【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、ウエハ上面からの観察のみで入射電子線に対して影になる部分やウエハ内に埋設された構造の検査および定量評価を行い、三次元構造の表示を行なう検査装置および方法を提供する。
【解決手段】ウエハ表面の一部分を透過し、電子ビームに対して露出しない部分に到達し得るエネルギーを有する電子ビームを照射して、二次的に発生する信号による走査像を取得し(40)、パターンの立体モデルを生成する工程(41)と、得られた二次信号からパターンのエッジの位置情報を検出する工程(44)と信号強度を検出する工程(45)と、検出した情報から被検査パターンの特徴量を算出する工程(46)と、算出したパターンの特徴量から立体構造を構築し、パターンの三次元構造を表示する(47)工程により三次元構造を評価する。 （もっと読む）

【課題】 表面層を備えたサンプルの検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】 その検査方法はＸ線の平行光線でサンプル２２を照射中に、サンプル２２の第１の反射率スペクトルを取得し、サンプル２２の散漫反射特性を測定するために第１の反射率スペクトルを処理する。Ｘ線の収束光線でサンプル２２を照射中に、サンプル２２の第２の反射率スペクトルが取得される。サンプル２２の表面層の特性を求めるために散漫反射特性を使用して、第２の反射率スペクトルが解析される。 （もっと読む）

【課題】環境条件の変動による感光体の表面帯電位の変動を抑制し、画像品質への影響を少なくして、より安定した画像品質が得られる電子写真感光体、その製造方法およびそれを搭載した電子写真装置の提供。
【解決手段】導電性基体上に浸漬塗布法による下引き層と感光層とをこの順に備える電子写真感光体において、下引き層が少なくとも顔料と結着樹脂とを含有し、顔料成分と樹脂成分の合計重量に対する顔料成分の重量比率が４０重量％以上７５重量％未満であって、かつ、下引き層表面の樹脂偏析層の膜厚が２５ｎｍ以下である電子写真感光体とする。 （もっと読む）

【課題】微細ラインパターン上のエッジラフネスのうち、デバイスの作成上あるいは材料やプロセスの解析上特に評価が必要となる空間周波数の成分を抽出し、指標で表す。
【解決手段】エッジラフネスのデータは十分長い領域に渡って取得し、パワースペクトル上で操作者が設定した空間周波数領域に対応する成分を積算し、測長SEM上で表示する。または、十分長い領域のエッジラフネスデータを分割し、統計処理と理論計算によるフィッティングを行って、任意の検査領域に対応する長周期ラフネスと短周期ラフネスを算出し測長SEM上で表示する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク又はウェハのパターンを電子顕微鏡（ＳＥＭ）から撮像し、得られたパターン画像を計測する方法において、そのパターン画像特有のチャージアップやフォーカスのボケによるパターン計測の信頼性の低下を防ぎ、パターン計測結果の信頼性を高めることを目的とする。
【解決手段】計測対象のパターンのＳＥＭ画像を取得し、計測するパターンを輪郭線を抽出処理し、該輪郭線の各点の近傍領域の濃度値から判別分析処理を行い判別分析処理によって算出したη値を統計解析処理し、画質の定量化し、信頼度の判定処理することにより、前記パターン計測の結果の信頼度を向上させるが可能となるパターン画像計測方法。 （もっと読む）

本発明は試料表面を検査する方法に関する。この方法は、試料表面に向けて誘導される複数の一次ビームを発生するステップと、複数の一次ビームを、試料表面上のそれぞれの位置に集束させるステップと、一次ビームが入射するとすぐ、試料表面から発生する荷電粒子の、複数の二次ビームを収集するステップと、収集された二次ビームの少なくとも１つを光学ビームに変換するステップと、光学ビームを検出するステップとを含む。
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【課題】 画像表示モニターに表示された寸法測定パターン画像の倍率誤差に起因する寸法測定誤差を低減し、正確な寸法測定値を得る。
【解決手段】 寸法を測定すべき第１のパターンと少なくとも２本のラインパターンを並べて配列された第２のパターン１６，１７とが基板上に形成され、第１のパターンを横切るように電子線を照射し、第１のパターンからの二次電子信号を検出することにより第１のパターンの寸法を測定可能な顕微鏡装置を用いたパターン寸法測定方法であって、顕微鏡装置を用いて第２のパターンのピッチを二次電子信号１８を検出することにより測定するとともに予め第２のパターンの真のピッチを求めるステップと、第１のパターンの寸法を測定するステップと、第１のパターン寸法の測定値、第２のパターンピッチの測定値および真のピッチから第１のパターンの真の寸法を求めるステップとを含む。 （もっと読む）

本発明は、高周波送信器（２４）によりギガヘルツ周波数帯域の測定信号（２８）を検査すべき建築資材（１０）に少なくとも一回侵入させ、高周波受信器（３８）により検出するようにした建築資材侵入性の材料強度測定の方法、とりわけ、壁、天井、および床の厚さを測定する方法に関する。
本発明によれば、高周波送信器（２４）および／または高周波受信器（３４）の異なる位置（２０，２２）で測定された測定信号の少なくとも２つの伝播時間から建築資材（１０）の材料強度（ｄ）が求められる。
さらに、本発明は上記の方法を実行する装置システム（１２，４０，１４０，２４０，３４０）にも関している。
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【課題】
ＳＥＭの２次電子画像信号量の傾斜角依存性を利用して平坦な面や垂直に近い面についても高精度な立体形状計測を可能にしたＳＥＭによる立体形状計測方法およびその装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、被計測対象パターンにおいて傾斜角変化に対して感度が低い領域（平坦部領域）ａ、ｃ１については、チルト像取得部１５２１で観察方向φ（２）からチルト像（チルト２次電子画像）Ｉ（２）を取得し、形状計測部１５２３，１５２４で取得されるチルト像を用いて勾配（表面傾斜角）を推定し、該推定された勾配推定値（表面傾斜角推定値）を積分することによって立体形状Ｓ２ａ、Ｓ２ｃの計測を行うことで、高精度な３次元プロファイル（立体形状）の計測を可能にすることにある。 （もっと読む）

【課題】 試料の傾斜角や高さに依存することなく、精度のよい試料の画像計測が行なえる電子線装置と電子線装置用基準試料を提供する。
【解決手段】 上記目的を達成する本発明の電子線システムは、例えば図１に示すように、電子線を射出する電子線源１と、電子線源１から射出された電子線７を収束し、試料９に照射する電子光学系２と、電子線７が照射された試料９からの電子７ｄを受け取る検出部４と、試料９を支持する試料支持部３と、試料支持部３で支持された試料９に照射される電子線７と試料３とを相対的に傾斜させる試料傾斜部５（５ａ，５ｂ）と、前記相対的な傾斜が自在であるように試料支持部３で支持された少なくとも傾斜した２面を有する基準試料９ａから電子を受け取った検出部４からの検出信号を、傾斜毎に受け取り、前記傾斜した２面の画像と基準試料９ａの基準寸法とから、基準試料９ａの傾斜角度を求めるデータ処理部２０等とを備える。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウエハなどの基板の表面に形成された薄膜の厚みなどを測定する測定装置に関するものである。本発明の測定装置は、物質にマイクロ波を照射するマイクロ波照射手段（４０）と、マイクロ波照射手段（４０）にマイクロ波を供給するマイクロ波源（４５）と、物質から反射した、又は物質を透過したマイクロ波の振幅又は位相を検出する検出手段（４７）と、検出手段（４７）により検出されたマイクロ波の振幅又は位相に基づいて物質の構造を解析する解析手段（４８）とを備える。
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