【目的】本発明は、電子線を真空室内に配置した試料に照射し放出あるいは吸収あるいは透過する電子あるいは２次電子あるいは光をもとに画像を生成する際に、温度変化を与えることなく汚染を防止する電子顕微鏡に関し、真空内に配置された試料に対向してゲッター面を設け、必要に応じて新規なゲッター面に切り替えるあるいは再生成することで、試料に対する温度変化を与えずに残留ガス分子による汚染を低減することを目的とする。
【構成】 真空室内に配置した試料の面に対向して設けたゲッター面と、ゲッター面について、必要に応じて、ゲッター面に新たなゲッター膜を生成する、あるいは他のゲッター面に新たなゲッター面を生成して置換する機構とを有する。 （もっと読む）

【課題】高加速電圧で収差補正機能を備えた荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線源と該荷電粒子線源から荷電粒子を引き出すための引き出し電極と荷電粒子線の収束手段を含む荷電粒子線銃と、該粒子線銃から放出された荷電粒子線を加速する加速手段と前記粒子線銃と加速手段の間に収差補正手段を設けて、引き出し電位あるいは、それとほぼ同等の加速初期段階のビームに、試料面上での粒子線プローブの収差をキャンセルするだけの収差を与えることにより上記課題を、解決する。 （もっと読む）

対象物（６）を少なくとも一次元で非接触で測定する方法であって、対象物（６）を走査ビームフィールド（１）の空間的に制限された有効範囲内で走査し、走査ビーム（Ｌ）の１本又は複数本の遮断を検出して測定次元での対象物（６）の大きさを推定するようにした前記方法を提案する。走査ビームフィールド（１）は直接アドレス化可能な複数本の個々のビーム（Ｌ）から構成されている。走査ビームフィールド（１）の空間的に制限された有効範囲のビームによる走査は、予め設定可能なステップのパターンにしたがって非線形ソーティング方法を使用して行なう。好ましい方法は二等分探索方法の適用にある。
（もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

集束イオンビーム３１２のスパッタリングエッチング加工を行って薄片を作製すると同時に、薄片の側壁に対して平行な方向から電子ビーム３１４の照射を行って走査電子顕微鏡観察をし、薄片の厚さを測定する。そして、薄片の厚さが所定の厚さになったことを確認して、集束イオンビーム３１２による加工を終了する。
（もっと読む）

【課題】描画されたパターン中から確実かつ精度高くかつ高速かつ人手に頼ることなく対象パターンを特定し、測長などする方法を提供する。
【解決手段】 設計データで表現されるパターンに、プロセスシフト情報を加味した第１のパターンを作成するステップＳ１〜Ｓ４と、描画されたパターンを拡大するステップＳ５、Ｓ６と、特定対象の第１のパターン、あるいは特定対象の第１のパターンとその周辺のパターンを含め、拡大されたパターン、あるいは拡大されたパターンとその周辺の拡大されたパターンを含めてパターンマッチングするステップＳ７と、パターンマッチングして一致あるいは最も一致した拡大されたパターンを出力するステップＳ８〜Ｓ１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 プラスチックシートに貫通形成された微小孔の形成状態の良否判断を行う場合、電子顕微鏡等を用いての高倍率での観察が必要である。この場合、観察が容易でなく、また良否判断をするには形成状態を熟知している必要がある。
【解決手段】 穿孔前のプラスチックシートに薄膜を設け、プラスチックシートに穿孔して微小孔を貫通形成する。この後、プラスチックシートの薄膜を設けた面を観察面として、穿孔して貫通形成された孔部の周辺の皺や亀裂を観察することにより、微小孔の形状の検査をする。 （もっと読む）

【課題】 測定範囲の全域にわたって分解能の改善を図った物理量測定装置およびこの装置を用いた物理量測定装置を提供する。
【解決手段】 放射線を含む線源から出射され、シ―ト状の被測定体を透過したエネルギーの減衰量を検出器により検出し、前記被測定体の物理量の測定を行う物理量測定装置において、前記線源と検出器の間の空気層を測定した検出器の出力信号を正規化して検量線を作成する第１検量線作成手段と、前記線源と検出器の間に標準サンプルを挿入した状態の検出器の出力信号を正規化して検量線を作成する第２検量線作成手段を備えている。 （もっと読む）

