パターンの距離変換データとの演算により距離輪郭データを生成し、この距離輪郭データに基づいて形状一致度を算出する。 （もっと読む）

【課題】 膜厚測定方法及び膜厚測定装置に関し、簡便かつ迅速に薄膜の厚さおよび組成変化を測定する。
【解決手段】 薄膜の表面に加速したイオン４を照射し、その表面から放出される二次電子５に起因する試料電流により薄膜の厚さを測定する。 （もっと読む）

【課題】
従来は、二次元又は三次元形状計測の際に用いた計測手法固有の形状算出式のパラメータと形状指標値とを関連づけ，前記パラメータを調整することにより，形状を補正する場合、補正による形状変形の自由度も形状の算出に用いられるモデル式に依存するため，多くの形状バリエーションをもつ補正対象には不向きであった。
【解決手段】
本発明では、任意の三次元形状計測手法によって計測された半導体パターンの三次元形状に曲線式を当てはめ，別途算出した形状指標値に基づいて前記曲線式のパラメータを調整することによって前記三次元形状を補正するようにした。前記形状指標値と前記パラメータとの関係をデータベースに蓄積し，計測時は前記関係をもとに計測形状の補正が実施されるようにした。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム露光装置の持つ光を越える優れた解像力と光ステッパの持つ高いスループットの双方を生かし、微細パターンを高いスループットで形成することができ、かつパターンの重ね合わせ精度の向上をはかる。
【解決手段】 ウェハ５上に形成されたレジストに所望パターンを露光してレジストパターンを形成するパターン形成方法において、感光材が塗布された下地基板のパターンを、感光材に電子ビームを照射することにより該感光材から放出される二次電子の情報に基づいて検出し、該検出されたパターンに位置合わせして露光を行う。 （もっと読む）

【課題】
設計データと実際のパターン間の位置あわせするための確たる基準がなく、設計データが示す理想パターンに対し、測定対象パターンがどの程度ずれて形成されているのか等、何らかの基準に基づいて、測定することができなかった。
【解決手段】
上述のような問題を解決するため、測定個所から離間した位置に形成され、走査電子顕微鏡等によって得られる画像上の基準パターンの位置情報と、設計データに基づいて検出される基準パターンと測定個所の位置関係の情報に基づいて、走査電子顕微鏡等による測定個所の基準位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】走査型顕微鏡で得られる画像からパターンのエッジ形状を抽出し、その抽出情報からデバイスの電気的性能を予測し、パターンを検査するパターン検査方法を提供する。
【解決手段】走査型顕微鏡の制御部１６１１及び検査用コンピュータ１６１２において、反射電子又は二次電子１６０９の強度分布を処理し、エッジ位置のデータから単一ゲート内のゲート長の分布を求め、最終的に作成されるトランジスタを様々なゲート長を持つ複数個のトランジスタの並列接続とみなしてトランジスタ性能を予測し、その予測結果を基にパターンの良否や等級を判定することにより、エッジラフネスのデバイス性能への影響を高精度かつ迅速に予測することができ、デバイス仕様に応じて高精度かつ効率的にパターン検査を行うことができる。 （もっと読む）