【課題】本発明の目的は、複数のパターンが理想的に重ね合わせられている設計データを用いて、パターン画像に表れているパターン間のずれを評価する評価方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための本発明の一例として、上層パターンについて、設計データの線分と、荷電粒子線像のエッジ間の第１の距離を測定し、下層パターンについて、設計データの線分と、荷電粒子線像のエッジ間の第２の距離を測定し、前記第１の距離と第２の距離に基づいて、前記上層パターンと下層パターンの重ね合わせずれを検出する。 （もっと読む）

【目的】高精度なビーム分解能を測定する方法、および方法を具現化する描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のビーム分解能測定方法は、マーク上を荷電粒子ビームで照射しながら走査する走査工程（Ｓ１０２）と、マークからの反射信号を計測する計測工程（Ｓ１０４）と、所定のマーク形状関数と誤差関数とを用いて定義された近似式を用いて反射信号に基づく波形をフィッティングして、ビーム分解能を測定するビーム分解能測定工程（Ｓ１０８）と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、高精度なビーム分解能を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線顕微装置において、任意倍率における幾何歪みを高精度に測定し、補正する。
【解決手段】 周期構造を持つ標準試料を基準にした絶対歪みとして第1の倍率における幾何歪みを測定する。幾何歪み測定済の第1の倍率と、幾何歪み未測定の第２の倍率で微細構造試料を撮影する。第1の倍率の画像を第2の倍率まで等方的に伸縮した伸縮画像を生成する。第2の倍率における幾何歪みを、伸縮画像を基準とした相対歪みとして測定する。第1の倍率における絶対歪みと第2の倍率における相対歪みから 、第2の倍率における絶対歪みを求める。以後、第2の倍率を第1の倍率に置き換えて相対歪み測定を繰り返すことにより、任意倍率における幾何歪みを測定し、補正する。 （もっと読む）

【課題】 高炉内にセンサを挿入することなく、炉外から、コークスと焼結鉱との層境界を連続的かつ安定的に、精度よく検出し、各層の厚みと降下速度を測定する。
【解決手段】 炉外上下方向に一定距離だけ離して２台の境界検出器１及び４を設置し、それぞれの検出器はマイクロ波送信機１０を有し、炉を構成する耐火物に向かってマイクロ波を送信し、挿入物２３の表面で反射或いは散乱したマイクロ波を、結像系１３を通じて結像させ、結像面内に並列に配置或いは面内を走査する機構を有するマイクロ波検出器アレイ１４及び距離識別・画像生成処理部１５で検出して画像化し、該画像を画像信号処理手段２で処理することによって層状の装入物境界を検出し、２台の検出結果の時系列データから装入物の降下速度と各層厚を測定することを特徴とする高炉炉内装入物の挙動検出装置である。 （もっと読む）

【課題】特に半導体欠陥レビュー装置において、検索基準となる画像に対する類似画像を、簡単かつ高速に検索し、類似度順に出力する。
【解決手段】画像に付帯する情報、例えば、取得日時、取得条件、画像以外の情報を解析した結果、ユーザによるコメントなどを、テキスト情報として画像と対応させて保存する機能を有し、これら付帯情報のキーワード検索により類似画像候補を限定した後、画像の特徴量に基づき検索基準画像に対する類似度を算出し、類似度順に検索結果を出力する。 （もっと読む）

【課題】鉄筋の設置深度及び直径を電磁波レーダを使用した非破壊的手段で計測する。
【解決手段】電磁波レーダの物理的特性と媒質界面における反射及び屈折を含めた伝播特性に基づく予測受信信号波形を予め作成し、電磁波レーダを測定対象物の表面に沿って走査させて測定した実際の受信信号とのパターンマッチングによって媒質内の物体の位置及び物体の形状、及び媒質の比誘電率を計測するものである。電磁波レーダ２をコンクリート１の表面１０にセットし、走査させて反射波を受信し、未知パラメータを設置深さ（ｄ）、鉄筋径（ａ）、及び比誘電率（ε）として受信信号波形とモデル波形の最適パターンマッチングをおこない、鉄筋のかぶり及び直径を精度よく測定する。 （もっと読む）