【課題】白色光・レーザ光、あるいは電子線を照射して形成された画像を用いて微細な回路パターンを検査する技術において、検査に必要な各種条件を設定する際にその操作性効率を向上するめの技術を提供する。
【解決手段】回路パターンが形成された基板表面に光、あるいは光および荷電粒子線を照射する手段と、該基板から発生する信号を検出する手段と、検出手段により検出された信号を画像化して一時的に記憶する手段と、上記記憶された当該領域の画像を他の同一の回路パターンが形成された領域と比較する手段と、比較結果から回路パターン上の欠陥を判別する手段からなる回路パターンの検査装置であって、検査用および検査条件設定用の操作画面に操作内容あるいは入力内容を表示する画面領域とその画面を表す項目名を表示する手段を備えており、且つ該項目名は該操作画面領域で一体化して表示する。 （もっと読む）

【課題】ミラー電子を使った電子線式検査装置においては、ウェハ上で予備帯電された領域の境界が像となって現れてしまい、正しい検査ができなかった。また、予備帯電は検査と同時に行われるため、照射時間を長くする必要がある場合、ステージの移動速度を遅くせざるを得ず、検査速度が遅くなってしまっていた。
【解決手段】予備照射のビーム源とウェハとの間に、そのサイズが可変な開口を設け、その大きさの一辺をウェハのチップ列の幅と等しくなるように設定し、かつ、チップ列と垂直方向へのウェハの動きに合わせて、開口も移動するように制御する。また、ステージの移動速度を遅くすること無く、ウェハの検査時のステージ移動途中に十分なビーム照射ができるように、その開口をチップ列と平行な方向に大きくするよう設定できるようにした。 （もっと読む）

【課題】電子線照射による形状・寸法変化が生じる試料において、最適な測定条件を迅速にかつ簡便に決定する。
【解決手段】測定条件を変えて寸法の測定を反復する。シュリンク量と測定再現性が予め設定された基準値を見たすまで、加速電圧等の測定条件を変化させて測定を実施し、最適な測定条件を探す。 （もっと読む）

【課題】 ナノオーダーでの生物現象を高時間分解能で計測する。
【解決手段】 反射型電子顕微鏡４は、バイオセル１２の表面に入射線１５を照射し、その反射散乱線２１の二次元強度分布である連続画像を撮影する。透過型電子顕微鏡５は、反射型電子顕微鏡５による撮影終了後に、静止したバイオセル１２の表面１２ａの三次元形状と、静止した生体試料１１の三次元形状を撮影する。解析装置は、反射型電子顕微鏡４及び透過型電子顕微鏡５の撮影した画像に基づいて、反射型電子顕微鏡４の撮影開始時刻から撮影終了時刻までの生体試料１１の変形及び運動を計算する。 （もっと読む）

電子ビームを照射して、所望のパターンが形成された試料の表面を観察する試料観察装置であって、電子ビームを試料の表面に照射する電子銃と、電子ビームが試料の表面に照射されることにより、試料から生じる電子を検出する電子検出部と、電子検出部が検出した電子に基づいて、試料の表面上の位置と、当該位置に対応して電子検出部が検出した電子量との関係を示す信号プロファイルを生成する状態取得部と、試料の表面上のそれぞれの位置における、信号プロファイルの２階微分値を算出する微分器と、信号プロファイルの２階微分値に基づいて、試料の表面に設けられたパターンのエッジの位置を算出するエッジ位置算出部とを備える試料観察装置を提供する。
（もっと読む）