【課題】規則的な配列パターンのピッチがより微細化するフォトニック結晶やピクセルアレーなどの材料やディバイスなどにおける配列の乱れをより簡便に、正確に、短い時間で、所望の範囲にわたって検出、測定することができる、微小な規則的パターンの配列の乱れを検出測定する方法を提供する。
【解決手段】微小な規則的パターンを有する被検出対象物上に、エネルギー線を所定の走査パターンで照射し、エネルギー線を照射したときに生ずる二次電子発生量、反射粒子量、二次イオン発生量あるいはＸ線量の違いによりモアレ縞を形成させて、そのモアレ縞に基づいて被検出対象物が有する規則的パターンの変形の様子を一度に所定範囲で観察し、局部的な配列の乱れを検出または測定する。 （もっと読む）

【課題】 高精度測長校正を実現する校正用標準部材を提供する。
【解決手段】 光学的回折角測定が可能な回折格子パターンに座標位置を表すマークパターンを混在させ、かつ回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることで本標準部材の作製および実現が可能となる。
【効果】 回折格子座標位置を示すマークを回折格子近傍に配置させることにより、校正に用いる回折格子位置の確認が容易になる。また、回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることにより回折格子配列内の近接効果の差異の無い均一な回折格子パターンが実現できる。更に、十字マークを回折格子配列に隣接して配置できるので高精度な回折格子位置決めが実現できる標準部材を用いることにより高精度かつ容易な回折格子位置決め校正が可能となり次世代半導体加工に対応した高精度測長校正が実現できる。 （もっと読む）

【課題】表面から散乱したＸ線の検出に基づいて、試料の表面上における周期構造の寸法を測定するための、改善された方法および装置を提供する。
【解決手段】試料をＸ線解析する方法は、試料の表面上の周期構造の領域に衝突するようにＸ線ビームを方向付け、方位角の関数として散乱Ｘ線の回折スペクトルを検出するように反射モードで表面から散乱したＸ線を受け取ることを含む。回折スペクトルは、構造の寸法を決定するために解析される。
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【目的】本発明は、電子線ビームを測定対象にフォーカスして取得した画像上のパターンの測定を行うパターン測定方法およびパターン測定装置に関し、走査型電子顕微鏡なしで測定データ情報を指定して登録可能になると共に測定対象のマスク上でのパターンの欠落や余分なパターンがあっても確実かつ正確に測定データ情報を指定して測定することを目的とする。
【構成】測定対象の設計データのパターン上で指定された測定対象のパターンと測定領域と測定方法からなる測定データ情報を読み込むステップと、読み込んだ測定データ情報をもとに、電子線ビームを測定対象にフォーカスして画像を取得するステップと、取得した画像上で、読み込んだ測定データ情報をもとに、パターンの有無、余分なパターンの有無、および寸法を測定するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターン照合方法およびパターン照合装置に関し、平坦試料上で電子光学系の焦点深度を超えた歪みがある場合などに再フォーカス合わせによる電子光学系のパラメータの変化による影響を受けることなく平坦試料の全面に渡って高精度にパターンマッチングしてパターンの位置およびパターン測長を正確に行うことを目的とする。
【解決手段】フォーカスしたときの焦点位置Ｚ０を取得して記憶するステップと、フォーカスしたときの焦点位置Ｚ１を取得するステップと、焦点位置Ｚ０と焦点位置Ｚ１との差ΔＺをもとに、テーブルを参照して回転量ΔＲ１および拡縮倍率ΔＭ１を算出するステップと、回転量ΔＲ１および拡縮倍率ΔＭ１した設計データパターンを生成するステップと、生成した設計データパターンと、他の場所にフォーカスして取得した画像上のパターンとを照合し、パターンの位置および寸法のうちの必要なものを測長するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】倍率、走査方向や測定装置を変更しても、測定結果の変動が生じない線幅測定調整方法及び走査型電子顕微鏡を提供すること。
【解決手段】線幅測定調整方法は、第１の倍率において走査される電子ビームの第１の電子ビーム強度分布と、第２の倍率において走査される電子ビームの第２の電子ビーム強度分布とが同等になるように前記第２の電子ビーム強度分布を調整することを含む。前記第２の電子ビーム強度分布の調整は、電子ビーム強度分布を作成するときに、前記第２の照射距離を増減して行うようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】標準試料を使用することなく正確に測定可能な走査型電子顕微鏡及びそれを用いる測定方法を提供すること。
【解決手段】試料６に対して走査する電子線（入射線）を断続的に照射し、該電子線が試料６に照射されたときに発生する後方散乱電子を後方散乱電子検出器２２で検出し、時間差検出部５３により、試料６に照射される電子線と後方散乱電子検出器２２で検出した後方散乱電子との時間差を比較計測し、試料表面の形状を測定する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク又はウェハのホール及びドットパターン形状のラフネスを計測する際に、測定者が計測する箇所を指定する必要がなく、迅速かつ高精度なラフネス計測が可能となるパターン形状計測装置及びパターン形状計測方法を提供する。
【解決手段】計測対象パターンを入力する計測対象パターン入力部１１と、計測対象パターンの輪郭線を抽出する輪郭線抽出部１２と、輪郭線の重心を算出する重心算出部１３を有する。また、輪郭線と重心との距離を算出する距離算出部１４と、計測対象パターンと比較するためのリファレンスパターンの輪郭線とそのリファレンスパターンの輪郭線の重心との距離を算出する距離算出部１５と、距離算出部１４が算出した距離と距離算出部１５が算出した距離との差分を算出する差分算出部１６と、差分からラフネス値を算出するラフネス値算出部１７とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、設計データ内の凹凸情報を特定するのに好適な方法，プログラム及び装置の提供に係り、一例として同じような部分が羅列するようなパターンであっても、設計データと、画像形成装置等で取得された画像との間のパターンマッチングを高精度に行い得る方法，プログラム及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために、設計データ上のパターンの凹部及び／又は凸部、或いはパターン部及び／又は非パターン部に関する情報を用いて、設計データ上のパターンと、前記画像上のパターンとのパターンマッチングを行うことを特徴とするパターンマッチング方法、及びそのためのプログラムを提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの膜の特性をインラインで測定して、定期的なモニタリング作業を不要にした半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に複数の膜を積層して成膜する。この基板１上に形成され上記基板１上の特定エリアを示すパターンを認識し、この特定エリアのみの上記複数の膜に、Ｘ線をマイクロ化されたスポット径で照射して、Ｘ線反射率測定によって、上記各膜の特性を測定する。 （もっと読む）

【課題】本発明の主たる目的の１つは、複雑化・多層化された素子を測長するのに好適な試料寸法測定方法、及び試料寸法測定装置を提供することにある。
【解決手段】本発明によれば、上記目的を達成するために、半導体素子のデザインデータを用いて、試料像上のパターンの寸法を測定するに当たり、試料像、或いは測定対象の半導体素子の状況に応じて、測定条件を変化させる方法、及び装置を提案する。このような構成によれば、試料像の状態や試料上に形成されている素子の状態に応じて、適切な測定条件を選択することができるため、測定効率の向上が可能となる。 （もっと読む）

【課題】高分解能を維持しつつ、短い撮影時間で欠陥の画像情報を取得する荷電粒子ビーム検査方法および装置を実現する。
【解決手段】第１の撮影領域および第１の照射条件を用いた低倍率の第１の欠陥画像情報８６および参照画像情報８７を、すべての欠陥位置で求め、これらの画像から欠陥の高精度欠陥位置情報求め、この高精度欠陥位置情報に基づいて、高倍率の第２の撮影領域および第２の照射条件を設定し、すべての第２の欠陥画像情報８８を取得することとしているので、第１および第２の照射条件を一度切り替えるだけで、すべての撮影を終了し、かつ第２の照射条件を電流の小さいものとして分解能の低下を防止し、高分解能を維持したまま撮影時間を短いものとすることを実現させる。 （もっと読む）

【課題】光学式異物検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を電子顕微鏡で詳細に観察する方法およびその装置において、観察対象の欠陥を確実に電子顕微鏡等の視野内に入れることができ、かつ、装置規模を小さくできる方法およびその装置を提供する。
【解決手段】光学式欠陥検査装置で検出した欠陥を観察する電子顕微鏡５において、欠陥を再検出する光学式顕微鏡６を搭載し、この光学式顕微鏡６の焦点合わせを行う時に、試料１に対して光学式顕微鏡６の照明位置と検出位置を変化させない構成とする。 （もっと読む）

【課題】
欠陥の特徴を的確に提示することが可能な欠陥画像表示画面を提供する。
【解決手段】
欠陥のサムネイル表示画面において、検査情報や欠陥種類等から、欠陥毎にその欠陥の特徴を最も顕著に表すような画像を決定し、表示する。また、欠陥の詳細表示画面において、検査情報や欠陥種類等を基に、その欠陥の特徴を顕著に表すように表示する画像やその画像の表示順序を定め、表示する。さらに、欠陥画像撮像中または欠陥画像撮像後に、予め指定した規則に基づいて別の欠陥画像取得装置や別の撮像条件により表示用の画像を撮像するためのステップを撮像シーケンスに追加する。 （もっと読む）