【目的】本発明は、被測定対象物上のパターンの線幅あるいは線間隔などを測定した測定値の良否を判定する測定値の判定方法に関し、画像撮影時の焦点合わせの不良による画像の不明瞭、更にチャージによる画像ドリフトによる画像の不明瞭などによる、パターンの線幅などの測定不良を自動判定することを目的とする。
【構成】 被測定対象物上のパターンの信号強度分布を取得するステップと、取得した信号強度分布から当該パターンのエッジ位置を検出するステップと、取得した信号強度分布からパターンのエッジ部分のテーパ幅を検出するステップと、検出したテーパ幅が予め設定した所定範囲内のときに検出したエッジ位置をもとに算出した測定値が正しいと判定するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 低加速電圧を用いた高精度な三次元解析を行える走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 二次電子検出器１２よりも電子源側に、４分割された変換電極２１ａ〜２１ｄが配置されている。変換電極２１ａは対物レンズの下面（試料側）より上方に配置されており、その変換電極２１ａに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換され、変換電極２１ａの近傍の二次電子検出器１２ａに捕集される。同様にして、変換電極２１ｂに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換されて二次電子検出器１２ｂにより捕獲され、変換電極２１ｃに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換されて二次電子検出器１２ｃにより捕獲され、変換電極２１ｄに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換され、二次電子検出器１２ｄに捕集される。 （もっと読む）

【課題】
電子線を照射し、その二次電子などを検出する検出系では高速で検出するには検出器の面積が重要なファクタである。現在の電子光学系、検出器の技術では一定以上の面積の検出器が必要で、面積に逆比例する周波数で制約を受け、２００Msps以上の検出は実質的に困難である。
【解決手段】
例えば必要面積４mm角、４mm角時の速度を１５０Mspsとして４００Mspsで検出するには、単体の高速な２mm角の検出器を４個並べ、それらを増幅後、加算してA/D変換する。又は、二次電子偏向器で順次８mm角の検出器に二次電子を入射させ、１００Mspsで検出、A/D変換後並べる。いずれも、４mm角の面積と４００Mspsの速度を達成可能である。
（もっと読む）

【課題】 描画装置により半導体デバイス製品のパターン形成を行う際に、下地パターンと重ね合わせ描画を行うためのアライメントマーク検出精度を向上させる。
【解決手段】 アライメントマーク検出シミュレーションによりデバイス製品・工程ごと、およびマークの検出条件ごと、さらにマークがプロセス誤差を持つ場合についてテンプレート波形を作成する。あるデバイス製品・工程において重ねあわせ描画を行う際に、取得されたアライメント検出波形に対し、上記で作成された複数のテンプレート波形によるマッチング処理をそれぞれ行い、その中から相関係数最大となったテンプレートでの検出結果をアライメントマーク検出位置とする。 （もっと読む）

【課題】積層薄膜の極微小領域での測長を高精度に行う。
【解決手段】本発明は、測定条件を入力するステップ、電子線源から電子線を発生し、収束レンズにより電子線を試料に収束するステップ、結像レンズ系により試料を透過した電子線を拡大して試料の拡大像を結像するステップ、元素分析器により上記試料の元素分布像を取得し、取得した元素分布像を表示するステップ、元素分布像を測長するステップ、及び上記測定条件を補正するステップを含む薄膜評価方法に関する。更に、この評価方法を実施するための評価装置を開示する。 （もっと読む）

【課題】
計測パターン形状ごとに，計測寸法差の評価，すなわち合わせ込みに必要なパラメータの算出と，該算出パラメータを用いた計測寸法差の合わせ込みを行う必要があった。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いてパターンの寸法を計測する方法において、表面にパターンが形成された試料に収束させた電子線を照射して走査し、収束させた電子線の照射により試料から発生する2次電子を検出して試料表面に形成されたパターンの画像を取得し、予め記憶手段に記憶しておいた装置間での画像プロファイルの特徴量を合わせこむためのフィルタパラメータ（関数）を読み出し、読み出したフィルタパラメータを用いて取得したパターンの画像から画像プロファイルを作成し、作成した画像プロファイルから前記パターンの寸法を計測するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体試料等の表面に形成されたパターン等の体積減少を抑制、或いは減少に関わらず正確な測長を行う。
【解決手段】荷電粒子線を試料上で走査し、試料より放出された二次電子に基づいて、試料上に形成されたパターン等の線幅等を測長する荷電粒子線装置において、試料の物性に基づいて決定される照射密度を上回らないように前記荷電粒子線の走査線間隔を設定する。或いは予め記憶された近似関数に基づいて測長値を演算する。 （もっと読む）